JP2001211004A - 超伝導フィルタ - Google Patents
超伝導フィルタInfo
- Publication number
- JP2001211004A JP2001211004A JP2000021829A JP2000021829A JP2001211004A JP 2001211004 A JP2001211004 A JP 2001211004A JP 2000021829 A JP2000021829 A JP 2000021829A JP 2000021829 A JP2000021829 A JP 2000021829A JP 2001211004 A JP2001211004 A JP 2001211004A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- superconducting
- dielectric substrate
- superconducting filter
- filter
- main body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 55
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｑを低下させることなく超伝導フィルタのチ
ューニングを実現する。 【解決手段】 金属ケース７の内底部に、第１誘電体基
板２の底面に設置面３を形成するとともに、上面に超伝
導共振器パターン１を形成してなる超伝導フィルタ本体
を固定している。そして、超伝導フィルタ本体の上方
に、上面に超伝導薄膜からなるシールド面６を有する第
２誘電体基板５を昇降自在に設けているとともに、金属
ケース７の上部を貫通し、かつ回転自在なボルト部材１
３を設け、ボルト部材１３と係合する雌ネジ部材１４を
シールド面６の上面に設けている。
ューニングを実現する。 【解決手段】 金属ケース７の内底部に、第１誘電体基
板２の底面に設置面３を形成するとともに、上面に超伝
導共振器パターン１を形成してなる超伝導フィルタ本体
を固定している。そして、超伝導フィルタ本体の上方
に、上面に超伝導薄膜からなるシールド面６を有する第
２誘電体基板５を昇降自在に設けているとともに、金属
ケース７の上部を貫通し、かつ回転自在なボルト部材１
３を設け、ボルト部材１３と係合する雌ネジ部材１４を
シールド面６の上面に設けている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明はチューニング可能
な超伝導フィルタに関する。
な超伝導フィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来からフィルタをチューニングするた
めの構成として、金属製のスクリューを進退させる構成
が一般的に採用されている。そして、超伝導フィルタを
チューニングする構成としても、金属製のスクリューを
進退させる構成が提案されている。
めの構成として、金属製のスクリューを進退させる構成
が一般的に採用されている。そして、超伝導フィルタを
チューニングする構成としても、金属製のスクリューを
進退させる構成が提案されている。
【０００３】この構成を採用すれば、金属製のスクリュ
ーを進退させる程度に応じて超伝導フィルタのバンドパ
ス特性（バンドパスフィルタ特性の中心周波数）をチュ
ーニングすることができる。
ーを進退させる程度に応じて超伝導フィルタのバンドパ
ス特性（バンドパスフィルタ特性の中心周波数）をチュ
ーニングすることができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、金属製のスク
リューを進退させて超伝導フィルタをチューニングする
構成を採用した場合には、超伝導フィルタ自体が著しく
高いＱ（Ｑは損失の目安であり、高いほど損失が少ない
ことを示す。この損失は、ネジ等の金属製のスクリュー
を使うことによる損失である）を有しているにも拘わら
ず、金属製のスクリューを採用することによってＱの低
下を招いてしまうという不都合がある。
リューを進退させて超伝導フィルタをチューニングする
構成を採用した場合には、超伝導フィルタ自体が著しく
高いＱ（Ｑは損失の目安であり、高いほど損失が少ない
ことを示す。この損失は、ネジ等の金属製のスクリュー
を使うことによる損失である）を有しているにも拘わら
ず、金属製のスクリューを採用することによってＱの低
下を招いてしまうという不都合がある。
【０００５】
【発明の目的】この発明は上記の問題点に鑑みてなされ
たものであり、Ｑを低下させることなく超伝導フィルタ
のチューニングを実現することができる超伝導フィルタ
