JP2002100869A

JP2002100869A - 回路基板、それを用いた多層回路基板、およびそれらの製造方法

Info

Publication number: JP2002100869A
Application number: JP2000288987A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Terashita; 博史寺下; Masaru Nagai; 勝長井; Takayuki Mitsuhashi; 隆行三觜
Original assignee: Meiko Co Ltd
Current assignee: Meiko Co Ltd
Priority date: 2000-09-22
Filing date: 2000-09-22
Publication date: 2002-04-05

Abstract

(57)【要約】【課題】薄形化、高多層化が可能な多層回路基板の製
造にとって有用な回路基板とその製造方法を提供する。【解決手段】下層回路基板Ａ₀の上に順次積層されて
いく回路基板Ａ₁であって、回路基板Ａ₁は、繊維強化樹
脂基板１０に穿設された貫通孔１１の中に中実構造の柱
状導体１３が配置されており、貫通孔１１の内壁面１１
ａと柱状導体１３の外周面１３ａとの間には樹脂硬化物
層１４が介在し、かつ、少なくとも柱状導体１３の上面
は導電薄層１５で被覆されている回路基板。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は回路基板、それを用
いた多層回路基板、およびそれらの製造方法に関し、更
に詳しくは、ビルドアップ工法で製造される多層回路基
板の層間材として用いて有効な回路基板と、それを用い
ることにより、全体の剛性を低下させることなく、従来
に比べてより薄形で高多層化を実現することができる多
層回路基板と、それらの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子・電気機器の小型化、軽量
化、多機能化の進展に伴い、これら機器に組み込まれる
回路基板としては多層回路基板が広く採用されている。
この多層回路基板は、表面に所定の回路パターンが配線
されている回路基板を複数枚積層して一体化した構造の
ものであって、下層の回路基板の回路パターンと上層の
回路基板の回路パターンの間は、貫通スルーホールやバ
イアホールで導通がとられている。

【０００３】そして、この多層回路基板に対しては、回
路パターンの細線化やその高密度化、また基板全体の薄
形化や高多層化の要望が強まっており、それに応えるた
めに、最近ではビルドアップ工法を適用して製造するこ
とが行われている。このビルドアップ工法は、概ね、次
のようにして進められる。その１例を、片面にビルドア
ップしていく場合について説明する。

【０００４】まず、図１５で示したように、絶縁基板１
Ａの表面に所定の回路パターン１Ｂが形成されている回
路基板１をコア基板として用意する。ここで、絶縁基板
１Ａとしては、製造すべき多層回路基板の強度を確保す
るために、ガラス繊維強化樹脂基板に代表される、強度
特性の優れた繊維強化樹脂基板を使用するのが一般的で
ある。

【０００５】ついで、このコア基板１の表面に絶縁樹脂
を塗布したのち硬化して前記回路パターン１Ｂを埋設す
る所望厚みの絶縁層２Ａを形成する（図１６）。そし
て、この絶縁層２Ａの表面のうち、目的とするバイアホ
ールを形成すべき箇所に前記回路パターン１Ｂの表面に
至るまでの凹孔１Ｃを形成する（図１７）。

【０００６】このような凹孔は、従来はホトリソグラフ
ィーとエッチング技術を適用して形成されていたが、最
近では、より小径の凹孔を形成することができるという
ことからレーザ加工を適用して行われているのが通例で
ある。ついで、例えば薬液処理により、絶縁層２Ａの表
面と凹孔１Ｃの側壁面に粗面化処理を施したのち全面に
無電解めっきと電気めっきを順次行い、図１８で示した
ように、回路パターン１Ｂの表面と凹孔１Ｃの側壁面と
絶縁層２Ｂの表面とを被覆する所望厚みのめっき層２Ｂ
を形成する。

【０００７】そして、このめっき層２Ｂに対して常法の
パターニング処理を行って一部を除去し、絶縁層２Ａの
表面にランド１Ｃ₁を有する凹孔１Ｃのパターンと所定
の回路パターンを形成する。その結果、図１９で示した
ように、コア基板１の上には、絶縁層２Ａとその表面に
形成されている所定の回路パターン２Ｂおよびコア基板
１の回路パターン１Ｂと接続する凹孔１Ｃ、すなわちバ
イアホールを有する第２の回路基板２が積層された２層
構造の回路基板が得られる。

