JP2002137990A - 単結晶製造方法及び単結晶引き上げ装置 - Google Patents
単結晶製造方法及び単結晶引き上げ装置Info
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Abstract
部材に移行して引き上げる場合に結晶支持部材が下方に
伸長したり、変形してもダッシュネックが破断すること
を防止して結晶の引き上げ重量を増加する。 【解決手段】 ダッシュネック2をダッシュネック支持
部材により支持してくびれ4の下のボディ部7を形成中
にダッシュネック2の荷重が荷重移動開始荷重か否かを
判断し、荷重移動開始荷重の場合に、ダッシュネック支
持からくびれ支持に移行してくびれの荷重が荷重移動終
了重量か否かを判断し、荷重移動終了重量の場合に荷重
移動を終了してこれを繰り返す。
Description
hralski)法による単結晶製造方法及び単結晶引き上げ
装置に関し、特に単結晶の荷重をダッシュネック支持か
らくびれ支持に移行して単結晶を引き上げる単結晶製造
方法及び単結晶引き上げ装置に関する。
装置では、高耐圧気密チャンバ内を10torr程度に減圧
して新鮮なAr(アルゴン)ガスを流すとともに、チャ
ンバ内の下方に設けられた石英ルツボ内の多結晶を加熱
して溶融し、この融液の表面に種結晶を上から浸漬し、
種結晶と石英ルツボを回転、上下移動させながら種結晶
を引き上げることにより、種結晶の下に上端が突出した
円錐形の上部コーン部と、円筒形のボディ部と下端が突
出した円錐形の下部コーン部より成る単結晶(いわゆる
インゴット)を成長させるように構成されている。
晶が大口径化してその分、重量も重くなり、種結晶をワ
イヤやシャフトなどの主軸1により引き上げるのみでは
ダッシュネック2がその重量に耐えきれないので、ダッ
シュネック2の下に径拡大部6を形成してその下に環状
のくびれ部(単にくびれともいう)4を形成し、くびれ
部4を別の係止部材(以下、結晶支持部材)5で係止し
て引き上げる方式が知られている。また、くびれ部4を
形成しないで、直胴部(結晶ボディ部又は単にボディ
部)7を係止して引き上げる方式も知られている。
材5により単独又はダッシュネック支持とともに引き上
げる方法では、くびれ部4を支持した後に引き続き成長
する結晶の荷重が、保護すべきにダッシュネック2に移
行するという現象が発生した。特に荷重を100%結晶
支持部材5に移行する方法ではなく、ある程度の荷重を
ダッシュネック2に残す方法の場合にそのような現象が
多く発生した。
げに伴って増加する結晶荷重により結晶が本来の位置よ
り下方に下がることが判明した。また、結晶が本来の位
置より下方に下がる理由は、荷重により図11(b)に
示すように結晶支持部材5全体が下方に伸長したり、図
12(a)、(b)に示すように結晶支持部材5自体が
変形するからであった。なお、これを防止する方法とし
ては、主軸1の材料として結晶支持部材5より弾性の高
い材料を使用することにより結晶支持部材5より小さな
荷重で主軸1が伸長するようにすることが考えられる
が、この場合には設計上大きな制約となる。
であり、横軸は時間を、縦軸はダッシュネック2と結晶
支持部材5の各荷重を示す。図13において、くびれ部
4の下のボディ部7が形成されるまでダッシュネック2
の荷重が時間に比例して増加し、結晶支持部材5による
くびれ部4の支持が開始されるとダッシュネック2の荷
重が時間に比例して減少するとともに結晶支持部材5の
荷重が時間に比例して増加する。そして、結晶支持部材
5によるくびれ部4の支持が終了した時点で上記の現象
が発生すると、結晶荷重が100%結晶支持部材5に移
行せずにダッシュネック2に残り、さらに引き上げを継
続すると結晶支持部材5の荷重は増加せずに一定となっ
てダッシュネック2の荷重のみが増加する。このためダ
ッシュネック2は限界荷重で破断するので、結晶の引き
上げ重量に限界があるという問題がある。
荷重をダッシュネック支持から結晶支持部材に移行して
引き上げる場合に結晶支持部材が下方に伸長したり、変
形してもダッシュネックが破断することを防止して結晶
の引き上げ重量を増加することができる単結晶製造方法
及び単結晶引き上げ装置を提供することを目的とする。
するために、ダッシュネックの荷重とくびれの荷重をモ
ニタしてダッシュネックの荷重が再度、荷重移動開始荷
重になった場合に荷重移動を繰り返すようにしたもので
ある。
ダッシュネック支持からくびれ支持に移行して単結晶を
引き上げる単結晶製造方法において、ダッシュネックを
ダッシュネック支持部材により支持してくびれの下のボ
ディを形成中にダッシュネックの荷重が荷重移動開始荷
重か否かを判断する第1のステップと、前記第1のステ
ップにおいて荷重移動開始荷重の場合に、ダッシュネッ
ク支持からくびれ支持に移行してくびれの荷重が荷重移
