JP2002146548A - 無電解ニッケルめっき皮膜およびそれを用いたプリント配線板 - Google Patents
無電解ニッケルめっき皮膜およびそれを用いたプリント配線板Info
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- JP2002146548A JP2002146548A JP2000340010A JP2000340010A JP2002146548A JP 2002146548 A JP2002146548 A JP 2002146548A JP 2000340010 A JP2000340010 A JP 2000340010A JP 2000340010 A JP2000340010 A JP 2000340010A JP 2002146548 A JP2002146548 A JP 2002146548A
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- nickel plating
- electroless nickel
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プリント配線板において、実装部品の小型化
によるはんだ実装ランド面積の微小化に対応し、はんだ
接合性に優れた無電解めっき皮膜の形成を目的とした。 【解決手段】 無電解ニッケルめっき皮膜３中の炭素
（Ｃ）及びイオウ（Ｓ）の量が０．０１≦Ｃ≦０．０３
および０．００５≦Ｓ≦０．０２５の範囲でかつ０．０
１５≦Ｃ＋Ｓ≦０．０３５であることを特徴とする。
によるはんだ実装ランド面積の微小化に対応し、はんだ
接合性に優れた無電解めっき皮膜の形成を目的とした。 【解決手段】 無電解ニッケルめっき皮膜３中の炭素
（Ｃ）及びイオウ（Ｓ）の量が０．０１≦Ｃ≦０．０３
および０．００５≦Ｓ≦０．０２５の範囲でかつ０．０
１５≦Ｃ＋Ｓ≦０．０３５であることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、無電解ニッケルめ
っき皮膜およびそれを用いたプリント配線板に関するも
のである。
っき皮膜およびそれを用いたプリント配線板に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報通信機器、情報通信端末機器
など電子機器の小型化に伴い、プリント配線板の高密度
化、多層配線化及び低コスト化などが要求されている。
など電子機器の小型化に伴い、プリント配線板の高密度
化、多層配線化及び低コスト化などが要求されている。
【０００３】例えば、携帯機器を中心とする情報通信機
器の「小型・軽量化」「高機能化」「多様化」の要望の
中で携帯電話にＣＳＰ（Chip Size Package）が新たに
採用された。このＣＳＰの採用により従来のＱＦＰ（Qu
ad Flat Package）に比べ、プリント配線板上に実装し
た時の面積効率が飛躍的に向上することとなった。
器の「小型・軽量化」「高機能化」「多様化」の要望の
中で携帯電話にＣＳＰ（Chip Size Package）が新たに
採用された。このＣＳＰの採用により従来のＱＦＰ（Qu
ad Flat Package）に比べ、プリント配線板上に実装し
た時の面積効率が飛躍的に向上することとなった。
【０００４】従来このプリント配線板の銅配線及び銅ラ
ンド表面には、はんだ付け性の劣化を防止し、あるいは
接点機能の長期信頼性等の目的から電解めっきによるニ
ッケルめっき及び金めっき処理を行っていたが、これら
高密度実装を実現するために、銅の表面処理として、電
解めっきに替わり、無電解めっきによるニッケルめっき
処理技術が採用されてきている。
