JP2002107583A - 光モジュールおよび光モジュールにおける光検出方法 - Google Patents

光モジュールおよび光モジュールにおける光検出方法

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JP2002107583A
JP2002107583A JP2000298866A JP2000298866A JP2002107583A JP 2002107583 A JP2002107583 A JP 2002107583A JP 2000298866 A JP2000298866 A JP 2000298866A JP 2000298866 A JP2000298866 A JP 2000298866A JP 2002107583 A JP2002107583 A JP 2002107583A
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light
core
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optical fiber
extraction unit
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JP2000298866A
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Tetsuro Nishida
哲朗 西田
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Seiko Epson Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 発光素子、光ファイバ、および光検出器を含
み、簡便でかつ精度の高いAPC制御を行なうことがで
きる光モジュール、ならびに前記光モジュールにおける
光検出方法を提供する。 【解決手段】 本発明の光モジュール1000は、面発
光レーザ102を含む発光装置100と、コア201お
よびクラッド202を含み、面発光レーザ102から出
射した光を端面200aのコア201部分から入射する
光ファイバ200と、光検出器300とを含む。光ファ
イバ200には、コア201内を伝播する光の一部を取
り出すための光取出部として切り欠き部203が設けら
れている。光検出器300は、切り欠き部203から出
射した光を検出する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光モジュールおよ
び光モジュールにおける光検出方法に関する。特に、発
光装置、光ファイバ、および光検出器を含む光モジュー
ル、ならびに前記光モジュールにおける光検出方法に関
する。
【0002】
【背景技術】近年、情報通信が高速化・大容量化の傾向
にあり、光通信の開発が進んでいる。光通信では、電気
信号を光信号に変換し、光信号を光ファイバで送信し、
受信した光信号を電気信号に変換する。電気信号と光信
号との変換は光素子によって行われる。
【0003】電気信号を光信号に変換するためには、半
導体レーザやレーザダイオード等の発光素子が用いられ
る。発光素子から出射した光は光信号として光ファイバ
に導入された後、光ファイバ内を伝播する。
【0004】かかる光通信においては、発光素子から出
射される光の量を一定に保つことが要求されるため、発
光素子から出射した光を一定に保つ機構、いわゆるAP
C(automatic power control)制御が必要になる。
【0005】発光素子として、たとえば端面出射型の半
導体レーザを用いる場合、前方および後方の両方向より
レーザ光が出射されるため、後方からの出射光の変化を
モニタすることで前方からの出射光を一定に保つAPC
制御が可能になる。しかし、発光素子に面発光型半導体
レーザ(面発光レーザ)を用いる場合、一般に出射面は
片面のみであるため、端面出射型の半導体レーザに用い
られる制御方法をそのまま用いることができない。この
ため、特に面発光レーザを用いた光通信において、簡便
でかつ精度の高いAPC制御方法の開発が求められてい
た。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、発光
素子、光ファイバ、および光検出器を含み、簡便でかつ
精度の高いAPC制御を行なうことができる光モジュー
ル、ならびに前記光モジュールにおける光検出方法を提
供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】(光モジュール)本発明
の光モジュールは、発光素子を含む発光装置と、コアお
よびクラッドを含み、前記発光素子から出射した光が一
方の端面のコア部分から入射する光ファイバと、光検出
器と、を含み、前記コア内を伝播する光の一部を取り出
すための光取出部を、前記光ファイバ内に有し、前記光
検出器は、前記光取出部から出射した光を検出する。
【0008】本発明の光モジュールによれば、前記光取
出部によって前記コアを伝播する光のうち一部の光を取
り出して前記光検出器へと出射させ、前記光検出器で前
記光の検出を行なうことから、前記発光素子のAPC制
御を容易に行なうことができる。
【0009】また、前記発光素子から出射した光のう
ち、実際に前記光ファイバのコアに入射して該コア内を
伝播する光の一部を前記光取出部によって検出すること
により、前記コア内を伝播する光の量を正確に検出する
ことができるため、精度の高いAPC制御が可能とな
り、特に光通信に好適に使用できる。
【0010】本発明の光モジュールの好ましい態様とし
ては、次の(1)〜(4)が例示できる。
【0011】(1)前記光取出部は、少なくとも一部が
前記コアに接し、かつ前記クラッドを分断する。この構
成によれば、前記コア内を伝播する光の一部を確実に取
り出すことができる。
【0012】(2)前記光取出部は、前記光ファイバに
形成された切り欠き部からなり、前記切り欠き部は、前
記コア内を伝播する光のうち一部の光の伝播する方向を
変える機能を有することができる。この構成によれば、
前記切り欠き部から出射した光を前記光検出器に効率良
く入射させることができる。
【0013】この場合、前記切り欠き部は、該切り欠き
部を構成する1の面にて、前記コア内を伝播する光のう
ち一部の光が伝播する方向を変えることができる。
【0014】また、この場合、前記切り欠き部を構成す
る1の面と前記光ファイバの延びる方向とのなす角が鋭
角であることが望ましい。ここで、前記光ファイバの延
びる方向とは、前記発光素子と面する側を始点として、
前記光ファイバが連続する方向をいう。
【0015】(3)前記光取出部は、前記コアの屈折率
以上の屈折率を有する材料からなることが望ましい。こ
の構成によれば、前記光取出部から出射する光の出射方
向を、前記光ファイバの延びる方向に対して垂直な方向
により近づけることができる。これにより、前記光取出
部から出射した光を前記光検出器に効率良く入射させる
ことができる。
【0016】(4)前記光取出部と前記光検出器との間
に、前記光取出部から出射した光を集光するための光学
部材を設置することができる。この構成によれば、前記
光取出部から出射した光は、前記光学部材によって集光
された後、前記光検出器へと出射される。これにより、
前記光取出部から出射した光を効率良く前記光検出器へ
と出射させることができる。
【0017】(光モジュールにおける光検出方法)本発
明の光モジュールにおける光検出方法は、発光素子を含
む発光装置と、コアおよびクラッドを含み、前記発光素
子から出射した光が一方の端面のコア部分から入射する
光ファイバと、光検出器と、を含む光モジュールにおい
て、前記光ファイバは、前記コア内を伝播する光の一部
を取り出すための光取出部を含み、前記光取出部によっ
て、前記コア内を伝播する光の一部を取り出した後、前
記光取出部から出射した光を前記光検出器によって検出
する方法である。
【0018】この光検出方法によれば、前述した効果と
同様の効果を奏することができる。
【0019】この場合、前記光取出部は、前記光ファイ
バに形成された切り欠き部からなり、前記切り欠き部を
構成する1の面にて、前記コア内を伝播する光のうち一
部の光の伝播する方向を変化させた後、該一部の光を前
記光検出器によって検出することができる。
【0020】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
について、図面を参照しながら説明する。
【0021】[第1の実施の形態] (デバイスの構造)図1は、本発明の第1の実施の形態
にかかる光モジュール1000を模式的に示す断面図で
ある。図2は、光モジュール1000を構成する光ファ
イバ200の切り欠き部203の拡大断面図である。
【0022】本実施の形態にかかる光モジュール100
0は、発光装置100、光ファイバ200、および光検
出器300を含む。
【0023】発光装置100は、発光素子として面発光
レーザ102を含み、面発光レーザ102と光ファイバ
200と結合させて、面発光レーザ102から出射した
光を光ファイバ200のコア201へと導入する。面発
光レーザ102は、基体(半導体基板)104上に形成
されている。また、面発光レーザ102は出射口101
を有し、出射口101から基板104の面方向(図1の
Y方向)とほぼ垂直な方向(図1のX方向)に光を出射
する機能を有する。なお、図1においては、面発光レー
ザ102が錐台状の形状を有する場合を示したが、面発
光レーザ102の形状はこれに限定されるわけではな
い。
【0024】面発光レーザ102の出射口101と光フ
ァイバ200の端面200aとの間の距離は、面発光レ
ーザ102と光ファイバ200との間の結合効率を考慮
して規定される。すなわち、面発光レーザ102の出射
口101と光ファイバ200の端面200aとの間の距
離は、面発光レーザ102の出射口101の径等を考慮
したうえで、面発光レーザ102から出射した光が光フ
ァイバ200のコア201に効率良く入射するために必
要な距離に設定される。
【0025】光ファイバ200は、コア201と、コア
201の周囲を覆うクラッド202から構成される。面
発光レーザ102の出射口101から出射した光は、光
ファイバ200の端面200aのコア201部分から入
射し、図1に示すX方向へと伝播する。このため、光フ
ァイバ200と発光装置100とは、光ファイバ200
の端面200aと面発光レーザ102の出射口101と
が対向した状態で設置されている。
【0026】本実施の形態においては、光ファイバ20
0がマルチモードファイバであり、コア201がSiO
2からなる場合を示すが、光ファイバ200の種類は特
に限定されるわけではなく、たとえばシングルモードフ
ァイバ、マルチモードファイバ、プラスチックファイバ
等のいずれであってもよい。また、光ファイバ200の
材質も特に限定されるわけではなく、たとえばSi
2、樹脂等から形成することができる。
【0027】また、光ファイバ200には、光取出部と
して切り欠き部203が形成されている。切り欠き部2
03は、図1に示すように、少なくとも一部がコア20
1に接しており、さらにクラッド202は切り欠き部2
03によって分断されている。この切り欠き部203に
よって、コア201内を伝播する光の一部が取り出され
て、光検出器300(後述する)へと出射される。
【0028】この切り欠き部203は、コア201内を
伝播する光のうち一部の光の伝播する方向を変える機能
を有する。切り欠き部203の形状や大きさ、ならびに
切り欠き部203がコア201に接している部分の面積
等を変えることにより、切り欠き部203から出射する
光の量を変えることができる。図2を参照すると、切り
欠き部203は、切り欠き部203を構成する1の面2
03aにて、コア201内を伝播する光のうち一部の光
の伝播する方向を変化させている。ここで、面203a
と光ファイバ200が延びる方向(図1におけるX方
向)とのなす角θが所定の値となるように、切り欠き部
203を設置する。ここで、光ファイバ200が延びる
方向とは、面発光レーザ102と面する側を始点とし
て、光ファイバ200が連続する方向をいう。切り欠き
部203の形状を変えることにより、角θの値が変える
ことができる。この角θを変えることにより、切り欠き
部203からの出射光の量を変えることができる。ここ
で、切り欠き部203が図2に示す形状の場合、切り欠
き部203から出射する光を効率良く光検出器300へ
と入射させるために、角θは鋭角であることが望まし
い。
【0029】光検出器300は、光ファイバ200の切
り欠き部203から出射した光を検出する。この光検出
器300は、検出した光の量の変化をモニタして、面発
光レーザ102からの出射光の量が一定になるように制
御する。
【0030】(光検出方法)次に、図1に示す光モジュ
ール1000における光検出方法を、図1および図2を
参照して説明する。
【0031】まず、面発光レーザ102を駆動させる
と、駆動信号に基づく光が出射口101から基板104
と垂直な方向(図1のX方向)に出射する。この光は所
定の放射角で広がって伝播し、光ファイバ200の端面
200aのコア201部分に入射する。コア201へと
入射した光は、コア201内でX方向へと伝播する。こ
こで、コア201内を伝播する光の一部が、図2に示す
ように、光ファイバ200に形成された切り欠き部20
3から、光検出器300へと出射する。この出射光を光
検出器300が検出した後、電気信号へと変換し、AP
C回路(図示せず)にてAPC制御を行なうことによ
り、面発光レーザ102からの出射光を一定量に制御す
る。
【0032】本発明によれば、光ファイバ200には光
取出部として切り欠き部203が形成され、切り欠き部
203によってコア201内を伝播する光のうち一部の
光を取り出して光検出器300へと出射させることによ
り、面発光レーザ102のAPC制御を容易に行なうこ
とができる。
【0033】また、面発光レーザ102から出射した光
のうち、実際に光ファイバ200のコア201に入射し
てコア201内を伝播する光の一部を切り欠き部203
によって検出することにより、コア201内を伝播する
光の量を正確に検出することができるため、精度の高い
APC制御が可能となる。これにより、本発明は光通信
等に好適である。
【0034】[第2の実施の形態] (デバイスの構造)図3は、本発明の第2の実施の形態
にかかる光モジュール2000を模式的に示す断面図で
ある。図4は、光モジュール2000を構成する光ファ
イバ210の光取出部204の拡大断面図である。図5
は、光モジュール2000を構成する光ファイバ210
を模式的に示す図である。
【0035】本実施の形態にかかる光モジュール200
0は、面発光レーザ102を含む発光装置100、光フ
ァイバ210、および光検出器300を含む。光モジュ
ール2000は、光取出部204を含む光ファイバ21
0から構成されている点で、第1の実施の形態にかかる
光モジュール1000と異なる。その他の部分は、第1
の実施の形態にかかる光モジュール1000と同様であ
る。以下、第1の実施の形態の光モジュール1000と
同様の符号を有する部分は、同様の構成、作用、および
効果を有する部分であるため、説明を省略する。
【0036】図3および図5に示すように、光ファイバ
210は、第1の実施の形態にかかる光ファイバ200
と同様に、コア211と、コア211の周囲を覆うクラ
ッド212とから構成される。光ファイバ210は、面
発光レーザ102から出射された光を、一方の端面21
0aのコア211部分から入射させる。光ファイバ21
0は、第1の実施の形態にかかる光ファイバ200と同
様の材料で形成することができる。
【0037】光ファイバ210は光取出部204を含
む。光取出部204は、図1に示す切り欠き部203と
同様に、コア211内を伝播する光の一部を取り出し
て、光検出器300へと出射する機能を有する。光取出
部204はコア211の少なくとも一部に接し、クラッ
ド212を分断するように形成されている。光取出部2
04の形状や大きさ、ならびに光取出部204がコア2
11に接している部分の面積等を変えることにより、光
取出部204から出射する光の量を変えることができ
る。
【0038】この光取出部204は、コア211の屈折
率以上の屈折率を有する材料からなる。この構成によれ
ば、光取出部204から出射する光が、光ファイバ21
0が延びる方向(図3のX方向)と垂直に近い方向へと
出射することができるため、光検出器300へと効率良
く入射させることができる。本実施の形態においては、
光取出部204の屈折率がコア211の屈折率とほぼ等
しい場合を示す。
【0039】さらに、光検出器300は、光ファイバ2
10の光取出部204から出射した光を検出し、検出し
た光の量の変化をモニタして、面発光レーザ102から
の出射光の量が一定になるように制御する。
【0040】次に、図3および図5に示す光ファイバ2
10の製造方法の一例を、図6および図7を参照して説
明する。ここでは、光ファイバ210が、コア211お
よびクラッド212がともにSiO2からなる石英光フ
ァイバである場合について説明する。
【0041】まず、図6に示すように、光ファイバ21
0のクラッド212のうち光取出部204を作成する部
分に、図6の矢印方向にゲルマニウムイオンを注入す
る。つづいて、図7に示すように、ゲルマニウムイオン
を注入した部分204aにアルゴンレーザを照射する。
一般に、クラッドはコアより屈折率が小さい材料からな
るが、このアルゴンレーザの照射によって光誘起反応が
起こり、ゲルマニウムイオンを添加した部分の屈折率が
増加し、コア211の屈折率とほぼ等しくなる。この部
分が光取出部204となる。以上の工程により、図5に
示すように、光取出部204を含む光ファイバ210が
得られる。
【0042】ここでは、前述したように、光ファイバ2
10が、クラッド212がSiO2からなる石英光ファ
イバである場合について示したが、この方法のかわり
に、クラッド212の一部分に穴(図示せず)を開け、
この穴にコアの屈折率と等しいかそれ以上の屈折率を有
する材料を埋め込むことにより、光取出部204を形成
することができる。この方法は、光ファイバ210がプ
ラスチックファイバからなる場合にも用いることができ
る。
【0043】(光検出方法)次に、図3に示す光モジュ
ール2000における光検出方法を、図3および図4を
参照して説明する。
【0044】光モジュール2000における光検出方法
は、第1の実施の形態にかかる光モジュール1000と
同様である。すなわち、面発光レーザ102を駆動させ
ると、駆動信号に基づく光が出射口101から基板10
4と垂直な方向(図3のX方向)に出射する。この光は
所定の放射角で広がって伝播し、光ファイバ210の端
面210aのコア211部分に入射する。コア211へ
と入射した光は、コア211内でX方向へと伝播する。
コア211内を伝播する光の一部が、図4に示すよう
に、光ファイバ210内の光取出部204から、光検出
器300へと出射する。この出射光を光検出器300が
検出した後、電気信号へと変換し、APC回路(図示せ
ず)にてAPC制御を行なうことにより、面発光レーザ
102からの出射光を一定量に制御する。
【0045】本実施の形態にかかる光モジュール200
0によれば、第1の実施の形態にかかる光モジュール1
000と同様の作用および効果を有する。すなわち、光
取出部204によってコア211内を伝播する光のうち
一部の光を取り出して光検出器300へと出射させるこ
とにより、面発光レーザ102のAPC制御を容易に行
なうことができる。
【0046】また、面発光レーザ102から出射した光
のうち、実際に光ファイバ210のコア211に入射し
てコア211内を伝播する光の一部を光取出部204に
よって取り出して検出することにより、コア211内を
伝播する光の量を正確に検出することができるため、光
通信に好適である。
【0047】[第3の実施の形態] (デバイスの構造)図8は、本発明の第3の実施の形態
にかかる光モジュール3000を模式的に示す断面図で
ある。
【0048】光モジュール3000においては、光取出
部204と光検出器300との間に、光学部材205が
設置されている点で、第2の実施の形態にかかる光モジ
ュール2000と異なる。その他の構成は、第2の実施
の形態にかかる光モジュール2000と同様であるた
め、説明は省略する。
【0049】光学部材205は、光取出部204から出
射した光を集光して、光検出器300へと出射する機能
を有する。光学部材205としては、レンズを用いるこ
とができる。
【0050】光モジュール3000によれば、第2の実
施の形態の光モジュール2000と同様の作用および効
果を有するのに加えて、光取出部204と光検出器30
0との間に、光学部材205が設置されていることによ
り、光取出部204から出射した光は光学部材205に
よって集光された後、光検出器300へと出射される。
このため、光取出部204から出射した光を効率良く光
検出器300へと出射させることができる。
【0051】また、第1の実施の形態にかかる光モジュ
ール1000において、光モジュール3000と同様
に、光取出部である切り欠き部203と光検出器300
との間に光学部材205を設置することもできる。この
場合においても、光モジュール3000と同様の作用お
よび効果を奏することができる。
【0052】なお、第1〜第3の実施の形態では、光フ
ァイバがマルチモードファイバである場合を示したが、
光ファイバはこれに限定されるわけではなく、光ファイ
バがプラスチックファイバであっても、同様の作用およ
び効果を奏する。また、面発光レーザ102の配置方法
および配置数はこれに限定されるわけではなく、種々の
態様をとることができる。たとえば、複数の面発光レー
ザから出射した光が同じ光ファイバに入射するようにす
ることもできる。
【0053】さらに、第1〜第3の実施の形態では、発
光素子として面発光レーザを用いた。しかしながら、本
発明においては、発光素子は面発光レーザに限定される
わけではなく、端面発光レーザ、LED、有機または無
機のEL素子(electroluminescent device)等を発光
素子として適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態にかかる光モジュー
ルを模式的に示す断面図である。
【図2】図1に示す光モジュールを構成する光ファイバ
の光取出部を模式的に示す拡大断面図である。
【図3】本発明の第2の実施の形態にかかる光モジュー
ルを模式的に示す断面図である。
【図4】図3に示す光モジュールを構成する光ファイバ
の光取出部を模式的に示す拡大断面図である。
【図5】図3に示す光モジュールを構成する光ファイバ
を模式的に示す図である。
【図6】図5に示す光ファイバの一製造工程を模式的に
示す図である。
【図7】図5に示す光ファイバの一製造工程を模式的に
示す図である。
【図8】本発明の第3の実施の形態にかかる光モジュー
ルを模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
100 発光装置 101 出射口 102 面発光レーザ(面発光型半導体レーザ) 104 基体(半導体基板) 200,210 光ファイバ 200a 光ファイバ200の一方の端面 210a 光ファイバ210の一方の端面 201,211 コア 202,212 クラッド 203 切り欠き部 203a 切り欠き部を構成する1の面 204 光取出部 204a ゲルマニウムイオン注入部分 205 光学部材 300 光検出器 1000,2000,3000 光モジュール

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 発光素子を含む発光装置と、 コアおよびクラッドを含み、前記発光素子から出射した
    光が一方の端面のコア部分から入射する光ファイバと、 光検出器と、を含み、 前記コア内を伝播する光の一部を取り出すための光取出
    部を、前記光ファイバ内に有し、 前記光検出器は、前記光取出部から出射した光を検出す
    る、光モジュール。
  2. 【請求項2】 請求項1において、 前記光取出部は、少なくとも一部が前記コアに接し、か
    つ前記クラッドを分断する、光モジュール。
  3. 【請求項3】 請求項1または2において、 前記光取出部は、前記光ファイバに形成された切り欠き
    部からなり、 前記切り欠き部は、前記コア内を伝播する光のうち一部
    の光の伝播する方向を変える機能を有する、光モジュー
    ル。
  4. 【請求項4】 発光素子を含む発光装置と、 コアおよびクラッドを含み、前記発光素子から出射した
    光が一方の端面のコア部分から入射する光ファイバと、 光検出器と、を含み、 前記光ファイバは切り欠き部を有し、 前記切り欠き部は、少なくとも一部が前記コアに接し、
    前記クラッドを分断し、かつ前記コア内を伝播する光の
    うち一部の光が伝播する機能を有し、 前記光検出器は、前記切り欠き部から出射した光を検出
    する、光モジュール。
  5. 【請求項5】 請求項3または4において、 前記切り欠き部は、該切り欠き部を構成する1の面に
    て、前記コア内を伝播する光のうち一部の光が伝播する
    方向を変える、光モジュール。
  6. 【請求項6】 請求項3〜5のいずれかにおいて、 前記切り欠き部を構成する1の面と前記光ファイバの延
    びる方向とのなす角が鋭角である、光モジュール。
  7. 【請求項7】 請求項1または2において、 前記光取出部は、前記コアの屈折率以上の屈折率を有す
    る材料からなる、光モジュール。
  8. 【請求項8】 請求項1〜3のいずれかにおいて、 前記光取出部と前記光検出器との間に、前記光取出部か
    ら出射した光を集光するための光学部材が設置されてい
    る、光モジュール。
  9. 【請求項9】 発光素子を含む発光装置と、 コアおよびクラッドを含み、前記発光素子から出射した
    光が一方の端面のコア部分から入射する光ファイバと、 光検出器と、を含む光モジュールにおいて、 前記光ファイバは、前記コア内を伝播する光の一部を取
    り出すための光取出部を含み、 前記光取出部によって、前記コア内を伝播する光の一部
    を取り出した後、前記光取出部から出射した光を前記光
    検出器によって検出する、光モジュールにおける光検出
    方法。
  10. 【請求項10】 請求項9において、 前記光取出部は、前記光ファイバに形成された切り欠き
    部からなり、 前記切り欠き部を構成する1の面にて、前記コア内を伝
    播する光のうち一部の光の伝播する方向を変化させた
    後、該一部の光を前記光検出器によって検出する、光モ
    ジュールにおける光検出方法。
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JP2006017885A (ja) * 2004-06-30 2006-01-19 Fuji Xerox Co Ltd 導波路フィルム型光モジュール、光導波路フィルム及びその製造方法
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JP2007233341A (ja) * 2006-02-03 2007-09-13 Ngk Insulators Ltd 光デバイス
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