JP2002111204A - Method of manufacturing multilayered wiring board - Google Patents

Method of manufacturing multilayered wiring board

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JP2002111204A
JP2002111204A JP2000298800A JP2000298800A JP2002111204A JP 2002111204 A JP2002111204 A JP 2002111204A JP 2000298800 A JP2000298800 A JP 2000298800A JP 2000298800 A JP2000298800 A JP 2000298800A JP 2002111204 A JP2002111204 A JP 2002111204A
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forming
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layer
resist
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Noriyuki Ide
憲之 井出
Soichiro Motoyoshi
聡一郎 本吉
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Toppan Printing Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing multilayered wiring board by which alignment accuracy can be improved even when alignment marks formed on a multilayered wiring board have flaws. SOLUTION: The method of manufacturing multilayered wiring board includes a step of forming an insulating layer on an insulating substrate on which a first wiring layer is formed, a step of forming holes for alignment marks so that the centers of three or more circles may be arranged on the same circumference by laser beam processing, and a step of forming holes for via holes in the insulating layer. The method also includes a step of forming a conductor layer to contain the holes for alignment marks on the insulating layer and forming a resist layer on the conductor layer and only selecting three or more circles from among a plurality of circles by using a mask, and then, calculating the center coordinates of the circles arranged on the circumference and performing exposure by making alignment by using the center coordinates. In addition, the method also includes a step of developing the resist layer and a step of forming wiring by etching the conductor layer.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は多層配線基板の製造
方法に関するもので、特に、フォトマスクと基板との位
置あわせに利用されるアライメントマークを形成した多
層配線基板の製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a multilayer wiring board, and more particularly to a method of manufacturing a multilayer wiring board having alignment marks used for aligning a photomask and a substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】多層配線基板はビアホール形成や配線形
成において高密度化しており、それに伴ってフォトマス
クと基板との位置あわせ精度の向上が求められている。
2. Description of the Related Art Multilayer wiring boards are becoming denser in the formation of via holes and wirings, and accordingly, it is required to improve the alignment accuracy between a photomask and a substrate.

【0003】図6に示すように、ビルドアップ基板にお
けるアライメントマークおよびアライメント方法は、マ
スクの左右に設けたアライメントマークの中心座標(1)
(2)を結んだ中点(3)に、ビルドアップ基板の左右に設け
たアライメントマークの中心座標(4)(5)を結んだ中点
(6)を一致させることで行い、中点間の距離(ずれ量)
が許容値以内であれば、アライメント完了としている。
As shown in FIG. 6, the alignment mark and the alignment method on the build-up substrate are based on the center coordinates (1) of the alignment mark provided on the left and right sides of the mask.
The midpoint connecting (2) to the center point (3) and the center coordinates (4) and (5) of the alignment marks provided on the left and right of the build-up board
This is done by matching (6), and the distance between the middle points (shift amount)
Is within the allowable value, it is determined that the alignment is completed.

【0004】製造プロセスに起因する位置あわせ精度の
向上を妨げる原因としては、コア層パターン形成、ビル
ドアップ樹脂ラミネートおよびUV-YAGレーザーによるビ
アホール形成をした後に、パネルめっき、レジストコー
ト、露光・現像およびエッチングを行うサブトラクティ
ブ工法、もしくは、フラッシュめっき、レジストコー
ト、露光・現像、パターンめっきおよびフラッシュエッ
チングを行うセミアディティブ工法において、露光以前
の各工程や各工程間でのビルドアップ基板搬送中にアラ
イメントマークにキズが生じることによって、露光工程
における基板のアライメントマークの視認性が低下する
ことが挙げられる。
[0004] Factors that hinder the improvement of the alignment accuracy due to the manufacturing process include panel plating, resist coating, exposure / development, after forming a core layer pattern, laminating a build-up resin, and forming a via hole with a UV-YAG laser. In the subtractive method of performing etching or the semi-additive method of performing flash plating, resist coating, exposure / development, pattern plating and flash etching, alignment marks are used during each step before exposure and during transport of build-up substrates between each step. Is caused by the fact that the visibility of the alignment mark on the substrate in the exposure step is reduced.

