JP2002110582A - 半導体基板熱処理装置 - Google Patents
半導体基板熱処理装置Info
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- G—PHYSICS
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- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 精度の高い温度測定を実現する半導体基板熱
処理装置を提供する。 【解決手段】 装着された半導体基板３を熱処理するた
めに加熱するハロゲンランプ１４と、ハロゲンランプ１
４からの光により加熱された半導体基板３から放射され
る光を石英ロッド７に取り込むことによって半導体基板
３の温度を測定する放射温度計１１とを含む熱処理装置
であって、石英ロッド７に対して周設され、光を吸収す
る空腔１７を備えたことを特徴とする半導体基板熱処理
装置を提供する。
処理装置を提供する。 【解決手段】 装着された半導体基板３を熱処理するた
めに加熱するハロゲンランプ１４と、ハロゲンランプ１
４からの光により加熱された半導体基板３から放射され
る光を石英ロッド７に取り込むことによって半導体基板
３の温度を測定する放射温度計１１とを含む熱処理装置
であって、石英ロッド７に対して周設され、光を吸収す
る空腔１７を備えたことを特徴とする半導体基板熱処理
装置を提供する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板を熱処
理する半導体基板熱処理装置に関するものである。
理する半導体基板熱処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１は、半導体集積回路を製造するため
のＣＶＤ装置やアニール装置として使用される急速加熱
熱処理（Rapid Thermal Process）装置の構成を示す図
である。図１に示されるように、急速加熱熱処理装置は
ハロゲンランプを含む加熱源１と、加熱処理の対象とさ
れるウェーハ３を支持するガードリング５と、ボトムプ
レート８に取り付けられた石英ロッド７と、石英ロッド
７で検出されたウェーハ３からの放射光を伝送する光フ
ァイバ９と、光ファイバに接続された放射温度計１１と
を備える。
のＣＶＤ装置やアニール装置として使用される急速加熱
熱処理（Rapid Thermal Process）装置の構成を示す図
である。図１に示されるように、急速加熱熱処理装置は
ハロゲンランプを含む加熱源１と、加熱処理の対象とさ
れるウェーハ３を支持するガードリング５と、ボトムプ
レート８に取り付けられた石英ロッド７と、石英ロッド
７で検出されたウェーハ３からの放射光を伝送する光フ
ァイバ９と、光ファイバに接続された放射温度計１１と
を備える。
【０００３】上記のような構成を有する急速加熱熱処理
装置は、装着されたウェーハ３を上記ハロゲンランプか
らの放射光により、室温から例えば１００℃／ｓｅｃの
速さで、例えば１０００℃まで加熱する。
装置は、装着されたウェーハ３を上記ハロゲンランプか
らの放射光により、室温から例えば１００℃／ｓｅｃの
速さで、例えば１０００℃まで加熱する。
【０００４】また、上記放射温度計１１は、ウェーハ３
から放射された光を石英ロッド７で検出し、該検出され
た光に応じてウェーハ３の温度を検出する。
から放射された光を石英ロッド７で検出し、該検出され
た光に応じてウェーハ３の温度を検出する。
【０００５】しかしながら、上記のような構成を有する
急速加熱熱処理装置においては、ウェーハ３の温度は石
英ロッド７で検出された光に応じて計測されるため、図
１に示されるように加熱源１から放射された光の一部か
らなる迷光１０がウェーハ３とボトムプレート８との間
を多重反射して石英ロッド７に入射されると、ウェーハ
３から放射された光以外の光をも検出することになるた
め、正確にウェーハ３の温度を計測することができない
という問題がある。
急速加熱熱処理装置においては、ウェーハ３の温度は石
英ロッド７で検出された光に応じて計測されるため、図
１に示されるように加熱源１から放射された光の一部か
らなる迷光１０がウェーハ３とボトムプレート８との間
を多重反射して石英ロッド７に入射されると、ウェーハ
３から放射された光以外の光をも検出することになるた
め、正確にウェーハ３の温度を計測することができない
という問題がある。
【０００６】なお、上記のような迷光においては、その
多重反射が生じる範囲は不確定であるため、正確な放射
率の補正式を作ることもできない。
多重反射が生じる範囲は不確定であるため、正確な放射
率の補正式を作ることもできない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述の問題
を解消するためになされたもので、精度の高い温度測定
を実現する熱処理装置を提供することを目的とする。
を解消するためになされたもので、精度の高い温度測定
を実現する熱処理装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、半導体基
板を熱処理する半導体基板熱処理装置であって、半導体
基板の一方の面に光を照射して半導体基板を加熱する加
熱手段と、半導体基板の他方の面との間で反射キャビテ
ィを形成するよう半導体基板に対向して配設された反射
プレートと、反射プレートに設けられ、加熱手段により
加熱された半導体基板から放射される光を取り込むこと
によって半導体基板の温度を測定する温度測定手段と、
温度測定手段に対して周設され、反射キャビティ内に生
じた乱反射光を吸収する光吸収手段、または反射キャビ
