JP2002111178A

JP2002111178A - 導電部の形成方法、および半導体装置

Info

Publication number: JP2002111178A
Application number: JP2000299026A
Authority: JP
Inventors: Keiichi Sasaki; 圭一佐々木; Hiroshi Ikegami; 上浩池; Hideaki Masuko; 子英明増
Original assignee: Toshiba Corp; JSR Corp
Current assignee: Toshiba Corp; JSR Corp
Priority date: 2000-09-29
Filing date: 2000-09-29
Publication date: 2002-04-12

Abstract

(57)【要約】【解決手段】本発明に係る導電部の形成方法は、強磁
性体粒子と溶剤とを含有する導電性ペーストを、凹部を
有する版基板の凹部に埋め込む工程と、前記導電性ペー
ストを、導電部形成用基材上に磁石を用いて転写させて
該基材上に導電部を形成する工程とからなり、前記溶剤
は、凹部を有する版基板との接触角が４５°以上である
ことを特徴としている。また、本発明に係る半導体装置
は、前記導電部の形成方法により形成された導電部を有
することを特徴としている。【効果】本発明に係る導電部の形成方法によれば、高
精細の配線パターンあるいはバンプを優れた位置精度で
簡便に得ることができる。また、本発明に係る導電部の
形成方法によれば、優れた位置精度で、かつ高精細の配
線パターンあるいはバンプを有する半導体装置を簡便に
得ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の技術分野】本発明は、導電部の形成方法、およ
び半導体装置に関し、より詳細には、プリント回路基
板、多層回路基板、マルチチップモジュール、ＬＣＤお
よびＬＳＩ等の配線電極やバンプ電極等の形成に適した
導電部の形成方法、および半導体装置に関する。

【０００２】

【発明の技術的背景】近年、プリント回路基板、多層回
路基板、マルチチップモジュール、ＬＣＤおよびＬＳＩ
などの小型化、高密度化等に伴い、配線電極あるいはバ
ンプ電極などの電極に対する小型化、高精細化、高密度
化の要求が高まっている。従来、このような電極の製造
方法としては、（１）金属薄膜をスパッタや蒸着などで
形成し、レジストを塗布、露光、現像後にエッチング液
により金属薄膜のパターンを形成するエッチング法、
（２）非感光性の導電性ペースト組成物を基板上にスク
リーン印刷してパターンを得、これを焼成するスクリー
ン印刷法、（３）感光性の導電性ペースト組成物の膜を
基板上に形成し、この膜にフォトマスクを介して紫外線
を照射した上で現像することにより基板上にパターンを
残存させ、これを焼成するフォトリソグラフィー法など
が知られている。

【０００３】しかしながら、前記エッチング法では、真
空設備が必要なこと、工程上のスループットが遅いなど
の問題点があった。また、前記スクリーン印刷法では、
高精細化に伴い１００μｍ以下のパターン形成に限界が
あり、解像度の点で通常の印刷では対応できないという
問題点があった。さらに、ペースト塗布時にスクリーン
版が伸びてしまい電極パターンの位置精度が悪いという
問題点があった。

【０００４】またさらに、前記フォトリソグラフィー法
では、５〜２０μｍの膜厚を有するパターンを形成する
際の導電性ペースト層の深さ方向に対する感度が不十分
であり、現像マージンの広い材料が得られるものとはな
らなかった。

【０００５】

【発明の目的】本発明は、上記のような従来技術に伴う
問題を解決しようとするものであって、上記のようなエ
ッチング法、スクリーン印刷法およびフォトリソグラフ
ィー法では達成し得なかった高精細パターンを簡便な方
法で形成できる電極形成方法を提供することを目的とし
ている。

【０００６】すなわち、本発明は、バンプまたは配線電
極等の形成に適し、位置精度に優れ、簡便に高精細印刷
することが可能な導電部の形成方法、および半導体装置
を提供することを目的としている。

【０００７】

【発明の概要】本願発明者らは、上記問題を解決すべく
鋭意検討した結果、特定の導電性ペースト組成物に強磁
性体粒子を添加するとともに、凹部を有する版基板の凹
部へ導電性ペーストを埋め込み、磁石を用いて導電性ペ
ーストを回路基板等の導電部形成用基材上に転写させて
該基材上に導電部を形成することにより、優れた高精細
の配線パターンあるいはバンプが得られることを見出
し、本発明を完成するに至った。すなわち本発明は、下
記を特徴としている。

【０００８】本発明に係る基材上への導電部の形成方法
は、強磁性体粒子と溶剤とを含有する導電性ペースト
を、凹部を有する版基板の凹部に埋め込む工程と、前記
導電性ペーストを、導電部形成用基材上に磁石を用いて
転写させて該基材上に導電部を形成する工程とからな
り、前記溶剤は、凹部を有する版基板との接触角が４５
°以上であることを特徴としている。

【０００９】前記凹部を有する版基板の表面上には、フ
ッ素および／またはシロキサンを含有する化合物を含む
離型促進層が形成されていてもよい。本発明に係る半導
体装置は、前記基材上への導電部の形成方法を用いて形
成された導電部を有することを特徴としている。

【００１０】

【発明の具体的説明】以下、本発明に係る導電部形成用
基材上への導電部の形成方法について詳細に説明する。
本発明に係る導電部の形成方法は、〔１〕強磁性体粒子
を含有する導電性ペーストを、凹部を有する版基板の凹
部に埋込む工程と、〔２〕導電性ペーストを、導電部形
成用基材上に磁石を用いて転写させて該基材上に導電部
を形成する工程とからなる。

【００１１】以下に、前記の工程に用いられる導電性ペ
ーストと凹部を有する版基板（Ｐ）等について説明す
る。＜導電性ペースト＞本発明に係る導電性ペーストは、強
磁性体粒子（Ａ）、溶剤（Ｂ）を含有する導電性ペース
ト組成物である。このような導電性ペーストは、導電性
を付与するために、たとえば、導電性粒子（Ｃ）を含有
していてもよく、また、ペースト状とするために、バイ
ンダー樹脂（Ｄ）がバインダーとして含有されていても
よい。また、本発明に係る導電性ペーストは、必要に応
じ、添加剤（Ｅ）を含有していてもよい。以下に、これ
ら（Ａ）〜（Ｅ）について詳説する。

【００１２】（Ａ）強磁性体粒子強磁性粒子の種類強磁性体粒子としては、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｇｄ、Ｔ
ｂ、Ｄｙ等の金属、Ｆｅ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｏ、Ｆｅ−Ａ
ｌ、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｍｏ、Ａｌ−Ｎｉ
−Ｃｏ、Ｓｍ−Ｃｏ、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ等の合金・金属間
化合物が挙げられる。またＦｅ₂Ｏ₃、Ｆｅ₂Ｏ₃−ＮｉＯ
−ＺｎＯ、Ｆｅ₂Ｏ₃−ＣｕＯ−ＺｎＯ、Ｆｅ₂Ｏ₃−Ｍ
ｎＯ−ＺｎＯ等のフェライト化合物が挙げられる。

