JP2002124792A - 制御用ユニット - Google Patents
制御用ユニットInfo
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- JP2002124792A JP2002124792A JP2000312300A JP2000312300A JP2002124792A JP 2002124792 A JP2002124792 A JP 2002124792A JP 2000312300 A JP2000312300 A JP 2000312300A JP 2000312300 A JP2000312300 A JP 2000312300A JP 2002124792 A JP2002124792 A JP 2002124792A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Abstract
(57)【要約】
【課題】 放熱性能が良好で高密度化を達成する制御用
ユニットを提供する。 【解決手段】 厚膜多層基板１４が放散フィン１７を備
えたケーシング内に収容され、ケーシングから突出する
接続リード３３が制御用マイコン３９を実装した制御基
板１２に接続されるように、制御基板１２が厚膜多層基
板１４に対向して配置されるようにした。このため、放
熱性能が良好で高密度化を達成する制御用ユニットを実
現することができる。
ユニットを提供する。 【解決手段】 厚膜多層基板１４が放散フィン１７を備
えたケーシング内に収容され、ケーシングから突出する
接続リード３３が制御用マイコン３９を実装した制御基
板１２に接続されるように、制御基板１２が厚膜多層基
板１４に対向して配置されるようにした。このため、放
熱性能が良好で高密度化を達成する制御用ユニットを実
現することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えば自動車用
の制御用ユニットに関し、さらに詳しくは、半導体リレ
ーシステムを搭載する制御用ユニットに関する。
の制御用ユニットに関し、さらに詳しくは、半導体リレ
ーシステムを搭載する制御用ユニットに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、制御用ユニットとしては、図３に
示すような半導体リレーシステムを搭載した自動車用の
制御用ユニット１が知られている。この制御用ユニット
１は、ガラス布エポキシでなるプリント配線基板２の上
に、パワースイッチとして機能する複数のＭＯＳＦＥＴ
パッケージ３、複数の検出抵抗パッケージ４、ドライバ
ＩＣパッケージ５、制御用マイコン６、などのディスク
リート部品を実装して構成されている。なお、この他の
部品としては、コンデンサ、リレーなどの電気部品が実
装されている。また、プリント配線基板２には、多重通
信、負荷制御、ワーニングなどの機能を有する電子回路
が構成されている。
示すような半導体リレーシステムを搭載した自動車用の
制御用ユニット１が知られている。この制御用ユニット
１は、ガラス布エポキシでなるプリント配線基板２の上
に、パワースイッチとして機能する複数のＭＯＳＦＥＴ
パッケージ３、複数の検出抵抗パッケージ４、ドライバ
ＩＣパッケージ５、制御用マイコン６、などのディスク
リート部品を実装して構成されている。なお、この他の
部品としては、コンデンサ、リレーなどの電気部品が実
装されている。また、プリント配線基板２には、多重通
信、負荷制御、ワーニングなどの機能を有する電子回路
が構成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の制御用ユニット１では、例えばパワー回路部
などでは、配線のために大きな基板面積が必要とされて
いる。そして、このようなパワー回路部では、発熱性部
品（パワーＭＯＳＦＥＴなど）が実装されるため、放熱
のために実装部品間のピッチを狭くすることができず、
結果として制御用ユニット１が大型になってしまうとい
う問題点があった。
うな従来の制御用ユニット１では、例えばパワー回路部
などでは、配線のために大きな基板面積が必要とされて
いる。そして、このようなパワー回路部では、発熱性部
品（パワーＭＯＳＦＥＴなど）が実装されるため、放熱
のために実装部品間のピッチを狭くすることができず、
結果として制御用ユニット１が大型になってしまうとい
う問題点があった。
【０００４】自動車用の制御用ユニット（基板）１で
は、上記したようにガラス布エポキシでなるプリント配
線基板２を用いているため熱伝導性が悪いという問題点