ティ内に生じた乱反射光の反射を抑制する光反射抑制手
段とを備えたことを特徴とする半導体基板熱処理装置を
提供することにより達成される。このような手段によれ
ば、温度測定手段に入射する乱反射光（迷光）を事前に
光吸収手段により吸収し、または、光反射抑制手段によ
り該乱反射光（迷光）の反射を抑制することにより、該
乱反射光の温度測定手段への入射を回避することができ
る。
板を熱処理する半導体基板熱処理装置であって、半導体
基板の一方の面に光を照射して半導体基板を加熱する加
熱手段と、半導体基板の他方の面との間で反射キャビテ
ィを形成するよう半導体基板に対向して配設された反射
プレートと、反射プレートに設けられ、加熱手段により
加熱された半導体基板から放射される光を取り込むこと
によって半導体基板の温度を測定する温度測定手段と、
温度測定手段に対して周設され、反射キャビティ内に生
じた乱反射光を吸収する光吸収手段、または反射キャビ
ティ内に生じた乱反射光の反射を抑制する光反射抑制手
段とを備えたことを特徴とする半導体基板熱処理装置を
提供することにより達成される。このような手段によれ
ば、温度測定手段に入射する乱反射光（迷光）を事前に
光吸収手段により吸収し、または、光反射抑制手段によ
り該乱反射光（迷光）の反射を抑制することにより、該
乱反射光の温度測定手段への入射を回避することができ
る。
【０００９】そして、光吸収手段を例えば黒体を構成す
る空腔からなるものとすれば、乱反射光を効果的に吸収
することができる。ここで該空腔においては、温度測定
手段における上記光の取りこみ口の半径をｒとし、真空
中での開口数をｓｉｎθとするとき、半導体基板からｒ
／ｔａｎθ以下の距離だけ離れた位置に配設され、空腔
の半導体基板からの該距離をＤとするとき、温度測定手
段からＤｔａｎθの２ｎ倍（ｎは自然数）の距離だけ離
れた位置に配設されるのが望ましい。またさらには、該
空腔の開口半径はＤｔａｎθ以上の値とするのが望まし
い。
る空腔からなるものとすれば、乱反射光を効果的に吸収
することができる。ここで該空腔においては、温度測定
手段における上記光の取りこみ口の半径をｒとし、真空
中での開口数をｓｉｎθとするとき、半導体基板からｒ
／ｔａｎθ以下の距離だけ離れた位置に配設され、空腔
の半導体基板からの該距離をＤとするとき、温度測定手
段からＤｔａｎθの２ｎ倍（ｎは自然数）の距離だけ離
れた位置に配設されるのが望ましい。またさらには、該
空腔の開口半径はＤｔａｎθ以上の値とするのが望まし
い。
【００１０】なお、上記光吸収手段を、所定の開口半径
と深さを有する溝からなるものとすることによっても、
該溝に上記乱反射光を閉じ込めることにより該乱反射光
の温度測定手段への入射を回避することができる。
と深さを有する溝からなるものとすることによっても、
該溝に上記乱反射光を閉じ込めることにより該乱反射光
の温度測定手段への入射を回避することができる。
【００１１】また、上記光吸収手段を、半導体基板まで
の最近接距離が温度測定手段における半導体基板までの
最近接距離より短いと共に、所定の溝を有する突設体か
らなるものとすれば、上記乱反射光を効果的に閉じ込め
ることができると共に、製造がし易い半導体基板熱処理
装置を得ることができる。
の最近接距離が温度測定手段における半導体基板までの
最近接距離より短いと共に、所定の溝を有する突設体か
らなるものとすれば、上記乱反射光を効果的に閉じ込め
ることができると共に、製造がし易い半導体基板熱処理
装置を得ることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下において、本発明の実施の形
態を図面を参照して詳しく説明する。なお、図中同一符
号は同一又は相当部分を示す。 ［実施の形態１］図２は、本発明の実施の形態１に係る
急速加熱熱処理装置の構成を示す図である。図２に示さ
れるように、本実施の形態１に係る急速加熱熱処理装置
は、ハロゲンランプ１４に供給する電力を調整するハロ
ゲンランプハウス１３と、ハロゲンランプ１４と、ウェ
ーハ３を熱処理するチャンバ２０と、放射温度計１１と
を備える。なお、ウェーハ３を加熱する手段として、上
記のようなランプの代わりに、抵抗へ電流を流すことに
よる発熱を利用する抵抗加熱源を備えることとしても良
い。
態を図面を参照して詳しく説明する。なお、図中同一符
号は同一又は相当部分を示す。 ［実施の形態１］図２は、本発明の実施の形態１に係る
急速加熱熱処理装置の構成を示す図である。図２に示さ
れるように、本実施の形態１に係る急速加熱熱処理装置
は、ハロゲンランプ１４に供給する電力を調整するハロ
ゲンランプハウス１３と、ハロゲンランプ１４と、ウェ
ーハ３を熱処理するチャンバ２０と、放射温度計１１と
を備える。なお、ウェーハ３を加熱する手段として、上
記のようなランプの代わりに、抵抗へ電流を流すことに
よる発熱を利用する抵抗加熱源を備えることとしても良
い。
【００１３】ここで、チャンパ２０はウェーハ３を支持
すると共にＳｉＣからなるガードリング５と、ウェーハ
３が装着されたガードリング５を回転させるためのベア
リング１５と、ボトムプレート８と、ボトムプレート８
に具設されると共にウェーハ３から放射された光を検出
する石英ロッド７と、ボトムプレート８を冷却するため
の水冷部１９と、ボトムプレート８に埋設された空腔１
７とを含む。なお、上記石英ロッド７は放射温度計１１
に光ファイバ９により接続され、上記チャンバ２０の内
部は真空状態とされる。
すると共にＳｉＣからなるガードリング５と、ウェーハ
３が装着されたガードリング５を回転させるためのベア
リング１５と、ボトムプレート８と、ボトムプレート８
に具設されると共にウェーハ３から放射された光を検出
する石英ロッド７と、ボトムプレート８を冷却するため