【0005】ビルドアップ基板のアライメントマーク部
分にキズがある場合は、アライメントマーク(7)の中
心座標(8)は、図7に示すように、正しい中心座標
(9)からずれてしまう。そのためにアライメントマー
クの中心座標を高精度に認識することができず、基板の
位置あわせの誤差が大きくなるという欠点があった。
If there is a flaw in the alignment mark portion of the build-up substrate, the center coordinate (8) of the alignment mark (7) is deviated from the correct center coordinate (9) as shown in FIG. For this reason, the center coordinates of the alignment mark cannot be recognized with high accuracy, and there is a disadvantage that the alignment error of the substrate becomes large.

【0006】この問題を解決するためには、樹脂ラミネ
ートやレーザー加工などの各工程や工程間の搬送の改善
を行うことが考えられる。しかし、アライメントマーク
のキズ発生は不規則であることから、他の工程には依存
しないアライメントマークの視認性を向上させることが
求められている。
In order to solve this problem, it is conceivable to improve each process such as resin lamination and laser processing and to improve the transportation between the processes. However, since the occurrence of scratches on the alignment mark is irregular, it is required to improve the visibility of the alignment mark without depending on other processes.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の問題点
を解決するためになされたものであり、その課題とする
ところは、多層配線基板のアライメントマーク部分にキ
ズがある場合でも、アライメント位置を正しく検出し
て、露光工程におけるマスクと基板との位置あわせ精度
を向上させることのできるアライメントマークを形成し
た多層配線基板の製造方法を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide a multi-layered wiring board which has an alignment mark even if it has a flaw. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a multilayer wiring board in which an alignment mark capable of accurately detecting the alignment mark and improving the alignment accuracy between the mask and the substrate in the exposure step is formed.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明はかかる課題を解
決するものであり、請求項1の発明は、(a)第一の配
線層が形成された絶縁基板上に、絶縁層を形成する工
程。(b)絶縁層をレーザー加工し、少なくとも3つ以
上の円あるいは正多角形が、その中心が円周上に配置さ
れるように、アライメントマーク用の孔を形成する工
程。(c)(b)の工程と同時にあるいは別工程で、前
記絶縁層にバイアホール用の孔を形成する工程。(d)
前記絶縁層上に、アライメントマーク用孔及びバイアホ
ール用孔を含むように、めっきによって導体層を形成す
る工程。(e)前記導体層上にレジスト層を形成し、マ
スクを用い、前記複数の円あるいは正多角形から、同形
状あるいは近似した3つ以上の円あるいは正多角形のみ
を選択し、これらから前記円周の円の中心座標を算出
し、その中心座標で位置あわせし、露光を行う工程。
(f)レジスト層の現像を行う工程。(g1)レジスト
から露出した導体層をエッチングし、配線を形成する工
程。もしくは、(g1)工程に代えて、(g2)レジス
トから露出した導体層上にめっきを行い、レジストを剥
離し、ソフトエッチングを行うことにより配線を形成す
る工程。の各工程を行うことを特徴とする多層配線基板
の製造方法としたものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and the invention of claim 1 provides (a) forming an insulating layer on an insulating substrate on which a first wiring layer is formed. Process. (B) forming a hole for an alignment mark by laser processing the insulating layer so that at least three or more circles or regular polygons are arranged on the circumference; (C) forming via holes in the insulating layer simultaneously with or separately from the step (b). (D)
Forming a conductive layer by plating on the insulating layer so as to include a hole for an alignment mark and a hole for a via hole; (E) forming a resist layer on the conductor layer, using a mask, selecting, from the plurality of circles or regular polygons, only three or more circles or regular polygons having the same shape or an approximation, and A step of calculating the center coordinates of a circle around the circumference, performing alignment with the center coordinates, and performing exposure.
(F) a step of developing the resist layer; (G1) a step of forming a wiring by etching the conductor layer exposed from the resist; Alternatively, instead of the step (g1), (g2) a step of plating on the conductor layer exposed from the resist, removing the resist, and performing soft etching to form a wiring. And a method for manufacturing a multilayer wiring board.

