JP2002151296A - プラズマ処理装置の性能評価方法、保守方法、性能管理システム、及び性能確認システム、並びにプラズマ処理装置 - Google Patents

プラズマ処理装置の性能評価方法、保守方法、性能管理システム、及び性能確認システム、並びにプラズマ処理装置

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JP2002151296A JP2000346793A JP2000346793A JP2002151296A JP 2002151296 A JP2002151296 A JP 2002151296A JP 2000346793 A JP2000346793 A JP 2000346793A JP 2000346793 A JP2000346793 A JP 2000346793A JP 2002151296 A JP2002151296 A JP 2002151296A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 プラズマ処理装置を分解、搬送後再組み立て
した際等において、所望の性能が維持されているかどう
かを簡便かつ迅速に評価できるようにする。 【解決手段】 電極４，８を有する複数のプラズマ処理
室ユニット７５，７６，７７，９５，９６，９７と、電
極４に接続された高周波電源１と、プラズマ処理室ユニ
ット７５，７６，７７，９５，９６，９７と高周波電源
１とのインピーダンス整合を得る整合回路２Ａとを具備
し、時刻ｔ0 とその後の時刻ｔ1 における整合回路２Ａ
の入力端子側交流抵抗ＲＡおよび出力端子側交流抵抗Ｒ
Ｂの差｜ΔＲＡ｜｜ΔＲＢ｜が所定の値より小さい値に
維持される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマ処理装置
の性能評価方法、保守方法、性能管理システム、及び性
能確認システム、並びにプラズマ処理装置に係り、特
に、プラズマ処理装置が継続的に所望の性能を維持し続
けることに用いて好適な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＶＤ（ chemical vapor depositio
n）、スパッタリング、ドライエッチング、アッシング
等のプラズマ処理をおこなうプラズマ処理装置の一例と
しては、従来から、図４０に示すような、いわゆる２周
波励起タイプのものが知られている。図４０に示すプラ
ズマ処理装置は、高周波電源１とプラズマ励起電極４と
の間に整合回路２Ａが介在されている。整合回路２Ａは
これら高周波電源１とプラズマ励起電極４との間のイン
ピーダンスの整合を得るための回路として設けられてい
る。
【０００３】高周波電源１からの高周波電力は整合回路
２Ａを通して給電板３によりプラズマ励起電極４へ供給
される。この整合回路２Ａは導電体からなるハウジング
により形成されるマッチングボックス２内に収納されて
おり、プラズマ励起電極４および給電板３は、導体から
なるシャーシ２１によって覆われている。プラズマ励起
電極（カソード電極）４の下側には環状の凸部４ａが設
けられるとともに、このプラズマ励起電極（カソード電
極）４の下には、多数の孔７が形成されているシャワー
プレート５が凸部４ａに接して設けられている。これら
プラズマ励起電極４とシャワープレート５との間には空
間６が形成されている。この空間６にはガス導入管１７
が接続されており、導体からなるガス導入管１７の途中
には絶縁体１７ａが挿入されてプラズマ励起電極１４側
とガス供給源側とが絶縁されている。
【０００４】ガス導入管１７から導入されたガスは、シ
ャワープレート５の孔７を介してチャンバ壁１０により
形成されたチャンバ室６０内に供給される。なお、符号
９はチャンバ壁１０とプラズマ励起電極（カソード電
極）４とを絶縁する絶縁体である。また、排気系の図示
は省略してある。一方、チャンバ室６０内には基板１６
を載置しプラズマ励起電極ともなるウエハサセプタ（サ
セプタ電極）８が設けられておりその周囲にはサセプタ
シールド１２が設けられている。
【０００５】サセプタシールド１２はサセプタ電極８を
受けるシールド支持板１２Ａと、このシールド支持板１
２Ａの中央部に垂下形成された筒型の支持筒１２Ｂとか
らなり、支持筒１２Ｂはチャンバ底部１０Ａを貫通して
設けられるとともに、この支持筒１２Ｂの下端部とチャ
ンバ底部１０Ａとがベローズ１１により密閉接続されて
いる。ウエハサセプタ８およびサセプタシールド１２
は、これらの隙間がシャフト１３の周囲の設けられた電
気絶縁物からなる絶縁手段１２Ｃによって真空絶縁され
るとともに電気的にも絶縁されている。また、ウエハサ
セプタ８およびサセプタシールド１２は、ベローズ１１
により上下動可能となっており、プラズマ励起電極４，
８間の距離の調整ができる。ウエハサセプタ８には、シ
ャフト１３およびマッチングボックス１４内に収納され
た整合回路を介して第２の高周波電源１５が接続されて
いる。なお、チャンバ壁１０とサセプタシールド１２と
は直流的に同電位となっている。
【０００６】図４１に従来のプラズマ処理装置の他の例
を示す。図４０に示すプラズマ処理装置とは異なり、図
４１に示すプラズマ処理装置は１周波励起タイプのプラ
ズマ処理装置である。すなわち、カソード電極４にのみ
高周波電力を供給しており、サセプタ電極８は接地され
ている。図４０で示される高周波電源１５とマッチング
ボックス１４が省略されている。また、サセプタ電極８
とチャンバ壁１０とは直流的に同電位となっている。
【０００７】上記のプラズマ処理装置においては、一般
的に１３．５６ＭＨｚ程度の周波数の電力を投入して、
両電極４，８の間でプラズマを生成し、このプラズマに
より、ＣＶＤ（chemical vapor deposition ）、スパッ
タリング、ドライエッチング、アッシング等のプラズマ
処理をおこなうものである。しかし、上記のプラズマ処
理装置においては、電力消費効率（高周波電源１からプ
ラズマ励起電極４に投入した電力に対してプラズマ中で
消費された電力の割合）は必ずしも良好ではない。特
に、高周波電源から供給される周波数が高くなるほど、
プラズマ処理装置における電力消費効率の低下が顕著で
ある。同時にまた、基板サイズが大きくなるほどその低
下が顕著である。その結果、電力消費効率が低いことに
より、プラズマ空間で消費される実効的な電力が上がら
ないため、成膜速度が遅くなる、また、たとえば絶縁膜
の成膜の場合にあってはより絶縁耐圧の高い絶縁膜の形
成が困難である、という問題点を有している。
【０００８】そして、このようなプラズマ処理装置の動
作確認および、動作の評価方法としては、例えば、以下
のように実際に成膜等の処理をおこない、この被成膜特
性を評価するというような方法でおこなっていた。 （１）堆積速度と膜面内均一性 基板上にプラズマＣＶＤにより所望の膜を成膜する。 レジストのパターニングをおこなう。 膜をドライエッチングする。 アッシングによりレジストを剥離する。 膜の膜厚段差を触針式段差計により計測する。 成膜時間と膜厚から堆積速度を算出する。 膜面内均一性は、６インチ基板面内において１６ポイ
ントで測定する。 （２）ＢＨＦエッチングレート 上記（１）〜と同様にレジストマスクをパターニン
グする。 ＢＨＦ液に１分間基板を浸漬する。 純水洗浄後乾燥し、レジストを硫酸過水（Ｈ2ＳＯ4＋
Ｈ2Ｏ2）で剥離する。 上記（１）と同様段差を計測する。 浸漬時間と段差からエッチング速度を算出する。 （３）絶縁耐圧 ガラス基板上にスパッタリングにより導電性膜を成膜
し、下部電極としてパターニングする。 プラズマＣＶＤにより絶縁膜を成膜する。 と同様の方法で上部電極を形成する。 下部電極用にコンタクト孔を形成する。 上下電極にプロービングし、Ｉ−Ｖ特性（電流電圧特
性）を測定する。このとき最大電圧として２００Ｖ程度
まで印加する。 電極面積を１００μｍ角とし、１００ｐＡをよぎると
ころが、１μＡ／ｃｍ2に相当するので、この時のＶを
絶縁耐圧として定義する。
【０００９】さらに、上記のようなプラズマ処理装置に
対しては、従来から、半導体および液晶製造に用いられ
る場合において、プラズマ処理速度（成膜時の堆積速度
や、加工速度）が早く生産性が高いこと、そして、被処
理基体面内方向におけるプラズマ処理の均一性（膜厚の
膜面内方向分布、加工処理ばらつきの膜面内方向分布）
に優れていることが、近年、被処理基板の大型化に伴っ
て、一段と強まっている。また、被処理基板の大型化に
伴い、投入電力量もｋＷオーダーが投入されるまで増大
し、電力消費量が増す傾向にある。このため、電源の高
容量化に伴い、電源の開発コストが増大するとともに、
装置稼働時には電力使用が増すことからランニングコス
トを削減することが望まれている。また、電力消費量が
増大することは、環境負荷となる二酸化炭素の排出量が
増大する。これは、被処理基板の大型化に伴ってさらに
放出量が増大するとともに電力消費効率をさらに下げて
しまうため電力消費量が増大するので、この二酸化炭素
の放出量削減への要求も高くなっている。一方、プラズ
マ励起周波数として、従来一般的であった１３．５６Ｍ
Ｈｚに対して、これを越える３０ＭＨｚ以上のＶＨＦ帯
の周波数を用いるなど、高周波数化を図ることで、生成
するプラズマ密度を向上させることができる。その結果
として、プラズマＣＶＤなどの堆積装置においては、成
膜時の堆積速度を向上させることができる可能性が示さ
れていた。
【００１０】さらに、上記のようなプラズマチャンバを
複数有するプラズマ処理装置に対しては、個々のプラズ
マチャンバに対して、特に、プラズマ処理室のみなら
ず、整合回路をも含めたプラズマチャンバに対して、プ
ラズマ処理の機差をなくし、異なるプラズマチャンバに
おいて処理をおこなった被処理基板においても、プラズ
マ処理速度（成膜時の堆積速度や、加工速度）や生産
性、そして、被処理基体面内方向におけるプラズマ処理
の均一性（膜厚の膜面内方向分布等の、処理のばらつき
をなくしたいという要求がある。同時に、プラズマチャ
ンバを複数有するプラズマ処理装置に対しては、個々の
プラズマチャンバに対して、供給するガス流量や圧力、
供給電力、処理時間等の外部パラメータが等しい同一の
プロセスレシピを適用して、略同一のプラズマ処理結果
が得られることが望まれている。そして、プラズマ処理
装置の新規設置時や調整・保守点検時において、複数の
プラズマチャンバごとの機差をなくして処理のばらつき
をなくし同一のプロセスレシピにより略同一の処理結果
を得るために必要な調整時間の短縮が求められるととも
に、このような調整に必要なコストの削減が要求されて
いた。
【００１１】さらに、上記のようなプラズマ処理装置を
複数有するプラズマ処理システムに対しても、同様に、
各プラズマ処理装置における個々のプラズマチャンバに
対して、プラズマ処理の機差をなくしたいという要求が
存在していた。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のプラズ
マ処理装置においては、１３．５６ＭＨｚ程度の周波数
の電力を投入するように設計されており、これ以上の周
波数の電力を投入することに対応していない。より具体
的には、高周波電力を投入する部分、つまり、プラズマ
処理をおこなうプラズマ処理室のみならず整合回路をも
含むプラズマチャンバ全体としては、インピーダンス、
共振周波数特性等の電気的高周波的な特性が考慮されて
おらず、１３．５６ＭＨｚ程度以上の周波数の電力を投
入した場合、電力消費効率があがらず、成膜時に堆積速
度を向上することができないばかりか、むしろ、堆積速
度が遅くなる場合があったという不具合が生じていた。
さらに投入する電力をより高周波数化すると、周波数の
上昇に伴って、生成されるプラズマ密度は上昇してピー
クを迎え、その後、減少に転じて、ついにはグロー放電
できなくなってしまい高周波数化の意味がなくなってし
まうという不具合が生じていた。
【００１３】プラズマチャンバを複数有するプラズマ処
理装置やプラズマ処理システムにおいては、各プラズマ
チャンバ、つまり、各プラズマ処理室および整合回路の
電気的高周波的な特性は、それぞれの機械的な寸法等、
その形状によって規定されている。しかし、それぞれの
プラズマチャンバを構成する各部品は、製造時における
加工上、必ず機械的公差により寸法等のばらつきを有し
ている。そして、これらの各部品を組み立ててプラズマ
チャンバを製造する段階で、各プラズマチャンバにおけ
る機械的寸法等の形状に、組み立て公差によるばらつき
が加わる。さらに、各部品の組み立て後には採寸をする
ことができない箇所も存在し、プラズマチャンバ全体と
して当初の設計どおりの電気的高周波的な特性を有する
ように組み立てが終了したか否か定量的に知りうる手段
がなく、各プラズマチャンバの電気的高周波的な特性の
機差を知りうる手段がないという問題があった。
【００１４】さらに、機差に対する配慮が充分になされ
たプラズマ処理装置であっても、プラズマ処理を繰り返
すうちに、所望の性能レベルが維持できなくなる可能性
や、複数のプラズマチャンバ間の機差が生じる可能性が
ある。特に問題なのは、プラズマ処理を繰り返すうちに
このプラズマチャンバの電気的高周波的特性が初期設定
状態とずれてしまい、所望のプラズマ処理がおこなえな
くなる可能性があることであり、さらに、この電気的高
周波的特性が初期設定状態とずれること、つまり、時間
経過に伴った機差（時間的な差）がさらに増大するとい
う可能性が存在することである。また、分解掃除、部品
交換、組み立て調整等の調整作業をを行った場合には、
調整の不備等により調整作業前の性能が維持されておら
ず、電気的高周波的特性が初期設定状態とずれてしまう
可能性があった。さらに、プラズマ処理装置を搬送する
際には、一般に、一端分解してから搬送し、搬送先で再
組み立てすることが行われている。この場合にも、搬送
中の振動や再組み立て作業の不備等により搬送前の性能
が維持されておらず、電気的高周波的特性が初期設定状
態とずれてしまう可能性があった。
【００１５】そして、このようなプラズマ処理装置の動
作確認、および、動作の評価方法として、上記の（１）
〜（３）のような動作評価方法を採用した場合には、プ
ラズマ処理装置を作動させることが必要である上に、プ
ラズマ処理装置の設置場所とは別の検査場所などにおい
て被処理基板を複数のステップにより処理測定する必要
がある。このため、評価結果がでるまでには数日、ある
いは数週間がかかり、その期間製造ラインを停止しなか
った場合、プラズマ処理をおこなった被処理基板の特性
は未知であり、もし、プラズマ処理装置の状態がよくな
かった際には、製品としての基準に達しないおそれがあ
るため、より簡便な方法でプラズマ処理装置の動作を適
正な状態に維持したいという要求があった。
【００１６】さらに、プラズマチャンバを複数有するプ
ラズマ処理装置（プラズマ処理システム）に対しては、
複数のプラズマチャンバに対して交流抵抗、容量、イン
ピーダンス、共振周波数特性等の電気的高周波的な特性
の機差をなくすという設計がなされていないため、個々
のプラズマチャンバにおいて、プラズマ空間で消費され
る実効的な電力や、発生するプラズマ密度等がそれぞれ
均一になっていない可能性がある。このため、複数のプ
ラズマチャンバに対して同一のプロセスレシピを適用し
ているにも関わらず、同一のプラズマ処理結果が得られ
ない可能性がある。したがって、同じプラズマ処理結果
を得るためには、個々のプラズマチャンバごとに、それ
ぞれ供給するガス流量や圧力、供給電力、処理時間等の
外部パラメータと上記の（１）〜（３）のような評価方
法による処理結果とを比較して、これらの相関関係を把
握する必要があるが、そのデータ量は膨大なものにな
り、すべてをおこなうことが困難である。
【００１７】さらに、複数のプラズマチャンバを有する
プラズマ処理装置やプラズマ処理システムに対して上記
の（１）〜（３）のような検査方法を採用した場合に
は、新規設置時や調整・保守点検時において、複数のプ
ラズマチャンバごとの機差をなくして処理のばらつきを
なくし、同一のプロセスレシピにより同一処理結果を得
るために必要な調整時間が、月単位で必要となってしま
う。このため、調整期間の短縮が求められるとともに、
このような調整に必要な検査用基板等の費用、この検査
用基板の処理費用、および、調整作業に従事する作業員
の人件費等、コストが膨大なものになるという問題があ
った。
【００１８】本発明は、上記の事情に鑑みてなされたも
ので、以下の目的を達成しようとするものである。 １．プラズマ処理装置の性能が適正に発揮維持されてい
るかどうかを確認するための迅速かつ簡便な評価方法を
提供すること。 ２．プラズマ処理装置の性能が適正に維持されていない
場合に、簡便で迅速な是正可能な保守方法を提供するこ
と。 ３．納入先において、プラズマ処理装置の性能が適正に
発揮維持されるように管理するための、あるいは、性能
が適正に発揮されていない場合には、保守作業を直ちに
行えるよう管理するための性能管理システムを提供する
こと。 ４．適正な動作状態に簡便に維持可能なプラズマ処理装
置を提供すること。 ５．複数のプラズマチャンバに対して整合回路の交流抵
抗の電気的高周波的な特性の均一化を図ること。 ６．複数のプラズマチャンバに対して同一のプロセスレ
シピを適用した際に、プラズマ処理結果の均一化を図る
こと。 ７．ランニングコストおよび調整にかかる費用の削減を
図るとともに、生産性の向上を図ること。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明のプラズマ処理装
置の性能評価方法は、プラズマを励起するための電極を
有するプラズマ処理室と、前記電極に高周波電力を供給
するための高周波電源と、入力端子と出力端子とを有し
該入力端子に前記高周波電源が接続され前記出力端子に
前記電極が接続されこれら入出力端子の間に接地電位部
分が接続されるとともに前記プラズマ処理室と前記高周
波電源とのインピーダンス整合を得るための整合回路
と、を具備するプラズマ処理室ユニットを有するプラズ
マ処理装置の性能評価方法であって、前記プラズマ処理
室ユニットの整合回路において、前記入力端子側から測
定した交流抵抗ＲＡの、時刻ｔ0 とその後の時刻ｔ1 に
おける値ＲＡ0 、ＲＡ1 の差ΔＲＡの絶対値を求め、前
記プラズマ処理室ユニットの整合回路において、前記出
力端子側から測定した交流抵抗ＲＢの、時刻ｔ0 とその
後の時刻ｔr における値ＲＢ0 、ＲＢ1 の差ΔＲＢの絶
対値をそれぞれ求め、その値が所定の値より小さい値で
ある場合に、所定の性能を維持していると判断し、その
値が所定の値以上の値である場合に、所定の性能を維持
していないと判断することにより上記課題を解決した。
本発明において、前記入力端子側交流抵抗ＲＡの測定範
囲が、前記出力端子への接続を切断し、前記入力端子と
される測定位置への接続を切断し、その測定位置から測
定した範囲に設定されてなることが望ましい。また、本
発明において、前記高周波電源と前記入力端子とが高周
波電力給電体を介して接続され、前記入力端子側交流抵
抗ＲＡの測定範囲が、前記出力端子への接続を切断し、
前記高周波電力給電体の前記高周波電源側端部とされる
測定位置への接続を切断し、その測定位置から測定した
範囲に設定されてなる手段を採用することもできる。ま
た、本発明は、前記出力端子側交流抵抗ＲＢの測定範囲
が、前記入力端子への接続を切断し、前記出力端子とさ
れる測定位置への接続を切断し、その測定位置から測定
した範囲に設定されてなるができる。本発明は、前記電
極と前記出力端子とが高周波電力配電体を介して接続さ
れ、前記出力端子側交流抵抗ＲＢの測定範囲が、前記入
力端子への接続を切断し、前記高周波電力配電体の前記
電極側端部とされる測定位置への接続を切断し、その測
定位置から測定した範囲に設定されてなることが可能で
ある。また、本発明においては、前記交流抵抗が、前記
高周波電源の高周波電力の周波数における値に設定され
てなることがある。また、本発明においては、前記ΔＲ
Ａに対する前記所定の値が前記ＲＡ0 の０．５倍より小
さい範囲の値に設定されるとともに、前記ΔＲＢに対す
る前記所定の値が前記ＲＢ0 の０．５倍より小さい範囲
の値に設定されてなることが好ましく、より好ましく
は、前記ΔＲＡに対する前記所定の値が前記ＲＡ0 の
０．４倍より小さい範囲の値に設定されるとともに、前
記ΔＲＢに対する前記所定の値が前記ＲＢ0 の０．４倍
より小さい範囲の値に設定されてなることができる。本
発明は、前記入出力端子の間で前記接地電位部分に接続
される接続点が複数ある場合には、前記接続点のうち１
の接続点のみが前記接地電位部分に接続するよう他の接
続点を切断した状態とされ、かつ、各々接続する接続点
を切り替えて、それぞれ前記交流抵抗を測定することが
可能である。また、本発明においては、時刻ｔ0 とその
後の時刻ｔ1 との間に、前記プラズマ処理室内に被処理
物が導入され、該被処理物にプラズマ処理が行われるこ
とか、または、前記プラズマ処理装置に、分解掃除、部
品交換、組み立て調整等の調整作業が施されることか、
あるいは、分解、搬送、及び再組み立てが施されること
ができる。本発明におけるプラズマ処理装置およびその
保守方法においては、上記のプラズマ処理装置の評価方
法の結果、ΔＲＡ、△ＲＢの絶対値が所定の値以上の場
合に、交流抵抗ＲＡ、ＲＢの是正作業を行うことにより
上記課題を解決した。本発明のプラズマ処理装置の性能
管理システムは、プラズマを励起するための電極を有す
るプラズマ処理室と、前記電極に高周波電力を供給する
ための高周波電源と、入力端子と出力端子とを有し該入
力端子に前記高周波電源が接続され前記出力端子に前記
電極が接続されこれら入出力端子の間に接地電位部分が
接続されるとともに前記プラズマ処理室と前記高周波電
源とのインピーダンス整合を得るための整合回路と、を
具備するプラズマ処理室ユニットを有するプラズマ処理
装置の性能管理システムであって、前記プラズマ処理室
ユニットの整合回路において前記入力端子側から測定し
た交流抵抗ＲＡの時刻ｔ0 における値ＲＡ0 と、前記プ
ラズマ処理室ユニットの整合回路において前記出力端子
側から測定した交流抵抗ＲＢの時刻ｔ0 における値ＲＢ
0 とを記憶するサーバーと、このサーバーと通信回線で
接続された納入先入出力装置と、を備え、前記サーバー
は、前記ＲＡ0 のその後の時刻ｔ1 における値ＲＡ1 を
前記納入先入出力装置から受信し、前記ＲＡ0 とこのＲ
Ａ1 との差であるΔＲＡの絶対値を演算するとともに、
前記ＲＢ0 のその後の時刻ｔ1 における値ＲＢ1 を前記
納入先入出力装置から受信し、前記ＲＢ0 とこのＲＢ1
との差であるΔＲＢの絶対値を演算し、これらの値が所
定の値より小さい値である場合には、所定の性能を維持
している旨の信号を、所定の値以上の値である場合に
は、所定の性能を維持していない旨の信号を、各々納入
先入出力装置に発信することにより上記課題を解決し
た。本発明において、前記サーバーが、プラズマ処理室
ユニットの固有番号毎に前記ＲＡ0 およびＲＢ0 を記憶
し、納入先入出力装置から納入したプラズマ処理室の固
有番号を受信して、当該固有番号に対応するＲＡ0 およ
びＲＢ0 を用いて演算をすることが望ましい。また、本
発明において、前記納入先入出力装置に、プラズマ処理
装置に接続された高周波特性測定器を接続して、この高
周波特性測定器から前記サーバーに、前記ＲＡ1 および
ＲＢ1 が直接送信される手段を採用することもできる。
また、本発明は、前記サーバーが搬送元において出力装
置を備え、ΔＲＡの絶対値およびΔＲＢの絶対値がそれ
ぞれ所定の値を超える場合に、前記出力装置から、保守
作業命令を出力することができる。本発明のプラズマ処
理装置の性能管理システムにおいては、プラズマを励起
するための電極を有するプラズマ処理室と、前記電極に
高周波電力を供給するための高周波電源と、入力端子と
出力端子とを有し該入力端子に前記高周波電源が接続さ
れ前記出力端子に前記電極が接続されこれら入出力端子
の間に接地電位部分が接続されるとともに前記プラズマ
処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る
ための整合回路と、を具備するプラズマ処理室ユニット
を有するプラズマ処理装置の性能管理システムであっ
て、前記プラズマ処理室ユニットの整合回路において前
記入力端子側から測定した交流抵抗ＲＡの時刻ｔ0 にお
ける値ＲＡ0 と、前記プラズマ処理室ユニットの整合回
路において前記出力端子側から測定した交流抵抗ＲＢの
時刻ｔ0 における値ＲＢ0 と、各々所定の値の範囲によ
って決められた故障レベルに対応して登録されたサービ
スエンジニアの情報とを記憶するサーバーと、このサー
バーの搬送元における出力装置と、このサーバーと通信
回線で接続された納入先入出力装置と、を備え、前記サ
ーバーは、前記ＲＡ0 のその後の時刻ｔ1 における値Ｒ
Ａ1 を前記納入先入出力装置から受信し、前記ＲＡ0 と
このＲＡ1 との差であるΔＲＡの絶対値を演算するとと
もに、前記ＲＢ0 のその後の時刻ｔ1 における値ＲＢ1
を前記納入先入出力装置から受信し、前記ＲＢ0 とこの
ＲＢ1 との差であるΔＲＢの絶対値を演算し、これらの
値が、何れかの故障レベルの所定の値の範囲である場合
には、前記出力装置から、当該故障レベルと、当該故障
レベルに対応して登録されたサービスエンジニアの情報
と共に、保守作業命令を出力することにより上記課題を
解決した。本発明は、前記サーバーが、前記当該故障レ
ベルを、前記納入先入出力装置にも発信することが可能
である。本発明のプラズマ処理装置は、プラズマを励起
するための電極を有するプラズマ処理室と、前記電極に
高周波電力を供給するための高周波電源と、入力端子と
出力端子とを有し該入力端子に前記高周波電源が接続さ
れ前記出力端子に前記電極が接続されこれら入出力端子
の間に接地電位部分が接続されるとともに前記プラズマ
処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る
ための整合回路と、を具備するプラズマ処理室ユニット
を有するプラズマ処理装置であって、前記プラズマ処理
室ユニットの整合回路において、前記入力端子側から測
定した交流抵抗ＲＡの、時刻ｔ0 とその後の時刻ｔ1 に
おける値ＲＡ0 、ＲＡ1 の差ΔＲＡの絶対値が所定の値
より小さい値に維持されるとともに、前記プラズマ処理
室ユニットの整合回路において、前記出力端子側から測
定した交流抵抗ＲＢの、時刻ｔ0 とその後の時刻ｔ1 に
おける値ＲＢ0 、ＲＢ1 の差ΔＲＢの絶対値が所定の値
より小さい値に維持されることにより上記課題を解決し
た。本発明において、購入発注者が販売保守者から購入
した上記記載のプラズマ処理装置の時刻ｔ0 とその後の
時刻ｔ1 において計測可能な動作性能状況を示す性能状
況情報の閲覧を公衆回線を介して要求する購入発注者側
情報端末と、販売保守者が前記性能状況情報をアップロ
ードする販売保守者側情報端末と、前記購入発注者側情
報端末の要求に応答して、販売保守者側情報端末からア
ップロードされた性能状況情報を購入発注者側情報端末
に提供する性能状況情報提供手段と、を具備する手段を
採用することもできる。本発明は、性能状況情報が、前
記交流抵抗ＲＡ，ＲＢを含むことが可能であり、また、
性能状況情報が、カタログまたは仕様書として出力され
ることができる。
【００２０】以下、上記各発明をさらに詳細に説明す
る。本発明においては、それぞれのプラズマ処理室に対
応するプラズマチャンバ（プラズマ処理室ユニット）に
おいて、前記プラズマ処理室ユニットの整合回路におい
て、前記入力端子側から測定した交流抵抗ＲＡの、時刻
ｔ0 とその後の時刻ｔ1 における値ＲＡ0 、ＲＡ1 の差
ΔＲＡの絶対値を求めるとともに、前記プラズマ処理室
ユニットの整合回路において、前記出力端子側から測定
した交流抵抗ＲＢの、時刻ｔ0 とその後の時刻ｔr にお
ける値ＲＢ0 、ＲＢ1 の差ΔＲＢの絶対値をそれぞれ求
め、その値がそれぞれ所定の値より小さい値である場合
に、所定の性能を維持していると判断し、その値が各々
所定の値以上の値である場合に、所定の性能を維持して
いないと判断することにより、この値を比較することに
より、プラズマ処理装置の性能評価を可能とした。さら
に、時刻ｔ0 にはプラズマチャンバの調整をおこなって
おき、時刻ｔ1 においてさらにプラズマチャンバの動作
状態を確認してこの確認結果に基づいて交流抵抗の値を
調整することができ、その結果、時間経過によってプラ
ズマチャンバの状態が変化した場合でも交流抵抗の変化
に伴う、プラズマ空間で消費される実効的な電力以外の
電力損失が増大することの防止を図ることができる。す
なわち、分解搬送後の新規設置時やその後の使用による
プラズマ処理の繰り返し、あるいは調整・保守点検等の
際に、プラズマチャンバの性能が所定の性能レベルを維
持しているか、また、プラズマチャンバが複数ある場合
には、性能の機差が充分抑えられているか等の評価、つ
まり、プラズマチャンバにおいて例えば成膜をおこなっ
た際に、同一の成膜条件において、膜厚、絶縁耐圧、エ
ッチングレート等、所望の膜特性の膜を得ることができ
るかどうかを評価することが可能となる。
【００２１】この交流抵抗ＲＡ，ＲＢの測定は瞬時に行
うことができるので、基板への実際の成膜等による従来
の検査方法を採用した場合に比べて、大幅に評価時間を
短縮することができる。また、性能評価に必要な検査用
基板等の費用、この検査用基板の検査処理費用、およ
び、評価作業に従事する作業員の人件費等の、コストを
削減することが可能となる。そのため、本発明に係るプ
ラズマ処理装置の評価方法によれば、プラズマ処理装置
の性能評価を瞬時にしかも低コストに行うことができ
る。また、プラズマ処理装置が、複数のプラズマ処理室
を有している場合には、それぞれ求めた交流抵抗ＲＡ，
ＲＢを指標とし、時刻ｔ0 にプラズマチャンバの調整を
おこなって機差を無くしておくことにより、時刻ｔ1 に
おいて各プラズマ処理室に対して、常に同一のプロセス
レシピを適用して、略同一のプラズマ処理結果を得るこ
と、つまり、プラズマ処理室において例えば成膜をおこ
なった際に、膜厚、絶縁耐圧、エッチングレート等、略
均一な膜特性の膜を継続して得ることを可能とするもの
である。また、本発明に係る保守方法によれば、性能評
価結果を瞬時に、かつコストをかけずに行うことができ
るので、所望の頻度で性能評価を行い、その結果を直ち
に反映して是正作業を行うことができる。
【００２２】また、本発明に係るプラズマ処理装置の性
能管理システムによれば、メーカー等が管理するサーバ
ーを利用することにより、納入先の使用者等が簡便に性
能評価結果を知ることができる。また、本発明に係るプ
ラズマ処理システムの性能管理システムによれば、メー
カー等が管理するサーバーを利用することにより、納入
先の使用者等が簡便に性能評価結果や機差に関する情報
を知ることができる。また、本発明に係るプラズマ処理
装置によれば、交流抵抗ＲＡ，ＲＢという、常時確認可
能な指標により性能を維持されるので、良好なプラズマ
処理を行うことが可能となる。さらに、本発明に係るプ
ラズマ処理装置の性能確認システムによれば、販売保守
者が管理するサーバーを利用することにより、購入発注
者が、プラズマ処理装置の動作性能状況を簡便に知るこ
とができる。
【００２３】従って、何れの発明も、問題のあるプラズ
マ処理作業を行ってしまうことを事前に回避し、良好な
状態にプラズマ処理装置を保つことに寄与するものであ
る。また、複数回おこなう同一のプラズマ処理に対し
て、時間的に常に同一のプロセスレシピを適用して略同
一のプラズマ処理結果を得ること、つまり、プラズマチ
ャンバにおいて例えば成膜をおこなった際に、所望の膜
厚、絶縁耐圧、エッチングレート等、略均一な膜特性の
膜を継続して得ることを可能とするものである。なお、
プラズマ処理装置が、複数のプラズマ処理室を有してい
たり、複数のプラズマ処理装置が結合してプラズマ処理
システムを構成している場合には、各プラズマ処理室毎
にこの交流抵抗ＲＡ，ＲＢを求めて指標とすることがで
きる。
【００２４】ここで、交流抵抗の定義について説明す
る。整合回路は、プラズマ処理室内のプラズマ状態等の
変化に対応してインピーダンスを調整するために、その
多くは複数の受動素子を具備する構成とされている。図
３は整合回路２Ａを示す模式図である。具体的には、整
合回路２Ａの構成例として、図３に示すように、高周波
電源１とプラズマ放電用の電極４との間に、インダクタ
ンスコイル２３とチューニングコンデンサ２４とが直列
に設けられ、さらに、入力端子とされる測定位置ＰＲ３
とインダクタンスコイル２３との間である分岐点Ｂ１に
は、他のロードコンデンサ２２が高周波電源１からチュ
ーニングコンデンサ２４に対して並列に接続されその一
端が接地電位部分（マッチングボックス）２に接続され
てアースされている構成が挙げられる。そして、これ以
外にも、整合回路２Ａの電気的高周波的な要因として、
前記の各受動素子を接続する導体や同軸ケーブルのよう
な要因も存在している。これらの導体や同軸ケーブル
は、交流的に、レジスタンスやインダクタンスを有して
おり、交流電流を流した際に、寄生的に抵抗が存在して
いる。そして、受動素子としてレジスタンスを考慮して
いないインダクタンスコイル２３等においても同様にレ
ジスタンスは寄生的に存在している。
【００２５】図４は整合回路における寄生抵抗を説明す
るための模式回路図である。これらの寄生抵抗として
は、具体的には図４に示すように、入力端子とされる測
定位置ＰＲ３とインダクタンスコイル２３とを接続する
導体Ｒ１における寄生抵抗ＲR1と、ロードコンデンサ２
２と接地電位部分（マッチングボックス）２とを接続す
る導体Ｒ２における寄生抵抗ＲR2と、インダクタンスコ
イル２３における寄生抵抗ＲLTと、を考慮することがで
きる。このような整合回路２Ａの受動素子および回路を
構成する導体等までも考慮して、入力端子側から、およ
び出力端子側から、整合回路２Ａの交流適応を測定す
る。このとき、後述するように整合回路２Ａのインピー
ダンス測定範囲を規定し、このインピーダンス測定範囲
に対して、供給する電力周波数ｆe を含む範囲に測定周
波数を設定してインピーダンスのベクトル量（Ｚ，θ）
を測定することにより、整合回路２Ａのインピーダンス
を計測する。ここで、例えば１３．５６ＭＨｚ，２７．
１２ＭＨｚ，４０．６８ＭＨｚ等の値に設定される電力
周波数ｆeに対応して、測定周波数を例えば１ＭＨｚ〜
１００ＭＨｚ程度の範囲に設定することができる。整合
回路２Ａの前記入力端子側交流抵抗ＲＡとしては、図４
にＩRAで示すように、入力端子とされる測定位置ＰＲ３
から分岐点Ｂ１を経て接地電位部分まで、つまり、導体
Ｒ１における寄生抵抗ＲR1と、導体Ｒ２における寄生抵
抗ＲR2とを測定することになる。また、整合回路２Ａの
前記出力端子側交流抵抗ＲＢとしては、図４にＩRBで示
すように、出力端子とされる測定位置ＰＲから分岐点Ｂ
１を経て接地電位部分まで、つまり、インダクタンスコ
イル２３における寄生抵抗Ｒ LTと、導体Ｒ２における寄
生抵抗ＲR2とを測定することになる。これにより、高周
波電源から電極へ至る部分である整合回路２Ａの入力端
子から出力端子に至るまでの寄生抵抗を考慮することが
可能となる。ここで、寄生抵抗ＲR1およびＲLTにおいて
は、分岐点Ｂ１からチューニングコンデンサ２４までの
導体の抵抗値をも含むものとみなすことができる。
【００２６】次に、プラズマチャンバにおける整合回路
の交流抵抗測定範囲（高周波数特性測定範囲）について
説明する。プラズマチャンバの整合回路には、その入力
端子に高周波電力給電体（給電線）を介して高周波電源
が接続され、出力端子に高周波電力配電体（給電板）を
介して電極が接続されるとともに、これら入出力端子の
間に接地電位部分が接続される。この整合回路におい
て、出力端子における接続を切り離した状態で、入力端
子側交流抵抗ＲＡとして、入力端子側から接地電位部分
に至る整合回路２Ａの部分を前記測定範囲と定義するこ
とができる。さらに、入力端子における接続を切り離し
た状態で、出力端子側交流抵抗ＲＢとして、出力端子側
から接地電位部分に至る整合回路２Ａの部分を前記測定
範囲と定義することができる。このとき、入力端子側、
出力端子側それぞれの測定位置としては、例えば、図４
にＰＲ３で示すように、入力端子側交流抵抗ＲＡでは前
記入力端子が、また、図４にＰＲで示すように、出力端
子側交流抵抗ＲＢでは前記出力端子が適用される。これ
により、整合回路２Ａの入力端子から出力端子に至るま
での交流抵抗を測定することが可能となる。
【００２７】このように、本発明において、前記それぞ
れのプラズマ処理室ユニット（プラズマチャンバ）の整
合回路において、前記入力端子側交流抵抗ＲＡの測定範
囲が、前記出力端子への接続を切断し、前記入力端子と
される図４にＰＲ３で示す測定位置からへの接続を切断
し、その測定位置測定した範囲に設定されてなることに
より、整合回路も含めたプラズマチャンバに対し、時刻
ｔ0 にはプラズマチャンバの調整をおこなっておき、時
刻ｔ1 においてさらにプラズマチャンバの動作状態を確
認してこの確認結果に基づいて交流抵抗の値を調整する
ことができ、その結果、時間経過によってプラズマチャ
ンバの状態が変化した場合でも交流抵抗の変化に伴う、
プラズマ空間で消費される実効的な電力以外による電力
損失増大の防止を図ることができる。これにより、電気
的高周波的な特性の時間変化をなくすことが可能とな
り、プラズマチャンバにおいてプラズマ空間で消費され
る実効的な電力の時間的な略均一性を高めることがで
き、例えばプラズマ処理をおこなう際に、時間的に同一
のプロセスレシピを適用して、測定範囲に整合回路を含
めない場合に比べて、時間的に略同一性の高いつまり時
間変化のないプラズマ処理結果を得ることができる。ま
た、プラズマチャンバが複数ある場合には、整合回路も
含めた複数のプラズマチャンバに対し、電気的高周波的
な特性の時間経過に伴う機差をなくすことが可能とな
り、個々のプラズマチャンバにおいてプラズマ空間で消
費される実効的な電力の略均一性を高めることができ、
これに同一のプロセスレシピを適用して、略同一性の高
いプラズマ処理結果を得ることができる。
【００２８】また、本発明においては、上記の前記入力
端子側交流抵抗ＲＡの測定位置に変えて、前記それぞれ
のプラズマ処理室ユニット（プラズマチャンバ）におい
て、前記出力端子への接続を切断し、前記高周波電力給
電体（給電線）の前記高周波電源側端部とされる図３に
ＰＲ２で示す測定位置への接続を切断し、その測定位置
から測定した範囲に設定されてなることにより、測定範
囲に高周波電力給電体（給電線）を含めない場合に比べ
て、整合回路だけでなく給電線も含めて、発生すること
が考えられる電気的高周波的な特性の時間変化をなくす
ことが可能となり、プラズマチャンバにおいてプラズマ
空間で消費される実効的な電力の時間的な略均一性をさ
らに高めることができ、例えばプラズマ処理をおこなう
際に、時間的に同一のプロセスレシピを適用して、測定
範囲に給電線を含めない場合に比べて、さらに時間的に
略同一性の高いつまり時間変化のないプラズマ処理結果
を得ることができる。また、プラズマチャンバが複数あ
る場合には、給電線も含めた複数のプラズマチャンバに
対し、電気的高周波的な特性の時間経過に伴う機差をな
くすことが可能となり、個々のプラズマチャンバにおい
てプラズマ空間で消費される実効的な電力の略均一性を
高めることができ、これに同一のプロセスレシピを適用
して、給電線を含めない場合に比べて、さらに略同一性
の高いプラズマ処理結果を得ることができる。
【００２９】さらに、本発明においては、前記それぞれ
のプラズマ処理室ユニット（プラズマチャンバ）の整合
回路において、前記出力端子側交流抵抗ＲＢの測定範囲
が、前記入力端子への接続を切断し、前記出力端子とさ
れる図４にＰＲで示す測定位置への接続を切断し、その
測定位置から測定した範囲に設定されてなることによ
り、整合回路も含めたプラズマチャンバに対し、時刻ｔ
0 にはプラズマチャンバの調整をおこなっておき、時刻
ｔ1 においてさらにプラズマチャンバの動作状態を確認