の水冷部１９と、ボトムプレート８に埋設された空腔１
７とを含む。なお、上記石英ロッド７は放射温度計１１
に光ファイバ９により接続され、上記チャンバ２０の内
部は真空状態とされる。
【００１４】上記のように、本発明の実施の形態１に係
る急速加熱熱処理装置においては、石英ロッド７の周辺
に空腔１７を設け、あらゆる隙間からウェーハ３とボト
ムプレート８との間で多重反射しつつ石英ロッド７へ向
かって侵入する迷光１０を吸収させる。すなわち、ウェ
ーハ３の正確な温度を測定するためには、石英ロッド７
には上記のようにウェーハ３から放射される光だけが入
射されることが望ましい。従って、上記のような空腔１
７によりハロゲンランプ１４から放射された光などに起
因する迷光１０を吸収させることによって、ウェーハ３
の温度測定の精度を向上させることができる。
る急速加熱熱処理装置においては、石英ロッド７の周辺
に空腔１７を設け、あらゆる隙間からウェーハ３とボト
ムプレート８との間で多重反射しつつ石英ロッド７へ向
かって侵入する迷光１０を吸収させる。すなわち、ウェ
ーハ３の正確な温度を測定するためには、石英ロッド７
には上記のようにウェーハ３から放射される光だけが入
射されることが望ましい。従って、上記のような空腔１
７によりハロゲンランプ１４から放射された光などに起
因する迷光１０を吸収させることによって、ウェーハ３
の温度測定の精度を向上させることができる。
【００１５】そして、上記のような構成を有する急速加
熱熱処理装置においては、測定されたウェーハ３の温度
に応じてハロゲンランプハウス１３がハロゲンランプ１
４へ供給する電力を調整し、ウェーハ３に対する加熱の
度合いを制御するため、上記のようにウェーハ３に対す
る温度測定の精度が高められることにより、急速加熱熱
処理装置における該熱処理の温度に関する精度を向上さ
せることができる。
熱熱処理装置においては、測定されたウェーハ３の温度
に応じてハロゲンランプハウス１３がハロゲンランプ１
４へ供給する電力を調整し、ウェーハ３に対する加熱の
度合いを制御するため、上記のようにウェーハ３に対す
る温度測定の精度が高められることにより、急速加熱熱
処理装置における該熱処理の温度に関する精度を向上さ
せることができる。
【００１６】以下において、上記空腔１７についてより
詳しく説明する。図３は、図１に示された空腔１７の構
成を示す図である。図３に示されるように、空腔１７の
内曲面１８ａは黒色硬質アルマイト処理がなされ、溝面
１８ｂは研磨処理がなされる。なお、ボトムプレート８
の面２１は研磨される。
詳しく説明する。図３は、図１に示された空腔１７の構
成を示す図である。図３に示されるように、空腔１７の
内曲面１８ａは黒色硬質アルマイト処理がなされ、溝面
１８ｂは研磨処理がなされる。なお、ボトムプレート８
の面２１は研磨される。
【００１７】また、図３においてｒは石英ロッド７の半
径を示し、θは石英ロッド７の臨界角（石英ロッド７の
開口数がｓｉｎθ）、Ｄはウェーハ３とボトムプレート
８との距離、Ｒは石英ロッド７と空腔１７との中心間距
離、Ｌは空腔１７の開口部の幅（開口幅）をそれぞれ示
す。
径を示し、θは石英ロッド７の臨界角（石英ロッド７の
開口数がｓｉｎθ）、Ｄはウェーハ３とボトムプレート
８との距離、Ｒは石英ロッド７と空腔１７との中心間距
離、Ｌは空腔１７の開口部の幅（開口幅）をそれぞれ示
す。
【００１８】なお、上記のような空腔１７は、図４に示
されるように石英ロッド７の周囲に点在させても良い
し、断面が図２及び図３に示されるような形状を有し、
図５に示されるように石英ロッド７を囲むようなドーナ
ツ型のものとしても良い。
されるように石英ロッド７の周囲に点在させても良い
し、断面が図２及び図３に示されるような形状を有し、
図５に示されるように石英ロッド７を囲むようなドーナ
ツ型のものとしても良い。
【００１９】上記において、該迷光１０の吸収を有効な
ものとするためには、まず距離Ｄが石英ロッド７の半径
ｒと上記θとにより求められるｒ／ｔａｎθ以下の値と
される。そして次に、Ｒは図３に示されたｒ’の自然数
倍、すなわちｎを自然数とするときｎ・ｒ’（＝ｎ・Ｄ
・ｔａｎθ）により求められる値とされる。なお、Ｒは
（ｒ＋Ｌ／２）より大きな値とされる。そしてさらに、
上記Ｌは２Ｄｔａｎθ以上の値とされる。
ものとするためには、まず距離Ｄが石英ロッド７の半径
ｒと上記θとにより求められるｒ／ｔａｎθ以下の値と
される。そして次に、Ｒは図３に示されたｒ’の自然数
倍、すなわちｎを自然数とするときｎ・ｒ’（＝ｎ・Ｄ
・ｔａｎθ）により求められる値とされる。なお、Ｒは
（ｒ＋Ｌ／２）より大きな値とされる。そしてさらに、
上記Ｌは２Ｄｔａｎθ以上の値とされる。
【００２０】また、上記においてＬを２Ｄｔａｎθより
大きな値とすれば、Ｒの値によらず多重反射により侵入
する迷光１０を空腔１７内に吸収することができる。な
お、Ｌを２Ｄｔａｎθの値とするときには、Ｒは上記の
ようにｎ・Ｄ・ｔａｎθにより求められる値とするのが
最も有効である。ここで、ｎが小さいほど、すなわち空
腔１７が石英ロッド７に近い位置に配設されるほど、石
英ロッド７の採光による温度測定の精度を高めることが
できる。
大きな値とすれば、Ｒの値によらず多重反射により侵入
する迷光１０を空腔１７内に吸収することができる。な
お、Ｌを２Ｄｔａｎθの値とするときには、Ｒは上記の
ようにｎ・Ｄ・ｔａｎθにより求められる値とするのが
最も有効である。ここで、ｎが小さいほど、すなわち空
腔１７が石英ロッド７に近い位置に配設されるほど、石
英ロッド７の採光による温度測定の精度を高めることが
できる。
【００２１】以上より、本発明の実施の形態１に係る急
速加熱熱処理装置によれば、石英ロッド７へ入射する一
