JP2002136139A - スイッチング電源回路 - Google Patents

スイッチング電源回路

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JP2002136139A
JP2002136139A JP2000333552A JP2000333552A JP2002136139A JP 2002136139 A JP2002136139 A JP 2002136139A JP 2000333552 A JP2000333552 A JP 2000333552A JP 2000333552 A JP2000333552 A JP 2000333552A JP 2002136139 A JP2002136139 A JP 2002136139A
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Japan
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circuit
switching
winding
voltage
switching element
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JP2000333552A
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English (en)
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Masayuki Yasumura
昌之 安村
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 アクティブクランプ回路を備える電源回路に
つき、DC−DC変換効率の向上を図る。 【解決手段】 一次側に電圧共振形コンバータを備える
と共に二次側並列共振回路を備えることで複合共振形ス
イッチングコンバータを形成し、また、一次側又は二次
側に対してアクティブクランプ回路を設けた電源回路に
おいて、アクティブクランプ回路の補助スイッチング素
子を駆動する自励発振駆動回路において、LCR直列共
振回路又は並列共振回路を備えて共振電流が流れるよう
にする。また、LCR直列共振回路又は並列共振回路
は、一次側電圧共振形コンバータのスイッチング周波数
に同期させるようにする。これにより、補助スイッチン
グ素子のターンオフ時における、スイッチング出力電流
(ドレイン電流又はコレクタ電流)の下降時間が大幅に
短縮され、スイッチング損失を低減することが可能にな
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、各種電子機器に電
源として備えられるスイッチング電源回路に関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】スイッチング電源回路として、例えばフ
ライバックコンバータやフォワードコンバータなどの形
式のスイッチングコンバータを採用したものが広く知ら
れている。これらのスイッチングコンバータはスイッチ
ング動作波形が矩形波状であることから、スイッチング
ノイズの抑制には限界がある。また、その動作特性上、
電力変換効率の向上にも限界があることがわかってい
る。そこで、先に本出願人により、各種共振形コンバー
タによるスイッチング電源回路が各種提案されている。
共振形コンバータは容易に高電力変換効率が得られると
共に、スイッチング動作波形が正弦波状となることで低
ノイズが実現される。また、比較的少数の部品点数によ
り構成することができるというメリットも有している。
【0003】図11の回路図は、先に本出願人が提案し
た発明に基づいて構成することのできる、先行技術とし
てのスイッチング電源回路の一例を示している。この図
に示す電源回路の基本構成としては、一次側スイッチン
グコンバータとして電圧共振形コンバータを備えてい
る。
【0004】この図に示す電源回路では、ブリッジ整流
回路Di及び平滑コンデンサCiによって、商用交流電
源(交流入力電圧VAC)から交流入力電圧VACの1倍の
レベルに対応する整流平滑電圧Eiを生成する。
【0005】上記整流平滑電圧Ei(直流入力電圧)を
入力して断続する電圧共振形コンバータとしては、1石
によるシングルエンド方式が採用される。また駆動方式
としては自励式の構成を採っている。この場合、電圧共
振形コンバータを形成するメインのスイッチング素子Q
1には、高耐圧のバイポーラトランジスタ(BJT;接
合型トランジスタ)が選定される。このメインスイッチ
ング素子Q1のコレクタ−エミッタ間に対しては、一次
側並列共振コンデンサCrが並列に接続される。また、
ベース−エミッタ間に対しては、クランプダイオードD
Dが接続される。ここで、並列共振コンデンサCrは、
絶縁コンバータトランスPITの一次巻線N1に得られ
るリーケージインダクタンスL1と共に、一次側並列共
振回路を形成しており、これによって電圧共振形コンバ
ータとしての動作が得られるようになっている。そし
て、メインスイッチング素子Q1のベースに対しては、
駆動巻線NB−共振コンデンサCB−ベース電流制限抵抗
RBから成る自励発振駆動回路が接続される。メインス
イッチング素子Q1には、この自励発振駆動回路にて発
生される発振信号を基とするベース電流が供給されるこ
とでスイッチング駆動される。なお、起動時においては
整流平滑電圧Eiのラインから起動抵抗Rs−ベース電
流制限抵抗RBを介してベースに流れる起動電流によっ
て起動される。
【0006】直交型制御トランスPRTは、上記駆動巻
線NBと電流検出巻線NDの巻装方向に対してその巻装方
向が直交するようにして制御巻線Ncが巻装されて構成
され、後述するようにして一次側電圧共振形コンバータ
のスイッチング周波数を制御するために設けられる。
【0007】絶縁コンバータトランスPITは、一次側
に得られたスイッチングコンバータのスイッチング出力
を二次側に伝送するために設けられる。ここでの詳しい
説明は省略するが、絶縁コンバータトランスPITに
は、コアに対してギャップが形成されていることで、疎
結合の状態が得られるようになっている。
【0008】上記絶縁コンバータトランスPITの一次
巻線N1の巻始め端部は、メインスイッチング素子Q1の
コレクタと接続されて、巻終わり端部は、電流検出巻線
NDを介して整流平滑電圧Eiのラインと接続される。
また、二次巻線N2の巻始め端部は二次側アースに対し
て接続され、巻終わり端部は整流ダイオードDOを介し
て平滑コンデンサCOの正極端子に対して接続される。
【0009】また、この図に示す回路の一次側において
は、先に本出願人が提案したアクティブクランプ回路2
2が設けられる。このアクティブクランプ回路22は、
図示するように、クランプコンデンサCCL−補助スイッ
チング素子Q2の直列接続回路を、絶縁コンバータトラ
ンスPITの一次巻線N1に対して並列に接続して形成
されるものである。ここでは、補助スイッチング素子Q
2にはMOS−FETが採用される。
【0010】この補助スイッチング素子Q2の駆動回路
系としては、図示するように、補助スイッチング素子Q
2のゲートに対して、コンデンサCg−抵抗Rg−駆動
巻線Ngを直列接続した自励発振駆動回路が接続され
る。また、補助スイッチング素子Q2のゲート−ソース
間には、抵抗R1が挿入される。この場合の駆動巻線N
gは、絶縁コンバータトランスPITにおいて、一次巻
線N1の巻終わり端部側を巻き上げるようにして形成さ
れており、その巻数としては例えば1T(ターン)とし
ている。そして補助スイッチング素子Q2は、メインス
イッチング素子Q1のスイッチング周期に同期したオン
/オフタイミングで以て、所定期間において導通するよ
うにスイッチング動作を行うことになるが、これによ
り、メインスイッチング素子Q1がオフとなる期間にお
いて並列共振コンデンサCrの両端に発生する並列共振
パルス波形をクランプして、そのピークレベルを抑制す
るようにされる。
【0011】一次側電圧共振形コンバータを形成するメ
インスイッチング素子Q1のスイッチング出力は、上記
した構造の絶縁コンバータトランスPITの一次巻線N
1に伝送され、更に二次巻線N2に対して励起されるよう
にして伝達されることになる。
【0012】この場合、絶縁コンバータトランスPIT
の二次側においては、図示するように二次巻線N2に対
して並列に二次側並列共振コンデンサC2が接続される
ことで、二次巻線N2のリーケージインダクタンスL2と
共に二次側並列共振回路を形成する。そして、この二次
側並列共振回路に対して、図示する接続形態によって整
流ダイオードDO及び平滑コンデンサCOから成る半波整
流回路が接続されることで、二次側直流出力電圧EOを
出力する。
【0013】このような構成による電源回路では、一次
側にはスイッチング動作を電圧共振形とするための並列
共振回路が備えられ、二次側には電圧共振動作を得るた
めの並列共振回路が備えられることになる。なお、本明
細書では、このように一次側及び二次側に対して共振回
路が備えられて動作する構成のスイッチングコンバータ
については、「複合共振形スイッチングコンバータ」と
もいうことにする。
【0014】制御回路1は、二次側直流出力電圧EOの
レベルに応じて可変の直流電流を、制御電流として、直
交型制御トランスPRTの制御巻線Ncに流すようにさ
れる。このようにして、制御巻線Ncに流れる制御電流
レベルが可変されることで、直交型制御トランスPRT
においては、駆動巻線NBのインダクタンスLBを可変す
るように制御することになる。これによって、自励発振
駆動回路における駆動巻線NB−共振コンデンサCBから
成る共振回路の共振周波数が変化し、メインスイッチン
グ素子Q1のスイッチング周波数が可変制御されること
になる。このようにしてメインスイッチング素子Q1の
スイッチング周波数が可変されることで、二次側直流出
力電圧EOが一定となるように制御される。つまり、電
源の安定化が図られる。
【0015】ここで、参考までに上記図11に示す電源
回路における要部の仕様を以下に記しておく。絶縁コン
バータトランスPITは、ER40型のフェライトコア
を用い、一次巻線N1=50T、二次巻線N2=50Tと
される。また、駆動用共振コンデンサCg=0.33μ
F、抵抗Rg=10Ω、抵抗R1=82Ω、一次側並列
共振コンデンサCr=2200pF、クランプコンデン
サCCL=0.047μF、二次側並列共振コンデンサC
2=7500pFが選定されている。このような仕様と
することで、負荷電力Po=200W〜0Wの条件に対
して、交流入力電圧VAC=80V〜288Vまでの広範