がある。この結果、実装部品で発生した熱を逃がしにく
なるため、自動車に用いられる制御用ユニット１では、
実装を高密度化することが困難であるという問題点があ
った。加えて、上記した制御用ユニット１では、発熱性
の高いパワー部品と発熱性の比較的低い弱電部品とを混
在させて搭載することによるパワー部品への熱的な悪影
響を抑制するために、プリント配線基板２の表面に放熱
構造を設けるスペースを要するという問題点があった。
は、上記したようにガラス布エポキシでなるプリント配
線基板２を用いているため熱伝導性が悪いという問題点
がある。この結果、実装部品で発生した熱を逃がしにく
なるため、自動車に用いられる制御用ユニット１では、
実装を高密度化することが困難であるという問題点があ
った。加えて、上記した制御用ユニット１では、発熱性
の高いパワー部品と発熱性の比較的低い弱電部品とを混
在させて搭載することによるパワー部品への熱的な悪影
響を抑制するために、プリント配線基板２の表面に放熱
構造を設けるスペースを要するという問題点があった。
【０００５】そこで、本発明は、放熱性能が良好で高密
度化を達成する制御用ユニットを提供することを目的と
している。
度化を達成する制御用ユニットを提供することを目的と
している。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
比較的発熱量の高い電子部品と比較的発熱量の低い電子
部品とが混載されたハイブリッド基板と、前記ハイブリ
ッド基板を収容して該ハイブリッド基板に形成された回
路に接続される接続リードが上方へ向けて突設され、且
つ放熱構造を備えるケーシングと、ケーシングに組み付
けられた状態で前記接続リードが接続されると共に、制
御用マイコンが実装された制御基板と、を備えることを
特徴とする。
比較的発熱量の高い電子部品と比較的発熱量の低い電子
部品とが混載されたハイブリッド基板と、前記ハイブリ
ッド基板を収容して該ハイブリッド基板に形成された回
路に接続される接続リードが上方へ向けて突設され、且
つ放熱構造を備えるケーシングと、ケーシングに組み付
けられた状態で前記接続リードが接続されると共に、制
御用マイコンが実装された制御基板と、を備えることを
特徴とする。
【０００７】このような構成の請求項１記載の発明で
は、ケーシングに放熱構造を有するため、ケーシング内
に収容されるハイブリッド基板に対して、比較的発熱量
の高い電子部品と比較的発熱量の低い電子部品とを高密
度実装しても、放熱性を確保できるため、他の電子部品
へ熱的な悪影響を及ぼすのを防止することができる。こ
のため、電子部品をベアチップの状態で実装することが
可能となり、さらに高密度化を図ることができる。
は、ケーシングに放熱構造を有するため、ケーシング内
に収容されるハイブリッド基板に対して、比較的発熱量
の高い電子部品と比較的発熱量の低い電子部品とを高密
度実装しても、放熱性を確保できるため、他の電子部品
へ熱的な悪影響を及ぼすのを防止することができる。こ
のため、電子部品をベアチップの状態で実装することが
可能となり、さらに高密度化を図ることができる。
【０００８】また、請求項２記載の発明は、請求項１記
載の制御用ユニットであって、前記ケーシングに収容さ
れたハイブリッド基板は、前記ケーシング内に注入され
た樹脂ポッティング材で封止されていることを特徴とし
ている。
載の制御用ユニットであって、前記ケーシングに収容さ
れたハイブリッド基板は、前記ケーシング内に注入され
た樹脂ポッティング材で封止されていることを特徴とし
ている。
【０００９】したがって、請求項２記載の発明では、請
求項１記載の発明の作用に加えて、ハイブリッド基板が
樹脂ポッティング材で封止されるため、ハイブリッド基
板に実装されている各電子部品を保護する作用がある。
求項１記載の発明の作用に加えて、ハイブリッド基板が
樹脂ポッティング材で封止されるため、ハイブリッド基
板に実装されている各電子部品を保護する作用がある。
【００１０】さらに、請求項３記載の発明は、請求項１
又は請求項２に記載された制御用ユニットであって、前
記放熱構造は、前記ケーシングの下部に形成された複数
の放熱フィンであることを特徴としている。
又は請求項２に記載された制御用ユニットであって、前
記放熱構造は、前記ケーシングの下部に形成された複数
の放熱フィンであることを特徴としている。
【００１１】したがって、請求項３記載の発明では、請
求項１及び請求項２に記載された発明の作用に加えて、
ハイブリッド基板での発熱をケーシング下部の放熱フィ
ンで放散する作用がある。
