JP2002134050A - 強誘電体エミッタ - Google Patents
強誘電体エミッタInfo
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- 239000000126 substance Substances 0.000 title abstract description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 3
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims description 30
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims description 30
- 238000001459 lithography Methods 0.000 abstract description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 20
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract 1
- 230000005616 pyroelectricity Effects 0.000 description 14
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 9
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 8
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 3
- 235000012489 doughnuts Nutrition 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 241001074037 Virginia Species 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体のリソグラフィー工程に好適に使用さ
れ得る強誘電体エミッタを提供する。 【解決手段】 下部電極１５と、下部電極１５上に２つ
の端部を含んで形成された強誘電体層１１と、強誘電体
層１１上で２つの端部を除く領域に形成された挿入電極
１２と、強誘電体層１１及び挿入電極１２の上面部に、
所定パターンを有して形成された誘電体層１３と、強誘
電体層１１と対向して誘電体層１３の上面の一側部上に
形成されたダミー上部電極１４とから構成する。このよ
うな強誘電体エミッタで行なわれる、強誘電体のスイッ
チングによるエレクトロンエミッションを利用したリソ
グラフィーにあっては、マスクパターンの間隔によら
ず、さらにドーナツ状に孤立して形成されたパターンで
も、より均一なエレクトロンエミッションが保証される
ようになる。
れ得る強誘電体エミッタを提供する。 【解決手段】 下部電極１５と、下部電極１５上に２つ
の端部を含んで形成された強誘電体層１１と、強誘電体
層１１上で２つの端部を除く領域に形成された挿入電極
１２と、強誘電体層１１及び挿入電極１２の上面部に、
所定パターンを有して形成された誘電体層１３と、強誘
電体層１１と対向して誘電体層１３の上面の一側部上に
形成されたダミー上部電極１４とから構成する。このよ
うな強誘電体エミッタで行なわれる、強誘電体のスイッ
チングによるエレクトロンエミッションを利用したリソ
グラフィーにあっては、マスクパターンの間隔によら
ず、さらにドーナツ状に孤立して形成されたパターンで
も、より均一なエレクトロンエミッションが保証される
ようになる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、強誘電体エミッタ
に係り、詳しくは、半導体リソグラフィー工程に好適
な、多層構造を有する強誘電体エミッタに関する。
に係り、詳しくは、半導体リソグラフィー工程に好適
な、多層構造を有する強誘電体エミッタに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、強誘電体のスイッチングによる強
誘電体からの電子放出（以下、「エレクトロンエミッシ
ョン」という。）の原理を利用した強誘電体エミッタ
は、特にリソグラフィーの分野で工程を簡素化できると
いう点から注目されている。これまで、磁場雰囲気中で
強誘電体エミッタをスイッチングすることにより、リソ
グラフィーに適した電子が得られる技術が開発されてい
る。しかしながら、従来の一般的な強誘電体エミッタに
おいては、２つの電極間の距離が広過ぎたり、狭過ぎた
りすると、適切なエレクトロンエミッションを実現させ
ることが困難であるという問題があった。
誘電体からの電子放出（以下、「エレクトロンエミッシ
ョン」という。）の原理を利用した強誘電体エミッタ
は、特にリソグラフィーの分野で工程を簡素化できると
いう点から注目されている。これまで、磁場雰囲気中で
強誘電体エミッタをスイッチングすることにより、リソ
グラフィーに適した電子が得られる技術が開発されてい
る。しかしながら、従来の一般的な強誘電体エミッタに
おいては、２つの電極間の距離が広過ぎたり、狭過ぎた
りすると、適切なエレクトロンエミッションを実現させ
ることが困難であるという問題があった。
【０００３】たとえば、前記従来の強誘電体エミッタに
おいて、２つの電極間の距離が広過ぎる場合には、充分
な強度の電場が強誘電体エミッタの中央部まで形成され
ず、このような強誘電体の中央部を含む領域では、スイ
ッチングの効果が発現されない。一方、前記従来の強誘
電体エミッタにおいて、２つの電極間の距離、またはマ
スクパターンの間隔が狭過ぎる場合には、強誘電体エミ
ッタの強誘電体層に形成されたマスクパターンが、エレ
クトロンエミッションの際に電子を吸収するため、その
結果、パターン形成されたマスクを通して電子が流れる
ようになる。さらに、前記マスクパターンがドーナツ状
に孤立して形成されたパターンである場合には、２つの
電極が互いに連結されていないため、このマスクパター
ンではスイッチングが不可能になるという問題が発生す
る。
おいて、２つの電極間の距離が広過ぎる場合には、充分
な強度の電場が強誘電体エミッタの中央部まで形成され
ず、このような強誘電体の中央部を含む領域では、スイ
ッチングの効果が発現されない。一方、前記従来の強誘
電体エミッタにおいて、２つの電極間の距離、またはマ
スクパターンの間隔が狭過ぎる場合には、強誘電体エミ
ッタの強誘電体層に形成されたマスクパターンが、エレ
