JP2002144026A - ろう付け装置 - Google Patents
ろう付け装置Info
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- JP2002144026A JP2002144026A JP2000337553A JP2000337553A JP2002144026A JP 2002144026 A JP2002144026 A JP 2002144026A JP 2000337553 A JP2000337553 A JP 2000337553A JP 2000337553 A JP2000337553 A JP 2000337553A JP 2002144026 A JP2002144026 A JP 2002144026A
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- heated
- heating
- brazing
- outer peripheral
- heating element
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- General Induction Heating (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】被加熱体全体の温度を均一な状態に保ったまま
で急速に高めることのできるろう付け装置を提供する。 【解決装置】２つの加熱コイル２８Ａ，２８Ｂが両側の
発熱体９の外周側にそれぞれ設けられ、加熱コイル２８
Ａ，２８Ｂ同士の間に隙間３２が形成されるようにす
る。
で急速に高めることのできるろう付け装置を提供する。 【解決装置】２つの加熱コイル２８Ａ，２８Ｂが両側の
発熱体９の外周側にそれぞれ設けられ、加熱コイル２８
Ａ，２８Ｂ同士の間に隙間３２が形成されるようにす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、積層型ダイオー
ドのウェハー同士のろう付け装置に関し、特に、加熱時
間が短くて済むろう付け装置に関する。
ドのウェハー同士のろう付け装置に関し、特に、加熱時
間が短くて済むろう付け装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５は、積層型ダイオード３１の構成を
示す一部破砕側面図である。シリコンユニット３Ａがウ
ェハー１Ａ同士の積層体よりなり、そのウェハー１Ａ
は、はんだ２Ａを介して互いに固着されている。ウェハ
ー１Ａには、高圧整流素子とするために不純物が拡散さ
れＰ側とＮ側とが形成されている。シリコンユニット３
Ａの上下にはヘッダーリード４が取り付けらている。シ
リコンユニット３Ａとヘッダーリード４とは、ヘッダー
リード４の上下端の一部を残してエポキシ樹脂５でもっ
てモールドされている。このエポキシ樹脂５の表面下部
にはカソードマーク６が記され、積層型ダイオード３１
の方向が表示されている。シリコンユニット３Ａは、次
に示すように被加熱体から切り出すことによって製造さ
れる。
示す一部破砕側面図である。シリコンユニット３Ａがウ
ェハー１Ａ同士の積層体よりなり、そのウェハー１Ａ
は、はんだ２Ａを介して互いに固着されている。ウェハ
ー１Ａには、高圧整流素子とするために不純物が拡散さ
れＰ側とＮ側とが形成されている。シリコンユニット３
Ａの上下にはヘッダーリード４が取り付けらている。シ
リコンユニット３Ａとヘッダーリード４とは、ヘッダー
リード４の上下端の一部を残してエポキシ樹脂５でもっ
てモールドされている。このエポキシ樹脂５の表面下部
にはカソードマーク６が記され、積層型ダイオード３１
の方向が表示されている。シリコンユニット３Ａは、次
に示すように被加熱体から切り出すことによって製造さ
れる。
【０００３】図６は、被加熱体の構成を示す斜視図であ
る。被加熱体３が、ウェハーとなる円板状の部品１とは
んだ２との積層体よりなる。この被加熱体３は、後述さ
