JP2002129261A - 高周波回路用銅合金箔 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】銅の高い導電性を持ちながら高強度を持ち，な
お且つインピーダンスの低い銅合金箔の開発。 【解決手段】質量百分率（％）に基づいて（以下、％と
表記する）Ｃｒ：０．０２％〜０．４０％を含有し，残
部を銅及び不可避不純物とし，表面粗さにおいて，最大
高さ（Ry）を0.3μm〜3.5μm，算術平均粗さ(Ra)を0.02
μm〜0.2μmとした高周波回路用銅合金箔。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は，強度，導電性，表
面性状に優れた銅合金箔に関するものであり，例えばIC
カードのアンテナ等のような高周波回路の用途に最適で
ある。

【０００２】

【従来の技術】近年の高機能電子機器に対する小型化，
処理速度の高速化からの要求から，その回路配線に用い
られる材料には，一般に狭ピッチ化軽量化に有利な薄型
化が要求されたり，高周波電流に対するインピーダンス
の低いことが要求されている。その一つの例が，ICカー
ドである。これまで，カードは薄型で携帯に便利である
ことから，これまで主に磁気信号を記録させた磁気カー
ドとして，キャッシュカードやクレジットカードをはじ
め，テレフォンカード，ポイントカードなど種々の分野
で幅広く利用されてきている。これに対しICカードはカ
ード内にICを内蔵するので，より高度な判断，複雑な演
算が可能であり，記憶容量は磁気カードの100倍大き
い。また，情報の読み書きが可能であり，安全性が高い
という特徴もある。さらに，ICカードの情報伝達方法に
は，接点への物理的接触により交信する接触型以外に，
電磁波などを用いて最大数m程度の空間的な距離をあけ
て交信することのできる非接触型のものもある。

【０００３】これらの特徴により，例えば，IDカード，
乗車券，定期券，電子マネー，高速道路ゲート，免許
証，健康保険証，住民票，IDカード，医療カード，物流
管理等といった非常に広い範囲での利用が見こまれてい
る。また，非接触型ICカードはその通信距離により，密
着型（通信距離〜2mm），近接型（同10cm），近傍型
（同70cm），マイクロ波型（同数m）の4タイプに分かれ
ており，通信周波数は密着型では4.91MHz，近接型，近
傍型では13.56MHz，マイクロ波型では2.45 GHzおよび5.
8GHzと高周波数域までわたっている。

【０００４】この非接触型ICカードの基本構造は，絶縁
シート，アンテナ，ICチップからなり，ICチップには強
誘電体メモリ，不揮発性メモリ，ROM，RAM，変復調回
路，電源回路，暗号回路，制御回路等が組みこまれてい
る。このアンテナ用材料としては，被覆銅線巻き線，銀
ペースト，アルミ箔，銅箔などがあり，巻き数，用途，
製造コストなどにより使い分けられている。巻き数が少
なく高導電性が必要なケースでは，アンテナ用材料とし
て銅箔を用いることが多い。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし，アンテナ用材
料としての純銅の箔を用いた場合には材料強度が低いた
め，部品を組み立てる工程で箔が変形したり，狭ピッチ
の配線のため，引張応力がかかると破断して生産性を下
げてしまうという不具合があった。また，さらに電解銅
箔のような表面粗さの大きい箔を用いた場合には，高周
波の信号の発信，受信の際インピーダンスが増大し，高
周波領域では使用できない場合がある。従って，銅の高
い導電性を持ちながら高強度を持ち，なお且つインピー
ダンスの低い銅合金箔が待たれていた。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者は，上記課題を
開発すべく鋭意研究を行った結果，高強度と高導電性を
あわせもち，なお且つ表面粗さの小さい銅合金の箔を圧
延により製造しこれを適用することにより上記課題を解
決することができた。以下に，上記銅合金箔を具体的に
開示する。

【０００７】かくして本発明は（１）Ｃｒ：０．０２％
〜０．４０％を含有し，残部が，実質的に銅及び不可避
不純物とし，表面粗さにおいて，最大高さRyを0.3μm〜
3.5μm，Raを0.02μm〜0.2μmとした高周波回路用銅合
金箔。（２）Ｃｒ：０．０２％〜０．４０％を含有し，
更にFe，Ti，Zn，Ni，Sn，Si，Mn，P，Mg，Co，Al，B，
In，AgおよびHfの1種以上を総量で0.005％〜2.0％をも
含有させ，残部が，実質的に銅及び不可避不純物とし，
表面粗さにおいて，Ryを0.3μm〜3.5μm，Raを0.02μm
〜0.2μmとした高周波回路用銅合金箔である。