クトロンエミッションの際に電子を吸収するため、その
結果、パターン形成されたマスクを通して電子が流れる
ようになる。さらに、前記マスクパターンがドーナツ状
に孤立して形成されたパターンである場合には、２つの
電極が互いに連結されていないため、このマスクパター
ンではスイッチングが不可能になるという問題が発生す
る。
【０００４】このような強誘電体のスイッチングに対し
て、ピロ電気（焦電体）のエレクトロンエミッションの
場合には、マスクパターンの間隔の特性によらず、均一
なエレクトロンエミッションを実現することが可能であ
る。ここで、ピロ電気（ｐｙｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃｉｔ
ｙ）とは、温度変化によって電気的分極状態をつくり出
す結晶の性質のことである。この性質により、物質が温
度変化を受けると、自発分極の大きさが変化して束縛電
荷に影響を及ぼし、その結果、上部電極と下部電極との
間に電流が流れるようになる。
て、ピロ電気（焦電体）のエレクトロンエミッションの
場合には、マスクパターンの間隔の特性によらず、均一
なエレクトロンエミッションを実現することが可能であ
る。ここで、ピロ電気（ｐｙｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃｉｔ
ｙ）とは、温度変化によって電気的分極状態をつくり出
す結晶の性質のことである。この性質により、物質が温
度変化を受けると、自発分極の大きさが変化して束縛電
荷に影響を及ぼし、その結果、上部電極と下部電極との
間に電流が流れるようになる。
【０００５】エミッタが真空中で加熱されると、エミッ
タの表面でスクリーニングされた束縛電荷が真空中に放
出されるという現象が起こるが、この現象は、いわゆる
「ピロ電気エミッション」と呼ばれている。この場合、
マスクパターンの間隔によらず、均一なエレクトロンエ
ミッションが具現化される。さらに、このピロ電気エミ
ッションは、ドーナツ状に孤立して形成されたパターン
においても、均一なエレクトロンエミッションを可能に
する。しかしながら、このようなピロ電気エミッション
は、エレクトロンエミッションを容易にする一方で、電
子の再放出を行なわせるために、エミッタをリポーリン
グ（ｒｅ−ｐｏｌｉｎｇ）したり、あるいはキュリー温
度以上に加熱したりすることが必要になるという問題が
ある。
タの表面でスクリーニングされた束縛電荷が真空中に放
出されるという現象が起こるが、この現象は、いわゆる
「ピロ電気エミッション」と呼ばれている。この場合、
マスクパターンの間隔によらず、均一なエレクトロンエ
ミッションが具現化される。さらに、このピロ電気エミ
ッションは、ドーナツ状に孤立して形成されたパターン
においても、均一なエレクトロンエミッションを可能に
する。しかしながら、このようなピロ電気エミッション
は、エレクトロンエミッションを容易にする一方で、電
子の再放出を行なわせるために、エミッタをリポーリン
グ（ｒｅ−ｐｏｌｉｎｇ）したり、あるいはキュリー温
度以上に加熱したりすることが必要になるという問題が
ある。
【０００６】
【発明が解決ようとする課題】前記の問題点を解決する
ための本発明の目的は、マスクパターンの間隔によら
ず、均一なエレクトロンエミッションが行なわれること
を保証し、しかもドーナツ状に孤立して形成されたパタ
ーンであっても、キュリー温度以上に加熱する必要がな
く、均一なエレクトロンエミッションを行なうことが可
能な、強誘電体のスイッチングによるエレクトロンエミ
ッションを利用したリソグラフィーを行なうための強誘
電体エミッタを提供することにある。
ための本発明の目的は、マスクパターンの間隔によら
ず、均一なエレクトロンエミッションが行なわれること
を保証し、しかもドーナツ状に孤立して形成されたパタ
ーンであっても、キュリー温度以上に加熱する必要がな
く、均一なエレクトロンエミッションを行なうことが可
能な、強誘電体のスイッチングによるエレクトロンエミ
ッションを利用したリソグラフィーを行なうための強誘
電体エミッタを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明は、下部電極と、前記下部電極上に２つの端
部を含む上面部を有して形成される強誘電体層と、前記
強誘電体層の上面部の２つの端部を除く領域に形成され
る挿入電極と、前記強誘電体層及び挿入電極の上面部に
形成され、所定パターンを有する誘電体層と、前記強誘
電体層に対向して誘電体層の一側部に形成されるダミー
上部電極とから構成されることを特徴とする強誘電体エ
ミッタを提供する（請求項１）。
に、本発明は、下部電極と、前記下部電極上に２つの端
部を含む上面部を有して形成される強誘電体層と、前記
強誘電体層の上面部の２つの端部を除く領域に形成され
る挿入電極と、前記強誘電体層及び挿入電極の上面部に
形成され、所定パターンを有する誘電体層と、前記強誘
電体層に対向して誘電体層の一側部に形成されるダミー
上部電極とから構成されることを特徴とする強誘電体エ
ミッタを提供する（請求項１）。
【０００８】前記の本発明に係る強誘電体エミッタおい
て、誘電体層は、２つの端部を備えた上面部を有し、こ
の２つの端部を除く誘電体層の上面部に所定パターンが
形成されて構成されることことが望ましい（請求項
２）。また、前記強誘電体エミッタにおいて、ダミー上
部電極は、誘電体層から着脱自在に形成されることが望
ましい（請求項３）。さらに、前記強誘電体エミッタに
おいて、ダミー上部電極は、パターンが形成されたパタ
ーン形成部を除く誘電体層の領域に形成されることが望
ましい（請求項４）。
て、誘電体層は、２つの端部を備えた上面部を有し、こ
の２つの端部を除く誘電体層の上面部に所定パターンが
形成されて構成されることことが望ましい（請求項
２）。また、前記強誘電体エミッタにおいて、ダミー上
部電極は、誘電体層から着脱自在に形成されることが望
ましい（請求項３）。さらに、前記強誘電体エミッタに
おいて、ダミー上部電極は、パターンが形成されたパタ
ーン形成部を除く誘電体層の領域に形成されることが望
ましい（請求項４）。
【０００９】また、前記課題を解決するために、本発明
は、下部電極と、前記下部電極上に２つの端部を含む上
面部を有して形成される強誘電体層と、前記強誘電体層
の上面部の２つの端部を除く領域に形成される挿入電極
と、前記強誘電体層及び挿入電極の上面部に形成され、
側部と上面部とを有すると共に、側部が突出して形成さ
れる第１誘電体層と、前記第１誘電体層の突出した側部
を除く上面部に形成される第２誘電体層と、前記第１誘