れるように上下から軸方向に圧力が加えられた状態で加
熱され、部品１が互いにろう付けされる。図７の（Ａ）
は図６の被加熱体からシリコンユニットを切り出す装置
の構成を示す斜視図であり、（Ｂ）は図７の（Ａ）の装
置によって切り出されたシリコンユニットの構成を示す
斜視図である。図７の（Ａ）において、まず、被加熱体
３の上部から等間隔に並ぶ複数の並行ワイヤ１２が垂直
に下げられ、被加熱体３が細長状に切られる。次に、被
加熱体３の上部から等間隔に並ぶとともに、並行ワイヤ
１２とは直交する複数の並行ワイヤ１１が垂直に下げら
れ、被加熱体３が網目状に切られる。それによって、図
７の（Ｂ）のような、複数のウェハー１Ａがはんだ２Ａ
でもってろう付けされたシリコンユニット３Ａが形成さ
れる。
る。被加熱体３が、ウェハーとなる円板状の部品１とは
んだ２との積層体よりなる。この被加熱体３は、後述さ
れるように上下から軸方向に圧力が加えられた状態で加
熱され、部品１が互いにろう付けされる。図７の（Ａ）
は図６の被加熱体からシリコンユニットを切り出す装置
の構成を示す斜視図であり、（Ｂ）は図７の（Ａ）の装
置によって切り出されたシリコンユニットの構成を示す
斜視図である。図７の（Ａ）において、まず、被加熱体
３の上部から等間隔に並ぶ複数の並行ワイヤ１２が垂直
に下げられ、被加熱体３が細長状に切られる。次に、被
加熱体３の上部から等間隔に並ぶとともに、並行ワイヤ
１２とは直交する複数の並行ワイヤ１１が垂直に下げら
れ、被加熱体３が網目状に切られる。それによって、図
７の（Ｂ）のような、複数のウェハー１Ａがはんだ２Ａ
でもってろう付けされたシリコンユニット３Ａが形成さ
れる。
【０００４】図６に戻り、被加熱体３の部品１同士をろ
う付けする装置として、従来は図８のような装置が用い
られていた。すなわち、図８は、従来のろう付け装置の
構成を示す断面図であり、上下の支え板１４が支え棒１
５でもって固定されている。下の支え板１４には断熱台
１３が載置され、断熱台１３の上にさらに断熱プレート
１２が配されている。断熱プレート１２の上には、黒鉛
などの発熱体９が載せられ、黒鉛部９の上面に金属プレ
ート８，７を介して被加熱体３が置かれている。一方、
上の支え板１４には、スライド軸１６，１８が上下方向
に貫通している。スライド軸１６，１８は、支え板１４
側に固定されたガイド１７，１９と摺動することによっ
て上下方向に移動可能である。スライド軸１６の下端面
には非金属断熱プレート２１が固定され、その非金属断
熱プレート２１の下端部にガラス押さえ２３を介してガ
ラス筒２２が固着されている。非金属断熱プレート２１
には、スライド軸１８が貫通し、そのスライド軸１８
は、非金属断熱プレート２１側に固定されたガイド２６
とも摺動するようになっている。また、スライド軸１８
の下端面には断熱プレート１２が固定され、その断熱プ
レート１２の下部にもう一つの発熱体９が固定されてい
る。また、この上側の発熱体９の下面にも金属プレート
８が固着されている。なお、ガラス筒２２上部の内部空
間は、非金属断熱プレート２１でもって密閉状態になっ
ていて、非金属断熱プレート２１を貫通する排気筒２０
の先には図示されていない排気装置が接続されている。
さらに、被加熱体３の外周には加熱コイル１０が巻回さ
れ、この加熱コイル１０の両端が引出し線１０Ａ，１０
Ｂを介して図示されていない高周波電源に接続されてい
る。後述されるように、高周波励磁された加熱コイル１
０から発生する磁束でもって発熱体９に渦電流が流れ、
その渦電流損によって発熱体９が発熱するようになって
いる。この発熱体９から伝わる熱でもって、被加熱体３
がろう付けされるようになっている。
う付けする装置として、従来は図８のような装置が用い
られていた。すなわち、図８は、従来のろう付け装置の
構成を示す断面図であり、上下の支え板１４が支え棒１
５でもって固定されている。下の支え板１４には断熱台
１３が載置され、断熱台１３の上にさらに断熱プレート
１２が配されている。断熱プレート１２の上には、黒鉛
などの発熱体９が載せられ、黒鉛部９の上面に金属プレ