【００１３】また、これら強磁性体粒子の形状は、特に
制限されるものではないが、具体的に、球状、粒状、板
状、鱗片状、ウイスカー状、棒状、フィラメント状等の
単独または二種以上の組み合わせが挙げられる。これら
の強磁性体粒子は、単独粒子として存在していても良い
し、あるいは凝集粒子の形態であることも好ましい。平均粒径また、強磁性体粒子の平均粒径は、バインダー樹脂中に
均一に混合分散して、優れたパターン形状を得るため
に、通常０．１〜２０μｍの範囲内であることが好まし
く、０．５〜１０μｍの範囲内であることがより好まし
い。

【００１４】（Ｂ）溶剤種類本発明の導電性ペーストに含まれる溶剤は、凹部を有す
る版基板（Ｐ）と該溶剤との接触角が４５°以上であ
り、好ましくは５０°以上１００゜以下、より好ましく
は５５°以上９０°以下である。導電性ペースト中の溶
剤と凹部を有する版基板（Ｐ）との接触角が４５°未満
であると、凹部を有する版基板（Ｐ）の凹部へ埋め込ん
だ導電性ペーストを磁石により、導電部形成用基材
（Ｑ）上に転写できない場合がある。

【００１５】また、接触角が１００°を超えると、導電
性ペーストの版（Ｐ）に対する接着性が低下し、転写前
に導電性ペーストが剥離したり、振動等により凹部を有
する（Ｐ）上の導電性ペーストの位置ずれが生じ転写精
度が低下することがある。なお、本明細書において接触
角とは、図１に示すような版基板と溶剤の接触角（θ）
をいい、具体的には、凹部を有する版基板（Ｐ）上（凹
部の底面となる部分（版基板部分））に溶剤（Ｂ）の液
滴を置いたときに、溶剤（Ｂ）と凹部を有する版基板
（Ｐ）とが接する点（Ｉ）における溶剤（Ｂ）表面の接
点方向（Ｊ）と、凹部を有する版基板（Ｐ）／溶剤
（Ｂ）の界面の方向（Ｋ）とのなす角（θ）をいう。

【００１６】なお、凹部を有する版基板（Ｐ）の表面
に、後述するような離型促進層等を形成させる場合に
は、接触角は、離型促進層を有する凹部を有する版基板
（Ｐ）と溶剤（Ｂ）との接触角を指す。溶剤の種類は、
凹部を有する版基板（Ｐ）との接触角が４５°以上であ
れば、特に制限されるものではないが、たとえば、エチ
レングリコール、プロピレングリコール等のグリコール
類；エチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレ
ングリコールフェニルメチルエーテル等のエチレングリ
コールフェニルエーテル類；エチレングリコールモノメ
チルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチ
ルエーテルアセテート等のエチレングリコールモノアル
キルエーテルアセテート類；プロピレングリコールモノ
メチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエー
テル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プ
ロピレングリコールモノブチルエーテル等のプロピレン
グリコールモノアルキルエーテル類；プロピレングリコ
ールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチル
エーテル、プロピレングリコールジプロピルエーテル、
プロピレングリコールジブチルエーテル等のプロピレン
グリコールジアルキルエーテル類；エチルセロソルブ、
ブチルセロソルブ等のセロソルブ類、エチルカルビトー
ル、ブチルカルビトール等のカルビトール類；エチルカ
ルビト−ルアセテート、ブチルカルビトールアセテート
等のカルビトールアセテート類；乳酸メチル、乳酸エチ
ル、乳酸ｎ−プロピル、乳酸イソプロピル等の乳酸エス
テル類；酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸イソプロ
ピル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸イソブチル、酢酸ｎ−アミ
ル、酢酸イソアミル、プロピオン酸イソプロピル、プロ
ピオン酸ｎ−ブチル、プロピオン酸イソブチル等の脂肪
族カルボン酸エステル類；３−メトキシプロピオン酸メ
チル、３−メトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メ
チル、ピルビン酸エチル等の他のエステル類；トルエ
ン、キシレン等の芳香族炭化水素類；２−ヘプタノン、
３−ヘプタノン、４−ヘプタノン、シクロヘキサノン等
のケトン類；Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルア
セトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチ
ルピロリドン等のアミド類；γ−ブチロラクン等のラク
トン類、テトラヒドロフルフリルアルコール、２−ヒド
ロキシエチルアセテートを挙げることができる。これら
の溶剤は、一種単独で使用してもよいし、あるいは二種
以上を混合して使用してもかまわない。

【００１７】溶剤の使用量本発明に係る溶剤の使用量は、導電性ペースト組成物の
固形分の全体量を１００重量部としたときに、１〜１０
０重量部の範囲内であることが好ましい。溶剤の使用量
が１重量部未満であると、導電性ペースト組成物の粘度
調整が困難となり、塗布性が低下することがある。一
方、溶剤の使用量が１００重量部を超えると、導電性ペ
ースト組成物を塗布した場合の乾燥性が乏しくなること
がある。

【００１８】したがって、導電性ペースト組成物を塗布
性や乾燥性とのバランスを考慮すると、溶剤の使用量
は、導電性ペースト組成物の固形分の全体量を１００重
量部としたときに、１〜９０重量部の範囲であることが
より好ましく、２〜５０重量部の範囲内であることがさ
らに好ましい。なお、溶剤の使用量は、強磁性体粒子
（Ａ）成分と後述する導電性粒子（Ｃ）成分との合計の
値１００重量部に対して、５〜１００重量部の範囲内で
あることが好ましい。

【００１９】（Ｃ）導電性粒子本発明に係る導電性ペーストは、導電性を有すればよ
く、導電性付与の方法は特に限定されないが、導電性粒
子（Ｃ）を含有することが好ましい。以下に導電性粒子
について詳細に説明する。導電性粒子の種類導電性粒子としては、導電性ペースト組成物において従
来から使用されているものであれば、特にその種類は制
限されるものではないが、金、銀、銅、すず、白金およ
びパラジウム等から選ばれる少なくとも一種の金属の導
電性粒子が好ましい。具体的には、銀粉、銀合金粉、銅
粉、銅合金粉、金粉、鉛粉、すず粉、白金粉、パラジウ
ム粉、アルミニウム粉、はんだ粒子等が挙げられる。こ
れらの導電性粒子は、一種単独でまたは二種以上を組み
合わせて用いることができる。

【００２０】また、これら導電性粒子の形状は、特に制
限されるものではないが、具体的に、球状、粒状、板
状、鱗片状、ウイスカー状、棒状、フィラメント状等の
形状が挙げられる。これらの形状を有する導電性粒子を
１種単独でまたは二種以上を組み合わせて用いることが
できる。これらの導電性粒子は、単独粒子として存在し
ていてもよいし、あるいは凝集粒子の形態であってもよ
い。

【００２１】このうち、加熱硬化後の導電性がより良好
であることから、鱗片状を好ましく用いることができ
る。平均粒径前記導電性粒子（導電粉）の平均粒径は、通常０．１〜
２０μｍの範囲内であることが好ましく、０．５〜１５
μｍの範囲内のであることがより好ましく、１〜１０μ
ｍの範囲内であることがさらに好ましい。導電性粒子の
平均粒径がこのような範囲にあると、バインダー樹脂中
に均一に混合分散して、優れた導電性を得ることができ
る。