電体層の突出した一側部上に形成されるダミー上部電極
とから構成されることを特徴とする強誘電体エミッタを
提供する（請求項５）。
は、下部電極と、前記下部電極上に２つの端部を含む上
面部を有して形成される強誘電体層と、前記強誘電体層
の上面部の２つの端部を除く領域に形成される挿入電極
と、前記強誘電体層及び挿入電極の上面部に形成され、
側部と上面部とを有すると共に、側部が突出して形成さ
れる第１誘電体層と、前記第１誘電体層の突出した側部
を除く上面部に形成される第２誘電体層と、前記第１誘
電体層の突出した一側部上に形成されるダミー上部電極
とから構成されることを特徴とする強誘電体エミッタを
提供する（請求項５）。
【００１０】前記の本発明に係る前記強誘電体エミッタ
おいて、第１誘電体層の誘電率は、第２誘電体層の誘電
率よりも高いことが望ましい（請求項６）。また、前記
強誘電体エミッタにおいて、上部電極は、第１誘電体層
から着脱自在に形成されることが望ましい（請求項
７）。
おいて、第１誘電体層の誘電率は、第２誘電体層の誘電
率よりも高いことが望ましい（請求項６）。また、前記
強誘電体エミッタにおいて、上部電極は、第１誘電体層
から着脱自在に形成されることが望ましい（請求項
７）。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面を参照しなが
ら本発明の望ましい実施形態について詳細に説明する。
図１は、本発明に係る強誘電体エミッタの構造を模式的
に示す断面図である。図１に示すように、本発明に係る
強誘電体エミッタは、強誘電体層１１の上面部に挿入電
極１２が形成されている。また、強誘電体層１１の上面
部の２つの端部、及び挿入電極１２の上面部には、所定
パターンが形成された誘電体層１３が形成されている。
このように、強誘電体層１１及び誘電体層１３はいずれ
も、各々異なる構成の２つの端部を備えた上面部を有し
ている。また、挿入電極１２の上面部及び２つの側部
は、誘電体層１３で囲繞された構造を有している。
ら本発明の望ましい実施形態について詳細に説明する。
図１は、本発明に係る強誘電体エミッタの構造を模式的
に示す断面図である。図１に示すように、本発明に係る
強誘電体エミッタは、強誘電体層１１の上面部に挿入電
極１２が形成されている。また、強誘電体層１１の上面
部の２つの端部、及び挿入電極１２の上面部には、所定
パターンが形成された誘電体層１３が形成されている。
このように、強誘電体層１１及び誘電体層１３はいずれ
も、各々異なる構成の２つの端部を備えた上面部を有し
ている。また、挿入電極１２の上面部及び２つの側部
は、誘電体層１３で囲繞された構造を有している。
【００１２】誘電体層１３は、強誘電体層１１及び挿入
電極１２の上面部に形成された構造を有しているので、
強誘電体層１１の上面部に形成された部分の層の厚さ
が、挿入電極１２の上面部に形成された部分の層の厚さ
よりも厚く形成されている。挿入電極１２の上に配置さ
れる誘電体層１３の上面部の所定部位には、所定パター
ンが形成されている。また、誘電体層１３の上には、ダ
ミー上部電極１４が形成されている。このダミー上部電
極１４は、本発明に係る強誘電体エミッタが作動する際
に容易に分離できるように、着脱自在に形成されてい
る。このダミー電極１４は、誘電体層１３の上面部でパ
ターンが形成されていない部位に形成されている。
電極１２の上面部に形成された構造を有しているので、
強誘電体層１１の上面部に形成された部分の層の厚さ
が、挿入電極１２の上面部に形成された部分の層の厚さ
よりも厚く形成されている。挿入電極１２の上に配置さ
れる誘電体層１３の上面部の所定部位には、所定パター
ンが形成されている。また、誘電体層１３の上には、ダ
ミー上部電極１４が形成されている。このダミー上部電
極１４は、本発明に係る強誘電体エミッタが作動する際
に容易に分離できるように、着脱自在に形成されてい
る。このダミー電極１４は、誘電体層１３の上面部でパ
ターンが形成されていない部位に形成されている。
【００１３】強誘電体層１１の下面部には下部電極１５
が形成されている。この下部電極１５は、本発明に係る
強誘電体エミッタを作動させる際に、外部電荷を加える
ためのものである。強誘電体層１１の上に形成された挿
入電極１２は、下部電極１５とダミー上部電極１４との
間に配置されている。この挿入電極１２は、電場が印加
されると、それに伴って中央部及びその近傍部にある強
誘電体層１１を分極させる役割を果たす。また、挿入電
極１２は、ダミー上部電極１４が分離されると、前記誘
電体層１３のパターンの間に電荷を集めるように作用す
る。なお、図１には、本発明に係る強誘電体エミッタの
外部にコレクタ１６が示されているが、このコレクタ１
６は本発明に係る強誘電体エミッタが作動する際に、誘
電体層１３から放出された電子が到達する部分である。
が形成されている。この下部電極１５は、本発明に係る
強誘電体エミッタを作動させる際に、外部電荷を加える
ためのものである。強誘電体層１１の上に形成された挿
入電極１２は、下部電極１５とダミー上部電極１４との
間に配置されている。この挿入電極１２は、電場が印加
されると、それに伴って中央部及びその近傍部にある強
誘電体層１１を分極させる役割を果たす。また、挿入電
極１２は、ダミー上部電極１４が分離されると、前記誘
電体層１３のパターンの間に電荷を集めるように作用す
る。なお、図１には、本発明に係る強誘電体エミッタの
外部にコレクタ１６が示されているが、このコレクタ１
６は本発明に係る強誘電体エミッタが作動する際に、誘
電体層１３から放出された電子が到達する部分である。
【００１４】図２から図４は、図１に示された構造を有
する本発明に係る強誘電体エミッタにおいて、強誘電体
のスイッチングによるエレクトロンエミッションを利用
したリソグラフィーを行なうための方法を説明するため
の模式的な断面図である。まず、図２を参照しながら本
発明に係る強誘電体エミッタでエレクトロンエミッショ
ンを行なうための初期化段階について説明する。まず、
下部電極１５とダミー上部電極１４との間に所定電圧を
印加する。すなわち、正の束縛電荷を下部電極１５に集
め、また負の束縛電荷をダミー上部電極１４に集めるた
めに、本発明に係る強誘電体エミッタを分極させる（参
照番号２１）。この初期化段階では、電場がダミー上部
電極１４と挿入電極１２との間に誘起される。また、電
場は挿入電極１２と下部電極１５との間にも誘起され
る。さらに、強誘電体層１１は挿入電極１２の面積に相
当する領域が分極される。
する本発明に係る強誘電体エミッタにおいて、強誘電体
のスイッチングによるエレクトロンエミッションを利用