ート８，７を介して被加熱体３が置かれている。一方、
上の支え板１４には、スライド軸１６，１８が上下方向
に貫通している。スライド軸１６，１８は、支え板１４
側に固定されたガイド１７，１９と摺動することによっ
て上下方向に移動可能である。スライド軸１６の下端面
には非金属断熱プレート２１が固定され、その非金属断
熱プレート２１の下端部にガラス押さえ２３を介してガ
ラス筒２２が固着されている。非金属断熱プレート２１
には、スライド軸１８が貫通し、そのスライド軸１８
は、非金属断熱プレート２１側に固定されたガイド２６
とも摺動するようになっている。また、スライド軸１８
の下端面には断熱プレート１２が固定され、その断熱プ
レート１２の下部にもう一つの発熱体９が固定されてい
る。また、この上側の発熱体９の下面にも金属プレート
８が固着されている。なお、ガラス筒２２上部の内部空
間は、非金属断熱プレート２１でもって密閉状態になっ
ていて、非金属断熱プレート２１を貫通する排気筒２０
の先には図示されていない排気装置が接続されている。
さらに、被加熱体３の外周には加熱コイル１０が巻回さ
れ、この加熱コイル１０の両端が引出し線１０Ａ，１０
Ｂを介して図示されていない高周波電源に接続されてい
る。後述されるように、高周波励磁された加熱コイル１
０から発生する磁束でもって発熱体９に渦電流が流れ、
その渦電流損によって発熱体９が発熱するようになって
いる。この発熱体９から伝わる熱でもって、被加熱体３
がろう付けされるようになっている。
【０００５】図９は、図８の平面図である。４本の支え
棒１５が支え板１４の四隅にそれぞれ固定されている。
また、４本のスライド軸１６が非金属断熱プレート２１
の四隅を貫通している。さらに、１本のスライド軸１８
が非金属断熱プレート２１の中心を貫通している。加熱
コイル１０の引出し線１０Ａ，１０Ｂともに、右側へ引
き出されている。
棒１５が支え板１４の四隅にそれぞれ固定されている。
また、４本のスライド軸１６が非金属断熱プレート２１
の四隅を貫通している。さらに、１本のスライド軸１８
が非金属断熱プレート２１の中心を貫通している。加熱
コイル１０の引出し線１０Ａ，１０Ｂともに、右側へ引
き出されている。
【０００６】図８に戻り、被加熱体３のろう付けはガラ
ス筒２２を下げた状態にして実施される。図１０は、図
８のろう付け装置でもって被加熱体３がろう付けされて
いる最中の状態を示す断面図である。すなわち、スライ
ド軸１６でもって非金属断熱プレート２１を下げ、ガラ
ス筒２２を断熱台１３のパッキング部２４の上に配す
る。さらに、スライド軸１８を下げることによって、断
熱プレート１２と発熱体９とを介して被加熱体３を押し
圧する。それによって、ガラス筒２２内部の下部空間も
密閉状態になるので、排気筒２０から排気することによ
ってガラス筒２２内を真空状態にする。この状態で、加
熱コイル１０を数十ｋＨｚの高周波電流で励磁すると、
上下の発熱体９に渦電流が流れて発熱体９自体が発熱す
るようになる。この熱が上下の金属プレート７，８を通
して被加熱体３へ伝わり、被加熱体３が加熱される。そ
れによって、図３の被加熱体３のはんだ２が溶融されて
部品１同士がろう付けされる。
ス筒２２を下げた状態にして実施される。図１０は、図
８のろう付け装置でもって被加熱体３がろう付けされて
いる最中の状態を示す断面図である。すなわち、スライ
ド軸１６でもって非金属断熱プレート２１を下げ、ガラ
ス筒２２を断熱台１３のパッキング部２４の上に配す
る。さらに、スライド軸１８を下げることによって、断
熱プレート１２と発熱体９とを介して被加熱体３を押し
圧する。それによって、ガラス筒２２内部の下部空間も
密閉状態になるので、排気筒２０から排気することによ
ってガラス筒２２内を真空状態にする。この状態で、加
熱コイル１０を数十ｋＨｚの高周波電流で励磁すると、
上下の発熱体９に渦電流が流れて発熱体９自体が発熱す
るようになる。この熱が上下の金属プレート７，８を通
して被加熱体３へ伝わり、被加熱体３が加熱される。そ
れによって、図３の被加熱体３のはんだ２が溶融されて
