JP2002097470A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】信頼性の高い液晶表示装置及びその製造方法を
提供すること。 【解決手段】本発明の液晶表示装置１は、対向して配置
された一対の基板７，２１と前記一対の基板７，２１間
に挟持され複数種の液晶物質を含有する液晶組成物から
なる液晶層４とを具備し、前記液晶組成物の成分ｉのモ
ル分率をＸi、前記成分ｉの水相と１−オクタノール相
との間の分配比をＰi、前記成分ｉの１モル当たりの水
和エネルギーをＨＥi、気体定数Ｒを８．３Ｊ／Ｋ・ｍ
ｏｌ、及び温度Ｔを３００Ｋとしたときに算出されるＸ
i（ＲＴｌｏｇＰi＋ＨＥi）の前記液晶組成物の全成分
についての和が３２ｋＪ／ｍｏｌ以上であることを特徴
とする。
提供すること。 【解決手段】本発明の液晶表示装置１は、対向して配置
された一対の基板７，２１と前記一対の基板７，２１間
に挟持され複数種の液晶物質を含有する液晶組成物から
なる液晶層４とを具備し、前記液晶組成物の成分ｉのモ
ル分率をＸi、前記成分ｉの水相と１−オクタノール相
との間の分配比をＰi、前記成分ｉの１モル当たりの水
和エネルギーをＨＥi、気体定数Ｒを８．３Ｊ／Ｋ・ｍ
ｏｌ、及び温度Ｔを３００Ｋとしたときに算出されるＸ
i（ＲＴｌｏｇＰi＋ＨＥi）の前記液晶組成物の全成分
についての和が３２ｋＪ／ｍｏｌ以上であることを特徴
とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置及び
その製造方法に関する。
その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、一般的に用いられている液晶表示
装置は以下に示す手順で製造されている。まず、スイッ
チング素子やカラーフィルタ層等を有する一対のガラス
基板のそれぞれに電極層及び配向膜を順次形成する。次
に、これらガラス基板を配向膜同士が対向するように一
定の距離を隔てて配置し、それらガラス基板の液晶封入
口を除く周囲を接着剤で固定して液晶セルを形成する。
なお、これらガラス基板間の間隔は所定のスペーサによ
って一定に維持する。その後、この液晶セル中に液晶組
成物を注入して液晶層を形成し、さらに、液晶封入口を
封止材で封止することにより液晶表示装置を得る。
装置は以下に示す手順で製造されている。まず、スイッ
チング素子やカラーフィルタ層等を有する一対のガラス
基板のそれぞれに電極層及び配向膜を順次形成する。次
に、これらガラス基板を配向膜同士が対向するように一
定の距離を隔てて配置し、それらガラス基板の液晶封入
口を除く周囲を接着剤で固定して液晶セルを形成する。
なお、これらガラス基板間の間隔は所定のスペーサによ
って一定に維持する。その後、この液晶セル中に液晶組
成物を注入して液晶層を形成し、さらに、液晶封入口を
封止材で封止することにより液晶表示装置を得る。
【０００３】このような方法で製造される液晶表示装置
では、液晶層中に不純物が混入すると表示性能に大きな
影響を受ける。しかしながら、従来の液晶表示装置で
は、そのような不純物の混入を避けることができない。
そのため、従来の液晶表示装置は、表示ムラが発生し、
信頼性が低下するという問題を有していた。
では、液晶層中に不純物が混入すると表示性能に大きな
影響を受ける。しかしながら、従来の液晶表示装置で
