JP2002134649A

JP2002134649A - 半導体装置

Info

Publication number: JP2002134649A
Application number: JP2000322471A
Authority: JP
Inventors: Yoshinori Miyaki; 美典宮木; Nobuya Kanemitsu; 伸弥金光; Yasuhisa Hagiwara; 靖久萩原; Ryosuke Kimoto; 良輔木本
Original assignee: Hitachi Ltd; Hitachi ULSI Systems Co Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd; Hitachi Solutions Technology Ltd
Priority date: 2000-10-23
Filing date: 2000-10-23
Publication date: 2002-05-10

Abstract

(57)【要約】【課題】ＢＧＡの半田ボールとランドとの接合強度を
向上させる。【解決手段】キャリアテープ本体２１に敷設された複
数本のインナリード２４に半導体ペレット１０がバンプ
１５により機械的かつ電気的に接続されており、各イン
ナリード２４に一連となったアウタリード２５に形成さ
れた各ランド２８に半田ボール３３が半田付けされてい
るＴ−ＴＦＢＧＡ・ＩＣ３４において、ランド２８の半
田ボール３３の接続側主面に接合強度向上溝２９が没設
されており、半田ボール３３がこの接合強度向上溝２９
に投錨した状態になっている。【効果】半田ボールが接合強度向上溝に投錨した状態
になっているため、ランドの平面の面積が小さくとも、
半田ボールとランドとの間の接合強度は充分なものとな
り、半田ボールがランドから剥離したりする事故は確実
に防止できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置、特
に、ＢＧＡ（ Ball Grid Array Pakage ）におけるラン
ドと半田ボールとの間の接合強度を高める技術に関し、
例えば、Ｔ−ＴＦＢＧＡ（Tape-Thin Fine Ball Grid A
rray Pakage ）を備えたＩＣ（半導体集積回路装置）に
利用して有効なものに関する。

【０００２】

【従来の技術】ＢＧＡは多ピンかつ薄形で表面実装が可
能なパッケージとしてＩＣに広く使用されて来ている。
すなわち、ＢＧＡはキャリアに敷設された複数本のイン
ナリードに半導体ペレットがバンプ（突起電極、Ｂｕｍ
ｐ）によって機械的かつ電気的に接続されており、各イ
ンナリードにそれぞれ一連となったアウタリードに形成
された各ランドに半田ボールがそれぞれ機械的かつ電気
的に接続されている。

【０００３】ＢＧＡを述べている例としては、日経ＢＰ
社１９９３年５月３１日発行の「実践講座ＶＬＳＩパッ
ケージング技術（下）」Ｐ１７３〜Ｐ１７４、がある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＢＧＡ
の外部端子である半田ボールがランドの平坦な表面上に
溶着されていることにより、半田ボールとランドとの接
合強度はランドの平面の面積によって規定されるため、
ランドの平面の面積すなわち半田ボールのサイズが小さ
くなると、半田ボールとランドとの接合強度が不足する
という問題点があることが本発明者によって明らかにさ
れた。

【０００５】本発明の目的は、半田ボールとランドとの
接合強度を向上することができる半導体装置を提供する
ことにある。

【０００６】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。

【０００８】すなわち、キャリアに敷設された複数本の
インナリードに半導体ペレットが電気的に接続されてお
り、前記複数本のインナリードのそれぞれに一連となっ
たアウタリードに形成された各ランドに半田ボールがそ
れぞれ機械的かつ電気的に接続されている半導体装置に
おいて、前記ランドの前記半田ボールの接続側主面に接
合強度向上部が形成されており、前記半田ボールがこの
接合強度向上部に投錨した状態になっていることを特徴
とする。

【０００９】前記した手段によれば、半田ボールが接合
強度向上部に投錨した状態になっているため、ランドの
平面の面積が小さくとも、半田ボールとランドとの間の
接合強度は充分なものとなり、半田ボールがランドに対
して剥離したりする事故は確実に防止することができ
る。

【００１０】

【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施の形態であ
るＴ−ＴＦＢＧＡ・ＩＣを示しており、（ａ）は正面断
面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う拡大断面図であ
る。図２以降はその製造方法を示す各説明図である。

