JP2002134759A - 加速度センサ及びその製造方法 - Google Patents

加速度センサ及びその製造方法

Info

Publication number
JP2002134759A
JP2002134759A JP2000321140A JP2000321140A JP2002134759A JP 2002134759 A JP2002134759 A JP 2002134759A JP 2000321140 A JP2000321140 A JP 2000321140A JP 2000321140 A JP2000321140 A JP 2000321140A JP 2002134759 A JP2002134759 A JP 2002134759A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
polycrystalline silicon
sensor
base
base portion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000321140A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4386559B2 (ja
JP2002134759A5 (ja
Inventor
Yasuo Yamaguchi
靖雄 山口
Kunihiro Nakamura
邦宏 中村
Shiro Yamazaki
史朗 山▲崎▼
Teruya Fukaura
輝也 深浦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renesas Semiconductor Engineering Corp
Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Renesas Semiconductor Engineering Corp
Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Renesas Semiconductor Engineering Corp, Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd, Mitsubishi Electric Corp filed Critical Renesas Semiconductor Engineering Corp
Priority to JP2000321140A priority Critical patent/JP4386559B2/ja
Priority to US09/832,896 priority patent/US6441450B1/en
Publication of JP2002134759A publication Critical patent/JP2002134759A/ja
Publication of JP2002134759A5 publication Critical patent/JP2002134759A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4386559B2 publication Critical patent/JP4386559B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/0032—Packages or encapsulation
    • B81B7/0077—Other packages not provided for in groups B81B7/0035 - B81B7/0074
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00349—Creating layers of material on a substrate
    • B81C1/00357—Creating layers of material on a substrate involving bonding one or several substrates on a non-temporary support, e.g. another substrate
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P1/00—Details of instruments
    • G01P1/02—Housings
    • G01P1/023—Housings for acceleration measuring devices
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/0802—Details
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
    • B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