は、そのような不純物の混入を避けることができない。
そのため、従来の液晶表示装置は、表示ムラが発生し、
信頼性が低下するという問題を有していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
に鑑みてなされたものであり、信頼性の高い液晶表示装
置及びその製造方法を提供することを目的とする。ま
た、本発明は、表示ムラを生じにくい液晶表示装置及び
その製造方法を提供することを目的とする。
に鑑みてなされたものであり、信頼性の高い液晶表示装
置及びその製造方法を提供することを目的とする。ま
た、本発明は、表示ムラを生じにくい液晶表示装置及び
その製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、対向して配置された一対の基板と前記一
対の基板間に挟持され複数種の液晶物質を含有する液晶
組成物からなる液晶層とを具備し、前記液晶組成物の成
分ｉのモル分率をＸi、前記成分ｉの水相と１−オクタ
ノール相との間の分配比をＰi、前記成分ｉの１モル当
たりの水和エネルギーをＨＥi、気体定数Ｒを８．３Ｊ
／Ｋ・ｍｏｌ、及び温度Ｔを３００Ｋとしたときに算出
されるＸi（ＲＴｌｏｇＰi＋ＨＥi）の前記液晶組成物
の全成分についての和が３２Ｊ／Ｋ・ｍｏｌ以上である
ことを特徴とする液晶表示装置を提供する。
に、本発明は、対向して配置された一対の基板と前記一
対の基板間に挟持され複数種の液晶物質を含有する液晶
組成物からなる液晶層とを具備し、前記液晶組成物の成
分ｉのモル分率をＸi、前記成分ｉの水相と１−オクタ
ノール相との間の分配比をＰi、前記成分ｉの１モル当
たりの水和エネルギーをＨＥi、気体定数Ｒを８．３Ｊ
／Ｋ・ｍｏｌ、及び温度Ｔを３００Ｋとしたときに算出
されるＸi（ＲＴｌｏｇＰi＋ＨＥi）の前記液晶組成物
の全成分についての和が３２Ｊ／Ｋ・ｍｏｌ以上である
ことを特徴とする液晶表示装置を提供する。
【０００６】また、本発明は、対向して配置された一対
の基板と前記一対の基板間に挟持され複数種の液晶物質
を含有する液晶組成物からなる液晶層とを具備し、前記
複数種の液晶物質はそれぞれ炭素原子数が２個以上のア
ルキル基を有し、前記複数種の液晶物質の成分ｉのモル
分率をＸi、前記成分ｉの水相と１−オクタノール相と
の間の分配比をＰi、前記成分ｉの１モル当たりの水和
エネルギーをＨＥi、気体定数Ｒを８．３Ｊ／Ｋ・ｍｏ
ｌ、及び温度Ｔを３００Ｋとしたときに算出されるＸi
（ＲＴｌｏｇＰi＋ＨＥi）の前記複数種の液晶物質の全
成分についての和が３２Ｊ／Ｋ・ｍｏｌ以上であり、前
記分配比Ｐi及び前記水和エネルギーＨＥiはそれぞれ前
記アルキル基をノルマルペンチル基として計算すること
により得られた値であることを特徴とする液晶表示装置
を提供する。
の基板と前記一対の基板間に挟持され複数種の液晶物質
を含有する液晶組成物からなる液晶層とを具備し、前記
複数種の液晶物質はそれぞれ炭素原子数が２個以上のア
ルキル基を有し、前記複数種の液晶物質の成分ｉのモル
分率をＸi、前記成分ｉの水相と１−オクタノール相と
の間の分配比をＰi、前記成分ｉの１モル当たりの水和
エネルギーをＨＥi、気体定数Ｒを８．３Ｊ／Ｋ・ｍｏ
ｌ、及び温度Ｔを３００Ｋとしたときに算出されるＸi
（ＲＴｌｏｇＰi＋ＨＥi）の前記複数種の液晶物質の全
成分についての和が３２Ｊ／Ｋ・ｍｏｌ以上であり、前