【００１１】本実施の形態において、図１に示されてい
るように、本発明に係る半導体装置はＴＡＢ技術を用い
たＢＧＡであるＴ−ＴＦＢＧＡ（以下、ＴＢＧＡとい
う。）を備えたＩＣとして構成されており、図２以降に
示されている製造方法によって製造されたものである。
以下、ＴＢＧＡを備えたＩＣ（以下、ＴＢＧＡ・ＩＣと
いう。）の製造方法を説明することにより、ＴＢＧＡ・
ＩＣの構成を詳細に説明する。

【００１２】本実施の形態に係るＴＢＧＡ・ＩＣに使用
された半導体ペレット１０は、図２に示されているよう
に構成されている。すなわち、ＴＢＧＡ・ＩＣの製造工
程における所謂前工程において、シリコンウエハ（図示
せず）に所望の半導体素子を含む半導体集積回路が各ペ
レット部毎に作り込まれた後に、そのシリコンウエハが
各ペレット部毎にダイシングされることにより、半導体
ペレット１０は平面視が略正方形の薄い平板形状の小片
に形成されている。

【００１３】半導体素子を含む半導体集積回路装置が作
り込まれた半導体ペレット（以下、ペレットという。）
１０のサブストレート１１のアクティブ・エリア側主面
（以下、第一主面という。）１２には、半導体集積回路
を外部に取り出すための電極パッド１３が複数個、サブ
ストレート１１の外周辺部に互いに干渉しない適当な間
隔をおいて環状に配されてそれぞれ開設されている。ペ
レット１０の第一主面１２の上にはパッシベーション膜
１４が各パッド１３をそれぞれ露出させた状態で、全体
的に均一に被着されている。各パッド１３の上には金系
材料（ＡｕまたはＡｕ合金）からなるバンプ１５がそれ
ぞれ被着されている。バンプ１５は金メッキ処理が使用
されて薄い平板形状に形成されており、パッシベーショ
ン膜１４から若干突出した状態になっている。

【００１４】本実施の形態に係るＴＢＧＡ・ＩＣの製造
方法には、図３に示されているキャリアテープ２０が使
用される。キャリアテープ２０は前記構成に係るペレッ
ト１０とインナリード群とをテープ・オートメイテッド
・ボンディング（ＴＡＢ）により機械的かつ電気的に接
続させ得るように構成されており、絶縁性を有するキャ
リアとしてのテープ本体２１を備えている。テープ本体
２１はポリイミド等の絶縁性樹脂が用いられて、同一パ
ターンが長手方向に連続するように一体成形されてい
る。但し、説明および図示は一単位だけについて行われ
ている。

【００１５】テープ本体２１の幅方向の両側端辺部には
ピッチ送りに使用される送り孔２２が等ピッチに配され
て開設されている。また、テープ本体２１の幅方向の中
央部にはペレット１０を収容するためのペレット収容孔
２３が等ピッチをもって一列に配されて開設されてい
る。各ペレット収容孔２３はペレット１０の外形に対し
て若干大きめに相似する矩形や正方形の四角形に形成さ
れている。

【００１６】テープ本体２１の片側主面（以下、第一主
面とする。）の上におけるペレット収容孔２３の四辺に
は、複数本のインナリード２４が互いに電気的に非接続
になるように敷設されている。インナリード２４群は複
数本宛がペレット収容孔２３における四辺に分けられて
配線されており、各インナリード２４の先端部がペレッ
ト収容孔２３にそれぞれ突出されている。インナリード
２４はペレット１０のバンプ１５と同数本設けられてお
り、各インナリード２４の先端部は各バンプ１５のそれ
ぞれに整合するように配置されている。

【００１７】各インナリード２４の外側には各アウタリ
ード２５がそれぞれ一体的に形成されている。各アウタ
リード２５の外側端部はテープ本体２１の第一主面にお
いて適宜に引き回されてピッチ間隔が拡大されている。
ちなみに、インナリード２４およびアウタリード２５は
銅箔等の導電性材料からなる薄板がテープ本体２１の第
一主面に溶着や接着等の手段によって固着され、この薄
板がリソグラフィー処理およびエッチング処理によって
所望のパターンにパターニングされることにより形成さ
れている。

