JP2002160072A - 抵抗溶接装置 - Google Patents

抵抗溶接装置

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JP2002160072A
JP2002160072A JP2000361809A JP2000361809A JP2002160072A JP 2002160072 A JP2002160072 A JP 2002160072A JP 2000361809 A JP2000361809 A JP 2000361809A JP 2000361809 A JP2000361809 A JP 2000361809A JP 2002160072 A JP2002160072 A JP 2002160072A
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JP
Japan
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substrate
terminal
thin film
capacitor
resistance welding
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Application number
JP2000361809A
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Inventor
Mikio Watanabe
幹男 渡辺
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Miyachi Technos Corp
Original Assignee
Miyachi Technos Corp
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    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K11/00Resistance welding; Severing by resistance heating
    • B23K11/24Electric supply or control circuits therefor

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  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)
  • Generation Of Surge Voltage And Current (AREA)

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 スイッチング素子をオフした直後に発生する
サージ電圧を小さくして、スイッチング素子の安全を図
ること。 【解決手段】 この電源部アッセンブリでは、一枚の基
板30の両面に形成した薄膜導体34,38,42を介
して各部間を電気的に接続している。詳細には、コンデ
ンサ12の正極側端子12aとスイッチング・トランジ
スタ14の電流入側端子(図示せず)とは、基板上面3
0a側で正極側導電路用の薄膜導体34を介して電気的
に接続される。スイッチング・トランジスタ14の電流
出側端子14Sとフライホイール・ダイオード20のカ
ソード端子20Cとは、基板下面30b側で正極側導電
路用の薄膜導体42を介して電気的に接続される。コン
デンサ12の負極側端子12bとフライホイール・ダイ
オード20のアノード端子(図示せず)とは、基板上面
30a側で負極側導電路用の薄膜導体38を介して電気
的に接続される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、抵抗溶接装置に係
り、特に溶接エネルギーとなる電力をコンデンサにいっ
たん蓄積してからスイッチング素子を介して被溶接材に
供給する方式の抵抗溶接装置に関する。
【0002】
【従来の技術】図6に、この種の抵抗溶接装置における
要部の基本的な回路構成を示す。充電回路10は、たと
えば複数個のダイオードをブリッジ接続してなる単相全
波整流回路を含み、交流電源ラインから絶縁トランス
(図示せず)を介して商用周波数の単相交流電源電圧E
aを入力し、入力した交流電源電圧Eaを全波整流して直
流の電圧を出力する。コンデンサ12は充電回路10の
出力電圧によって所定の電圧値Ecに充電される。