囲で実用充分なレギュレーション特性が満足される。
【0016】図12は、上記図11に示した電源回路に
おける一次側の動作を示す波形図である。図12(a)
〜(g)は、それぞれ交流入力電圧VAC=100Vで、
負荷電力Po=200W時の動作を示し、図12(h)
〜(n)は、それぞれ交流入力電圧VAC=100Vで、
負荷電力Pomin=0Wとされる無負荷時の動作を示し
ている。先ず、負荷電力Po=200W時において、メ
インスイッチング素子Q1//一次側並列共振コンデンサ
Crの並列接続回路の両端に得られる一次側並列共振電
圧V1は、図12(a)に示すようにして、メインスイ
ッチング素子Q1がオンとなる期間TON1においては0レ
ベルで、オフとなる期間TOFF1において図示するような
並列共振パルス波形が得られており、これにより、メイ
ンスイッチング素子Q1のスイッチング動作が電圧共振
形となっていることが示される。このようなメインスイ
ッチング素子Q1のオン/オフタイミングに応じて、メ
インスイッチング素子Q1のコレクタに流れるコレクタ
電流は図12(b)に示す波形となる。
【0017】また、アクティブクランプ回路22を形成
する補助スイッチング素子Q2のゲートには、駆動巻線
Ngに励起された交番電圧が、抵抗Rg−コンデンサC
gの直列接続を介して印加されることで、補助スイッチ
ング素子Q2のゲート−ソース間電圧VGSとしては、図
12(g)に示すようにして、期間TOFF1にて台形形状
のパルスとなる波形が得られる。また、このときには、
抵抗Rg−コンデンサCgの直列接続回路によってゲー
ト−ソース間電圧VGSを微分した波形による駆動巻線電
流Igが、図12(f)に示すようにして、流れること
になる。この微分波形は、並列共振パルス波形の立ち上
がり期間と立ち下がり期間である、期間TOFF1における
開始区間と終了区間において得られる。このような駆動
回路系の動作により、アクティブクランプ回路22を形
成する補助スイッチング素子Q2//クランプダイオード
DD2の並列回路は、期間TON2において導通し、期間TO
FF2においてオフとなるようにスイッチング動作を行う
ことになる。
【0018】そして、期間TON2においては、本来、並
列共振コンデンサCrへ流れる電流が、クランプコンデ
ンサCCLに対して、図12(d)に示すようにしてクラ
ンプ電流IQ2となって流れるようにされる。この結果、
メインスイッチング素子Q1がオフとなる期間TOFF1に
おいて並列共振コンデンサCrへ流れる電流IC1は図1
2(e)に示すようにして、期間TOFF1における開始区
間と終了区間のみとなるが、これによって、並列共振コ
ンデンサCrにおける充電電流量は減少し、図12
(a)に示す並列共振電圧V1としては、そのピークレ
ベルが1/2程度にまでクランプされるようにして抑制
されることになる。
【0019】そして、無負荷の条件となって例えば二次
側並列共振電圧が上昇した場合には、上記図12(a)
〜(g)に示した波形は、それぞれ、図12(h)〜
(n)に示すようにして変化する。ここで、図12
(a)と図12(h)を比較して分かるように、負荷電
力Poが小さくなるのに従ってスイッチング周波数fs
は高くなるように制御されており、また、メインスイッ
チング素子Q1がオフとなる期間TOFF1は固定とされた
上で、オンとなる期間TONについて可変を行うことでス
イッチング周波数fs(スイッチング周期)を可変する
ようにされている。そして、このような動作によって定
電圧制御が行われていることになる。そして、このよう
にして、スイッチング周波数が可変された状態にあって
も、負荷電力Po=200W時の場合と同様のタイミン
グで、メインスイッチング素子Q1とアクティブクラン
プ回路22とがオン/オフ動作を行うことで、図12
(h)に示す並列共振電圧パルスのピークが抑制される
ものである。このようにして、アクティブクランプ回路
を備えた電源回路では、スイッチング動作により発生す
る電圧共振パルスのピークレベルを大幅に抑制すること
が可能であり、これによって、スイッチング素子や共振
コンデンサ等について低耐圧品を選定することができ
る。また、制御範囲も拡大されるという特性が得られて
いる。また、アクティブクランプ回路22の補助スイッ
チング素子Q2のための駆動回路としては、図11に示
したように自励発振駆動回路としていることで、例えば
他励式による場合よりも回路構成を簡略なものとしてい
る。
【0020】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記図11
に示したようにしてアクティブクランプ回路22を備え
る構成の場合、このアクティブクランプ回路の補助スイ
ッチング素子としては、MOS−FETを使用するもの
とされている。そして、この補助スイッチング素子Q2
に対して、自励発振駆動回路(Ng−Rg−Cg)によ
りスイッチング駆動を行っていることになる。ところ
が、このような構成の場合には次のような問題を有して
いる。MOS−FETは、その構造上、ゲート−ソース
間に静電容量が存在する。このため、図11に示す回路
において、このMOS−FETである補助スイッチング
素子Q2が導通したときには、上記ゲート−ソース間の
静電容量に充電電荷が発生する。しかし、この充電電荷
は、ターンオフ時において電流Ig(図12(f)、図
12(m))として引き抜かれるようにして減少するの
ではあるが、図11に示す自励発振駆動回路(Ng−R
g−Cg)の構成では、この充電電荷をターンオフ時に
対応する短時間の間に急速かつ充分に引き抜くことがで
きない。このため、ターンオフ時における補助スイッチ
ング素子Q2の下降時間tfが長くなる。このため、理
想的には、図12(d)(k)に示すクランプ電流IQ2
は、補助スイッチング素子Q2のターンオフ時には、急
峻に0レベルとなるべきなのであるが、実際には、ター
ンオフ期間がそのまま下降時間tfとなって、クランプ
電流が流れてしまっている。
【0021】このようにして、ターンオフ時においてク
ランプ電流が流れることで、特に補助スイッチング素子
Q2におけるスイッチング損失が3W程度増加してしま
うことになる。この結果、電源回路としてのDC−DC
電力変換効率は、アクティブクランプ回路を設けない回
路構成の場合が例えば97%であるのに対して、95.
5%に低下する。そして負荷電力200Wの条件では、
入力電力が3Wほど増加してしまう。また、電力損失が
増加することで発熱が生じるために、MOS−FETで
ある補助スイッチング素子Q2についての信頼性の確保
のため、放熱板を取り付ける必要があり、これが回路基
板の小型、軽量化の妨げとなっている。
【0022】
【課題を解決するための手段】そこで本発明は、上記し
た課題を考慮して、スイッチング電源回路として次のよ
うに構成する。つまり、自励発振駆動回路によりスイッ
チング駆動されることで、直流入力電圧についてスイッ
チングを行うスイッチング素子を備えて形成されるスイ
ッチング手段と、一次巻線に得られる上記スイッチング
手段の出力を二次側に伝送する絶縁コンバータトランス
と、この絶縁コンバータトランスの一次巻線と、一次側
並列共振コンデンサとにより形成され、上記スイッチン
グ手段の動作を電圧共振形とするように設けられる一次
側並列共振回路とを備える。また、絶縁コンバータトラ
ンスに巻装した二次巻線に対して二次側並列共振コンデ
ンサを並列に接続することで形成される二次側並列共振
回路と、この二次側並列共振回路に得られる交番電圧を
入力して整流動作を行うことで二次側直流出力電圧を得
るように構成される直流出力電圧生成手段とを備える。
また、クランプコンデンサとバイポーラトランジスタと
による直列接続回路を備え、駆動用共振回路によりスイ
ッチング駆動されることで、上記スイッチング手段がオ
フとなる期間に一次側並列共振回路に発生する電圧をク
ランプするように設けられるアクティブクランプ手段を
設ける。そして、自励発振駆動回路を形成する第1の駆
動巻線と、駆動用共振回路を形成する第2の駆動巻線
と、これら第1及び第2の駆動巻線に対して上記スイッ
チング手段のスイッチング出力を励起させるための検出
巻線と、制御巻線とが巻装される制御トランスとを設
け、また、直流出力電圧生成手段により得られる直流出
力電圧のレベルに応じて可変されるレベルの制御電流
を、制御トランスの制御巻線に流すことにより、上記ス
イッチング素子のスイッチング周波数を可変制御して、
上記二次側直流出力電圧についての定電圧制御を行うよ
うにされる定電圧制御手段を備えるものである。
【0023】また、スイッチング電源回路として次のよ
うにも構成する。つまり、自励発振駆動回路によりスイ
ッチング駆動されることで、直流入力電圧についてスイ
ッチングを行うスイッチング素子を備えて形成されるス
イッチング手段と、一次巻線に得られる上記スイッチン
グ手段の出力を二次側に伝送する絶縁コンバータトラン
スと、この絶縁コンバータトランスの一次巻線と、一次
側並列共振コンデンサとにより形成され、上記スイッチ
ング手段の動作を電圧共振形とするように設けられる一
次側並列共振回路とを備える。また、絶縁コンバータト
ランスに巻装した二次巻線に対して二次側並列共振コン
デンサを並列に接続することで形成される二次側並列共
振回路と、この二次側並列共振回路に得られる交番電圧
を入力して整流動作を行うことで二次側直流出力電圧を
得るように構成される直流出力電圧生成手段とを備え
る。また、クランプコンデンサとMOS型電界効果トラ
ンジスタとによる直列接続回路を備え、駆動巻線に対し
て共振コンデンサを並列に接続することで形成される駆
動用共振回路によりスイッチング駆動されることで、上
記スイッチング手段がオフとなる期間に一次側並列共振
回路に発生する電圧をクランプするように設けられるア
クティブクランプ手段を設ける。そして、自励発振駆動
回路を形成する第1の駆動巻線と、上記駆動用共振回路
を形成する第2の駆動巻線と、これら第1及び第2の駆
動巻線に対して上記スイッチング手段のスイッチング出
力を励起させるための検出巻線と、制御巻線とが巻装さ
れる制御トランスと、直流出力電圧生成手段により得ら
れる直流出力電圧のレベルに応じて可変されるレベルの
制御電流を、制御トランスの制御巻線に流すことによ
り、上記スイッチング素子のスイッチング周波数を可変
制御して、上記二次側直流出力電圧についての定電圧制
御を行うようにされる定電圧制御手段とを備えることと
した。
【0024】また、スイッチング電源回路として次のよ
うにも構成する。つまり、発振周波数信号を出力する発
振手段と、発振周波数信号に基づいてスイッチング駆動
されることで、直流入力電圧についてスイッチングを行
うスイッチング素子を備えて形成されるスイッチング手
段と、一次巻線に得られる上記スイッチング手段の出力