    • B81C2201/0174—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate for making multi-layered devices, film deposition or growing
    • B81C2201/019—Bonding or gluing multiple substrate layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ベース部とキャップ部とが接合され、それら
の間にセンサ部が封止された加速度センサにおいて、ベ
ース部とキャップ部の接合強度を向上させた加速度セン
サを提供する。 【解決手段】 半導体基板上に、センサ部と、センサ部
の周囲を囲む枠部が設けられ、枠部上に拡散防止層とノ
ンドープ多結晶シリコン層とが積層されたベース部と、
基体上にニッケル層が形成されたキャップ部とを含み、
ベース部のノンドープ多結晶シリコン層とキャップ部の
ニッケル層とが共晶接合される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、加速度センサ及び
その製造方法に関し、特に、内部にセンサ素子が封止さ
れた容量式加速度センサ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３及び図４に、従来の容量式加速度セ
ンサの製造工程を示す。まず、図３に示すように、シリ
コン半導体基板１上に、リンがドーピングされた多結晶
シリコン層を堆積する。次に、多結晶シリコン層を選択
的に除去して、センサ部１２と枠部２とを形成する。セ
ンサ部１２には、一般的な方法を用いて加速度センサ素
子（図示せず）が形成される。かかる工程で、加速度セ
ンサのベース部１０が完成する。
【０００３】次に、図４（ａ）に示すように、ベース部
１０のセンサ部１２を覆うためのキャップ部２０を準備
する。図４（ａ）は、図３のＡ−Ａ方向の断面図であ
る。キャップ部２０の準備工程では、まず、シリコン基
板の片面に凹部を形成し、キャップ本体５を形成する。
次に、キャップ本体５の凹部を形成した面を覆うよう
に、金属層６を形成する。金属層６は、キャップ本体５
に、まずチタン層を蒸着した、続いてニッケル層を蒸着
して形成する。
【０００４】次に、図４（ｂ）示すように、ベース部１
０の枠部２に金属層６が重なるように、ベース部１０上
にキャップ部２０を重ねる。かかる状態で、例えば４０
０℃に加熱して、枠部２のシリコンと金属層６のニッケ
ルとの反応させて、共晶合金を形成する。これにより、
ベース部１０とキャップ部２０が、センサ部１２をそれ
らの中に封止するように接合され、全体が１０１で示さ
れる加速度センサが形成される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】かかる加速度センサ１
０１では、枠部２と金属層６との接合不良が発生しやす
く、製造歩留まりの向上に限界があった。また、かかる
接合不良の発生は、加速度センサ１０１の信頼性を低下
させていた。
【０００６】かかる原因について検討した結果、枠部２
の多結晶シリコンに含まれるリンが、加熱中に拡散して
金属層６に到達して、シリコンとニッケルとの接合界面
に析出し、かかる析出物が、不完全な接合や接合強度の
低下を引き起こしていることを見出した。
【０００７】そこで、本発明は、ベース部の枠部と、キ
ャップ部の金属層とが、良好に接合された加速度センサ
及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、ベース部とキ
ャップ部とが接合され、それらの間にセンサ部が封止さ
れた加速度センサであって、 ａ） 半導体基板と、該半導体基板上に堆積された不純
物がドーピングされた多結晶シリコン層から形成され
た、センサ部と該センサ部の周囲を囲む枠部と、該枠部
上に順次積層された拡散防止層とノンドープ多結晶シリ
コン層とを含むベース部と、 ｂ） 基体と、該ベース部の該ノンドープ多結晶シリコ
ン層に接するように該基体上に設けられたニッケル層と
を含むキャップ部とを含み、 該ベース部の該ノンドープ多結晶シリコン層と該キャッ
プ部の該ニッケル層とが共晶接合されて、該ベース部と
該キャップ部との間に該センサ部が封止されたことを特
徴とする加速度センサである。このように、拡散防止層
を設けることにより、枠部から共晶接合面への不純物の
拡散を防止することができる。この結果、良好な共晶接
合を得ることができ、接合強度の向上が可能となる。
【０００９】上記拡散防止層は、酸化シリコン層及び窒
化シリコン層の群から選択される１の層であることが好
ましい。ノンドープ多結晶シリコン層中への不純物の拡
散を、有効に防止できるからである。
【００１０】また、本発明は、ベース部とキャップ部と
が接合され、それらの間にセンサ部が封止された加速度
センサであって、 ａ） 半導体基板と、該半導体基板上に堆積された不純
物がドーピングされた多結晶シリコン層から形成され
た、センサ部と該センサ部の周囲を囲む枠部と、該枠部