求項１及び請求項２に記載された発明の作用に加えて、
ハイブリッド基板での発熱をケーシング下部の放熱フィ
ンで放散する作用がある。
【００１２】また、請求項４記載の発明は、請求項１乃
至請求項３のいずれかに記載の制御用ユニットであっ
て、前記ハイブリッド基板は、セラミック基板層に、セ
ラミック層、樹脂層、ガラス層のいずれかの絶縁層が積
層されてなる厚膜多層基板であることを特徴としてい
る。
至請求項３のいずれかに記載の制御用ユニットであっ
て、前記ハイブリッド基板は、セラミック基板層に、セ
ラミック層、樹脂層、ガラス層のいずれかの絶縁層が積
層されてなる厚膜多層基板であることを特徴としてい
る。
【００１３】したがって、請求項４記載の発明では、請
求項１から請求項３に記載された発明の作用に加えて、
ハイブリッド基板が多層構造を有するため、回路密度を
３次元方向に高めることができる。
求項１から請求項３に記載された発明の作用に加えて、
ハイブリッド基板が多層構造を有するため、回路密度を
３次元方向に高めることができる。
【００１４】さらに、請求項５記載の発明は、請求項１
乃至請求項４のいずれかに記載の制御用ユニットであっ
て、前記接続リードは、前記制御基板に形成された接続
用開口部に挿入された状態で半田付けされていることを
特徴としている。
乃至請求項４のいずれかに記載の制御用ユニットであっ
て、前記接続リードは、前記制御基板に形成された接続
用開口部に挿入された状態で半田付けされていることを
特徴としている。
【００１５】したがって、請求項５記載の発明では、ハ
イブリッド基板がケーシングに突設された接続リードで
制御基板に容易に接続することが可能となる。
イブリッド基板がケーシングに突設された接続リードで
制御基板に容易に接続することが可能となる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る制御用ユニッ
トの詳細を図面に示す実施形態に基づいて説明する。な
お、図１はこの実施形態に係る制御用ユニットの分解斜
視図、図２はこの実施形態に係る制御用ユニットの要部
断面図である。
トの詳細を図面に示す実施形態に基づいて説明する。な
お、図１はこの実施形態に係る制御用ユニットの分解斜
視図、図２はこの実施形態に係る制御用ユニットの要部
断面図である。
【００１７】図１及び図２に示すように、本実施形態の
制御用ユニット１０は、ハイブリッド基板ボックス１１
と、制御基板１２とが接続されて構成されている。
制御用ユニット１０は、ハイブリッド基板ボックス１１
と、制御基板１２とが接続されて構成されている。
【００１８】ハイブリッド基板ボックス１１は、図１に
示すような箱状のケーシング１３内に、図２に示すよう
なハイブリッド基板としての厚膜多層基板１４が収容さ
れ、厚膜多層基板１４全体がケーシング１３内にポッテ
ィングされた例えばシリコンゲルなどのポッティング樹
脂材料１５で封止されている。
示すような箱状のケーシング１３内に、図２に示すよう
なハイブリッド基板としての厚膜多層基板１４が収容さ
れ、厚膜多層基板１４全体がケーシング１３内にポッテ
ィングされた例えばシリコンゲルなどのポッティング樹
脂材料１５で封止されている。
【００１９】ケーシング１３は、厚膜多層基板１４を収
納するケーシング本体１６と、このケーシング本体１６
の底部にリブ状に形成された互いに平行をなすように下
方に向けて形成された放熱フィン１７とを備えている。
なお、このケーシング１３は、電気絶縁性樹脂で形成さ
れている。
納するケーシング本体１６と、このケーシング本体１６
の底部にリブ状に形成された互いに平行をなすように下
方に向けて形成された放熱フィン１７とを備えている。
なお、このケーシング１３は、電気絶縁性樹脂で形成さ
れている。
【００２０】また、厚膜多層基板１４は、図２に示すよ
うに、例えばアルミナ系セラミック、ガラス系セラミッ
クなどのセラミック材料でなるセラミック基板１８に表
面側に３つの絶縁層１９、２０、２１が積層されてい
る。そして、セラミック基板１８及び絶縁層１９、２
０、２１の層界面には、所定の配線回路パターン２２、
２３、２４が形成されている。また、絶縁層２１の表面
には、各電子部品を接続するパッド部２５、２６、２７
と図示しない配線パターンが形成されている。さらに、
セラミック基板１８及び絶縁層１９、２０、２１のそれ
ぞれには、ビアホールに導電性材料が充填されてなる埋
め込みプラグ配線２８、２９、３０、３１が上下層の配
線パターンを接続するように形成されている。なお、絶
縁層１９、２０、２１の構成材料としては、ガラス粉末
