JP2002139691A - ガルバノミラーの製造方法およびガルバノミラー - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】品質の高いガルバノミラーを効率良く製造する
ことができるガルバノミラーの製造方法を提供する。 【解決手段】ミラー基板と少なくとも１つの電極基板と
を具備しているガルバノミラーを製造するための方法で
あって、第１の材料基板４に、上記ミラー基板の各部に
対応した構成をそれぞれ有する複数のミラー基板原型部
１’を作製する工程と、第２の材料基板４Ａ，４Ｂに、
上記電極基板の各部に対応した構成をそれぞれ有する複
数の電極基板原型部２A'，２B'を作製する工程と、各ミ
ラー基板原型部１’と各電極基板原型部２A'，２B'とを
対向させるようにして、第１および第２の材料基板４，
４Ａ，４Ｂを互いに積層させて接合する工程と、第１お
よび第２の材料基板４，４Ａ，４Ｂを切断することによ
り、複数のミラー基板原型部１’どうしおよび複数の電
極基板原型部２A'，２B'どうしを分離する工程と、を有
している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本願発明は、たとえば光ディ
スク装置に組み込まれることにより、光源から進行して
くるレーザ光を所定の位置に導くといった用途に利用さ
れる静電駆動方式のガルバノミラーを製造するための方
法、およびその方法によって製造されるガルバノミラー
に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、ガルバノミラーの一例としては、
特開平８−２１１３２０号公報に記載のものがある。こ
の従来のガルバノミラーは、図２６（ａ），（ｂ）に示
すように、ミラー基板８と、２つの電極基板９Ａ，９Ｂ
とを具備している。これらは、２つの電極基板９Ａ，９
Ｂの間にミラー基板８が挟まれるようにして互いに積層
されている。ミラー基板８は、ミラー面８０を有する可
動部８１と、この可動部８１を一対の支持部８２を介し
て支持する枠状のフレーム８３とを有しており、可動部
８１のミラー面以外の箇所は、正極および負極のいずれ
かに帯電可能な電極となっている。電極基板９Ａは、可
動部８１に対面する一対の電極９０ａ，９０ｂを具備し
ている。電極基板９Ｂは、図面では表われていないが、
電極基板９Ａと同様に可動部８１に対面する一対の電極
を具備している。この電極基板９Ｂには、外部から進行
してくる光をミラー面８０に導くための開口窓９１が設
けられている。

【０００３】このような構成を有するガルバノミラーに
おいては、たとえば可動部８１を正極に帯電させた状態
において、電極９０ａとこれに対応する電極基板９Ｂの
１つの電極とを負極にすると、これらの電極と可動部８
１との間には静電力が発生し、可動部８１は支持部８２
を捩じりながらこの支持部８２を中心として矢印Ｎ１方
向に回転する。電極基板９Ａ，９Ｂの上記とは異なる側
の電極を負極にすると、上記方向とは反対方向に可動部
８１を回転させることができる。このように可動部８１
を回転させると、ミラー面８０の姿勢（角度）が変更さ
れるため、このミラー面８０によって反射される光の進
路を制御することができる。

【０００４】従来において、上記構成のガルバノミラー
を製造するには、図２６（ｂ）に示すように、ミラー基
板８と一対の電極基板９Ａ，９Ｂとのそれぞれを別々の
工程によって製造した後に、これらを互いに重ね合わせ
て接着していた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のミラー基板８と一対の電極基板９Ａ，９Ｂとを別々
の工程によって製造した後に、これらを互いに接着する
方法においては、それらの製造作業が煩雑であり、生産
性が悪い。したがって、ガルバノミラーの製造コストが
高くなっていた。

【０００６】また、ガルバノミラーの複数の部品をそれ
ぞれ別々の工程で製造していたのでは、その製造工程ご
とに各部品の寸法などにバラツキが生じ易い。とくに、
ガルバノミラーのミラー面８０の回転制御性能を高める
には、互いに対向する電極間の寸法精度を高める必要が
あるのに対し、上記従来の方法によれば、そのような寸
法の精度にもバラツキが生じ易くなり、品質の高いガル
バノミラーを量産することが難しいものとなっていた。

【０００７】本願発明は、このような事情のもとで考え
出されたものであって、品質の高いガルバノミラーを効
率良く製造することができるガルバノミラーの製造方法
を提供することをその課題としている。また、本願発明
は、そのような製造方法によって製造されるガルバノミ
ラーを提供することを他の課題としている。

【０００８】

【発明の開示】上記の課題を解決するため、本願発明で
は、次の技術的手段を講じている。

【０００９】本願発明の第１の側面によって提供される
ガルバノミラーの製造方法は、ミラー面と第１電極とが
形成されている可動部およびこの可動部を支持するフレ
ームを有するミラー基板と、このミラー基板に積層さ
れ、かつ上記第１電極に対向する第２電極を有する少な
くとも１つの電極基板と、を具備している、ガルバノミ
ラーを製造するための方法であって、第１の材料基板
に、上記ミラー基板の各部に対応した構成をそれぞれ有
する複数のミラー基板原型部を作製する工程と、少なく
とも１つの第２の材料基板に、上記電極基板の各部に対
応した構成をそれぞれ有する複数の電極基板原型部を作
製する工程と、上記各ミラー基板原型部と上記各電極基
板原型部とを対向させるようにして、上記第１および第
２の材料基板を互いに積層させて接合する工程と、上記
第１および第２の材料基板を切断することにより、上記
複数のミラー基板原型部どうしおよび上記複数の電極基
板原型部どうしを分離する工程と、を有していることを
特徴としている。

【００１０】本願発明に係るガルバノミラーの製造方法
によれば、ミラー基板と電極基板とが互いに積層して接
合された形態の複数のガルバノミラーを、上記第１およ
び第２の材料基板から一括して製造することができる。
従来とは異なり、別々に製作されたミラー基板と電極基
板とを個々に積層させて接合する必要はない。したがっ
て、本願発明によれば、従来よりもガルバノミラーの生
産効率を高めることができ、その製造コストを低くする
ことができる。

【００１１】また、本願発明によれば、上記複数のミラ
ー基板原型部や上記複数の電極基板原型部については、
それぞれ同一の工程で製造することができるために、そ
れらから得られる複数のミラー基板や複数の電極基板の
寸法に大きなバラツキを生じないようにすることができ
る。さらに、上記複数のミラー基板原型部と上記複数の
電極基板原型部とを互いに対向させる作業も一括して行
うことができるために、最終的に得られるガルバノミラ
ーの第１電極と第２電極との間の寸法にも大きなバラツ
キが生じないようにすることができる。したがって、本
願発明に係るガルバノミラーの製造方法は、各所の寸法
に誤差が少なく、かつミラー面の回転制御性能にも優れ
る品質の高いガルバノミラーを量産するのにも好適とな
る。

【００１２】本願発明の好ましい実施の形態において
は、上記第１および第２の材料基板のそれぞれは、シリ
コンウェハである。

【００１３】このような構成によれば、熱酸化処理など
によって上記シリコンウェハの表面への酸化膜の形成
や、酸化膜が形成されていない箇所のエッチング処理な
どを比較簡単に行うことができ、複数のミラー基板原型
部や電極基板原型部の作製作業が容易化される。また、
シリコンウェハの切断作業も、たとえば反応性イオンエ
ッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching) などのドラ
イエッチングの手法を用いることによって、比較的簡単
に、かつ精度良く行うことができる。

【００１４】本願発明の他の好ましい実施の形態におい
ては、２つの第２の材料基板を用いることにより、これ
ら２つの第２の材料基板のそれぞれに上記複数の電極基
板原型部を作製するとともに、これら２つの第２の材料
基板と上記第１の材料基板とを積層させるときには、上
記２つの第２の材料基板の間に上記第１の材料基板を配
置することにより、２つの電極基板の間に１つのミラー
基板が挟まれた構造のガルバノミラーを製造する。

【００１５】このような構成によって製造されるガルバ
ノミラーは、２つの電極基板にそれぞれ設けられている
第２電極とミラー基板の第１電極との間に静電力を発生
させることによって可動部を動作させ得るものとなる。
このような構造によれば、静電力を発生させるための電
極数を多くすることができるために、ガルバノミラーを
低電圧駆動が可能なものとすることができる。