【００２２】なお、より優れた導電性を得るために、平
均粒径が異なる２種類以上の導電性粒子、たとえば、平
均粒径が５〜２０μｍの導電性粒子と、平均粒径が０．
１〜５μｍ未満の導電性粒子とを混合して使用すること
もできる。このように平均粒径が異なる複数の導電性粒
子を使用すると、平均粒径が大きい導電性粒子の間に、
平均粒径が小さい導電性粒子が入り込むことができる。
したがって、バインダー樹脂中に、高密度で導電性粒子
を充填することができる。

【００２３】添加量導電性粒子の添加量としては、強磁性体粒子１００重量
部に対し、導電性粒子５０〜５００重量部が好ましく、
さらに１００〜３００重量部であることが好ましい。導
電性粒子が５０重量部未満であると、導電性が低下し電
極として満足のいく性能が発現されないことがある。一
方、導電性粒子が５００重量部を超えると、メタル版に
ペーストが詰まりやすくなり、配線やバンプの形成が困
難になることがある。

【００２４】（Ｄ）バインダー樹脂本発明に係る導電性ペーストを構成するバインダーは、
一定条件下に凹部を有する版基板（Ｐ）に接着し、剥離
されうるペーストであれば特に限定されないが、本発明
においてはバインダー樹脂が含有されることが好まし
い。バインダー樹脂としては、導電性ペーストを転写
後、樹脂を熱硬化させる熱硬化タイプ（Ｄ１）と樹脂を
燃焼させる焼成タイプ（Ｄ２）に分類される。

【００２５】（Ｄ１）バインダー樹脂（熱硬化タイプ）熱硬化タイプのバインダー樹脂としては、重量平均分子
量（ゲルパーミエーション法によるポリスチレン換算の
重量平均分子量をいう。以下同じ）３００〜５，０００
の範囲内にあるエポキシ樹脂（Ｄ１−ａ）および／また
は一分子中にエチレン性二重結合及びエポキシ基を有す
る化合物（以下「化合物Ｆ」ともいう）に由来する単位
を有し、かつ重量平均分子量が１０，０００〜５００，
０００の範囲内にあるエポキシ基含有重合体（Ｄ１−
ｂ）を含むものであることが好ましい。特に上記エポキ
シ樹脂（Ｄ１−ａ）とエポキシ基含有共重合体とを含む
ものであることが好ましい。

【００２６】（Ｄ１−ａ）エポキシ樹脂種類（Ｄ１−ａ）成分のエポキシ樹脂としては、１分子中に
２個以上のエポキシ基を有することが好ましく、たとえ
ば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾール
ノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキ
シ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノ
ールＡＤ型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂等が挙げ
られる。

【００２７】これらのエポキシ樹脂のうちでも、室温
（２５℃）〜２００℃の範囲内の加熱温度において、１
分〜２４時間の加熱時間で硬化するものが好ましく、１
００℃〜１８０℃の範囲内の加熱温度において、１０分
〜１２時間の加熱時間で硬化するものがより好ましい。
このような条件で加熱硬化することにより、生産性が向
上するとともに、凹部を有する版基板等に対する加熱の
影響も少なくなる。

【００２８】重量平均分子量（Ｄ１−ａ）成分のエポキシ樹脂の重量平均分子量は３
００〜５，０００の範囲内であることが好ましい。この
ようなエポキシ樹脂の重量平均分子量が３００未満とな
ると、加熱硬化後の機械強度が劣ることがある。一方、
重量平均分子量が５，０００を超えると、導電性ペース
ト組成物の調製の際、均一に溶解させるのに時間がかか
り生産性に劣ることがある。

【００２９】したがって、導電性ペースト組成物におけ
る加熱硬化後の機械強度と、生産性とのバランスがより
良好となるため、（Ｄ１−ａ）成分の重量平均分子量は
４００〜２，０００の範囲内の値であることがより好ま
しい。添加量（Ｄ１−ａ）成分のエポキシ樹脂の添加量は、たとえ
ば、前記強磁性体粒子（Ａ）と、前記導電性粉子（Ｃ）
との合計値を１００重量部に対して、１〜２０重量部の
範囲内の値であることが好ましい。

【００３０】（Ｄ１−ａ）成分の添加量が１重量部未満
となると、導電性ペースト組成物の加熱硬化後の機械強
度が不足することがあり、一方、（Ｄ１−ａ）成分の添
加量が２０重量部を超えると、導電性ペースト組成物の
導電性の低下が大きくなることがある。したがって、導
電性ペースト組成物において、（Ｄ１−ａ）成分の添加
量は、たとえば前記強磁性体粒子（Ａ）と前記導電性粒
子（Ｃ）との合計値１００重量部に対して５〜１５重量
部の範囲内の値であることがより好ましい。

【００３１】（Ｄ１−ｂ）エポキシ基含有重合体種類（Ｄ１−ｂ）成分のエポキシ基含有重合体としては、一
分子中にエチレン性二重結合及びエポキシ基を有する化
合物Ｆに由来する単位を有する特定の重量平均分子量の
重合体であれば、その種類は特に制限されるものではな
いが、たとえば、下記のような化合物Ｆの単独重合体、
あるいは化合物Ｆと他の単量体との共重合体であること
が好ましい。

【００３２】化合物Ｆとしては、エポキシ基含有（メ
タ）アクリレート類あるいはエポキシ基含有ビニル化合
物が挙げられる。より具体的には、エポキシ基含有（メ
タ）アクリレートとしては、（メタ）アクリル酸グリシ
ジル、α−エチル（メタ）アクリル酸グリシジル、α−
ｎ−プロピル（メタ）アクリル酸グリシジル、α−ｎ−
ブチル（メタ）アクリル酸グリシジル、３，４−エポキ
シブチル（メタ）アクリレート、３，４−エポキシヘプ
チル（メタ）アクリレート、α−エチル−６，７−エポ
キシヘプチル（メタ）アクリレートなどが挙げられる。
またエポキシ基含有ビニル化合物としては、アリルグリ
シジルエーテル、ビニルグリシジルエーテル、ｏ−ビニ
ルベンジルグリシジルエーテル、ｍ−ビニルベンジルグ
リシジルエーテル、ｐ−ビニルベンジルグリシジルエー
テル、３−ビニルシクロヘキセンオキサイド等が挙げら
れる。これらは一種単独で、あるいは二種以上を組み合
わせて用いることができる。

【００３３】これらのエポキシ基含有単量体のうち、特
に、（メタ）アクリル酸グリシジルおよびα−エチル
（メタ）アクリル酸グリシジルが好ましい。上記のよう
な化合物Ｆに由来する構成単位は、エポキシ基含有重合
体中に、１０重量％以上の量で存在することが好まし
い。このような化合物Ｆに由来する構成単位が、１０重
量％未満となると、熱硬化性樹脂との反応性が著しく低
下することがある。

