JP2002110051A - プラズマディスプレイパネル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 誤放電を防止して表示画像の品質を向上させ
ることができるプラズマディスプレイパネルを提供す
る。 【解決手段】 前面ガラス基板１０の背面側に、行方向
に延び列方向に並設されてそれぞれ表示ラインを形成す
る複数の行電極対（Ｘ，Ｙ）とこの行電極対（Ｘ，Ｙ）
を被覆する誘電体層１１とこの誘電体層１１を被覆する
保護層１２が設けられ、背面ガラス基板１３の前面ガラ
ス基板１０と放電空間Ｓを介して対向する側に、列方向
に延び行方向に並設されて行電極対（Ｘ，Ｙ）と交差す
る位置においてそれぞれ放電空間Ｓに放電セルＣを構成
する複数の列電極Ｄが設けられたプラズマディスプレイ
パネルにおいて、列方向または行方向に隣接する放電セ
ルＣの間に放電空間Ｓに接するプライミング粒子生成層
１９が形成されている

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、マトリクス表示
方式のプラズマディスプレイパネルに関する。

【０００２】

【発明が解決しようとする課題】近年、大型でかつ薄型
のカラー画面表示装置として、マトリクス表示方式のプ
ラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰという）が注
目を集めている。このようなマトリクス表示方式のディ
スプレイパネルとしては、ＡＣ型のＰＤＰが知られてい
る。

【０００３】このＡＣ型のＰＤＰは、前面基板の内面に
それぞれ一表示ラインを構成するように形成された複数
の行電極対と、前面基板と放電空間を介して対向する背
面基板の内面に形成されて行電極対と直交する方向に配
列された複数の列電極とを備えており、行電極対と列電
極との各交差点において、互いにマトリクス状に配列さ
れた放電セルが形成される構造になっている。

【０００４】そして、これらの行電極対と列電極が放電
空間に対して誘電体層によって被覆され、また、背面基
盤の内面の列電極上に蛍光体層が形成されている。

【０００５】このようなＰＤＰにおいて中間調を表示さ
せるための方法として、従来、１フィールドの表示期間
をＮビットの表示データの各ビット桁の重み付けに対応
した回数だけ発光するＮ個のサブフィールドに分割す
る、いわゆる、サブフイールド法が知られている。

【０００６】このサブフイールド法において、各サブフ
ィールドは、図２４に示されるように、それぞれ、一斉
リセット期間Ｒｃとアドレス期間Ｗｃ，維持放電期間Ｉ
ｃによって構成されている。

【０００７】先ず、一斉リセット期間Ｒｃでは、互いに
対をなす行電極Ｘ_1-nとＹ_1-n間にリセットパルスＲＰ
ｘ，ＲＰｙが一斉に印加されることによって、全ての放
電セルにおいて一斉に放電が行われ、これによって、一
旦、各放電セル内に所定量の壁電荷が形成される。

【０００８】次のアドレス期間Ｗｃでは、行電極対の一
方の行電極Ｙ_1-nに、順次、走査パルスＳＰが印加され
るとともに、列電極Ｄ_1-mに、各表示ライン毎に表示デ
ータに対応した表示データパルスＤＰ_1-nが印加され
て、選択放電（選択消去放電）が生起される。

【０００９】このとき、各放電セルは、表示データに対
応して、消去放電が発生されずに壁電荷が形成されたま
まの発光セルと、消去放電が発生して壁電荷が消滅した
非発光セルとに分けられる。

【００１０】次の維持発光期間Ｉｃでは、互いに対をな
す行電極Ｘ_1-nとＹ_1-n間に維持パルスＩＰｘ，ＩＰｙが
各サブフィールドの重み付けに対応した数だけ印加さ
れ、これによって、壁電荷が残留したままの発光セルの
みが、印加される維持パルスＩＰｘ，ＩＰｙの数に対応
した数だけ維持放電を繰り返す。

【００１１】そして、前面基板と背面基板の間の放電空
間内には、キセノンＸｅを５体積パーセントだけ含むＮ
ｅ−Ｘｅガスが封入されており、維持放電によってキセ
ノンＸｅから波長１４７ｎｍの真空紫外線が放射され
る。

【００１２】ＰＤＰにおける画像表示は、この真空紫外
線により背面基板上に形成された蛍光体層が励起されて
可視光が発生されることにより行われる。

【００１３】ここで、上記のようなＰＤＰは、サブフイ
ールド法の一斉リセット期間Ｒｃにおけるリセット放電
によって全ての放電セルの放電空間内にプライミング粒
子（荷電粒子）が形成されるが、このプライミング粒子
は時間の経過とともに減少してゆくために、一斉リセッ
トが動作された後、次の選択動作が行われる（走査パル
スＳＰが印加される）までの時間間隔が長くなってしま
う表示ライン（例えば、最終走査ラインとなるｎ行目の
表示ライン）ほどプライミング粒子が少なくなってしま
う。

【００１４】このため、このようなプライミング粒子が
少ない放電セルにおいては、放電遅れ時間が増大した
り、また、放電遅れ時間のばらつきが増大したりするた
めに、アドレス期間Ｗｃにおける選択放電動作が不安定
になって誤放電が生じ易くなり、このために、ディスプ
レイに形成される画像の品質が悪化するという問題があ
る。

【００１５】また、この問題の解決のために走査パルス
ＳＰのパルス幅を広くした場合には、階調不足などの問
題が生じる虞がある。

【００１６】この発明は、上記のような従来のプラズマ
ディスプレイパネルにおける問題点を解決するために為
されたものである。すなわち、この発明は、誤放電を防
止して表示画像の品質を向上させることができるプラズ
マディスプレイパネルを提供することを目的としてい
る。

【００１７】

【課題を解決するための手段】第１の発明によるプラズ
マディスプレイパネルは、上記目的を達成するために、
前面基板の背面側に、行方向に延び列方向に並設されて
それぞれ表示ラインを形成する複数の行電極対とこの行
電極対を被覆する誘電体層とこの誘電体層を被覆する保
護誘電体層が設けられ、背面基板の前面基板と放電空間
を介して対向する側に、列方向に延び行方向に並設され
て行電極対と交差する位置においてそれぞれ放電空間に
単位発光領域を構成する複数の列電極が設けられたプラ
ズマディスプレイパネルにおいて、列方向または行方向
に隣接する単位発光領域の間に放電空間に接するプライ
ミング粒子生成手段が配置されていることを特徴として
いる。

【００１８】この第１の発明によれば、プライミング粒
子生成手段が設けられることにより、一斉リセット期間
の次に続くアドレス期間におけるプライミング粒子量が
十分に確保され、これによって、誤放電の発生が防止さ
れて表示画像の品質の向上を図ることができる。

【００１９】第２の発明によるプラズマディスプレイパ
ネルは、上記目的を達成するために、第１の発明の構成
に加えて、前記プライミング粒子生成手段が、０．１ｍ
ｓｅｃ以上の残光特性を有する紫外域発光材料または可
視域発光材料によって形成されていることを特徴として
おり、これによって、一斉リセット期間の次に続くアド
レス期間の間プライミング粒子の発生が継続されるの
で、誤放電の発生防止と表示画像の品質の向上が十分に
図られる。

【００２０】第３の発明によるプラズマディスプレイパ
ネルは、上記目的を達成するために、第２の発明の構成
に加えて、前記プライミング粒子生成手段が、前記保護
誘電体層を形成する誘電体よりも仕事関数が低い材料を
含んでいることを特徴としており、これによって、プラ
イミング粒子生成手段が励起されて放射される紫外光ま
たは可視光が、保護誘電体層とともにプライミング粒子
生成手段に含有されている保護誘電体層を形成する誘電
体よりも仕事関数が低い材料を励起してプライミング粒
子を放出させるので、アドレス期間におけるプライミン
グ粒子量がさらに十分に確保される。

【００２１】第４の発明によるプラズマディスプレイパ
ネルは、上記目的を達成するために、第１の発明の構成
に加えて、前記前面基板と前記背面基板との間に配置さ
れて列方向に延びる縦壁部と行方向に延びる横壁部によ
って前記放電空間を前記単位発光領域毎に行方向と列方
向に区画する隔壁を備え、列方向において互いに隣接す
る前記単位発光領域の間の横壁部が行方向と平行な隙間
によって分離されており、前記隙間内と列方向に隣接す
る単位発光領域の放電空間内とが連通部によって互いに
連通されており、前記隙間内にプライミング粒子生成手
段が配置されていることを特徴としている。

【００２２】この第４の発明によるプラズマディスプレ
イパネルは、列方向に延びる縦壁部と行方向に延びる横
壁部を有する隔壁によって、前面基板と背面基板の間の
放電空間が単位発光領域毎に区画される。

