JP2002141705A

JP2002141705A - 高周波デバイス

Info

Publication number: JP2002141705A
Application number: JP2000330615A
Authority: JP
Inventors: Yoshiaki Terajima; 喜昭寺島; Mutsuki Yamazaki; 六月山崎; Hiroyuki Fukuya; 浩之福家; Fumihiko Aiga; 史彦相賀; Riichi Kato; 理一加藤; Hiroyuki Kayano; 博幸加屋野
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2000-10-30
Filing date: 2000-10-30
Publication date: 2002-05-17

Abstract

(57)【要約】【課題】特性に優れたフィルタを実現することができ
るとともに、スカート特性やリップル特性の変動なしに
フィルタの通過周波数を精度よく容易に調整することが
可能な高周波デバイスを提供する。【解決手段】基板１１上に形成された超伝導体膜によ
って構成された複数の共振素子１２からなるフィルタ素
子と、超伝導体膜が形成された基板１１表面に略平行に
対向し、かつ複数の共振素子１２及び共振素子１２間の
間隙を覆うように配置された誘電体板１６と、誘電体板
１６の基板１１との対向面と基板１１表面との間隔を制
御するための間隔制御手段１７とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高周波デバイス、
特にマイクロ波フィルタに関する。

【０００２】

【従来の技術】無線又は有線で情報通信を行う通信機器
は、アンプ、ミキサ、フィルタなどの各種のデバイスか
ら構成されており、共振特性を利用したデバイスが多く
含まれている。例えば、フィルタは、共振素子を複数個
並べて特定の周波数帯のみを通過させる機能を有する。
このようなフィルタには、挿入損失が小さく、しかも所
望帯域以外を通過させない特性が要求され、そのために
は無負荷Ｑ値の高い共振素子が必要となる。

【０００３】無負荷Ｑ値の高い共振素子を実現する一つ
の方法として、共振素子を構成する導体に超伝導体を用
い、基板にＡｌ₂Ｏ₃、ＭｇＯ、ＬａＡｌＯ₃などの誘
電損失が非常に小さい材料を用いる方法がある。しか
し、この場合には、無負荷Ｑ値が１００００以上とな
り、共振特性が非常に鋭くなるため、設計の段階で共振
特性を高精度に調整しなければ所望の特性が得られな
い。

【０００４】このような問題を克服するために、共振周
波数の調整機能を有する共振器及びフィルタが提案され
ている。共振器或いはフィルタの周波数をチューニング
する方法としては、誘電率が印加電界に依存する誘電体
を共振素子近傍に設置して誘電体に電圧を印加する方
法、透磁率が印加磁界に従って変化する磁性体を共振素
子近傍に設置して磁性体に磁界を印加する方法等があ
る。

【０００５】例えば、文献１（Appl. Phys. lett., Vo
l.66, p.3674, (1995)）には、誘電率が印加電界に依存
する誘電体ＳｒＴｉＯ₃膜で表面を覆ったＬａＡｌＯ₃
基板上に酸化物超伝導体膜からなるコプレーナ形共振器
を形成し、中央の伝送線路と両側のグランドとの間に電
圧を印加して共振周波数ｆをチューニングするものが記
載されている。この場合、チューニング幅Δｆ／ｆは４
％であるが、誘電率が電界強度に依存するＳｒＴｉＯ₃
のような誘電体は誘電損失（ｔａｎδ）が大きいため、
無負荷Ｑ値は２００程度にまで減少する。そのため、導
体を非常に低損失な超伝導体にすることによる無負荷Ｑ
値の増大という特徴が消失してしまうという問題があ
る。

【０００６】同様に、文献２（Appl. Phys. lett., Vo
l.68, p.1651, (1996)）には、前述した周波数チューニ
ングが可能なコプレーナ形共振器を複数並べたチューナ
ブルバンドパスフィルタが記載されている。この場合、
前述したようにフィルタを構成する個々の共振器単体の
無負荷Ｑ値が小さいため、スカート特性と呼ばれる周波
数通過帯域の立ち上がり立ち下がりが緩く、周波数選択
性が悪くなる。また、電圧印加によって通過周波数帯域
を変化させた時、挿入損失、スカート特性、通過周波数
帯域内リップルが変化するという問題もある。