上に積層された、所定の膜厚のノンドープ多結晶シリコ
ンとを含むベース部と、 ｂ） 基体と、該ベース部の該ノンドープ多結晶シリコ
ン層に接する該基体上の領域に設けられたニッケル層と
を含むキャップ部とを含み、該ベース部の該ノンドープ
多結晶シリコンと該キャップ部の該ニッケル層とが共晶
接合されて、該ベース部と該キャップ部との間に該セン
サ部が封止され、該ノンドープ多結晶シリコン層の該膜
厚が、該枠部に含まれる不純物が該ノンドープ多結晶シ
リコン中を拡散した距離より大きいことを特徴とする加
速度センサでもある。このように、ノンドープ多結晶シ
リコン層を所定の膜厚とすることにより、枠部から拡散
した不純物が、共晶接合面に到達するのを防止すること
ができる。この結果、共晶接合面の接合強度を向上させ
ることができる。
【００１１】上記ノンドープ多結晶シリコン層の膜厚
は、１μｍから５μｍの範囲内であることが好ましい。
かかる膜厚とすることにより、ベース部とキャップ部と
の接合工程において、不純物が接合界面に到達するのを
有効に防止できる。
【００１２】上記不純物は、リンであることが好まし
い。
【００１３】上記ベース部は、上記基体と上記ニッケル
層の間にチタン層を含むものであっても良い。
【００１４】また、本発明は、ベース部とキャップ部と
を接合し、それらの間にセンサ部を封止する加速度セン
サの製造工程であって、半導体基板上に、不純物がドー
プされた多結晶シリコン層を堆積する工程と、該多結晶
シリコンを加工して、センサ部と、該センサ部の周囲を
囲む枠部とを形成する工程と、該枠部上に、拡散防止層
と、ノンドープ多結晶シリコン層とを、順次積層し、ベ
ース部とする工程と、該ベース部の該ノンドープ多結晶
シリコン層に接する領域に、ニッケル層が設けられた基
体からなるキャップ部を準備する工程と、該ノンドープ
多結晶シリコン層に該ニッケル層が接するように、該ベ
ース部上に該キャップ部を載置する工程と、該ベース部
と該キャップ部とを加熱して、該ノンドープ多結晶シリ
コン層と該ニッケル層とを共晶接合させ、該ベース部と
該キャップ部との間に該センサ部を封止する工程とを含
むことを特徴とする加速度センサの製造方法でもある。
このように、拡散防止層を設けることにより、枠部から
共晶接合面への不純物の拡散を防止することができる。
【００１５】上記拡散防止層は、酸化シリコン膜及び窒
化シリコン膜の群から選択される１の膜から形成される
ことが好ましい。
【００１６】また、本発明は、ベース部とキャップ部と
を接合し、それらの間にセンサ部を封止する加速度セン
サの製造工程であって、半導体基板上に、不純物がドー
プされた多結晶シリコン層を堆積する工程と、該多結晶
シリコンを加工して、センサ部と、該センサ部の周囲を
囲む枠部とを形成する工程と、該枠部上に、所定の膜厚
のノンドープ多結晶シリコン層を積層し、ベース部とす
る工程と、該ベース部の該ノンドープ多結晶シリコン層
に接する領域に、ニッケル層が設けられた基体からなる
キャップ部を準備する工程と、該ノンドープ多結晶シリ
コン層に該ニッケル層が接するように、該ベース部上に
該キャップ部を載置する工程と、該ベース部と該キャッ
プ部とを加熱して、該ノンドープ多結晶シリコン層と該
ニッケル層とを共晶接合させ、該ベース部と該キャップ
部との間に該センサ部を封止する接合工程とを含み、該
接合工程において該枠部に含まれる該不純物が該ノンド
ープ多結晶シリコン層中を拡散する距離よりも、該ノン
ドープ多結晶シリコン層の膜厚を大きくすることを特徴
とする加速度センサの製造方法でもある。このように、
ノンドープ多結晶シリコン層を所定の膜厚とすることに
より、枠部から拡散した不純物が、接合界面に到達する
のを防止することができる。
【００１７】上記ノンドープ多結晶シリコンの膜厚は、
１μｍから５μｍの範囲内であることが好ましい。かか
る膜厚とすることにより、ベース部とキャップ部との接
合工程に、不純物が接合界面に到達するのを有効に防止
できる。
【００１８】上記不純物は、リンであることが好まし
い。
【００１９】上記ベース部は、上記基体と上記ニッケル
層の間にチタン層を含むものであっても良い。
【００２０】
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１に、本実施の
形態にかかる加速度センサの各製造工程における断面図
を示す。かかる製造工程では、まず、図１（ａ）に示す
ように、シリコンの半導体基板１の上に、多結晶シリコ
ン層を堆積し、これを選択的に除去して、センサ部１２
と、センサ部１２を囲む枠部２とを形成する。センサ部
１２には、加速度センサ素子が形成される（図示せ
ず）。かかる工程は、従来の加速度センサの製造工程と
同じである。
【００２１】次に、図１（ｂ）に示すように、半導体基
板１上に、センサ部１２と枠部２とを覆うように、拡散
防止層３を堆積する。拡散防止層３には、酸化シリコ
ン、窒化シリコンの他、アルミニウムや金等の金属を用
いることもできる。
【００２２】次に、拡散防止層３を覆うように、ノンド
ープの多結晶シリコン層４を形成する。
【００２３】次に、リソグラフィ技術、エッチング技術