【００２３】そして、互いに隣接する行に沿って並ぶ単
位発光領域の間の横壁部が行方向と平行な隙間によって
分離され、この分離された横壁間の隙間内が連通部によ
って列方向に隣接する単位発光領域の放電空間内にそれ
ぞれ連通されているとともに、この隙間内にプライミン
グ粒子生成手段が配置されていて、このプライミング粒
子生成手段が連通部を介して単位発光領域の放電空間内
に接している。

【００２４】従って、この第４の発明によれば、列方向
において互いに隣接する単位発光領域の間が隔壁の横壁
部によって閉じられている場合でも、単位発光領域にお
いて発生する放電にともなう横壁間の隙間内における放
電によって生じたプライミング粒子が、連通部を介し
て、列方向において隣接している単位発光領域内に拡散
して放電を誘発し、これによって、列方向において隣接
する単位発光領域間におけるプライミング効果が確保さ
れる。

【００２５】そしてさらに、リセット操作時のリセット
放電が行われる際に、放電空間内に封入された放電ガス
に含まれるキセノンから放射される真空紫外線が、横壁
間の隙間内に形成されたプライミング粒子生成層を励起
し、このプライミング粒子生成層から放射される紫外光
または可視光によって保護誘電体層を励起して、プライ
ミング粒子を放出させるので、アドレス期間におけるプ
ライミング粒子量が十分に確保され、これによって、誤
放電の発生が防止されて表示画像の品質の向上を図るこ
とができる。

【００２６】第５の発明によるプラズマディスプレイパ
ネルは、第４の発明の構成に加えて、前記隔壁の横壁部
および隙間に対向する誘電体層の部分に、横壁部側に張
り出すように形成された嵩上げ部が設けられていること
を特徴としており、これによって、列方向に隣接する単
位発光領域間における誤放電が防止される。

【００２７】第６の発明によるプラズマディスプレイパ
ネルは、上記目的を達成するために、第５の発明の構成
に加えて、前記嵩上げ部に前記連通部が形成されている
ことを特徴としており、この連通部を介して横壁間の隙
間内に形成されたプライミング粒子生成層が単位発光領
域内の放電空間に接して、リセット放電の際に放射され
る真空紫外線によって励起される。

【００２８】第７の発明によるプラズマディスプレイパ
ネルは、上記目的を達成するために、第４の発明の構成
に加えて、前記連通部が、隔壁の横壁部に形成されてい
ることを特徴としており、この連通部を介して横壁間の
隙間内に形成されたプライミング粒子生成層が単位発光
領域内の放電空間に接して、リセット放電の際に放射さ
れる真空紫外線によって励起される。

【００２９】第８の発明によるプラズマディスプレイパ
ネルは、上記目的を達成するために、第１の発明の構成
に加えて、前記誘電体層の前記隙間に対向する部分に光
吸収層が設けられていることを特徴としており、これに
よって、非表示ラインにおける外光の反射が防止されて
コントラストの向上が図られるとともに、隙間内におい
て列電極と行電極間にプライミングのための放電が発生
しても、その光が画像のコントラストに悪影響を与える
虞はない。

【００３０】第９の発明によるプラズマディスプレイパ
ネルは、上記目的を達成するために、第４の発明の構成
に加えて、前記隔壁の横壁部の前記前面基板側が部分的
に縦壁部の高さよりも高くなっていて、この横壁部の縦
壁部の高さよりも高くなっている部分の間に溝が形成さ
れて前記連通部が構成されることを特徴としており、こ
の溝によって、横壁間の隙間内の空間が単位発光領域の
放電空間内に連通される。

【００３１】第１０の発明によるプラズマディスプレイ
パネルは、上記目的を達成するために、第９の発明の構
成に加えて、前記横壁部の縦壁部の高さよりも高くなっ
ている部分の少なくとも前記溝に接する部分にプライミ
ング粒子生成手段が配置されていることを特徴としてお
り、これによって、リセット操作時のリセット放電が行
われる際に、横壁部の縦壁部の高さよりも高くなってい
る部分に配置されたプライミング粒子生成手段が、放電
ガスに含まれるキセノンから放射される真空紫外線によ
って励起され、このプライミング粒子生成手段から放射
される紫外光または可視光によって保護誘電体層が励起
されて、プライミング粒子が放出される。

【００３２】第１１の発明によるプラズマディスプレイ
パネルは、上記目的を達成するために、第１０の発明の
構成に加えて、前記プライミング粒子生成手段が、０．
１ｍｓｅｃ以上の残光特性を有する紫外域発光材料また
は可視域発光材料によって形成されていることを特徴と
しており、これによって、一斉リセット期間の次に続く
アドレス期間の間プライミング粒子の発生が継続される
ので、誤放電の防止と表示画像の品質の向上が十分に図
られる。

【００３３】第１２の発明によるプラズマディスプレイ
パネルは、上記目的を達成するために、第１１の発明の
構成に加えて、前記プライミング粒子生成手段が、前記
保護誘電体層を形成する誘電体よりも仕事関数が低い材
料を含んでいることを特徴としており、これによって、
プライミング粒子生成手段が励起されて放射される紫外
光または可視光が、保護誘電体層とともにプライミング
粒子生成手段に含有されている保護誘電体層を形成する
誘電体よりも仕事関数が低い材料を励起してプライミン
グ粒子を放出させるので、アドレス期間におけるプライ
ミング粒子量がさらに十分に確保される。

【００３４】第１３の発明によるプラズマディスプレイ
パネルは、上記目的を達成するために、第１の発明の構
成に加えて、列方向に隣接する単位発光領域の境界部分
と対向する前記誘電体層の部分に放電空間内に張り出す
ように形成された嵩上げ部が設けられて、この嵩上げ部
の放電空間に接する部分にプライミング粒子生成手段が
配置されていることを特徴としており、この嵩上げ部に
よって、列方向において隣接する単位発光領域間で誤放
電が発生するのが防止されるとともに、この嵩上げ部に
配置されたプライミング粒子生成手段が、リセット操作
時のリセット放電の際に放電ガスに含まれるキセノンか
ら放射される真空紫外線によって励起され、このプライ
ミング粒子生成手段から放射される紫外光または可視光
によって保護誘電体層が励起されて、プライミング粒子
が放出される。

【００３５】第１４の発明によるプラズマディスプレイ
パネルは、上記目的を達成するために、第１３の発明の
構成に加えて、前記プライミング粒子生成手段に対向す
る誘電体層の部分に、光吸収層が設けられていることを
特徴としており、これによって、非表示ラインにおける
外光の反射が防止されてコントラストの向上が図られ
る。

【００３６】第１５の発明によるプラズマディスプレイ
パネルは、上記目的を達成するために、第１の発明の構
成に加えて、前記前面基板と前記背面基板との間に配置
されて少なくとも行方向に隣接する単位発光領域の間を
区画する隔壁を備え、この隔壁の前面基板と対向する前
面側に、放電空間に面するプライミング粒子生成手段が
配置されていることを特徴としており、この隔壁によっ
て、行方向において隣接する単位発光領域間で誤放電が
発生するのが防止されるとともに、この隔壁に配置され
たプライミング粒子生成手段が、リセット操作時のリセ
ット放電の際に放電ガスに含まれるキセノンから放射さ
れる真空紫外線によって励起され、このプライミング粒
子生成手段から放射される紫外光または可視光によって
保護誘電体層が励起されて、プライミング粒子が放出さ
れる。

【００３７】第１６の発明によるプラズマディスプレイ
パネルは、上記目的を達成するために、第１３または１
５の発明の構成に加えて、前記プライミング粒子生成手
段が、０．１ｍｓｅｃ以上の残光特性を有する紫外域発
光材料または可視域発光材料によって形成されているこ
とを特徴としており、これによって、一斉リセット期間
の次に続くアドレス期間の間プライミング粒子の発生が
継続されるので、誤放電の発生の防止と表示画像の品質
の向上が十分に図られる。

【００３８】第１７の発明によるプラズマディスプレイ
パネルは、上記目的を達成するために、第１６の発明の
構成に加えて、前記プライミング粒子生成手段が、前記
保護誘電体層を形成する誘電体よりも仕事関数が低い材
料を含んでいることを特徴としており、これによって、
プライミング粒子生成手段が励起されて放射される紫外
光または可視光が、保護誘電体層とともにプライミング
粒子生成手段に含有されている保護誘電体層を形成する
誘電体よりも仕事関数が低い材料を励起してプライミン
グ粒子を放出させるので、アドレス期間におけるプライ
ミング粒子量がさらに十分に確保される。

【００３９】第１８の発明によるプラズマディスプレイ
パネルは、上記目的を達成するために、第４の発明の構
成に加えて、前記隔壁の横壁部の前記前面基板側が部分
的に縦壁部の高さよりも高くなっていて、この横壁部の
縦壁部の高さよりも高くなっている部分の間に溝が形成
され、この溝内にプライミング粒子生成手段が配置され
ていることを特徴としており、この溝内に配置されたプ
ライミング粒子生成手段によって生成されるプライミン
グ粒子により、アドレス期間におけるプライミング粒子
量が十分に確保される。

