JP2002121051A - 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法、及び情報記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 化学強化塩に含まれるＰｂ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂ
ａ、Ｓｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉ等の不純物が原因で
ガラス基板上に発生する凸部（突起）の高さを効果的に
低減する。 【解決手段】 化学強化塩を含有する化学強化処理液に
ガラス基板を接触させることにより、ガラス基板を化学
強化する工程を含む情報記録媒体用ガラス基板の製造方
法において、前記化学強化塩に含まれるＰｂ、Ｃａ、Ｍ
ｇ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉのうちの少な
くとも一種の不純物濃度が、１００ｐｐｍ（＝０．０１
％）以下である化学強化塩を使用する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は情報処理機器等の記録媒
体として使用される情報記録媒体の製造方法及びその基
板の製造方法等に関する。

【０００２】

【従来の技術】情報処理機器等の記録媒体として使用さ
れる情報記録媒体の一つとして磁気ディスクがある。磁
気ディスクは、基板上に磁性層等の薄膜を形成して構成
されたものであり、その基板としてはアルミニウム基板
やガラス基板が用いられてきた。しかし、最近では、高
記録密度化の追求に呼応して、アルミニウム基板と比べ
て磁気ヘッドと磁気記録媒体との間隔（磁気ヘッドの浮
上高さ）をより狭くすることが可能なガラス基板の占め
る比率が次第に高くなってきている。

【０００３】このように増加傾向にあるガラス基板は、
磁気ディスクドライブに装着された際の衝撃に耐えるよ
うに一般的に強度を増すために化学強化されて製造され
ている。また、ガラス基板表面は磁気ヘッドの浮上高さ
（フライングハイト）を極力下げることができるよう
に、高精度に研磨して高記録密度化を実現している。他
方、ガラス基板だけではなく、磁気ヘッドの方も薄膜ヘ
ッドから磁気抵抗型ヘッド（ＭＲヘッド）等に推移し、
高記録密度化に応えている。

【０００４】上述した高記録密度化にとって必要な低フ
ライングハイト化のために磁気ディスク表面の高い平坦
性は必要不可欠である。加えて、ＭＲヘッドを用いた場
合、サーマル・アスペリティー（Thermal Asperity）
の問題からも磁気記録媒体の表面には高い平坦性が必要
となる。このサーマル・アスペリティーは、磁気ディス
クの表面上に突起があると、この突起にＭＲヘッドが影
響をうけてＭＲヘッドに熱が発生し、この熱によってヘ
ッドの抵抗値が変動し電磁変換に誤動作を引き起こす現
象である。また、磁気ディスクの表面上に突起がある
と、この突起によってヘッドクラッシュが起きたり、こ
のヘッドクラッシュが原因で磁気ディスクを構成する磁
性膜などが剥がれるなど、磁気ディスクにも悪影響を及
ぼす。

【０００５】このように、ヘッドクラッシュの防止及び
低フライングハイト化の実現にとっても、サーマル・ア
スペリティーの発生防止のためにも磁気ディスク表面の
高い平坦性の要請は日増に高まってきている。このよう
な、磁気ディスク表面の高い平坦性を得るためには高精
度に基板表面を研磨することになるが、もはや、高精度
に基板表面を研磨するだけでは、磁気ディスクの高記録
密度化を実現できない段階まで来ている。つまり、いく
ら、高精度に研磨しても基板上に異物が付着し突起が形
成されていては実質的に高い平坦性は得られない。勿
論、従来から異物の除去はなされていたが、従来では許
容されていた基板上の異物が、今日の高密度化のレベル
では問題視される状況にある。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、実質的
に高い平坦性を有する基板を実現すべく鋭意研究開発を
進めた結果、化学強化処理液にする前の化学強化塩に含
まれるＰｂ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａ
ｌ、Ｓｉ等の不純物が原因で、化学強化処理後に基板上
に異物による突起が発生することがわかった。これらの
不純物は、酸化物や塩の形で基板上に残り、洗浄で落と
しきれずに残存する場合や、高温の化学強化処理液中で
ガラスと一体化して酸化物等を形成する場合、金属粒子
が高温の化学強化処理液中でガラス基板に焼き付く場
合、粒子が凝集して基板に付着する場合などのケースが
考えられる。そして、これらの不純物が原因で発生する
異物による突起（凸部）が形成されたガラス基板上に磁
性膜等の薄膜を積層すると、磁気ディスク表面に突起が
形成され、ヘッドクラッシュの防止及び低フライングハ
イト化の実現や、サーマル・アスペリティーの防止の阻
害要因となっていることがわかった。

【０００７】本発明は、上述した問題に鑑みなされたも
ので、化学強化塩に含まれる上述した不純物が原因で発
生する異物による突起の高さを効果的に低減できる情報
記録媒体用ガラス基板の製造方法の提供を第一の目的と
する。また、本発明は、化学強化塩に含まれる上述した
不純物が原因で発生する異物に起因する欠陥が少なく高
品質の情報記録媒体を高歩留まりで製造し得る製造方法
の提供を第二の目的とする。さらに、本発明は、化学強
化塩に含まれる上述した不純物が原因で発生する異物に
よる突起の高さを効果的に低減でき、したがって、ヘッ
ドクラッシュの防止及び低フライングハイト化の実現
や、サーマル・アスペリティーの防止を効果的かつ高歩
留まりで実現しうる磁気ディスクの製造方法の提供を第
三の目的とする。また、本発明は、イオン交換処理液に
使われる塩に含まれる上述した不純物が原因で発生する
異物の発生を効果的に低減でき、したがって、欠陥の少
ない電子デバイスや光学素子、光学ガラス製品等を高歩
留まりで製造し得る製造方法の提供を第四の目的とす
る。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上述した
知見に基づいてさらに研究開発を進めた結果、化学強化
塩に含まれるＰｂ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｎｉ、Ｔ
ｉ、Ａｌ、Ｓｉ等の不純物の濃度レベルを必要に応じ管
理することで、これらの不純物が原因で発生する不良を
低減又は回避できることを突き止めた。具体的には、現
状のフライングハイト２０〜３０ｎｍ程度に対しては、
これらの不純物濃度を、５０〜１００ｐｐｍ（＝０．０
０５％〜０．０１％）以下にするとこれらの不純物が原
因で発生する異物による突起の高さを低減でき効果的で
あることがわかった。同様に、フライングハイト１０〜
２０ｎｍ程度に対しては、これらの不純物濃度を、２０
〜５０ｐｐｍ（＝０．００２％〜０．００５％）以下に
すると効果的であることがわかった。さらに、現状のフ
ライングハイトは２０〜３０ｎｍ程度であるが、フライ
ングハイトを５ｎｍ以下にする場合、化学強化塩に含ま
れる不純物が原因で発生する異物による突起の高さを５
ｎｍ以下に抑える必要があり、フライングハイト５ｎｍ
以下を実現するためには、化学強化塩に含まれる前記不
純物の濃度を概ね数百ｐｐｂレベル以下に抑える必要が
あることがわかった。さらに、化学強化塩に含まれる不
純物が原因で発生する異物による突起の高さが５ｎｍ以
下の場合であっても、不純物が薄く残留した場合、磁気
特性の低下や耐久性の低下等を招くことがわかった。こ
れを回避するためには、化学強化塩に含まれるＰｂ、Ｃ
ａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｆｅ、ＣｒＡｌ、
Ｓｉ、Ｓ、Ｐ等の不純物の濃度をさらに低濃度にする必
要が有り、具体的には概ね５０ｐｐｂ以下に抑える必要
があることがわかった。