【０００８】そして、この第２の回路基板２の上に、更
に別の回路基板を積層する場合には、図２０で示したよ
うに、回路基板２の表面に絶縁樹脂を塗布したのち硬化
して前記回路パターン２Ｂと凹孔１Ｃのパターンを埋設
する絶縁層３Ａを形成し、この絶縁層３Ａに対し、ラン
ド部１Ｃ₁に対応する箇所に図１７〜図１９で示したと
同様の処理を行えばよい。

【０００９】その結果、図２１で示したように、第２の
回路基板２の上には、絶縁層３Ａと、その表面に形成さ
れている所定の回路パターン３Ｂおよび第２の回路基板
２のランド部１Ｃ₁と接続している凹孔２Ｃ、すなわち
バイアホールとを有する第３の回路基板３が積層されて
いる３層構造の回路基板が得られる。この第３の回路基
板の上に、前記した操作を反復していくことにより、所
望する層数を有し、各層は凹孔１Ｃ，２Ｃ，…がバイア
ホールとして機能する多層回路基板を製造することがで
きる。

【００１０】このように、ビルドアップ工法で製造され
た多層回路基板は、繊維強化樹脂基板であるコア基板
と、樹脂基板である各回路基板との積層構造体であっ
て、全体の強度はコア基板で確保されている。すなわ
ち、厚いコア基板を用いれば製造した多層回路基板の強
度も確保されて例えば撓みなどが起こりにくくなってい
るが、逆に薄いコア基板を用いれば、製造した多層回路
基板は全体として薄くなるとはいえ、その強度は低く撓
みやすいものになっている。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】ところで、多層回路基
板に対しては、前記したように、薄型化への要望が強
い。しかも同時に、更なる多層化とそのことによる基板
としては多機能化が強く求められている。このような要
望を満たすためには、多層回路基板を構成している各回
路基板の厚み、とりわけ、全体の厚みのうち大きな割合
を占めているコア基板の厚みを薄くすればよい。

【００１２】しかしながら、コア基板の厚みを薄くする
と、その強度は低下するので製造した多層回路基板の全
体的な強度も低下してしまうという問題が生ずる。仮
に、薄いコア基板を使用した場合であっても、そのコア
基板に積層されていく回路基板として同様の繊維強化樹
脂基板を使用すれば、その繊維強化樹脂基板を薄くする
ことにより、全体としての薄形化を実現できると同時に
強度も確保することもできる。

【００１３】しかしながら、積層していく回路基板を製
造するに際し、そこにバイアホールをレーザ加工で形成
する場合、とりわけ炭酸ガスレーザで形成する場合に
は、次のような問題が起こりやすい。すなわち、繊維強
化樹脂基板は、例えば強化材であるガラス繊維とマトリ
ックスである樹脂との複合材であり、両者の熱分解温度
は異なるため、ここにレーザ加工を行っても、寸法精度
の高いバイアホールを形成することが困難であるという
問題である。

【００１４】仮に、レーザ出力が小さい場合には、マト
リックスの樹脂は熱分解除去されても強化材であるガラ
ス繊維は熱分解せずに残置して精度の高いバイアホール
が形成されないことがあり、また逆にレーザ出力を高め
ると、樹脂の熱分解が過度に進んで設計目標値から大き
く外れた口径のバイアホールが形成されてしまうからで
ある。

【００１５】このようなことから、強度が確保された薄
い多層回路基板の製造にとって、積層していく回路基板
として繊維強化樹脂基板を使用することの有用性は理解
されていても、そこにレーザ加工でバイアホールを形成
する際の上記した問題との関係で、積層していく回路基
板としては樹脂層から成るものが使用されているのが現
状である。

【００１６】本発明は、従来の多層回路基板における上
記した問題を解決し、積層していく回路基板としてガラ
ス繊維強化樹脂基板に代表される繊維強化樹脂基板を用
いているにもかかわらず、レーザ加工で高い精度のバイ
アホールが形成されている回路基板と、それを用いるこ
とにより、全体として薄形であるにもかかわらず、その
剛性は優れている多層回路基板と、それらの製造方法の
提供を目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、本発明においては、下層回路基板の上に順次積
層されていく回路基板であって、前記回路基板は、繊維
強化樹脂基板に穿設された貫通孔の中に中実構造の柱状
導体が配置されており、前記貫通孔の内壁面と前記柱状
導体の外周面との間には樹脂硬化物層が介在し、かつ、
少なくとも前記柱状導体の上面は導電薄層で被覆されて
いることを特徴とする回路基板が提供される。