種のノイズとしての迷光が、入射前に空腔１７により吸
収されるため、放射温度計１１による温度測定の精度を
高めることができる。 ［実施の形態２］図６は、本発明の実施の形態２に係る
急速加熱熱処理装置の構成を示す図である。図６に示さ
れるように、本実施の形態２に係る急速加熱熱処理装置
は、上記実施の形態１に係る急速加熱熱処理装置と同様
に、ランプあるいは抵抗などを含む加熱源１と、ウェー
ハ３を支持するガードリング５と、ボトムプレート１２
と、ボトムプレート１２に具設された石英ロッド７と、
放射温度計１１と、石英ロッド７と放射温度計１１とを
接続する光ファイバ９とを備える。
速加熱熱処理装置によれば、石英ロッド７へ入射する一
種のノイズとしての迷光が、入射前に空腔１７により吸
収されるため、放射温度計１１による温度測定の精度を
高めることができる。 ［実施の形態２］図６は、本発明の実施の形態２に係る
急速加熱熱処理装置の構成を示す図である。図６に示さ
れるように、本実施の形態２に係る急速加熱熱処理装置
は、上記実施の形態１に係る急速加熱熱処理装置と同様
に、ランプあるいは抵抗などを含む加熱源１と、ウェー
ハ３を支持するガードリング５と、ボトムプレート１２
と、ボトムプレート１２に具設された石英ロッド７と、
放射温度計１１と、石英ロッド７と放射温度計１１とを
接続する光ファイバ９とを備える。
【００２２】そして、本実施の形態２に係る急速加熱熱
処理装置においては、ボトムプレート１２における石英
ロッド７の周辺に、所定の開口幅と深さを有する溝２２
が形成される。ここで、溝２２の開口幅と位置は、上記
実施の形態１における空腔１７と同様に決定される。
処理装置においては、ボトムプレート１２における石英
ロッド７の周辺に、所定の開口幅と深さを有する溝２２
が形成される。ここで、溝２２の開口幅と位置は、上記
実施の形態１における空腔１７と同様に決定される。
【００２３】すなわち、溝２２の開口幅を図３における
２Ｄｔａｎθより大きな値とする場合には、溝２２が形
成される位置によらず多重反射により侵入する迷光１０
を溝２２内に閉じ込めることができる。なお、該開口幅
を上記２Ｄｔａｎθの値とするときには、溝２２を石英
ロッド７からｎ・Ｄ・ｔａｎθだけ離れた位置に形成す
るのが最も有効である。ここで、ｎが小さいほど、すな
わち溝２２が石英ロッド７に近い位置に形成されるほ
ど、石英ロッド７の採光による温度測定の精度を高める
ことができ、溝２２の深さは深いほど迷光１０を確実に
閉じ込めることができる。
２Ｄｔａｎθより大きな値とする場合には、溝２２が形
成される位置によらず多重反射により侵入する迷光１０
を溝２２内に閉じ込めることができる。なお、該開口幅
を上記２Ｄｔａｎθの値とするときには、溝２２を石英
ロッド７からｎ・Ｄ・ｔａｎθだけ離れた位置に形成す
るのが最も有効である。ここで、ｎが小さいほど、すな
わち溝２２が石英ロッド７に近い位置に形成されるほ
ど、石英ロッド７の採光による温度測定の精度を高める
ことができ、溝２２の深さは深いほど迷光１０を確実に
閉じ込めることができる。
【００２４】また、上記溝２２の代わりに、図７（ａ）
に示された凹部２３を設けても良い。ここで、凹部２３
は黒色アルマイト処理された内曲面１８ａを有する空腔
と、該空腔の上部における反射率を高めるためのアルミ
ウム反射板２７とにより構成され、空腔に導かれた迷光
が効果的に吸収される。
に示された凹部２３を設けても良い。ここで、凹部２３
は黒色アルマイト処理された内曲面１８ａを有する空腔
と、該空腔の上部における反射率を高めるためのアルミ
ウム反射板２７とにより構成され、空腔に導かれた迷光
が効果的に吸収される。
【００２５】また、上記溝２２の代わりに、図７に示さ
れたＶ字型の溝２９をボトムプレートに形成することと
しても良い。なお上記における溝２２及び溝２９は、加
工が容易であるというメリットがある。 ［実施の形態３］図８は、本発明の実施の形態３に係る
急速加熱熱処理装置の構成を示す図である。図８に示さ
れるように、本実施の形態３に係る急速加熱熱処理装置
は、図６に示された実施の形態２に係る急速加熱熱処理
装置と同様な構成を有するが、ボトムプレート３０に溝
３２が形成された土手状の突設体３１が、石英ロッド７
の周辺に設けられる点で相違するものである。ここで、
図８に示されるように、突設体３１とウェーハ３との最
近接距離をＤ１、ガードリング５とボトムプレート３０
との最近接距離をＤ２とすれば、Ｄ１はＤ２より小さな
値とされる。
れたＶ字型の溝２９をボトムプレートに形成することと
しても良い。なお上記における溝２２及び溝２９は、加
工が容易であるというメリットがある。 ［実施の形態３］図８は、本発明の実施の形態３に係る
急速加熱熱処理装置の構成を示す図である。図８に示さ
れるように、本実施の形態３に係る急速加熱熱処理装置
は、図６に示された実施の形態２に係る急速加熱熱処理
装置と同様な構成を有するが、ボトムプレート３０に溝
３２が形成された土手状の突設体３１が、石英ロッド７
の周辺に設けられる点で相違するものである。ここで、
図８に示されるように、突設体３１とウェーハ３との最
近接距離をＤ１、ガードリング５とボトムプレート３０
との最近接距離をＤ２とすれば、Ｄ１はＤ２より小さな
値とされる。
【００２６】上記のような構成によれば、突設体３１を
設けることにより、図３に示された距離Ｄを実質的に小
さくすることができるため、２Ｄｔａｎθにより算出さ
れる開口部の幅Ｌの下限もより小さな値とすることがで
きる。従って、図８に示されるように、該突設体３１に
該下限以上の幅を有する溝３２を形成することによっ
て、図３に示された実施の形態１に係る空腔１７と同様
な効果を得ることができる。なお、上記溝３２の深さは