【0009】すなわち本発明は上記課題を解決するた
め、真円からなるアライメントマークの中心座標を、真
円円周上に複数配置し、多点からなるアライメントマー
クの中から、同形状あるいは近似したアライメントマー
クのみを選択し、これらの中心座標および中心座標に近
似した座標からなる同心円の中心座標を位置あわせに用
いることを特徴とする多層配線基板の製造方法を提供す
るものである。
That is, in order to solve the above problem, the present invention arranges a plurality of center coordinates of a perfect circle alignment mark on the circumference of the perfect circle, and selects the same shape or approximation from among the multiplicity of alignment marks. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a multilayer wiring board, wherein only alignment marks are selected, and center coordinates of concentric circles consisting of these center coordinates and coordinates approximate to the center coordinates are used for alignment.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】図1は、本発明による多層配線基
板の製造方法の実施の形態を断面で示す説明図である。
まず図1(a)のように、ガラスエポキシ基板等のリジ
ッドな材料からなる絶縁基板51上に配線パターン52
を形成する。この場合、両面銅張ガラスエポキシ基板を
用いて、エッチングにより配線パターンを形成するとい
う方法が簡易でよい。続いて、図1(b)のように、エ
ポキシ樹脂を塗布し、絶縁層53を形成し、炭酸ガスレ
ーザーや、YAGレーザー、エキシマレーザー等のレー
ザーを用いて、絶縁樹脂にバイアホールを形成する。こ
のとき、アライメントマーク用の孔70を形成する。あ
るいは、別工程で形成しても良い。なお、図にはアライ
メントマーク用孔は1個分のみ示す。図2に本実施例の
アライメントマークの構造を示す。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is an explanatory view showing a cross section of an embodiment of a method for manufacturing a multilayer wiring board according to the present invention.
First, as shown in FIG. 1A, a wiring pattern 52 is formed on an insulating substrate 51 made of a rigid material such as a glass epoxy substrate.
To form In this case, a method of forming a wiring pattern by etching using a double-sided copper-clad glass epoxy substrate may be simple. Subsequently, as shown in FIG. 1B, an epoxy resin is applied to form an insulating layer 53, and via holes are formed in the insulating resin using a laser such as a carbon dioxide laser, a YAG laser, and an excimer laser. . At this time, a hole 70 for an alignment mark is formed. Alternatively, it may be formed in another step. The figure shows only one alignment mark hole. FIG. 2 shows the structure of the alignment mark of this embodiment.

【0011】そして、図1(c)のように、絶縁層53
上に無電解めっき、電解めっきによって銅箔を形成し、
バイアホール55を設け、形成された銅箔にレジスト層
を形成しフォトマスクを介して露光し現像、エッチング
することにより配線パターン56を形成する。この際、
無電解めっきは、絶縁層上に導電性を付与し、電解めっ
きが可能となるようにするために行うものである。ま
た、このときのフォトマスクのアライメントは、銅箔の
形成されたアライメントマーク用孔を用いて行う。な
お、配線パターン形成には、レジストから露出した導体
層をエッチングし、配線を形成するサブトラクティブ
法、及びレジストから露出した導体層上にめっきを行
い、レジストを剥離し、ソフトエッチングし、配線を形
成するセミアディティブ法のいずれもが適用できる。
Then, as shown in FIG. 1C, the insulating layer 53 is formed.
Form copper foil by electroless plating and electrolytic plating on top,
A via hole 55 is provided, a resist layer is formed on the formed copper foil, exposed through a photomask, developed, and etched to form a wiring pattern 56. On this occasion,
The electroless plating is performed for imparting conductivity to the insulating layer so that the electrolytic plating can be performed. At this time, the alignment of the photomask is performed using the alignment mark holes formed with the copper foil. For the formation of the wiring pattern, the conductor layer exposed from the resist is etched, a subtractive method for forming the wiring, plating is performed on the conductor layer exposed from the resist, the resist is peeled off, soft etching is performed, and the wiring is formed. Any of the forming semi-additive methods can be applied.