【００１８】また、本発明においては、Ｂステージ状態
の繊維強化樹脂基板に目的とするバイアホールよりも大
径の貫通孔を穿設する工程；前記繊維強化樹脂基板の前
記貫通孔を下層回路基板の受けランドの上に配置し、か
つ、前記繊維強化樹脂基板の上面には前記貫通孔を閉鎖
する銅箔を配置して前記貫通孔の密閉空間を形成したの
ち熱圧プレスを行って、前記密閉空間内を前記繊維強化
樹脂基板の構成樹脂の硬化物を前記密閉空間内に形成す
る工程；前記銅箔に回路パターンを形成すると同時に、
前記貫通孔を閉鎖している銅箔の部分を除去して、前記
樹脂硬化物の表面を露出させる工程；前記樹脂硬化物に
レーザ加工を行って、前記受けランドにまで至る目的径
のバイアホールを形成する工程；および、前記バイアホ
ールの中に導電材を充填して中実構造の柱状導体を形成
したのち、少なくとも前記柱状導体の上面を被覆する導
電薄層を形成する工程；を備えていることを特徴とする
回路基板の製造方法（以下、第１方法という）、Ｂステ
ージ状態の繊維強化樹脂基板に目的とするバイアホール
よりも大径の貫通孔を穿設する工程；前記繊維強化樹脂
基板の前記貫通孔を下層回路基板の受けランドの上に配
置し、かつ、前記繊維強化樹脂基板の上面に前記貫通孔
を閉鎖する銅箔を配置して前記貫通孔の密閉空間を形成
したのち熱圧プレスを行って、前記密閉空間内を前記繊
維強化樹脂基板の構成樹脂の硬化物で充満せしめる工
程；前記銅箔に回路パターンを形成するとともに、前記
貫通孔を閉鎖する銅箔の部分にレーザ加工を行って、前
記受けランドにまで至る目的径のバイアホールを形成す
る工程；および、前記バイアホールの中に導電材を充填
して中実構造の柱状導体を形成したのち、少なくとも前
記柱状導体の上面を被覆する導電薄層を形成する工程；
を備えていることを特徴とする回路基板の製造方法（以
下、第２方法という）、ならびに、Ｂステージ状態の繊
維強化樹脂基板の片面に銅箔を貼着する工程；前記銅箔
と前記繊維強化樹脂基板を貫通して、目的とするバイア
ホールよりも大径の貫通孔を穿設する工程；前記繊維強
化樹脂基板の前記貫通孔を下層回路基板の受けランドの
上に配置し、かつ、前記貫通孔を閉鎖する離型フィルム
を前記銅箔の上に配置して前記貫通孔の密閉空間を形成
したのち熱圧プレスを行って、前記密閉空間内を前記繊
維強化樹脂基板の構成樹脂の硬化物で充満せしめる工
程；前記離型フィルムを剥離して前記樹脂硬化物の表面
を露出させる方法；前記樹脂降下物層にレーザ加工処理
を行って、前記受けランドにまで至る目的径のバイアホ
ールを形成する方法；および、前記バイアホールの中に
導電材を充填して中実構造の柱状導体を形成したのち、
少なくとも前記柱状導体の上面を被覆する導電薄層を形
成する工程；を備えていることを特徴とする回路基板の
製造方法（以下、第３方法という）が提供される。

【００１９】更に、本発明においては、コア基板の上
に、上記した回路基板を複数枚積層して成る多層回路基
板であって、下層の前記回路基板の前記導電薄層の上
に、上層の前記回路基板の前記柱状導体が形成されてい
ることを特徴とする多層回路基板が提供され、また、コ
ア基板の上に、上記した回路基板の複数枚を、上記した
第１方法、第２方法、または第３方法のいずれかの方法
で順次積層して成る多層回路基板を製造する際に、下層
の前記回路基板の前記導電薄層の上に、上層の前記回路
基板の柱状導体を形成することを特徴とする多層回路基
板の製造方法が提供される。