を二次側に伝送する絶縁コンバータトランスと、この絶
縁コンバータトランスの一次巻線と、一次側並列共振コ
ンデンサとにより形成され、上記スイッチング手段の動
作を電圧共振形とするように設けられる一次側並列共振
回路とを備える。また、絶縁コンバータトランスに巻装
した二次巻線に対して二次側並列共振コンデンサを並列
に接続することで形成される二次側並列共振回路と、こ
の二次側並列共振回路に得られる交番電圧を入力して整
流動作を行うことで二次側直流出力電圧を得るように構
成される直流出力電圧生成手段とを備える。そして、ク
ランプコンデンサとバイポーラトランジスタとによる直
列接続回路を備え、駆動巻線と、この駆動巻線に対して
直列に接続される共振コンデンサと抵抗とを備えて形成
される駆動用共振回路によりスイッチング駆動されるこ
とで、スイッチング手段がオフとなる期間に一次側並列
共振回路に発生する電圧をクランプするように設けられ
るアクティブクランプ手段を設け、また、駆動巻線に対
してスイッチング手段のスイッチング出力を伝達するた
めの構造を有するドライブトランスと、二次側直流出力
電圧のレベルに応じて、スイッチング素子のスイッチン
グ周波数を可変制御することで二次側直流出力電圧につ
いての定電圧制御を行うようにされる定電圧制御手段と
を備えることとした。
【0025】また、スイッチング電源回路として次のよ
うにも構成する。つまり、発振周波数信号を出力する発
振手段と、発振周波数信号に基づいてスイッチング駆動
されることで、直流入力電圧についてスイッチングを行
うスイッチング素子を備えて形成されるスイッチング手
段と、一次巻線に得られるスイッチング手段の出力を二
次側に伝送する絶縁コンバータトランスと、絶縁コンバ
ータトランスの一次巻線と、一次側並列共振コンデンサ
とにより形成され、上記スイッチング手段の動作を電圧
共振形とするように設けられる一次側並列共振回路とを
備える。また、絶縁コンバータトランスに巻装した二次
巻線に対して二次側並列共振コンデンサを並列に接続す
ることで形成される二次側並列共振回路と、二次側並列
共振回路に得られる交番電圧を入力して整流動作を行う
ことで二次側直流出力電圧を得るように構成される直流
出力電圧生成手段と、クランプコンデンサとMOS型電
界効果トランジスタとによる直列接続回路を備える。、
駆動巻線と共振コンデンサとから成る共振回路を備えて
形成される駆動用共振回路によりスイッチング駆動され
ることで、スイッチング手段がオフとなる期間に一次側
並列共振回路に発生する電圧をクランプするように設け
られるアクティブクランプ手段と、上記駆動巻線に対し
てスイッチング手段のスイッチング出力を伝達するため
の構造を有するドライブトランスを備える。そしてま
た、二次側直流出力電圧のレベルに応じて、上記スイッ
チング素子のスイッチング周波数を可変制御すること
で、上記二次側直流出力電圧についての定電圧制御を行
うようにされる定電圧制御手段を備えることとした。
【0026】また、スイッチング電源回路として次のよ
うにも構成することとした。つまり、自励発振により所
定のスイッチング周波数により駆動されることで、直流
入力電圧についてスイッチングを行うスイッチング素子
を備えて形成されるスイッチング手段と、一次巻線に得
られる上記スイッチング手段の出力を二次側に伝送する
絶縁コンバータトランスと、絶縁コンバータトランスの
一次巻線と、一次側並列共振コンデンサとにより形成さ
れ、スイッチング手段の動作を電圧共振形とするように
設けられる一次側並列共振回路とを備える。また、絶縁
コンバータトランスに巻装される二次巻線に対して二次
側並列共振コンデンサを並列に接続することで形成され
る二次側並列共振回路と、この二次側並列共振回路に得
られる交番電圧を入力して整流動作を行うことで二次側
直流出力電圧を得るように構成される直流出力電圧生成
手段とを備える。また、クランプコンデンサとバイポー
ラトランジスタとによる直列接続回路を備え、少なくと
も駆動巻線と共振コンデンサを備えて形成される駆動用
共振回路によりスイッチング駆動されることで、直流出
力電圧生成手段を形成する整流ダイオード素子がオフと
なる期間に二次側並列共振回路に発生する電圧をクラン
プするように設けられるアクティブクランプ手段と、駆
動用共振回路の駆動巻線と、この駆動巻線に対して二次
巻線に得られる交番電圧を励起させる検出巻線と、制御
巻線とが巻装される制御トランスとを設ける。そしてま
た、直流出力電圧生成手段により得られる直流出力電圧
のレベルに応じて可変されるレベルの制御電流を、制御
トランスの制御巻線に流すことにより、上記バイポーラ
トランジスタの導通角を可変制御することで、二次側直
流出力電圧についての定電圧制御を行うようにされる定
電圧制御手段とを備えることとした。
【0027】上記各構成によれば、一次側においては電
圧共振形コンバータを形成するための一次側並列共振回
路を備え、二次側には、二次側巻線及び二次側並列共振
コンデンサとにより形成される二次側並列共振回路とが
備えられた、いわゆる複合共振形スイッチングコンバー
タの構成が得られる。そして一次側又は二次側に対し
て、一次側並列共振回路又は二次側並列共振回路に生じ
る並列共振電圧をクランプするためのアクティブクラン
プ手段が備えられることで、この並列共振電圧レベルを
抑制するようにされる。このような構成とされた上で、
本発明のアクティブクランプ手段は、駆動巻線と共振回
路を備えた駆動用共振回路によりスイッチング駆動され
るが、この駆動用共振回路は、一次側電圧共振形コンバ
ータのスイッチング周波数とほぼ同等となるようにされ
ている。このような構成を採ることで、アクティブクラ
ンプ手段を形成するトランジスタ素子の制御端子(ベー
ス、ゲート等)に供給される電流としては正弦波状とす
ることができ、この結果、アクティブクランプ回路を形
成するトランジスタ素子のターンオフ時における下降時
間tfを著しく短縮させることが可能となる。
【0028】
【発明の実施の形態】図1は、本発明の第1の実施の形
態としてのスイッチング電源回路(請求項1,2に対
応)の構成例を示している。この図1に示す電源回路
は、一次側に電圧共振形コンバータを備えると共に二次
側には並列共振回路を備えた複合共振形スイッチングコ
ンバータとしての構成を採る。
【0029】この図に示す電源回路においては、商用交
流電源(交流入力電圧VAC)を入力して直流入力電圧を
得るための整流平滑回路として、ブリッジ整流回路Di
及び平滑コンデンサCiからなる全波整流回路が備えら
れ、交流入力電圧VACの等倍のレベルに対応する整流平
滑電圧Eiを生成するようにされる。
【0030】この電源回路に備えられる電圧共振形のス
イッチングコンバータは、1石のメインスイッチング素
子Q1を備えた自励式の構成を採っている。この場合、
メインスイッチング素子Q1には、高耐圧のバイポーラ
トランジスタ(BJT;接合型トランジスタ)が採用さ
れている。
【0031】メインスイッチング素子Q1のベースと一
次側アース間には、駆動巻線NB、共振コンデンサCB、
ベース電流制限抵抗RBの直列接続回路よりなる自励発
振駆動用の直列共振回路が接続される。また、メインス
イッチング素子Q1のベースは、起動抵抗RSを介して平
滑コンデンサCi(整流平滑電圧Ei)の正極側にも接
続されており、起動時のベース電流を整流平滑ラインか
ら得るようにしている。
【0032】また、メインスイッチング素子Q1のベー
スと平滑コンデンサCiの負極(1次側アース)間に挿
入されるクランプダイオードDDにより、メインスイッ
チング素子Q1のオフ時に流れるクランプ電流の経路を
形成するようにされており、また、メインスイッチング
素子Q1のコレクタは、後述する直交型制御トランスP
RTに巻装される共振電流検出巻線NRを介して、絶縁
コンバータトランスPITの一次巻線N1の一端と接続
され、エミッタは接地される。
【0033】また、上記メインスイッチング素子Q1の
コレクタ−エミッタ間に対しては、並列共振コンデンサ
Crが並列に接続されている。この並列共振コンデンサ
Crは、自身のキャパシタンスと、後述する絶縁コンバ
ータトランスPITの一次巻線N1側のリーケージイン
ダクタンスL1とにより電圧共振形コンバータの一次側
並列共振回路を形成する。そして、ここでは詳しい説明
を省略するが、メインスイッチング素子Q1のオフ時に
は、この並列共振回路の作用によって並列共振コンデン
サCrの両端電圧V1は、実際には正弦波状のパルス波
形となって電圧共振形の動作が得られるようになってい
る。
【0034】この図に示す直交形制御トランスPRT
は、共振電流検出巻線NR、駆動巻線NB,NB2、及び制
御巻線NCが巻装された可飽和リアクトルである。この
場合の直交形制御トランスPRTは、メインスイッチン
グ素子Q1及び後述するアクティブクランプ回路20を
形成する補助スイッチング素子Q2を駆動すると共に、
定電圧制御のために設けられる。この直交形制御トラン
スPRTの構造としては、図示は省略するが、4本の磁
脚を有する2つのダブルコの字形コアの互いの磁脚の端
部を接合するようにして立体型コアを形成する。そし
て、この立体型コアの所定の2本の磁脚に対して、同じ
巻装方向に共振電流検出巻線NR、駆動巻線NB,NB2を
巻装し、更に制御巻線NCを、上記共振電流検出巻線NR
及び駆動巻線NB,NB2に対して直交する方向に巻装し
て構成される。なお、ここでは、駆動巻線NB2は、共振
電流検出巻線NRの巻終わり端部側を巻き上げるように
して形成している。
【0035】この場合、直交形制御トランスPRTの共
振電流検出巻線NRは、平滑コンデンサCiの正極と絶
縁コンバータトランスPITの一次巻線N1との間に直
列に挿入されることで、メインスイッチング素子Q1の
スイッチング出力は、一次巻線N1を介して共振電流検
出巻線NRに伝達される。直交形制御トランスPRTに
おいては、共振電流検出巻線NRに得られたスイッチン
グ出力がトランス結合を介して駆動巻線NB,NB2に誘
起されることで、駆動巻線NB,NB2の各々にはドライ
ブ電圧としての交番電圧が発生する。駆動巻線NBに得
られるドライブ電圧は、メインスイッチング素子Q1の
ための自励発振駆動回路を形成する直列共振回路(N
B,CB)からベース電流制限抵抗RBを介して、ドライ
ブ電流としてメインスイッチング素子Q1のベースに出
力される。これにより、メインスイッチング素子Q1
は、直列共振回路の共振周波数により決定されるスイッ
チング周波数でスイッチング動作を行うことになる。ま
た、駆動巻線NB2に得られるドライブ電圧は、後述する
ようにして、補助スイッチング素子Q2を駆動するため
の自励発振駆動回路を形成するLCR直列共振回路(N
B2−Cg−Rg)を介して、ドライブ電流としてメイン