したリソグラフィーを行なうための方法を説明するため
の模式的な断面図である。まず、図２を参照しながら本
発明に係る強誘電体エミッタでエレクトロンエミッショ
ンを行なうための初期化段階について説明する。まず、
下部電極１５とダミー上部電極１４との間に所定電圧を
印加する。すなわち、正の束縛電荷を下部電極１５に集
め、また負の束縛電荷をダミー上部電極１４に集めるた
めに、本発明に係る強誘電体エミッタを分極させる（参
照番号２１）。この初期化段階では、電場がダミー上部
電極１４と挿入電極１２との間に誘起される。また、電
場は挿入電極１２と下部電極１５との間にも誘起され
る。さらに、強誘電体層１１は挿入電極１２の面積に相
当する領域が分極される。
【００１５】つぎに、図３を参照しながら、前記初期化
段階に引き続いて行なわれるスクリーニング段階につい
て説明する。パターンが形成された誘電体層１３の上部
に形成されているダミー上部電極１４（図２参照）を誘
電体層１３から分離すると、ダミー上部電極１４内にあ
る負の束縛電荷が強誘電体エミッタから急速に消滅す
る。そして、この負の束縛電荷と入れ替わって、真空中
の電子２２が、誘電体層１３でパターンが形成された部
分に集まる。
段階に引き続いて行なわれるスクリーニング段階につい
て説明する。パターンが形成された誘電体層１３の上部
に形成されているダミー上部電極１４（図２参照）を誘
電体層１３から分離すると、ダミー上部電極１４内にあ
る負の束縛電荷が強誘電体エミッタから急速に消滅す
る。そして、この負の束縛電荷と入れ替わって、真空中
の電子２２が、誘電体層１３でパターンが形成された部
分に集まる。
【００１６】このとき、誘電体層１３の層の厚さが比較
的厚く形成された部分よりも比較的薄く形成された部分
の方に電子２２がより多く集まるので、誘電体層１３の
中央部及びその近傍部付近に電子２２が集まるようにな
る。この電子２２が集まる程度は、強誘電体の自発分極
が大きい程、また誘電体層１３の層の厚さが薄い程大き
くなる。
的厚く形成された部分よりも比較的薄く形成された部分
の方に電子２２がより多く集まるので、誘電体層１３の
中央部及びその近傍部付近に電子２２が集まるようにな
る。この電子２２が集まる程度は、強誘電体の自発分極
が大きい程、また誘電体層１３の層の厚さが薄い程大き
くなる。
【００１７】前記スクリーニング段階までは、強誘電体
のスイッチングによるエレクトロンエミッションを利用
したリソグラフィーとピロ電気によるエレクトロンエミ
ッションを利用したリソグラフィーとは実質的にほぼ同
様のプロセスで行なわれる。しかしながら、つぎに説明
するエレクトロンエミッション段階では、前記両者のプ
ロセスは異なる。
のスイッチングによるエレクトロンエミッションを利用
したリソグラフィーとピロ電気によるエレクトロンエミ
ッションを利用したリソグラフィーとは実質的にほぼ同
様のプロセスで行なわれる。しかしながら、つぎに説明
するエレクトロンエミッション段階では、前記両者のプ
ロセスは異なる。
【００１８】以下、図４を参照しながら、本発明に係る
強誘電体エミッタにおける、強誘電体のスイッチングに
よるエレクトロンエミッションを利用したリソグラフィ
ーについて説明する。強誘電体のスイッチングによるエ
レクトロンエミッションを利用したリソグラフィーのエ
レクトロンエミッション段階では、前記初期化段階とは
逆に、ダミー上部電極１４と下部電極１５との間に負の
電圧を印加する。したがって、この段階では、ダミー上
部電極１４には正の束縛電荷が集まり、下部電極１５に
は負の束縛電荷が集まって、強誘電体層１１の分極の方
向が前記初期化段階とは反対となる（参照番号２３）。
強誘電体エミッタにおける、強誘電体のスイッチングに
よるエレクトロンエミッションを利用したリソグラフィ
ーについて説明する。強誘電体のスイッチングによるエ
レクトロンエミッションを利用したリソグラフィーのエ
レクトロンエミッション段階では、前記初期化段階とは
逆に、ダミー上部電極１４と下部電極１５との間に負の
電圧を印加する。したがって、この段階では、ダミー上
部電極１４には正の束縛電荷が集まり、下部電極１５に
は負の束縛電荷が集まって、強誘電体層１１の分極の方
向が前記初期化段階とは反対となる（参照番号２３）。
【００１９】このとき、ダミー上部電極１４には正電荷
が束縛され、下部電極１５には負電荷が束縛され、これ
に伴って誘電体層１３の上面部に集められていた電子２
４は誘電体層１３の上面部から放出され、コレクタ１６
側に向けて移動する。このようにして、電子２４が放出
され、強誘電体のスイッチングによるエレクトロンエミ
ッションを利用したリソグラフィーが行なわれる。
が束縛され、下部電極１５には負電荷が束縛され、これ
に伴って誘電体層１３の上面部に集められていた電子２
４は誘電体層１３の上面部から放出され、コレクタ１６
側に向けて移動する。このようにして、電子２４が放出
され、強誘電体のスイッチングによるエレクトロンエミ
ッションを利用したリソグラフィーが行なわれる。
【００２０】つぎに、ピロ電気によるエレクトロンエミ
ッションを利用したリソグラフィーについて説明する。
図５から図８は、図１に示す構造を有する本発明に係る
強誘電体エミッタにおいて、ピロ電気によるエレクトロ
ンエミッションを利用したリソグラフィーの方法を説明
するための模式的な断面図である。
ッションを利用したリソグラフィーについて説明する。
図５から図８は、図１に示す構造を有する本発明に係る
強誘電体エミッタにおいて、ピロ電気によるエレクトロ
ンエミッションを利用したリソグラフィーの方法を説明
するための模式的な断面図である。
【００２１】まず、図５を参照しながら、ピロ電気によ
るエレクトロンエミッションを実行するための初期化段
階について説明する。この初期化段階では、下部電極１
５とダミー上部電極１４との間に所定電圧を印加する。
すなわち、正の束縛電荷を下部電極１５に集め、また負
の束縛電荷をダミー上部電極１４に集めるべく、強誘電
体エミッタを分極させる（参照番号３１）。すなわち、
この初期化段階では、電場が、ダミー上部電極１４と挿
入電極１２との間に誘起される。また、別の電場が、挿
入電極１２と下部電極１５との間に誘起される。さら
に、強誘電体層１１は、挿入電極１２の面積と同程度の
領域が分極される（参照番号３１）。
るエレクトロンエミッションを実行するための初期化段
階について説明する。この初期化段階では、下部電極１
５とダミー上部電極１４との間に所定電圧を印加する。
すなわち、正の束縛電荷を下部電極１５に集め、また負
の束縛電荷をダミー上部電極１４に集めるべく、強誘電
体エミッタを分極させる（参照番号３１）。すなわち、