【００１６】本願発明の他の好ましい実施の形態におい
ては、上記第１および第２の材料基板を１つずつ用いる
ことにより、１つのミラー基板の片側に１つの電極基板
が積層された構造のガルバノミラーを製造する。

【００１７】このような構成によれば、製造されるガル
バノミラーを簡易かつコンパクトな構造にすることがで
きる。

【００１８】本願発明の好ましい実施の形態において
は、上記第１および第２の材料基板の少なくとも一方
に、上記各ミラー基板原型部どうしまたは上記各電極基
板原型部どうしを区画するリブを設ける工程をさらに有
しており、かつ上記第１および第２の材料基板を互いに
積層させるときには、上記リブをこれら第１および第２
の材料基板の間に配置させる。

【００１９】このような構成によれば、上記第１および
第２の材料基板どうしを積層させる場合に、これら第１
および第２の材料基板が上記リブを挟んで互いに対向し
合う形態となる。このような形態にすれば、上記リブを
利用して、上記第１および第２の材料基板どうしを簡単
かつ適切に接合することが可能となる。

【００２０】本願発明の他の好ましい実施の形態におい
ては、上記第１および第２の材料基板の切断は、上記リ
ブをその幅方向略中央部分で分断するように行う。

【００２１】このような構成によれば、上記第１および
第２の材料基板を切断した場合に、その切断によって得
られたミラー基板と電極基板とは、上記切断作業によっ
て分断されたリブを介して互いに接合されたままの状態
にすることができる。

【００２２】本願発明の他の好ましい実施の形態におい
ては、上記第１の材料基板には、エッチング処理が施さ
れていない平面部分を設けておき、この平面部分に膜を
形成することにより上記ミラー面を設ける。

【００２３】このような構成によれば、上記ミラー面
を、平面度の高いものにすることができる。たとえば、
金属の薄膜を上記第１の材料基板上に付着形成すること
によって上記ミラー面を形成する場合に、その下地とな
る面がエッチング処理がなされた粗面であると、その上
に形成される薄膜の表面も粗面となり、ミラー面の平面
度が低くなる。これに対し、上記構成によれば、そのよ
うな不具合を解消し、または軽減することができる。ガ
ルバノミラーをたとえば光ディスク装置に組み込むこと
によってレーザ光の制御に使用する場合には、上記ミラ
ー面の平面度をできる限り高める必要があるが、上記構
成によればそのような要請に合致するガルバノミラーを
製造するのに好適となる。

【００２４】本願発明の他の好ましい実施の形態におい
ては、上記第１および第２の材料基板に、上記第１電極
および上記第２電極にそれぞれ導通する複数の端子部を
形成する工程をさらに有しているとともに、上記第１お
よび第２の材料基板を互いに積層させるときには、上記
複数の端子部の一部分をそれら第１および第２の材料基
板の間に配置し、かつ上記第１および第２の材料基板の
切断は、エッチング処理によって行うことにより、この
エッチング処理において、上記第１および第２の材料基
板のうち、これら第１および第２の材料基板の間に配置
された端子部に対向する領域を除去する。

【００２５】このような構成によれば、上記第１電極お
よび上記第２電極にそれぞれ導通した複数の端子部が、
外部に露出した状態に設けられた構造のガルバノミラー
が製造される。このようなガルバノミラーにおいては、
上記複数の端子部に対する電気配線接続を容易に行うこ
とができる。

【００２６】本願発明の他の好ましい実施の形態におい
ては、上記第１および第２の材料基板のいずれか一方
に、複数の端子部を形成する工程と、上記第１および第
２の材料基板の少なくとも一方に、これら第１および第
２の材料基板を互いに積層させたときに上記第１電極お
よび上記第２電極の少なくとも一方を上記複数の端子部
に導通させるためのスルーホールを含む配線部を形成す
る工程と、をさらに有している。

【００２７】このような構成によれば、ミラー基板およ
び電極基板のいずれか一方に、上記第１電極および上記
第２電極にそれぞれ導通した複数の端子部が纏めて設け
られた構造のガルバノミラーを製造することができる。
このような構造のガルバノミラーにおいても、上記複数
の端子部に対する電気配線接続を容易に行うことができ
る。

【００２８】本願発明の他の好ましい実施の形態におい
ては、上記第１および第２の材料基板の少なくとも一方
に、これら第１および第２の材料基板を互いに積層させ
たときにこれらの間において上記スルーホールの開口部
またはその近傍を囲み込むことが可能な環状の凸部を形
成する工程と、上記第１および第２の材料基板を互いに
積層させた後に、上記スルーホール内に導電性物質を充
填する工程と、をさらに有している。

【００２９】このような構成によれば、上記導電性物質
の存在により、上記スルーホールを含む配線部の電気的
導通を確実なものにすることができる。また、上記スル
ーホール内に充填された導電性物質が、上記スルーホー
ルの開口部からはみ出すような事態を生じても、この導
電性物質は上記凸部によってせき止められる。したがっ
て、上記第１および第２の材料基板どうしの隙間内に上
記導電性物質が不当に流れ込むといったことを防止する
ことができる。

【００３０】本願発明の他の好ましい実施の形態におい
ては、上記各ミラー基板原型部どうしまたは上記各電極
基板原型部どうしを区画するように上記第１および第２
の材料基板の少なくとも一方に設けられるリブと、上記
各凸部とは、同一の薄膜形成工程により設ける。

【００３１】このような構成によれば、上記リブと上記
各凸部とを１つの作業工程によって同時に形成すること
ができ、それらを設ける作業が容易化される。

【００３２】本願発明の他の好ましい実施の形態におい
ては、上記第１の材料基板に上記複数のミラー基板原型
部を作製するときには、上記可動部が第１および第２の
支持部のそれぞれを介して上記フレームに対応する部分
に支持された構造とし、かつ、上記第１および第２の材
料基板を切断するときには、上記第２の支持部を分断す
る。

【００３３】このような構成によれば、最終的に得られ
るガルバノミラーは、上記可動部が上記第２の支持部に
よっては支持されておらず、上記第１の支持部を介して
上記フレームに支持された構造を有するものとなる。上
記第１の支持部は、上記可動部の回転動作などを許容す
るものであり、その剛性は比較的小さくされる。これに
対し、上記第１および第２の材料基板を切断するまで
は、上記可動部は上記第１および第２の支持部のそれぞ
れを介して支持される。したがって、上記第１および第
２の材料基板を取り扱っている最中に上記可動部が不安
定に振動するといったことを適切に抑制することができ
る。その結果、製造過程において上記可動部がダメージ
を受けないようにし、製品の歩留りを良くすることが可
能となる。また、上記第２の支持部は、上記第１および
第２の材料基板の切断工程において切断するため、全体
の作業工程数が増加しないようにすることもできる。

【００３４】本願発明の第２の側面によって提供される
ガルバノミラーは、本願発明の第１の側面によって提供
されるガルバノミラーの製造方法によって製造されたこ
とを特徴としている。

【００３５】本願発明によって提供されるガルバノミラ
ーによれば、本願発明の第１の側面によって提供される
ガルバノミラーの製造方法によって得られるのと同様な
効果が期待できる。

【００３６】本願発明のその他の特徴および利点につい
ては、以下に行う発明の実施の形態の説明から、より明
らかになるであろう。

【００３７】

【発明の実施の形態】以下、本願発明の好ましい実施の
形態について、図面を参照しつつ具体的に説明する。

【００３８】本願発明の内容の理解を容易にするため、
本願発明に係るガルバノミラーの製造方法の説明に先立
ち、ガルバノミラーの構成の一例を説明する。図１〜図
６は、本願発明に係るガルバノミラーの一例を示してい
る。

【００３９】図１および図２によく表われているよう
に、本実施形態のガルバノミラーＡは、ミラー基板１
と、一対の電極基板２Ａ，２Ｂとを具備して構成されて
いる。これらは、一対の電極基板２Ａ，２Ｂの間にミラ
ー基板１を挟み込むようにして積層され、かつ接合され
ている。