スイッチング素子Q1のベースに出力される。これによ
り、補助スイッチング素子Q2も、LCR直列共振回路
の共振周波数により決定されるスイッチング周波数でス
イッチング動作を行うことになる。
【0036】絶縁コンバータトランスPITは、メイン
スイッチング素子Q1のスイッチング出力を二次側に伝
送する。絶縁コンバータトランスPITは、図9に示す
ように、例えばフェライト材によるE型コアCR1、C
R2を互いの磁脚が対向するように組み合わせたEE型
コアが備えられ、このEE型コアの中央磁脚に対して、
分割ボビンBを利用して一次巻線N1と、二次巻線N2を
それぞれ分割した状態で巻装している。そして、中央磁
脚に対しては図のようにギャップGを形成するようにし
ている。これによって、所要の結合係数による疎結合が
得られるようにしている。ギャップGは、E型コアCR
1,CR2の中央磁脚を、2本の外磁脚よりも短くする
ことで形成することが出来る。また、結合係数kとして
は、例えばk≒0.85という疎結合の状態を得るよう
にしており、その分、飽和状態が得られにくいようにし
ている。
【0037】ところで、絶縁コンバータトランスPIT
の二次側の動作としては、一次巻線N1、二次巻線N2の
極性(巻方向)と整流ダイオードDOの接続関係と、二
次巻線N2に励起される交番電圧の極性変化によって、
一次巻線N1のインダクタンスL1と二次巻線N2のイン
ダクタンスL2との相互インダクタンスMについて、+
Mの動作モード(加極性モード:フォワード動作)とな
る場合と−Mの動作モード(減極性モード:フライバッ
ク動作)となる場合とがある。例えば、図10(a)に
示す回路と等価となる場合に相互インダクタンスは+M
となり、図10(b)に示す回路と等価となる場合に相
互インダクタンスは−Mとなる。
【0038】上記絶縁コンバータトランスPITの一次
巻線N1の巻始め端部側は、メインスイッチング素子Q1
のコレクタと接続され、巻終わり端部は共振電流検出巻
線NRの直列接続を介して平滑コンデンサCiの正極
(整流平滑電圧Ei)と接続されている。
【0039】また、この図に示す電源回路の一次側には
アクティブクランプ回路20が備えられる。アクティブ
クランプ回路20は、補助スイッチング素子Q2,クラ
ンプコンデンサCCL,クランプダイオードDD2を備えて
いる。この場合、補助スイッチング素子Q2については
バイポーラトランジスタが選定される。また、クランプ
ダイオードDD2には、特性として逆回復特時間が長い高
速リカバリ型が選定される。
【0040】また、補助スイッチング素子Q2のコレク
タはクランプコンデンサCCLを介して整流平滑電圧Ei
のラインと一次巻線N1の巻終わり端部との接続点に対
して接続される。また、補助スイッチング素子Q2のエ
ミッタは一次巻線N1の巻始め端部側とメインスイッチ
ング素子Q1のコレクタとの接続点に対して接続され
る。また、クランプダイオードDD2は、そのアノードが
補助スイッチング素子Q2のエミッタに接続され、カソ
ードが補助スイッチング素子Q2のベースに接続されこ
とで、補助スイッチング素子Q2がオフとなる期間に流
れるクランプ電流の経路を形成するようにしている。こ
のように、本実施の形態のアクティブクランプ回路20
としては、上記補助スイッチング素子Q2及びクランプ
ダイオードDD2から成るスイッチング回路に対して、ク
ランプコンデンサCCLを直列に接続して成るものとされ
る。そして、このようにして形成される回路を絶縁コン
バータトランスPITの一次巻線N1に対して並列に接
続して構成されるものである。
【0041】また、前述もしたように、補助スイッチン
グ素子Q2の駆動回路系としては、補助スイッチング素
子Q2のベースに対して、抵抗Rg−コンデンサCg−
駆動巻線NB2の直列接続回路により形成されるLCR直
列共振回路が接続される。そして、上記LCR直列共振
回路(Rg−Cg−NB2)の共振周波数としては、メイ
ンスイッチング素子Q1の自励発振駆動回路を形成する
直列共振回路(RB−CB−NB2)と同等であるようにし
て設定される。つまり、メインスイッチング素子Q1の
スイッチング周波数とほぼ同等となるようにして設定さ
れる。このために、本実施の形態としては、例えば、抵
抗Rg=1Ω、コンデンサCg=0.68μFが選定さ
れ、駆動巻線NB2=3Tとしている。
【0042】ここで駆動巻線NB2は、直交型制御トラン
スPRTに巻装されていることで、メインスイッチング
素子Q1のスイッチング出力である共振電流を検出する
共振電流検出巻線NRに得られる交番電圧によって励起
される交番電圧が発生する。同様にして、駆動巻線NB
にも、共振電流検出巻線NRに得られる交番電圧によっ
て励起される交番電圧が発生することになる。また、こ
の場合には、その巻方向の関係から、駆動巻線NBと駆
動巻線NB2とでは、逆極性の交番電圧が得られる。
【0043】上記アクティブクランプ回路20は、後述
するようにして、メインスイッチング素子Q1//並列共
振コンデンサCrの並列回路の両端に発生する並列共振
電圧V1のピークレベルを抑制するように動作する。並
列共振電圧V1のピークレベルが抑制されることで、メ
インスイッチング素子Q1及び並列共振コンデンサCr
等の部品素子については、低耐圧品を選定することが可
能になるが、これにより、例えばメインスイッチング素
子Q1のスイッチング特性がより良好なものとなるた
め、電力損失の低減や回路としての信頼性の向上が図ら
れる。また、低耐圧品とされることで、部品サイズも小
型となるので、回路基板の小型軽量化の促進を図ること
も可能になる。
【0044】絶縁コンバータトランスPITの二次側で
は、一次巻線N1により誘起された交番電圧が二次巻線
N2に発生する。この場合、二次巻線N2に対しては、二
次側並列共振コンデンサC2が並列に接続されること
で、二次巻線N2のリーケージインダクタンスL2と二次
側並列共振コンデンサC2のキャパシタンスとによって
並列共振回路が形成される。この並列共振回路により、
二次巻線N2に誘起される交番電圧は共振電圧となる。
つまり二次側において電圧共振動作が得られる。
【0045】即ち、この電源回路では、一次側にはスイ
ッチング動作を電圧共振形とするための並列共振回路が
備えられ、二次側には電圧共振動作を得るための並列共
振回路が備えられた、「複合共振形スイッチングコンバ
ータ」としての構成を有する。
【0046】上記のようにして形成される電源回路の二
次側においては、整流ダイオードDO及び平滑コンデン
サCOを図示するようにして接続することで、フライバ
ック動作(図10(b)参照)によって半波整流動作を
行う半波整流回路を形成することで二次側直流出力電圧
EOを得るようにしている。なお、この直流出力電圧EO
は制御回路1に対しても分岐して入力される。制御回路
1においては、直流出力電圧EOを検出電圧及び制御回
路1の動作電源として利用する。
【0047】制御回路1では、二次側の直流出力電圧レ
ベルEOの変化に応じて、制御巻線NCに流す制御電流
(直流電流)レベルを可変することで、直交形制御トラ
ンスPRTに巻装された駆動巻線NBのインダクタンス
LBを可変制御する。これにより、駆動巻線NBのインダ
クタンスLBを含んで形成されるメインスイッチング素
子Q1のための自励発振駆動回路内の直列共振回路の共
振条件が変化する。これは、メインスイッチング素子Q
1のスイッチング周波数を可変する動作となり、この動
作によって二次側の直流出力電圧を安定化する。
【0048】ここで、アクティブクランプ回路20内の
補助スイッチング素子Q2は、駆動巻線NB2に励起され
る電圧に基づいて駆動される。また、メインスイッチン
グ素子Qが、駆動巻線NBに得られる交番電圧に基づい
て駆動される。そして、前述もしたようにして、駆動巻
線NB2と駆動巻線NBに得られる交番電圧は、それぞれ
逆極性となっていることで、補助スイッチング素子Q2
のスイッチング動作のタイミングとしては、メインスイ
ッチング素子Q1に同期して、メインスイッチング素子
Q1がオフとなる期間内にオンとなるように動作するも
のとなる。そして、本実施の形態では、直交型制御トラ
ンスPRTにおいて、駆動巻線NBと駆動巻線NB2とが
被制御巻線として巻装されている。このため、上述のよ
うにして、駆動巻線NBのインダクタンス変化に応じて
メインスイッチング素子Q1のスイッチング周波数が可
変制御されるのと同時に、駆動巻線NB2についてもイン
ダクタンスが変化することで、補助スイッチング素子Q
2も、メインスイッチング素子Q1に同期するようにして
スイッチング周波数が可変制御されることになる。
【0049】図2の波形図は、上記図1に示した電源回
路における要部の動作を示している。この図2に示され
る動作は、図1に示す回路についてAC100V系に対
応する構成とした場合に得られるものとされ、図2
(a)〜(g)には、交流入力電圧VAC=100V、負
荷電力Po=200Wとされる条件での各部の動作が示
され、図2(h)〜(n)には、交流入力電圧VAC=1
00V、負荷電力Po=20Wとされる条件での図2
(a)〜(g)と同じ部位の動作が示される。
【0050】先ず、図2(a)〜(g)に示される負荷
電力Po=200W時の動作から説明する。この図にお
いては、1スイッチング周期内の動作モードについて、
モード〜までの5段階の動作モードが示される。メ
インスイッチング素子Q1がオンとなるように制御され
るのは、期間TON1においてであり、この期間TON1にお
いてはモードとしての動作が得られる。なお、補助ス
イッチング素子Q2は、この期間TON1においてはオフ状
態にあるように制御される。
【0051】モード(期間TON1)においては、図2
(b)に示す波形により、メインスイッチング素子Q1
のコレクタにスイッチング出力電流IQ1が流れるのであ
るが、このスイッチング出力電流IQ1は、絶縁コンバー
タトランスPITの一次巻線N1に得られるリーケージ
インダクタンスL1を介してメインスイッチング素子Q1
に流れるものである。このときのスイッチング出力電流
IQ1としては、図2(b)の期間TON1に示すように、
初期において負の方向から正の方向に反転する波形とな
る。ここで、スイッチング出力電流IQ1が負の方向に流
れる期間は、直前の期間td2の終了を以て並列共振コ
ンデンサCrにおける放電が終了することでクランプダ
イオードDDが導通し、クランプダイオードDD→一次巻
線N1を介してスイッチング出力電流IQ1を流すこと
で、電源側に電力を回生するモードとなる。そして、ス
イッチング出力電流IQ1(図2(b))が負の方向から
正の方向に反転するタイミングにおいては、メインスイ
ッチング素子Q1は、ZVS(Zero Volt Switching)及び