【0012】次に、図1(d)に示すように、絶縁層5
7を全面に形成し、バイアホール部及びアライメント用
孔を形成する(前回のアライメント用孔の位置とは異な
る位置。図示せず)。形成の方法は、図1(b)の工程
で用いた方法と同様でよい。さらに、ドリルを用いてス
ルーホール用の貫通孔58を形成する。そして、図1
(c)と同様の工程でめっきを行い、バイアホール59
及びスルーホール60を形成する(図1(e))。この
場合、スルーホール60は配線パターンの高密度形成の
障害とならないように、なるべく孔径が小さいほうが好
ましい。
Next, as shown in FIG.
7 is formed on the entire surface to form a via hole and an alignment hole (a position different from the position of the previous alignment hole, not shown). The method of formation may be the same as the method used in the step of FIG. Further, a through hole 58 for a through hole is formed using a drill. And FIG.
Plating is performed in the same process as in FIG.
Then, a through hole 60 is formed (FIG. 1E). In this case, it is preferable that the diameter of the through hole 60 is as small as possible so as not to hinder the formation of the wiring pattern at high density.

【0013】続いて、露光、エッチングにより配線パタ
ーン61を形成する。アライメントは、前回とは異なる
位置に形成したアライメント用孔を用い、前記と同様に
する。この際に表層配線層を形成した側と反対の面の銅
箔も同時にエッチングして、電源層のパターン62とす
る。そして、配線パターン61、電源層のパターン62
を保護するソルダーレジスト63を設けて、プリント配
線板が完成する(図1(f))。
Subsequently, a wiring pattern 61 is formed by exposure and etching. The alignment is performed in the same manner as described above, using an alignment hole formed at a position different from the previous position. At this time, the copper foil on the surface opposite to the surface on which the surface wiring layer is formed is simultaneously etched to form the power supply layer pattern 62. Then, the wiring pattern 61 and the power supply layer pattern 62
Is provided, and a printed wiring board is completed (FIG. 1F).

【0014】本発明における同形状の真円からなるアラ
イメントマーク形状としては、特にレーザーによる加工
が容易であることおよびマークの中心座標を求めること
が容易である点から真円形状が好ましい。本発明の多層
配線基板の製造方法のアライメント方法の実施例につい
て述べる。図2においては、円周上に用いるアライメン
トマークの形状を本発明の実施例として真円を用いた。
本発明におけるアライメントマークの構造は、真円ある
いは正多角形からなるアライメントマークの中心座標を
真円円周上に複数配置したものである。図2において
は、同形状の真円からなるアライメントマークを、真円
円周上において相対的に0°(18)、60°(19)、120°(2
0)、180°(21)、240°(22)および300°(23)の角度とし
た多点からなるアライメントマークを示す。
The shape of the alignment mark composed of a perfect circle in the present invention is preferably a perfect circle because it is easy to process by laser and the center coordinates of the mark can be easily obtained. An embodiment of the alignment method of the method for manufacturing a multilayer wiring board according to the present invention will be described. In FIG. 2, the shape of the alignment mark used on the circumference is a perfect circle as an example of the present invention.
In the structure of the alignment mark according to the present invention, a plurality of center coordinates of the alignment mark formed of a perfect circle or a regular polygon are arranged on the circumference of the perfect circle. In FIG. 2, alignment marks composed of perfect circles of the same shape are relatively 0 ° (18), 60 ° (19), 120 ° (2 °) on the circumference of the perfect circle.
0), 180 ° (21), 240 ° (22) and 300 ° (23) are shown.