部品１同士がろう付けされる。
【０００７】図１１は、図８の装置でもって被加熱体３
がろう付けされている最中の磁界分布図である。図の上
部に加熱コイル１０の励磁回路が示されている。すなわ
ち、加熱コイル１０の両端に高周波電源２５が接続され
ている。図の下部が磁界分布図であり、左側の枠線２７
Ａが中心軸、下側の枠線２７Ｂが被加熱体３の軸方向の
中央面である。２６が計算された磁束線である。磁束線
２６が発熱体９の外周から浸入し、それによって、発熱
体９に渦電流が流れるようになる。
がろう付けされている最中の磁界分布図である。図の上
部に加熱コイル１０の励磁回路が示されている。すなわ
ち、加熱コイル１０の両端に高周波電源２５が接続され
ている。図の下部が磁界分布図であり、左側の枠線２７
Ａが中心軸、下側の枠線２７Ｂが被加熱体３の軸方向の
中央面である。２６が計算された磁束線である。磁束線
２６が発熱体９の外周から浸入し、それによって、発熱
体９に渦電流が流れるようになる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
たような従来のろう付け装置は、被加熱体３全体が均一
に加熱されないという問題があった。すなわち、図１１
において、金属プレート７，８は、発熱体９からの熱を
被加熱体３に均等に伝えるためのものであるが、加熱コ
イル１０の励磁による磁束線２６が被加熱体３とも鎖交
しているので、被加熱体３自体にも渦電流が流れ、被加
熱体３の外周部が発熱するようになる。そのために、被
加熱体３全体が均一に加熱されず、被加熱体３の外周側
の温度上昇が中心側より高くなる。被加熱体３が全体的
に均一に加熱されないと、ろう付けが局所的に進み部品
同士が接着不良になる。従来は、加熱コイル１０への励
磁電流を少しずつ大きくするようにするようにして加熱
温度を徐々に上げ、被加熱体３が均一に加熱されるのを
待ちながらろう付けがなされていた。そのために、被加
熱体３のろう付けに非常に長い時間がかかっていた。
たような従来のろう付け装置は、被加熱体３全体が均一
に加熱されないという問題があった。すなわち、図１１
において、金属プレート７，８は、発熱体９からの熱を
被加熱体３に均等に伝えるためのものであるが、加熱コ
イル１０の励磁による磁束線２６が被加熱体３とも鎖交
しているので、被加熱体３自体にも渦電流が流れ、被加
熱体３の外周部が発熱するようになる。そのために、被
加熱体３全体が均一に加熱されず、被加熱体３の外周側
の温度上昇が中心側より高くなる。被加熱体３が全体的
に均一に加熱されないと、ろう付けが局所的に進み部品
同士が接着不良になる。従来は、加熱コイル１０への励
磁電流を少しずつ大きくするようにするようにして加熱
温度を徐々に上げ、被加熱体３が均一に加熱されるのを
待ちながらろう付けがなされていた。そのために、被加
熱体３のろう付けに非常に長い時間がかかっていた。
【０００９】この発明の目的は、被加熱体３全体の温度
を均一な状態に保ったままで急速に高めることのできる
ろう付け装置を提供することにある。
を均一な状態に保ったままで急速に高めることのできる
ろう付け装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の装置によれば、部品同士の間にはんだが
介装されてなる被加熱体を発熱体の間に配置し、前記発
熱体の外周側に設けられた加熱コイルが高周波励磁され
ることによって前記発熱体が誘導加熱され、前記発熱体
からの熱が前記被加熱体に伝えられ前記はんだを溶融さ
せることによって部品同士を固着させてなるろう付け装
置において、前記加熱コイルが２つに分割されて両側の
前記発熱体の外周側にそれぞれ設けられ、その分割され
た前記加熱コイル同士の間に隙間が形成されてなるよう
にするとよい。それによって、被加熱体の外周側に加熱
コイルの隙間が形成されて、磁束線が被加熱体と鎖交し
難くなる。そのために、被加熱体自体が誘導加熱され難
くなり、被加熱体の加熱が発熱体側からの熱伝導加熱だ
けになる。したがって、従来のように被加熱体の温度が