ンド表面には、はんだ付け性の劣化を防止し、あるいは
接点機能の長期信頼性等の目的から電解めっきによるニ
ッケルめっき及び金めっき処理を行っていたが、これら
高密度実装を実現するために、銅の表面処理として、電
解めっきに替わり、無電解めっきによるニッケルめっき
処理技術が採用されてきている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このＣＳＰも０．８ｍ
ｍピッチから現在は０．５ｍｍピッチが主流となってき
ており、ＣＳＰを実装するプリント配線板のランド径も
直径０．５５ｍｍから直径０．３５ｍｍへと小径化して
おり、さらに狭ピッチ化（ランドの小径化）が進むと思
われる。
ｍピッチから現在は０．５ｍｍピッチが主流となってき
ており、ＣＳＰを実装するプリント配線板のランド径も
直径０．５５ｍｍから直径０．３５ｍｍへと小径化して
おり、さらに狭ピッチ化（ランドの小径化）が進むと思
われる。
【０００６】しかしながら、従来の０．８ｍｍピッチＣ
ＳＰから０．５ｍｍピッチになると１はんだボール当り
のはんだ量が１／４に減少することになり、冷熱サイク
ル寿命、機械的強度などの信頼性が大幅に低下すること
が予測され、現実に、ＣＳＰとプリント配線板間の接続
不良が一部発生している。
ＳＰから０．５ｍｍピッチになると１はんだボール当り
のはんだ量が１／４に減少することになり、冷熱サイク
ル寿命、機械的強度などの信頼性が大幅に低下すること
が予測され、現実に、ＣＳＰとプリント配線板間の接続
不良が一部発生している。
【０００７】このように、ＣＳＰ等の部品の小型化によ
りはんだ実装ランドにおける接合面積の微小化に伴うは
んだ接合強度の向上が重要な課題となってきた。そこで
本発明は、高密度実装用プリント配線板に対して高いは
んだ接合信頼性のある無電解めっき皮膜の形成を目的と
するものである。
りはんだ実装ランドにおける接合面積の微小化に伴うは
んだ接合強度の向上が重要な課題となってきた。そこで
本発明は、高密度実装用プリント配線板に対して高いは
んだ接合信頼性のある無電解めっき皮膜の形成を目的と
するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】そしてこの目的を達成す
るために本発明は、無電解めっき液について、還元剤、
錯形成剤、緩衝剤、及びｐＨの異なる多くの種類のめっ
き液の検討を行うと共に、各種無電解めっき皮膜につい
て元素分析を実施し、無電解めっき皮膜中の微量元素と
はんだ接合性について検討した。
るために本発明は、無電解めっき液について、還元剤、
錯形成剤、緩衝剤、及びｐＨの異なる多くの種類のめっ
き液の検討を行うと共に、各種無電解めっき皮膜につい
て元素分析を実施し、無電解めっき皮膜中の微量元素と
はんだ接合性について検討した。
【０００９】その結果、各種無電解ニッケルめっき皮膜
において、Ｎｉ／Ａｕめっき皮膜とはんだ接合界面で金
属間化合物の形成に違いが見られた。特に従来の無電解
めっき皮膜とはんだ接合界面にはボイド（Kirkendal Vo
id）の発生が見られ、このボイドの存在がはんだ接合強
度を低下させ、落下衝撃等に関しても弱いということが
分かった。
において、Ｎｉ／Ａｕめっき皮膜とはんだ接合界面で金
属間化合物の形成に違いが見られた。特に従来の無電解
めっき皮膜とはんだ接合界面にはボイド（Kirkendal Vo
id）の発生が見られ、このボイドの存在がはんだ接合強
度を低下させ、落下衝撃等に関しても弱いということが
分かった。
【００１０】そこで、我々は、微量元素の分析を行い炭
素（Ｃ）、イオウ（Ｓ）の無電解ニッケルめっき皮膜へ
の取り込みがカーケンダルボイド発生要因となりはんだ
