JP2002122882A - Thin film transistor liquid crystal display device and image display device - Google Patents

Thin film transistor liquid crystal display device and image display device

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JP2002122882A
JP2002122882A JP2000315748A JP2000315748A JP2002122882A JP 2002122882 A JP2002122882 A JP 2002122882A JP 2000315748 A JP2000315748 A JP 2000315748A JP 2000315748 A JP2000315748 A JP 2000315748A JP 2002122882 A JP2002122882 A JP 2002122882A
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JP
Japan
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liquid crystal
thin film
film transistor
display device
connection electrode
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Application number
JP2000315748A
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Japanese (ja)
Inventor
Mitsuhiro Uno
光宏 宇野
Tetsuo Nishi
哲夫 西
Takashi Hirose
貴司 廣瀬
Yoshio Iwai
義夫 岩井
Hisanori Yamaguchi
久典 山口
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a thin film transistor liquid crystal display device in which generation of corrosion caused by electric field can be suppressed at the connecting electrodes connected to inspection TFTs and a black matrix and an image display device using the above device. SOLUTION: The liquid crystal display device is made by hermetically sealing a liquid crystal between glass substrates using sealing material 11. On one of the glass substrates, plural gate wirings 2a, plural source wirings 5a, plural thin film transistors 16, pixel electrodes 8a, inspection thin film transistors 22b and inspection wirings (2b and 2c through 2e) are provided. The wirings (2c through 2e) and the transistors 22b are connected through connection electrodes 8b and the sealing material 11 is arranged to prevent the contact between the electrodes 8b and the liquid crystal.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ゲート配線および
ソース配線に検査用薄膜トランジスタが接続された薄膜
トランジスタ液晶表示装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thin film transistor liquid crystal display device in which a test thin film transistor is connected to a gate wiring and a source wiring.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、液晶表示装置はパソコンや携帯電
話などの情報端末や、ビデオカメラやデジタルカメラの
ビューファインダなどの表示装置として利用されてお
り、その開発・商品化も盛んに行われている。特に薄膜
トランジスタ(以下「TFT」と呼ぶ。)によって駆動
される薄膜トランジスタ液晶表示装置(以下「TFT液
晶表示装置」と呼ぶ。)は、高いコントラストと安定し
たむらのない表示が得られるという特徴をもち、需要が
増大している。
2. Description of the Related Art In recent years, liquid crystal display devices have been used as information terminals such as personal computers and mobile phones, and as display devices such as viewfinders for video cameras and digital cameras, and their development and commercialization have been actively pursued. I have. In particular, a thin film transistor liquid crystal display device (hereinafter, referred to as a “TFT liquid crystal display device”) driven by a thin film transistor (hereinafter, referred to as a “TFT”) has a feature that high contrast and stable and uniform display can be obtained. Demand is growing.

【0003】次に、従来からのTFT液晶表示装置を説
明する。先ず、図4を用いて従来のTFTアレイ基板の
作製工程を説明する。図4は、従来のTFT液晶表示装
置の画素部の構成を示す断面図である。最初に、ガラス
基板1a上に、アルミニウムやクロム等の金属を用いて
複数本のゲート配線2aを形成する。ゲート配線2aは
行方向に延在させる。次にゲート配線2aの上にゲート
絶縁膜として機能するシリコン窒化膜3を形成する。更
に、その上に、ゲート電極の電位によってその抵抗率が
変化してTFTをスイッチとして機能させる半導体膜
4、半導体膜4とソース電極及びドレイン電極とをオー
ミックコンタクトさせるn+半導体膜14を順に連続し
て形成し、半導体膜4とn+半導体膜14とからなるパ
ターンを形成する。
Next, a conventional TFT liquid crystal display device will be described. First, a manufacturing process of a conventional TFT array substrate will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a pixel portion of a conventional TFT liquid crystal display device. First, a plurality of gate wirings 2a are formed on a glass substrate 1a using a metal such as aluminum or chromium. The gate wiring 2a extends in the row direction. Next, a silicon nitride film 3 functioning as a gate insulating film is formed on the gate wiring 2a. Further, a semiconductor film 4 whose resistivity changes according to the potential of the gate electrode to make the TFT function as a switch, and an n + semiconductor film 14 for making ohmic contact between the semiconductor film 4 and the source electrode and the drain electrode are successively formed thereon. And a pattern composed of the semiconductor film 4 and the n + semiconductor film 14 is formed.

【0004】その後、チタン、アルミニウム等の導電材
料で、ソース電極5a、及びドレイン電極5bを形成す
る。この時、同時にソース電極5aと接続されるソース
配線を形成し、ソース配線は列方向に延在させる。更
に、図4に示すように、ソース電極5a、ドレイン電極
5bをマスクとして、ソース電極5aとドレイン電極5
bの間に存在するn+半導体膜14と半導体膜4との一
部をエッチングによって除去する。次に、保護絶縁膜6
となるシリコン窒化膜6を形成し、ドレイン電極5b上
の保護絶縁膜6にドレイン電極5bの一部が露出するよ
うに開口部7を開ける。開口部7を介してドレイン電極
5bと接続するように、画素電極8aを形成する。これ
らの一連の工程によって、TFTアレイ基板が完成す
る。
After that, a source electrode 5a and a drain electrode 5b are formed with a conductive material such as titanium or aluminum. At this time, a source wiring connected to the source electrode 5a is formed at the same time, and the source wiring extends in the column direction. Further, as shown in FIG. 4, using the source electrode 5a and the drain electrode 5b as a mask,
A part of the n + semiconductor film 14 and the semiconductor film 4 existing between b is removed by etching. Next, the protective insulating film 6
Then, an opening 7 is formed in the protective insulating film 6 on the drain electrode 5b so that a part of the drain electrode 5b is exposed. The pixel electrode 8a is formed so as to be connected to the drain electrode 5b through the opening 7. Through a series of these steps, a TFT array substrate is completed.

【0005】一方、カラーフィルタ基板となるガラス基
板1b上には、クロムからなるブラックマトリクス9、
カラーフィルタ13、及び透明電極10を順次形成す
る。その後、上記で得られたTFTアレイ基板とカラー
フィルタ基板それぞれの対向する側に配向膜(図示せ
ず)を印刷し、更に絶縁性の樹脂からなるシールパター
ンを印刷した後、直径4μm〜5μmのスペーサー部材
を分散させ、この2枚の基板を張り合わせる。シールパ
ターンは、200℃程度の温度を与えて固化させる。
On the other hand, a black matrix 9 made of chromium is provided on a glass substrate 1b serving as a color filter substrate.
The color filter 13 and the transparent electrode 10 are sequentially formed. Thereafter, an alignment film (not shown) is printed on the respective sides of the TFT array substrate and the color filter substrate obtained above, and a seal pattern made of an insulating resin is printed. The spacer member is dispersed, and the two substrates are attached to each other. The seal pattern is solidified by giving a temperature of about 200 ° C.