【００２０】

【発明の実施の形態】まず、本発明の回路基板の１例Ａ
₁を図１に示す。本発明の回路基板Ａ₁は、例えばコア基
板であるような下層回路基板Ａ₀の上に積層して製造さ
れる。回路基板Ａ₁は、全体がガラス繊維強化樹脂基板
のような繊維強化樹脂基板１０から成り、その所定箇所
には、後述する貫通孔１１が穿設されている。この貫通
孔１１は下層基板Ａ₀の受けランド１２の上に位置して
いて、その中には中実構造の柱状導体１３が配置されて
いる。

【００２１】この貫通孔１１の内壁面１１ａと柱状導体
１３の外周面１３ａの間には後述する樹脂硬化物層１４
が介在しており、そして貫通孔１１の上面の全体を被覆
して導電薄層１５が形成されている。なお、この導電薄
層１５は、貫通孔内に位置している貫通孔１１よりは小
径の柱状導体１３の上面のみを被覆して形成されていて
もよい。そして、繊維強化樹脂基板１０の上面には所定
の回路パターン１６が配線されることにより、本発明の
回路基板Ａ₁が構成されている。

【００２２】この回路基板Ａ₁の場合、下層回路基板Ａ₀
の受けランド１２の上に直接形成されている柱状導体１
３が従来のバイアホールとして機能し、そのことによ
り、下層回路基板Ａ₀と回路パターン１６の導通構造が
形成されている。そして、この回路基板Ａ₁の上に更に
別の回路基板を積層する場合には、回路基板Ａ₁の導電
薄層１５を受けランドとして、その上に直接上記した導
通構造を形成すればよい。

【００２３】この回路基板Ａ₁の場合、基材は高強度の
繊維強化樹脂基板であるため、薄くしても必要とする強
度を確保することができる。この回路基板は前記した３
つの方法で製造することができる。最初に第１方法から
説明する。まず、図２で示したように、所定の厚みを有
するＢステージ状態の繊維強化樹脂基板（プリプレグ）
１０Ａを用意し、その所定箇所に例えばＮＣ旋盤を用い
て所定径の貫通孔１１を穿設する。このときの貫通孔１
１は、目的とするバイアホール、すなわち柱状導体１３
よりも大径とする。

【００２４】ついで、図３に示したように、既に回路基
板として製造されている下層回路基板Ａ₀の受けランド
１２と貫通孔１１の位置合わせを行ってＢステージ状態
の繊維強化樹脂基板１０Ａを下層回路基板Ａ₀の上に重
ね合わせ、同時に、繊維強化樹脂基板１０Ａの上に銅箔
１６Ａを配置して、受けランド１２と銅箔１６Ａで封鎖
されている貫通孔１１の密閉空間を形成する。

【００２５】そして、全体を熱圧プレスする。この熱圧
プレスにより、図４で示したように、Ｂステージ状態の
繊維強化樹脂基板１０Ａを構成していたマトリックスで
ある構成樹脂は液状化して貫通孔１１の上記密閉空間内
に流入してそこに充満し、その状態で熱硬化することに
より樹脂硬化物１４Ａに転化する。同時に、繊維強化樹
脂基板１０Ａは下層回路基板Ａ ₀と密着した状態で全体
として熱硬化し、リジッドな繊維強化樹脂基板１０に転
化する。

【００２６】ついで、銅箔１６Ａのパターニングを行
い、図５で示したように、繊維強化樹脂基板１０の上に
所定の回路パターン１６を配線し、同時に樹脂硬化物１
４Ａの上の銅箔部分を除去して当該樹脂硬化物１４Ａの
表面１４ａを露出させる。そして、図６で示したよう
に、上記樹脂硬化物１４Ａの表面１４ａからレーザ加工
を行って、受けランド１２にまで至るバイアホール１３
Ａを形成する。このとき、バイアホール１３Ａの径は、
当初穿設した貫通孔１１の径より小径に設定される。

【００２７】したがって、このレーザ加工の結果、貫通
孔１１の内壁面１１ａとバイアホール１３Ａとの間に
は、両者の径差に相当する厚みを有する樹脂硬化物層１
４が残置する。このときのレーザ加工は、全体として樹
脂硬化物のみから成る箇所に行われているので、バイア
ホール１３Ａは高精度で形成することができる。