徐々に上がるのを待つ必要がなくなり、加熱コイルの励
磁電流をいきなり大きくすることができ、被加熱体全体
の温度を均一な状態に保ったままで急速に高めることが
できる。
に、この発明の装置によれば、部品同士の間にはんだが
介装されてなる被加熱体を発熱体の間に配置し、前記発
熱体の外周側に設けられた加熱コイルが高周波励磁され
ることによって前記発熱体が誘導加熱され、前記発熱体
からの熱が前記被加熱体に伝えられ前記はんだを溶融さ
せることによって部品同士を固着させてなるろう付け装
置において、前記加熱コイルが２つに分割されて両側の
前記発熱体の外周側にそれぞれ設けられ、その分割され
た前記加熱コイル同士の間に隙間が形成されてなるよう
にするとよい。それによって、被加熱体の外周側に加熱
コイルの隙間が形成されて、磁束線が被加熱体と鎖交し
難くなる。そのために、被加熱体自体が誘導加熱され難
くなり、被加熱体の加熱が発熱体側からの熱伝導加熱だ
けになる。したがって、従来のように被加熱体の温度が
徐々に上がるのを待つ必要がなくなり、加熱コイルの励
磁電流をいきなり大きくすることができ、被加熱体全体
の温度を均一な状態に保ったままで急速に高めることが
できる。
【００１１】また、かかる装置において、両側の前記発
熱体の外周側にそれぞれ設けられた加熱コイルが互いに
逆方向に励磁されてなるようにしてもよい。それによっ
て、加熱コイルからの磁束線が被加熱体とさらに鎖交し
難くなり、被加熱体全体の温度をさらに均一な状態に保
ったままで急速に高めることができる。
熱体の外周側にそれぞれ設けられた加熱コイルが互いに
逆方向に励磁されてなるようにしてもよい。それによっ
て、加熱コイルからの磁束線が被加熱体とさらに鎖交し
難くなり、被加熱体全体の温度をさらに均一な状態に保
ったままで急速に高めることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、この発明を実施例に基づい
て説明する。図１は、この発明の実施例にかかる装置で
もって被加熱体がろう付けされている最中の状態を示す
断面図である。２つに分割された加熱コイル２８Ａ，２
８Ｂが上下の発熱体９の外周側にそれぞれ設けられ、加
熱コイル２８Ａ，２８Ｂ同士の間に隙間３２が形成され
ている。図１のその他は、図１０の従来の構成と同じで
あり、従来と同じ部分は同一参照符号を付けることによ
って詳細な説明は省略する。
て説明する。図１は、この発明の実施例にかかる装置で
もって被加熱体がろう付けされている最中の状態を示す
断面図である。２つに分割された加熱コイル２８Ａ，２
８Ｂが上下の発熱体９の外周側にそれぞれ設けられ、加
熱コイル２８Ａ，２８Ｂ同士の間に隙間３２が形成され
ている。図１のその他は、図１０の従来の構成と同じで
あり、従来と同じ部分は同一参照符号を付けることによ
って詳細な説明は省略する。
【００１３】図２は、図１の装置でもって被加熱体３が
ろう付けされている最中の磁界分布図である。図の上部
に加熱コイル２８Ａ，２８Ｂの励磁回路が示されてい
る。すなわち、加熱コイル２８Ａ，２８Ｂ同士が同じ方
向に励磁されるように直列接続され、その直列回路の両
端に高周波電源２５が接続されている。図の下部が磁界
分布図であり、２６Ａが計算された磁束線である。図２
のその他は、図１１と同じである。
ろう付けされている最中の磁界分布図である。図の上部
に加熱コイル２８Ａ，２８Ｂの励磁回路が示されてい
る。すなわち、加熱コイル２８Ａ，２８Ｂ同士が同じ方
向に励磁されるように直列接続され、その直列回路の両
端に高周波電源２５が接続されている。図の下部が磁界
分布図であり、２６Ａが計算された磁束線である。図２
のその他は、図１１と同じである。
【００１４】図２において、磁束線２６Ａは、図１１の
場合の磁束線２６と比べると、被加熱体３と鎖交し難く
なっている。その理由は、被加熱体３の外周側に隙間３
２が形成され、加熱コイル２８Ａ，２８Ｂが来ないよう
になっているためである。それによって、被加熱体３自
体が誘導加熱され難くなり、被加熱体３の加熱が発熱体
