KR100756814B1 - 튜닝가능 고온 초전도 필터 - Google Patents

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이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니
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Abstract

성능 저하없이 광대역 튜닝 주파수 범위를 갖는 튜닝가능한 고온 초전도 대역 통과 필터 및 대역 제거 필터가 개시되어 있을 뿐만 아니라, 고온 초전도 필터 회로도 개시되어 있다.
초전도 필터, 커플링 회로, 강유전체, 공진기, 바이어스 회로

Description

튜닝가능 고온 초전도 필터{TUNABLE HIGH TEMPERATURE SUPERCONDUCTING FILTER}
본 발명은 일반적으로 튜닝가능 고온 초전도(HTS: High Temperature Superconducting) 필터에 관한 것으로서, 특히 성능 저하없이 중심 주파수가 광대역내에서 튜닝될 수 있는 필터에 관한 것이다.
1980년대 후반까지, 초전도 현상은 액체 헬륨 영역의 온도에서 동작되어야 했기 때문에 실제 응용되는 것을 거의 찾아보기 힘들었다. 1980년대 후반에, 희귀토 중심(rare earth centers)을 포함하는 세라믹 금속 산화 화합물이 이러한 상황을 완전히 바꾸기 시작했다. 이러한 재료 중 대표적인 예는 이트륨 바륨 구리 산화물(YBCO: yttrium-barium-copper oxides, WO88/05029 및 EP-A-0281753 참조), 탈륨 바륨 칼슘 구리 산화물(thallium-barium-calcium-copper oxides, US4962083 참조), 탈륨 납 스트론튬 칼슘 구리 산화물(TBCCO: thallium-lead-strontium-calcium-copper oxides, US5017554 참조)을 포함한다. 상술한 간행물은 완전히 기술된 것처럼 모든 목적에서 모두 본 명세서에 참조로서 포함된다.
HTS 재료로 명칭되는 이 화합물들은 냉각제로서 액체 질소를 사용할 수 있는 고온에서 초전도성인 것이 발견되었다. 77K(-196℃/-321°F)에서 액체 질소가 액 체 헬륨보다 20배 더 효과적으로 냉각시키면서 값도 10분의 일이기 때문에, 매우 다양한 잠재적인 응용예가 경제적으로 가능함을 보장할 수 있게 되었다. 예를 들면, HTS 재료는 의료 진단기로부터 입자 가속기에 이르는 응용예에서 사용되어 왔다.
특히 통신 분야에서, 다수의 전자 장치의 주요 부품이 필터 소자이다. HTS 필터는 전자 통신, 계기, 군용 장비에서 매우 다양한 잠재적 응용예를 갖는 것으로 공지되어 있다. HTS 대역 통과 필터는 극히 낮은 대역내 삽입 손실, 높은 대역외 제거, 급격한 스커트를 갖는 장점이 있다. HTS 대역 제거 필터는 극히 높은 대역내 제거, 낮은 대역외 삽입 손실, 급격한 스커트를 갖는 장점이 있다. 두 형태의 필터의 장점은 HTS 재료의 극히 낮은 손실에 기인한다. 공통적으로 소유된 US6108569(완전히 서술된 것처럼 모든 목적에서 본 명세서에 참조로서 포함됨)는 기본 구성 블럭으로서 자기공진 나선형 공진기를 이용하는 HTS 미니필터를 설명한다. 이 HTS 미니필터는 크기가 작고 가벼우며, 저온 요구사항을 상당히 완화하여 많은 응용예에서 사용될 가능성을 증가시킨다.
일부 응용예는 주파수 튜닝 능력을 필터에 요구한다. 주파수 튜닝 능력을 달성하기 위해 종래에 알려진 3가지 주요 방법이 있다. D. E. Oates 등의 IEEE Trans. Appl. Supercond. 7, 2338 (1997)에 설명된 제1 방법은 페라이트(ferrite) 재료의 사용을 포함한다. 페라이트 재료를 사용하는데 있어 가장 큰 문제는 저온에서의 페라이트 재료의 Q값이 HTS 재료와 비교하여 너무 낮다는 것이다. 즉, 페라이트 재료를 HTS 필터에 도입하면 성능이 저하된다.
G. Subramanyam 등의 NASA Agency Report No.NASA/TM-1998-207490호에 설명된 제2 방법은 강유전체 재료의 사용을 포함한다. 강유전체 재료 튜닝은 페라이트 재료 튜닝과 같은 낮은 Q값 문제를 갖고, 또한 바이어스 회로 문제를 갖는다. 필터를 튜닝하기 위해서, 강유전체 재료에 걸쳐 전압을 인가하기 위해 바이어스 회로가 필요한데, 이는 필터의 성능을 저하시킬 수 있다.
T. W. Crowe 등의 Infrared Phys. And Tech. 40, 175 (1999)에 설명된 제3 방법은 필터의 공진기에 부착된 가변 캐패시터와 같은 배랙터(varactor)의 사용을 포함한다. 이 방법의 문제는 강유전체 튜닝의 문제와 유사한데, 즉 낮은 Q값 문제와 바이어스 회로 문제이다.
본 발명의 목적은 궁극적으로, 이질 재료 및/또는 바이어스 회로의 사용과 관련된 Q값 저하로 인한 성능 저하없이 튜닝가능 HTS 필터를 제공하는 것이다. 따라서, 본 발명의 한 형태에 따르면,
(a) 인클로져(enclosure) - 상기 인클로져는 제1 내면, 상기 제1 내면으로부터 반대 방향으로 이격된 제2 내면, 및 상기 제1 및 제2 내면들을 연결하여 상기 인클로져를 형성하는 최소한 하나의 다른 내면을 포함하고, 상기 인클로져의 최소한 상기 내면은 도전성 재료로 구성되고, 상기 인클로져는 입력 연결기 및 출력 연결기를 구비함 -,
(b) 상기 인클로져 내의 HTS 필터 회로 - 상기 HTS 필터 회로는 상기 제2 내면으로부터 반대 방향으로 이격된 전면, 상기 제1 내면과 접지 접촉하는 후면, 하 나 이상의 HTS 공진기를 포함하는 상기 전면상의 HTS 필터 소자, 상기 HTS 필터 소자를 상기 입력 연결기에 커플링하는 입력 전송 라인, 및 상기 HTS 필터 소자를 상기 출력 연결기에 커플링하는 출력 전송 라인을 구비하는 기판을 포함함 -,
(c) 상기 인클로져 내의 평판(plate) - 상기 평판은 상기 HTS 필터 회로로부터 반대 방향으로 이격된 전면, 및 상기 제2 내면과 반대 방향의 후면을 포함하고, 상기 전면은 상기 HTS 필터 소자의 상기 하나 이상의 공진기와 반대 방향의 상기 전면의 최소한 일부상에 HTS막으로 커버됨 -,
(d) 상기 평판, 및 상기 제1 내면, 상기 제2 내면 및 상기 HTS 필터 회로 중의 하나 이상에 연결된 액튜에이터 - 상기 액튜에이터는 상기 액튜에이터 연결이 상기 평판과 상기 HTS 필터 회로 사이에서 비도전성일 때, 상기 평판의 상기 전면이 상기 HTS 필터 소자의 상기 전면으로부터 이격된 상기 거리를 정의함 -,
(e) 상기 평판의 상기 전면과 상기 HTS 필터 회로의 상기 HTS 필터 소자사이의 상기 거리를 조절하기 위해 상기 액튜에이터에 연결된 튜닝 제어기를 포함하는 튜닝가능 HTS 필터를 제공한다.
