JP2002115083A5 - - Google Patents

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JP2005217193A (ja) * 2004-01-29 2005-08-11 Shinryo Corp シリコン基板のエッチング方法
JP4595048B2 (ja) * 2007-04-18 2010-12-08 滋 木谷 酸洗用水溶液およびその製造方法ならびに資源回収方法
JP5195394B2 (ja) * 2008-12-19 2013-05-08 東ソー株式会社 エッチング液の再生方法
KR101439901B1 (ko) * 2010-02-12 2014-09-12 레나 게엠베하 질산의 농도 측정 방법
KR101180517B1 (ko) 2010-11-23 2012-09-06 주식회사 씨에스켐텍 폐액을 이용한 유리 표면의 식각방법 및 식각용 조성물
JP6110814B2 (ja) 2013-06-04 2017-04-05 富士フイルム株式会社 エッチング液およびそのキット、これらを用いたエッチング方法、半導体基板製品の製造方法および半導体素子の製造方法
JP6645900B2 (ja) * 2016-04-22 2020-02-14 キオクシア株式会社 基板処理装置および基板処理方法
CN115433580B (zh) * 2022-10-27 2023-08-18 湖北九宁化学科技有限公司 一种光电行业蚀刻液的生产方法

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