【0006】次に、張り合わせた基板を割断し、複数の
表示装置に分離する。それぞれの表示装置は、その周辺
がシール材(図示せず)によって取り囲まれた状態にあ
る。なお、周辺には1〜2箇所の開口部(図示せず)が
設けられており、この開口部から液晶材料を真空注入す
る。開口部は注入後、封口樹脂によって塞がれる。12
は液晶を示す。更に、透過型液晶表示装置の場合はTF
Tアレイ基板、カラーフィルタ基板それぞれに、また反
射型液晶表示装置の場合はカラーフィルタ基板に、偏光
板を貼り付ける。最後に、得られたTFT液晶表示装置
の良否を判定するために、画像評価を行う。
Next, the bonded substrates are cut and separated into a plurality of display devices. Each display device is in a state where its periphery is surrounded by a sealing material (not shown). One or two openings (not shown) are provided in the periphery, and a liquid crystal material is vacuum-injected from these openings. After the injection, the opening is closed with a sealing resin. 12
Indicates a liquid crystal. Further, in the case of a transmission type liquid crystal display device, TF
A polarizing plate is attached to each of the T array substrate and the color filter substrate, and in the case of a reflection type liquid crystal display device, to the color filter substrate. Finally, image evaluation is performed to determine the quality of the obtained TFT liquid crystal display device.

【0007】TFT液晶表示装置の画像評価について、
図5を用いて説明する。図5は、図4に示すTFT液晶
表示装置の配線構成を概略的に示す図である。図5に示
すように、このTFT液晶表示装置においては、検査用
配線(2b〜2g)から検査用信号を送ることによって
検査が可能な構成となっている。ゲート配線2a及びソ
ース配線5aはそれぞれ検査用TFT22a、22bを
介して検査用配線(2b〜2g)と接続されている。検
査用配線(2b〜2g)は検査パッド電極24に接続さ
れる。外部からの検査用信号の供給は、検査パッド電極
24にプローブ針(図示せず)を接触させることによっ
て行われる。検査用信号は、検査用TFT22a、22
bのオン信号、カラーフィルタ側の透明電極10に供給
する信号、偶数、奇数の走査信号、R,G,Bのデータ
信号の7つより成る。
Regarding the image evaluation of a TFT liquid crystal display device,
This will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a diagram schematically showing a wiring configuration of the TFT liquid crystal display device shown in FIG. As shown in FIG. 5, the TFT liquid crystal display device has a configuration in which an inspection can be performed by sending an inspection signal from the inspection wiring (2b to 2g). The gate line 2a and the source line 5a are connected to inspection lines (2b to 2g) via inspection TFTs 22a and 22b, respectively. The inspection wiring (2b to 2g) is connected to the inspection pad electrode 24. The supply of a test signal from the outside is performed by bringing a probe needle (not shown) into contact with the test pad electrode 24. The inspection signal is supplied to the inspection TFTs 22a and 22a.
b, an ON signal, a signal to be supplied to the transparent electrode 10 on the color filter side, even and odd scanning signals, and R, G, B data signals.

【0008】まず、検査用TFT22a、22bに検査
用配線2bからオン信号を送ることにより、検査用TF
T22a、22bがオン状態となる。次に、検査用配線
(2f、2g)から検査用TFT22aを介して走査信
号がゲート配線2aに供給される。また検査用配線(2
c〜2e)から検査用TFT22bを介してデータ信号
がソース配線5aに供給される。そして、ゲート配線2
a、ソース配線5aを介してその交差部にある画素部2
1にデータ信号が供給される。画素部21はTFTと画
素電極とで構成されており、データ信号はTFTを介し
て画素電極に供給される。
First, by sending an ON signal from the test wiring 2b to the test TFTs 22a and 22b, the test TF
T22a and 22b are turned on. Next, a scanning signal is supplied from the inspection wiring (2f, 2g) to the gate wiring 2a via the inspection TFT 22a. Inspection wiring (2
From c to 2e), a data signal is supplied to the source line 5a via the inspection TFT 22b. And the gate wiring 2
a, the pixel section 2 at the intersection thereof via the source line 5a
1 is supplied with a data signal. The pixel unit 21 includes a TFT and a pixel electrode, and a data signal is supplied to the pixel electrode via the TFT.

【0009】その結果、不良のTFTが存在している場
合は、その部分の画素電極には正常に信号が供給され
ず、点欠陥として認識される。ゲート配線2a、ソース
配線5aが断線していた場合は、断線以降に信号が供給
されずその配線における表示は異常となり、断線と認識
される。検査が終了した後、検査用TFT22a、22
bのゲート電極には検査用配線2bを介して外部よりオ
フ信号が供給される。つまり、ゲート配線2a及びソー
ス配線5aと検査用配線23a、23bとの間が電気的
に分離された様な状態となり、更にゲート配線間、ソー
ス配線間も全て分離した状態となる。
As a result, when a defective TFT exists, no signal is normally supplied to the pixel electrode in that portion, and the pixel electrode is recognized as a point defect. If the gate wiring 2a and the source wiring 5a are disconnected, no signal is supplied after the disconnection, and the display on the wiring becomes abnormal and is recognized as a disconnection. After the inspection is completed, the inspection TFTs 22a, 22
An off signal is supplied from the outside to the gate electrode b through the inspection wiring 2b. In other words, the gate wiring 2a and the source wiring 5a are electrically separated from the inspection wirings 23a and 23b, and the gate wiring and the source wiring are all separated.

【0010】その後、実際の駆動用の走査信号出力IC
26a、データ信号出力IC26bを実装し、それぞれ
のICから、ゲート配線2a及びソース配線5aの一本
一本全てに異なった信号を入力することで、画像が表示
される。27は画像の表示領域を示している。
Thereafter, an actual driving scanning signal output IC
26a and a data signal output IC 26b are mounted, and an image is displayed by inputting a different signal from each IC to each of the gate wiring 2a and the source wiring 5a. 27 indicates an image display area.

