JP2002116159A - 薄膜プロセスｘ線構造解析装置 - Google Patents
薄膜プロセスｘ線構造解析装置Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】迅速なＸＡＦＳ測定手法、多目的なプロセス装
置及び両者間の試料を移動に必要な搬送装置を提供し、
電子デバイス等に用いる薄膜の製造プロセスの解析に必
要な、薄膜プロセスのｉｎ−ｓｉｔｕＸ線構造解析を可
能とする。 【解決手段】分光結晶を湾曲型ポリクロ結晶とすると分
光結晶へ入射する入射Ｘ線２１の位置によって回折角
（θ）２２は異なる。回折角の異なる、あるいは異なる
エネルギーを持つＸ線を測定試料上で収束させると、Ｘ
線は再び任意の角度で分散し検出器２３に到達する。従
って１次元検出器を用いて検出器の各チャネルのＸ線強
度を測定することによって、一度に広いエネルギー範囲
のＸ線吸収微細構造のスペクトルの測定ができる。
置及び両者間の試料を移動に必要な搬送装置を提供し、
電子デバイス等に用いる薄膜の製造プロセスの解析に必
要な、薄膜プロセスのｉｎ−ｓｉｔｕＸ線構造解析を可
能とする。 【解決手段】分光結晶を湾曲型ポリクロ結晶とすると分
光結晶へ入射する入射Ｘ線２１の位置によって回折角
（θ）２２は異なる。回折角の異なる、あるいは異なる
エネルギーを持つＸ線を測定試料上で収束させると、Ｘ
線は再び任意の角度で分散し検出器２３に到達する。従
って１次元検出器を用いて検出器の各チャネルのＸ線強
度を測定することによって、一度に広いエネルギー範囲
のＸ線吸収微細構造のスペクトルの測定ができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＸ線をプローブとし
て材料の評価を行うためのＸ線分析装置に係り、特に電
子デバイスに用いる薄膜材料の成膜及びドライエッチン
グ等の薄膜プロセスの研究・開発を目的とした薄膜プロ
セスｉｎ−ｓｉｔｕ構造解析装置に関する。
て材料の評価を行うためのＸ線分析装置に係り、特に電
子デバイスに用いる薄膜材料の成膜及びドライエッチン
グ等の薄膜プロセスの研究・開発を目的とした薄膜プロ
セスｉｎ−ｓｉｔｕ構造解析装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜材料の成膜及びドライエッチング等
の薄膜プロセスの研究・開発には、材料の構造、組成等
の分析、評価が不可欠である。分析、評価手法として
は、Ｘ線、光線、電子線、イオンビーム等を用いた種々
の方法があるが、このうちＸ線をプローブとして用いる
Ｘ線回折、ＸＡＦＳ（Ｘ−ｒａｙ Ａｂｓｏｒｐｔｉｏ
ｎＦｉｎｅ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ：Ｘ線吸収端微細構
造）は、物質の原子配置の情報を得るのに有効な方法で
ある。
の薄膜プロセスの研究・開発には、材料の構造、組成等
の分析、評価が不可欠である。分析、評価手法として
は、Ｘ線、光線、電子線、イオンビーム等を用いた種々
の方法があるが、このうちＸ線をプローブとして用いる
Ｘ線回折、ＸＡＦＳ（Ｘ−ｒａｙ Ａｂｓｏｒｐｔｉｏ
ｎＦｉｎｅ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ：Ｘ線吸収端微細構
造）は、物質の原子配置の情報を得るのに有効な方法で
ある。
【０００３】（１）例えば「Ｘ線吸収微細構造・ＸＡＦ
Ｓの測定と解析」、日本分光学会測定法シリーズ２６、
１３８頁〜１４６頁に記載されているように、単色Ｘ線
を試料に入射し、試料からの蛍光Ｘ線収率のエネルギー
依存性を計測することにより、非晶質試料の構造解析を
行っていた。
Ｓの測定と解析」、日本分光学会測定法シリーズ２６、
１３８頁〜１４６頁に記載されているように、単色Ｘ線
を試料に入射し、試料からの蛍光Ｘ線収率のエネルギー
依存性を計測することにより、非晶質試料の構造解析を
行っていた。
【０００４】（２）また例えばＰ．Ｇ．アレン他著「分
散型ＸＡＦＳを用いたＰｔクラスタ構造電気化学のリア
ルタイム解析」、米国マテリアルリサーチソサエティ
シンポジウムプロシーディングス、第３０７巻、５１頁
〜５６頁（Ｐ．Ｇ．ＡＬＬＥＮｅｔ ａｌ．：”Ｒｅａ
ｌ Ｔｉｍｅ Ｓｔｒｕｃｔｕｒａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏ
ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ｏｆ Ｐｌａｔｉｎｕｍ Ｃｌｕ
ｓｔｅｒｓＵｓｉｎｇＤｉｓｐｅｒｓｉｖｅ ＸＡＦ
Ｓ”，Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＲｅｓｅａｒｃｈＳｏｃｉ
ｅｔｙ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ
ｓ，Ｖｏｌ．３０７，５１−５６）に記載されているよ
うに、入射Ｘ線としてエネルギーに対して角度を分散さ
せたＸ線（以下エネルギー角度分散型Ｘ線と称す）を用
い、さらにＸ線検出器として１次元検出器を設けること
により、試料のＸ線透過率のＸ線エネルギー依存性を高
速に測定することにより、非晶質試料の構造変化の時分
割解析を行っていた。
散型ＸＡＦＳを用いたＰｔクラスタ構造電気化学のリア
ルタイム解析」、米国マテリアルリサーチソサエティ
シンポジウムプロシーディングス、第３０７巻、５１頁
〜５６頁（Ｐ．Ｇ．ＡＬＬＥＮｅｔ ａｌ．：”Ｒｅａ
ｌ Ｔｉｍｅ Ｓｔｒｕｃｔｕｒａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏ
ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ｏｆ Ｐｌａｔｉｎｕｍ Ｃｌｕ
ｓｔｅｒｓＵｓｉｎｇＤｉｓｐｅｒｓｉｖｅ ＸＡＦ
Ｓ”，Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＲｅｓｅａｒｃｈＳｏｃｉ
ｅｔｙ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ
ｓ，Ｖｏｌ．３０７，５１−５６）に記載されているよ
うに、入射Ｘ線としてエネルギーに対して角度を分散さ
せたＸ線（以下エネルギー角度分散型Ｘ線と称す）を用
い、さらにＸ線検出器として１次元検出器を設けること
により、試料のＸ線透過率のＸ線エネルギー依存性を高
速に測定することにより、非晶質試料の構造変化の時分
割解析を行っていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】スパッタ、ＣＶＤ等の
成膜あるいはエッチング等の薄膜プロセスにおいて重要
な課題は、プロセスによって成膜、反応、変化した薄膜
の組成、結晶構造、組織等の分析、評価である。これに
より、薄膜が各電子デバイスの特性に応じた最適の性質
を有するように、プロセス設計を行うことが可能とな
る。
成膜あるいはエッチング等の薄膜プロセスにおいて重要
な課題は、プロセスによって成膜、反応、変化した薄膜
の組成、結晶構造、組織等の分析、評価である。これに
より、薄膜が各電子デバイスの特性に応じた最適の性質
を有するように、プロセス設計を行うことが可能とな
る。
【０００６】しかし上記第１の公知例は、プロセスを経
た試料をいったん大気中に取り出し、その後ＥＸＡＦＳ
測定を行っていたため、表面酸化等の変化を生じ、プロ
セスの正確な把握が困難であった。また約１時間程度の
測定時間を要し、成膜時の反応を時分割で測定すること
が不可能だった。
た試料をいったん大気中に取り出し、その後ＥＸＡＦＳ
測定を行っていたため、表面酸化等の変化を生じ、プロ
セスの正確な把握が困難であった。また約１時間程度の
測定時間を要し、成膜時の反応を時分割で測定すること
が不可能だった。
【０００７】また上記第２の公知例は、１秒以下の迅速
な測定が可能であるが、薄膜または粉末試料にＸ線を透
過させて測定するため、電子デバイスに用いる基板上の
薄膜の測定が不可能であるという問題があった。
な測定が可能であるが、薄膜または粉末試料にＸ線を透
過させて測定するため、電子デバイスに用いる基板上の
薄膜の測定が不可能であるという問題があった。
【０００８】本発明の目的は、迅速なＸＡＦＳ測定手
法、多目的なプロセス装置及び両者間の試料を移動に必
要な搬送装置を提供し、電子デバイス等に用いる薄膜の
製造プロセスの解析に必要な、薄膜プロセスのｉｎ−ｓ
ｉｔｕＸ線構造解析を可能とすることである。
法、多目的なプロセス装置及び両者間の試料を移動に必
要な搬送装置を提供し、電子デバイス等に用いる薄膜の
製造プロセスの解析に必要な、薄膜プロセスのｉｎ−ｓ
ｉｔｕＸ線構造解析を可能とすることである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、Ｘ線透過窓を備えたプロセス測定槽及びＸ線検出器
よりなる薄膜プロセスＸ線構造解析装置を構成し、上記
プロセス測定槽は、Ｘ線測定室及び複数のプロセス室に
仕切られた真空槽より構成され、また、上記プロセス室
で処理を行った試料を真空中でＸ線測定室に搬送する機
構を設けるようにする。
に、Ｘ線透過窓を備えたプロセス測定槽及びＸ線検出器
よりなる薄膜プロセスＸ線構造解析装置を構成し、上記
プロセス測定槽は、Ｘ線測定室及び複数のプロセス室に
仕切られた真空槽より構成され、また、上記プロセス室
で処理を行った試料を真空中でＸ線測定室に搬送する機
構を設けるようにする。
【００１０】さらに、試料をほぼ水平に試料台上に戴置
し、該回転テーブルを回転させることにより、上記プロ
セス室とＸ線測定室間の無塵搬送を行えるようにする。
し、該回転テーブルを回転させることにより、上記プロ
セス室とＸ線測定室間の無塵搬送を行えるようにする。
【００１１】さらに、上記プロセス室中に複数のスパッ
タリング用カソードを備え、該カソードは上記回転ステ
ージの回転軸を中心とする同心円上に配置するようにす
る。さらに、カソードと回転ステージ間にシャッタを設
け、該シャッタの内、任意のシャッタを開閉するように
する。
タリング用カソードを備え、該カソードは上記回転ステ
ージの回転軸を中心とする同心円上に配置するようにす
る。さらに、カソードと回転ステージ間にシャッタを設
け、該シャッタの内、任意のシャッタを開閉するように
する。
【００１２】さらに、Ｘ線測定室にＸ線吸収係数の小さ
い薄膜からなるＸ線透過窓を備え、該Ｘ線透過窓は試料
表面に対し０度から５度までの範囲の入射角及び反射角
を有するＸ線の透過を可能とし、試料表面に全反射する
に十分な低角度でＸ線を入射させ、試料から全反射した
Ｘ線を測定するようにする。
い薄膜からなるＸ線透過窓を備え、該Ｘ線透過窓は試料
表面に対し０度から５度までの範囲の入射角及び反射角
を有するＸ線の透過を可能とし、試料表面に全反射する
に十分な低角度でＸ線を入射させ、試料から全反射した
Ｘ線を測定するようにする。
【００１３】さらに、該入射Ｘ線としてエネルギー角度
分散型Ｘ線を用い、さらにＸ線検出器として１次元検出
器を設けることにより、試料表面で全反射したＸ線の反
射率のエネルギー依存性の迅速な測定を可能とする。
分散型Ｘ線を用い、さらにＸ線検出器として１次元検出
器を設けることにより、試料表面で全反射したＸ線の反
射率のエネルギー依存性の迅速な測定を可能とする。
【００１４】さらに、該Ｘ線測定室に入射Ｘ線透過窓及
び回折Ｘ線透過窓を設け、該Ｘ線透過窓は試料表面に対
し２０度以上でありかつ２度以上の角度範囲を有するＸ
線の透過を可能とし、該入射Ｘ線として白色Ｘ線を用
い、Ｘ線検出器として半導体検出器を設けることによ
り、試料から発する回折Ｘ線のエネルギー分散型測定を
可能とする。
び回折Ｘ線透過窓を設け、該Ｘ線透過窓は試料表面に対
し２０度以上でありかつ２度以上の角度範囲を有するＸ
線の透過を可能とし、該入射Ｘ線として白色Ｘ線を用
い、Ｘ線検出器として半導体検出器を設けることによ
り、試料から発する回折Ｘ線のエネルギー分散型測定を
可能とする。
【００１５】さらに、回転ステージに基板を取り付ける
ための基板ステージを設け、該基板ステージは基板表面
に平行な面内回転機と、基板表面に対し１度以上傾けら