記分配比Ｐi及び前記水和エネルギーＨＥiはそれぞれ前
記アルキル基をノルマルペンチル基として計算すること
により得られた値であることを特徴とする液晶表示装置
を提供する。
【０００７】さらに、本発明は、対向して配置された一
対の基板と前記一対の基板間に挟持された液晶層とを備
えた液晶表示装置の製造方法であって、複数種の液晶物
質を含有する液晶組成物の成分ｉのモル分率をＸi、前
記成分ｉの分配比をＰi、前記成分ｉの１モル当たりの
水和エネルギーをＨＥi、気体定数をＲ、及び温度をＴ
としたときに算出されるＸi（ＲＴｌｏｇＰi＋ＨＥi）
の前記液晶組成物の全成分についての和に基づいて前記
液晶組成物の組成を設定し、前記組成を有する液晶組成
物を用いて前記液晶層を形成する工程を具備することを
特徴とする液晶表示装置の製造方法を提供する。
対の基板と前記一対の基板間に挟持された液晶層とを備
えた液晶表示装置の製造方法であって、複数種の液晶物
質を含有する液晶組成物の成分ｉのモル分率をＸi、前
記成分ｉの分配比をＰi、前記成分ｉの１モル当たりの
水和エネルギーをＨＥi、気体定数をＲ、及び温度をＴ
としたときに算出されるＸi（ＲＴｌｏｇＰi＋ＨＥi）
の前記液晶組成物の全成分についての和に基づいて前記
液晶組成物の組成を設定し、前記組成を有する液晶組成
物を用いて前記液晶層を形成する工程を具備することを
特徴とする液晶表示装置の製造方法を提供する。
【０００８】加えて、本発明は、対向して配置された一
対の基板と前記一対の基板間に挟持された液晶層とを備
えた液晶表示装置の製造方法であって、それぞれ炭素原
子数が２個以上のアルキル基を有する複数種の液晶物質
の成分ｉのモル分率をＸi、前記成分ｉの分配比をＰi、
前記成分ｉの１モル当たりの水和エネルギーをＨＥi、
気体定数をＲ、及び温度をＴとしたときに算出されるＸ
i（ＲＴｌｏｇＰi＋ＨＥi）の前記複数種の液晶物質の
全成分についての和に基づいて前記複数種の液晶物質を
含有する液晶組成物の組成を設定し、前記組成を有する
液晶組成物を用いて前記液晶層を形成する工程を具備
し、前記分配比Ｐi及び前記水和エネルギーＨＥiとして
それぞれ前記アルキル基をノルマルペンチル基として計
算することにより得られた値を用いることを特徴とする
液晶表示装置の製造方法を提供する。
対の基板と前記一対の基板間に挟持された液晶層とを備
えた液晶表示装置の製造方法であって、それぞれ炭素原
子数が２個以上のアルキル基を有する複数種の液晶物質
の成分ｉのモル分率をＸi、前記成分ｉの分配比をＰi、
前記成分ｉの１モル当たりの水和エネルギーをＨＥi、
気体定数をＲ、及び温度をＴとしたときに算出されるＸ
i（ＲＴｌｏｇＰi＋ＨＥi）の前記複数種の液晶物質の
全成分についての和に基づいて前記複数種の液晶物質を
含有する液晶組成物の組成を設定し、前記組成を有する
液晶組成物を用いて前記液晶層を形成する工程を具備
し、前記分配比Ｐi及び前記水和エネルギーＨＥiとして
それぞれ前記アルキル基をノルマルペンチル基として計
算することにより得られた値を用いることを特徴とする
液晶表示装置の製造方法を提供する。
【０００９】本発明者らは表示ムラが発生する原因につ
いて調べたところ、接着剤層、封止材、スペーサ、周縁
遮光層、及びカラーフィルタ層などに含まれる化合物，
例えば、脂肪酸、フェニルカルボン酸、フェニルカルボ
ン酸誘導体、フェニレンジカルボン酸、フェニレンジカ