【0011】図6は、図5中に点線で示した部分aにお
ける断面構成を示す図である。具体的には検査用配線2
c、2d、2eと図5で示した検査用TFT22bとの
接続部分の断面を示す図である。検査用配線2c、2
d、2eは、ゲート配線2aと同一材料で同一工程によ
って形成される。検査用配線2c、2d、2eには上述
したようにR、G、Bのデータ信号が供給される。検査
用TFTのドレイン電極5cは接続電極8bを介して検
査用配線2cに接続されており、図4、5で示したソー
ス配線5aと同一材料で同一工程によって形成される。
またドレイン電極5cは絶縁膜(図示せず)で被覆され
ており、液晶と接触しないようになっている。なお、接
続電極8bは図5で示した画素部21で示した画素電極
と同一材料で同一工程によって形成される。11は、液
晶12を密封するためのシール材である。
FIG. 6 is a diagram showing a cross-sectional structure of a portion a indicated by a dotted line in FIG. Specifically, inspection wiring 2
FIG. 6 is a diagram showing a cross section of a connection portion between c, 2d, and 2e and the inspection TFT 22b shown in FIG. Inspection wiring 2c, 2
d and 2e are formed by the same process using the same material as the gate wiring 2a. The R, G, and B data signals are supplied to the inspection wires 2c, 2d, and 2e as described above. The drain electrode 5c of the inspection TFT is connected to the inspection wiring 2c via the connection electrode 8b, and is formed of the same material as the source wiring 5a shown in FIGS.
The drain electrode 5c is covered with an insulating film (not shown) so as not to contact the liquid crystal. The connection electrode 8b is formed of the same material and in the same process as the pixel electrode shown in the pixel section 21 shown in FIG. Reference numeral 11 denotes a sealing material for sealing the liquid crystal 12.

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】ところで、図6に示す
ように接続電極8bの上面(上層)にはドレイン電極5
cと異なり絶縁膜が設けられておらず、剥き出し状態と
なっている。そのため接続電極8bは液晶と接触してい
る。さらに、ガラス基板1bにおける接続電極8bに対
向する位置にはブラックマトリクス9と透明電極10と
が存在している。このため、ブラックマトリクス9、透
明電極10および接続電極8bそれぞれは当然異なった
電位となる。
As shown in FIG. 6, the drain electrode 5 is provided on the upper surface (upper layer) of the connection electrode 8b.
Unlike the case c, no insulating film is provided, and the film is exposed. Therefore, the connection electrode 8b is in contact with the liquid crystal. Further, a black matrix 9 and a transparent electrode 10 are present on the glass substrate 1b at a position facing the connection electrode 8b. Therefore, the black matrix 9, the transparent electrode 10, and the connection electrode 8b naturally have different potentials.

【0013】この電位差は、ブラックマトリクス9と接
続電極8bとの間および透明電極10と接続電極8bと
の間で電界を発生させる。そのため液晶12中に存在す
るイオンを介して電荷のやり取りが行われ、ブラックマ
トリクス9と接続電極8bにおいて電界腐食が発生する
という問題が生じてしまう。
This potential difference generates an electric field between the black matrix 9 and the connection electrode 8b and between the transparent electrode 10 and the connection electrode 8b. For this reason, electric charges are exchanged via ions existing in the liquid crystal 12, which causes a problem that electrolytic corrosion occurs in the black matrix 9 and the connection electrode 8b.

【0014】本発明の目的は、検査用TFTと接続され
る接続電極やブラックマトリクスにおける電界腐食の発
生を抑制し得る薄膜トランジスタ液晶表示装置およびそ
れを用いた画像表示装置を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a thin film transistor liquid crystal display device capable of suppressing the occurrence of electric field corrosion in a connection electrode and a black matrix connected to a test TFT, and an image display device using the same.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明にかかる薄膜トランジスタ液晶表示装置の第
一の態様は、対向するガラス基板間に液晶をシール材で
密封してなり、一方のガラス基板における他方のガラス
基板に対向する面上には、行方向に配列された複数のゲ
ート配線と、列方向に配列された複数のソース配線と、
前記ゲート配線と前記ソース配線との各交点に配置され
た複数の薄膜トランジスタ及び画素電極と、ゲート配線
またはソース配線と接続された検査用薄膜トランジスタ
と、検査用薄膜トランジスタに検査用の信号を送る複数
の検査用配線とが少なくとも設けられ、検査用配線の一
部または全部と検査用薄膜トランジスタとは接続電極を
介して接続され、シール材は接続電極と液晶との接触を
妨げるように配置されていることを特徴とする。
In order to achieve the above object, a first embodiment of a thin film transistor liquid crystal display device according to the present invention comprises a liquid crystal sealed between opposing glass substrates with a sealing material. On a surface of the substrate facing the other glass substrate, a plurality of gate wirings arranged in a row direction, a plurality of source wirings arranged in a column direction,
A plurality of thin film transistors and pixel electrodes arranged at each intersection of the gate wiring and the source wiring; a thin film transistor for inspection connected to the gate wiring or the source wiring; and a plurality of inspections for sending an inspection signal to the thin film transistor for inspection. And at least a part of the inspection wiring and the inspection thin film transistor are connected via the connection electrode, and the sealant is arranged so as to prevent contact between the connection electrode and the liquid crystal. Features.

【0016】かかる構成によれば、接続電極は液晶と直
接接触できないため、カラーフィルタ基板側のブラック
マトリクスおよび透明電極と、TFTアレイ基板側の接
続電極との間での電荷の移動を防止できる。よって、従
来のTFT液晶表示装置で問題となった電界腐食の発生
を抑制できる。
According to this configuration, since the connection electrode cannot directly contact the liquid crystal, it is possible to prevent the transfer of charges between the black matrix and the transparent electrode on the color filter substrate side and the connection electrode on the TFT array substrate side. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of electrolytic corrosion, which is a problem in the conventional TFT liquid crystal display device.

【0017】上記第一の態様においては、ゲート配線と
検査用薄膜トランジスタとが第二の接続電極を介して接
続され、第二の接続電極と液晶との接触もシール材によ
って妨げられているのが好ましい。
In the first aspect, the gate wiring and the inspection thin film transistor are connected via the second connection electrode, and the contact between the second connection electrode and the liquid crystal is also prevented by the sealing material. preferable.