接合強度を弱めていることを見つけた。これらの微量元
素Ｃ，Ｓに注目し、Ｃを一定にし、Ｓを変化させた場
合、Ｓを一定としてＣを変化させてそのときのはんだボ
ールプル強度とＣ，Ｓの量との相関を見るとともに、Ｃ
＋Ｓ量としてはんだボールプル強度を確認した。
素（Ｃ）、イオウ（Ｓ）の無電解ニッケルめっき皮膜へ
の取り込みがカーケンダルボイド発生要因となりはんだ
接合強度を弱めていることを見つけた。これらの微量元
素Ｃ，Ｓに注目し、Ｃを一定にし、Ｓを変化させた場
合、Ｓを一定としてＣを変化させてそのときのはんだボ
ールプル強度とＣ，Ｓの量との相関を見るとともに、Ｃ
＋Ｓ量としてはんだボールプル強度を確認した。
【００１１】従来の無電解ニッケルめっき皮膜中のＣ＋
Ｓ量は０．０４〜０．０５ｗｔ％であったが、我々の実
験ではＣ＋Ｓ量が０．０１５≦Ｃ＋Ｓ≦０．０３５で信
頼性の高いはんだ接合強度を得ることが分かった。
Ｓ量は０．０４〜０．０５ｗｔ％であったが、我々の実
験ではＣ＋Ｓ量が０．０１５≦Ｃ＋Ｓ≦０．０３５で信
頼性の高いはんだ接合強度を得ることが分かった。
【００１２】一方、無電解ニッケルめっき皮膜表面に設
けた置換金めっき皮膜は０．０５〜０．１μｍと薄いた
め、はんだ接合時にはんだ中に拡散してしまうことが一
般に知られており、置換金めっき皮膜がニッケルめっき
皮膜の酸化を防止する以外ははんだ接合に大きな影響は
ないことを確認した。
けた置換金めっき皮膜は０．０５〜０．１μｍと薄いた
め、はんだ接合時にはんだ中に拡散してしまうことが一
般に知られており、置換金めっき皮膜がニッケルめっき
皮膜の酸化を防止する以外ははんだ接合に大きな影響は
ないことを確認した。
【００１３】本発明は、はんだ接合に関し、無電解ニッ
ケルめっきプロセスにおいて、ニッケルめっき皮膜に取
り込まれる微量元素をコントロールすることによる、高
いはんだ接合強度を有する無電解ニッケルめっき皮膜を
特徴とするプリント配線板を提供するものである。
ケルめっきプロセスにおいて、ニッケルめっき皮膜に取
り込まれる微量元素をコントロールすることによる、高
いはんだ接合強度を有する無電解ニッケルめっき皮膜を
特徴とするプリント配線板を提供するものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明によるプリント配線板の銅
配線及び銅ランド表面にニッケル−金めっき皮膜の形成
に用いた微量元素である炭素（Ｃ）、イオウ（Ｓ）を含
む無電解めっき皮膜の作製方法及び微量元素Ｃ，Ｓの測
定方法について、また、プリント配線板に形成した無電
解ニッケルめっき皮膜／置換金めっき皮膜上にはんだ接
合した時の接合状態及びはんだ接合強度との関係を説明
する。
配線及び銅ランド表面にニッケル−金めっき皮膜の形成
に用いた微量元素である炭素（Ｃ）、イオウ（Ｓ）を含
む無電解めっき皮膜の作製方法及び微量元素Ｃ，Ｓの測
定方法について、また、プリント配線板に形成した無電
解ニッケルめっき皮膜／置換金めっき皮膜上にはんだ接
合した時の接合状態及びはんだ接合強度との関係を説明
する。
【００１５】まず、本発明において無電解ニッケルめっ
き皮膜中の微量元素であるＣ，Ｓの量をコントロールす
るために、無電解ニッケルめっき液の液組成であるＮｉ
イオン（硫酸ニッケル）、還元剤（次亜りん酸ナトリウ
ム）、錯化剤、安定化剤の中で、Ｃ量については錯化剤
で、Ｓ量については安定化剤（イオウ化合物）の量を変
化させ、各種無電解ニッケルめっき皮膜を形成し、この
無電解ニッケルめっき皮膜とはんだ接合強度との関係を
調べた。
き皮膜中の微量元素であるＣ，Ｓの量をコントロールす
るために、無電解ニッケルめっき液の液組成であるＮｉ
イオン（硫酸ニッケル）、還元剤（次亜りん酸ナトリウ