【００４０】ミラー基板１は、第１面１１ａにミラー面
１０が設けられている可動部１１と、この可動部１１を
支持する矩形枠状のフレーム１２とを具備している。図
４によく表われているように、可動部１１は、たとえば
矩形状であり、軸状の一対の支持部１３ａ，１３ｂを介
してフレーム１２に支持されている。このミラー基板１
には、可動部１１と一対の支持部１３ａ，１３ｂとのそ
れぞれ外形をかたち取るスリット１９が形成されてお
り、可動部１１の外周縁の略全周囲はこのスリット１９
を介してフレーム１２から分離した構造となっている。

【００４１】ミラー面１０は、光反射率の高い金属の薄
膜、あるいは誘電体多層膜によって形成されている。高
密度光ディスクのように光源に青色ＬＤを用いる場合に
は、金属の薄膜による光の反射率は低くなるが、このよ
うな場合には光反射率を高める上で誘電体多層膜が好ま
しいものとなる。可動部１１の第１面１１ａには、ミラ
ー面１０を一定方向において挟む形状を有する第１電極
１４ａが設けられている。可動部１１の第１面１１ａと
は反対の第２面１１ｂには、図６によく表われているよ
うに、第１電極１４ａと同様な形状の第１電極１４ｂが
設けられている。これら一対の第１電極１４ａ，１４ｂ
は、１または複数のスルーホール１５ａを介して互いに
導通している。

【００４２】図４によく表われているように、支持部１
３ａの表面とフレーム１２の第１面１２ａとには、第１
電極１４ａに導通する配線部１６ａが形成されている。
フレーム１２の第２面１２ｂには、配線部１６ａとスル
ーホール１５ｂを介して導通する配線部１６ｂが形成さ
れている（図６参照）。この配線部１６ｂは、電気配線
接続を行うための端子部１７を含んでいる。フレーム１
２の第１面１２ａの外周縁には、その一部分を除き、リ
ブ１８が突設されている。

【００４３】電極基板２Ａは、略矩形の平板状であり、
図２によく表われているように、ミラー基板１のリブ１
８に当接するようにしてミラー基板１に重ね合わされて
おり、かつリブ１８の先端面に接着されている。この接
着手段については後述する。図面においては、リブ１８
の厚みを比較的大きく示しているが、このリブ１８の厚
みは、たとえば十分の数μｍ程度である。本実施形態に
おいては、リブ１８がミラー基板１のみに設けられてい
るが、本願発明はこれに限定されない。本願発明におい
ては、リブ１８が電極基板２Ａのみに設けられていても
よい。さらには、図８に示すように、ミラー基板１と電
極基板２Ａとのそれぞれにリブ１８を設けることによ
り、これらリブ１８どうしを当接させるようにしてもか
まわない。これは、ミラー基板１と電極基板２Ｂとの間
に挟まれる後述のリブ２４についても同様である。すな
わち、図１〜図６に示す実施形態においては、リブ２４
が電極基板２Ｂのみに設けられているが、このリブ２４
はミラー基板１のみ、あるいはミラー基板１と電極基板
２Ｂとのそれぞれに設けられた構成とすることもでき
る。

【００４４】電極基板２Ａには、外部の光をミラー面１
０に導くための開口窓２０が設けられている。電極基板
２Ａのミラー基板１に対向する片面には、凹部２１と、
一対の第２電極２２ａ，２２ｂとが設けられている。凹
部２１は、図３によく表われているように、可動部１１
が一対の支持部１３ａ，１３ｂを中心として回転すると
きの可動部１１の移動スペースを確保するのに役立つ。
電極基板２Ｂにも、凹部２１ａと同様な凹部２１ｂが設
けられているが、この凹部２１ｂの役割も凹部２１ａと
同様である。一対の第２電極２２ａ，２２ｂは、第１電
極１４ａに所定の間隔を隔てて対面するように設けられ
ている。図６によく表われているように、電極基板２Ａ
には、一対の第２電極２２ａ，２２ｂに導通する一対の
端子部２３が設けられている。

【００４５】電極基板２Ｂは、略矩形の平板状であり、
ミラー基板１の第１電極１４ｂが設けられている面に対
向するようにしてミラー基板１に積層されている。ただ
し、図４によく表われているように、この電極基板２Ｂ
の片面の外周縁には、その一部を除きリブ２４が突設さ
れており、このリブ２４の先端面がフレーム１２の第２
面１２ｂに当接し、かつ接着している。この接着手段の
具体例も後述する。電極基板２Ｂには、可動部１１に対
向する貫通孔２５が設けられている。この貫通孔２５
は、可動部１１が回転動作するときのダンピングを抑制
するためのものである。すなわち、ガルバノミラーＡの
内部が密閉空間に近いと、可動部１１が回転するときの
空気抵抗が大きくなり、可動部１１の回転動作が不安定
となる。これに対して、貫通孔２５を設けておけば、そ
のような不具合を解消することができる。ただし、ミラ
ー基板１と電極基板２Ｂとの電極間隔が広い場合には、
ダンピングが小さくなるため、貫通孔２５を必ずしも設
ける必要はない。

【００４６】電極基板２Ｂのミラー基板１に対向する片
面には、一対の第２電極２２ｃ，２２ｄと、これらに導
通した配線部２６とが設けられている。電極基板２Ｂの
反対の片面には、図６によく表われているように、一対
の第２電極２２ｃ，２２ｄとスルーホール２７を介して
導通した一対の端子部２８と、これら一対の端子部２８
とは非導通状態にある他の複数の端子部２９とが設けら
れている。これら複数の端子部２９は、図７（ａ）を参
照して後述する使用の際に利用されるものである。

【００４７】図５によく表われているように、ミラー基
板１および一対の電極基板２Ａ，２Ｂのそれぞれの一定
方向の長さは、互いに相違しており、それらの一側縁部
は階段状に位置ずれした構造となっている。より具体的
には、電極基板２Ｂの一側縁部からはミラー基板１の一
側縁部がはみ出すとともに、このミラー基板１の一側縁
部からは電極基板２Ａの一側縁部がはみ出す構造とされ
ている。これにより、電極基板２Ｂの一側方には、ミラ
ー基板１の端子部１７が露出しているとともに、ミラー
基板１の一側方には、電極基板２Ａの一対の端子部２３
が露出した構造となっている。

【００４８】このような構成を有するガルバノミラーＡ
においては、図７（ａ）に示すように、端子部１７およ
び一対の端子部２３のそれぞれを、複数の端子部２９に
ワイヤＷを介して接続することができる。このようにす
ると、第１電極１４ａ，１４ｂおよび第２電極２２ａ〜
２２ｄのそれぞれを、複数の端子部２８，２９に導通さ
せることができる。これら複数の端子部２８，２９は、
電極基板２Ｂの同一面に纏めて設けられているために、
これらに対する電気配線接続は容易に行えることとな
る。なお、ミラー基板１の第１電極１４ａ，１４ｂは同
一極性でよいため、第１電極１４ａ，１４ｂと第２電極
２２ａ〜２２ｄとに電圧を印加するための端子部の総数
は、５つあれば足りる。これに対し、本実施形態におい
ては、端子部２８，２９の総数を６つとし、端子部２９
を１つ余分に設けている。この余分の端子部２９は、共
通アース用の端子部として適宜利用することができる。

【００４９】このガルバノミラーＡにおいては、図７
（ｂ）に示すような態様の配線接続を行うこともでき
る。すなわち、同図に示す構成においては、フレキシブ
ル・フラットケーブルなどの可撓性を有する配線部材３
０の一部を階段状に折り曲げて、この配線部材３０の導
電部を端子部１７，２３，２８のそれぞれに導通させる
ようにしている。このような手段によっても、第１電極
１４ａ，１４ｂと第２電極２２ａ〜２２ｄとのそれぞれ
に適切に電圧を印加することが可能な電気配線接続が達
成される。