【００２８】ついで、図７で示したように、バイアホー
ル１３Ａの中に導電材を充填して柱状導体１３を形成す
る。導電材の充填方法としては、例えば導電ペーストを
印刷法で充填してもよく、また、他の箇所はマスキング
した状態で下層回路基板Ａ₀の受けランド１２を陰極と
するめっきを行って充填してもよい。

【００２９】そして最後に、少なくとも柱状導体１３の
表面のみに例えば選択的な電気めっきを行うことによ
り、所定厚みの導電薄層１５を形成し、図１で示した構
造の回路基板Ａ₁が製造される。次に、第２方法につい
て説明する。この第２方法においては、図４で示した工
程までは第１方法の場合と同様にして進められる。

【００３０】ついで、銅箔１６Ａの上から直接レーザ加
工を行って、図８で示したように、樹脂硬化物１４Ａの
上に位置する銅箔部分を除去すると同時に、樹脂硬化物
１４Ａに受けランド１２にまで至るバイアホール１３Ａ
を形成する。なお、このときに、残余の銅箔１６Ａに対
してパターニングを行い所定の回路パターンを繊維強化
樹脂基板１０の上に配置することもできる。

【００３１】そして、以後の工程は、図６と図７で示し
た工程の場合と同様に進めることにより、図１で示した
回路基板Ａ₁が製造される。次に、第３方法について説
明する。この方法では、まず、図９で示したように、Ｂ
ステージ状態の繊維強化樹脂基板１０Ａの片面１０ａに
銅箔１６Ａを例えばラミネータを用いて貼着し両者を一
体化する。

【００３２】ついで、この一体化物の所定箇所に、図１
０で示したように目的とするバイアホールより大径の貫
通孔１１を穿設する。そして、図１１で示したように、
既に回路基板として製造されている下層回路基板Ａ₀の
受けランド１２と貫通孔１１の位置合わせを行ってＢス
テージ状態の繊維強化樹脂基板１０Ａを下層回路基板Ａ
₀の上に重ね合わせ、同時に、銅箔１６Ａの上に離型シ
ート１７を配置して、受けランド１２と離型シート１７
で閉鎖されている貫通孔１１の密閉空間を形成したのち
全体に対し熱圧プレスを行う。

【００３３】その結果、図１２で示したように、貫通孔
１１の密閉空間の中には、そこに充満する繊維強化樹脂
基板１０Ａの構成樹脂の硬化物１４Ａが形成され、同時
にＢステージ状態の繊維強化樹脂基板１０Ａはリジッド
な繊維強化樹脂基板１０に転化して下層回路基板Ａ₀と
密着する。ついで、離型フィルム１７を剥離して樹脂硬
化物１４Ａの表面を露出させ、そこにレーザ加工を行う
ことにより、図１３で示したように、受けランド１２に
まで至るバイアホール１３Ａを形成する。

【００３４】なお、このときに、残余の銅箔１６Ａに対
してパターニングを行い所定の回路パターンを繊維強化
樹脂基板１０の上に配置することもできる。そして、以
後の工程は、図６と図７で示した工程の場合と同様に進
めることにより、図１で示した回路基板Ａ₁が製造され
る。上記した３つの製造方法のいずれにおいても、用い
ている基板は繊維強化樹脂基板であるが、バイアホール
がレーザ加工される箇所は全て樹脂硬化物のみで形成さ
れている箇所である。したがって、レーザ加工は円滑に
進行し、形成されるバイアホールの寸法精度も高くな
る。そして、基板自体は繊維強化樹脂基板であるため、
その厚みを薄くしても強度は確保されている。

【００３５】すなわち、本発明方法で製造された回路基
板Ａ₁は、薄くしても強度が確保されているとともに、
形成されたバイアホールは高精度になっているのであ
る。次に、本発明の多層回路基板とその製造方法につい
て説明する。本発明の多層回路基板の１例Ｂを図１４に
示す。この多層回路基板Ｂは、繊維強化樹脂基板から成
るコア基板Ｂ₀の片面に、既に説明した本発明の回路基
板Ａ₁を順次積層して３層構造にしたものである。