深いほど迷光１０の閉じ込めに有効であることは、上記
溝２２と同様である。また、上記のような構造を有する
突設体３１は、石英ロッド７の周辺のみならず、ガード
リング５の下部に形成しても有効である。
設けることにより、図３に示された距離Ｄを実質的に小
さくすることができるため、２Ｄｔａｎθにより算出さ
れる開口部の幅Ｌの下限もより小さな値とすることがで
きる。従って、図８に示されるように、該突設体３１に
該下限以上の幅を有する溝３２を形成することによっ
て、図３に示された実施の形態１に係る空腔１７と同様
な効果を得ることができる。なお、上記溝３２の深さは
深いほど迷光１０の閉じ込めに有効であることは、上記
溝２２と同様である。また、上記のような構造を有する
突設体３１は、石英ロッド７の周辺のみならず、ガード
リング５の下部に形成しても有効である。
【００２７】以上より、溝３２を有する突設体３１が形
成された本実施の形態３に係る急速加熱熱処理装置は、
上記実施の形態１及び２に係る急速加熱熱処理装置と同
様な効果を奏するが、さらに該突設体３１は図３に示さ
れた空腔１７に比して、ボトムプレート３０において形
成し易いというメリットがある。
成された本実施の形態３に係る急速加熱熱処理装置は、
上記実施の形態１及び２に係る急速加熱熱処理装置と同
様な効果を奏するが、さらに該突設体３１は図３に示さ
れた空腔１７に比して、ボトムプレート３０において形
成し易いというメリットがある。
【発明の効果】上述の如く、本発明に係る半導体基板熱
処理装置によれば、温度測定手段に入射する乱反射光を
事前に光吸収手段によって吸収し、または、該乱反射光
の反射を抑制することにより、該乱反射光の温度測定手
段への入射を回避して温度測定手段による半導体基板に
対する温度測定の精度を高め、温度に関して精度の高い
半導体基板に対する熱処理を実行することができる。
処理装置によれば、温度測定手段に入射する乱反射光を
事前に光吸収手段によって吸収し、または、該乱反射光
の反射を抑制することにより、該乱反射光の温度測定手
段への入射を回避して温度測定手段による半導体基板に
対する温度測定の精度を高め、温度に関して精度の高い
半導体基板に対する熱処理を実行することができる。
【００２８】そして、上記光吸収手段を例えば黒体を構
成する空腔からなるものとすれば、乱反射光を効果的に
吸収することができる。また、上記光吸収手段を所定の
開口半径と深さを有する溝からなるものとすることによ
っても、該溝に上記乱反射光を閉じ込めることにより該
乱反射光の温度測定手段への入射を回避することができ
るため、温度測定手段による温度測定の精度を高め、精
度の高い熱処理を半導体基板に対して施すことができ
る。
成する空腔からなるものとすれば、乱反射光を効果的に
吸収することができる。また、上記光吸収手段を所定の
開口半径と深さを有する溝からなるものとすることによ
っても、該溝に上記乱反射光を閉じ込めることにより該
乱反射光の温度測定手段への入射を回避することができ
るため、温度測定手段による温度測定の精度を高め、精
度の高い熱処理を半導体基板に対して施すことができ
る。
【００２９】また、上記光吸収手段を、半導体基板まで
の最近接距離が温度測定手段における半導体基板までの
最近接距離より短いと共に、所定の溝を有する突設体か
らなるものとすれば、上記乱反射光を効果的に閉じ込め
ることができると共に、製造がし易い半導体基板熱処理
装置を得ることができるため、さらに製造コストを低減
することができる。
の最近接距離が温度測定手段における半導体基板までの
最近接距離より短いと共に、所定の溝を有する突設体か
らなるものとすれば、上記乱反射光を効果的に閉じ込め
ることができると共に、製造がし易い半導体基板熱処理
装置を得ることができるため、さらに製造コストを低減
することができる。
【図１】従来の急速加熱熱処理（Rapid Thermal Proces
s）装置の構成を示す図である。
s）装置の構成を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る急速加熱熱処理装
置の構成を示す図である。
置の構成を示す図である。
【図３】図２に示された空腔の構成を示す図である。
【図４】図２に示された空腔の配置を示す第一の平面図
である。
である。
【図５】図２に示された空腔の配置を示す第二の平面図
である。
である。
【図６】本発明の実施の形態２に係る急速加熱熱処理装
置の構成を示す図である。
置の構成を示す図である。
【図７】図６に示された溝における他の構成例を示す図
である。
である。
【図８】本発明の実施の形態３に係る急速加熱熱処理装
置の構成を示す図である。
置の構成を示す図である。
１ 加熱源 ３ ウェーハ ５ ガードリング ７ 石英ロッド ８，１２，３０ ボトムプレート ９ 光ファイバ １０ 迷光 １１ 放射温度計 １３ ハロゲンランプハウス １４ ハロゲンランプ １５ ベアリング １７ 空腔 １８ａ 内曲面 １８ｂ 溝面 １９ 水冷部 ２０ チャンバ ２１ 面 ２２，２９，３２ 溝 ２３ 凹部 ２７ アルミニウム ３１ 突設体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐久間 健 神奈川県津久井郡城山町町屋１−２−41 東京エレクトロン山梨株式会社内 Ｆターム(参考） 3K058 AA42 BA00 CA05 CA12 CA17 CA23 CA46 CA70 CA93 CB09 CB10 CB26 CE02 CE12 CE17 EA13 4K030 CA04 FA10 JA03 KA24 KA39 LA15 5F045 BB08 DP04 EB02 EK12 EM02 EM09 GB05
Claims (8)
- 【請求項１】 半導体基板を熱処理する半導体基板熱処