【０００８】

【発明の実施の形態】次に本発明と関与する成分元素の
限定理由を述べる。Ｃｒ：Crは，合金を溶体化処理後，
時効処理を行うことにより母相中に析出して強度を向上
させる作用をするため必要に応じて添加されるが，その
含有量が0.02%未満ではこの作用による所望の効果が得
られない。一方，含有量が増加すると溶体化処理後など
に未固溶のCrとして残存し，粗大なCr粒子として強化に
寄与しないばかりか，圧延中材料表面に露出し表面欠陥
を生成する。表面欠陥を生成させないCr含有量は，０．
４０％以下であることがわかった。

【０００９】Fe，Ti，Zn，Ni，Sn，Si，Mn，P，Mg，C
o，Al，B，In，AgおよびHf：Fe，Ti，Zn，Ni，Sn，Si，
Mn，P，Mg，Co，Al，B，In，AgおよびHfは以下のように
作用する。これらの成分は，いずれも合金の導電性を大
きく低下させずに主として固溶強化により強度を向上さ
せる作用を有しており，したがって必要により1種また
は2種以上の添加がなされるが，その含有量が総量で0.0
05％未満であると前記作用による所望の効果が得られ
ず，一方，総量で2.0％を超える場合には合金の導電率
が著しく低下する。このため，単独添加または2種以上
の複合添加がなされるFe，Ti，Zn，Ni，Sn，Si，Mn，
P，Mg，Co，Al，B，In，AgおよびHfの含有量を総量で0.
005〜2.0％と定めた。ここで，不可避不純物とは，銅精
練にて不可避的に含まれる不純物，溶解原料として繰り
返し使用する際に不可避的に混入する不純物を言い，通
常，電気銅中にAgは10質量ppm程度含有されており，そ
の他 Fe,Zn,Niも各々1質量ppm程度含有されている。

【００１０】最大高さ（Ｒｙ）と算術平均粗さ（Ｒ
ａ）：表面粗さが大きくなると，高周波で通電した場合
に表皮効果のため直流抵抗が極端に増大するためインピ
ーダンスの増大を招き，正常な信号のやりとりが不可能
となる。この現象を解析した結果，表面粗さの指標とし
てはRｙ，Rａの両者が影響することがわかった。即ち，
Ryについては3.5μｍ以下，Raについては0.2μm以下と
すればよいことがわかった。また，Ryが0.3μmより小さ
くなるか，Raが0.02μmより小さくなると，表面の摩擦
が小さくなるため，箔の搬送ラインにおいてスリップが
生じることにより，蛇行したりスリップ傷が発生する。
スリップ傷は箔を製造、取扱いする際、搬送ラインのロ
ールが材料と同調しないために発生する傷である。

【００１１】板の製造、取扱いと異なり、箔の製造、取
扱いでは、箔自体の薄い厚さのため、低い張力でライン
上を搬送しなければならず、板に比べて搬送ロールが同
調し難く、スリップ傷が発生し易い。 スリップ傷は、
箔全長に渡って発生することもあり、強いスリップ傷で
Ｒｙが２．０μｍを超えるものは、この発生部位にて箔
に折れが発生することもある。大きなスリップ傷が発生
した部位を加工した部品は、スリップ傷が発生していな
い部分を加工した部品と比べ、表皮効果のため、インピ
ーダンスが大きくなり、高周波回路用として使用できな
い。そのため、スリップ傷の発生は箔の生産性を低下さ
せる。このような不具合の発生しないためには、合金成
分の添加により箔の強度を向上させる手段に加えて、製
造ラインのロールとの摩擦を大きくすると更に効果があ
る。本発明においては、箔のＲｙが０．３μｍ以上、且
つＲａが０．０２μｍ以上であれば、スリップ傷の発生
は殆どなく、生産性を低下させることはない。即ち、ス
リップ傷部も含めて、Ｒｙ、ＲａについてはＲｙが０．
３μｍ〜３．５μｍ、Ｒａが０．０２μｍ〜０．２μ
ｍ、望ましくはＲｙが０．３μｍ〜２．０μｍ、Ｒａが
０．０２〜０．１５μｍとすることが必用であることが
判明した。ここで、表面粗さを制御する方法としては、
圧延、電解の方法を問わないが、このような表面粗さを
得るためには、一般には圧延の方が容易に制御でき、圧
延機のワークロールの表面粗さをＲｙで０．５μｍ〜４
μｍ、Ｒａで０．０５μｍ〜０．２５μｍとし、このワ
ークロールの表面プロフィルを箔に転写することによ
り、表面粗さの制御を行う。次に，本発明の効果を，好
ましい組成範囲を示す実施例により具体的に説明する。