動終了重量か否かを判断し、荷重移動終了重量の場合に
荷重移動を終了する第2のステップとを有し、前記第1
のステップの後に前記第2のステップに戻って前記第
1、2のステップを繰り返すことを特徴とする単結晶製
造方法が提供される。
ダッシュネック支持からくびれ支持に移行して単結晶を
引き上げる単結晶引き上げ装置において、ダッシュネッ
クを支持するダッシュネック支持部材と、くびれを支持
するくびれ支持部材と、ダッシュネックを前記ダッシュ
ネック支持部材により支持してくびれの下のボディを形
成中にダッシュネックの荷重が荷重移動開始荷重か否か
を判断し、荷重移動開始荷重の場合に、ダッシュネック
支持からくびれ支持に移行してくびれの荷重が荷重移動
終了重量か否かを判断し、荷重移動終了重量の場合に荷
重移動を終了してこれを繰り返す引き上げ制御手段と
を、有する単結晶引き上げ装置が提供される。
参照して本発明の実施の形態について説明する。図1は
本発明の第1の実施形態が適用される単結晶引き上げ装
置を概略的に示す説明図、図2は図1の装置の速度制御
を示す説明図、図3は本発明の第1の実施形態を説明す
るためのフローチャート、図4は本発明の荷重移動を示
す説明図である。
される単結晶引き上げ装置として例えば特開平11−9
2279号公報などに示されている。その特徴を説明す
ると、モータM1はワイヤ1により種結晶3と、その下
方のダッシュネック2を支持して引き上げるとともに、
結晶支持部材5及びそれを支持して引き上げるモータM
2も支持している。このとき、モータM1は図1
(a)、(b)、(c)及び図2に示すように、常に略
一定速度V0=結晶引き上げ速度で引き上げている。
晶荷重をダッシュネック2から結晶支持部材5に移行し
て引き上げる場合には、図1(b)及び図2に示すよう
にモータM2により結晶支持部材5を上昇(V1>0)
させて上昇中の径拡大部6の下方のくびれ部4あるいは
径拡大部6の下面を係止する。次いで荷重移動が完了す
ると、図1(c)及び図2に示すようにモータM2を停
止してモータM1のみにより引き上げる。したがって、
荷重移動時に結晶支持部材5が下方に伸長したり、変形
してこのまま引き上げを継続するとダッシュネック2が
破断する。
て説明する。まず、ステップS1では、ボディ部7ある
いはエンドコーンのプロセス中の場合にステップS2に
進み、他方、そうでなければこの処理を終了する。ステ
ップS2、S3はダッシュネック2のみにより引き上げ
ている状態の処理を示し、ステップS2において主軸1
すなわちダッシュネック2に加わる荷重W1を検出し、
次いで荷重W1≧パラメータP1か否かを判断する(ス
テップS3)。
2が破断する限界荷重に近い所定値である。また、荷重
W1を検出する方法としては、主軸1に設けられた重量
検出機構を用いる方法や、引き上げ中の結晶直径とその
引き上げ速度から計算される推定結晶重量から、結晶支
持部材5に設けられた重量検出機構により検出された重
量W2を差し引いた推定値を用いる方法を用いることが
できる。そして、W1≧P1でない場合にはステップS
1に戻ってW1≧P1になるまでダッシュネック2のみ
により引き上げを継続し、W1≧P1になるとステップ
S4に進む。
ちくびれ部4に加わる荷重W2を検出し、次いでW2+
P2=W3にセットし(ステップS5)、次いで結晶支
持部材5を速度V1>0で上昇させる(ステップS
6)。続くステップS7ではボディ部7あるいはエンド
コーンのプロセス中の場合にステップS8に進み、他
方、そうでなければステップS10に進んで結晶支持部
材5を停止(V1=0)する。ステップS8では荷重W
2を再度検出し、次いでW2≧W3か否かを判断する
(ステップS9)。そして、W2≧W3でない場合には
ステップS7に戻り、そうでなければステップS10に
進んで結晶支持部材5を停止する。
はエンドコーンのプロセスが終了しているか否かを判断
し、終了していない場合にはステップS1に戻って上記
の処理を繰り返し、他方、終了している場合にはこの処
理を終了する。したがって、図4に示すように結晶支持
部材5がくびれ4係止後に下方に伸長したり、変形して
ダッシュネック2に荷重が再度かかった場合にくびれ4
の係止を繰り返すので、ダッシュネック2が破断するこ
とを防止することができる。
して第2の実施形態について説明する。図5に示す構成
は、第2の実施形態が適用される単結晶引き上げ装置と
して例えば特公平7−103000号公報などに示され
ている。その特徴を説明すると、モータM1はダッシュ
ネック2のみを支持して引き上げ、また、モータM2は
結晶支持部材5のみを引き上げるようにして、独立して
構成されている。
(b)、(c)及び図6に示すように常に略一定速度V
0で引き上げている。そして、ボディ部7の一部が形成
されて結晶荷重をダッシュネック2から結晶支持部材5