【００１８】テープ本体２１の第一主面の上にはソルダ
レジスト膜２６がペレット収容孔２３を取り囲むように
被着されている。ソルダレジスト膜２６の各アウタリー
ド２５の外側端部に対応する位置にはスルーホール２７
がそれぞれ開設されており、各スルーホール２７の底面
にはアウタリード２５の端部がそれぞれ露出した状態に
なっている。スルーホール２７群はペレット収容孔２３
と同心になった一対の四角形枠上において四角形に沿っ
た周辺格子配置形状または周辺千鳥配置形状にそれぞれ
配置されている。各スルーホール２７の底において露出
したアウタリード２５の表面によって半田ボールを機械
的かつ電気的に接続するためのランド２８がそれぞれ形
成されている。

【００１９】図４に示されているように、各ランド２８
の平面視の形状は円形にそれぞれ形成されており、各ラ
ンド２８の半田ボールの接続側主面には接合強度向上部
としての平面視が矩形の溝２９が三条、互いに平行に並
べられて没設されている。すなわち、接合強度向上窪み
の一例である三条の矩形の接合強度向上溝２９はインナ
リード２４およびアウタリード２５のパターニング時ま
たはパターニング後にリソグラフィー処理およびエッチ
ング処理によって形成される。アウタリード２５の厚さ
Ｔに対する接合強度向上溝２９の深さＤは、ハーフエッ
チング処理においてランド２８に孔が開かない範囲で可
及的に大きくなるように設定されている。なお、ランド
２８および接合強度向上溝２９の表面を含むアウタリー
ド２５およびインナリード２４の露出面には錫メッキ被
膜（図示せず）が被着されている。

【００２０】図３に示されているように、テープ本体２
１のインナリード２４やアウタリード２５およびソルダ
レジスト膜２６が被着された第一主面と反対側の第二主
面には、保護枠としてのスティフナ３０がランド２８群
に対向するように接着材層３１によって貼着されてい
る。すなわち、スティフナ３０は銅板等の熱伝導性の良
好な材料が使用されて、ランド２８群が構成した正方形
よりも大きい正方形の平坦度のきわめて高い平板形状に
形成されており、ペレット収容孔２３に同心に配置され
て、熱伝導性の良好な接着材料からなる接着材層３１に
よって強力に貼着されている。

【００２１】以上のように構成されたキャリアテープ２
０には前記構成に係るペレット１０が図５に示されてい
るようにインナリードボンディングされる。ペレット１
０がキャリアテープ２０にインナリードボンディングさ
れる際、図５（ａ）に示されているように、キャリアテ
ープ２０は第一主面（インナリードおよびアウタリード
が敷設された主面）側を上向きにした状態で、フィーダ
（図示せず）に張設されて一方向に間欠送りされる。フ
ィーダに張設されたキャリアテープ２０の途中にはボン
ディングステーション４０が設定されており、ボンディ
ングステーション４０にはインナリードボンディングの
ためのヒートブロック４１が配置されている。このヒー
トブロック４１にはペレット１０がバンプ１５群を上向
きにした状態で載せられる。

【００２２】キャリアテープ２０が間欠停止されると、
図５（ａ）に示されているように、ペレット１０がペレ
ット収容孔２３内に下方から収容された状態になるとと
もに、各バンプ１５が各インナリード２４にそれぞれ整
合された状態になる。この状態で、ボンディング工具４
２が下降され、各バンプ１５が各インナリード２４の先
端部にボンディング工具４２とヒートブロック４１とに
よってそれぞれ熱圧着される。すなわち、各バンプ１５
は各インナリード２４にボンディング工具４２によって
ギャングボンディングされる。

【００２３】このとき、インナリード２４の表面に被着
された錫メッキ被膜と金系材料から成るバンプ１５との
間において、金−錫の共晶が形成されるため、各パッド
１３と各インナリード２４とは、図５（ｂ）に示されて
いるようにバンプ１５によって機械的かつ電気的に接続
された状態になる。

【００２４】以上のようにしてペレット１０がインナリ
ード２４群にインナリードボンディングされたキャリア
テープ２０には、図６に示されているように、ペレット
１０およびインナリード２４群を樹脂封止する樹脂封止
体３２がポッティング装置５０によって成形される。