【0018】更に、上記第一の態様においては、シール
材が接続電極(または接続電極および第二の接続電極)
と接触するように配置されているのが好ましい。かかる
場合、外部から接続電極に水分やダストが進入してくる
のを抑制でき、当該TFT液晶表示装置の信頼性を高め
ることができる。
Further, in the first aspect, the sealing material is a connection electrode (or a connection electrode and a second connection electrode).
It is preferably arranged to be in contact with In such a case, it is possible to suppress moisture or dust from entering the connection electrode from the outside, and it is possible to enhance the reliability of the TFT liquid crystal display device.

【0019】第一の態様は、接続電極(または接続電極
および第二の接続電極)が画素電極と同一材料によって
同一工程で形成され、アルミニウムを主成分とする金属
材料で構成されているものに対して有効である。
The first aspect is that the connection electrode (or the connection electrode and the second connection electrode) is formed of the same material as the pixel electrode in the same step, and is formed of a metal material containing aluminum as a main component. It is effective for.

【0020】また、上記目的を達成するため、本発明に
かかる薄膜トランジスタ液晶表示装置の第二の態様は、
対向するガラス基板間に液晶をシール材で密封してな
り、一方のガラス基板における他方のガラス基板に対向
する面上には、行方向に配列された複数のゲート配線
と、列方向に配列された複数のソース配線と、前記ゲー
ト配線と前記ソース配線との各交点に配置された複数の
薄膜トランジスタ及び画素電極と、ゲート配線またはソ
ース配線と接続された検査用薄膜トランジスタと、検査
用薄膜トランジスタに検査用の信号を送る複数の検査用
配線とが少なくとも設けられ、他方のガラス基板におけ
る一方のガラス基板に対向する面上には、ブラックマト
リクスと、透明電極とが少なくとも設けられ、検査用配
線の一部または全部と検査用薄膜トランジスタとは接続
電極を介して接続され、接続電極はブラックマトリクス
および透明電極の形成領域よりもガラス基板の周縁側に
位置していることを特徴とする。
Further, in order to achieve the above object, a second aspect of the thin film transistor liquid crystal display device according to the present invention is as follows.
The liquid crystal is sealed with a sealing material between the opposing glass substrates, and a plurality of gate wirings arranged in a row direction and arranged in a column direction on a surface of one glass substrate facing the other glass substrate. A plurality of source wirings, a plurality of thin film transistors and pixel electrodes arranged at respective intersections of the gate wiring and the source wiring, an inspection thin film transistor connected to the gate wiring or the source wiring, and an inspection thin film transistor for the inspection. At least a plurality of inspection wirings for transmitting signals, and a black matrix and a transparent electrode are provided at least on a surface of the other glass substrate facing one glass substrate, and a part of the inspection wirings is provided. Alternatively, the whole and the thin film transistor for inspection are connected via a connection electrode, and the connection electrode is formed of a black matrix and a transparent electrode. And it is located on the peripheral edge of the glass substrate than frequency.

【0021】かかる構成によれば、カラーフィルタ基板
側のブラックマトリクスおよび透明電極とTFTアレイ
基板側の接続電極との距離の拡大を図ることができ、こ
の間の電界を弱めることができる。よって、電荷の移動
を抑制でき、この態様においても従来のTFT液晶表示
装置で問題となった電界腐食の発生を抑制できる。
According to this configuration, the distance between the black matrix and the transparent electrode on the color filter substrate side and the connection electrode on the TFT array substrate side can be increased, and the electric field therebetween can be weakened. Therefore, it is possible to suppress the movement of electric charges, and in this mode, it is also possible to suppress the occurrence of electric field corrosion which has been a problem in the conventional TFT liquid crystal display device.

【0022】上記第二の態様においては、ゲート配線と
検査用薄膜トランジスタとが第二の接続電極を介して接
続され、第二の接続電極もブラックマトリクスおよび透
明電極よりもガラス基板の外周側に位置しているのが好
ましい。
In the second aspect, the gate wiring and the inspection thin-film transistor are connected via the second connection electrode, and the second connection electrode is also located on the outer peripheral side of the glass substrate with respect to the black matrix and the transparent electrode. Preferably.

【0023】また、本発明にかかる画像表示装置は、上
述した薄膜トランジスタ液晶表示装置で構成された表示
部を有することを特徴としている。従って、本発明にか
かる画像表示装置においては表示部における電界腐食の
発生が抑制されるので、装置自体の耐久性の向上が図ら
れる。
Further, an image display device according to the present invention is characterized in that it has a display unit constituted by the above-mentioned thin film transistor liquid crystal display device. Therefore, in the image display device according to the present invention, since the occurrence of electric field corrosion in the display portion is suppressed, the durability of the device itself is improved.

【0024】[0024]

【発明の実施の形態】以下、本発明のTFT液晶表示装
置について、図を用いて詳細に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a TFT liquid crystal display device of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

【0025】図1および図2は、本発明のTFT液晶表
示装置の一例を部分的に示す平面図である。なお、図1
および図2に示す本発明のTFT液晶表示装置は、図4
に示した従来のTFT液晶表示装置と同様の工程を経て
作製され、配線構成は図5に示したものと同様である。
図1では図5中の部分bに相当する部分、即ちデータ信
号を供給する検査用配線と検査用TFTとの接続部分を
示している。図2では図5中の部分cに相当する部分、
即ち走査信号を供給する検査用配線と検査用TFTとの
接続部分を示している。図3は、本発明のTFT液晶表
示装置の構成を部分的に示す断面図であり、図1中の線
A−Aに沿って切断したときの切断面を示している。
FIGS. 1 and 2 are plan views partially showing an example of the TFT liquid crystal display device of the present invention. FIG.
The TFT liquid crystal display device of the present invention shown in FIG.
Are manufactured through the same steps as those of the conventional TFT liquid crystal display device shown in FIG. 1, and the wiring configuration is the same as that shown in FIG.
FIG. 1 shows a portion corresponding to the portion b in FIG. 5, that is, a connection portion between the inspection wiring for supplying a data signal and the inspection TFT. In FIG. 2, a portion corresponding to the portion c in FIG. 5,
That is, a connection portion between the inspection wiring for supplying the scanning signal and the inspection TFT is shown. FIG. 3 is a cross-sectional view partially showing the structure of the TFT liquid crystal display device of the present invention, and shows a cross section taken along line AA in FIG.