理装置であって、 前記半導体基板の一方の面に光を照射して前記半導体基
板を加熱する加熱手段と、 前記半導体基板の他方の面との間で反射キャビティを形
成するよう前記半導体基板に対向して配設された反射プ
レートと、 前記反射プレートに設けられ、前記加熱手段により加熱
された前記半導体基板から放射される光を取り込むこと
によって前記半導体基板の温度を測定する温度測定手段
と、 前記温度測定手段に対して周設され、前記反射キャビテ
ィ内に生じた乱反射光を吸収する光吸収手段とを備えた
ことを特徴とする半導体基板熱処理装置。 - 【請求項２】 半導体基板を熱処理する半導体基板熱処
理装置であって、 前記半導体基板の一方の面に光を照射して前記半導体基
板を加熱する加熱手段と、 前記半導体基板の他方の面との間で反射キャビティを形
成するよう前記半導体基板に対向して配設された反射プ
レートと、 前記反射プレートに設けられ、前記加熱手段により加熱
された前記半導体基板から放射される光を取り込むこと
によって前記半導体基板の温度を測定する温度測定手段
と、 前記温度測定手段に対して周設され、前記反射キャビテ
ィ内に生じた乱反射光の反射を抑制する光反射抑制手段
とを備えたことを特徴とする半導体基板熱処理装置。 - 【請求項３】 前記光吸収手段は、黒体を構成する空腔
からなる請求項１に記載の半導体基板熱処理装置。 - 【請求項４】 前記空腔の開口半径は、前記温度測定手
段が前記光を取り込むときにおける真空中での開口数を
ｓｉｎθとし、前記空腔の前記半導体基板からの距離を
Ｄとしたとき、Ｄｔａｎθ以上の値とされる請求項３に
記載の半導体基板熱処理装置。 - 【請求項５】 前記空腔は、前記温度測定手段が前記光
を取り込むときにおける真空中での開口数をｓｉｎθと
し、前記空腔の前記半導体基板からの距離をＤとしたと
き、前記温度測定手段からＤｔａｎθの２ｎ倍（ｎは自
然数）の距離だけ離れた位置に配設される請求項３に記
載の半導体基板熱処理装置。 - 【請求項６】 前記空腔は、前記温度測定手段が前記光
を取り込むときにおける真空中での開口数をｓｉｎθと
し、前記温度測定手段における前記光の取り込み口の半
径をｒとしたとき、前記半導体基板からｒ／ｔａｎθ以
下の距離だけ離れた位置に配設される請求項３に記載の
半導体基板熱処理装置。 - 【請求項７】 前記光吸収手段は、所定の開口半径と深
さを有する溝からなる請求項１に記載の半導体基板熱処
理装置。 - 【請求項８】 前記光吸収手段は、前記半導体基板まで
の最近接距離が前記温度測定手段における前記半導体基
板までの最近接距離より短いと共に、所定の溝を有する
突設体からなる請求項１に記載の半導体基板熱処理装
置。
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| JP2000293023A JP4698807B2 (ja) | 2000-09-26 | 2000-09-26 | 半導体基板熱処理装置 |
| US09/962,851 US6641302B2 (en) | 2000-09-26 | 2001-09-26 | Thermal process apparatus for a semiconductor substrate |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000293023A JP4698807B2 (ja) | 2000-09-26 | 2000-09-26 | 半導体基板熱処理装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002110582A true JP2002110582A (ja) | 2002-04-12 |
| JP4698807B2 JP4698807B2 (ja) | 2011-06-08 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000293023A Expired - Fee Related JP4698807B2 (ja) | 2000-09-26 | 2000-09-26 | 半導体基板熱処理装置 |
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| JP (1) | JP4698807B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007523466A (ja) * | 2003-10-27 | 2007-08-16 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 合わせられた温度の均一性 |
| JP2009510262A (ja) * | 2005-09-30 | 2009-03-12 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 温度および放射率／パターン補償を含む膜形成装置および方法 |
| US8372203B2 (en) | 2005-09-30 | 2013-02-12 | Applied Materials, Inc. | Apparatus temperature control and pattern compensation |
| KR101354140B1 (ko) | 2008-02-27 | 2014-01-22 | 소이텍 | Ｃｖｄ 반응기 내에서 가스 전구체들의 열화 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6839507B2 (en) * | 2002-10-07 | 2005-01-04 | Applied Materials, Inc. | Black reflector plate |