【０００９】本発明は以下の構成としてある。

【００１０】（構成１） 化学強化塩を含有する化学強
化処理液にガラス基板を接触させることにより、ガラス
基板を化学強化する工程を含む情報記録媒体用ガラス基
板の製造方法において、前記化学強化塩に含まれるＰ
ｂ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉ
のうちの少なくとも一種の不純物濃度が、１００ｐｐｍ
（＝０．０１％）以下である化学強化塩を使用すること
を特徴とする情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。

【００１１】（構成２） 前記化学強化塩に含まれるＰ
ｂ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉ
の全ての不純物濃度が、１００ｐｐｍ（＝０．０１％）
以下である化学強化塩を使用することを特徴とする構成
１記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。

【００１２】（構成３） 前記化学強化塩に含まれるＰ
ｂ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉ
のうちの少なくとも一種の不純物濃度が ２０ｐｐｍ
（＝０．００２％）以下である化学強化塩を使用するこ
とを特徴とする構成１記載の情報記録媒体用ガラス基板
の製造方法。

【００１３】（構成４） 前記化学強化塩を含有する化
学強化処理液が、主として硝酸ナトリウムと硝酸カリウ
ムからなることを特徴とする構成１ないし３のいずれか
に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。

【００１４】（構成５） 化学強化塩を含有する化学強
化処理液にガラス基板を接触させることにより、ガラス
基板を化学強化する工程を含む情報記録媒体用ガラス基
板の製造方法において、前記化学強化塩に含まれるＰ
ｂ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉ
のうちの少なくとも一種の不純物濃度が、３００ｐｐｂ
以下（数百ｐｐｂ以下）である化学強化塩を使用するこ
とを特徴とする情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。

【００１５】（構成６） 化学強化塩を含有する化学強
化処理液にガラス基板を接触させることにより、ガラス
基板を化学強化する工程を含む情報記録媒体用ガラス基
板の製造方法において、前記化学強化塩に含まれるＰ
ｂ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓ
ｉ、Ｓ、Ｐのうちの少なくとも一種の不純物濃度が、５
０ｐｐｂ以下である化学強化塩を使用することを特徴と
する情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。

【００１６】（構成７） 前記化学強化塩を含有する化
学強化処理液が、主として硝酸ナトリウムと硝酸カリウ
ムからなることを特徴とする構成５又は６に記載の情報
記録媒体用ガラス基板の製造方法。

【００１７】（構成８） 前記情報記録媒体用ガラス基
板が、磁気ディスク用ガラス基板であることを特徴とす
る構成１ないし７のいずれか一項に記載の情報記録媒体
用ガラス基板の製造方法。

【００１８】（構成９） 磁気ディスク用ガラス基板
が、磁気抵抗型ヘッド（ＭＲヘッド）又は巨大磁気抵抗
型ヘッド（ＧＭＲヘッド）と組み合わせて使用される磁
気ディスク用ガラス基板であることを特徴とする構成８
記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。

【００１９】（構成１０） 構成１ないし７のいずれか
一項に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法によ
って得られたガラス基板上に少なくとも記録層を形成す
ることを特徴とする情報記録媒体の製造方法。

【００２０】（構成１１） 構成１ないし７のいずれか
一項に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法によ
って得られたガラス基板上に少なくとも磁性層を形成す
ることを特徴とする磁気ディスクの製造方法。

【００２１】（構成１２） イオン交換処理液にガラス
部材を接触させることにより、ガラス部材中のイオンと
イオン交換処理液中のイオンとをイオン交換処理する工
程を含む光学ガラス製品の製造方法において、前記イオ
ン交換処理液に使われる塩として、構成１〜３、５及び
６のいずれか一項に記載の不純物濃度条件を満たす塩を
用いることを特徴とする光学ガラス製品の製造方法。

【００２２】（構成１３） 前記光学ガラス製品が電子
デバイス用ガラス部材又は光学素子用ガラス部材であ
り、前記イオン交換処理液が化学強化塩を含有する化学
強化処理液であることを特徴とする構成１２記載の光学
ガラス製品の製造方法。

【００２３】

【作用】構成１によれば、化学強化塩に含まれるＰｂ、
Ｃａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉのう
ちの少なくとも一種の不純物濃度が、１００ｐｐｍ（＝
０．０１％）以下である化学強化塩を使用することによ
って、化学強化処理の際にこれらの不純物が原因で発生
する異物による突起の高さを低減でき、現状のフライン
グハイト２０〜３０ｎｍ程度に対して効果的である。フ
ライングハイト２０ｎｍ程度に対しては、これらの不純
物のうちの少なくとも一種の不純物濃度を、５０ｐｐｍ
（＝０．００５％）以下とすると効果的であり、好まし
い。

【００２４】構成２によれば、化学強化塩に含まれるＰ
ｂ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉ
のうちのいずれの不純物が原因であっても異物による突
起に起因する不良が生じることにかわりはないので、こ
れらの不純物の全ての不純物濃度を１００ｐｐｍ（＝
０．０１％）以下にすることによって、これらの不純物
の全てに起因する異物による突起の高さを低減でき、不
良率を著しく低減できるので非常に効果的である。

【００２５】構成３によれば、化学強化塩に含まれるＰ
ｂ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉ
のうちの少なくとも一種の不純物濃度が、２０ｐｐｍ
（＝０．００２％）以下である化学強化塩を使用するこ
とによって、化学強化処理の際にこれらの不純物が原因
で発生する異物による突起の高さを低減でき、フライン
グハイト１０〜１５ｎｍ程度に対して効果的である。フ
ライングハイト１０ｎｍ程度に対しては、これらの不純
物のうちの少なくとも一種の不純物濃度を、１０ｐｐｍ
（＝０．００１％）以下とすると効果的であり、好まし
い。なお、上記構成１〜３において、硝酸カリウム単独
の化学強化塩を使用する場合にあっては、不純物による
突起の形成を回避するという本願発明の課題とは異なる
が、イオン交換度の低下を極力回避するためにも、Ｐ
ｂ、Ｃａ等の濃度を低くすることが好ましい。