【００５０】このガルバノミラーＡのミラー面１０の角
度変更動作の基本的な原理は、従来技術のものと同様で
ある。すなわち、図２に示す状態において、たとえば第
１電極１４ａ，１４ｂを負極とし、かつ第２電極２２
ｂ，２２ｃを正極とする電圧印加を行うと、第２電極２
２ｂと第１電極１４ａとの間、および第２電極２２ｃと
第１電極１４ｂとの間に、これらを互いに接近させよう
とする静電力が発生する。このため、図３に示すよう
に、可動部１１は、支持部１３ａ，１３ｂを捩じり変形
させながら、これら支持部１３ａ，１３ｂを中心とし
て、矢印Ｎａ方向に回転することとなる。第２電極２２
ｂ，２２ｃに代えて、第２電極２２ａ，２２ｄを正極に
した場合には、可動部１１は上記とは反対方向に回転す
ることとなる。したがって、第２電極２２ａ〜２２ｄへ
の電圧印加の切り替えによって、可動部１１の回転方向
を選択することができる。可動部１１の回転動作は、電
極間に発生する静電力と支持部１３ａ，１３ｂの捩じり
抵抗とが釣り合う角度において停止する。その一方、上
記静電力は、印加電圧が高いほど大きい。したがって、
印加電圧値を制御することにより、可動部１１の回転量
を制御することもできる。この可動部１１の回転によ
り、ミラー面１０の角度が変更され、光の反射方向を制
御することができる。

【００５１】次に、本願発明に係るガルバノミラーの製
造方法について、上記したガルバノミラーＡを製造する
場合を一例として説明する。図９〜図１９は、本願発明
に係るガルバノミラーの製造方法の一例を示している。

【００５２】ガルバノミラーを製造するには、図９
（ａ）に示すように、３枚のウェハ４，４Ａ，４Ｂを用
いる。これらのウェハ４，４Ａ，４Ｂは、シリコンウェ
ハであり、本願発明でいう材料基板の一例に相当するも
のである。これらのウェハ４，４Ａ，４Ｂには、複数の
ミラー基板原型部１’や複数の電極基板原型部２A'，２
B'をそれぞれ作製する。

【００５３】各ミラー基板原型部１’は、前述したガル
バノミラーＡのミラー基板１に対応した構成を有してい
る。より具体的には、図１０および図１１において、ウ
ェハ４の互いに直交する仮想線Ｌａ，Ｌｂによって区画
された複数の矩形状領域のそれぞれが、ミラー基板原型
部１’である。各ミラー基板原型部１’には、ミラー面
１０や第１電極１４ａ，１４ｂを有する可動部１１、ミ
ラー基板１のフレーム１２に対応するフレーム１２Ａ、
端子部１７を含む配線部１６ａ，１６ｂ、およびミラー
基板１の上記以外の部分に対応する要素が設けられてい
る。図１１によく表われているように、ウェハ４の片面
には、互いに隣り合う複数のミラー基板原型部１’どう
しの間を仕切る複数条のリブ１８Ａが設けられている。
これら複数条のリブ１８Ａは、ミラー基板１のリブ１８
に対応するものであり、互いに直交する縦横方向に延び
て、格子状に繋がっている。後述するように、各リブ１
８Ａは、ポリシリコンやガラス材料などの後述するエッ
チング処理が可能な物質をウェハ４上に堆積付着させる
ことによって形成される。ウェハ４の表裏両面の略全域
は、酸化膜によって覆われているが、後述するように、
一部の領域についてはウェハ４に対するエッチングを可
能とするために酸化膜が除去された構成となっている。

【００５４】上記した各ミラー基板原型部１’は、たと
えば次のようにして作製される。

【００５５】まず、図１２（ａ）に示すウェハ４に熱酸
化処理を施すなどして、同図（ｂ）に示すように、この
ウェハ４の表裏両面の全面に、酸化膜４０ａ，４０ｂを
形成する。その後、同図（ｃ）に示すように、ウェハ４
にスルーホール用の複数の貫通孔４１を形成する。この
ような各貫通孔４１の形成作業は、酸化膜４０ａ，４０
ｂ上にフォトレジストを塗布する第１の工程、そのレジ
スト層の露光・現像処理を行うことにより、各貫通孔４
１の形成箇所に該当する箇所が開口したレジスト層を形
成する第２の工程、上記レジスト層の開口部分に露出す
る酸化膜４０ａ，４０ｂをエッチングする第３の工程、
および酸化膜４０ａ，４０ｂがエッチングされた箇所に
おいてウェハ４に貫通孔を形成するようにシリコンをエ
ッチングする第４の工程からなる。各貫通孔４１の形成
後には、ウェハ４に対して再度酸化膜形成処理を施す。
これにより、同図（ｄ）に示すように、ウェハ４の表裏
面を覆う酸化膜４０ａ，４０ｂを成長させつつ、各貫通
孔４１の内壁面を覆う酸化膜４０ｃを形成する。

【００５６】次いで、同図（ｅ）に示すように、ミラー
面１０および第１電極１４ａ，１４ｂを形成する。同図
では表われていないが、端子部１７を含む配線部１６
ａ，１６ｂも形成する。この処理は、酸化膜４０ａ〜４
０ｃの表面にスパッタなどによって金属膜を形成した後
に、この金属膜を所定のパターンにエッチングすること
によって行う。この金属膜の形成処理においては、複数
の貫通孔４１の内壁面にも金属膜が形成されることとな
り、スルーホール１５ａ，１５ｂも同時に形成される。
これら第１電極１４ａ，１４ｂや配線部１６ａ，１６ｂ
の形成後は、好ましくは、端子部１７を除き、そられを
覆う絶縁膜の形成処理を行う。なお、ミラー面１０と第
１電極１４ａ，１４ｂとの形成を別々の工程で行っても
よいことは言うまでもない。

【００５７】その後は、図１３（ｆ）に示すように、ウ
ェハ４にスリット１９を形成し、可動部１１の外形をか
たち取る。同図においては示されていないが、このスリ
ット１９によって一対の支持部１３ａ，１３ｂも形成さ
れる。スリット１９は、図１２（ｃ）に示した各貫通孔
４１の形成処理と同様な工程によって形成することがで
きる。次いで、同図（ｇ）に示すように、酸化膜４０
ａ，４０ｂの符号ｎ１，ｎ２で示す部分をエッチングす
る。エッチング部分ｎ１は、図１１で示したウェハ４の
片面のうち、複数条のリブ１８Ａがその後に形成される
格子状の部分である。エッチング部分ｎ２は、ウェハ４
の反対面のうち、複数条のリブ１８Ａに対応する箇所で
あり、具体的には、図１０の仮想線Ｌａ，Ｌｂに沿った
格子状の部分である。また、図１３（ｇ）には表われて
いないが、図１０および図１１において仮想線で示す矩
形の環状領域ｎ３についても、酸化膜４０ａ，４０ｂの
エッチング処理を施す。この帯状領域ｎ３は、後に行う
反応性イオンエッチングなどによるウェハ４の切断処理
工程において、シリコンのエッチングを可能とし、ミラ
ー基板１を電極基板２Ｂよりも短い寸法に切断するため
の部分である。

【００５８】上記エッチング処理の後には、図１３
（ｈ）に示すように、酸化膜４０ａのエッチングがなさ
れた領域ｎ１上に複数条のリブ１８Ａを形成する。これ
ら複数条のリブ１８Ａは、たとえば領域ｎ１に相当する
部分が開口したレジスト層を酸化膜４０ａ上に形成した
後に、ポリシリコンやガラス材料などの適当な物質を蒸
着などによってウェハ４上に堆積付着させることにより
形成することができる。

【００５９】このような一連の工程により、ウェハ４に
は、複数条のリブ１８Ａによって区画された複数のミラ
ー基板原型部１’が作製される。なお、スルーホール１
５ａ，１５ｂの導通を確実にするための手段として、そ
れらの内部に導電物質を充填してもかまわない。

【００６０】図１４および図１５によく表われているよ
うに、ウェハ４Ａに設けられた複数の電極基板原型部２
A'は、前述した電極基板２Ａに対応した構成を有してい
る。より具体的には、互いに直交する仮想線Ｌｃ，Ｌｄ
によって区画されたウェハ４Ａの複数の矩形状領域のそ
れぞれが、電極基板原型部２A'である。各電極基板原型
部２A'には、開口窓２０、一対の第２電極２２ａ，２２
ｂ、一対の端子部２３２３、および電極基板２Ａの他の
部分に対応する要素が設けられている。