９側からの熱伝導加熱だけになる。したがって、従来の
ように被加熱体３の温度が徐々に上がるのを待つ必要が
なくなる。加熱コイル２８Ａ，２８Ｂの励磁電流をいき
なり大きくすることができるので、被加熱体３全体の温
度を均一な状態に保ったままで急速に高めることがで
き、被加熱体３のろう付け時間を従来より短くすること
ができる。
場合の磁束線２６と比べると、被加熱体３と鎖交し難く
なっている。その理由は、被加熱体３の外周側に隙間３
２が形成され、加熱コイル２８Ａ，２８Ｂが来ないよう
になっているためである。それによって、被加熱体３自
体が誘導加熱され難くなり、被加熱体３の加熱が発熱体
９側からの熱伝導加熱だけになる。したがって、従来の
ように被加熱体３の温度が徐々に上がるのを待つ必要が
なくなる。加熱コイル２８Ａ，２８Ｂの励磁電流をいき
なり大きくすることができるので、被加熱体３全体の温
度を均一な状態に保ったままで急速に高めることがで
き、被加熱体３のろう付け時間を従来より短くすること
ができる。
【００１５】図３は、この発明の異なる実施例にかかる
装置でもって被加熱体３がろう付けされている最中の磁
界分布図である。図の上部に加熱コイル２８Ａ，２８Ｂ
の励磁回路が示され、加熱コイル２８Ａ，２８Ｂ同士が
互いに異なる方向に励磁されるように直列接続され、そ
の直列回路の両端に高周波電源２５が接続されている。
図の下部が磁界分布図であり、２６Ｂが計算された磁束
線である。図３のその他は図２と同じである。
装置でもって被加熱体３がろう付けされている最中の磁
界分布図である。図の上部に加熱コイル２８Ａ，２８Ｂ
の励磁回路が示され、加熱コイル２８Ａ，２８Ｂ同士が
互いに異なる方向に励磁されるように直列接続され、そ
の直列回路の両端に高周波電源２５が接続されている。
図の下部が磁界分布図であり、２６Ｂが計算された磁束
線である。図３のその他は図２と同じである。
【００１６】図３において、磁束線２６Ｂは、図２の場
合の磁束線２６Ａと比べると、被加熱体３とさらに鎖交
し難くなっている。それによって、被加熱体３全体の温
度をさらに均一な状態に保ったままで急速に高めること
ができ、被加熱体３のろう付け時間をさらに短くするこ
とができる。図４は、この発明のさらに異なる実施例に
かかる装置でもって被加熱体３がろう付けされている最
中の磁界分布図である。加熱コイル２８Ａ，２８Ｂの隙
間３２が、図３の場合より多少小さく配設されている。
図４のその他は、図３の構成と同じであり、２６Ｃが計
算された磁束線である。
合の磁束線２６Ａと比べると、被加熱体３とさらに鎖交
し難くなっている。それによって、被加熱体３全体の温
度をさらに均一な状態に保ったままで急速に高めること
ができ、被加熱体３のろう付け時間をさらに短くするこ
とができる。図４は、この発明のさらに異なる実施例に
かかる装置でもって被加熱体３がろう付けされている最
中の磁界分布図である。加熱コイル２８Ａ，２８Ｂの隙
間３２が、図３の場合より多少小さく配設されている。
図４のその他は、図３の構成と同じであり、２６Ｃが計
算された磁束線である。
【００１７】図４において、磁束線２６Ｃは、図３の場
合の磁束線２６Ａよりは被加熱体３と鎖交し易くなって
いる。その理由は、隙間３２が小さくなったために、加
熱コイル２８Ａ，２８Ｂによる磁束線２６Ｃが被加熱体
３の外周側から浸入し易くなったためである。すなわ
ち、加熱コイル２８Ａ，２８Ｂはできるだけ被加熱体３
の外周側には配設せずに、発熱体９の外周側だけに配設
した方が効果があることが分かる。
合の磁束線２６Ａよりは被加熱体３と鎖交し易くなって
いる。その理由は、隙間３２が小さくなったために、加
熱コイル２８Ａ，２８Ｂによる磁束線２６Ｃが被加熱体
３の外周側から浸入し易くなったためである。すなわ
ち、加熱コイル２８Ａ，２８Ｂはできるだけ被加熱体３
の外周側には配設せずに、発熱体９の外周側だけに配設
した方が効果があることが分かる。
【００１８】なお、この発明にかかる構成は図１ないし
図４の実施例に限定されるものではなく、被加熱体３と