【００４０】第１９の発明によるプラズマディスプレイ
パネルは、上記目的を達成するために、第１８の発明の
構成に加えて、前記プライミング粒子生成手段が、０．
１ｍｓｅｃ以上の残光特性を有する紫外域発光材料また
は可視域発光材料によって形成されていることを特徴と
しており、これによって、一斉リセット期間の次に続く
アドレス期間の間プライミング粒子の発生が継続される
ので、誤放電の発生の防止と表示画像の品質の向上が十
分に図られる。

【００４１】第２０の発明によるプラズマディスプレイ
パネルは、上記目的を達成するために、第１９の発明の
構成に加えて、前記プライミング粒子生成手段が、前記
保護誘電体層を形成する誘電体よりも仕事関数が低い材
料を含んでいることを特徴としており、これによって、
プライミング粒子生成手段が励起されて放射される紫外
光または可視光が、保護誘電体層とともにプライミング
粒子生成手段に含有されている保護誘電体層を形成する
誘電体よりも仕事関数が低い材料を励起してプライミン
グ粒子を放出させるので、アドレス期間におけるプライ
ミング粒子量がさらに十分に確保される。

【００４２】第２１の発明によるプラズマディスプレイ
パネルは、上記目的を達成するために、第１の発明の構
成に加えて、前記放電空間に封入される放電ガスが、キ
セノンガスを１０パーセント以上含む混合希ガスからな
ることを特徴としている。

【００４３】この第２１の発明によるプラズマディスプ
レイパネルによれば、プライミング粒子生成手段を設け
ることによりキセノンガスの分圧の上昇によって選択放
電の遅れ時間が長くなるのを抑制しながら、そのキセノ
ンガスの分圧を１０パーセント以上に設定することによ
って、キセノンから放射される真空紫外線量の増加によ
る発光効率の増大を図ることが出来る。

【００４４】第２２の発明によるプラズマディスプレイ
パネルは、上記目的を達成するために、第２または１
１，１６，１９の発明の構成に加えて、前記プライミン
グ粒子生成手段が、仕事関数が４．２ｅＶ以下の材料を
含むことを特徴としている。

【００４５】この第２２の発明によるプラズマディスプ
レイパネルによれば、プライミング粒子生成手段を設け
ることによるプライミング効果が一層発揮され、リセッ
ト放電からの休止時間の経過にともなう選択放電の遅れ
や放電確率の悪化が防止される。

【００４６】

【発明の実施の形態】以下、この発明の最も好適と思わ
れる実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説
明を行う。

【００４７】図１ないし６は、この発明によるプラズマ
ディスプレイパネル（以下、ＰＤＰという）の実施形態
の第１の例を示すものであって、図１はこの第１の例に
おけるＰＤＰを模式的に表す平面図であり、図２は図１
のＶ１−Ｖ１線における断面図、図３は図１のＶ２−Ｖ
２線における断面図、図４は図１のＷ１−Ｗ１線におけ
る断面図、図５は図１のＷ２−Ｗ２線における断面図、
図６は図１のＷ３−Ｗ３線における断面図である。

【００４８】この図１ないし６に示されるＰＤＰは、表
示面である前面ガラス基板１０の背面に、複数の行電極
対（Ｘ，Ｙ）が、前面ガラス基板１０の行方向（図１の
左右方向）に延びるように平行に配列されている。

【００４９】行電極Ｘは、Ｔ字形状に形成されたＩＴＯ
等の透明導電膜からなる透明電極Ｘａと、前面ガラス基
板１０の行方向に延びて透明電極Ｘａの狭小の基端部に
接続された金属膜からなるバス電極Ｘｂによって構成さ
れている。

【００５０】行電極Ｙも同様に、Ｔ字形状に形成された
ＩＴＯ等の透明導電膜からなる透明電極Ｙａと、前面ガ
ラス基板１０の行方向に延びて透明電極Ｙａの狭小の基
端部に接続された金属膜からなるバス電極Ｙｂによって
構成されている。

【００５１】この行電極ＸとＹは、前面ガラス基板１０
の列方向（図１の上下方向）に交互に配列されており、
バス電極ＸｂとＹｂに沿って並列されたそれぞれの透明
電極ＸａとＹａが、互いに対となる相手の行電極側に延
びて、透明電極ＸａとＹａの幅広部の頂辺が、それぞれ
所要の幅の放電ギャップｇを介して互いに対向されてい
る。

【００５２】バス電極Ｘｂ，Ｙｂは、それぞれ表示面側
の黒色導電層Ｘｂ’，Ｙｂ’と背面側の主導電層Ｘ
ｂ”，Ｙｂ”の二層構造に形成されている。

【００５３】前面ガラス基板１０の背面には、列方向に
おいて隣接する行電極対（Ｘ，Ｙ）のそれぞれの互いに
背中合わせになったバス電極ＸｂとＹｂの間に、このバ
ス電極Ｘｂ，Ｙｂに沿って行方向に延びる黒色の光吸収
層（遮光層）１７Ａが形成されており、さらに、後述す
る隔壁１８の縦壁１８ａに対向する部分に、光吸収層
（遮光層）１７Ｂが形成されている。

【００５４】さらに、前面ガラス基板１０の背面には、
行電極対（Ｘ，Ｙ）を被覆するように誘電体層１１が形
成されており、この誘電体層１１の背面には、互いに隣
接する行電極対（Ｘ，Ｙ）の隣り合うバス電極Ｘｂおよ
びＹｂと対向する位置及び隣り合うバス電極Ｘｂとバス
電極Ｙｂの間の領域と対向する位置に、誘電体層１１の
背面側に突出する嵩上げ誘電体層１１Ａが、バス電極Ｘ
ｂ，Ｙｂと平行に延びるように形成されている。

【００５５】そして、この誘電体層１１と嵩上げ誘電体
層１１Ａの背面側には、ＭｇＯからなる保護層１２が形
成されている。

【００５６】一方、前面ガラス基板１０と平行に配置さ
れた背面ガラス基板１３の表示側の面上には、列電極Ｄ
が、各行電極対（Ｘ，Ｙ）の互いに対となった透明電極
ＸａおよびＹａに対向する位置において行電極対（Ｘ，
Ｙ）と直交する方向（列方向）に延びるように、互いに
所定の間隔を開けて平行に配列されている。

【００５７】背面ガラス基板１３の表示側の面上には、
さらに、列電極Ｄを被覆する白色の誘電体層１４が形成
され、この誘電体層１４上に、隔壁１８が形成されてい
る。

【００５８】この隔壁１８は、互いに平行に配列された
各列電極Ｄの間の位置において列方向に延びる縦壁１８
ａと、嵩上げ誘電体層１１Ａに対向する位置において行
方向に延びる横壁１８ｂとによって梯子状に形成されて
おり、この梯子状の隔壁１８によって、前面ガラス基板
１０と背面ガラス基板１３の間の放電空間Ｓが、各行電
極対（Ｘ，Ｙ）において対となった透明電極ＸａとＹａ
に対向する部分毎に区画されて、それぞれ方形の放電セ
ルＣが形成されている。

【００５９】この放電空間Ｓを区画する隔壁１８の横壁
１８ｂは、表示ライン間の光吸収層１７Ａと重なる位置
に設けられた隙間ＳＬによって列方向に分離されてい
る。

【００６０】すなわち、隔壁１８は、表示ライン（行）
Ｌ方向に沿って梯子状に形成され、列方向において表示
ラインＬに沿って延びる隙間ＳＬを介して互いに平行に
なるように配置されている。

【００６１】そして、この表示ラインＬ間に設けられた
隙間ＳＬによって分割された横壁１８ｂの各部分１８
ｂ’の幅は、それぞれ縦壁１８ａの幅と略同一になるよ
うに隙間ＳＬの幅が設定されている。

【００６２】放電空間Ｓに面する隔壁１８の縦壁１８ａ
および横壁１８ｂの側面と誘電体層１４の表面には、こ
れらの五つの面を全て覆うように蛍光体層１６が形成さ
れており、この蛍光体層１６の色は、各放電セルＣ毎に
Ｒ，Ｇ，Ｂの色が行方向に順に並ぶように設定されてい
る（図４参照）。

【００６３】そして、放電セルＣ内には、キセノンガス
を１０パーセント以上含む混合希ガスからなる放電ガス
が封入されている。

【００６４】嵩上げ誘電体層１１Ａは、この嵩上げ誘電
体層１１Ａを被覆している保護層１２が隔壁１８の横壁
１８ｂ’の表示側の面に当接される（図５参照）ことに
よって、列方向において隣接する放電セルＣの間をそれ
ぞれ閉じているが、この嵩上げ誘電体層１１Ａには、図
１において隔壁１８の縦壁１８ａと同列に並ぶ位置に、
列方向に延びて両端部が嵩上げ誘電体層１１Ａの上下の
壁面に開口されるとともに背面側が解放された溝１１Ａ
ａ（図５および６参照）が形成されていて、この溝１１
Ａａを介して各放電セルＣが、列方向に並設された隔壁
１８の横壁１８ｂ’間の隙間ＳＬにそれぞれ連通されて
いる。