【００３４】また、（Ｄ１−ｂ）エポキシ基含有重合体
は、化合物Ｆの単独重合体、化合物Ｆと化合物Ｆ以外の
エポキシ基を含有しないビニル基含有化合物、（メタ）
アクリルアミド化合物または（メタ）アクリル酸エステ
ル等のモノマーとの二種以上の共重合体であってもよ
い。このようなエポキシ基を含有しないビニル基含有化
合物としては、ヒドロキシスチレン、イソプロペニルフ
ェノール、スチレン、α−メチルスチレン、ｐ−メチル
スチレン、クロロスチレン、ｐ−メトキシスチレン、ビ
ニルピロリドン、ビニルカプロラクタム、アクリロニト
リル、メタクリロニトリル等が挙げられる。

【００３５】また、（メタ）アクリルアミド化合物とし
ては、アクリルアミド、メタクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジ
メチルアクリルアミド等が挙げられる。さらに、（メ
タ）アクリル酸エステルとしては、メチル（メタ）アク
リレート、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メ
タ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリ
レート、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、フェ
ニル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレ
ート、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、シクロ
ヘキシル（メタ）アクリレート、イソボロニル（メタ）
アクリレート、トリシクロデカニル（メタ）アクリレー
ト等が挙げられる。

【００３６】これらの共重合成分のうち、特に、スチレ
ン、アクリロニトリル、ヒドロキシスチレン、メチル
（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）ア
クリレートが好ましい。重量平均分子量（Ｄ１−ｂ）成分のエポキシ基含有重合体の重量平均分
子量は、１０，０００〜５００，０００以内の範囲内で
あることが好ましい。（Ｄ１−ｂ）成分の重量平均分子
量が１０，０００未満となると、加熱硬化時の粘度が急
激に低下し、十分なだれ防止性が得られず、また硬化後
の接着強度が乏しいことがある。一方、重量平均分子量
が５００，０００を超えると、導電性ペースト組成物の
粘度が過度に増加し、塗布性が低下することがある。

【００３７】したがって、導電性ペースト組成物におけ
る加熱硬化時のだれ防止と、塗布性とのバランスがより
良好となるため、（Ｄ１−ｂ）成分の重量平均分子量は
２０，０００〜４００，０００の範囲内の値であること
がより好ましく、３０，０００〜３００，０００の範囲
内の値であることがさらに好ましい。製造方法（Ｄ１−ｂ）成分のエポキシ基含有重合体の製造方法は
特に制限されるものではないが、たとえば、ラジカル発
生剤を添加して、上述した化合物Ｆと必要に応じて他の
単量体とをラジカル重合することにより得ることができ
る。

【００３８】このようなラジカル発生剤としては、たと
えば、ジアシルパーオキサイド類、ケトンパーオキサイ
ド類、ハイドロパーオキサイド類、ジアルキルパーオキ
サイド類、パーオキシエステル類、アゾ系化合物、過硫
酸塩を単独または二種以上の組み合わせて用いることが
できる。より具体的には、たとえば、過酸化ベンゾイ
ル、ラウリルパーオキサイド、２，２′−アゾビスイソ
ブチロニトリル、４，４′−アゾビス（４−シアノ吉草
酸）などが挙げられる。

【００３９】また、必要に応じて亜硫酸水素ナトリウ
ム、ピロ亜硫酸ナトリウムなどの無機還元剤、ナフテン
酸コバルト、ジメチルアニリンなどの有機還元剤を併用
することも好ましい。このように組み合わせて使用する
ことにより、さらに素早いラジカル反応を生じさせるこ
とができる。さらに、ヨウ素含有フッ素化合物を単独、
もしくは上述した有機過酸化物、アゾ系化合物あるいは
過硫酸塩と併用して好適に用いることができる。

【００４０】なお、ラジカル発生剤の添加量は、たとえ
ば、化合物Ｆを含む単量体１００重量部に対して、０．
１〜１０重量部の範囲内の値であることが好ましい。ま
た、（Ｄ１−ｂ）成分のエポキシ基含有重合体を製造す
る際に、連鎖移動剤を添加することも好ましい。連鎖移
動剤を使用することにより、（Ｄ１−ｂ）成分の重量平
均分子量の調整がより容易となる。

【００４１】このような連鎖移動剤としては、四塩化炭
素、クロロホルム、および四臭化炭素等のハロゲン化炭
化水素類、ｎ−ヘキシルメルカプタン、ｎ−オクチルメ
ルカプタン、ｎ−ドデシルメルカプタン、ｔ−ドデシル
メルカプタン、チオグリコール類、チオプロピオン酸等
のメルカプタン類、ジメチルキサントンゲンジサルファ
イド、ジイソプロピルキサントンゲンジサルファイド等
のキサントンゲン類、テルピノーレン、α−メチルスチ
レンダイマー等が挙げられる。

【００４２】添加量（Ｄ１−ｂ）成分のエポキシ基含有重合体の添加量は、
たとえば、強磁性体粒子（Ａ）と導電性粒子（Ｃ）との
合計値１００重量部に対して、１〜１５重量部の範囲内
の値であることが好ましい。（Ｄ１−ｂ）成分の添加量
が１重量部未満となると、導電性ペースト組成物におけ
る加熱硬化時のだれ防止効果が発揮されないことがあ
る。一方、（Ｄ１−ｂ）成分の添加量が１５重量部を超
えると、相対的に導電性粒子の添加量が減少して導電性
が低下する場合がある。

【００４３】したがって、導電性ペースト組成物におけ
る加熱硬化時のだれ防止と、導電性とのバランスがより
良好となるため、たとえば強磁性体粒子（Ａ）と導電性
粒子（Ｃ）との合計値１００重量部に対して、（Ｄ１−
ｂ）成分は２〜１０重量部の範囲内の値であることがよ
り好ましい。（Ｄ２）バインダー樹脂（焼成タイプ）種類焼成タイプのバインダー樹脂としては、たとえば（メ
タ）アクリル系樹脂、ヒドロキシスチレン樹脂、ノボラ
ック樹脂、ポリエステル樹脂などを挙げられる。特に好
ましいものとしては、下記のモノマー（Ｍ１）とモノマ
ー（Ｍ２）との共重合体等のアクリル樹脂を挙げること
ができる。

【００４４】モノマー（Ｍ１）：アクリル酸、メタクリ
ル酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸、イタコン
酸、シトラコン酸、メサコン酸、ケイ皮酸などのカルボ
キシル基含有モノマー類；（メタ）アクリル酸２−ヒド
ロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロ
ピル、（メタ）アクリル酸３−ヒドロキシプロピルなど
の水酸基含有モノマー類；ｏ−ヒドロキシスチレン、ｍ
−ヒドロキシスチレン、ｐ−ヒドロキシスチレンなどの
フェノール性水酸基含有モノマー類などに代表されるモ
ノマー類。モノマー（Ｍ２）：（メタ）アクリル酸メチル、（メ
タ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ブチル、
（メタ）アクリル酸ベンジル、ジシクロペンタニル（メ
タ）アクリレートなどのモノマー（Ｍ１）以外の（メ
タ）アクリル酸エステル類；スチレン、α−メチルスチ
レンなどの芳香族ビニル系モノマー類；ブタジエン、イ
ソプレンなどの共役ジエン類などに代表されるモノマー
（Ｍ１）と共重合可能なモノマー類。