【０００７】また、特開平９−３０７３０７号公報或い
は特開平１０−５１２０４号公報には、フィルタ素子上
に誘電率が電圧に依存する誘電体を設け、それに近接し
て電圧印加用の電極対を設置するものが開示されてい
る。この場合、電極の配置や印加電圧によって、局部的
に誘電率を変えること或いは誘電率に分布を持たせるこ
とが可能である。これにより、前述したような問題、す
なわちバンドパスフィルタの通過周波数帯のチューニン
グに付随した挿入損失、スカート特性、リップルの変化
といった問題はある程度軽減可能である。しかし、この
方法では、誘電率が印加電圧に従って変化する誘電体に
加えて電圧印加用電極が必要なため、電極による損失が
加わる。その結果、共振器単体の無負荷Ｑ値は数百以下
と小さくなり、急峻なスカート特性を有するフィルタを
得ることはできない。また、電極対に電圧を印加するこ
とによって誘電体の誘電率を一様に変えて周波数のチュ
ーニングを行う場合には、誘電体による損失が大ききこ
とに加え、その損失が印加電圧によって変化するため、
チューニングに付随してフィルタを構成する共振素子の
Ｑ値が変化し、フィルタの挿入損失や通過帯域内特性が
所望の特性からずれてしまうという問題がある。さらに
この方法では、誘電率や誘電損失に空間分布ができてし
まい、全面均一に変化させることができないという問題
がある。

【０００８】別の方法として、例えば文献３（IEEE MTT
-S digest, p303, (1997)）には、基板上に形成された
マイクロストリップ構造の共振器上に透磁率が印加磁界
に従って変化する磁性体Ｙ₃Ｆｅ₅Ｏ₁₂（ＹＩＧ）の板
を設置し、これに外部から直流磁界を印加することによ
って、共振周波数をチューニングするものが記載されて
いる。チューニング幅Δｆ／ｆは３％で前述した誘電体
制御方式と同程度であるが、無負荷Ｑ値は誘電体制御方
式共振器の１０倍程度に改善されている。しかし、この
ようなチューニング機能を有する共振器を複数個並べ
て、通過周波数帯域をチューニングできるバンドパスフ
ィルタを作製した場合、磁界印加によって通過周波数帯
域が変化するという本来の機能に付随して、共振素子相
互間及び共振素子と入出力線路との間の電磁的結合が変
化して、フィルタの挿入損失、スカート特性、リップル
特性が元の設計からずれてしまうという問題がある。ま
た、通過周波数帯が５ＧＨｚ以下の場合には、磁気的損
失のために挿入損失が大きくなるという問題もある。

【０００９】さらに別の方法として、特開平５−１９９
０２４号公報には、共振導体が１個の共振器において、
共振導体上に上下動可能な導体片、誘電体片又は磁性体
片を設置し、その位置を制御することよって共振周波数
を調整可能な超伝導共振器が開示されている。しかし、
この方法を共振素子が複数並んだフィルタに適用するた
めには、各共振素子上の各導体片等を精度良く同量移動
させる必要がある。また、周波数を変えることに伴っ
て、リップル、バンド幅といった帯域内特性が変化する
という問題もある。

【００１０】文献４（IEEE Trans. Microwave Theory a
nd Techniques, Vol.47, No9, p1656, (1999)）には、
フィルタをパッケージに収納してチューニング用のネジ
を共振素子上及び共振素子間ギャップ上等に多数設置
し、このネジの抜き差しによって周波数をチューニング
するものが記載されている。この場合、チューニング機
能の付加に伴う損失の増加は、上述した誘電体電圧印加
方式や磁性体磁界印加方式に比較して小さくなる。しか
し、各ネジがフィルタ特性に及ぼす影響がそれぞれ異な
るため、各ネジの制御を個別に厳格に行う必要がある。
また、フィルタのパターンに応じて各ネジの最適位置を
異ならせる必要もある。このような理由により、本方式
では、制御パラメータが多く、調整が困難で、構造が複
雑になるといった問題がある。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】このように、超伝導体
によって構成された共振素子を用いたフィルタが提案さ
れており、またこのようなフィルタ素子の周波数をチュ
ーニングするための方式も提案されている。しかしなが
ら、従来の方式では、急峻なスカート特性（シャープス
カート特性）を有するフィルタが得られない、通過周波
数のチューニングに際してスカート特性やリップル特性
等が変化してしまう、チューニングに際して精度のよい
調整が困難である等の問題があった。

