JP2002146589A - 誘電体表面上に導電層を製造する方法 - Google Patents
誘電体表面上に導電層を製造する方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 誘電体表面上に導電層を製造する方法を提供
する。 【解決手段】 ビスマス物質と硫黄物質で基体を処理
し、さらに該基体をめっきすることを含む、金属堆積方
法が開示される。
する。 【解決手段】 ビスマス物質と硫黄物質で基体を処理
し、さらに該基体をめっきすることを含む、金属堆積方
法が開示される。
Description
【０００１】本発明は誘電体表面の特質の改変に関し、
特に、誘電体表面を導電体にすることに関する。本発明
は、例えば、誘電体表面に電気めっき、特にニッケルめ
っきを行う種々の産業領域において使用されることがで
きる。本発明の方法により金属被覆された誘電アイテム
は、例えば、装飾または保護機能が要求されるところ
で、ガルバノプラスチック法（ｇａｌｖａｎｏｐｌａｓ
ｔｉｃ ｍｅｔｈｏｄ）を用いたプレスフォーム（ｐｒ
ｅｓｓ−ｆｏｒｍ）の製造において、または電磁放射を
遮蔽するためのアセンブリーのために使用されることが
できる。
特に、誘電体表面を導電体にすることに関する。本発明
は、例えば、誘電体表面に電気めっき、特にニッケルめ
っきを行う種々の産業領域において使用されることがで
きる。本発明の方法により金属被覆された誘電アイテム
は、例えば、装飾または保護機能が要求されるところ
で、ガルバノプラスチック法（ｇａｌｖａｎｏｐｌａｓ
ｔｉｃ ｍｅｔｈｏｄ）を用いたプレスフォーム（ｐｒ
ｅｓｓ−ｆｏｒｍ）の製造において、または電磁放射を
遮蔽するためのアセンブリーのために使用されることが
できる。
【０００２】導電表面を製造する特定の方法が存在する
ことが公知であり（ソビエト連邦特許第９８０８５８
号、Ｂ０５Ｄ５／１２ １９８２）、該方法において
は、誘電体表面が銅のアミン塩溶液で処理され、次いで
水に浸漬され、次いで硫化物溶液に浸漬され、次いで水
でリンスされる。この方法を用い、前記ソビエト連邦特
許に開示された操作シークエンスを少なくとも３回繰り
返すことによって、優良な導電表面が得られることがで
きる。これは、全体のプロセスの所用時間を長くし、水
および化学薬品の消費を増大させ、さらに自動化された
生産ラインの使用をより困難にする。硫化銅（ＩＩ）の
導電表面を製造するための、他の特定の方法が存在する
ことも公知であり（ソビエト連邦特許第１７６２４５４
号、Ｈ０５Ｋ３／４２、３／１８、１９９１）、該方法
においては誘電アイテムが１価の銅塩の溶液に浸漬さ
れ、次いで０．００２５／０．０２５の過硫酸カリウ
ム、ヨードまたは亜硝酸カリウムの溶液に浸漬され、次
いで水でリンスされ、アルカリ金属の硫化物溶液に浸漬
される。このプロセスは室温で行われ、それぞれの操作
は２回繰り返される。ソビエト連邦特許第１７６２４５
４号に開示される方法の欠点は、先行する特許に開示さ
れる欠点と同じである。さらに、両方の出願に開示され
た方法では、アイテムの隔離された一部分を被覆せずに
残すことが不可能であり、すなわち、選択的な導電コー
ティングを達成することができない。また、リトアニア
国特許庁公報（ＶＰＢ）Ｎｏ．５、２０００に開示され
た、リトアニア国特許出願第９８−１６１号も参照。該
文献が開示する方法は、コバルト溶液の使用という問題
を含む、顕著な欠点も有している。誘電体表面を導電性
にする新たな方法が望まれている。
ことが公知であり（ソビエト連邦特許第９８０８５８
号、Ｂ０５Ｄ５／１２ １９８２）、該方法において
は、誘電体表面が銅のアミン塩溶液で処理され、次いで
水に浸漬され、次いで硫化物溶液に浸漬され、次いで水
でリンスされる。この方法を用い、前記ソビエト連邦特
許に開示された操作シークエンスを少なくとも３回繰り
返すことによって、優良な導電表面が得られることがで
きる。これは、全体のプロセスの所用時間を長くし、水
および化学薬品の消費を増大させ、さらに自動化された
生産ラインの使用をより困難にする。硫化銅（ＩＩ）の
導電表面を製造するための、他の特定の方法が存在する
ことも公知であり（ソビエト連邦特許第１７６２４５４
号、Ｈ０５Ｋ３／４２、３／１８、１９９１）、該方法
においては誘電アイテムが１価の銅塩の溶液に浸漬さ
れ、次いで０．００２５／０．０２５の過硫酸カリウ
ム、ヨードまたは亜硝酸カリウムの溶液に浸漬され、次
いで水でリンスされ、アルカリ金属の硫化物溶液に浸漬
される。このプロセスは室温で行われ、それぞれの操作
は２回繰り返される。ソビエト連邦特許第１７６２４５
４号に開示される方法の欠点は、先行する特許に開示さ
れる欠点と同じである。さらに、両方の出願に開示され
た方法では、アイテムの隔離された一部分を被覆せずに
残すことが不可能であり、すなわち、選択的な導電コー
ティングを達成することができない。また、リトアニア
国特許庁公報（ＶＰＢ）Ｎｏ．５、２０００に開示され
た、リトアニア国特許出願第９８−１６１号も参照。該