【００４５】（Ｄ２）成分のバインダー樹脂の重量平均
分子量は、１０，０００〜１，０００，０００以内の範
囲内であることが好ましい。（Ｄ２）成分の重量平均分
子量が１０，０００未満となると、導電性ペースト転写
後に十分なだれ防止性が得られない。一方、重量平均分
子量が１，０００，０００を超えると、導電性ペースト
組成物の粘度が過度に増加し、塗布性が低下することが
ある。

【００４６】したがって、導電性ペースト転写後のだれ
防止と、塗布性とのバランスがより良好となるため、
（Ｄ２）成分の重量平均分子量は２０，０００〜５０
０，０００の範囲内の値であることがより好ましく、３
０，０００〜３００，０００の範囲内の値であることが
さらに好ましい。製造方法（Ｄ２）成分のバインダー樹脂の製造方法は特に制限さ
れるものではないが、（Ｄ１−ｂ）と同様なラジカル発
生剤や連鎖移動剤を使用することができる。

【００４７】添加量（Ｄ２）成分のバインダー樹脂の添加量は、たとえば、
強磁性体粒子（Ａ）と導電性粒子（Ｃ）との合計値１０
０重量部に対して、１〜３０重量部の範囲内の値である
ことが好ましい。（Ｄ２）成分の添加量が１重量部未満
となると、導電性ペーストを均一に塗布できない場合が
ある。一方、（Ｄ２）成分の添加量が３０重量部を超え
ると、バインダー焼成時に有機物残さが発生し導電性が
低下する場合がある。

【００４８】したがって、導電性ペーストの印刷性と、
導電性とのバランスがより良好となるため、たとえば、
強磁性体粒子（Ａ）と導電性粒子（Ｃ）との合計値１０
０重量部に対して、（Ｄ２）成分は２〜１５重量部の範
囲内の値であることがより好ましい。（Ｅ）添加剤導電性ペースト組成物は、上述した以外の化合物とし
て、硬化剤、カップリング剤、高分子添加剤、反応性希
釈剤、重合禁止剤、重合開始助剤、レベリング剤、濡れ
性改良剤、界面活性剤、可塑剤、紫外線吸収剤、酸化防
止剤、帯電防止剤、無機充填剤、防カビ剤、調湿剤、染
料溶解剤、緩衝溶液、キレート剤、難燃化剤等の添加剤
（Ｅ）を含有していてもよい。このような添加剤（Ｅ）
は、一種単独で、または二種以上を組合せて用いること
ができる。

【００４９】（Ｅ−１）硬化剤硬化剤は、熱硬化タイプのバインダー樹脂（Ｄ１）を使
用するときには必須の成分となる。種類硬化剤は、（Ｄ１）成分のバインダー樹脂を硬化するた
めに添加することが好ましい。このような硬化剤として
は、種類は特に制限されるものではないが、たとえば、
エポキシ樹脂の硬化剤として、アミン類、ジシアンジア
ミド、二塩基酸ジヒドラジド、イミダゾール類などが挙
げられる。

【００５０】このような硬化剤を添加することにより、
エポキシ樹脂の熱硬化を効率的に行うことができる。添加量また、硬化剤の添加量についても、特に制限されるもの
ではないが、たとえば、（Ｄ１）成分のバインダー樹脂
１００重量部に対して、硬化剤の添加量は１〜３０重量
部の範囲内であることが好ましい。

【００５１】硬化剤の使用量が１重量部未満であると、
エポキシ樹脂に対する硬化性が著しく低下することがあ
る。一方、硬化剤の使用量が３０重量部を超えると、反
応性を制御することが困難となり、エポキシ樹脂におけ
る保存安定性が低下することがある。なお、硬化剤の使
用量は、たとえば強磁性体粒子（Ａ）と導電性粒子
（Ｃ）との合計の値１００重量部に対して、０．１〜１
０重量部の範囲内であることが好ましい。

【００５２】硬化促進剤また、熱硬化タイプのバインダー樹脂（Ｄ１）を使用す
るときは、必要に応じて、硬化促進剤を使用することも
好ましい。このような硬化促進剤の種類としては、特に
制限されるものではないが、たとえば、有機ボロン、三
級アミン類、イミダゾールおよびこれらの塩等が挙げら
れる。これらは、特にエポキシ樹脂の硬化促進剤として
好ましい。

【００５３】また、硬化促進剤を使用する場合、その使
用量を、バインダー樹脂１００重量部に対して、０．１
〜１０重量部の範囲内であることが好ましく、０．５〜
５重量部の範囲内であることがより好ましい。なお、硬
化促進剤の添加量は、たとえば強磁性体粒子（Ａ）と導
電性粒子（Ｃ）との合計の値１００重量部に対して、
０．１〜５重量部の範囲内であることが好ましい。

【００５４】導電性ペースト組成物の調製方法導電性ペーストの調製は、強磁性体粒子と、溶剤と、さ
らに、たとえば導電性粒子と、バインダー樹脂と、適宜
添加剤を、混合機を用いて、均一に混合攪拌し、導電性
ペースト組成物材料を調製して行うことができる。混合
機としては、ボールミル、プロペラミキサー、ハイシェ
アミキサー、撹拌脱泡装置、三本ロール、Ｖブレンダ
ー、ニーダー、マイクロフルイダイザー等が挙げられ
る。

【００５５】導電性ペースト組成物の粘度は１，０００
〜１，０００，０００ｍＰａ・ｓ（測定温度２５℃、以
下同様である。）の範囲内の値に調整することが好まし
い。この理由は、かかる粘度が１，０００ｍＰａ・ｓ未
満となると、導電性粒子や強磁性体粒子が沈降したり、
塗布した際に、だれが生じやすくなる場合があるためで
ある。一方、粘度が１，０００，０００ｍＰａ・ｓを超
えると、均一に塗布することが困難となる場合があるた
めである。

【００５６】＜凹部を有する版基板（Ｐ）＞本発明の導
電部の形成方法においては、あらかじめ凹部を有する版
基板を作成し、これを凹版として使用する。凹版の作成
方法としては、たとえば、感放射線性樹脂組成物を版基
板にパターニングしてそのまま凹部を有する版基板とし
て使用する方法、Ｓｉウェハー上にフォトレジストをパ
ターニングしＳｉウェハーをエッチングして凹部を有す
る版基板として使用する方法、金属板を機械的に切削し
て凹部を有する版基板として使用する方法等が挙げられ
る。

【００５７】凹部を有する版基板（Ｐ）を作成する一例
を示せば以下の通りである。図２（ａ）に示すように、
版基板２上に感放射線性樹脂組成物をスクリーン印刷
法、スピンコーティング法等で塗布後、オーブンやホッ
トプレート等の乾燥機で７０〜１３０℃、５〜２０分間
乾燥し、膜厚１０〜１００μｍの塗膜を形成する。その
後高圧水銀灯で１００〜５００ｍＪ／ｃｍ²露光し、温
度７０〜１３０℃、３〜６０分間程度加熱して硬化促進
させ、水酸化ナトリウムや炭酸ナトリウム０．１〜３重
量％の現像液を用いて現像して、感放射線性組成物によ
り形成された凸部１によりパターンを形成し、版基板２
上に凹部３を形成する。その後さらに高圧水銀灯で１０
０〜３０００ｍＪ／ｃｍ²露光し、温度１５０〜１８０
℃、３０分間〜５時間程度加熱することで版としての耐
溶剤性を付与することができる。