【００６１】各電極基板原型部２A'は、たとえばウェハ
４Ａに凹部２１ａを形成する工程、ウェハ４Ａの表裏両
面の全面に酸化膜を形成する工程、その酸化膜上に第２
電極２２ａ，２２ｂや一対の端子部２３をパターン形成
する工程、および開口窓２０をエッチングにより形成す
る工程などを経て作製することができる。ただし、本実
施形態においては、各電極基板原型部２A'の作製後に、
図１４および図１５の仮想線で示す格子状の領域ｎ４に
ついては、ウェハ４Ａの表裏面を覆う酸化膜をエッチン
グしておく。この領域ｎ４は、後に行われる切断工程に
おいて、ウェハ４Ａを切断するための領域であり、図１
０および図１１で示したウェハ４のリブ１８Ａに対応し
ている。

【００６２】図１６および図１７によく表われているよ
うに、ウェハ４Ｂに設けられた複数の電極基板原型部２
B'は、前述した電極基板２Ｂに対応した構成を有してい
る。より具体的には、互いに直交する仮想線Ｌｅ，Ｌｆ
によって区画されたウェハ４Ｂの複数の矩形状領域のそ
れぞれが、電極基板原型部２B'である。各電極基板原型
部２B'には、貫通孔２５、一対の第２電極２２ｃ，２２
ｄ、複数の端子部２８，２９、およびその他の電極基板
２Ｂの構成要素に対応する要素が設けられている。

【００６３】各電極基板原型部２B'は、たとえばウェハ
４Ｂに凹部２１ｂを形成する工程、ウェハ４Ｂの表裏両
面の全面に酸化膜を形成する工程、その酸化膜上に第２
電極２２ｃ，２２ｄや複数の端子部２８，２９をパター
ン形成する工程、および貫通孔２５をエッチングにより
形成する工程などを経て作製することができる。ただ
し、各電極基板原型部２B'の作製後には、ウェハ４Ｂの
片面を覆う酸化膜のうち、図１６の仮想線で示す格子状
の領域ｎ５、および複数の端子部２８，２９の一側方の
矩形の環状領域ｎ６をエッチングする。領域ｎ５は、図
１９を参照して後に説明するウェハの切断工程におい
て、ウェハの切断開始箇所となる部分であり、その幅
は、後述するリブ２４の幅よりもかなり細くされてい
る。環状領域ｎ６は、その後の工程において、各電極基
板原型部２B'をミラー基板１よりも短い寸法に切断する
ための部分である。ウェハ４Ｂの反対の片面について
は、図１７に示すように、格子状の複数条のリブ２４Ａ
を形成する。ただし、リブ２４Ａを形成する前には、こ
のリブ２４Ａの形成される部分の酸化膜を予めエッチン
グしておく。また、図１６の環状領域ｎ６に対応する環
状領域ｎ７についても、酸化膜をエッチングしておく。
リブ２４Ａは、図１１で示したウェハ４のリブ１８Ａと
同様に、ポリシリコンやガラス材料などをたとえば蒸着
によって、ウェハ４Ｂ上に堆積付着させることにより形
成することができる。

【００６４】上記のようにして、３枚のウェハ４，４
Ａ，４Ｂに、複数のミラー基板原型部１’や複数の電極
基板原型部２A'，２B'を造り込んだ後には、図９（ｂ）
に示すように、ウェハ４をウェハ４Ａ，４Ｂの間に挟み
込むようにして、これらを積層させ、かつ互いに接着さ
せる。その際、ウェハ４，４Ａ，４Ｂは、図１８に示す
ような表裏関係とし、ミラー基板原型部１’と２つの電
極基板原型部２A'，２B'とが互いに対向し合うように位
置決めする。３枚のウェハ４，４Ａ，４Ｂを積層させる
ときには、ウェハ４の各リブ１８Ａをウェハ４Ａの片面
に接触させるとともに、ウェハ４Ｂの各リブ２４Ａをウ
ェハ４の片面に接触させる。ウェハ４，４Ａ，４Ｂの接
着は、それら複数のリブ１８Ａ，２４Ａを介して行う。
この接着手段としては、半導体製造分野において用いら
れる種々の接合方法を用いることができ、たとえば陽極
接合や静電接合と称される方法を用いることができる。
このように、リブ１８Ａ，２４Ａを利用してウェハ４，
４Ａ，４Ｂを互いに接合させれば、接着面積を小さくし
つつ、それら３枚のウェハどうしを確実に接合すること
ができる。

【００６５】なお、リブ１８Ａを形成する手段として
は、ウェハ４上に薄膜を形成する手段に代えて、ウェハ
４の片面のリブ１８Ａの形成箇所以外をエッチングする
ことによって凹状に形成することも考えられる。ただ
し、このような手段によれば、ミラー面１０を構成する
金属膜の下地がエッチング処理された粗面となり、ミラ
ー面１０の平面度が低くなる。これに対し、リブ１８Ａ
を薄膜によって形成すれば、ウェハ４の予め鏡面状に仕
上げられている平面上に金属膜を形成してミラー面１０
を設けることが可能となり、その平面度を高めることが
できる。

【００６６】３枚のウェハ４，４Ａ，４Ｂを接合した後
には、これらを切断する。この切断工程を、図１９を参
照して説明する。なお、同図において、ウェハ４，４
Ａ，４Ｂの表裏面のうち、黒塗りされている部分は、酸
化膜が形成されている箇所を示しており、この部分は、
次に述べる反応性イオンエッチング処理のエッチングマ
スクとしての役割を果たす。

【００６７】まず、図１９（ａ）示すように、ウェハ４
Ｂを最上層に設定した状態において、このウェハ４Ｂに
反応性イオンエッチング処理を施す。反応性イオンエッ
チングは、異方性エッチングであり、ウェハの厚み方向
にエッチング処理を深く進めてゆくことができる。した
がって、この処理により、酸化膜が除去されている領域
ｎ５，ｎ６に対応する部分をエッチングすることができ
る。同図（ｂ）に示すように、領域ｎ５が設けられてい
た箇所にはスリット５０を形成し、ウェハ４Ｂを矩形状
に切断することができる。複数のスリット５０は、各リ
ブ２４Ａをその幅方向中央部において分断するように形
成され、この分断されたリブが、前述したガルバノミラ
ーＡのリブ２４となる。また、ウェハ４Ｂの領域ｎ６
は、環状であるため、この領域ｎ６に対応する部分をエ
ッチングすると、この領域ｎ６に囲まれていた部分の全
域を一括して除去することができる。このようなエッチ
ング処理により、複数の電極基板原型部２B'は複数の電
極基板２Ｂとして分断されることとなる。領域ｎ６に囲
まれていた部分を除去すると、その下方には、ウェハ４
の一部分（端子部１７が設けられている部分）が現出す
ることとなる。

【００６８】上記反応性イオンエッチング処理をなおも
継続することにより、ウェハ４の酸化膜が形成されてい
ない領域ｎ２，ｎ３に対応する部分をエッチングする。
これにより、同図（ｃ）に示すように、スリット５０を
さらに深くして、各リブ１８Ａがその幅方向中央部にお
いて分断された２つのリブ１８として形成されるように
して、ウェハ４を矩形状に切断することができる。ウェ
ハ４の領域ｎ３は、環状であるため、この領域ｎ３で囲
まれている部分の全域も一括して除去することができ
る。この部分の下方からはウェハ４Ａの一部分（端子部
２３が設けられている部分）が現出する。このようなエ
ッチング処理により、複数のミラー基板原型部１’は複
数のミラー基板１として分断されることとなる。

【００６９】上記反応性イオンエッチング処理をさらに
継続すると、同図（ｄ）に示すように、スリット５０を
さらに深くすることができる。これによりウェハ４Ａに
ついても切断することができ、複数の電極基板原型部２
A'を複数の電極基板２Ａとして分断することができる。
各電極基板２Ａには、ウェハ４，４Ｂの残片５１が付着
しているが、この残片５１は極めて微小であり、その後
の適当な処理によって簡単に除去することが可能であ
る。