【００２６】構成４のように、硝酸ナトリウムと硝酸カ
リウムとの混酸からなる化学強化塩を使用する場合にあ
っては、Ｐｂ、Ｃａ等によってイオン交換度が低下する
問題は生じない。このため、上述した不純物濃度の管理
が不十分であったが、上述した異物による突起の発生回
避という全く別の観点から不純物濃度を管理すること
で、異物による不良率を著しく低減でき効果が大きい。

【００２７】構成５においては、フライングハイトを５
ｎｍ以下にする場合、表面に５ｎｍを超える突起が一個
あってもいけないので、それを実現できる濃度とする必
要がある。このような不純物濃度は不純物の種類によっ
て若干異なるが、概ね数百ｐｐｂ以下である。表１〜４
及び図１〜４に、化学強化塩に含まれる不純物濃度（各
濃度１０点測定）とタッチダウングライドハイト（ＴＤ
ＦＨ）との関係を示す。

【００２８】

【表１】

【表２】

【表３】

【表４】

【００２９】Ｐｂの場合、表１及び図１に示すように、
化学強化塩に含まれるＰｂ濃度とグライドハイトとの関
係を考えた場合、異物による突起の高さを５ｎｍ以下に
抑えるためには、約１００ｐｐｂ未満とすることが好ま
しい。より好ましくは、５０ｐｐｂ以下、２０ｐｐｂ以
下、１０ｐｐｂ以下、がさらに望ましい。同様に、Ｍｇ
の場合、表２及び図２から、異物による突起の高さを５
ｎｍ以下に抑えるためには、約６０ｐｐｂ以下とするこ
とが好ましい。より好ましくは、３０ｐｐｂ以下、２０
ｐｐｂ以下、１０ｐｐｂ以下、がさらに望ましい。Ｃａ
の場合、表３及び図３から、異物による突起の高さを５
ｎｍ以下に抑えるためには、約３０ｐｐｂ以下とするこ
とが好ましい。より好ましくは、２０ｐｐｂ以下、１０
ｐｐｂ以下、がさらに望ましい。Ｔｉの場合、表４及び
図４から、異物による突起の高さを５ｎｍ以下に抑える
ためには、約８０ｐｐｂ以下とすることが好ましい。よ
り好ましくは、５０ｐｐｂ以下、２０ｐｐｂ以下、１０
ｐｐｂ以下、がさらに望ましい。他の不純物Ｂａ、Ｓ
ｒ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｒについても、５０ｐ
ｐｂ以下、さらに好ましくは、２０ｐｐｂ以下、１０ｐ
ｐｂ以下、が望ましい。なお、上記した全ての不純物の
濃度を低減することが好ましいことは言うまでもない。

【００３０】硝酸カリウム単独の化学強化塩を使用する
場合にあっては、不純物による突起の形成以外にイオン
交換度の低下を極力回避するために、Ｐｂ、Ｃａ等を特
に減らす必要がある。イオン交換度の低下を回避するた
めの不純物濃度は５０ｐｐｍ程度であり、構成５の発明
とは不純物濃度のレベルが異なり、不純物の種類が異な
るが、構成５の発明の不純物濃度レベルによれば、５ｎ
ｍ以上の突起形成回避と共に、イオン交換度の低下を従
来に比べ高いレベルで回避できる。硝酸ナトリウムと硝
酸カリウムとの混酸からなる化学強化塩を使用する場合
にあっては、Ｐｂ、Ｃａ等によってイオン交換度が低下
する問題は生じない。混酸の場合、混酸の状態における
不純物濃度を管理すればよいが、各々の塩の不純物濃度
を管理することによって、混酸の状態における不純物濃
度が管理値を超えた場合、いずれの塩が原因か、あるい
は混合作業等その他に問題があるかなど原因の究明と対
処が容易となるので好ましい。

【００３１】構成６では、化学強化処理液中に含まれる
不純物が原因で発生する異物による突起の高さが５ｎｍ
以下であっても、不純物が薄く残留した場合、磁気特性
の低下や耐久性の低下等を招くことがわかった。これを
回避するためには、化学強化塩に含まれるＰｂ、Ｃａ、
Ｍｇ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｓ
ｉ、Ｓ、Ｐのうちの少なくとも一種の濃度を概ね５０ｐ
ｐｂ以下に抑える必要があることがわかった。磁気特性
の低下等をより回避する観点から、２０ｐｐｂ以下、１
０ｐｐｂ以下、５ｐｐｂ以下、１ｐｐｂ以下、がさらに
好ましい。なお、これらの不純物の全ての濃度を低減す
ることが好ましいことは言うまでもない。

【００３２】構成７については、上記構成４と同様であ
る。

【００３３】上記構成８によれば、情報記録媒体用ガラ
ス基板が、磁気ディスク用ガラス基板である場合、ヘッ
ドクラッシュの原因となる上述した異物による突起の高
さを効果的に低減でき、この結果、ヘッドクラッシュの
防止及び低フライングハイト化を実現できる磁気ディス
クを製造できる。

【００３４】上記構成９によれば、磁気ディスク用ガラ
スが、磁気抵抗型ヘッドと組み合わせて使用される磁気
ディスク用ガラス基板である場合、サーマル・アスペリ
ティーやヘッドクラッシュを起こす原因となる上述した
異物による突起の高さを効果的に低減でき、この結果、
ヘッドクラッシュの防止及び低フライングハイト化の実
現や、サーマル・アスペリティーの防止を実現できる磁
気ディスクを製造できる。磁気抵抗型ヘッドを用いる場
合、低フライングハイト化やサーマル・アスペリティー
の防止が特に要求されるので、特に効果的である。

【００３５】上記構成１０によれば、上記構成１ないし
７のいずれか一に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製
造方法によって得られたガラス基板を用いているので、
化学強化塩に含まれる不純物が原因で発生する異物によ
る突起の高さを効果的に低減でき、欠陥が少なく高品質
の情報記録媒体が高歩留まりで得られる。

【００３６】上記構成１１によれば、上記構成１ないし
７のいずれか一に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製
造方法によって得られたガラス基板を用いているので、
化学強化塩に含まれる不純物が原因で発生する異物によ
る突起の高さを効果的に低減できる。したがって、ヘッ
ドクラッシュの防止及び低フライングハイト化の実現
や、サーマル・アスペリティーの防止を実現した磁気デ
ィスクが得られる。