【0015】図3に示すように、多点からなる真円円周
上のアライメントマークを構成するアライメントマーク
(24)が真円の場合は、直径dは50〜100μm程度とす
る。正多角形の場合も同様の大きさとする。また、多点
からなるアライメントマークが円周上に存在する円(2
6)の直径Dは250〜400μm程度とする。
As shown in FIG. 3, when the alignment mark (24) constituting the alignment mark on the circumference of a perfect circle composed of multiple points is a perfect circle, the diameter d is about 50 to 100 μm. The size is the same for a regular polygon. In addition, a multi-point alignment mark on a circle (2
6) The diameter D is about 250 to 400 μm.

【0016】次に、アライメントマーク構造を用いてフ
ォトマスクと基板との位置あわせを行う場合を図4に示
す。まず、多点からなるアライメントマークを構成する
アライメントマーク(28〜33)の中から、同形状あるい
は近似したアライメントマーク(28、29、30、31および
33)を選択し、これらのアライメントマークの中心座標
を円周にもつ円(34)の中心座標(35)を位置あわせの
座標として用いることができる。アライメントマーク3
2が、製造時の不良で形が乱れていても、アライメント
には影響なく、良好に位置合わせが行える。
Next, FIG. 4 shows a case where a photomask and a substrate are aligned using an alignment mark structure. First, from among the alignment marks (28 to 33) constituting an alignment mark consisting of multiple points, alignment marks (28, 29, 30, 31, and
By selecting 33), the center coordinates (35) of a circle (34) having the center coordinates of these alignment marks on the circumference can be used as the alignment coordinates. Alignment mark 3
2, even if the shape is distorted due to a defect at the time of manufacturing, the alignment can be satisfactorily performed without affecting the alignment.

【0017】図5のアライメントマーク構造は、同形状
の真円からなるアライメントマークを構成するアライメ
ントマークを、真円円周上おいてに相対的に0°(3
6)、45°(37)、90°(38)、135°(39)、180°(4
0)、225°(41)、270°(42)および315°(43)の角
度に合計8個のアライメントマークを設けたものであ
る。円周上のアライメントマークの数を増やすと、さら
に高精度の位置あわせが可能となる。
In the alignment mark structure shown in FIG. 5, an alignment mark constituting a perfect circular alignment mark having the same shape is relatively 0 ° (3 °)
6), 45 ° (37), 90 ° (38), 135 ° (39), 180 ° (4
0), 225 ° (41), 270 ° (42), and 315 ° (43) are provided with a total of eight alignment marks. Increasing the number of alignment marks on the circumference enables more accurate alignment.

【0018】[0018]

【実施例】実施例および比較例を以下に示す。 <実施例>340mm×340mmの大きさで、両面に厚さ18μ
mの銅箔が貼着された両面銅張積層板を用意し、両面の
銅箔をエッチングし、配線パターンを形成した。そし
て、両面に絶縁樹脂(PSR−4000、太陽インキ製
造製)を塗布し、熱硬化させて、厚さ25μmの絶縁層
を形成した。次に、図2に示した多点からなるアライメ
ントマークを、UV−YAGレーザーを用いて、絶縁樹脂
(PSR−4000、太陽インキ製造製)上に形成し
た。これは、直径400μmの円周上に、6個、直径8
0μmの円の部分の絶縁樹脂を除去したものである。そ
して、無電解銅めっきを厚さ0.3μmで行い、電解銅
めっきを10μm行った。さらにネガ型の感光性レジス
トをディップコート法により10〜15μmの膜厚に塗布し
た。マスク側には、アライメントマークとして、前記直
径400μmの円の中心と対応する個所に、直径100
μmの黒円を形成した。なお、アライメントマークは、
半導体装置用基板側も、マスク側も、対角となる位置
に、2個所形成した。そして、両方のアライメントマー
クを用いて、露光装置を用いて露光し、現像した。その
結果、半導体装置用基板側のアライメントマークの中央
部に、直径100μmのレジストが除去された部分が形
成された。
EXAMPLES Examples and comparative examples are shown below. <Example> A size of 340mm x 340mm, thickness 18μ on both sides
A double-sided copper-clad laminate to which a copper foil of m was attached was prepared, and the copper foil on both sides was etched to form a wiring pattern. Then, an insulating resin (PSR-4000, manufactured by Taiyo Ink Mfg. Co., Ltd.) was applied to both surfaces and thermally cured to form an insulating layer having a thickness of 25 μm. Next, the multi-point alignment mark shown in FIG. 2 was formed on the insulating resin (PSR-4000, manufactured by Taiyo Ink Manufacturing Co., Ltd.) using a UV-YAG laser. This consists of six pieces and a diameter of 8 on a circumference of 400 μm in diameter.
The insulating resin is removed from the 0 μm circle. Then, electroless copper plating was performed at a thickness of 0.3 μm, and electrolytic copper plating was performed at 10 μm. Further, a negative photosensitive resist was applied to a film thickness of 10 to 15 μm by dip coating. On the mask side, as an alignment mark, at a position corresponding to the center of the circle having a diameter of 400 μm, a diameter of 100
A black circle of μm was formed. The alignment mark is
Two portions were formed at diagonal positions on both the semiconductor device substrate side and the mask side. Then, both alignment marks were used to expose and develop using an exposure device. As a result, a portion where the resist having a diameter of 100 μm was removed was formed at the center of the alignment mark on the semiconductor device substrate side.