【００７０】上記した切断工程によれば、ウェハ４の複
数のミラー基板原型部１’、およびウェハ４Ａ，４Ｂの
電極基板原型部２A'，２B'は、互いに１つずつ積層され
たミラー基板原型部１’と電極基板原型部２A'，２B'と
の組み合わせに分離されることとなり、図１〜図６に示
した構成を有する複数のガルバノミラーＡが一括して製
造されることとなる。したがって、本実施形態の製造方
法は、ミラー基板や電極基板を別々に製作した後にそれ
らを１つずつ互いに組み合わせて接着していた従来のガ
ルバノミラーの製造方法と比較すると、その生産効率を
飛躍的に高めることができる。また、複数のミラー基板
１および複数の電極基板２Ａ，２Ｂは、それぞれ同一工
程で製造されているために、複数のガルバノミラーＡの
各部品の寸法に大きなバラツキを生じないようにするこ
ともできる。さらには、ミラー基板１と一対の電極基板
２Ａ，２Ｂとは、ウェハの状態で積層され、かつ接着さ
れているために、複数のガルバノミラーＡのそれぞれの
ミラー基板１の第１電極１４ａ，１４ｂと一対の電極基
板２Ａ，２Ｂの第２電極２２ａ〜２２ｄとの間の寸法に
も大きなバラツキを生じないようにすることができる。
したがって、本実施形態の製造方法は、品質の高いガル
バノミラーＡを量産するのに適している。

【００７１】図２０および図２１は、本願発明に係るガ
ルバノミラーの製造方法の他の例を示している。図２２
は、その製造方法によって製造されたガルバノミラーの
斜視図である。なお、図２０以降の図面においては、先
の実施形態と同一または類似の要素には、先の実施形態
と同一の符号を付している。

【００７２】図２０によく表われているように、本実施
形態においては、ウェハ４Ｂの各電極基板原型部２B'の
端子部２９ａおよび一対の端子部２９ｂに、スルーホー
ル４９，４８Ａを設けている。ウェハ４の各ミラー基板
原型部１’には、パッド部４８ｂに導通するスルーホー
ル４８Ｂを設けている。スルーホール４９，４８Ａのそ
れぞれは、ウェハ４の端子部１７とスルーホール４８Ｂ
とにそれぞれ導通させるためのものであり、図２１
（ａ）によく表われているように、ウェハ４Ｂのウェハ
４に対面する片面には、これらの各スルーホール４９，
４８Ａにそれぞれ導通するパッド部４９ａ，４８ａを設
けている。各スルーホール４８Ｂは、ウェハ４Ａの各端
子部２３に導通させるためのものであり、ウェハ４のウ
ェハ４Ａに対面する片面には、各スルーホール４８Ｂに
導通するパッド部４８ｃを設けている。

【００７３】ウェハ４の片面には、各スルーホール４８
Ｂの一端開口部とパッド部４８ｃとを囲む環状の複数の
凸部４７Ａを設けている。また同様に、ウェハ４Ｂの片
面には、各スルーホール４８Ａ，４９の一端開口部とパ
ッド部４８ａ，４９ａとをそれぞれ囲む環状の複数の凸
部４７Ｂを設けている。これらの凸部４７Ａ，４７Ｂ
は、リブ１８Ａ，２４Ａを形成するときに、これらリブ
１８Ａ，２４Ａと同時に形成したものであり、ウェハ
４，４Ｂの片面に所定のマスキングを施してから、ポリ
シリコンやガラス材料などをたとえば蒸着によってウェ
ハ４，４Ｂ上に堆積付着させることにより形成すること
ができる。凸部４７Ａ，４７Ｂとリブ１８Ａ，２４Ａと
の高さ（厚み）は同一である。

【００７４】各ミラー基板原型部１’や各電極基板原型
部２B'を上記した構成を具備するものに作製した後に
は、図２１（ａ）に示したように、３枚のウェハ４，４
Ａ，４Ｂを積層させて接着させる。この状態において
は、スルーホール４８Ａ，４８Ｂが端子部２３の直上に
位置するとともに、スルーホール４９が端子部１７の直
上に位置することとなる。また、凸部４７Ａ，４７Ｂの
各先端面は、リブ１８Ａ，２４Ａと同様に、ウェハ４Ａ
またはウェハ４に当接することとなる。

【００７５】次いで、同図（ｂ）に示すように、スルー
ホール４８Ａ，４８Ｂ，４９のそれぞれの内部に、ハン
ダペースト、導電性樹脂、あるいはその他の導電ペース
トｍを充填する。これにより、各端子部２３をスルーホ
ール４８Ａ，４８Ｂの導電膜や導電ペーストｍを介して
各端子部２９ｂに確実に導通させることができる。同様
に、各端子部１７をスルーホール４９の導電膜や導電ペ
ーストｍを介して各端子部２９ａに確実に導通させるこ
とができる。スルーホール４８Ａ，４８Ｂどうしの接続
部分、スルーホール４８Ｂと端子部２３との対向部分、
およびスルーホール４９と端子部１７との対向部分は、
環状の凸部４７Ａ，４７Ｂによって囲まれており、これ
らの凸部４７Ａ，４７Ｂは、上記各部分からはみ出そう
とする導電ペーストｍをせき止める役割を果たす。した
がって、導電ペーストｍがウェハ４，４Ｂどうしの間
や、ウェハ４，４Ａどうしの間に不当に流れ込まないよ
うにすることもできる。

【００７６】導電ペーストｍの充填後は、図２１（ａ）
の仮想線Ｌｇで示すように、リブ１８Ａ，２４Ａをそれ
らの幅方向において分断する箇所で３枚のウェハ４，４
Ａ，４Ｂを切断する。この切断は、上記実施形態と同様
に、反応性イオンエッチング処理によって行うことがで
きる。ただし、本実施形態においては、上記実施形態と
は異なり、ミラー基板１と一対の電極基板２Ａ，２Ｂと
のそれぞれの長さを相違させる必要はない。

【００７７】本実施形態の製造方法によれば、図２２に
示すような構成の複数のガルバノミラーＡａが得られ
る。電極基板２Ｂの複数の端子部２８，２９ａ，２９ｂ
は、第１電極１４ａ，１４ｂおよび第２電極２２ａ〜２
２ｄに適切に導通している。複数の端子部２８，２９
ａ，２９ｂは、電極基板２Ｂの片面に纏めて設けられて
いるために、それら複数の端子部への電気配線部材の接
続を容易に行うことができる。

【００７８】図２３は、本願発明に係るガルバノミラー
の製造方法の他の例を示している。

【００７９】本実施形態においては、ウェハ４にスリッ
ト１９を設けることによって、可動部１１の外形をかた
ち取るときに、可動部１１の外周縁の一部には、一対の
支持部１３ａ，１３ｂに加えて、この可動部１１をフレ
ーム１２Ａに繋ぐ他の一対の支持部１３ｃを設けてい
る。これら一対の支持部１３ｃについては、その後ウェ
ハ４を他の２枚のウェハ４Ａ，４Ｂに積層させてから反
応性イオンエッチングによって３枚のウェハ４，４Ａ，
４Ｂを切断するときに、同時にエッチングする。すなわ
ち、一対の支持部１３ｃの表面には酸化膜が形成されて
いない構成としておき、３枚のウェハ４，４Ａ，４Ｂを
積層させたときに、一対の支持部１３ｃがウェハ４Ｂに
設けられている貫通孔２５から外部に露出させておけ
ば、それら一対の支持部１３ｃを反応性イオンエッチン
グ処理によって適切にエッチングすることが可能であ
る。