【００５８】このような凹部を有する版基板（Ｐ）の種
類は、凹部を有する版基板の調製方法等により異なり特
に限定されず、凹部の形成過程、後述する離型促進層の
形成過程等に変形、溶融、化学変化等を起こさなければ
よく、たとえば、前記の感放射線性樹脂組成物の塗布等
する場合は塗布等の際に変形、溶解などが起こらず、ま
た、たとえばＳｉウェハー上にフォトレジストをパター
ニングしＳｉウェハーをエッチングして凹部を有する版
基板とする場合は、エッチング等により変形等しなけれ
ばよい。

【００５９】本発明においては、このような前記凹部を
有する版基板（Ｐ）の表面上に、フッ素および／または
シロキサンを含有する化合物を含有する層（離型促進
層）を形成することもできる。たとえば、主鎖中にポリ
シロキサンセグメントを有し、フッ素含量が３０重量％
以上のオレフィン系重合体と架橋性化合物とを含有する
硬化性樹脂組成物をディッピング法やスピンコーティン
グ法で塗布後、温度１００〜１５０℃、３０分間〜２時
間加熱することで、凹部を有する版基板（Ｐ）の表面上
に離型処理（疎水化処理）することができる。

【００６０】このような離型促進層の厚さは特に限定さ
れないが、通常、０．１〜１０μｍ程度であることが好
ましい。＜埋込み工程＞本発明に係る、強磁性体粒子を含有する
導電性ペーストを、凹部を有する版基板（Ｐ）の凹部に
埋め込む工程（埋込み工程）は、強磁性体粒子（Ａ）を
含有する導電性ペーストを、たとえば塗布機を用いて、
凹部を有する版基板（Ｐ）に塗布（印刷）することによ
り行うことができる。

【００６１】塗布機としては、スキージ塗布法、グラビ
アコート法、ロールコート法が挙げられる。図２（ｂ）
に示すように、スキージ塗布法の場合、凹部を有する版
基板（Ｐ）上にスキージ４を用いて前記導電性ペースト
５を印刷して、凹部を有する版基板（Ｐ）の凹部に導電
性ペースト５が埋め込まれた版基板を得ることができ
る。

【００６２】スキージの材質はメタル、ウレタン、ポリ
プロピレン、シリコーンゴム等が挙げられ、印刷条件と
しては、スキージ速度が１０〜１００ｍｍ／ｓｅｃ、ス
キージ角度が１０〜６０°の範囲であることが好まし
い。＜転写工程＞導電性ペーストを、導電部形成用基材
（Ｑ）上に磁石を用いて転写させて該基材上に導電部を
形成する工程（転写工程）は、前記埋込み工程により凹
部を有する版基板（Ｐ）の凹部に埋め込まれた導電性ペ
ーストを、前記凹部を有する版基板（Ｐ）の凹部から、
裏側に磁石が設置された導電部形成用基材（Ｑ）上に、
磁力によって転写させて、導電部を有する基材を形成す
る工程である。

【００６３】図２（ｃ）に示すように、導電性ペースト
の転写は、導電性ペーストを埋め込んだ凹部を有する版
基板（Ｐ）と、導電性ペーストが転写される導電部形成
用基材（Ｑ）とのギャップを１０〜１０００μｍ程度設
け、転写される導電部形成用基材（Ｑ）の裏面に磁石６
を設置して行うことができる。このようにして、図２
（ｄ）に示すような転写された導電性ペースト７を有す
る基材、すなわち導電部を有する基材８を得ることがで
きる。

【００６４】磁石としては、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系、Ｓｍ−
Ｃｏ系等の希土類磁石、ＢａＯ・ｘＦｅ₂Ｏ₃、ＳｒＯ
・ｘＦｅ₂Ｏ₃等のフェライト磁石、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ−
Ａｌ−Ｃｕ系等のアルニコ磁石が挙げられる。また、前
記永久磁石以外に電磁石を用いてもよい。また、導電性
ペーストを導電部形成用基材（Ｑ）に転写するに際して
は、磁石を使用するとともに、前記凹部を有する版基板
（Ｐ）を５０〜１３０℃程度の熱で加熱したり、前記凹
部を有する版基板（Ｐ）に１０〜１００ＭＨｚの超音波
振動を加えてもよい。

【００６５】このような導電性ペーストの転写は、前記
のとおり凹部を有する版基板（Ｐ）と導電性ペーストに
含有される溶剤（Ｂ）との接触角が４５°以上の場合に
容易に行うことができる。本発明に係る導電部形成用基
材（Ｑ）は、本発明に係る導電部を用いる用途により決
まり特に限定はなく、たとえば半導体装置を搭載するた
めの回路基板等が挙げられる。

【００６６】＜半導体装置＞本発明に係る導電部は、Ｌ
ＳＩなどの半導体装置を搭載するための回路基板を構成
するための回路基板を構成する基板に好適に用いること
ができ、さらに半導体装置は、フラッシュメモリ分野、
ＩＣカード分野、ゲーム機器分野、コンピュータ分野、
携帯通信機器分野、携帯ＡＶ機器分野に用いられる。

【００６７】

【発明の効果】本発明に係る導電部の形成方法によれ
ば、高精細の配線パターンあるいはバンプを優れた位置
精度で簡便に得ることができる。また、本発明に係る導
電部の形成方法によれば、優れた位置精度で、かつ高精
細の配線パターンあるいはバンプを有する半導体装置を
簡便に得ることができる

【００６８】

【実施例】以下、本発明の実施例を説明するが、本発明
の範囲はこれら実施例の記載に限定されるものではな
い。また、実施例中、各成分の配合量は特に記載のない
限り重量部を意味している。

【００６９】

【重合例１】反応容器内に、グリシジルメタクリレート
（ＧＭＡと略記する。）２５ｇと、アクリロニトリル
（ＡＮと略記する。）１０ｇと、メチルメタクリレート
（ＭＭＡと略記する。）１５ｇと、ジオキサン（ＤＯＸ
と略記する。）５０ｇとを混合して、均一な反応原料溶
液とした。この反応原料溶液に対して、３０分間、窒素
バブリングを実施した後、重合開始剤としての２，２−
アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮと略記する。）
１．９ｇを添加した。窒素バブリングを継続しながら、
反応容器内の温度を７０℃に昇温した。そのままの温度
で、７時間重合反応を継続し、反応溶液とした。得られ
た反応溶液と、多量のヘキサンとを混合し、重合体を凝
固させた後、この重合体を採取して、ジオキサンに再溶
解させた。このヘキサンによる凝固と、ジオキサンによ
る再溶解の操作を５回繰り返し、未反応モノマーを除去
した。次いで、７０℃、減圧の条件でジオキサンを飛散
させ、白色のエポキシ基含有重合体を得た。この重合体
の重量平均分子量を、ＧＰＣを用いて測定したところ、
１１０，０００であった。この重合体をＡ−１とする。