してこの確認結果に基づいて交流抵抗の値を調整するこ
とができ、その結果、時間経過によってプラズマチャン
バの状態が変化した場合でも交流抵抗の変化に伴う、プ
ラズマ空間で消費される実効的な電力以外による電力損
失増大の防止を図ることができる。これにより、電気的
高周波的な特性の時間変化をなくすことが可能となり、
プラズマチャンバにおいてプラズマ空間で消費される実
効的な電力の時間的略均一性を高めることができ、時間
経過があった場合にも各動作時においてそれぞれ同一の
プロセスレシピを適用して、略同一性の高いプラズマ処
理結果を得ることができる。また、プラズマチャンバが
複数ある場合には、整合回路も含めた複数のプラズマチ
ャンバに対し、電気的高周波的な特性の時間経過に伴う
機差をなくすことが可能となり、個々のプラズマチャン
バにおいてプラズマ空間で消費される実効的な電力の略
均一性を高めることができ、これに同一のプロセスレシ
ピを適用して、略同一性の高いプラズマ処理結果を得る
ことができる。
【００３０】また、本発明においては、上記の前記出力
端子側交流抵抗ＲＢの測定位置に変えて、前記それぞれ
のプラズマ処理室ユニット（プラズマチャンバ）におい
て、前記出力端子への接続を切断し、前記高周波電力配
電体（給電板）の前記電極側端部とされる図３にＰＲ４
で示す測定位置への接続を切断し、その測定位置から測
定した範囲ことにより、測定範囲に高周波電力配電体
（給電板）を含めない場合に比べて、整合回路だけでな
く給電板も含めて、発生することが考えられる電気的高
周波的な特性の時間変化をなくすことが可能となり、プ
ラズマチャンバにおいてプラズマ空間で消費される実効
的な電力の時間的な略均一性をさらに高めることがで
き、例えばプラズマ処理をおこなう際に、時間的に同一
のプロセスレシピを適用して、測定範囲に給電板を含め
ない場合に比べて、さらに時間的に略同一性の高いつま
り時間変化のないプラズマ処理結果を得ることができ
る。また、プラズマチャンバが複数ある場合には、給電
板も含めた複数のプラズマチャンバに対し、電気的高周
波的な特性の時間経過に伴う機差をなくすことが可能と
なり、個々のプラズマチャンバにおいてプラズマ空間で
消費される実効的な電力の略均一性を高めることがで
き、これに同一のプロセスレシピを適用して、給電板を
含めない場合に比べて、さらに略同一性の高いプラズマ
処理結果を得ることができる。
【００３１】また、本発明においては、上記のような一
つの評価基準（以下「評価基準１」という。）として、
前記ΔＲＡ，ΔＲＢと比較する前記所定の値に特に制限
は設けないことができる。しかし、例えば、前記ＲＡ0
の０．５倍より小さい範囲の値に設定されるとともに、
前記ΔＲＢに対する前記所定の値が前記ＲＢ0 の０．５
倍より小さい範囲の値に設定されてなることが好まし
い。この場合、プラズマＣＶＤ装置において、例えばプ
ラズマ処理をおこなう際に、複数の処理回数における各
回の堆積速度の変動を±７％以内に抑えることができ
る。さらに、より好ましくは、前記ΔＲＡに対する前記
所定の値が前記ＲＡ0 の０．４倍より小さい範囲の値に
設定されるとともに、前記ΔＲＢに対する前記所定の値
が前記ＲＢ0 の０．４倍より小さい範囲の値に設定され
てなることができる。この場合、たとえばプラズマＣＶ
Ｄ装置において、堆積速度の変動を±３％以内に抑える
ことができる。
【００３２】また、本発明においては、前記交流抵抗
が、前記委高周波電源の高周波電力の周波数における値
に設定されてなる手段を採用することにより、プラズマ
チャンバの動作時である時間的に隔たった実際のプラズ
マ発生時における、プラズマチャンバの電気的高周波的
な特性の差をなくすことが可能となり、これにより、交
流抵抗、インピーダンス等の高周波特性などを指標とす
る一定の管理幅内にプラズマチャンバの状態を設定する
ことが可能となるので、時間が経過した状態のプラズマ
チャンバにおいて、プラズマ空間で消費される実効的な
電力をそれぞれ略均一にすることができる。ここで、プ
ラズマチャンバの電気的高周波的な特性として、レジス
タンスＲを採用することにより、これらレジスタンスＲ
とリアクタンスＸとのベクトル量であるインピーダンス
Ｚを見ることに比べて、より直接的にプラズマチャンバ
のプラズマ励起する周波数における電気的高周波数的特
性を捉えることができる。
【００３３】本発明においては、他の評価基準（以下
「評価基準２」という。）として、プラズマ処理装置ま
たはこのプラズマ処理装置を複数有するプラズマ処理シ
ステムが、複数のプラズマチャンバを有する場合にそれ
ぞれの整合回路およびプラズマ処理室に対応するプラズ
マチャンバ（プラズマ処理室ユニット）において、少な
くとも前記時刻ｔ0 および前記時刻ｔ1 に整合回路等の
前記入力端子側交流抵抗ＲＡおよび前記出力端子側交流
抵抗ＲＢの最大値と最小値のばらつきを、それぞれ以下
の式（１４Ａ）（１４Ｂ） <ＲＡ> ＝ （ＲＡmax −ＲＡmin ）／（ＲＡmax ＋ＲＡmin ） （１４Ａ） <ＲＢ> ＝ （ＲＢmax −ＲＢmin ）／（ＲＢmax ＋ＲＢmin ） （１４Ｂ） として定義し、この値<ＲＡ>，<ＲＢ>を所定の範囲の値
に設定することで、複数のプラズマチャンバ（プラズマ
処理室ユニット）に対してインピーダンスに寄与する交
流抵抗の値、つまり、電気的高周波的な特性の機差をな
くすことが可能となり、これにより、インピーダンス特
性などを指標とする一定の管理幅内に複数のプラズマチ
ャンバを設定することが可能となるので、個々のプラズ
マチャンバにおいて、プラズマ空間で消費される実効的
な電力をそれぞれ略均一にすることができる。その結
果、複数のプラズマチャンバに対して同一のプロセスレ
シピを適用して、略同一のプラズマ処理結果を得るこ
と、つまり、複数のプラズマチャンバにおいて例えば成
膜をおこなった際に、膜厚、絶縁耐圧、エッチングレー
ト等、略均一な膜特性の膜を得ることが可能となる。
【００３４】この交流抵抗は、機械的な構造をその多く
の要因としてきまる電気的高周波的な特性であり、各実
機（プラズマチャンバ）ごとに異なっていると考えられ
る。上記の範囲に、この交流抵抗を設定することによ
り、各実機に対しても、従来考慮されていなかったその
全般的な電気的高周波的特性を設定することが可能とな
り、プラズマ発生の安定性を期待することができる。そ
の結果、動作安定性が高く、各プラズマチャンバで均一
な動作が期待できるプラズマ処理装置またはプラズマ処
理システムを提供することが可能となる。さらに、上記
の所定の値を０．４より小さい範囲に設定することで、
複数のプラズマチャンバに対して、インピーダンス、イ
ンピーダンスの実部である交流抵抗、共振周波数特性、
容量等の電気的高周波的な特性の機差をなくすことが可
能となり、これにより、インピーダンス特性を指標とす
る一定の管理幅内に複数のプラズマチャンバを設定する
ことが可能となるので、個々のプラズマチャンバにおい
て、プラズマ空間で消費される実効的な電力をそれぞれ
略均一にすることができる。その結果、複数のプラズマ
チャンバに対して同一のプロセスレシピを適用して、略
同一のプラズマ処理結果を得ること、つまり、複数のプ
ラズマチャンバにおいて例えば成膜をおこなった際に、
膜厚、絶縁耐圧、エッチングレート等、略均一な膜特性
の膜を得ることが可能となる。具体的には、上記のばら
つきの値を０．４より小さい範囲に設定することによ
り、略同一の条件で積層をおこなっプラズマチャンバに
おいて、膜厚のばらつきの値を±３％の範囲におさめる
ことができる。
【００３５】また、本発明においては、上記評価基準１
と評価基準２とを組み合わせて用いることができる。こ
の場合、動作安定性の高いプラズマ処理装置を維持する
上で、適切な性能評価方法を提供することが可能となる
と共に、複数のプラズマ処理室に対して交流抵抗ＲＡ，
ＲＢ等の電気的高周波的な特性の機差が小さい状況を維
持する上で、適切な性能評価方法を提供することが可能
となる。
【００３６】本発明において、前記入出力端子の間で前
記接地電位部分に接続される接続点が複数ある場合に
は、これらの接続点のうち１箇所の接続点のみを前記接
地電位部分に接続するよう他の接続点を切断した状態と
し、かつ、各々接続する接続点を切り替えて、異なる接
続点に対してそれぞれ前記入力端子側交流抵抗および前
記出力端子側交流抵抗を測定することにより、整合回路
に複数の接続点が存在する場合であっても、各接続点ご
とに接続状態を設定して測定範囲を設定し、この測定範
囲ごとに異なる状態とされる整合回路の受動素子に対し
て測定したそれぞれの交流抵抗を、各時刻におけるプラ
ズマチャンバに対して設定することで、時間経過を伴っ
た状態のプラズマチャンバにおいて、プラズマ空間で消
費される実効的な電力をそれぞれ略均一にすることがで
きる。ここで、各接続状態に対応する測定範囲のうち、
交流抵抗の各時刻における差の値が最も大きいものが上
記の所定の範囲の値に設定されることが好ましい。
【００３７】上記本発明に係るプラズマ処理装置の性能
管理システムは、たとえば、プラズマ処理装置又はプラ
ズマ処理システムのメーカー、流通業者、メンテナンス
業者等からユーザー等にプラズマ処理装置又はプラズマ
処理システムを納入するに際して、搬送元で分解後、納
入先に搬送して、納入先にて再組み立てをするという一
連の処理工程を経た後、あるいは、その後の使用期間中
のように、時刻ｔ0 からある時間が経過した後の時刻ｔ
1 において、プラズマ処理装置の性能が維持されている
かどうかを評価しその性能を管理するシステムである。
本管理システムにおけるサーバーは、プラズマ処理装置
又はプラズマ処理システムのメーカー、流通業者、メン
テナンス業者等の搬送元が管理するものであるが、その
設置場所は搬送元に特に限定されない。このサーバーは
交流抵抗ＲＡ，ＲＢの分解前の値ＲＡ0 ，ＲＢ0 を記憶
している。そして、この記憶したＲＡ0，ＲＢ0 を用い
て、搬入先にあるプラズマ処理装置の性能を評価するも
のである。
【００３８】このＲＡ0 ，ＲＢ0 等の値は、メーカー等
で管理している標準的な容量ＲＡ0，ＲＢ0 等の値とし
ても良いが、プラズマ処理装置あるいはプラズマ処理室
の固有番号毎にＲＡ0 ，ＲＢ0 等の値を記憶することに
より、納入先の個別のプラズマ処理装置あるいはプラズ
マ処理室に対応して、より的確な評価ができる。従っ
て、より精度の高い管理システムとすることができる。
なお、プラズマ処理装置あるいはプラズマ処理室の固有
番号とは、プラズマ処理装置あるいは整合回路およびプ
ラズマ処理室を含むプラズマ処理室ユニット（プラズマ
チャンバ）を個別に特定できる番号であれば特に限定は
なく、その形式は数字だけでなく文字等を含むものであ
ってもよい。例えば、プラズマチャンバを一つ備えたプ
ラズマ処理装置の場合、当該プラズマ処理装置の製造番
号を、当該プラズマ処理室の固有番号として扱うことも
できる。また、複数のプラズマチャンバを有するプラズ
マ処理装置、あるいは、複数のプラズマ処理装置を備え
たプラズマ処理システムにおいては、個々のプラズマチ
ャンバにおける識別するために固有番号が付されること
になる。
【００３９】サーバーには、納入先に設置された入出力
装置が通信回線で接続されている。この通信回線の媒体
や形式に特に限定はなく、離間した地点におかれたサー
バーと入出力装置との間で信号の授受ができるものであ
ればよい。すなわち、ケーブル回線、光ファイバー回
線、衛星回線等の種々の有線や無線の通信媒体を適宜使
用できると共に、電話回線網、インターネット網等種々
の通信形式を活用できる。また、納入先の入出力装置、
入力装置にも特に限定はなく、パーソナルコンピュー
タ、専用端末機、電話機等を利用する通信回線の種類等
に適応できる範囲で適宜選択できる。なお、評価基準２
を用いる性能管理システムにおける納入先入力装置で
は、少なくとも入力機能が必要で、出力機能は必須では
ないが、出力機能を備えていても差し支えないのはもち
ろんである。
【００４０】サーバーは、係る納入先入出力装置から納
入後（あるいは再組み立て後）における交流抵抗Ｒ
Ａ0 ，ＲＢ0 を受信する。また、必要に応じてプラズマ
処理装置あるいはプラズマ処理室の固有番号を受信す
る。ここで、納入後とは、再組み立て直後だけでなく、
その後の使用期間中を含むものである。すなわち、サー
バーは、納入先のプラズマ処理装置やプラズマ処理シス
テムの性能を反映する値として交流抵抗ＲＡ1 ，ＲＢ1
を、適宜継続して受信できるものである。また、評価基
準１を用いる性能管理システムの場合、このサーバーは
上記交流抵抗ＲＡ0 ，ＲＢ0 を記憶している。そして、
この記憶した交流抵抗ＲＡ0 ，ＲＢ0 を用いて、搬入先
にあるプラズマ処理装置の性能を評価するものである。
また、上記サーバーは、納入先入出力装置から、交流抵
抗ＲＡ0 ，ＲＢ0 の納入後における交流抵抗ＲＡ1 ，Ｒ
Ｂ1 を必要に応じて、その値を与えるプラズマ処理装置
あるいはプラズマ処理室の固有番号と共に受信するよう
にしてもよい。納入先入出力装置からサーバーに対し
て、交流抵抗ＲＡ1 ，ＲＢ1 の値やプラズマ処理装置あ
るいはプラズマ処理室の固有番号を送信するためには、
納入先入出力装置に納入先のユーザーや、納入先を訪問
したサービスマン等がこれらの値を手で入力することが
できるが、この入力作業は適宜自動化や省力化が可能で
ある。例えば、納入先入出力装置に、プラズマ処理装置
又はプラズマ処理システムに接続された交流抵抗を測定
する測定器を接続して、この測定器から上記サーバー
に、交流抵抗値ＲＡ1 ，ＲＢ1 等を直接送信することが
できる。また、単独のプラズマ処理室を備えたプラズマ
処理装置を単独で使用する納入先においては、プラズマ
処理装置の固有番号を一度納入先入出力装置に登録し、
その後は入力作業を省略することができる。
【００４１】サーバーは、上記交流抵抗ＲＡ0 ，Ｒ
Ｂ0 ，ＲＡ1 ，ＲＢ1 の値から、内部の演算処理装置を
用いてＲＡ0 とＲＡ1 との差であるΔＲＡの絶対値、お
よび、ＲＢ0 とＲＢ1 との差であるΔＲＢの絶対値を演
算する。そして、その値ΔＲＡ，ΔＲＢの絶対値いずれ
も所定の値より小さい値であった場合には、所定の性能
を維持している旨の信号を、また、少なくとも値ΔＲ
Ａ，ΔＲＢの絶対値のいずれかが所定の値以上の値であ
る場合には、所定の性能を維持していない旨の信号を、
各々評価情報として納入先入出力装置に発信する。すな
わち、納入先入出力装置は評価情報を受信することがで
き、これにより、納入先においてプラズマ処理装置ある
いはプラズマ処理室の性能評価結果を把握することが可
能となる。なお、納入先入出力装置は、評価情報を表示
器に表示したり、プリントアウトしたり、あるいは警報
信号を発する等、適宜の方法で評価情報をユーザー等に
伝達することができる。なお、
【００４２】この場合のサーバーは、また、搬送元にお
いて出力装置を備え、値ΔＲＡの絶対値、または、ΔＲ
Ｂの絶対値が所定の値を超える場合に、上記出力装置か
ら、評価情報として保守作業命令を出力することができ
る。この場合、対応するプラズマ処理室の固有番号も併
せて出力することが望ましい。これにより、納入先のプ
ラズマ処理装置やプラズマ処理システムの不具合を搬送
元においていち早く把握し、直ちに保守サービスを提供
することができる。なお、サーバーが搬送元におかれて
いない場合には、サーバーと出力装置との間には任意の
通信回線が使用される。
【００４３】サーバーが、納入先入出力装置と搬送元の
出力装置との双方に評価情報を提供する場合、両評価情
報の基礎となる所定の値は必ずしも同一の値でなくとも
よい。例えば、納入先入出力装置に発信する評価情報に
ついては、前記所定の値をＲＡ0 の０．５倍より小さい
範囲の値に設定し、この値を越えたときに所定の性能を
維持していない旨の信号を発信するとともに、一方、搬
送元の出力装置には、所定の値をＲＡ0 の０．４倍より
小さい範囲の値に設定して、この値を越える場合に保守
作業命令を出力するようにしても良い。このように、搬
送元の出力装置に対して、納入先入出力装置に対するよ
りも厳しい評価基準に基づき保守作業命令が出される場
合には、納入先のプラズマ処理装置の性能が大きく変動
する以前に搬送元（納入者）による保守サービスを行う
ことができる。すなわち、より先手を打った保守体制を
確立することができる。
【００４４】また、本発明における他のプラズマ処理装
置の性能管理システムも、たとえば、プラズマ処理装置
またはプラズマ処理システムのメーカー、流通業者、メ
ンテナンス業者等からユーザー等にプラズマ処理装置を
納入するに際して、搬送元で分解後、納入先に搬送し
て、納入先にて再組み立てをするという一連の処理工程
を経た後、あるいは、その後の使用期間中のように、時
刻ｔ0からある時間が経過した後の時刻ｔ1において、プ
ラズマ処理装置の性能が維持されているかどうかを評価
しその性能を管理するシステムである。本発明に係るプ
ラズマ処理装置の性能管理システムの特徴が、先のプラ
ズマ処理装置の性能管理システムの特徴と異なる点は、
サーバーが、各々所定の値の範囲によって決められた故
障レベルに対応して登録されたサービスエンジニアの情
報とを記憶するとともに、搬送元における出力装置を備
える点である。そして、サーバーが、ΔＲＡ，ΔＲＢの
絶対値を演算した後、その値が、何れかの故障レベルの
所定の値の範囲である場合には、上記出力装置から、当
該故障レベルと、当該故障レベルに対応して登録された
サービスエンジニアの情報と共に、保守作業命令を出力
するという処理をおこなう点にある。
【００４５】この性能管理システムの場合、搬送元で
は、保守作業命令が出力されるとともに、どの程度の故
障レベルであるかの情報や、その故障レベルに応じてラ
ンク分けされた対応するサービスエンジニアの情報も出
力される。そのため、この本発明に係る他のプラズマ処
理装置の性能管理システムによれば、遠隔地に納入した
プラズマ処理装置であっても、搬送元において、その故
障レベルを把握することができる。そして、その故障レ
ベルに応じて、教育訓練度合の異なるサービスエンジニ
アを派遣することができる。したがって、人材活用が合
理化できると共に、迅速、かつ、的確なサポートを常に
おこなうことが可能となる。すなわち、装置納入後のフ
ィールドサポート体制の合理化が可能となるものであ
る。
【００４６】評価基準２を用いる性能管理システムの場
合、サーバーは出力装置を備えている。この出力装置の
設置場所に特に限定はないが、搬送元、メーカー、サー
ビスセンター等、納入先に対する保守サービスを提供す
る場所ににおかれていることが望ましい。サーバーと出
力装置とが遠隔地におかれている場合には、両者の間に
は任意の通信回線が使用される。そして、このサーバー
は、評価基準２を用いて、搬入先にあるプラズマ処理装
置の性能を評価すると共に、望ましくない評価結果を得
た場合には、出力装置から保守作業命令を、その評価結
果に用いられた値として、時刻ｔ0 および／または時刻
ｔ1 における交流抵抗ＲＡの最大値ＲＡmax と最小値Ｒ
Ａmin とそのばらつき<ＲＡ>、および、交流抵抗ＲＢの
最大値ＲＢmax と最小値Ｂmin とそのばらつき<ＲＢ>
を、この値を与えたプラズマ処理室の固有番号と共に出
力するものである。
【００４７】このように、複数のプラズマチャンバがあ
る場合、サーバーは評価基準２による評価を行うため
に、納入先入力装置から各プラズマチャンバにおける高
周波特性としての交流抵抗ＲＡ，ＲＢの納入後における
交流抵抗ＲＡ1 ，ＲＢ1 を受信する。ここで、納入後と
は、再組み立て直後だけでなく、その後の使用期間中を
含むものである。すなわち、サーバーは、納入先のプラ
ズマ処理装置やプラズマ処理システムの性能を反映する
交流抵抗ＲＡ1 ，ＲＢ1 適宜継続して受信できるもので
ある。また、上記サーバーは、納入先入力装置から、高
周波特性としての交流抵抗ＲＡ，ＲＢの納入後における
交流抵抗ＲＡ1 ，ＲＢ1 とともに、その値を与える個々
のプラズマ処理室あるいはプラズマ処理装置の固有番号
も受信する。
【００４８】サーバーは、プラズマ処理装置全体または
プラズマ処理システム全体におけるプラズマ処理室のＲ
Ａ1 を総て受信すると、それらの値の中から、最大値Ｒ
Ａ1m axと最小値ＲＡ1minと、これらに対応する固有番号
を特定する。そして、式（１４Ａ）に従ってばらつきの
値<ＲＡ1> を求め、その値が所定の値以上の場合に、上
記出力装置から、保守作業命令を当該最大値および最小
値を与えたプラズマ処理室あるいはプラズマ処理装置の
固有番号とともに出力する。同時に、サーバーは、プラ
ズマ処理装置全体またはプラズマ処理システム全体にお
けるプラズマ処理室のＲＢ1 を総て受信すると、それら
の値の中から、最大値ＲＢ1maxと最小値ＲＢ1minと、こ
れらに対応する固有番号を特定する。そして、式（１４
Ｂ）に従ってばらつきの値<ＲＢ1> を求め、その値が所
定の値以上の場合に、上記出力装置から、保守作業命令
を当該最大値および最小値を与えたプラズマ処理室ある
いはプラズマ処理装置の固有番号とともに出力する。こ
れにより、納入先のプラズマ処理装置やプラズマ処理シ
ステムの不具合を搬送元等のサービス提供者側でいち早
く把握し、直ちに保守サービスを提供することができ
る。
【００４９】本発明のプラズマ処理装置またはプラズマ
処理システムの性能確認システムにおいて、販売保守者
がアップロードした各プラズマ処理室ユニットの動作性
能状況を示す性能状況情報に対して、購入発注者が情報
端末から公衆回線を介して閲覧を可能とすることによ
り、購入発注者に対して、購入時に判断基準となる情報
を伝達することが可能となり、かつ、使用時における、
プラズマ処理装置またはプラズマ処理システムの動作性
能・保守情報を容易に提供することが可能となる。ま
た、前記性能状況情報が、上述したようにプラズマ処理
装置またはプラズマ処理システムに対する性能パラメー
タとしての時刻ｔ0 および／または時刻ｔ1における前
記交流抵抗ＲＡ，ＲＢおよびそのばらつきの値等の高周
波特性を含むことにより、購入発注者のプラズマ処理装
置またはプラズマ処理システムに対する性能判断材料を
提供できるとともに、購入時における適切な判断をする
ことが可能となる。さらに、前記性能状況情報を、カタ
ログまたは仕様書として出力することができる。
【００５０】また、本発明において、交流抵抗測定時に
おける各プラズマチャンバと高周波特性測定器との間の
高周波特性Ａがそれぞれ等しく設定されてなることがで
きる、これにより、複数のプラズマチャンバに対して、
高周波特性測定器からの交流抵抗、インピーダンス等の
測定値を、いずれも、設定された測定位置に対して、そ
れぞれの測定位置から高周波特性測定器までの高周波特
性測定値に対して補正をおこなった値と同等と見なすこ
とができるため、交流抵抗、インピーダンス等の高周波
特性の算出の補正が事実上不要となり、実測値の換算が
不要となるので、作業効率を向上することができる。具
体的に上記を実現する手段としては、各プラズマ処理室
ユニット（プラズマチャンバ）における、前記測定位置
から高周波特性測定器までの同軸ケーブルの長さを等し
くする等の手段を適応することができる。
【００５１】本発明において、プラズマ処理システム
は、少なくとも１のプラズマ処理装置を含むものとされ
る。なお、本発明において、個々のプラズマ処理装置に
設けられたプラズマチャンバの数、および、プラズマ処
理システムにおけるプラズマ処理装置の数およびプラズ
マチャンバの数は任意に設定することができる。そし
て、プラズマ処理装置ごとに、用途が異なりプロセスレ
シピを一致させる必要がない場合などには上述した交流
抵抗ＲＡ，ＲＢ等の高周波特性の設定条件を、例えばプ
ラズマ処理システム中のプラズマ処理装置ごとに異なっ
た設定とすることも可能である。
【００５２】さらに、本発明では、第１の高周波電源
と、該第１の高周波電源と接続される高周波電極と、前
記第１の高周波電源と前記高周波電極との間のインピー
ダンスの整合を得る整合回路を備えた高周波電極側マッ
チングボックスと、第２の高周波電源と、前記高周波電
極と対向配置され前記第２の高周波電源と接続されると
ともに被処理基板を支持するサセプタ電極と、前記第２
の高周波電源と前記サセプタ電極との間のインピーダン
スの整合を得る整合回路を備えたサセプタ電極側マッチ
ングボックスとを有する、いわゆる２周波数励起型プラ
ズマＣＶＤ処理ユニットにおいても、サセプタ側の整合
回路に対して交流流抵等の高周波特性を、前述のカソー
ド電極側と同様にして設定することができる。
【００５３】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るプラズマ処理
装置の第１実施形態を、図面に基づいて説明する。 ［第１実施形態］図１は本実施の形態のプラズマ処理装
置７１の概略構成を示す図である。本実施の形態のプラ
ズマ処理装置７１は、例えば、トップゲート型ＴＦＴの
半導体能動膜をなす多結晶シリコンの成膜からゲート絶
縁膜の成膜までの一貫処理が可能なものとされ、複数の
処理室ユニットを有する装置とされる。
【００５４】本実施の形態のプラズマ処理装置７１は、
図１に示すように、略七角形状の搬送室７２の周囲に、
５つの処理室ユニットと１つのローダ室７３と１つのア
ンローダ室７４とが連設されている。また、５つの処理
室ユニットの内訳としては、アモルファスシリコン膜を
成膜する第１成膜室、シリコン酸化膜を成膜する第２成
膜室、およびシリコン窒化膜を成膜する第３成膜室から
なるプラズマ処理室ユニット（プラズマチャンバ）７
５，７６，７７、成膜後の被処理基板のアニーリング処
理を行うレーザアニール室７８、成膜後の被処理基板の
熱処理を行う熱処理室７９、である。
【００５５】プラズマ処理室ユニット（プラズマチャン
バ）である、第１成膜室７５、第２成膜室７６、第３成
膜室７７はそれぞれ異なる種類の膜を成膜するような異
なる処理をおこなうことも可能であり、また、同一のプ
ロセスレシピにより同一の処理をおこなうこともできる
ものであるが、略同一の構成とされている。そして、こ
れらの複数のプラズマチャンバ７５，７６，７７におい
ては、後述するように、整合回路２Ａにおいて、その入
力端子側から測定した交流抵抗ＲＡ0 と出力端子側から
測定した交流抵抗ＲＢ0 とが、分解搬送後、納入先にお
いて再組み立てした後においても、さらに、その後の使
用期間の時刻ｔ1 においても、その時の交流抵抗ＲＡ
1 ，ＲＢ1 （高周波特性）が、それぞれ、ＲＡ0 、ＲＡ
1 の差ΔＲＡの絶対値がＲＡ0 の０．５倍とされる所定
の値より小さい値に維持されるとともに、ＲＢ0 、ＲＢ
1 の差ΔＲＢの絶対値がＲＢ0 の０．５倍とされる所定
の値より小さい値に維持されている。そして、入力端子
側交流抵抗ＲＡ0 の最大値ＲＡ0maxと最小値ＲＡ0minと
のばらつきを前述の式（１４Ａ）として定義するととも
に、出力端子側交流抵抗ＲＢ0 の最大値ＲＢ0max と最
小値ＲＢ0min とのばらつきを前述の式（１４Ｂ）とし
て定義し、これらの値が所定の範囲の値に設定されて設
計、製造されている。ここでは第１成膜室７５を例に挙
げてその構成を説明する。
【００５６】図２は本実施形態のプラズマ処理室ユニッ
ト（プラズマチャンバ）の概略構成を示す断面図、図３
は図２におけるプラズマ処理室ユニット（プラズマチャ
ンバ）の整合回路を示す模式図である。
【００５７】さらに詳細に説明すると、プラズマチャン
バ７５は、図２，図３に示すように、チャンバ室（プラ
ズマ処理室）６０の上部位置に高周波電源１に接続され
たプラズマ励起電極（電極）４およびシャワープレート
５が設けられ、チャンバ室６０の下部にはシャワープレ
ート５に対向して被処理基板１６を載置するサセプタ電
極（対向電極）８が設けられている。プラズマ励起電極
４は、給電板３および整合回路２Ａを介して第１の高周
波電源１と接続されている。これらプラズマ励起電極４
および給電板３は、シャーシ２１に覆われるとともに、
整合回路２Ａは導電体からなるマッチングボックス２の
内部に収納されている。給電板３としては、例えば、幅
５０〜１００ｍｍ、厚さ０．５ｍｍ、長さ１００〜３０
０ｍｍの形状を有する銅の表面に銀めっきを施したもの
が用いられており、この給電板３は、後述する整合回路
２Ａのチューニングコンデンサ２４の出力端子およびプ
ラズマ励起電極４にそれぞれネジ止めなどの結合手段に
より着脱可能に取り付けられている。
【００５８】また、プラズマ励起電極（カソード電極）
４の下側には環状の凸部４ａが設けられるとともに、こ
のプラズマ励起電極（カソード電極）４の下には、多数
の孔７が形成されているシャワープレート５が凸部４ａ
に接して設けられている。これらプラズマ励起電極４と
シャワープレート５との間には空間６が形成されてい
る。この空間６にはシャーシ２１の側壁を貫通するとと
もにプラズマ励起電極（カソード電極）４を貫通してガ
ス導入管１７が接続されている。
【００５９】このガス導入管１７は、導体からなるとと
もに、ガス導入管１７の途中には絶縁体１７ａがシャー
シ２１内側位置に介挿されてプラズマ励起電極１４側と
ガス供給源側とが絶縁される。ガス導入管１７から導入
されたガスは、シャワープレート５の多数の孔７，７か
らチャンバ壁１０により形成されたチャンバ室６０内に
供給される。チャンバ壁１０とプラズマ励起電極（カソ
ード電極）４とは絶縁体９により互いに絶縁されてい
る。また、図２において、チャンバ室６０に接続される
べき排気系の図示は省略してある。一方、チャンバ室６
０内には基板１６を載置しプラズマ励起電極ともなる盤
状のウエハサセプタ（サセプタ電極）８が設けられてい
る。
【００６０】サセプタ電極（対向電極）８の下部中央に
は、シャフト１３が接続され、このシャフト１３がチャ
ンバ底部１０Ａを貫通して設けられるとともに、シャフ
ト１３の下端部とチャンバ底部１０Ａ中心部とがベロー
ズ１１により密閉接続されている。これら、ウエハサセ
プタ８およびシャフト１３はベローズ１１により上下動
可能となっており、プラズマ励起電極４，８間の距離の
調整ができる。これらサセプタ電極８とシャフト１３と
支持筒１２Ｂとが接続されているため、サセプタ電極
８，シャフト１３，ベローズ１１，チャンバ底部１０
Ａ，チャンバ壁１０は直流的に同電位となっている。さ
らに、チャンバ壁１０とシャーシ２１は接続されている
ため、チャンバ壁１０，シャーシ２１，マッチングボッ
クス２はいずれも直流的に同電位となっている。
【００６１】ここで、整合回路２Ａは、チャンバ室６０
内のプラズマ状態等の変化に対応してインピーダンスを
調整するために、その多くは複数の受動素子を具備する
構成とされている。整合回路２Ａは、図２，図３に示す
ように、複数の受動素子として、高周波電源１と給電板
３との間に設けられ、インダクタンスコイル２３と、エ
アバリコンからなるチューニングコンデンサ２４と、真
空バリコンからなるロードコンデンサ２２と、これらの
受動素子を接続するための銅板とされる導体Ｒ１，Ｒ２
とから構成されている。これらのうち、導体Ｒ１，イン
ダクタンスコイル２３，チューニングコンデンサ２４
は、整合回路２Ａの入力端子側から出力端子側へ直列に
接続されるとともに、導体Ｒ１，インダクタンスコイル
２３の間の分岐点Ｂ１からこれらと並列にロードコンデ
ンサ２２が接続されている。このインダクタンスコイル
２３，チューニングコンデンサ２４は、導体を介さずに
直接接続されており、また、ロードコンデンサ２２の一
端は、接続点ＢＰ１において導体Ｒ２を介してマッチン
グボックス２（接地電位部分）に接続されている。ここ
で、チューニングコンデンサ２４は整合回路２Ａの受動
素子のうち最終端とされ、このチューニングコンデンサ
２４の出力端子は整合回路２Ａの出力端子とされてお
り、チューニングコンデンサ２４は給電板３を介してプ
ラズマ励起電極４に接続されている。マッチングボック
ス２は、同軸ケーブルとされる給電線（高周波電力給電
体）１Ａのシールド線に接続されており、このシールド
線が直流的にアースされている。これにより、サセプタ
電極８，シャフト１３，ベローズ１１，チャンバ底部１
０Ａ，チャンバ壁１０，シャーシ２１，マッチングボッ
クス２は接地電位に設定されることになり、同時に、ロ
ードコンデンサ２２の一端も直流的にアースされた状態
となる。
【００６２】本実施形態のプラズマチャンバ７５におい
ては、１３．５６ＭＨｚ程度以上の周波数の電力、具体
的には、例えば１３．５６ＭＨｚ，２７．１２ＭＨｚ，
４０．６８ＭＨｚ等の周波数の電力を投入して、両電極
４，８の間でプラズマを生成し、このプラズマにより、
サセプタ電極８に載置した基板１６にＣＶＤ（ chemica
l vapor deposition）、ドライエッチング、アッシング
等のプラズマ処理をおこなうことができる。このとき、
高周波電力は、高周波電源１から給電線１Ａの同軸ケー
ブル，整合回路２Ａ，給電板３，プラズマ励起電極（カ
ソード電極）４に供給される。一方、高周波電流の経路
を考えた場合、電流はこれらを介してプラズマ空間（チ
ャンバ室６０）を経由した後、さらにもう一方の電極
（サセプタ電極）８，シャフト１３，サセプタシールド
１２，ベローズ１１，チャンバ底部１０Ａ，チャンバ壁
１０を通る。その後、シャーシ２１，マッチングボック
ス２，給電線１Ａのシールド線を通り、高周波電源１の
アースに戻る。
【００６３】ここで、本実施形態のプラズマチャンバ７
５における高周波特性としての整合回路２Ａの交流抵抗
ＲＡ，ＲＢについて説明する。
【００６４】整合回路２Ａの交流抵抗としては、この整
合回路２Ａの入力端子側から、入力端子側交流抵抗ＲＡ
を測定するとともに、整合回路２Ａの出力端子側から、
出力端子側交流抵抗ＲＡＢ測定する。このとき、測定周
波数を高周波電源１の電力周波数を含むように１ＭＨｚ
〜１００ＭＨｚ程度の範囲から選択する。より好ましく
は、例えば１３．５６ＭＨｚ，２７．１２ＭＨｚ，４
０．６８ＭＨｚ等の値に設定される電力周波数ｆe に対
応した周波数に設定した状態により測定する。この交流
抵抗ＲＡ，ＲＢは、整合回路２Ａの構造をその多くの要
因としてきまる電気的高周波的な特性であり、具体的に
は図４に示すように測定される。
【００６５】図４、図５は図３の整合回路における寄生
抵抗を示す模式回路図である。本実施形態の整合回路２
Ａにおける測定範囲としては、整合回路２Ａの受動素子
のうち入力最初段の受動素子の入力端子位置ＰＲ３およ
び、受動素子のうち出力最終段の受動素子の出力端子位
置ＰＲで切り離した状態をその対象とする。つまり、図
４に示すように、整合回路２Ａに接続される給電線１Ａ
を切り離すとともに、給電板３に接続されるチューニン
グコンデンサ２４の出力端子位置ＰＲで、給電板３と整
合回路２Ａの端子との接合部つまりネジ止めを外して切
り離した状態の整合回路２Ａを測定範囲とする。
【００６６】この測定範囲のうち入力端子側交流抵抗Ｒ
Ａを測定するには、図４に破線で示すように、インピー
ダンス測定器（高周波特性測定器）ＡＮのプローブ１０
５を、切り離した入力端子位置ＰＲ３および整合回路２
Ａの接続されたマッチングボックス２のアース位置（接
地電位部分）に接続する。この状態で、インピーダンス
測定器ＡＮの発振する測定周波数を例えば１ＭＨｚ〜１
００ＭＨｚの範囲から所定の周波数、例えば電力周波数
ｆe と等しい４０．６８ＭＨｚ程度に設定して、整合回
路２Ａの上記測定範囲に対するインピーダンスのベクト
ル量（Ｚ，θ）を測定し、インピーダンスの復素表現に
おける実部を算出して、これを交流抵抗として定義す
る。このプローブ１０５は、図４に示すように、導線１
１０上に絶縁被覆１１２を設け、この絶縁被覆１１２上
に外周導体１１１を被覆してなるものである。このプロ
ーブ１０５は同軸ケーブルを通してインピーダンス測定
器ＡＮに接続されている。ここで、プローブ１０５は、
導線１１０を入力端子位置ＰＲに、また、外周導体１１
１をマッチングボックス２の上面中央とされるアース位
置に接続される。
【００６７】本実施形態における整合回路２Ａにおける
交流抵抗は、整合回路２Ａの前述の各構成要素、インダ
クタンスコイル２３、チューニングコンデンサ２４、ロ
ードコンデンサ２２、導体Ｒ１，Ｒ２は、交流的に、レ
ジスタンスやインダクタンスを有しており、交流電流を
流した際に、寄生的に存在している抵抗を含めて定義さ
れるものである。このとき、整合回路２Ａの入力端子側
交流抵抗ＲＡの測定時に考慮されている電気的高周波的
要因としては、図４にＩRAで示すように、入力端子とさ
れる測定位置ＰＲ３から、分岐点Ｂ１を経て、接続点Ｂ
Ｐ１（接地電位部分）まで、つまり、以下のものが考え
られる。 導体Ｒ１における寄生抵抗ＲR1 導体Ｒ１におけるインダクタンスＬR1 ロードコンデンサ２２の容量ＣL 導体Ｒ２における寄生抵抗ＲR2 導体Ｒ２におけるインダクタンスＬR1
【００６８】これらの電気的高周波的要因のち、整合回
路２Ａの前記入力端子側交流抵抗ＲＡとしては、図４に
示すように、導体Ｒ１における寄生抵抗ＲR1、導体Ｒ２
における寄生抵抗ＲR2、を測定することになる。ここ
で、寄生抵抗Ｒ１は、入力端子側交流抵抗ＲＡの測定時
において、分岐点Ｂ１からロードコンデンサ２２までの
抵抗値等、上記のＩRAの回路における図示しない寄生抵
抗をも含んでいるものとする。
【００６９】同様にして、整合回路２Ａの前記出力端子
側交流抵抗ＲＢを測定するには、図５に示すように、イ
ンピーダンス測定器（高周波特性測定器）ＡＮのプロー
ブ１０５を、切り離した出力端子位置ＰＲおよび整合回
路２Ａの接続されたマッチングボックス２のアース位置
（接地電位部分）に接続する。この状態で、インピーダ
ンス測定器ＡＮの発振する測定周波数を例えば１ＭＨｚ
〜１００ＭＨｚの範囲に変化させて、整合回路２Ａの上
記測定範囲に対するインピーダンスのベクトル量（Ｚ，
θ）を測定し、インピーダンスの復素表現における実部
を算出して、これを交流抵抗として定義する。このプロ
ーブ１０５は、図５に示すように、導線１１０を出力端
子位置ＰＲに、また、外周導体１１１をマッチングボッ
クス２の上面中央とされるアース位置に接続される。
【００７０】このとき、整合回路２Ａの出力端子側交流
抵抗ＲＢの測定時に考慮されている電気的高周波的要因
としては、図５にＩRBで示すように、出力端子とされる
測定位置ＰＲから、分岐点Ｂ１を経て、接地電位部分ま
で、つまり、以下のものが考えられる。 チューニングコンデンサ２４の容量ＣT インダクタンスコイル２３における寄生抵抗ＲLT インダクタンスコイル２３におけるインダクタンスＬT ロードコンデンサ２２の容量ＣL 導体Ｒ２における寄生抵抗ＲR2 導体Ｒ２におけるインダクタンスＬR1
【００７１】これらの電気的高周波的要因のち、整合回
路２Ａの前記出力端子側交流抵抗ＲＢとしては、図５に
示すように、インダクタンスコイル２３における寄生抵
抗Ｒ LT、導体Ｒ２における寄生抵抗ＲR2、を測定するこ
とになる。ここで、寄生抵抗ＲＲLTは、出力端子側交流
抵抗ＲＢの測定時において、分岐点Ｂ１からロードコン
デンサ２２までの抵抗値等、上記のＩRBの回路における
図示しない寄生抵抗をも含んでいるものとする。
【００７２】本実施形態のプラズマチャンバ７５の整合
回路２Ａにおいては、このように測定された高周波特性
としての入力端子側交流抵抗ＲＡおよび出力端子側交流
抵抗ＲＢが、プラズマチャンバ７５のの作動状態に適し
た所定の範囲の値になるように設定する。そして、本プ
ラズマ処理装置が分解搬送後、納入先において再組み立
てした後においても、さらに、その後それが使用され被
処理物のプラズマ処理が行われても、さらには、分解掃
除、部品交換、組み立て調整等の調整作業が施されて
も、その時点（時刻ｔ1 ）において、その時の交流抵抗
ＲＡ1 ，ＲＢ1 （高周波特性）が、それぞれ、ＲＡ0 、
ＲＡ1 の差ΔＲＡの絶対値がＲＡ0 の０．５倍とされる
所定の値より小さい値に維持されるとともに、ＲＢ0 、
ＲＢ1 の差ΔＲＢの絶対値がＲＢ0 の０．５倍とされる
所定の値より小さい値に維持されている。そのために、
もし、少なくともΔＲＡおよびΔＲＢのどちらか上記の
所定の値以上となった場合は是正作業が行われる。ここ
で、交流抵抗ＲＡ，ＲＢを設定する方法としては、例え
ば、 銅板（導体Ｒ１，Ｒ２）の形状（長さ，幅）を調整す