【0019】<比較例>比較例は、実施例との相違点の
み述べる。まず、半導体装置用基板側のアライメントマ
ークとして、図6に示した形状のものを用いた。つま
り、UV−YAGレーザーを用いて、直径800μmの円の
部分の絶縁樹脂を除去した。マスク側のアライメントマ
ークとして、前記の800μmの円の中心と、その中心
が一致する個所に、内径が直径1600μm、外径が1
700μmのドーナツ状の黒円を形成した。なおこの場
合も、アライメントマークは、半導体装置用基板側も、
マスク側も、対角となる位置に、2個所形成した。そし
て、両方のアライメントマークを用いて、露光装置を用
いて露光し、現像した。その結果、半導体装置用基板側
のアライメントマークの周囲部に、内径が直径1600
μm、外径が1700μmのドーナツ状のレジストが除
去された部分が形成された。
<Comparative Example> In the comparative example, only differences from the embodiment will be described. First, an alignment mark having the shape shown in FIG. 6 was used as an alignment mark on the semiconductor device substrate side. That is, using a UV-YAG laser, the insulating resin in a circular portion having a diameter of 800 μm was removed. As the alignment mark on the mask side, the center of the 800 μm circle coincides with the center of the circle, and the inside diameter is 1600 μm and the outside diameter is 1
A 700 μm donut-shaped black circle was formed. In this case, also in this case, the alignment mark is provided on the semiconductor device substrate side.
The mask side was also formed at two diagonal positions. Then, both alignment marks were used to expose and develop using an exposure device. As a result, the inner diameter is 1600 around the alignment mark on the semiconductor device substrate side.
A part where the doughnut-shaped resist having an outer diameter of 1 μm and an outer diameter of 1700 μm was removed was formed.