【００３７】上記構成１２、１３のように、電子デバイ
ス用ガラス基板（フォトマスク用ガラス基板、位相シフ
トマスク用ガラス基板や、情報記録媒体用ガラス基板も
含まれる。以降同じ意味で使用する。）や、電子デバイ
スや光学素子に使用するガラス部材、あるいは光学ガラ
ス製品においても、ガラス中に含まれるイオンを、イオ
ン交換処理液中に含まれるイオンとイオン交換して、化
学強化したり、あるいは屈折率分布を調整すること等が
行われている。このようなガラス基板や部材等において
も、イオン交換処理液に使われる塩に上述した不純物が
含まれていると、上述した異物による突起が形成される
（例えば、この異物の部分が光を遮断することによって
所望の特性が得られない）など問題となることがある。
構成１２、１３によれば、イオン交換処理液に使われる
塩として、構成１〜３、５及び６のいずれか一に記載の
不純物濃度条件を満たす塩を用いることによって、イオ
ン交換処理液に使われる塩に含まれる不純物が原因で発
生する異物による突起の高さや異物の発生率や異物の密
度を効果的に低減できる。したがって、高品位の電子デ
バイス、光学素子、光学ガラス製品が得られる。光学ガ
ラス製品の表面にこれらの異物が付着すると、遮光性の
異物の場合は光を遮断し、透過性の異物の場合は光を屈
折・散乱させるので好ましくない。光学ガラス製品とし
ては、例えば、光学素子、電子デバイス、屈折率分布型
レンズ、光ファイバなどが挙げられ、電子デバイス用ガ
ラス基板や光学素子用ガラス基板も含まれる。

【００３８】本発明の情報記録媒体用ガラス基板の製造
方法等に関し上述したこと以外の事項について説明す
る。本発明は、必要に応じて不純物濃度レベルを管理す
ることで、これらの不純物が原因で発生する不良を低減
することを特徴としている。

【００３９】ここで、不純物濃度は、情報記録媒体等に
要求される欠陥の許容レベルに応じて設定できる。例え
ば、磁気ディスク（又はガラス基板）の主表面に対向し
て磁気ヘッドを配置し、所定のグライド高さで磁気ヘッ
ドを磁気ディスク（又はガラス基板）に対し相対移動さ
せ、所望のグライド特性となるように不純物濃度を決定
できる。このように、グライドテストの結果に基づいて
前記基準値を決定することで、ヘッドクラッシュやサー
マル・アスペリティー等を効果的に防止できる。ここ
で、所望のグライド特性とは、例えば、フライングハイ
ト３０ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍ、１０ｎｍ、又は５ｎ
ｍ以下を目標とするグライドテストにおいて、ヒットや
クラッシュの発生率が例えば０％となるような特性をい
う。

【００４０】化学強化塩自体にパーティクルの形態（例
えば金属片などの形態）で不純物が存在する場合であっ
て、このようなパーティクルを除去するには、例えば、
化学強化塩を水に溶かした状態で、フィルター等の捕捉
手段によってパーティクルを除去する。フィルターの性
能（最小捕捉粒径）や種類を選択することによって、化
学強化塩に含まれるパーティクルの量を所望の量や濃度
に制御できる。また、最小捕捉粒径の異なる複数のフィ
ルターを用い、粒径の大きいパーティクルを最小捕捉粒
径の大きなフィルターで除去した後、粒径の小さいパー
ティクルを最小捕捉粒径の小さなフィルターで除去する
こともできる。なお、化学強化処理液をつくる前の化学
強化塩自体（硝酸ナトリウム、硝酸カリウムなど）に含
まれる不純物が主であるが、他の要因もある（例えば他
の添加成分や、治具や槽などの要因等）ので、最終的な
化学強化処理槽中の化学強化処理液における不純物濃度
を管理しても良い。

【００４１】不純物濃度の測定方法は、特に制限され
ず、本発明で掲げる不純物を精度良く、再現性良く定量
しうる方法であればよい。不純物濃度の測定方法として
は、例えば、ＩＣＰ発光分析法、蛍光Ｘ線分析法、質量
分析法（ＭＳ）、原子吸光分析法などが挙げられる。不
純物濃度の測定方法は、不純物濃度に応じて使い分ける
ことが好ましい。例えば、不純物濃度が数十ｐｐｂ以上
であればＩＣＰ発光分析法、蛍光Ｘ線分析法などを使用
し、数十ｐｐｂ以下であれば質量分析法（ＭＳ）、原子
吸光分析法などを使用することが好ましい。なお、ＩＣ
Ｐ発光分光分析法は、試料中に含まれる分析対象元素
を、高周波電力を誘導結合させて発生する誘導結合プラ
ズマ（Inductively coupled plasma）によって気化励起
し、得られる原子スペクトル線における発光強度を測定
することによって、定量分析等を行う方法である（ＪＩ
ＳＫ０１１６）。蛍光Ｘ線分析法は、Ｘ線管球で得られ
る強い一次Ｘ線を試料に照射し発生した固有Ｘ線の波長
と強度を測定し、含有元素の同定を行い、さらに、マト
リクス効果を考慮した検量線を標準試薬を用いて作成
し、含有元素の定量を行う方法である。化学強化塩を溶
媒に溶解させた溶液をフィルタで濾過し、予め既知濃度
試料の測定から求めた検量線に基づいて、ＩＣＰ発光分
光分析法又は蛍光Ｘ線分析法によって化学強化塩中に含
まれる元素及びその濃度の定量分析を行う。ここで、既
知濃度試料とは、幾つかの濃度の異なる標準試料のこと
をいい、検量線はこの濃度の異なる標準試料から求めら
れるものである。

【００４２】化学強化方法としては、ガラス転移温度を
超えない領域でイオン交換を行う低温型化学強化が好ま
しい。化学強化処理溶液として用いるアルカリ溶融塩と
しては、硝酸カリウム、硝酸ナトリウム、あるいはそれ
らを混合した硝酸塩や、硫酸カリウム、硫酸ナトリウ
ム、あるいはそれらを混合した硫酸塩や、ＮａＢｒ、Ｋ
Ｂｒ、ＫＮＯ₂、ＮａＮＯ₂、あるいはそれらを混合した
塩などが使用できる。本発明で使用する化学強化塩は、
固結防止用の添加剤を含まないことが好ましい。これ
は、固結防止用の添加剤には上述した不純物が多く含ま
れていると考えられるからである。「化学強化処理液に
ガラス基板を接触させる」とは、化学強化処理液中にガ
ラス基板を浸漬する場合の他、化学強化処理液をガラス
基板に吹き掛ける場合などあらゆる態様が含まれる。

【００４３】ガラス基板としてはアルミノシリケートガ
ラス、ソーダライムガラス、ホウケイ酸ガラスなどが挙
げられる。情報記録媒体用ガラス基板には、磁気記録媒
体用ガラス基板、光記録媒体用ガラス基板、光磁気記録
媒体用ガラス基板等が挙げられる。本発明は特に磁気抵
抗型ヘッド用磁気ディスク及びその基板に関して顕著な
効果を奏する。