ルボン酸誘導体、アルキルアミン、フェニレンジアミン
誘導体、フェニレンアミンカルボン酸、フェニレンアミ
ンカルボン酸誘導体、及びアルキルイミド等，が、不純
物として液晶層中へと溶出することにより、白抜け、配
向ムラ、及び焼き付きなどが生じていることを解明し
た。より詳細には、液晶層と接する部材からイオン性や
極性の高い不純物が液晶層中へと溶出することにより液
晶組成物の電気抵抗値が下がる（電圧保持率が低下す
る）ため並びに液晶層中に溶出した不純物が配向膜表面
に再吸着するために、白抜け、配向ムラ、及び焼き付き
などの表示ムラが発生するのである。
いて調べたところ、接着剤層、封止材、スペーサ、周縁
遮光層、及びカラーフィルタ層などに含まれる化合物，
例えば、脂肪酸、フェニルカルボン酸、フェニルカルボ
ン酸誘導体、フェニレンジカルボン酸、フェニレンジカ
ルボン酸誘導体、アルキルアミン、フェニレンジアミン
誘導体、フェニレンアミンカルボン酸、フェニレンアミ
ンカルボン酸誘導体、及びアルキルイミド等，が、不純
物として液晶層中へと溶出することにより、白抜け、配
向ムラ、及び焼き付きなどが生じていることを解明し
た。より詳細には、液晶層と接する部材からイオン性や
極性の高い不純物が液晶層中へと溶出することにより液
晶組成物の電気抵抗値が下がる（電圧保持率が低下す
る）ため並びに液晶層中に溶出した不純物が配向膜表面
に再吸着するために、白抜け、配向ムラ、及び焼き付き
などの表示ムラが発生するのである。
【００１０】本発明者らは、液晶層中へと溶出する不純
物のうち表示ムラを発生させるのは主に極性不純物であ
ることに着目し、極性不純物が混入し難い液晶組成物を
実現すれば表示ムラの発生を抑制することが可能になる
と考えて鋭意研究した結果、液晶組成物の疎水性及び親
水性のいずれか一方だけではなくそれらの双方を考慮し
た下記式（１）から算出される値が表示ムラの発生と極
めて高い相関を有していることを見出し、本発明に至っ
たものである。
物のうち表示ムラを発生させるのは主に極性不純物であ
ることに着目し、極性不純物が混入し難い液晶組成物を
実現すれば表示ムラの発生を抑制することが可能になる
と考えて鋭意研究した結果、液晶組成物の疎水性及び親
水性のいずれか一方だけではなくそれらの双方を考慮し
た下記式（１）から算出される値が表示ムラの発生と極
めて高い相関を有していることを見出し、本発明に至っ
たものである。
【００１１】
【数１】
【００１２】なお、上記式（１）において、Ｘiは液晶
組成物の成分ｉのモル分率を示し、Ｐiはその成分ｉの
分配比を示し、ＨＥiは成分ｉの１モル当たりの水和エ
ネルギーを示し、Ｒは気体定数を示し、Ｔは温度を示
し、ｎは液晶組成物中の全成分の数を示している。
組成物の成分ｉのモル分率を示し、Ｐiはその成分ｉの
分配比を示し、ＨＥiは成分ｉの１モル当たりの水和エ
ネルギーを示し、Ｒは気体定数を示し、Ｔは温度を示
し、ｎは液晶組成物中の全成分の数を示している。
【００１３】上記式（１）において、分配比Ｐiは（有
機相中の成分ｉの全濃度）／（水相中の成分ｉの全濃
度）であり、分配比Ｐiの対数であるｌｏｇＰiは疎水性
パラメータである。また、ＲＴｌｏｇＰiは成分ｉを単
位濃度で含有する有機相の温度Ｔにおける自由エネルギ
ーと成分ｉを単位濃度で含有する水相の温度Ｔにおける
自由エネルギーとの差に比例している。分配比Ｐi、疎
水性パラメータｌｏｇＰi、或いはＲＴｌｏｇＰiが大き