文献が開示する方法は、コバルト溶液の使用という問題
を含む、顕著な欠点も有している。誘電体表面を導電性
にする新たな方法が望まれている。
【０００３】本発明は、アンモニアヒドロキシド（ａｍ
ｍｏｎｉａ ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ）またはアミンを使用
することなく、誘電体表面上に、優良な導電金属硫化物
コーティングを選択的に製造し、さらに、プロセスをよ
り短縮することを可能にする。本発明は、安定なイオン
溶液を使用して、導電コーティングを製造することも可
能にする。より詳細には、本発明の方法は、誘電体表面
を、ビスマスを含む組成物および硫黄（硫化物）で処理
することを含む。好ましくは、誘電基体はビスマスイオ
ン、特に３価ビスマスイオンを含む溶液で処理される。
次いで、処理された基体は、好ましくは、硫化物溶液で
処理される。ビスマス組成物での処理と硫黄処理との間
に、適切には、水でのリンスが行われることができる。
ｍｏｎｉａ ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ）またはアミンを使用
することなく、誘電体表面上に、優良な導電金属硫化物
コーティングを選択的に製造し、さらに、プロセスをよ
り短縮することを可能にする。本発明は、安定なイオン
溶液を使用して、導電コーティングを製造することも可
能にする。より詳細には、本発明の方法は、誘電体表面
を、ビスマスを含む組成物および硫黄（硫化物）で処理
することを含む。好ましくは、誘電基体はビスマスイオ
ン、特に３価ビスマスイオンを含む溶液で処理される。
次いで、処理された基体は、好ましくは、硫化物溶液で
処理される。ビスマス組成物での処理と硫黄処理との間
に、適切には、水でのリンスが行われることができる。
【０００４】ビスマス組成物での処理の前に、誘電基体
は好適にはエッチングされる。種々のエッチング剤が使
用されることができる。概して、好ましくは、例えば、
ＫＩＯ４、またはＫ２Ｓ２Ｏ８、およびＣｒＯ３を含
む、酸性の水溶液である。種々の硫黄組成物が使用され
ることもできる。硫黄塩を含む水性溶液が概して好まし
く、例えば、硫化ナトリウムまたは硫化カリウム水溶液
である。本発明の方法は、重金属と強固な錯化合物を形
成する、アンモニアヒドロキシド、アミンまたは他の化
合物を使用することなく、優良な金属硫化物導電コーテ
ィングを、誘電体表面上に、選択的に製造することを可
能にする。さらに、本発明の方法は、高度に安定な金属
イオン溶液を使用して、導電コーティングを生じさせ
る。すなわち、先行のシステムと異なる点は、本発明の
ビスマス処理組成物が長期間高度に安定であることであ
る。例えば、後述する表１に示される結果を参照。
は好適にはエッチングされる。種々のエッチング剤が使
用されることができる。概して、好ましくは、例えば、
ＫＩＯ４、またはＫ２Ｓ２Ｏ８、およびＣｒＯ３を含
む、酸性の水溶液である。種々の硫黄組成物が使用され
ることもできる。硫黄塩を含む水性溶液が概して好まし
く、例えば、硫化ナトリウムまたは硫化カリウム水溶液
である。本発明の方法は、重金属と強固な錯化合物を形
成する、アンモニアヒドロキシド、アミンまたは他の化
合物を使用することなく、優良な金属硫化物導電コーテ
ィングを、誘電体表面上に、選択的に製造することを可
能にする。さらに、本発明の方法は、高度に安定な金属
イオン溶液を使用して、導電コーティングを生じさせ
る。すなわち、先行のシステムと異なる点は、本発明の
ビスマス処理組成物が長期間高度に安定であることであ
る。例えば、後述する表１に示される結果を参照。
【０００５】本発明は、開示される方法に従って製造さ
れた、その上部に金属めっきを有する物品も含む。本発
明の方法および物品は、例えばプリント回路板または他
の電子パッケージング基板をはじめとする、電気回路お
よび導電体を形成すること、金属仕上げ、および例え
ば、電磁遮蔽物の製造をはじめとする他の用途を含む、
広範囲の用途に有用である。本発明の方法は、装飾また
は保護ニッケルめっき、または他の装飾または保護金属
層を堆積させるのに特に有用である。本発明の他の観点
については後述される。
れた、その上部に金属めっきを有する物品も含む。本発
明の方法および物品は、例えばプリント回路板または他
の電子パッケージング基板をはじめとする、電気回路お
よび導電体を形成すること、金属仕上げ、および例え
ば、電磁遮蔽物の製造をはじめとする他の用途を含む、
広範囲の用途に有用である。本発明の方法は、装飾また
は保護ニッケルめっき、または他の装飾または保護金属
層を堆積させるのに特に有用である。本発明の他の観点
については後述される。
【０００６】本発明は、誘電基体、特に、ＡＢＳ（アク
リロニトリルブタジエンスチレン）コポリマー基体、エ
ポキシ樹脂基体、ポリエーテルイミド基体等をはじめと
するポリマー基体をめっきするための新たな方法を提供
する。本発明の方法は、概して、ビスマス処理工程の使
用を含む。その後の硫化物物質または組成物での処理