ム）、錯化剤、安定化剤の中で、Ｃ量については錯化剤
で、Ｓ量については安定化剤（イオウ化合物）の量を変
化させ、各種無電解ニッケルめっき皮膜を形成し、この
無電解ニッケルめっき皮膜とはんだ接合強度との関係を
調べた。
【００１６】無電解ニッケルめっき皮膜中のＣ，Ｓに関
しては、各種無電解ニッケルめっき液を準備し、ステン
レス鋼板（ＳＵＳ３１６）上に無電解ニッケルめっきを
行った。ステンレス鋼板を研磨後、脱脂を行い触媒付与
後各種無電解ニッケルめっき液により約１０μｍ厚の無
電解ニッケルめっき皮膜を作製した。その後、ステンレ
ス鋼板から無電解ニッケルめっき皮膜を剥離し、分析用
試料とした。
しては、各種無電解ニッケルめっき液を準備し、ステン
レス鋼板（ＳＵＳ３１６）上に無電解ニッケルめっきを
行った。ステンレス鋼板を研磨後、脱脂を行い触媒付与
後各種無電解ニッケルめっき液により約１０μｍ厚の無
電解ニッケルめっき皮膜を作製した。その後、ステンレ
ス鋼板から無電解ニッケルめっき皮膜を剥離し、分析用
試料とした。
【００１７】無電解ニッケルめっき皮膜中の錯化剤およ
び安定化剤に起因するＣ，Ｓ量の分析は、酸素気流中燃
焼−赤外線吸収法（堀場製作所製ＥＭＩＡ−５１０）で
分析した。
び安定化剤に起因するＣ，Ｓ量の分析は、酸素気流中燃
焼−赤外線吸収法（堀場製作所製ＥＭＩＡ−５１０）で
分析した。
【００１８】また、はんだ接合強度に関しては、はんだ
ボールプル強度で評価した。テスト基板としては図１に
示すように厚さ０．６ｍｍのＦＲ−４基材１を用い、銅
ランド２（オーバーレジスト仕様で、四角外径０．６５
／直径０．５５（ｍｍ））を作製した。めっき皮膜形成
方法としては、各種浴組成の異なる無電解ニッケルめっ
き液を用い基板１上に無電解ニッケルめっき皮膜３を設
け、この無電解ニッケルめっき皮膜３表面に置換めっき
液にて置換金めっき皮膜（はんだ付けで拡散するので図
１には示さず）を設けた。
ボールプル強度で評価した。テスト基板としては図１に
示すように厚さ０．６ｍｍのＦＲ−４基材１を用い、銅
ランド２（オーバーレジスト仕様で、四角外径０．６５
／直径０．５５（ｍｍ））を作製した。めっき皮膜形成
方法としては、各種浴組成の異なる無電解ニッケルめっ
き液を用い基板１上に無電解ニッケルめっき皮膜３を設
け、この無電解ニッケルめっき皮膜３表面に置換めっき
液にて置換金めっき皮膜（はんだ付けで拡散するので図
１には示さず）を設けた。
【００１９】めっき膜厚は無電解ニッケルめっき皮膜３
で約５μｍ、置換金めっき皮膜で約０．０５μｍであ
る。次にめっき処理をしたテストの基板１の銅ランド２
部に直径０．７６ｍｍのＰｂ／Ｓｎ＝３７／６３のはん
だボール４を搭載し、ピーク温度２３０℃のリフロー炉
にてはんだ接合を行った。
で約５μｍ、置換金めっき皮膜で約０．０５μｍであ
る。次にめっき処理をしたテストの基板１の銅ランド２
部に直径０．７６ｍｍのＰｂ／Ｓｎ＝３７／６３のはん
だボール４を搭載し、ピーク温度２３０℃のリフロー炉
にてはんだ接合を行った。
【００２０】図２はその拡大図であり、この図２の５は
Ｐリッチニッケル層、６はＮｉ−Ｓｎ拡散層である。
Ｐリッチニッケル層、６はＮｉ−Ｓｎ拡散層である。
【００２１】図３、図４は図２のさらに拡大図であり、
これらの図３、図４については後でさらに説明を加える
が、図３、図４の８はＮｉ−Ｓｎ−Ｐ層、９はボイドで
ある。
これらの図３、図４については後でさらに説明を加える
が、図３、図４の８はＮｉ−Ｓｎ−Ｐ層、９はボイドで
ある。
【００２２】はんだボールプル試験は、デイジ社製ボン
ドテスターＰＣ２４００Ｔを用いて加熱式はんだボール
プル試験を行った。試験条件としては、設定温度２７０
℃、ヒーティング時間５ｓ、クーリングＯＦＦ５０℃、