【0003】コンデンサ12の正極側端子はスイッチン
グ素子たとえば電界効果トランジスタ(FET)14を
介して第1の溶接電極16に電気的に接続され、負極側
端子は第2の溶接電極18に電気的に接続される。スイ
ッチング・トランジスタ14を高周波数(たとえば1k
Hz)でオン・オフ制御する通電方式では、第1および
第2の溶接電極16,18の間に所定の極性で(カソー
ド端子およびアノード端子をそれぞれ第1および第2の
溶接電極16,18に向けて)フライホイール・ダイオ
ード20が接続される。
【0004】溶接通電の際には、加圧装置(図示せず)
の働きにより、被溶接材(W1,W2)に対して両側から
第1および第2の溶接電極16,18が加圧接触する。
そして、制御回路(図示せず)からの制御信号CSによ
りスイッチング・トランジスタ14がオンすると、コン
デンサ12が負荷(溶接部)側に放電し、その放電電流
が溶接電流Iwとして溶接電極16,18および被溶接
材(W1,W2)を流れる。高周波スイッチング方式で
は、スイッチング・トランジスタ14がオフすると、フ
ライホイール・ダイオード20と負荷(溶接部)との閉
回路内で溶接電流Iwが還流して流れ続ける。
【0005】図7に、従来の抵抗溶接装置における電源
部の要部の物理的構成を示す。一般に、コンデンサ12
には、一端面より一対の棒状端子12a,12bが突出
しているシリンダ型の電解コンデンサが用いられる。従
来装置では、図示のように、コンデンサ12、スイッチ
ング・トランジスタ14およびダイオード20の三者を
銅バー100,102,104を介して電気的に接続し
ている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の抵
抗溶接装置では、スイッチング・トランジスタ14がオ
フした直後にコンデンサ12、トランジスタ14および
ダイオード20を含む電源部のループ回路L内で大きな
サージ電圧が発生し、このサージ電圧を受けてスイッチ
ング・トランジスタ14が破壊するおそれがあった。
【0007】上記のようなサージ電圧はループ回路Lの
全長またはループ距離に依存し、ループ距離が大きいほ
どサージ電圧が大きくなる。しかるに、従来装置では、
ループ回路Lの接続導体に銅バー100,102,10
4を用いる構成であるため、ループ距離を短くするのは
難しかった。このため、サージ電圧対策として、トラン
ジスタ14にスナバ回路等の保護回路(図示せず)を付
ける構成を採っており、装置コストが高くついていた。
また、ループ回路Lの全長が大きいぶんだけ、電源部の
小型化も難しかった。
【0008】本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑み
てなされたもので、スイッチング素子をオフした直後に
発生するサージ電圧を小さくして、スイッチング素子の
安全を図るようにした抵抗溶接装置を提供することを目
的とする。
【0009】本発明の別の目的は、スイッチング素子に
耐サージ電圧用の保護回路を不要とする抵抗溶接装置を
提供することにある。
【0010】本発明の他の目的は、電源部の軽量小型化
を実現する抵抗溶接装置を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の抵抗溶接装置は、溶接通電のため被溶接
材に加圧接触する第1および第2の溶接電極に対して、
抵抗溶接用の電力をいったん蓄積してから放電するコン
デンサの第1の端子をスイッチング素子を介して前記第
1の溶接電極に電気的に接続するとともに前記コンデン
サの第2の端子を前記第2の溶接電極に電気的に接続
し、前記第1および第2の溶接電極の間に所定の極性で
フライホイール・ダイオードを電気的に接続してなる抵
抗溶接装置であって、基板に前記コンデンサ、前記スイ
ッチング素子および前記フライホイール・ダイオードを
配置し、前記基板の両面に形成された複数の薄膜導体を
介して前記コンデンサ、前記スイッチング素子および前
記フライホイール・ダイオードを電気的に接続してなる
構成とした。
【0012】本発明の抵抗溶接装置では、基板を挟んで
その両側または片側にコンデンサ、スイッチング素子お
よびフライホイール・ダイオードを密に集積させ、基板
の両面に形成された複数の薄膜導体を介して各部間を電
気的に接続しているので、軽量小型のアッセンブリ構造
を実現できるとともに、それら三者の部品または素子を
含む電源部内のループ回路の全長または距離を可及的に
短くすることができる。したがって、スイッチング素子
をオンからオフに切り換えた直後にループ回路内で発生