【００１２】本発明は上記従来の課題に対してなされた
ものであり、特性に優れたフィルタを実現することがで
きるとともに、スカート特性やリップル特性等の変動な
しにフィルタの通過周波数域を精度よく容易に調整する
ことが可能な高周波デバイスを提供することを目的とす
る。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明に係る高周波デバ
イスは、基板上に形成された第１の超伝導体膜によって
構成された複数の共振素子からなるフィルタ素子と、前
記第１の超伝導体膜が形成された基板表面に略平行に対
向し、かつ前記複数の共振素子及び共振素子間の間隙を
覆うように配置された誘電体板と、前記誘電体板の前記
基板との対向面と前記基板表面との間隔を制御するため
の間隔制御手段と、を備えたことを特徴とする。

【００１４】前記間隔制御手段は、前記誘電体板を移動
させることで前記間隔を随時調整可能な手段（例えば、
誘電体板を基板表面に対して垂直方向に移動させるため
の部材）であってもよいし、前記誘電体板を移動するこ
とによって予め調整された間隔を保持するための手段
（例えば、調整された間隔を維持するためのスペーサ等
の部材）であってもよい。

【００１５】前記誘電体板には、誘電損失の小さな誘電
体材料、特にＡｌ₂Ｏ₃、ＭｇＯ、ＬａＡｌＯ₃などを
用いることが好ましい。

【００１６】なお、各共振素子及び各共振素子間の間隙
は誘電体板によって完全に覆われていることが好ましい
が、各共振素子及び各共振素子間の間隙の一定以上の領
域、好ましくは半分以上の領域が誘電体板によって覆わ
れていてもよい。この場合、各領域が誘電体板によって
同様に覆われている、すなわち共振素子と誘電体板との
オーバーラップする領域が各共振素子について同等（同
じ形状及び面積）であり、共振素子間の間隙と誘電体板
とのオーバーラップする領域が各共振素子間の間隙につ
いて同等（同じ形状及び面積）であることが好ましい。

【００１７】フィルタの通過周波数（通過特性）、スカ
ート特性、リップル特性、挿入損失特性等は、共振素子
周囲の媒体の実効誘電率の影響を受ける。本発明では、
各共振素子及び各共振素子間の間隙は誘電体板によって
同様に覆われており、各共振素子と誘電体板との関係、
各共振素子間の間隙と誘電体板との関係は、それぞれ同
等になっている。そのため、誘電体板を基板表面に対し
て垂直方向に移動させ、誘電体板の対向面と基板表面と
の間隔を両者の平行状態を維持した状態で変化させるこ
とにより、実効誘電率を各領域で一様に変化させること
ができる。したがって、実効誘電率の各共振素子に対す
る影響度並びに各共振素子間の結合に対する影響度をい
ずれも同等にすることができ、フィルタのスカート特性
やリップル特性等を維持した状態で、フィルタの通過周
波数を精度良く容易にシフトさせることができる。従来
技術で述べた共振素子上及び共振素子間ギャップ上に周
波数調整用のネジを多数設けたフィルタでは、各ネジの
調整を個別にかつ厳格に行う必要があり、またフィルタ
のパターンに応じて各ネジの位置を変える必要もあるた
め、フィルタ特性を精度よく容易に制御することが極め
て困難であるが、本発明ではフィルタのパターンによら
ず、フィルタ特性を精度よく容易に制御することが可能
となる。

【００１８】なお、本発明の効果を有効に発揮させる観
点から、前記誘電体板の前記基板との対向面と前記複数
の共振素子を構成する第１の超伝導体膜表面との間隔の
最大値をＬ、最小値をＳとしたとき、２×（Ｌ−Ｓ）／
（Ｌ＋Ｓ）の値が０．３以下であることが好ましい。ま
た、前記誘電体板の前記基板との対向面と前記基板表面
とのなす角度は、１．０度以下であることが好ましい。