にアルミナ粉末を混ぜてこれに樹脂及び溶剤を加えてな
るペーストを焼成したものや、結晶化ガラス、低温焼成
セラミックなどを用いることができる。
うに、例えばアルミナ系セラミック、ガラス系セラミッ
クなどのセラミック材料でなるセラミック基板１８に表
面側に３つの絶縁層１９、２０、２１が積層されてい
る。そして、セラミック基板１８及び絶縁層１９、２
０、２１の層界面には、所定の配線回路パターン２２、
２３、２４が形成されている。また、絶縁層２１の表面
には、各電子部品を接続するパッド部２５、２６、２７
と図示しない配線パターンが形成されている。さらに、
セラミック基板１８及び絶縁層１９、２０、２１のそれ
ぞれには、ビアホールに導電性材料が充填されてなる埋
め込みプラグ配線２８、２９、３０、３１が上下層の配
線パターンを接続するように形成されている。なお、絶
縁層１９、２０、２１の構成材料としては、ガラス粉末
にアルミナ粉末を混ぜてこれに樹脂及び溶剤を加えてな
るペーストを焼成したものや、結晶化ガラス、低温焼成
セラミックなどを用いることができる。
【００２１】そして、厚膜多層基板１４の配線パターン
によって形成される回路の所定端子部が例えばワイヤボ
ンディングなどの手法で接続される棒状の複数の接続リ
ード（図１参照）３３の上部が、ケーシング本体１６の
内周面に沿って上方へ突出するように形成されている。
また、厚膜多層基板１４の下面には、ケーシング１３の
放熱フィン１７の上部が接触するように設定され、厚膜
多層基板１４側で発生した熱を放熱フィン１７で放散さ
せるようになっている。
によって形成される回路の所定端子部が例えばワイヤボ
ンディングなどの手法で接続される棒状の複数の接続リ
ード（図１参照）３３の上部が、ケーシング本体１６の
内周面に沿って上方へ突出するように形成されている。
また、厚膜多層基板１４の下面には、ケーシング１３の
放熱フィン１７の上部が接触するように設定され、厚膜
多層基板１４側で発生した熱を放熱フィン１７で放散さ
せるようになっている。
【００２２】さらに、このケーシング本体１６には、図
示しないコネクタ部が設けられおり、電源に接続された
配線や、各種機器に接続された配線がコネクタ部に接続
し得るようになっている。
示しないコネクタ部が設けられおり、電源に接続された
配線や、各種機器に接続された配線がコネクタ部に接続
し得るようになっている。
【００２３】また、絶縁層２１の表面に形成された各パ
ッド部２５、２６、２７には、図２に示すように、ＭＯ
ＳＦＥＴベアチップ３４、ドライバＩＣ３５、印刷によ
り形成された検出抵抗３６、調整用トリミング抵抗３
７、この他、図示しないリレー素子、容量素子などが実
装されている。なお、調整用トリミング抵抗３７は、検
出抵抗３６とドライバＩＣ３５との間に介在されてお
り、検出精度を高めるようになっている。これらの実装
された電子部品は、上記したポッティング樹脂材料１５
で封止されている。
ッド部２５、２６、２７には、図２に示すように、ＭＯ
ＳＦＥＴベアチップ３４、ドライバＩＣ３５、印刷によ
り形成された検出抵抗３６、調整用トリミング抵抗３
７、この他、図示しないリレー素子、容量素子などが実
装されている。なお、調整用トリミング抵抗３７は、検
出抵抗３６とドライバＩＣ３５との間に介在されてお
り、検出精度を高めるようになっている。これらの実装
された電子部品は、上記したポッティング樹脂材料１５
で封止されている。
【００２４】さらに、制御基板１２は、表面に所定の配
線パターン３８が形成され、配線パターン３８の接続端
子部３８Ａには、ハイブリッド基板ボックス１１側から
上方へ突出する接続リード３３が挿入される開口部３８
Ｂが開設されている。そして、開口部３８Ｂに挿入され
た接続リード３３と接続端子部３８Ａとは、半田により
接続されている。また、制御基板１２の略中央部には、
配線パターン３８に接続される制御用マイコン３９が実
装されている。
線パターン３８が形成され、配線パターン３８の接続端
子部３８Ａには、ハイブリッド基板ボックス１１側から
上方へ突出する接続リード３３が挿入される開口部３８
Ｂが開設されている。そして、開口部３８Ｂに挿入され
た接続リード３３と接続端子部３８Ａとは、半田により
接続されている。また、制御基板１２の略中央部には、
配線パターン３８に接続される制御用マイコン３９が実
装されている。
【００２５】このような構成の制御用ユニット１０で
は、厚膜多層基板１４を放熱構造を備えるケーシング１
３に収納したことにより、比較的発熱量の大きい電子部
品と比較的発熱量の小さい電子部品とを、同一表面に実