【0020】上記のようにして得られたアライメントの
精度を評価した。測定には、3次元測定器(3D CNC画像
測定器 QUICK VISION、ミツトヨ製)を用いた。まず、
実施例については、半導体装置用基板側のアライメント
マークを構成する6個の円の中から、近似した形状の円
を3個以上選択し、それらからその中心を通過する円を
決定し、その円の中心座標を算出した。そして、アライ
メントマークは対角にあるため、その中点を算出した。
他方、レジストが除去された直径100μmの円の中心
座標を算出した。この場合も、アライメントマークは対
角にあるため、その中点を算出した。アライメント精度
が高ければ、算出された中点同士の座標のずれ量は小さ
くなる。比較例については、半導体装置用基板側のアラ
イメントマークである直径800μmの円の中心座標を
算出し、他方、レジストが除去された内径が直径160
0μm、外径が1700μmのドーナツ状の中心を算出
した。そして、実施例同様に、それぞれ対角にあるアラ
イメントマークの中点を算出した。実施例については2
4枚のサンプルを作成し、比較例については4枚のサン
プルを作成し、上記の測定を行った。ずれ量(s)は、
上記のようにして算出した中点同士の距離の平均値を表
し、σはずれ量の標準偏差である。以下は測定結果であ
る。 (実施例) s=0.0023mm 3σ=0.0021 (比較例) s=0.0145mm 3σ=0.0113 その結果、アライメントマークの形状を変えることで位
置あわせ精度が向上することが確認された。
The alignment accuracy obtained as described above was evaluated. A 3D measuring device (3D CNC image measuring device QUICK VISION, manufactured by Mitutoyo) was used for the measurement. First,
In the embodiment, three or more circles having an approximate shape are selected from six circles constituting the alignment mark on the semiconductor device substrate side, and a circle passing through the center thereof is determined. Was calculated. Since the alignment marks are diagonal, the midpoint was calculated.
On the other hand, the center coordinates of a circle having a diameter of 100 μm from which the resist was removed were calculated. Also in this case, since the alignment marks are diagonal, the midpoint was calculated. If the alignment accuracy is high, the calculated shift amount of the coordinates between the midpoints is small. In the comparative example, the center coordinates of a circle having a diameter of 800 μm, which is an alignment mark on the semiconductor device substrate side, were calculated.
The center of a donut shape having an outer diameter of 0 μm and an outer diameter of 1700 μm was calculated. Then, similarly to the example, the midpoint of each of the diagonal alignment marks was calculated. 2 for the example
Four samples were prepared, and for the comparative example, four samples were prepared, and the above measurement was performed. The shift amount (s) is
Represents the average value of the distance between the midpoints calculated as described above, and σ is the standard deviation of the shift amount. The following are the measurement results. (Example) s = 0.0023 mm 3σ = 0.0021 (Comparative Example) s = 0.0145 mm 3σ = 0.0113 As a result, it was confirmed that the alignment accuracy was improved by changing the shape of the alignment mark.

【0021】[0021]

【発明の効果】本発明は、ビルドアップ基板表面にキズ
がある場合でも、アライメントマークを正確に検出し
て、露光工程におけるフォトマスクと基板との位置あわ
せを高精度に行うことが可能となる。
According to the present invention, even when the surface of the build-up substrate has a flaw, the alignment mark can be accurately detected and the alignment between the photomask and the substrate in the exposure step can be performed with high accuracy. .

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明による多層配線基板の製造方法の実施例
を断面で示す説明図である。
FIG. 1 is an explanatory view showing a cross section of an embodiment of a method for manufacturing a multilayer wiring board according to the present invention.

【図2】本発明によるアライメントマーク構造の実施例
を示す説明図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram showing an embodiment of an alignment mark structure according to the present invention.

【図3】本発明によるアライメントマーク選択の実施例
を示す説明図である。
FIG. 3 is an explanatory diagram showing an embodiment of alignment mark selection according to the present invention.

【図4】本発明によるアライメントマーク構造の実施例
を示す説明図である。
FIG. 4 is an explanatory view showing an embodiment of an alignment mark structure according to the present invention.

【図5】本発明によるアライメントマーク構造の実施例
を示す説明図である。
FIG. 5 is an explanatory view showing an embodiment of an alignment mark structure according to the present invention.

【図6】従来のアライメントマークおよびアライメント
方法を示す説明図である。
FIG. 6 is an explanatory view showing a conventional alignment mark and an alignment method.