が、例えば、電解ニッケル、銅、金、銀、白金または他
の金属めっき組成物溶液での基体の高品質の金属化を可
能にする。他の先行技術のシステムと異なり、金属層を
堆積させるために、Ｐｄ、またはＰｄ／すず、白金また
は他の金属をはじめとするめっき触媒を使用する必要が
ない。また、コバルトのような不安定な処理溶液を使用
することが必要とされない。
リロニトリルブタジエンスチレン）コポリマー基体、エ
ポキシ樹脂基体、ポリエーテルイミド基体等をはじめと
するポリマー基体をめっきするための新たな方法を提供
する。本発明の方法は、概して、ビスマス処理工程の使
用を含む。その後の硫化物物質または組成物での処理
が、例えば、電解ニッケル、銅、金、銀、白金または他
の金属めっき組成物溶液での基体の高品質の金属化を可
能にする。他の先行技術のシステムと異なり、金属層を
堆積させるために、Ｐｄ、またはＰｄ／すず、白金また
は他の金属をはじめとするめっき触媒を使用する必要が
ない。また、コバルトのような不安定な処理溶液を使用
することが必要とされない。
【０００７】誘電基体上での金属の堆積を促進させるた
めには、好ましくは、誘電基体はまず、その後のコンデ
ィショニングおよびめっきに最適化された、化学的およ
び物理的に改質されたを表面を提供できるような、エッ
チング溶液で処理される。そのような材料は、典型的に
は、強力な酸化剤を含み、さらに、上述のような酸性組
成物および過マンガン酸アルカリ塩組成物を含む。本発
明に従って使用される処理組成物は、スプレー適用およ
び浸漬を含む、種々の方法によって誘電基体に適用され
ることができる。処理組成物は、典型的には基体に溶液
として適用される。
めには、好ましくは、誘電基体はまず、その後のコンデ
ィショニングおよびめっきに最適化された、化学的およ
び物理的に改質されたを表面を提供できるような、エッ
チング溶液で処理される。そのような材料は、典型的に
は、強力な酸化剤を含み、さらに、上述のような酸性組
成物および過マンガン酸アルカリ塩組成物を含む。本発
明に従って使用される処理組成物は、スプレー適用およ
び浸漬を含む、種々の方法によって誘電基体に適用され
ることができる。処理組成物は、典型的には基体に溶液
として適用される。
【０００８】本発明に従って、種々のビスマス組成物が
使用されることができる。３価のビスマス種が特に好ま
しい。無機および有機ビスマス物質の両方が好適に使用
され、例えば、Ｂｉ（ＮＯ３）３、ＢｉＣｌ２、または
Ｂｉ（ＣＨ３ＣＯＯ）３が挙げられる。これらのビスマ
ス組成物は、好ましくは、酸性水性溶液中に存在し、例
えば、ＨＣｌ、ＨＮＯ３、または酢酸溶液である。該溶
液は比較的少量のビスマス物質を含むことができ、例え
ば、該溶液は好適には、水性処理溶液中で、０．０００
１〜約１モル濃度（ｍｏｌａｒ）のビスマスイオン濃度
であり、好ましくは、約０．００５〜約０．５モル濃度
のビスマスイオン濃度であり、さらにより好ましくは、
約０．００５〜約０．３モル濃度のビスマスイオン濃度
である。ビスマス組成物は誘電基体に室温で適用される
ことができ、良好な結果を達成できるが、ビスマス溶液
は高温であっても良い。
使用されることができる。３価のビスマス種が特に好ま
しい。無機および有機ビスマス物質の両方が好適に使用
され、例えば、Ｂｉ（ＮＯ３）３、ＢｉＣｌ２、または
Ｂｉ（ＣＨ３ＣＯＯ）３が挙げられる。これらのビスマ
ス組成物は、好ましくは、酸性水性溶液中に存在し、例
えば、ＨＣｌ、ＨＮＯ３、または酢酸溶液である。該溶
液は比較的少量のビスマス物質を含むことができ、例え
ば、該溶液は好適には、水性処理溶液中で、０．０００
１〜約１モル濃度（ｍｏｌａｒ）のビスマスイオン濃度
であり、好ましくは、約０．００５〜約０．５モル濃度
のビスマスイオン濃度であり、さらにより好ましくは、
約０．００５〜約０．３モル濃度のビスマスイオン濃度
である。ビスマス組成物は誘電基体に室温で適用される
ことができ、良好な結果を達成できるが、ビスマス溶液
は高温であっても良い。
【０００９】ビスマス組成物で処理した後に、次いで、
基体は硫黄組成物、好ましくは、硫化物種、例えば、Ｎ
ａ２ＳもしくはＫ２Ｓをはじめとする硫黄塩、またはア
ルキルスルフィドをはじめとする有機硫化物を含む水性
溶液で処理される。Ｎａ２ＳまたはＫ２Ｓが、概して好
ましい。硫化物組成物は誘電基体に室温で適用されるこ
とができ、良好な結果を達成できるが、硫化物組成物は
高温であっても良い。上記組成物での誘電基体の処理時
間は広範囲に変化することが可能であり、概して、０．
２５〜１０分の処理時間が好適であり、より典型的に
は、０．５〜約１、２、３、４もしくは５分、またはそ
れ以上である。好ましくは、処理された誘電基体は、処
理工程の間、すなわち、エッチング後、ビスマス処理
後、および続いての硫黄処理後に水でリンスされる。基
体は、好適には、めっきの前に乾燥されることができ
る。
基体は硫黄組成物、好ましくは、硫化物種、例えば、Ｎ
ａ２ＳもしくはＫ２Ｓをはじめとする硫黄塩、またはア
ルキルスルフィドをはじめとする有機硫化物を含む水性