装することが可能となる。また、放熱性を確保したこと
により、電子部品同士のピッチを狭めることができるた
め、高密度実装を可能にしている。
は、厚膜多層基板１４を放熱構造を備えるケーシング１
３に収納したことにより、比較的発熱量の大きい電子部
品と比較的発熱量の小さい電子部品とを、同一表面に実
装することが可能となる。また、放熱性を確保したこと
により、電子部品同士のピッチを狭めることができるた
め、高密度実装を可能にしている。
【００２６】また、この実施形態では、回路部（パワー
回路部）を厚膜多層基板１４の上に、高密度実装するた
め、従来のようなガラス布エポキシ基板などにパワー回
路部と制御回路部とを混載するよりも、ユニットの小型
化を図ることができる。
回路部）を厚膜多層基板１４の上に、高密度実装するた
め、従来のようなガラス布エポキシ基板などにパワー回
路部と制御回路部とを混載するよりも、ユニットの小型
化を図ることができる。
【００２７】さらに、上記厚膜多層基板１４を用いたこ
とにより、ＭＯＳＦＥＴベアチップ３４を直接実装でき
ると共に、検出抵抗を印刷により形成することが可能と
なるため、さらに小型化、高密度化を達成することがで
き、コストの低減化を図ることができる。
とにより、ＭＯＳＦＥＴベアチップ３４を直接実装でき
ると共に、検出抵抗を印刷により形成することが可能と
なるため、さらに小型化、高密度化を達成することがで
き、コストの低減化を図ることができる。
【００２８】また、上記のように高密度実装したことに
より、例えば電流検出回路部などの配線長が短縮化さ
れ、ＥＭＣ性能及び電流検出精度を向上させることがで
きる。
より、例えば電流検出回路部などの配線長が短縮化さ
れ、ＥＭＣ性能及び電流検出精度を向上させることがで
きる。
【００２９】以上、実施形態について説明したが、本発
明はこれに限定されるものではなく、構成の要旨に付随
する各種の変更が可能である。
明はこれに限定されるものではなく、構成の要旨に付随
する各種の変更が可能である。
【００３０】例えば、上記した実施形態では、ハイブリ
ッド基板ボックス１１と制御基板１２とを接続リード３
３によって接続したが、他の接続手段を用いることも勿
論可能である。
ッド基板ボックス１１と制御基板１２とを接続リード３
３によって接続したが、他の接続手段を用いることも勿
論可能である。
【００３１】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
１記載の発明によれば、ケーシングに放熱構造を有する
ため、ハイブリッド基板での発熱を放熱させることがで
きるため、発熱量の高い電子部品を実装しても他の電子
部品へ熱的な悪影響を及ぼすのを防止する効果がある。
このため、電子部品をベアチップの状態で実装すること
が可能となり、さらに高密度化を図ることができる。
１記載の発明によれば、ケーシングに放熱構造を有する
ため、ハイブリッド基板での発熱を放熱させることがで
きるため、発熱量の高い電子部品を実装しても他の電子
部品へ熱的な悪影響を及ぼすのを防止する効果がある。
このため、電子部品をベアチップの状態で実装すること
が可能となり、さらに高密度化を図ることができる。
【００３２】請求項２記載の発明によれば、請求項１記
載の発明の効果に加えて、ハイブリッド基板が樹脂ポッ
ティング材で封止されるため、ハイブリッド基板に実装
されている各電子部品を保護することができ、信頼性の
高い制御用ユニットを実現することができる。
載の発明の効果に加えて、ハイブリッド基板が樹脂ポッ
ティング材で封止されるため、ハイブリッド基板に実装
されている各電子部品を保護することができ、信頼性の
高い制御用ユニットを実現することができる。
【００３３】請求項３記載の発明によれば、請求項１及
び請求項２に記載された発明の効果に加えて、ハイブリ
ッド基板での発熱をケーシング下部の放熱フィンで放散
することができるため、高密度実装を行っても熱的悪影
響を抑制する効果がある。
び請求項２に記載された発明の効果に加えて、ハイブリ
ッド基板での発熱をケーシング下部の放熱フィンで放散
することができるため、高密度実装を行っても熱的悪影
響を抑制する効果がある。
【００３４】請求項４記載の発明によれば、請求項１か
ら請求項３に記載された発明の効果に加えて、ハイブリ
ッド基板が多層構造を有するため、回路密度を３次元方
向に高めることができ、ハイブリッド基板の面積を縮小
して制御用ユニット全体を小型化する効果がある。
ら請求項３に記載された発明の効果に加えて、ハイブリ
ッド基板が多層構造を有するため、回路密度を３次元方