【0026】図1〜3の例、特に図3の例に示すよう
に、本発明のTFT液晶表示装置は、対向するガラス基
板(1a、1b)間に液晶12をシール材11で密封し
て構成されている。ガラス基板1aはTFTアレイ基板
を構成し、ガラス基板1bはカラーフィルタ基板を構成
する。なお、図3中の3はシリコン窒化膜で形成された
ゲート膜、6はシリコン窒化膜で形成された保護絶縁
膜、7は各種の絶縁膜に設けられた導通用の開口部を示
している。
As shown in the examples of FIGS. 1 to 3, particularly the example of FIG. 3, the TFT liquid crystal display device of the present invention comprises a liquid crystal 12 sealed with a sealing material 11 between glass substrates (1a, 1b) facing each other. It is configured. The glass substrate 1a forms a TFT array substrate, and the glass substrate 1b forms a color filter substrate. In FIG. 3, reference numeral 3 denotes a gate film formed of a silicon nitride film, 6 denotes a protective insulating film formed of a silicon nitride film, and 7 denotes an opening for conduction provided in various insulating films. .

【0027】本発明のTFT液晶表示装置では、図3で
示した一方のガラス基板1aにおける他方のガラス基板
1bに対向する面15a上には、図1および図2に示す
ように、行方向に配列された複数本のゲート配線2a
と、列方向に配列された複数本のソース配線5aと、ゲ
ート配線2aとソース配線5aとの各交点に配置された
複数のTFT16及び画素電極8aと、ゲート配線2a
またはソース配線5aと接続された検査用TFT22
a、22bと、検査用TFTに検査用の信号を送る検査
用配線(2b〜2g)とが少なくとも設けられている。
In the TFT liquid crystal display device of the present invention, the surface 15a of one glass substrate 1a shown in FIG. 3 facing the other glass substrate 1b is arranged in a row direction as shown in FIGS. A plurality of gate wirings 2a arranged
A plurality of source lines 5a arranged in the column direction; a plurality of TFTs 16 and pixel electrodes 8a arranged at intersections of the gate lines 2a and the source lines 5a;
Alternatively, the inspection TFT 22 connected to the source wiring 5a
a, 22b, and at least test wirings (2b to 2g) for sending a test signal to the test TFT.

【0028】また、図3で示した他方のガラス基板1b
における一方のガラス基板1aに対向する面15b上に
は、図3に示すようにブラックマトリクス9と透明電極
10とが少なくとも設けられている。図1および図2で
はブラックマトリクス9は周縁(9a、9b)のみが示
されており、矢印の方向に形成領域が広がっている。4
は半導体膜を示している。
The other glass substrate 1b shown in FIG.
In FIG. 3, at least a black matrix 9 and a transparent electrode 10 are provided on a surface 15b facing one glass substrate 1a. 1 and 2, only the periphery (9a, 9b) of the black matrix 9 is shown, and the formation region extends in the direction of the arrow. 4
Indicates a semiconductor film.

【0029】本例では、検査用配線(2b〜2g)はゲ
ート配線2aと同一材料で同一工程によって形成されて
いる。検査用配線(2b〜2g)のうち検査用配線2b
には、検査用TFTのオン信号が出力される(図1およ
び図2)。検査用配線2c、2d、2eにはR、G、B
のデータ信号が出力される(図1)。検査用配線2f、
2gには偶数、奇数の走査信号が出力される(図2)。
In this example, the inspection wirings (2b to 2g) are formed of the same material and in the same process as the gate wiring 2a. Inspection wiring 2b among inspection wirings (2b to 2g)
Outputs an ON signal of the inspection TFT (FIGS. 1 and 2). R, G, B for the inspection wirings 2c, 2d, 2e
Is output (FIG. 1). Inspection wiring 2f,
Even and odd scan signals are output to 2g (FIG. 2).

【0030】本発明において検査用配線(2b〜2g)
の一部または全部は接続電極8bを介して検査用TFT
22a、22bと接続される。本例では、検査用配線2
c〜2eが検査用TFT22bのドレイン電極5cと接
続電極8bを介して接続され(図1)、検査用配線2
f、2gが検査用TFT22aのドレイン電極5cと接
続電極8bを介して接続されている(図2)。なお、図
1〜図3に示すドレイン電極5cの表面には絶縁膜が設
けられているが、接続電極8bの表面には絶縁膜は設け
られていない。検査用TFT22a、22bのドレイン
電極5cとソース電極5dとはソース配線5aと同一材
料で同一工程によって形成されている。
In the present invention, inspection wiring (2b to 2g)
A part or all of the TFT is connected to the inspection TFT via the connection electrode 8b.
22a and 22b. In this example, the inspection wiring 2
c to 2e are connected to the drain electrode 5c of the inspection TFT 22b via the connection electrode 8b (FIG. 1).
f and 2g are connected to the drain electrode 5c of the inspection TFT 22a via the connection electrode 8b (FIG. 2). Although an insulating film is provided on the surface of the drain electrode 5c shown in FIGS. 1 to 3, the insulating film is not provided on the surface of the connection electrode 8b. The drain electrode 5c and the source electrode 5d of the inspection TFTs 22a and 22b are formed of the same material and in the same process as the source wiring 5a.

【0031】また、本例では、検査用TFT22bはソ
ース配線5aに接続され(図1)、検査用TFT22a
はゲート配線2aに接続される(図2)。ゲート配線2
aと接続される検査用TFT22aの電極はソース配線
5aと同時に形成されているため、図2に示すように検
査用TFT22aとゲート配線2aとの接続は第二の接
続電極8cを介して行われている。第二の接続電極8c
は、接続電極8bと同様にして形成され、第二の接続電
極8cの表面にも絶縁膜は設けられていない。
In this example, the inspection TFT 22b is connected to the source wiring 5a (FIG. 1), and the inspection TFT 22a
Are connected to the gate wiring 2a (FIG. 2). Gate wiring 2
Since the electrode of the inspection TFT 22a connected to the gate electrode 2a is formed simultaneously with the source wiring 5a, the connection between the inspection TFT 22a and the gate wiring 2a is performed via the second connection electrode 8c as shown in FIG. ing. Second connection electrode 8c
Is formed in the same manner as the connection electrode 8b, and no insulating film is provided on the surface of the second connection electrode 8c.