【００４４】なお、上述した化学強化塩及び化学強化処
理液に関する事項は、イオン交換処理液に使われる塩及
びイオン交換処理液に関しても同様である。

【００４５】次に、本発明の磁気記録媒体（磁気ディス
ク）の製造方法について説明する。本発明では、上述し
た本発明方法によって得られた磁気記録媒体用ガラス基
板上に、少なくとも磁性層を形成して、磁気記録媒体を
製造している。

【００４６】本発明では、化学強化塩に含まれる不純物
が原因で発生する異物による突起の高さを効果的に低減
した磁気記録媒体用ガラス基板を使用しているので、ヘ
ッドクラッシュの防止及び低フライングハイト化の実現
や、サーマル・アスペリティーの防止を実現した磁気デ
ィスクが得られる。例えば、３０ｎｍ、２０ｎｍ、１５
ｎｍ、１０ｎｍ、５ｎｍなどフライングハイトに応じた
低フライングハイトを実現できる。特に、磁気抵抗型ヘ
ッドによって再生を行う磁気記録媒体にとって、磁気抵
抗型ヘッドの機能を十分に引き出すことができる。ま
た、磁気抵抗型ヘッドに好適に使用することができるＣ
ｏＰｔ系等の磁気記録媒体としてもその性能を十分に引
き出すことができる。

【００４７】磁気記録媒体は、通常、所定の平坦度、表
面粗さを有し、必要に応じ表面の化学強化処理を施した
磁気ディスク用ガラス基板上に、下地層、磁性層、保護
層、潤滑層等を順次積層して製造する。

【００４８】磁気記録媒体における下地層は、磁性層に
応じて選択される。下地層（シード層を含む）として
は、例えば、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｖ、Ｂ、Ａ
ｌ、Ｎｉなどの非磁性金属から選ばれる少なくとも一種
以上の材料からなる下地層等が挙げられる。Ｃｏを主成
分とする磁性層の場合には、磁気特性向上等の観点から
Ｃｒ単体やＣｒ合金であることが好ましい。また、下地
層は単層とは限らず、同一又は異種の層を積層した複数
層構造とすることもできる。例えば、Ｃｒ／Ｃｒ、Ｃｒ
／ＣｒＭｏ、Ｃｒ／ＣｒＶ、ＮｉＡｌ／Ｃｒ、ＮｉＡｌ
／ＣｒＭｏ、ＮＩＡｌ／ＣｒＶ等の多層下地層等が挙げ
られる。

【００４９】磁気記録媒体における磁性層の材料は特に
制限されない。磁性層としては、例えば、Ｃｏを主成分
とするＣｏＰｔ、ＣｏＣｒ、ＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＣｒ、
ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＮｉＰｔや、ＣｏＮ
ｉＣｒＰｔ、ＣｏＮｉＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔＴａ、Ｃ
ｏＣｒＰｔＢ、ＣｏＣｒＰｔＳｉＯなどの磁性薄膜が挙
げられる。磁性層は、磁性膜を非磁性膜（例えば、Ｃ
ｒ、ＣｒＭｏ、ＣｒＶなど）で分割してノイズの低減を
図った多層構成（例えば、ＣｏＰｔＣｒ／ＣｒＭｏ／Ｃ
ｏＰｔＣｒ、ＣｏＣｒＰｔＴａ／ＣｒＭｏ／ＣｏＣｒＰ
ｔＴａなど）としてもよい。磁気抵抗型ヘッド（ＭＲヘ
ッド）又は巨大磁気抵抗型ヘッド（ＧＭＲヘッド）対応
の磁性層としては、Ｃｏ系合金に、Ｙ、Ｓｉ、希土類元
素、Ｈｆ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｚｎから選択される不純物元
素、又はこれらの不純物元素の酸化物を含有させたもの
なども含まれる。また、磁性層としては、上記の他、フ
ェライト系、鉄−希土類系や、ＳｉＯ₂、ＢＮなどからな
る非磁性膜中にＦｅ、Ｃｏ、ＦｅＣｏ、ＣｏＮｉＰｔ等
の磁性粒子が分散された構造のグラニュラーなどであっ
てもよい。また、磁性層は、内面型、垂直型のいずれの
記録形式であってもよい。

【００５０】磁気記録媒体における保護層は特に制限さ
れない。保護層としては、例えば、Ｃｒ膜、Ｃｒ合金
膜、カーボン膜、水素化カーボン膜、ジルコニア膜、シ
リカ膜等が挙げられる。これらの保護膜は、下地層、磁
性層等とともにインライン型スパッタ装置で連続して形
成できる。また、これらの保護膜は、単層としてもよ
く、あるいは、同一又は異種の膜からなる多層構成とし
てもよい。なお、上記保護層上に、あるいは上記保護層
に替えて、他の保護層を形成してもよい。例えば、上記
保護層に替えて、Ｃｒ膜の上にテトラアルコキシランを
アルコール系の溶媒で希釈した中に、コロイダルシリカ
微粒子を分散して塗布し、さらに焼成して酸化ケイ素
（ＳｉＯ₂)膜を形成してもよい。

【００５１】磁気記録媒体における潤滑層は特に制限さ
れない。潤滑層は、例えば、液体潤滑剤であるパーフロ
ロポリエーテル（ＰＦＰＥ）をフレオン系などの溶媒で
希釈し、媒体表面にディップ法、スピンコート法、スプ
レイ法によって塗布し、必要に応じ加熱処理を行って形
成する。

【００５２】

【実施例】以下、実施例に基づき本発明をさらに具体的
に説明する。

【００５３】実施例１及び比較例１ （１）荒ずり工程 まず、ダウンドロー法で形成したシートガラスから、研
削砥石で直径９６ｍｍφ、厚さ３ｍｍの円盤状に切り出
したアルミノシリケイトガラスからなるガラス基板を、
比較的粗いダイヤモンド砥石で研削加工して、直径９６
ｍｍφ、厚さ１．５ｍｍに成形した。この場合、ダウン
ドロー法の代わりに、熔融ガラスを、上型、下型、胴型
を用いてダイレクト・プレスして、円盤状のガラス体を
得てもよい。また、フロート法でシートガラスを形成し
ても良い。なお、アルミノシリケイトガラスとしては、
モル％表示で、ＳｉＯ2を５７〜７４％、ＺｒＯ2を０〜
２．８％、Ａｌ2Ｏ3を３〜１５％、ＬｉＯ2を７〜１６
％、Ｎａ2Ｏを４〜１４％、を主成分として含有する化
学強化用ガラス（例えば、モル％表示で、ＳｉＯ2:６
７．０％、ＺｒＯ2:１．０％、Ａｌ2Ｏ3:９．０％、Ｌ
ｉＯ2:１２．０％、Ｎａ2Ｏ：１０．０％を主成分とし
て含有する化学強化用ガラス）を使用した。