る。 銅板（導体Ｒ１，Ｒ２）の組み立て状態（取り付け状
態）を調整する。 銅板（導体Ｒ１，Ｒ２）に銀をメッキする。 等の手法を適用することができる。
【００７３】本実施形態のプラズマ処理装置７１におい
ては、分解、搬送、再組み立て、その後の使用（プラズ
マ処理）、あるいは調整作業が施された後においても、
交流抵抗ＲＡ，ＲＢが、ＲＡ0 、ＲＡ1 の差ΔＲＡの絶
対値がＲＡ0 の０．５倍とされる所定の値より小さい値
に維持されるとともに、ＲＢ0 、ＲＢ1 の差ΔＲＢの絶
対値がＲＢ0 の０．５倍とされる所定の値より小さい値
に維持されている。そのため、ある時間が経過する間
に、上記のような電気的高周波的な特性に影響を与える
可能性のある事象があった場合にも、その時間の前後
で、電気的高周波的な特性の差をなくすことが可能とな
り、これにより、交流抵抗、容量、インピーダンス等の
高周波数特性を指標とする一定の管理幅内に本装置のプ
ラズマチャンバ７５の状態を維持することが可能となる
ので、プラズマ空間で消費される実効的な電力等をそれ
ぞれ時間的に略均一になるように維持することができ
る。
【００７４】そして、本実施形態のプラズマ処理装置７
１においては、プラズマチャンバ（第２成膜室）７６お
よびプラズマチャンバ（第３成膜室）７７は、プラズマ
チャンバ７５と略同等の構造とされている。そして、こ
のプラズマチャンバ７６およびプラズマチャンバ７７に
対しても、高周波特性としての交流抵抗ＲＡ，ＲＢをプ
ラズマチャンバ７５と同様にして設定する。具体的に
は、これらプラズマチャンバ７５，７６，７７におい
て、いずれも、電力周波数ｆe を４０．６８ＭＨｚに設
定して、交流抵抗ＲＡ，ＲＢを測定する。ところが、こ
の交流抵抗ＲＡ，ＲＢは、機械的な構造をその多くの要
因としてきまる電気的高周波的な特性であり、各実機ご
とにそれぞれ異なっていると考えられる。
【００７５】プラズマチャンバ７５の回路においては、
上述のように交流抵抗ＲＡ，ＲＢを設定することによ
り、プラズマ励起電極４，サセプタ８間のプラズマ発生
空間に投入される実効的な消費電力に影響する、いわゆ
る、抵抗による電力損失を設定することになる。これ
は、虚数単位をｊ（ｊ2 ＝−１）、角振動数をω（ω＝
２πｆe ；ｆe は電力周波数）とすると、インピーダン
スＺ（Ω）およびインダクタンスＸが以下の式（１１
Ａ）、 Ｚ ＝ Ｒ＋ｊＸ （１１Ａ） Ｘ ＝ ｆ（ω，Ｌ，Ｃ） で示される関係を満たしている。ここで、 ｆ（ω，
Ｌ，Ｃ）は、インピーダンスＸがω，Ｌ，Ｃの関数で表
現されることを示すものである。さらに式（１１Ｂ） Ｒ ＝ Ｒｅ（Ｚ） （１１Ｂ） で示されるように、インピーダンスＺの実部が交流抵抗
Ｒであるため、整合回路２Ａにおける交流抵抗ＲＡ，Ｒ
Ｂを設定することにより、電極４，８よりも高周波電源
１側に位置する整合回路２Ａにおける電力損失を設定す
ることが可能となる。その結果、電圧降下に対するもっ
とも寄与の大きい抵抗（レジスタンス）Ｒを設定するこ
とになるために、つまり、プラズマ発生のエネルギーの
減少に対してもっとも寄与の大きい抵抗を設定するため
に、実効的なエネルギーロスが増加することを抑制する
ことができる。これにより、時間的にプラズマチャンバ
７５の状態を変化しないように維持することが可能とな
る。
【００７６】さらに、計測したプラズマチャンバ（第１
成膜室）７５に対する入力端子側交流抵抗ＲＡ75、プラ
ズマチャンバ（第２成膜室）７６に対する入力端子側交
流抵抗ＲＡ76、プラズマチャンバ（第３成膜室）７７に
対する入力端子側交流抵抗ＲＡ77のうち、その最大値Ｒ
Ａmax と最小値ＲＡmin に対して、 <ＲＡ> ＝ （ＲＡmax −ＲＡmin ）／（ＲＡmax ＋ＲＡmin ） （１４Ａ） のように複数のプラズマチャンバ７５，７６，７７の入
力端子側交流抵抗ＲＡのばらつき<ＲＡ>として定義し、
この（１４Ａ）式で表されるばらつきの値を０．５より
小さい範囲の値に設定する。この際、入力端子側交流抵
抗ＲＡのばらつき<ＲＡ>を設定する方法としては、上述
の〜等のような手法を適用することができる。
【００７７】同時に、計測したプラズマチャンバ（第１
成膜室）７５に対する出力端子側交流抵抗ＲＢ75、プラ
ズマチャンバ（第２成膜室）７６に対する出力端子側交
流抵抗ＲＢ76、プラズマチャンバ（第３成膜室）７７に
対する出力端子側交流抵抗ＲＢ77のうち、その最大値Ｒ
Ｂmax と最小値ＲＢmin に対して、 <ＲＢ> ＝ （ＲＢmax −ＲＢmin ）／（ＲＢmax ＋ＲＢmin ） （１４Ｂ） のように複数のプラズマチャンバ７５，７６，７７の出
力端子側交流抵抗ＲＢのばらつき<ＲＢ>として定義し、
この（１４Ｂ）式で表されるばらつきの値を０．５より
小さい範囲の値に設定する。この際、入力端子側交流抵
抗ＲＢのばらつき<ＲＢ>を設定する方法としても、上述
の〜等のような手法を適用することができる。
【００７８】上記構成の処理室７５，７６，７７のいず
れかにおいてアモルファスシリコン膜、シリコン酸化
膜、シリコン窒化膜等の成膜をおこなう際には、サセプ
タ電極８上に被処理基板１６を載置し、高周波電源１か
ら高周波電極４とサセプタ電極８の双方にそれぞれ高周
波電力を印加するとともにガス導入管１７からシャワー
プレート６を介して反応ガスをチャンバ室６０内に供給
してプラズマを発生させ、被処理基板１６上にアモルフ
ァスシリコン膜、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜等を
成膜する。
【００７９】レーザアニール室７８は、図６に示すよう
に、チャンバ８０の上部にレーザ光源８１が設けられる
一方、チャンバ８０内の下部には被処理基板１６を載置
するためのステージ８２が直交するＸ方向、Ｙ方向の２
方向に水平移動可能に設けられている。そして、レーザ
光源８１の出射部８１ａからスポット状のレーザ光８３
（１点鎖線で示す）が出射されると同時に、被処理基板
１６を支持したステージ８２がＸ方向、Ｙ方向に水平移
動することにより、レーザ光８３が被処理基板１６の全
面を走査できるようになっている。レーザ光源８１には
例えばＸｅＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌ、ＸｅＦ等のハロゲ
ンガスを用いたガスレーザを用いることができる。ま
た、レーザアニール室７８の構成は、レーザ光を出射す
るレーザ光源を備え、レーザ光源から出射されるスポッ
ト状のレーザ光が被処理基板の表面をくまなく走査でき
る構成のものであれば、種々の構成の装置を用いること
ができる。この場合、レーザ光源は例えばＸｅＣｌ、Ａ
ｒＦ、ＡｒＣｌ、ＸｅＦ等のハロゲンガスを用いたガス
レーザを用いることができる。膜の種類によってはＹＡ
Ｇレーザ等の他のレーザ光源を用いることもでき、レー
ザ光の照射の形態としては、パルスレーザアニール、連
続発振レーザアニールを用いることができる。また、熱
処理室の構成は、例えば多段式電気炉型の装置を用いる
ことができる。
【００８０】熱処理室７９は、図７に示すように、多段
式電気炉型のものであり、チャンバー８４内に多段に設
けられたヒータ８５の各々に被処理基板１８が載置され
る構成になっている。そして、ヒータ８５の通電により
複数枚の被処理基板１６が加熱されるようになってい
る。なお、熱処理室８９と搬送室７２との間にはゲート
バルブ８６が設けられている。
【００８１】図１に示すローダ室７３、アンローダ室７
４には、ローダカセット、アンローダカセットが着脱可
能に設けられている。これら２つのカセットは、複数枚
の被処理基板１６が収容可能なものであり、ローダカセ
ットに成膜前の被処理基板１６が収容され、アンローダ
カセットには成膜済の被処理基板１６が収容される。そ
して、これら処理室ユニットとローダ室７３、アンロー
ダ室７４の中央に位置する搬送室７２に基板搬送ロボッ
ト（搬送手段）８７が設置されている。基板搬送ロボッ
ト８７はその上部に伸縮自在なリンク機構を有するアー
ム８８を有し、アーム８８は回転可能かつ昇降可能とな
っており、アーム８８の先端部で被処理基板１６を支
持、搬送するようになっている。
【００８２】上記構成のプラズマ処理装置７１は、例え
ば各処理室ユニットにおける成膜条件、アニール条件、
熱処理条件等、種々の処理条件や処理シーケンスをオペ
レータが設定する他は、各部の動作が制御部により制御
されており、自動運転する構成になっている。したがっ
て、このプラズマ処理装置７１を使用する際には、処理
前の被処理基板１６をローダカセットにセットし、オペ
レータがスタートスイッチを操作すれば、基板搬送ロボ
ット８７によりローダカセットから各処理室内に被処理
基板１６が搬送され、各処理室で一連の処理が順次自動
的に行われた後、基板搬送ロボット８７によりアンロー
ダカセットに収容される。
【００８３】本実施形態のプラズマ処理装置７１の個々
のプラズマチャンバ７５，７６，７７においては、分
解、搬送、再組み立て、その後の使用（プラズマ処
理）、あるいは調整作業が施された後においても、交流
抵抗ＲＡ1 ，ＲＢ1 （高周波特性）が、それぞれ、ＲＡ
0 、ＲＡ1 の差ΔＲＡの絶対値がＲＡ0 の０．５倍とさ
れる所定の値より小さい値に維持されるとともに、ＲＢ
0 、ＲＢ1 の差ΔＲＢの絶対値がＲＢ0 の０．５倍とさ
れる所定の値より小さい値に維持されている。そのた
め、ある時刻ｔ0 ，から時刻ｔ1 における時間が経過す
る間に、上記のような電気的高周波的な特性に影響を与
える可能性のある事象があった場合にも、その時間の前
後で、電気的高周波的な特性の差をなくすことが可能と
なり、これにより、交流抵抗ＲＡ，ＲＢ、容量、インピ
ーダンス特性を指標とする一定の管理幅内にそれぞれの
プラズマチャンバ７５，７６，７７の状態を時間的に維
持することが可能となるので、プラズマ空間で消費され
る実効的な電力等をそれぞれ略均一に維持することがで
きる。
【００８４】その結果、上記のような電気的高周波的な
特性に影響を与える可能性のある事象があった場合に
も、その時間の前後で同一のプロセスレシピを適用し
て、略同一のプラズマ処理結果を得ること、つまり、そ
れぞれのプラズマチャンバ７５，７６，７７において例
えばある時間を隔てて成膜をおこなった際に、経過した
時間の前後で、膜厚、絶縁耐圧、エッチングレート等、
略同等な膜特性の膜を得ることが可能となる。具体的に
は、上記の差ΔＲＡの絶対値をＲＡ0 の０．５倍より小
さい値に維持するとともに、差ΔＲＢの絶対値がＲＢ0
の０．５倍より小さい値に維持することにより、時間の
経過にかかわらず、すなわち、分解、搬送、再組み立て
や使用回数、調整作業等の存在にかかわらず、略同一の
条件で積層をおこなったそれぞれのプラズマチャンバ７
５，７６，７７において、膜厚のばらつきの値を±７％
の範囲におさめることができる。そのため、従来考慮さ
れていなかった整合回路２Ａまでも含んだそれぞれのプ
ラズマチャンバ７５，７６，７７の全般的な電気的高周
波的特性を設定することが可能となり、プラズマ発生の
安定性を期待することができる。その結果、動作安定性
が高く、それぞれのプラズマチャンバ７５，７６，７７
で時間的に均一な動作が期待できるプラズマ処理装置を
提供することが可能となる。さらに、複数のプラズマチ
ャンバ７５，７６，７７間においても、同一のプロセス
レシピを適用して、略同一のプラズマ処理結果が得られ
る状態を時間経過的的に維持することが可能となる。こ
れにより、膨大なデータから外部パラメータと実際の基
板を処理するような評価方法による処理結果との相関関
係によるプロセス条件の把握を不必要とすることができ
る。
【００８５】さらに、それぞれのプラズマチャンバ７
５，７６，７７において、各前記整合回路２Ａの入力端
子位置ＰＲ３および出力端子ＰＲから測定したそれぞれ
のプラズマチャンバ７５，７６，７７の高周波特性とし
て入力端子側交流抵抗ＲＡおよび出力端子側交流抵抗Ｒ
Ｂのうち、それぞれの最大値と最小値のばらつきを、上
記（１０Ａ）（１０Ｂ）式に示すように定義し、この値
を０．５より小さい範囲の値に設定することで、複数の
プラズマチャンバ７５，７６，７７に対して電気的高周
波的な特性の機差をなくすことが可能となり、これによ
り、インピーダンス特性を指標とする一定の管理幅内に
複数のプラズマチャンバ７５，７６，７７の状態を設定
することが可能となるので、個々のプラズマチャンバ７
５，７６，７７において、プラズマ空間で消費される実
効的な電力を時間的にそれぞれ略均一にすることができ
る。
【００８６】その結果、複数のプラズマチャンバ７５，
７６，７７に対して同一のプロセスレシピを適用して、
略同一のプラズマ処理結果を得ること、つまり、複数の
プラズマチャンバ７５，７６，７７において例えば成膜
をおこなった際に、膜厚、絶縁耐圧、エッチングレート
等、略均一な膜特性の膜を得ることが可能となる。具体
的には、上記のばらつきの値<ＲＡ><ＲＢ>をそれぞれ
０．５より小さい範囲に設定することにより、略同一の
条件で積層をおこなったプラズマチャンバ７５，７６，
７７において、膜厚のばらつきの値を±７％の範囲にお
さめることができる。したがって、複数のプラズマチャ
ンバ７５，７６，７７において、機差により被処理基体
１６に対する膜面内方向におけるプラズマ処理の均一性
がプラズマチャンバ７５，７６，７７ごとにばらつきを
生じてしまうことを低減することができ、成膜処理にお
いては、機差により膜厚の膜面内方向分布の均一性がプ
ラズマチャンバ７５，７６，７７ごとにばらつきを生じ
てしまうことを低減することが可能となる。
【００８７】同時に、プラズマＣＶＤ、スパッタリング
などの成膜処理においては、成膜状態の向上、すなわ
ち、堆積した膜における絶縁耐圧や、エッチング液に対
する耐エッチング性、そして、いわゆる膜の「固さ」つ
まり膜の緻密さ等の膜特性がプラズマチャンバ７５，７
６，７７ごとにばらつきを生じてしまうことを低減する
ことが可能となる。ここで、膜の緻密さは例えば、ＢＨ
Ｆ液によるエッチングに対する浸食されにくさ、耐エッ
チング性によって表現可能である。そのため、従来考慮
されていなかったプラズマ処理装置７１の全般的な電気
的高周波的特性を設定することが可能となり、プラズマ
発生の安定性を期待することができる。その結果、動作
安定性が高く、各プラズマチャンバ７５，７６，７７で
均一な動作が期待できるプラズマ処理装置７１を提供す
ることが可能となる。これにより、複数のプラズマチャ
ンバ７５，７６，７７に対する膨大なデータから外部パ
ラメータと実際の基板を処理するような評価方法による
処理結果との相関関係によるプロセス条件の把握を不必
要とすることができる。
【００８８】したがって、処理のばらつきをなくし同一
のプロセスレシピにより略同一の処理結果を得るために
必要な調整時間を、被処理基板１６への実際の成膜等に
よる検査方法を採用した場合に比べて、整合回路２Ａに
おける交流抵抗ＲＡ，ＲＢを測定することにより、大幅
に短縮することができる。しかも、処理をおこなった基
板の評価によりプラズマチャンバ７５，７６，７７の動
作確認および、動作の評価をおこなうという２段階の方
法でなく、ダイレクトにプラズマチャンバ７５，７６，
７７の評価を、しかも、プラズマ処理装置７１のプラズ
マチャンバ７５，７６，７７が設置してある場所で短時
間におこなうことが可能である。その上、被処理基板１
６への実際の成膜等による検査方法を採用した場合、別
々に行うしかなかった複数のプラズマチャンバ７５，７
６，７７についても、結果をほぼ同時に得ることができ
る。
【００８９】同時に、新規設置時や調整・保守点検時に
おいて、各プラズマチャンバ７５，７６，７７ごとの機
差をなくして処理のばらつきをなくし同一のプロセスレ
シピにより略同一の処理結果を得るために必要な調整時
間を、被処理基板１６への実際の成膜等による検査方法
を採用した場合に比べて、プラズマチャンバ７５，７
６，７７に電力を直接供給する部分である整合回路２Ａ
における交流抵抗ＲＡ，ＲＢを測定することにより、大
幅に短縮することができる。しかも、本実施形態の検査
方法によれば、処理をおこなった基板の評価によりプラ
ズマ処理装置７１の動作確認および、動作の評価をおこ
なうという２段階の検査方法でなく、ダイレクトにプラ
ズマ処理装置７１の評価をおこなうことが可能で、しか
も、プラズマ処理装置７１の実機が設置してある場所で
短時間におこなうことが可能である。その上、被処理基
板１６への実際の成膜等による検査方法を採用した場
合、別々におこなうしかなかった複数のプラズマチャン
バ７５，７６，７７に対する結果をほぼ同時に実現する
ことができる。このため、製造ラインを数日あるいは数
週間停止してプラズマ処理装置７１の動作確認および、
動作の評価をする必要がなくなり、製造ラインとしての
生産性を向上することができる。また、このような調整
に必要な検査用基板等の費用、この検査用基板の処理費
用、および、調整作業に従事する作業員の人件費等、コ
ストを削減することが可能となる。
【００９０】さらに、本実施形態の各プラズマチャンバ
７５，７６，７７においては、その整合回路２Ａにおけ
る交流抵抗ＲＡ，ＲＢを設定することにより、従来は、
考慮されていなかったプラズマチャンバ７５，７６，７
７の全体的な電気的高周波的な特性をそれぞれ適正な範
囲に収めることができる。これにより、各プラズマチャ
ンバ７５，７６，７７において動作安定性を向上して、
従来一般的に使用されていた１３．５６ＭＨｚ程度以上
の高い周波数の電力を投入した場合であっても、高周波
電源１からの電力を、プラズマ励起電極４とサセプタ電
極８との間のプラズマ発生空間に効率よく導入すること
が可能となる。同時に、同一周波数を供給した場合に、
従来のプラズマ処理装置７１と比べてプラズマ空間で消
費される実効的な電力の上昇を図ることができる。さら
に、プラズマ空間に効率よく電力が供給されることによ
り、プラズマの不要な広がりも抑制でき、被処理基体１
６における膜面内方向におけるプラズマ処理の均一性の
向上を図ることができ、成膜処理においては膜厚の膜面
内方向分布の均一性の向上を図ることが可能となる。同
時に、プラズマ空間で消費される実効的な電力の増加に
より、プラズマＣＶＤ、スパッタリングなどの成膜処理
においては、成膜状態の向上、すなわち、堆積した膜に
おける絶縁耐圧や、エッチング液に対する耐エッチング
性、そして、いわゆる膜の「固さ」つまり膜の緻密さ等
の膜特性の向上を図ることが可能となる。ここで、膜の
緻密さは例えば、ＢＨＦ液によるエッチングに対する浸
食されにくさ、耐エッチング性によって表現可能であ
る。その結果、プラズマ励起周波数の高周波化による処
理速度の向上を図ること、つまり、プラズマＣＶＤ等に
より膜の積層をおこなう際には、堆積速度の向上を図る
ことができる。
【００９１】なお、各プラズマチャンバ７５，７６，７
７において、図８に示すように、それぞれのインピーダ
ンスが一致する複数本の導線１０１ａ〜１０１ｈの一端
をプローブ取付具１０４に接続してなる測定具（フィク
スチャ）を使用してプラズマチャンバ７５，７６，７７
のインピーダンス特性を測定することも可能である。プ
ローブ取付具１０４は、例えば５０ｍｍ×１０ｍｍ×
０．５ｍｍの銅板を、締め付け部１０６とリング部とが
できるように成形されている。リング部はプローブ１０
５の外側にはめ込み可能な径とされる。このプローブ取
付部１０４に導線１０１ａ〜１０１ｈの一端をハンダ付
けなどにより電気的に接続する。導線１０１ａ〜１０１
ｈの他端には、測定対象（プラズマチャンバ７５，７
６，７７）との着脱用の端子（圧着端子）１０２ａ〜１
０２ｈが取り付けられている。このフィクスチャを使用
するに際してはプローブ取付具１０４のリング状部１０
４をプローブ１０５にはめ込み、締め付け部１０６で締
め付けを行う。一方各導線１０１ａ〜１０１ｈは略点対
称となるように圧着端子１０２ａ〜１０２ｈにおいて測
定対象に、図９に示すように、ねじ１１４により着脱自
在にネジ止めする。導体１０１ａ〜１０１ｈは、例えば
アルミニウム、銅、銀、金により構成すればよく、また
は、銀、金を５０μｍ以上メッキして構成してもよい。
【００９２】このような測定具（フィクスチャ）を使用
してインピーダンスを測定する方法を図９を用いて説明
する。まず測定するプラズマチャンバ７５，７６，７７
の入力端子側交流抵抗ＲＡの測定時において、高周波電
源１と給電板３を整合回路２Ａから取り外す。インピー
ダンス測定具のプローブ１０５の導線１１０を入力端子
位置ＰＲ３に接続する。次いでインピーダンス測定具
（フィクスチャ）の導線１０１ａ〜１０１ｈに接続する
圧着端子１０２ａ〜１０２ｈをマッチングボックス２に
入力端子位置ＰＲ３を中心とする略点対称となるように
ネジ１１４によってネジ止めする。インピーダンス測定
具をこのように配置した後、測定信号をインピーダンス
測定具の導線１１０に供給し、プラズマチャンバ７５，
７６，７７の整合回路２Ａにおける経路のインピーダン
スを測定する。これにより、測定対象の大きさ、あるい
は、測定する２点間の距離に制約を与えることなく、か
つ、測定対象に均一に電流を流すことができ、測定対象
のインピーダンスを測定するのに影響を及ぼさない残留
インピーダンス値を設定し、より正確にインピーダンス
測定をおこなうことができる。整合回路２Ａの前記出力
端子側交流抵抗ＲＢを測定する際には、同様にして、イ
ンピーダンス測定具のプローブ１０５の導線１１０を出
力端子位置ＰＲに接続する。次いでインピーダンス測定
具（フィクスチャ）の導線１０１ａ〜１０１ｈに接続す
る圧着端子１０２ａ〜１０２ｈをマッチングボックス２
に出力端子位置ＰＲを中心とする略点対称となるように
ネジ１１４によってネジ止めする。
【００９３】なお、本実施形態においては、複数のプラ
ズマチャンバ７５，７６，７７を有するタイプとした
が、単一のプラズマチャンバ７５をを有する構成とする
こともできる。また、プラズマチャンバ７５，７６，７
７において、サセプタ電極側８に基板１６を載置してプ
ラズマ励起電極４に対する整合回路２Ａの入力端子側交
流抵抗ＲＡおよび出力端子側交流抵抗ＲＢを設定した
が、ＲＩＥ（reactive ionetching）反応性スパッタエ
ッチングに対応するようにカソード電極４側に基板１６
を取り付けるよう対応することも可能である。
【００９４】以下、本発明に係るプラズマ処理装置の第
２実施形態を、図面に基づいて説明する。 ［第２実施形態］図１０は本実施形態のプラズマ処理装
置９１の概略構成を示す模式断面図である。本実施形態
のプラズマ処理装置９１は、図１０に示すように、略四
角形の搬送室９２の周囲にロードロック室９３と熱処理
室９９と処理室９４，９５とが設けられた構成とされて
いる。この装置は基板移載用の搬送ロボットが設置され
ている搬送室９２を中央にして、各室の間が、ゲートｇ
１，ｇ２，ｇ３，ｇ４で区切られている。搬送室（待機
室）９２と加熱室９９とその他の処理室ユニット９４，
９５はそれぞれ個別の高真空ポンプによって高真空度に
排気されている。ロードロック室９１は低真空ポンプに
よって低真空度に排気されている。
【００９５】本実施形態のプラズマ処理装置９１におい
ては、その構成要素が図１〜図７に示した第１実施形態
のプラズマ処理装置７１に対応しており、それぞれ、搬
送室７２に搬送室９２が、熱処理室７９に熱処理室９９
が、ロードロック室９３がローダ室７３およびアンロー
ダ室７４に対応しており、略同一の構成の部分に関して
は説明を省略する。
【００９６】プラズマ処理室ユニット（プラズマチャン
バ）９５，９６は、図１〜図５に示した第１実施形態の
プラズマ処理室ユニット（プラズマチャンバ）７５，７
６に対応して、それぞれ異なる種類の膜を成膜するよう
な異なる処理をおこなうことも可能であり、また、同一
のプロセスレシピにより同一の処理をおこなうこともで
きるものであるが、略同一の構成とされている。そし
て、これらの複数のプラズマ処理室ユニット（プラズマ
チャンバ）９５，９６は、図１０に示すように、後述す
るスイッチＳＷ２等を介してインピーダンス測定器（高
周波特性測定器）ＡＮに接続されている。ここではプラ
ズマ処理室ユニット９５を例に挙げてその構成を説明す
る。
【００９７】図１１は本実施形態のプラズマ処理室ユニ
ット（プラズマチャンバ）の概略構成を示す断面図、図
１２は図１１の整合回路のを示す断面図、図１３は図１
２の整合回路における寄生抵抗を説明するための模式回
路図である。
【００９８】本実施形態のプラズマ処理室ユニット（プ
ラズマチャンバ）９５は、２周波数励起タイプのプラズ
マ処理室とされ、図２〜図５に示した第１実施形態のプ
ラズマ処理室７５と異なるのはサセプタ電極８側に電力
を供給する点と、整合回路２Ａの受動素子の構成およ
び、交流抵抗ＲＡ，ＲＢの設定に関する点である。それ
以外の対応する構成要素には同一の符号を付してその説
明を省略する。本実施形態のプラズマチャンバ９５，９
６は、整合回路２Ａにおいて、その入力端子側から測定
した交流抵抗ＲＡ0 と出力端子側から測定した交流抵抗
ＲＢ0とが、分解搬送後、納入先において再組み立てし
た後においても、さらに、その後の使用期間の時刻ｔ1
においても、その時の交流抵抗ＲＡ1 ，ＲＢ1 （高周波
特性）が、それぞれ、ＲＡ0 、ＲＡ1 の差ΔＲＡの絶対
値がＲＡ0 の０．５倍とされる所定の値より小さい値に
維持されるとともに、ＲＢ0 、ＲＢ1 の差ΔＲＢの絶対
値がＲＢ0 の０．４倍とされる所定の値より小さい値に
維持されている。そして、入力端子側交流抵抗ＲＡ0 の
最大値ＲＡ0maxと最小値ＲＡ0minとのばらつきを前述の
式（１４Ａ）として定義するとともに、出力端子側交流
抵抗ＲＢ0の最大値ＲＢ0max と最小値ＲＢ0min とのば
らつきを前述の式（１４Ｂ）として定義し、これらの値
が所定の範囲の値に設定されて設計、製造されている。
【００９９】本実施形態のプラズマチャンバ９５は、図
１１，図１２に示すように、サセプタ電極８の周囲にサ
セプタシールド１２が設けられ、ウエハサセプタ８およ
びサセプタシールド１２は、これらの隙間がシャフト１
３の周囲の設けられた電気絶縁物からなる絶縁手段１２
Ｃによって真空絶縁されるとともに電気的にも絶縁され
ている。また、ウエハサセプタ８およびサセプタシール
ド１２は、ベローズ１１により上下動可能に構成されて
いる。この構成により、プラズマ励起電極４とサセプタ
電極８との間の距離が調整可能となっている。また、サ
セプタ電極８は、シャフト１３下端に接続された給電板
２８、および、導電体からなるサセプタ電極側マッチン
グボックス２６内部に収納された整合回路２５を介して
第２の高周波電源２７と接続されている。これら給電板
２８は、サセプタシールド１２の支持筒１２Ｂ下端に接
続されたシャーシ２９に覆われるとともに、シャーシ２
９は、同軸ケーブルとされる給電線２７Ａのシールド線
によって接続されマッチングボックス２６とともにアー
スされている。これにより、サセプタシールド１２，シ
ャーシ２９，マッチングボックス２９は直流的に同電位
となっている。
【０１００】ここで、整合回路２５は、第２の高周波電
源２７とサセプタ電極８との間のインピーダンスの整合
を図るものとされ、この整合回路２５としては、図１
１，図１２に示すように、複数の受動素子として、第２
の高周波電源２７と給電板２８との間に、チューニング
コイル３０とチューニングコンデンサ３１とが直列に設
けられ、これらと並列にロードコンデンサ３２が接続さ
れ、このロードコンデンサ３２の一端はマッチングボッ
クス２６に接続されており、整合回路２Ａと略同様の構
成とされている。マッチングボックス２６は給電線２７
Ａのシールド線を介して接地電位に設定されており、同
時に、ロードコンデンサ３２の一端がアースされてい
る。なお、チューニングコイル３０と直列にチューニン
グコイルを接続することや、ロードコンデンサ３２と並
列にロードコンデンサを設けることも可能である。給電
板２８としては給電板３と同様なものが適用され、この
給電板２８は整合回路２５からの端子およびシャフト１
３にそれぞれネジ止めされている。
【０１０１】整合回路２Ａは、図１１，図１２，図１３
に示すように、高周波電源１と給電板３との間に設けら
れ、複数の受動素子として、インダクタンスコイル２３
と、エアバリコンからなるチューニングコンデンサ２４
と、真空バリコンからなるロードコンデンサ２２と、こ
れらの受動素子を接続するための銅板とされる導体Ｒ
１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４、および、同軸ケーブルＫ１とを
有する構成とされている。これらのうち、導体Ｒ１，同
軸ケーブルＫ１，導体Ｒ３，インダクタンスコイル２
３，導体Ｒ４，チューニングコンデンサ２４は、整合回
路２Ａの入力端子側から出力端子側へ直列に接続される
とともに、導体Ｒ３，インダクタンスコイル２３の間の
分岐点Ｂ１からこれらと並列にロードコンデンサ２２が
接続されている。このロードコンデンサ２２の一端は、
接続点ＢＰ１において導体Ｒ２を介してマッチングボッ
クス２（接地電位部分）に接続されており、また、同軸
ケーブルＫ１のシールド線は分岐点Ｂ２から接続点ＢＰ
２においてマッチングボックス２（接地電位部分）に接
続されている。ここで、チューニングコンデンサ２４は
整合回路２Ａの受動素子のうち最終端とされ、このチュ
ーニングコンデンサ２４の出力端子は整合回路２Ａの出
力端子とされており、チューニングコンデンサ２４は給
電板３を介してプラズマ励起電極４に接続されている。
【０１０２】本実施形態のプラズマチャンバ９５におい
ては、サセプタ電極８上に被処理基板１６を載置し、第
１、第２の高周波電源１，２７からプラズマ励起電極４
とサセプタ電極８の双方にそれぞれ高周波電力を印加す
るとともにガス導入管１７からシャワープレート６を介
して反応ガスをチャンバ室６０内に供給してプラズマを
発生させ、被処理基板１６に対して成膜等のプラズマ処
理をおこなう。このとき、第１の高周波電源１から１
３．５６ＭＨｚ程度以上の周波数の電力、具体的には、
例えば１３．５６ＭＨｚ，２７．１２ＭＨｚ，４０．６
８ＭＨｚ等の周波数の電力を投入する。そして、第２の
高周波電源２７からも第１の高周波電源１からと同等
か、異なる周波数の電力、例えば１．６ＭＨｚ程度の電
力を投入することもできる。
【０１０３】ここで、本実施形態のプラズマチャンバ９
５における高周波特性としての整合回路２Ａの交流抵抗
ＲＡ，ＲＢは、第１実施形態と同様にして測定・定義す
る。本実施形態の交流抵抗ＲＡ，ＲＢは、具体的には図
１１〜図１４に示すように測定・定義される。
【０１０４】本実施形態の整合回路２Ａにおける測定範
囲としては、第１実施形態と同様に整合回路２Ａの受動
素子のうち入力最初段の受動素子の入力端子位置ＰＲ３
および、受動素子のうち出力最終段の受動素子の出力端
子位置ＰＲで切り離した状態をその対象とする。つま
り、図１２，図１３，図１４に示すように、整合回路２
Ａに接続される給電線１Ａを切り離すとともに、給電板
３に接続されるチューニングコンデンサ２４の出力端子
位置ＰＲで、給電板３と整合回路２Ａの端子との接合部
つまりネジ止めを外して切り離した状態の整合回路２Ａ
を測定範囲とする。
【０１０５】この測定範囲のうち入力端子側交流抵抗Ｒ
Ａを測定するには、先ず、図１３に示すように、接続点
ＢＰ２をマッチングボックス２から切り離すとともに、
第１実施形態と同様に図１３に破線で示すように、イン
ピーダンス測定器（高周波特性測定器）ＡＮのプローブ
１０５を、入力端子位置ＰＲ３およびマッチングボック
ス２のアース位置（接地電位部分）に接続する。この状
態で、インピーダンス測定器ＡＮの発振する測定周波数
を例えば電力周波数ｆe と等しい４０．６８ＭＨｚ程度
に設定して、整合回路２Ａの上記測定範囲に対するイン
ピーダンスのベクトル量（Ｚ，θ）を測定し、インピー
ダンスの復素表現における実部を算出して、これを入力
端子側交流抵抗ＲＡ（ＢＰ１）として定義する。
【０１０６】このとき、整合回路２Ａの入力端子側交流
抵抗ＲＡの測定時に考慮されている電気的高周波的要因
としては、図１３にＩRAで示すように、入力端子とされ
る測定位置ＰＲ３から、分岐点Ｂ１を経て、接地電位部
分であるマッチングボックス２への接続点ＢＰ１まで、
つまり、以下のものが考えられる。 導体Ｒ１における寄生抵抗ＲR1 導体Ｒ１におけるインダクタンスＬR1 同軸ケーブルＫ１における寄生抵抗ＲK1 同軸ケーブルＫ１におけるインダクタンスＬK1 導体Ｒ３における寄生抵抗ＲR3 導体Ｒ３におけるインダクタンスＬR3 ロードコンデンサ２２の容量ＣL 導体Ｒ２における寄生抵抗ＲR2 導体Ｒ２におけるインダクタンスＬR1
【０１０７】これらの電気的高周波的要因のうち、整合
回路２Ａの前記入力端子側交流抵抗ＲＡ（ＢＰ１）とし
ては、図１３に示すように、導体Ｒ１における寄生抵抗
ＲR1、同軸ケーブルＫ１における寄生抵抗ＲK1、導体Ｒ
３における寄生抵抗ＲR3、導体Ｒ２における寄生抵抗Ｒ
R2、を測定することになる。ここで、入力端子側交流抵
抗ＲＡ（ＢＰ１）の測定時において、寄生抵抗Ｒ１は、
分岐点Ｂ２までの同軸ケーブルＫ１の抵抗値を含み、お
よび、寄生抵抗Ｒ３は、分岐点Ｂ１からロードコンデン
サ２２までの抵抗値を含み、これらによって、上記のＩ
RAの回路における図示しない寄生抵抗をも含んでいるも
のとする。
【０１０８】次に、入力端子側交流抵抗ＲＡ（ＢＰ２）
として、図１４に示すように、接続点ＢＰ１をマッチン
グボックス２から切り離すとともに接続点ＢＰ２をマッ
チングボックス２に接続する。この状態で、同様にイン
ピーダンス測定器（高周波特性測定器）ＡＮのプローブ
１０５を、出力端子位置ＰＲおよびマッチングボックス
２のアース位置（接地電位部分）に接続するとともに、
インピーダンス測定器ＡＮの発振する測定周波数を例え
ば電力周波数ｆe と等しい４０．６８ＭＨｚ程度に設定
して、整合回路２Ａの上記測定範囲に対するインピーダ
ンスのベクトル量（Ｚ，θ）を測定し、インピーダンス
の復素表現における実部を算出して、これを入力端子側
交流抵抗ＲＡ（ＢＰ２）として定義する。
【０１０９】このとき、整合回路２Ａの入力端子側交流
抵抗ＲＡ（ＢＰ２）の測定時に考慮されている電気的高
周波的要因としては、図１４にＩRAで示すように、入力
端子とされる測定位置ＰＲ３から、分岐点Ｂ１を経て、
接地電位部分であるマッチングボックス２への接続点Ｂ
Ｐ２まで、つまり、以下のものが考えられる。 導体Ｒ１における寄生抵抗ＲR1 導体Ｒ１におけるインダクタンスＬR1 同軸ケーブルＫ１における寄生抵抗ＲK1 同軸ケーブルＫ１におけるインダクタンスＬK1 同軸ケーブルＫ１における容量ＣK1 ここで、同軸ケーブルＫ１における容量ＣK1とは、シー
ルド線との間に発生する容量を意味するものである。
【０１１０】これらの電気的高周波的要因のうち、整合
回路２Ａの前記入力端子側交流抵抗ＲＡ（ＢＰ２）とし
ては、図１４に示すように、導体Ｒ１における寄生抵抗
ＲR1、同軸ケーブルＫ１における寄生抵抗ＲK1、を測定
することになる。ここで、入力端子側交流抵抗ＲＡ（Ｂ
Ｐ２）の測定時において、図１４に示すように、同軸ケ
ーブルＫ１における寄生抵抗ＲK1は分岐点Ｂ２よりも測
定位置ＰＲ側に位置しているが、これは模式図であり、
実際には入力端子側交流抵抗ＲＡ（ＢＰ２）の測定時に
おいて、同軸ケーブルＫ１の抵抗値および、接続点ＢＰ
２側の抵抗値を含み、上記のＩRAの回路における図示し
ない寄生抵抗をも含んでいるものとする。
【０１１１】同様にして、整合回路２Ａの前記出力端子
側交流抵抗ＲＢを測定するには、先ず、図１３に示すよ
うに、接続点ＢＰ２をマッチングボックス２から切り離
すとともに、インピーダンス測定器（高周波特性測定
器）ＡＮのプローブ１０５を、第１実施形態と同様にし
て、入力端子位置ＰＲ３およびマッチングボックス２の
アース位置（接地電位部分）に接続する。この状態で、
インピーダンス測定器ＡＮの発振する測定周波数を例え
ば電力周波数ｆe と等しい４０．６８ＭＨｚ程度に設定
して、整合回路２Ａの上記測定範囲に対するインピーダ
ンスのベクトル量（Ｚ，θ）を測定し、インピーダンス
の復素表現における実部を算出して、これを入力端子側
交流抵抗ＲＢ（ＢＰ１）として定義する。
【０１１２】このとき、整合回路２Ａの出力端子側交流
抵抗ＲＢ（ＢＰ１）の測定時に考慮されている電気的高
周波的要因としては、図１３にＩRBで示すように、出力
端子とされる測定位置ＰＲから、分岐点Ｂ１を経て、接
地電位部分であるマッチングボックス２への接続点ＢＰ
１まで、つまり、以下のものが考えられる。 チューニングコンデンサ２４の容量ＣT 導体Ｒ４における寄生抵抗ＲR4 導体Ｒ４におけるインダクタンスＬR4 インダクタンスコイル２３における寄生抵抗ＲLT インダクタンスコイル２３におけるインダクタンスＬT ロードコンデンサ２２の容量ＣL 導体Ｒ２における寄生抵抗ＲR2 導体Ｒ２におけるインダクタンスＬR1
【０１１３】これらの電気的高周波的要因のうち、整合
回路２Ａの前記出力端子側交流抵抗ＲＢ（ＢＰ１）とし
ては、図１３に示すように、導体Ｒ４における寄生抵抗
ＲR4、インダクタンスコイル２３における寄生抵抗
ＲLT、導体Ｒ２における寄生抵抗ＲR2、を測定すること
になる。ここで、寄生抵抗ＲＲLTは、出力端子側交流抵
抗ＲＢの測定時において、分岐点Ｂ１からロードコンデ
ンサ２２までの抵抗値等、上記のＩRBの回路における図
示しない寄生抵抗をも含んでいるものとする。
【０１１４】次に、出力端子側交流抵抗ＲＢ（ＢＰ２）
として、図１４に示すように、接続点ＢＰ１をマッチン
グボックス２から切り離すとともに接続点ＢＰ２をマッ
チングボックス２に接続する。この状態で、同様にイン
ピーダンス測定器（高周波特性測定器）ＡＮのプローブ
１０５を、出力端子位置ＰＲおよびマッチングボックス
２のアース位置（接地電位部分）に接続するとともに、
インピーダンス測定器ＡＮの発振する測定周波数を例え
ば電力周波数ｆe と等しい４０．６８ＭＨｚ程度に設定
して、整合回路２Ａの上記測定範囲に対するインピーダ
ンスのベクトル量（Ｚ，θ）を測定し、インピーダンス
の復素表現における実部を算出して、これを出力端子側
交流抵抗ＲＢ（ＢＰ２）として定義する。
【０１１５】このとき、整合回路２Ａの出力端子側交流
抵抗ＲＢ（ＢＰ２）の測定時に考慮されている電気的高
周波的要因としては、図１４にＩRBで示すように、出力
端子とされる測定位置ＰＲから、分岐点Ｂ２を経て、接
地電位部分であるマッチングボックス２への接続点ＢＰ
２まで、つまり、以下のものが考えられる。 チューニングコンデンサ２４の容量ＣT 導体Ｒ４における寄生抵抗ＲR4 導体Ｒ４におけるインダクタンスＬR4 インダクタンスコイル２３における寄生抵抗ＲLT インダクタンスコイル２３におけるインダクタンスＬT 導体Ｒ３における寄生抵抗ＲR3 導体Ｒ３におけるインダクタンスＬR3 同軸ケーブルＫ１における寄生抵抗ＲK1 同軸ケーブルＫ１におけるインダクタンスＬK1 同軸ケーブルＫ１における容量ＣK1
【０１１６】これらの電気的高周波的要因のうち、整合
回路２Ａの前記出力端子側交流抵抗ＲＢ（ＢＰ２）とし
ては、図１４に示すように、導体Ｒ４における寄生抵抗
ＲR4、インダクタンスコイル２３における寄生抵抗
ＲLT、導体Ｒ３における寄生抵抗ＲR3、同軸ケーブルＫ
１における寄生抵抗ＲK1、を測定することになる。
【０１１７】本実施形態のプラズマチャンバ７５の整合
回路２Ａにおいては、このように測定された高周波特性
としての入力端子側交流抵抗ＲＡおよび出力端子側交流
抵抗ＲＢが、プラズマチャンバ７５の作動状態に適した
所定の範囲の値になるように設定する。具体的には、そ
れぞれの入力端子側交流抵抗ＲＡ（ＢＰ１），入力端子
側交流抵抗ＲＡ（ＢＰ２），出力端子側交流抵抗ＲＢ
（ＢＰ１），および出力端子側交流抵抗ＲＢ（ＢＰ２）
を、各々後述する所定の範囲の値になるように設定す
る。ここで、交流抵抗ＲＡ，ＲＢを設定する方法として
は、例えば、 銅板（導体Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４）の形状（長さ，
幅）を調整する。 銅板（導体Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４）の組み立て状態