するサージ電圧は非常に小さく、特別な保護回路を付け
なくてもスイッチング素子の破壊を防止できる。
【0013】本発明の好ましい一態様による抵抗溶接装
置は、溶接通電のため被溶接材に加圧接触する第1およ
び第2の溶接電極に対して、抵抗溶接用の電力をいった
ん蓄積してから放電するコンデンサの第1の端子をスイ
ッチング素子を介して前記第1の溶接電極に電気的に接
続するとともに前記コンデンサの第2の端子を前記第2
の溶接電極に電気的に接続し、前記第1および第2の溶
接電極の間に所定の極性でフライホイール・ダイオード
を電気的に接続してなる抵抗溶接装置であって、絶縁性
部材からなる基板の第1の面上に互いに電気的に分離し
た第1および第2の導体薄膜をそれぞれ固着形成すると
ともに前記基板の第2の面上に前記第1および第2の導
体薄膜のいずれとも電気的に分離した第3の導体薄膜を
固着形成し、前記基板の第2の面側に前記コンデンサを
配置し、前記コンデンサの第1および第2の端子を前記
基板の第1の面側で前記第1および第2の薄膜導体にそ
れぞれ接続し、前記スイッチング素子を前記基板の第1
または第2の面側に配置し、前記スイッチング素子の電
流入側の端子を前記基板の第1の面側で前記第1の薄膜
導体に接続するとともに電流出側の端子を前記基板の第
2の面側で前記第3の薄膜導体に接続し、前記フライホ
イール・ダイオードを前記基板の第1または第2の面側
に配置し、前記フライホイール・ダイオードのカソード
端子を前記基板の第2の面側で前記第3の薄膜導体に接
続するとともにアノード端子を前記基板の第1の面側で
前記第2の薄膜導体に接続し、前記第3および第2の薄
膜導体を前記第1および第2の溶接電極にそれぞれ電気
的に接続してなる構成を有する。
【0014】本発明の抵抗溶接装置において、スイッチ
ング素子を一種の可変抵抗器として持続的にオンさせる
場合には、上記構成においてフライホイール・ダイオー
ドを省くことができる。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、図1〜図5を参照して本発
明の好適な実施形態を説明する。
【0016】図1〜図5は、本発明の一実施形態の抵抗
溶接装置における要部のアッセンブリ構造を示す。この
実施形態の抵抗溶接装置も図6の回路構成を有してお
り、図1に示すアッセンブリは図6の回路におけるコン
デンサ12、スイッチング・トランジスタ14およびフ
ライホイール・ダイオード20を含んでいる。
【0017】このアッセンブリでは、たとえばガラスエ
ポキシ等の絶縁性部材からなる基板30を本体とし、基
板30の片側(図1の下側)にコンデンサ12を取り付
け、反対側(図1の上側)にスイッチング・トランジス
タ14およびフライホイール・ダイオード20を取り付
けている。
【0018】基板30の両面には、たとえば銅箔からな
る導電性の薄膜導体がメッキ加工等で固着形成されてい
る。図2に明示するように、基板30の上面(第1の
面)30a上には、中心部の分離帯32を挟んで左側に
正極側導電路用の薄膜導体34および制御線用の薄膜導
体36がそれぞれ幅広のパターンで形成され、右側に負
極側導電路用の薄膜導体38が幅広(ほぼ一面)のパタ
ーンで形成されている。左側領域では、左端寄りの分離
帯40を挟んで内側(中央分離帯側)に正極側導電路用
の薄膜導体34が位置し、外側(左端側)に制御線用の
薄膜導体36が位置している。
【0019】後に詳述するように、正極側導電路用の薄
膜導体34は、コンデンサ12の正極側端子12aとス
イッチング・トランジスタ14の電流入側端子(たとえ
ばドレイン端子)14Dとの間の導電路を構成する。制
御線用の薄膜導体36は、制御回路(図示せず)からの
制御信号CS(図6)をスイッチング・トランジスタ1
4の制御端子(たとえばゲート端子)14Gに伝送する
ための導電路を構成する。負極側導電路用の薄膜導体3
8は、コンデンサ12の負極側端子12bとフライホイ
ール・ダイオード20のアノード端子20Aとの間の導
電路を構成する。各薄膜導体34,36,38の表面に
は絶縁性のフィルム(図示せず)が被せられる。
【0020】コンデンサ12、スイッチング・トランジ
スタ14およびフライホイール・ダイオード20は、そ
れぞれ1個ずつであってもよいが、図2に示すようにそ
れぞれ並列接続で複数個設ける構成としてもよい。な
お、図2は、後述する放熱板72,74(図1)を省い
た状態で基板30上の構成を平面図で示している。
【0021】基板30の下面(第2の面)30b上に
は、詳細なパターン図(平面図)を省略するが、少なく