溶液で処理される。Ｎａ２ＳまたはＫ２Ｓが、概して好
ましい。硫化物組成物は誘電基体に室温で適用されるこ
とができ、良好な結果を達成できるが、硫化物組成物は
高温であっても良い。上記組成物での誘電基体の処理時
間は広範囲に変化することが可能であり、概して、０．
２５〜１０分の処理時間が好適であり、より典型的に
は、０．５〜約１、２、３、４もしくは５分、またはそ
れ以上である。好ましくは、処理された誘電基体は、処
理工程の間、すなわち、エッチング後、ビスマス処理
後、および続いての硫黄処理後に水でリンスされる。基
体は、好適には、めっきの前に乾燥されることができ
る。
【００１０】種々の金属が誘電基体上にめっきされるこ
とができる。めっき組成物は商業的に入手可能である。
例えば、好適な電解銅、ニッケルおよび金めっき組成物
はシプレイカンパニー（マルボロ、マサチューセッツ）
から入手可能である。好ましいニッケル電気めっき用め
っき組成物およびこれらに使用するための方法は後述の
実施例に記載される。Ｃｏｏｍｂｓ、Ｐｒｉｎｔｅｄ
Ｃｉｒｃｕｉｔｓ Ｈａｎｄｂｏｏｋ（第３版、ＭｃＧ
ｒａｗ Ｈｉｌｌ）も参照。該文献における、好適なめ
っき組成物およびこれらの使用についてのさらなる記載
は本明細書の一部として参照される。本発明に従った使
用のための好ましい電解銅めっき組成物は、水性組成物
を含み、該組成物は６０ｇ／Ｌの濃度のＣｕＳＯ４５Ｈ
２Ｏ；２２５ｇ／Ｌの濃度のＨ２ＳＯ４；および５０ｐ
ｐｍの濃度のＣｌイオンを含む。めっきされるべき処理
された基体は、好適には、複数のカソードレールおよび
一台の整流器が付設され、前記銅めっき溶液が充填され
た、空気撹拌されためっきタンク内に浸漬される。めっ
きの間、次の堆積条件が好適に使用される：電流密度は
１４．５ｍＡ／ｃｍ２；ＤＣ波形はＤＣ；およびめっき
浴温度は２５℃である。
とができる。めっき組成物は商業的に入手可能である。
例えば、好適な電解銅、ニッケルおよび金めっき組成物
はシプレイカンパニー（マルボロ、マサチューセッツ）
から入手可能である。好ましいニッケル電気めっき用め
っき組成物およびこれらに使用するための方法は後述の
実施例に記載される。Ｃｏｏｍｂｓ、Ｐｒｉｎｔｅｄ
Ｃｉｒｃｕｉｔｓ Ｈａｎｄｂｏｏｋ（第３版、ＭｃＧ
ｒａｗ Ｈｉｌｌ）も参照。該文献における、好適なめ
っき組成物およびこれらの使用についてのさらなる記載
は本明細書の一部として参照される。本発明に従った使
用のための好ましい電解銅めっき組成物は、水性組成物
を含み、該組成物は６０ｇ／Ｌの濃度のＣｕＳＯ４５Ｈ
２Ｏ；２２５ｇ／Ｌの濃度のＨ２ＳＯ４；および５０ｐ
ｐｍの濃度のＣｌイオンを含む。めっきされるべき処理
された基体は、好適には、複数のカソードレールおよび
一台の整流器が付設され、前記銅めっき溶液が充填され
た、空気撹拌されためっきタンク内に浸漬される。めっ
きの間、次の堆積条件が好適に使用される：電流密度は
１４．５ｍＡ／ｃｍ２；ＤＣ波形はＤＣ；およびめっき
浴温度は２５℃である。
【００１１】本明細書における物質の溶液とは、全ての
固体成分がその中に溶解されているような流動性物質、
および１以上の添加成分が該流体中に分散されるか、ま
たは充分に溶解されていないような前記流動性物質を含
む。好ましくは、ほとんどまたは全ての添加成分が、充
分に該流動性キャリア（典型的には水である）に溶解さ
れる。以下に示す非限定的な実施例は本発明を例示する
ものである。本明細書において示される全ての参考文献
は本明細書の一部として参照される。
固体成分がその中に溶解されているような流動性物質、
および１以上の添加成分が該流体中に分散されるか、ま
たは充分に溶解されていないような前記流動性物質を含
む。好ましくは、ほとんどまたは全ての添加成分が、充
分に該流動性キャリア（典型的には水である）に溶解さ
れる。以下に示す非限定的な実施例は本発明を例示する
ものである。本明細書において示される全ての参考文献
は本明細書の一部として参照される。
【００１２】次の実施例においては、ＡＢＳ（シアン化
ビニル、ジビニルおよびスチレンのコポリマー）プラス
チック物質からなる誘電プレートから製造された製造物
が、５分間室温で、１３ＭのＨ３ＰＯ４および０．５Ｍ
のＫ２Ｓ２Ｏ８を含む溶液中でエッチングされるか、ま
たは５分間６０℃の温度で、３．８ＭのＨ２ＳＯ４およ
び３．８ＭのＣｒＯ３を含む溶液中でエッチングされ、
さらに水でリンスされた。次の実施例においては、誘電
性耐衝撃性（ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ−ｓｈｏｃｋ−ｒｅ
ｓｉｓｔａｎｔ）ポリスチレン（ＳＡＰＳ）が、１７Ｍ
のＨ２ＳＯ４および０．５ＭのＫＩＯ４を含む溶液中で
５分間、室温でエッチングされ、水でリンスされた。エ
ッチング後、製造物は、０．００５／０．３００ＭのＢ
ｉ（ＮＯ３）３、またはＢｉＣｌ３、またはＢｉ（ＣＨ
３ＣＯＯ）３、および０．０１／０．３５ＭのＨＮ
Ｏ３、またはＨＣｌ、またはＣＨ３ＣＯＯＨを含む溶液
中で、２分間室温で処理された。この後、製造物は水で