して、必ずしも積層型ダイオードのシリコンユニットを
切り出すためのものに限る必要はない。一般的に、被加
熱体３として、部品同士がろう付けされるものであるな
らば、この発明されたろう付け装置を適用することがで
きる。
図４の実施例に限定されるものではなく、被加熱体３と
して、必ずしも積層型ダイオードのシリコンユニットを
切り出すためのものに限る必要はない。一般的に、被加
熱体３として、部品同士がろう付けされるものであるな
らば、この発明されたろう付け装置を適用することがで
きる。
【００１９】
【発明の効果】この発明は前述のように、加熱コイルが
２つに分割されて両側の発熱体の外周側にそれぞれ設け
られ、その分割された加熱コイル同士の間に隙間が形成
されてなるようにすることによって、被加熱体のろう付
け時間が従来より短縮される。また、かかる装置におい
て、両側の前記発熱体の外周側にそれぞれ設けられた加
熱コイルが互いに逆方向に励磁されてなるようにするこ
とによって、被加熱体のろう付け時間がさらに短縮され
る。
２つに分割されて両側の発熱体の外周側にそれぞれ設け
られ、その分割された加熱コイル同士の間に隙間が形成
されてなるようにすることによって、被加熱体のろう付
け時間が従来より短縮される。また、かかる装置におい
て、両側の前記発熱体の外周側にそれぞれ設けられた加
熱コイルが互いに逆方向に励磁されてなるようにするこ
とによって、被加熱体のろう付け時間がさらに短縮され
る。
【図１】この発明の実施例にかかるろう付け装置の構成
を示す断面図
を示す断面図
【図２】図１の装置でもって被加熱体がろう付けされて
いる最中の磁界分布図
いる最中の磁界分布図
【図３】この発明の異なる実施例にかかる装置でもって
被加熱体がろう付けされている最中の磁界分布図
被加熱体がろう付けされている最中の磁界分布図
【図４】この発明のさらに異なる実施例にかかる装置で
もって被加熱体がろう付けされている最中の磁界分布図
もって被加熱体がろう付けされている最中の磁界分布図
【図５】積層型ダイオードの構成を示す一部破砕側面図
【図６】被加熱体の構成を示す斜視図
【図７】（Ａ）は図６の被加熱体からシリコンユニット
を切り出す装置の構成を示す斜視図であり、（Ｂ）は図
７の（Ａ）の装置によって切り出されたシリコンユニッ
トの構成を示す斜視図
を切り出す装置の構成を示す斜視図であり、（Ｂ）は図
７の（Ａ）の装置によって切り出されたシリコンユニッ
トの構成を示す斜視図
【図８】従来のろう付け装置の構成を示す断面図
【図９】図８の平面図
【図１０】図８のろう付け装置でもって被加熱体がろう
付けされている最中の状態を示す断面図
付けされている最中の状態を示す断面図
【図１１】図８の装置でもって被加熱体がろう付けされ
ている最中の磁界分布図
ている最中の磁界分布図
１：部品、１Ａ：ウェハー、２，２Ａ：はんだ、３：被
加熱体、３Ａ：シリコンユニット、９：発熱体、１０，
２８Ａ，２８Ｂ：加熱コイル、２５：高周波電源、３
２：隙間
加熱体、３Ａ：シリコンユニット、９：発熱体、１０，
２８Ａ，２８Ｂ：加熱コイル、２５：高周波電源、３
２：隙間
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｂ２３Ｋ 101:40 Ｈ０１Ｌ 25/08 Ａ (72)発明者 野口 顕修 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 (72)発明者 天野 彰 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 (72)発明者 上條 洋 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 (72)発明者 山口 今朝光 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 (72)発明者 羽山 忠雄 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 Ｆターム(参考） 3K059 AA08 AB26 AB27 AB28 AD03 AD40 CD65 CD73 CD78 CD79