전술한 평판은 HTS 필터 회로의 공진기의 자계와 상호작용하여, 평판과 HTS 필터 회로의 거리가 변경될 때 그 공진 주파수를 변경한다. 결국, 평판의 이동은 HTS 필터의 중심 주파수를 튜닝한다.
그러나, 튜닝 프로세스 중에 공진기간(inter-resonator) 커플링도 변경될 수 있는데, 이는 필터의 대역폭 및 주파수 응답의 형태를 변경시키게 된다. 이러한 부작용은 필터 성능을 저하시킬 수 있는데, 본 발명의 다른 형태는 이러한 부작용을 보상할 수 있는 HTS 필터 소자를 제공하기 위한 것이다. 따라서, 본 발명의 다른 형태에 따르면, 이러한 잠재적 부작용을 보상하기 위한 하나 이상의 공진기간 커플링 보상 회로를 포함하는 HTS 필터 회로가 제공된다. 보다 구체적으로,
(1) 전면 및 후면을 갖는 기판과,
(2) 상기 기판의 상기 전면과 밀착된 최소한 두 개의 HTS 공진기와,
(3) 상기 최소한 두 개의 HTS 공진기의 제1 공진기에 커플링된 제1단부와 입력 연결기에 커플링하는 제2단부를 갖는 전송 라인을 포함하는 입력 커플링 회로와,
(4) 상기 최소한 두 개의 HTS 공진기의 제2 공진기에 커플링된 제1단부와 출력 연결기에 커플링된 제2단부를 갖는 전송 라인을 포함하는 출력 커플링 회로와,
(5) 상기 최소한 두 개의 HTS 공진기의 인접쌍 사이에 최소한 부분적으로 배치되고 상기 HTS 공진기 인접쌍을 커플링하는 HTS 전송 라인을 포함하는 공진기간 커플링과,
(6) 상기 기판의 상기 후면상에 배치된 블랭크 HTS 막과,
(7) 상기 HTS 필터 회로를 위한 인클로져에 접지 접촉으로서 상기 블랭크 HTS 막상에 배치된 막
을 포함하는 HTS 필터 회로를 제공한다.
도 1은 본 발명에 따른 튜닝가능 HTS 대역 통과 필터, 구체적으로 정방형 나선형 공진기를 구비한 튜닝가능 HTS 4폴 대역 통과 미니필터 회로의 예시적인 실시 예의 다양한 면을 도시하는 도면으로서, 도 1a는 종단면도이고, 도 1b는 횡단면도이며, 도 1c는 인클로져의 상부, 평판 및 액튜에이터가 제거된 상면도.
도 2는 본 발명에 따른 튜닝가능 HTS 대역 제거 필터, 구체적으로 정방형 나선형 공진기를 구비한 HTS 4폴 대역 제거 미니필터 회로의 예시적인 실시예의 다양한 면을 도시하는 도면으로서, 도 2a는 종단면도이고, 도 2b는 횡단면도이며, 도 2c는 인클로져의 상부, 평판 및 액튜에이터가 제거된 상면도.
도 3은 본 발명에 따른 튜닝가능 HTS 필터의 구성 블럭으로서 사용하기에 적절한 HTS 공진기의 다양한 양호한 실시예의 도면으로서, 도 3a는 둥글린 코너를 갖는 장방형 나선형 공진기를 도시하고, 도 3b는 장방형 이중 나선형 공진기를 도시하며, 도 3c는 원형 나선형 공진기를 도시하고, 도 3d는 미러 대칭 장방형 이중 나선형 공진기를 도시하며, 도 3e는 180°회전 대칭 장방형 이중 공진기를 도시하고, 도 3f는 이중 미러 대칭 장방형 4중 나선형 공진기를 도시하며, 도 3g는 90°회전 대칭 정방형 4중 나선형 공진기를 도시하고, 도 3h는 민더 라인(meander line) 공진기를 도시하며, 도 3i는 미러 대칭 이중 민더 라인 공진기를 도시하고, 도 3j는 이중 미러 대칭 4중 민더 라인 공진기를 도시하는 도면.
도 4는 본 발명에 따른 튜닝가능 HTS 필터에서 사용하기에 적절한 입력 커플링 회로 및 공진기간 커플링 보상 회로의 다양한 양호한 실시예를 도시하는 도면.
도 5는 본 발명에 따른 튜닝가능 HTS 필터의 중심 주파수를 튜닝하기 위한 평판의 다양한 양호한 실시예를 도시하는 도면.
도 6은 본 발명의 튜닝가능 HTS 필터를 튜닝하기 위해 평판을 이동하기 위한 구조의 다른 실시예의 다양한 면을 도시하는 도면.
상술한 바와 같이, 본 발명은 이질 재료 및/또는 바이어스 회로의 사용에 관련된 Q값 저하로 인한 성능 저하없는 튜닝가능 HTS 필터를 제공한다. 이는 성능 저하없이 HTS 필터의 중심 주파수를 튜닝하기 위한 가동 평판(movable plate)을 포함하는 HTS 필터에 의해 달성된다. HTS 필터 자체, 즉 HTS 막 및 그 기판 이외의 다른 재료가 없고 HTS 필터의 회로에 바이어스 회로를 사용하지 않기 때문에, Q값이 저하되지 않을 것이다. 그러므로, 본 발명에 따른 튜닝가능 HTS 필터는 상당한 성능 저하없이 광대역내에서 튜닝될 수 있다.