れるチルト機構を設ける。
ための基板ステージを設け、該基板ステージは基板表面
に平行な面内回転機と、基板表面に対し１度以上傾けら
れるチルト機構を設ける。
【００１６】さらに、入射Ｘ線を単色化あるいはエネル
ギー角度分散化するための分光部を設け、該分光部には
複数の分光結晶及び分光結晶移動機構を備え、任意の結
晶Ｘ線光路に移動する機構を備えるようにする。
ギー角度分散化するための分光部を設け、該分光部には
複数の分光結晶及び分光結晶移動機構を備え、任意の結
晶Ｘ線光路に移動する機構を備えるようにする。
【００１７】さらに上記分光結晶を湾曲させる機構を備
えるようにする。
えるようにする。
【００１８】さらに、入射Ｘ線の高エネルギー成分を除
去するための全反射ミラーを備えた高調波除去部を有す
るようにする。
去するための全反射ミラーを備えた高調波除去部を有す
るようにする。
【００１９】Ｘ線透過窓を備えたＸ線構造解析装置を構
成することにより、プロセス処理中乃至処理後の試料を
大気にさらすことなく迅速にＸ線構造解析ができるよう
になる。
成することにより、プロセス処理中乃至処理後の試料を
大気にさらすことなく迅速にＸ線構造解析ができるよう
になる。
【００２０】試料をほぼ水平に試料台上に戴置し、該回
転テーブルを回転させることにより、上記プロセス室と
Ｘ線測定室間の無塵搬送を行うことが可能である。
転テーブルを回転させることにより、上記プロセス室と
Ｘ線測定室間の無塵搬送を行うことが可能である。
【００２１】さらに、上記プロセス室中に複数のスパッ
タ用カソードを備え、該カソードは上記回転ステージの
回転軸を中心とする同心円上に配置することにより、多
元スパッタリング成膜が可能となる。
タ用カソードを備え、該カソードは上記回転ステージの
回転軸を中心とする同心円上に配置することにより、多
元スパッタリング成膜が可能となる。
【００２２】さらに、カソードと回転ステージ間にシャ
ッタを設け、該シャッタの内、任意のシャッタを開閉す
ることにより、多元スパッタリング成膜時の組成を可変
とするとともに、任意のターゲットを用いた成膜時の、
試料表面のＸ線構造解析を可能とする。
ッタを設け、該シャッタの内、任意のシャッタを開閉す
ることにより、多元スパッタリング成膜時の組成を可変
とするとともに、任意のターゲットを用いた成膜時の、
試料表面のＸ線構造解析を可能とする。
【００２３】さらに、試料表面で全反射したＸ線を用い
ることにより、Ｘ線の試料中への進入を１０ｎｍ程度に
減らすことができ、試料表面や成膜初期の核発生の状態
のＸ線構造解析を可能とする。
ることにより、Ｘ線の試料中への進入を１０ｎｍ程度に
減らすことができ、試料表面や成膜初期の核発生の状態
のＸ線構造解析を可能とする。
【００２４】さらに、該入射Ｘ線として下エネルギー角
度分散型Ｘ線を用い、さらにＸ線検出器として１次元検
出器を設け、試料表面で全反射したＸ線の反射率のエネ
ルギー依存性の迅速な測定が可能となる。これにより、
薄膜プロセスの時分割測定が可能となる。
度分散型Ｘ線を用い、さらにＸ線検出器として１次元検
出器を設け、試料表面で全反射したＸ線の反射率のエネ
ルギー依存性の迅速な測定が可能となる。これにより、
薄膜プロセスの時分割測定が可能となる。
【００２５】さらに、試料で回折するＸ線のエネルギー
分散型測定を行うことにより、迅速にＸ線回折を測定可
能となり、薄膜プロセスにおける結晶成長等の時分割測
定が可能となる。
分散型測定を行うことにより、迅速にＸ線回折を測定可
能となり、薄膜プロセスにおける結晶成長等の時分割測
定が可能となる。
【００２６】さらに、回転ステージに基板を取り付ける
ための基板ステージを設け、該基板ステージは基板表面
に平行な面内回転機構と、基板表面に対し１度以上傾け
られるチルト機構を設けることにより、基板に対するＸ
線入射角を調節できるようになる。
ための基板ステージを設け、該基板ステージは基板表面
に平行な面内回転機構と、基板表面に対し１度以上傾け
られるチルト機構を設けることにより、基板に対するＸ
線入射角を調節できるようになる。
【００２７】さらに、入射Ｘ線を単色化あるいはエネル
ギー角度分散化するための分光部を設け、該分光部には
複数の分光結晶及び分光結晶移動機構を備え、任意の結
晶Ｘ線光路に移動する機構を備えることにより、基板試
料に任意のエネルギーの単色Ｘ線を入射させることがで
きる。これにより、基板試料のＸ線回折測定が可能とな
る。
ギー角度分散化するための分光部を設け、該分光部には
複数の分光結晶及び分光結晶移動機構を備え、任意の結
晶Ｘ線光路に移動する機構を備えることにより、基板試
料に任意のエネルギーの単色Ｘ線を入射させることがで
きる。これにより、基板試料のＸ線回折測定が可能とな
る。
【００２８】さらに上記分光結晶を湾曲させる機構を備
えることにより、エネルギー角度分散型ＸＡＦＳ測定が
可能となる。
えることにより、エネルギー角度分散型ＸＡＦＳ測定が
可能となる。
【００２９】さらに、全反射ミラーを備えて入射Ｘ線の
高エネルギー成分を除去することにより、高精度のＸ線
構造解析が可能となる。また入射Ｘ線がわずかに下向き
に傾くようになり、水平に通り付けた基板試料の全反射
測定が容易になる。
高エネルギー成分を除去することにより、高精度のＸ線
構造解析が可能となる。また入射Ｘ線がわずかに下向き
に傾くようになり、水平に通り付けた基板試料の全反射
測定が容易になる。
【００３０】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施例を図面を用い
て具体的に説明する。
て具体的に説明する。
【００３１】（１）構造の概要 図１は本発明装置の一実施例となる薄膜プロセスＸ線構
造解析装置の概要を示す上面図及び側面図である。主な
構成要素は、入射スリット１３、高調波除去部１４、Ｘ
線分光部１５、出射スリット１８、プロセス測定槽１
９、散乱Ｘ線除去スリット１１７、一次元検出器１１
８、半導体検出器１２０である。
造解析装置の概要を示す上面図及び側面図である。主な
構成要素は、入射スリット１３、高調波除去部１４、Ｘ
線分光部１５、出射スリット１８、プロセス測定槽１