を提供することを目的としている。
たものであり、Ｑを低下させることなく超伝導フィルタ
のチューニングを実現することができる超伝導フィルタ
を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１の超伝導フィル
タは、所定のフィルタパターンを第１誘電体基板上に形
成してなる超伝導フィルタ本体の上方に超伝導薄膜を有
する第２誘電体基板を配置し、超伝導フィルタ本体との
距離を変化させるべく第２誘電体基板を移動させる距離
可変手段を設けたものである。
タは、所定のフィルタパターンを第１誘電体基板上に形
成してなる超伝導フィルタ本体の上方に超伝導薄膜を有
する第２誘電体基板を配置し、超伝導フィルタ本体との
距離を変化させるべく第２誘電体基板を移動させる距離
可変手段を設けたものである。
【０００７】請求項２の超伝導フィルタは、超伝導フィ
ルタ本体および第２誘電体基板を収容する金属ケースを
さらに含むものである。
ルタ本体および第２誘電体基板を収容する金属ケースを
さらに含むものである。
【０００８】請求項３の超伝導フィルタは、前記距離可
変手段として、金属ケースと第２誘電体基板との間に配
置された圧電素子を採用するものである。
変手段として、金属ケースと第２誘電体基板との間に配
置された圧電素子を採用するものである。
【０００９】請求項４の超伝導フィルタは、前記第２誘
電体基板として、第１誘電体基板と対向する面に超伝導
薄膜を有するものを採用するものである。
電体基板として、第１誘電体基板と対向する面に超伝導
薄膜を有するものを採用するものである。
【００１０】
【作用】請求項１の超伝導フィルタであれば、所定のフ
ィルタパターンを第１誘電体基板上に形成してなる超伝
導フィルタ本体の上方に超伝導薄膜を有する第２誘電体
基板を配置しておき、距離可変手段によって第２誘電体
基板を移動させることにより、超伝導フィルタ本体との
距離を変化させて超伝導フィルタのチューニングを達成
することができる。
ィルタパターンを第１誘電体基板上に形成してなる超伝
導フィルタ本体の上方に超伝導薄膜を有する第２誘電体
基板を配置しておき、距離可変手段によって第２誘電体
基板を移動させることにより、超伝導フィルタ本体との
距離を変化させて超伝導フィルタのチューニングを達成
することができる。
【００１１】したがって、Ｑを著しく高く維持したまま
で超伝導フィルタのチューニングを実現することができ
る。
で超伝導フィルタのチューニングを実現することができ
る。
【００１２】請求項２の超伝導フィルタであれば、超伝
導フィルタ本体および第２誘電体基板を収容する金属ケ
ースをさらに含むのであるから、超伝導フィルタ本体と
第２誘電体基板とがこれらに平行な方向に位置ずれする
ことを防止することができるとともに、寒冷の伝達を容
易かつ確実に達成することができるほか、請求項１と同
様の作用を達成することができる。
導フィルタ本体および第２誘電体基板を収容する金属ケ
ースをさらに含むのであるから、超伝導フィルタ本体と
第２誘電体基板とがこれらに平行な方向に位置ずれする
ことを防止することができるとともに、寒冷の伝達を容
易かつ確実に達成することができるほか、請求項１と同
様の作用を達成することができる。
【００１３】請求項３の超伝導フィルタであれば、前記
距離可変手段として、金属ケースと第２誘電体基板との
間に配置された圧電素子を採用するのであるから、超伝
導フィルタ本体を収容する真空容器の外部から簡単にチ
ューニングを行うことができるほか、請求項２と同様の
作用を達成することができる。
距離可変手段として、金属ケースと第２誘電体基板との
間に配置された圧電素子を採用するのであるから、超伝
導フィルタ本体を収容する真空容器の外部から簡単にチ
ューニングを行うことができるほか、請求項２と同様の
作用を達成することができる。
【００１４】請求項４の超伝導フィルタであれば、前記
第２誘電体基板として、第１誘電体基板と対向する面に
超伝導薄膜を有するものを採用するのであるから、距離
可変手段による超伝導薄膜への悪影響を未然に防止する
ことができるほか、請求項１から請求項３の何れかと同
様の作用を達成することができる。
第２誘電体基板として、第１誘電体基板と対向する面に
超伝導薄膜を有するものを採用するのであるから、距離
可変手段による超伝導薄膜への悪影響を未然に防止する
ことができるほか、請求項１から請求項３の何れかと同
様の作用を達成することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、この
発明の超伝導フィルタの実施の態様を詳細に説明する。
発明の超伝導フィルタの実施の態様を詳細に説明する。