ZCS(Zero Current Switching)によりターンオンす
る。
【0052】そして、次の期間td1においては、モー
ドとしての動作となる。この期間では、メインスイッ
チング素子Q1がターンオフすることで、一次巻線N1に
流れていた電流は、並列共振コンデンサCrに流れるこ
とになる。このときに、並列共振コンデンサCrに流れ
る電流Icrは、図2(e)に示すように、正極性によ
りパルス的に現れる波形を示す。これは部分共振モード
としての動作とされる。また、このときには、メインス
イッチング素子Q1に対して並列に並列共振コンデンサ
Crが接続されていることで、メインスイッチング素子
Q1はZVSによりターンオフされるものである。
【0053】続いては、補助スイッチング素子Q2がオ
ン状態となるように制御されると共に、メインスイッチ
ング素子Q1がオフ状態にあるように制御される期間と
なり、これは、図2(c)に示す補助スイッチング素子
Q2の両端電圧V2が0レベルとなる期間TON2に相当す
る。この期間TON2は、アクティブクランプ回路20の
動作期間であり、先ずモードとしての動作を行った後
にモードとしての動作を行うようにされる。
【0054】先のモードの動作では、一次巻線N1か
ら流れる電流によって並列共振コンデンサCrへの充電
が行われるが、これによりモードの動作としては、一
次巻線N1に得られている電圧レベルが、初期時(期間
TON2開始時)におけるクランプコンデンサCCLの両端
電圧レベルに対して同電位もしくはそれ以上となる。こ
れにより、補助スイッチング素子Q2に並列接続される
クランプダイオードDD2の導通条件が満たされて導通す
ることで、クランプダイオードDD2→補助スイッチング
素子Q2のベース→コレクタ→クランプコンデンサCCL
の経路で電流が流れるようにされ、クランプ電流IQ2と
しては、図2(d)の期間TON2開始時以降において、
負方向から時間経過に従って0レベルに近づく鋸歯状波
形が得られることになる。ここで、例えば、クランプコ
ンデンサCCLのキャパシタンスが並列共振コンデンサC
rのキャパシタンスの50倍以上となるように選定すれ
ば、このモードとしての動作によっては、大部分の電
流がクランプ電流IQ2としてクランプコンデンサCCLに
対して流れるようにされ、並列共振コンデンサCrに対
してはほとんど流れない。これにより、この期間TON2
時にメインスイッチング素子Q1にかかる並列共振電圧
V1(図2(a))の傾きは緩やかとなるようにされ、
結果的には、例えばアクティブクランプ回路20を設け
ない場合に対して1/2程度にまで抑制されてその導通
角は広がることになる。即ち、並列共振電圧V1に対す
るクランプ動作が得られる。
【0055】そして、期間TON2において上記モード
が終了すると引き続いてモードとしての動作に移行す
る。このモード開始時は、図2(d)に示すクランプ
電流IQ2が負の方向から正方向に反転するタイミングと
される。このタイミングでは、補助スイッチング素子Q
2は、このクランプ電流IQ2が負の方向から正方向に反
転するタイミングで、ZVS及びZCSによりターンオ
ンする。このようにして補助スイッチング素子Q2がオ
ンとなる状態では、このときに得られる一次側並列共振
回路の共振作用によって、一次巻線N1→クランプコン
デンサCCLを介して、補助スイッチング素子Q2のコレ
クタ→エミッタにクランプ電流IQ2が流れ、図2(d)
に示すように、正方向に増加していく波形が得られる。
【0056】上記モードの動作は、補助スイッチング
素子Q2がターンオンしていることで、これまで期間TO
FF1において0レベルとされていた、補助スイッチング
素子Q2の両端電圧V2が立ち上がりを開始するタイミン
グを以て終了するようにされ、続いては、期間td2に
おけるモードとしての動作に移行する。モードで
は、並列共振コンデンサCrが一次巻線N1に対して放
電電流を流す動作が得られる。つまり部分共振動作が得
られる。そしてこの部分共振動作に対応して、並列共振
コンデンサCrに流れる電流Icrは、図2(e)に示
すように、負極性によりパルス的に現れる波形が得られ
る。また、このときにメインスイッチング素子Q1にか
かる並列共振電圧V1は、上述もしたように並列共振コ
ンデンサCrのキャパシタンスが小さいことに因って、
その傾きが大きいものとなり、図2(a)に示すように
して、急速に0レベルに向かって下降するようにして立
ち下がっていく。そして、補助スイッチング素子Q2
は、上記モードが終了してモードが開始されるタイ
ミングでターンオフを開始するが、このときには、上記
したようにして並列共振電圧V1が或る傾きを有して立
ち下がることで、ZVSによるターンオフ動作となる。
また、補助スイッチング素子Q2がターンオフすること
によって発生する電圧は、上記したようにして並列共振
コンデンサCrが放電を行うことで、急峻には立ち上が
らないようにされる。この動作は、例えば図2(c)の
補助スイッチング素子Q2の両端電圧V2として示される
ように、期間td2(モード時)を以て、或る傾きを
有して0レベルからピークレベルに遷移する波形として
示されている。なお、この補助スイッチング素子Q2の
両端電圧V2としては、補助スイッチング素子Q2がオフ
とされる期間TOFF2において、例えばピークレベルをほ
ぼ維持すると共に、この期間TOFF2の開始期間である期
間td1(モード時)を以て0レベルに遷移し、終了
期間である期間td2(モード時)を以て、上述のよ
うに0レベルからピークレベルにまで遷移する波形とな
る。そして、以降は、1スイッチング周期ごとにモード
〜の動作が繰り返される。
【0057】ここで、補助スイッチング素子Q2のベー
ス−エミッタ間電圧VBEとしては、期間td1に立ち上
がり、期間td2において立ち下がることで期間TON2
において正極性にピークとなるパルス状の波形となる。
期間td1及び期間td2は、メインスイッチング素子
Q1及び補助スイッチング素子Q2が共にオフとなるスレ
ッシュホールド期間とされ、上記ベース流入電流Igが
流れることによってこのスレッシュホールド期間が保持
されるものである。
【0058】そして、補助スイッチング素子Q2のベー
スに流れるベース流入電流Igであるが、これは、抵抗
Rg−コンデンサCg−駆動巻線NB2とにより形成さ
れ、メインスイッチング素子Q1のスイッチング周波数
とほぼ同等の共振周波数となるようにされるLCR直列
共振回路が挿入されていることで、この直列共振回路の
共振作用によって、ベース流入電流Igは、図2(f)
に示すように、モード〜の期間においては正レベル
で、モードに対応する期間においては負レベルによる
正弦波が得られることになる。つまり、一次側電圧共振
形コンバータのスイッチング周波数と同等の周波数を有
する正弦波となっている。これに対して、図11に示し
た電源回路の場合には、補助スイッチング素子Q2の制
御端子(ゲート)に流入する電流Ig(図12(f))
は、期間td1及び期間td2に対応する期間におい
て、微分波形的なパルスとして得られていたものであ
る。
【0059】本実施の形態では、上記図2(f)に示す
ようにして、補助スイッチング素子Q2の制御端子であ
るベースに対して正弦波状のベース流入電流Igを流す
ようにしているが、これによって結果的には、補助スイ
ッチング素子Q2においては、ターンオフ時におけるク
ランプ電流(コレクタ電流)IQ2の下降時間tfを大幅
に短縮することを可能としている。つまり、補助スイッ
チング素子Q2のコレクタ電流であるスイッチング出力
電流IQ1について、図2(d)に示すようにして、補助
スイッチング素子Q2のターンオフ時(期間TON2の終了
時)において、急峻に0レベルと成るようにしているも
のである。これに対して、図11に示した電源回路で
は、図12(f)のゲート流入電流Igとして示されて
いたように、ターンオフ直後の部分共振期間がほぼ下降
時間tfとして現れていた。
【0060】また、上記図2(a)〜(g)に示した各
部の動作波形は、例えば負荷電力Po=0Wとなって無
負荷となった条件の下では、それぞれ、図2(h)〜
(n)に示すようにして変化する。
【0061】ここで、例えば図2(a)と図2(h)の
一次側並列共振電圧V1を比較して分かるように、図2
(h)に示す波形のほうが、メインスイッチング素子Q
1がオンとなる期間TON1が顕著に短くなっており、これ
によってスイッチング周波数は図2(a)に示す最大負
荷電力時よりも高くなっている。つまり、前述した直交
型制御トランスPRTによる定電圧制御動作として、メ
インスイッチング素子Q1のスイッチング周波数が可変
制御されているものである。また、補助スイッチング素
子Q2側の動作を示す、図2(j)の電圧V2、図2
(m)のゲート流入電流Ig、及び図2(n)のベース
−エミッタ間電圧VBEから分かるように、補助スイッチ
ング素子Q2についても、スイッチング周波数制御が行
われているものである。従って、本実施の形態において
は、補助スイッチング素子Q2は、メインスイッチング
素子Q1のスイッチング動作が制御されるのに同期する
ようにして、スイッチング周波数が可変制御されるもの
である。
【0062】そして、図2(h)〜(n)に示される無
負荷の条件の下でも、図示するタイミングでモード〜
の動作が行われることで、一次側並列共振電圧V1の
ピークレベルが抑制され、また、補助スイッチング素子
Q2の両端電圧V2のピークレベルも例えば1/2程度に
まで抑制される。
【0063】そして、これまでの説明から理解されるよ
うに、本実施の形態においては、アクティブクランプ回
路20の自励発振駆動回路系として、共振回路を備える
ことで、結果的に、補助スイッチング素子Q2がターン
オフする際の下降時間tfを大幅短縮しており、これに
よって、この下降時間tfによるスイッチング損失も減
少されることになる。そして、実際には、DC−DC電
力変換効率について、図11に示した回路では95.5
%であったのに対して、本実施の形態としての図1に示
す回路では、96.8%にまで向上されるという結果が
得られている。また、これに伴って入力電力は約3W低
減することができ、更に、無負荷(負荷電力Po=0
W)時における無効入力電力は、4.7Wから3.2W
にまで低減することが可能となった。そして、このよう
にして補助スイッチング素子Q2におけるスイッチング
損失が低減されることで発熱も抑えられるために、例え
ば補助スイッチング素子Q2に対して設けられていた放
熱板も不要とすることが可能となる。
【0064】また、図1に示す電源回路のようにして、
メインスイッチング素子Q1と補助スイッチング素子Q2
とが共にバイポーラトランジスタである場合のように、
その特性が同等である場合には、図3に示すようにし