【００７０】

【重合例２】反応容器内に、ヒドロキシエチルメタクリ
レート（ＨＥＭＡと略記する。）１０ｇと、メチルメタ
クリレート（ＭＭＡと略記する。）４０ｇと、ジオキサ
ン５０ｇとを混合して、均一な反応原料溶液とした。こ
の反応原料溶液に対して、３０分間、窒素バブリングを
実施した後、重合開始剤としての２，２−アゾビスイソ
ブチロニトリル１．５ｇと、連鎖移動剤としてのｔ−ド
デシルメルカプタン（Ｄ−ＳＨと略記する。）０．５ｇ
とを添加した。

【００７１】次いで、重合例１と同様に重合を行い、さ
らに未反応モノマーを除去して、白色のアクリル樹脂を
得た。この重合体の重量平均分子量を、ＧＰＣを用いて
測定したところ、８０，０００であった。この重合体を
Ａ−２とする。

【００７２】

【重合例３】内容積２．０リットルの電磁攪拌機付きス
テンレス製オートクレーブを窒素ガスで十分置換した
後、溶剤の酢酸エチル５００ｇ、モノマーとしてパーフ
ロロ（プロピルビニルエーテル）（ＦＰＶＥ）５３．２
ｇ、エチルビニルエーテル（ＥＶＥ）４８．７ｇ、ヒド
ロキシブチルビニルエーテル（ＨＢＶＥ）２６．４ｇ、
ノニオン性反応性乳化剤として「アデカリアソープＮＥ
−３０」（旭電化工業株式会社製）２０．０ｇ、アゾ基
含有ポリジメチルシロキサンとして「ＶＰＳ−１００
１」（和光純薬工業株式会社製）３．０ｇおよび重合開
始剤の過酸化ラウロイル（ＬＰＯ）１．０ｇを仕込み、
ドライアイス−メタノール系寒剤により−５０℃まで冷
却した後、再度窒素ガスで系内の酸素を除去した。

【００７３】次に、モノマーとしてヘキサフロロプロピ
レン（ＨＦＰ）１２０ｇを仕込み、昇温を開始した。オ
ートクレーブ内の温度が６０℃に達した時点での圧力は
６．１ｋｇｆ／ｃｍ²であった。その後、６０℃で攪拌
下に２０時間反応を継続し、圧力が２．５ｋｇｆ／ｃｍ
²に低下した時点でオートクレーブを水冷して反応を停
止させた。反応物が室温に達した後、未反応モノマーを
放出してオートクレーブを開放し、ポリマー溶液を得
た。得られたポリマー溶液をメタノールに投入しポリマ
ーを析出させた後メタノールにて洗浄し、５０℃にて真
空乾燥を行って２２１ｇのフッ素系共重合体Ａ−３を得
た。このフッ素系共重合体Ａ−３をテトラヒドロフラン
（ＴＨＦ）に溶解して調製した０．５％溶液を用いてゲ
ルパーミエーションクロマトグラフィーによりポリスチ
レン換算による重量平均分子量を求めたところ、５５，
０００であった。

【００７４】

【実施例１】（１）導電性ペースト組成物の作成熱硬化性樹脂として、エポキシ樹脂であるエピコート１
００４（油化シェルエポキシ（株）製）８重量部、およ
び、重合例１で得られたエポキシ基含有ラジカル重合体
（Ａ−１）３重量部を、エチレングリコールモノフェニ
ルエーテル（溶剤）２０重量部に対して溶解させ、均一
な樹脂溶液とした。この樹脂溶液に対して、導電性粒子
である鱗片状の銀粉ＡＹ６０８０（平均粒径１μｍ、田
中貴金属工業（株）製）７０重量部と、強磁性体粒子で
ある球状のニッケル粉＃１１０（平均粒径１．４μｍ、
日興ファインプロダクツ（株）製）３０重量部と、エポ
キシ硬化剤として、イミダゾール系化合物の２Ｐ４ＭＨ
Ｚ（四国化成工業（株）製）１．５重量部とを加えた。
そして、３本ロールを用いて、これらの導電性ペースト
組成物を、２０分混練し、導電性ペースト組成物１とし
た。ペースト粘度は、２０,０００ｍＰａ・ｓであっ
た。

【００７５】（２）凹部を有する版基板の作成（２−１）感放射線性樹脂組成物によるパターン形成感放射線性樹脂組成物として、クレゾールノボラック樹
脂〔ｍ−クレゾール：ｐ−クレゾール＝６：４（モル
比）、重量平均分子量Ｍｗ＝１１，０００〕を８０ｇ、
ポリ（ｐ−ビニルフェノール）〔丸善石化社製、重量平
均分子量Ｍｗ＝３，０００〕を１０ｇ、ヘキサメトキシ
メチル化メラミン〔三井サイテック社製「サイメル３０
０」〕２５ｇ、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）−１−フェニルエタン１０ｇ、テトラフェノール型
エポキシ樹脂〔油化シェルエポキシ社製、エピコート１
０３１〕１５ｇ、２，４−トリクロロメチル−（４’−
メトキシフェニル）−６−トリアジン１ｇ、ブタジエン
−アクリロニトリル−メタクリル酸共重合体〔ブタジエ
ン：アクリロニトリル：メタクリル酸＝６０：３５：５
（モル比）、数平均分子量Ｍｎ＝６，０００〕３０ｇ、
３−エトキシプロピオン酸エチル（ＥＥＰ）４０ｇを配
合し、得られた配合物の各々を、ヘンシェルミキサーに
より混合・攪拌を行うことにより、感放射線性樹脂組成
物を調製した。

【００７６】次いで、基材上に上記感放射線性樹脂組成
物をスピンコーティング法で塗布後、オーブンで９０
℃、５〜２０分間乾燥し、膜厚４０μｍの塗膜を形成し
た。その後高圧水銀灯で３００ｍＪ／ｃｍ²露光し、温
度９０℃、１０分間加熱して硬化促進させ、水酸化ナト
リウム１重量％の現像液を用いて現像して、凹部を有す
るパターン（５０μｍのホール形状）を形成した。その
後さらに高圧水銀灯で２０００ｍＪ／ｃｍ²露光し、温
度９０℃、１時間程度加熱し、さらにその後温度１５０
℃、２時間加熱して凹部を有する版基板を作成した。

【００７７】（２−２）凹部を有する版基板の離型処理重合例３で得られたフッ素系重合体（Ａ−３）１００ｇ
を、架橋性化合物のメトキシ化メチルメラミン「サイメ
ル３０３」（三井サイテック株式会社製）３０ｇと共に
溶剤のメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）９００ｇ中
に溶解し、１００℃にて５時間攪拌下で反応させた。反
応後室温まで冷却して、特定のフッ素系重合体と架橋性
化合物との反応生成物である架橋重合体の溶液を得た。

【００７８】次いで、この溶液を大過剰の冷メタノール
中に攪拌しながら徐々に投入して架橋重合体を沈殿析出
させた。さらに得られた架橋重合体をＭＩＢＫに溶解さ
せた後、冷メタノールを用いて沈殿処理を行った。得ら
れた架橋重合体を真空乾燥により乾燥させ、この架橋重
合体１００ｇと、硬化触媒であるｐ−トルエンスルホン
酸２ｇとをＭＩＢＫ９００ｇに添加して溶解させること
により、硬化性樹脂組成物溶液を調製した。この溶液
は、固形分濃度が１０％、粘度が３０ｃｐｓ以下のもの
であった。