본 발명의 양호한 실시예는 HTS 필터 회로로부터 떨어진 전술한 평판을 포함하고, HTS 필터 회로에 대해 평판의 위치를 변경할 수 있는 액튜에이터에 연결된 튜닝 구조를 갖는 HTS 필터를 제공하는 것이다. 이 실시예는 성능 저하없이 HTS 미니 필터의 중심 주파수를 튜닝할 수 있게 한다.
튜닝가능 HTS 필터를 위한 인클로져(enclosure)는 다양한 회로 소자를 포함하는 외각 조립체이다. HTS 필터 소자는 저온 상태에서 동작하기 때문에, 인클로져는 그것에 연결되고 양호하게는 그것과 집적된 저온 소스(cryogenic source)를 갖는 진공 드워(dewar) 조립체인 것이 양호하다. 인클로져의 형태는 인클로져가 모든 필수 구성요소를 포함하는 한 결정적인 것으로 고려되지 않는다. 예를 들면, 인클로져는 정방형, 장방형, 원형 또는 다른 형태일 수 있다. 이 상황에서, 제1 내면은, 예를 들면 인클로져의 상부의 내면을 지칭하고, 제2 내면은, 예를 들면 인클로져의 하부의 내면을 지칭하고, 최소한 하나의 다른 내면은, 예를 들면 인클로져의 측벽의 내면을 지칭한다. 물론, 다른 내면의 수는, 물론 인클로져의 형태에 따를 것이다. 예를 들면 원형(관형)인클로져는 상부, 하부 및 단하나의 다른 내면을 가질 것이고, 정방형(입방체)인클로져는 상부, 하부 및 4 측벽 내면을 가질 것이다.
인클로져의 내면은, 예를 들면 접지를 이유로 해서 도전성 재료로 구성된다. 그러므로, 인클로져는 내면이 금속과 같은 도전성 재료로 코팅되거나 도금되어진 세라믹 또는 플라스틱 재료로 구성될 수 있다. 그러나, 용이한 구성을 위해, 인클로져는 금속인 것이 양호하다.
위에서 언급한 대로, 인클로져는 그에 연결된 저온 소스를 갖는 진공 드워 조립체인 것이 양호하다. 저온전기 구성요소를 진공내에서 동작시키는 것은 드워 조립체내에서 분자로부터 저온전기 구성요소에 부과되는 대류열을 감소시키는데 바람직하다.
저온 소스는 저온 전자 구성요소를 냉각시킨다. 저온 소스는 장치가 외부 공간에서 이용되면 주위 외부 공간 조건일 수 있지만, 저온 소스는 통상적으로 적절한 크기 및 전력을 요구하는 소형 저온 냉각기이다. 이러한 소형 저온 냉각기는 통상적으로 US4397155, EP-A-0028144, WO90/12961 및 WO90/13710에 설명된 것(이 모두는 완전히 설명된 것처럼 본 명세서에 참조로서 포함됨)과 같은 스터링 사이클 장치이다.
저온 전자부에 의해 요구되는 총 냉각 전력은 저온 소스로서 작용하는 냉각기의 크기, 중량 및 총 구동전력에 직접 영향을 미친다. 총 냉각 전력이 더 요구 되면, 냉각기의 크기, 중량, 총 구동전력이 커진다. 요구되는 총 냉각 전력은 가장 중요하게는 차가운 표면의 적외선 가열, 따뜻한 표면으로부터 차가운 표면으로의 기체 분자로부터의 전도열 흐름 및 연결기로 인한 전도열 누출을 포함하는 다수의 인수의 함수이다. 차가운 표면의 적외선 가열은 두 파라미터, 차가운 표면의 크기 및 차가운 표면이 주위에 비해 유지되는 온도에 의해 감소될 수 있다. 필터 크기 및 패키징은 차가운 표면의 크기를 좌우한다.
이로 인해, 패키지 크기를 감소시키기 위해서 저온 전자 구성요소의 크기를 감소시키는 것이 매우 바람직하다. 이는, 이하 상세하게 설명되는 바와 같이, 이미 포함된 US6108569에 개시되고 이하 더 언급되는 것처럼 변형될 수 있는 HTS 미니 필터 구성 및 나선형 공진기를 이용하여 달성된다.
인클로져는 입력 및 출력 연결기에 더 맞추어지고, 인클로져 내의 저온 조건으로부터 인클로져 외부의 주위 조건으로 천이한다. 입력 및 출력 연결기는 양호하게는 인클로져에 집적되고 밀착된다.
바로 명시한 것처럼, HTS 필터 회로의 양호한 구성은 이미 포함된 US6108569에 설명된 것과 같다. 보다 구체적으로, HTS 필터 회로는
(1) 전면 및 후면을 갖는 기판과,
(2) 상기 기판의 상기 전면과 밀착된 최소한 두 개의 HTS 공진기와,
(3) 상기 최소한 두 개의 HTS 공진기의 제1 공진기에 커플링된 제1단 및 상기 입력 연결기에 커플링된 제2단을 갖는 입력 전송 라인과,
(4) 최소한 두 개의 HTS 공진기의 제2 공진기에 커플링된 제1단 및 상기 출 력 연결기에 커플링된 제2단을 갖는 출력 전송 라인과,
(5) 공진기간 커플링과,
(6) 기판의 상기 후면상에 배치된 블랭크 HTS 막과,
(7) 상기 HTS 필터 회로를 위해 인클로져에 접지 접촉으로 상기 블랭크 HTS 막상에 배치된 막을 포함한다.