【００２５】すなわち、図６（ａ）に示されているよう
に、ポッティング装置５０はエポキシ・フェノール樹脂
等の絶縁性樹脂が使用された封止樹脂５１を塗布するシ
リンジ（一部のみが図示されている。）５２を備えてお
り、シリンジ５２は流動性の良好な液状の状態で封止樹
脂５１をキャリアテープ２０の上方からペレット収容孔
２３を中心に満遍無く塗布することによってポッティン
グする。ポッティングされた液状の封止樹脂５１はペレ
ット収容孔２３の内部を隙間無く満たしてペレット１０
およびインナリード２４群を全体的に包囲する状態にな
る。

【００２６】そして、液状の封止樹脂５１が硬化される
と、キャリアテープ２０にはペレット１０およびインナ
リード２４群を樹脂封止する樹脂封止体３２が図６
（ｂ）に示されているように成形された状態になる。な
お、本実施の形態において、液状の封止樹脂５１は熱硬
化反応によって硬化される。但し、可塑性樹脂によって
硬化させてもよいし、光硬化反応等の他の反応によって
硬化させてもよい。

【００２７】以上のようにして樹脂封止体３２が成形さ
れたキャリアテープ２０には半田ボール３３が各ランド
２８に半田付けされる。すなわち、フラックスが塗布さ
れた各ランド２８に半田ボール３３が粘着された状態
で、リフロー半田付け処理が実行されることにより、半
田ボール３３が各ランド２８に半田付けされる。ここ
で、図１（ｂ）に示されているように、ランド２８に半
田付けされた半田ボール３３はランド２８との接合部に
おいて三条の接合強度向上溝２９を埋め立てて投錨した
状態になるため、半田ボール３３とランド２８との接合
強度はきわめて高いものとなる。しかも、半田ボール３
３の接合強度向上溝２９を埋め立てた部分は接合強度向
上溝２９の底面においてもランド２８の表面に半田付け
（半田共晶結合）した状態になるため、半田ボール３３
とランド２８との接合強度（機械的接続強度）はより一
層高いものとなり、また、半田ボール３３とランド２８
との電気的接触面積も増加するため、電気的抵抗の低下
も防止することができる。

【００２８】その後、半田ボール３３が半田付けされた
キャリアテープ２０はテープ本体２１がスティフナ３０
の外周縁において切断される。

【００２９】以上のようにして図１に示されているＴＢ
ＧＡ・ＩＣ３４が製造されたことになる。すなわち、図
１に示されているＴＢＧＡ・ＩＣ３４において、キャリ
アテープ２０のテープ本体２１に敷設された各インナリ
ード２４にはペレット１０の各パッド１３が各バンプ１
５によって機械的かつ電気的に接続されており、ペレッ
ト１０およびインナリード２４群はテープ本体２１のペ
レット収納孔２３にポッティングされた樹脂封止体３２
によって樹脂封止されている。各インナリード２４に一
連となったアウタリード２５には各ランド２８が形成さ
れており、各ランド２８には半田ボール３３がそれぞれ
機械的かつ電気的に接続されている。各ランド２８の半
田ボール３３の接続側主面には複数条の接合強度向上溝
２９が形成されており、半田ボール３３がこの接合強度
向上溝２９に投錨した状態になることにより半田ボール
３３とランド２８との接合強度が向上されている。テー
プ本体２１の半田ボール３３群と反対側の主面にはステ
ィフナ３０が接着材層３１によって貼着されている。

【００３０】以上のように製造され構成されたＴＢＧＡ
・ＩＣ３４は、図７に示されているように、プリント配
線基板６０に半田ボール３３群のリフロー半田付けによ
って表面実装される。すなわち、プリント配線基板６０
の本体６１におけるＴＢＧＡ・ＩＣの実装領域には半田
ボール３３群に対応してマウントパッド６２群が略正方
形の枠形状に配列されている。各半田ボール３３がこれ
らマウントパッド６２に半田ペースト（図示せず）によ
って粘着された状態で、ＴＢＧＡ・ＩＣ３４がプリント
配線基板６０に搭載されてリフロー半田付け処理される
と、半田付け部６３が形成される。この際、半田ボール
３３群はテープ本体２１にエリア状に配置されているた
め、プリント配線基板６０のマウントパッド６２群もエ
リア状に配置することができ、多ピン化することができ
る。