【００１６】図１はこの発明の超伝導フィルタの一実施
態様を示す概略縦断面図である。
態様を示す概略縦断面図である。
【００１７】この超伝導フィルタは、金属ケース７の内
底部に、第１誘電体基板２の底面に設置面３を形成する
とともに、上面に超伝導共振器パターン１を形成してな
る超伝導フィルタ本体を固定している。そして、超伝導
フィルタ本体の上方に、上面に超伝導薄膜からなるシー
ルド面６を有する第２誘電体基板５を昇降自在に設けて
いるとともに、金属ケース７の上内面と第２誘電体基板
５との間に圧電素子１０を設け、制御ケーブル１１を介
して圧電素子１０と接続されるコントローラ１２を設け
ている。
底部に、第１誘電体基板２の底面に設置面３を形成する
とともに、上面に超伝導共振器パターン１を形成してな
る超伝導フィルタ本体を固定している。そして、超伝導
フィルタ本体の上方に、上面に超伝導薄膜からなるシー
ルド面６を有する第２誘電体基板５を昇降自在に設けて
いるとともに、金属ケース７の上内面と第２誘電体基板
５との間に圧電素子１０を設け、制御ケーブル１１を介
して圧電素子１０と接続されるコントローラ１２を設け
ている。
【００１８】なお、金属ケース７を包囲する真空容器９
を設けているとともに、真空容器９を貫通して金属ケー
ス７と熱的に接続されるコールドヘッド（極低温冷凍機
からの寒冷を伝達するためのもの）８を設けている。
を設けているとともに、真空容器９を貫通して金属ケー
ス７と熱的に接続されるコールドヘッド（極低温冷凍機
からの寒冷を伝達するためのもの）８を設けている。
【００１９】図２は超伝導フィルタ本体を示す平面図で
あり、第１誘電体基板２の上面に所定間隔毎に５本の超
伝導共振器パターン１を互いに平行に形成している。
あり、第１誘電体基板２の上面に所定間隔毎に５本の超
伝導共振器パターン１を互いに平行に形成している。
【００２０】この実施態様を採用した場合には、真空容
器９の内部において超伝導フィルタ本体を臨界温度以下
の極低温にまで冷却した状態において、コントローラ１
２により圧電素子１０に印加する電圧を制御することに
より、印加電圧に応じて超伝導フィルタ本体と第２誘電
体基板５との間隔を迅速に増減させることができ、ひい
ては、超伝導フィルタの周波数特性をチューニングする
ことができる。
器９の内部において超伝導フィルタ本体を臨界温度以下
の極低温にまで冷却した状態において、コントローラ１
２により圧電素子１０に印加する電圧を制御することに
より、印加電圧に応じて超伝導フィルタ本体と第２誘電
体基板５との間隔を迅速に増減させることができ、ひい
ては、超伝導フィルタの周波数特性をチューニングする
ことができる。
【００２１】なお、圧電素子１０単体では調節可能な間
隔が小さい場合には、複数個の圧電素子１０を直列接続
させることにより、調節可能な間隔を大きくすることが
できる。
隔が小さい場合には、複数個の圧電素子１０を直列接続
させることにより、調節可能な間隔を大きくすることが
できる。
【００２２】さらに説明する。
【００２３】第１誘電体基板２の厚みをｈ１、第２誘電
体基板５の厚みをｈ３、第１誘電体基板２と第２誘電体
基板５との距離をｈ２、第１誘電体基板２の誘電率をε
１、第１誘電体基板２と第２誘電体基板５との間におけ
る誘電率（空気層もしくは真空層４の誘電率）をε２、
第２誘電体基板５の誘電率をε３、超伝導共振器パター
ン１の幅をＷで表せば、超伝導共振器の単位長さ容量Ｃ
は、 Ｃ＝（Ｗ／２）［［１／｛（ｈ２／ε２）＋（ｈ３／ε
３）｝］＋（１／ε１）］ となり、位相速度ｖは、 ｖ＝ｋ（１／Ｃ）1/2 となり、共振周波数ｆは、 ｆ＝ｖ／２Ｃ となる。なお、ｋは超伝導共振器パターン１の形状など
に依存して定まる定数である。
体基板５の厚みをｈ３、第１誘電体基板２と第２誘電体
基板５との距離をｈ２、第１誘電体基板２の誘電率をε
１、第１誘電体基板２と第２誘電体基板５との間におけ
る誘電率（空気層もしくは真空層４の誘電率）をε２、
第２誘電体基板５の誘電率をε３、超伝導共振器パター
ン１の幅をＷで表せば、超伝導共振器の単位長さ容量Ｃ
は、 Ｃ＝（Ｗ／２）［［１／｛（ｈ２／ε２）＋（ｈ３／ε
３）｝］＋（１／ε１）］ となり、位相速度ｖは、 ｖ＝ｋ（１／Ｃ）1/2 となり、共振周波数ｆは、 ｆ＝ｖ／２Ｃ となる。なお、ｋは超伝導共振器パターン１の形状など
に依存して定まる定数である。
【００２４】したがって、第１誘電体基板２と第２誘電
体基板５との距離ｈ２を変化させることにより超伝導共
振器の単位長さ容量Ｃを変化させることができ、ひいて
は共振周波数ｆを変化させることができる。
体基板５との距離ｈ２を変化させることにより超伝導共
振器の単位長さ容量Ｃを変化させることができ、ひいて