본 발명의 실제에서 사용된 HTS 공진기는 도면을 참조하여 이하 상세하게 설명되고 도시되는 둥글린 코너를 갖는 장방형 단일 나선형 공진기, 원형 단일 나선형 공진기, 장방형 이중 나선형 공진기, 원형 이중 나선형 공진기, 둥글린 코너를 갖는 미러 대칭 장방형 이중 나선형 공진기, 둥글린 코너를 갖는 180°회전 장방형 이중 나선형 공진기, 둥글린 코너를 갖는 이중 미러 대칭 장방형 나선형 공진기, 둥글린 코너를 갖는 180°회전 대칭 장방형 나선형 공진기, 둥글린 코너를 갖는 90°회전 대칭 정방형 사중 나선형 공진기, 둥글린 코너를 갖는 민더 라인 공진기, 둥글린 코너를 갖는 미러 대칭 이중 민더 라인 공진기, 및 둥글린 코너를 갖는 이중 미러 대칭 사중 민더 라인 공진기를 포함하는 매우 다양한 형태를 가질 수 있다. 양호한 자기 공진 나선형 공진기는 이미 포함된 US6108569에 개시된 것으로, 나선형으로 배향된 고온 초전도체 라인을 포함하여, (i) 인접 라인이 라인 폭보다 좁은 갭 거리만큼 서로 떨어져서, (ii) 갭 거리와 근사적으로 동일한 차원의 중앙 개구를 나선내에 형성한다.
HTS 필터 회로는 후면이 인클로져의 제1 내면과 접지 접촉되도록 인클로져 내에 배향된다. 양호한 실시예에서, (제1 내면과 반대의) 외면이 저온 소스와 접 촉하고, 제1 내면은 또한 냉각판으로서 작용할 수 있다. 보다 양호하게는, 인클로져와 소형 저온 냉각기와 같은 저온 소스가 집적된 패키지를 형성하여, 튜닝가능 HTS 필터 유닛의 크기 및 중량을 최대한 저감시킬 수 있다.
HTS 필터 회로의 전면(예를 들면, 공진기)의 반대편은 평판인데, 이는 HTS 필터 회로의 공진기의 자계와 상호작용하여 평판과 HTS 필터 회로사이의 상대적인 거리가 변경될 때 그 공진 주파수를 변경한다. 따라서, HTS 필터 회로에 대한 평판의 이동은 HTS 필터의 중심 주파수를 튜닝한다.
HTS 필터 회로의 공진기간 커플링은 단순히 두 공진기의 전자계가 중첩되는 인접 공진기간의 갭일 수 있다. 그러나, 튜닝 프로세스동안 이러한 형태의 공진기간 커플링은 변경될 수 있어, 필터의 대역폭과 주파수 응답의 형태에 변경을 일으킬 수 있다. 이러한 부작용은 필터의 성능을 저하시킬 수 있다. 그러므로, 본 발명의 다른 형태에서, HTS 필터 소자는 양호하게 이러한 잠재적 부작용을 보상하기 위해 하나 이상의 공진기간 커플링 보상 회로를 포함한다.
양호한 커플링 회로는 최소한 부분적으로 HTS 공진기의 인접쌍 사이에 놓여 인접쌍을 커플링하는 HTS 전송라인을 포함한다. 커플링은, 예를 들면 HTS 전송 라인을 공진기에 직접 부착하거나, 공진기의 단부에서 두 개의 분리된 브랜치 라인 사이의 슬롯에 HTS 전송 라인을 삽입하거나, 공진기의 모서리에 근접하여 또는 평행하게 HTS 전송 라인을 배치하거나, 또는 그들의 임의의 조합에 의해 생성될 수 있다.
본 발명의 튜닝가능 HTS 필터에서 이용된 가동 평판은 전면과 후면을 갖는 기판을 포함하고, 전면은 HTS 필터 회로를 대면하고 후면은 인클로져의 제2 내면을 대면한다. 평판의 전면의 최소한 일부는 HTS 막으로 되어, 최소 부분은 HTS 필터 회로의 전면상의 공진기 위치에 해당하는 전면의 영역이다. 그러나, 용이한 구성을 위해서, HTS막은 전면 전체 또는, 예를 들면 HTS 필터 회로의 전면 상의 공진기에 해당하는 것보다 약간 큰 영역의 부분, 또는 HTS 필터 회로의 입력 및 출력 회로 영역을 대면하는 양단 위치를 제외한 전면 전체를 커버할 수 있다. 후면은 양호하게는 특히 압전 액튜에이터가 이 후면에 부착되었을 때 그 위에 블랭크 도전막이 증착되는 블랭크 HTS 막으로 커버된다.
본 발명의 양호한 실시예에서, HTS 필터의 초전도 재료는 약 77K보다 높은 천이 온도 TC를 갖는다. 또한, HTS 필터 회로 및 평판을 위한 기판은 약 0.0001보다 작은 손실 탄젠트를 갖고, 그 위에 증착된 HTS 막에 정합된 유전체 격자를 구비해야 한다.
HTS 필터 및 평판을 위한 특정 양호한 재료는 다음과 같다.
HTS 재료 - YBa2Cu3O7, Tl2Ba2CaCu2O 8, TlBa2Ca2Cu3O9, (TlPb)Sr2CaCu2 O7 및 (TlPb)Sr2Ca2Cu3O9 중의 하나 이상,
기판 재료 - LaAlO3, MgO, LiNbO3, 사파이어 및 수정 중의 하나 이상,
블랭크 접지막 - 금 및 은 중의 하나 이상.
액튜에이터는 임의의 수의 형태를 가질 수 있다. 단순한 형태는 인클로져를 통해 평판의 후면에 부착된 나사 기구이고, 이는 수동 및/또는 기계적 (예를 들면, 레버(lever)) 및/또는 전자기계 장치(예를 들면, 모터)로 회전될 수 있다. 양호한 실시예는 압전 재료로 액튜에이터를 구성하는 것이고, 이는 평판 및 HTS 필터 회로 사이의 상대적인 거리를 액튜에이터(또는 액튜에이터들)에 전압을 인가하여 제어하고 조절할 수 있게 한다.
양호한 실시예에서, HTS 필터의 액튜에이터는 80K 미만의 온도에서 동작하고 5 ×10-5/볼트/cm보다 좋은 감도를 갖는 압전 재료로 이루어진 하나 이상(이하 서술되는 구성에 따라)의 압전 블럭이다. 이러한 조건을 만족하는 양호한 압전 재료는, 예를 들면 PZT(납 지르코산염 티탄산염), (PbZr)TiO3) 및 바륨 티탄산염(BaTiO3).
액튜에이터는 다수의 다른 구성으로 평판에 부착될 수 있다. 예를 들면, 압전 블럭(금속 표면이 있는)의 일단은 평판의 후면에 부착되고 다른 일단은 금속 인클로져의 제2 내면에 부착될 수 있다. 다른 예로서는, 4 개의 거의 동일한 압전 블럭(각각이 금속 표면이 있는)의 일단은 평판의 전면의 각 코너에 부착되고, 각각의 다른 일단은 인클로져의 제1 내면 또는 HTS 필터 회로의 코너에 해당하는 각각에 비도전성으로 부착된다.
