JP2002111326A - マイクロ波導波管及び真空処理装置 - Google Patents
マイクロ波導波管及び真空処理装置Info
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- JP2002111326A JP2002111326A JP2000298447A JP2000298447A JP2002111326A JP 2002111326 A JP2002111326 A JP 2002111326A JP 2000298447 A JP2000298447 A JP 2000298447A JP 2000298447 A JP2000298447 A JP 2000298447A JP 2002111326 A JP2002111326 A JP 2002111326A
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- Japan
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- microwave
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- microwave waveguide
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 マイクロ波導波管の内面の酸化によるマイク
ロ波伝達特性の変化を防止する。 【解決手段】 マイクロ波発生器にて生成されたマイク
ロ波を所望の場所に導くためのマイクロ波導波管１０で
ある。一方の端部が所望の場所に位置しており、マイク
ロ波がその内部を伝播する金属製の管部材１２と、金属
製の管部材１２の内面の少なくとも一部を覆う金属酸化
膜１３と、を備えている。
ロ波伝達特性の変化を防止する。 【解決手段】 マイクロ波発生器にて生成されたマイク
ロ波を所望の場所に導くためのマイクロ波導波管１０で
ある。一方の端部が所望の場所に位置しており、マイク
ロ波がその内部を伝播する金属製の管部材１２と、金属
製の管部材１２の内面の少なくとも一部を覆う金属酸化
膜１３と、を備えている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波発生器
にて生成されたマイクロ波を所望の場所に導くためのマ
イクロ波導波管、及び前記マイクロ波導波管を備え、被
処理物に対して真空下において薄膜形成、エッチング等
の処理を施すための真空処理装置に関する。
にて生成されたマイクロ波を所望の場所に導くためのマ
イクロ波導波管、及び前記マイクロ波導波管を備え、被
処理物に対して真空下において薄膜形成、エッチング等
の処理を施すための真空処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造用のシリコンウェハや液晶デ
ィスプレイ用ガラス基板といった被処理物を真空下にお
いて処理するための真空処理装置として、プロセスガス
にマイクロ波を照射して生成したプラズマを利用して被
処理物のドライエッチング処理やアッシング処理等を施
す装置がある。この装置を利用したプラズマ技術による
微細加工、薄膜形成等の表面処理は、例えば半導体の高
集積化にとって必要不可欠な技術となっている。また、
真空処理装置の他の例としては、被処理物の表面に薄膜
を形成するための装置があり、例えば、プロセスガスに
マイクロ波を照射して生成したプラズマを利用して気相
成長により薄膜を形成するものがある。
ィスプレイ用ガラス基板といった被処理物を真空下にお
いて処理するための真空処理装置として、プロセスガス
にマイクロ波を照射して生成したプラズマを利用して被
処理物のドライエッチング処理やアッシング処理等を施
す装置がある。この装置を利用したプラズマ技術による
微細加工、薄膜形成等の表面処理は、例えば半導体の高
集積化にとって必要不可欠な技術となっている。また、
真空処理装置の他の例としては、被処理物の表面に薄膜
を形成するための装置があり、例えば、プロセスガスに
マイクロ波を照射して生成したプラズマを利用して気相
成長により薄膜を形成するものがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の真空処
理装置においては、マイクロ波発生器にて生成されたマ
イクロ波を所望の場所に導くためのマイクロ波導波管
を、アルミ等の金属材料で構成している。真空処理装置
を連続的に使用した場合には、マイクロ波導波管の温度
が上昇し、この結果、マイクロ波導波管の内面に徐々に
酸化皮膜が形成される。このようにマイクロ波導波管の
内面に酸化被膜が形成されると、マイクロ波導波管のマ
イクロ波伝達特性が変化し、整合点が変化してしまう。