９、散乱Ｘ線除去スリット１１７、一次元検出器１１
８、半導体検出器１２０である。
【００３２】プロセス測定槽１９の上面は真空用のフラ
ンジとなっており、プロセスに応じてスパッタリング、
ＣＶＤ、蒸着、ドライエッチング等の処理装置を取り付
けることが可能である。本実施例ではスパッタリング装
置を組み合わせた場合のみを示す。
ンジとなっており、プロセスに応じてスパッタリング、
ＣＶＤ、蒸着、ドライエッチング等の処理装置を取り付
けることが可能である。本実施例ではスパッタリング装
置を組み合わせた場合のみを示す。
【００３３】プロセス測定槽１９内は、カソード１１
０、ターゲット１１１、シャッタ１１２、基板１１３、
回転ステージ１１４、プレーナマグネトロン１１５で構
成されている。回転ステージ１１４は回転数２００ＲＰ
Ｍで高速回転させ、基板１１３を複数のターゲット１１
１下に通過させる。単層膜の場合、各カソード１１０の
投入電力を調整することにより薄膜の組成を制御する。
また多層膜の場合、シャッタ１１２の開閉を行うことに
よって、各々の薄膜の組成を制御する。
０、ターゲット１１１、シャッタ１１２、基板１１３、
回転ステージ１１４、プレーナマグネトロン１１５で構
成されている。回転ステージ１１４は回転数２００ＲＰ
Ｍで高速回転させ、基板１１３を複数のターゲット１１
１下に通過させる。単層膜の場合、各カソード１１０の
投入電力を調整することにより薄膜の組成を制御する。
また多層膜の場合、シャッタ１１２の開閉を行うことに
よって、各々の薄膜の組成を制御する。
【００３４】また、基板１１３のホルダには加熱及び冷
却機構を設け、−１０℃から８５０℃まで調節可能であ
る。基板温度は熱電対でモニタしコントロールする。
却機構を設け、−１０℃から８５０℃まで調節可能であ
る。基板温度は熱電対でモニタしコントロールする。
【００３５】なおプロセス測定槽１９は排気速度１００
０リットル／分の磁気浮上式ターボ分子ポンプで排気
し、試料交換室は排気速度６０リットル／分の小型ター
ボ分子ポンプで排気している。
０リットル／分の磁気浮上式ターボ分子ポンプで排気
し、試料交換室は排気速度６０リットル／分の小型ター
ボ分子ポンプで排気している。
【００３６】（２）Ｘ線測定室 Ｘ線管球あるいはシンクロトロン放射光等のＸ線源１１
より発生する白色Ｘ線１２を、入射スリット１３によっ
て整形し、高調波除去部１４に導入する。水平に入射し
た白色Ｘ線１２を、０．１〜１．０度以下の低角度で高
調波除去部１４内に全反射ミラーに入射させる。この時
入射角に応じて決まる臨界エネルギー以上のエネルギー
のＸ線は吸収され、それより低いエネルギーのＸ線は全
反射する。ミラーの角度を調整することにより、測定に
不要な高エネルギーＸ線を除去することができる。本実
施例では、ミラーとして、表面にＰｔを蒸着した石英ガ
ラスを使用している。
より発生する白色Ｘ線１２を、入射スリット１３によっ
て整形し、高調波除去部１４に導入する。水平に入射し
た白色Ｘ線１２を、０．１〜１．０度以下の低角度で高
調波除去部１４内に全反射ミラーに入射させる。この時
入射角に応じて決まる臨界エネルギー以上のエネルギー
のＸ線は吸収され、それより低いエネルギーのＸ線は全
反射する。ミラーの角度を調整することにより、測定に
不要な高エネルギーＸ線を除去することができる。本実
施例では、ミラーとして、表面にＰｔを蒸着した石英ガ
ラスを使用している。
【００３７】高調波除去部１４より出射したＸ線は、Ｘ
線分光部１５に入射する。Ｘ線分光部１５には複数の湾
曲型分光結晶１６を備え、それぞれ分光結晶の回折角θ
及び曲率を調整する機構を備えている。さらに任意の分
光結晶を選択できるように結晶の上下移動機構を備えて
いる。回折角θを調整することにより、希望のエネルギ
ーのＸ線を得ることができる。
線分光部１５に入射する。Ｘ線分光部１５には複数の湾
曲型分光結晶１６を備え、それぞれ分光結晶の回折角θ
及び曲率を調整する機構を備えている。さらに任意の分
光結晶を選択できるように結晶の上下移動機構を備えて
いる。回折角θを調整することにより、希望のエネルギ
ーのＸ線を得ることができる。
【００３８】平面結晶（曲率：無限大）を用いた場合の
出射Ｘ線のエネルギーは、（数１）で表される。
出射Ｘ線のエネルギーは、（数１）で表される。
【００３９】
【数１】
【００４０】本実施例では、分光結晶としてＳｉ（１１
１）、Ｓｉ（３１１）、及びＳｉ（５１１）を用いてい
る。分光結晶を湾曲させることにより、あるエネルギー
領域で、エネルギーに対して角度を分散させたＸ線（以
下エネルギー角度分散型Ｘ線と称す）を得ることができ
る。
１）、Ｓｉ（３１１）、及びＳｉ（５１１）を用いてい
る。分光結晶を湾曲させることにより、あるエネルギー
領域で、エネルギーに対して角度を分散させたＸ線（以
下エネルギー角度分散型Ｘ線と称す）を得ることができ
る。
【００４１】湾曲型ポリクロ結晶でエネルギー角度分散
させたＸ線１７を出射スリット１８を通過させ、基板試
料１１３上に焦点をあわせて入射させる。回転ステージ
１１４は、上記入射Ｘ線に対する入射角を変化させるた
めに傾斜させることができるようになっている。
させたＸ線１７を出射スリット１８を通過させ、基板試
料１１３上に焦点をあわせて入射させる。回転ステージ
１１４は、上記入射Ｘ線に対する入射角を変化させるた
めに傾斜させることができるようになっている。
【００４２】試料からの反射Ｘ線１１６は散乱Ｘ線除去
用スリット１１７を通過させた後、例えばフォトダイオ
ードアレイのような一次元検出器１１８によってＸ線強
度を計測する。検出器１１８の入射窓を充分大きく取っ
ておけば、検出器１１８を動かさなくても基板試料１１
３で反射したＸ線１１７を測定できる。
用スリット１１７を通過させた後、例えばフォトダイオ
ードアレイのような一次元検出器１１８によってＸ線強
度を計測する。検出器１１８の入射窓を充分大きく取っ
ておけば、検出器１１８を動かさなくても基板試料１１
３で反射したＸ線１１７を測定できる。
【００４３】また試料からの回折Ｘ線１１９を、例えば
半導体検出器１２０のようなエネルギ分解能を有する検