【００３１】前記実施の形態によれば、次の効果が得ら
れる。

【００３２】1) 接合強度向上溝を形成したランドに半
田ボールを半田付けすることにより、ランドに半田付け
された半田ボールをランドとの接合部において三条の接
合強度向上溝を埋め立てて投錨させた状態に構成するこ
とができるため、半田ボールとランドとの接合強度を向
上させることができ、半田ボールがランドに対して剥離
したり脱落したりするのを未然に防止することができ
る。

【００３３】2) しかも、半田ボールの接合強度向上溝
を埋め立てた部分は接合強度向上溝の底面においてもラ
ンドの表面に半田付けした状態になるため、半田ボール
とランドとの接合強度をより一層向上させることがで
き、かつまた、半田ボールとランドとの電気的接触面積
も増加するため、接合部における電気的抵抗の低下も防
止することができる。

【００３４】3) スティフナをテープ本体の半田ボール
取付面と反対側の主面に貼着することにより、半田ボー
ルの取付面を堅牢かつ平坦化することができるため、複
数個の半田ボールを複数個のランドに適正に半田付けす
ることができ、かつまた、ＴＢＧＡ・ＩＣの放熱性能を
高めることができる。

【００３５】図８は本発明の実施の形態２であるＴＢＧ
Ａ・ＩＣに使用されるキャリアテープのランドを示して
おり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿
う断面図である。

【００３６】本実施の形態が前記実施の形態と異なる点
は、接合強度向上部として、平面視が矩形の透孔である
スリット２９Ａが三条、互いに平行に並べられてランド
２８に開設されている点である。すなわち、三条の矩形
の接合強度向上スリット２９Ａはランド２８に対してテ
ープ本体２１の表面まで貫通するようにフルエッチング
処理されている。

【００３７】本実施の形態によれば、前記実施の形態に
加えて次のような作用および効果を得ることができる。
接合強度向上スリット２９Ａは深さＤが深いので、半田
ボール３３とランド２８との接合強度を高めることがで
きる。さらに、接合強度向上スリット２９Ａはフルエッ
チング処理によってテープ本体２１の表面まで貫通させ
ることができるため、接合強度向上部の深さのばらつき
の発生を未然に回避することができ、エッチング処理の
寸法管理の厳格性を緩和することができる。

【００３８】図９は本発明の実施の形態３であるＴＢＧ
Ａ・ＩＣに使用されるキャリアテープのランドを示して
おり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿
う断面図である。

【００３９】本実施の形態が前記実施の形態と異なる点
は、接合強度向上部として、平面視が十字形の透孔であ
るスリット２９Ｂがランド２８に開設されている点であ
る。すなわち、十字形の接合強度向上スリット２９Ｂは
ランド２８に対してテープ本体２１の表面まで貫通する
ようにフルエッチング処理されている。

【００４０】本実施の形態によれば、前記実施の形態に
加えて次のような作用および効果を得ることができる。
十字形の接合強度向上スリット２９Ｂは平面視が十字形
で、かつ、深さＤが深いので、半田ボール３３とランド
２８との接合強度を高めることができる。さらに、十字
形の接合強度向上スリット２９Ｂはフルエッチング処理
によってテープ本体２１の表面まで貫通させることがで
きるため、深さのばらつきの発生を未然に回避すること
ができ、エッチング処理の寸法管理の厳格性を緩和する
ことができる。

【００４１】図１０は本発明の実施の形態４であるＴＢ
ＧＡ・ＩＣに使用されるキャリアテープのランドを示し
ており、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に
沿う断面図である。

【００４２】本実施の形態が前記実施の形態と異なる点
は、接合強度向上部として、平面視が十字形状の実体部
（丘部）を残す接合強度向上透孔２９Ｃがランド２８に
開設されている点である。すなわち、複数個の透孔２９
Ｃは互いに協働して十字形の実体部を残すようにランド
２８に対してパターニングされ、テープ本体２１の表面
まで貫通するようにフルエッチング処理されている。

【００４３】本実施の形態によれば、前記実施の形態に
加えて次のような作用および効果を得ることができる。
十字形の実体部を残す接合強度向上透孔２９Ｃは平面視
が白黒反転した十字形で、かつ、深さＤが深いので、半
田ボール３３とランド２８との接合強度を高めることが
できる。さらに、十字形の実体部を残す接合強度向上透
孔２９Ｃはフルエッチング処理によってテープ本体２１
の表面まで貫通させることができるため、深さのばらつ
きの発生を未然に回避することができ、エッチング処理
の寸法管理の厳格性を緩和することができる。