テストスピード３００μｍ／ｓである。なお図１の１Ａ
はプローブである。
ドテスターＰＣ２４００Ｔを用いて加熱式はんだボール
プル試験を行った。試験条件としては、設定温度２７０
℃、ヒーティング時間５ｓ、クーリングＯＦＦ５０℃、
テストスピード３００μｍ／ｓである。なお図１の１Ａ
はプローブである。
【００２３】めっき液の作製の点からは、Ｃ量について
は、無電解ニッケルめっき皮膜３中に０．０１ｗｔ％未
満、Ｓ量については、無電解ニッケルめっき皮膜３中に
０．００５ｗｔ％未満のニッケルめっき皮膜は形成でき
なかった。
は、無電解ニッケルめっき皮膜３中に０．０１ｗｔ％未
満、Ｓ量については、無電解ニッケルめっき皮膜３中に
０．００５ｗｔ％未満のニッケルめっき皮膜は形成でき
なかった。
【００２４】図３に示すように、はんだボールプル強度
が１０Ｎ（ランド直径０．５５ｍｍ）以下のものにおい
てはニッケルめっき／金めっき皮膜とはんだ接合界面の
透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）観察およびエネルギー分散
型Ｘ線分析装置（ＥＤＸ）により、無電解ニッケルめっ
き皮膜３／はんだボール４の接合界面でＮｉ−Ｓｎ拡散
層６、ボイド９、Ｎｉ−Ｓｎ−Ｐ層８、Ｐリッチニッケ
ル層５の形成が確認された。一方、図４のごとく１５Ｎ
（ランド直径０．５５ｍｍ）以上のものについては、ボ
イド９の発生が確認されなかった。また、はんだボール
プル強度が１０Ｎから１５Ｎ未満（ランド直径０．５５
ｍｍ）のものについてはボイド９が発生するものとしな
いものがあり不安定な領域であった。
が１０Ｎ（ランド直径０．５５ｍｍ）以下のものにおい
てはニッケルめっき／金めっき皮膜とはんだ接合界面の
透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）観察およびエネルギー分散
型Ｘ線分析装置（ＥＤＸ）により、無電解ニッケルめっ
き皮膜３／はんだボール４の接合界面でＮｉ−Ｓｎ拡散
層６、ボイド９、Ｎｉ−Ｓｎ−Ｐ層８、Ｐリッチニッケ
ル層５の形成が確認された。一方、図４のごとく１５Ｎ
（ランド直径０．５５ｍｍ）以上のものについては、ボ
イド９の発生が確認されなかった。また、はんだボール
プル強度が１０Ｎから１５Ｎ未満（ランド直径０．５５
ｍｍ）のものについてはボイド９が発生するものとしな
いものがあり不安定な領域であった。
【００２５】さらに、ボイド９とはんだ接合強度に関し
ては、ボイド９の発生が見られない１５Ｎ以上のものに
ついては、プリント配線板上にＣＳＰを実装して落下テ
ストを行っても電気的な接続不良は発生しなかった。一
方、図３に示すように、ボイド９の発生が確認している
１０Ｎ以下のものについては、プリント配線板上にＣＳ
Ｐを実装して落下テストを行うと電気的な接続不良が発
生した。
ては、ボイド９の発生が見られない１５Ｎ以上のものに
ついては、プリント配線板上にＣＳＰを実装して落下テ
ストを行っても電気的な接続不良は発生しなかった。一
方、図３に示すように、ボイド９の発生が確認している
１０Ｎ以下のものについては、プリント配線板上にＣＳ
Ｐを実装して落下テストを行うと電気的な接続不良が発
生した。
【００２６】従って、高信頼性という面からは、はんだ
ボールプル強度は１５Ｎ以上必要である。
ボールプル強度は１５Ｎ以上必要である。
【００２７】上記の判定基準に基づいて無電解ニッケル
めっき皮膜３中のＣ，Ｓ量を変化させて、はんだボール
プル強度を測定した結果を図５、及び図６に示す。ま
た、無電解ニッケルめっき皮膜３中のＣ＋Ｓ量とはんだ
ボールプル強度との関係を図７に示す。
めっき皮膜３中のＣ，Ｓ量を変化させて、はんだボール
プル強度を測定した結果を図５、及び図６に示す。ま