は共振周波数ｆを変化させることができる。
【００２５】また、上記の実施態様においては、共振器
間結合の変化をできるだけ小さくして共振周波数を変化
させることができるので、図３に示すように、帯域幅を
殆ど変化させることなく、中心周波数のみを変化させる
ことができる。
間結合の変化をできるだけ小さくして共振周波数を変化
させることができるので、図３に示すように、帯域幅を
殆ど変化させることなく、中心周波数のみを変化させる
ことができる。
【００２６】図１に示す超伝導フィルタにおいては、第
２誘電体基板５の上面にシールド面６を形成している
が、第２誘電体基板５の下面にシールド面を形成するこ
とが可能である。この場合には、超伝導共振器の単位長
さ容量Ｃが、 Ｃ＝（Ｗ／２）［｛１／（ｈ２／ε２）｝＋（１／ε
１）］ となる。
２誘電体基板５の上面にシールド面６を形成している
が、第２誘電体基板５の下面にシールド面を形成するこ
とが可能である。この場合には、超伝導共振器の単位長
さ容量Ｃが、 Ｃ＝（Ｗ／２）［｛１／（ｈ２／ε２）｝＋（１／ε
１）］ となる。
【００２７】したがって、第１誘電体基板２と第２誘電
体基板５との距離ｈ２を変化させることにより超伝導共
振器の単位長さ容量Ｃを変化させることができ、ひいて
は共振周波数ｆを変化させることができる。
体基板５との距離ｈ２を変化させることにより超伝導共
振器の単位長さ容量Ｃを変化させることができ、ひいて
は共振周波数ｆを変化させることができる。
【００２８】また、圧電素子１０をシールド面６の上面
に連結するのではなく、第２誘電体基板５の上面に連結
するのであるから、圧電素子１０を連結することにより
シールド面６に影響を及ぼすことを未然に防止すること
ができる。
に連結するのではなく、第２誘電体基板５の上面に連結
するのであるから、圧電素子１０を連結することにより
シールド面６に影響を及ぼすことを未然に防止すること
ができる。
【００２９】図４はこの発明の超伝導フィルタの他の実
施態様を示す概略縦断面図、図５は超伝導フィルタ本体
の平面図である。
施態様を示す概略縦断面図、図５は超伝導フィルタ本体
の平面図である。
【００３０】この超伝導フィルタが上記チューナブル超
伝導フィルタと異なる点は、超伝導共振器パターン１の
数を１に設定した点のみである。
伝導フィルタと異なる点は、超伝導共振器パターン１の
数を１に設定した点のみである。
【００３１】したがって、この実施態様を採用した場合
にも、ボルト部材を回転させることにより超伝導フィル
タ本体と第２誘電体基板５との間隔を増減させることが
でき、ひいては、超伝導フィルタの周波数特性をチュー
ニングすることができる。
にも、ボルト部材を回転させることにより超伝導フィル
タ本体と第２誘電体基板５との間隔を増減させることが
でき、ひいては、超伝導フィルタの周波数特性をチュー
ニングすることができる。
【００３２】図６はこの発明の超伝導フィルタのさらに
他の実施態様を示す概略縦断面図である。
他の実施態様を示す概略縦断面図である。
【００３３】この超伝導フィルタが図１の超伝導フィル
タと異なる点は、圧電素子１０、制御ケーブル１１およ
びコントローラ１２に代えて、金属ケース７の上壁を貫
通し、かつ第２誘電体基板５の上面（もしくはシールド
面６の上面）と連結されるガスピストン１３、高圧ガス
を発生させるコンプレッサー１４、およびガスピストン
１３とコンプレッサー１４とを連通するガスチューブ１
５を設けた点のみである。なお、ガスとしては、沸点の
低いガス、例えばヘリウムガスを採用する。
タと異なる点は、圧電素子１０、制御ケーブル１１およ
びコントローラ１２に代えて、金属ケース７の上壁を貫
通し、かつ第２誘電体基板５の上面（もしくはシールド
面６の上面）と連結されるガスピストン１３、高圧ガス
を発生させるコンプレッサー１４、およびガスピストン
１３とコンプレッサー１４とを連通するガスチューブ１
５を設けた点のみである。なお、ガスとしては、沸点の
低いガス、例えばヘリウムガスを採用する。
【００３４】この実施態様を採用した場合には、真空容
器９の内部において超伝導フィルタ本体を臨界温度以下
の極低温にまで冷却した状態において、コンプレッサー
１４により高圧ガスの供給を制御することにより、高圧
ガス供給状態に応じて超伝導フィルタ本体と第２誘電体
基板５との間隔を増減させることができ、ひいては、超
伝導フィルタの周波数特性をチューニングすることがで
きる。
器９の内部において超伝導フィルタ本体を臨界温度以下
の極低温にまで冷却した状態において、コンプレッサー
１４により高圧ガスの供給を制御することにより、高圧
ガス供給状態に応じて超伝導フィルタ本体と第２誘電体