ともコンデンサ12、スイッチング・トランジスタ14
およびフライホイール・ダイオード20が配置される基
板領域(面積)にわたって正極側導電路用の薄膜導体4
2が所定のパターンで形成されている。後に詳述するよ
うに、この薄膜導体42は、スイッチング・トランジス
タ14の電流出側端子(たとえばソース端子)14Sと
フライホイール・ダイオード20のカソード端子20C
との間の導電路を構成する。薄膜導体42の表面にも絶
縁性のフィルム(図示せず)が被せられる。
【0022】基板30上で、コンデンサ12、スイッチ
ング・トランジスタ14およびフライホイール・ダイオ
ード20の各端子は各対応する取付孔(貫通孔)に挿入
され、基板上面30a側もしくは基板下面30b側にて
各対応する薄膜導体にたとえばハンダ付で接続される。
【0023】詳細には、コンデンサ12の両端子12
a,12bは基板30の取付孔44,46にそれぞれ挿
入され、正極側端子12aは基板上面30a側で正極側
導電路用の薄膜導体34に接続され(図1)、負極側端
子12bは基板上面30a側で負極側導電路用の薄膜導
体38に接続される(図1)。
【0024】スイッチング・トランジスタ14の電流入
側端子14Dおよび電流出側端子14Sは基板30の取
付孔48,50にそれぞれ挿入され、電流入側端子14
Dは基板上面30a側で正極側導電路用の薄膜導体34
に接続され(図3)、電流出側端子14Sは基板下面3
0b側で正極側導電路用の薄膜導体42に接続される
(図1、図3)。また、スイッチング・トランジスタ1
4の制御端子14Gは、基板30の取付孔52に挿入さ
れ、基板下面30b側で制御線用の薄膜導体54に接続
される(図3)。図4に示すように、基板下面30b側
では、この制御線用の薄膜導体54が正極側導電路用の
薄膜導体42から分離帯56を介して分離された島状の
パターンで基板下面30b上に形成されている。この薄
膜導体54の表面にも絶縁性のフィルム(図示せず)が
被せられる。
【0025】この実施形態では、基板上面30a上に制
御信号CSを通す抵抗58が取り付けられる。抵抗58
の信号入側端子58Jは、基板30の取付孔60に挿入
され、基板上面30a側で薄膜導体36に接続される
(図3)。抵抗58の信号出側端子58Kは、基板30
の取付孔62に挿入され、基板下面30b側で薄膜導体
54に接続される(図1および図3)。
【0026】フライホイール・ダイオード20のカソー
ド端子20Cおよびアノード端子20Aは基板30の取
付孔64,66にそれぞれ挿入され、カソード端子20
Cは基板下面30b側で正極側導電路用の薄膜導体42
に接続され(図1、図5)、アノード端子20Aは基板
上面30a側で負極側導電路用の薄膜導体38に接続さ
れる(図5)。
【0027】上記のような基板30に対する取付により
各部品(12,14,20)間は次のように電気的に接
続される。コンデンサ12の正極側端子12aとスイッ
チング・トランジスタ14の電流入側端子14Dとは、
基板上面30a側で正極側導電路用の薄膜導体34を介
して電気的に接続される。スイッチング・トランジスタ
14の電流出側端子14Sとフライホイール・ダイオー
ド20のカソード端子20Cとは、基板下面30b側で
正極側導電路用の薄膜導体42を介して電気的に接続さ
れる。コンデンサ12の負極側端子12bとフライホイ
ール・ダイオード20のアノード端子20Aとは、基板
上面30a側で負極側導電路用の薄膜導体38を介して
電気的に接続される。
【0028】図2に示すように、基板30には、正極側
導電路用の薄膜導体34の領域内に外部導体端子取付孔
(貫通孔)68が形成されている。この外部導体端子取
付孔68の内壁および周縁部は薄膜導体70で被覆され
ており、基板上面30aの薄膜導体34に電気的に連続
または接続している。充電回路10(図6)の正極側出
力端子に通じる導体の一端部または端子(図示せず)が
この外部導体端子取付孔68に装着されることにより、
充電回路10の正極側出力端子がコンデンサ12の正極
側端子12aとスイッチング・トランジスタ14の電流
入側端子14Dとに電気的に接続されるようになってい
る。
【0029】この実施形態では、図1に示すように、ス
イッチング・トランジスタ14およびフライホイール・
ダイオード20より発生される熱を吸収ないし放熱する
ための熱伝導率の高い放熱部材72,74が基板30上
に取り付けられている。
【0030】放熱部材72は、たとえば断面コ字状の放
熱板からなり、基板30にボルト(図示せず)等で固定