【図7】ビルドアップ基板表面にキズがある場合の、従
来のアライメントマークを示す説明図である。
FIG. 7 is an explanatory diagram showing a conventional alignment mark when there is a flaw on the surface of a build-up substrate.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

(1),(2)フォトマスクの左右に設けたアライメン
トマークおよびそれらの中心座標 (3)中点 (4),(5)ビルドアップ基板の左右に設けたアライ
メントマークおよびそれらの中心座標 (6)中点 (7)アライメントマーク (8),(9)アライメントマークの中心座標 (10)スルーホール (11)多層プリント配線板 (12)スルーホールめっき (13)孔埋め樹脂 (14)コアパターン層 (15)絶縁樹脂 (16)ビアホール (17)ビルドアップ層の銅パターン (18)〜(19)アライメントマーク (24)アライメントマーク (26)円 (28)〜(33)アライメントマーク (34)円 (35)アライメント位置 (36)〜(43)アライメントマーク (51)絶縁基板 (52)配線パターン (53)絶縁層 (54)バイアホール形成部分 (55)バイアホール (56)配線パターン (57)絶縁層 (58)貫通孔 (59)バイアホール (60)スルーホール (61)配線パターン (62)電源層のパターン (63)ソルダーレジスト (70)アライメントマーク用孔 d:円の直径 D:円の直径
(1), (2) Alignment marks provided on the left and right of the photomask and their center coordinates (3) Midpoint (4), (5) Alignment marks provided on the left and right of the build-up substrate and their center coordinates (6) ) Midpoint (7) Alignment mark (8), (9) Center coordinate of alignment mark (10) Through hole (11) Multilayer printed wiring board (12) Through hole plating (13) Hole filling resin (14) Core pattern layer (15) Insulating resin (16) Via hole (17) Copper pattern of build-up layer (18)-(19) Alignment mark (24) Alignment mark (26) Circle (28)-(33) Alignment mark (34) Circle ( 35) Alignment position (36) to (43) Alignment mark (51) Insulating substrate (52) Wiring pattern (53) Insulating layer (54) Via hole forming portion (55) Via hole (56) Wiring pattern (57) Insulating layer (58) Through hole (59) Via hole (60) Through hole (61) Wiring pattern (62) Power supply layer Pattern (63) Solder resist (70) Hole for alignment mark d: Diameter of circle D: Diameter of circle

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】(a)第一の配線層が形成された絶縁基板
上に、絶縁層を形成する工程。 (b)絶縁層をレーザー加工し、少なくとも3つ以上の
円あるいは正多角形が、その中心が円周上に配置される
ように、アライメントマーク用の孔を形成する工程。 (c)(b)の工程と同時にあるいは別工程で、前記絶
縁層にバイアホール用の孔を形成する工程。 (d)前記絶縁層上に、アライメントマーク用孔及びバ
イアホール用孔を含むように、めっきによって導体層を
形成する工程。 (e)前記導体層上にレジスト層を形成し、マスクを用
い、前記複数の円あるいは正多角形から、同形状あるい
は近似した3つ以上の円あるいは正多角形のみを選択
し、これらから前記円周の円の中心座標を算出し、その
中心座標で位置あわせし、露光を行う工程。 (f)レジスト層の現像を行う工程。 (g1)レジストから露出した導体層をエッチングし、
配線を形成する工程。もしくは、(g1)工程に代え
て、(g2)レジストから露出した導体層上にめっきを
行い、レジストを剥離し、ソフトエッチングを行うこと
により配線を形成する工程。の各工程を行うことを特徴
とする多層配線基板の製造方法。
(A) forming an insulating layer on an insulating substrate on which a first wiring layer is formed; (B) forming a hole for an alignment mark by laser processing the insulating layer so that at least three or more circles or regular polygons are arranged on the circumference; (C) forming via holes in the insulating layer simultaneously with or separately from the step (b). (D) forming a conductor layer by plating on the insulating layer so as to include an alignment mark hole and a via hole; (E) forming a resist layer on the conductor layer, using a mask, selecting, from the plurality of circles or regular polygons, only three or more circles or regular polygons having the same shape or an approximation, and A step of calculating the center coordinates of a circle around the circumference, performing alignment with the center coordinates, and performing exposure. (F) a step of developing the resist layer; (G1) etching the conductor layer exposed from the resist,
Step of forming wiring. Alternatively, instead of the step (g1), (g2) a step of plating on the conductor layer exposed from the resist, removing the resist, and performing soft etching to form a wiring. A method for manufacturing a multilayer wiring board, comprising performing the steps of:
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