【００３６】すなわち、この多層回路基板Ｂの構造上の
特徴と効果は、図２１で示した従来構造の多層回路基板
と対比して、次の諸点にある。１）まず、コア基板Ｂ₀の上に積層されていく回路基板
Ａ₁は、従来構造の場合は全体が単一の樹脂から成る層
を基材としているが、本発明の多層回路基板の場合は、
薄くても強度の高い繊維強化樹脂基板である。

【００３７】したがって、本発明の多層回路基板Ｂは、
コア基板Ｂ₀を薄くし、また各回路基板Ａ₁を薄くして
も、多層回路基板としての全体的な強度は充分に確保さ
れている。このことは、強度を低下させることなく多層
回路基板の薄形化が可能であることを意味し、観点を変
えれば、ある一定の厚みの範囲内で高多層化が可能であ
ることを意味する。

【００３８】２）また、従来構造の場合には、上層の回
路基板のバイアホールは、下層の回路基板のバイアホー
ルの位置から平面的に延在しているランド１Ｃ₁（２
Ｃ₁）の上に形成されていく。すなわち、各回路基板の
バイアホールは、互いに平面的に離隔しているのであ
る。これに反し、本発明の多層回路基板Ｂの場合は、上
層の回路基板のバイアホールは、下層の回路基板のバイ
アホールの直上に順次形成されている直列構造をないて
いるので、各層のバイアホールの平面的な分散の広がり
は小さくなっている。

【００３９】したがって、この多層回路基板Ｂの場合、
各回路基板上に配線する回路パターンの高密度化が可能
であり、同時に配線長を短くすることもできるので、そ
の電気特性は向上する。すなわち、この多層回路基板Ｂ
の設計自由度は高い。３）また、本発明の多層回路基板においては、バイアホ
ールとして機能する柱状導体は中実構造であり、これで
各層間の導通がとられている。しかしながら、従来構造
の場合は、薄い導体めっき層で各層間の導通がとられて
いるにすぎない。

【００４０】したがって、本発明の多層回路基板Ｂの場
合、上層の回路基板と下層の回路基板の導通構造の信頼
性は非常に高くなっている。また、本発明の多層回路基
板Ｂでは、最上層に位置する回路基板の導電薄層１５は
パッドとして機能させることもでき、部品実装の適合性
も良好である。この多層回路基板Ｂは、まず、所定の回
路パターンが形成されているコア基板Ｂ₀の上に、前記
した第１方法、第２方法、または第３方法のいずれかを
適用して回路基板Ａ₁を製造する工程を反復することに
より製造することができる。

【００４１】なお、以上の説明では、コア基板の片面に
回路基板をビルドアップする方法を示したが、本発明は
これに限定されるものではなく、コア基板の両面に上記
した回路基板をビルドアップしてもよい。

【００４２】

【実施例】実施例１まず、マトリックスがエポキシ樹脂、繊維強化材がガラ
スクロス（密度＝６０×４８本）から成り、樹脂含有率
が６０重量％であるＢステージ状態のプリプレグ（厚み
０.０５mm）を用意した。

【００４３】このプリプレグに、ＮＣ旋盤で直径３００
μｍの貫通孔を４００個／cm²の密度で穿設した（図
２）。一方、同じくガラスクロスエポキシ樹脂基板から
成り、その表面に直径０.３mmの受けランドが形成され
ているコア基板（厚み０.４mm）を用意した。そして、
このコア基板の受けランドと上記プリプレグの貫通孔の
位置合わせを行って後者を前者の上に配置し、更にプリ
プレグの上面に表面が平滑な厚み０.１２mmの銅箔を配
置した（図３）。

【００４４】そして、全体に、温度１７５℃、圧力３０
００KPaの条件の熱圧プレスを行ったのち、貫通孔上の
銅箔部分をエッチング除去し、同時に他の部分には所定
の回路パターンを配線した（図５）。貫通孔にはエポキ
シ樹脂の硬化物が充填されており、その表面は銅箔表面
と同じシャイニー面になっていた。

【００４５】ついで、この樹脂硬化物に、炭酸ガスレー
ザ加工機でパルス幅０.０５msの条件でレーザ加工を行
い、表面側では直径が１５０μｍ、受けランド側では直
径が１１０μｍである深さ０.０５mmのバイアホールを
形成した。貫通孔の内壁面とバイアホールの間には、残
存する樹脂硬化物の層が形成されていた。そして、この
バイアホールに、銅粉入りエポキシ樹脂系の導電ペース
トを印刷法で充填し、更にそれを熱硬化したのち表面を
研磨した。