その結果、プロセスガスにマイクロ波を照射して生成さ
れるプラズマの密度分布が変化し、これにより、被処理
物の処理に大きなばらつきが生じるという問題がある。
理装置においては、マイクロ波発生器にて生成されたマ
イクロ波を所望の場所に導くためのマイクロ波導波管
を、アルミ等の金属材料で構成している。真空処理装置
を連続的に使用した場合には、マイクロ波導波管の温度
が上昇し、この結果、マイクロ波導波管の内面に徐々に
酸化皮膜が形成される。このようにマイクロ波導波管の
内面に酸化被膜が形成されると、マイクロ波導波管のマ
イクロ波伝達特性が変化し、整合点が変化してしまう。
その結果、プロセスガスにマイクロ波を照射して生成さ
れるプラズマの密度分布が変化し、これにより、被処理
物の処理に大きなばらつきが生じるという問題がある。
【０００４】本発明は上述した事情を考慮して成された
ものであって、マイクロ波導波管の内面の酸化によるマ
イクロ波伝達特性の変化を防止することができるマイク
ロ波導波管及びこのマイクロ波導波管を備えた真空処理
装置を提供することを目的とする。
ものであって、マイクロ波導波管の内面の酸化によるマ
イクロ波伝達特性の変化を防止することができるマイク
ロ波導波管及びこのマイクロ波導波管を備えた真空処理
装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、マイクロ波発生器にて生成されたマイク
ロ波を所望の場所に導くためのマイクロ波導波管におい
て、一方の端部が前記所望の場所に位置しており、前記
マイクロ波がその内部を伝播する金属製の管部材と、前
記金属製の管部材の内面の少なくとも一部を覆う金属酸
化膜と、を備えたことを特徴とする。
に、本発明は、マイクロ波発生器にて生成されたマイク
ロ波を所望の場所に導くためのマイクロ波導波管におい
て、一方の端部が前記所望の場所に位置しており、前記
マイクロ波がその内部を伝播する金属製の管部材と、前
記金属製の管部材の内面の少なくとも一部を覆う金属酸
化膜と、を備えたことを特徴とする。
【０００６】また、好ましくは、前記金属酸化膜は、前
記金属製の管部材を構成する金属材料の酸化物であっ
て、酸素を含む気体雰囲気中で前記金属製の管部材を室
温以上の温度に加熱することにより前記金属製の管部材
の内面に形成された酸化被膜である。
記金属製の管部材を構成する金属材料の酸化物であっ
て、酸素を含む気体雰囲気中で前記金属製の管部材を室
温以上の温度に加熱することにより前記金属製の管部材
の内面に形成された酸化被膜である。
【０００７】また、好ましくは、前記金属酸化膜は前記
金属製の管部材を構成する金属材料とは異なる金属の酸
化物から成る。
金属製の管部材を構成する金属材料とは異なる金属の酸
化物から成る。
【０００８】本発明による真空処理装置は、上述したマ
イクロ波導波管と、前記マイクロ波導波管により導かれ
たマイクロ波をプロセスガスに照射して生成したプラズ
マを利用して真空下において被処理物を処理するための
処理室が内部に形成された真空容器と、を備えたことを
特徴とする。
イクロ波導波管と、前記マイクロ波導波管により導かれ
たマイクロ波をプロセスガスに照射して生成したプラズ
マを利用して真空下において被処理物を処理するための
処理室が内部に形成された真空容器と、を備えたことを
特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態による
マイクロ波導波管及びこのマイクロ波導波管を備えた真
空処理装置について図１及び図２を参照して説明する。
マイクロ波導波管及びこのマイクロ波導波管を備えた真
空処理装置について図１及び図２を参照して説明する。
【００１０】図１に示したように本実施形態による真空
処理装置は、真空下において被処理物１を処理するため
の処理室２が内部に形成された真空容器３を備えてい
る。処理室２の内部には被処理物１が載置される載置台
４が設けられている。真空容器３の底部には排気口５が
形成されており、この排気口５を介して真空容器３の内
部が真空排気される。真空容器３の上部には、プロセス
ガスＧを真空容器３の内部に導入するためのガス導入口
６が形成されている。真空容器３内部の載置台４の上方
には、プラズマ発生領域７と処理室２とを分離するノズ
ルプレート８が設けられており、プラズマ発生領域７に
て生成された活性種は、ノズルプレート８に形成された
多数の孔を介して処理室２内に導入される。
処理装置は、真空下において被処理物１を処理するため
の処理室２が内部に形成された真空容器３を備えてい
る。処理室２の内部には被処理物１が載置される載置台
４が設けられている。真空容器３の底部には排気口５が
形成されており、この排気口５を介して真空容器３の内