（取り付け状態）を調整する。 同軸ケーブルＫ１の形状（長さ，幅）を調整する。 銅板（導体Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４）に銀をメッキす
る。 等の手法を適用することができる。
【０１１８】そして、本実施形態のプラズマ処理装置９
１においては、プラズマチャンバ９６は、プラズマチャ
ンバ９５と略同等の構造とされている。そして、このプ
ラズマチャンバ９６に対しても、高周波特性としての交
流抵抗ＲＡ，ＲＢ、具体的には、交流抵抗ＲＡ（ＢＰ
１），ＲＡ（ＢＰ２），ＲＢ（ＢＰ１），ＲＢ（ＢＰ
２）をそれぞれプラズマチャンバ９５と同様にして設定
する。ここで、これらプラズマチャンバ９５，９６にお
いて、いずれも、電力周波数ｆe を４０．６８ＭＨｚに
設定して、交流抵抗ＲＡ，ＲＢを測定する。ところが、
この交流抵抗ＲＡ，ＲＢは、機械的な構造をその多くの
要因としてきまる電気的高周波的な特性であり、各実機
ごとにそれぞれ異なっていると考えられる。
【０１１９】入力端子側交流抵抗ＲＡとしては、まず、
計測したプラズマチャンバ９５に対する入力端子側交流
抵抗ＲＡ（ＢＰ１）95、プラズマチャンバ９６に対する
入力端子側交流抵抗ＲＡ（ＢＰ１）96のうち、その最大
値ＲＡ（ＢＰ１）max と最小値ＲＡ（ＢＰ１）min に対
して、
【数１】 この式（１４Ａ’）のように複数のプラズマチャンバ９
５，９６の入力端子側交流抵抗ＲＡ（ＢＰ１）のばらつ
き<ＲＡ（ＢＰ１）>として定義する。
【０１２０】同様にして、計測したプラズマチャンバ９
５に対する入力端子側交流抵抗ＲＡ（ＢＰ２）95、プラ
ズマチャンバ９６に対する入力端子側交流抵抗ＲＡ（Ｂ
Ｐ２）96のうち、その最大値ＲＡ（ＢＰ２）max と最小
値ＲＡ（ＢＰ２）min に対して、
【数２】 この式（１４Ａ”）のように複数のプラズマチャンバ９
５，９６の入力端子側交流抵抗ＲＡ（ＢＰ２）のばらつ
き<ＲＡ（ＢＰ２）>として定義する。
【０１２１】そして、これら入力端子側交流抵抗ＲＡ
（ＢＰ１）のばらつき<ＲＡ（ＢＰ１）>および入力端子
側交流抵抗ＲＡ（ＢＰ２）のばらつき<ＲＡ（ＢＰ２）>
のうち、その値の大きいものを入力端子側交流抵抗ＲＡ
のばらつき<ＲＡ>とし、この（１４Ａ’）（１４Ａ”）
式で表されるばらつきの値を０．４より小さい範囲の値
に設定する。つまり、接続点ＢＰ１，ＢＰ２に対応する
入力端子側交流抵抗ＲＡのばらつきの値<ＲＡ（ＢＰ
１）>および<ＲＡ（ＢＰ２）>をすべて、０．４とされ
る所定の範囲の値となるように設定する。この際、入力
端子側交流抵抗ＲＡのばらつき<ＲＡ>を設定する方法と
しては、上述の〜等のような手法を適用することが
できる。
【０１２２】同時に、出力端子側交流抵抗ＲＢとして
は、計測したプラズマチャンバ９５に対する出力端子側
交流抵抗（ＢＰ１）ＲＢ95、プラズマチャンバ９６に対
する出力端子側交流抵抗ＲＢ（ＢＰ１）96のうち、その
最大値ＲＢ（ＢＰ１）max と最小値ＲＢ（ＢＰ１）min
に対して、
【数３】 式（１４Ｂ’）のように複数のプラズマチャンバ９５，
９６の出力端子側交流抵抗ＲＢ（ＢＰ１）のばらつき<
ＲＢ（ＢＰ１）>として定義する。
【０１２３】同様にして、計測したプラズマチャンバ９
５に対する出力端子側交流抵抗ＲＢ（ＢＰ２）95、プラ
ズマチャンバ９６に対する出力端子側交流抵抗ＲＢ（Ｂ
Ｐ２）96のうち、その最大値ＲＢ（ＢＰ２）max と最小
値ＲＢ（ＢＰ２）min に対して、
【数４】 この式（１４Ｂ”）のように複数のプラズマチャンバ９
５，９６の入力端子側交流抵抗ＲＡ（ＢＰ２）のばらつ
き<ＲＡ（ＢＰ２）>として定義する。
【０１２４】そして、これら出力端子側交流抵抗ＲＢ
（ＢＰ１）のばらつき<ＲＢ（ＢＰ１）>および出力端子
側交流抵抗ＲＢ（ＢＰ２）のばらつき<ＲＢ（ＢＰ２）>
のうち、その値の大きいものを出力端子側交流抵抗ＲＢ
のばらつき<ＲＢ>とし、この（１４Ｂ’）（１４Ｂ”）
式で表されるばらつきの値を０．４より小さい範囲の値
に設定する。つまり、接続点ＢＰ１，ＢＰ２に対応する
入力端子側交流抵抗ＲＢのばらつきの値<ＲＢ（ＢＰ
１）>および<ＲＢ（ＢＰ２）>をすべて、０．４とされ
る所定の範囲の値となるように設定する。この際、出力
端子側交流抵抗ＲＢのばらつき<ＲＢ>を設定する方法と
しては、上述の〜等のような手法を適用することが
できる。
【０１２５】本実施形態のプラズマチャンバ９５，９６
の整合回路２Ａにおいては、上記のように（このときを
時刻ｔ0 とする）測定された高周波特性としての入力端
子側交流抵抗ＲＡ（ＢＰ１），ＲＡ（ＢＰ２）および出
力端子側交流抵抗ＲＢ（ＢＰ１），ＲＢ（ＢＰ２）が、
時間的にプラズマチャンバ９５，９６の作動状態に適し
た所定の範囲の値になるように設定する。つまり、プラ
ズマチャンバ９５，９６が分解搬送後、納入先において
再組み立てした後においても、さらに、その後それが使
用され被処理物のプラズマ処理が行われても、さらに
は、分解掃除、部品交換、組み立て調整等の調整作業が
施されても、その時点（時刻ｔ1 ）において、その時の
入力端子側交流抵抗ＲＡ（ＢＰ１）1 ，ＲＡ（ＢＰ２）
1 ，出力端子側交流抵抗ＲＢ（ＢＰ１）1 ，ＲＢ（ＢＰ
２）1 が、それぞれ、ＲＡ（ＢＰ１）0 、ＲＡ（ＢＰ
１）1 の差ΔＲＡ（ＢＰ１）の絶対値がＲＡ（ＢＰ１）
0 の０．４倍とされる所定の値より小さい値に維持さ
れ、ＲＡ（ＢＰ２）0 、ＲＡ（ＢＰ２）1 の差ΔＲＡ
（ＢＰ２）の絶対値がＲＡ（ＢＰ２）0 の０．４倍とさ
れる所定の値より小さい値に維持されるとともに、ＲＢ
（ＢＰ１）0 、ＲＢ（ＢＰ１）1 の差ΔＲＢ（ＢＰ１）
の絶対値がＲＢ（ＢＰ１）0 の０．４倍とされる所定の
値より小さい値に維持され、ＲＢ（ＢＰ２）0 、ＲＢ
（ＢＰ２）1 の差ΔＲＢ（ＢＰ２）の絶対値がＲＢ（Ｂ
Ｐ２）0 の０．４倍とされる所定の値より小さい値に維
持されている。そのために、もし、少なくともΔＲＡ
（ＢＰ１），ΔＲＡ（ＢＰ２），ΔＲＢ（ＢＰ１），Δ
ＲＢ（ＢＰ２）の少なくとも一つが上記の所定の値以上
となった場合は是正作業が行われる。ここで、交流抵抗
ＲＡ（ＢＰ１），ＲＡ（ＢＰ２），ＲＢ（ＢＰ１），Ｒ
Ｂ（ＢＰ２）を設定する方法としては、例えば、上述の
〜等のような手法を適用することができる。
【０１２６】上記構成のプラズマ処理装置９１は、ゲー
トｇ０を開放して被処理基板１６をロードロック室９３
に搬入し、ゲートｇ０を閉塞してロードロック室９３を
低真空ポンプによって排気する。ゲートｇ１，ｇ２を開
放してロードロック室９３に搬入された基板１６を、搬
送室９２の搬送ロボットの移載アームによって熱処理室
９９に移動し、ゲートｇ１，ｇ２を閉塞して搬送室９２
と熱処理室９９を高真空ポンプによって排気する。つい
で基板１６を加熱処理し、終了後、ゲートｇ２，ｇ４を
開放して熱処理された基板１６を、搬送室９２の搬送ロ
ボットの移載アームによってプラズマチャンバ９５に移
動する。プラズマチャンバ９５の基板１６を反応処理
し、終了後ゲートｇ４，ｇ３を開放して処理された基板
１６を、搬送室９２の搬送ロボットの移載アームによっ
てプラズマチャンバ９６に移動する。プラズマチャンバ
９６の基板１６を反応処理し、終了後ゲートｇ３，ｇ１
を開放して基板１６を、搬送室９２の搬送ロボットの移
載アームによってロードロック室９３に移動する。
【０１２７】このとき、例えば各処理室における成膜条
件等の処理条件や処理シーケンスをオペレータが設定す
る他は、各部の動作が制御部により制御されており、自
動運転する構成になっている。したがって、このプラズ
マ処理装置９１を使用する際には、処理前の被処理基板
１６をロードロック室９３のローダカセットにセット
し、オペレータがスタートスイッチを操作すれば、基板
搬送ロボットによりローダカセットから各処理室内に被
処理基板１６が搬送され、各処理室で一連の処理が順次
自動的に行われた後、基板搬送ロボットによりアンロー
ダカセット（ローダカセット）に収容される。
【０１２８】上記構成のプラズマチャンバ９５，９６に
おいては、第１実施形態と同様に、サセプタ電極８上に
被処理基板１６を載置し、高周波電源１から高周波電極
４とサセプタ電極８の双方にそれぞれ高周波電力を印加
するとともにガス導入管１７からシャワープレート６を
介して反応ガスをチャンバ室６０内に供給してプラズマ
を発生させ、被処理基板１６上にアモルファスシリコン
膜、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜等を成膜する。
【０１２９】本実施形態のプラズマ処理装置９１におい
ては、第１実施形態と同等の効果を奏するとともに、各
プラズマチャンバ９５，９６の整合回路２Ａにおいて、
分解、搬送、再組み立て、その後の使用（プラズマ処
理）、あるいは調整作業が施された後でも、交流抵抗Ｒ
Ａ（ＢＰ１），ＲＡ（ＢＰ２），ＲＢ（ＢＰ１），ＲＢ
（ＢＰ２）がいずれも、ΔＲＡ（ＢＰ１），ΔＲＡ（Ｂ
Ｐ２），ΔＲＢ（ＢＰ１），ΔＲＢ（ＢＰ２）の絶対値
が、それぞれＲＡ（ＢＰ１）0 ，ＲＡ（ＢＰ２） 0 ，Ｒ
Ｂ（ＢＰ１）0 ，ＲＢ（ＢＰ２）0 の０．４倍とされる
所定の値より小さい値に維持されている。そのため、あ
る時間が経過する間に、上記のような電気的高周波的な
特性に影響を与える可能性のある事象があった場合に
も、その時間の前後で、電気的高周波的な特性の差をな
くすことが可能となり、さらに、時刻ｔ0 において複数
のプラズマチャンバ９５，９６におけるそれぞれの電気
的高周波的な機差をなくすように設定していることによ
り、交流抵抗、容量、インピーダンス等の高周波数特性
を指標とする一定の管理幅内に本装置のプラズマチャン
バ９５，９６の状態を維持することが可能となるので、
プラズマ空間で消費される実効的な電力等をそれぞれ時
間的に略均一になるように維持することができる。具体
的には、時間の経過にかかわらず、すなわち、分解、搬
送、再組み立てや使用回数、調整作業等の存在にかかわ
らず、略同一の条件で積層をおこなったそれぞれのプラ
ズマチャンバ９５，９６において、膜厚のばらつきの値
を±３％の範囲におさめることができる。
【０１３０】さらに、本実施形態のプラズマ処理装置９
１においては、各プラズマチャンバ９５，９６の整合回
路２Ａにおける入力端子側交流抵抗ＲＡ，出力端子側交
流抵抗ＲＢのばらつきが、それぞれ０．４より小さい範
囲の値に設定されてなることで、複数のプラズマチャン
バ９５，９６に対して電気的高周波的な特性の機差をな
くすことが可能となり、これにより、インピーダンス特
性を指標とする一定の管理幅内に複数のプラズマチャン
バ９５，９６の状態を時間的に設定しておくことが可能
となるので、個々のプラズマチャンバ９５，９６におい
て、プラズマ空間で消費される実効的な電力を時間的に
それぞれ略均一にすることができる。その結果、複数の
プラズマチャンバ９５，９６に対して同一のプロセスレ
シピを適用して、時間的に略同一のプラズマ処理結果を
得ること、つまり、複数のプラズマチャンバにおいて例
えば複数回の成膜をおこなった際に、膜厚、絶縁耐圧、
エッチングレート等、略均一な膜特性の膜を毎回得るこ
とが可能となる。具体的には、上記のばらつきの値を
０．４より小さい範囲に設定することにより、略同一の
条件で積層をおこなったプラズマチャンバにおいて、膜
厚のばらつきの値を±３％の範囲におさめることができ
る。
【０１３１】本実施形態のように、複数の接続点ＢＰ
１，ＢＰ２がある場合には、これらの接続点ＢＰ１，Ｂ
Ｐ２のうち１箇所の接続点ＢＰ１のみをマッチングボッ
クス（接地電位部分）２に接続するよう他の接続点ＢＰ
２を切断した状態として入力端子側交流抵抗ＲＡ（ＢＰ
１）および出力端子側交流抵抗ＲＢ（ＢＰ１）を測定
し、かつ、接続する点を切り替えて、接続点ＢＰ２のみ
をマッチングボックス（接地電位部分）２に接続するよ
う他の接続点ＢＰ１を切断した状態として入力端子側交
流抵抗ＲＡ（ＢＰ２）および出力端子側交流抵抗ＲＢ
（ＢＰ２）を測定することにより、各接続点ＢＰ１，Ｂ
Ｐ２ごとに接続状態を設定して測定範囲を設定し、この
測定範囲ごとに異なる状態とされる整合回路２Ａの受動
素子に対して測定したそれぞれの交流抵抗ＲＡ（ＢＰ
１），ＲＡ（ＢＰ２），ＲＢ（ＢＰ１），ＲＢ（ＢＰ
２）を、各プラズマチャンバ９５，９６に対して式（１
４Ａ’）（１４Ａ”）（１４Ｂ’）（１４Ｂ”）に示す
ようなばらつきの値を定義して、各測定範囲毎の交流抵
抗のばらつきの値<ＲＡ><ＲＢ>を設定することで、個々
のプラズマチャンバ９５，９６において、プラズマ空間
で消費される実効的な電力をそれぞれ略均一にすること
ができる。
【０１３２】さらに、本実施形態のプラズマ処理装置９
１およびその検査方法においては、複数のプラズマチャ
ンバ９５，９６の前記整合回路２Ａにおいて、時刻ｔ0
および時刻ｔ1 に、それぞれ入力端子側交流抵抗ＲＡ，
出力端子側交流抵抗ＲＢを同時に設定することにより、
複数の分岐点Ｂ１，Ｂ２を有する整合回路２Ａにおいて
も、これらの寄生抵抗を設定してその機差および時間経
過に従って生じる差をなくすことができる。このため、
前記プラズマチャンバ９５，９６のインピーダンス特性
を測定する際における作業効率を向上することができ
る。
【０１３３】さらに、本実施形態においては、プラズマ
励起電極４に対する入力端子側交流抵抗ＲＡ，出力端子
側交流抵抗ＲＢを設定したが、サセプタ電極側８側の整
合回路２５に対する入力端子側交流抵抗ＲＡ，出力端子
側交流抵抗ＲＢを設定するよう対応することも可能であ
る。この場合、それぞれの測定位置を、図１１，図１２
に示すように、整合回路２５の出力端子側交流抵抗ＲＢ
の測定範囲を規定する測定位置ＰＲ’として設定し、整
合回路２５の入力端子側交流抵抗ＲＡの測定範囲を規定
する測定位置ＰＲ３’として設定することができる。
【０１３４】さらに、平行平板型の電極４，８を有する
タイプに変えて、ＩＣＰ（inductive coupled plasma）
誘導結合プラズマ励起型、ＲＬＳＡ（radial line slot
antenna）ラジアルラインスロットアンテナ型などのプ
ラズマ処理装置や、ＲＩＥ（Riactive Ion Etching）反
応性スパッタエッチング用の処理装置に適用することも
できる。なお、電極４，８に替えて、ターゲット材を取
り付けることにより、プラズマ処理としてスパッタリン
グをおこなうことも可能である。
【０１３５】以下、本発明に係るプラズマ処理装置の第
３実施形態を、図面に基づいて説明する。 ［第３実施形態］図１５は本実施形態のプラズマチャン
バの概略構成を示す模式図である。
【０１３６】本実施形態のプラズマ処理装置は、図１〜
図１４に示した第１，第２実施形態と略同等の構成とさ
れ、図１〜図１４に示した第１，第２実施形態と異なる
点は、プラズマ処理室ユニット（プラズマチャンバ）の
部分で、整合回路、および、スイッチに関する点のみで
あり、プラズマ処理装置としての構成に関しては第１な
いし第２実施形態に準ずるものとされる。また、これ以
外の第１ないし第２実施形態と略同等の構成要素に関し
ては同一の符号を付してその説明を省略する。
【０１３７】本実施形態においては、プラズマチャンバ
の構成として第２実施形態と同様の２周波数励起タイプ
とされるとともに、図１５にＰＲ２で示すように、高周
波数特性としての入力端子側交流抵抗ＲＡを測定する測
定範囲を規定する測定位置が、各プラズマチャンバ７
５，７６，７７，９５，９６，９７において、整合回路
２Ａの高周波電源１に接続される高周波電力供給電体
（給電線）１Ａの入力端子位置に設定される。
【０１３８】図１６は、図１５の整合回路の概略構成を
示す模式図、図１７は、図１６の整合回路における寄生
抵抗を説明するための模式回路図である。整合回路２Ａ
は、図１５〜図１７に示すように、高周波電源１と給電
板３との間に設けられ、複数の受動素子として、エアバ
リコンからなるチューニングコンデンサ２４と、真空バ
リコンからなるロードコンデンサ２２と、これらの受動
素子を接続するための銅板とされる導体Ｒ１，Ｒ２，Ｒ
３，Ｒ４、Ｒ５とを有する構成とされている。これらの
うち、導体Ｒ１，導体Ｒ５，導体Ｒ３，導体Ｒ４，チュ
ーニングコンデンサ２４は、整合回路２Ａの入力端子側
から出力端子側へ直列に接続されるとともに、導体Ｒ
３，導体Ｒ４の間の分岐点Ｂ１からこれらと並列にロー
ドコンデンサ２２が接続されている。ロードコンデンサ
２２の一端は、接続点ＢＰ１において導体Ｒ２を介して
マッチングボックス２（接地電位部分）に接続されてい
る。ここで、チューニングコンデンサ２４は整合回路２
Ａの受動素子のうち最終端とされ、このチューニングコ
ンデンサ２４の出力端子は整合回路２Ａの出力端子とさ
れており、チューニングコンデンサ２４は給電板３を介
してプラズマ励起電極４に接続されている。
【０１３９】本実施形態の整合回路２Ａの入力端子位置
ＰＲ３には、図１５〜図１７に示すように、入力端子側
交流抵抗ＲＡを測定するための測定用端子６１と、この
測定用端子６１と高周波数特性測定器ＡＮとを接続する
同軸ケーブルとされる接続線６１Ａと、高周波数特性測
定時および、プラズマ発生時に、プラズマチャンバに対
する接続を給電線１Ａと高周波特性測定器（インピーダ
ンス測定器）ＡＮとの間で切り替えるスイッチＳＷ５と
が接続される。スイッチＳＷ５には、測定用端子６１を
介した整合回路２Ａの入力端子位置ＰＲ３と、給電線１
Ａと、接続線６１Ａとが接続されている。また、スイッ
チＳＷ５、給電線１Ａ、接続線６１Ａは、プラズマ発生
時と高周波特性測定時とのいずれの場合にも、マッチン
グボックス２が接地電位になるよう構成されている。こ
こで、スイッチＳＷ５で切り替えられる入力端子位置Ｐ
Ｒ３から給電線１Ａの高周波電源１側端部（高周波電源
１の出力端子位置）とされる測定位置ＰＲ２までのイン
ピーダンスと、入力端子位置ＰＲ３から接続線６１Ａを
介して高周波特性測定器ＡＮまでのインピーダンスとが
それぞれ等しく設定されている。具体的には、給電線１
Ａと接続線６１Ａとの長さが等しく設定されている。さ
らに、各プラズマチャンバ７５，７６，７７，９５，９
６，９７と高周波特性測定器ＡＮまでのインピーダンス
とが等しくなるようにそれぞれ設定されている。これに
より、整合回路２Ａと高周波特性測定器ＡＮとの接続を
着脱することなく、スイッチＳＷ５切り替えのみによ
り、インピーダンスなどの測定による高周波特性、特に
入力端子側交流抵抗ＲＡの測定を容易におこなうことが
可能となる。
【０１４０】本実施形態の整合回路２Ａの出力端子位置
ＰＲ近傍には、図１５〜図１７に示すように、出力端子
側交流抵抗ＲＢを測定するための測定用端子６１’と、
この測定用端子６１’と高周波数特性測定器ＡＮとを接
続する同軸ケーブルとされる接続線６１Ｂと、高周波数
特性測定時および、プラズマ発生時に、整合回路２Ａに
対する接続を給電板３側と高周波特性測定器（インピー
ダンス測定器）ＡＮとの間で切り替えるスイッチＳＷ１
およびＳＷ１’とが接続される。スイッチＳＷ１には整
合回路２Ａの出力端子位置ＰＲと測定用端子６１’およ
び給電板３側への出力線とが接続され、スイッチＳＷ
１’はマッチングボックス２と接続線６１Ｂのシールド
線を介した高周波特性測定器行きのアース電位部分に接
続されている。また、スイッチＳＷ１，ＳＷ１’、接続
線６１Ｂは、プラズマ発生時と高周波特性測定時とのい
ずれの場合にも、マッチングボックス２が接地電位にな
るよう構成されている。ここで、各プラズマチャンバ７
５，７６，７７，９５，９６，９７から高周波特性測定
器ＡＮまでのインピーダンスとが等しくなるようにそれ
ぞ接続線６１Ｂの長さが等しくれ設定されている。これ
により、整合回路２Ａと高周波特性測定器ＡＮとの接続
を着脱することなく、スイッチＳＷ１，ＳＷ１’の切り
替えのみにより、インピーダンスなどの測定による高周
波特性、特に出力端子側交流抵抗ＲＢの測定を容易にお
こなうことが可能となる。
【０１４１】ここで、本実施形態のプラズマチャンバ７
５，７６，７７，９５，９６，９７における高周波特性
としての整合回路２Ａの交流抵抗ＲＡ，ＲＢは、第１，
第２実施形態と同様にして測定・定義する。
【０１４２】入力端子側交流抵抗ＲＡを測定するには、
図１７に示すように、スイッチＳＷ１，ＳＷ１’を切り
替えて整合回路２Ａを出力端子位置ＰＲでプラズマチャ
ンバから切り離した状態とするとともに、スイッチＳＷ
５をインピーダンス測定器（高周波特性測定器）ＡＮ側
に切り替えた状態で、インピーダンス測定器ＡＮの発振
する測定周波数を例えば電力周波数ｆe と等しい４０．
６８ＭＨｚ程度に設定して、整合回路２Ａの上記測定範
囲に対するインピーダンスのベクトル量（Ｚ，θ）を測
定し、インピーダンスの復素表現における実部を算出し
て、これを交流抵抗として定義する。
【０１４３】このとき、整合回路２Ａの入力端子側交流
抵抗ＲＡの測定時に考慮されている電気的高周波的要因
としては、図１７にＩRAで示すように、高周波電源１側
の測定位置ＰＲ２とインピーダンス特性の等しい高周波
特性測定器ＡＮ側の測定位置ＰＲ２から、分岐点Ｂ３、
Ｂ１を経て、マッチングボックス２等の接地電位部分ま
で、つまり、以下のものが考えられる。 接続線６１Ａにおける寄生抵抗Ｒ61A 接続線６１ＡにおけるインダクタンスＬ61A 接続線６１Ａにおける容量Ｃ61A スイッチＳＷ５における寄生抵抗ＲSW5 スイッチＳＷ５におけるインダクタンスＬSW5 測定用端子６１における寄生抵抗Ｒ61 測定用端子６１におけるインダクタンスＬ61 導体Ｒ１における寄生抵抗ＲR1 導体Ｒ１におけるインダクタンスＬR1 導体Ｒ５における寄生抵抗ＲR5 導体Ｒ５におけるインダクタンスＬR5 導体Ｒ３における寄生抵抗ＲR3 導体Ｒ３におけるインダクタンスＬR3 ロードコンデンサ２２の容量ＣL 導体Ｒ２における寄生抵抗ＲR2 導体Ｒ２におけるインダクタンスＬR1 ここで、接続線６１Ａにおける容量Ｃ61A とは、シール
ド線との間に発生する容量を意味するものである。
【０１４４】これらの電気的高周波的要因のうち、整合
回路２Ａの前記入力端子側交流抵抗ＲＡとしては、図１
７に示すように、接続線６１Ａにおける寄生抵抗
Ｒ61A 、スイッチＳＷ５における寄生抵抗ＲSW5 、測定
用端子６１における寄生抵抗Ｒ61、導体Ｒ１における寄
生抵抗ＲR1、導体Ｒ５における寄生抵抗ＲR5、導体Ｒ３
における寄生抵抗ＲR3、導体Ｒ２における寄生抵抗
ＲR2、を測定することになる。ここで、入力端子側交流
抵抗ＲＡの測定時において、寄生抵抗Ｒ３は、分岐点Ｂ
１からロードコンデンサ２２までの抵抗値を含み、これ
によって、上記のＩRAの回路における図示しない寄生抵
抗をも含んでいるものとする。
【０１４５】同様にして、整合回路２Ａの前記出力端子
側交流抵抗ＲＢを測定するには、スイッチＳＷ５を切り
替えて整合回路２Ａを入力端子位置ＰＲ３で高周波電源
１から切り離した状態とするとともに、スイッチＳＷ
１，ＳＷ１’をインピーダンス測定器（高周波特性測定
器）ＡＮ側に切り替えた状態で、出力端子位置ＰＲをイ
ンピーダンス測定器ＡＮに接続し、かつ、マッチングボ
ックス２をインピーダンス測定器ＡＮのアース部分に接
続してインピーダンス測定器ＡＮの発振する測定周波数
を例えば電力周波数ｆe と等しい４０．６８ＭＨｚ程度
に設定して、整合回路２Ａの上記測定範囲に対するイン
ピーダンスのベクトル量（Ｚ，θ）を測定し、インピー
ダンスの復素表現における実部を算出して、これを交流
抵抗として定義する。
【０１４６】このとき、整合回路２Ａの出力端子側交流
抵抗ＲＢの測定時に考慮されている電気的高周波的要因
としては、図１７にＩRBで示すように、出力端子とされ
る測定位置ＰＲから、分岐点Ｂ１を経て、接地電位部分
である接続点Ｂ１まで、つまり、以下のものが考えられ
る。 スイッチＳＷ１における寄生抵抗ＲSW1 スイッチＳＷ１におけるインダクタンスＬSW1 チューニングコンデンサ２４の容量ＣT 導体Ｒ４における寄生抵抗ＲR4 導体Ｒ４におけるインダクタンスＬR4 ロードコンデンサ２２の容量ＣL 導体Ｒ２における寄生抵抗ＲR2 導体Ｒ２におけるインダクタンスＬR1
【０１４７】これらの電気的高周波的要因のうち、整合
回路２Ａの前記出力端子側交流抵抗ＲＢとしては、図１
７に示すように、導体Ｒ４における寄生抵抗ＲR4、導体
Ｒ２における寄生抵抗ＲR2、を測定することになる。こ
こで、寄生抵抗ＲR4は、出力端子側交流抵抗ＲＢの測定
時において、分岐点Ｂ１からロードコンデンサ２２まで
の抵抗値等、上記のＩRBの回路における図示しない寄生
抵抗をも含んでいるものとする。
【０１４８】なお、整合回路２Ａの出力端子側交流抵抗
ＲＢの測定時に考慮されている電気的高周波的要因とし
ては、図１７に示すように、以下の要因が存在している
が、これらは、高周波電源１からプラズマチャンバへの
高周波電力供給時にはその寄与が無視し得るため、これ
らは出力端子側交流抵抗ＲＢの測定後にその影響を排除
するように操作をおこなっておく。 接続線６１Ｂにおける寄生抵抗Ｒ61B 接続線６１ＢにおけるインダクタンスＬ61B 接続線６１Ｂにおける容量Ｃ61B 測定用端子６１’における寄生抵抗Ｒ61' 測定用端子６１’におけるインダクタンスＬ61'
【０１４９】本実施形態のプラズマチャンバの整合回路
２Ａにおいては、第１，第２実施形態と同様に、測定さ
れた高周波特性としての入力端子側交流抵抗ＲＡおよび
出力端子側交流抵抗ＲＢが、プラズマチャンバのの作動
状態に適した所定の範囲の値になるように設定するとと
もに、複数のプラズマチャンバにおいて、前記式（１４
Ａ）（１４Ｂ）に示すように、そのばらつきの値をそれ
ぞれ設定する。
【０１５０】本実施形態のプラズマ処理装置において
は、第１，第２実施形態と同等の効果を奏するととも
に、整合回路２Ａの測定範囲に給電線１Ａが含まれてい
ることにより、実際に電力を供給する部分の寄生抵抗ま
でも含めて設定することが可能となるため、プラズマチ
ャンバ７５，７６，７７，９５，９６が分解、搬送、再
組み立て、その後の使用（プラズマ処理）、あるいは調
整作業が施された後においても、測定範囲に高周波電力
給電体（給電線）１Ａを含めない場合に比べて、整合回
路２Ａだけでなく、給電線１Ａも含めて複数のプラズマ
チャンバに対して、交流抵抗ＲＡ1 ，ＲＢ1 （高周波特
性）を、それぞれ、ＲＡ0 、ＲＡ1 の差ΔＲＡの絶対値
がＲＡ0 の０．４倍とされる所定の値より小さい値に維
持することができるとともに、ＲＢ0 、ＲＢ1 の差ΔＲ
Ｂの絶対値をＲＢ0 の０．４倍とされる所定の値より小
さい値に維持することができる。そのため、ある時刻ｔ
0 ，から時刻ｔ1 における時間が経過する間でも、電気
的高周波的な特性の機差をさらになくすことが可能とな
り、個々のプラズマチャンバにおいて上記のような電気
的高周波的な特性に影響を与える可能性のある事象があ
った場合にも、その時間の前後で、電気的高周波的な特
性の差をさらになくすことが可能となり、これにより、
交流抵抗ＲＡ，ＲＢ、容量、インピーダンス特性を指標
とする一定の管理幅内にそれぞれのプラズマチャンバ７
５，７６，７７，９５，９６の状態をさらに時間的に維
持することが可能となるので、プラズマ空間で消費され
る実効的な電力等をそれぞれ略均一に維持することがで
き、これに同一のプロセスレシピを適用して、給電線１
Ａを含めない場合に比べて、さらに略同一性の高いプラ
ズマ処理結果を得ることができる。
【０１５１】さらに、本実施形態のプラズマ処理装置に
おいては、測定用端子６１，６１’，スイッチＳＷ５，
ＳＷ１，ＳＷ１’を設けるとともに、入力端子位置ＰＲ
３から測定位置ＰＲ２までのインピーダンスと、入力端
子位置ＰＲ３から接続線６１Ａを介して高周波特性測定
器ＡＮまでのインピーダンスとがそれぞれ等しく設定さ
れていることにより、個々のプラズマチャンバにおい
て、整合回路２Ａと高周波電源１、および、整合回路２
Ａと給電板３側と、をそれぞれ着脱することなく、か
つ、インピーダンス測定用プローブ１０５を着脱するこ
となく、スイッチＳＷ５，ＳＷ１，ＳＷ１’の切り替え
のみにより高周波特性、特に入力端子側交流抵抗ＲＡお
よび出力端子側交流抵抗ＲＢの測定と、プラズマ処理装
置の動作状態つまりプラズマ発生状態と、の切り替えを
容易におこなうことが可能となる。
【０１５２】さらに、各プラズマチャンバ７５，７６，
７７，９５，９６，９７と高周波特性測定器ＡＮまでの
インピーダンスとが等しくなるようにそれぞれ接続線６
１Ａの長さ等が設定されていることにより、高周波特性
の測定、特に入力端子側交流抵抗ＲＡの測定時におい
て、スイッチＳＷ５の切り替えのみにより複数のプラズ
マチャンバ９５，９６を順に切り替えることができ、入
力端子側交流抵抗ＲＡの測定時における作業効率を向上
することができる。また、各プラズマチャンバ７５，７
６，７７，９５，９６，９７と高周波特性測定器ＡＮま
でのインピーダンスとが等しくなるようにそれぞれ接続
線６１Ｂの長さ等が設定されていることにより、高周波
特性の測定、特に出力端子側交流抵抗ＲＢの測定時にお
いて、スイッチＳＷ１，ＳＷ１’の切り替えのみにより
複数のプラズマチャンバ９５，９６を順に切り替えるこ
とができ、出力端子側交流抵抗ＲＢの測定時における作
業効率を向上することができる。
【０１５３】以下、本発明に係るプラズマ処理装置，プ
ラズマ処理システムおよびこれらの性能確認システム，
検査方法の第４実施形態を、図面に基づいて説明する。 ［第４実施形態］図１８は本実施形態のプラズマチャン
バにおける整合回路の概略構成を示す模式図である。
【０１５４】本実施形態のプラズマ処理装置は、図１〜
図１７に示した第１〜第３実施形態と略同等の構成とさ
れ、図１〜図１７に示した第１〜第３実施形態と異なる
点は、プラズマ処理室ユニット（プラズマチャンバ）の
整合回路とその測定範囲に関する点のみであり、プラズ
マ処理装置としての構成に関しては第１ないし第３実施
形態に準ずるものとされる。また、これ以外の第１ない
し第３実施形態と略同等の構成要素に関しては同一の符
号を付してその説明を省略する。
【０１５５】本実施形態においては、入力端子側交流抵
抗ＲＡを規定する測定位置が、第３実施形態と同様にし
て、図１８に示すように、ＰＲ２とされるとともに、図
１８にＰＲ４で示すように、高周波数特性としての出力
端子側交流抵抗ＲＢを測定する測定範囲を規定する測定
位置が、各プラズマチャンバ７５，７６，７７，９５，
９６，９７において、整合回路２Ａに接続される高周波
電力供配電体（給電板）３の電極４側の出力端子位置に
設定される。また、第１，第２実施形態と同様に、整合
回路２Ａの入力端子は、スイッチＳＷ５を介さずに給電
線１Ａに接続されている。
【０１５６】図１９，図２０は、図１８の整合回路にお
ける寄生抵抗を説明するための模式回路図である。整合
回路２Ａは、図１８，図１９，図２０に示すように、高
周波電源１と給電板３との間に設けられ、複数の受動素
子として、インダクタンスコイル２３と、エアバリコン
からなるチューニングコンデンサ２４と、真空バリコン
からなるロードコンデンサ２２Ａ，２２Ｂと、これらの
受動素子を接続するための銅板とされる導体Ｒ１，Ｒ
２，Ｒ５，Ｒ６とを有する構成とされている。これらの
うち、導体Ｒ１，導体Ｒ５，インダクタンスコイル２
３，チューニングコンデンサ２４は、整合回路２Ａの入
力端子側から出力端子側へ直列に接続されるとともに、
導体Ｒ１，導体Ｒ５の間の分岐点Ｂ４からこれらと並列
にロードコンデンサ２２Ａが接続され、導体Ｒ５，イン
ダクタンスコイル２３の間の分岐点Ｂ１からこれらと並
列にロードコンデンサ２２Ｂが接続されている。ロード
コンデンサ２２Ａの一端は、接続点ＢＰ４において導体
Ｒ６を介してマッチングボックス２（接地電位部分）に
接続されているとともに、ロードコンデンサ２２Ｂの一
端は、接続点ＢＰ１において導体Ｒ２を介してマッチン
グボックス２（接地電位部分）に接続されている。ここ
で、チューニングコンデンサ２４は整合回路２Ａの受動
素子のうち最終端とされ、このチューニングコンデンサ
２４の出力端子は整合回路２Ａの出力端子とされてお
り、チューニングコンデンサ２４は給電板３を介してプ
ラズマ励起電極４に接続されている。
【０１５７】ここで、本実施形態のプラズマチャンバ７
５，７６，７７，９５，９６，９７における高周波特性
としての整合回路２Ａの交流抵抗ＲＡ，ＲＢは、第１な
いし第３実施形態と同様にして測定・定義する。本実施
形態の交流抵抗ＲＡ，ＲＢは、具体的には図１８，図１
９，図２０に示すように測定・定義される。
【０１５８】本実施形態の整合回路２Ａにおける測定範
囲としては、図１８にＰＲ４で示すように、高周波電力
配電体（給電板）の出力端子位置とされる測定位置ＰＲ
４で整合回路２Ａをプラズマチャンバから切り離す、つ
まり、整合回路２Ａの出力端子位置に高周波電力配電体
（給電板）３が接続した状態でプラズマチャンバから切
り離すとともに、高周波電力給電体（給電線）１Ａが整
合回路２Ａの入力端子に接続した状態で高周波電源１か
ら切り離した状態を測定範囲とする。
【０１５９】入力端子側交流抵抗ＲＡを測定するには、
図１８にＰＲ４で示すように、高周波電力配電体（給電
板）の出力端子位置ＰＲ４で整合回路２Ａをプラズマチ
ャンバから切り離す、つまり、整合回路２Ａの出力端子
位置に高周波電力配電体（給電板）３が接続した状態で
プラズマチャンバから切り離すとともに、高周波電力給
電体（給電線）１Ａが整合回路２Ａの入力端子に接続し
た状態で高周波電源１から切り離し、この状態で、測定
位置ＰＲ２から入力端子側交流抵抗ＲＡを、測定する。
【０１６０】このとき、先ず、図１９に示すように、接
続点ＢＰ４をマッチングボックス２から切り離すととも
に、給電線１Ａのシールド線をアース状態としてインピ
ーダンス測定器（高周波特性測定器）ＡＮのプローブ１
０５を、第１，第２実施形態と同様にして、測定位置Ｐ
Ｒ２およびマッチングボックス２のアース位置（接地電
位部分）に接続する。この状態で、インピーダンス測定
器ＡＮの発振する測定周波数を例えば電力周波数ｆe と
等しい４０．６８ＭＨｚ程度に設定して、整合回路２Ａ
の上記測定範囲に対するインピーダンスのベクトル量
（Ｚ，θ）を測定し、インピーダンスの復素表現におけ
る実部を算出して、これを入力端子側交流抵抗ＲＡ（Ｂ
Ｐ１）として定義する。
【０１６１】本実施形態において、整合回路２Ａの入力
端子側交流抵抗ＲＡ（ＢＰ１）の測定時に考慮されてい
る電気的高周波的要因としては、図１９にＩRAで示すよ
うに、高周波電源１側の測定位置ＰＲ２から、分岐点Ｂ
１を経て、接地電位部分であるマッチングボックス２へ
の接続点ＢＰ１まで、つまり、以下のものが考えられ
る。 給電線１Ａにおける寄生抵抗Ｒ1A 給電線１ＡにおけるインダクタンスＬ1A 給電線１Ａにおける容量Ｃ1A 導体Ｒ１における寄生抵抗ＲR1 導体Ｒ１におけるインダクタンスＬR1 導体Ｒ５における寄生抵抗ＲR5 導体Ｒ５におけるインダクタンスＬR5 ロードコンデンサ２２Ｂの容量ＣLB 導体Ｒ２における寄生抵抗ＲR2 導体Ｒ２におけるインダクタンスＬR1 ここで、給電線１Ａにおける容量Ｃ1Aとは、シールド線
との間に発生する容量を意味するものである。
【０１６２】これらの電気的高周波的要因のうち、整合
回路２Ａの前記入力端子側交流抵抗ＲＡ（ＢＰ１）とし
ては、図１９に示すように、給電線１Ａにおける寄生抵
抗Ｒ 1A 、導体Ｒ１における寄生抵抗ＲR1、導体Ｒ５に
おける寄生抵抗ＲR5、導体Ｒ２における寄生抵抗ＲR2、
を測定することになる。
【０１６３】次に、入力端子側交流抵抗ＲＡ（ＢＰ２）
として、図２０に示すように、接続点ＢＰ１をマッチン
グボックス２から切り離すとともに接続点ＢＰ４をマッ
チングボックス２に接続する。この状態で、同様にイン
ピーダンス測定器（高周波特性測定器）ＡＮのプローブ
１０５を、測定位置ＰＲ２およびマッチングボックス２
のアース位置（接地電位部分）に接続するとともに、イ
ンピーダンス測定器ＡＮの発振する測定周波数を例えば
電力周波数ｆe と等しい４０．６８ＭＨｚ程度に設定し
て、整合回路２Ａの上記測定範囲に対するインピーダン
スのベクトル量（Ｚ，θ）を測定し、インピーダンスの
復素表現における実部を算出して、これを入力端子側交
流抵抗ＲＡ（ＢＰ２）として定義する。
【０１６４】このとき、整合回路２Ａの入力端子側交流
抵抗ＲＡ（ＢＰ２）の測定時に考慮されている電気的高
周波的要因としては、図２０にＩRAで示すように、入力
端子とされる測定位置ＰＲ３から、分岐点Ｂ４を経て、
接地電位部分であるマッチングボックス２への接続点Ｂ
Ｐ４まで、つまり、以下のものが考えられる。 給電線１Ａにおける寄生抵抗Ｒ1A 給電線１ＡにおけるインダクタンスＬ1A 給電線１Ａにおける容量Ｃ1A 導体Ｒ１における寄生抵抗ＲR1 導体Ｒ１におけるインダクタンスＬR1 ロードコンデンサ２２Ａの容量ＣLA 導体Ｒ６における寄生抵抗ＲR6 導体Ｒ６におけるインダクタンスＬR6
【０１６５】これらの電気的高周波的要因のうち、整合
回路２Ａの前記入力端子側交流抵抗ＲＡ（ＢＰ２）とし
ては、図２０に示すように、給電線１Ａにおける寄生抵
抗Ｒ 1A 、導体Ｒ１における寄生抵抗ＲR1、導体Ｒ６に
おける寄生抵抗ＲR6、を測定することになる。
【０１６６】同様にして、整合回路２Ａの前記出力端子
側交流抵抗ＲＢを測定するには、先ず、図１９に示すよ
うに、接続点ＢＰ４をマッチングボックス２から切り離
すとともに、また、測定位置ＰＲ４から入力端子側交流
抵抗ＲＢを測定する。ここで、プローブ１０５を、第
１，第２実施形態と同様にして、測定位置ＰＲ４および
マッチングボックス２のアース位置（接地電位部分）に
接続する。この状態で、インピーダンス測定器ＡＮの発
振する測定周波数を例えば電力周波数ｆe と等しい４
０．６８ＭＨｚ程度に設定して、整合回路２Ａの上記測
定範囲に対するインピーダンスのベクトル量（Ｚ，θ）
を測定し、インピーダンスの復素表現における実部を算
出して、これを入力端子側交流抵抗ＲＢ（ＢＰ１）とし
て定義する。
【０１６７】このとき、整合回路２Ａの出力端子側交流
抵抗ＲＢ（ＢＰ１）の測定時に考慮されている電気的高
周波的要因としては、図１９にＩRBで示すように、給電
板３の出力端子とされる測定位置ＰＲ４から、分岐点Ｂ
１を経て、接地電位部分であるマッチングボックス２へ
の接続点ＢＰ１まで、つまり、以下のものが考えられ
る。 給電板３における寄生抵抗Ｒ3 給電板３におけるインダクタンスＬ3 チューニングコンデンサ２４の容量ＣT インダクタンスコイル２３における寄生抵抗ＲLT インダクタンスコイル２３におけるインダクタンスＬT ロードコンデンサ２２Ｂの容量ＣLB 導体Ｒ２における寄生抵抗ＲR2 導体Ｒ２におけるインダクタンスＬR1
【０１６８】これらの電気的高周波的要因のうち、整合
回路２Ａの前記出力端子側交流抵抗ＲＢ（ＢＰ１）とし
ては、図１９に示すように、導体Ｒ４における寄生抵抗
ＲR4、インダクタンスコイル２３における寄生抵抗
ＲLT、導体Ｒ２における寄生抵抗ＲR2、を測定すること
になる。
【０１６９】次に、出力端子側交流抵抗ＲＢ（ＢＰ２）
として、図２０に示すように、接続点ＢＰ１をマッチン
グボックス２から切り離すとともに接続点ＢＰ４をマッ
チングボックス２に接続する。この状態で、同様にイン
ピーダンス測定器（高周波特性測定器）ＡＮのプローブ
１０５を、測定位置ＰＲ４およびマッチングボックス２
のアース位置（接地電位部分）に接続するとともに、イ
ンピーダンス測定器ＡＮの発振する測定周波数を例えば
電力周波数ｆe と等しい４０．６８ＭＨｚ程度に設定し
て、整合回路２Ａの上記測定範囲に対するインピーダン
スのベクトル量（Ｚ，θ）を測定し、インピーダンスの
復素表現における実部を算出して、これを出力端子側交
流抵抗ＲＢ（ＢＰ２）として定義する。
【０１７０】このとき、整合回路２Ａの出力端子側交流
抵抗ＲＢ（ＢＰ２）の測定時に考慮されている電気的高
周波的要因としては、図２０にＩRBで示すように、出力
端子とされる測定位置ＰＲ４から、分岐点Ｂ４を経て、
接地電位部分であるマッチングボックス２への接続点Ｂ
Ｐ４まで、つまり、以下のものが考えられる。 給電板３における寄生抵抗Ｒ3 給電板３におけるインダクタンスＬ3 チューニングコンデンサ２４の容量ＣT インダクタンスコイル２３における寄生抵抗ＲLT インダクタンスコイル２３におけるインダクタンスＬT 導体Ｒ５における寄生抵抗ＲR5 導体Ｒ５におけるインダクタンスＬR5 ロードコンデンサ２２Ａの容量ＣLA 導体Ｒ６における寄生抵抗ＲR6 導体Ｒ６におけるインダクタンスＬR6