【００４４】図１１は本発明の実施の形態４であるＴＢ
ＧＡ・ＩＣに使用されるキャリアテープのランドを示し
ており、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に
沿う断面図である。

【００４５】本実施の形態が前記実施の形態と異なる点
は、接合強度向上部として、平面視が矩形の透孔である
スリット２９Ｄが三条、互いに平行に並べられて正方形
のランド２８Ｄに開設されている点である。すなわち、
三条の矩形の接合強度向上スリット２９Ｄは正方形のラ
ンド２８Ｄに対してテープ本体２１の表面まで貫通する
ようにフルエッチング処理されている。

【００４６】本実施の形態によれば、前記実施の形態に
加えて次のような作用および効果を得ることができる。
接合強度向上スリット２９Ｄは深さＤが深いので、半田
ボール３３と正方形のランド２８Ｄとの接合強度を高め
ることができる。さらに、接合強度向上スリット２９Ｄ
はフルエッチング処理によってテープ本体２１の表面ま
で貫通させることができるため、深さのばらつきの発生
を未然に回避することができ、エッチング処理の寸法管
理の厳格性を緩和することができる。

【００４７】図１２は本発明の実施の形態５であるＴＢ
ＧＡ・ＩＣに使用されるキャリアテープのランドを示し
ており、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に
沿う断面図である。

【００４８】本実施の形態が前記実施の形態と異なる点
は、接合強度向上部として、平面視が円形の小孔２９Ｅ
が多数個、正方形のランド２８Ｅにマトリックス状に配
列された状態で開設されている点である。すなわち、円
形の接合強度向上小孔２９Ｅは多数個が正方形のランド
２８Ｅの全面に均等に配置されて、テープ本体２１の表
面まで貫通するようにフルエッチング処理されている。

【００４９】本実施の形態によれば、前記実施の形態に
加えて次のような作用および効果を得ることができる。
多数個の接合強度向上小孔２９Ｅは正方形のランド２８
Ｅの全面に散点状に均等に配置されており、かつ、深さ
Ｄが深いので、半田ボール３３と正方形のランド２８Ｅ
との接合強度を高めることができる。さらに、接合強度
向上小孔２９Ｅはフルエッチング処理によってテープ本
体２１の表面まで貫通させることができるため、深さの
ばらつきの発生を未然に回避することができ、エッチン
グ処理の寸法管理の厳格性を緩和することができる。

【００５０】以上本発明者によってなされた発明を実施
の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施
の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

【００５１】例えば、接合強度向上部の平面視の形状は
矩形や十字形および円形の小孔に形成するに限らず、波
形やＴ字形および多角形の小孔等々に形成してもよい。
また、接合強度向上部は溝や穴およびスリットに構成す
るに限らず、他の窪みや透孔に構成してもよい。

【００５２】キャリアはキャリアテープに構成するに限
らず、剛性を有した配線基板に構成してもよい。

【００５３】ペレットの電極パッドとインナリードとを
機械的かつ電気的に接続するためのバンプは、パッド側
に突設するに限らず、インナリード側に突設してもよ
い。さらに、ペレットの電極パッドとインナリードとは
バンプによって接続するに限らず、ワイヤによって電気
的に接続してもよい。

【００５４】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるＴＢＧ
Ａ・ＩＣに適用した場合について説明したが、それに限
定されるものではなく、通常のＢＧＡ等を備えた半導体
装置全般に適用することができる。

【００５５】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。

【００５６】接合強度向上部を形成したランドに半田ボ
ールを半田付けすることにより、半田ボールとランドと
の接合強度を向上させることができるため、半田ボール
がランドに対して剥離したり脱落したりするのを未然に
防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態であるＴＢＧＡ・ＩＣを
示しており、（ａ）は正面断面図、（ｂ）は（ａ）のｂ
−ｂ線に沿う拡大断面図である。

【図２】ペレットを示しており、（ａ）は平面図、
（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う拡大断面図である。