部が真空排気される。真空容器３の上部には、プロセス
ガスＧを真空容器３の内部に導入するためのガス導入口
６が形成されている。真空容器３内部の載置台４の上方
には、プラズマ発生領域７と処理室２とを分離するノズ
ルプレート８が設けられており、プラズマ発生領域７に
て生成された活性種は、ノズルプレート８に形成された
多数の孔を介して処理室２内に導入される。
【００１１】真空容器３の上面開口はマイクロ波透過窓
部材９によって閉塞されており、マイクロ波透過窓部材
９の上面にはマイクロ波導波管１０が添設されている。
このマイクロ波導波管１０は、マイクロ波発生器１１に
て生成された数百メガヘルツ以上のマイクロ波Ｍを所望
の場所、つまりマイクロ波透過窓部材９の位置まで導
く。また、マイクロ波導波管１０の下面には、マイクロ
波透過窓部材９に向けてマイクロ波Ｍを放射するための
開口（図示せず）が形成されている。
部材９によって閉塞されており、マイクロ波透過窓部材
９の上面にはマイクロ波導波管１０が添設されている。
このマイクロ波導波管１０は、マイクロ波発生器１１に
て生成された数百メガヘルツ以上のマイクロ波Ｍを所望
の場所、つまりマイクロ波透過窓部材９の位置まで導
く。また、マイクロ波導波管１０の下面には、マイクロ
波透過窓部材９に向けてマイクロ波Ｍを放射するための
開口（図示せず）が形成されている。
【００１２】さらに、図２に示したように本実施形態に
よるマイクロ波導波管１０は、一方の端部がマイクロ波
透過窓部材９の上方に位置した金属製の管部材１２と、
この金属製の管部材１２の内面の少なくとも一部を覆う
金属酸化膜１３と、を備えている。管部材１２はアルミ
等の金属材料により構成されている。金属酸化膜１３
は、金属製の管部材１２を構成する金属材料の酸化物で
あって、酸素を含む気体雰囲気中で金属製の管部材１２
を室温以上の温度に加熱することにより金属製の管部材
１２の内面に形成された酸化被膜である。
よるマイクロ波導波管１０は、一方の端部がマイクロ波
透過窓部材９の上方に位置した金属製の管部材１２と、
この金属製の管部材１２の内面の少なくとも一部を覆う
金属酸化膜１３と、を備えている。管部材１２はアルミ
等の金属材料により構成されている。金属酸化膜１３
は、金属製の管部材１２を構成する金属材料の酸化物で
あって、酸素を含む気体雰囲気中で金属製の管部材１２
を室温以上の温度に加熱することにより金属製の管部材
１２の内面に形成された酸化被膜である。
【００１３】また、変形例としては、金属酸化膜１３
を、金属製の管部材１２を構成する金属材料とは異なる
金属の酸化物によって形成することもできる。
を、金属製の管部材１２を構成する金属材料とは異なる
金属の酸化物によって形成することもできる。
【００１４】上記構成より成る本実施形態においては、
マイクロ波導波管１０により導かれたマイクロ波Ｍをプ
ロセスガスＧに照射して生成したプラズマを利用して、
処理室２の内部で真空下において被処理物１が処理され
る。
マイクロ波導波管１０により導かれたマイクロ波Ｍをプ
ロセスガスＧに照射して生成したプラズマを利用して、
処理室２の内部で真空下において被処理物１が処理され
る。
【００１５】そして、本実施形態によれば、金属製の管
部材１２の内面は金属酸化膜１３によって予め覆われて
いるので、真空処理装置を連続的に使用してマイクロ波
導波管１０の温度が上昇した場合でも、金属製の管部材
１２の内面における新たな酸化被膜の成長が抑制され
る。このため、酸化被膜の成長によってマイクロ波導波
管１０のマイクロ波伝達特性が変動することが防止され
る。これにより、複数枚の被処理物１を連続的に処理し
た場合でも、複数の被処理物１間での処理のばらつきを
小さく抑えることができる。
部材１２の内面は金属酸化膜１３によって予め覆われて
いるので、真空処理装置を連続的に使用してマイクロ波
導波管１０の温度が上昇した場合でも、金属製の管部材
１２の内面における新たな酸化被膜の成長が抑制され
る。このため、酸化被膜の成長によってマイクロ波導波
管１０のマイクロ波伝達特性が変動することが防止され
る。これにより、複数枚の被処理物１を連続的に処理し
た場合でも、複数の被処理物１間での処理のばらつきを
小さく抑えることができる。
【００１６】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、マイ
クロ波導波管を構成する金属製の管部材の内面は金属酸
化膜によって予め覆われているので、連続的な使用によ
りマイクロ波導波管の温度が上昇した場合でも、金属製
の管部材の内面における新たな酸化被膜の成長が抑制さ
れる。このため、酸化被膜の成長によってマイクロ波導
波管のマイクロ波伝達特性が変動することが防止され
る。これにより、複数枚の被処理物を連続的に処理した