出器を用いて検出することにより、エネルギ分散型のＸ
線回折測定ができる。
半導体検出器１２０のようなエネルギ分解能を有する検
出器を用いて検出することにより、エネルギ分散型のＸ
線回折測定ができる。
【００４４】以上に示したＸ線光学系は真空チャンバ中
に収納し、大気によるＸ線散乱及び吸収を防止し、さら
にＸ線により大気中に酸素がオゾンに変わり、Ｘ線光学
素子を損傷することを防止している。
に収納し、大気によるＸ線散乱及び吸収を防止し、さら
にＸ線により大気中に酸素がオゾンに変わり、Ｘ線光学
素子を損傷することを防止している。
【００４５】（３）測定方法 図２は本発明装置の湾曲型ポリクロ結晶を用いたエネル
ギー角度分散型Ｘ線吸収微細構造測定装置の原理を示す
図である。広いエネルギー成分を持つ入射Ｘ線２１の中
から、特定の波長λ（ｎｍ）あるいはエネルギーＥ（ｅ
Ｖ）の光子のみを選択し単色化するためには、Ｂｒａｇ
ｇの法則として知られる（数１）または（数２）に従っ
て分光結晶の回折角（θ）を設定する。ここで、ｄは分
光結晶の回折面の面間隔（ｎｍ）である。
ギー角度分散型Ｘ線吸収微細構造測定装置の原理を示す
図である。広いエネルギー成分を持つ入射Ｘ線２１の中
から、特定の波長λ（ｎｍ）あるいはエネルギーＥ（ｅ
Ｖ）の光子のみを選択し単色化するためには、Ｂｒａｇ
ｇの法則として知られる（数１）または（数２）に従っ
て分光結晶の回折角（θ）を設定する。ここで、ｄは分
光結晶の回折面の面間隔（ｎｍ）である。
【００４６】
【数２】
【００４７】本実施例の様に分光結晶を湾曲型ポリクロ
結晶とすると分光結晶へ入射する入射Ｘ線２１の位置に
よって回折角（θ）２２は異なる。回折角の異なる、あ
るいは異なるエネルギーを持つＸ線を測定試料上で収束
させると、Ｘ線は再び任意の角度で分散し検出器２３に
到達する。従って１次元検出器を用いて検出器の各チャ
ンネルのＸ線強度を測定することによって、一度に広い
エネルギー範囲のＸ線吸収微細構造のスペクトルの測定
ができる。（数３）は湾曲型ポリクロ結晶の回折角
（θ）と検出器のチャンネル（ｎ）との関係を示したも
のである。
結晶とすると分光結晶へ入射する入射Ｘ線２１の位置に
よって回折角（θ）２２は異なる。回折角の異なる、あ
るいは異なるエネルギーを持つＸ線を測定試料上で収束
させると、Ｘ線は再び任意の角度で分散し検出器２３に
到達する。従って１次元検出器を用いて検出器の各チャ
ンネルのＸ線強度を測定することによって、一度に広い
エネルギー範囲のＸ線吸収微細構造のスペクトルの測定
ができる。（数３）は湾曲型ポリクロ結晶の回折角
（θ）と検出器のチャンネル（ｎ）との関係を示したも
のである。
【００４８】
【数３】
【００４９】ただし、θＢは湾曲型ポリクロ結晶の中心
位置での回折角、Ｌは検出器の受光部の水平幅、ｌは試
料上の焦点から検出器までの距離、Ｎは検出器の総チャ
ンネル数である。ここではまた一次元検出器を用いなく
ても、例えばシンチレーションカウンター検出器受光面
の前にスリットを設け、受光面の前を一定の速度でスリ
ットを走査することで、疑似的な一次元検出器としたも
のを用いてもよい。
位置での回折角、Ｌは検出器の受光部の水平幅、ｌは試
料上の焦点から検出器までの距離、Ｎは検出器の総チャ
ンネル数である。ここではまた一次元検出器を用いなく
ても、例えばシンチレーションカウンター検出器受光面
の前にスリットを設け、受光面の前を一定の速度でスリ
ットを走査することで、疑似的な一次元検出器としたも
のを用いてもよい。
【００５０】本実施例ではＳｉ（１１１）、Ｓｉ（３１
１）、Ｓｉ（５１１）湾曲型ポリクロ結晶を使用し、目
的のエネルギー帯域に応じて、任意の結晶Ｘ線光路に移
動する機構を備えているが、例えばＩｎＳｂ（１１１）
他の湾曲型ポリクロ結晶、あるいは多層反射膜等分光ポ
リクロ結晶を使用しても良い。
１）、Ｓｉ（５１１）湾曲型ポリクロ結晶を使用し、目
的のエネルギー帯域に応じて、任意の結晶Ｘ線光路に移
動する機構を備えているが、例えばＩｎＳｂ（１１１）
他の湾曲型ポリクロ結晶、あるいは多層反射膜等分光ポ
リクロ結晶を使用しても良い。
【００５１】Ｘ線吸収微細構造のスペクトルの質に直接
関係する、エネルギー分解能は、光源となるＸ線の発散
角（数４）、検出器の空間分解能（数５）、それぞれの
ポリクロ結晶が持つ固有の角度分解能（数６）に依存す
る。なお総合的なエネルギー分解能は（数７）に従って
決定される。ここでｐはＸ線源と結晶間の距離、ｑは結
晶と試料上の焦点との距離、ｄは試料上の焦点と検出器
の距離、Ｒは湾曲型結晶の曲率半径、ΔＳはＸ線ビーム
の幅を示す。
関係する、エネルギー分解能は、光源となるＸ線の発散
角（数４）、検出器の空間分解能（数５）、それぞれの
ポリクロ結晶が持つ固有の角度分解能（数６）に依存す
る。なお総合的なエネルギー分解能は（数７）に従って
決定される。ここでｐはＸ線源と結晶間の距離、ｑは結
晶と試料上の焦点との距離、ｄは試料上の焦点と検出器
の距離、Ｒは湾曲型結晶の曲率半径、ΔＳはＸ線ビーム
の幅を示す。
【００５２】
【数４】
【００５３】
【数５】
【００５４】
【数６】
【００５５】
【数７】
【００５６】（４）測定例 次に本実施例を用いて、スパッタリングを行いながらＸ
線吸収微細構造スペクトルの測定を行った例を示す。測
定時間は１秒とした。ターゲットはＰｂＯ、ＺｒＯ2、
ＴｉＯ2を用い、スパッタリング時のカソード投入電力
は、ＰｂＯ用ターゲットに対しては５００Ｗ、Ｚｒ
Ｏ2、ＴｉＯ2ターゲットに対しては３００Ｗで行った。
基板ホルダの温度は５００℃とした。
線吸収微細構造スペクトルの測定を行った例を示す。測
定時間は１秒とした。ターゲットはＰｂＯ、ＺｒＯ2、
ＴｉＯ2を用い、スパッタリング時のカソード投入電力
は、ＰｂＯ用ターゲットに対しては５００Ｗ、Ｚｒ
Ｏ2、ＴｉＯ2ターゲットに対しては３００Ｗで行った。
基板ホルダの温度は５００℃とした。
【００５７】図３は成膜開始から１秒後、３０秒後に測
定した薄膜試料のＸ線吸収微細スペクトルを示す。測定
エネルギー範囲はＴｉ・Ｋ吸収端付近の４９００〜５５