リンスされ、０．０１／０．２５ＭのＮａ ２ＳまたはＫ
２Ｓを含む溶液中で、さらに３０秒間、室温で処理され
た。プロセスが完了したときに、アイテムは蒸留水でリ
ンスされ、乾燥され、１５分間、１／１．２ＭのＮｉＳ
Ｏ４；０．１５／０．２ＭのＮｉＣｌ２および０．４／
０．５ＭのＨ３ＢＯ３を含むＷａｔｔｓ電解質中で、初
期電流密度０．３Ａ／ｄｍ３であって、接点からのニッ
ケルコーティングの進展に従って、３Ａ／ｄｍ３に増加
させて、４０℃の電解質温度で、ニッケルめっきされ
た。
ビニル、ジビニルおよびスチレンのコポリマー）プラス
チック物質からなる誘電プレートから製造された製造物
が、５分間室温で、１３ＭのＨ３ＰＯ４および０．５Ｍ
のＫ２Ｓ２Ｏ８を含む溶液中でエッチングされるか、ま
たは５分間６０℃の温度で、３．８ＭのＨ２ＳＯ４およ
び３．８ＭのＣｒＯ３を含む溶液中でエッチングされ、
さらに水でリンスされた。次の実施例においては、誘電
性耐衝撃性（ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ−ｓｈｏｃｋ−ｒｅ
ｓｉｓｔａｎｔ）ポリスチレン（ＳＡＰＳ）が、１７Ｍ
のＨ２ＳＯ４および０．５ＭのＫＩＯ４を含む溶液中で
５分間、室温でエッチングされ、水でリンスされた。エ
ッチング後、製造物は、０．００５／０．３００ＭのＢ
ｉ（ＮＯ３）３、またはＢｉＣｌ３、またはＢｉ（ＣＨ
３ＣＯＯ）３、および０．０１／０．３５ＭのＨＮ
Ｏ３、またはＨＣｌ、またはＣＨ３ＣＯＯＨを含む溶液
中で、２分間室温で処理された。この後、製造物は水で
リンスされ、０．０１／０．２５ＭのＮａ ２ＳまたはＫ
２Ｓを含む溶液中で、さらに３０秒間、室温で処理され
た。プロセスが完了したときに、アイテムは蒸留水でリ
ンスされ、乾燥され、１５分間、１／１．２ＭのＮｉＳ
Ｏ４；０．１５／０．２ＭのＮｉＣｌ２および０．４／
０．５ＭのＨ３ＢＯ３を含むＷａｔｔｓ電解質中で、初
期電流密度０．３Ａ／ｄｍ３であって、接点からのニッ
ケルコーティングの進展に従って、３Ａ／ｄｍ３に増加
させて、４０℃の電解質温度で、ニッケルめっきされ
た。
【００１３】溶液中に沈殿物が存在するか（このこと
は、溶液が不安定であることを示す）、または沈殿物が
存在しないか（このことは、溶液が安定であることを示
す）を試験して、金属イオン溶液の安定性が評価され
た。導電硫化物コーティングの滑らかさが、処理直後
に、日光の下で、目視によって評価された。パラメータ
としては、「滑らか」または「滑らかでない」の２つを
使用した。コーティングの電気伝導性は、接点からの化
学的なニッケルめっき進展速度によって評価され、セン
チメートル／分で表した。誘電アイテム上に導電コーテ
ィングを選択的に生じさせる能力については、アイテム
の隔離された部分がニッケルで覆われるか否かを試験す
ることにより評価された。次の実施例１〜７において
は、実施例１、３および６はコントロール目的のもので
あるが、実施例２、４、５および７は、異なる濃度のビ
スマス成分イオンで、さらに異なる技術的手段を用い
て、本発明の方法に従って調製されたものである。実施
例３、４、５、６および７においては、処理されたの
は、表面積５０ｃｍ ２のＡＢＳプラスチックプレートで
あるが、実施例２においては、表面積７０ｃｍ２の耐衝
撃性ポリスチレン（ＳＡＰＳ）からなる異形材の（ｐｒ
ｏｆｉｌｅｄ）アイテムであった。
は、溶液が不安定であることを示す）、または沈殿物が
存在しないか（このことは、溶液が安定であることを示
す）を試験して、金属イオン溶液の安定性が評価され
た。導電硫化物コーティングの滑らかさが、処理直後
に、日光の下で、目視によって評価された。パラメータ
としては、「滑らか」または「滑らかでない」の２つを
使用した。コーティングの電気伝導性は、接点からの化
学的なニッケルめっき進展速度によって評価され、セン
チメートル／分で表した。誘電アイテム上に導電コーテ
ィングを選択的に生じさせる能力については、アイテム
の隔離された部分がニッケルで覆われるか否かを試験す
ることにより評価された。次の実施例１〜７において
は、実施例１、３および６はコントロール目的のもので
あるが、実施例２、４、５および７は、異なる濃度のビ
スマス成分イオンで、さらに異なる技術的手段を用い
て、本発明の方法に従って調製されたものである。実施
例３、４、５、６および７においては、処理されたの
は、表面積５０ｃｍ ２のＡＢＳプラスチックプレートで
あるが、実施例２においては、表面積７０ｃｍ２の耐衝
撃性ポリスチレン（ＳＡＰＳ）からなる異形材の（ｐｒ
ｏｆｉｌｅｄ）アイテムであった。
【００１４】実施例１ 耐衝撃性ポリスチレンの表面積７０ｃｍ２の異形材物品
を、５分間、室温で、１７ＭのＨ２ＳＯ４および０．５
ＭのＫＩＯ４を用いて、エッチングした。エッチング
後、アイテムは水でリンスされ、さらに、０．０１Ｍの
ＣｏＦ３および０．３５ＭのＮＨ４ＯＨを含む溶液中
で、１０分間、室温で処理された。この処理の後、アイ
テムは、ｐＨ５までの酢酸水中でリンスされ、さらに、