この初期化段階では、電場が、ダミー上部電極１４と挿
入電極１２との間に誘起される。また、別の電場が、挿
入電極１２と下部電極１５との間に誘起される。さら
に、強誘電体層１１は、挿入電極１２の面積と同程度の
領域が分極される（参照番号３１）。
【００２２】つぎに、図６を参照しながら、前記初期化
段階に引き続いて行なわれるスクリーニング段階につい
て説明する。まず、パターンが形成された誘電体層１３
の上面部に形成されたダミー上部電極１４を、誘電体層
１３から分離する。このとき、ダミー電極１４の分離に
よってダミー上部電極１４内にあった負の束縛電荷がエ
ミッタから急速に消滅する。そして、この負の束縛電荷
と入れ替わって、真空中の電子３２が、誘電体層１３で
パターンが形成された部分に集まる。
段階に引き続いて行なわれるスクリーニング段階につい
て説明する。まず、パターンが形成された誘電体層１３
の上面部に形成されたダミー上部電極１４を、誘電体層
１３から分離する。このとき、ダミー電極１４の分離に
よってダミー上部電極１４内にあった負の束縛電荷がエ
ミッタから急速に消滅する。そして、この負の束縛電荷
と入れ替わって、真空中の電子３２が、誘電体層１３で
パターンが形成された部分に集まる。
【００２３】このとき、誘電体層１３で、層の厚さが比
較的厚く形成された部分よりも層の厚さが比較的薄く形
成された部分の方に電子がより多く集まるので、誘電体
層１３でパターンが形成された中央部及びその近傍部に
電子３２が集まる。この電子３２が集まる程度は、強誘
電体の自発分極が大きい程、また誘電体層１３が薄い程
大きくなる。
較的厚く形成された部分よりも層の厚さが比較的薄く形
成された部分の方に電子がより多く集まるので、誘電体
層１３でパターンが形成された中央部及びその近傍部に
電子３２が集まる。この電子３２が集まる程度は、強誘
電体の自発分極が大きい程、また誘電体層１３が薄い程
大きくなる。
【００２４】このようなピロ電気によるエミッションを
利用したリソグラフィーは、前記初期段階及びスクリー
ニング段階までは、前記の強誘電体のスイッチングによ
るエレクトロンエミッションを利用したリソグラフィー
とほぼ同様のプロセスで進行する。しかしながら、つぎ
に説明するエレクトロンエミッション段階では前記両者
のプロセスには差異がある。すなわち、強誘電体のスイ
ッチングによるエレクトロンエミッションを利用したリ
ソグラフィーのプロセスにおけるエレクトロンエミッシ
ョン段階は、その初期化段階とは異なって負の電圧を印
加する方法を採用しているが、ピロ電気によるエレクト
ロンエミッションを利用したリソグラフィーのプロセス
におけるエレクトロンエミッション段階は、強誘電体エ
ミッタに熱を加える方法を採用している。
利用したリソグラフィーは、前記初期段階及びスクリー
ニング段階までは、前記の強誘電体のスイッチングによ
るエレクトロンエミッションを利用したリソグラフィー
とほぼ同様のプロセスで進行する。しかしながら、つぎ
に説明するエレクトロンエミッション段階では前記両者
のプロセスには差異がある。すなわち、強誘電体のスイ
ッチングによるエレクトロンエミッションを利用したリ
ソグラフィーのプロセスにおけるエレクトロンエミッシ
ョン段階は、その初期化段階とは異なって負の電圧を印
加する方法を採用しているが、ピロ電気によるエレクト
ロンエミッションを利用したリソグラフィーのプロセス
におけるエレクトロンエミッション段階は、強誘電体エ
ミッタに熱を加える方法を採用している。
【００２５】以下、図７を参照しながら、本発明に係る
強誘電体エミッタにおいて、ピロ電気によるエレクトロ
ンエミッションを利用したリソグラフィーを行なう方法
について説明する。前記した強誘電体のスイッチング段
階を経た後、このエレクトロンエミッション段階では、
外部に備えられた加熱手段（図示省略）を用いて本発明
に係る強誘電体エミッタの強誘電体層１１を加熱する。
このような外部の加熱手段としては、ヒーター、レーザ
ーまたは赤外線等の各種の加熱手段を用いることができ
る。
強誘電体エミッタにおいて、ピロ電気によるエレクトロ
ンエミッションを利用したリソグラフィーを行なう方法
について説明する。前記した強誘電体のスイッチング段
階を経た後、このエレクトロンエミッション段階では、
外部に備えられた加熱手段（図示省略）を用いて本発明
に係る強誘電体エミッタの強誘電体層１１を加熱する。
このような外部の加熱手段としては、ヒーター、レーザ
ーまたは赤外線等の各種の加熱手段を用いることができ
る。
【００２６】前記のような加熱の過程を経た後、前記強
誘電体エミッタに含まれる強誘電体層１１の温度が上昇
するにつれて、分極の度合いが次第に減少する（参照番
号３３）。このように分極の度合いが次第に減少する過
程において、分極の度合いが減少していく程度に比例し
て誘電体層１３から電子３４が放出され、コレクタ１６
に向かって移動する。このような過程を通して、本発明
に係る強誘電体エミッタにおいて、強誘電体のスイッチ
ングによるエレクトロンエミッションを利用したリソグ
ラフィーでは強誘電体エミッタに所定電圧を印加する代
わりに、ピロ電気によるエレクトロンエミッションを利
用したリソグラフィーでは強誘電体エミッタに熱を加え
ることによって電子が放出される。
誘電体エミッタに含まれる強誘電体層１１の温度が上昇
するにつれて、分極の度合いが次第に減少する（参照番
号３３）。このように分極の度合いが次第に減少する過
程において、分極の度合いが減少していく程度に比例し
て誘電体層１３から電子３４が放出され、コレクタ１６
に向かって移動する。このような過程を通して、本発明
に係る強誘電体エミッタにおいて、強誘電体のスイッチ
ングによるエレクトロンエミッションを利用したリソグ
ラフィーでは強誘電体エミッタに所定電圧を印加する代
わりに、ピロ電気によるエレクトロンエミッションを利
用したリソグラフィーでは強誘電体エミッタに熱を加え
ることによって電子が放出される。
【００２７】つぎに、図８を参照しながら、本発明に係
る強誘電体エミッタの他の実施形態について説明する。
図８に示す本発明に係る強誘電体エミッタは、図１に示
される本発明に係る強誘電体エミッタとは異なり、パタ
ーンが形成された部分の誘電体物質（第２誘電体層）４
４が、パターンが形成されていない部分の誘電体物質
（第１誘電体層）４３とは異なる誘電体物質で構成され
ている。
る強誘電体エミッタの他の実施形態について説明する。
図８に示す本発明に係る強誘電体エミッタは、図１に示
される本発明に係る強誘電体エミッタとは異なり、パタ
ーンが形成された部分の誘電体物質（第２誘電体層）４