【００１９】また、前記誘電体板の前記基板との対向面
と逆側の面上に第２の超伝導体膜を形成することによ
り、周波数シフト量を増大させることが可能となる。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。

【００２１】図１は、本発明の実施形態に係るマイクロ
波用の高周波デバイスについて示したものであり、通過
周波数帯域を調整可能なバンドパスフィルタの断面図を
示したものである。

【００２２】本実施形態に係るバンドパスフィルタはマ
イクロストリップライン構造であり、誘電体基板１１の
表面上に複数の共振素子１２、入力線路１３及び出力線
路１４が形成され、誘電体基板１１の裏面上に接地電極
１５が形成されている。誘電体基板１１は、誘電損失の
小さい誘電体材料を用いて形成されており、例えばＡｌ
₂Ｏ₃（サファイア）、ＭｇＯ、ＬａＡｌＯ₃などを用
いることができる。また、共振素子１２、入力線路１
３、出力線路１４及び接地電極１５は、超伝導体材料を
用いて形成されており、超伝導体材料には、Ｒｅ₁Ｂａ
₂Ｃｕ₃Ｏ_x（Ｒｅは、Ｙ，Ｈｏ，Ｙｂなどの希土類元
素）、Ｂｉ系、Ｔｌ系などの酸化物超伝導体を用いるこ
とができる。

【００２３】誘電体基板１１の上方には、誘電損失の小
さい誘電体材料（Ａｌ₂Ｏ₃（サファイア）、ＭｇＯ、
ＬａＡｌＯ₃など）を用いた誘電体板１６が、誘電体基
板１１表面に略平行に対向して配置されている。また、
この誘電体板１６は、複数の共振素子１２、各共振素子
１２相互間の間隙、共振素子１２と入力線路１３との間
隙及び共振素子１２と出力線路１４との間隙を覆うよう
に配置されている。

【００２４】図２（ａ）及び図２（ｂ）は、誘電体板１
６と共振素子１２等の位置関係を示した平面図である。
図２（ａ）は、各共振素子１２及び各共振素子１２間の
間隙の全ての領域を完全に覆うように誘電体板１６を配
置した例である。図２（ｂ）は、各共振素子１２及び各
共振素子１２間の間隙の半分以上の領域を覆うように誘
電体板１６を配置した例である。

【００２５】誘電体板１６には、誘電体基板１１の表面
と誘電体板１６の対向面との間隔を調整するための間隔
調整用部材１７が取り付けられており、この間隔調整用
部材１７をパッケージ１８に形成された貫通口内を上下
させることで、誘電体板１６と誘電体基板１１との平行
状態を保ったまま、誘電体板１６を誘電体基板１１表面
に対して垂直方向に移動させることができるようになっ
ている。

【００２６】バンドパスフィルタでは、個々の共振素子
の共振の重畳により、通過帯域が生じる。通過周波数を
決める要素は、共振素子の長さと共振素子を取り囲む媒
体の実効誘電率及び実効透磁率であり、スカート特性及
びリップルを規定する要素は、共振素子の無負荷Ｑ値、
共振素子相互間の結合及び共振素子と入出力線路との結
合である。共振素子相互間の結合及び共振素子と入出力
線路との結合は、それらのギャップの長さと、それらを
取り囲む媒体の実効誘電率及び実効透磁率によって決ま
る。

【００２７】図１に示したような構成のチューナブルバ
ンドパスフィルタにおいて、誘電体板１６を上下に移動
させて誘電体板１６と誘電体基板１１との間隔を変化さ
せると、実効誘電率が全体的に変化して全ての共振素子
１２の固有周波数が一様にシフトし、フィルタの通過特
性は周波数軸上をシフトする。この時、共振素子１２相
互間の結合、共振素子１２と入力線路１３及び出力線路
１４との電磁結合も同時に変化するため、フィルタのス
カート特性及びリップルも初期の特性とは変化したもの
になると、従来考えられてきた。ところが、図２（ａ）
及び図２（ｂ）に示すように、全ての共振素子１２、各
共振素子１２相互間の間隙、共振素子１２と入力線路１
３との間隙及び共振素子１２と出力線路１４との間隙を
覆うように誘電体板１６を配置し、誘電体板１６と誘電
体基板１１との平行状態を保ったまま誘電体板１６を動
かす、すなわち上記各領域と誘電体板１６との位置関係
が同等に変化するように誘電体板１６を動かすことによ
り、上述したスカート特性及びリップルの変化を避ける
ことができることが本願発明者によって新たに発見され
た。