【００６５】また、隔壁１８の縦壁１８ａの表示側の面
は保護層１２に当接されておらず（図４参照）、その間
に隙間ｒが形成されていて、行方向において隣接する放
電セルＣがこの隙間ｒを介して互いに連通されている。

【００６６】隔壁１８の横壁１８ｂ’間に形成された隙
間ＳＬ内には、その内壁面を覆うように、プライミング
粒子生成層（プライミング粒子生成手段）１９が形成さ
れている。

【００６７】このプライミング粒子生成層１９は、例え
ば、０、１ｍｓｅｃ以上の残光特性を有する紫外域発光
材料または可視域発光材料によって形成されている。

【００６８】そして、この紫外域発光材料または可視域
発光材料によって形成されたプライミング粒子生成層１
９には、保護層１２を形成する誘電体（ＭｇＯ）と２次
電子放出係数が同じかそれよりも２次電子放出係数が高
い（仕事関数が低い）材料（高γ材料）、すなわち、仕
事関数が４．２Ｖ以下の材料を含有させるようにしても
良い。

【００６９】この仕事関数が低く絶縁性を有する材料と
しては、アルカリ金属の酸化物（例えば、Ｃｓ₂Ｏ：仕
事関数２．３ｅＶ）やアルカリ土類金属の酸化物（例え
ば、ＣａＯ，ＳｒＯ，ＢａＯ），弗化物（例えば、Ｃａ
Ｆ₂，ＭｇＦ₂），結晶欠陥や不純物などによって結晶内
に不純物順位を導入して２次電子放出係数を高めた材料
（例えば、ＭｇＯｘのようにＭｇ：Ｏの組成比を１：１
から変えて結晶欠陥を導入したもの），ＴｉＯ_2,Ｙ₂Ｏ₃
などが挙げられる。

【００７０】また、放電によって放電ガスに含まれるキ
セノンから放射される波長１４７ｎｍの真空紫外線によ
って励起されることにより０．１ｍｓｅｃ以上、好まし
くは１．０ｍｓｅｃ以上（すなわち、アドレス期間Ｗｃ
の時間長以上）の紫外線を放射し続けるような残光特性
を有する紫外域発光材料としては、ＢａＳｉ₂Ｏ₅：Ｐｂ
²⁺（発光波長：３５０ｎｍ）やＳｒＢ₄Ｏ₇Ｆ：Ｅｕ
²⁺（発光波長：３６０ｎｍ），（Ｂａ，Ｍｇ，Ｚｎ）₃
Ｓｉ₂Ｏ₇：Ｐｂ²⁺（発光波長：２９５ｎｍ），ＹＦ₃：
Ｇｄ，Ｐｒなどが挙げられる。

【００７１】また、放電によって放電ガスに含まれるキ
セノンから放射される波長１４７ｎｍの真空紫外線によ
って励起されることにより０．１ｍｓｅｃ以上、好まし
くは１．０ｍｓｅｃ以上の残光特性を有する可視域発光
材料としては、赤色（Ｙ，Ｇｄ）ＢＯ₃：Ｅｕや緑色Ｚ
ｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎの蛍光体材料などが挙げられる。

【００７２】上記のＰＤＰは、行電極対（Ｘ，Ｙ）がそ
れぞれマトリクス表示画面の１表示ライン（行）Ｌを構
成している。

【００７３】このＰＤＰにおける画像の形成は、従来の
ＰＤＰと同様に、先ず、全放電セルにおいて列電極Ｄと
行電極ＸまたはＹの間でリセット放電を行い、全放電セ
ルＣの誘電体層１１の表面上に壁電荷を形成する。

【００７４】次に、アドレス操作により、各放電セルＣ
において行電極対（Ｘ，Ｙ）と列電極Ｄとの間で選択的
に対向放電が行われ、全表示ラインＬに点灯セル（誘電
体層１１の壁電荷が消去されなかった放電セルＣ）と消
灯セル（誘電体層１１の壁電荷が消去された放電セル
Ｃ）とが、表示する画像に対応して、パネル上に分布さ
れる。

【００７５】このアドレス操作の後、全表示ラインＬに
おいて一斉に、行電極対（Ｘ，Ｙ）に対して交互に放電
維持パルスが印加され、この放電維持パルスが印加され
る毎に、各点灯セルにおいて互いに対向する透明電極Ｘ
ａとＹａとの間で面放電が発生される。

【００７６】以上のようにして、点灯セルにおける面放
電により紫外線が発生され、放電空間Ｓ内のＲ，Ｇ，Ｂ
の各蛍光体層１６がそれぞれ励起されて発光することに
より、表示する画像が形成される。

【００７７】上記ＰＤＰは、隔壁１８の縦壁１８ａの表
示側の面と誘電体層１１を被覆する保護層１２との間に
形成された隙間ｒによって、各放電セルＣへの放電ガス
の封入や放電セルＣからの放電ガスの排気が行われ、さ
らに、行方向において隣接する放電セルＣ間において連
鎖的に放電を生じさせるプライミング効果が確保され
る。

【００７８】そして、列方向において互いに隣接する放
電セルＣの間は、嵩上げ誘電体層１１Ａによって閉塞さ
れていることによって、画像形成のための放電が列方向
に隣接する他の放電セルＣに広がって誤放電が生じるの
が防止されるが、各放電セルＣは、この嵩上げ誘電体層
１１Ａに形成されている溝１１Ａａによってそれぞれ横
壁１８ｂに形成された隙間ＳＬ内に連通されており、こ
の溝１１Ａａを介して隙間ＳＬから列方向に並んでいる
放電セルＣにプライミング粒子（種火）が導入されるこ
とによって、列方向における上記の行方向におけるよう
なプライミング効果が確保される。

【００７９】すなわち、列電極Ｄと行電極ＸまたはＹ間
に、リセット操作時のリセット放電（全放電セルＣに一
旦壁電荷を形成させるための放電）と、アドレス操作時
の選択放電（リセット放電によって形成された壁電荷を
表示画像データに応じて選択的に消去する放電）を発生
させるための駆動パルス（図２１のリセット操作時に列
電極Ｄと行電極ＸまたはＹに印加されるリセットパルス
ＲＰｘ，ＲＰｙ、および、アドレス操作時に行電極Ｘ，
Ｙの一方に印加される走査パルスＳＰ，列電極Ｄに印加
される表示データパルスＤＰ１−ｎ）が印加される際
に、嵩上げ誘電体層１１Ａが形成されている部分では列
電極Ｄと行電極Ｘ，Ｙ間の放電距離が短くなっていて放
電が生じ易くなっていることにより、隙間ＳＬ内におい
て列電極Ｄと行電極Ｘ，Ｙとの間に放電が発生する。

【００８０】そして、この隙間ＳＬ内における放電によ
って生じたプライミング粒子（種火）が溝１１Ａａを介
して列方向に隣接している放電セルＣ内に拡散すること
により、隣接する放電セルＣ間で放電を誘発させるプラ
イミング効果を発生させる。

【００８１】さらに、リセット放電の際に放電ガスに含
まれるキセノンから放射される波長１４７ｎｍの真空紫
外線が、溝１１Ａａを介して隙間ＳＬ内に導かれて、こ
の隙間ＳＬ内に形成された紫外域発光材料または可視域
発光材料によるプライミング粒子生成層１９を励起し
て、このプライミング粒子生成層１９から紫外光または
可視光を放射させ、そして、この紫外光または可視光が
保護層（ＭｇＯ層）１２を励起して、プライミング粒子
を放出させる。

【００８２】また、このプライミング粒子生成層１９を
形成する紫外域発光材料または可視域発光材料に誘電体
（ＭｇＯ）と同程度かそれよりも仕事関数が低い材料
（仕事関数が４．２Ｖ以下の材料）が含有される場合、
リセット放電の際に放電ガスに１０パーセント以上含ま
れるキセノンから放射される波長１４７ｎｍの真空紫外
線が、溝１１Ａａを介して隙間ＳＬ内に導かれて、プラ
イミング粒子生成層１９を励起することにより紫外光ま
たは可視光を放射させ、そして、この紫外光または可視
光が、プライミング粒子生成層１９に含有されている高
γ材料と保護層（ＭｇＯ層）１２を励起して、プライミ
ング粒子を放出させる。

【００８３】以上のようにして、隙間ＳＬ内のプライミ
ング粒子生成層１９を形成する紫外域発光材料または可
視域発光材料の残光特性によって、少なくとも０．１ｍ
ｓｅｃ以上の間、紫外光または可視光が放射し続けられ
るため、一斉リセット期間Ｒｃの次に続くアドレス期間
Ｗｃ（図２４参照）におけるプライミング粒子量が十分
に確保される。