向に高めることができ、ハイブリッド基板の面積を縮小
して制御用ユニット全体を小型化する効果がある。
【００３５】請求項５記載の発明によれば、ハイブリッ
ド基板がケーシングに突設された接続リードで制御基板
に容易に接続できるため、組み付け作業が簡単になりコ
ストを低減させる効果がある。
ド基板がケーシングに突設された接続リードで制御基板
に容易に接続できるため、組み付け作業が簡単になりコ
ストを低減させる効果がある。
【図１】本発明に係る制御用ユニットの実施形態を示す
分解斜視図である。
分解斜視図である。
【図２】本発明に係る制御用ユニットの実施形態を示す
要部断面図である。
要部断面図である。
【図３】従来の制御用ユニットを示す斜視図である。
１０ 制御用ユニット １２ 制御基板 １３ ケーシング １４ 厚膜多層基板（ハイブリッド基板） １７ 放散フィン ３３ 接続リード ３４ ＭＯＳＦＥＴベアチップ ３５ ドライバＩＣ ３６ 検出抵抗 ３９ 制御用マイコン
Claims (5)
- 【請求項１】 比較的発熱量の高い電子部品と比較的発
熱量の低い電子部品とが混載されたハイブリッド基板
と、 前記ハイブリッド基板を収容して該ハイブリッド基板に
形成された回路に接続される接続リードが上方へ向けて
突設され、且つ放熱構造を備えるケーシングと、 前記ケーシングに組み付けられた状態で前記接続リード
が接続されると共に、制御用マイコンが実装された制御
基板と、 を備えることを特徴とする制御用ユニット。 - 【請求項２】 請求項１記載の制御用ユニットであっ
て、 前記ケーシングに収容されたハイブリッド基板は、前記
ケーシング内に注入された樹脂ポッティング材で封止さ
れていることを特徴とする制御用ユニット。 - 【請求項３】 請求項１又は請求項２に記載された制御
用ユニットであって、 前記放熱構造は、前記ケーシングの下部に形成された複
数の放熱フィンであることを特徴とする制御用ユニッ
ト。 - 【請求項４】 請求項１乃至請求項３のいずれかに記載
の制御用ユニットであって、 前記ハイブリッド基板は、セラミック基板層に、セラミ
ック層、樹脂層、ガラス層のいずれかの絶縁層が積層さ
れてなる厚膜多層基板であることを特徴とする制御用ユ
ニット。 - 【請求項５】 請求項１乃至請求項４のいずれかに記載
の制御用ユニットであって、 前記接続リードは、前記制御基板に形成された接続用開
口部に挿入された状態で半田付けされていることを特徴
とする制御用ユニット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000312300A JP2002124792A (ja) | 2000-10-12 | 2000-10-12 | 制御用ユニット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000312300A JP2002124792A (ja) | 2000-10-12 | 2000-10-12 | 制御用ユニット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002124792A true JP2002124792A (ja) | 2002-04-26 |
Family
ID=18791924
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000312300A Pending JP2002124792A (ja) | 2000-10-12 | 2000-10-12 | 制御用ユニット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002124792A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106230344A (zh) * | 2016-08-31 | 2016-12-14 | 南京市溧水县电子研究所有限公司 | 电动车用大功率一体化电机控制器 |
-
2000
- 2000-10-12 JP JP2000312300A patent/JP2002124792A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106230344A (zh) * | 2016-08-31 | 2016-12-14 | 南京市溧水县电子研究所有限公司 | 电动车用大功率一体化电机控制器 |
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