압전 액튜에이터를 제어하기 위해서, 금속 도선이 압전 블럭상의 금속 표면에 (예를 들면, 평판의 후면에 직접 또는 도전층을 통해) 전기적으로 연결되고 금속 도선의 반대 단은 최소한 하나의 튜닝 연결기에 될 수 있다. 이어서 미리 정해진 제어 전압을 인가하기 위해 제어 장치에 연결될 수 있다.
본 발명의 다양한 양호한 실시예는 도면을 참조하여 더 잘 이해될 수 있다.
도 1은 튜닝가능 HTS 대역 통과 필터의 본 발명의 일실시예이다. 도 1a에서, 1은 HTS 필터 회로이고, 2는 평판이다. 도 1b에서, 1a는 HTS 필터 회로(1)의 기판이다. HTS 회로 패턴(1b)은 기판(1a)의 전면상에 증착된다. 블랭크 HTS 막(1c)은 필터(1)의 접지면으로서 작용하는 기판(1a)의 후면상에 증착된다. 도전성막(1d)(양호하게는 금 또는 은과 같은 금속)은 블랭크 HTS막(1c)의 표면상에 증착된다.
HTS 회로 패턴(1b)은 도 1c에 도시된 것처럼 4폴 대역 통과 필터를 형성하기 위해 4개의 HTS 나선형 공진기(9a, 9b, 9c, 9d), 입력 전송 라인(10a), 출력 전송 라인(10b), 공진기간 커플링 전송 라인(11, 11a, 11b)을 포함한다. HTS 필터 회로(1)는 인클로져(5)의 하부(제1 내면)에 부착된다. 입력 연결기(3a), 출력 연결기(3b), 및 튜닝 연결기(7)는 인클로져(5)의 측벽에 삽입된다. 도 1c에 도시된 것처럼, 입력 연결기(3a) 및 출력 연결기(3b)는 각각 입력 및 출력 전송 라인(10a, 10b)에 연결된다.
도 1b에 도시된 것처럼, 평판(2)은 각각 기판(2a)의 전면 및 후면상에 증착된 HTS막(2b 및 2c)을 갖는 기판(2a)을 포함한다. 도전성막(2d)(양호하게는 금 또는 은과 같은 금속)이 HTS 막(2c)의 상부에 증착된다.
도 1a에 도시된 것처럼, 압전 재료로 이루어진 액튜에이터(4)는 평판(2)의 후면에[도전성막(2d)을 통해] 부착된 일측과 인클로져(5)의 일부를 이루는 리드(lid)(6)(제2 내면)의 내면에 부착된 반대측을 갖는다. 액튜에이터(4)는 HTS 필터 회로(1)의 중심 주파수를 튜닝하기 위해 평판(4)을 HTS 필터 회로(1)에 대해 이동시키기 위해 사용된다. 튜닝 연결기(7)에 연결된 일단과 도전성막(2d)을 통해 액튜에이터(4)에 연결된 타단을 갖는 도선(8)은 액튜에이터(4)에 튜닝 전압을 인가하기 위해 사용된다.
도 2는 튜닝가능 HTS 대역 제거 필터의 본 발명의 일실시예를 도시한다. 도 2a에서, 21은 HTS 필터 회로이고, 22는 평판이다. 도 2b에서, 21a는 HTS 필터 회로(21)의 기판이다. HTS 회로 패턴(21b)은 기판(21a)의 전면상에 증착된다. 블랭크 HTS 막(21c)은 필터(21)의 접지면으로서 작용하는 기판(21a)의 후면상에 증착된다. 도전성막(21d)(양호하게는 금 또는 은인 금속)은 블랭크 HTS 막(21c)의 표면상에 증착된다.
HTS 회로 패턴(21b)은 도 2c에 도시된 4폴 HTS 대역 제거 필터를 형성하기 위해서 4 개의 HTS 나선형 공진기(29a, 29b, 29c,29d), HTS 주 전송라인(30), 공진기간 커플링 전송 라인(31, 31a, 31b)을 포함한다. 주 전송 라인(30)은 입력 연결기(23a)에 연결된 입력 커플링(30a), 출력 연결기(23b)에 연결된 출력 커플링(30b)를 포함하고, 공진기 사이의 위치에서 지그재그 형태이다. 이러한 지그재그의 목적은 최대 대역내 제거를 달성하기 위해 위상을 조절하는 것이다. HTS 필터 회로(21)는 인클로져(25)의 하부(제1 내면)에 부착된다. 입력 연결기(23a), 출력 연결기(23b), 및 튜닝 연결기(27)는 인클로져(25)의 측벽에 삽입된다. 입력 연결기(23a) 및 출력 연결기(23b)는 대역외 신호 통과를 제공하기 위해서 주 전송 라인(30)의 두 단부에 연결된다.
도 2b에 도시된 것처럼, 평판(22)은 각각 기판(22a)의 전면과 후면상에 증착된 HTS 막(22b 및 22c)이 있는 기판(22a)을 포함한다. 도전성막(22d)(양호하게는 금 또는 은과 같은 금속)은 HTS막(22c)의 상부상에 증착된다.
도 2a에 도시된 것처럼, 액튜에이터(24)는 평판(22)[도전성막(22d)]의 후면에 부착된 일측과 인클로져(5)의 일부를 구성하는 리드(26)(제2 내면)의 내면에 부착된 반대측을 갖는다. 액튜에이터(24)는 HTS 필터 회로(21)의 중심 주파수를 튜닝하기 위한 HTS 필터 회로(21)에 대해 평판(4)을 이동시키는데 사용된다. 튜닝 연결기(27)에 연결된 일단과 도전성막(22d)을 통해 액튜에이터(24)에 연결된 타단을 갖는 도선(28)은 액튜에이터(24)에 튜닝 전압을 인가하기 위해 사용된다.
도 1 및 도 2에서, HTS 필터의 구성 블럭으로서 HTS 공진기는 정방형 나선형 공진기이지만, 이 특정 형태로 한정되는 것이 아니라 다른 공진기 형태도 사용될 수 있다. 도 3은 튜닝가능 HTS 필터의 구성 블럭으로서 사용될 수 있는 HTS 공진기의 다른 실시예를 도시한다.