て、メインスイッチング素子Q1と補助スイッチング素
子Q2とをパッケージ化して1部品とした複合トランジ
スタ30を形成し、これを使用することができる。な
お、この図に示す複合トランジスタ30にあっては、メ
インスイッチング素子Q1と補助スイッチング素子Q2と
について、それぞれ、[クランプダイオードDD−ツェ
ナーダイオードZD1]の直列接続回路と、[クランプ
ダイオードDD2−ツェナーダイオードZD2]の直列接
続回路とが図示する形態によって接続されている。ツェ
ナーダイオードZD1,ZD2は、クランプダイオードに
逆方向電流が流れようとする場合の保護用として設けら
れている。
【0065】図4は、本発明の第2の実施の形態として
のスイッチング電源回路(請求項4、5に対応)の構成
例を示している。なお、この図において図1と同一部分
には同一符号を付して説明を省略する。また、この第2
の実施の形態の電源回路としても、図9に示した絶縁コ
ンバータトランスPITを備えて、複合共振形スイッチ
ングコンバータの構成を採るようにされている。なお、
この点については、以降説明する各実施の形態について
も同様である。
【0066】この図4に示す電源回路においては、先
ず、商用交流電源ACに対して、[整流ダイオードDi
1,Di2,平滑コンデンサCi1,Ci2]を図示する接
続形態によって接続することで、直列接続された平滑コ
ンデンサCi1−Ci2の交流入力電圧VACの2倍に対応
する整流平滑電圧Eiを生成して一次側電圧共振形コン
バータに対して供給する。
【0067】また、本実施の形態の場合、一次側電圧共
振形コンバータは、他励式によるシングルエンド方式の
構成を採っている。そして、この場合にはメインスイッ
チング素子Q1として、IGBT(絶縁ゲートバイポー
ラトランジスタ)が採用されている。なお、このIGB
Tとしては、例えば800Vの中耐圧品が選定される。
IGBTとしてのメインスイッチング素子Q1のコレク
タは、一次巻線N1の巻終わり端部に対して接続され、
エミッタは一次側アースに対して接続される。また、並
列共振コンデンサCrは、メインスイッチング素子Q1
のコレクタ−エミッタ間に対して並列に接続される。ま
た、クランプダイオードDDもまた、メインスイッチン
グ素子Q1のコレクタ−エミッタ間に対して並列に接続
される。
【0068】スイッチング駆動部10は、他励式により
メインスイッチング素子Q1を駆動し、またスイッチン
グ周波数制御を行うために設けられているもので、例え
ば1石のICとして構成することができる。このスイッ
チング駆動部10は、発振回路11とドライブ回路12
から成る。このスイッチング駆動部10は、起動時にお
いては、整流平滑電圧Eiのラインから起動抵抗Rsを
介して起動用の電力を得るようにされている。
【0069】発振回路11では、発振信号を生成してド
ライブ回路12に対して出力する。ドライブ回路12に
おいては、入力された発振信号をIGBTであるメイン
スイッチング素子Q1を駆動可能なドライブ電圧に変換
して、メインスイッチング素子Q1のゲートに対して出
力する。これにより、メインスイッチング素子Q1はス
イッチング駆動されることになる。また、発振回路11
においては、制御回路1から出力される二次側直流出力
電圧EOの誤差検出出力に応じて、発振信号の周波数を
可変するように構成されている。このようにして、その
周波数が可変される発振信号に基づいてメインスイッチ
ング素子Q1が駆動されることで、メインスイッチング
素子Q1のスイッチング周波数が可変され、これによっ
て、二次側直流出力電圧EOの安定化が図られることに
なる。
【0070】また、この場合のアクティブクランプ回路
20Aとしては、駆動回路系としてドライブトランスD
Tが備えられる。このドライブトランスDTには、その
一次側に対して共振電流検出巻線NRが巻装され、二次
側に対して駆動巻線NB2が巻装される。これによって、
駆動巻線NB2に対しては共振電流検出巻線NRに得られ
た交番電圧が励起されることになって、結果的には、図
1の場合と同様に、LCR共振回路(Rg−Cg−NB
2)によって補助スイッチング素子Q2を駆動することが
できる。また、共振電流検出巻線NRには、負荷変動等
に応じてスイッチング周波数が制御されるメインスイッ
チング素子Q1のスイッチング出力が得られることか
ら、これによって励起される駆動巻線NB2に基づいて駆
動される補助スイッチング素子Q2としても、メインス
イッチング素子Q1と同等のスイッチング周波数となる
ように追随してスイッチング動作を行うようにされる。
そして、このような構成であっても、アクティブクラン
プ回路20Aにおける自励発振駆動回路としてLCR共
振回路(Rg−Cg−NB2)を備えた構成が採られてい
ることで、図1の電源回路と同様の効果が得られる。
【0071】図5には、第3の実施の形態としてのスイ
ッチング電源回路(請求項7、8に対応)の構成例が示
される。なお、この図において図1及び図4と同一部分
には同一符号を付して説明を省略する。この図に示す一
次側には、上記した各実施の形態と同様にして、電圧共
振形コンバータを備えるが、直交型制御トランスPRT
が省略されている。このため、メインスイッチング素子
Q1の自励発振駆動回路を形成する駆動巻線NBは、図示
するように、絶縁コンバータトランスPITの一次側に
巻装されることで、一次巻線N1に得られる交番電圧に
より励起されるようになっている。そして、このような
構成にあっては、メインスイッチング素子Q1について
の周波数制御は行われないことから、メインスイッチン
グ素子Q1は、自励発振駆動回路内に形成される共振回
路(NB−CB)による共振周波数によって決定される、
固定のスイッチング周波数によってスイッチング動作を
行うことになる。
【0072】そして、この第3の実施の形態において
は、アクティブクランプ回路は一次側ではなく、二次側
に設けられることになる。この二次側に設けられるアク
ティブクランプ回路20Bは、補助スイッチング素子Q
2として、図1及び図2に示したアクティブクランプ回
路20と同様に、バイポーラトランジスタが選定されて
いる。そして、自励発振による駆動回路系としては、図
示するように、直交型制御トランスPRTと、LCR共
振回路(Rg−Cg−NB2)を備えた構成が採られてい
る。
【0073】この場合には、補助スイッチング素子Q2
のコレクタは、クランプコンデンサCCLを介して、二次
巻線N2の巻終わり端部と整流ダイオードDO2のアノー
ドとの接続点に対して接続され、エミッタは二次側アー
スに接続される。
【0074】また、この場合の直交型制御トランスPR
Tは、図示するように、電流検出巻線NRと駆動巻線NB
2の巻装方向に対してその巻装方向が直交するようにし
て制御巻線Ncが巻装される。この場合、駆動巻線NB2
の一端は二次側アースに対して接続され、他端がコンデ
ンサCg−抵抗Rgを介して補助スイッチング素子Q2
のベースに接続される。また、共振電流検出巻線NR
は、二次巻線N2の巻始め端部と二次側アースとのあい
だに直列に挿入される。そして、制御回路1の検出出
力、即ち、制御電流は、二次側に設けられる直交型制御
トランスPRTの制御巻線Ncに対して供給されるよう
になっている。このような構成では、例えばスイッチン
グ周波数は固定とされた上で、負荷変動等による二次側
直流出力電圧EOのレベル変化に応じて、補助スイッチ
ング素子Q2のオフ期間は一定としてオン期間を可変制
御するという動作が得られる。つまり、補助スイッチン
グ素子Q2のスイッチング動作について、その導通角を
可変制御する動作が得られる。ここで、例えば軽負荷の
状態となって二次側直流出力電圧EOのレベルが上昇し
たとすると、補助スイッチング素子Q2のオン期間は拡
大されるようにして導通角制御が行われる。
【0075】そして、上記のようにしてPWM制御が行
われる結果、絶縁コンバータトランスPITの二次巻線
N2に誘起される電圧としては、負極性の波形のパルス
幅が拡大し、正極性の波形のパルス幅が短くなる。二次
側整流ダイオードDOでは、この二次側並列共振電圧を
入力してフォワード動作により整流を行うことから、二
次側整流ダイオードDOが導通してオンとなる期間は短
縮され、一方のオフとなる期間は拡大することになる。
このようにして、結果的には整流ダイオードDO1の導通
角が制御されることで、二次側直流出力電圧の安定化が
図られることになる。
【0076】このようにして二次側にアクティブクラン
プ回路を設けた構成では、整流ダイオードDO1がオフと
なる期間において発生する二次側並列共振回路(N2//
C2)の共振パルスのピークレベルについて、アクティ
ブクランプ回路を設けない場合の構成と比較して、ほぼ
1/2程度とすることができる。そして、本実施の形態
においては、二次側に設けられるアクティブクランプ回
路20Aにおける自励発振駆動回路についても、LCR
共振回路(Rg−Cg−Lg)の構成が採られているこ
とで、図1の電源回路と同様に、補助スイッチング素子
Q2によるスイッチング損失が低減され、電源回路とし
てのDC−DC電力変換効率を、アクティブクランプ回
路を設けない構成とした場合と同等にまで向上されるも
のである。
【0077】図6は、本発明の第4の実施の形態として
のスイッチング電源回路(請求項2に対応)の構成例を
示している。なお、この図において図1、図4、及び図
5と同一部分については同一符号を付して説明を省略す
る。この図に示す電源回路は、一次側に電圧共振形コン
バータ及びアクティブクランプ回路を備え、二次側に
は、並列共振回路及び半波整流回路を備えた複合共振形
コンバータとしての構成を採っており、全体的には、図
1の電源回路と同様の構成を採る。但し、一次側に設け
られるアクティブクランプ回路の構成が異なっている。
【0078】図6において示されるアクティブクランプ
回路21においては、補助スイッチング素子Q2とし
て、MOS−FETが選定されている。このように補助
スイッチング素子Q2がMOS−FETとされる場合に
は、ドレインがクランプコンデンサCCLと接続され、ソ
ースが一次巻線N1の巻始め端部側と接続される。ま
た、クランプダイオードDD2は、補助スイッチング素子
Q2のドレイン−ソース間に対して並列に接続される。
この場合のクランプダイオードDD2には、MOS−FE
Tとしての補助スイッチング素子Q2に内蔵される、い
わゆるボディダイオードを用いる。
【0079】また、先の第1〜第3の実施の形態(図
1,4,5の電源回路)においては、補助スイッチング
素子Q2を駆動するための共振回路としてLCR直列共
振回路とされているのに対して、この第4の実施の形態
においては、並列共振回路としている。つまり、駆動巻