【００８０】上記した手段によれば、３枚のウェハ４，
４Ａ，４Ｂを積層させて切断するまでは、各ミラー基板
原型部１’の可動部１１を複数の支持部１３ａ〜１３ｃ
を利用してフレーム１２Ａに支持させておくことができ
る。したがって、ウェハを取り扱うときの振動などに起
因して可動部１１が不用意に動かないようにして、その
保護を図ることができる。本実施形態から理解されるよ
うに、本願発明においては、ウェハ（材料基板）にミラ
ー基板原型部を作製するときには、このミラー基板原型
部は、必ずしも最終的に得られるミラー基板と完全に一
致した構成とされている必要はなく、その後に適当な処
理を施すことにより、最終的に意図するミラー基板が得
られるようにしてもかまわない。これは、電極基板原型
部についても同様である。

【００８１】図２４および図２５は、本願発明に係るガ
ルバノミラーの他の例を示している。

【００８２】これらの図に示すガルバノミラーＡｂは、
１つのミラー基板１Ａと、１つの電極基板２Ｃとを組み
合わせて構成されている。ミラー基板１Ａの可動部１１
は、ミラー面１０が設けられている片面とは反対側の片
面のみに一対の第１電極１４ｃ，１４ｄが設けられた構
成とされている。図面上は表われていないが、ミラー基
板１Ａの適所には、それら一対の第１電極１４ｃ，１４
ｄに電圧を印加するための端子部が設けられている。電
極基板２Ｃは、第１電極１４ｃ，１４ｄに対向する一対
の第２電極２２ｅ，２２ｆと、これらに導通する一対の
端子部２３ａとを有している。

【００８３】このガルバノミラーＡｂにおいては、たと
えば第１電極１４ｃ，１４ｄを負極にするとともに、第
２電極２２ｅを正極にする電圧印加を行うと、第１電極
１４ｃと第２電極２２ｅとの間に静電力が発生し、可動
部１１は矢印Ｎｂ方向に回転する。上記とは異なり、第
２電極２２ｆを正極にした場合には、可動部１１は上記
矢印Ｎｂとは反対方向に回転する。

【００８４】本願発明に係るガルバノミラーの製造方法
は、上記したガルバノミラーＡｂを製造する場合にも適
用することができる。ガルバノミラーＡｂを製造するに
は、材料基板としてたとえば２枚のシリコンウェハを準
備した後に、これら２枚のウェハに、ミラー基板１Ａに
対応した構成の複数のミラー基板原型部と、電極基板２
Ｂに対応した構成の複数の電極基板原型部とを作製す
る。次いで、それら２枚のウェハを積層させて接合させ
てから切断する。ミラー基板と電極基板とを組み合わせ
た構造のガルバノミラーであれば、電極基板が１つであ
るか２つであるかには関係なく、本願発明を適用するこ
とが可能である。なお、図２４および図２５に示したい
わゆる２層構造のガルバノミラーに比べて、図１〜図６
に示したいわゆる３層構造のガルバノミラーは、電極数
が多い分だけ可動部１１の回転トルクを大きくすること
が可能である。このことは、３層構造のガルバノミラー
は、２層構造のガルバノミラーと比較すると、可動部１
１の回転トルクを同一にする場合に、各電極の面積を小
さくするとともに、各電極への印加電圧を低くすること
ができることを意味する。

【００８５】本願発明に係るガルバノミラーの製造方法
の各作業工程の具体的な構成は、上述した実施形態に限
定されない。たとえば、複数のミラー基板原型部や複数
の電極基板原型部が作製された材料基板を切断するため
の手段は、反応性イオンエッチングに限定されず、これ
以外のエッチング処理、あるいはエッチング以外の切断
手段を用いることができる。また、本願発明に係るガル
バノミラーの各部の具体的な構成についても、種々に設
計変更自在である。

【００８６】（付記１） ミラー面と第１電極とが形成
されている可動部およびこの可動部を支持するフレーム
を有するミラー基板と、このミラー基板に積層され、か
つ上記第１電極に対向する第２電極を有する少なくとも
１つの電極基板と、を具備している、ガルバノミラーを
製造するための方法であって、第１の材料基板に、上記
ミラー基板の各部に対応した構成をそれぞれ有する複数
のミラー基板原型部を作製する工程と、少なくとも１つ
の第２の材料基板に、上記電極基板の各部に対応した構
成をそれぞれ有する複数の電極基板原型部を作製する工
程と、上記各ミラー基板原型部と上記各電極基板原型部
とを対向させるようにして、上記第１および第２の材料
基板を互いに積層させて接合する工程と、上記第１およ
び第２の材料基板を切断することにより、上記複数のミ
ラー基板原型部どうしおよび上記複数の電極基板原型部
どうしを分離する工程と、を有していることを特徴とす
るガルバノミラーの製造方法。 （付記２） 上記第１および第２の材料基板のそれぞれ
は、シリコンウェハである、付記１に記載のガルバノミ
ラーの製造方法。 （付記３） ２つの第２の材料基板を用いることによ
り、これら２つの第２の材料基板のそれぞれに上記複数
の電極基板原型部を作製するとともに、これら２つの第
２の材料基板と上記第１の材料基板とを積層させるとき
には、上記２つの第２の材料基板の間に上記第１の材料
基板を配置することにより、２つの電極基板の間に１つ
のミラー基板が挟まれた構造のガルバノミラーを製造す
る、付記１または２に記載のガルバノミラーの製造方
法。 （付記４） 上記第１および第２の材料基板を１つずつ
用いることにより、１つのミラー基板の片側に１つの電
極基板が積層された構造のガルバノミラーを製造する、
付記１または２に記載のガルバノミラーの製造方法。 （付記５） 上記第１および第２の材料基板の少なくと
も一方に、上記各ミラー基板原型部どうしまたは上記各
電極基板原型部どうしを区画するリブを設ける工程をさ
らに有しており、かつ、上記第１および第２の材料基板
を互いに積層させるときには、上記リブをこれら第１お
よび第２の材料基板の間に配置させる、付記１ないし４
のいずれかに記載のガルバノミラーの製造方法。 （付記６） 上記第１および第２の材料基板の切断は、
上記リブをその幅方向略中央部分で分断するように行
う、付記５に記載のガルバノミラーの製造方法。 （付記７） 上記第１の材料基板には、エッチング処理
が施されていない平面部分を設けておき、この平面部分
に膜を形成することにより上記ミラー面を設ける、付記
１ないし６のいずれかに記載のガルバノミラーの製造方
法。 （付記８） 上記第１および第２の材料基板に、上記第
１電極および上記第２電極にそれぞれ導通する複数の端
子部を形成する工程をさらに有しているとともに、上記
第１および第２の材料基板を互いに積層させるときに
は、上記複数の端子部の一部分をそれら第１および第２
の材料基板の間に配置し、かつ、上記第１および第２の
材料基板の切断は、エッチング処理によって行うことに
より、このエッチング処理において、上記第１および第
２の材料基板のうち、これら第１および第２の材料基板
の間に配置された端子部に対向する領域を除去する、付
記１ないし７のいずれかに記載のガルバノミラーの製造
方法。 （付記９） 上記第１および第２の材料基板のいずれか
一方に、複数の端子部を形成する工程と、上記第１およ
び第２の材料基板の少なくとも一方に、これら第１およ
び第２の材料基板を互いに積層させたときに上記第１電
極および上記第２電極の少なくとも一方を上記複数の端
子部に導通させるためのスルーホールを含む配線部を形
成する工程と、をさらに有している、付記１ないし７の
いずれかに記載のガルバノミラーの製造方法。 （付記１０） 上記第１および第２の材料基板の少なく
とも一方に、これら第１および第２の材料基板を互いに
積層させたときにこれらの間において上記スルーホール
の開口部またはその近傍を囲み込むことが可能な環状の
凸部を形成する工程と、上記第１および第２の材料基板
を互いに積層させた後に、上記スルーホール内に導電性
物質を充填する工程と、をさらに有している、付記９に
記載のガルバノミラーの製造方法。 （付記１１） 上記各ミラー基板原型部どうしまたは上
記各電極基板原型部どうしを区画するように上記第１お
よび第２の材料基板の少なくとも一方に設けられるリブ
と、上記各凸部とは、同一の薄膜形成工程により設け
る、付記１０に記載のガルバノミラーの製造方法。 （付記１２） 上記第１の材料基板に上記複数のミラー
基板原型部を作製するときには、上記可動部が第１およ
び第２の支持部のそれぞれを介して上記フレームに対応
する部分に支持された構造とし、かつ、上記第１および
第２の材料基板を切断する工程において、上記第２の支
持部を分断する、付記１ないし１１のいずれかに記載の
ガルバノミラーの製造方法。 （付記１３） 付記１ないし１２のいずれかに記載のガ
ルバノミラーの製造方法によって製造されたことを特徴
とする、ガルバノミラー。