００ｅＶであるため、Ｔｉ原子周囲の局所的な構造解析
が可能である。
定した薄膜試料のＸ線吸収微細スペクトルを示す。測定
エネルギー範囲はＴｉ・Ｋ吸収端付近の４９００〜５５
００ｅＶであるため、Ｔｉ原子周囲の局所的な構造解析
が可能である。
【００５８】図４はＸ線吸収微細スペクトルから得たＴ
ｉ原子周囲の動経分布関数を示す。成膜開始１秒後に現
れる０.１９３ｎｍのピークはＴｉＯ2のＴｉ−Ｏ距離に
一致し、３０秒後に現れる０.１９６ｎｍのピークはＰ
ｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3のＴｉ−Ｏ距離と一致する。
ｉ原子周囲の動経分布関数を示す。成膜開始１秒後に現
れる０.１９３ｎｍのピークはＴｉＯ2のＴｉ−Ｏ距離に
一致し、３０秒後に現れる０.１９６ｎｍのピークはＰ
ｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3のＴｉ−Ｏ距離と一致する。
【００５９】図５は成膜開始から１秒後、３０秒後の、
Ｐｂ・Ｌ吸収端付近である１２９００〜１３５００ｅＶ
のエネルギー範囲のＸ線吸収微細スペクトルであり、Ｐ
ｂ原子周囲の局所的な構造解析が可能である。
Ｐｂ・Ｌ吸収端付近である１２９００〜１３５００ｅＶ
のエネルギー範囲のＸ線吸収微細スペクトルであり、Ｐ
ｂ原子周囲の局所的な構造解析が可能である。
【００６０】図６はＰｂ原子周囲の動経分布関数を示
す。成膜開始１秒後に現れる０.２３３ｎｍのピークは
ＰｂＯのＰｂ−Ｏ距離に一致し、３０秒後に現れる０.
２５０ｎｍのピークはＰｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3のＰｂ−
Ｏ距離と一致する。
す。成膜開始１秒後に現れる０.２３３ｎｍのピークは
ＰｂＯのＰｂ−Ｏ距離に一致し、３０秒後に現れる０.
２５０ｎｍのピークはＰｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3のＰｂ−
Ｏ距離と一致する。
【００６１】図７は成膜開始から１秒後、３０秒後の、
Ｚｒ・Ｋ吸収端付近である１９５００〜２０１００ｅＶ
のエネルギー範囲のＸ線吸収微細スペクトルであり、Ｚ
ｒ原子周囲の局所的な構造解析が可能である。
Ｚｒ・Ｋ吸収端付近である１９５００〜２０１００ｅＶ
のエネルギー範囲のＸ線吸収微細スペクトルであり、Ｚ
ｒ原子周囲の局所的な構造解析が可能である。
【００６２】図８はＺｒ原子周囲の動経分布関数を示
す。成膜開始１秒後に現れる０.２２５ｎｍのピークは
ＴｉＯ2のＴｉ−Ｏ距離に一致し、３０秒後に現れる０.
２９６ｎｍのピークはＰｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3のＺｒ−
Ｏ距離と一致する。
す。成膜開始１秒後に現れる０.２２５ｎｍのピークは
ＴｉＯ2のＴｉ−Ｏ距離に一致し、３０秒後に現れる０.
２９６ｎｍのピークはＰｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3のＺｒ−
Ｏ距離と一致する。
【００６３】上記の結果より本実施例によって成膜した
薄膜は成膜開始１秒後は、ＴｉＯ2、ＰｂＯ、ＺｒＯ2の
混合物であるが、３０秒後にはＰｂ（Ｚｒ、Ｔｉ）Ｏ3
に成長していることが明らかとなった。
薄膜は成膜開始１秒後は、ＴｉＯ2、ＰｂＯ、ＺｒＯ2の
混合物であるが、３０秒後にはＰｂ（Ｚｒ、Ｔｉ）Ｏ3
に成長していることが明らかとなった。
【００６４】本実施例による薄膜プロセスＸ線構造解析
装置を用いてエネルギー分散Ｘ線吸収微細構造を測定す
ることにより、成膜時の反応を時分割で測定することが
可能となった。
装置を用いてエネルギー分散Ｘ線吸収微細構造を測定す
ることにより、成膜時の反応を時分割で測定することが
可能となった。
【００６５】
【発明の効果】Ｘ線透過窓を備えたＸ線構造解析装置を
構成することにより、プロセス処理中乃至処理後の試料
を大気にさらすことなく迅速なＸ線構造解析が可能とな
る。
構成することにより、プロセス処理中乃至処理後の試料
を大気にさらすことなく迅速なＸ線構造解析が可能とな
る。
【００６６】さらに試料をほぼ水平に試料台上に戴置
し、該回転テーブルを回転させることにより、上記プロ
セス室とＸ線測定室間の無塵搬送を行うことが可能とな
る。
し、該回転テーブルを回転させることにより、上記プロ
セス室とＸ線測定室間の無塵搬送を行うことが可能とな
る。
【００６７】さらに、上記プロセス室中に複数のスパッ
タ用カソードを備え、該カソードは上記回転ステージの
回転軸を中心とする同心円上に配置することにより、多
元スパッタリング成膜が可能となる。
タ用カソードを備え、該カソードは上記回転ステージの
回転軸を中心とする同心円上に配置することにより、多
元スパッタリング成膜が可能となる。
【００６８】さらに、カソードと回転ステージ間にシャ
ッタを設け、該シャッタの内、任意のシャッタを開閉す
ることにより、多元スパッタリング成膜時の組成を可変
とするとともに、任意のターゲットを用いた成膜時の、
試料表面のＸ線構造解析が可能となる。
ッタを設け、該シャッタの内、任意のシャッタを開閉す
ることにより、多元スパッタリング成膜時の組成を可変
とするとともに、任意のターゲットを用いた成膜時の、
試料表面のＸ線構造解析が可能となる。
【００６９】さらに、試料表面で全反射したＸ線を用い
ることにより、Ｘ線の試料中への進入を１０ｎｍ程度に
減らすことができ、試料表面や成膜初期の核発生の状態
のＸ線構造解析が可能となる。
ることにより、Ｘ線の試料中への進入を１０ｎｍ程度に
減らすことができ、試料表面や成膜初期の核発生の状態
のＸ線構造解析が可能となる。
【００７０】さらに、該入射Ｘ線として下エネルギー角
度分散型Ｘ線を用い、さらにＸ線検出器として１次元検
出器を設け、試料表面で全反射したＸ線の反射率のエネ
ルギー依存性の迅速な測定が可能となる。これにより、
薄膜プロセスの時分割測定が可能となる。
度分散型Ｘ線を用い、さらにＸ線検出器として１次元検
出器を設け、試料表面で全反射したＸ線の反射率のエネ
ルギー依存性の迅速な測定が可能となる。これにより、