| US7041931B2 (en) * | 2002-10-24 | 2006-05-09 | Applied Materials, Inc. | Stepped reflector plate |
| US7109443B2 (en) * | 2004-03-26 | 2006-09-19 | Intel Corporation | Multi-zone reflecting device for use in flash lamp processes |
| US7946759B2 (en) * | 2007-02-16 | 2011-05-24 | Applied Materials, Inc. | Substrate temperature measurement by infrared transmission |
| TWI424541B (zh) * | 2011-07-15 | 2014-01-21 | Sokudo Co Ltd | 溫度變更系統 |
| KR101368818B1 (ko) * | 2012-05-03 | 2014-03-04 | 에이피시스템 주식회사 | 기판 처리 장치 |
| US9832816B2 (en) | 2013-06-21 | 2017-11-28 | Applied Materials, Inc. | Absorbing reflector for semiconductor processing chamber |
| CN114371525A (zh) * | 2022-01-18 | 2022-04-19 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 反射部件及工艺腔室 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1055974A (ja) * | 1994-12-19 | 1998-02-24 | Applied Materials Inc | 基板温度測定のための方法及び装置 |
| JPH1140510A (ja) * | 1997-07-16 | 1999-02-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 温度計測装置および温度計測方法ならびに基板熱処理装置 |
| JPH1197367A (ja) * | 1997-09-17 | 1999-04-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板熱処理装置およびそれを用いた基板熱処理方法 |
| JPH1197368A (ja) * | 1997-09-17 | 1999-04-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置およびそれを用いた基板処理方法 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5226732A (en) * | 1992-04-17 | 1993-07-13 | International Business Machines Corporation | Emissivity independent temperature measurement systems |
| US5624590A (en) * | 1993-04-02 | 1997-04-29 | Lucent Technologies, Inc. | Semiconductor processing technique, including pyrometric measurement of radiantly heated bodies and an apparatus for practicing this technique |
| DE4414391C2 (de) * | 1994-04-26 | 2001-02-01 | Steag Rtp Systems Gmbh | Verfahren für wellenvektorselektive Pyrometrie in Schnellheizsystemen |
| US5823681A (en) * | 1994-08-02 | 1998-10-20 | C.I. Systems (Israel) Ltd. | Multipoint temperature monitoring apparatus for semiconductor wafers during processing |
| US6179466B1 (en) * | 1994-12-19 | 2001-01-30 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for measuring substrate temperatures |
| US5830277A (en) * | 1995-05-26 | 1998-11-03 | Mattson Technology, Inc. | Thermal processing system with supplemental resistive heater and shielded optical pyrometry |
| TW403834B (en) * | 1997-12-08 | 2000-09-01 | Steag Rtp Systems Gmbh | Optical radiation measurement apparatus |