０．１ＭのＮａ２Ｓを含む硫化物溶液中で３０秒間処理
された。処理後、アイテムは蒸留水でリンスされ、乾燥
され、１．２ＭのＮｉＳＯ４；０．２ＭのＮｉＣｌ２；
および０．５ＭのＨ３ＢＯ３を含むＷａｔｔｓ電解質中
で、１５分間、初期電流密度０．３Ａ／ｄｍ２、温度４
０℃でニッケルめっきされた。
を、５分間、室温で、１７ＭのＨ２ＳＯ４および０．５
ＭのＫＩＯ４を用いて、エッチングした。エッチング
後、アイテムは水でリンスされ、さらに、０．０１Ｍの
ＣｏＦ３および０．３５ＭのＮＨ４ＯＨを含む溶液中
で、１０分間、室温で処理された。この処理の後、アイ
テムは、ｐＨ５までの酢酸水中でリンスされ、さらに、
０．１ＭのＮａ２Ｓを含む硫化物溶液中で３０秒間処理
された。処理後、アイテムは蒸留水でリンスされ、乾燥
され、１．２ＭのＮｉＳＯ４；０．２ＭのＮｉＣｌ２；
および０．５ＭのＨ３ＢＯ３を含むＷａｔｔｓ電解質中
で、１５分間、初期電流密度０．３Ａ／ｄｍ２、温度４
０℃でニッケルめっきされた。
【００１５】実施例２ 耐衝撃性ポリスチレンの異形材のアイテムが実施例１に
記載された方法に従ってエッチングされた。エッチング
後、アイテムは水でリンスされ、さらに、０．０１Ｍの
Ｂｉ（ＮＯ ３）３および０．０３ＭのＨＮＯ３を含む溶
液中で２分間、室温で処理された。その後、アイテムは
水でリンスされ、０．１ＭのＮａ２Ｓを含む硫化物溶液
中で３０秒間処理された。処理後、アイテムは蒸留水で
リンスされ、乾燥され、実施例１に記載されたように、
Ｗａｔｔｓ電解質中で、１５分間ニッケルめっきされ
た。
記載された方法に従ってエッチングされた。エッチング
後、アイテムは水でリンスされ、さらに、０．０１Ｍの
Ｂｉ（ＮＯ ３）３および０．０３ＭのＨＮＯ３を含む溶
液中で２分間、室温で処理された。その後、アイテムは
水でリンスされ、０．１ＭのＮａ２Ｓを含む硫化物溶液
中で３０秒間処理された。処理後、アイテムは蒸留水で
リンスされ、乾燥され、実施例１に記載されたように、
Ｗａｔｔｓ電解質中で、１５分間ニッケルめっきされ
た。
【００１６】実施例３ ５０ｃｍ２の表面積を有するＡＢＳプラスチックのプレ
ートが、１３ＭのＨ３ＰＯ４および０．５ＭのＫ２Ｓ２
Ｏ８を含む溶液で、５分間、室温でエッチングされた。
エッチング後、プレートは水でリンスされ、０．２５Ｍ
のＣｏＣｌ２および０．７Ｍのトリエタノールアミンを
含む溶液で、１０分間、室温で処理された。これに続い
て、プレートは水でリンスされ、Ｎａ２ＣＯ３によって
アルカリ度（ａｌｋａｌｉｎｉｔｙ）をｐH９．０に上
げ、さらに、０．０１Ｍの硫化ナトリウムを含む硫化物
溶液中で３０秒間、室温で処理した。処理後、アイテム
は蒸留水でリンスされ、乾燥され、実施例１に記載され
たように、Ｗａｔｔｓ電解質中で、１５分間ニッケルめ
っきされた。
ートが、１３ＭのＨ３ＰＯ４および０．５ＭのＫ２Ｓ２
Ｏ８を含む溶液で、５分間、室温でエッチングされた。
エッチング後、プレートは水でリンスされ、０．２５Ｍ
のＣｏＣｌ２および０．７Ｍのトリエタノールアミンを
含む溶液で、１０分間、室温で処理された。これに続い
て、プレートは水でリンスされ、Ｎａ２ＣＯ３によって
アルカリ度（ａｌｋａｌｉｎｉｔｙ）をｐH９．０に上
げ、さらに、０．０１Ｍの硫化ナトリウムを含む硫化物
溶液中で３０秒間、室温で処理した。処理後、アイテム
は蒸留水でリンスされ、乾燥され、実施例１に記載され
たように、Ｗａｔｔｓ電解質中で、１５分間ニッケルめ
っきされた。
【００１７】実施例４ ＡＢＳプラスチックのプレートが、１３ＭのＨ３ＰＯ４
および０．５ＭのＫ２Ｓ２Ｏ８を含む溶液で、５分間、
室温でエッチングされた。エッチング後、プレートは水
でリンスされ、０．３Ｍの酢酸ビスマスおよび０．３５
Ｍの酢酸を含む溶液で、２分間、室温で処理された。こ
れに続いて、プレートは水でリンスされ、さらに、０．
０１ＭのＮａ２Ｓを含む硫化物溶液中で３０秒間、室温
で処理した。処理後、アイテムは蒸留水でリンスされ、
乾燥され、実施例１に記載されたように、Ｗａｔｔｓ電
解質中で、１５分間ニッケルめっきされた。
および０．５ＭのＫ２Ｓ２Ｏ８を含む溶液で、５分間、
室温でエッチングされた。エッチング後、プレートは水
でリンスされ、０．３Ｍの酢酸ビスマスおよび０．３５
Ｍの酢酸を含む溶液で、２分間、室温で処理された。こ
れに続いて、プレートは水でリンスされ、さらに、０．
０１ＭのＮａ２Ｓを含む硫化物溶液中で３０秒間、室温
で処理した。処理後、アイテムは蒸留水でリンスされ、
乾燥され、実施例１に記載されたように、Ｗａｔｔｓ電
解質中で、１５分間ニッケルめっきされた。
【００１８】実施例５ ＡＢＳプラスチックのプレートが、１３ＭのＨ３ＰＯ４
および０．５ＭのＫ２Ｓ２Ｏ８を含む溶液で、５分間、
室温でエッチングされた。エッチング後、プレートは水
でリンスされ、０．００５ＭのＢｉ（ＮＯ３）３および
０．０１ＭのＨＮＯ３を含む溶液で、２分間、室温で処
理された。これに続いて、プレートは水でリンスされ、
さらに、０．０１ＭのＮａ２Ｓを含む硫化物溶液中で３
０秒間、室温で処理した。処理後、アイテムは蒸留水で