た、無電解ニッケルめっき皮膜３中のＣ＋Ｓ量とはんだ
ボールプル強度との関係を図７に示す。
【００２８】これらの結果から、無電解ニッケルめっき
皮膜３中の炭素（Ｃ）及びイオウ（Ｓ）の量が０．０１
≦Ｃ≦０．０３および０．００５≦Ｓ≦０．０２５の範
囲でかつ０．０１５≦Ｃ＋Ｓ≦０．０３５である無電解
ニッケルめっき皮膜を有するプリント配線板が信頼性上
良いことが分かった。
皮膜３中の炭素（Ｃ）及びイオウ（Ｓ）の量が０．０１
≦Ｃ≦０．０３および０．００５≦Ｓ≦０．０２５の範
囲でかつ０．０１５≦Ｃ＋Ｓ≦０．０３５である無電解
ニッケルめっき皮膜を有するプリント配線板が信頼性上
良いことが分かった。
【００２９】以下、本発明の具体的な実施の形態につい
て説明する。
て説明する。
【００３０】２種類の無電解ニッケルめっき皮膜Ａ（Ｃ
＋Ｓ＝０．０４７ｗｔ％）とＢ（Ｃ＋Ｓ＝０．０２５ｗ
ｔ％）を作製し、ＴＥＭにてニッケル／金めっき膜とは
んだとの接合面の断面観察をしたところ皮膜Ａにはボイ
ド９の発生（図３）が確認された。一方、皮膜Ｂにおい
ては観察されなかった。はんだボールプルテストにおい
ては、皮膜Ａは９．９Ｎ（ランド直径０．５５ｍｍ）、
皮膜Ｂは２０．７Ｎ（ランド直径０．５５ｍｍ）であっ
た。
＋Ｓ＝０．０４７ｗｔ％）とＢ（Ｃ＋Ｓ＝０．０２５ｗ
ｔ％）を作製し、ＴＥＭにてニッケル／金めっき膜とは
んだとの接合面の断面観察をしたところ皮膜Ａにはボイ
ド９の発生（図３）が確認された。一方、皮膜Ｂにおい
ては観察されなかった。はんだボールプルテストにおい
ては、皮膜Ａは９．９Ｎ（ランド直径０．５５ｍｍ）、
皮膜Ｂは２０．７Ｎ（ランド直径０．５５ｍｍ）であっ
た。
【００３１】また、ＣＳＰを実装したプリント配線板の
落下テストでは皮膜Ａでは２〜３回で電気的接続不良が
発生したが、皮膜Ｂでは１０回以上でも不良は発生しな
かった。
落下テストでは皮膜Ａでは２〜３回で電気的接続不良が
発生したが、皮膜Ｂでは１０回以上でも不良は発生しな
かった。
【００３２】このように、本発明の無電解ニッケルめっ
き皮膜は非常に良好なはんだボールプル強度を示し、高
密度実装用プリント配線板として実用上問題は発生しな
かった。
き皮膜は非常に良好なはんだボールプル強度を示し、高
密度実装用プリント配線板として実用上問題は発生しな
かった。
【００３３】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、無電解ニ
ッケルめっき皮膜中の微量元素Ｃ，Ｓを最適な範囲にコ
ントロールすることにより、はんだ接合性に優れ、ＣＳ
Ｐ，ＢＧＡなどのはんだ実装強度に対しても信頼性に優
れた実装が可能となり、はんだ接続信頼性に優れた高密
度実装用プリント配線板を作製することができる。
ッケルめっき皮膜中の微量元素Ｃ，Ｓを最適な範囲にコ
ントロールすることにより、はんだ接合性に優れ、ＣＳ
Ｐ，ＢＧＡなどのはんだ実装強度に対しても信頼性に優
れた実装が可能となり、はんだ接続信頼性に優れた高密
度実装用プリント配線板を作製することができる。
【図１】はんだボールプル試験を行うプリント配線板の
ランド部とそれに搭載したはんだボールの断面図
ランド部とそれに搭載したはんだボールの断面図
【図２】その要部拡大図
【図３】はんだボールプル強度が１０Ｎ以下、Ｃ＋Ｓ＞
０．０３５ｗｔ％のＴＥＭ観察像を示す図
０．０３５ｗｔ％のＴＥＭ観察像を示す図
【図４】はんだボールプル強度が１５Ｎ以上、０．０１
５≦Ｃ＋Ｓ≦０．０３５ｗｔ％のＴＥＭ観察像を示す図
５≦Ｃ＋Ｓ≦０．０３５ｗｔ％のＴＥＭ観察像を示す図
【図５】Ｃ量とはんだボールプル強度の関係（Ｓ量一
定）を示す図
定）を示す図
【図６】Ｓ量とはんだボールプル強度の関係（Ｃ量一