【００４６】そして、バイアホール以外の箇所をマスキ
ングして銅の電解めっきを行い、当該バイアホールの中
に銅を充填して中実構造の柱状導体を形成し、更にその
上に、厚み２０μｍの銅めっきを行ったのち直径０.３m
mの部分を残して他をエッチング除去して導電薄層を形
成し、図１で示した回路基板Ａ₁を製造した。この回路
基板Ａ₁を下層の回路基板として上記した工程を反復
し、最終的には、図１４で示した３層構造の多層回路基
板１３を製造した。

【００４７】この多層回路基板Ｂの厚みは１.０mmであ
った。また、リフロースクリーニング後に、反り０.５
％以下、ねじれ１.０％以下の確認で撓みを調べたとこ
ろ、ほとんど撓むことなく、更に曲げ試験にて適正な強
度特性は確保されていた。

【００４８】

【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
回路基板、およびそれを用いた多層回路基板は、基材と
して高強度の繊維強化樹脂基板を用いているので、適正
な強度が確保された状態で薄くすることができる。そし
て、レーザ加工は樹脂硬化物の箇所にのみ行われるの
で、バイアホールの形成は容易であり、またそのバイア
ホールは高精度のものになる。

【００４９】したがって、本発明は、回路基板に対する
更なる薄形化、高多層化の要望に充分に応えることがで
き、この工業的価値は極めて大である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の回路基板の１例を示す断面図である。

【図２】Ｂステージ状態の繊維強化樹脂基板に貫通孔を
穿設した状態を示す断面図である。

【図３】図２の繊維強化樹脂基板を、下層の回路基板の
上に配置し、更に上面に銅箔を配置した状態を示す断面
図である。

【図４】図３の材料に熱圧プレスを行ったのちの状態を
示す断面図である。

【図５】樹脂硬化物の表面を露出させた状態を示す断面
図である。

【図６】樹脂硬化物をレーザ加工してバイアホールを形
成した状態を示す断面図である。

【図７】バイアホール内に中実構造の柱状導体を形成し
た状態を示す断面図である。

【図８】第２方法でバイアホールを形成した状態を示す
断面図である。

【図９】Ｂステージ状態の繊維基板の片面に銅箔を貼着
する状態を示す断面図である。

【図１０】図９の材料に貫通孔を穿設した状態を示す断
面図である。

【図１１】図１０の材料を、下層の回路基板の上に配置
し、更に銅箔の上に離型シートを配置した状態を示す断
面図である。

【図１２】図１１の材料に熱圧プレスを行ったのちの状
態を示す断面図である。

【図１３】樹脂硬化物内にバイアホールを形成した状態
を示す断面図である。

【図１４】本発明の多層回路基板の１例を示す断面図で
ある。

【図１５】従来のビルドアップ工法で用いるコア基板を
示す部分断面図である。

【図１６】図１５のコア基板の表面に絶縁層を形成した
状態を示す部分断面図である。

【図１７】図１６の絶縁層に凹孔を形成した状態を示す
部分断面図である。

【図１８】図１７の絶縁層と凹孔の表面に導体めっき層
を形成した状態を示す部分断面図である。

【図１９】図１８の導体めっき層をパターニングして第
２の回路基板を形成した状態を示す部分断面図である。

【図２０】図１９の第２の回路基板の表面に絶縁層を形
成した状態を示す部分断面図である。

【図２１】従来のビルドアップ工法で製造された３層構
造の多層回路基板を示す部分断面図である。

【符号の説明】

１０繊維強化樹脂基板（熱圧プレス後）１０ＡＢステージ状態の繊維強化樹脂基板（熱圧
プレス前）１１貫通孔１１ａ貫通孔１１の内壁面１２下層回路基板Ａ₀の受けランド１３柱状導体１３ａ柱状導体の外周面１３Ａバイアホール１４樹脂硬化物層１４Ａ樹脂硬化物１５導電薄層１６回路パターン１６Ａ銅箔

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者三觜隆行神奈川県綾瀬市大上５丁目14番15号株式会社メイコー内Ｆターム(参考） 5E317 AA24 BB01 BB11 CC25 CC31 CD27 CD32 GG16 5E346 AA05 AA06 AA12 AA15 AA35 AA41 AA43 BB01 BB16 CC02 CC08 CC31 EE01 EE06 EE09 EE31 FF04 FF18 FF35 FF36 GG15 GG17 GG19 GG28 HH24 HH33