リンスされ、乾燥され、実施例１に記載されたように、
Ｗａｔｔｓ電解質中で、１５分間ニッケルめっきされ
た。
および０．５ＭのＫ２Ｓ２Ｏ８を含む溶液で、５分間、
室温でエッチングされた。エッチング後、プレートは水
でリンスされ、０．００５ＭのＢｉ（ＮＯ３）３および
０．０１ＭのＨＮＯ３を含む溶液で、２分間、室温で処
理された。これに続いて、プレートは水でリンスされ、
さらに、０．０１ＭのＮａ２Ｓを含む硫化物溶液中で３
０秒間、室温で処理した。処理後、アイテムは蒸留水で
リンスされ、乾燥され、実施例１に記載されたように、
Ｗａｔｔｓ電解質中で、１５分間ニッケルめっきされ
た。
【００１９】実施例６ ＡＢＳプラスチックのプレートが、３．８ＭのＨ２ＳＯ
４および３．８ＭのＣｒＯ３を含む溶液中で、５分間、
６０℃でエッチングされた。エッチング後、プレートは
水でリンスされ、０．０１ＭのＣｏＦ３および０．０４
Ｍのモノエタノールアミンを含む溶液で、１０分間、室
温で処理された。これに続いて、プレートは水でリンス
され、ＮａＯＨによってアルカリ度をｐＨ１４にされ、
さらに、０．２５ＭのＫ２Ｓを含む硫化物溶液中で３０
秒間、室温で処理した。処理後、アイテムは蒸留水でリ
ンスされ、乾燥され、実施例１に記載されたように、Ｗ
ａｔｔｓ電解質中で、１５分間ニッケルめっきされた。
４および３．８ＭのＣｒＯ３を含む溶液中で、５分間、
６０℃でエッチングされた。エッチング後、プレートは
水でリンスされ、０．０１ＭのＣｏＦ３および０．０４
Ｍのモノエタノールアミンを含む溶液で、１０分間、室
温で処理された。これに続いて、プレートは水でリンス
され、ＮａＯＨによってアルカリ度をｐＨ１４にされ、
さらに、０．２５ＭのＫ２Ｓを含む硫化物溶液中で３０
秒間、室温で処理した。処理後、アイテムは蒸留水でリ
ンスされ、乾燥され、実施例１に記載されたように、Ｗ
ａｔｔｓ電解質中で、１５分間ニッケルめっきされた。
【００２０】実施例７ ＡＢＳプラスチックのプレートが、３．８ＭのＨ２ＳＯ
４および３．８ＭのＣｒＯ３を含む溶液中で、５分間、
６０℃でエッチングされた。エッチング後、プレートは
水でリンスされ、０．０１ＭのＢｉＣｌ３および０．０
３ＭのＨＣｌを含む溶液で、２分間、室温で処理され
た。これに続いて、プレートは水でリンスされ、さら
に、０．２５ＭのＫ２Ｓを含む硫化物溶液中で３０秒
間、室温で処理された。処理後、アイテムは蒸留水でリ
ンスされ、乾燥され、実施例１に記載されたように、Ｗ
ａｔｔｓ電解質中で、１５分間ニッケルめっきされた。
４および３．８ＭのＣｒＯ３を含む溶液中で、５分間、
６０℃でエッチングされた。エッチング後、プレートは
水でリンスされ、０．０１ＭのＢｉＣｌ３および０．０
３ＭのＨＣｌを含む溶液で、２分間、室温で処理され
た。これに続いて、プレートは水でリンスされ、さら
に、０．２５ＭのＫ２Ｓを含む硫化物溶液中で３０秒
間、室温で処理された。処理後、アイテムは蒸留水でリ
ンスされ、乾燥され、実施例１に記載されたように、Ｗ
ａｔｔｓ電解質中で、１５分間ニッケルめっきされた。
【００２１】コーティングの品質についてのデータは以
下の表１に示される。以下の表１に示されるデータは、
異なる誘電アイテムおよび異なるエッチング処理レジュ
メの下で、該新規なコーティングを生じさせる方法はよ
り短時間であり、さらに該コーティングの品質は公知の
方法により得られたものに比べて劣っておらず、ある場
合には該新規の方法のコーティングの品質は顕著に優れ
たものである。
下の表１に示される。以下の表１に示されるデータは、
異なる誘電アイテムおよび異なるエッチング処理レジュ
メの下で、該新規なコーティングを生じさせる方法はよ
り短時間であり、さらに該コーティングの品質は公知の
方法により得られたものに比べて劣っておらず、ある場
合には該新規の方法のコーティングの品質は顕著に優れ
たものである。
【００２２】
【表１】
【００２３】本発明についての上述の記載は、単に本発
明を例示するものであり、特許請求の範囲により規定さ
れる本発明の精神および範囲からはずれることなく、変
更および修飾が行われることができる。
明を例示するものであり、特許請求の範囲により規定さ
れる本発明の精神および範囲からはずれることなく、変
更および修飾が行われることができる。
フロントページの続き (71)出願人 596156668 455 Ｆｏｒｅｓｔ Ｓｔｒｅｅｔ，Ｍａ ｒｌｂｏｒｏｕｇｈ，ＭＡ 01752 Ｕ. Ｓ．Ａ
Claims (26)
- 【請求項１】 ビスマス物質と硫黄物質で基体を処理
し、さらに該基体を金属めっきすることを含む、金属堆
積方法。 - 【請求項２】 基体が３価のビスマスで処理される請求
項１記載の方法。 - 【請求項３】 基体がまずビスマス物質で処理されて、
次いで、硫黄物質で処理される請求項１または２記載の
方法。 - 【請求項４】 基体が硫化物薬剤で処理される請求項１
〜３のいずれか１項記載の方法。 - 【請求項５】 硫化物薬剤が無機または有機硫化物であ
る請求項４記載の方法。 - 【請求項６】 硫化物が硫黄塩である請求項１〜５のい