基板５との間隔を増減させることができ、ひいては、超
伝導フィルタの周波数特性をチューニングすることがで
きる。
【００３５】図７はこの発明の超伝導フィルタのさらに
他の実施態様を示す概略縦断面図である。
他の実施態様を示す概略縦断面図である。
【００３６】この超伝導フィルタが図１のチューナブル
超伝導フィルタと異なる点は、圧電素子１０、制御ケー
ブル１１およびコントローラ１２に代えて、第２誘電体
基板５の上面（もしくはシールド面６の上面）に固定し
た永久磁石１６、永久磁石１６よりも上方に位置し、か
つ金属ケース７の内部に位置するように固定したコイル
１７、コイル１７に電流を供給するとともに、供給電流
を制御する電流源１８、および第２誘電体基板５の上面
（もしくはシールド面６の上面）と金属ケース７の上内
面との間に設けたばね部材１９を設けた点のみである。
超伝導フィルタと異なる点は、圧電素子１０、制御ケー
ブル１１およびコントローラ１２に代えて、第２誘電体
基板５の上面（もしくはシールド面６の上面）に固定し
た永久磁石１６、永久磁石１６よりも上方に位置し、か
つ金属ケース７の内部に位置するように固定したコイル
１７、コイル１７に電流を供給するとともに、供給電流
を制御する電流源１８、および第２誘電体基板５の上面
（もしくはシールド面６の上面）と金属ケース７の上内
面との間に設けたばね部材１９を設けた点のみである。
【００３７】この実施態様を採用した場合には、真空容
器９の内部において超伝導フィルタ本体を臨界温度以下
の極低温にまで冷却した状態において、電流源１８によ
りコイル１７に対する供給電流を制御することによって
永久磁石１６との間の吸引力もしくは反発力を制御し、
ばね部材１９の押圧力もしくは引っ張り力とバランスす
る位置まで第２誘電体基板５を移動させて、超伝導フィ
ルタ本体と第２誘電体基板５との間隔を増減させること
ができ、ひいては、超伝導フィルタの周波数特性をチュ
ーニングすることができる。
器９の内部において超伝導フィルタ本体を臨界温度以下
の極低温にまで冷却した状態において、電流源１８によ
りコイル１７に対する供給電流を制御することによって
永久磁石１６との間の吸引力もしくは反発力を制御し、
ばね部材１９の押圧力もしくは引っ張り力とバランスす
る位置まで第２誘電体基板５を移動させて、超伝導フィ
ルタ本体と第２誘電体基板５との間隔を増減させること
ができ、ひいては、超伝導フィルタの周波数特性をチュ
ーニングすることができる。
【００３８】なお、上記の各実施態様において、チュー
ニングが行われた状態に第２誘電体基板５を保持する場
合には、図８に示すように、金属ケース７の側壁にテー
パ２０を形成して、上部空間が広く、かつ下部空間が狭
くなるようにし、または図９に示すように、水平方向に
対向するように板ばね２１を設けて第２誘電体基板５を
挟持するように構成すればよい。
ニングが行われた状態に第２誘電体基板５を保持する場
合には、図８に示すように、金属ケース７の側壁にテー
パ２０を形成して、上部空間が広く、かつ下部空間が狭
くなるようにし、または図９に示すように、水平方向に
対向するように板ばね２１を設けて第２誘電体基板５を
挟持するように構成すればよい。
【００３９】
【発明の効果】請求項１の発明は、Ｑを著しく高く維持
したままで超伝導フィルタのチューニングを実現するこ
とができるという特有の効果を奏する。
したままで超伝導フィルタのチューニングを実現するこ
とができるという特有の効果を奏する。
【００４０】請求項２の発明は、超伝導フィルタ本体と
第２誘電体基板とがこれらに平行な方向に位置ずれする
ことを防止することができるとともに、寒冷の伝達を容
易かつ確実に達成することができるほか、請求項１と同
様の効果を奏する。
第２誘電体基板とがこれらに平行な方向に位置ずれする
ことを防止することができるとともに、寒冷の伝達を容
易かつ確実に達成することができるほか、請求項１と同
様の効果を奏する。
【００４１】請求項３の発明は、超伝導フィルタ本体を
収容する真空容器の外部から簡単にチューニングを行う
ことができるほか、請求項２と同様の効果を奏する。
収容する真空容器の外部から簡単にチューニングを行う
ことができるほか、請求項２と同様の効果を奏する。
【００４２】請求項４の発明は、距離可変手段による超
伝導薄膜への悪影響を未然に防止することができるほ
か、請求項１から請求項３の何れかと同様の効果を奏す
る。
伝導薄膜への悪影響を未然に防止することができるほ
か、請求項１から請求項３の何れかと同様の効果を奏す
る。
【図１】この発明の超伝導フィルタの一実施態様を示す
概略縦断面図である。
概略縦断面図である。
【図２】超伝導フィルタ本体を示す平面図である。