に移行して引き上げる場合には、図5(b)及び図6に
示すようにモータM2により結晶支持部材5を速度V0
より早い速度V1>V0で上昇させて上昇中のくびれ部
4を係止する。次いで荷重移動が完了すると、図5
(c)及び図6に示すようにモータM1、M2の両方に
より同じ速度(V0=V1)で引き上げる。したがっ
て、荷重移動時に結晶支持部材5が下方に伸長したり、
変形してこのまま引き上げを継続するとダッシュネック
2が破断する。
て説明する。まず、第1の実施形態と同様に、ステップ
S1では、ボディ部7あるいはエンドコーンのプロセス
中の場合にステップS2に進み、他方、そうでなければ
この処理を終了する。ステップS2において主軸1すな
わちダッシュネック2に加わる荷重W1を検出し、次い
で荷重W1≧パラメータP1か否かを判断する(ステッ
プS3)。そして、W1≧P1でない場合にはステップ
S1に戻ってW1≧P1になるまでダッシュネック2の
みにより引き上げを継続し、W1≧P1になるとステッ
プS4に進む。
ちくびれ部4に加わる荷重W2を検出し、次いでW2+
P2=W3にセットする(ステップS5)。次いでこの
第2の実施形態では、結晶支持部材5を速度V1>V0
で上昇させる(ステップS6a)。続くステップS7で
はボディ部7あるいはエンドコーンのプロセス中の場合
にステップS8に進み、他方、そうでなければステップ
S10に進んで結晶支持部材5の速度V1をV1=V0
とする。ステップS8では荷重W2を再度検出し、次い
でW2≧W3か否かを判断する(ステップS9)。そし
て、W2≧W3でない場合にはステップS7に戻り、そ
うでなければステップS10に進んで結晶支持部材5の
速度V1をV1=V0とする。
はエンドコーンのプロセスが終了しているか否かを判断
し、終了していない場合にはステップS1に戻って上記
の処理を繰り返し、他方、終了している場合にはこの処
理を終了する。したがって、図4に示すように結晶支持
部材5がくびれ4係止後に下方に伸長したり、変形して
ダッシュネック2に荷重が再度かかった場合にくびれ4
の係止を繰り返すので、ダッシュネック2が破断するこ
とを防止することができる。
照して第3の実施形態について説明する。図7に示す構
成は、第3の実施形態が適用される単結晶引き上げ装置
として例えば特開平7−2893号公報などに示されて
いる。その特徴を説明すると、モータM1はダッシュネ
ック2のみを支持して引き上げるように構成されてい
る。そして、モータM2は結晶支持部材5とともにダッ
シュネック2(及びモータM1)を支持して引き上げる
ように構成されている。
に荷重移動開始前まではモータM1は上方向に略一定速
度V0=結晶引き上げ速度で引き上げ、モータM2は停
止している。荷重移動中には図8(b)及び図9に示す
ようにモータM1は下方向に回転し(V0<0)、モー
タM2は上方向に回転する(V1>V0)。荷重移動完
了後には図8(c)及び図9に示すようにモータM1は
停止し(V0=0)、モータM2は上方向に結晶引き上
げ速度で回転する。したがって、荷重移動時に結晶支持
部材5が下方に伸長したり、変形してこのまま引き上げ
を継続するとダッシュネック2が破断する。
いて説明する。まず、第1、第2の実施形態と同様に、
ステップS1では、ボディ部7あるいはエンドコーンの
プロセス中の場合にステップS2に進み、他方、そうで
なければこの処理を終了する。ステップS2において主
軸1すなわちダッシュネック2に加わる荷重W1を検出
し、次いで荷重W1≧パラメータP1か否かを判断する
(ステップS3)。そして、W1≧P1でない場合には
ステップS1に戻ってW1≧P1になるまでダッシュネ
ック2のみにより引き上げを継続し、W1≧P1になる
とステップS4に進む。
ちくびれ部4に加わる荷重W2を検出し、次いでW2+
P2=W3にセットする(ステップS5)。次いでこの
第3の実施形態では、主軸1を速度V2<0で下降させ
るとともに結晶支持部材5を速度V1>V0で上昇させ
る(ステップS6b)。続くステップS7ではボディ部
7あるいはエンドコーンのプロセス中の場合にステップ
S8に進み、他方、そうでなければステップS10に進
んで主軸1を停止(V1=0)するとともに、結晶支持
部材5を速度V1=V0で上昇させる。ステップS8で
は荷重W2を再度検出し、次いでW2≧W3か否かを判
断する(ステップS9)。そして、W2≧W3でない場
合にはステップS7に戻り、そうでなければステップS
10に進んで主軸1を停止(V1=0)するとともに、
結晶支持部材5を速度V1=V0で上昇させる。
はエンドコーンのプロセスが終了しているか否かを判断
し、終了していない場合にはステップS1に戻って上記
の処理を繰り返し、他方、終了している場合にはこの処
理を終了する。したがって、図4に示すように結晶支持
部材5がくびれ4の係止後に下方に伸長したり、変形し