【0032】このような接続電極8bおよび第二の接続
電極8cと液晶との間で電荷のやりとりが行われると上
述したように電界腐食が発生してしまう。そのため、本
発明のTFT液晶表示装置は、シール材11が接続電極
8bおよび第二の接続電極8cと液晶との接触を妨げる
ように配置される第一の態様(図1〜図3)と、接続電
極8bおよび第二の接続電極8cがブラックマトリクス
9および透明電極10の形成領域よりもガラス基板(1
a、1b)の周縁側に配置される第二の態様(図1〜図
3)とのいずれか一方または両方を有している。
When electric charges are exchanged between the liquid crystal and the connection electrode 8b and the second connection electrode 8c, electric field corrosion occurs as described above. Therefore, the TFT liquid crystal display device of the present invention has a first mode (FIGS. 1 to 3) in which the sealant 11 is arranged so as to prevent contact between the connection electrode 8b and the second connection electrode 8c and the liquid crystal. The connection electrode 8b and the second connection electrode 8c are located on the glass substrate (1) more than the region where the black matrix 9 and the transparent electrode 10 are formed.
It has one or both of the second aspect (FIGS. 1 to 3) arranged on the peripheral side of a and 1b).

【0033】本例では、TFT液晶表示装置は、第一の
態様と第二の態様との両方を包含している。但し、本発
明においては、この例に限定されるものではなく、TF
T液晶表示装置は、第一の態様または第二の態様のどち
らか一方のみを包含するものであってもよい。なお、第
二の接続電極8cが設けられていない場合は、接続電極
8bのみを考慮すれば良い。
In this example, the TFT liquid crystal display device includes both the first mode and the second mode. However, the present invention is not limited to this example, and TF
The T liquid crystal display device may include only one of the first mode and the second mode. When the second connection electrode 8c is not provided, only the connection electrode 8b may be considered.

【0034】本例では、図1〜図3に示すようにシール
材11は接続電極8bおよび第二の接続電極8cと接触
するように配置されている。このため接続電極8bおよ
び第二の接続電極8cと液晶12との接触は極めて発生
しにくく、電荷のやりとりも極めて生じにくいので電界
腐食の発生が抑制される。更に、この場合は外部から接
続電極8bおよび第二の接続電極8cへの水分の侵入を
も抑制できる。なお、本発明においてシール材11の態
様は図1〜図3の例に示すものに限定されるものではな
い。例えば、図1〜図3に示すものより幅が広く、検査
用TFT(22a、22b)とも接触し得るように構成
されたシール材を用いることもできる。
In this embodiment, as shown in FIGS. 1 to 3, the sealing material 11 is arranged so as to be in contact with the connection electrode 8b and the second connection electrode 8c. For this reason, the contact between the connection electrode 8b and the second connection electrode 8c and the liquid crystal 12 is extremely unlikely to occur, and the exchange of charges is extremely unlikely to occur, so that the occurrence of electric field corrosion is suppressed. Further, in this case, intrusion of moisture from the outside into the connection electrode 8b and the second connection electrode 8c can be suppressed. In addition, in this invention, the aspect of the sealing material 11 is not limited to what is shown in the example of FIGS. For example, a sealing material wider than that shown in FIGS. 1 to 3 and configured to be able to contact the inspection TFTs (22a, 22b) can also be used.

【0035】本発明においてシール材11を構成する材
料は特に限定されるものではなく、従来よりTFT液晶
表示装置において用いられている材料を利用することが
できる。シール材11の幅や位置精度も特に限定される
ものではなく、本発明の目的を達成できる程度であれば
良い。但し、シール材11が接続電極8bおよび接続電
極8cと接触して完全に覆っている態様が電界腐食抑制
の効果が高い点から、シール材11は、図1および図2
に示すように、その幅が接続電極8bおよび第二の接続
電極8cの全長よりも長いものであるのが好ましい。
In the present invention, the material constituting the sealing material 11 is not particularly limited, and materials conventionally used in TFT liquid crystal display devices can be used. The width and positional accuracy of the sealing material 11 are not particularly limited as long as the object of the present invention can be achieved. However, the aspect in which the sealing material 11 is in contact with and completely covers the connection electrode 8b and the connection electrode 8c has a high effect of suppressing electrolytic corrosion.
It is preferable that the width is longer than the total length of the connection electrode 8b and the second connection electrode 8c as shown in FIG.

【0036】また、本例では第二の態様も有しているの
で、接続電極8bおよび第二の接続電極8cは従来のよ
うにブラックマトリクス9や透明電極10の直下の位置
にはない。そのため、ブラックマトリクス9および透明
電極10と接続電極8bおよび第二の接続電極8cとの
間で発生する電界は、従来に比べて弱いものとなる。よ
って、やりとりされる電荷の量が少なくなり、これによ
っても電界腐食の発生が抑制される。なお、第二の態様
を用いる場合は、ブラックマトリクスおよび接続電極の
製造段階における位置ズレを考慮すると、接続電極8b
および第二の接続電極8cの最も基板内側にある端部と
ブラックマトリクスの周縁(9a、9b)とのこれらが
同一面上にあると仮想したときの距離h(図1、図2参
照)が少なくとも5μm〜10μm以上となるように設
計しておくのが好ましい。
Further, since the present embodiment also has the second mode, the connection electrode 8b and the second connection electrode 8c are not located immediately below the black matrix 9 and the transparent electrode 10 as in the related art. Therefore, the electric field generated between the black matrix 9 and the transparent electrode 10 and the connection electrode 8b and the second connection electrode 8c is weaker than in the related art. Therefore, the amount of charges exchanged is reduced, which also suppresses the occurrence of electrolytic corrosion. In the case where the second aspect is used, the connection electrodes 8b
And the distance h (see FIGS. 1 and 2) between the end of the second connection electrode 8c which is closest to the inside of the substrate and the periphery (9a, 9b) of the black matrix when these are assumed to be on the same plane. It is preferable to design so as to be at least 5 μm to 10 μm or more.

【0037】本発明において、接続電極8bおよび第二
の接続電極8cを構成する材料は導電性の材料であれば
良く、特に限定されるものではない。但し、シール材1
1が接続電極8bおよび第二の接続電極8cと接触して
いる第一の態様は、接続電極8bおよび第二の接続電極
8cがアルミニウムを主成分とする金属材料で構成され
ている場合に有効である。接続電極8bおよび第二の接
続電極8cがアルミニウムを主成分とする金属材料で構
成されていると、水分に対してこれらの腐食が非常に速
く進行するためである。
In the present invention, the material forming the connection electrode 8b and the second connection electrode 8c may be any conductive material, and is not particularly limited. However, sealing material 1
The first aspect in which 1 is in contact with connection electrode 8b and second connection electrode 8c is effective when connection electrode 8b and second connection electrode 8c are made of a metal material containing aluminum as a main component. It is. This is because when the connection electrode 8b and the second connection electrode 8c are made of a metal material containing aluminum as a main component, their corrosion proceeds very quickly against moisture.