４が、パターンが形成されていない部分の誘電体物質
（第１誘電体層）４３とは異なる誘電体物質で構成され
ている。
【００２８】強誘電体層４１の上面部の中央部及びその
近傍部には、挿入電極４２が形成されている。また、強
誘電体層４１及び挿入電極４２の上面部には、第１誘電
体層４３が形成され、その２つの端部を含む領域が突出
した構造を有している。したがって、挿入電極４２の上
面部及び２つの側部は、第１誘電体層４３で囲繞された
構造を有している。このように第１誘電体層４３は、強
誘電体層４１及び挿入電極４２の上面部に形成された構
造を有する。したがって、強誘電体層４１の上にある部
分の層の厚さは、挿入電極４２の上にある部分の層の厚
さよりも厚くなって構成されている。第１誘電体層４３
の突出した、２つの端部を含む領域を除く部分には、第
２誘電体層４４が所定パターンに形成されている。そし
て、下部電極４６が強誘電体層４１の下面部に設けられ
ている。
近傍部には、挿入電極４２が形成されている。また、強
誘電体層４１及び挿入電極４２の上面部には、第１誘電
体層４３が形成され、その２つの端部を含む領域が突出
した構造を有している。したがって、挿入電極４２の上
面部及び２つの側部は、第１誘電体層４３で囲繞された
構造を有している。このように第１誘電体層４３は、強
誘電体層４１及び挿入電極４２の上面部に形成された構
造を有する。したがって、強誘電体層４１の上にある部
分の層の厚さは、挿入電極４２の上にある部分の層の厚
さよりも厚くなって構成されている。第１誘電体層４３
の突出した、２つの端部を含む領域を除く部分には、第
２誘電体層４４が所定パターンに形成されている。そし
て、下部電極４６が強誘電体層４１の下面部に設けられ
ている。
【００２９】また、第１誘電体層４３の誘電率は、第２
誘電体層４４の誘電率とは異なる誘電率を備えて構成さ
れている。本発明に係る強誘電体エミッタにあっては、
第１誘電体層４３の誘電率が第２誘電体層４４の誘電率
よりも高いことが望ましい。第１誘電体層４３で突出し
た一側部の上には、ダミー上部電極４５が形成されてい
る。このダミー上部電極４５は、本発明に係る強誘電体
エミッタが作動する際に、容易に分離できるように、着
脱自在に構成される。
誘電体層４４の誘電率とは異なる誘電率を備えて構成さ
れている。本発明に係る強誘電体エミッタにあっては、
第１誘電体層４３の誘電率が第２誘電体層４４の誘電率
よりも高いことが望ましい。第１誘電体層４３で突出し
た一側部の上には、ダミー上部電極４５が形成されてい
る。このダミー上部電極４５は、本発明に係る強誘電体
エミッタが作動する際に、容易に分離できるように、着
脱自在に構成される。
【００３０】図８に示す本発明に係る強誘電体エミッタ
を作動させる方法は、図１に示す本発明に係る強誘電体
エミッタの作動方法と基本的に同一である。すなわち、
図２から図７に示されるように、強誘電体のスイッチン
グによるエレクトロンエミッションとピロ電気によるエ
レクトロンエミッションとは、ほぼ同一プロセスで行な
われる。
を作動させる方法は、図１に示す本発明に係る強誘電体
エミッタの作動方法と基本的に同一である。すなわち、
図２から図７に示されるように、強誘電体のスイッチン
グによるエレクトロンエミッションとピロ電気によるエ
レクトロンエミッションとは、ほぼ同一プロセスで行な
われる。
【００３１】なお、前記スクリーニング段階において、
電子は、第１誘電体層４３で、突出した端部を除く、上
面部に形成された第２誘電体層４４のパターンの間に集
められる。そして、強誘電体のスイッチングによるエレ
クトロンエミッション、またはピロ電気によるエレクト
ロンエミッションによって電子が放出される。
電子は、第１誘電体層４３で、突出した端部を除く、上
面部に形成された第２誘電体層４４のパターンの間に集
められる。そして、強誘電体のスイッチングによるエレ
クトロンエミッション、またはピロ電気によるエレクト
ロンエミッションによって電子が放出される。
【００３２】
【発明の効果】以上、説明した通りに構成される本発明
によれば、強誘電体のスイッチングによるエレクトロン
エミッションを利用したリソグラフィーにおいて、マス
クパターンの間隔、すなわちマスクパターンの間隔が広
い部位または狭い部位によらず、均一なエレクトロンエ
ミッションが行なわれ、さらにドーナツ状に孤立して形
成されたパターンでも、均一なエレクトロンエミッショ
ンが行なわれることが保証される強誘電体エミッタを提
供することができる。このような強誘電体エミッタは、
ピロ電気によるエレクトロンエミッションでリポーリン
グが容易となるので、各種分野での応用性が高い。
によれば、強誘電体のスイッチングによるエレクトロン
エミッションを利用したリソグラフィーにおいて、マス
クパターンの間隔、すなわちマスクパターンの間隔が広
い部位または狭い部位によらず、均一なエレクトロンエ
ミッションが行なわれ、さらにドーナツ状に孤立して形
成されたパターンでも、均一なエレクトロンエミッショ
ンが行なわれることが保証される強誘電体エミッタを提
供することができる。このような強誘電体エミッタは、
ピロ電気によるエレクトロンエミッションでリポーリン
グが容易となるので、各種分野での応用性が高い。
【図１】本発明に係る強誘電体エミッタの構造を模式的
に示す断面図である。
に示す断面図である。
【図２】強誘電体のスイッチングによるエレクトロンエ
ミッションを利用したリソグラフィーを行なうための本
発明に係る強誘電体エミッタに、ダミー上部電極を設け
た状態で所定電圧を印加した初期化段階を模式的に示す
断面図である。
ミッションを利用したリソグラフィーを行なうための本
発明に係る強誘電体エミッタに、ダミー上部電極を設け
た状態で所定電圧を印加した初期化段階を模式的に示す
断面図である。
【図３】図２に示す初期化段階を経た、強誘電体のスイ
ッチングによるエレクトロンエミッションを利用したリ
ソグラフィーを行なうための本発明に係る強誘電体エミ
ッタに、ダミー上部電極を分離したスクリーニング段階
を模式的に示す断面図である。
ッチングによるエレクトロンエミッションを利用したリ
ソグラフィーを行なうための本発明に係る強誘電体エミ
ッタに、ダミー上部電極を分離したスクリーニング段階
を模式的に示す断面図である。
【図４】図４は、図３に示すスクリーニング段階を経
た、強誘電体のスイッチングによるエレクトロンエミッ
ションを利用したリソグラフィーを行なうための本発明
に係る強誘電体エミッタに、ダミー上部電極を設けた状
態で負電圧を加えるエレクトロンエミッション段階を模
式的に示す断面図である。
た、強誘電体のスイッチングによるエレクトロンエミッ