【０１７１】これらの電気的高周波的要因のうち、整合
回路２Ａの前記出力端子側交流抵抗ＲＢ（ＢＰ２）とし
ては、図２０に示すように、給電板３における寄生抵抗
Ｒ3、インダクタンスコイル２３における寄生抵抗
ＲLT、導体Ｒ５における寄生抵抗ＲR5、導体Ｒ６におけ
る寄生抵抗ＲR6、を測定することになる。
【０１７２】本実施形態のプラズマチャンバの整合回路
２Ａにおいては、第２実施形態と同様に、測定された高
周波特性としての入力端子側交流抵抗ＲＡおよび出力端
子側交流抵抗ＲＢが、プラズマチャンバの作動状態に適
した所定の範囲の値になるように設定する。具体的に
は、交流抵抗ＲＡ（ＢＰ１），ＲＡ（ＢＰ２），ＲＢ
（ＢＰ１），ＲＢ（ＢＰ２）が、それぞれプラズマチャ
ンバの作動状態に適した所定の範囲の値になるように設
定するとともに、複数のプラズマチャンバにおいて、式
（１４Ａ’）（１４Ａ”）（１４Ｂ’）（１４Ｂ”）に
示すように、そのばらつきの値<ＲＡ><ＲＢ>を設定する
ことで、個々のプラズマチャンバにおいて、プラズマ空
間で消費される実効的な電力をそれぞれ略均一にするこ
とができる。
【０１７３】さらに、本実施形態のプラズマチャンバの
整合回路２Ａにおいては、上記のように（このときを時
刻ｔ0 とする）測定された高周波特性としての入力端子
側交流抵抗ＲＡ（ＢＰ１），ＲＡ（ＢＰ２）および出力
端子側交流抵抗ＲＢ（ＢＰ１），ＲＢ（ＢＰ２）が、時
間的にプラズマチャンバの作動状態に適した所定の範囲
の値になるように設定する。つまり、プラズマチャンバ
が分解搬送後、納入先において再組み立てした後におい
ても、さらに、その後それが使用され被処理物のプラズ
マ処理が行われても、さらには、分解掃除、部品交換、
組み立て調整等の調整作業が施されても、その時点（時
刻ｔ1 ）において、その時の入力端子側交流抵抗ＲＡ
（ＢＰ１）1 ，ＲＡ（ＢＰ２）1 ，出力端子側交流抵抗
ＲＢ（ＢＰ１）1 ，ＲＢ（ＢＰ２）1 が、それぞれ、Ｒ
Ａ（ＢＰ１）0 、ＲＡ（ＢＰ１）1の差ΔＲＡ（ＢＰ
１）の絶対値がＲＡ（ＢＰ１）0 の０．４倍とされる所
定の値より小さい値に維持され、ＲＡ（ＢＰ２）0 、Ｒ
Ａ（ＢＰ２）1 の差ΔＲＡ（ＢＰ２）の絶対値がＲＡ
（ＢＰ２）0 の０．４倍とされる所定の値より小さい値
に維持されるとともに、ＲＢ（ＢＰ１）0 、ＲＢ（ＢＰ
１）1 の差ΔＲＢ（ＢＰ１）の絶対値がＲＢ（ＢＰ１）
0 の０．４倍とされる所定の値より小さい値に維持さ
れ、ＲＢ（ＢＰ２）0 、ＲＢ（ＢＰ２）1 の差ΔＲＢ
（ＢＰ２）の絶対値がＲＢ（ＢＰ２）0 の０．４倍とさ
れる所定の値より小さい値に維持されている。そのため
に、もし、少なくともΔＲＡ（ＢＰ１），ΔＲＡ（ＢＰ
２），ΔＲＢ（ＢＰ１），ΔＲＢ（ＢＰ２）の少なくと
も一つが上記の所定の値以上となった場合は是正作業が
行われる。ここで、交流抵抗ＲＡ（ＢＰ１），ＲＡ（Ｂ
Ｐ２），ＲＢ（ＢＰ１），ＲＢ（ＢＰ２）を設定する方
法としては、例えば、前述した〜等のような手法を
適用することができる。
【０１７４】本実施形態のプラズマ処理装置およびその
検査方法においては、第１ないし第３実施形態と同等の
効果を奏するとともに、整合回路２Ａの測定範囲に給電
板３が含まれていることにより、実際に電力を供給する
部分の寄生抵抗までも含めて設定することが可能となる
ため、プラズマチャンバが分解、搬送、再組み立て、そ
の後の使用（プラズマ処理）、あるいは調整作業が施さ
れた後においても、測定範囲に高周波電力配電体（給電
板）３を含めない場合に比べて、整合回路２Ａだけでな
く、高周波電力配電体（給電板）３も含めて複数のプラ
ズマチャンバに対して、交流抵抗ＲＡ1 ，ＲＢ1 （高周
波特性）を、それぞれ、ＲＡ0 、ＲＡ1の差ΔＲＡの絶
対値がＲＡ0 の０．４倍とされる所定の値より小さい値
に維持することができるとともに、ＲＢ0 、ＲＢ1 の差
ΔＲＢの絶対値をＲＢ0 の０．４倍とされる所定の値よ
り小さい値に維持することができる。そのため、ある時
刻ｔ0 ，から時刻ｔ1 における時間が経過する間でも、
電気的高周波的な特性の機差をさらになくすことが可能
となり、個々のプラズマチャンバにおいて上記のような
電気的高周波的な特性に影響を与える可能性のある事象
があった場合にも、その時間の前後で、電気的高周波的
な特性の差をさらになくすことが可能となり、これによ
り、交流抵抗ＲＡ，ＲＢ、容量、インピーダンス特性を
指標とする一定の管理幅内にそれぞれのプラズマチャン
バ７５，７６，７７，９５，９６の状態をさらに時間的
に維持することが可能となるので、プラズマ空間で消費
される実効的な電力等をそれぞれ略均一に維持すること
ができ、これに同一のプロセスレシピを適用して、高周
波電力配電体（給電板）３を含めない場合に比べて、さ
らに略同一性の高いプラズマ処理結果を得ることができ
る。
【０１７５】なお、上記の各実施形態において、所定の
値を時刻ｔ0 における値の０．５または０．４のいずれ
かを選択すること、および、測定範囲を設定するための
測定位置を、それぞれ測定位置ＰＲ、ＰＲ２，ＰＲ３，
ＰＲ４から選択することが可能である。また、それぞれ
の、測定位置ＰＲにおいて、高周波特性測定器と、の切
り替えをおこなうスイッチおよび測定用端子を、スイッ
チＳＷ１，ＳＷ１’ＳＷ５，測定用端子６１，６１’の
ように設けることも可能である。また、これら、測定位
置およびスイッチ測定用端子を、整合回路２５に対して
設定することも可能である。
【０１７６】以下、本発明に係るプラズマ処理装置の性
能管理システムを第５実施形態として、図面に基づいて
説明する。 ［第５実施形態］図２１は本実施形態に係るプラズマ処
理装置の性能管理システムのシステム構成図、図２２
は、同性能管理システムで実現される評価情報提供方法
を示すフローチャートである。
【０１７７】図２１に示す性能管理システムは、サーバ
ー２１０と、納入先の入出力装置２２０と、これらサー
バー２１０と入出力装置２２０とを接続する通信回線２
３０と、サーバー２１０に接続された搬送元の出力装置
２４０とから構成されている。
【０１７８】サーバー２１０は、プラズマ処理装置のメ
ーカー、流通業者、メンテナンス業者等の搬送元が管理
するもので、その設置場所も搬送元とすることが望まし
い。また、このサーバー２１０は、同時に複数の納入先
の入出力装置２２０に対してサービスを提供するための
高速な処理能力を持った計算機と、多様なサービスと納
入先のプラズマ処理装置に関する情報を格納するための
大容量記憶装置を備えたものであることが望ましい、具
体的には、大型計算機、高性能ワークステーション等が
よい。サーバー２１０は、計算機２１１およびこれに接
続され後述する高周波特性としての入力端子側交流抵抗
ＲＡ0 （時刻ｔ0 における値）、出力端子側交流抵抗Ｒ
Ｂ1 （時刻ｔ0 における値）が記憶されている記憶装置
２１２と、通信回線２３０と接続するための送受信手段
２１３とから構成されている。また、このサーバー２１
０に、搬送元に設置された出力装置２４０が接続されて
いる。
【０１７９】また、納入先の入出力装置２２０は、納入
先の顧客や、納入先を訪れたサービスマン等が利用する
もので、納入先に設置されるか、又は納入先に携帯され
て利用される。この入出力装置は通信回線２３０を利用
してサーバー２１０と信号の授受を行えるものであれば
特に限定はなく、具体的にはパーソナルコンピュータ、
専用端末機、電話機等が利用できる。納入先入出力装置
２２０は、本体２２１、および通信回線２３０と接続す
るための送受信手段２２３とから構成されている。
【０１８０】通信回線２３０は、その媒体や形式に特に
限定はなく、離間した地点におかれたサーバー２１０と
入出力装置２２０との間で信号の授受ができるものであ
ればよい。すなわち、ケーブル回線、光ファイバー回
線、衛星回線等の種々の有線や無線の通信媒体を適宜使
用できると共に、電話回線網、インターネット網等種々
の通信形式を活用できる。
【０１８１】以下、図２１に基づきながら、図２２のフ
ローチャートに従い、本実施形態における処理動作を説
明する。納入先の顧客や、納入先を訪れたサービスマン
等、本性能管理システムの利用者は、同システムで性能
評価を開始するにあたり、まず、納入先に納入された、
あるいは使用中であるものとして、図１〜図２０に示し
た各実施形態と同様のプラズマ処理装置について、高周
波特性としての入力端子側交流抵抗ＲＡ1 （時刻ｔ0 の
後の時刻ｔ1 における値）、出力端子側交流抵抗ＲＢ1
（時刻ｔ0 の後の時刻ｔ1 における値）を測定し、この
値を入出力装置２２０から入力する（ステップ３０
１）。これらの入力された入力端子側交流抵抗ＲＡ1 ，
出力端子側交流抵抗ＲＢ1 の値は、通信回線２３０を通
じてサーバ２１０に送信される。
【０１８２】これに対しサーバ２１０は、記憶装置２１
２に格納された基準となる高周波特性として、図１〜図
２０に示した各実施形態と同様のプラズマ処理装置に対
応する入力端子側交流抵抗ＲＡ0 （時刻ｔ0 における
値）、出力端子側交流抵抗ＲＢ 0 （時刻ｔ0 における
値）の情報５００を呼び出し、これら値に基づき、ＲＡ
0、ＲＡ1 の差の絶対値｜ΔＲＡ｜およびＲＢ0 、ＲＢ1
の差の絶対値｜ΔＲＢ｜を計算する（ステップ３０
２）。なお、基準となる高周波特性としての入力端子側
交流抵抗ＲＡ0 ，出力端子側交流抵抗ＲＢ0 は、プラズ
マ処理装置を納入先に搬送するに先立ち分解をする前
に、搬送元で設定した高周波特性値であって、図１〜図
２０に示した各実施形態と同様に、例えば複数のプラズ
マチャンバの整合回路２Ａにおいてプラズマチャンバの
作動状態に適した所定の範囲の値になるように設定す
る。具体的には、交流抵抗ＲＡ，ＲＢが、それぞれプラ
ズマチャンバの作動状態に適した所定の範囲の値になる
ように設定するとともに、複数のプラズマチャンバにお
いて、式（１４Ａ）（１４Ｂ）に示すように、そのばら
つきの値<ＲＡ><ＲＢ>を設定することで、個々のプラズ
マチャンバにおいて、プラズマ空間で消費される実効的
な電力をそれぞれ略均一にするような関係を満たす値で
ある。
【０１８３】次にサーバ２１０は、ステップ３０２で算
出した｜ΔＲＡ｜と情報５００として呼び出したＲＡ0
とを比較するとともに、ステップ３０２で呼び出した｜
ΔＲＢ｜と情報５００として呼び出したＲＢ0 とを比較
し、当該プラズマ処理装置の性能を評価する。具体的に
は、｜ΔＲＡ｜がＲＡ0 の０．５倍とされる所定の値よ
り小さい値であり、同時に、｜ΔＲＢ｜がＲＢ0 の０．
５倍とされる所定の値より小さい値である場合には、当
該プラズマ処理装置が所定の性能を維持していると判断
する。また、｜ΔＲＡ｜か｜ΔＲＢ｜のいずれか一方が
それぞれの基準となる所定の値より大きい値である場合
には、当該プラズマ処理装置が所定の性能を維持してい
ないと判断する（ステップ３０３）。
【０１８４】次にサーバ２１０は、上記性能評価の結果
を納入先の入出力装置２２０、及び搬送元の出力装置２
４０の双方に提供する（ステップ３０４）。この内、入
出力装置２２０に対しては、プリントアウトや画面表示
の指令信号を送信したり、あるいは、音声信号を送信し
たりする。具体的には、所定の性能を維持していると判
断した場合には、例えば「ご照会の装置の性能は、適切
に維持されておりますので、そのままご使用くださ
い。」といったメッセージを、所定の信号を維持してい
ないと判断した場合には、例えば「ご照会の装置の性能
は、適切に維持されていない恐れがありますので、取扱
説明書に従い調整をお願いします。」といったメッセー
ジを、プリントアウト、画面表示、音声等で顧客やサー
ビスマン等に伝えられるようにする。また、出力装置２
４０に対しても、所定の信号を維持していないと判断し
た場合に、プリントアウトや画面表示、信号出力等の指
令信号を送信したり、あるいは、警報音発生信号を送信
したりする。そして、出力装置２４０から、プリントア
ウト、画面表示、信号出力、あるいは警報音等の保守作
業命令を出力する。なお、搬送元において、いずれの納
入先のどの装置が保守を必要としているかを判断するた
めに、入出力装置２２０からプラズマチャンバの固有番
号を受信し、これを出力装置２４０から出力することが
望ましいが、単一のプラズマチャンバを有するプラズマ
処理装置の場合には入出力装置２２０の固有番号、例え
ばアドレス番号や電話番号等から判断して、その判断結
果を出力装置２４０から出力してもよい。
【０１８５】この結果、納入先の顧客や納入先を訪問し
たサービスマン等は、プラズマ処理装置を実際に動作さ
せて成膜された基板を検査するという作業を行うことな
く、直ちに当該プラズマ装置の性能を評価することがで
きる。しかも、処理をおこなった基板の評価によりそれ
ぞれのプラズマチャンバ７５，７６，７７，９５，９６
の動作確認および、動作の評価をおこなうという２段階
の方法でなく、ダイレクトにそれぞれのプラズマチャン
バ７５，７６，７７，９５，９６の評価を、しかも、そ
れぞれのプラズマチャンバ７５，７６，７７，９５，９
６が設置してある場所で短時間におこなうことが可能で
ある。その上、被処理基板への実際の成膜等による検査
方法を採用した場合、別々に行うしかなかった複数のプ
ラズマ処理装置あるいはそれぞれのプラズマチャンバ７
５，７６，７７，９５，９６を有するプラズマ処理装置
７１，９１の場合についても、結果をほぼ同時に得るこ
とができる。このため、製造ラインを数日あるいは数週
間停止してプラズマ処理装置の動作確認および、動作の
評価をする必要がなくなり、製造ラインとしての生産性
を向上することができる。また、このような調整に必要
な検査用基板等の費用、この検査用基板の処理費用、お
よび、調整作業に従事する作業員の人件費等、コストを
削減することが可能となる。
【０１８６】また、搬送元のメーカー等においては、納
入先のプラズマ処理装置に問題が生じた場合には、保守
作業命令を受けて直ちにこれを知ることができるので、
顧客に対するアフタサービス体制を充実させることがで
きる。
【０１８７】なお、本実施形態のように、サーバー２１
０が、納入先の入出力装置２２０と搬送元の出力装置２
４０との双方に評価情報を提供する場合、両評価情報の
基礎となる所定の値は必ずしも同一の値でなくともよ
い。例えば、納入先入出力装置に発信する評価情報につ
いては、所定の値を｜ΔＲＡ｜にはＲＡ0 の０．５倍
で、｜ΔＲＢ｜にはＲＢ0 の０．５倍とし、｜ΔＲＡ｜
と｜ΔＲＢ｜とのどちらか一方がこの値を越えたときに
所定の性能を維持していない旨の信号を発信し、一方、
搬送元の出力装置には、所定の値を｜ΔＲＡ｜にはＲＡ
0 の０．４倍で、｜ΔＲＢ｜にはＲＢ0 の０．４倍とし
て、｜ΔＲＡ｜と｜ΔＲＢ｜とのどちらか一方がこの値
を越える場合に保守作業命令を出力するようにしても良
い。このように、搬送元の出力装置に対して、納入先入
出力装置に対するよりも厳しい評価基準に基づき保守作
業命令が出される場合には、納入先のプラズマ処理装置
の性能が大きく変動する以前に搬送元による保守サービ
スを行うことができる。すなわち、より先手を打った保
守体制を確立することができる。
【０１８８】以下、本発明に係るプラズマ処理装置の性
能管理システムを第６実施形態として、図面に基づいて
説明する。 ［第６実施形態］図２３は本実施形態に係るプラズマ処
理装置の性能管理システムで実現される評価情報提供方
法を示すフローチャートである。なお、図において、図
２２と同一の構成要素には、同一の符号を附してその説
明を省略する。
【０１８９】本実施形態における性能管理システムが、
図２２に示す第５実施形態における性能管理システムと
異なる点は、対象となるプラズマ処理装置が図１１ない
し図１４に示す第２実施形態および図１８ないし図２０
に示す第４実施形態のように、整合回路２Ａに複数の接
続点を有するタイプとされる点と、これに付随して、演
算し評価する高周波特性に関する点のみであり、これ以
外の略同一の点に関しては説明を省略する。
【０１９０】サーバー２１０は、計算機２１１およびこ
れに接続され後述する高周波特性としての入力端子側交
流抵抗ＲＡ（ＢＰ１）0 ，ＲＡ（ＢＰ２）0 （時刻ｔ0
における値），出力端子側交流抵抗ＲＢ（ＢＰ１）0 ，
ＲＢ（ＢＰ２）0 （時刻ｔ0における値）が記憶されて
いる記憶装置２１２と、通信回線２３０と接続するため
の送受信手段２１３とから構成されている。また、この
サーバー２１０に、搬送元に設置された出力装置２４０
が接続されている。
【０１９１】以下、図２１に基づきながら、図２３のフ
ローチャートに従い、本実施形態における処理動作を説
明する。納入先の顧客や、納入先を訪れたサービスマン
等、本性能管理システムの利用者は、同システムで性能
評価を開始するにあたり、まず、納入先に納入された、
あるいは使用中であるものとして、図１１ないし図１４
に示す第２実施形態および図１８ないし図２０に示す第
４実施形態と同様のプラズマ処理装置について、高周波
特性としての入力端子側交流抵抗ＲＡ（ＢＰ１）1 ，Ｒ
Ａ（ＢＰ２）1 （時刻ｔ0 の後の時刻ｔ1 における
値）、出力端子側交流抵抗ＲＢ（ＢＰ１）1 ，ＲＢ（Ｂ
Ｐ２）1 （時刻ｔ0 の後の時刻ｔ1 における値）を測定
し、この値を入出力装置２２０から入力する（ステップ
３０１）。これらの入力された入力端子側交流抵抗ＲＡ
（ＢＰ１）1 ，ＲＡ（ＢＰ２）1，出力端子側交流抵抗
ＲＢ（ＢＰ１）1 ，ＲＢ（ＢＰ２）1 の値は、通信回線
２３０を通じてサーバ２１０に送信される。
【０１９２】これに対しサーバ２１０は、記憶装置２１
２に格納された基準となる高周波特性として、上記のプ
ラズマ処理装置に対応する入力端子側交流抵抗ＲＡ（Ｂ
Ｐ１）0 ，ＲＡ（ＢＰ２）0 （時刻ｔ0 における値），
出力端子側交流抵抗ＲＢ（ＢＰ１）0 ，ＲＢ（ＢＰ２）
0 （時刻ｔ0 における値）の情報５００を呼び出し、こ
れら値に基づき、ＲＡ（ＢＰ１）0 、ＲＡ（ＢＰ１）1
の差の絶対値｜ΔＲＡ（ＢＰ１）｜，ＲＡ（ＢＰ
２）0 、ＲＡ（ＢＰ２）1 の差の絶対値｜ΔＲＡ（ＢＰ
２）｜およびＲＢ（ＢＰ１）0 、ＲＢ（ＢＰ１）1 の差
の絶対値｜ΔＲＢ（ＢＰ１）｜，ＲＢ（ＢＰ２）0 、Ｒ
Ｂ（ＢＰ２）1 の差の絶対値｜ΔＲＢ（ＢＰ２）｜を計
算する（ステップ３０２）。なお、基準となる高周波特
性としての入力端子側交流抵抗ＲＡ（ＢＰ１）0 ，ＲＡ
（ＢＰ２）0 ，出力端子側交流抵抗ＲＢ（ＢＰ１）0 ，
ＲＢ（ＢＰ２）0 は、プラズマ処理装置を納入先に搬送
するに先立ち分解をする前に、搬送元で設定した高周波
特性値であって、図１１ないし図１４に示す第２実施形
態および図１８ないし図２０に示す第４実施形態と同様
に、例えば複数のプラズマチャンバの整合回路２Ａにお
いてプラズマチャンバの作動状態に適した所定の範囲の
値になるように設定する。具体的には、交流抵抗ＲＡ
（ＢＰ１），ＲＡ（ＢＰ２），ＲＢ（ＢＰ１），ＲＢ
（ＢＰ２）が、それぞれプラズマチャンバの作動状態に
適した所定の範囲の値になるように設定するとともに、
複数のプラズマチャンバにおいて、式（１４Ａ’）（１
４Ａ”）（１４Ｂ’）（１４Ｂ”）に示すように、その
ばらつきの値<ＲＡ><ＲＢ>を設定することで、個々のプ
ラズマチャンバにおいて、プラズマ空間で消費される実
効的な電力をそれぞれ略均一にするような関係を満たす
値である。
【０１９３】次にサーバ２１０は、ステップ３０２で算
出した｜ΔＲＡ（ＢＰ１）｜と情報５００として呼び出
したＲＡ（ＢＰ１）0 とを比較し、ステップ３０２で算
出した｜ΔＲＡ（ＢＰ２）｜と情報５００として呼び出
したＲＡ（ＢＰ２）0 とを比較し、ステップ３０２で呼
び出した｜ΔＲＢ（ＢＰ１）｜と情報５００として呼び
出したＲＢ（ＢＰ１）0 とを比較し、ステップ３０２で
呼び出した｜ΔＲＢ（ＢＰ２）｜と情報５００として呼
び出したＲＢ（ＢＰ２）0 とを比較し、当該プラズマ処
理装置の性能を評価する。具体的には、｜ΔＲＡ（ＢＰ
１）｜がＲＡ（ＢＰ１）0 の０．５倍とされる所定の値
より小さい値であり、｜ΔＲＡ（ＢＰ２）｜がＲＡ（Ｂ
Ｐ２）0 の０．５倍とされる所定の値より小さい値であ
り、同時に、｜ΔＲＢ（ＢＰ１）｜がＲＢ（ＢＰ１）0
の０．５倍とされる所定の値より小さい値であり、｜Δ
ＲＢ（ＢＰ２）｜がＲＢ（ＢＰ２）0 の０．５倍とされ
る所定の値より小さい値である場合には、当該プラズマ
処理装置が所定の性能を維持していると判断する。ま
た、｜ΔＲＡ（ＢＰ１）｜，｜ΔＲＡ（ＢＰ２）｜，｜
ΔＲＢ（ＢＰ１）｜，｜ΔＲＢ（ＢＰ２）｜のいずれか
１つの値がそれぞれの基準となる所定の値より大きい値
である場合には、当該プラズマ処理装置が所定の性能を
維持していないと判断する（ステップ３０３）。
【０１９４】次にサーバ２１０は、上記性能評価の結果
を納入先の入出力装置２２０、及び搬送元の出力装置２
４０の双方に提供する（ステップ３０４）。これ以後の
ステップは、第２実施形態と同様におこなわれる。
【０１９５】本実施形態の性能管理システムにおいて
は、整合回路２Ａに複数の接続点を有するタイプとされ
るプラズマ処理装置の性能管理をおこなえるとともに、
整合回路２Ａに単一の接続点を有する場合には｜ΔＲＡ
｜と｜ΔＲＢ｜との２つの基準により所定の性能を満た
すか否かを判断するのに比べて、｜ΔＲＡ（ＢＰ１）
｜，｜ΔＲＡ（ＢＰ２）｜，｜ΔＲＢ（ＢＰ１）｜，｜
ΔＲＢ（ＢＰ２）｜という４つの基準から所定の性能を
満たすか否かを判断することができるために、より一層
細かくプラズマチャンバの性能評価をおこなうことが可
能となる。
【０１９６】以下、本発明に係るプラズマ処理装置の性
能管理システムを第７実施形態として、図面に基づいて
説明する。 ［第７実施形態］図２４は本実施形態に係るプラズマ処
理装置の性能管理システムのシステム構成図、図２５
は、同性能管理システムで実現される評価情報提供方法
を示すフローチャートである。なお、両図において、図
２１及び図２２と同一の構成要素には、同一の符号を附
してその説明を省略する。
【０１９７】図２４に示す性能管理システムは、サーバ
ー２１０と、納入先の入出力装置２２０と、これらサー
バー２１０と入出力装置２２０とを接続する通信回線２
３０と、サーバーに接続された搬送元の出力装置２４０
とに加えて、図１５ないし図１７に示す第３実施形態と
同様の構成とされるプラズマ処理装置２５０と、このプ
ラズマ処理装置２５０に接続された高周波特性を測定す
るインピーダンス測定器（高周波特性測定器）２６０と
から構成されている。
【０１９８】本実施形態では、高周波特性測定器２６０
の出力端子が入出力装置２２０に接続され、高周波特性
測定器２６０で測定されたプラズマ処理装置２５０の高
周波特性としての入力端子側交流抵抗ＲＡ、出力端子側
交流抵抗ＲＢが、入出力装置２２０及び通信回線２３０
を介して、人手による入力作業を経ることなく、直接サ
ーバー２１０に送信されるようになっている。また、入
出力装置２２０は、プラズマチャンバの固有番号Ｓの入
力を受けると、高周波特性測定器２６０の測定結果を読
みとるようにプログラムされている。
【０１９９】以下、図２４を参照しながら、図２５のフ
ローチャートに従い、本実施形態における処理動作を説
明する。納入先の顧客や、納入先を訪れたサービスマン
等、本性能管理システムの利用者は、同システムで性能
評価を開始するにあたり、まず、予め容量測定器２６０
を入出力装置２２０に接続した上で、納入先に納入され
た、あるいは使用中のプラズマ処理装置について、プラ
ズマチャンバの固有番号Ｓを入出力装置２２０から入力
する。このとき、プラズマチャンバの高周波特性として
の入力端子側交流抵抗ＲＡ1 （時刻ｔ0 の後の時刻ｔ1
における値）、出力端子側交流抵抗ＲＢ1（時刻ｔ0 の
後の時刻ｔ1 における値）の測定値が、入出力装置２２
０のプログラムに従い、自動的に高周波特性測定器２６
０から入出力装置２２０に入力される。（ステップ４０
１）。この入力された固有番号Ｓ，入力端子側交流抵抗
ＲＡ1 ，出力端子側交流抵抗ＲＢ1 の値は、通信回線２
３０を通じてサーバー２１０に送信される。
【０２００】これに対しサーバー２１０は、記憶装置２
１２に格納された高周波特性としての入力端子側交流抵
抗ＲＡ0 （時刻ｔ0 における値）、出力端子側交流抵抗
ＲＢ 0 （時刻ｔ0 における値）の情報の中から、固有番
号Ｓに対応する固有入力端子側交流抵抗ＲＡ0 や固有出
力端子側交流抵抗ＲＢ0 の情報６００を呼び出し、この
値に基づき、ＲＡ0 、ＲＡ1 の差の絶対値｜ΔＲＡ｜お
よびＲＢ0 、ＲＢ1 の差の絶対値｜ΔＲＢ｜を計算する
（ステップ４０２）。ここで、固有ＲＡ0 、ＲＢ0 は、
固有番号Ｓと１対１の関係で記憶装置２１２に格納され
たもの、すなわち、各々のプラズマチャンバ毎に設定し
た、あるいは、製造時等に実際に測定したプラズマチャ
ンバ個別の高周波特性としての入力端子側交流抵抗ＲＡ
0 、出力端子側交流抵抗ＲＢ0 （時刻ｔ0 における値）
値である。
【０２０１】次にサーバ２１０は、ステップ４０２で算
出した｜ΔＲＡ｜と情報６００として呼び出したＲＡ0
とを比較するとともに、ステップ４０２で呼び出した｜
ΔＲＢ｜と情報６００として呼び出したＲＢ0 とを比較
し、当該プラズマ処理装置の性能を評価する。具体的に
は、｜ΔＲＡ｜が固有入力端子側交流抵抗ＲＡ0 の０．
５倍とされる所定の値より小さい値であり、同時に、｜
ΔＲＢ｜が固有出力端子側交流抵抗ＲＢ0 の０．５倍と
される所定の値より小さい値である場合には、当該プラ
ズマ処理装置が所定の性能を維持していると判断する。
また、｜ΔＲＡ｜か｜ΔＲＢ｜のいずれか一方がそれぞ
れの基準となる所定の値より大きい値である場合には、
当該プラズマ処理装置が所定の性能を維持していないと
判断する（ステップ４０３）。
【０２０２】次にサーバー２１０は、上記性能評価の結
果を納入先の入出力装置２２０、及び搬送元の出力装置
２４０の双方に提供する（ステップ４０４）。この内、
入出力装置２２０に対しては、プリントアウトや画面表
示の指令信号を送信したり、あるいは、音声信号を送信
したりする。具体的には、所定の性能を維持していると
判断した場合には、例えば「ご照会の装置の性能は、適
切に維持されておりますので、そのままご使用くださ
い。」といったメッセージを、所定の信号を維持してい
ないと判断した場合には、例えば「ご照会の装置の性能
は、適切に維持されていない恐れがありますので、取扱
説明書に従い調整をお願いします。」といったメッセー
ジを、プリントアウト、画面表示、音声等で顧客やサー
ビスマン等に伝えられるようにする。また、サーバー２
１０は、出力装置２４０に対しても、プリントアウトや
画面表示の指令信号を送信したり、あるいは、警報音発
生信号を送信したりする。具体的には、所定の信号を維
持していないと判断した場合に、保守作業命令を送信す
る。なお、搬送元において、いずれの納入先のどの装置
が保守を必要としているかを判断するために、サーバー
２１０から出力装置２４０に対してプラズマ処理室の固
有番号も同時に提供される。
【０２０３】本実施形態のプラズマ処理装置の管理シス
テムにおいては、第５実施形態と同等の効果を奏すると
ともに、固有番号Ｓ毎に実際の値を記憶することで、よ
り精密な管理が可能となる。また、出力装置２４０に保
守作業命令と共に固有番号２４０の情報が提供されるの
で、搬送元において、何れのプロセス処理装置に問題が
生じたか、あるいは何れのプロセス処理装置のいずれの
プロセス処理室に問題が生じたか等を直ちに把握でき
る。
【０２０４】さらに、本実施形態では、高周波特性測定
器２６０の出力端子が入出力装置２２０に接続され、高
周波特性測定器２６０で測定されたプラズマ処理装置２
５０の高周波特性としての入力端子側交流抵抗ＲＡ、出
力端子側交流抵抗ＲＢが、入出力装置２２０及び通信回
線２３０を介して、直接サーバー２１０に送信されるよ
うになっており、入出力装置２２０がプラズマチャンバ
の固有番号Ｓの入力を受けると、高周波特性測定器２６
０の測定結果を読みとるようにプログラムされているた
め、プラズマチャンバの高周波特性としての入力端子側
交流抵抗ＲＡ1、出力端子側交流抵抗ＲＢ1 の測定値
が、入出力装置２２０のプログラムに従い、自動的に高
周波特性測定器２６０から入出力装置２２０に入力され
その後の性能評価を自動的に行うことができる。これに
より、あらかじめ設定した所定の時間が経過した時点に
おいて、入力端子側交流抵抗ＲＡ1 、出力端子側交流抵
抗ＲＢ1 の測定を自動的におこなうことや、所定の回数
のプラズマ処理がおこなわれた時点で、入力端子側交流
抵抗ＲＡ1 、出力端子側交流抵抗ＲＢ1 の測定を自動的
におこなうことができる。従って、プラズマ処理装置の
操作者は、装置のメンテナンスに対するメッセージに注
意するだけで、自ら高周波特性を測定することなく一定
の管理幅内にプラズマ処理装置の性能を維持するしてい
るか否かを判断することができる。
【０２０５】なお、複数のプラズマ処理室を備えたプラ
ズマ処理装置やプラズマ処理装置を複数備えたプラズマ
処理システムにおいては、各々のプラズマ処理室の動作
条件を揃え、同一のプロセスレシピで同等の成膜特性を
得るために、同等の高周波特性を設定することが望まし
い。そのため、固有入力端子側交流抵抗ＲＡ0 や固有出
力端子側交流抵抗ＲＢ0 は、プロセス処理室間でバラツ
キなく設定することが望ましいが、納入先の事情等種々
の要因により他のプロセス処理装置と大きく異なる値を
設定しても差し支えない。
【０２０６】以下、本発明に係るプラズマ処理装置の性
能管理システムを第８実施形態として、図面に基づいて
説明する。 ［第８実施形態］本実施形態に係るプラズマ処理装置の
性能管理システムのシステム構成もまた、第７実施形態
の図２４で示される。本実施形態と第７実施形態との構
成上の相違は、サーバー２１０が、エンジニア情報６０
１として、各々所定の値の範囲によって決められた故障
レベルを含む状態レベルと、故障レベルに対応して登録
されたサービスエンジニアの情報を記憶しているもので
ある点である。表１は、エンジニア情報６０１の一例を
示すものである。
【０２０７】
【表１】
【０２０８】以下、図２４を参照しながら、図２６のフ
ローチャートに従い、本実施形態における処理動作を説
明する。図２６は本実施形態に係るプラズマ処理装置の
性能管理システムで実現される評価情報提供方法を示す
フローチャートである。図２６のフローチャートにおけ
るステップ５０１及びステップ５０２は、各々図２５の
ステップ４０１、４０２と同一なのでその説明を省略す
る。
【０２０９】ステップ５０２で｜ΔＲＡ｜，｜ΔＲＢ｜
を求めた後、サーバー２１０は、｜ΔＲＡ｜および｜Δ
ＲＢ｜をそれぞれエンジニア情報６０１に照らして、ど
の状態レベルにあるかを評価する。そして、｜ΔＲＡ
｜，｜ΔＲＢ｜のレベルが、いずれかの故障レベルであ
ると評価した際は、当該故障レベルに対応してエンジニ
ア情報６０１に登録されているサービスエンジニアの情
報を呼び出す。（ステップ５０３）。なお、表１におい
て、｜ΔＲＡ｜と｜ΔＲＢ｜がそれぞれ所定の値に対し
てどのレベルにあるかは、それぞれ、式（２０Ａ）（２
０Ｂ） ｜ΔＲＡ｜ ； Ｃ×ＲＡ0 （２０Ａ） ｜ΔＲＢ｜ ； Ｃ×ＲＢ0 （２０Ｂ） における係数Ｃの値を示している。
【０２１０】次にサーバー２１０は、上記性能評価の結
果として、状態レベルを納入先の入出力装置２２０、及
び搬送元の出力装置２４０の双方に提供する（ステップ
５０４）。この内、入出力装置２２０に対しては、状態
レベル（故障レベル）をプリントアウトや画面表示の指
令信号を送信したり、あるいは、音声信号を送信したり
することにより発信する。具体的には、状態レベルは
「最良」であると判断した場合には、例えば「ご照会の
装置の性能は、適切に維持されておりますので、そのま
まご使用ください。」といったメッセージを、状態レベ
ルは「良」であると判断した場合には、例えば「ご照会
の装置の性能は、適切に維持されておりますが、そろそ
ろ点検が必要です。」といったメッセージを、状態レベ
ルが何れかの故障レベルであると判断した場合には、例
えば「ご照会の装置は、故障レベル２に該当します。性
能が適切に維持されていない恐れがありますので、サー
ビスエンジニアに調整を依頼してください。」といった
メッセージを、プリントアウト、画面表示、音声等で顧
客やサービスマン等に伝えられるようにする。
【０２１１】また、サーバー２１０は、出力装置２４０
に対しては、状態レベルがいずれかの故障レベルに該当
する場合、状態レベルだけでなく、当該故障レベルに対
応したサービスエンジニアの情報と共に保守作業命令を
出力する。この場合、たとえば、故障レベル１の場合に
は○○○，×××といった特定された技術を有するエン
ジニアを指定するとともに、故障レベルに対応して、派
遣指示するエンジニアを指定できるようになっている。
このエンジニアの指定情報に関しては、搬送元の出力装
置２４０のみに出力することが好ましい。
【０２１２】本実施形態のプラズマ処理装置の管理シス
テムによれば、搬送元において、保守作業命令が出力さ
れると共に、どの程度の故障レベルかや、その故障レベ
ルに応じてランク分けされたサービスエンジニアの情報
も出力される。そのため、このシステムによれば、遠隔
地に納入したプラズマ処理装置であっても、搬送元にお
いて、その故障レベルを把握することができる。そし
て、その故障レベルに応じて、教育訓練度合の異なるサ
ービスエンジニアを派遣することができる。従って、人
材活用が合理化できると共に、迅速、かつ、的確なサポ
ートが可能となる。すなわち、装置納入後のフィールド
サポート体制の合理化が可能となるものである。本管理
システムの対象となるプラズマ処理装置に特に限定はな
く、上記の各実施形態において示したプラズマ処理装
置、および、後述する実施形態において示したプラズマ
処理装置、又は後述するプラズマ処理システムにおける
各プラズマ処理装置等も対象となる。
【０２１３】以下、本発明に係るプラズマ処理装置の性
能確認システムの他の実施形態を、図面に基づいて説明
する。なお、以下の説明では、購入発注者を単に発注
者、また販売保守者を単に保守者という。図２７は本実
施形態のプラズマ処理装置の性能確認システムのシステ
ム構成図である。
【０２１４】この図において、参照符号Ｃ1 ，Ｃ2 ，…
…はクライアント・コンピュータ（以下、単にクライア
ントという）、Ｓはサーバ・コンピュータ（性能状況情
報提供手段，以下単にサーバという）、Ｄはデータベー
ス・コンピュータ（基準情報記憶手段，以下単にデータ
ベースという）、またＮは公衆回線である。クライアン
トＣ1 ，Ｃ2 ，……とサーバＳとデータベースＤとは、
この図に示すように公衆回線Ｎを介して相互に接続され
ている。
【０２１５】クライアントＣ1 ，Ｃ2 ，……は、一般に
広く普及しているインターネットの通信プロトコル（Ｔ
ＣＰ／ＩＰ等）を用いてサーバＳと通信する機能（通信
機能）を備えたものである。このうち、クライアントＣ
1 （発注者側情報端末）は、発注者が保守者に発注した
プラズマ処理装置またはプラズマ処理装置を複数有する
プラズマ処理システムのプラズマチャンバの性能状況を
公衆回線Ｎを介して確認するためのコンピュータであ
り、サーバＳが保持する「プラズマチャンバの性能情報
提供ページ」を情報提供ページ（Ｗｅｂページ）として
閲覧する機能（プラズマチャンバの性能状況情報閲覧機
能）を備えたものである。また、クライアントＣ2 （保
守者側情報端末）は、保守者が上記「性能状況情報」の
一部である「第１直列共振周波数ｆ0 情報」をサーバＳ
にアップロードするとともに、クライアントＣ1 を介し
て発注者から発せられた電子メールを受信するためのも
のである。ここで、プラズマ処理装置またはプラズマ処
理システムは、上記の各実施形態に準じる構成とされ、
これらと同様のプラズマ処理ユニット（プラズマチャン
バ）を有する構成とされるとともに、チャンバ数等の構
成条件は、任意に設定可能なものとされる。
【０２１６】上記サーバＳの通信機能は、公衆回線Ｎが
アナログ回線の場合にはモデムによって実現され、公衆
回線ＮがＩＳＤＮ（Integrated Services Digital Netw
ork）等のデジタル回線の場合には専用ターミナルアダ
プタ等によって実現される。サーバＳは、性能状況情報
提供用のコンピュータであり、上記クライアントＣ1 か
ら受信される閲覧要求に応じて、性能状況情報をインタ
ーネットの通信プロトコルを用いてクライアントＣ1 に
送信する。ここで、上述した発注者が保守者からプラズ
マ処理装置を納入された時点では、性能状況情報を閲覧
するための個別の「閲覧専用パスワード」が保守者から
個々の発注者に提供されるようになっている。このサー
バＳは、正規な閲覧専用パスワードが提供された場合の
み、性能状況情報のうち動作保守状況情報をクライアン
トＣ1 に送信するように構成されている。
【０２１７】ここで、具体的詳細については後述する
が、上記「性能状況情報」は、保守者の販売するプラズ
マ処理装置またはプラズマ処理システムにおけるプラズ
マチャンバの機種に関する情報、各機種における仕様書
としての品質性能情報、納入された各実機における品質
性能を示すパラメータの情報、および、このパラメー
タ、メンテナンスの履歴情報等から構成されている。こ
のうち、各実機における品質性能、パラメータ、メンテ
ナンスの履歴情報については、「閲覧専用パスワード」
が提供された発注者のみに閲覧可能となっている。
【０２１８】また、これら「性能状況情報」は、保守者
または発注者からサーバＳに提供されるとともに実際の
動作・保守状況を示す「動作保守状況情報」と、データ
ベースＤに蓄積されると共にカタログとして未購入のク
ライアントが閲覧可能な「性能基準情報」とから構成さ
れるものである。「性能基準情報」は、保守者が各プラ
ズマチャンバによっておこなうプラズマ処理に対して客
観的に性能を記述するためのものであり、プラズマＣＶ
Ｄ、スパッタリングなどの成膜処理においては、成膜状
態を予測可能とするものである。
【０２１９】本実施形態では、これら「性能基準情報」
は、データベースＤに蓄積されるようになっている。サ
ーバＳは、クライアントＣ1 から受信される「性能状況
情報」の閲覧要求に対して、データベースＤを検索する
ことにより必要な「性能基準情報」を取得して、「性能
状況情報提供ページ」として発注者のクライアントＣ1
に送信するように構成されている。また、サーバＳは、
「閲覧専用パスワード」が提供された発注者から受信さ
れる「性能状況情報」の閲覧要求に対しては、同様に、
データベースＤを検索することにより必要な「性能基準
情報」を取得するとともに、当該「性能基準情報」にク
ライアントＣ2 を介して保守者から提供された「動作保
守状況情報」を組み合わせて「性能状況情報」を構成
し、「性能状況情報提供ページ」として発注者のクライ
アントＣ1 に送信するように構成されている。
【０２２０】データベースＤは、このような「性能状況
情報」を構成する「性能基準情報」をプラズマ処理装置
またはプラズマ処理システムのプラズマチャンバの機種
毎に記憶蓄積するものであり、サーバＳから受信される
検索要求に応じてこれら「性能基準情報」を読み出して
サーバＳに転送する。図２７では１つのサーバＳのみを
示しているが、本実施形態では、汎用性のある「性能基
準情報」を保守者が複数箇所から管理する複数のサーバ
間で共通利用することが可能なように、これらサーバと
は個別のデータベースＤに「性能基準情報」を蓄積する
ようにしている。
【０２２１】次に、このように構成されたプラズマ処理
装置またはプラズマ処理システムの性能確認システムの
動作について、図２８に示すフローチャートに沿って詳
しく説明する。なお、このフローチャートは、上記サー
バＳにおける「性能状況情報」の提供処理を示すもので
ある。
【０２２２】通常、保守者は、不特定の発注者に対して
販売するプラズマ処理装置またはプラズマ処理システム
における各プラズマチャンバの「性能状況情報」、特に
「性能基準情報」を購入時の指標として提示することに
なる。一方、発注者は、この「性能基準情報」によって
プラズマチャンバＣＮにどのような性能、つまりどのよ