線NB2に対して並列に共振コンデンサCgを接続するこ
とで並列共振回路を形成するものである。そして、この
並列共振回路の出力点と、補助スイッチング素子Q2の
ゲートとを、抵抗Rgを介して接続する。また、この場
合には、補助スイッチング素子Q2のゲート−ソース間
に対して並列に抵抗R1を接続している。また、この場
合にも、並列共振回路(NB2//Cg)の共振周波数は、
メインスイッチング素子Q1のスイッチング周波数と同
等となるようにされており、このために、自励発振駆動
回路を形成すべき各素子については、NB2=3T、Cg
=1μF、Rg=22Ω、R1=82Ωが選定されるこ
とで、自励発振駆動回路を形成している。
【0080】そして、このような構成による電源回路の
動作としては、先に図2に示した各部と同様の波形が得
られることになる。ここで、本実施の形態の場合、補助
スイッチング素子Q2はMOS−FETとなるのある
が、この場合にも、補助スイッチング素子Q2のゲート
−ソース間電圧は、図2(g)及び図2(n)と同様に
して、矩形波状となる。また、クランプ電流IQ2も、図
2(d)(k)と同様の波形が得られるのであるが、こ
の場合には、モードの期間に対応して流れる負極正方
向のクランプ電流IQ2は、一次巻線N1→クランプダイ
オードDD2→クランプコンデンサCCLの経路で流れるこ
とになる。そして、この実施の形態の場合にも、ゲート
流入電流Igとしては図2(f)(m)に示すようにし
てスイッチング周波数に応じた正弦波状となることに起
因して、補助スイッチング素子Q2のターンオフ時に生
じるクランプ電流(ドレイン電流)IQ2(図2(d)
(k))の下降時間tfは大幅に短縮される。従って、
スイッチング損失も低減され、結果的に回路全体として
のDC−DC変換効率の向上が図られる。この図6に示
す回路の場合には、実際の実験結果によりDC−DC電
力変換効率96.5%が得られ、図11に示した回路よ
りも1.0%向上している。また、入力電力は約2.3
W低減され、無負荷(負荷電力Po=0W)時における
無効入力電力は、4.7Wから3.5Wにまで低減され
た。そして、この実施の形態の場合にも、上記のように
して電力損失の低減が図られていることで、補助スイッ
チング素子Q2に対して設けられていた放熱板も不要と
することができる。
【0081】図7は本発明の第5の実施の形態としての
スイッチング電源回路(請求項6に対応)の構成例を示
している。なお、この図において、図1、図4、図5及
び図6と同一部分については同一符号を付して説明を省
略する。この図に示される電源回路の基本的構成として
は、図4に示した第2の実施の形態の回路とほぼ同様と
なる。つまり一次側電圧共振形コンバータは、スイッチ
ング駆動部10を備えることで他励式によりスイッチン
グ駆動される。但し、この場合には、メインスイッチン
グ素子Q1として、IGBTに代えてMOS−FETが
備えられ、従って、クランプダイオードDD2にはボディ
ダイオードが用いられて、メインスイッチング素子Q1
のドレイン−ソース間に対して並列に接続される。ま
た、この図において一次側に備えられるアクティブクラ
ンプ回路21Aであるが、これについては、図4に示さ
れたアクティブクランプ回路と同様に、ドライブトラン
スDTを備えた構成を採っており、また、補助スイッチ
ング素子Q2としてはMOS−FETが採用されてい
る。そしてまた、補助スイッチング素子Q2のための自
励発振駆動回路系としては、図6と同様となる。即ち、
抵抗Rgに対して、並列共振回路(NB2//Cg)を接続
して構成される。
【0082】図8は、第6の実施の形態としてのスイッ
チング電源回路(請求項7,9に対応)の構成例を示し
ている。なお、この図において、図1、図4、図5、図
6、及び図7と同一部分には、同一符号を付して説明を
省略する。この図に示される電源回路の全体的構成とし
ては、図5に示した第3の実施の形態としての電源回路
とほぼ同様となる。また、二次側に備えられるアクティ
ブクランプ回路21Bとしても、図5に示したアクティ
ブクランプ回路21に準じて、二次側に直交型制御トラ
ンスPRTを備えると共に、共振回路を備える自励発振
駆動回路を備えた構成が採られている。但し、このアク
ティブクランプ回路21Aにおいては、補助スイッチン
グ素子Q2としてIGBTが備えられる。また、自励発
振駆動回路としては、図6及び図7に示した場合と同様
に、抵抗Rgに対して、並列共振回路(NB2//Cg)を
接続して構成される。
【0083】上記図7及び図8に示した各構成にあって
も、アクティブクランプ回路21A,21B内の補助ス
イッチング素子Q2に流れるクランプ電流(ドレイン電
流又はコレクタ電流)についての、ターンオフ時におけ
る下降時間tfは大幅に短縮されるものであり、その結
果、これまで説明した各実施の形態と同様の効果が得ら
れるものである。
【0084】なお、本実施の形態においては、定電圧制
御を行うための制御トランスとして直交形制御トランス
が用いられているが、この直交形制御トランスの代わり
に、先に本出願人により提案された斜交形制御トランス
を採用することができる。上記斜交形制御トランスの構
造としては、ここでの図示は省略するが、例えば直交形
制御トランスの場合と同様に、4本の磁脚を有する2組
のダブルコの字形コアを組み合わせることで立体型コア
を形成する。そして、この立体形コアに対して制御巻線
NCと駆動巻線NBを巻装するのであるが、この際に、制
御巻線と駆動巻線の巻方向の関係が斜めに交差する関係
となるようにされる。具体的には、制御巻線NCと駆動
巻線NBの何れか一方の巻線を、4本の磁脚のうちで互
いに隣り合う位置関係にある2本の磁脚に対して巻装
し、他方の巻線を対角の位置関係にあるとされる2本の
磁脚に対して巻装するものである。そして、このような
斜交形制御トランスを備えた場合には、駆動巻線を流れ
る交流電流が負の電流レベルから正の電流レベルとなっ
た場合でも駆動巻線のインダクタンスが増加するという
動作傾向が得られる。これにより、駆動されるスイッチ
ング素子をターンオフするための負方向の電流レベルは
増加して、スイッチング素子の蓄積時間が短縮されるこ
とになるので、これに伴ってメインスイッチング素子の
ターンオフ時の下降時間も短くなり、スイッチング素子
の電力損失をより低減することが可能になるものであ
る。
【0085】また、本発明の実施の形態として各図に示
した構成に限定されるものではない。例えば、上記実施
の形態では、メインとなるスイッチング素子と補助スイ
ッチング素子とについては、バイポーラトランジスタ、
MOS−FET、IGBT等を採用するものとしている
が、ほかにも例えばSIT(静電誘導サイリスタ)など
の他の素子を採用することも考えられるものである。ま
た、メインスイッチング素子Q1を他励式により駆動す
るためのスイッチング駆動部の構成も各図に示したもの
に限定される必要はなく、適宜適切とされる回路構成に
変更されて構わない。また、メインスイッチング素子Q
1と補助スイッチング素子Q2とについての素子の種類の
組み合わせとしても、上記各図に示した構成に限定され
るものではない。また、二次側共振回路を含んで形成さ
れる二次側の整流回路としても、実施の形態としての各
図に示した構成に限定されるものではなく、他の回路構
成が採用されて構わないものである。
【0086】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、一次側に
電圧共振形コンバータを備えると共に二次側に並列共振
回路を備えることで複合共振形スイッチングコンバータ
を形成すると共に、一次側又は二次側に対してアクティ
ブクランプ回路を設けるようにされている。そして、こ
の構成の上で、アクティブクランプ回路において補助ス
イッチング素子を駆動する自励発振駆動回路において、
LCR直列共振回路又は並列共振回路(駆動用共振回
路)を備えるようにされる。また、この駆動用共振回路
は、メインスイッチング素子のスイッチング周波数と同
等の共振周波数となるようにされている。このような構
成であれば、補助スイッチング素子のターンオフ時にお
ける、スイッチング出力電流(ドレイン電流又はコレク
タ電流)の下降時間を大幅に短縮され、スイッチング損
失を低減することが可能になる。これにより、スイッチ
ング電源回路のDC−DC変換効率としては、例えばア
クティブクランプ回路を備えない場合と同程度にまで向
上させることができるという効果を有している。また、
これに伴って入力電力も低減することが可能になる。更
に、補助スイッチング素子におけるスイッチング損失の
低減によって、その発熱も抑えられることから、補助ス
イッチング素子に対して設けるべき放熱板も削除するこ
とが可能になり、それだけ、低コスト化及び回路の小型
軽量化を図ることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態としてのスイッチン
グ電源回路の構成を示す回路図である。
【図2】図1に示した電源回路における要部の動作を示
す波形図である。
【図3】複合トランジスタの内部構成例を示す回路図で
ある。
【図4】第2の実施の形態としてのスイッチング電源回
路の構成を示す回路図である。
【図5】第3の実施の形態としてのスイッチング電源回
路の構成を示す回路図である。
【図6】第4の実施の形態としてのスイッチング電源回
路の構成を示す回路図である。
【図7】第5の実施の形態としてのスイッチング電源回
路の構成を示す回路図である。
【図8】第6の実施の形態としてのスイッチング電源回
路の構成を示す回路図である。
【図9】絶縁コンバータトランスの構成を示す断面図で
ある。
【図10】相互インダクタンスが+M/−Mの場合の各
動作を示す等価回路図である。
【図11】先行技術としてのスイッチング電源回路の構
成を示す回路図である。
【図12】図11に示す電源回路における要部の動作を
示す波形図である。
【符号の説明】
1 制御回路、10 スイッチング駆動部、11 発振
回路、12 ドライブ回路、20,20A,20B,2
1,21A,21B,22 アクティブクランプ回路、
30 複合トランジスタ、Q1 メインスイッチング素
子、Q2 補助スイッチング素子、PIT 絶縁コンバ
ータトランス、PRT 直交型制御トランス、Cr 一
次側並列共振コンデンサ、C2 二次側並列共振コンデ
ンサ、CCLクランプコンデンサ、NB2 駆動巻線、Cg
共振用コンデンサ、Rg,R1抵抗

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 自励発振駆動回路によりスイッチング駆
    動されることで、直流入力電圧についてスイッチングを
    行うスイッチング素子を備えて形成されるスイッチング