される。スイッチング・トランジスタ14のパッケージ
背面には、電流入側端子14Dと電気的に短絡している
導電性かつ熱伝導性の金属プレート部14Mが設けられ
ている。スイッチング・トランジスタ14は、放熱部材
72に対して、金属プレート部14Mを放熱部材72の
外側壁面に密着させるようにして固定部材(図示せず)
等で固定され、熱的に結合される。
【0031】放熱部材72を熱伝導率だけでなく導電率
も高い材質たとえばアルミニウムで構成し、放熱部材7
2の底部にて基板上面30a上の薄膜導体34を局所的
に露出させ、薄膜導体34を放熱部材72を介してスイ
ッチング・トランジスタ14の金属プレート部14Mな
いし電流入側端子14Dに電気的に接続する構成も可能
である。あるいは、放熱部材72に上記外部導体端子取
付孔68の代用となる電気的端子または接続部を設ける
ことも可能である。
【0032】放熱部材74も、たとえば断面コ字状の放
熱板からなり、基板30にボルト(図示せず)等で固定
される。フライホイール・ダイオード20のパッケージ
背面にも、カソード端子14Dと電気的に短絡している
導電性および熱伝導性の金属プレート20部Mが設けら
れている。フライホイール・ダイオード20は、放熱部
材74に対して、金属プレート部20Mを放熱部材74
の外側壁面に密着させるようにして固定部材(図示せ
ず)等で固定され、熱的に結合される。
【0033】図示の構成例における放熱部材74は、熱
伝導率だけでなく導電率も高い材質たとえばアルミニウ
ムからなり、一端部に外部導体端子接続部74aを有し
ている。上部電極16(図6)に通じる導体の一端部ま
たは端子(図示せず)がこの外部端子接続部74aに接
続される。
【0034】放熱部材74の底部の下には絶縁板76を
介してたとえば銅板からなる板状の導電性部材78が挿
入されている。この導電性部材78は、基板上面30a
上の負極側導電路用の薄膜導体38に電気的に接続され
ており、一端部に外部導体端子接続部78aを有してい
る。下部電極18(図6)に通じる導体の一端部または
端子(図示せず)および充電回路10(図6)の負極側
出力端子に通じる導体の一端部または端子(図示せず)
がこの外部端子接続部78aに接続されることにより、
充電回路10の負極側出力端子とコンデンサ12の負極
側端子12bとフライホイール・ダイオード20のアノ
ード端子20Aと下部電極18とが電気的に相互または
共通接続される。
【0035】この実施形態における上記構成の電源部ア
ッセンブリでは、一枚の基板30を挟んでその両側(両
面)にコンデンサ12、スイッチング・トランジスタ1
4およびフライホイール・ダイオード20を高密度に集
積させ、基板30の両面に形成した薄膜導体(34,3
8,42)を介して各部間を電気的に接続しているの
で、それら三者(12,14,20)を含むループ回路
L(図6)の全長または距離が従来装置(図7)のもの
よりも格段に短くなっている。このことにより、スイッ
チング・トランジスタ14をオン状態からオフ状態に切
り換えた直後にループ回路L内で発生するサージ電圧は
非常に小さく、スナバ回路等の保護回路を付けなくても
スイッチング・トランジスタ14を安全に維持できる。
【0036】また、上記のように一枚の基板30の両側
にコンデンサ12、スイッチング・トランジスタ14お
よびフライホイール・ダイオード20を高密度に集積さ
せ、かつ基板上の薄膜導体を介して電気的に接続してい
るので、軽量小型のアッセンブリとなっており、電源部
のコンパクト化を実現できる。この利点は、それらの部
品(12,14,20)をそれぞれ並列接続で複数個設
ける場合に(部品数が多いほど)より顕著である。
【0037】上記実施形態では、スイッチング・トラン
ジスタ14、フライホイール・ダイオード20を基板3
0に対してコンデンサ12とは反対側(基板上面30a
側)に配置したが、同じ側(基板下面30b側)に配置
する構成も可能である。
【0038】上記実施形態のアッセンブリにおいて、導
電性部材78に相当するものを正極側導電路用の薄膜導
体34または制御信号用の薄膜導体36の上に設ける構
成も可能であり、あるいは外部導体端子取付孔68に相
当するものを負極側導電路用の薄膜導体38または制御
信号用の薄膜導体36の領域に設ける構成も可能であ
る。
【0039】上記実施形態では、スイッチング・トラン
ジスタ14を高周波数でオン・オフさせる通電方式に係
り、フライホイール・ダイオード20を設けた。しか
し、スイッチング・トランジスタ14を一種の可変抵抗
器として持続的にオンさせる通電方式にも本発明は適用