薄膜プロセスの時分割測定が可能となる。
【００７１】さらに、試料で回折するＸ線のエネルギー
分散型測定を行うことにより、迅速にＸ線回折を測定可
能となり、薄膜プロセスにおける結晶成長等の時分割測
定が可能となる。
分散型測定を行うことにより、迅速にＸ線回折を測定可
能となり、薄膜プロセスにおける結晶成長等の時分割測
定が可能となる。
【００７２】さらに、回転ステージに基板を取り付ける
ための基板ステージを設け、該基板ステージは基板表面
に平行な面内回転機構と、基板表面に対し１度以上傾け
られるチルト機構を設けることにより、基板に対するＸ
線入射角を調節できるようになる。
ための基板ステージを設け、該基板ステージは基板表面
に平行な面内回転機構と、基板表面に対し１度以上傾け
られるチルト機構を設けることにより、基板に対するＸ
線入射角を調節できるようになる。
【００７３】さらに、入射Ｘ線を単色化あるいはエネル
ギー角度分散化するための分光部を設け、該分光部には
複数の分光結晶及び分光結晶移動機構を備え、任意の結
晶Ｘ線光路に移動する機構を備えることにより、基板試
料に任意のエネルギーの単色Ｘ線を入射させることがで
きる。これにより、基板試料のＸ線回折測定が可能とな
る。
ギー角度分散化するための分光部を設け、該分光部には
複数の分光結晶及び分光結晶移動機構を備え、任意の結
晶Ｘ線光路に移動する機構を備えることにより、基板試
料に任意のエネルギーの単色Ｘ線を入射させることがで
きる。これにより、基板試料のＸ線回折測定が可能とな
る。
【００７４】さらに上記分光結晶を湾曲させる機構を備
えることにより、エネルギー角度分散型ＸＡＦＳ測定が
可能となる。
えることにより、エネルギー角度分散型ＸＡＦＳ測定が
可能となる。
【００７５】さらに、全反射ミラーを備えて入射Ｘ線の
高エネルギー成分が除去することにより、高精度のＸ線
構造解析が可能となる。また入射Ｘ線がわずかに下向き
に傾くようになり、水平に通り付けた基板試料の全反射
測定が容易になる。
高エネルギー成分が除去することにより、高精度のＸ線
構造解析が可能となる。また入射Ｘ線がわずかに下向き
に傾くようになり、水平に通り付けた基板試料の全反射
測定が容易になる。
【図１】本発明の実施例である薄膜プロセスＸ線構造解
析装置の概要図。
析装置の概要図。
【図２】本発明の実施例である湾曲型ポリクロ結晶を用
いたエネルギー角度分散型Ｘ線吸収微細構造測定装置の
原理を示す図。
いたエネルギー角度分散型Ｘ線吸収微細構造測定装置の
原理を示す図。
【図３】本発明の実施例である基板上に成膜した薄膜試
料のＴｉ・Ｋ吸収端近傍のＸ線吸収微細構造のスペクト
ルの例を示す図。
料のＴｉ・Ｋ吸収端近傍のＸ線吸収微細構造のスペクト
ルの例を示す図。
【図４】本発明の実施例である基板上に成膜した薄膜試
料のＴｉ原子周囲の動径分布関数の例を示す図。
料のＴｉ原子周囲の動径分布関数の例を示す図。
【図５】本発明の実施例である基板上に成膜した薄膜試
料のＰｂ・Ｌ吸収端近傍のＸ線吸収微細構造のスペクト
ルの例を示す図。
料のＰｂ・Ｌ吸収端近傍のＸ線吸収微細構造のスペクト
ルの例を示す図。
【図６】本発明の実施例である基板上に成膜した薄膜試
料のＰｂ原子周囲の動径分布関数の例を示す図。
料のＰｂ原子周囲の動径分布関数の例を示す図。
【図７】本発明の実施例である基板上に成膜した薄膜試
料のＺｒ・Ｋ吸収端近傍のＸ線吸収微細構造のスペクト
ルの例を示す図。
料のＺｒ・Ｋ吸収端近傍のＸ線吸収微細構造のスペクト
ルの例を示す図。
【図８】本発明の実施例である基板上に成膜した薄膜試
料のＺｒ原子周囲の動径分布関数の例を示す図。
料のＺｒ原子周囲の動径分布関数の例を示す図。
１１…Ｘ線源、１２…白色Ｘ線、１３…入射スリット、
１４…高調波除去部、１５…Ｘ線分光部、１６…湾曲型
分光結晶、１７…エネルギー角度分散Ｘ線、１８…出射
スリット、１９…プロセス測定槽、１１０…カソード、
１１１…ターゲット、１１２…シャッタ、１１３…基
板、１１４…回転ステージ、１１５…プレーナマグネト
ロン、１１６…反射Ｘ線、１１７…散乱Ｘ線除去スリッ
ト、１１８…一次元検出器、１１９…回折Ｘ線、１２０
…半導体検出器、２１…入射Ｘ線、２２…入射Ｘ線と湾
曲型ポリクロ結晶のなす角（θ）、２３…検出器。
１４…高調波除去部、１５…Ｘ線分光部、１６…湾曲型
分光結晶、１７…エネルギー角度分散Ｘ線、１８…出射
スリット、１９…プロセス測定槽、１１０…カソード、
１１１…ターゲット、１１２…シャッタ、１１３…基
板、１１４…回転ステージ、１１５…プレーナマグネト
ロン、１１６…反射Ｘ線、１１７…散乱Ｘ線除去スリッ
ト、１１８…一次元検出器、１１９…回折Ｘ線、１２０
…半導体検出器、２１…入射Ｘ線、２２…入射Ｘ線と湾
曲型ポリクロ結晶のなす角（θ）、２３…検出器。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 尾形 潔 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 末永 和文 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 Ｆターム(参考） 2G001 AA01 BA06 BA11 BA14 BA18 CA01 DA01 DA08 EA01 GA01 GA13 JA04 JA08 JA11 JA14 KA12 LA11 MA05 PA12 RA03 SA01 SA04
Claims (12)
- 【請求項１】 Ｘ線測定室、Ｘ線検出器及び複数のスパ
ッタリング用カソードを備えたプロセス室により構成さ
れたＸ線構造解析装置において、ポリクロ結晶により、
エネルギーに対して角度を分散させたＸ線を入射Ｘ線と
し、試料表面に全反射するに十分な低角度で該Ｘ線を入
射させ、試料から全反射したＸ線の反射率のＸ線エネル
ギー依存性を該Ｘ線検出器によって測定し、成膜を行い
ながら０.１〜３０秒で表面構造解析を行なうように構
成したことを特徴とする薄膜プロセスＸ線構造解析装
置。 - 【請求項２】 請求項１において、上記プロセス室とＸ