場合でも、複数の被処理物間での処理のばらつきを小さ
く抑えることができる。
クロ波導波管を構成する金属製の管部材の内面は金属酸
化膜によって予め覆われているので、連続的な使用によ
りマイクロ波導波管の温度が上昇した場合でも、金属製
の管部材の内面における新たな酸化被膜の成長が抑制さ
れる。このため、酸化被膜の成長によってマイクロ波導
波管のマイクロ波伝達特性が変動することが防止され
る。これにより、複数枚の被処理物を連続的に処理した
場合でも、複数の被処理物間での処理のばらつきを小さ
く抑えることができる。
【図１】本発明の一実施形態による真空処理装置の概略
構成を示した断面図。
構成を示した断面図。
【図２】図１に示した真空処理装置のマイクロ波導波管
の一方の端部を拡大して示した断面図。
の一方の端部を拡大して示した断面図。
１ 被処理物 ２ 処理室 ３ 真空容器 ４ 載置台 ５ 排気口 ６ ガス導入口 ７ プラズマ発生領域 ８ ノズルプレート ９ マイクロ波透過窓部材 １０ マイクロ波導波管 １１ マイクロ波発生器 １２ 金属製の管部材 １３ 金属酸化膜 Ｇ プロセスガス Ｍ マイクロ波
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K030 FA01 KA47 LA15 5F004 AA01 BB14 BB18 BC08 5F045 EF05 EH03 EH19 5J014 AA02 DA00
Claims (4)
- 【請求項１】マイクロ波発生器にて生成されたマイクロ
波を所望の場所に導くためのマイクロ波導波管におい
て、 一方の端部が前記所望の場所に位置しており、前記マイ
クロ波がその内部を伝播する金属製の管部材と、 前記金属製の管部材の内面の少なくとも一部を覆う金属
酸化膜と、を備えたことを特徴とするマイクロ波導波
管。 - 【請求項２】前記金属酸化膜は、前記金属製の管部材を
構成する金属材料の酸化物であって、酸素を含む気体雰
囲気中で前記金属製の管部材を室温以上の温度に加熱す
ることにより前記金属製の管部材の内面に形成された酸
化被膜であることを特徴とする請求項１記載のマイクロ
波導波管。 - 【請求項３】前記金属酸化膜は前記金属製の管部材を構
成する金属材料とは異なる金属の酸化物から成ることを
特徴とする請求項１記載のマイクロ波導波管。 - 【請求項４】請求項１乃至３のいずれか一項に記載のマ
イクロ波導波管と、 前記マイクロ波導波管により導かれたマイクロ波をプロ
セスガスに照射して生成したプラズマを利用して真空下
において被処理物を処理するための処理室が内部に形成
された真空容器と、を備えたことを特徴とする真空処理
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000298447A JP2002111326A (ja) | 2000-09-29 | 2000-09-29 | マイクロ波導波管及び真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000298447A JP2002111326A (ja) | 2000-09-29 | 2000-09-29 | マイクロ波導波管及び真空処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002111326A true JP2002111326A (ja) | 2002-04-12 |
Family
ID=18780408
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000298447A Withdrawn JP2002111326A (ja) | 2000-09-29 | 2000-09-29 | マイクロ波導波管及び真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002111326A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103874317A (zh) * | 2012-12-11 | 2014-06-18 | 核工业西南物理研究院 | 电子回旋共振加热系统真空抽气波导 |
-
2000
- 2000-09-29 JP JP2000298447A patent/JP2002111326A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103874317A (zh) * | 2012-12-11 | 2014-06-18 | 核工业西南物理研究院 | 电子回旋共振加热系统真空抽气波导 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20071204 |