ションを利用したリソグラフィーを行なうための本発明
に係る強誘電体エミッタに、ダミー上部電極を設けた状
態で負電圧を加えるエレクトロンエミッション段階を模
式的に示す断面図である。
【図５】ピロ電気によるエレクトロンエミッションを利
用したリソグラフィーを行なうための本発明に係る強誘
電体エミッタに、ダミー上部電極を設けた状態で、所定
電圧を印加した初期化段階を模式的に示す断面図であ
る。
用したリソグラフィーを行なうための本発明に係る強誘
電体エミッタに、ダミー上部電極を設けた状態で、所定
電圧を印加した初期化段階を模式的に示す断面図であ
る。
【図６】図５に示す初期化段階を経た、ピロ電気による
エレクトロンエミッションを利用したリソグラフィーを
行なうための本発明に係る強誘電体エミッタで、ダミー
上部電極を分離したスクリーニング段階を模式的に示す
断面図である。
エレクトロンエミッションを利用したリソグラフィーを
行なうための本発明に係る強誘電体エミッタで、ダミー
上部電極を分離したスクリーニング段階を模式的に示す
断面図である。
【図７】図６に示すスクリーニング段階を経た、ピロ電
気によるエレクトロンエミッションを利用したリソグラ
フィーを行なうための本発明に係る強誘電体エミッタ
に、ダミー上部電極を設けた状態で負電圧を印加したエ
レクトロンエミッション段階を模式的に示す断面図であ
る。
気によるエレクトロンエミッションを利用したリソグラ
フィーを行なうための本発明に係る強誘電体エミッタ
に、ダミー上部電極を設けた状態で負電圧を印加したエ
レクトロンエミッション段階を模式的に示す断面図であ
る。
【図８】本発明に係る強誘電体エミッタの他の実施形態
の構成を模式的に示す図面である。
の構成を模式的に示す図面である。
１１、４１ 強誘電体層 １２、４２ 挿入電極 １３ 誘電体層 １４、４５ ダミー上部電極 １５ 下部電極 １６ コレクタ １７ 強誘電体のスイッチングによりコレクタに移動す
る電子 １８ 強誘電体の焦電体効果によりコレクタに移動する
電子 ２２、２４、３２、３４ 電子 ２１、２３、３１、３３ 分極の方向 ４３ 第１誘電体層 ４４ 第２誘電体層
る電子 １８ 強誘電体の焦電体効果によりコレクタに移動する
電子 ２２、２４、３２、３４ 電子 ２１、２３、３１、３３ 分極の方向 ４３ 第１誘電体層 ４４ 第２誘電体層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 501251448 バージニア テック インテレクチュアル プロパティーズ インク Ｖｉｒｇｉｎｉａ Ｔｅｃｈ Ｉｎｔｅｌ ｌｅｃｔｕａｌ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ、 Ｉｎｃ. ザ ユナイテッド ステイツ オブ アメ リカ、バージニア ブラックスガーグ 24060、スイート 1625、プラット ドラ イブ 1872 1872 Ｐｒａｔｔ Ｄｒｉｖｅ、Ｓｕｉｔ ｅ 1625、Ｂｌａｃｋｓｇｕｒｇ Ｖｉｒ ｇｉｎｉａ 24060、Ｔｈｅ Ｕｎｉｔｅ ｄ Ｓｔａｔｅｓ ｏｆ Ａｍｅｒｉｃａ (72)発明者 柳 仁 ▲景▼ 大韓民国 京畿道 龍仁市 器興邑 農書 里 山14−１番地 三星綜合技術院内 Ｆターム(参考） 5C030 AB03 BB01 BB02 CC01 CC02
Claims (7)
- 【請求項１】 下部電極と、 前記下部電極上に２つの端部を含む上面部を有して形成
される強誘電体層と、 前記強誘電体層の上面部で２つの端部を除く領域に形成
される挿入電極と、 前記強誘電体層及び挿入電極の上面部に形成され、所定
パターンを有する誘電体層と、 前記強誘電体層に対向して誘電体層の一側部に形成され
るダミー上部電極と、から構成されることを特徴とする
強誘電体エミッタ。 - 【請求項２】 前記誘電体層は、２つの端部を備えた上
面部を有し、この２つの端部を除く誘電体層の上面部に
所定パターンが形成されて構成されることを特徴とする
請求項１に記載の強誘電体エミッタ。 - 【請求項３】 前記ダミー上部電極は、誘電体層から着
脱自在に形成されることを特徴とする請求項１に記載の
強誘電体エミッタ。 - 【請求項４】 前記ダミー上部電極は、所定パターンが
形成されたパターン形成部を除く誘電体層の領域に形成
されることを特徴とする請求項１に記載の強誘電体エミ
ッタ。 - 【請求項５】 下部電極と、 前記下部電極上に２つの端部を含む上面部を有して形成
される強誘電体層と、 前記強誘電体層の上面部の２つの端部を除く領域に形成
される挿入電極と、 前記強誘電体層及び挿入電極の上面部に形成され、側部
と上面部とを有すると共に、側部が突出して形成される
第１誘電体層と、 前記第１誘電体層の突出した側部を除く上面部に形成さ
れる第２誘電体層と、 前記第１誘電体層の突出した一側部上に形成されるダミ
ー上部電極と、 から構成されることを特徴とする強誘電体エミッタ。 - 【請求項６】 前記第１誘電体層の誘電率は、前記第２
誘電体層の誘電率よりも高いことを特徴とする請求項５
に記載の強誘電体エミッタ。 - 【請求項７】 前記ダミー上部電極は、前記第１誘電体
層から着脱自在に形成されることを特徴とする請求項５
に記載の強誘電体エミッタ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/665122 | 2000-09-20 | ||
| US09/665,122 US6885138B1 (en) | 2000-09-20 | 2000-09-20 | Ferroelectric emitter |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002134050A true JP2002134050A (ja) | 2002-05-10 |
| JP4050015B2 JP4050015B2 (ja) | 2008-02-20 |
Family
ID=24668804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001227547A Expired - Fee Related JP4050015B2 (ja) | 2000-09-20 | 2001-07-27 | 強誘電体エミッタ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6885138B1 (ja) |
| JP (1) | JP4050015B2 (ja) |
| KR (1) | KR100360484B1 (ja) |