可能であり、そのような通電方式ではフライホイール・
ダイオード20を省くことが可能である。
【0040】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の抵抗溶接
装置によれば、スイッチング素子をオフにした直後に発
生するサージ電圧を小さくできるので、耐サージ電圧用
の保護回路を設けなくてもスイッチング素子の安全を図
ることが可能であり、電源部の軽量小型化も容易に実現
できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態の抵抗溶接装置における要
部のアッセンブリ構造を示す一部断面正面図である。
【図2】実施形態のアッセンブリにおける基板上面側の
構成(放熱部材を省いた状態)を示す平面図である。
【図3】実施形態のアッセンブリにおけるスイッチング
・トランジスタ回りの取付および配線構造を示す一部断
面側面図である。
【図4】実施形態のアッセンブリにおける基板下面側の
信号線用薄膜導体パターンを示す部分平面図である。
【図5】実施形態のアッセンブリにおけるフライホイー
ル・ダイオード回りの取付および配線構造を示す一部断
面側面図である。
【図6】本発明に係る抵抗溶接装置における要部の基本
的な回路構成を示す回路図である。
【図7】従来の抵抗溶接装置における電源部の要部の物
理的構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
12 コンデンサ 14 スイッチング・トランジスタ 16 上部電極 18 下部電極 20 フライホイール・ダイオード 30 基板 32,40,56 分離帯 34,42 正極側導電路用の薄膜導体 36,54 制御線用の薄膜導体 38 負極側導電路用の薄膜導体 44,46,48,50,52,60,62,64,6
6 取付孔 58 抵抗 72,74 放熱部材 78 導電板

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 溶接通電のため被溶接材に加圧接触する
    第1および第2の溶接電極に対して、抵抗溶接用の電力
    をいったん蓄積してから放電するコンデンサの第1の端
    子をスイッチング素子を介して前記第1の溶接電極に電
    気的に接続するとともに前記コンデンサの第2の端子を
    前記第2の溶接電極に電気的に接続し、前記第1および
    第2の溶接電極の間に所定の極性でフライホイール・ダ
    イオードを電気的に接続してなる抵抗溶接装置におい
    て、 基板に前記コンデンサ、前記スイッチング素子および前
    記フライホイール・ダイオードを配置し、前記基板の両
    面に形成された複数の薄膜導体を介して前記コンデン
    サ、前記スイッチング素子および前記フライホイール・
    ダイオードを電気的に接続してなる抵抗溶接装置。
  2. 【請求項2】 溶接通電のため被溶接材に加圧接触する
    第1および第2の溶接電極に対して、抵抗溶接用の電力
    をいったん蓄積してから放電するコンデンサの第1の端
    子をスイッチング素子を介して前記第1の溶接電極に電
    気的に接続するとともに前記コンデンサの第2の端子を
    前記第2の溶接電極に電気的に接続し、前記第1および
    第2の溶接電極の間に所定の極性でフライホイール・ダ
    イオードを電気的に接続してなる抵抗溶接装置におい
    て、 絶縁性部材からなる基板の第1の面上に互いに電気的に
    分離した第1および第2の薄膜導体をそれぞれ固着形成
    するとともに前記基板の第2の面上に前記第1および第
    2の薄膜導体のいずれとも電気的に分離した第3の薄膜
    導体を固着形成し、 前記基板の第2の面側に前記コンデンサを配置し、前記
    コンデンサの第1および第2の端子を前記基板の第1の
    面側で前記第1および第2の薄膜導体にそれぞれ接続
    し、 前記スイッチング素子を前記基板の第1または第2の面
    側に配置し、前記スイッチング素子の電流入側の端子を
    前記基板の第1の面側で前記第1の薄膜導体に接続する
    とともに電流出側の端子を前記基板の第2の面側で前記
    第3の薄膜導体に接続し、 前記フライホイール・ダイオードを前記基板の第1また
    は第2の面側に配置し、前記フライホイール・ダイオー
    ドのカソード端子を前記基板の第2の面側で前記第3の
    薄膜導体に接続するとともにアノード端子を前記基板の