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】下層回路基板の上に順次積層されていく
回路基板であって、前記回路基板は、繊維強化樹脂基板
に穿設された貫通孔の中に中実構造の柱状導体が配置さ
れており、前記貫通孔の内壁面と前記柱状導体の外周面
との間には樹脂硬化物層が介在し、かつ、少なくとも前
記柱状導体の上面は導電薄層で被覆されていることを特
徴とする回路基板。
【請求項２】Ｂステージ状態の繊維強化樹脂基板に目
的とするバイアホールよりも大径の貫通孔を穿設する工
程；前記繊維強化樹脂基板の前記貫通孔を下層回路基板
の受けランドの上に配置し、かつ、前記繊維強化樹脂基
板の上面には前記貫通孔を閉鎖する銅箔を「配置して前
記貫通孔の密閉空間を形成したのち熱圧プレスを行っ
て、前記密閉空間内を前記繊維強化樹脂基板の構成樹脂
の硬化物で充満せしめる工程；前記銅箔に回路パターン
を形成すると同時に、前記貫通孔を閉鎖している銅箔の
部分を除去して、前記樹脂硬化物の表面を露出させる工
程；前記樹脂硬化物にレーザ加工を行って、前記受けラ
ンドにまで至る目的径のバイアホールを形成する工程；
および、前記バイアホールの中に導電材を充填して中実構造の柱
状導体を形成したのち、少なくとも前記柱状導体の上面
を被覆する導電薄層を形成する工程；を備えていること
を特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項３】Ｂステージ状態の繊維強化樹脂基板に目
的とするバイアホールよりも大径の貫通孔を穿設する工
程；前記繊維強化樹脂基板の前記貫通孔を下層回路基板
の受けランドの上に配置し、かつ、前記繊維強化樹脂基
板の上面に前記貫通孔を閉鎖する銅箔を配置して前記貫
通孔の密閉空間を形成したのち熱圧プレスを行って、前
記密閉空間内を前記繊維強化樹脂基板の構成樹脂の硬化
物で充満せしめる工程；前記銅箔に回路パターンを形成
するとともに、前記貫通孔を閉鎖する銅箔の部分にレー
ザ加工を行って、前記受けランドにまで至る目的径のバ
イアホールを形成する工程；および、前記バイアホールの中に導電材を充填して中実構造の柱
状導体を形成したのち、少なくとも前記柱状導体の上面
を被覆する導電薄層を形成する工程；を備えていること
を特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項４】Ｂステージ状態の繊維強化樹脂基板の片
面に銅箔を貼着する工程；前記銅箔と前記繊維強化樹脂
基板を貫通して、目的とするバイアホールよりも大径の
貫通孔を穿設する工程；前記繊維強化樹脂基板の前記貫
通孔を下層回路基板の受けランドの上に配置し、かつ、
前記貫通孔を閉鎖する離型フィルムを前記銅箔の上に配
置して前記貫通孔の密閉空間を形成したのち熱圧プレス
を行って、前記密閉空間内を前記繊維強化樹脂基板の構
成樹脂の硬化物で充満せしめる工程；前記離型フィルム
を剥離して前記樹脂硬化物の表面を露出させる方法；前
記樹脂硬化物にレーザ加工を行って、前記受けランドに
まで至る目的径のバイアホールを形成する方法；およ
び、前記バイアホールの中に導電材を充填して中実構造の柱
状導体を形成したのち、少なくとも前記柱状導体の上面
を被覆する導電薄層を形成する工程；を備えていること
を特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項５】コア基板の上に、請求項１の回路基板を
複数枚積層して成る多層回路基板であって、下層の前記回路基板の前記導電薄層の上に、上層の前記
回路基板の前記柱状導体が形成されていることを特徴と
する多層回路基板。
【請求項６】コア基板の上に、請求項１の回路基板の
複数枚を請求項２〜４のいずれかの方法で順次積層して
成る多層回路基板を製造する際に、下層の前記回路基板
の前記導電薄層の上に、上層の前記回路基板の柱状導体
を形成することを特徴とする多層回路基板の製造方法。