うなプラズマ処理が可能なのかを把握することができ
る。
【０２２３】また、保守者は、特定の発注者に対して納
入したプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムに
おけるプラズマチャンバの「性能状況情報」のうち、
「性能基準情報」を使用時の指標として提示するととも
に、「動作保守状況情報」を動作状態のパラメータとし
て提示することになる。一方、ユーザーとしての発注者
は、「性能基準情報」と「動作保守状況情報」とを比較
することによってプラズマ処理装置またはプラズマ処理
システムにおける各プラズマチャンバの動作確認をおこ
なうとともにメンテナンスの必要性を認識し、かつ、プ
ラズマ処理状態の状態を把握することができる。
【０２２４】例えば、プラズマ処理装置またはプラズマ
処理システムを保守者から購入しようとする発注者は、
サーバＳにアクセスすることにより、以下のようにして
自らが購入しようとするプラズマ処理装置またはプラズ
マ処理システムの「性能状況情報」の実体を容易に確認
することができる。
【０２２５】まず、発注者がアクセスしようとした場合
には、予め設定されたサーバＳのＩＰアドレスに基づい
てクライアントＣ1 からサーバＳに表示要求が送信され
る。一方、サーバＳは、上記表示要求の受信を受信する
と（ステップＳ１）、カタログページＣＰをクライアン
トＣ1 に送信する（ステップＳ２）。図２９は、このよ
うにしてサーバＳからクライアントＣ1 に送信されたメ
インページＣＰの一例である。このカタログページＣＰ
には、保守者が販売する多数の機種毎にその「性能状況
情報」のうち「性能基準情報」を表示するための機種選
択ボタンＫ１，Ｋ２，Ｋ３，Ｋ４…、と、後述するよう
に、プラズマ処理装置またはプラズマ処理システムを保
守者から納入された発注者の使用するカスタマーユーザ
画面の表示要求をするためのカスタマーユーザボタンＫ
４から構成されている。
【０２２６】例えば、発注者がクライアントＣ1 に備え
られたポインティングデバイス（例えばマウス）等を用
いることによって上記プラズマ処理装置またはプラズマ
処理システムの機種を選択指定した後、機種選択ボタン
Ｋ１〜Ｋ４…のいずれかを選択指定すると、この指示
は、「性能状況情報」のうち「性能基準情報」の表示要
求としてサーバＳに送信される。
【０２２７】この表示要求を受信すると（ステップＳ
３）、サーバＳは、選択された機種のうち、表示要求さ
れた情報に該当するサブページをクライアントＣ1 に送
信する。すなわち、サーバＳは、「性能基準情報」の表
示が要求された場合（Ａ）、図３０に示すような選択さ
れた機種を指定することによってデータベースＤから
「真空性能」「給排気性能」「温度性能」「プラズマ処
理室電気性能」等のデータ、およびこれらのデータにお
けるプラズマ処理装置またはプラズマ処理システム毎
の、各パラメータのばらつきの値のデータを取得し、こ
れらの掲載された仕様書ページＣＰ１をクライアントＣ
1 に送信する（ステップＳ４）。
【０２２８】仕様書ページＣＰ１には、図３０に示すよ
うに、選択された機種を示す機種種別Ｋ６、真空性能表
示欄Ｋ７、給排気性能表示欄Ｋ８、温度性能表示欄Ｋ
９、プラズマ処理室電気性能表示欄Ｋ１０から構成され
ている。これらは、選択された機種のプラズマチャンバ
における「性能基準情報」に対応するものであり、それ
ぞれ、真空性能表示欄Ｋ７には、 到達真空度 １×１０-4Ｐａ以下 操作圧力 ３０〜３００Ｐａ 給排気性能表示欄Ｋ８には、 最大ガス流量 ＳｉＨ4 １００ＳＣＣＭ ＮＨ3 ５００ＳＣＣＭ Ｎ2 ２０００ＳＣＣＭ 排気特性 ５００ＳＣＣＭ流して２０Ｐａ以下 温度性能表示欄Ｋ９には、 ヒータ設定温度 ２００〜３５０±１０℃ チャンバ設定温度 ６０〜８０±２．０℃ の項目が記載されている。ここで、ＳＣＣＭ(standard
cubic centimeters per minute) は、標準状態（０℃、
１０１３ｈＰａ）に換算した際におけるガス流量を表し
ており、ｃｍ3／ｍｉｎ に等しい単位を表している。
【０２２９】そしてこれらのパラメータＰに対して、そ
れぞれのプラズマ処理装置またはプラズマ処理システム
における各プラズマチャンバ毎のばらつきを、それぞれ
のパラメータＰのうちその最大値Ｐmax と最小値Ｐmin
のばらつきを、以下の式（１０Ｂ） （Ｐmax −Ｐmin ）／（Ｐmax ＋Ｐmin ） （１０Ｂ） として定義し、これらのばらつきの値の各プラズマ処理
装置またはプラズマ処理システムにおける設定範囲をそ
れぞれのパラメータの項目に対して表示する。
【０２３０】また、プラズマ処理室電気性能表示欄Ｋ１
０には、前述した第１〜第５実施形態で説明した入力端
子側交流抵抗ＲＡおよび出力端子側交流抵抗ＲＢの値、
および、このばらつきの設定範囲が記載される。また、
これ以外にも、電力周波数ｆ e におけるプラズマチャン
バのレジスタンスＲおよびリアクタンスＸ、そして、プ
ラズマ励起電極４とサセプタ電極８間のプラズマ容量Ｃ
0 、プラズマ励起電極４と、プラズマチャンバの接地電
位とされる各部との間のロス容量ＣX 、そして、後述す
る第１直列共振周波数ｆ0 等の値が記載される。また、
仕様書ページＣＰ１には、「プラズマ処理装置またはプ
ラズマ処理システムの納入時においては各パラメータ値
がこのページに記載された設定範囲内にあることを保証
します」という性能保証の文言が記載される。
【０２３１】これにより、従来は、考慮されていなかっ
たプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムの全体
的な電気的高周波的な特性およびプラズマチャンバの電
気的特性のばらつきを購入時の新たなる指標として提示
することができる。また、クライアントＣ1 またはクラ
イアントＣ2 において、これら性能状況情報をプリンタ
等に出力しハードコピーを作ることにより、上記の性能
状況情報内容の記載されたカタログまたは仕様書として
出力することが可能である。さらに、入力端子側交流抵
抗ＲＡおよび出力端子側交流抵抗ＲＢ、第１直列共振周
波数ｆ0 、レジスタンスＲ、アクタンスＸ、容量Ｃ0 ，
ＣX 等の値および上記性能保証の文言をクライアントＣ
1 …の端末、カタログまたは仕様書等に提示することに
より、発注者が、電機部品を吟味するようにプラズマチ
ャンバＣＮの性能を判断して保守者から購入することが
可能となる。
【０２３２】なお、サーバＳは、このようなサブページ
のクライアントＣ1 への送信が完了した後に、クライア
ントＣ1 から接続解除要求が受信されない場合は（ステ
ップＳ５）、次のサブページの表示要求を待って待機し
（ステップＳ３）、一方、クライアントＣ1 から接続解
除要求が受信された場合には（ステップＳ５）、当該ク
ライアントＣ1 との交信を終了する。
【０２３３】ここで、第１直列共振周波数ｆ0 の定義に
ついて説明する。まず、プラズマチャンバのインピーダ
ンスの周波数依存性を計測する。このとき、前述したよ
うにプラズマチャンバのインピーダンス測定範囲を規定
し、このインピーダンス測定範囲に対して、供給する電
力周波数ｆe を含む範囲で測定周波数を変化させてイン
ピーダンスのベクトル量（Ｚ，θ）を測定することによ
り、プラズマチャンバのインピーダンスの周波数依存性
を計測する。ここで、例えば１３．５６ＭＨｚ，２７．
１２ＭＨｚ，４０．６８ＭＨｚ等の値に設定される電力
周波数ｆe に対応して、測定周波数を例えば１ＭＨｚ〜
１００ＭＨｚ程度の範囲に設定する。ついで、測定周波
数に対してインピーダンスＺと位相θをプロットしてイ
ンピーダンス特性曲線および位相曲線を描画し、インピ
ーダンスＺの極小値のうち周波数の最小のもの、つま
り、測定周波数の低い側から数えて一番最初に位相θが
マイナスからプラスに変化したときに、位相θがゼロと
なる周波数を、第１直列共振周波数ｆ0 として定義した
ものである。
【０２３４】一方、プラズマ処理装置またはプラズマ処
理システムを保守者から納入した発注者は、サーバＳに
アクセスすることにより、以下のようにして自らが購入
したプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムにお
けるプラズマチャンバの「性能状況情報」の実体を容易
に確認することができる。この発注者は保守者と売買契
約を締結した時点で、発注者個別に対応するとともに、
購入したプラズマ処理装置またはプラズマ処理システム
の機種番号、およびそれぞれのプラズマチャンバの機種
番号にも対応可能なカスタマーユーザＩＤと、プラズマ
処理装置またはプラズマ処理システムおよびその各プラ
ズマチャンバの「動作保守状況情報」を閲覧するための
個別の「ユーザー専用パスワード（閲覧専用パスワー
ド）」が保守者から個々の発注者に提供されるようにな
っている。このサーバＳは、正規な閲覧専用パスワード
が提供された場合のみ、「動作保守状況情報」をクライ
アントＣ1 に送信するように構成されている。
【０２３５】まず、発注者がアクセスしようとした場合
には、前述のカタログページＣＰにおいて、カスタマー
ユーザボタンＫ５を指定操作することにより、発注者は
カスタマーユーザ画面の表示要求をサーバＳに送信す
る。一方、サーバＳは、上記表示要求の受信を受信する
と（ステップＳ３−Ｂ）、当該発注者に対して、「閲覧
専用パスワード」の入力を促す入力要求としてのサブペ
ージをクライアントＣ1 に送信する（ステップＳ６）。
図３１はカスタマーユーザページＣＰ２を示すものであ
り、このカスタマーユーザページＣＰ２はカスタマーユ
ーザＩＤ入力欄Ｋ１１、およびパスワード入力欄Ｋ１２
から構成される。
【０２３６】この入力要求としてのカスタマーユーザペ
ージＣＰ２はクライアントＣ1 に表示されるので、発注
者は、当該入力要求に応答してプラズマ処理装置または
プラズマ処理システムおよびその各プラズマチャンバの
識別を可能とするために、保守者から供与された「閲覧
専用パスワード」を「カスタマーユーザＩＤ」とともに
クライアントＣ1 に入力することになる。ここで、発注
者は、図３１に示すカスタマーユーザＩＤ入力欄Ｋ１１
およびパスワード入力欄Ｋ１２に、それぞれ、カスタマ
ーコードＩＤとパスワードを入力する。サーバＳは、ク
ライアントＣ1から正規の「カスタマーユーザＩＤ」お
よび「閲覧専用パスワード」が受信された場合のみ（ス
テップＳ７）、当該「閲覧専用パスワード」に予め関連
付けられた「動作保守状況情報」のサブページをクライ
アントＣ1 に送信する（ステップＳ９）。
【０２３７】すなわち、「動作保守状況情報」の閲覧
は、上記プラズマ処理装置またはプラズマ処理システム
の購入契約を締結した特定の発注者のみ、つまり正規の
「閲覧専用パスワード」を知り得るもののみに許可され
るようになっており、当該発注者以外の第３者がサーバ
Ｓにアクセスしても「動作保守状況情報」を閲覧するこ
とができない。通常、保守者は同時に多数の発注者との
間で納入契約を締結するとともに、各々の発注者へ複数
のプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムの納入
を同時に並行して行う場合があるが、上記「閲覧専用パ
スワード」は、個々の発注者毎および各プラズマ処理装
置またはプラズマ処理システムおよびその各プラズマチ
ャンバ毎に相違するものが提供されるので、個々の発注
者は、各プラズマ処理装置またはプラズマ処理システム
およびその各プラズマチャンバに対して、それぞれ自ら
に提供された「閲覧専用パスワード」に関連付けられた
「動作保守状況情報」を個別に閲覧することができる。
【０２３８】したがって、納入に係わる秘密情報が発注
者相互間で漏洩することを確実に防止することができる
とともに、複数のプラズマ処理装置またはプラズマ処理
システムが納入された場合にでもそれぞれのプラズマ処
理装置またはプラズマ処理システムおよびその各プラズ
マチャンバを個別に識別可能とすることができる。な
お、サーバＳは、正規の「閲覧専用パスワード」が受信
されない場合には（ステップＳ７）、接続不許可メッセ
ージをクライアントＣ1 に送信して（ステップＳ８）、
発注者に「閲覧専用パスワード」を再度入力するように
促す。発注者が「閲覧専用パスワード」を誤入力した場
合には、この機会に正規の入力を行うことにより「動作
保守状況情報」を閲覧することができる。
【０２３９】このＩＤ、パスワードが確認されると（ス
テップＳ７）、サーバＳは、表示要求された情報に該当
するサブページをデータベースＤから読み出してクライ
アントＣ1 に送信する。すなわち、サーバＳは、ユーザ
ＩＤによって識別された個別のプラズマ処理装置または
プラズマ処理システムおよびその各プラズマチャンバに
対する「性能基準情報」「動作保守状況情報」の表示が
要求された場合、機種を指定することによってデータベ
ースＤから「真空性能」「給排気性能」「温度性能」
「プラズマ処理室電気性能」等のデータを取得し、これ
らの掲載された仕様書ページＣＰ３をクライアントＣ1
に送信する（ステップＳ９）。
【０２４０】図３２は、このようにしてサーバＳからク
ライアントＣ1 に送信された「動作保守状況情報」のサ
ブページＣＰ３である。このメンテナンス履歴ページＣ
Ｐ３には、図３２に示すように、納入されたプラズマ処
理装置またはプラズマ処理システムおよびその各プラズ
マチャンバの機械番号を示すロット番号表示Ｋ１３、真
空性能表示欄Ｋ７、給排気性能表示欄Ｋ８、温度性能表
示欄Ｋ９、プラズマ処理室電気性能表示欄Ｋ１０、そし
て、真空性能メンテナンス欄Ｋ１４、給排気性能メンテ
ナンス欄Ｋ１５、温度性能メンテナンス欄Ｋ１６、プラ
ズマ処理室電気性能メンテナンス欄Ｋ１７から構成され
ている。これらは、納入された実機の「動性能基準情
報」および「動作保守状況情報」に対応するものであ
り、それぞれ、真空性能表示欄Ｋ７、真空性能メンテナ
ンス欄Ｋ１４には、 到達真空度 １．３×１０-5Ｐａ以下 操作圧力 ２００Ｐａ 給排気性能表示欄Ｋ８、給排気性能メンテナンス欄Ｋ１
５には、 ガス流量 ＳｉＨ4 ４０ＳＣＣＭ ＮＨ3 １６０ＳＣＣＭ Ｎ2 ６００ＳＣＣＭ 排気特性 ６．８×１０-7Ｐａ・ｍ3／ｓｅｃ 温度性能表示欄Ｋ９、温度性能メンテナンス欄Ｋ１６に
は、 ヒータ設定温度 ３０２．３±４．９℃ チャンバ設定温度 ８０．１±２．１℃ の項目が記載されている。
【０２４１】そしてこれらのパラメータＰに対して、そ
れぞれのプラズマ処理装置またはプラズマ処理システム
における各プラズマチャンバ毎のばらつきを、それぞれ
のパラメータＰのうちその最大値Ｐmax と最小値Ｐmin
のばらつきを、以下の式（１０Ｂ） （Ｐmax −Ｐmin ）／（Ｐmax ＋Ｐmin ） （１０Ｂ） として定義し、これらのばらつきの値の各プラズマ処理
装置またはプラズマ処理システムにおける設定範囲をそ
れぞれのパラメータの項目に対して表示する。
【０２４２】またこのパラメータＰとしての高周波特性
Ｐにおける、時刻ｔ0 （販売前の初期時）とその後の時
刻ｔ1 （納入販売後の接地完了時または各処理動作終了
時）における値Ｐ0 、Ｐ1 の差ΔＰの絶対値は、プラズ
マ処理装置の性能変動幅と密接な関連を有すること、及
びこの値が所定の値よりも小さければ、性能変動幅も所
定の範囲内であると見なせることを見いだし、このΔＰ
の絶対値と所定の値を比較することにより、プラズマ処
理装置の性能評価を可能とした。
【０２４３】さらに、このサブページＣＰ３には、各プ
ラズマチャンバ毎のメンテナンス欄を表示するための
「詳細」ボタンＫ１８が各メンテナンス履歴欄Ｋ１４，
Ｋ１５，Ｋ１６，Ｋ１７ごとに設けられ、発注者が、当
該情報を閲覧可能となっている。
【０２４４】発注者が、当該詳細欄により表示要求をお
こなった場合には、メンテナンス履歴の詳細情報の記載
されたメンテナンス詳細ページＣＰ４がデータベースＤ
からクライアントＣ1 に送信する。
【０２４５】図３３は、このようにしてサーバＳからク
ライアントＣ1 に送信された「詳細メンテナンス情報」
のサブページＣＰ４である。図には電気性能メンテナン
スのページを示している。このメンテナンス履歴ページ
ＣＰ４には、図３３に示すように、納入されたプラズマ
処理装置またはプラズマ処理システムおよびその各プラ
ズマチャンバの機械番号を示すロット番号表示Ｋ１３、
選択された各メンテナンス欄が表示される。ここで、各
メンテナンス欄としては、各プラズマチャンバに対応す
るパラメータＰのメンテナンス時の値と、これらのパラ
メータＰのばらつきの値とが、プラズマ処理装置または
プラズマ処理システム、および、各プラズマチャンバ毎
のロット番号毎に表示される。
【０２４６】また、プラズマ処理室電気性能表示欄Ｋ１
０およびプラズマ処理室電気性能メンテナンス欄Ｋ１７
には、前述した第１〜第５実施形態で説明したように、
入力端子側交流抵抗ＲＡおよび出力端子側交流抵抗ＲＢ
の値、および、このばらつきの設定範囲が記載される。
また、これ以外にも、電力周波数ｆe におけるプラズマ
チャンバの交流抵抗ＲＡ，ＲＢ、およびアクタンスＸ、
そして、プラズマ励起電極４とサセプタ電極８間のプラ
ズマ容量Ｃ0 、プラズマ励起電極４と、プラズマチャン
バの接地電位とされる各部との間のロス容量ＣX 等の値
が記載される。
【０２４７】同時に、データベースＤから「性能基準情
報」としての「真空性能」「給排気性能」「温度性能」
「プラズマ処理室電気性能」等のデータを取得し、これ
らを図３２，図３３に示すように、「動作保守状況情
報」とセットでメンテナンス履歴ページＣＰ３、メンテ
ナンス詳細ページＣＰ４に表示することにより、「性能
基準情報」を参照して「動作保守状況情報」を閲覧する
ことができ、これにより、発注者は、納入されたプラズ
マ処理装置またはプラズマ処理システムおよびプラズマ
チャンバの「性能状況情報」のうち、「性能基準情報」
を使用時の指標として確認するとともに、「動作保守状
況情報」を動作状態を示すパラメータとして検討するこ
とができる。同時に、「性能基準情報」と「動作保守状
況情報」とを比較することによってプラズマ処理装置ま
たはプラズマ処理システムおよびプラズマチャンバの動
作確認をおこなうとともにメンテナンスの必要性を認識
し、かつ、プラズマ処理状態の状態を把握することがで
きる。
【０２４８】なお、サーバＳは、このようなサブページ
ＣＰ３、ＣＰ４のクライアントＣ1への送信が完了した
後に、クライアントＣ1 から接続解除要求が受信されな
い場合は（ステップＳ５）、接続不許可メッセージをク
ライアントＣ1 に送信して（ステップＳ８）、発注者に
「閲覧専用パスワード」を再度入力するか、次のサブペ
ージの表示要求を待って待機し（ステップＳ３）、一
方、クライアントＣ1 から接続解除要求が受信された場
合には（ステップＳ５）、当該クライアントＣ1との交
信を終了する。
【０２４９】本実施形態のプラズマ処理装置またはプラ
ズマ処理システムの性能確認システムにおいて、購入発
注者が販売保守者に発注したプラズマ処理装置またはプ
ラズマ処理システムの動作性能状況を示す性能状況情報
の閲覧を公衆回線を介して要求する購入発注者側情報端
末と、販売保守者が前記性能状況情報をアップロードす
る販売保守者側情報端末と、前記購入発注者側情報端末
の要求に応答して、販売保守者側情報端末からアップロ
ードされた性能状況情報を購入発注者側情報端末に提供
する性能状況情報提供手段と、を具備することができ、
さらに、前記性能状況情報が、時刻ｔ0 と時刻ｔ1 にお
ける前記入力端子側交流抵抗ＲＡおよび出力端子側交流
抵抗ＲＢおよびこのパラメータに対して、時間経過後の
性能評価をおこなうための｜ΔＲＡ｜｜ΔＲＢ｜の値、
および、それぞれのプラズマ処理装置またはプラズマ処
理システムにおける各プラズマチャンバ毎のばらつきの
値を含むとともに、前記性能状況情報が、カタログまた
は仕様書として出力されることにより、販売保守者がア
ップロードしたプラズマ処理装置またはプラズマ処理シ
ステムおよびそのプラズマチャンバの性能基準情報およ
び動作保守状況情報からなる性能状況情報に対して、購
入発注者が情報端末から公衆回線を介して閲覧を可能と
することにより、発注者に対して、購入時に判断基準と
なる情報を伝達することが可能となり、かつ、使用時に
おける、プラズマ処理装置またはプラズマ処理システム
およびそのプラズマチャンバごとの動作性能・保守情報
を容易に提供することが可能となる。また、前記性能状
況情報が、上述したようにプラズマチャンバに対する性
能パラメータとしての時刻ｔ0 と時刻ｔ1 における前記
入力端子側交流抵抗ＲＡおよび出力端子側交流抵抗ＲＢ
およびこのパラメータに対して、経過後の性能評価をお
こなうための｜ΔＲＡ｜｜ΔＲＢ｜の値およびそのばら
つきの値を含むことにより、発注者のプラズマ処理装置
またはプラズマ処理システムその各プラズマチャンバに
対する性能判断材料を提供できるとともに、購入時にお
ける適切な判断をすることが可能となる。さらに、前記
性能状況情報を、カタログまたは仕様書として出力する
ことができる。
【０２５０】以下、本発明に係るプラズマ処理装置，プ
ラズマ処理システムの第９実施形態を、図面に基づいて
説明する。 ［第９実施形態］図３４は本実施形態のプラズマ処理シ
ステムの概略構成を示す模式図である。
【０２５１】本実施形態のプラズマ処理システムは、図
１に示した第１実施形態と略同等のプラズマ処理装置７
１，７１’と、図１０〜図２０に示した第２〜第４実施
形態と略同等のプラズマ処理装置９１と、を組み合わせ
て概略構成されている。先に説明した第１ないし第４実
施形態の構成要素に対応するものには同一の符号を付し
てその説明を省略する。
【０２５２】本実施形態のプラズマ処理システムは、図
３４に示すように、３つのプラズマ処理室ユニット（プ
ラズマチャンバ）９５，９６，９７を有するプラズマ処
理装置７１、２つのプラズマ処理室ユニット（プラズマ
チャンバ）９５，９６を有するプラズマ処理装置９１、
および、３つのプラズマ処理室ユニット（プラズマチャ
ンバ）９５，９６，９７を有するプラズマ処理装置７
１’が製造ラインの一部を構成するものとされている。
ここで、図１に示したような第１実施形態のプラズマ処
理装置７１，７１’の部分において、プラズマ処理室ユ
ニット（プラズマチャンバ）７５，７６，７７に替え
て、図１０〜図２０に示した第２〜第４実施形態におけ
る２周波数励起タイプのプラズマ処理室ユニット（プラ
ズマチャンバ）９５と略同等のプラズマ処理室ユニット
を３つ有する構成とされており、これらプラズマ処理室
ユニット（プラズマチャンバ）９５，９６，９７は略同
一の構造とされている。
【０２５３】本実施形態のプラズマ処理システムは、図
３４に示すように、各プラズマチャンバ９５，９６，９
７における前述のインピーダンス測定用端子６１，スイ
ッチＳＷ５がスイッチＳＷ３を介してインピーダンス測
定器ＡＮに接続されている。スイッチＳＷ３は各プラズ
マチャンバ９５，９６，９７の測定時に測定対象のプラ
ズマチャンバ９５，９６，９７とインピーダンス測定器
ＡＮとのみを接続して、それ以外のプラズマチャンバ９
５，９６，９７を切断するよう切り替えるスイッチとし
て設けられている。そして、この測定用端子６１から、
スイッチＳＷ３までのインピーダンスが、各プラズマチ
ャンバ９５，９６，９７に対して等しくなるように、測
定用の同軸ケーブルの長さが等しく設定されている。イ
ンピーダンス測定用端子６１には、図１５，図１７に示
す第３実施形態と同様にして、インピーダンス測定器Ａ
Ｎのプローブが着脱自在に接続されている。
【０２５４】本実施形態においては、計測したプラズマ
チャンバ９５に対する入力端子側交流抵抗ＲＡ95、プラ
ズマチャンバ９６に対する入力端子側交流抵抗ＲＡ96、
プラズマチャンバ９７に対する入力端子側交流抵抗ＲＡ
97のうち、その最大値ＲＡma x と最小値ＲＡmin に対し
て、式（１４Ａ）のように複数のプラズマチャンバ９
５，９６，９７の入力端子側交流抵抗ＲＡのばらつき<
ＲＡ>として定義し、この（１４Ａ）式で表されるばら
つきの値を０．５より小さい範囲の値に設定する。この
際、入力端子側交流抵抗ＲＡのばらつき<ＲＡ>を設定す
る方法としては、前述した〜等のような手法を適用
することができる。同時に、計測したプラズマチャンバ
９５に対する出力端子側交流抵抗ＲＢ95、プラズマチャ
ンバ９６に対する出力端子側交流抵抗ＲＢ96、プラズマ
チャンバ９７に対する出力端子側交流抵抗ＲＢ97のう
ち、その最大値ＲＢmax と最小値ＲＢmin に対して、式
（１４Ｂ）のように複数のプラズマチャンバ９５，９
６，９７の出力端子側交流抵抗ＲＢのばらつき<ＲＢ>と
して定義し、この（１４Ｂ）式で表されるばらつきの値
を０．５より小さい範囲の値に設定する。この際、入力
端子側交流抵抗ＲＢのばらつき<ＲＢ>を設定する方法と
しても、前述した〜等のような手法を適用すること
ができる。
【０２５５】そして、これらの複数のプラズマチャンバ
においては、前述したように、整合回路２Ａにおいて、
その入力端子側から測定した交流抵抗ＲＡ0 と出力端子
側から測定した交流抵抗ＲＢ0 とが、分解搬送後、納入
先において再組み立てした後においても、さらに、その
後の使用期間の時刻ｔ1 においても、その時の交流抵抗
ＲＡ1 ，ＲＢ1 （高周波特性）が、それぞれ、ＲＡ0 、
ＲＡ1 の差ΔＲＡの絶対値がＲＡ0 の０．５倍とされる
所定の値より小さい値に維持されるとともに、ＲＢ0 、
ＲＢ1 の差ΔＲＢの絶対値がＲＢ0 の０．５倍とされる
所定の値より小さい値に維持されて設計、製造されてい
る。
【０２５６】本実施形態のプラズマ処理システムにおい
ては、例えば、プラズマ処理前処理をおこなった被処理
基板１６に、プラズマ処理装置７１のプラズマチャンバ
９５，９６，９７において成膜処理をおこない、つい
で、熱処理室７９において加熱処理をおこない、その
後、レーザーアニール室７８においてアニール処理をお
こなう。次いで、この被処理基板１６をプラズマ処理装
置７１から搬出し、図示しないプラズマ処理装置７１と
同等の装置におけるプラズマ処理室において、被処理基
板１６に順次第２，第３の成膜処理をおこなう。次い
で、このプラズマ処理装置から搬出した被処理基板１６
に、図示しない別の処理装置において、フォトリソグラ
フィー工程によりフォトレジストの形成をおこなう。そ
して、被処理基板１６をプラズマ処理装置９１に搬入
し、プラズマチャンバ９５，９６においてプラズマエッ
チングをおこない、次いで、この被処理基板１６をプラ
ズマ処理装置９１から搬出し、図示しないプラズマ処理
装置９１と同等の装置におけるプラズマチャンバにおい
て、被処理基板１６に成膜処理をおこなう。次いで、図
示しないプラズマ処理装置から搬出された被処理基板１
６に、図示しない他の処理装置において、レジストを剥
離し、新たにフォトリソグラフィー工程によりパターニ
ングする。最後に、プラズマ処理装置７１’のプラズマ
チャンバ９５、９６，９７において被処理基板１６に順
次第１，第２，第３の成膜処理がおこなわれ、被処理基
板１６をプラズマ処理後処理へと送り、製造ラインにお
ける本実施形態のプラズマ処理システムにおける工程は
終了する。
【０２５７】本実施形態のプラズマ処理システムにおい
ては、第１，第２実施形態と同等の効果を奏するととも
に、プラズマチャンバ９５，９６，９７の整合回路２Ａ
の入力端子側交流抵抗ＲＡおよび出力端子側交流抵抗Ｒ
Ｂのうち、それぞれの最大値と最小値のばらつきを、
０．５より小さい範囲の値に設定することで、プラズマ
処理システム全体において、複数のプラズマ処理装置７
１，９１，７１’において、それぞれ、各プラズマチャ
ンバ９５，９６，９７に対する電気的高周波的な特性の
機差をなくすことが可能となり、これにより、プラズマ
処理システム全体においてインピーダンス特性を指標と
する一定の管理幅内に複数のプラズマチャンバ９５，９
６，９７の状態を設定することが可能となるので、個々
のプラズマチャンバ９５，９６，９７において、発生す
るプラズマ密度等をそれぞれ略均一にすることができ
る。
【０２５８】また、本実施形態のプラズマ処理システム
の個々のプラズマチャンバ９５，９６，９７において
は、分解、搬送、再組み立て、その後の使用（プラズマ
処理）、あるいは調整作業が施された後においても、交
流抵抗ＲＡ1 ，ＲＢ1 （高周波特性）が、それぞれ、Ｒ
Ａ0 、ＲＡ1 の差ΔＲＡの絶対値がＲＡ0 の０．５倍と
される所定の値より小さい値に維持されるとともに、Ｒ
Ｂ0 、ＲＢ1 の差ΔＲＢの絶対値がＲＢ0 の０．５倍と
される所定の値より小さい値に維持されている。そのた
め、ある時刻ｔ0 ，から時刻ｔ1 における時間が経過す
る間に、上記のような電気的高周波的な特性に影響を与
える可能性のある事象があった場合にも、その時間の前
後で、電気的高周波的な特性の差をなくすことが可能と
なり、これにより、交流抵抗ＲＡ，ＲＢ、容量、インピ
ーダンス特性を指標とする一定の管理幅内にそれぞれの
プラズマチャンバ９５，９６，９７の状態を時間的に維
持することが可能となるので、プラズマ空間で消費され
る実効的な電力等をそれぞれ略均一に維持することがで
きる。
【０２５９】その結果、プラズマ処理システム全体にお
いて複数のプラズマチャンバ９５，９６，９７に対して
同一のプロセスレシピを適用して、略同一のプラズマ処
理結果を得ること、つまり、複数のプラズマチャンバ９
５，９６，９７において例えば成膜をおこなった際に、
膜厚、絶縁耐圧、エッチングレート等、略均一な膜特性
の膜を得ることが可能となる。具体的には、上記のばら
つきの値を０．５より小さい範囲に設定することによ
り、略同一の条件で積層をおこなったプラズマチャンバ
９５，９６，９７において、膜厚のばらつきの値を±７
％の範囲におさめることができる。そのため、プラズマ
処理システムの全般的な電気的高周波的特性を設定する
ことが可能となり、個々のプラズマチャンバ９５，９
６，９７におけるプラズマ発生の安定性を期待すること
ができる。その結果、動作安定性が高く、各プラズマチ
ャンバ９５，９６，９７で均一な動作が期待できるプラ
ズマ処理システムを提供することが可能となる。これに
より、単一のプラズマ処理装置よりも多数のプラズマチ
ャンバ９５，９６，９７に対する膨大なデータから外部
パラメータと実際の基板を処理するような評価方法によ
る処理結果との相関関係によるプロセス条件の把握を不
必要とすることができる。
【０２６０】同時に、上記のような電気的高周波的な特
性に影響を与える可能性のある事象があった場合にも、
その時間の前後で同一のプロセスレシピを適用して、略
同一のプラズマ処理結果を得ること、つまり、それぞれ
のプラズマチャンバ９５，９６，９７において例えばあ
る時間を隔てて成膜をおこなった際に、経過した時間の
前後で、膜厚、絶縁耐圧、エッチングレート等、略同等
な膜特性の膜を得ることが可能となる。具体的には、上
記の差ΔＲＡの絶対値をＲＡ0 の０．５倍より小さい値
に維持するとともに、差ΔＲＢの絶対値がＲＢ0 の０．
５倍より小さい値に維持することにより、時間の経過に
かかわらず、すなわち、分解、搬送、再組み立てや使用
回数、調整作業等の存在にかかわらず、略同一の条件で
積層をおこなったそれぞれのプラズマチャンバ９５，９
６，９７において、膜厚のばらつきの値を±７％の範囲
におさめることができる。そのため、従来考慮されてい
なかった整合回路２Ａまでも含んだそれぞれのプラズマ
チャンバ９５，９６，９７の全般的な電気的高周波的特
性を設定することが可能となり、プラズマ発生の安定性
を期待することができる。その結果、動作安定性が高
く、それぞれのプラズマチャンバ９５，９６，９７で時
間的に均一な動作が期待できるプラズマ処理装置を提供
することが可能となる。さらに、複数のプラズマチャン
バ９５，９６，９７間においても、同一のプロセスレシ
ピを適用して、略同一のプラズマ処理結果が得られる状
態を時間経過的的に維持することが可能となる。
【０２６１】したがって、本実施形態のプラズマ処理シ
ステムおよびその検査方法によれば、新規設置時や調整
・保守点検時において、各プラズマチャンバ９５，９
６，９７ごとの機差をなくして処理のばらつきをなく
し、各プラズマチャンバ９５，９６，９７において同一
のプロセスレシピにより略同一の処理結果を得るために
必要な調整時間を、被処理基板１６への実際の成膜等に
よる検査方法を採用した場合に比べて、第１直列共振周
波数ｆ0 を測定することにより、大幅に短縮することが
できる。しかも、処理をおこなった基板の評価によりプ
ラズマ処理システムの動作確認および、動作の評価をお
こなうという２段階の方法でなく、ダイレクトにプラズ
マ処理システムの評価を、しかも、プラズマ処理システ
ムの実機が設置してある場所で短時間におこなうことが
可能である。その上、被処理基板１６への実際の成膜等
による検査方法を採用した場合、別々におこなうしかな
かった複数のプラズマチャンバ９５，９６，９７に対す
る結果をほぼ同時に実現することができる。このため、
製造ラインを数日あるいは数週間停止してプラズマ処理
システムの動作確認および、動作の評価をする必要がな
くなり、製造ラインとしての生産性を向上することがで
きる。また、このような調整に必要な検査用基板等の費
用、この検査用基板の処理費用、および、調整作業に従
事する作業員の人件費等、コストを削減することが可能
となる。
【０２６２】さらに、本実施形態におけるプラズマ処理
システムにおいては、各プラズマチャンバ９５，９６，
９７の入力端子側交流抵抗ＲＡおよび出力端子側交流抵
抗ＲＢを設定することにより、従来は、考慮されていな
かった複数のプラズマチャンバ９５，９６，９７の電気
的高周波的な特性を一括して適正な範囲に収めることが
できる。これにより、動作安定性を向上して、従来一般
的に使用されていた１３．５６ＭＨｚ程度以上の高い周
波数の電力を投入した場合であっても、すべてのプラズ
マチャンバ９５，９６，９７において、高周波電源１か
らの電力のうち整合回路２Ａおよびその近傍における電
力損失を低減してプラズマ励起電極４とサセプタ電極８
との間のプラズマ発生空間に効率よく導入することが可
能となる。同時に、同一周波数を供給した場合に、従来
のプラズマ処理システムと比べてプラズマ空間で消費さ
れる実効的な電力の向上をすべてのプラズマチャンバ９
５，９６，９７において図ることができる。その結果、
プラズマ処理システム全体としてのプラズマ励起周波数
の高周波化による処理速度の向上を図ること、つまり、
すべてのプラズマチャンバ９５，９６，９７において、
プラズマＣＶＤ等により膜の積層をおこなう際には、堆
積速度の向上を図ることができる。同時に、すべてのプ
ラズマチャンバ９５，９６，９７において、プラズマ発
生の安定性を期待することができる結果、個々のプラズ
マ処理装置７１，９１，７１’としての動作安定性が高
く、同時に全体として動作安定性の高いプラズマ処理シ
ステムを提供することが可能となる。しかも、これら
を、複数のプラズマチャンバ９５，９６，９７において
同時に実現することができる。
【０２６３】したがって、複数のプラズマチャンバ９
５，９６，９７において、プラズマ空間で消費される実
効的な電力の向上によりそれぞれ被処理基体１６におけ
る膜面内方向におけるプラズマ処理の均一性の向上を図
ることができ、成膜処理においては膜厚の膜面内方向分
布の均一性の向上を図ることが可能となる。同時に、プ
ラズマ密度の上昇により、プラズマＣＶＤ、スパッタリ
ングなどの成膜処理においては、成膜状態の向上、すな
わち、堆積した膜における絶縁耐圧や、エッチングに対
する耐エッチング性、そして、いわゆる膜の「固さ」つ
まり膜の緻密さ等の膜特性の向上を図ることが可能とな
る。
【０２６４】また、同一周波数を供給した場合に、従来
のプラズマ処理システムと比べてプラズマ空間で消費さ
れる実効的な電力の向上を図ることができるため、プラ
ズマ処理システム全体として電力の消費効率を向上し、
同等の処理速度もしくは膜特性を得るために、従来より
少ない投入電力ですむようにできる。しかも、これら
を、複数のプラズマチャンバ９５，９６，９７において
実現することができる。したがって、プラズマ処理シス
テム全体の電力損失の低減を図ること、ランニングコス
トの削減を図ること、生産性の向上を図ることがより一
層可能になる。同時に、処理時間をより短縮することが
可能となるため、プラズマ処理に要する電力消費を減ら
せることから環境負荷となる二酸化炭素の総量をより削
減することが可能となる。
【０２６５】本実施形態のプラズマ処理システムにおい
ては、各プラズマチャンバ９５，９６，９７の前記整合
回路２Ａの測定位置ＰＲ３にインピーダンス測定用端子
６１とスイッチＳＷ５とを設け、これを単一のインピー
ダンス測定器ＡＮをスイッチＳＷ３によって切り替え自
在に接続することで、プラズマ処理システムの個々のプ
ラズマチャンバ９５，９６，９７のインピーダンス特性
測定時において、第１，第２実施形態のように整合回路
２Ａと高周波電源１とを切り離すために、電力供給線１
Ａと整合回路２Ａとを着脱する必要がない。また、単一
のインピーダンス測定器ＡＮによって複数のプラズマチ
ャンバ９５，９６，９７のインピーダンス特性および交
流抵抗ＲＡ，ＲＢの測定をおこなうことができる。この
ため、前記プラズマチャンバ９５，９６，９７のインピ
ーダンス特性を測定する際のプロービングを容易におこ
なうことが可能となり、交流抵抗ＲＡ，ＲＢの測定時に
おける作業効率を向上することができる。
【０２６６】さらに、スイッチＳＷ３，ＳＷ５を設け
て、測定用端子６１からスイッチＳＷ３までのインピー
ダンスを複数のプラズマ処理装置７１，７１’、９１に
おける各プラズマチャンバ９５，９６，９７に対して等
しくなるように設定することで、スイッチＳＷ１，ＳＷ
２，ＳＷ３を切り替えるだけで、インピーダンス測定端
子６１に接続されたインピーダンス測定器ＡＮからのイ
ンピーダンス測定値を、高周波電源１出力側最終段の出
力位置ＰＲ２から測定した値と同等と見なすことができ
る。同時に、各プラズマチャンバ９５，９６，９７のイ
ンピーダンス特性に対する測定用端子６１からスイッチ
ＳＷ３までのインピーダンス特性の差異を考慮する必要
がなくなるため、複数のプラズマ処理装置７１，７
１’、９１におけるプラズマチャンバ９５，９６，９７
に対する交流抵抗ＲＡ，ＲＢの算出の補正が不要とな
り、実測値の換算が不要となり、プラズマ処理システム
の電気的高周波的特性の設定における作業効率を向上
し、交流抵抗ＲＡ，ＲＢの測定をより正確におこなうこ
とができる。
【０２６７】なお、本実施形態において、スイッチＳＷ
３，ＳＷ５を測定しようとする各プラズマチャンバ９
５，９６，９７に対する切り替え動作を連動させること
が可能であり、また、２つのスイッチＳＷ１およびスイ
ッチＳＷ２の構成を、分岐点から出力端子位置ＰＲまで
と分岐点からプローブまでのインピーダンスが等しく設
定される１つのスイッチとすることもできる。
【０２６８】さらに、本発明における各実施形態におい
ては、各プラズマチャンバ９５，９６，９７のプラズマ
励起電極４に対する交流抵抗ＲＡ，ＲＢを設定したが、
サセプタ電極側８に対する交流抵抗ＲＡ，ＲＢを設定す
るよう対応することも可能である。この場合、図１１，
図１５にＰＲ’，ＰＲ３’，ＰＲ４’で示すように、イ
ンピーダンス測定範囲を規定する整合回路２５の測定位
置を設定することができる。
【０２６９】さらに、平行平板型の電極４，８を有する
タイプに変えて、ＩＣＰ（inductive coupled plasma）
誘導結合プラズマ励起型、ＲＬＳＡ（radial line slot
antenna）ラジアルラインスロットアンテナ型などのプ
ラズマ処理装置や、ＲＩＥ（Riactive Ion Etching）反
応性スパッタエッチング用の処理装置に適用することも
できる。
【０２７０】なお、本発明の各実施形態においては、図
３５に示すように、プラズマチャンバ（プラズマ処理室
ユニット）９５，９６，９７に対応して、整合回路２Ａ
と、高周波電源１とが、それぞれ設けられて、プラズマ
チャンバ９５，９６，９７における整合回路２Ａの接続
位置に、ＳＷ４を介してインピーダンス測定器ＡＮを接
続したが、図３６に示すように、個々のプラズマチャン
バ９５，９６，９７に対する整合回路２Ａ，２Ａ，２Ａ