ずれか１項記載の方法。 - 【請求項７】 基体がビスマス物質の溶液で処理され
る、請求項１〜６のいずれか１項記載の方法。 - 【請求項８】 ビスマス溶液が、約０．００５〜約０．
３Ｍのビスマスイオン濃度を有する水性溶液である請求
項７記載の方法。 - 【請求項９】 基体が硫黄物質の溶液で処理される、請
求項１〜８のいずれか１項記載の方法。 - 【請求項１０】 硫黄溶液が硫化物の水性溶液である請
求項９記載の方法。 - 【請求項１１】 基体がニッケルで電解めっきされる請
求項１〜１０のいずれか１項記載の方法。 - 【請求項１２】 基体が銅で電解めっきされる請求項１
〜１０のいずれか１項記載の方法。 - 【請求項１３】 基体が金で電解めっきされる請求項１
〜１０のいずれか１項記載の方法。 - 【請求項１４】 基体が、ビスマス物質で処理される前
に、エッチング剤で処理される請求項１〜１３のいずれ
か１項記載の方法。 - 【請求項１５】 基体の表面が誘電物質を含む請求項１
〜１４のいずれか１項記載の方法。 - 【請求項１６】 基体の表面がエポキシ樹脂、ＡＢＳま
たはポリエーテルイミドを含む請求項１〜１５のいずれ
か１項記載の方法。 - 【請求項１７】 基体が電子パッケージング基体である
請求項１〜１６のいずれか１項記載の方法。 - 【請求項１８】 金属めっきが装飾または保護機能を提
供する請求項１〜１６のいずれか１項記載の方法。 - 【請求項１９】 基体が、ビスマス物質で処理された後
で、硫化物物質で処理される前に、水で処理される請求
項１〜１８のいずれか１項記載の方法。 - 【請求項２０】 基体を含む製造物品であって、請求項
１〜１９のいずれか１項記載の方法によって提供された
金属堆積物を該基体上に有する、前記物品。 - 【請求項２１】 基体を含む製造物品であって、電解金
属堆積物を該基体上に有し、該金属堆積物の下層にビス
マス物質を有する前記物品。 - 【請求項２２】 金属堆積物の下に硫黄がさらに存在す
る請求項２１記載の物品。 - 【請求項２３】 金属が誘電体層の上に堆積される請求
項２１または２２記載の物品。 - 【請求項２４】 基体が電子パッケージング基体である
請求項２１〜２３のいずれか１項記載の物品。 - 【請求項２５】 金属めっきが装飾または保護機能を提
供する請求項２１〜２３のいずれか１項記載の物品。 - 【請求項２６】 基体が電磁遮蔽物質である請求項２１
〜２３のいずれか１項記載の物品。
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|---|---|---|---|
| LT2000074A LT2000074A (lt) | 2000-07-20 | 2000-07-20 | Elektrai laidžių dangų ant dielektriko paviršiaus gavimo būdas |
| LT2000074 | 2000-07-20 |
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|---|---|
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001220307A Expired - Fee Related JP4789361B2 (ja) | 2000-07-20 | 2001-07-19 | 誘電体表面上に導電層を製造する方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6610365B2 (ja) |
| EP (1) | EP1174530B1 (ja) |
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| KR (1) | KR100816667B1 (ja) |
| DE (1) | DE60133795T2 (ja) |
| ES (1) | ES2305035T3 (ja) |
| LT (1) | LT2000074A (ja) |
| TW (1) | TW575667B (ja) |
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| WO2007116493A1 (ja) | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Ebara-Udylite Co., Ltd. | プラスチック用の表面改質液およびそれを利用したプラスチック表面の金属化方法 |
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| DE102014216974A1 (de) | 2014-08-26 | 2016-03-03 | Mahle International Gmbh | Thermoelektrisches Modul |
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