| US6183130B1 (en) * | 1998-02-20 | 2001-02-06 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for substrate temperature measurement using a reflecting cavity and detector |
| US6007241A (en) * | 1998-02-20 | 1999-12-28 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for measuring substrate temperature |
| US6127658A (en) * | 1998-08-04 | 2000-10-03 | Steag C.V.D. Systems, Ltd. | Wafer heating apparatus and method with radiation absorptive peripheral barrier blocking stray radiation |
| JP2000266603A (ja) * | 1999-03-19 | 2000-09-29 | Tokyo Electron Ltd | 放射温度測定方法及び放射温度測定装置 |
| US6293696B1 (en) * | 1999-05-03 | 2001-09-25 | Steag Rtp Systems, Inc. | System and process for calibrating pyrometers in thermal processing chambers |
| US6259072B1 (en) * | 1999-11-09 | 2001-07-10 | Axcelis Technologies, Inc. | Zone controlled radiant heating system utilizing focused reflector |
| US6353210B1 (en) * | 2000-04-11 | 2002-03-05 | Applied Materials Inc. | Correction of wafer temperature drift in a plasma reactor based upon continuous wafer temperature measurements using and in-situ wafer temperature optical probe |
| DE10119047B4 (de) * | 2000-04-21 | 2010-12-09 | Tokyo Electron Ltd. | Thermische Bearbeitungsvorrichtung und thermisches Bearbeitungsverfahren |
| US6375350B1 (en) * | 2000-08-08 | 2002-04-23 | Quantum Logic Corp | Range pyrometer |
-
2000
- 2000-09-26 JP JP2000293023A patent/JP4698807B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-09-26 US US09/962,851 patent/US6641302B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1055974A (ja) * | 1994-12-19 | 1998-02-24 | Applied Materials Inc | 基板温度測定のための方法及び装置 |
| JPH1140510A (ja) * | 1997-07-16 | 1999-02-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 温度計測装置および温度計測方法ならびに基板熱処理装置 |
| JPH1197367A (ja) * | 1997-09-17 | 1999-04-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板熱処理装置およびそれを用いた基板熱処理方法 |
| JPH1197368A (ja) * | 1997-09-17 | 1999-04-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置およびそれを用いた基板処理方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007523466A (ja) * | 2003-10-27 | 2007-08-16 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 合わせられた温度の均一性 |
| JP2009510262A (ja) * | 2005-09-30 | 2009-03-12 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 温度および放射率／パターン補償を含む膜形成装置および方法 |
| US8372203B2 (en) | 2005-09-30 | 2013-02-12 | Applied Materials, Inc. | Apparatus temperature control and pattern compensation |
| KR101354140B1 (ko) | 2008-02-27 | 2014-01-22 | 소이텍 | Ｃｖｄ 반응기 내에서 가스 전구체들의 열화 |
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