【００２８】また、誘電体板１６に誘電損失の小さい誘
電体材料を用いることにより、共振素子１２の無負荷Ｑ
値、フィルタの挿入損失及びスカート特性をほとんど悪
化させることなく、チューナブルバンドパスフィルタを
得ることができる。

【００２９】以下、本発明の具体例について説明する。

【００３０】図１に示したような基本構成を有するバン
ドパスフィルタの一例として、１．９ＧＨｚ帯のマイク
ロストリップライン構造のフィルタを作製した。

【００３１】誘電体基板１１には、厚さ０．５ｍｍ、直
径３０ｍｍのＬａＡｌＯ₃からなる基板を用いた。この
誘電体基板１１の両面にＹ系超伝導体薄膜をスパッタリ
ング法で厚さ５００ｎｍ成膜し、基板裏面側に成膜され
た超伝導体薄膜を接地電極１５とした。さらに、基板表
面側に成膜された超伝導体薄膜をイオンミリング法を用
いて加工し、所望の共振周波数を有する５個の共振素子
１２、入力線路１３及び出力線路１４を形成し、マイク
ロストリップライン構造のバンドパスフィルタを作製し
た。各共振素子１２はいずれも、幅１７０μｍ、長さ２
０．２ｍｍの同一形状であり、通過帯域中心周波数は
１．９ＧＨｚであった。

【００３２】このようにして作製したフィルタに銅製の
カバー１８を装着し、カバーの中央に形成された貫通口
に間隔調整用部材１７となる銅製のネジを螺着した。ネ
ジの先端には厚さ０．５ｍｍ、直径２８ｍｍのＡｌ₂Ｏ
₃（サファイア）からなる誘電体板１６を設置した。ネ
ジを回転させることにより、フィルタ素子に対して誘電
体板１６を近づけたり遠ざけたりすることができる。

【００３３】フィルタ特性の評価は以下のようにして行
った。すなわち、上述したようにして作製された素子を
冷却可能な冷凍器中に設置して６０Ｋまで冷却し、マイ
クロ波電力の通過特性及び反射特性をベクトルネットワ
ークアナライザにより測定した。

【００３４】図３は、誘電体基板１１上に形成されたフ
ィルタ素子と誘電体板１６との距離と、通過帯域中心周
波数の変化量Δｆとの関係を示したものである。図４
は、フィルタ素子と誘電体板との距離を変えたときの、
通過特性Ｓ２１を測定した結果を示したものである。図
４のチューニング前の特性は距離が１ｍｍ以上離れてい
る場合、チューニング後の特性は距離が０．２５ｍｍの
場合である。距離を近づけることによって通過帯域は低
周波数側にシフトするが、挿入損失、バンド幅、リップ
ルといった帯域内特性に変化はなかった。

【００３５】なお、上述した例では誘電体板１６にＡｌ
₂Ｏ₃（サファイア）を用いたが、ＭｇＯの場合も同様
であった。また、誘電体板１６にＬａＡｌＯ₃を用いた
場合には、Ａｌ₂Ｏ₃及びＭｇＯの場合と比較して、通
過帯域のシフト量が約１．５倍であった。

【００３６】このように本例では、共振素子の超伝導性
による損失の低減を犠牲にすることなく、かつ、リップ
ル、スカート特性及びバンド幅を変えることなく、通過
帯域の中心周波数だけを調整することが可能である。

【００３７】比較例として、基本的構成は上記具体例と
同様であるが、誘電体板１６の誘電体基板１１との対向
面と共振素子１２を構成する超伝導体膜表面との間隔の
最大値をＬ、最小値をＳとしたとき、２×（Ｌ−Ｓ）／
（Ｌ＋Ｓ）の値が０．３よりも大きくなるように、誘電
体板１６を傾けて配置したものについて、同様に測定を
行った。この場合には、帯域内通過特性のリップルが増
大する、或いは対象性が損なわれるという問題が発生し
た。