【図３】超伝導フィルタの周波数特性を説明する図であ
る。
る。
【図４】この発明の超伝導フィルタの他の実施態様を示
す概略縦断面図である。
す概略縦断面図である。
【図５】超伝導フィルタ本体を示す平面図である。
【図６】この発明の超伝導フィルタのさらに他の実施態
様を示す概略縦断面図である。
様を示す概略縦断面図である。
【図７】この発明の超伝導フィルタのさらに他の実施態
様を示す概略縦断面図である。
様を示す概略縦断面図である。
【図８】第２誘電体基板保持機構の一例を示す概略縦断
面図である。
面図である。
【図９】第２誘電体基板保持機構の他の例を示す概略縦
断面図である。
断面図である。
１ 超伝導共振器パターン ２ 第１誘電体基板 ５ 第２誘電体基板 ６ シールド面 ７ 金属ケース １０ 圧電素子 １３ ガスピストン １４ コンプレッサー １５ ガスチューブ １６ 永久磁石 １７ コイル １８ 電流源 １９ ばね部材
Claims (4)
- 【請求項１】 所定のフィルタパターン（１）を第１誘
電体基板（２）上に形成してなる超伝導フィルタ本体の
上方に超伝導薄膜（６）を有する第２誘電体基板（５）
を配置し、超伝導フィルタ本体との距離を変化させるべ
く第２誘電体基板（５）を移動させる距離可変手段（１
０）（１３）（１４）（１５）（１６）（１７）（１
８）（１９）を設けたことを特徴とする超伝導フィル
タ。 - 【請求項２】 超伝導フィルタ本体および第２誘電体基
板（５）を収容する金属ケース（７）をさらに含む請求
項１に記載の超伝導フィルタ。 - 【請求項３】 前記距離可変手段（１０）は、金属ケー
ス（７）と第２誘電体基板（５）との間に配置された圧
電素子（１０）である請求項２に記載の超伝導フィル
タ。 - 【請求項４】 前記第２誘電体基板（５）は、第１誘電
体基板（２）と対向する面に超伝導薄膜（６）を有して
いる請求項１から請求項３の何れかに記載の超伝導フィ
ルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000021829A JP2001211004A (ja) | 2000-01-26 | 2000-01-26 | 超伝導フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000021829A JP2001211004A (ja) | 2000-01-26 | 2000-01-26 | 超伝導フィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001211004A true JP2001211004A (ja) | 2001-08-03 |
Family
ID=18548190
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000021829A Pending JP2001211004A (ja) | 2000-01-26 | 2000-01-26 | 超伝導フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001211004A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002141705A (ja) * | 2000-10-30 | 2002-05-17 | Toshiba Corp | 高周波デバイス |
| WO2004051788A1 (ja) * | 2002-11-29 | 2004-06-17 | Fujitsu Limited | 共振フィルタ |
| US6778042B2 (en) | 2000-10-30 | 2004-08-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High-frequency device |
| US6791430B2 (en) * | 2001-12-31 | 2004-09-14 | Conductus, Inc. | Resonator tuning assembly and method |
| US7610072B2 (en) | 2003-09-18 | 2009-10-27 | Superconductor Technologies, Inc. | Superconductive stripline filter utilizing one or more inter-resonator coupling members |
| CN1937305B (zh) * | 2005-09-23 | 2010-05-12 | 中国科学院物理研究所 | 一种超导微带滤波器的调谐机构 |