【００５４】次に、上記砥石よりも粒度の細かいダイヤ
モンド砥石で上記ガラス基板の両面を片面ずつ研削加工
した。このときの荷重は１００ｋｇ程度とした。これに
より、ガラス基板両面の表面粗さをＲｍａｘ（ＪＩＳＢ
０６０１で測定）で１０μｍ程度に仕上げた。次に、円
筒状の砥石を用いてガラス基板の中央部分に孔を開ける
とともに、外周端面も研削して直径を９５ｍｍφとした
後、外周端面及び内周面に所定の面取り加工を施した。
このときのガラス基板端面の表面粗さは、Ｒｍａｘで４
μｍ程度であった。

【００５５】（２）砂掛け（ラッピング）工程 次に、ガラス基板に砂掛け加工を施した。この砂掛け工
程は、寸法精度及び形状精度の向上を目的としている。
砂掛け加工は、ラッピング装置を用いて行い、砥粒の粒
度を＃４００、＃１０００と替えて２回行った。詳しく
は、はじめに、粒度＃４００のアルミナ砥粒を用い、荷
重Ｌを１００ｋｇ程度に設定して、内転ギアと外転ギア
を回転させることによって、キャリア内に収納したガラ
ス基板の両面を面精度（Ｒａ）０〜１μｍ、表面粗さ
（Ｒｍａｘ）６μｍ程度にラッピングした。次いで、ア
ルミナ砥粒の粒度を＃１０００に替えてラッピングを行
い、表面粗さ（Ｒｍａｘ）２μｍ程度とした。上記砂掛
け加工を終えたガラス基板を、中性洗剤、水の各洗浄槽
に順次浸漬して、洗浄した。

【００５６】（３）端面鏡面加工工程 次に、ブラシ研磨により、ガラス基板を回転させながら
ガラス基板の内外周端面（面取り部及び側壁部）の表面
粗さを、Ｒｍａｘで０．１μｍ、Ｒａで０．０３μｍ程
度に研磨した。上記端面鏡面加工を終えたガラス基板の
表面を水洗浄した。

【００５７】（４）第一研磨工程 次に、第一研磨工程を施した。この第一研磨工程は、上
述した砂掛け工程で残留したキズや歪みの除去を目的と
するもので、研磨装置を用いて行った。詳しくは、ポリ
シャ（研磨粉）として硬質ポリシャ（セリウムパッドＭ
ＨＣ１５：スピードファム社製）を用い、以下の研磨条
件で第一研磨工程を実施した。 研磨液：酸化セリウム＋水 荷重：３００ｇ／ｃｍ²(Ｌ＝２３８ｋｇ） 研磨時間：１５分 除去量：３０μｍ 下定盤回転数：４０ｒｐｍ 上定盤回転数：３５ｒｐｍ 内ギア回転数：１４ｒｐｍ 外ギア回転数：２９ｒｐｍ 上記第一研磨工程を終えたガラス基板を、中性洗剤、純
水、純水、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、ＩＰＡ
（蒸気乾燥）の各洗浄槽に順次浸漬して、洗浄した。

【００５８】（５）第二研磨工程 次に、第一研磨工程で使用した研磨装置を用い、ポリシ
ャを硬質ポリシャから軟質ポリシャ（ポリテックス：ス
ピードファム社製）に替えて、第二研磨工程を実施し
た。研磨条件は、荷重を１００ｇ／ｃｍ²、研磨時間を
５分、除去量を５μｍとしたこと以外は、第一研磨工程
と同様とした。上記第二研磨工程を終えたガラス基板
を、中性洗剤、中性洗剤、純水、純水、ＩＰＡ（イソプ
ロピルアルコール）、ＩＰＡ（蒸気乾燥）の各洗浄槽に
順次浸漬して、洗浄した。

【００５９】（６）化学強化塩の準備及び分析工程 次に、化学強化塩の原料である硝酸カリウム、硝酸ナト
リウムの精製過程等において不純物濃度を調整して、不
純物濃度の異なる硝酸カリウム、硝酸ナトリウムの試料
をそれぞれ用意した。なお、硝酸カリウムと硝酸ナトリ
ウムにそれぞれ含まれる不純物濃度の測定を、ＩＣＰ発
光分光分析装置（セイコー電子工業（株）社製：ＳＰＳ
−１２００ＶＲ）を用いて行った。この際、各不純物に
ついて、濃度既知の４点（５ｐｐｂ、５０ｐｐｂ、２５
０ｐｐｂ、５００ｐｐｂ）の濃度の溶液をそれぞれ調製
し、上記ＩＣＰ発光分光分析装置によって、絶対検量線
法にて各不純物元素の定量を行った。

【００６０】（７）化学強化工程 上記（６）の工程で確認した不純物濃度の異なる硝酸カ
リウムと硝酸ナトリウムをそれぞれ６０％、４０％（合
計７３．５ｋｇ）を混合、溶解し、不純物濃度の異なる
２種類の化学強化処理液を得た。具体的には、実施例１
の化学強化塩では、Ｐｂ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｎ
ｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉの全ての不純物の濃度が１００ｐ
ｐｍ以下であった。比較例１の化学強化塩では、前記全
ての不純物の濃度が１５０ｐｐｍ程度であった。上記で
得られた各化学強化処理液を化学強化処理槽で４００℃
に加熱し、３００℃に予熱された洗浄済みのガラス基板
をそれぞれ約３時間浸漬して行った。なお、この浸漬の
際に、ガラス基板の表面全体が化学強化されるようにす
るため、複数のガラス基板が端面で保持されるようにホ
ルダーに収納した状態で行った。また、化学強化塩に含
まれる不純物以外の要因を極力なくすため、化学強化処
理は清浄な雰囲気の中で行い、また、化学強化処理と接
触するホルダーや槽などはパーティクルが発生しない材
料のものを使用した。このように、化学強化処理液に浸
漬処理することによって、ガラス基板表層のリチウムイ
オン、ナトリウムイオンは、化学強化処理液中のナトリ
ウムイオン、カリウムイオンにそれぞれ置換されガラス
基板は強化される。ガラス基板の表層に形成された圧縮
応力層の厚さは、約１００〜２００μｍであった。上記
化学強化を終えたガラス基板を、２０℃の水槽に浸漬し
て急冷し約１０分間維持した。上記急冷を終えたガラス
基板を、約４０℃に加熱した硫酸に浸漬し、超音波をか
けながら洗浄を行った。