【００３８】上記具体例の変更例として、図５に示すよ
うな素子を作製した。基本的な構造は図１に示した構造
と同様であり、図１に示した構成要素に対応する構成要
素には同一の参照符号を付している。図５に示した例
は、図１に示した例に対し、誘電体板１６のフィルタ素
子１２に対向する面とは反対側の面上に超伝導体膜２０
を形成している点が異なる。このような構造について、
上述した例と同様にマイクロ波通過特性を測定したとこ
ろ、図１に示した構造よりも大きな周波数可変幅を得る
ことができた。

【００３９】なお、以上説明した実施形態では、誘電体
基板１１と誘電体板１６との間隔を制御するための手段
として、間隔調整用部材１７を用い、この間隔調整用部
材１７を上下に動かすことで誘電体基板１１と誘電体板
１６との間隔を随時調整できるようにしたが、誘電体板
１６を移動させることで予め誘電体基板１１と誘電体板
１６との間隔を調整しておき、調整された間隔をスペー
サ等の部材によって固定しておくようにしてもよい。

【００４０】また、以上説明した実施形態では、フィル
タ特性として帯域通過フィルタを例に説明したが、本発
明は他のフィルタ特性のものにも適用できることは明ら
かである。

【００４１】以上、本発明の実施形態を説明したが、本
発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣
旨を逸脱しない範囲内において種々変形して実施するこ
とが可能である。さらに、上記実施形態には種々の段階
の発明が含まれており、開示された構成要件を適宜組み
合わせることによって種々の発明が抽出され得る。例え
ば、開示された構成要件からいくつかの構成要件が削除
されても、所定の効果が得られるものであれば発明とし
て抽出され得る。

【００４２】

【発明の効果】本発明によれば、フィルタが形成された
基板表面と略平行に且つ共振素子及び共振素子間の間隙
を覆うように誘電体板を配置し、この誘電体板とフィル
タが形成された基板との間隔を調整することにより、ス
カート特性やリップル特性等の変動なしにフィルタの通
過特性を精度よく容易に調整することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態の基本的な構成例を示した断
面図。

【図２】本発明の実施形態の主要部の位置関係を示した
平面図。

【図３】本発明の実施形態に係り、フィルタ素子と誘電
体板との距離に対する通過帯域中心周波数の変化量の関
係を示した図。

【図４】本発明の実施形態に係り、フィルタ素子と誘電
体板との距離を変えたときのフィルタの通過特性につい
て示した図。

【図５】図１に示した構造の変更例を示した図。

【符号の説明】

１１…誘電体基板１２…共振素子１３…入力線路１４…出力線路１５…接地電極１６…誘電体板１７…間隔調整用部材１８…パッケージ２０…誘電体板上の超伝導体膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者福家浩之神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地株式会社東芝研究開発センター内 (72)発明者相賀史彦神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地株式会社東芝研究開発センター内 (72)発明者加藤理一神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地株式会社東芝研究開発センター内 (72)発明者加屋野博幸神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地株式会社東芝研究開発センター内Ｆターム(参考） 4M113 AC44 AD36 AD37 AD42 BA04 BC04 CA34 CA35 CA36 5J006 HB03 JA01 LA11 LA25 MA01 MB02 MB03 NA01 NE03 NE11 PA01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に形成された第１の超伝導体膜によ
って構成された複数の共振素子からなるフィルタ素子
と、前記第１の超伝導体膜が形成された基板表面に略平行に
対向し、かつ前記複数の共振素子及び共振素子間の間隙
を覆うように配置された誘電体板と、前記誘電体板の前記基板との対向面と前記基板表面との
間隔を制御するための間隔制御手段と、を備えたことを特徴とする高周波デバイス。
【請求項２】前記誘電体板の前記基板との対向面と前記
複数の共振素子を構成する第１の超伝導体膜表面との間
隔の最大値をＬ、最小値をＳとしたとき、２×（Ｌ−
Ｓ）／（Ｌ＋Ｓ）の値が０．３以下であることを特徴と
する請求項１に記載の高周波デバイス。
【請求項３】前記誘電体板の前記基板との対向面と逆側
の面上に第２の超伝導体膜が形成されていることを特徴
とする請求項１に記載の高周波デバイス。