Claims (2)
- 【請求項１】部品同士の間にはんだが介装されてなる被
加熱体を発熱体の間に配置し、前記発熱体の外周側に設
けられた加熱コイルが高周波励磁されることによって前
記発熱体が誘導加熱され、前記発熱体からの熱が前記被
加熱体に伝えられ前記はんだを溶融させることによって
部品同士を固着させてなるろう付け装置において、前記
加熱コイルが２つに分割されて両側の前記発熱体の外周
側にそれぞれ設けられ、その分割された前記加熱コイル
同士の間に隙間が形成されてなることを特徴とするろう
付け装置。 - 【請求項２】請求項１に記載のろう付け装置において、
両側の前記発熱体の外周側にそれぞれ設けられた加熱コ
イルが互いに逆方向に励磁されてなることを特徴とする
ろう付け装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000337553A JP2002144026A (ja) | 2000-11-06 | 2000-11-06 | ろう付け装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000337553A JP2002144026A (ja) | 2000-11-06 | 2000-11-06 | ろう付け装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002144026A true JP2002144026A (ja) | 2002-05-21 |
Family
ID=18812919
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000337553A Withdrawn JP2002144026A (ja) | 2000-11-06 | 2000-11-06 | ろう付け装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002144026A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009140664A (ja) * | 2007-12-04 | 2009-06-25 | Shizuki Electric Co Inc | 誘導加熱コイル |
| JP2012079818A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Nikon Corp | 基板貼り合せ装置、加熱装置、積層半導体装置の製造方法及び積層半導体装置 |
| JP2012089537A (ja) * | 2010-10-15 | 2012-05-10 | Nikon Corp | ステージ装置、基板貼り合せ装置、積層半導体装置の製造方法及び積層半導体装置 |
-
2000
- 2000-11-06 JP JP2000337553A patent/JP2002144026A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009140664A (ja) * | 2007-12-04 | 2009-06-25 | Shizuki Electric Co Inc | 誘導加熱コイル |
| JP2012079818A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Nikon Corp | 基板貼り合せ装置、加熱装置、積層半導体装置の製造方法及び積層半導体装置 |
| JP2012089537A (ja) * | 2010-10-15 | 2012-05-10 | Nikon Corp | ステージ装置、基板貼り合せ装置、積層半導体装置の製造方法及び積層半導体装置 |
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