を用いて、多結晶シリコン層４、拡散防止層３を選択的
に除去して、枠部２の上部にのみこれらを残す。
【００２４】次に、図１（ｃ）に示すように、キャップ
部２０をベース部１０の上に重ねる。キャップ部２０
は、図４（ａ）に示す従来の工程と同様の工程で作製さ
れる。これにより、シリコンからなるキャップ本体（基
体）５の、凹部が形成された面上には、例えばスパッタ
法を用いて、チタン層が形成され、その上に、更にニッ
ケル層が形成されている。ベース部１０にキャップ部２
０を重ねることにより、枠部２上に形成されたノンドー
プの多結晶シリコン層４が、金属層６のニッケル層に接
触する。
【００２５】次に、かかる状態で、加熱炉に入れられ
て、シリコンとニッケルの共晶温度以上、好ましくは約
３５０℃から約４５０℃の間、更に好ましくは４００℃
程度に加熱される。加熱時間は、数１０分から数時間程
度である。加熱中、加熱炉内は真空に保たれても良い
し、例えば、窒素等の不活性ガスが流されても良い。
【００２６】このように、加熱することにより、多結晶
シリコン層４中のシリコンと、金属層５中のニッケルと
が共晶合金を形成し、ベース部１０とキャップ部２０が
接合される。これにより、内部にセンサ素子が封入され
た加速度センサ１００が形成される。
【００２７】本実施の形態では、枠部２の上に拡散防止
層３が形成されているため、上述の加熱工程において、
リンが、枠部２からノンドープ多結晶シリコン層４中に
拡散するのを防止することができる。この結果、ノンド
ープ多結晶シリコン層４と金属層６との接合界面にリン
が析出することなく、良好な共晶接合を得ることができ
る。
【００２８】実施の形態２．図２に、本実施の形態にか
かる加速度センサ１０１の断面図を示す。図２の加速度
センサ１０１では、図１（ｃ）に示す加速度センサ１０
０の拡散防止層３、ノンドープ多結晶シリコン層４に代
えて、所定の膜厚のノンドープ多結晶シリコン層７が設
けられている。ノンドープ多結晶シリコン層７の膜厚と
しては、例えば、１μｍから５μｍ程度が好ましい。そ
れ以外の構造は、加速度センサ１００と同じである。
【００２９】本実施の形態にかかる加速度センサ１０１
では、ノンドープ多結晶シリコン層７の膜厚を所定の厚
みに形成している。このため、加熱工程において、枠部
２からノンドープ多結晶シリコン層７中にリンが拡散し
た場合であっても、ノンドープ多結晶シリコン層７と金
属層６との接合界面にはリンが到達しない。従って、ノ
ンドープ多結晶シリコン層４と金属層６との接合界面に
リンが析出することなく、良好な共晶接合を得ることが
できる。発明者らの実験結果では、上述の加熱条件にお
いて、膜厚を少なくとも１μｍより厚くすれば、接合界
面までリンが拡散しないことが確認されている。
【００３０】なお、ノンドープ多結晶シリコン層７の膜
厚は、加熱工程における加熱温度、加熱時間に従って変
えてもかまわない。また、本実施の形態１、２では、枠
部２にドープされたリンが拡散する場合について説明し
たが、ボロン、ガリウム、砒素等の他のドーパントを使
用した場合にも適用することができる。この場合、実施
の形態２の加速度センサ１０１では、ノンドープ多結晶
シリコン膜７の膜厚をドーパントの種類に応じて調整す
る。
【００３１】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
にかかる加速度センサでは、ベース部とキャップ部との
接合界面に、不純物が拡散して到達するのを防止でき、
良好な接合を得ることができる。
【００３２】この結果、加速度センサの製造歩留まりを
向上させることができる。
【００３３】また、加速度センサの信頼性を向上させる
こともできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１の実施の形態にかかかる加速度
センサの断面図である。
【図２】 本発明の第２の実施の形態にかかかる加速度
センサの断面図である。
【図３】 従来の加速度センサのベース部の上面図であ
る。
【図４】 従来の加速度センサの断面図である。
【符号の説明】
１ 半導体基板、２ 枠部、３ 拡散防止層、４ ノン
ドープ多結晶シリコン層、５ キャップ本体、６ 金属
層、７ ノンドープ多結晶シリコン層、１０ベース部、
１２ センサ部、２０ キャップ部、１００、１０１、
１１０ 加速度センサ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山口 靖雄 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 中村 邦宏 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 山▲崎▼ 史朗 東京都千代田区大手町二丁目６番２号 三 菱電機エンジニアリング株式会社内 (72)発明者 深浦 輝也 兵庫県伊丹市瑞原四丁目１番地 菱電セミ コンダクタシステムエンジニアリング株式 会社内 Ｆターム(参考） 4M112 AA02 BA07 DA02 DA06 DA13 DA18 EA04 EA06 EA07 EA11 GA01