    手段と、 一次巻線に得られる上記スイッチング手段の出力を二次
    側に伝送する絶縁コンバータトランスと、 上記絶縁コンバータトランスの一次巻線と、一次側並列
    共振コンデンサとにより形成され、上記スイッチング手
    段の動作を電圧共振形とするように設けられる一次側並
    列共振回路と、 上記絶縁コンバータトランスに巻装した二次巻線に対し
    て二次側並列共振コンデンサを並列に接続することで形
    成される二次側並列共振回路と、 上記二次側並列共振回路に得られる交番電圧を入力して
    整流動作を行うことで二次側直流出力電圧を得るように
    構成される直流出力電圧生成手段と、 クランプコンデンサとバイポーラトランジスタとによる
    直列接続回路を備え、駆動用共振回路によりスイッチン
    グ駆動されることで、上記スイッチング手段がオフとな
    る期間に一次側並列共振回路に発生する電圧をクランプ
    するように設けられるアクティブクランプ手段と、 上記自励発振駆動回路を形成する第1の駆動巻線と、上
    記駆動用共振回路を形成する第2の駆動巻線と、これら
    第1及び第2の駆動巻線に対して上記スイッチング手段
    のスイッチング出力を励起させるための検出巻線と、制
    御巻線とが巻装される制御トランスと、 上記直流出力電圧生成手段により得られる直流出力電圧
    のレベルに応じて可変されるレベルの制御電流を、上記
    制御トランスの制御巻線に流すことにより、上記スイッ
    チング素子のスイッチング周波数を可変制御して、上記
    二次側直流出力電圧についての定電圧制御を行うように
    される定電圧制御手段と、 を備えていることを特徴とするスイッチング電源回路。
  2. 【請求項2】上記駆動用共振回路は、上記第2の駆動巻
    線と、共振コンデンサと、抵抗とを直列接続することに
    より形成されることを特徴とする請求項1に記載のスイ
    ッチング電源回路。
  3. 【請求項3】上記自励発振駆動回路が有するとされる共
    振回路の共振周波数と、上記駆動用共振回路の共振周波
    数とがほぼ同じになるようにして、上記駆動用共振回路
    を形成する素子の定数が選定されていることを特徴とす
    る請求項1に記載のスイッチング電源回路。
  4. 【請求項4】 自励発振駆動回路によりスイッチング駆
    動されることで、直流入力電圧についてスイッチングを
    行うスイッチング素子を備えて形成されるスイッチング
    手段と、 一次巻線に得られる上記スイッチング手段の出力を二次
    側に伝送する絶縁コンバータトランスと、 上記絶縁コンバータトランスの一次巻線と、一次側並列
    共振コンデンサとにより形成され、上記スイッチング手
    段の動作を電圧共振形とするように設けられる一次側並
    列共振回路と、 上記絶縁コンバータトランスに巻装した二次巻線に対し
    て二次側並列共振コンデンサを並列に接続することで形
    成される二次側並列共振回路と、 上記二次側並列共振回路に得られる交番電圧を入力して
    整流動作を行うことで二次側直流出力電圧を得るように
    構成される直流出力電圧生成手段と、 クランプコンデンサとMOS型電界効果トランジスタと
    による直列接続回路を備え、駆動巻線に対して共振コン
    デンサを並列に接続することで形成される駆動用共振回
    路によりスイッチング駆動されることで、上記スイッチ
    ング手段がオフとなる期間に一次側並列共振回路に発生
    する電圧をクランプするように設けられるアクティブク
    ランプ手段と、 上記自励発振駆動回路を形成する第1の駆動巻線と、上
    記駆動用共振回路を形成する第2の駆動巻線と、これら
    第1及び第2の駆動巻線に対して上記スイッチング手段
    のスイッチング出力を励起させるための検出巻線と、制
    御巻線とが巻装される制御トランスと、 上記直流出力電圧生成手段により得られる直流出力電圧
    のレベルに応じて可変されるレベルの制御電流を、上記
    制御トランスの制御巻線に流すことにより、上記スイッ
    チング素子のスイッチング周波数を可変制御して、上記
    二次側直流出力電圧についての定電圧制御を行うように
    される定電圧制御手段と、 を備えていることを特徴とするスイッチング電源回路。
  5. 【請求項5】 発振周波数信号を出力する発振手段と、 上記発振周波数信号に基づいてスイッチング駆動される
    ことで、直流入力電圧についてスイッチングを行うスイ
    ッチング素子を備えて形成されるスイッチング手段と、 一次巻線に得られる上記スイッチング手段の出力を二次
    側に伝送する絶縁コンバータトランスと、 上記絶縁コンバータトランスの一次巻線と、一次側並列
    共振コンデンサとにより形成され、上記スイッチング手
    段の動作を電圧共振形とするように設けられる一次側並
    列共振回路と、 上記絶縁コンバータトランスに巻装した二次巻線に対し
    て二次側並列共振コンデンサを並列に接続することで形
    成される二次側並列共振回路と、 上記二次側並列共振回路に得られる交番電圧を入力して
    整流動作を行うことで二次側直流出力電圧を得るように
    構成される直流出力電圧生成手段と、 クランプコンデンサとバイポーラトランジスタとによる
    直列接続回路を備え、駆動巻線と、この駆動巻線に対し
    て直列に接続される共振コンデンサと抵抗とを備えて形
    成される駆動用共振回路によりスイッチング駆動される
    ことで、上記スイッチング手段がオフとなる期間に一次
    側並列共振回路に発生する電圧をクランプするように設
    けられるアクティブクランプ手段と、 上記駆動巻線に対して、上記スイッチング手段のスイッ
    チング出力を伝達するための構造を有するドライブトラ
    ンスと、 上記二次側直流出力電圧のレベルに応じて、上記スイッ
    チング素子のスイッチング周波数を可変制御すること
    で、上記二次側直流出力電圧についての定電圧制御を行
    うようにされる定電圧制御手段と、 を備えていることを特徴とするスイッチング電源回路。
  6. 【請求項6】 発振周波数信号を出力する発振手段と、 上記発振周波数信号に基づいてスイッチング駆動される
    ことで、直流入力電圧についてスイッチングを行うスイ
    ッチング素子を備えて形成されるスイッチング手段と、 一次巻線に得られる上記スイッチング手段の出力を二次
    側に伝送する絶縁コンバータトランスと、 上記絶縁コンバータトランスの一次巻線と、一次側並列
    共振コンデンサとにより形成され、上記スイッチング手
    段の動作を電圧共振形とするように設けられる一次側並
    列共振回路と、 上記絶縁コンバータトランスに巻装した二次巻線に対し
    て二次側並列共振コンデンサを並列に接続することで形
    成される二次側並列共振回路と、 上記二次側並列共振回路に得られる交番電圧を入力して
    整流動作を行うことで二次側直流出力電圧を得るように
    構成される直流出力電圧生成手段と、 クランプコンデンサとMOS型電界効果トランジスタと
    による直列接続回路を備え、駆動巻線と共振コンデンサ
    とから成る共振回路を備えて形成される駆動用共振回路
    によりスイッチング駆動されることで、上記スイッチン
    グ手段がオフとなる期間に一次側並列共振回路に発生す
    る電圧をクランプするように設けられるアクティブクラ
    ンプ手段と、 上記駆動巻線に対して、上記スイッチング手段のスイッ
    チング出力を伝達するための構造を有するドライブトラ
    ンスと、 上記二次側直流出力電圧のレベルに応じて、上記スイッ
    チング素子のスイッチング周波数を可変制御すること
    で、上記二次側直流出力電圧についての定電圧制御を行
    うようにされる定電圧制御手段と、 を備えていることを特徴とするスイッチング電源回路。
  7. 【請求項7】 自励発振により所定のスイッチング周波
    数により駆動されることで、直流入力電圧についてスイ
    ッチングを行うスイッチング素子を備えて形成されるス
    イッチング手段と、 一次巻線に得られる上記スイッチング手段の出力を二次
    側に伝送する絶縁コンバータトランスと、 上記絶縁コンバータトランスの一次巻線と、一次側並列
    共振コンデンサとにより形成され、上記スイッチング手
    段の動作を電圧共振形とするように設けられる一次側並
    列共振回路と、 上記絶縁コンバータトランスに巻装される二次巻線に対
    して二次側並列共振コンデンサを並列に接続することで
    形成される二次側並列共振回路と、 上記二次側並列共振回路に得られる交番電圧を入力して
    整流動作を行うことで二次側直流出力電圧を得るように
    構成される直流出力電圧生成手段と、 クランプコンデンサとバイポーラトランジスタとによる
    直列接続回路を備え、少なくとも駆動巻線と共振コンデ
    ンサを備えて形成される駆動用共振回路によりスイッチ
    ング駆動されることで、上記直流出力電圧生成手段を形
    成する整流ダイオード素子がオフとなる期間に二次側並
    列共振回路に発生する電圧をクランプするように設けら
    れるアクティブクランプ手段と、 上記駆動用共振回路の駆動巻線と、この駆動巻線に対し
    て二次巻線に得られる交番電圧を励起させる検出巻線
    と、制御巻線とが巻装される制御トランスと、 上記直流出力電圧生成手段により得られる直流出力電圧
    のレベルに応じて可変されるレベルの制御電流を、上記
    制御トランスの制御巻線に流すことにより、上記バイポ
    ーラトランジスタの導通角を可変制御することで、上記
    二次側直流出力電圧についての定電圧制御を行うように
    される定電圧制御手段と、 を備えていることを特徴とするスイッチング電源回路。
  8. 【請求項8】 上記駆動用共振回路は、 上記駆動巻線、共振コンデンサ、及び抵抗を直列に接続
    して形成されることを特徴とする請求項7に記載のスイ
    ッチング電源回路。
  9. 【請求項9】 上記駆動用共振回路は、 上記駆動巻線に対して、並列に接続される共振コンデン
    サと、直列に接続される抵抗とを備えて形成されると共
    に、 上記バイポーラトランジスタとして絶縁ゲート型バイポ
    ーラトランジスタを用いることを特徴とする請求項7に
    記載のスイッチング電源回路。
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