【００８４】さらに、この第１の例において、放電ガス
として、キセノンガスを１０パーセント以上含む混合希
ガスが用いられ、このキセノンガスの分圧を高められる
ことによって、キセノンから放射される真空紫外線量の
増加により発光効率が増大されるとともに、紫外域発光
材料を含有したプライミング粒子生成層２０ｂ２’が設
けられることにより、キセノンガスの分圧が高くなるの
にともなって放電電圧が高くなって選択放電の遅れ時間
が長くなるのが抑制される。

【００８５】なお、上記においては、放電セルＣ内の放
電空間と隙間ＳＬ内の放電空間を連通する溝が嵩上げ誘
電体層１１Ａに形成されている例が示されているが、こ
れに限らず、溝を隔壁の横壁部に設けて、放電セルＣ内
の放電空間と隙間ＳＬ内の放電空間を連通するようにし
ても良い。

【００８６】また、上記例においては、非表示ラインで
あるバス電極ＸｂとＹｂに挟まれた領域に黒色または暗
褐色の光吸収層１７Ａが設けられており、さらに、バス
電極ＸｂとＹｂの表示面側がそれぞれ黒色導電層Ｘ
ｂ’，Ｙｂ’によって構成されていることによって、非
表示ラインにおける外光の反射が防止されてコントラス
トの向上が図られるとともに、隙間ＳＬ内において列電
極Ｄと行電極Ｘ，Ｙ間にプライミングのための放電が発
生しても、その光が画像のコントラストに悪影響を与え
る虞はない。

【００８７】また、上記例においては、放電空間Ｓを区
画する隔壁１８の横壁１８ｂが表示ラインＬ間に設けら
れた隙間ＳＬによって列方向に分離され、この分離され
た横壁１８ｂ’の幅が、それぞれ縦壁１８ａの幅と略同
一になるように設定されることによって、隔壁１８の焼
成時の収縮によるばらつきが少なくなり、これによっ
て、前面ガラス基板１０や背面ガラス基板１３の反りお
よび隔壁１８の破損などによる放電セル形状の変形が生
じる虞がなくなる。

【００８８】次に、この発明の実施形態における第２の
例を、図７ないし１２に基づいて説明する。

【００８９】図７ないし９はこの第２の例のＰＤＰにお
ける隔壁構造を示しており、図７はこの例における隔壁
の正面図であり、図８（ａ）は図７のII−II線における
側断面図，図８（ｂ）は図８のIII−III線における側断
面図、図９は図７のIV−IV線における平断面図、図１０
はこの例におけるＰＤＰを模式的に表す平面図であり、
図１１は図１０のＶ３−Ｖ３線における断面図、図１２
は図１０のＶ４−Ｖ４線における断面図である。

【００９０】この例における隔壁２０は、等間隔にかつ
互いに平行に配列された縦方向に延びる複数の縦壁２０
ａと、この各縦壁２０ａの上端部間および下端部間にそ
れぞれ水平方向に掛け渡された一対の横壁２０ｂとによ
って、いわゆる梯子状に成形されている。

【００９１】そして、この隔壁２０の各横壁２０ｂは、
その縦壁２０ａの上端部または下端部に対向する部分
（縦壁２０ａと横壁２０ｂの連結部分２０ｂ１）の幅ａ
が縦壁２０ａの幅と同じになるように成形され、縦壁２
０ａの上端部または下端部間にそれぞれ位置する部分
（縦壁２０ａ間の架橋部分２０ｂ２）の上下方向の幅ｂ
が、連結部分２０ｂ１の幅ａよりも大きくなるように成
形されている。

【００９２】なお、図８および９中、１４は、背面ガラ
ス基板上に形成される誘電体層である。

【００９３】この隔壁２０は、誘電体層５上に形成され
た所要の厚さのガラス材料層が所定のパターンを有する
マスクを介したサンドブラスト処理によって切削された
後、このパターニングされたガラス材料層が焼成される
ことによって形成される。

【００９４】このとき、各横壁２０ｂは、その形状が連
結部分２０ｂ１の幅ａよりも架橋部分２０ｂ２の幅ｂの
方が大きくなるように成形されているので、この架橋部
分２０ｂ２によって横壁２０ｂが縦壁２０ａの焼成の際
に収縮することによって生じる引張力に対して耐久性を
備えることになり、これによって、誘電体層５によって
支持されている側と反対側の端部が縦壁２０ａの焼成時
の収縮による引張力によって引っ張られて内側に傾くの
が、防止される。

【００９５】また、横壁２０ｂの連結部分２０ｂ１の幅
ａが縦壁２０ａの幅と同じ大きさになるように成形され
ていることにより、焼成時の収縮によって縦壁２０ａに
発生する引張内部応力が緩和されるので、縦壁２０ａが
切断してしまうのが防止される。

【００９６】さらに、この横壁２０ｂにおける連結部分
２０ｂ１の幅ａと架橋部分２０ｂ２の幅ｂとの大きさの
違いによって、それぞれの部分の厚さ方向における収縮
に違いが生じ、図９に示されるように、横壁２０ｂの連
結部分２０ｂ１の厚さが幅が大きい架橋部分２０ｂ２の
厚さよりも小さくなって、連結部分２０ｂ１上に架橋部
分２０ｂ２によって挟まれた溝２０ｂ３がそれぞれ形成
される。

【００９７】このとき、架橋部分２０ｂ２の前面側（図
８および９の上方側）に、図１ないし６の例と同様の、
例えば、０、１ｍｓｅｃ以上の残光特性を有する紫外域
発光材料または可視域発光材料によるプライミング粒子
生成層２０ｂ２’が形成されることによって、この架橋
部分２０ｂ２の連結部分２０ｂ１の前面よりも前方側
（図８および９の上方側）に突出する部分がプライミン
グ粒子生成層２０ｂ２’によって構成される。

【００９８】このプライミング粒子生成層２０ｂ２’に
は、後述する保護層１２を形成する誘電体（ＭｇＯ）と
２次電子放出係数が同じかそれよりも高い２次電子放出
係数を有する（仕事関数が低い）材料（高γ材料）、す
なわち、仕事関数が４．２Ｖ以下の材料を含有させるよ
うにしても良い。

【００９９】この仕事関数が低く絶縁性を有する材料の
例としては、第１の例において前述したようなものが挙
げられる。 この隔壁２０の横壁２０ｂ上に形成される
溝２０ｂ３およびプライミング粒子生成層２０ｂ２’に
よって、以下に述べるように、ＰＤＰの列方向に配列さ
れた放電セル間において放電を誘発させるプライミング
効果が確保される。

【０１００】すなわち、図１０ないし１２に示されるよ
うに、上記隔壁２０は、図１ないし６のＰＤＰと同様
に、誘電体層１４上に、それぞれ行方向に延びる隙間Ｓ
Ｌ’によって互いに所定の間隔を開けた状態で列方向に
複数配列されており、この梯子状の各隔壁２０によっ
て、前面ガラス基板１０と背面ガラス基板１３の間の放
電空間Ｓが、各行電極対（Ｘ，Ｙ）において対となった
透明電極ＸａとＹａに対向する部分毎に放電セルＣが区
画されている。

【０１０１】なお、この図１０ないし１２のＰＤＰの他
の部分の構成は、図１ないし６のＰＤＰと同様であり、
同一の符号が付されている。

【０１０２】このＰＤＰは、図１１から分かるように、
隔壁２０の横壁２０ｂは、その厚さの厚い架橋部分２０
ｂ２の表示側の面（図１１において上側の面）が嵩上げ
誘電体層１１Ａを被覆している保護層１２に当接されて
いて、放電セルＣと隙間ＳＬ’との間を塞いでいるが、
連結部分２０ｂ１の厚さが架橋部分２０ｂ２よりも薄い
ことによって、図１２から分かるように、この連結部分
２０ｂ１の表示側の面（図１２において上側の面）は嵩
上げ誘電体層１１Ａを被覆している保護層１２には当接
されておらず、この連結部分２０ｂ１の表示側の面上に
形成された溝２０ｂ３を介して、放電セルＣが、それぞ
れ隣接する隙間ＳＬ’に連通されている。

【０１０３】そして、この構成によって、列電極Ｄと行
電極ＸまたはＹ間に、リセット操作時のリセット放電
と、アドレス操作時の選択放電を発生させるための駆動
パルス（リセット操作時に列電極Ｄと行電極ＸまたはＹ
に印加されるリセットパルス、および、アドレス操作時
に行電極Ｘ，Ｙの一方に印加される走査パルス，列電極
Ｄに印加される表示データパルス）が印加される際に、
嵩上げ誘電体層１１Ａが形成されている部分では列電極
Ｄと行電極Ｘ，Ｙ間の放電距離が短くなっていて放電が
生じ易くなっていることにより、隙間ＳＬ’内において
列電極Ｄと行電極Ｘ，Ｙとの間に放電が発生し、この隙
間ＳＬ’内における放電によって生じたプライミング粒
子（種火）が溝２０ｂ３を介して列方向に隣接している
放電セルＣ内に拡散されることにより、隣接する放電セ
ルＣ間において放電を誘発させるプライミング効果が発
生される。

【０１０４】さらに、リセット放電の際に、放電ガスに
１０パーセント以上含まれるキセノンから放射される波
長１４７ｎｍの真空紫外線が、架橋部分２０ｂ２に形成
されたプライミング粒子生成層２０ｂ２’を励起して、
このプライミング粒子生成層２０ｂ２’から紫外光また
は可視光を放射させ、そして、この紫外光または可視光
が保護層（ＭｇＯ層）１２を励起して、２次電子〈プラ
イミング粒子）を放出させる。

【０１０５】また、このプライミング粒子生成層２０ｂ
２’を形成する紫外域発光材料または可視域発光材料に
誘電体（ＭｇＯ）よりも仕事関数が低い材料（仕事関数
が４．２Ｖ以下の材料）が含有される場合、リセット放
電の際に放電ガスに含まれるキセノンから放射される波
長１４７ｎｍの真空紫外線が、溝２０ｂ３を介して隙間
ＳＬ’内に導かれて、プライミング粒子生成層２０ｂ
２’を励起することにより紫外光または可視光を放射さ
せ、そして、この紫外光または可視光が、プライミング
粒子生成層２０ｂ２’に含有されている高γ材料と保護
層（ＭｇＯ層）１２を励起して、２次電子（プライミン
グ粒子）を放出させる。

【０１０６】以上のようにして、プライミング粒子生成
層２０ｂ２’を形成する紫外域発光材料または可視域発
光材料の残光特性によって、少なくとも０．１ｍｓｅｃ
以上の間、紫外光または可視光が放射し続けられるた
め、一斉リセット期間Ｒｃの次に続くアドレス期間Ｗｃ
（図２３参照）におけるプライミング粒子量が十分に確
保される。

【０１０７】図２１および２２は、この第２の例におい
て、プライミング粒子生成層２０ｂ２’に、残光特性を
有するＵＶ蛍光体（Ｂａ，Ｍｇ，Ｚｎ）₃Ｓｉ₂Ｏ₇：Ｐ
ｂ²⁺（発光波長：２９５ｎｍ）に仕事関数が低い材料
（ＭｇＯ）が１０〜２０重量パーセント含まれた紫外域
発光材料を含有させた場合のプライミング効果を示すグ
ラフである。

【０１０８】図２１は、一斉リセット放電から選択放電
までの放電休止時間と放電遅れ時間の関係を、同じくプ
ライミング粒子生成層２０ｂ２’を形成した場合と形成
しなかった場合とで比較したデータを示している。

【０１０９】この図２１において、グラフαは、プライ
ミング粒子生成層２０ｂ２’が形成されている場合を示
しており、グラフβは、プライミング粒子生成層２０ｂ
２’が形成されていない場合を示している。

【０１１０】ここで、先にも述べたように、アドレス期
間にはライン順次でデータの読み込みを行うために、最
初に走査パルスによる走査が行われる表示ラインＬと比
較して最後に走査が行われる表示ラインＬは、一斉リセ
ット放電からの時間が経過していて放電遅れ時間が発生
するために、走査パルスのパルス幅が約２μｓｅｃ，走
査ライン数が約４００本とすると、アドレス期間におい
て全表示ラインを走査してデータの読み込みを行うのに
約１ｍｓｅｃの時間が必要となる。

【０１１１】これは、一斉リセット放電からの時間の経
過とともにプライミンク粒子の量が減少してゆき、放電
し難くなるために、放電確率が悪化するとともに、走査
パルスおよびデータパルスの印加から放電が生じるまで
の放電遅れ時間が増大するためである。

【０１１２】図２１において、このようなプライミンク
粒子量の減少にともなう放電確率の悪化と放電遅れ時間
の増大が、プライミング粒子生成層２０ｂ２’が設けら
れている場合のグラフαを、プライミング粒子生成層２
０ｂ２’が設けられていない場合のグラフβと比較する
と、格段に改善されていることが分かる。

【０１１３】図２２は、走査パルスの幅とその電圧値
（スキャン電圧）を、プライミング粒子生成層２０ｂ
２’を形成した場合と形成しなかった場合とで比較した
データを示している。

【０１１４】この図２２において、グラフα１は、プラ
イミング粒子生成層２０ｂ２’が形成されている場合の
放電開始電圧（直前に放電がなくプライミング粒子が生
成されていないときの電圧）Ｖｆを示しており、グラフ
α２は、放電維持最小電圧（直前に放電がありプライミ
ング粒子が生成されているときの電圧）Ｖｓｍを示して
いる。

【０１１５】また、グラフβ１は、プライミング粒子生
成層２０ｂ２’が形成されていない場合の放電開始電圧
Ｖｆを示しており、グラフβ２は、放電維持最小電圧Ｖ
ｓｍを示している。

【０１１６】この図２２から、プライミング粒子生成層
２０ｂ２’が設けられることによって、走査パルスの幅
を小さくしても、プライミング粒子生成層２０ｂ２’を
設けない場合において走査パルスの幅を大きくしたのと
ほぼ同じアドレスマージン（放電開始電圧Ｖｆと放電維
持最小電圧Ｖｓｍとの差）ΔＶが得られることが分か
る。

【０１１７】なお、このアドレスマージンが大きいほ
ど、誤放電がなくなって高速アドレス化が可能になり、
また、表示品質が向上する。

【０１１８】なお、上記においては、放電ガスとして、
キセノンガスを１０パーセント以上含む混合希ガスが用
いられ、このキセノンガスの分圧を高められることによ
って、キセノンから放射される真空紫外線量が増加して
発光効率が増大するが、キセノンガスの分圧が高くなる
に従って放電電圧が高くなり、放電遅れ時間も長くなる
ため、紫外域発光材料を含有したプライミング粒子生成
層２０ｂ２’が設けられることにより、キセノンガスを
１０パーセント以上含む放電ガスを用いるのにともなっ
て放電遅れ時間が長くなるのが抑制される。

【０１１９】この第２の例では、非表示ラインであるバ
ス電極ＸｂとＹｂに挟まれた領域に黒色または暗褐色の
遮光層１７Ａが設けられており、さらに、バス電極Ｘｂ
とＹｂの表示面側がそれぞれ黒色導電層Ｘｂ’，Ｙｂ’
によって構成されていることによって、外光の反射が防
止されるので、コントラストの向上が図られるととも
に、隙間ＳＬ’内において列電極Ｄと行電極Ｘ，Ｙ間に
プライミングのための放電が発生しても、その光が画像
のコントラストに悪影響を与える虞はない。

【０１２０】なお、上記ＰＤＰにおいては、図１２から
分かるように、縦壁２０ａが誘電体層１１の嵩上げ誘電
体層１１Ａが形成されていない部分に対向されていて保
護層１２とは当接されていないために、その間に形成さ
れる隙間ｒによって行方向において隣接する放電セルＣ
間が互いに連通されているので、この隙間ｒを介してプ
ライミング粒子が行方向に拡散することによって、行方
向におけるプライミング効果が確保される。

【０１２１】また、この第２の例では、架橋部分（縦壁
よりも高くなっている横壁の部分）２０ｂ２の前面側に
プライミング粒子生成層が配置されている例が示されて
いるが、架橋部分２０ｂ２によって挟まれた溝２０ｂ３
内にプライミング粒子生成層が配置されるようにしても
良い。

【０１２２】図１３および１４は、上記ＰＤＰの隔壁構
造の他の例を示す正面図である。

【０１２３】この図１３において、隔壁３０は、そのＰ
ＤＰの各行毎に放電セルを区画する各壁部分３０Ａが、
縦壁３０Ａａと水平方向に掛け渡された一対の横壁３０
Ａｂとによって上記例の隔壁２０と同様にそれぞれ梯子
状に成形されており、この壁部分３０Ａが、所要の幅の
隙間ＳＬ１を挟んで列方向に平行に配列されることによ
って構成されている。

【０１２４】そして、この隔壁３０は、列方向において
隣接する壁部分３０Ａが、その縦壁３０Ａａの上端部ま
たは下端部間に位置する部分が互いに連結されることに
より一体的に成形されており、これによって、この架橋
部分３０Ａｂ２の幅ｂ’が、壁部分３０Ａの横壁３０Ａ
ｂの連結部分３０Ａｂ１（縦壁３０Ａａの上端部または
下端部に対向する部分）の縦壁３０Ａａと同じになるよ
うに設定された幅ａよりも大きくなっている。