【００８７】

【発明の効果】以上の説明から理解されるように、本願
発明によれば、ガルバノミラーの生産効率を高めて、そ
の製造コストを従来よりも廉価にすることができる。ま
た、ガルバノミラーの品質のバラツキも抑えることがで
き、品質の高いガルバノミラーを得ることもできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本願発明に係るガルバノミラーの一例を示す斜
視図である。

【図２】図１のＩＩ−ＩＩ断面図である。

【図３】図１に示すガルバノミラーの作用説明図であ
る。

【図４】図１に示すガルバノミラーの分解斜視図であ
る。

【図５】図１に示すガルバノミラーを裏面側からみた斜
視図である。

【図６】図１に示すガルバノミラーを裏面側からみた分
解斜視図である。

【図７】（ａ），（ｂ）は、図１に示すガルバノミラー
の使用状態の説明図である。

【図８】本願発明に係るガルバノミラーの他の例を示す
分解断面図である。

【図９】（ａ），（ｂ）は、ガルバノミラーの製造工程
の説明図である。

【図１０】ミラー基板原型部を示す斜視図である。

【図１１】ミラー基板原型部を示す斜視図である。

【図１２】（ａ）〜（ｅ）は、ミラー基板原型部の製造
工程を示す断面図である。

【図１３】（ｆ）〜（ｈ）は、ミラー基板原型部の製造
工程を示す断面図である。

【図１４】電極基板原型部を示す斜視図である。

【図１５】電極基板原型部を示す斜視図である。

【図１６】電極基板原型部を示す斜視図である。

【図１７】電極基板原型部を示す斜視図である。

【図１８】ガルバノミラーの製造工程を示す要部斜視図
である。

【図１９】（ａ）〜（ｄ）は、ガルバノミラーの製造工
程を示す断面図である。

【図２０】本願発明に係るガルバノミラーの製造方法の
他の例を示す斜視図である。

【図２１】（ａ），（ｂ）は、本願発明に係るガルバノ
ミラーの製造方法の他の例を示す断面図である。

【図２２】本願発明に係るガルバノミラーの他の例を示
す斜視図である。

【図２３】本願発明に係るガルバノミラーの製造方法の
他の例を示す斜視図である。

【図２４】本願発明に係るガルバノミラーの他の例を示
す断面図である。

【図２５】図２４に示すガルバノミラーの分解斜視図で
ある。

【図２６】従来技術の一例を示しており、（ａ）は、全
体斜視図であり、（ｂ）は、その分解斜視図である。

【符号の説明】

Ａ，Ａａ，Ａｂ ガルバノミラー １，１Ａ ミラー基板 １’ ミラー基板原型部 ２Ａ〜２Ｃ 電極基板 ２A'，２B' 電極基板原型部 ４，４Ａ，４Ｂ ウェハ（材料基板） １０ ミラー面 １１ 可動部 １３ａ，１３ｂ 支持部 １４ａ，１４ｂ 第１電極 １７ 端子部 １８，１８Ａ リブ １９ スリット ２２ａ〜２２ｄ 第２電極 ２３ 端子部 ２４，２４Ａ リブ ２８ 端子部

フロントページの続き (72)発明者 水野 義博 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 Ｆターム(参考） 2H045 AB02 AB72 BA02 DA32 5D119 AA38 BA01 JA52 NA05

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ミラー面と第１電極とが形成されている
   可動部およびこの可動部を支持するフレームを有するミ
   ラー基板と、このミラー基板に積層され、かつ上記第１
   電極に対向する第２電極を有する少なくとも１つの電極
   基板と、を具備している、ガルバノミラーを製造するた
   めの方法であって、 第１の材料基板に、上記ミラー基板の各部に対応した構
   成をそれぞれ有する複数のミラー基板原型部を作製する
   工程と、 少なくとも１つの第２の材料基板に、上記電極基板の各
   部に対応した構成をそれぞれ有する複数の電極基板原型
   部を作製する工程と、 上記各ミラー基板原型部と上記各電極基板原型部とを対
   向させるようにして、上記第１および第２の材料基板を
   互いに積層させて接合する工程と、 上記第１および第２の材料基板を切断することにより、
   上記複数のミラー基板原型部どうしおよび上記複数の電
   極基板原型部どうしを分離する工程と、 を有していることを特徴とするガルバノミラーの製造方
   法。
2. 【請求項２】 上記第１および第２の材料基板の少なく
   とも一方に、上記各ミラー基板原型部どうしまたは上記
   各電極基板原型部どうしを区画するリブを設ける工程を
   さらに有しており、かつ、 上記第１および第２の材料基板を互いに積層させるとき
   には、上記リブをこれら第１および第２の材料基板の間
   に配置させる、請求項１に記載のガルバノミラーの製造
   方法。
3. 【請求項３】 上記第１および第２の材料基板の切断
   は、上記リブをその幅方向略中央部分で分断するように
   行う、請求項２に記載のガルバノミラーの製造方法。
4. 【請求項４】 上記第１の材料基板には、エッチング処
   理が施されていない平面部分を設けておき、この平面部
   分に膜を形成することにより上記ミラー面を設ける、請
   求項１ないし３のいずれかに記載のガルバノミラーの製
   造方法。
5. 【請求項５】 上記第１および第２の材料基板に、上記
   第１電極および上記第２電極にそれぞれ導通する複数の
   端子部を形成する工程をさらに有しているとともに、 上記第１および第２の材料基板を互いに積層させるとき
   には、上記複数の端子部の一部分をそれら第１および第
   ２の材料基板の間に配置し、かつ、 上記第１および第２の材料基板の切断は、エッチング処
   理によって行うことにより、このエッチング処理におい
   て、上記第１および第２の材料基板のうち、これら第１
   および第２の材料基板の間に配置された端子部に対向す
   る領域を除去する、請求項１ないし４のいずれかに記載
   のガルバノミラーの製造方法。
6. 【請求項６】 上記第１および第２の材料基板のいずれ
   か一方に、複数の端子部を形成する工程と、 上記第１および第２の材料基板の少なくとも一方に、こ
   れら第１および第２の材料基板を互いに積層させたとき
   に上記第１電極および上記第２電極の少なくとも一方を
   上記複数の端子部に導通させるためのスルーホールを含
   む配線部を形成する工程と、 をさらに有している、請求項１ないし４のいずれかに記
   載のガルバノミラーの製造方法。
7. 【請求項７】 上記第１および第２の材料基板の少なく
   とも一方に、これら第１および第２の材料基板を互いに
   積層させたときにこれらの間において上記スルーホール
   の開口部またはその近傍を囲み込むことが可能な環状の
   凸部を形成する工程と、 上記第１および第２の材料基板を互いに積層させた後
   に、上記スルーホール内に導電性物質を充填する工程
   と、 をさらに有している、請求項６に記載のガルバノミラー
   の製造方法。
8. 【請求項８】 上記各ミラー基板原型部どうしまたは上
   記各電極基板原型部どうしを区画するように上記第１お
   よび第２の材料基板の少なくとも一方に設けられるリブ
   と、上記各凸部とは、同一の薄膜形成工程により設け
   る、請求項７に記載のガルバノミラーの製造方法。
9. 【請求項９】 上記第１の材料基板に上記複数のミラー
   基板原型部を作製するときには、上記可動部が第１およ
   び第２の支持部のそれぞれを介して上記フレームに対応
   する部分に支持された構造とし、かつ、 上記第１および第２の材料基板を切断するときには、上
   記第２の支持部を分断する、請求項１ないし８のいずれ
   かに記載のガルバノミラーの製造方法。
10. 【請求項１０】 請求項１ないし９のいずれかに記載の
    ガルバノミラーの製造方法によって製造されたことを特
    徴とする、ガルバノミラー。