【0038】本発明のTFT液晶表示装置は、画像表示
装置の表示部として利用でき、特に画素電極がアルミニ
ウムを主成分とする金属で形成された反射型画像表示の
表示部に有効である。
The TFT liquid crystal display device of the present invention can be used as a display portion of an image display device, and is particularly effective for a display portion of a reflection type image display in which a pixel electrode is formed of a metal containing aluminum as a main component.

【0039】[0039]

【発明の効果】以上のように本発明のTFT液晶表示装
置を用いれば、TFTアレイ基板側の接続電極とカラー
フィルタ基板側のブラックマトリクスおよび透明電極と
の間に生じる電界を低減でき、よって移動する電荷を減
少させ得るので、電界腐食の発生を抑制することができ
る。更に、接続電極がシール材の内側に位置している従
来のTFT液晶表示装置に比べ、静電気が接続電極に入
り、これによって検査用TFTおよび画素を構成するT
FTが破壊されてしまうという事態の発生を抑制するこ
ともできる。
As described above, when the TFT liquid crystal display device of the present invention is used, the electric field generated between the connection electrode on the TFT array substrate side and the black matrix and the transparent electrode on the color filter substrate side can be reduced. Therefore, the occurrence of electric field corrosion can be suppressed. Furthermore, compared with the conventional TFT liquid crystal display device in which the connection electrode is located inside the sealing material, static electricity enters the connection electrode, and thereby, the TFT for inspection and the TFT forming the pixel are formed.
The occurrence of a situation in which the FT is destroyed can also be suppressed.

【0040】また、本発明は、画素電極がITO等で構
成された透明電極からなる透過型液晶表示装置および画
素電極がアルミニウムを主成分とする金属等で構成され
た反射電極からなる反射型液晶表示装置、何れに於いて
も有効である。但し、反射型液晶表示装置においては、
接続電極が画素電極と同一材料で同一工程によって形成
され、画素電極を構成するアルミニウムを主成分とする
金属は腐食が発生しやすいため、反射型液晶表示装置に
対しては本発明の第一の態様が有効である。
The present invention also relates to a transmissive liquid crystal display device in which a pixel electrode is composed of a transparent electrode composed of ITO or the like, and a reflective liquid crystal in which a pixel electrode is composed of a reflective electrode composed of a metal mainly containing aluminum. It is effective in any display device. However, in a reflection type liquid crystal display device,
The connection electrode is formed of the same material as the pixel electrode in the same process, and the metal mainly composed of aluminum constituting the pixel electrode is susceptible to corrosion. The embodiment is effective.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のTFT液晶表示装置の一例を部分的に
示す平面図
FIG. 1 is a plan view partially showing an example of a TFT liquid crystal display device of the present invention.

【図2】本発明のTFT液晶表示装置の一例を部分的に
示す平面図
FIG. 2 is a plan view partially showing an example of a TFT liquid crystal display device of the present invention.

【図3】本発明のTFT液晶表示装置の構成を示す断面
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a configuration of a TFT liquid crystal display device of the present invention.

【図4】従来のTFT液晶表示装置の画素部の構成を示
す断面図
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a configuration of a pixel portion of a conventional TFT liquid crystal display device.

【図5】図4に示すTFT液晶表示装置の配線構成を概
略的に示す図
5 is a diagram schematically showing a wiring configuration of the TFT liquid crystal display device shown in FIG.

【図6】図5中に点線で示した部分aにおける断面構成
を示す図
FIG. 6 is a diagram showing a cross-sectional configuration of a portion a indicated by a dotted line in FIG. 5;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1a.ガラス基板 1b.ガラス基板 2a.ゲート配線 2b.検査用配線(検査用TFTのオン信号出力用) 2c.検査用配線(Rのデータ信号出力用) 2d.検査用配線(Gのデータ信号出力用) 2e.検査用配線(Bのデータ信号出力用) 2f.検査用配線(奇数の走査信号出力用) 2g.検査用配線(偶数の走査信号出力用) 3. ゲート絶縁膜(シリコン窒化膜) 4. 半導体膜 5a.ソース配線 5b.ドレイン電極 5c.検査用TFTのドレイン電極 5d.検査用TFTのソース電極 6. 保護絶縁膜(シリコン窒化膜) 7. 開口部 8a.画素電極 8b.接続電極 8c.第二の接続電極 9. ブラックマトリクス 10.透明電極 11.シール材 12.液晶 13.カラーフィルタ 14.n+半導体膜 21.画素部 24.検査用パッド電極 25.導電ペースト部 26a.走査信号出力IC 26b.データ信号出力IC 27.表示領域 1a. Glass substrate 1b. Glass substrate 2a. Gate wiring 2b. Inspection wiring (for outputting ON signal of inspection TFT) 2c. Inspection wiring (for outputting data signal of R) 2d. Inspection wiring (for outputting data signal of G) 2e. Inspection wiring (for outputting data signal of B) 2f. Inspection wiring (for outputting odd-numbered scanning signals) 2g. 2. Inspection wiring (for outputting even number of scanning signals) 3. Gate insulating film (silicon nitride film) Semiconductor film 5a. Source wiring 5b. Drain electrode 5c. Drain electrode of inspection TFT 5d. 5. Source electrode of inspection TFT 6. Protective insulating film (silicon nitride film) Opening 8a. Pixel electrode 8b. Connection electrode 8c. Second connection electrode 9. Black matrix 10. Transparent electrode 11. Seal material 12. Liquid crystal 13. Color filter 14. n + semiconductor film 21. Pixel section 24. Inspection pad electrode 25. Conductive paste part 26a. Scan signal output IC 26b. Data signal output IC 27. Indicated Area

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 廣瀬 貴司 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 岩井 義夫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 山口 久典 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 2H092 JA24 JB07 JB52 JB77 KB04 KB13 KB24 MA56 NA15 NA17 PA04 PA08 PA09 5C094 AA21 AA32 BA03 BA43 CA19 CA24 DA07 DA14 DA15 DB04 EA03 EA04 EA05 EA07 EB02 ED03 FB12 FB14 FB15 5F110 AA24 AA26 BB01 CC07 DD02 FF03 HL03 NN02 NN24 NN72 NN77 NN80  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Takashi Hirose 1006 Kazuma Kadoma, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (72) Inventor Yoshio Iwai 1006 Okadoma Kadoma City, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 72) Inventor Hisanori Yamaguchi 1006 Kazuma Kadoma, Kadoma City, Osaka Prefecture F-term in Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (reference) EA03 EA04 EA05 EA07 EB02 ED03 FB12 FB14 FB15 5F110 AA24 AA26 BB01 CC07 DD02 FF03 HL03 NN02 NN24 NN72 NN77 NN80