【００７９】凹部を有する版基板の表面上に、上記硬化
性樹脂組成物溶液をディッピング法で塗布後、温度１２
０℃、１時間加熱し、凹部を有する版基板の表面上を離
型処理（疎水化処理）した。（３）凹部を有する版基板への導電性ペーストの埋め込
み前記導電性ペースト組成物１を、ウレタン製スキージを
用いて、スキージ速度５０ｍｍ／ｓｅｃ、スキージ角度
１０°の条件で凹部を有する版基板（径５０μｍ、深さ
４０μｍのホール形状）へ埋め込んだ。

【００８０】（４）磁石を用いた導電性ペーストの転写導電性ペースト組成物１を埋め込んだ凹部を有する版基
板と導電性ペーストを転写させる導電部形成用基材のギ
ャップを３０μｍ設け、転写させる基材の裏面に磁石
（Ｓｍ−Ｃｏ系、２０００ガウス）を設置したところ、
導電性ペースト組成物１が転写された。転写されたパタ
ーンは、４５μｍ径のドット形状であり、転写率は９０
％であった。ここで転写率とは、転写率＝転写されたド
ット径／使用したメタル版の径、をさす。

【００８１】導電性ペースト組成物１で用いたエチレン
グリコールモノフェニルエーテル（溶剤）と離型処理さ
れた版材との接触角を接触角計〔ＦＡＣＥＣＡ−Ｘ型
協和界面科学株式会社製〕で測定したところ７５°
（度）であった。接触角と転写率の関係を表１および図
３に示す。次いで、このバンプを大気中で１５０℃、３
０分の条件で加熱した。抵抗率計を用いて、硬化後の塗
膜の抵抗率を測定したところ、０．４ｍΩ・ｃｍという
良好な導電性を示すことが確認された。

【００８２】

【実施例２】重合例２で得られた重合体（Ａ−２）２０
重量部を乳酸エチル（溶剤）３０重量部に対して溶解さ
せ、均一な樹脂溶液とした。この樹脂溶液に対して、導
電性粒子である鱗片状の銀粉ＡＹ６０８０（平均粒径１
μｍ、田中貴金属工業（株）製）７０重量部と、強磁性
体粒子である球状のニッケル粉＃１１０（平均粒径１．
４μｍ、日興ファインプロダクツ（株）製）３０重量部
とを加えた。そして、３本ロールを用いて、これらの導
電性ペースト組成物を、２０分混練し、導電性ペースト
組成物２とした。ペースト粘度は、３０,０００ｍＰａ
・ｓであった。

【００８３】次いで、実施例１と同様に、凹部を有する
版基板を作成し、この版に導電性ペースト組成物２を埋
め込み、磁石を用いて転写したところ、導電性ペースト
組成物２が導電部形成用基材へ転写された。転写された
パターンは、４０μｍ径のドット形状であり、転写率は
８０％であった。導電性ペースト組成物２で用いた乳酸
エチル（溶剤）と離型処理された凹部を有する版基板と
の接触角を測定したところ５２°であった。

【００８４】接触角と転写率の関係を表１および図３に
示す。次いで、このバンプを大気中で４００℃、３０分
の条件で加熱後、水素中で４５０℃、３０分焼成した。
抵抗率計を用いて、焼成後の塗膜の抵抗率を測定したと
ころ、０．０１ｍΩ・ｃｍという良好な導電性を示すこ
とが確認された。

【００８５】

【比較例１】溶剤として３−エトキシプロピオン酸エチ
ルを使用した以外は、実施例１の導電性ペースト組成物
１と同様に調製し、導電性ペースト組成物３とした。ペ
ースト粘度は、１８,０００ｍＰａ・ｓであった。次い
で、実施例１と同様に、凹部を有する版基板を作成し、
この版に導電性ペースト組成物３を埋め込み、磁石を用
いて転写を試みたが、導電部形成用基材には導電性ペー
スト組成物３は転写されなかった。

【００８６】導電性ペースト組成物３で用いた３−エト
キシプロピオン酸エチル（溶剤）と離型処理された版材
との接触角を測定したところ３６°であった。接触角と
転写率の関係を表１および図３に示す。

【００８７】

【比較例２】溶剤としてプロピレングリコールモノメチ
ルエーテルアセテートを使用した以外は、実施例２の導
電性ペースト組成物２と同様に調製し、導電性ペースト
組成物４とした。ペースト粘度は、２０,０００ｍＰａ
・ｓであった。次いで、実施例１と同様に、凹部を有す
る版基板を作成し、この版に導電性ペースト組成物４を
埋め込み、磁石を用いて転写を試みたが、導電部形成用
基材には導電性ペースト組成物４は転写されなかった。

【００８８】導電性ペースト組成物４で用いたプロピレ
ングリコールモノメチルエーテルアセテート（溶剤）と
離型処理された版材との接触角を測定したところ３４°
であった。接触角と転写率の関係を表１および図３に示
す。

【００８９】

【表１】

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、接触角を示す概略図である。

【図２】図２は、本発明に係る導電部の形成方法を示す
概略図である。

【図３】図３は、接触角と転写率の関係を示す図であ
る。

【符号の説明】

Ｐ凹部を有する版基板Ｂ溶剤Ｉ溶剤（Ｂ）と凹部を有する版基板（Ｐ）とが接する
点Ｊ溶剤（Ｂ）と凹部を有する版基板（Ｐ）とが接する
点（Ｉ）における溶剤（Ｂ）の表面の接点方向Ｋ凹部を有する版基板（Ｐ）と溶剤（Ｂ）の界面の方
向１感放射線性組成物により形成された凸部２版基板３凹部４スキージ５導電性ペースト６磁石７転写された導電性ペースト８導電部を有する基材Ｑ導電部形成用基材

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者池上浩神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地株式会社東芝横浜事業所内 (72)発明者増子英明東京都中央区築地二丁目11番24号ジェイエスアール株式会社内Ｆターム(参考） 5E343 AA02 BB23 BB24 BB25 BB28 BB34 BB43 BB44 BB45 BB48 BB49 BB54 BB55 BB59 BB72 BB76 DD56 DD64 ER18 FF08 GG08

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】強磁性体粒子と溶剤とを含有する導電性
ペーストを、凹部を有する版基板の凹部に埋め込む工程
と、前記導電性ペーストを、導電部形成用基材上に磁石を用
いて転写させて該基材上に導電部を形成する工程とから
なり、前記溶剤は、凹部を有する版基板との接触角が４５°以
上であることを特徴とする基材上への導電部の形成方
法。
【請求項２】前記凹部を有する版基板の表面上に、フ
ッ素および／またはシロキサンを含有する化合物を含む
離型促進層が形成されていることを特徴とする請求項１
に記載の基材上への導電部の形成方法。
【請求項３】請求項１または２の方法を用いて形成さ
れた導電部を有する半導体装置。