が、スイッチ切り替えによって同一の高周波電源１に接
続される構成や、図３７に示すように、個々のプラズマ
チャンバ９５，９６，９７が、スイッチ切り替えによっ
て同一の整合回路２Ａに接続される構成も可能である。
この場合、図３６に示すように、プラズマチャンバ９
５，９６，９７の整合回路２Ａと高周波電源１との接続
位置に、ＳＷ４を介して入力端子側交流抵抗ＲＡ測定用
のインピーダンス測定器ＡＮが接続される構成や、図３
７に示すように、プラズマチャンバ９５，９６，９７の
チャンバ室と整合回路２Ａとの接続位置に、ＳＷ４を介
して出力端子側交流抵抗ＲＢ測定用のインピーダンス測
定器ＡＮが接続される構成が可能である。また、入力端
子側交流抵抗ＲＡ測定用のインピーダンス測定器ＡＮ
と、出力端子側交流抵抗ＲＢ測定用のインピーダンス測
定器ＡＮとを、同一のプラズマチャンバに接続すること
も可能であり、この場合には、スイッチ切り替えによっ
て同一のインピーダンス測定器により、入力端子側交流
抵抗ＲＡおよび出力端子側交流抵抗ＲＢの測定を切り替
え可能とすることができる。
【０２７１】また、本発明の各実施形態においては、入
力端子側交流抵抗ＲＡおよび出力端子側交流抵抗ＲＢの
測定をおこなう測定周波数として、高周波電源における
プラズマ発生時に供給する電源周波数を適用した。これ
により、それぞれの特性を指標とする一定の管理幅内に
複数のプラズマチャンバ９５，９６，９７を設定するこ
とが可能となるので、電気的高周波的な特性の機差をな
くすことが可能となり、個々のプラズマチャンバ９５，
９６，９７において、プラズマ空間で消費される実効的
な電力をそれぞれ略均一にすることができる。
【０２７２】以下、本発明に係るプラズマ処理装置の性
能評価方法を第１０実施形態として、図面に基づいて説
明する。 ［第１０実施形態］本実施形態の性能評価方法の対象と
なるプラズマ処理装置としては図１ないし図９を用いて
説明した第１実施形態のプラズマ処理装置が用いられ
る。上記第１実施形態で説明した方法と同様にして測定
・定義した交流抵抗ＲＡ，ＲＢ（高周波特性）の納入後
における値ＲＡ1 ，ＲＢ1 が、それぞれ、ＲＡ0 、ＲＡ
1 の差の絶対値｜ΔＲＡ｜がＲＡ0 の０．５倍とされる
所定の値より小さい値に維持されるとともに、ＲＢ0 、
ＲＢ1 の差の絶対値｜ΔＲＢ｜がＲＢ0 の０．５倍とさ
れる所定の値より小さい値に維持されているかどうかに
より、所望の性能を維持しているか否かが判断される。
すなわち、交流抵抗ＲＡ，ＲＢの納入後における値ＲＡ
1 ，ＲＢ1 かさら算出される｜ΔＲＡ｜か｜ΔＲＢ｜の
いずれかが、前記所定の値以上である場合には、所望の
性能が維持できていないと判断する。そして、所望の性
能が維持できていないと判断した場合には、｜ΔＲＡ｜
および｜ΔＲＢ｜のいずれの値も前記所定の値より小さ
い値の範囲になるように、交流抵抗ＲＡ1 ，ＲＢ1 を是
正する措置をとることができる。
【０２７３】ここで、上記ＲＡ1 ，ＲＢ1 を是正する方
法としては、例えば、第１実施形態で説明した〜等
の手法を適用することができる。本実施形態の性能評価
方法においては、プラズマチャンバの交流抵抗の納入後
における値ＲＡ1 ，ＲＢ1 かさら算出される｜ΔＲＡ｜
および｜ΔＲＢ｜が、それぞれ、ＲＡ0 、ＲＡ1 の差の
絶対値｜ΔＲＡ｜がＲＡ0 の０．５倍とされる所定の値
より小さい値に維持されるとともに、ＲＢ0 、ＲＢ1 の
差の絶対値｜ΔＲＢ｜がＲＢ0 の０．５倍とされる所定
の値より小さい値に維持する是正作業が可能となること
により、従来は、考慮されていなかった整合回路２Ａま
でも含めたプラズマチャンバの全体的な電気的高周波的
な特性を適正な範囲に収めることができる。これによ
り、動作安定性を向上して、従来一般的に使用されてい
た１３．５６ＭＨｚ程度以上の高い周波数の電力を投入
した場合であっても、高周波電源１からの電力を、プラ
ズマ励起電極４とサセプタ電極８との間のプラズマ発生
空間に効率よく導入することが可能となる。同時に、同
一周波数を供給した場合に、従来のプラズマ処理装置と
比べて、プラズマ空間で消費される実効的な電力を大き
くし、生成するプラズマ密度の上昇を図ることができ
る。その結果、プラズマ励起周波数の高周波化による処
理速度の向上を図ること、つまり、プラズマＣＶＤ等に
より膜の積層をおこなう際には、堆積速度の向上を図る
ことができる。
【０２７４】さらに、本実施形態の性能評価の結果、適
切な是正作業が施されれば、分解、搬送、再組み立て、
その後の使用（プラズマ処理）、あるいは調整作業が施
された後においても、プラズマ空間で消費される実効的
な電力等をそれぞれ略均一に維持することができるの
で、その時間の前後で同一のプロセスレシピを適用し
て、略同一のプラズマ処理結果を得ること、つまり、そ
れぞれのプラズマチャンバ７５，７６，７７において例
えばある時間を隔てて成膜をおこなった際に、経過した
時間の前後で、成膜状態の時間的な均一性、すなわち、
堆積した膜における絶縁耐圧や、エッチング液に対する
耐エッチング性、そして、いわゆる膜の「固さ」つまり
膜の緻密さ等の膜特性を時間的な維持の向上を図ること
が可能となる。ここで、膜の緻密さは例えば、ＢＨＦ液
によるエッチングに対する浸食されにくさ、耐エッチン
グ性によって表現可能である。
【０２７５】そして、本実施形態の性能評価方法によれ
ば、それぞれのプラズマチャンバ７５，７６，７７の実
機が設置してある場所で、高周波特性測定器ＡＮにより
交流抵抗ＲＡ1 ，ＲＢ1 を測定するだけで、短時間にプ
ラズマ処理装置の性能確認および、性能の評価が可能と
なる。このため、成膜された基板を検査するために、製
造ラインを数日あるいは数週間停止してプラズマ処理装
置の性能確認および、性能の評価をする必要がなくな
り、製造ラインとしての生産性を向上することができ
る。この交流抵抗ＲＡ1 ，ＲＢ1 は、機械的な構造をそ
の多くの要因としてきまる電気的高周波的な特性であ
り、それぞれのプラズマチャンバ７５，７６，７７ごと
に異なっていると考えられる。上記の範囲に、このＲＡ
1 ，ＲＢ1 を指標とすることにより、各プラズマ処理室
に対しても、従来考慮されていなかったその全般的な電
気的高周波的特性を設定することが可能となり、プラズ
マ発生の安定性を期待することができる。その結果、動
作安定性の高いプラズマ処理装置を提供することが可能
となる。しかも、これらの性能評価を、装置を搬送元に
て分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再組み立て
した後に実施するために、搬送中の振動や搬入後の再組
み立て作業の不備で精度に狂いが生じる等、性能に悪影
響を及ぼす事象が発生した後に、簡便かつ短時間で性能
を確認できるので、問題発見から改善までのサイクルを
早めることができるので、納入後の装置の立ち上げ期間
を短縮することが可能となる。
【０２７６】以下、本発明に係るプラズマ処理装置の性
能管理システムの他の実施形態を第１１実施形態とし
て、図面に基づいて説明する。 ［第１１実施形態］図３８は本実施形態に係るプラズマ
処理装置の性能管理システムのシステム構成図である。
図３９は、同性能管理システムで実現される評価情報提
供方法を示すフローチャートである。なお、両図におい
て、図２１〜図２６と同一の構成要素には、同一の符号
を附してその説明を省略する。
【０２７７】図３８に示す性能管理システムは、サーバ
２１０と、納入先の入力装置２７０と、これらサーバ２
１０と入力装置２７０とを接続する通信回線２３０と、
サーバーに接続された搬送元の出力装置２４０とから構
成されている。本管理システムの対象となるのは、前記
の各実施形態において示したプラズマ処理室を複数有す
るプラズマ処理装置又はプラズマ処理システムが対象と
なる。
【０２７８】以下、図３８を参照しながら、図３９のフ
ローチャートに従い、本実施形態における処理動作を説
明する。納入先の顧客や、納入先を訪れたサービスマン
等、本性能管理システムの納入先側における利用者は、
同システムで性能評価を開始するにあたり、まず、入力
装置２７０から、納入先に納入されたプラズマ処理装置
について、プラズマチャンバ（プラズマ処理室）の固有
番号Ｓ及び各プラズマチャンバ７５，７６，７７，９
５，９６，９７の高周波特性としての入力端子側交流抵
抗ＲＡ1 （時刻ｔ0の後の時刻ｔ1 における値）、出力
端子側交流抵抗ＲＢ1 （時刻ｔ0 の後の時刻ｔ1 におけ
る値）を測定し、この値を入出力装置２２０から入力す
る。これらの入力された入力端子側交流抵抗ＲＡ1 ，出
力端子側交流抵抗ＲＢ1 の値は、通信回線２３０を通じ
てサーバ２１０に送信される。（ステップ４０１）な
お、プラズマ処理装置に接続された高周波特性測定器を
入力装置２７０に接続しておいて、サーバー２１０から
の指令により自動的にプラズマチャンバ７５，７６，７
７，９５，９６，９７の固有番号Ｓ及び各プラズマチャ
ンバ７５，７６，７７，９５，９６，９７の高周波特性
としての入力端子側交流抵抗ＲＡ1 ，出力端子側交流抵
抗ＲＢ1 の測定値が入力されるようにしてもよい。
【０２７９】これに対しサーバ２１０は、高周波特性と
しての入力端子側交流抵抗ＲＡ1 ，の情報の中から、最
大値ＲＡ1max及び最小値ＲＡ1minを検索しこの値が測定
されたプラズマチャンバ７５，７６，７７，９５，９
６，９７に対応する固有番号Ｓとともに特定するととも
に、出力端子側交流抵抗ＲＢ1 の情報の中から、最大値
ＲＢ1max及び最小値ＲＢ1minを検索してこの値が測定さ
れたプラズマチャンバ７５，７６，７７，９５，９６，
９７に対応する固有番号Ｓとともに特定する（ステップ
４０２）。次いで、下記式に従い交流抵抗のばらつきの
値<ＲＡ><ＲＢ>を計算する（ステップ４０３）。 <ＲＡ> ＝ （ＲＡ1max −ＲＡ1min ）／（ＲＡ1max ＋ＲＡ1min ）（１４Ａ） <ＲＢ> ＝ （ＲＢ1max −ＲＢ1min ）／（ＲＢ1max ＋ＲＢ1min ）（１４Ｂ）
【０２８０】次にサーバ２１０は、<ＲＡ><ＲＢ>と所定
の値、例えば０．５とをそれぞれ比較し、当該プラズマ
処理装置の性能を評価する。具体的には、<ＲＡ><ＲＢ>
がいずれも所定の値より小さい値の場合には、当該プラ
ズマ処理装置が所定の性能を維持していると判断する。
また、<ＲＡ>か<ＲＢ>の少なくとも片方が所定の値以上
の値の場合には、当該プラズマ処理装置が所定の性能を
維持していないと判断する。また、上記サーバ２１０
は、<ＲＡ><ＲＢ>と所定の価、例えば０．５とを比較
し、当該プラズマ処理装置の性能を評価する。具体的に
は、<ＲＡ><ＲＢ>がそれぞれ所定の値より小さい値の場
合には、当該プラズマ処理装置が所定の性能を維持して
いると判断する。また、<ＲＡ>か<ＲＢ>の少なくともい
ずれか片方が所定の値以上の値の場合には、当該プラズ
マ処理装置が所定の性能を維持していないと判断する
（ステップ４０４）。
【０２８１】次にサーバ２１０は、上記性能評価の結果
所定の性能を維持していないと判断した場合に、搬送元
の出力装置２４０に評価情報として、保守作業命令を当
該最大値ＲＡ1max及び最小値ＲＡ1min又は最大値ＲＢ
1max及び最小値ＲＢ1minを与えたプラズマチャンバの固
有番号Ｓとともに提供する（ステップ４０５）。具体的
には、サーバ２１０は、出力装置２４０に対して、プリ
ントアウトや画面表示の指令信号を送信したり、あるい
は、警報音発生信号を送信したりする。そして、搬送元
において、保守作業命令と共に、いずれの納入先のどの
装置が保守を必要としているかを判断するために必要な
情報として、該当するプラズマチャンバの固有番号が出
力される。
【０２８２】本実施形態のプラズマ処理装置の管理シス
テムにおいては、搬送元において、何れのプロセス処理
装置に問題が生じたか、あるいは何れのプロセス処理装
置のいずれのプロセス処理室に問題が生じたか等を直ち
に把握できる。
【０２８３】すなわち、メーカーサービス会社等の搬送
元においては、納入したプラズマ処理装置やプラズマ処
理システムを実際に動作させて成膜された基板を検査す
るという作業を行うことなく、直ちに当該プラズマ装置
の性能を評価基準２に基づき評価することができる。し
かも、処理をおこなった基板の評価によりプラズマ処理
装置等の動作確認および、動作の評価をおこなうという
２段階の方法でなく、ダイレクトにプラズマ処理装置の
評価を、しかも、プラズマ処理装置のプラズマチャンバ
ＣＮが設置してある場所で短時間におこなうことが可能
である。その上、被処理基板への実際の成膜等による検
査方法を採用した場合、別々に行うしかなかった複数の
プラズマチャンバを有するプラズマ処理装置の場合につ
いても、結果をほぼ同時に得ることができる。このた
め、納入後の装置性能について、簡便かつ短時間で確認
でき、問題がある場合には、問題発見から改善までのサ
イクルを早めることができるので、装置の立ち上げ期間
を短縮することができる。また、このような確認に必要
な検査用基板等の費用、この検査用基板の処理費用、お
よび、確認作業に従事する作業員の人件費等、コストを
削減することが可能となる。
【０２８４】また、搬送元のメーカー等において、納入
先のプラズマ処理装置に問題が生じた場合には、保守作
業命令を受けて直ちにこれを知ることができるので、顧
客に対するアフタサービス体制を充実させることができ
る。
【０２８５】［実施例］本発明では、プラズマチャンバ
において、時間的に入力端子側交流抵抗ＲＡおよび出力
端子側交流抵抗ＲＢの値を一定以内となるように設定す
ることにより成膜時における膜特性の変化を測定すると
ともに、複数のプラズマチャンバにおいて、入力端子側
交流抵抗ＲＡおよび出力端子側交流抵抗ＲＢのばらつき
の値を一定以内の値に設定することにより成膜時におけ
る膜特性の変化を測定した。
【０２８６】ここで、実際に使用したプラズマ処理装置
としては、プラズマ処理室が２周波数励起タイプのもの
とされる。この際、１つのプラズマ処理室に３つの異な
る整合回路を交互に接続して成膜をおこなった。これ
は、チャンバ室における機差の影響を排除するためであ
る。使用したプラズマ処理装置としては、平行平板型の
電極４，８のサイズが２５ｃｍ角とされ、これらの電極
間隔が１５ｍｍに設定され、その電力が６００Ｗ、電力
周波数ｆe を４０．６８ＭＨｚに設定した。
【０２８７】まず、３つの異なる整合回路で入力端子側
交流抵抗ＲＡおよび出力端子側交流抵抗ＲＢを測定す
る。ここで、入力端子側交流抵抗ＲＡおよび出力端子側
交流抵抗ＲＢの測定においては、上記第２実施形態と同
様にして、それぞれの整合回路２Ａを給電線１Ａ給電板
３から切り離し、それぞれ測定位置ＰＲ、ＰＲ３からお
こなうものとする。この状態で接続した高周波特性測定
装置における測定周波数を１〜１００ＭＨｚに変化させ
インピーダンスのベクトル量を測定し、電源周波数４
０．６８ＭＨｚでのＺとθからＲＡ，ＲＢを算出する。
【０２８８】ここで、整合回路１として、図３に示す第
１実施形態の整合回路２Ａと同様の構造を有し、表面に
銀メッキを施した銅パイプからなるチューニングコイル
２３のインダクタンス３７２ｎＨ、寄生抵抗成分となる
電力周波数ｆe における出力端子側交流抵抗ＲＢの値が
５．５Ω、入力端子側交流抵抗ＲＡの値が０．５４Ωの
ものを用意した。整合回路２として、上記整合回路１と
同等のチューニングコイル２３を２本並列に接続しトー
タルのインダクタンスを３７０ｎＨとなるように設定
し、寄生抵抗成分となる電力周波数ｆe における出力端
子側交流抵抗ＲＢの値が３．２Ω、入力端子側交流抵抗
ＲＡの値が０．５５Ω、のものを用意した。整合回路３
として、上記整合回路１と同等のチューニングコイル２
３を４本並列に接続して、トータルのインダクタンスを
３７０ｎＨとなるように設定し、寄生抵抗成分となる電
力周波数ｆe における出力端子側交流抵抗ＲＢの値が
１．６Ω、入力端子側交流抵抗ＲＡの値が０．５２Ω、
のものを用意した。整合回路４として、上記整合回路１
よりも径の太い銅パイプからなるチューニングコイル２
３を有し、トータルのインダクタンスを３７０ｎＨとな
るように設定し、寄生抵抗成分となる電力周波数ｆe に
おける出力端子側交流抵抗ＲＢの値が４．１Ω、入力端
子側交流抵抗ＲＡの値が０．５４Ω、のものを用意し
た。
【０２８９】上記の各整合回路を同一のプラズマ処理室
に接続し、これらに対する評価として同一のプロセスレ
シピを適用し、窒化珪素膜を堆積し、以下のように各プ
ラズマ処理室における被成膜基板に対する膜厚ばらつき
を計測した。 ガラス基板上にプラズマＣＶＤによりＳｉＮx 膜を成
膜する。 フォトリソによりレジストのパターニングをおこな
う。 ＳＦ6 とＯ2 を用いてＳｉＮx 膜をドライエッチング
する。 Ｏ2 アッシングによりレジストを剥離する。 ＳｉＮx 膜の膜厚段差を触針式段差計により計測す
る。 成膜時間と膜厚から堆積速度を算出する。 膜面内均一性は、６インチガラス基板面内において１
６ポイントで測定する。
【０２９０】ここで、成膜時における条件は、 基板温度 ３００℃ ガス圧 １００Ｐａ ＳｉＨ4 ４０ｓｃｃｍ ＮＨ3 １６０ｓｃｃｍ Ｎ2 ６００ｓｃｃｍ である。これらの結果を表２に示す。
【０２９１】
【表２】
【０２９２】（実施例１）上記の整合回路のうち、実施
例１として、整合回路２，３を選択する。すると、成膜
速度が速く良好で、成膜結果のばらつきは２．８％と、
３％以下の値になっている。これに対応して、出力端子
側交流抵抗ＲＢのばらつきは、式（１４Ｂ）に従うと、
０．３２であり、０．４以下の値となっている。 （実施例２）上記の整合回路のうち、実施例２として、
整合回路１，２，３を選択する。すると、実施例１に次
いで成膜速度が早いが、成膜結果のばらつきは１２．６
％と１０％を越えている。これに対応して、出力端子側
交流抵抗ＲＢのばらつきは、式（１４Ｂ）に従うと、
０．５５であり０．５以上の値となっている。 （実施例３）上記の整合回路のうち、実施例３として、
整合回路２，３，４を選択する。すると、成膜速度のば
らつきは６．８％と７％以下の値となっており、これに
対応して、出力端子側交流抵抗ＲＢのばらつきは、式
（１４Ｂ）に従うと、０．４４であり、０．５以下の値
となっている。これらの結果を表３に示す。
【０２９３】
【表３】
【０２９４】ＳｉＮ膜はＴＦＴ−ＬＣＤ（液晶装置）の
薄膜トランジスタのゲート絶縁膜や、液晶に印加する電
圧の保持を良好にするために負荷する蓄積容量の絶縁膜
などに用いられている。このＳｉＮ膜は最終製品である
ＴＦＴ−ＬＣＤにおける白黒の輝度の比にあたるコント
ラストに影響するパラメータであり、ＳｉＮ膜の膜厚が
１０％ばらついた場合、最終製品であるＴＦＴ−ＬＣＤ
においては前記コントラストが約５０のばらつきを生じ
てしまうことになる。すなわち、複数の製品のコントラ
ストが、２００〜２５０でばらつく結果となる。つま
り、入力端子側交流抵抗ＲＡおよび出力端子側交流抵抗
ＲＢのばらつきを０．５以下の範囲に設定することによ
り、成膜特性のばらつきが１０％以下になり、最終製品
であるＴＦＴ−ＬＣＤにおける前記コントラストのばら
つきが約５０以下に設定できる。そして、入力端子側交
流抵抗ＲＡおよび出力端子側交流抵抗ＲＢのばらつきを
０．４５以下の範囲に設定することにより、成膜特性の
ばらつきが７％以下になり、最終製品であるＴＦＴ−Ｌ
ＣＤにおける前記コントラストのばらつきが約３０以下
に設定できる。さらに、入力端子側交流抵抗ＲＡおよび
出力端子側交流抵抗ＲＢのばらつきを０．４以下の範囲
に設定することにより、成膜特性のばらつきが３％以下
になり、最終製品であるＴＦＴ−ＬＣＤにおける前記コ
ントラストのばらつきが約１０以下に設定できる。
【０２９５】つまり、入力端子側交流抵抗ＲＡおよび出
力端子側交流抵抗ＲＢのばらつきを設定することによ
り、複数のプラズマチャンバにおける機差が低減してい
ることがわかる。
【０２９６】さらに、実施例４，５，６として上記の整
合回路１と同等の構造のものを用意した。
【０２９７】次いで、各整合回路で入力端子側交流抵抗
ＲＡおよび出力端子側交流抵抗ＲＢを測定する。ここ
で、入力端子側交流抵抗ＲＡおよび出力端子側交流抵抗
ＲＢの測定においては、上記第２実施形態と同様にし
て、それぞれの整合回路２Ａを給電線１Ａ給電板３から
切り離し、それぞれ測定位置ＰＲ、ＰＲ３からおこなう
ものとする。この状態で接続した高周波特性測定装置に
おける測定周波数を１〜１００ＭＨｚに変化させインピ
ーダンスのベクトル量を測定し、電源周波数４０．６８
ＭＨｚでのＺとθからＲＡ，ＲＢを算出し、この値を時
刻ｔ0 の交流抵抗ＲＡ0 、ＲＢ0 とする。
【０２９８】次に、上記のプラズマチャンバにおいて、
時刻ｔ0 と時刻ｔ1 との間の処理として、プラズマ処理
装置を分解し、その後再組み立てをおこない、その後、
各整合回路で入力端子側交流抵抗ＲＡおよび出力端子側
交流抵抗ＲＢを測定する。ここで、入力端子側交流抵抗
ＲＡおよび出力端子側交流抵抗ＲＢの測定においては、
同様にして、それぞれの整合回路２Ａを給電線１Ａ給電
板３から切り離し、それぞれ測定位置ＰＲ、ＰＲ３から
おこなうものとする。この状態で接続した高周波特性測
定装置における測定周波数を１〜１００ＭＨｚに変化さ
せインピーダンスのベクトル量を測定し、電源周波数４
０．６８ＭＨｚでのＺとθからＲＡ，ＲＢを算出し、こ
の値を時刻ｔ1 の交流抵抗ＲＡ1 、ＲＢ1 とする。
【０２９９】次いで、上記の値から、ＲＡ0 、ＲＡ1 の
差の絶対値｜ΔＲＡ｜およびＲＢ0、ＲＢ1 の差の絶対
値｜ΔＲＢ｜を計算し、｜ΔＲＡ｜と｜ΔＲＢ｜がそれ
ぞれ所定の値に対してどのレベルにあるかを、それぞ
れ、式（２０Ａ）（２０Ｂ） ｜ΔＲＡ｜ ； Ｃ×ＲＡ0 （２０Ａ） ｜ΔＲＢ｜ ； Ｃ×ＲＢ0 （２０Ｂ） における係数Ｃの値を算出する。この値のうち、各実施
例に対して大きい方の値を表４に示す。
【０３００】さらに、上記の各整合回路を同一のプラズ
マ処理室に接続し、これらに対する評価として実施例
１，２，３と同様の条件でに同一のプロセスレシピを適
用し、窒化珪素膜を堆積し、以下のように各プラズマ処
理室における被成膜基板に対する膜厚ばらつきを計測し
た。これらの結果を表４に示す。
【０３０１】
【表４】
【０３０２】（実施例４）上記の実施例４は、Ｃの値が
０．３２であり、０．４以下の値となっている。これに
対応して、成膜速度のばらつきは２．８％と３％を下回
っている。 （実施例５）上記の実施例５はＣの値が０．４４であ
り、０．５以下となっている。これに対応して成膜速度
のばらつきは６．８％と３％を越えているが７％未満と
なっている。 （実施例６）上記の実施例６は、Ｃの値が０．５５であ
り０．５を越えている。これに対応して、成膜速度のば
らつきは１２．６％と７％以上、１０％を越えている。
【０３０３】ＳｉＮ膜はＴＦＴ−ＬＣＤ（液晶装置）の
薄膜トランジスタのゲート絶縁膜や、液晶に印加する電
圧の保持を良好にするために負荷する蓄積容量の絶縁膜
などに用いられている。このＳｉＮ膜は最終製品である
ＴＦＴ−ＬＣＤにおける白黒の輝度の比にあたるコント
ラストに影響するパラメータであり、ＳｉＮ膜の膜厚が
１０％ばらついた場合、最終製品であるＴＦＴ−ＬＣＤ
においては前記コントラストが約５０のばらつきを生じ
てしまうことになる。すなわち、複数の製品のコントラ
ストが、２００〜２５０でばらつく結果となる。つま
り、時刻ｔ1 における入力端子側交流抵抗ＲＡ1 および
出力端子側交流抵抗ＲＢ1 から算出される｜ΔＲＡ｜と
｜ΔＲＢ｜の値をそれぞれ固有ＲＡ0 、ＲＢ0 の０．５
倍以下の範囲に設定することにより、成膜特性のばらつ
きが７％以下になり、最終製品であるＴＦＴ−ＬＣＤに
おける前記コントラストのばらつきが約３０以下に設定
できる。そして、時刻ｔ1 における入力端子側交流抵抗
ＲＡ1 および出力端子側交流抵抗ＲＢ1 から算出される
｜ΔＲＡ｜と｜ΔＲＢ｜の値をそれぞれ固有ＲＡ0 、Ｒ
Ｂ0 の０．４倍以下の範囲に設定することにより、成膜
特性のばらつきが３％以下になり、最終製品であるＴＦ
Ｔ−ＬＣＤにおける前記コントラストのばらつきが約１
０以下に設定できる。
【０３０４】つまり、時間的に入力端子側交流抵抗ＲＡ
および出力端子側交流抵抗ＲＢの値が均一になるように
設定することにより、複数のプラズマチャンバにおける
時間的な処理の差が低減していることがわかる。
【０３０５】
【発明の効果】本発明のプラズマ処理装置又はプラズマ
処理システムの性能評価方法によれば、プラズマ処理装
置を分解、搬送後再組み立てが施された後、すなわち納
入後に、被処理物が導入されてプラズマ処理が行われた
り、分解掃除、部品交換、組み立て調整等の調整作業が
施されたりした際に、プラズマ処理装置やプラズマ処理
システムの性能が適正に維持されているかどうかを迅速
かつ簡便に確認できる。また、本発明のプラズマ処理装
置の保守方法によれば、プラズマ処理装置の性能が適正
に維持されていない場合に、迅速に是正が可能となる。
また、本発明のプラズマ処理装置の性能管理システム又
はプラズマ処理システムの性能管理システムによれば、
納入先において、プラズマ処理装置の性能が適正に維持
されるために、納入先におけるプラズマ処理装置の性能
評価をメーカー等の搬送元で支援できると共に、メーカ
ー等の搬送元で充実した保守サービス体制を整えること
が可能となる。さらに、本発明のプラズマ処理装置によ
れば、適正な動作状態に簡便に維持することが可能であ
り、良好なプラズマ処理を継続して行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１は、 本発明に係るプラズマ処理装置の
第１実施形態を示す概略構成図である。
【図２】 図２は、 図１におけるプラズマチャンバを
示す断面図である。
【図３】 図３は、 図２におけるプラズマチャンバの
整合回路を示す模式図である。
【図４】 図４は、 図３の整合回路におけるにおける
寄生抵抗を説明するための模式回路図である。
【図５】 図５は、 図３の整合回路における寄生抵抗
を説明するための模式回路図である。
【図６】 図６は、 図１におけるレーザアニール室を
示す縦断面図である。
【図７】 図７は、 図１における熱処理室を示す縦断
面図である。
【図８】 図８は、 インピーダンス測定器のプローブ
を示す斜視図である。
【図９】 図９は、 図８のインピーダンス測定器のプ
ローブの接続状態を示す模式図である。
【図１０】 図１０は、 本発明に係るプラズマ処理装
置の第２実施形態を示す概略構成図である。
【図１１】 図１１は、 図１０におけるプラズマチャ
ンバを示す断面図である。
【図１２】 図１２は、 図１１におけるプラズマチャ
ンバの整合回路を示す模式図である。
【図１３】 図１３は、 図１２の整合回路における寄
生抵抗を説明するための模式回路図である。
【図１４】 図１４は、 図１２の整合回路における寄
生抵抗を説明するための模式回路図である。
【図１５】 図１５は、 本発明に係るプラズマ処理装
置の第３実施形態におけるプラズマチャンバの概略構成
を示す模式図である。
【図１６】 図１６は、 図１５におけるプラズマチャ
ンバの整合回路を示す模式図である。
【図１７】 図１７は、 図１６の整合回路における寄
生抵抗を説明するための模式回路図である。
【図１８】 図１８は、 本発明に係るプラズマ処理装
置の第４実施形態におけるプラズマチャンバの整合回路
を示す模式図である。
【図１９】 図１９は、 図１８の整合回路における寄
生抵抗を説明するための模式回路図である。
【図２０】 図２０は、 図１８の整合回路における寄
生抵抗を説明するための模式回路図である。
【図２１】 図２１は、 本発明に係るプラズマ処理装
置の性能管理システムの第５実施形態におけるシステム
構成図である。
【図２２】 図２２は、 同性能管理システムで実現さ
れる評価情報提供方法を示すフローチャートである。
【図２３】 図２３は、 本発明に係るプラズマ処理装
置の性能管理システムの第６実施形態で実現される評価
情報提供方法を示すフローチャートである。
【図２４】 図２４は、 本発明に係るプラズマ処理装
置の性能管理システムの第７実施形態におけるシステム
構成図である。
【図２５】 図２５は、 同性能管理システムで実現さ
れる評価情報提供方法を示すフローチャートである。
【図２６】 図２６は、 本発明に係るプラズマ処理装
置の性能管理システムの第８実施形態で実現される評価
情報提供方法を示すフローチャートである。
【図２７】 図２７は、 本発明のプラズマ処理装置の
性能確認システムを示すシステム構成図である。
【図２８】 図２８は、 本発明のプラズマ処理装置の
性能確認システムに係わるサーバＳの性能状況情報の提
供処理を示すフローチャートである。
【図２９】 図２９は、 本発明のプラズマ処理装置の
性能確認システムに係わるメインページＣＰの構成を示
す平面図である。
【図３０】 図３０は、 本発明のプラズマ処理装置の
性能確認システムに係わるサブページＣＰ１の構成を示
す平面図である。
【図３１】 図３１は、 本発明のプラズマ処理装置の
性能確認システムに係わるメインページＣＰ２の構成を
示す平面図である。
【図３２】 図３２は、 本発明のプラズマ処理装置の
性能確認システムに係わるサブページＣＰ３の構成を示
す平面図である。
【図３３】 図３３は、 本発明のプラズマ処理装置の
性能確認システムに係わるサブページＣＰ４の構成を示
す平面図である。
【図３４】 図３４は、 本発明に係るプラズマ処理装
置の第９実施形態を示す概略構成図である。
【図３５】 図３５は、 本発明に係るプラズマ処理装
置の他の実施形態を示す概略構成図である。
【図３６】 図３６は、 本発明に係るプラズマ処理装
置の他の実施形態を示す概略構成図である。
【図３７】 図３７は、 本発明に係るプラズマ処理装
置の他の実施形態を示す概略構成図である。
【図３８】 図３８は、 本発明に係るプラズマ処理装
置の性能管理システムの第１１実施形態におけるシステ
ム構成図である。
【図３９】 図３９は、 同性能管理システムで実現さ
れる評価情報提供方法を示すフローチャートである。
【図４０】 図４０は、 従来のプラズマ処理装置の一
例を示す模式図である。
【図４１】 図４１は、 従来のプラズマ処理装置の他
の例を示す模式図である。
【符号の説明】
１…高周波電源 １Ａ，２７Ａ…給電線（高周波電力給電体） ２，２６…マッチングボックス ２Ａ，２５…整合回路 ３，２８…給電板（高周波電力配電体） ４…プラズマ励起電極（カソード電極） ５…シャワープレート ６…空間 ７…孔 ８…ウエハサセプタ（サセプタ電極） ９…絶縁体 １０…チャンバ壁 １０Ａ…チャンバ底部 １１…ベローズ １２…サセプタシールド １２Ａ…シールド支持板 １２Ｂ…支持筒 １３…シャフト １６…基板（被処理基板） １７…ガス導入管 １７ａ，１７ｂ…絶縁体 ２１，２９…シャーシ ２２，３２…ロードコンデンサ ２３，３０…チューニングコイル ２４，３１…チューニングコンデンサ Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５…導体 ２７…第２の高周波電源 ６０…チャンバ室（プラズマ処理室） ６１…インピーダンス測定用端子（測定用端子） ６１Ａ…接続線 ７１，９１…プラズマ処理装置 ７２，９２…搬送室 ７３…ローダ室 ７４…アンローダ室 ７５、７６，７７，９５，９６，９７…プラズマチャン
バ（プラズマ処理室ユニット） ７８…レーザアニール室 ７９，９９…熱処理室 ８０，８４…チャンバ ８１…レーザ光源 ８２…ステージ ８３…レーザ光 ８５…ヒータ ８６…ゲートバルブ ８７…基板搬送ロボット（搬送手段） ８８…アーム ９３…ロードロック室 １０５…プローブ ＡＮ…インピーダンス測定器（高周波特性測定器） Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４…分岐点 ＰＲ，ＰＲ２，ＰＲ３，ＰＲ４…測定位置 ＢＰ１，ＢＰ２，ＢＰ４…接続点 ＰＲ’，ＰＲ２’，ＰＲ３’，ＰＲ４’…測定位置 ＳＷ３，ＳＷ５…スイッチ ｇ０，ｇ１，ｇ２，ｇ３，ｇ４…ゲート ２１０…サーバ ２２０…入出力装置 ２３０…通信回線 ２４０…出力装置 ２５０…プラズマ処理装置 ２６０…インピーダンス測定器（高周波特性測定器） ２７０…入力装置
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１３年８月２４日（２００１．８．２
４）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００９】さらに、上記のようなプラズマ処理装置に
対しては、従来から、半導体および液晶製造に用いられ
る場合において、プラズマ処理速度（成膜時の堆積速度
や、加工速度）が早く生産性が高いこと、そして、被処
理基体面内方向におけるプラズマ処理の均一性（膜厚の
膜面内方向分布、加工処理ばらつきの膜面内方向分布）
に優れていることが、近年、被処理基板（被処理基体）
の大型化に伴って、一段と強まっている。また、被処理
基板の大型化に伴い、投入電力量もｋＷオーダーが投入
されるまで増大し、電力消費量が増す傾向にある。この
ため、電源の高容量化に伴い、電源の開発コストが増大
するとともに、装置稼働時には電力使用が増すことから
ランニングコストを削減することが望まれている。ま
た、電力消費量が増大することは、環境負荷となる二酸
化炭素の排出量が増大する。これは、被処理基板の大型
化に伴ってさらに放出量が増大するとともに電力消費効
率をさらに下げてしまうため電力消費量が増大するの
で、この二酸化炭素の放出量削減への要求も高くなって
いる。一方、プラズマ励起周波数として、従来一般的で
あった１３．５６ＭＨｚに対して、これを越える３０Ｍ
Ｈｚ以上のＶＨＦ帯の周波数を用いるなど、高周波数化
を図ることで、生成するプラズマ密度を向上させること
ができる。その結果として、プラズマＣＶＤなどの堆積
装置においては、成膜時の堆積速度を向上させることが
できる可能性が示されていた。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明のプラズマ処理装
置の性能評価方法は、プラズマを励起するための電極を
有するプラズマ処理室と、前記電極に高周波電力を供給
するための高周波電源と、入力端子と出力端子とを有し
該入力端子に前記高周波電源が接続され前記出力端子に
前記電極が接続されこれら入出力端子の間に接地電位部
分が接続されるとともに前記プラズマ処理室と前記高周
波電源とのインピーダンス整合を得るための整合回路
と、を具備するプラズマ処理室ユニットを有するプラズ
マ処理装置の性能評価方法であって、前記プラズマ処理
室ユニットの整合回路において、前記入力端子側から測
定した交流抵抗ＲＡの、時刻ｔ0 とその後の時刻ｔ1 に
おける値ＲＡ0 、ＲＡ1 の差ΔＲＡの絶対値を求め、前
記プラズマ処理室ユニットの整合回路において、前記出
力端子側から測定した交流抵抗ＲＢの、時刻ｔ0 とその
後の時刻ｔr における値ＲＢ0 、ＲＢ1 の差ΔＲＢの絶
対値をそれぞれ求め、その値が所定の値より小さい値で
ある場合に、所定の性能を維持していると判断し、その
値が所定の値以上の値である場合に、所定の性能を維持
していないと判断することにより上記課題を解決した。
本発明において、前記入力端子側交流抵抗ＲＡの測定範
囲が、前記出力端子への接続を切断し、前記入力端子と
される測定位置への接続を切断し、その測定位置から測
定した範囲に設定されてなることが望ましい。また、本
発明において、前記高周波電源と前記入力端子とが高周
波電力給電体を介して接続され、前記入力端子側交流抵
抗ＲＡの測定範囲が、前記出力端子への接続を切断し、
前記高周波電力給電体の前記高周波電源側端部とされる
測定位置への接続を切断し、その測定位置から測定した
範囲に設定されてなる手段を採用することもできる。ま
た、本発明は、前記出力端子側交流抵抗ＲＢの測定範囲
が、前記入力端子への接続を切断し、前記出力端子とさ
れる測定位置への接続を切断し、その測定位置から測定
した範囲に設定されてなるができる。本発明は、前記電
極と前記出力端子とが高周波電力配電体を介して接続さ
れ、前記出力端子側交流抵抗ＲＢの測定範囲が、前記入
力端子への接続を切断し、前記高周波電力配電体の前記
電極側端部とされる測定位置への接続を切断し、その測
定位置から測定した範囲に設定されてなることが可能で
ある。また、本発明においては、前記交流抵抗が、前記
委高周波電源の高周波電力の周波数における値に設定さ
れてなることがある。また、本発明においては、前記Δ
ＲＡに対する前記所定の値が前記ＲＡ0 の０．５倍より
小さい範囲の値に設定されるとともに、前記ΔＲＢに対
する前記所定の値が前記ＲＢ0 の０．５倍より小さい範
囲の値に設定されてなることが好ましく、より好ましく
は、前記ΔＲＡに対する前記所定の値が前記ＲＡ0 の
０．４倍より小さい範囲の値に設定されるとともに、前
記ΔＲＢに対する前記所定の値が前記ＲＢ0 の０．４倍
より小さい範囲の値に設定されてなることができる。本
発明は、前記入出力端子の間で前記接地電位部分に接続
される接続点が複数ある場合には、前記接続点のうち１
の接続点のみが前記接地電位部分に接続するよう他の接
続点を切断した状態で測定することができる。さらに、
各々接続する接続点を切り替えて、それぞれ前記交流抵
抗を測定することが可能である。また、本発明において
は、時刻ｔ0 とその後の時刻ｔ1 との間に、前記プラズ
マ処理室内に被処理物が導入され、該被処理物にプラズ
マ処理が行われることか、または、前記プラズマ処理装
置に、分解掃除、部品交換、組み立て調整等の調整作業
が施されることか、あるいは、分解、搬送、及び再組み
立てが施されることができる。本発明におけるプラズマ
処理装置およびその保守方法においては、上記のプラズ
マ処理装置の評価方法の結果、ΔＲＡ、△ＲＢの絶対値
が所定の値以上の場合に、交流抵抗ＲＡ、ＲＢの是正作
業を行うことにより上記課題を解決した。本発明のプラ
ズマ処理装置の性能管理システムは、プラズマを励起す
るための電極を有するプラズマ処理室と、前記電極に高
周波電力を供給するための高周波電源と、入力端子と出
力端子とを有し該入力端子に前記高周波電源が接続され
前記出力端子に前記電極が接続されこれら入出力端子の
間に接地電位部分が接続されるとともに前記プラズマ処
理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得るた
めの整合回路と、を具備するプラズマ処理室ユニットを
有するプラズマ処理装置の性能管理システムであって、
前記プラズマ処理室ユニットの整合回路において前記入
力端子側から測定した交流抵抗ＲＡの時刻ｔ0 における
値ＲＡ0 と、前記プラズマ処理室ユニットの整合回路に
おいて前記出力端子側から測定した交流抵抗ＲＢの時刻
ｔ0 における値ＲＢ0 とを記憶するサーバーと、このサ
ーバーと通信回線で接続された納入先入出力装置と、を
備え、前記サーバーは、前記ＲＡ0 のその後の時刻ｔ1
における値ＲＡ1 を前記納入先入出力装置から受信し、
前記ＲＡ0 とこのＲＡ1 との差であるΔＲＡの絶対値を
演算するとともに、前記ＲＢ0 のその後の時刻ｔ1 にお
ける値ＲＢ1 を前記納入先入出力装置から受信し、前記
ＲＢ0 とこのＲＢ1 との差であるΔＲＢの絶対値を演算
し、これらの値が所定の値より小さい値である場合に
は、所定の性能を維持している旨の信号を、所定の値以
上の値である場合には、所定の性能を維持していない旨
の信号を、各々納入先入出力装置に発信することにより
上記課題を解決した。本発明において、前記サーバー
が、プラズマ処理室ユニットの固有番号毎に前記ＲＡ0
およびＲＢ0 を記憶し、納入先入出力装置から納入した
プラズマ処理室の固有番号を受信して、当該固有番号に
対応するＲＡ0 およびＲＢ0 を用いて演算をすることが
望ましい。また、本発明において、前記納入先入出力装
置に、プラズマ処理装置に接続された高周波特性測定器
を接続して、この高周波特性測定器から前記サーバー
に、前記ＲＡ1 およびＲＢ1 が直接送信される手段を採
用することもできる。また、本発明は、前記サーバーが
搬送元において出力装置を備え、ΔＲＡの絶対値および
ΔＲＢの絶対値がそれぞれ所定の値を超える場合に、前