てダッシュネック2に荷重が再度かかった場合にくびれ
4の係止を繰り返すので、ダッシュネック2が破断する
ことを防止することができる。
ッシュネックの荷重とくびれの荷重をモニタしてダッシ
ュネックの荷重が再度、荷重移動開始荷重になった場合
に荷重移動を繰り返すようにしたので、結晶荷重をダッ
シュネック支持から結晶支持部材に移行して引き上げる
場合に結晶支持部材が下方に伸長したり、変形してもダ
ッシュネックが破断することを防止することができる。
き上げ装置を概略的に示す説明図である。
ーチャートである。
き上げ装置を概略的に示す説明図である。
ーチャートである。
き上げ装置を概略的に示す説明図である。
ローチャートである。
明図である。
明図である。
Claims (2)
- 【請求項1】 単結晶の荷重をダッシュネック支持から
くびれ支持に移行して単結晶を引き上げる単結晶製造方
法において、 ダッシュネックをダッシュネック支持部材により支持し
てくびれの下のボディを形成中にダッシュネックの荷重
が荷重移動開始荷重か否かを判断する第1のステップ
と、 前記第1のステップにおいて荷重移動開始荷重の場合
に、ダッシュネック支持からくびれ支持に移行してくび
れの荷重が荷重移動終了重量か否かを判断し、荷重移動
終了重量の場合に荷重移動を終了する第2のステップと
を有し、 前記第1のステップの後に前記第2のステップに戻って
前記第1、2のステップを繰り返すことを特徴とする単
結晶製造方法。 - 【請求項2】 単結晶の荷重をダッシュネック支持から
くびれ支持に移行して単結晶を引き上げる単結晶引き上
げ装置において、 ダッシュネックを支持するダッシュネック支持部材と、 くびれを支持するくびれ支持部材と、 ダッシュネックを前記ダッシュネック支持部材により支
持してくびれの下のボディを形成中にダッシュネックの
荷重が荷重移動開始荷重か否かを判断し、荷重移動開始
荷重の場合に、ダッシュネック支持からくびれ支持に移
行してくびれの荷重が荷重移動終了重量か否かを判断
し、荷重移動終了重量の場合に荷重移動を終了してこれ
を繰り返す引き上げ制御手段とを、 有する単結晶引き上げ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000333282A JP3908457B2 (ja) | 2000-10-31 | 2000-10-31 | 単結晶製造方法及び単結晶引き上げ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000333282A JP3908457B2 (ja) | 2000-10-31 | 2000-10-31 | 単結晶製造方法及び単結晶引き上げ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002137990A true JP2002137990A (ja) | 2002-05-14 |
JP3908457B2 JP3908457B2 (ja) | 2007-04-25 |
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ID=18809388
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000333282A Expired - Fee Related JP3908457B2 (ja) | 2000-10-31 | 2000-10-31 | 単結晶製造方法及び単結晶引き上げ装置 |
Country Status (1)
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---|---|
JP (1) | JP3908457B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115029772A (zh) * | 2021-03-03 | 2022-09-09 | 晶科能源股份有限公司 | 晶体硅的制备方法、装置、电子设备及存储介质 |
-
2000
- 2000-10-31 JP JP2000333282A patent/JP3908457B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115029772A (zh) * | 2021-03-03 | 2022-09-09 | 晶科能源股份有限公司 | 晶体硅的制备方法、装置、电子设备及存储介质 |
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---|---|
JP3908457B2 (ja) | 2007-04-25 |
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