    第1の面側で前記第2の薄膜導体に接続し、 前記第3および第2の薄膜導体を前記第1および第2の
    溶接電極にそれぞれ電気的に接続してなる抵抗溶接装
    置。
  3. 【請求項3】 溶接通電のため被溶接材に加圧接触する
    第1および第2の溶接電極に対して、抵抗溶接用の電力
    をいったん蓄積してから放電するコンデンサの第1の端
    子をスイッチング素子を介して前記第1の溶接電極に電
    気的に接続するとともに前記コンデンサの第2の端子を
    前記第2の溶接電極に電気的に接続してなる抵抗溶接装
    置において、 基板に前記コンデンサおよび前記スイッチング素子を配
    置し、前記基板の両面に形成された複数の薄膜導体を介
    して前記コンデンサおよび前記スイッチング素子を電気
    的に接続してなる抵抗溶接装置。
  4. 【請求項4】 溶接通電のため被溶接材に加圧接触する
    第1および第2の溶接電極に対して、抵抗溶接用の電力
    をいったん蓄積してから放電するコンデンサの第1の端
    子をスイッチング素子を介して前記第1の溶接電極に電
    気的に接続するとともに前記コンデンサの第2の端子を
    前記第2の溶接電極に電気的に接続してなる抵抗溶接装
    置において、 絶縁性部材からなる基板の第1の面上に互いに電気的に
    分離した第1および第2の薄膜導体をそれぞれ固着形成
    するとともに前記基板の第2の面上に前記第1および第
    2の薄膜導体のいずれとも電気的に分離した第3の薄膜
    導体を固着形成し、 前記基板の第2の面側に前記コンデンサを配置し、前記
    コンデンサの第1および第2の端子を前記基板の第1の
    面側で前記第1および第2の薄膜導体にそれぞれ接続
    し、 前記スイッチング素子を前記基板の第1または第2の面
    側に配置し、前記スイッチング素子の電流入側の端子を
    前記基板の第1の面側で前記第1の薄膜導体に接続する
    とともに電流出側の端子を前記基板の第2の面側で前記
    第3の薄膜導体に接続し、 前記第3および第2の薄膜導体を前記第1および第2の
    溶接電極にそれぞれ電気的に接続してなる抵抗溶接装
    置。
  5. 【請求項5】 前記スイッチング素子をトランジスタで
    構成し、前記基板の第1および/または第2の面上に前
    記第1、第2および第3の薄膜導体のいずれとも電気的
    に分離した第4の薄膜導体を固着形成し、前記トランジ
    スタの制御端子を前記第4の薄膜導体に電気的に接続し
    てなる請求項1〜4のいずれかに記載の抵抗溶接装置。
  6. 【請求項6】 前記基板に、前記フライホイール・ダイ
    オードの各端子を通す貫通孔を形成してなる請求項1,
    2,または5のいずれかに記載の抵抗溶接装置。
  7. 【請求項7】 前記基板に、前記コンデンサおよび前記
    スイッチング素子の各端子を通す貫通孔を形成してなる
    請求項1〜6のいずれかに記載の抵抗溶接装置。
  8. 【請求項8】 前記基板の第1および/または第2の面
    上に前記スイッチング素子に熱的に結合された第1の放
    熱部材を設ける請求項1〜7のいずれかに記載の抵抗溶
    接装置。
  9. 【請求項9】 前記第1の放熱部材が、導電性の部材か
    らなり、第1、第2または第3の薄膜導体のいずれかと
    電気的に接続される請求項8に記載の抵抗溶接装置。
  10. 【請求項10】 前記基板の第1および/または第2の
    面上に前記フライホイール・ダイオードに熱的に結合さ
    れた第2の放熱部材を設ける請求項1、2,5〜9のい
    ずれかに記載の抵抗溶接装置。
  11. 【請求項11】 前記第2の放熱部材が、導電性の部材
    からなり、第1、第2または第3の薄膜導体のいずれか
    と電気的に接続される請求項10に記載の抵抗溶接装
    置。
  12. 【請求項12】 前記コンデンサを並列接続で複数個設
    ける請求項1〜11のいずれかに記載の抵抗溶接装置。
  13. 【請求項13】 前記スイッチング素子を並列接続で複
    数個設ける請求項1〜12のいずれかに記載の抵抗溶接
    装置。
  14. 【請求項14】 前記フライホイール・ダイオードを並
    列接続で複数個設ける請求項1、2,5〜13のいずれ
    かに記載の抵抗溶接装置。
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