도 3a는 둥글린 코너를 갖는 나선형 라인을 형성하기 위해 말아진(rounded) HTS 전송 라인으로 이루어진 장방형 나선 단일 공진기를 도시한다. 도 3a에 도시된 둥글린 코너는 45°직선 형태이다. 원형 둥글린 코너도 사용될 수 있다.
도 3b는 중심에서 결합하는 두 개의 평행한 HTS 나선형 라인으로 이루어진 장방형 이중 나선형 공진기를 도시한다.
도 3c는 원형 나선을 형성하도록 말아진 전송 라인으로 이루어진 원형 단일 나선형 공진기를 도시한다.
도 3d는 수직적 중심 라인에 대해 미러 대칭인 두 단에서 말아진 전송 라인으로 이루어진 미러 대칭 장방형 나선형 공진기를 도시한다.
도 3e는 중심점에 대해 180°회전 대칭인 두 단에서 말아진 전송 라인으로 이루어진 180°회전 대칭 장방형 나선형 공진기를 도시한다.
도 3f는 수직 및 수평 중심라인에 대해 미러 대칭인 4 개의 나선을 형성하기 위해서 두 단에서 분리된 수직 중심 전송 라인으로 이루어진 이중 미러 대칭 장방형 나선형 공진기를 도시한다.
도 3g는 중심에 연결된 일단을 갖고 중심점에 대해 90°회전 대칭인 4개의 정방형 나선으로 이루어진 90°회전 대칭 정방형 공진기를 도시한다.
도 3h는 지그재그 전송 라인으로 이루어진 민더 라인 공진기를 도시한다.
도 3i는 좌측단 결합부가 있고 수평 중심 라인에 대해 미러 대칭인 두 개의 지그재그형 전송 라인으로 이루어진 미러 대칭 민더 공진기를 도시한다.
도 3j는 수직 및 수평 중심 라인 모두에 대해 미러 대칭이고 뒤를 맞대어 배치된 두 개의 미러 대칭 민더 공진기로 이루어진 이중 미러 대칭 민더 라인 공진기를 도시한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에서 사용된 공진기는 도 3에 도시된 실시예로 한정되지 않는다. 사실상, 두 방향을 따라 공진기 패턴 길이가 파장의 약 2%보다 적은 길이 모든 평면형 공진기는 본 발명의 튜닝가능 HTS 필터의 구성 블럭으로서 사용될 수 있다. 도 1의 HTS 필터 회로(1)와 평판(2) 사이 또는 도 2의 HTS 필터 회로(21)와 평판(22) 사이의 공간이 양호하게는 공진기 영역 내에 균일하게 유지되어 야 하기 때문에 소형인 것이 중요하다. 그렇지 않으면, 각 공진기의 공진 주파수가 다를 수 있는데, 필터의 튜닝을 매우 복잡하게 하고 성능이 저하될 수 있다.
전술한 바와 같이, HTS 필터 회로의 중심 주파수를 튜닝하기 위해 평판을 이동시키는 것은 잠재적인 문제를 가질 수 있다. 평판의 이동은 HTS 필터 회로의 자계에 영향을 미쳐, 주파수뿐만 아니라 공진기간 커플링도 변화시켜, 성능 저하를 일으킬 수 있다.
이러한 문제를 보상하기 위한 한 방법은, 공진기간 커플링에 영향을 주지 않으면서 HTS 공진기의 주파수에만 영향을 주기 위해서, 평판의 전면(HTS 필터 회로 반대)상에 HTS 막 패턴을 주의하여 선택하는 것이다.
이러한 문제를 보상하기 위한 다른 방법은 공진기간 커플링 보상 회로를 도입하여, 원하지 않는 공진기간 커플링 변화를 제거하는 것이다. 이러한 공진기간 커플링 회로에 적절한 예가 도 4에 도시되어 있다.
도 4a는 튜닝가능 HTS 대역 통과 필터의 일부로서 두 개의 인접 나선형 공진기(40a, 40b)를 도시한다. HTS 전송 라인(41)은 입력 커플링 회로로서 공진기(40a)에 직접 부착되어 커플링된다. 공진기(40a)의 단부에서 슬롯(43a)에 삽입된 좌단부와 공진기(40b)의 단부에서 슬롯(43b)에 삽입된 우단부를 갖는 좁은 HTS 전송 라인(42)은 공진기(40a)와 공진기(40b)사이의 커플링을 보상한다.
도 4b는 튜닝가능 HTS 대역 통과 필터의 일부로서 두 개의 인접 나선형 공진기(40c, 40d)를 도시한다. HTS 전송 라인(41a)은 입력 커플링 회로로서 공진기(40c)의 단부에서 슬롯(43c)에 삽입된 전송 라인(41a)의 일단을 갖고 공진기(40c)에 커플링된다. 공진기(40c)에 직접 부착된 좌단부와 공진기(40d)의 단부에서 슬롯(43d)에 삽입된 우단부를 갖는 좁은 HTS 전송 라인(44)은 공진기(40c)와 공진기(40d)사이의 커플링을 보상한다.
도 4c는 튜닝가능 HTS 대역 통과 필터의 일부로서 두 개의 인접 나선형 공진기(40e, 40f)를 도시한다. HTS 전송 라인(41b)은 입력 커플링 회로로서 공진기(40e)의 일단에서 슬롯(43e)에 삽입된 전송 라인(41b)의 일단을 갖고 공진기(40e)에 커플링된다. 공진기(40e)와 평행한 좌단부(45a)와 공진기(40f)의 일단에서 슬롯(43f)에 삽입된 우단부를 갖는 좁은 HTS 전송 라인(45)은 공진기(40e)와 공진기(40f) 사이의 커플링을 보상한다.
도 4d는 튜닝가능 HTS 대역 통과 필터의 일부로서 두 개의 인접 나선형 공진기(40g, 40h)를 도시한다. HTS 전송 라인(41c)은 입력 커플링 회로로서 공진기(40g)의 일단에서 슬롯(43g)에 삽입된 일단을 갖고 공진기(40g)에 커플링된다. 공진기(40g)와 평행한 좌단부(46a)와 공진기(40h)에 평행한 우단부(46b)를 갖는 좁은 HTS 전송 라인(46)은 공진기(40c)와 공진기(40d) 사이의 커플링을 보상한다.