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ベース部とキャップ部とが接合され、そ
    れらの間にセンサ部が封止された加速度センサであっ
    て、 ａ） 半導体基板と、 該半導体基板上に堆積された不純物がドーピングされた
    多結晶シリコン層から形成された、センサ部と該センサ
    部の周囲を囲む枠部と、 該枠部上に順次積層された拡散防止層とノンドープ多結
    晶シリコン層とを含むベース部と、 ｂ） 基体と、 該ベース部の該ノンドープ多結晶シリコン層に接するよ
    うに該基体上に設けられたニッケル層とを含むキャップ
    部とを含み、 該ベース部の該ノンドープ多結晶シリコン層と該キャッ
    プ部の該ニッケル層とが共晶接合されて、該ベース部と
    該キャップ部との間に該センサ部が封止されたことを特
    徴とする加速度センサ。
  2. 【請求項２】 上記拡散防止層が、酸化シリコン層及び
    窒化シリコン層の群から選択される１の層であることを
    特徴とする請求項１に記載の加速度センサ。
  3. 【請求項３】 ベース部とキャップ部とが接合され、そ
    れらの間にセンサ部が封止された加速度センサであっ
    て、 ａ） 半導体基板と、 該半導体基板上に堆積された不純物がドーピングされた
    多結晶シリコン層から形成された、センサ部と該センサ
    部の周囲を囲む枠部と、 該枠部上に積層された、所定の膜厚のノンドープ多結晶
    シリコンとを含むベース部と、 ｂ） 基体と、 該ベース部の該ノンドープ多結晶シリコン層に接するよ
    うに該基体上に設けられたニッケル層とを含むキャップ
    部とを含み、 該ベース部の該ノンドープ多結晶シリコンと該キャップ
    部の該ニッケル層とが共晶接合されて、該ベース部と該
    キャップ部との間に該センサ部が封止され、 該ノンドープ多結晶シリコン層の該膜厚が、該枠部に含
    まれる不純物が該ノンドープ多結晶シリコン中を拡散し
    た距離より大きいことを特徴とする加速度センサ。
  4. 【請求項４】 上記ノンドープ多結晶シリコン層の膜厚
    が、１μｍから５μｍの範囲内であることを特徴とする
    請求項３に記載の加速度センサ。
  5. 【請求項５】 上記不純物が、リンであることを特徴と
    する請求項１〜４のいずれかに記載の加速度センサ。
  6. 【請求項６】 上記ベース部が、上記基体と上記ニッケ
    ル層の間にチタン層を含むことを特徴とする請求項１〜
    ４のいずれかに記載の加速度センサ。
  7. 【請求項７】 ベース部とキャップ部とを接合し、それ
    らの間にセンサ部を封止する加速度センサの製造工程で
    あって、 半導体基板上に、不純物がドープされた多結晶シリコン
    層を堆積する工程と、該多結晶シリコンを加工して、セ
    ンサ部と、該センサ部の周囲を囲む枠部とを形成する工
    程と、 該枠部上に、拡散防止層と、ノンドープ多結晶シリコン
    層とを、順次積層し、ベース部とする工程と、 該ベース部の該ノンドープ多結晶シリコン層に接する領
    域に、ニッケル層が設けられた基体からなるキャップ部
    を準備する工程と、 該ノンドープ多結晶シリコン層に該ニッケル層が接する
    ように、該ベース部上に該キャップ部を載置する工程
    と、 該ベース部と該キャップ部とを加熱して、該ノンドープ
    多結晶シリコン層と該ニッケル層とを共晶接合させ、該
    ベース部と該キャップ部との間に該センサ部を封止する
    工程とを含むことを特徴とする加速度センサの製造方
    法。
  8. 【請求項８】 上記拡散防止層が、酸化シリコン膜及び
    窒化シリコン膜の群から選択される１の膜から形成され
    ることを特徴とする請求７に記載の製造方法。
  9. 【請求項９】 ベース部とキャップ部とを接合し、それ
    らの間にセンサ部を封止する加速度センサの製造工程で
    あって、 半導体基板上に、不純物がドープされた多結晶シリコン
    層を堆積する工程と、 該多結晶シリコンを加工して、センサ部と、該センサ部
    の周囲を囲む枠部とを形成する工程と、 該枠部上に、所定の膜厚のノンドープ多結晶シリコン層
    を積層し、ベース部とする工程と、 該ベース部の該ノンドープ多結晶シリコン層に接する領
    域に、ニッケル層が設けられた基体からなるキャップ部
    を準備する工程と、 該ノンドープ多結晶シリコン層に該ニッケル層が接する
    ように、該ベース部上に該キャップ部を載置する工程
    と、 該ベース部と該キャップ部とを加熱して、該ノンドープ
    多結晶シリコン層と該ニッケル層とを共晶接合させ、該
    ベース部と該キャップ部との間に該センサ部を封止する
    接合工程とを含み、 該接合工程において該枠部に含まれる該不純物が該ノン
    ドープ多結晶シリコン層中を拡散する距離よりも、該ノ
    ンドープ多結晶シリコン層の膜厚を大きくすることを特
    徴とする加速度センサの製造方法。
  10. 【請求項１０】 上記ノンドープ多結晶シリコンの膜厚
    が、１μｍから５μｍの範囲内であることを特徴とする
    請求項９に記載の製造方法。
  11. 【請求項１１】 上記不純物が、リンであることを特徴
    とする請求項７〜１０のいずれかに記載の製造方法。
  12. 【請求項１２】 上記ベース部が、上記基体と上記ニッ
    ケル層の間にチタン層を含むことを特徴とする請求項７
    〜１０いずれかに記載の製造方法。
JP2000321140A 2000-10-20 2000-10-20 加速度センサ及びその製造方法 Expired - Fee Related JP4386559B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000321140A JP4386559B2 (ja) 2000-10-20 2000-10-20 加速度センサ及びその製造方法
US09/832,896 US6441450B1 (en) 2000-10-20 2001-04-12 Acceleration sensor and method of manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000321140A JP4386559B2 (ja) 2000-10-20 2000-10-20 加速度センサ及びその製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2002134759A true JP2002134759A (ja) 2002-05-10
JP2002134759A5 JP2002134759A5 (ja) 2006-03-09
JP4386559B2 JP4386559B2 (ja) 2009-12-16