線測定室は真空槽内に収められ、試料搬送機構として回
転ステージを備え、該回転ステージ上に試料をほぼ水平
上向きに戴置し、該ステージを回転させることにより、
プロセス室とＸ線測定室間の無塵搬送を行なうように構
成したことを特徴とする薄膜プロセスＸ線構造解析装
置。 - 【請求項３】 請求項１又は２において、カソードは上
記回転ステージの回転軸を中心とする同心円上に配置す
ることを特徴とする薄膜プロセスＸ線構造解析装置。 - 【請求項４】 請求項３において、該カソードと回転ス
テージ間にシャッタを設け、該シャッタの内、任意のシ
ャッタを開閉することにより、多元スパッタリング成膜
時の組成を可変としたことを特徴とする薄膜プロセスＸ
線構造解析装置。 - 【請求項５】 請求項２において、該回転ステージに基
板を取り付けるための基板ステージを設け、該基板ステ
ージは基板表面に平行な面内回転機と、基板表面に対し
１度以上傾けられるチルト機構を有することを特徴とす
る薄膜プロセスＸ線構造解析装置。 - 【請求項６】 請求項１において、該Ｘ線測定室はＸ線
吸収係数の小さい薄膜からなるＸ線透過窓を備え、該Ｘ
線透過窓は試料表面に対し０度から５度までの範囲の入
射角及び反射角を有するＸ線の透過を可能としたことを
特徴とする薄膜プロセスＸ線構造解析装置。 - 【請求項７】 請求項１において、該Ｘ線測定室に入射
Ｘ線透過窓及び回折Ｘ線透過窓を設け、該Ｘ線透過窓は
試料表面に対し２０度以上でありかつ２度以上の角度範
囲を有するＸ線の透過を可能としたことを特徴とする薄
膜プロセスＸ線構造解析装置。 - 【請求項８】 請求項１において、該Ｘ線検出器として
一次元検出器を設けることを特徴とする薄膜プロセスＸ
線構造解析装置。 - 【請求項９】 請求項１において、Ｘ線検出器として半
導体検出器を設けることにより、試料から発する回折Ｘ
線のエネルギー分散型測定を可能としたことを特徴とす
る薄膜プロセスＸ線構造解析装置。 - 【請求項１０】 請求項１において、入射Ｘ線を単色化
あるいはエネルギー角度分散化するための分光部を設
け、該分光部には複数の分光結晶及び分光結晶移動機構
を備え、任意の結晶に移動する機構を有することを特徴
とする薄膜プロセスＸ線構造解析装置。 - 【請求項１１】 請求項１０において、該分光結晶を湾
曲させる機構を有することを特徴とする薄膜プロセスＸ
線構造解析装置。 - 【請求項１２】 請求項１，１０ないし１１のいずれか
において、入射Ｘ線の高エネルギー成分を除去するため
の全反射ミラーを備えた高調波除去部を有することを特
徴とする薄膜プロセスＸ線構造解析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000313116A JP2002116159A (ja) | 2000-10-06 | 2000-10-06 | 薄膜プロセスｘ線構造解析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000313116A JP2002116159A (ja) | 2000-10-06 | 2000-10-06 | 薄膜プロセスｘ線構造解析装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002116159A true JP2002116159A (ja) | 2002-04-19 |
Family
ID=18792578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000313116A Pending JP2002116159A (ja) | 2000-10-06 | 2000-10-06 | 薄膜プロセスｘ線構造解析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002116159A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006266829A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Daihatsu Motor Co Ltd | Ｘ線吸収微細構造分析方法およびその分析装置 |
| JP2008170236A (ja) * | 2007-01-10 | 2008-07-24 | High Energy Accelerator Research Organization | Ｘ線及び中性子線の反射率曲線測定方法及び測定装置 |
| JP2019041070A (ja) * | 2017-08-29 | 2019-03-14 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電素子および液体吐出ヘッド |
-
2000
- 2000-10-06 JP JP2000313116A patent/JP2002116159A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP4563229B2 (ja) * | 2005-03-23 | 2010-10-13 | ダイハツ工業株式会社 | Ｘ線吸収微細構造分析方法およびその分析装置 |
| JP2008170236A (ja) * | 2007-01-10 | 2008-07-24 | High Energy Accelerator Research Organization | Ｘ線及び中性子線の反射率曲線測定方法及び測定装置 |
| JP4521573B2 (ja) * | 2007-01-10 | 2010-08-11 | 大学共同利用機関法人 高エネルギー加速器研究機構 | 中性子線の反射率曲線測定方法及び測定装置 |
| JP2019041070A (ja) * | 2017-08-29 | 2019-03-14 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電素子および液体吐出ヘッド |
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