定）を示す図
定）を示す図
【図７】Ｃ＋Ｓ量とはんだボールプル強度の関係（Ｓ量
一定）を示す図
一定）を示す図
１ ＦＲ−４基材 ２ 銅ランド部 ３ 無電解ニッケルめっき皮膜 ４ はんだボール ９ ボイド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K022 AA02 AA42 BA03 BA14 BA16 BA32 DA01 DA03 5E343 BB14 BB17 BB23 BB24 BB44 BB54 BB55 DD33 ER32 GG18
Claims (2)
- 【請求項１】 皮膜中の炭素（Ｃ）及びイオウ（Ｓ）の
量が０．０１≦Ｃ≦０．０３および０．００５≦Ｓ≦
０．０２５の範囲でかつ０．０１５≦Ｃ＋Ｓ≦０．０３
５であることを特徴とする無電解ニッケルめっき皮膜。 - 【請求項２】 銅配線と銅ランドの少なくとも一方の表
面に、請求項1記載の無電解ニッケルめっき皮膜を設
け、この無電解ニッケルめっき皮膜の表面に金めっき皮
膜を設けたことを特徴とするプリント配線板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000340010A JP2002146548A (ja) | 2000-11-08 | 2000-11-08 | 無電解ニッケルめっき皮膜およびそれを用いたプリント配線板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000340010A JP2002146548A (ja) | 2000-11-08 | 2000-11-08 | 無電解ニッケルめっき皮膜およびそれを用いたプリント配線板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002146548A true JP2002146548A (ja) | 2002-05-22 |
Family
ID=18814990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000340010A Pending JP2002146548A (ja) | 2000-11-08 | 2000-11-08 | 無電解ニッケルめっき皮膜およびそれを用いたプリント配線板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002146548A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6879041B2 (en) | 2002-04-17 | 2005-04-12 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device with joint structure having lead-free solder layer over nickel layer |
-
2000
- 2000-11-08 JP JP2000340010A patent/JP2002146548A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6879041B2 (en) | 2002-04-17 | 2005-04-12 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device with joint structure having lead-free solder layer over nickel layer |
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