Family

ID=18799320

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000321140A Expired - Fee Related JP4386559B2 (ja) 2000-10-20 2000-10-20 加速度センサ及びその製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6441450B1 (ja)
JP (1) JP4386559B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100380129C (zh) * 2003-09-03 2008-04-09 三菱电机株式会社 加速度传感器
JP2010171368A (ja) * 2008-12-25 2010-08-05 Denso Corp 半導体装置およびその製造方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4204206B2 (ja) * 2001-06-01 2009-01-07 三菱電機株式会社 半導体装置
CN1241021C (zh) * 2001-06-21 2006-02-08 三菱电机株式会社 加速度传感器及其制造方法
JP2005172543A (ja) * 2003-12-10 2005-06-30 Mitsubishi Electric Corp 加速度センサおよび加速度センサの製造方法
US8089144B2 (en) 2008-12-17 2012-01-03 Denso Corporation Semiconductor device and method for manufacturing the same

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5121180A (en) * 1991-06-21 1992-06-09 Texas Instruments Incorporated Accelerometer with central mass in support
JP2001227902A (ja) * 2000-02-16 2001-08-24 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100380129C (zh) * 2003-09-03 2008-04-09 三菱电机株式会社 加速度传感器
JP2010171368A (ja) * 2008-12-25 2010-08-05 Denso Corp 半導体装置およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20020048838A1 (en) 2002-04-25
JP4386559B2 (ja) 2009-12-16
US6441450B1 (en) 2002-08-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3280803B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP3045089B2 (ja) 素子のパッケージ構造およびその製造方法
US10793427B2 (en) Eutectic bonding with AlGe
KR20020031422A (ko) 두 반도체 요소간의 전기전도성 접합 형성 방법
CN101391743A (zh) 半导体器件的制造方法
JPH03110837A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2002134759A (ja) 加速度センサ及びその製造方法
US6988407B2 (en) Acceleration sensor
JP4204206B2 (ja) 半導体装置
JPH07193024A (ja) 半導体装置およびその製造方法
US6495389B2 (en) Method for manufacturing semiconductor pressure sensor having reference pressure chamber
JPS6381948A (ja) 多層配線半導体装置
JP2000131169A (ja) 半導体圧力センサおよびその製造方法
JPH0897438A (ja) 半導体センサ及びその製造方法
JP3082161B2 (ja) 配線層形成法
JP3823826B2 (ja) 半導体素子の製造方法
JP3341527B2 (ja) 半導体素子
JP2638824B2 (ja) 半導体圧力センサ及びその製造方法
JP2001177112A (ja) 半導体装置の配線取り出し構造
JPS63237481A (ja) 容量型圧力センサの製造方法
JPH0286135A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH03180038A (ja) 半導体装置
JPS6386514A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH03155131A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH05102157A (ja) 半導体素子の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20050621

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20050621

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20051226

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20051226

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090804

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090827

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090915

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090929

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121009

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131009

Year of fee payment: 4

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees