JP2002105355A - 高純度カーボンブラック - Google Patents
高純度カーボンブラックInfo
- Publication number
- JP2002105355A JP2002105355A JP2000303160A JP2000303160A JP2002105355A JP 2002105355 A JP2002105355 A JP 2002105355A JP 2000303160 A JP2000303160 A JP 2000303160A JP 2000303160 A JP2000303160 A JP 2000303160A JP 2002105355 A JP2002105355 A JP 2002105355A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carbon black
- reaction tube
- purity carbon
- raw material
- hydrocarbon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Pigments, Carbon Blacks, Or Wood Stains (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 金属不純物による汚染を嫌う半導体関連分
野、例えばＩＣやＬＳＩなどの半導体デバイス製造工程
中のフォトレジストプロセスにおける反射防止膜の形成
などに好適な高純度カーボンブラックを提供する。 【解決手段】 縦型円筒状反応管の下部スクロール部か
らフィルターを介して送入した空気により、反応管下部
から中心軸方向に気体状で導入した原料炭化水素流の表
層部を燃焼するとともに、外熱式ヒーターにより加熱さ
れた反応帯域において原料炭化水素を熱分解して得られ
たカーボンブラックであって、灰分が５ppm 以下、各金
属元素含有量が２００ppb 以下であることを特徴とする
高純度カーボンブラック。
野、例えばＩＣやＬＳＩなどの半導体デバイス製造工程
中のフォトレジストプロセスにおける反射防止膜の形成
などに好適な高純度カーボンブラックを提供する。 【解決手段】 縦型円筒状反応管の下部スクロール部か
らフィルターを介して送入した空気により、反応管下部
から中心軸方向に気体状で導入した原料炭化水素流の表
層部を燃焼するとともに、外熱式ヒーターにより加熱さ
れた反応帯域において原料炭化水素を熱分解して得られ
たカーボンブラックであって、灰分が５ppm 以下、各金
属元素含有量が２００ppb 以下であることを特徴とする
高純度カーボンブラック。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、不純物、特に金属
不純物による汚染を嫌う半導体関連分野、例えばＩＣ、
ＬＳＩなどの半導体デバイス製造工程中のフォトレジス
トプロセスにおける反射防止膜の形成などに好適に用い
ることのできる高純度カーボンブラックに関する。
不純物による汚染を嫌う半導体関連分野、例えばＩＣ、
ＬＳＩなどの半導体デバイス製造工程中のフォトレジス
トプロセスにおける反射防止膜の形成などに好適に用い
ることのできる高純度カーボンブラックに関する。
【０００２】
【従来の技術】カーボンブラックは、ゴム補強材を中心
とするゴム用途分野をはじめ、黒色顔料として樹脂着色
剤、印刷インキ、塗料などの用途や導電性付与剤などの
用途に広く使用されており、カーボンブラックの種類と
してはファーネスブラック、チャンネルブラック、サー
マルブラック、アセチレンブラックが古くから知られて
いる。
とするゴム用途分野をはじめ、黒色顔料として樹脂着色
剤、印刷インキ、塗料などの用途や導電性付与剤などの
用途に広く使用されており、カーボンブラックの種類と
してはファーネスブラック、チャンネルブラック、サー
マルブラック、アセチレンブラックが古くから知られて
いる。
【０００３】このうち、主流となっているのはオイルフ
ァーネスブラックで、オイルファーネスブラックの基本
的な製造技術は、耐火煉瓦で内張りした円筒状の燃焼
域、反応域および反応停止域を同軸的に連設した反応炉
を用い、燃焼域で燃料を燃焼させて高温の燃焼ガスを生
成させ、燃焼ガス流中に炭化水素原料油を導入して原料
炭化水素の不完全燃焼および熱分解反応により炭化水素
をカーボンブラックに転化させ、次いで反応停止域にお
いてカーボンブラック含有ガス流を急冷して反応を終結
させ、最終的にカーボンブラックを捕集工程で回収する
プロセスからなっている。
ァーネスブラックで、オイルファーネスブラックの基本
的な製造技術は、耐火煉瓦で内張りした円筒状の燃焼
域、反応域および反応停止域を同軸的に連設した反応炉
を用い、燃焼域で燃料を燃焼させて高温の燃焼ガスを生
成させ、燃焼ガス流中に炭化水素原料油を導入して原料
炭化水素の不完全燃焼および熱分解反応により炭化水素
をカーボンブラックに転化させ、次いで反応停止域にお
いてカーボンブラック含有ガス流を急冷して反応を終結
させ、最終的にカーボンブラックを捕集工程で回収する
プロセスからなっている。
【０００４】しかしながら、オイルファーネスブラック
は原料油や冷却水などに含まれる金属塩類および反応炉
の内張煉瓦の剥離片や製造設備の腐食などによる金属錆
片などに起因する不可避的不純物が混入することがあ
り、これらの不純物は除去設備により除去されるが、市
販されているオイルファーネスブラックには、凡そ1000
〜5000ppm 程度の灰分、 500〜1000ppm 程度の金属不純
物が含まれている。
は原料油や冷却水などに含まれる金属塩類および反応炉
の内張煉瓦の剥離片や製造設備の腐食などによる金属錆
片などに起因する不可避的不純物が混入することがあ
り、これらの不純物は除去設備により除去されるが、市
販されているオイルファーネスブラックには、凡そ1000
〜5000ppm 程度の灰分、 500〜1000ppm 程度の金属不純
物が含まれている。
【０００５】したがって、高純度性が要求される、例え
ば半導体分野において使用するためには、これらの不純
物が少なく、特に金属不純物が極めて少ないことが必要
となる。金属不純物は、例えばハロゲン系のガスを含む
非酸化性雰囲気中で高温熱処理することにより除去する
ことができるが、高温熱処理時にカーボンブラック粒子
が擬黒鉛結晶化して構造変化が生じ、またカーボンブラ
ック粒子表面の化学的性状も変化することになる。この
カーボンブラック粒子の物理化学的性状の変化による、
例えば比表面積の低下や表面不活性化などの特性変化
は、用途によっては使用が制限されることとなる。
ば半導体分野において使用するためには、これらの不純
物が少なく、特に金属不純物が極めて少ないことが必要
となる。金属不純物は、例えばハロゲン系のガスを含む
非酸化性雰囲気中で高温熱処理することにより除去する
ことができるが、高温熱処理時にカーボンブラック粒子
が擬黒鉛結晶化して構造変化が生じ、またカーボンブラ
ック粒子表面の化学的性状も変化することになる。この
カーボンブラック粒子の物理化学的性状の変化による、
例えば比表面積の低下や表面不活性化などの特性変化
は、用途によっては使用が制限されることとなる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、カーボンブ
ラックを後処理的に高温熱処理して金属不純物を除去す
るのではなく、カーボンブラックの製造プロセス面から
不純物の含有量を極めて低位に抑制するものであり、そ
の目的は、特に金属不純物による汚染を嫌う半導体関連
分野、例えばＩＣ、ＬＳＩなどの半導体デバイス製造工
程中のフォトレジストプロセスにおける反射防止膜の形
成などに好適に用いることのできる高純度カーボンブラ
ックを提供することにある。
ラックを後処理的に高温熱処理して金属不純物を除去す
るのではなく、カーボンブラックの製造プロセス面から
不純物の含有量を極めて低位に抑制するものであり、そ
の目的は、特に金属不純物による汚染を嫌う半導体関連
分野、例えばＩＣ、ＬＳＩなどの半導体デバイス製造工
程中のフォトレジストプロセスにおける反射防止膜の形
成などに好適に用いることのできる高純度カーボンブラ
ックを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明による高純度カーボンブラックは、縦型円筒
状反応管の下部スクロール部からフィルターを介して送
入した空気により、反応管下部から中心軸方向に気体状
で導入した原料炭化水素流の表層部を燃焼するととも
に、外熱式ヒータにより加熱された反応帯域において原
料炭化水素を熱分解して得られたカーボンブラックであ
って、灰分が５ppm 以下、各金属元素含有量が２００pp
b 以下であることを構成上の特徴とする。
めの本発明による高純度カーボンブラックは、縦型円筒
状反応管の下部スクロール部からフィルターを介して送
入した空気により、反応管下部から中心軸方向に気体状
で導入した原料炭化水素流の表層部を燃焼するととも
に、外熱式ヒータにより加熱された反応帯域において原
料炭化水素を熱分解して得られたカーボンブラックであ
って、灰分が５ppm 以下、各金属元素含有量が２００pp
b 以下であることを構成上の特徴とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の高純度カーボンブラック
は、図１に例示した製造装置により製造される。すなわ
ち、図１は本発明の高純度カーボンブラックを製造する
装置の１例を示した模式図で、１は縦型円筒状反応管、
２は１の下部に設けたスクロール部であり、空気がスク
ロール部２から反応管１に送入される。なお、空気は不
純物汚染を排除するために、エアーフィルター３を通し
て粉塵などを除去したうえで送入される。
は、図１に例示した製造装置により製造される。すなわ
ち、図１は本発明の高純度カーボンブラックを製造する
装置の１例を示した模式図で、１は縦型円筒状反応管、
２は１の下部に設けたスクロール部であり、空気がスク
ロール部２から反応管１に送入される。なお、空気は不
純物汚染を排除するために、エアーフィルター３を通し
て粉塵などを除去したうえで送入される。
【０００９】スクロール部２には、縦型円筒状反応管１
の中心軸方向に原料炭化水素を導入するための原料導入
ノズル４が挿着されている。原料炭化水素には、例えば
ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素単
体、あるいは石炭系炭化水素や石油系炭化水素を蒸留精
製して用いることができ、加熱気化して気体状で導入さ
れる。好ましくは、メタン、プロパン、天然ガス、石炭
ガス、石油ガスなどの気体状炭化水素が使用される。な
お、これらの気体状炭化水素はエアーフィルター５を通
してミストなどの不純物を除去することが好ましい。
の中心軸方向に原料炭化水素を導入するための原料導入
ノズル４が挿着されている。原料炭化水素には、例えば
ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素単
体、あるいは石炭系炭化水素や石油系炭化水素を蒸留精
製して用いることができ、加熱気化して気体状で導入さ
れる。好ましくは、メタン、プロパン、天然ガス、石炭
ガス、石油ガスなどの気体状炭化水素が使用される。な
お、これらの気体状炭化水素はエアーフィルター５を通
してミストなどの不純物を除去することが好ましい。
【００１０】縦型円筒状反応管１、スクロール部２、原
料導入ノズル４などは損傷による不純物混入を防ぐため
に、高強度、高耐熱性、高耐蝕性のアルミナ、石英、ム
ライト、ジルコニアなどのセラミックス、ステンレス、
白金などの金属を用いることが好ましい。
料導入ノズル４などは損傷による不純物混入を防ぐため
に、高強度、高耐熱性、高耐蝕性のアルミナ、石英、ム
ライト、ジルコニアなどのセラミックス、ステンレス、
白金などの金属を用いることが好ましい。
【００１１】縦型円筒状反応管１には電熱ヒーターなど
の外熱式ヒータ−６を設け、外部から加熱して原料炭化
水素の熱分解を促進する反応帯域７が形成されている。
反応帯域７で熱分解して生成したカーボンブラックを含
むガス流は、冷却装置８で所定温度に冷却した後、バッ
グフィルターなどの適宜な捕集装置９でカーボンブラッ
クが回収される。
の外熱式ヒータ−６を設け、外部から加熱して原料炭化
水素の熱分解を促進する反応帯域７が形成されている。
反応帯域７で熱分解して生成したカーボンブラックを含
むガス流は、冷却装置８で所定温度に冷却した後、バッ
グフィルターなどの適宜な捕集装置９でカーボンブラッ
クが回収される。
【００１２】この装置により、本発明の高純度カーボン
ブラックは次のようにして製造される。原料導入ノズル
４から縦型円筒状反応管１の中心軸方向に導入した気体
状原料炭化水素は円柱状の原料ガス流を形成し、スクロ
ール部２から縦型円筒状反応管１に送入された空気は外
熱式ヒーター６により加熱されている反応帯域７におい
て層流を形成する。反応帯域７において空気と接触した
原料炭化水素は、外周部のみ、すなわち表層部が燃焼し
て高温ガス流を形成し、原料ガス流は外周部の高温ガス
流および外熱式ヒーター６から熱の供給を受けてカーボ
ンブラックに転化する。
ブラックは次のようにして製造される。原料導入ノズル
４から縦型円筒状反応管１の中心軸方向に導入した気体
状原料炭化水素は円柱状の原料ガス流を形成し、スクロ
ール部２から縦型円筒状反応管１に送入された空気は外
熱式ヒーター６により加熱されている反応帯域７におい
て層流を形成する。反応帯域７において空気と接触した
原料炭化水素は、外周部のみ、すなわち表層部が燃焼し
て高温ガス流を形成し、原料ガス流は外周部の高温ガス
流および外熱式ヒーター６から熱の供給を受けてカーボ
ンブラックに転化する。
【００１３】このようにして、気体状炭化水素流の表層
部が燃焼して原料流の周囲が高温ガス流で包囲され、そ
の周辺は空気流が流通して断熱ガス流が形成されること
になる。すなわち、原料炭化水素流は、その周囲からの
熱負荷を受けて、その内部には小さな高温領域が形成さ
れ熱分解してカーボンブラックに転化するとともに、縦
型円筒状反応管１の内壁に直接接触することが防止さ
れ、内壁部は比較的に低温に維持され、内壁部の損傷が
低減化する。
部が燃焼して原料流の周囲が高温ガス流で包囲され、そ
の周辺は空気流が流通して断熱ガス流が形成されること
になる。すなわち、原料炭化水素流は、その周囲からの
熱負荷を受けて、その内部には小さな高温領域が形成さ
れ熱分解してカーボンブラックに転化するとともに、縦
型円筒状反応管１の内壁に直接接触することが防止さ
れ、内壁部は比較的に低温に維持され、内壁部の損傷が
低減化する。
【００１４】更に、原料炭化水素および空気はエアーフ
ィルターにより不純物を除去しているので、生成したカ
ーボンブラックも極めて不純物が少ない、高純度のカー
ボンブラックが得られる。
ィルターにより不純物を除去しているので、生成したカ
ーボンブラックも極めて不純物が少ない、高純度のカー
ボンブラックが得られる。
【００１５】このようにして得られた、本発明の高純度
カーボンブラックは、具体的に灰分が５ppm 以下に、ま
た各金属元素の含有量も２００ppb 以下に抑えることが
可能となる。
カーボンブラックは、具体的に灰分が５ppm 以下に、ま
た各金属元素の含有量も２００ppb 以下に抑えることが
可能となる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例を比較例と対比して詳
細に説明する。
細に説明する。
【００１７】実施例１、２ 図１に示した装置によりカーボンブラックを製造した。
縦型円筒状反応管１は直径２２mm、高さ１０００mmのア
ルミナ管を用い、電気ヒーター６により反応帯域７を１
２００℃に加熱した。原料炭化水素にはプロパンガスを
用いてステンレス(SUS316)製の原料導入ノズル４から反
応管１の中心軸方向に導入した。また、エアーフィルタ
ー３を通した空気をスクロール部２から送入して、プロ
パンガス流の周囲に流通させた。このようにして原料プ
ロパンガス流の表層部を燃焼しながら、反応帯域７でプ
ロパンガスを熱分解した。カーボンブラックを含有する
ガス流は冷却装置８で冷却後、捕集装置９でカーボンブ
ラックを分離、捕集した。このようにして窒素吸着比表
面積およびＤＢＰ吸収量の異なる２種類のカーボンブラ
ック試料を得た。
縦型円筒状反応管１は直径２２mm、高さ１０００mmのア
ルミナ管を用い、電気ヒーター６により反応帯域７を１
２００℃に加熱した。原料炭化水素にはプロパンガスを
用いてステンレス(SUS316)製の原料導入ノズル４から反
応管１の中心軸方向に導入した。また、エアーフィルタ
ー３を通した空気をスクロール部２から送入して、プロ
パンガス流の周囲に流通させた。このようにして原料プ
ロパンガス流の表層部を燃焼しながら、反応帯域７でプ
ロパンガスを熱分解した。カーボンブラックを含有する
ガス流は冷却装置８で冷却後、捕集装置９でカーボンブ
ラックを分離、捕集した。このようにして窒素吸着比表
面積およびＤＢＰ吸収量の異なる２種類のカーボンブラ
ック試料を得た。
【００１８】比較例１ チャンネル法で製造された灰分の少ない顔料用の市販カ
ーボンブラック（デグッサ社製 FW200）を試料とした。
ーボンブラック（デグッサ社製 FW200）を試料とした。
【００１９】比較例２ 市販のオイルファーネスカーボンブラック（東海カーボ
ン社製 S-600）を高純度化処理して試料とした。高純度
化処理は、塩素ガスの流通下に２８００℃の温度で３０
分間処理して行った。
ン社製 S-600）を高純度化処理して試料とした。高純度
化処理は、塩素ガスの流通下に２８００℃の温度で３０
分間処理して行った。
【００２０】これらの試料について、下記の方法により
特性を測定して、その結果を表１に示した。 窒素吸着比表面積：JIS K6217 ; 1779 C法 ＤＢＰ吸収量：JIS K6217 ; 1779 A法 ｐＨ値：JIS K6217 ; 1982 灰分：JIS K6218 ; 1779 但し、５回の測定値の平均
値
特性を測定して、その結果を表１に示した。 窒素吸着比表面積：JIS K6217 ; 1779 C法 ＤＢＰ吸収量：JIS K6217 ; 1779 A法 ｐＨ値：JIS K6217 ; 1982 灰分：JIS K6218 ; 1779 但し、５回の測定値の平均
値
【００２１】
【表１】
【００２２】次に、実施例１、２のカーボンブラック試
料中に含まれる金属元素含有量を測定し、その結果を表
２に示した。なお、測定はＡｌはＪＩＳ Ｒ７２２３に
準じてＣａ添加灰化し、酸溶解後、誘導結合プラズマ原
子発光分析法にて測定し、Ｃａ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍ
ｇ、Ｍｎ、Ｎｉは８００〜９５０℃で高温灰化し、酸溶
解後、誘導結合プラズマ原子発光分析法にて測定し、
Ｋ、Ｎａは８００〜９５０℃で高温灰化し、酸溶解後、
原子吸光法にて測定した。
料中に含まれる金属元素含有量を測定し、その結果を表
２に示した。なお、測定はＡｌはＪＩＳ Ｒ７２２３に
準じてＣａ添加灰化し、酸溶解後、誘導結合プラズマ原
子発光分析法にて測定し、Ｃａ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍ
ｇ、Ｍｎ、Ｎｉは８００〜９５０℃で高温灰化し、酸溶
解後、誘導結合プラズマ原子発光分析法にて測定し、
Ｋ、Ｎａは８００〜９５０℃で高温灰化し、酸溶解後、
原子吸光法にて測定した。
【００２３】
【表２】
【００２４】表１、２の結果から、実施例のカーボンブ
ラックは、低灰分のチャンネルブラックに比べて灰分が
極めて少なく、また高純度化処理したオイルファーネス
ブラックに比較しても低灰分であることが判る。また、
各金属元素の含有量は、いずれも２００ ppb以下と極め
て高純度である。
ラックは、低灰分のチャンネルブラックに比べて灰分が
極めて少なく、また高純度化処理したオイルファーネス
ブラックに比較しても低灰分であることが判る。また、
各金属元素の含有量は、いずれも２００ ppb以下と極め
て高純度である。
【００２５】
【発明の効果】以上のとおり、本発明によれば、カーボ
ンブラック製造プロセス面から金属不純物などの混入を
阻止し、特に金属不純物による汚染を嫌う半導体関連分
野、例えばＩＣ、ＬＳＩなどの半導体デバイス製造工程
中のフォトレジストプロセスにおける反射防止膜の形成
などに好適に用いることのできる高純度カーボンブラッ
クを提供することができる。
ンブラック製造プロセス面から金属不純物などの混入を
阻止し、特に金属不純物による汚染を嫌う半導体関連分
野、例えばＩＣ、ＬＳＩなどの半導体デバイス製造工程
中のフォトレジストプロセスにおける反射防止膜の形成
などに好適に用いることのできる高純度カーボンブラッ
クを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の高純度カーボンブラックを製造する装
置を例示した模式図である。
置を例示した模式図である。
１ 縦型円筒状反応管 ２ スクロール部 ３ エアーフィルター ４ 原料導入ノズル ５ エアーフィルター ６ 外熱式ヒーター ７ 反応帯域 ８ 冷却装置 ９ 捕集装置 10 エアータンク 11 原料ガスボンベ
Claims (1)
- 【請求項１】 縦型円筒状反応管の下部スクロール部か
らフィルターを介して送入した空気により、反応管下部
から中心軸方向に気体状で導入した原料炭化水素流の表
層部を燃焼するとともに、外熱式ヒータにより加熱され
た反応帯域において原料炭化水素を熱分解して得られた
カーボンブラックであって、灰分が５ppm 以下、各金属
元素含有量が２００ppb 以下であることを特徴とする高
純度カーボンブラック。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000303160A JP2002105355A (ja) | 2000-10-03 | 2000-10-03 | 高純度カーボンブラック |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000303160A JP2002105355A (ja) | 2000-10-03 | 2000-10-03 | 高純度カーボンブラック |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002105355A true JP2002105355A (ja) | 2002-04-10 |
Family
ID=18784401
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000303160A Pending JP2002105355A (ja) | 2000-10-03 | 2000-10-03 | 高純度カーボンブラック |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002105355A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005220320A (ja) * | 2004-02-09 | 2005-08-18 | Fuji Xerox Co Ltd | カーボンブラック、及びカーボンブラックの精製方法、並びにカーボンブラックを含有する半導電性部材 |
| JP2008056714A (ja) * | 2006-08-29 | 2008-03-13 | Tokai Carbon Co Ltd | 炭素微小球の製造装置 |
| WO2015020130A1 (ja) | 2013-08-08 | 2015-02-12 | ライオン株式会社 | カーボンブラック及びその製造方法、並びに蓄電デバイス及び導電性樹脂組成物 |
| WO2022168639A1 (ja) | 2021-02-05 | 2022-08-11 | デンカ株式会社 | カーボンブラック、カーボンブラックの製造方法、電極用組成物、電極及び二次電池 |
| WO2022168644A1 (ja) | 2021-02-05 | 2022-08-11 | デンカ株式会社 | カーボンブラック、カーボンブラックの製造方法、電極用組成物、電極及び二次電池 |
| WO2022168640A1 (ja) | 2021-02-05 | 2022-08-11 | デンカ株式会社 | カーボンブラック、カーボンブラックの製造方法、電極用組成物、電極及び二次電池 |
-
2000
- 2000-10-03 JP JP2000303160A patent/JP2002105355A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005220320A (ja) * | 2004-02-09 | 2005-08-18 | Fuji Xerox Co Ltd | カーボンブラック、及びカーボンブラックの精製方法、並びにカーボンブラックを含有する半導電性部材 |
| JP2008056714A (ja) * | 2006-08-29 | 2008-03-13 | Tokai Carbon Co Ltd | 炭素微小球の製造装置 |
| WO2015020130A1 (ja) | 2013-08-08 | 2015-02-12 | ライオン株式会社 | カーボンブラック及びその製造方法、並びに蓄電デバイス及び導電性樹脂組成物 |
| CN105452391A (zh) * | 2013-08-08 | 2016-03-30 | 狮王特殊化学株式会社 | 碳黑及其制造方法，以及蓄电装置及导电性树脂组合物 |
| WO2022168639A1 (ja) | 2021-02-05 | 2022-08-11 | デンカ株式会社 | カーボンブラック、カーボンブラックの製造方法、電極用組成物、電極及び二次電池 |
| WO2022168644A1 (ja) | 2021-02-05 | 2022-08-11 | デンカ株式会社 | カーボンブラック、カーボンブラックの製造方法、電極用組成物、電極及び二次電池 |
| WO2022168640A1 (ja) | 2021-02-05 | 2022-08-11 | デンカ株式会社 | カーボンブラック、カーボンブラックの製造方法、電極用組成物、電極及び二次電池 |
| KR20230097032A (ko) | 2021-02-05 | 2023-06-30 | 덴카 주식회사 | 카본 블랙, 카본 블랙의 제조 방법, 전극용 조성물, 전극 및 이차 전지 |
| KR20230101810A (ko) | 2021-02-05 | 2023-07-06 | 덴카 주식회사 | 카본 블랙, 카본 블랙의 제조 방법, 전극용 조성물, 전극 및 이차 전지 |
| KR20230101809A (ko) | 2021-02-05 | 2023-07-06 | 덴카 주식회사 | 카본 블랙, 카본 블랙의 제조 방법, 전극용 조성물, 전극 및 이차 전지 |
| EP4234640A1 (en) * | 2021-02-05 | 2023-08-30 | Denka Company Limited | Carbon black, carbon black production method, composition for electrode, electrode, and secondary battery |
| EP4234640A4 (en) * | 2021-02-05 | 2024-05-01 | Denka Company Ltd | CARBON BLACK, METHOD FOR PRODUCING CARBON BLACK, COMPOSITION FOR ELECTRODE, ELECTRODE AND SECONDARY BATTERY |
| EP4245813A4 (en) * | 2021-02-05 | 2024-05-08 | Denka Company Ltd | CARBON BLACK, METHOD FOR PRODUCING CARBON BLACK, COMPOSITION FOR ELECTRODE, ELECTRODE AND SECONDARY BATTERY |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11453784B2 (en) | Carbon particles having specific contents of polycylic aromatic hydrocarbon and benzo[a]pyrene | |
| Chen et al. | Purification of multi-walled carbon nanotubes by microwave digestion method | |
| EP1874685B1 (en) | Method and apparatus for the continuous production and functionalization of single-waled carbon nanotubes using a high frequency plasma torch | |
| Smith Jr et al. | Selective oxidation of single-walled carbon nanotubes using carbon dioxide | |
| WO2017048621A1 (en) | Carbon black from natural gas | |
| JP2004510014A (ja) | 炭素含有供給材料を限定されたナノ構造を有する炭素含有材料に転換するための装置および方法 | |
| BRPI0610766A2 (pt) | processo para processamento adicional do resìduo formado na produção de nanoestruturas de fulerenos e carbono | |
| JP2002105355A (ja) | 高純度カーボンブラック | |
| Wang et al. | Synthesis of Fe-included onion-like Fullerenes by chemical vapor deposition | |
| JP4129970B2 (ja) | 高ストラクチャーカーボンブラックの製造方法 | |
| JP4315365B2 (ja) | 炭素微小球の製造方法 | |
| US8444948B2 (en) | Graphite nano-carbon fiber and method of producing the same | |
| WO2022166242A1 (zh) | 一种裂解炭黑二次处理工艺及装置 | |
| US20220227630A1 (en) | Simultaneous process for the production of carbon black and carbon nanostructures | |
| Mis‐Fernández et al. | Synthesis of carbon nanostructures from residual solids waste tires | |
| JPH10292126A (ja) | カーボンブラックの製造方法 | |
| JP2003171106A (ja) | フラーレン類の製造方法およびフラーレン類の製造装置 | |
| JPH10168337A (ja) | カーボンブラックの製造方法 | |
| Dichiara | In situ diagnostics for the study of carbon nanotube growth mechanism by oating catalyst chemical vapor deposition for advanced composite applications | |
| JPH0734001A (ja) | カーボンブラックの製造方法 | |
| Wójtowicz et al. | Carbon black derived from waste tire pyrolysis oil | |
| JPH09241528A (ja) | カーボンブラックの製造方法および装置 | |
| UA82066C2 (uk) | Спосіб одержання дрібнодисперсного порошку карбіду бору | |
| JPS5983922A (ja) | 炭化ケイ素粉の製造法 | |
| El Mejdoub et al. | Reactivity of the soot produced during pyrolysis of hexachlorobenzene. Influence of the presence of chlorine |