【００６１】上記の工程を経て得られたガラス基板の表
面粗さＲａは０．５〜１ｎｍであった。

【００６２】（８）磁気ディスク製造工程 上述した工程を経て得られた磁気ディスク用ガラス基板
の両面に、インライン式のスパッタリング装置を用い
て、ＮｉＡｌ（Ｎｉ：５０ａｔ％、Ａｌ：５０ａｔ％）
のシード層（膜厚４０ｎｍ）、ＣｒＭｏ（Ｃｒ：９４ａ
ｔ％、Ｍｏ：６ａｔ％）下地層（膜厚２５ｎｍ）、Ｃｏ
ＣｒＰｔＴａ（Ｃｏ：７５ａｔ％、Ｃｒ：１７ａｔ％、
Ｐｔ：５ａｔ％、Ｔａ：３ａｔ％）磁性層（膜厚２７ｎ
ｍ）、水素化カーボン保護層（膜厚１０ｎｍ）を順次成
膜し、この保護層上にディップ法によってパーフロロポ
リエーテルからなる液体潤滑剤層（膜厚１ｎｍ）を形成
して、ＭＲヘッド用磁気ディスクを得た。

【００６３】（評価）得られた磁気ディスクについてグ
ライドテスト（グライド高さ：１５ｎｍ（フライングハ
イト３０ｎｍ目標）、周速：１０ｍ／ｓ）（５０００
枚）を実施したところ、実施例１の化学強化処理液を用
いた場合では、ヒット（ヘッドが磁気ディスク表面の突
起にかすること）やクラッシュ（ヘッドが磁気ディスク
表面の突起に衝突すること）は認められなかった（グラ
イド収率は１００％、グライド不良は０％であった）。
また、サーマル・アスペリティーの原因となるパーティ
クルによって、磁性層等の膜に欠陥が発生していないこ
とも確認できた。また、グライドテストを終えた本実施
例の磁気ディスクについて、磁気抵抗型ヘッドで再生試
験を行ったが、複数のサンプル（５００枚）の全数につ
いてサーマル・アスペリティーによる再生の誤動作は認
められなかった。

【００６４】一方、比較例１の化学強化処理液を用いた
場合では、化学強化塩に含まれる各不純物の濃度は１５
０ｐｐｍ程度であり、化学強化工程で生じる異物による
突起の高さが高くなるとともに、突起の発生率や突起の
密度が大きく、３０ｎｍのグライドテスト（５０００
枚）における不良率は１０％と高く、また、再生試験
（５００枚）を行ったがサーマル・アスペリティーによ
る再生の誤動作の確率も高かった。

【００６５】実施例２、比較例２ 次に、以下に示す不純物濃度の化学強化塩を用いて得た
化学強化処理液を使用したこと以外は実施例１と同様に
して、磁気ディスク用ガラス基板を作製した。実施例２
の化学強化塩は、Ｐｂ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｎ
ｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉの全ての不純物元素が２０ｐｐｍ
以下。比較例２の化学強化塩は、上記全ての不純物元素
が３０ｐｐｍ程度。

【００６６】（評価）得られた磁気ディスクについてグ
ライドテスト（グライド高さ：１０ｎｍ（フライングハ
イト２０ｎｍ目標）、周速：８ｍ／ｓ）（５０００枚）
を実施したところ、実施例２の化学強化処理液を用いた
場合では、ヒット（ヘッドが磁気ディスク表面の突起に
かすること）やクラッシュ（ヘッドが磁気ディスク表面
の突起に衝突すること）は認められなかった（グライド
収率は１００％であった）。また、サーマル・アスペリ
ティーの原因となるパーティクルによって、磁性層等の
膜に欠陥が発生していないことも確認できた。また、グ
ライドテストを終えた本実施例の磁気ディスクについ
て、磁気抵抗型ヘッドで再生試験を行ったが、複数のサ
ンプル（５００枚）の全数についてサーマル・アスペリ
ティーによる再生の誤動作は認められなかった。

【００６７】一方、比較例２の化学強化処理液を用いた
場合では、化学強化塩に含まれる各不純物の濃度は３０
ｐｐｍ程度であり、１０ｎｍのグライドテスト（５００
０枚）における不良率が高く、また、再生試験（５００
枚）を行ったがサーマル・アスペリティーによる再生の
誤動作の確率も高かった。

【００６８】実施例３、比較例３ 次に、以下に示す不純物濃度の化学強化塩を用いて得た
化学強化処理液を使用したこと以外は実施例１と同様に
して、磁気ディスク用ガラス基板を作製した。実施例３
の化学強化塩は、Ｐｂ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｎ
ｉ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｓ、Ｐの全ての不
純物元素が５０ｐｐｂ以下。比較例３の化学強化塩は、
上記全ての不純物元素が３００ｐｐｂ程度。

【００６９】（評価）得られた磁気ディスクについてグ
ライドテスト（グライド高さ：５ｎｍ（フライングハイ
ト１０ｎｍ目標）、周速：４ｍ／ｓ）（５０００枚）を
実施したところ、実施例３の化学強化処理液を用いた場
合では、ヒット（ヘッドが磁気ディスク表面の突起にか
すること）やクラッシュ（ヘッドが磁気ディスク表面の
突起に衝突すること）は認められなかった。また、サー
マル・アスペリティーの原因となるパーティクルによっ
て、磁性層等の膜に欠陥が発生していないことも確認で
きた。また、グライドテストを終えた本実施例の磁気デ
ィスクについて、磁気抵抗型ヘッドで再生試験を行った
が、複数のサンプル（５００枚）の全数についてサーマ
ル・アスペリティーによる再生の誤動作は認められなか
った。さらに、磁気特性の低下や耐久性の低下も抑制で
きた。

【００７０】一方、比較例３の化学強化処理液を用いた
場合では、化学強化塩に含まれる各不純物の濃度は３０
０ｐｐｂ以上であり、５ｎｍのグライドテスト（５００
０枚）における不良率が高く、また、再生試験（５００
枚）を行ったがサーマル・アスペリティーによる再生の
誤動作の確率も高かった。

【００７１】なお、上記実施例１〜３において、化学強
化塩中（ＫＮＯ₃、ＮａＮＯ₃）に含まれる不純物の量が
多くなるに従って、異物による突起の高さや突起の発生
率や突起の密度が大きくなる傾向があることが確認され
た。

【００７２】実施例４ 化学強化塩（処理液）を硝酸カリウム単独としたこと以
外は、実施例１〜３と同様にして、磁気ディスク用ガラ
ス基板を作製した。その結果、実施例１〜３と同様のこ
とが確認された。なお、化学強化塩（処理液）を硝酸カ
リウム単独とし実施例２及び３と同様にして作製した磁
気ディスク用ガラス基板の抗折強度及び歩留まりは、実
施例１に比べ高かった。また、化学強化塩（処理液）を
硝酸カリウム単独とし実施例１と同様にして作製した磁
気ディスク用ガラス基板の抗折強度及び歩留まりは、比
較例１に比べ高かった。