【０１２５】したがって、この隔壁３０は、前記例の隔
壁２０と同様に、各壁部分３０Ａの架橋部分３０Ａｂ２
によって、横壁３０Ａｂが縦壁３０Ａａの焼成の際の収
縮によって生じる引張力に対して耐久性を備えるので、
横壁３０Ａｂが縦壁３０Ａａの焼成時の収縮による引張
力によって引っ張られて変形するのが防止され、また、
横壁３０Ａｂの連結部分３０Ａｂ１の幅ａが縦壁３０Ａ
ａの幅と同じ大きさになるように成形されていることに
よって、焼成時の収縮によって縦壁３０Ａａに発生する
引張内部応力が緩和されて、これにより縦壁３０Ａａが
切断してしまうのが防止される。

【０１２６】さらに、この横壁３０Ａｂにおける連結部
分３０Ａｂ１の幅ａと架橋部分３０Ａｂ２の幅ｂ’との
大きさの違いによって、それぞれの部分の厚さ方向にお
ける収縮に違いが生じ、横壁３０Ａｂの連結部分３０Ａ
ｂ１の厚さが、幅が大きい架橋部分３０ｂ２の厚さより
も小さくなって、図１４に示されるように、連結部分３
０Ａｂ１上に架橋部分３０Ａｂ２によって挟まれた溝３
０Ａｂ３がそれぞれ形成されるので、前記例の隔壁２０
の場合と同様にこの隔壁３０がＰＤＰを構成した際に、
隙間ＳＬ１内における放電によって生じたプライミング
粒子（種火）が溝３０Ａｂ３を介して列方向に隣接して
いる放電セルＣ内に拡散されることによって、隣接する
放電セルＣ間において放電を誘発させるプライミング効
果が発生される。

【０１２７】そして、この隔壁３０も、前記例の隔壁２
０と同様に、架橋部分３０Ａｂ２の連結部分３０Ａｂ１
よりも前方側（図１４の上方側）に突出している部分
が、紫外域発光材料または可視域発光材料によるプライ
ミング粒子生成層３０Ａｂ２によって構成されているこ
とによって、リセット放電の際に放電ガスに含まれるキ
セノンから放射される波長１４７ｎｍの真空紫外線が、
プライミング粒子生成層３０Ａｂ２’を励起することに
より紫外光または可視光を放射させ、そして、この紫外
光または可視光が保護層（ＭｇＯ層）を励起し、また、
プライミング粒子生成層３０Ａｂ２’に高γ材料が含有
されている場合にはこの高γ材料も励起して、プライミ
ング粒子を放出させる。

【０１２８】以上のようにして、プライミング粒子生成
層３０Ａｂ２’を形成する紫外域発光材料または可視域
発光材料の残光特性によって、少なくとも０．１ｍｓｅ
ｃ以上の間、紫外光または可視光が放射し続けられるた
め、一斉リセット期間Ｒｃの次に続くアドレス期間Ｗｃ
（図２３参照）におけるプライミング粒子量が十分に確
保される。

【０１２９】次に、この発明の実施形態における第３の
例を、図１５ないし１７に基づいて説明する。

【０１３０】図１５はこの第３の例におけるＰＤＰを模
式的に表す平面図であり、図１６は図１５のＶ３−Ｖ３
線における断面図、図１７は図１５のＷ４−Ｗ４線にお
ける断面図である。

【０１３１】この図１５ないし１７に示されるＰＤＰ
は、上記第１の例の隔壁が縦壁と横壁とによって放電セ
ルの四方を囲んで区画する構成になっていたのに対し、
前面ガラス基板４０と背面ガラス基板４３との間の放電
空間Ｓ’が、列方向に延びるストライプ状の隔壁４５に
よって区画されるものである。

【０１３２】そして、列方向において隣接する行電極対
（Ｘ１，Ｙ１）の背中合せに位置する行電極Ｘ１とＹ１
に対向する誘電体層４１の背面側に、嵩上げ誘電体層４
１Ａが形成されている。

【０１３３】行電極Ｘ１，Ｙ１のバス電極Ｘ１ｂ，Ｙ１
ｂは、それぞれ、表示面側の黒色導電層と背面側の主導
電層の二層構造に形成されているとともに、前面ガラス
基板４０の背面に、列方向において隣接する行電極対
（Ｘ１，Ｙ１）のそれぞれの互いに背中合わせになった
バス電極Ｘ１ｂとＹ１ｂの間に、このバス電極Ｘ１ｂ，
Ｙ１ｂに沿って行方向に延びる黒色の光吸収層（遮光
層）４７が形成されている。

【０１３４】さらに、嵩上げ誘電体層４１Ａを被覆する
保護層４２の背面側に、前記各例と同様の紫外域発光材
料または可視域発光材料によるプライミング粒子生成層
４８が形成されている。

【０１３５】これによって、画像形成時のリセット放電
の際に、放電ガス中のキセノンから放射される真空紫外
線によって、保護層４２の背面側に形成された紫外域発
光層４８が励起されて、紫外光または可視光を放射す
る。

【０１３６】そして、この紫外光または可視光が保護層
４２を励起して、１サブフィールドにおけるアドレス期
間の間、プライミング粒子を発光セルの放電空間内に再
生成し続けることによって、各発光セルにおけるプライ
ミング粒子量の減少が抑制され、これによって、次のア
ドレス期間における放電遅れ時間が増大するのが抑制さ
れ、さらに、放電遅れ時間にばらつきが生じるのも抑制
される。

【０１３７】なお、この例におけるＰＤＰは、列方向に
おいては、各放電セルを区画する隔壁が存在しないが、
行電極Ｘ１，Ｙ１のそれぞれの透明電極Ｘ１ａ，Ｙ１ａ
がバス電極Ｘ１ｂ，Ｙ１ｂから列方向に突出して互いに
対向するように形成されているので、列方向において隣
接する放電セルＣ間における放電の干渉が抑制される。

【０１３８】次に、この発明の実施形態における第４の
例を、図１８ないし２０に基づいて説明する。

【０１３９】図１８はこの第４の例におけるＰＤＰを模
式的に表す平面図であり、図１９は図１８のＶ６−Ｖ６
線における断面図、図２０は図１８のＷ５−Ｗ５線にお
ける断面図である。

【０１４０】この図１８ないし２０に示されるＰＤＰ
は、上記第３の例のプライミング粒子生成層４８が保護
層４２上の嵩上げ誘電体層４１Ａに対向する部分に形成
されていたのに対し、プライミング粒子生成層５８が、
前面ガラス基板４０と背面ガラス基板４３との間の放電
空間Ｓ’を区画する列方向に延びるストライプ状の隔壁
４５の前面側に形成されているものである。

【０１４１】他の部分の構成は、上記第３の例のＰＤＰ
と同様であり、同様の符号が付されている。

【０１４２】この例のＰＤＰも、画像形成時のリセット
放電の際に、放電ガス中のキセノンから放射される真空
紫外線によって、隔壁４５上に形成されたプライミング
粒子生成層５８が励起されて、紫外線を放射する。

【０１４３】そして、この紫外線が、１サブフィールド
におけるアドレス期間の間、プライミング粒子を発光セ
ルの放電空間内に再生成し続けることによって、各発光
セルにおけるプライミング粒子量の減少が抑制され、こ
れによって、次のアドレス期間における放電遅れ時間が
増大するのが抑制され、さらに、放電遅れ時間にばらつ
きが生じるのも抑制される。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１の例を模式的に表す平面図であ
る。