| JP2016046587A (ja) * | 2014-08-20 | 2016-04-04 | 株式会社東芝 | 切替装置、送受信装置、及びアンテナ装置 |
| JP2016046588A (ja) * | 2014-08-20 | 2016-04-04 | 株式会社東芝 | フィルタ装置、受信装置、送信装置、アンテナ装置、及び切替装置 |
| US9837694B2 (en) | 2015-03-11 | 2017-12-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Filter characteristic tuning apparatus, tunable filter apparatus and control method for tunable filter apparatus |
| US10256789B2 (en) | 2016-03-29 | 2019-04-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Displacement conversion mechanism and tunable filter device |
-
2000
- 2000-01-26 JP JP2000021829A patent/JP2001211004A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002141705A (ja) * | 2000-10-30 | 2002-05-17 | Toshiba Corp | 高周波デバイス |
| US6778042B2 (en) | 2000-10-30 | 2004-08-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High-frequency device |
| US6937117B2 (en) | 2000-10-30 | 2005-08-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High-frequency device |
| US6791430B2 (en) * | 2001-12-31 | 2004-09-14 | Conductus, Inc. | Resonator tuning assembly and method |
| WO2004051788A1 (ja) * | 2002-11-29 | 2004-06-17 | Fujitsu Limited | 共振フィルタ |
| US7610072B2 (en) | 2003-09-18 | 2009-10-27 | Superconductor Technologies, Inc. | Superconductive stripline filter utilizing one or more inter-resonator coupling members |
| CN1937305B (zh) * | 2005-09-23 | 2010-05-12 | 中国科学院物理研究所 | 一种超导微带滤波器的调谐机构 |
| JP2016046587A (ja) * | 2014-08-20 | 2016-04-04 | 株式会社東芝 | 切替装置、送受信装置、及びアンテナ装置 |
| JP2016046588A (ja) * | 2014-08-20 | 2016-04-04 | 株式会社東芝 | フィルタ装置、受信装置、送信装置、アンテナ装置、及び切替装置 |
| US9837694B2 (en) | 2015-03-11 | 2017-12-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Filter characteristic tuning apparatus, tunable filter apparatus and control method for tunable filter apparatus |
| US10256789B2 (en) | 2016-03-29 | 2019-04-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Displacement conversion mechanism and tunable filter device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6778042B2 (en) | High-frequency device | |