【００７３】以上好ましい実施例を上げて本発明を説明
したが、本発明は上記実施例に限定されない。

【００７４】例えば、各実施例における不純物濃度は、
低くするほど効果がある。

【００７５】なお、本発明は化学強化工程を経て製造さ
れる情報記録媒体用ガラス基板であれば適用でき、光デ
ィスク用ガラス基板、光磁気ディスク用ガラス基板等が
各種情報記録媒体用ガラス基板に広く応用できる。この
場合、光ディスク用ガラス基板や光磁気ディスク用ガラ
ス基板では、異物による突起の密度が多いと記録・再生
に悪影響を及ぼすので、異物による突起の密度に着目し
て化学強化塩自体に含まれるパーティクルの量を制御す
るとよい。

【００７６】

【発明の効果】以上説明したように本発明の情報記録媒
体用ガラス基板の製造方法によれば、化学強化塩に含ま
れるＰｂ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａ
ｌ、Ｓｉ等の不純物が原因で発生する異物による突起の
高さを効果的に低減できる。また、本発明の情報記録媒
体の製造方法によれば、化学強化塩に含まれる上述した
不純物が原因で発生する異物に起因する欠陥が少なく高
品質の情報記録媒体を高歩留まりで製造できる。さら
に、本発明の磁気ディスクの製造方法によれば、化学強
化塩に含まれる上述した不純物が原因で発生する異物に
よる突起の高さを効果的に低減でき、したがって、ヘッ
ドクラッシュの防止及び低フライングハイト化の実現
や、サーマル・アスペリティーの防止を効果的かつ高歩
留まりで実現できる。また、本発明の光学ガラス製品の
製造方法によれば、イオン交換処理液に使われる塩に含
まれる上述した不純物が原因で発生する異物の発生を効
果的に低減でき、したがって、欠陥の少ない電子デバイ
スや光学素子、光学ガラス製品等を高歩留まりで製造で
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】化学強化塩に含まれるＰｂ濃度とグライドハイ
トとの関係を示す図である。

【図２】化学強化塩に含まれるＭｇ濃度とグライドハイ
トとの関係を示す図である。

【図３】化学強化塩に含まれるＣａ濃度とグライドハイ
トとの関係を示す図である。

【図４】化学強化塩に含まれるＴｉ濃度とグライドハイ
トとの関係を示す図である。

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 化学強化塩を含有する化学強化処理液に
   ガラス基板を接触させることにより、ガラス基板を化学
   強化する工程を含む情報記録媒体用ガラス基板の製造方
   法において、 前記化学強化塩に含まれるＰｂ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｓ
   ｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉのうちの少なくとも一種の
   不純物濃度が、１００ｐｐｍ（＝０．０１％）以下であ
   る化学強化塩を使用することを特徴とする情報記録媒体
   用ガラス基板の製造方法。
2. 【請求項２】 前記化学強化塩に含まれるＰｂ、Ｃａ、
   Ｍｇ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉの全ての不
   純物濃度が、１００ｐｐｍ（＝０．０１％）以下である
   化学強化塩を使用することを特徴とする請求項１記載の
   情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
3. 【請求項３】 前記化学強化塩に含まれるＰｂ、Ｃａ、
   Ｍｇ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉのうちの少
   なくとも一種の不純物濃度が ２０ｐｐｍ（＝０．００
   ２％）以下である化学強化塩を使用することを特徴とす
   る請求項１記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方
   法。
4. 【請求項４】 前記化学強化塩を含有する化学強化処理
   液が、主として硝酸ナトリウムと硝酸カリウムからなる
   ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の
   情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
5. 【請求項５】 化学強化塩を含有する化学強化処理液に
   ガラス基板を接触させることにより、ガラス基板を化学
   強化する工程を含む情報記録媒体用ガラス基板の製造方
   法において、 前記化学強化塩に含まれるＰｂ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｓ
   ｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉのうちの少なくとも一種の
   不純物濃度が、３００ｐｐｂ以下である化学強化塩を使
   用することを特徴とする情報記録媒体用ガラス基板の製
   造方法。
6. 【請求項６】 化学強化塩を含有する化学強化処理液に
   ガラス基板を接触させることにより、ガラス基板を化学
   強化する工程を含む情報記録媒体用ガラス基板の製造方
   法において、 前記化学強化塩に含まれるＰｂ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｓ
   ｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｓ、Ｐのうちの少なくと
   も一種の不純物濃度が、５０ｐｐｂ以下である化学強化
   塩を使用することを特徴とする情報記録媒体用ガラス基
   板の製造方法。
7. 【請求項７】 前記化学強化塩を含有する化学強化処理
   液が、主として硝酸ナトリウムと硝酸カリウムからなる
   ことを特徴とする請求項５又は６に記載の情報記録媒体
   用ガラス基板の製造方法。
8. 【請求項８】 前記情報記録媒体用ガラス基板が、磁気
   ディスク用ガラス基板であることを特徴とする請求項１
   ないし７のいずれか一項に記載の情報記録媒体用ガラス
   基板の製造方法。
9. 【請求項９】 磁気ディスク用ガラス基板が、磁気抵抗
   型ヘッド（ＭＲヘッド）又は巨大磁気抵抗型ヘッド（Ｇ
   ＭＲヘッド）と組み合わせて使用される磁気ディスク用
   ガラス基板であることを特徴とする請求項８記載の情報
   記録媒体用ガラス基板の製造方法。
10. 【請求項１０】 請求項１ないし７のいずれか一項に記
    載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法によって得ら
    れたガラス基板上に少なくとも記録層を形成することを
    特徴とする情報記録媒体の製造方法。
11. 【請求項１１】 請求項１ないし７のいずれか一項に記
    載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法によって得ら
    れたガラス基板上に少なくとも磁性層を形成することを
    特徴とする磁気ディスクの製造方法。
12. 【請求項１２】 イオン交換処理液にガラス部材を接触
    させることにより、ガラス部材中のイオンとイオン交換
    処理液中のイオンとをイオン交換処理する工程を含む光
    学ガラス製品の製造方法において、 前記イオン交換処理液に使われる塩として、請求項１〜
    ３、５及び６のいずれか一項に記載の不純物濃度条件を
    満たす塩を用いることを特徴とする光学ガラス製品の製
    造方法。
13. 【請求項１３】 前記光学ガラス製品が電子デバイス用
    ガラス部材又は光学素子用ガラス部材であり、前記イオ
    ン交換処理液が化学強化塩を含有する化学強化処理液で
    あることを特徴とする請求項１２記載の光学ガラス製品
    の製造方法。