【図２】図１のＶ１−Ｖ１線における断面図である。

【図３】図１のＶ２−Ｖ２線における断面図である。

【図４】図１のＷ１−Ｗ１線における断面図である。

【図５】図１のＷ２−Ｗ２線における断面図である。

【図６】図１のＷ３−Ｗ３線における断面図である。

【図７】この発明の第２の例における隔壁を示す平面図
である。

【図８】図７の横断面図である。

【図９】図７の縦断面図である。

【図１０】同例を模式的に表す平面図である。

【図１１】図１０のＶ３−Ｖ３線における断面図であ
る。

【図１２】図１０のＶ４−Ｖ４線における断面図であ
る。

【図１３】同例における隔壁構造の他の例を示す正面図
である。

【図１４】図１３のIIX−IIX線における断面図である。

【図１５】この発明の第３の例を模式的に表す平面図で
ある。

【図１６】図１５のＶ５−Ｖ５線における断面図であ
る。

【図１７】図１５のＷ４−Ｗ４線における断面図であ
る。

【図１８】この発明の第４の例を模式的に表す平面図で
ある。

【図１９】図１８のＶ６−Ｖ６線における断面図であ
る。

【図２０】図１８のＷ５−Ｗ５線における断面図であ
る。

【図２１】一斉リセット放電から選択放電までの放電休
止時間と放電遅れ時間の関係を示すグラフである。

【図２２】走査パルス幅とスキャン電圧の関係を示すグ
ラフである。

【図２３】プラズマディスプレイパネルにおけるサブフ
ィールド法を示すタイムチャートである。

【符号の説明】

１０，４０ …前面ガラス基板（前面基板） １１，４１ …誘電体層 １１Ａ，４１Ａ …嵩上げ誘電体層（嵩上げ部） １１Ａａ …溝（連通部） １２，４２ …保護層（保護誘電体層） １３，４３ …背面ガラス基板（背面基板） １４ …誘電体層 １６，４６ …蛍光体層 １７Ａ，１７Ｂ …光吸収層 １８，２０ …隔壁 １８ａ，２０ａ …縦壁（縦壁部） １８ｂ，２０ｂ …横壁（横壁部） １９ …プライミング粒子生成層 ２０ｂ１ …連結部分 ２０ｂ２ …架橋部分 ２０ｂ３ …溝 ２０ｂ２’ …プライミング粒子生成層 ３０ …隔壁 ３０Ａａ …縦壁（縦壁部） ３０Ａｂ …横壁（横壁部） ３０Ａｂ１ …連結部分 ３０Ａｂ２ …架橋部分 ３０Ａｂ３ …溝 ３０Ａｂ２’ …プライミング粒子生成層 ４０ …前面ガラス基板（前面基板） ４１ …誘電体層 ４１Ａ …嵩上げ誘電体層（嵩上げ部） ４２ …保護層（保護誘電体層） ４３ …背面ガラス基板（背面基板） ４５ …隔壁 ４６ …蛍光体層 ４７ …光吸収層 ４８ …プライミング粒子生成層 ５８ …プライミング粒子生成層 Ｘ，Ｘ１ …行電極 Ｙ，Ｙ１ …行電極 Ｘａ，Ｘ１ａ …透明電極 Ｙａ，Ｙ１ａ …透明電極 Ｘｂ …バス電極 Ｙｂ …バス電極 Ｘｂ’，Ｙｂ’ …黒色層 Ｘｂ”，Ｙｂ” …白色層 Ｄ，Ｄ’ …列電極 Ｓ，Ｓ’ …放電空間 ＳＬ，ＳＬ’，ＳＬ１…隙間 Ｃ，Ｃ’ …放電セル（単位発光領域） Ｌ …表示ライン ｇ …ギャップ ｒ …隙間

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 谷口 均志 山梨県中巨摩郡田富町西花輪2680番地 静 岡パイオニア株式会社甲府事業所内 (72)発明者 三枝 信彦 山梨県中巨摩郡田富町西花輪2680番地 静 岡パイオニア株式会社甲府事業所内 (72)発明者 雨宮 公男 山梨県中巨摩郡田富町西花輪2680番地 静 岡パイオニア株式会社甲府事業所内 Ｆターム(参考） 5C040 FA01 FA04 GJ02 KB19 LA09 MA20

Claims (22)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 前面基板の背面側に、行方向に延び列方
   向に並設されてそれぞれ表示ラインを形成する複数の行
   電極対とこの行電極対を被覆する誘電体層とこの誘電体
   層を被覆する保護誘電体層が設けられ、背面基板の前面
   基板と放電空間を介して対向する側に、列方向に延び行
   方向に並設されて行電極対と交差する位置においてそれ
   ぞれ放電空間に単位発光領域を構成する複数の列電極が
   設けられたプラズマディスプレイパネルにおいて、 列方向または行方向に隣接する単位発光領域の間に放電
   空間に接するプライミング粒子生成手段が配置されてい
   る、 ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
2. 【請求項２】 前記プライミング粒子生成手段が、０．
   １ｍｓｅｃ以上の残光特性を有する紫外域発光材料また
   は可視域発光材料によって形成されている請求項１に記
   載のプラズマディスプレイパネル。
3. 【請求項３】 前記プライミング粒子生成手段が、前記
   保護誘電体層を形成する誘電体よりも仕事関数が低い材
   料を含んでいる請求項２に記載のプラズマディスプレイ
   パネル。
4. 【請求項４】 前記前面基板と前記背面基板との間に配
   置されて列方向に延びる縦壁部と行方向に延びる横壁部
   によって前記放電空間を前記単位発光領域毎に行方向と
   列方向に区画する隔壁を備え、 列方向において互いに隣接する前記単位発光領域の間の
   横壁部が行方向と平行な隙間によって分離されており、 前記隙間内と列方向に隣接する単位発光領域の放電空間
   内とが連通部によって互いに連通されており、 前記隙間内にプライミング粒子生成手段が配置されてい
   る、 請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
5. 【請求項５】 前記隔壁の横壁部および隙間に対向する
   誘電体層の部分に、横壁部側に張り出すように形成され
   た嵩上げ部が設けられている請求項４に記載のプラズマ
   ディスプレイパネル。
6. 【請求項６】 前記嵩上げ部に前記連通部が形成されて
   いる請求項５に記載のプラズマディスプレイパネル。
7. 【請求項７】 前記連通部が、隔壁の横壁部に形成され
   ている請求項４に記載のプラズマディスプレイパネル。
8. 【請求項８】 前記誘電体層の前記隙間に対向する部分
   に光吸収層が設けられている請求項１に記載のプラズマ
   ディスプレイパネル。
9. 【請求項９】 前記隔壁の横壁部の前記前面基板側が部
   分的に縦壁部の高さよりも高くなっていて、この横壁部
   の縦壁部の高さよりも高くなっている部分の間に溝が形
   成されて前記連通部が構成される請求項４に記載のプラ
   ズマディスプレイパネル。
10. 【請求項１０】 前記横壁部の縦壁部の高さよりも高く
    なっている部分の少なくとも前記溝に接する部分にプラ
    イミング粒子生成手段が配置されている請求項９に記載
    のプラズマディスプレイパネル。
11. 【請求項１１】 前記プライミング粒子生成手段が、
    ０．１ｍｓｅｃ以上の残光特性を有する紫外域発光材料
    または可視域発光材料によって形成されている請求項１
    ０に記載のプラズマディスプレイパネル。
12. 【請求項１２】 前記プライミング粒子生成手段が、前
    記保護誘電体層を形成する誘電体よりも仕事関数が低い
    材料を含んでいる請求項１１に記載のプラズマディスプ
    レイパネル。
13. 【請求項１３】 列方向に隣接する単位発光領域の境界
    部分と対向する前記誘電体層の部分に放電空間内に張り
    出すように形成された嵩上げ部が設けられて、この嵩上
    げ部の放電空間に接する部分にプライミング粒子生成手
    段が配置されている請求項１に記載のプラズマディスプ
    レイパネル。
14. 【請求項１４】 前記プライミング粒子生成手段に対向
    する誘電体層の部分に、光吸収層が設けられている請求
    項１３に記載のプラズマディスプレイパネル。
15. 【請求項１５】 前記前面基板と前記背面基板との間に
    配置されて少なくとも行方向に隣接する単位発光領域の
    間を区画する隔壁を備え、この隔壁の前面基板と対向す
    る前面側に、放電空間に面するプライミング粒子生成手
    段が配置されている請求項１に記載のプラズマディスプ
    レイパネル。
16. 【請求項１６】 前記プライミング粒子生成手段が、
    ０．１ｍｓｅｃ以上の残光特性を有する紫外域発光材料
    または可視域発光材料によって形成されている請求項１
    ３または１５に記載のプラズマディスプレイパネル。
17. 【請求項１７】 前記プライミング粒子生成手段が、前
    記保護誘電体層を形成する誘電体よりも仕事関数が低い
    材料を含んでいる請求項１６に記載のプラズマディスプ
    レイパネル。
18. 【請求項１８】 前記隔壁の横壁部の前記前面基板側が
    部分的に縦壁部の高さよりも高くなっていて、この横壁
    部の縦壁部の高さよりも高くなっている部分の間に溝が
    形成され、この溝内にプライミング粒子生成手段が配置
    されている請求項４に記載のプラズマディスプレイパネ
    ル。
19. 【請求項１９】 前記プライミング粒子生成手段が、
    ０．１ｍｓｅｃ以上の残光特性を有する紫外域発光材料
    または可視域発光材料によって形成されている請求項１
    ８に記載のプラズマディスプレイパネル。
20. 【請求項２０】 前記プライミング粒子生成手段が、前
    記保護誘電体層を形成する誘電体よりも仕事関数が低い
    材料を含んでいる請求項１９に記載のプラズマディスプ
    レイパネル。
21. 【請求項２１】 前記放電空間に封入される放電ガス
    が、キセノンガスを１０パーセント以上含む混合希ガス
    からなる請求項１に記載のプラズマディスプレイパネ
    ル。
22. 【請求項２２】 前記プライミング粒子生成手段が、仕
    事関数が４．２ｅＶ以下の材料を含む請求項２または１
    １，１６，１９に記載のプラズマディスプレイパネル。