| US5714920A (en) | Dielectrically loaded cavity resonator | |
| US6522217B1 (en) | Tunable high temperature superconducting filter | |
| JP2001211004A (ja) | 超伝導フィルタ | |
| EP0795208B1 (en) | Electromagnetic resonant filter | |
| EP1266421A1 (en) | High temperature superconductor tunable filter | |
| CA2136894C (en) | Miniaturized superconducting dielectric resonator filters and method of operation thereof | |
| US3992893A (en) | Method for the production of superfluid helium under pressure at very low temperature and an apparatus for carrying out said method | |
| US5909160A (en) | Temperature compensated sapphire resonator for ultrastable oscillator operating at temperatures near 77° Kelvin | |
| US5847627A (en) | Bandstop filter coupling tuner | |
| JP4874281B2 (ja) | 通信用モジュール | |
| US9837694B2 (en) | Filter characteristic tuning apparatus, tunable filter apparatus and control method for tunable filter apparatus | |
| US7650174B2 (en) | Superconductive filter capable of easily adjusting filter characteristic and filter characteristic adjusting method | |
| AU667228B2 (en) | Temperature compensation in TE101 mode and TM010 mode cavity resonators | |
| JP3742733B2 (ja) | 超伝導体フィルタ装置 | |
| US4375626A (en) | Precision linear tuning circuit | |
| JPH066120A (ja) | 誘電体共振器の周波数調整装置 | |
| JP2015100082A (ja) | チューナブルフィルタ装置 | |
| Panaitov et al. | Dielectric resonator with discrete electromechanical frequency tuning | |
| Jennings et al. | Active thermal compensator for diode laser stabilization on closed‐cycle refrigerators | |
| JP2002141706A (ja) | 高周波デバイス | |
| US5843871A (en) | Electromagnetic filter having a transmission line disposed in a cover of the filter housing | |
| KR100671907B1 (ko) | 저온 동작 물품의 냉각 장치 | |
| JP4059467B2 (ja) | 誘電体同軸フィルタ | |
| SU792364A1 (ru) | Устройство дл св зи со сверхпровод щим элементом |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060928 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071227 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080107 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080502 |