【００１２】

【実施例】まず，電気銅あるいは無酸素銅を主原料と
し，銅クロム母合金，亜鉛，チタン，軟鋼，ニッケル，
スズ，インジウム，マンガン，マグネシウム，シリコ
ン，銅リン母合金，アルミニウム，コバルト，ホウ素，
銀，ハフニウムを副原料とし，高周波溶解炉にて表１に
示す各種成分組成の銅合金を真空中またはAr雰囲気中で
溶製し，厚さ30mmのインゴットに鋳造した。次に，これ
らの各インゴットを熱間加工および溶体化処理，１回目
の冷間圧延，時効処理，最終の冷間圧延，歪取焼鈍の順
に行い，厚さ0.035mmの箔とした。

【００１３】

【表１】

【００１４】このようにして得られた各合金につき諸特
性の評価を行った。引張強さについては引張試験機を用
いて測定した。導電率は導電率（％ＩＡＣＳ）により評
価した。表面粗さは，銅合金箔の圧延平行方向と圧延直
角方向のRyとRaを表面粗さ計にて測定することで求めた
（測定はＪＩＳ Ｂ０６０１に準じる）。Raについては3
次元走査型電子顕微鏡より表面積を求めても同等の傾向
が得られた。さらに，サンプル（長さ10m，幅60ｍｍ）
を目視観察することで表面欠陥の数を測定した。この結
果欠陥数が5個未満だったものを○，5個以上だったもの
を×と判定した。

【００１５】表2に本発明例の特性評価結果を表記す
る。

【００１６】

【表２】

【００１７】次に表3に比較例合金の化学成分，表4に比
較例の特性評価結果を表記する。

【００１８】

【表３】

【００１９】

【表４】

【００２０】本実施例合金Ｎｏ．１〜２３は，表から明
らかなように良好な特性の箔が得られた。これに対し比
較例合金Ｎｏ．２４，２５はCrが適性範囲より多いた
め，導電率が低く，表面欠陥が多い場合であり，比較例
合金Ｎｏ．２６は副成分が適性範囲を超えているため導
電性が劣る例であり，比較例合金Ｎｏ．２７はCrが適性
範囲より多く副成分も適正範囲を超えているため，導電
率が低く，表面欠陥が多い場合である。

【００２１】更に，本発明例合金N0.1，4，7，10，11お
よび12について圧延ロールの粗さを種々準備し，表面粗
さの異なる供試材を作製し，これらをエッチングにより
圧延方向１mm幅に加工し，100mm長さについて10MHz，20
mAの高周波電流を流し，電圧降下を測定し，インピーダ
ンスを求めた。また，製品で表面検査を行い，良好だっ
たものを○，表面に長さ100mm以上のスリップ傷が発生
し，実用上製品化不可能と判断されたものを×とした。
表５に表面粗さとインピーダンスの測定結果を表記す
る。スリップ傷の発生した、ｉ，ｌのインピーダンスは
スリップ傷の発生してない部位を加工、測定した値であ
り小さい値を示している。

【００２２】

【表５】

【００２３】本発明例の請求項の規定水準内で実施した
本発明例合金のNo.1，4，7，10，11，および12の組成に
各々対応する記号ａ〜ｆは良好なインピーダンス，表面
品質が得られた。これに対し比較例合金に各々対応する
記号ｇ，ｈ，ｊ，ｋはいずれもRyまたはRaが大きいため
にインピーダンスが増加した例であり，比較例ｉおよび
ｌはRaが小さいためにスリップ傷が発生した例である。

【００２４】

【発明の効果】以上説明したように，本発明により合金
組成と合金の表面粗さを特定することによって，非接触
ICカードアンテナ用として従来にない最適な銅合金箔が
得られる。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】質量百分率（％）に基づいて（以下、％と
   表記する）Ｃｒ：０．０２％〜０．４０％を含有し，残
   部が，実質的に銅及び不可避不純物とし，表面粗さにお
   いて，最大高さ（以下Ryとする）を0.3μm〜3.5μm，算
   術平均粗さ(以下Raとする)を0.02μm〜0.2μmとした高
   周波回路用銅合金箔。
2. 【請求項２】Ｃｒ：０．０２％〜０．４０％を含有し，
   更にTi，Fe，Zn，Ni，Sn，Si，Mn，P，Mg，Co，Al，B，
   In，AgおよびHfの1種以上を総量で0.005％〜2.0％をも
   含有させ，残部が，実質的に銅及び不可避不純物とし，
   表面粗さにおいて，Ryを0.3μm〜3.5μm，Raを0.02μm
   〜0.2μmとした高周波回路用銅合金箔。