도 4e는 튜닝가능 HTS 대역 통과 필터의 일부로서 두 개의 나선형 공진기(40i, 40j)를 도시한다. HTS 전송 라인(41d)은 입력 커플링 회로로서 공진기(40i)에 직접 부착된 일단을 갖고 공진기(40i)에 커플링된다. 공진기간 커플링은 두 개의 좁은 HTS 전송 라인(47,48)에 의해 제공된다. HTS 전송 라인(47)의 좌단부는 공진기(40i)의 단부에서 슬롯(43i)에 삽입되고, HTS 전송 라인(48)의 우단 부는 공진기(40j)의 일단에서 슬롯(43j)에 삽입된다. HTS 전송 라인(47)의 우단부 및 HTS 전송 라인(48)의 좌단부는 서로 평행하다.
도 4f는 튜닝가능 HTS 대역 통과 필터의 일부로서 두 개의 인접 나선형 공진기(40k, 40l)를 도시한다. HTS 전송 라인(41e)은 입력 커플링 회로로서 공진기(40k)의 일단에서 슬롯(43k)에 삽입된 일단을 갖고 공진기(40k)에 커플링된다. 공진기간 커플링 회로는 두 개의 좁은 HTS 전송 라인(49, 50)을 포함한다. HTS 전송 라인(49)의 좌단부는 공진기(40k)에 직접 부착된다. HTS 전송 라인(50)의 우단부는 일단(40l)에서 슬롯(43l)에 삽입된다. HTS 전송 라인(49)의 우단부 및 HTS 전송 라인(50)의 좌단부는 서로 평행하다.
본 발명에 따른 튜닝가능 HTS 필터의 공진기간 커플링 회로는 도 4에 도시된 특정 형태로 한정되는 것은 아니다. 사실상, 두 개의 공진기에 용량성으로 결합되거나 직접 부착된 두 단을 갖는 임의의 좁은 전송 라인이 이러한 목적을 위해 사용될 수 있다.
도 5는 도 1 및 도 2 각각의 평판(2, 22)의 전면상의 HTS 막 패턴의 예를 도시한다. 도 5a는 전체 전면을 커버하는 블랭크 HTS 막(60)을 도시한다. 도 5b는 기판 중심부만을 커버하고 좌측부(62) 및 우측부(62a)는 커버되지 않은 블랭크 HTS 막(61)을 도시하는데, 이는 입력 및 출력 회로가 HTS 필터 회로에 놓인 곳과 반대이다. 도 5c는 HTS 필터 회로의 4개의 공진기에 반대의 4개의 장방형 영역을 도시한다. 이 4 개의 영역은 HTS 막(64a)으로 커버되고 표면(63)의 나머지는 커버되지 않는다.
도 6은 평판을 이동하기 위한 다른 액튜에이터 장치를 갖춘 본 발명에 따른 튜닝가능 HTS 대역 통과 필터의 다른 실시예를 도시한다. 도 6a에 도시된 것처럼, 71은 HTS 필터 회로이고, 72는 평판이다. 도 6b에 도시된 것처럼, 71a는 HTS 필터 회로(71)의 기판이다. HTS 회로 패턴(71b)은 기판(71a)의 전면상에 증착된다. 블랭크 HTS 막(71c)은 필터의 접지면으로서 작용하는 기판(71a)의 후면상에 증착된다. 도전성 막(71d)(양호하게는 금 또는 은과 같은 금속)은 블랭크 HTS 막(71c)의 표면상에 증착된다.
도 6c에 도시된 것처럼, HTS 회로 패턴(71c)은 4폴 대역 통과 필터를 형성하기 위해서 4 개의 HTS 나선형 공진기(77a, 77b, 77c, 77d), 입력 전송 라인(80a), 출력 전송 라인(80b), 공진기간 커플링 전송 라인(78, 78a, 78b)을 포함한다. HTS 필터 회로(71)는 인클로져(75)의 하부(제1 내면)에 부착된다. 입력 연결기(73a), 출력 연결기(73b), 및 튜닝 연결기(81)는 인클로져(75)의 측벽에 삽입된다. 입력 연결기(73a) 및 출력 연결기(73b)는 입력 및 출력 전송 라인(80a, 80b) 각각에 연결된다.
도 6b에 도시된 것처럼, 평판(72)은 HTS 필터 회로(71)와 대면하는 기판(72a)의 전면 상에 증착된 HTS 막(72b)을 갖는 기판(72a)을 포함한다. 압전 재료로 이루어진 4 개의 액튜에이터(74a, 74b, 74c, 74d)는 평판(72)에 부착된 일측과 인클로져(75)의 하부(제1 내면)에 부착된 반대측을 구비한다. 액튜에이터(74a, 74b, 74c, 74d)는 HTS 필터 회로(71)의 중심 주파수를 튜닝하기 위해 HTS 필터 회로(71)에 대해 평판(72)을 이동하기 위해 사용된다. 튜닝 연결기(81)에 연결된 일단과 4개의 액튜에이터(74a, 74b, 74c, 74d)에 HTS 블랭크 막(72b)(미도시)의 모서리에서 도전성 막을 통해 연결된 타단을 갖는 도선(82)이 4개의 액튜에이터(74a, 74b, 74c,7 4d)에 튜닝 전압을 인가하기 위해 사용된다.
본 발명이 특정 실시예와 결합하여 설명되었지만, 다른 대안예, 변형예 및 변경예가 당업자에게 자명하다는 것은 확실하다. 따라서, 첨부된 청구의범위의 사상 및 범주내에 있는 모든 이러한 대안예, 변형예, 변경예를 포함하는 것으로 의도된 것이다.