記出力装置から、保守作業命令を出力することができ
る。本発明のプラズマ処理装置の性能管理システムにお
いては、プラズマを励起するための電極を有するプラズ
マ処理室と、前記電極に高周波電力を供給するための高
周波電源と、入力端子と出力端子とを有し該入力端子に
前記高周波電源が接続され前記出力端子に前記電極が接
続されこれら入出力端子の間に接地電位部分が接続され
るとともに前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのイ
ンピーダンス整合を得るための整合回路と、を具備する
プラズマ処理室ユニットを有するプラズマ処理装置の性
能管理システムであって、前記プラズマ処理室ユニット
の整合回路において前記入力端子側から測定した交流抵
抗ＲＡの時刻ｔ0 における値ＲＡ0 と、前記プラズマ処
理室ユニットの整合回路において前記出力端子側から測
定した交流抵抗ＲＢの時刻ｔ0 における値ＲＢ0 と、各
々所定の値の範囲によって決められた故障レベルに対応
して登録されたサービスエンジニアの情報とを記憶する
サーバーと、このサーバーの搬送元における出力装置
と、このサーバーと通信回線で接続された納入先入出力
装置と、を備え、前記サーバーは、前記ＲＡ0 のその後
の時刻ｔ1 における値ＲＡ1 を前記納入先入出力装置か
ら受信し、前記ＲＡ0 とこのＲＡ1 との差であるΔＲＡ
の絶対値を演算するとともに、前記ＲＢ0 のその後の時
刻ｔ1 における値ＲＢ1 を前記納入先入出力装置から受
信し、前記ＲＢ0 とこのＲＢ1 との差であるΔＲＢの絶
対値を演算し、これらの値が、何れかの故障レベルの所
定の値の範囲である場合には、前記出力装置から、当該
故障レベルと、当該故障レベルに対応して登録されたサ
ービスエンジニアの情報と共に、保守作業命令を出力す
ることにより上記課題を解決した。本発明は、前記サー
バーが、前記当該故障レベルを、前記納入先入出力装置
にも発信することが可能である。本発明のプラズマ処理
装置は、プラズマを励起するための電極を有するプラズ
マ処理室と、前記電極に高周波電力を供給するための高
周波電源と、入力端子と出力端子とを有し該入力端子に
前記高周波電源が接続され前記出力端子に前記電極が接
続されこれら入出力端子の間に接地電位部分が接続され
るとともに前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのイ
ンピーダンス整合を得るための整合回路と、を具備する
プラズマ処理室ユニットを有するプラズマ処理装置であ
って、前記プラズマ処理室ユニットの整合回路におい
て、前記入力端子側から測定した交流抵抗ＲＡの、時刻
ｔ0 とその後の時刻ｔ1 における値ＲＡ0 、ＲＡ1 の差
ΔＲＡの絶対値が所定の値より小さい値に維持されると
ともに、前記プラズマ処理室ユニットの整合回路におい
て、前記出力端子側から測定した交流抵抗ＲＢの、時刻
ｔ0 とその後の時刻ｔ1 における値ＲＢ0 、ＲＢ1 の差
ΔＲＢの絶対値が所定の値より小さい値に維持されるこ
とにより上記課題を解決した。本発明において、購入発
注者が販売保守者から購入した上記記載のプラズマ処理
装置の時刻ｔ0 とその後の時刻ｔ1 において計測可能な
動作性能状況を示す性能状況情報の閲覧を公衆回線を介
して要求する購入発注者側情報端末と、販売保守者が前
記性能状況情報をアップロードする販売保守者側情報端
末と、前記購入発注者側情報端末の要求に応答して、販
売保守者側情報端末からアップロードされた性能状況情
報を購入発注者側情報端末に提供する性能状況情報提供
手段と、を具備する手段を採用することもできる。ま
た、本発明は、ができる。本発明は、性能状況情報が、
前記交流抵抗ＲＡ，ＲＢを含むことが可能であり、ま
た、性能状況情報が、カタログまたは仕様書として出力
されることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４６】評価基準２を用いる性能管理システムの場
合、サーバーは出力装置を備えている。この出力装置の
設置場所に特に限定はないが、搬送元、メーカー、サー
ビスセンター等、納入先に対する保守サービスを提供す
る場所におかれていることが望ましい。サーバーと出力
装置とが遠隔地におかれている場合には、両者の間には
任意の通信回線が使用される。そして、このサーバー
は、評価基準２を用いて、搬入先にあるプラズマ処理装
置の性能を評価すると共に、望ましくない評価結果を得
た場合には、出力装置から保守作業命令を、その評価結
果に用いられた値として、時刻ｔ0 および／または時刻
ｔ1 における交流抵抗ＲＡの最大値ＲＡmax と最小値Ｒ
Ａmin とそのばらつき<ＲＡ>、および、交流抵抗ＲＢの
最大値ＲＢmax と最小値Ｂmin とそのばらつき<ＲＢ>
を、この値を与えたプラズマ処理室の固有番号と共に出
力するものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４７】このように、複数のプラズマチャンバがあ
る場合、サーバーは評価基準２による評価を行うため
に、納入先入力装置から各プラズマチャンバにおける高
周波特性としての交流抵抗ＲＡ，ＲＢの納入後における
交流抵抗ＲＡ1 ，ＲＢ1 を受信する。ここで、納入後と
は、再組み立て直後だけでなく、その後の使用期間中を
含むものである。すなわち、サーバーは、納入先のプラ
ズマ処理装置やプラズマ処理システムの性能を反映する
交流抵抗ＲＡ1 ，ＲＢ1 を適宜継続して受信できるもの
である。また、上記サーバーは、納入先入力装置から、
高周波特性としての交流抵抗ＲＡ，ＲＢの納入後におけ
る交流抵抗ＲＡ1 ，ＲＢ1 とともに、その値を与える個
々のプラズマ処理室あるいはプラズマ処理装置の固有番
号も受信する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００６０】サセプタ電極（対向電極）８の下部中央に
は、シャフト１３が接続され、このシャフト１３がチャ
ンバ底部１０Ａを貫通して設けられるとともに、シャフ
ト１３の下端部とチャンバ底部１０Ａ中心部とがベロー
ズ１１により密閉接続されている。これら、ウエハサセ
プタ８およびシャフト１３はベローズ１１により上下動
可能となっており、プラズマ励起電極４，８間の距離の
調整ができる。これらサセプタ電極８とシャフト１３と
が接続されているため、サセプタ電極８，シャフト１
３，ベローズ１１，チャンバ底部１０Ａ，チャンバ壁１
０は直流的に同電位となっている。さらに、チャンバ壁
１０とシャーシ２１は接続されているため、チャンバ壁
１０，シャーシ２１，マッチングボックス２はいずれも
直流的に同電位となっている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００６４】整合回路２Ａの交流抵抗としては、この整
合回路２Ａの入力端子側から、入力端子側交流抵抗ＲＡ
を測定するとともに、整合回路２Ａの出力端子側から、
出力端子側交流抵抗ＲＢを測定する。このとき、測定周
波数を高周波電源１の電力周波数を含むように１ＭＨｚ
〜１００ＭＨｚ程度の範囲から選択する。より好ましく
は、例えば１３．５６ＭＨｚ，２７．１２ＭＨｚ，４
０．６８ＭＨｚ等の値に設定される電力周波数ｆe に対
応した周波数に設定した状態により測定する。この交流
抵抗ＲＡ，ＲＢは、整合回路２Ａの構造をその多くの要
因としてきまる電気的高周波的な特性であり、具体的に
は図４に示すように測定される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００７０】このとき、整合回路２Ａの出力端子側交流
抵抗ＲＢの測定時に考慮されている電気的高周波的要因
としては、図５にＩRBで示すように、出力端子とされる
測定位置ＰＲから、分岐点Ｂ１を経て、接地電位部分ま
で、つまり、以下のものが考えられる。 チューニングコンデンサ２４の容量ＣT インダクタンスコイル２３における寄生抵抗ＲLT インダクタンスコイル２３におけるインダクタンスＬT ロードコンデンサ２２の容量ＣL 導体Ｒ２における寄生抵抗ＲR2 導体Ｒ２におけるインダクタンスＬR2
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００７１】これらの電気的高周波的要因のち、整合回
路２Ａの前記出力端子側交流抵抗ＲＢとしては、図５に
示すように、インダクタンスコイル２３における寄生抵
抗Ｒ LT、導体Ｒ２における寄生抵抗ＲR2、を測定するこ
とになる。ここで、寄生抵抗ＲLT は、出力端子側交流抵
抗ＲＢの測定時において、分岐点Ｂ１からロードコンデ
ンサ２２までの抵抗値等、上記のＩRBの回路における図
示しない寄生抵抗をも含んでいるものとする。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１０６】このとき、整合回路２Ａの入力端子側交流
抵抗ＲＡの測定時に考慮されている電気的高周波的要因
としては、図１３にＩRAで示すように、入力端子とされ
る測定位置ＰＲ３から、分岐点Ｂ１を経て、接地電位部
分であるマッチングボックス２への接続点ＢＰ１まで、
つまり、以下のものが考えられる。 導体Ｒ１における寄生抵抗ＲR1 導体Ｒ１におけるインダクタンスＬR1 同軸ケーブルＫ１における寄生抵抗ＲK1 同軸ケーブルＫ１におけるインダクタンスＬK1 導体Ｒ３における寄生抵抗ＲR3 導体Ｒ３におけるインダクタンスＬR3 ロードコンデンサ２２の容量ＣL 導体Ｒ２における寄生抵抗ＲR2 導体Ｒ２におけるインダクタンスＬR2
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４０
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１４０】本実施形態の整合回路２Ａの出力端子位置
ＰＲ近傍には、図１５〜図１７に示すように、出力端子
側交流抵抗ＲＢを測定するための測定用端子６１’と、
この測定用端子６１’と高周波特性測定器ＡＮとを接続
する同軸ケーブルとされる接続線６１Ｂと、高周波特性
測定時および、プラズマ発生時に、整合回路２Ａに対す
る接続を給電板３側と高周波特性測定器（インピーダン
ス測定器）ＡＮとの間で切り替えるスイッチＳＷ１およ
びＳＷ１’とが接続される。スイッチＳＷ１には整合回
路２Ａの出力端子位置ＰＲと測定用端子６１’および給
電板３側への出力線とが接続され、スイッチＳＷ１’は
マッチングボックス２と接続線６１Ｂのシールド線を介
した高周波特性測定器行きのアース電位部分に接続され
ている。また、スイッチＳＷ１，ＳＷ１’、接続線６１
Ｂは、プラズマ発生時と高周波特性測定時とのいずれの
場合にも、マッチングボックス２が接地電位になるよう
構成されている。ここで、各プラズマチャンバ７５，７
６，７７，９５，９６，９７から高周波特性測定器ＡＮ
までのインピーダンスとが等しくなるようにそれぞ接続
線６１Ｂの長さが等しくれ設定されている。これによ
り、整合回路２Ａと高周波特性測定器ＡＮとの接続を着
脱することなく、スイッチＳＷ１，ＳＷ１’の切り替え
のみにより、インピーダンスなどの測定による高周波特
性、特に出力端子側交流抵抗ＲＢの測定を容易におこな
うことが可能となる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６１
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１６１】本実施形態において、整合回路２Ａの入力
端子側交流抵抗ＲＡ（ＢＰ１）の測定時に考慮されてい
る電気的高周波的要因としては、図１９にＩRAで示すよ
うに、高周波電源１側の測定位置ＰＲ２から、分岐点Ｂ
１を経て、接地電位部分であるマッチングボックス２へ
の接続点ＢＰ１まで、つまり、以下のものが考えられ
る。 給電線１Ａにおける寄生抵抗Ｒ1A 給電線１ＡにおけるインダクタンスＬ1A 給電線１Ａにおける容量Ｃ1A 導体Ｒ１における寄生抵抗ＲR1 導体Ｒ１におけるインダクタンスＬR1 導体Ｒ５における寄生抵抗ＲR5 導体Ｒ５におけるインダクタンスＬR5 ロードコンデンサ２２Ｂの容量ＣLB 導体Ｒ２における寄生抵抗ＲR2 導体Ｒ２におけるインダクタンスＬR2 ここで、給電線１Ａにおける容量Ｃ1Aとは、シールド線
との間に発生する容量を意味するものである。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２８８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０２８８】ここで、整合回路１として、図３に示す第
１実施形態の整合回路２Ａと同様の構造を有し、表面に
銀メッキを施した銅パイプからなるチューニングコイル
２３のインダクタンス３７２ｎＨ、寄生抵抗成分となる
電力周波数ｆe における出力端子側交流抵抗ＲＢの値が
５．５２Ω、入力端子側交流抵抗ＲＡの値が０．５４Ω
のものを用意した。整合回路２として、上記整合回路１
と同等のチューニングコイル２３を２本並列に接続しト
ータルのインダクタンスを３７０ｎＨとなるように設定
し、寄生抵抗成分となる電力周波数ｆe における出力端
子側交流抵抗ＲＢの値が３．１７Ω、入力端子側交流抵
抗ＲＡの値が０．５５Ω、のものを用意した。整合回路
３として、上記整合回路１と同等のチューニングコイル
２３を４本並列に接続して、トータルのインダクタンス
を３７０ｎＨとなるように設定し、寄生抵抗成分となる
電力周波数ｆe における出力端子側交流抵抗ＲＢの値が
１．６２Ω、入力端子側交流抵抗ＲＡの値が０．５２
Ω、のものを用意した。整合回路４として、上記整合回
路１よりも径の太い銅パイプからなるチューニングコイ
ル２３を有し、トータルのインダクタンスを３７０ｎＨ
となるように設定し、寄生抵抗成分となる電力周波数ｆ
e における出力端子側交流抵抗ＲＢの値が４．１３Ω、
入力端子側交流抵抗ＲＡの値が０．５４Ω、のものを用
意した。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１３】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１４】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/203 Ｈ０１Ｌ 21/203 Ｓ 21/205 21/205 21/3065 21/31 Ｃ 21/31 21/302 Ｂ (72)発明者 大見 忠弘 宮城県仙台市青葉区米ヶ袋２−１−17− 301 Ｆターム(参考） 4G075 AA24 AA30 AA62 BC02 BC06 BC10 BD14 CA25 CA47 EC21 4K030 AA06 AA13 AA18 BA40 CA06 FA03 HA16 KA30 KA39 5F004 AA01 BA04 BA20 BB11 BB13 BB32 BD01 BD04 BD05 CA07 CB08 5F045 AB04 AB32 AB33 BB03 EB05 EH01 EH02 EH11 EH12 GB02 5F103 AA08 BB14 RR04

Claims (59)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 プラズマを励起するための電極を有す
    るプラズマ処理室と、前記電極に高周波電力を供給する
    ための高周波電源と、入力端子と出力端子とを有し該入
    力端子に前記高周波電源が接続され前記出力端子に前記
    電極が接続されこれら入出力端子の間に接地電位部分が
    接続されるとともに前記プラズマ処理室と前記高周波電
    源とのインピーダンス整合を得るための整合回路と、を
    具備するプラズマ処理室ユニットを有するプラズマ処理
    装置の性能評価方法であって、 前記プラズマ処理室ユニットの整合回路において、前記
    入力端子側から測定した交流抵抗ＲＡの、時刻ｔ0 とそ
    の後の時刻ｔ1 における値ＲＡ0 、ＲＡ1 の差ΔＲＡの
    絶対値を求め、 前記プラズマ処理室ユニットの整合回路において、前記
    出力端子側から測定した交流抵抗ＲＢの、時刻ｔ0 とそ
    の後の時刻ｔ1 における値ＲＢ0 、ＲＢ1 の差ΔＲＢの
    絶対値をそれぞれ求め、 その値が所定の値より小さい値である場合に、所定の性
    能を維持していると判断し、その値が所定の値以上の値
    である場合に、所定の性能を維持していないと判断する
    ことを特徴とするプラズマ処理装置の性能評価方法。
  2. 【請求項２】 前記入力端子側交流抵抗ＲＡの測定範
    囲が、前記出力端子への接続を切断し、前記入力端子と
    される測定位置への接続を切断し、その測定位置から測
    定した範囲に設定されてなることを特徴とする請求項１
    記載のプラズマ処理装置の性能評価方法。
  3. 【請求項３】 前記高周波電源と前記入力端子とが高
    周波電力給電体を介して接続され、 前記入力端子側交流抵抗ＲＡの測定範囲が、前記出力端
    子への接続を切断し、前記高周波電力給電体の前記高周
    波電源側端部とされる測定位置への接続を切断し、その
    測定位置から測定した範囲に設定されてなることを特徴
    とする請求項１記載のプラズマ処理装置の性能評価方
    法。
  4. 【請求項４】 前記出力端子側交流抵抗ＲＢの測定範
    囲が、前記入力端子への接続を切断し、前記出力端子と
    される測定位置への接続を切断し、その測定位置から測
    定した範囲に設定されてなることを特徴とする請求項１
    記載のプラズマ処理装置の性能評価方法。
  5. 【請求項５】 前記電極と前記出力端子とが高周波電
    力配電体を介して接続され、 前記出力端子側交流抵抗ＲＢの測定範囲が、前記入力端
    子への接続を切断し、前記高周波電力配電体の前記電極
    側端部とされる測定位置への接続を切断し、その測定位
    置から測定した範囲に設定されてなることを特徴とする
    請求項１記載のプラズマ処理装置の性能評価方法。
  6. 【請求項６】 前記交流抵抗が、前記高周波電源の高
    周波電力の周波数における値に設定されてなることを特
    徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置の性能評価方
    法。
  7. 【請求項７】 前記ΔＲＡに対する前記所定の値が前
    記ＲＡ0 の０．５倍より小さい範囲の値に設定されると
    ともに、前記ΔＲＢに対する前記所定の値が前記ＲＢ0
    の０．５倍より小さい範囲の値に設定されてなることを
    特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置の性能評価
    方法。
  8. 【請求項８】 前記ΔＲＡに対する前記所定の値が前
    記ＲＡ0 の０．４倍より小さい範囲の値に設定されると
    ともに、前記ΔＲＢに対する前記所定の値が前記ＲＢ0
    の０．４倍より小さい範囲の値に設定されてなることを
    特徴とする請求項７記載のプラズマ処理装の性能評価方
    法置。
  9. 【請求項９】 前記入出力端子の間で前記接地電位部
    分に接続される接続点が複数ある場合には、前記接続点
    のうち１の接続点のみが前記接地電位部分に接続するよ
    う他の接続点を切断した状態とされ、かつ、各々接続す
    る接続点を切り替えて、それぞれ前記交流抵抗を測定す
    ることを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置の
    性能評価方法。
  10. 【請求項１０】 時刻ｔ0 とその後の時刻ｔ1 との間
    に、前記プラズマ処理室内に被処理物が導入され、該被
    処理物にプラズマ処理が行われることを特徴とする請求
    項１記載のプラズマ処理装置の性能評価方法。
  11. 【請求項１１】 時刻ｔ0 とその後の時刻ｔ1 との間
    に、前記プラズマ処理装置に、分解掃除、部品交換、組
    み立て調整等の調整作業が施されることを特徴とする請
    求項１記載のプラズマ処理装置の性能評価方法。
  12. 【請求項１２】 時刻ｔ0 とその後の時刻ｔ1 との間
    に、分解、搬送、及び再組み立てが施されることを特徴
    とする請求項１記載のプラズマ処理装置の性能評価方
    法。
  13. 【請求項１３】 請求項１から請求項１２のいずれか
    に記載された評価方法の結果、ΔＲＡ、△ＲＢの絶対値
    が所定の値以上の場合に、交流抵抗ＲＡ、ＲＢの是正作
    業を行うことを特徴とするプラズマ処理装置の保守方
    法。
  14. 【請求項１４】 プラズマを励起するための電極を有
    するプラズマ処理室と、前記電極に高周波電力を供給す
    るための高周波電源と、入力端子と出力端子とを有し該
    入力端子に前記高周波電源が接続され前記出力端子に前
    記電極が接続されこれら入出力端子の間に接地電位部分
    が接続されるとともに前記プラズマ処理室と前記高周波
    電源とのインピーダンス整合を得るための整合回路と、
    を具備するプラズマ処理室ユニットを有するプラズマ処
    理装置の性能管理システムであって、 前記プラズマ処理室ユニットの整合回路において前記入
    力端子側から測定した交流抵抗ＲＡの時刻ｔ0 における
    値ＲＡ0 と、前記プラズマ処理室ユニットの整合回路に
    おいて前記出力端子側から測定した交流抵抗ＲＢの時刻
    ｔ0 における値ＲＢ0 とを記憶するサーバーと、 このサーバーと通信回線で接続された納入先入出力装置
    と、を備え、 前記サーバーは、前記ＲＡ0 のその後の時刻ｔ1 におけ
    る値ＲＡ1 を前記納入先入出力装置から受信し、前記Ｒ
    Ａ0 とこのＲＡ1 との差であるΔＲＡの絶対値を演算す
    るとともに、前記ＲＢ0 のその後の時刻ｔ1 における値
    ＲＢ1 を前記納入先入出力装置から受信し、前記ＲＢ0
    とこのＲＢ1 との差であるΔＲＢの絶対値を演算し、 これらの値が所定の値より小さい値である場合には、所
    定の性能を維持している旨の信号を、所定の値以上の値
    である場合には、所定の性能を維持していない旨の信号
    を、各々納入先入出力装置に発信することを特徴とする
    プラズマ処理装置の性能管理システム。
  15. 【請求項１５】 前記入力端子側交流抵抗ＲＡの測定
    範囲が、前記出力端子への接続を切断し、前記入力端子
    とされる測定位置への接続を切断し、その測定位置から
    測定した範囲に設定されてなることを特徴とする請求項
    １４記載のプラズマ処理装置の性能管理システム。
  16. 【請求項１６】 前記高周波電源と前記入力端子とが
    高周波電力給電体を介して接続され、 前記入力端子側交流抵抗ＲＡの測定範囲が、前記出力端
    子への接続を切断し、前記高周波電力給電体の前記高周
    波電源側端部とされる測定位置への接続を切断し、その
    測定位置から測定した範囲に設定されてなることを特徴
    とする請求項１４記載のプラズマ処理装置の性能管理シ
    ステム。
  17. 【請求項１７】 前記出力端子側交流抵抗ＲＢの測定
    範囲が、前記入力端子への接続を切断し、前記出力端子
    とされる測定位置への接続を切断し、その測定位置から
    測定した範囲に設定されてなることを特徴とする請求項
    １４記載のプラズマ処理装置の性能管理システム。
  18. 【請求項１８】 前記電極と前記出力端子とが高周波
    電力配電体を介して接続され、 前記出力端子側交流抵抗ＲＢの測定範囲が、前記入力端
    子への接続を切断し、前記高周波電力配電体の前記電極
    側端部とされる測定位置への接続を切断し、その測定位
    置から測定した範囲に設定されてなることを特徴とする
    請求項１４記載のプラズマ処理装置の性能管理システ
    ム。
  19. 【請求項１９】 前記交流抵抗が、前記高周波電源の
    高周波電力の周波数における値に設定されてなることを
    特徴とする請求項１４記載のプラズマ処理装置の性能管
    理システム。
  20. 【請求項２０】 前記ΔＲＡに対する前記所定の値が
    前記ＲＡ0 の０．５倍より小さい範囲の値に設定される
    とともに、前記ΔＲＢに対する前記所定の値が前記ＲＢ
    0 の０．５倍より小さい範囲の値に設定されてなること
    を特徴とする請求項１４記載のプラズマ処理装置の性能
    管理システム。
  21. 【請求項２１】 前記ΔＲＡに対する前記所定の値が
    前記ＲＡ0 の０．４倍より小さい範囲の値に設定される
    とともに、前記ΔＲＢに対する前記所定の値が前記ＲＢ
    0 の０．４倍より小さい範囲の値に設定されてなること
    を特徴とする請求項２０記載のプラズマ処理装置の性能
    管理システム。
  22. 【請求項２２】 前記入出力端子の間で前記接地電位
    部分に接続される接続点が複数ある場合には、前記接続
    点のうち１の接続点のみが前記接地電位部分に接続する
    よう他の接続点を切断した状態とされ、かつ、各々接続
    する接続点を切り替えて、それぞれ前記交流抵抗を測定
    することを特徴とする請求項１４記載のプラズマ処理装
    置の性能管理システム。
  23. 【請求項２３】 時刻ｔ0 とその後の時刻ｔ1 との間
    に、前記プラズマ処理室内に被処理物が導入され、該被
    処理物にプラズマ処理が行われることを特徴とする請求
    項１４記載のプラズマ処理装置の性能管理システム。
  24. 【請求項２４】 時刻ｔ0 とその後の時刻ｔ1 との間
    に、前記プラズマ処理装置に、分解掃除、部品交換、組
    み立て調整等の調整作業が施されることを特徴とする請
    求項１４記載のプラズマ処理装置の性能管理システム。
  25. 【請求項２５】 時刻ｔ0 とその後の時刻ｔ1 との間
    に、分解、搬送、及び再組み立てが施されることを特徴
    とする請求項１４記載のプラズマ処理装置の性能管理シ
    ステム。
  26. 【請求項２６】 前記サーバーが、プラズマ処理室ユ
    ニットの固有番号毎に前記ＲＡ0 およびＲＢ0 を記憶
    し、納入先入出力装置から納入したプラズマ処理室の固
    有番号を受信して、当該固有番号に対応するＲＡ0 およ
    びＲＢ0 を用いて演算をすることを特徴とする請求項１
    ４記載のプラズマ処理装置の性能管理システム。
  27. 【請求項２７】 前記納入先入出力装置に、プラズマ
    処理装置に接続された高周波特性測定器を接続して、こ
    の高周波特性測定器から前記サーバーに、前記ＲＡ1 お
    よびＲＢ1 が直接送信されることを特徴とする請求項１
    ４記載のプラズマ処理装置の性能管理システム
  28. 【請求項２８】 前記サーバーが搬送元において出力
    装置を備え、ΔＲＡの絶対値およびΔＲＢの絶対値がそ
    れぞれ所定の値を超える場合に、前記出力装置から、保
    守作業命令を出力することを特徴とする請求項１４記載
    のプラズマ処理装置の性能管理システム。
  29. 【請求項２９】 プラズマを励起するための電極を有
    するプラズマ処理室と、前記電極に高周波電力を供給す
    るための高周波電源と、入力端子と出力端子とを有し該
    入力端子に前記高周波電源が接続され前記出力端子に前
    記電極が接続されこれら入出力端子の間に接地電位部分
    が接続されるとともに前記プラズマ処理室と前記高周波
    電源とのインピーダンス整合を得るための整合回路と、
    を具備するプラズマ処理室ユニットを有するプラズマ処
    理装置の性能管理システムであって、 前記プラズマ処理室ユニットの整合回路において前記入
    力端子側から測定した交流抵抗ＲＡの時刻ｔ0 における
    値ＲＡ0 と、前記プラズマ処理室ユニットの整合回路に
    おいて前記出力端子側から測定した交流抵抗ＲＢの時刻
    ｔ0 における値ＲＢ0 と、各々所定の値の範囲によって
    決められた故障レベルに対応して登録されたサービスエ
    ンジニアの情報とを記憶するサーバーと、 このサーバーの搬送元における出力装置と、 このサーバーと通信回線で接続された納入先入出力装置
    と、を備え、 前記サーバーは、前記ＲＡ0 のその後の時刻ｔ1 におけ
    る値ＲＡ1 を前記納入先入出力装置から受信し、前記Ｒ
    Ａ0 とこのＲＡ1 との差であるΔＲＡの絶対値を演算す
    るとともに、前記ＲＢ0 のその後の時刻ｔ1 における値
    ＲＢ1 を前記納入先入出力装置から受信し、前記ＲＢ0
    とこのＲＢ1 との差であるΔＲＢの絶対値を演算し、 これらの値が、何れかの故障レベルの所定の値の範囲で
    ある場合には、前記出力装置から、当該故障レベルと、
    当該故障レベルに対応して登録されたサービスエンジニ
    アの情報と共に、保守作業命令を出力することを特徴と
    するプラズマ処理装置の性能管理システム。
  30. 【請求項３０】 前記入力端子側交流抵抗ＲＡの測定
    範囲が、前記出力端子への接続を切断し、前記入力端子
    とされる測定位置への接続を切断し、その測定位置から
    測定した範囲に設定されてなることを特徴とする請求項
    ２９記載のプラズマ処理装置の性能管理システム。
  31. 【請求項３１】 前記高周波電源と前記入力端子とが
    高周波電力給電体を介して接続され、 前記入力端子側交流抵抗ＲＡの測定範囲が、前記出力端
    子への接続を切断し、前記高周波電力給電体の前記高周
    波電源側端部とされる測定位置への接続を切断し、その
    測定位置から測定した範囲に設定されてなることを特徴
    とする請求項２９記載のプラズマ処理装置の性能管理シ
    ステム。
  32. 【請求項３２】 前記出力端子側交流抵抗ＲＢの測定
    範囲が、前記入力端子への接続を切断し、前記出力端子
    とされる測定位置への接続を切断し、その測定位置から
    測定した範囲に設定されてなることを特徴とする請求項
    ２９記載のプラズマ処理装置の性能管理システム。
  33. 【請求項３３】 前記電極と前記出力端子とが高周波
    電力配電体を介して接続され、 前記出力端子側交流抵抗ＲＢの測定範囲が、前記入力端
    子への接続を切断し、前記高周波電力配電体の前記電極
    側端部とされる測定位置への接続を切断し、その測定位
    置から測定した範囲に設定されてなることを特徴とする
    請求項２９記載のプラズマ処理装置の性能管理システ
    ム。
  34. 【請求項３４】 前記交流抵抗が、前記高周波電源の
    高周波電力の周波数における値に設定されてなることを
    特徴とする請求項２９記載のプラズマ処理装置の性能管
    理システム。
  35. 【請求項３５】 前記ΔＲＡに対する前記所定の値が
    前記ＲＡ0 の０．５倍より小さい範囲の値に設定される
    とともに、前記ΔＲＢに対する前記所定の値が前記ＲＢ
    0 の０．５倍より小さい範囲の値に設定されてなること
    を特徴とする請求項２９記載のプラズマ処理装置の性能
    管理システム。
  36. 【請求項３６】 前記ΔＲＡに対する前記所定の値が
    前記ＲＡ0 の０．４倍より小さい範囲の値に設定される
    とともに、前記ΔＲＢに対する前記所定の値が前記ＲＢ
    0 の０．４倍より小さい範囲の値に設定されてなること
    を特徴とする請求項３５記載のプラズマ処理装置の性能
    管理システム。
  37. 【請求項３７】 前記入出力端子の間で前記接地電位
    部分に接続される接続点が複数ある場合には、前記接続
    点のうち１の接続点のみが前記接地電位部分に接続する
    よう他の接続点を切断した状態とされ、かつ、各々接続
    する接続点を切り替えて、それぞれ前記交流抵抗を測定
    することを特徴とする請求項２９記載のプラズマ処理装
    置の性能管理システム。
  38. 【請求項３８】 時刻ｔ0 とその後の時刻ｔ1 との間
    に、前記プラズマ処理室内に被処理物が導入され、該被
    処理物にプラズマ処理が行われることを特徴とする請求
    項２９記載のプラズマ処理装置の性能管理システム。
  39. 【請求項３９】 時刻ｔ0 とその後の時刻ｔ1 との間
    に、前記プラズマ処理装置に、分解掃除、部品交換、組
    み立て調整等の調整作業が施されることを特徴とする請
    求項２９記載のプラズマ処理装置の性能管理システム。
  40. 【請求項４０】 時刻ｔ0 とその後の時刻ｔ1 との間
    に、分解、搬送、及び再組み立てが施されることを特徴
    とする請求項２９記載のプラズマ処理装置の性能管理シ
    ステム。
  41. 【請求項４１】 前記サーバーが、プラズマ処理室ユ
    ニットの固有番号毎に前記ＲＡ0 およびＲＢ0 を記憶
    し、納入先入出力装置から納入したプラズマ処理室の固
    有番号を受信して、当該固有番号に対応するＲＡ0 お
    よびＲＢ0 を用いて演算をすることを特徴とする請求項
    ２９記載のプラズマ処理装置の性能管理システム。
  42. 【請求項４２】 前記納入先入出力装置に、プラズマ
    処理装置に接続された高周波特性測定器を接続して、こ
    の高周波特性測定器から前記サーバーに、前記ＲＡ1 お
    よびＲＢ1 が直接送信されることを特徴とする請求項２
    ９記載のプラズマ処理装置の性能管理システム
  43. 【請求項４３】 前記サーバーが、前記当該故障レベ
    ルを、前記納入先入出力装置にも発信することを特徴と
    する請求項２９記載のプラズマ処理装置の性能管理シス
    テム。
  44. 【請求項４４】 プラズマを励起するための電極を有
    するプラズマ処理室と、前記電極に高周波電力を供給す
    るための高周波電源と、入力端子と出力端子とを有し該
    入力端子に前記高周波電源が接続され前記出力端子に前
    記電極が接続されこれら入出力端子の間に接地電位部分
    が接続されるとともに前記プラズマ処理室と前記高周波
    電源とのインピーダンス整合を得るための整合回路と、
    を具備するプラズマ処理室ユニットを有するプラズマ処
    理装置であって、 前記プラズマ処理室ユニットの整合回路において、前記
    入力端子側から測定した交流抵抗ＲＡの、時刻ｔ0 とそ
    の後の時刻ｔ1 における値ＲＡ0 、ＲＡ1 の差ΔＲＡの
    絶対値が所定の値より小さい値に維持されるとともに、 前記プラズマ処理室ユニットの整合回路において、前記
    出力端子側から測定した交流抵抗ＲＢの、時刻ｔ0 とそ
    の後の時刻ｔ1 における値ＲＢ0 、ＲＢ1 の差ΔＲＢの
    絶対値が所定の値より小さい値に維持されることを特徴
    とするプラズマ処理装置。
  45. 【請求項４５】 前記入力端子側交流抵抗ＲＡの測定
    範囲が、前記出力端子への接続を切断し、前記入力端子
    とされる測定位置への接続を切断し、その測定位置から
    測定した範囲に設定されてなることを特徴とする請求項
    ４４記載のプラズマ処理装置。
  46. 【請求項４６】 前記高周波電源と前記入力端子とが
    高周波電力給電体を介して接続され、 前記入力端子側交流抵抗ＲＡの測定範囲が、前記出力端
    子への接続を切断し、前記高周波電力給電体の前記高周
    波電源側端部とされる測定位置への接続を切断し、その
    測定位置から測定した範囲に設定されてなることを特徴
    とする請求項４４記載のプラズマ処理装置。
  47. 【請求項４７】 前記出力端子側交流抵抗ＲＢの測定
    範囲が、前記入力端子への接続を切断し、前記出力端子
    とされる測定位置への接続を切断し、その測定位置から
    測定した範囲に設定されてなることを特徴とする請求項
    ４４記載のプラズマ処理装置。
  48. 【請求項４８】 前記電極と前記出力端子とが高周波
    電力配電体を介して接続され、 前記出力端子側交流抵抗ＲＢの測定範囲が、前記入力端
    子への接続を切断し、前記高周波電力配電体の前記電極
    側端部とされる測定位置への接続を切断し、その測定位
    置から測定した範囲に設定されてなることを特徴とする
    請求項４４記載のプラズマ処理装置。
  49. 【請求項４９】 前記交流抵抗が、前記高周波電源の
    高周波電力の周波数における値に設定されてなることを
    特徴とする請求項４４１記載のプラズマ処理装置。
  50. 【請求項５０】 前記ΔＲＡに対する前記所定の値が
    前記ＲＡ0 の０．５倍より小さい範囲の値に設定される
    とともに、前記ΔＲＢに対する前記所定の値が前記ＲＢ
    0 の０．５倍より小さい範囲の値に設定されてなること
    を特徴とする請求項４４記載のプラズマ処理装置。
  51. 【請求項５１】 前記ΔＲＡに対する前記所定の値が
    前記ＲＡ0 の０．４倍より小さい範囲の値に設定される
    とともに、前記ΔＲＢに対する前記所定の値が前記ＲＢ
    0 の０．４倍より小さい範囲の値に設定されてなること
    を特徴とする請求項５０記載のプラズマ処理装置。
  52. 【請求項５２】 前記入出力端子の間で前記接地電位
    部分に接続される接続点が複数ある場合には、前記接続
    点のうち１の接続点のみが前記接地電位部分に接続する
    よう他の接続点を切断した状態とされ、かつ、各々接続
    する接続点を切り替えて、それぞれ前記交流抵抗を測定
    することを特徴とする請求項４４記載のプラズマ処理装
    置。
  53. 【請求項５３】 時刻ｔ0 とその後の時刻ｔ1 との間
    に、前記プラズマ処理室内に被処理物が導入され、該被
    処理物にプラズマ処理が行われることを特徴とする請求
    項４４記載のプラズマ処理装置。
  54. 【請求項５４】 時刻ｔ0 とその後の時刻ｔ1 との間
    に、前記プラズマ処理装置に、分解掃除、部品交換、組
    み立て調整等の調整作業が施されることを特徴とする請
    求項４４記載のプラズマ処理装置。
  55. 【請求項５５】 時刻ｔ0 とその後の時刻ｔ1 との間
    に、分解、搬送、及び再組み立てが施されることを特徴
    とする請求項４４記載のプラズマ処理装置。
  56. 【請求項５６】 ΔＲＡ、△ＲＢの絶対値が所定の値
    以上の場合に、交流抵抗ＲＡ、ＲＢの是正作業を行うこ
    とを特徴とする請求項４４記載のプラズマ処理装置。
  57. 【請求項５７】 購入発注者が販売保守者から購入し
    た請求項４４記載のプラズマ処理装置の時刻ｔ0 とその
    後の時刻ｔ1 において計測可能な動作性能状況を示す性
    能状況情報の閲覧を公衆回線を介して要求する購入発注
    者側情報端末と、 販売保守者が前記性能状況情報をアップロードする販売
    保守者側情報端末と、 前記購入発注者側情報端末の要求に応答して、販売保守
    者側情報端末からアップロードされた性能状況情報を購
    入発注者側情報端末に提供する性能状況情報提供手段
    と、 を具備することを特徴とするプラズマ処理装置の性能確
    認システム。
  58. 【請求項５８】 性能状況情報が、前記交流抵抗Ｒ
    Ａ，ＲＢを含むことを特徴とする請求項５７記載のプラ
    ズマ処理装置の性能確認システム。
  59. 【請求項５９】 性能状況情報が、カタログまたは仕
    様書として出力されることを特徴とする請求項５８記載
    のプラズマ処理装置の性能確認システム。
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