【図３】キャリアテープを示しており、（ａ）は一部省
略平面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う拡大側面断
面図である。

【図４】そのキャリアテープのランド部を示しており、
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う断面
図である。

【図５】インナリードボンディング工程を示しており、
（ａ）はボンディング途中の正面断面図、（ｂ）はボン
ディング後の拡大断面図である。

【図６】ポッティング工程を示しており、（ａ）はポッ
ティング途中の正面断面図、（ｂ）はポッティング後の
正面断面図である。

【図７】ＴＢＧＡ・ＩＣの実装状態を示しており、
（ａ）は正面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う断面
図である。

【図８】本発明の実施の形態２であるＴＢＧＡ・ＩＣに
使用されるキャリアテープのランドを示しており、
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う断面
図である。

【図９】本発明の実施の形態３であるＴＢＧＡ・ＩＣに
使用されるキャリアテープのランドを示しており、
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う断面
図である。

【図１０】本発明の実施の形態４であるＴＢＧＡ・ＩＣ
に使用されるキャリアテープのランドを示しており、
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う断面
図である。

【図１１】本発明の実施の形態４であるＴＢＧＡ・ＩＣ
に使用されるキャリアテープのランドを示しており、
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う断面
図である。

【図１２】本発明の実施の形態５であるＴＢＧＡ・ＩＣ
に使用されるキャリアテープのランドを示しており、
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う断面
図である。

【符号の説明】

１０…ペレット、１１…サブストレート、１２…第一主
面、１３…電極パッド、１４…パッシベーション膜、１
５…バンプ、２０…キャリアテープ、２１…テープ本
体、２２…送り孔、２３…ペレット収容孔、２４…イン
ナリード、２５…アウタリード、２６…ソルダレジスト
膜、２７…スルーホール、２８…ランド、２９…接合強
度向上溝（接合強度向上部）、３０…スティフナ（保護
枠）、３１…接着材層、３２…樹脂封止体、３３…半田
ボール、３４…ＴＢＧＡ・ＩＣ（Ｔ−ＴＦＢＧＡ・Ｉ
Ｃ、半導体装置）、４０…ボンディングステーション、
４１…ヒートブロック、４２…ボンディング工具、５０
…ポッティング装置、５１…封止樹脂、５２…シリン
ジ、６０…プリント配線基板、６１…本体、６２…マウ
ントパッド、６３…半田付け部、２９Ａ…矩形の接合強
度向上スリット、２９Ｂ…十字形の接合強度向上スリッ
ト、２９Ｃ…十字形の実体部を残す接合強度向上透孔、
２８Ｄ…正方形のランド、２９Ｄ…矩形の接合強度向上
スリット、２８Ｅ…正方形のランド、２９Ｅ…円形の接
合強度向上小孔。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者金光伸弥東京都小平市上水本町五丁目20番１号株式会社日立製作所半導体グループ内 (72)発明者萩原靖久東京都小平市上水本町５丁目22番１号株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ内 (72)発明者木本良輔東京都小平市上水本町５丁目22番１号株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】キャリアに敷設された複数本のインナリ
ードに半導体ペレットが電気的に接続されており、前記
複数本のインナリードのそれぞれに一連となったアウタ
リードに形成された各ランドに半田ボールがそれぞれ機
械的かつ電気的に接続されている半導体装置において、
前記ランドの前記半田ボールの接続側主面に接合強度向
上部が形成されており、前記半田ボールがこの接合強度
向上部に投錨した状態になっていることを特徴とする半
導体装置。
【請求項２】前記接合強度向上部が、前記ランドの前
記半田ボールの接続側主面に形成された窪みまたは透孔
によって構成されていることを特徴とする請求項１に記
載の半導体装置。
【請求項３】前記接合強度向上部が、前記ランドの前
記半田ボールの接続側主面に形成された複数条の矩形形
状の溝またはスリットによって構成されていることを特
徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】前記接合強度向上部が、前記ランドの前
記半田ボールの接続側主面に形成された十字形状の溝も
しくはスリット、または、十字形状の実体部を残す窪み
もしくは透孔によって構成されていることを特徴とする
請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項５】前記接合強度向上部が、前記ランドの前
記半田ボールの接続側主面に形成された複数個の円形ま
たは多角形の小穴または小孔によって構成されているこ
とを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。