| CN (1) | CN1211825C (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011017645A3 (en) * | 2009-08-07 | 2011-06-09 | The Regents Of The University Of California | Apparatus for producing x-rays for use in imaging |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI335332B (en) * | 2001-10-12 | 2011-01-01 | Theravance Inc | Cross-linked vancomycin-cephalosporin antibiotics |
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| IL243367B (en) * | 2015-12-27 | 2020-11-30 | Ariel Scient Innovations Ltd | A method and device for generating an electron beam and creating radiation |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US5031144A (en) * | 1990-02-28 | 1991-07-09 | Hughes Aircraft Company | Ferroelectric memory with non-destructive readout including grid electrode between top and bottom electrodes |
| NL9000602A (nl) * | 1990-03-16 | 1991-10-16 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met geheugenelementen vormende condensatoren met een ferroelectrisch dielectricum. |
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| US5747926A (en) * | 1995-03-10 | 1998-05-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Ferroelectric cold cathode |
| KR100369066B1 (ko) * | 1995-12-29 | 2003-03-28 | 삼성에스디아이 주식회사 | 강유전성에미터를적용한음극구조체및이를적용한전자총과음극선관 |
| JPH10223129A (ja) | 1997-02-12 | 1998-08-21 | Sharp Corp | 強誘電体冷陰極 |
| JP4612932B2 (ja) * | 2000-06-01 | 2011-01-12 | ホーチキ株式会社 | 赤外線検出素子および赤外線２次元イメージセンサ |
| US6479924B1 (en) * | 2000-08-11 | 2002-11-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Ferroelectric emitter |
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2000
- 2000-09-20 US US09/665,122 patent/US6885138B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-12-28 KR KR1020000084215A patent/KR100360484B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2001
- 2001-07-05 CN CNB011224045A patent/CN1211825C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-07-27 JP JP2001227547A patent/JP4050015B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| WO2011017645A3 (en) * | 2009-08-07 | 2011-06-09 | The Regents Of The University Of California | Apparatus for producing x-rays for use in imaging |
| US8755493B2 (en) | 2009-08-07 | 2014-06-17 | The Regents Of The University Of California | Apparatus for producing X-rays for use in imaging |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1211825C (zh) | 2005-07-20 |
| JP4050015B2 (ja) | 2008-02-20 |
| CN1344001A (zh) | 2002-04-10 |
| KR20020022524A (ko) | 2002-03-27 |
| KR100360484B1 (ko) | 2002-11-09 |
| US6885138B1 (en) | 2005-04-26 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
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|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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|
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|
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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