Claims (17)

  1. 튜닝가능 HTS 필터에 있어서,
    (a) 인클로져(enclosure)(5,6) - 상기 인클로져(5,6)는 제1 내면, 상기 제1 내면으로부터 반대 방향으로 이격된 제2 내면, 및 상기 제1 및 제2 내면들을 연결하여 상기 인클로져(5,6)를 형성하는 하나 이상의 다른 내면을 포함함 -
    (b) 상기 인클로져(5,6) 내의 HTS 필터 회로(1);
    (c) 상기 인클로져(5,6) 내의 평판(plate)(2);
    (d) 상기 평판(2), 및 상기 제1 내면, 상기 제2 내면 및 상기 HTS 필터 회로(1) 중의 하나 이상에 연결된 압전 액튜에이터(4); 및
    (e) 상기 압전 액튜에이터(4)에 연결된 튜닝 제어기를 포함하며,
    상기 인클로져(5,6)는 적어도 상기 인클로져(5,6)의 상기 내면들이 도전성 재료로 구성되고, 상기 인클로져(5,6)는 입력 연결기(3a) 및 출력 연결기(3b)를 구비하며,
    상기 HTS 필터 회로(1)는 상기 제2 내면으로부터 반대 방향으로 이격된 전면 및 상기 제1 내면과 접지 접촉하는 후면을 구비하는 기판(1a), 상기 전면상의 HTS 필터 소자(1b) - 상기 HTS 필터 소자(1b)는 하나 이상의 HTS 공진기(9a,9b,9c,9d), 상기 HTS 필터 소자(1b)를 상기 입력 연결기(3a)에 커플링하는 입력 전송 라인(10a) 및 상기 HTS 필터 소자(1b)를 상기 출력 연결기(3b)에 커플링하는 출력 전송 라인(10b)을 포함함 - , 상기 후면 상의 HTS 막(1c), 및 상기 제1 내면과의 상기 접지 접촉을 제공하기 위하여 HTS 막(1c) 위에 증착되는 도전성 막(1d)을 포함하고,
    상기 평판(2)은 상기 HTS 필터 회로(1)로부터 반대 방향으로 이격된 전면, 및 상기 제2 내면과 반대 방향의 후면을 포함하고, 상기 전면은 상기 HTS 필터 소자(1b)의 상기 하나 이상의 공진기(9a,9b,9c,9d)와 반대 방향의 상기 전면의 적어도 일부가 HTS막(2b)으로 커버되되 상기 전면 위의 상기 HTS 막(2b)은 상기 HTS 필터 회로(1)의 입력 및 출력 회로 영역들의 위치를 커버하지 않으며, 상기 후면은 HTS 막(2c)으로 커버되고, 상기 HTS 막(2c) 위에 도전성 막(2d)이 증착되고,
    상기 압전 액튜에이터(4)는 상기 압전 액튜에이터(4) 연결이 상기 평판(2)과 상기 HTS 필터 회로(1) 사이에서 비도전성인 경우, 상기 평판(2)의 상기 전면이 상기 HTS 필터 소자(1b)의 상기 전면으로부터 이격된 거리를 정의하며,
    상기 튜닝 제어기는 상기 평판(2)의 상기 전면과 상기 HTS 필터 회로(1)의 상기 HTS 필터 소자(1b) 사이의 상기 거리를 조절하기 위해 상기 압전 액튜에이터(4)에 연결되는 것을 특징으로 하는 튜닝가능 HTS 필터.
  2. 제1항에 있어서, 상기 인클로져는 저온 소스(cryogenic source)가 연결된 진공 드워 조립체(vacuum dewar assembly)인 것을 특징으로 하는 튜닝가능 HTS 필터.
  3. 제1항에 있어서, 상기 HTS 필터 회로는
    (1) 상기 기판과,
    (2) 상기 기판의 상기 전면과 밀착된 둘 이상의 HTS 공진기와,
    (3) 상기 둘 이상의 HTS 공진기의 제1 공진기에 커플링된 제1단 및 상기 입력 연결기에 커플링된 제2단을 갖는 입력 전송 라인과,
    (4) 상기 둘 이상의 HTS 공진기의 제2 공진기에 커플링된 제1단 및 상기 출력 연결기에 커플링된 제2단을 갖는 출력 전송 라인과,
    (5) 공진기간(inter-resonator) 커플링과,
    (6) 상기 기판의 상기 후면상에 배치된 블랭크 HTS 막과,
    (7) 상기 인클로져에 대한 접지 접촉으로서 상기 블랭크 HTS 막상에 배치된 막
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 튜닝가능 HTS 필터.
  4. 제3항에 있어서, 상기 둘 이상의 HTS 공진기는 나선형으로 배향된 HTS 라인을 포함하여 (i) 인접 라인이 라인폭보다 작은 갭 거리만큼 서로 이격되고 (ii) 상기 갭 거리와 거의 동일한 치수의 중앙 개구를 상기 나선내에 형성하는 것을 특징으로 하는 튜닝가능 HTS 필터.
  5. 제3항에 있어서, 상기 공진기간 커플링은 상기 둘 이상의 HTS 공진기의 인접쌍 사이에 일부 이상 배치된 HTS 전송 라인을 포함하여 상기 HTS 전송 라인이 상기 인접 쌍을 커플링하는 것을 특징으로 하는 튜닝가능 HTS 필터.
  6. 제5항에 있어서, 상기 HTS 전송 라인은 상기 공진기에 상기 HTS 전송 라인을 직접 부착하거나, 상기 공진기의 단부에서 두 개의 분리된 브랜치 라인 사이의 슬롯에 상기 HTS 전송 라인을 삽입하거나, 상기 공진기의 모서리에 근접하여 평행하게 상기 HTS 전송 라인을 배치하거나, 또는 그 임의의 조합으로 상기 둘 이상의 HTS 공진기의 상기 인접쌍을 커플링하는 것을 특징으로 하는 튜닝가능 HTS 필터.
  7. 삭제
  8. 제1항에 있어서, 상기 압전 액튜에이터(4)의 압전 재료는 80K 미만의 온도에서 동작하고 5 ×10-5/볼트/cm보다 좋은 감도를 갖는 것을 특징으로 하는 튜닝가능 HTS 필터.
  9. 제1항에 있어서, 상기 HTS 재료는 YBa2Cu3O7, Tl2Ba2CaCu 2O8, TlBa2Ca2Cu3O9, (TlPb)Sr2CaCu2O7 및 (TlPb)Sr2Ca2Cu3O 9 중의 하나 이상으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 튜닝가능 HTS 필터.
  10. 제1항에 있어서, 상기 기판 재료는 LaAlO3, MgO, LiNbO3, 사파이어 및 수정 중의 하나 이상으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 튜닝가능 HTS 필터.
  11. 제1항 내지 제6항 또는 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, HTS 대역 통과 필터인 것을 특징으로 하는 튜닝가능 HTS 필터.
  12. 제1항 내지 제6항 또는 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, HTS 대역 제거 필터인 것을 특징으로 하는 튜닝가능 HTS 필터.
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 삭제
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