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 対向するガラス基板間に液晶をシール材
で密封してなり、 一方のガラス基板における他方のガラス基板に対向する
面上には、行方向に配列された複数のゲート配線と、列
方向に配列された複数のソース配線と、前記ゲート配線
と前記ソース配線との各交点に配置された複数の薄膜ト
ランジスタ及び画素電極と、ゲート配線またはソース配
線と接続された検査用薄膜トランジスタと、検査用薄膜
トランジスタに検査用の信号を送る複数の検査用配線と
が少なくとも設けられ、 検査用配線の一部または全部と検査用薄膜トランジスタ
とは接続電極を介して接続され、シール材は接続電極と
液晶との接触を妨げるように配置されていることを特徴
とする薄膜トランジスタ液晶表示装置。
A liquid crystal is sealed between opposing glass substrates with a sealing material, and a plurality of gate wirings arranged in a row direction are formed on a surface of one of the glass substrates facing the other glass substrate. A plurality of source wirings arranged in a column direction; a plurality of thin film transistors and pixel electrodes arranged at respective intersections of the gate wiring and the source wiring; a testing thin film transistor connected to the gate wiring or the source wiring; At least a plurality of inspection wirings for sending an inspection signal to the thin film transistor for inspection are provided, a part or all of the inspection wirings and the inspection thin film transistor are connected via a connection electrode, and the sealing material is connected to the connection electrode, the liquid crystal and the liquid crystal. A thin film transistor liquid crystal display device, wherein the liquid crystal display device is arranged so as to prevent contact with the liquid crystal display.
【請求項2】 ゲート配線と検査用薄膜トランジスタと
が第二の接続電極を介して接続され、第二の接続電極と
液晶との接触もシール材によって妨げられている請求項
1記載の薄膜トランジスタ液晶表示装置。
2. The thin film transistor liquid crystal display according to claim 1, wherein the gate wiring and the inspection thin film transistor are connected via a second connection electrode, and the contact between the second connection electrode and the liquid crystal is prevented by the sealing material. apparatus.
【請求項3】 シール材が接続電極と接触するように配
置されている請求項1記載の薄膜トランジスタ液晶表示
装置。
3. The thin film transistor liquid crystal display device according to claim 1, wherein the sealing material is arranged so as to be in contact with the connection electrode.
【請求項4】 シール材が接続電極および第二の接続電
極と接触するように配置されている請求項2記載の薄膜
トランジスタ液晶表示装置。
4. The thin film transistor liquid crystal display device according to claim 2, wherein the sealing material is arranged so as to be in contact with the connection electrode and the second connection electrode.
【請求項5】 接続電極が画素電極と同一材料によって
同一工程で形成されるものであって、アルミニウムを主
成分とする金属材料で構成されている請求項1に記載の
薄膜トランジスタ液晶表示装置。
5. The thin film transistor liquid crystal display device according to claim 1, wherein the connection electrode is formed of the same material as the pixel electrode in the same step, and is formed of a metal material containing aluminum as a main component.
【請求項6】 第二の接続電極が画素電極と同一材料に
よって同一工程で形成されるものであって、アルミニウ
ムを主成分とする金属材料で構成されている請求項2に
記載の薄膜トランジスタ液晶表示装置。
6. The thin film transistor liquid crystal display according to claim 2, wherein the second connection electrode is formed of the same material as the pixel electrode in the same step, and is made of a metal material containing aluminum as a main component. apparatus.
【請求項7】 対向するガラス基板間に液晶をシール材
で密封してなり、 一方のガラス基板における他方のガラス基板に対向する
面上には、行方向に配列された複数のゲート配線と、列
方向に配列された複数のソース配線と、前記ゲート配線
と前記ソース配線との各交点に配置された複数の薄膜ト
ランジスタ及び画素電極と、ゲート配線またはソース配
線と接続された検査用薄膜トランジスタと、検査用薄膜
トランジスタに検査用の信号を送る複数の検査用配線と
が少なくとも設けられ、 他方のガラス基板における一方のガラス基板に対向する
面上には、ブラックマトリクスと、透明電極とが少なく
とも設けられ、 検査用配線の一部または全部と検査用薄膜トランジスタ
とは接続電極を介して接続され、接続電極はブラックマ
トリクスおよび透明電極の形成領域よりもガラス基板の
周縁側に位置していることを特徴とする薄膜トランジス
タ液晶表示装置。
7. A plurality of gate wirings arranged in a row direction on a surface of one of the glass substrates facing the other glass substrate, wherein a liquid crystal is sealed between the facing glass substrates with a sealing material. A plurality of source wirings arranged in a column direction; a plurality of thin film transistors and pixel electrodes arranged at respective intersections of the gate wiring and the source wiring; a testing thin film transistor connected to the gate wiring or the source wiring; At least a plurality of test wirings for sending a test signal to the thin film transistor for use, and at least a black matrix and a transparent electrode are provided on a surface of the other glass substrate facing one of the glass substrates. A part or all of the wiring for inspection and the thin film transistor for inspection are connected via a connection electrode, and the connection electrode is a black matrix and A thin-film transistor liquid crystal display device, which is located closer to the periphery of the glass substrate than the region where the transparent electrode is formed.
【請求項8】 ゲート配線と検査用薄膜トランジスタと
が第二の接続電極を介して接続され、第二の接続電極も
ブラックマトリクスおよび透明電極よりもガラス基板の
外周側に位置している請求項7記載の薄膜トランジスタ
液晶表示装置。
8. The gate wiring and the inspection thin film transistor are connected via a second connection electrode, and the second connection electrode is also located on the outer peripheral side of the glass substrate with respect to the black matrix and the transparent electrode. A thin film transistor liquid crystal display device as described in the above.
【請求項9】 請求項1から8いずれかに記載の薄膜ト
ランジスタ液晶表示装置で構成された表示部を有するこ
とを特徴とする画像表示装置。
9. An image display device comprising a display unit comprising the thin film transistor liquid crystal display device according to claim 1.
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