い場合、成分ｉは有機相に溶解し易く、したがって、よ
り疎水性であると考えることができる。
機相中の成分ｉの全濃度）／（水相中の成分ｉの全濃
度）であり、分配比Ｐiの対数であるｌｏｇＰiは疎水性
パラメータである。また、ＲＴｌｏｇＰiは成分ｉを単
位濃度で含有する有機相の温度Ｔにおける自由エネルギ
ーと成分ｉを単位濃度で含有する水相の温度Ｔにおける
自由エネルギーとの差に比例している。分配比Ｐi、疎
水性パラメータｌｏｇＰi、或いはＲＴｌｏｇＰiが大き
い場合、成分ｉは有機相に溶解し易く、したがって、よ
り疎水性であると考えることができる。
【００１４】一方、水和エネルギーＨＥiは互いに相互
作用していない１モルの成分ｉを水で無限希釈した際に
観測されるエネルギー変化である。すなわち、この水和
エネルギーＨＥiは成分ｉの格子エネルギーと溶解熱
（無限希釈）との差に等しい。水和エネルギーＨＥiが
小さい場合、成分ｉはより親水性であると考えることが
できる。
作用していない１モルの成分ｉを水で無限希釈した際に
観測されるエネルギー変化である。すなわち、この水和
エネルギーＨＥiは成分ｉの格子エネルギーと溶解熱
（無限希釈）との差に等しい。水和エネルギーＨＥiが
小さい場合、成分ｉはより親水性であると考えることが
できる。
【００１５】このように、ＲＴｌｏｇＰi及びＨＥiは成
分ｉの疎水性及び親水性を示すものであり、それらの和
が大きな値であるほど成分ｉは極性不純物の混入を生じ
難いと考えることができる。すなわち、ＲＴｌｏｇＰi
＋ＨＥiは、極性不純物による汚染に対する成分ｉの耐
性を示している。したがって、上記式（１）から算出さ
れる値により、極性不純物による汚染に対する液晶組成
物の耐性を判断することができる。
分ｉの疎水性及び親水性を示すものであり、それらの和
が大きな値であるほど成分ｉは極性不純物の混入を生じ
難いと考えることができる。すなわち、ＲＴｌｏｇＰi
＋ＨＥiは、極性不純物による汚染に対する成分ｉの耐
性を示している。したがって、上記式（１）から算出さ
れる値により、極性不純物による汚染に対する液晶組成
物の耐性を判断することができる。
【００１６】本発明において、分配比Ｐiとしては、成
分ｉの水相と１−オクタノール相との間の分配比を用い
ることができる。この場合、上記式（１）から算出され
る値と表示ムラの発生との間に極めて高い相関が実現さ
れる。また、この場合、気体定数Ｒを８．３Ｊ／Ｋ・ｍ
ｏｌ（２ｃａｌ／Ｋ・ｍｏｌ）及び温度Ｔを３００Ｋと
して上記式（１）から算出される値が３２Ｊ／Ｋ・ｍｏ
ｌ（７．７ｋｃａｌ／ｍｏｌ）以上となるように、好ま
しくは３３．２Ｊ／Ｋ・ｍｏｌ（８ｋｃａｌ／ｍｏｌ）
以上となるように液晶組成物の組成を設定すれば、表示
ムラの発生を抑制することができる。なお、ＲＴｌｏｇ
Ｐi＋ＨＥiの値が大きな液晶物質の多くはフッ素系の液
晶物質であり、一般に、そのような液晶物質の含量が高
くなると、駆動電圧が高くなる或いは応答速度が低下す
る傾向にある。したがって、上記式（１）から算出され
る値は４５．７Ｊ／Ｋ・ｍｏｌ（１１ｋｃａｌ／ｍｏ
ｌ）以下であることが好ましい。
分ｉの水相と１−オクタノール相との間の分配比を用い
ることができる。この場合、上記式（１）から算出され
る値と表示ムラの発生との間に極めて高い相関が実現さ
れる。また、この場合、気体定数Ｒを８．３Ｊ／Ｋ・ｍ
ｏｌ（２ｃａｌ／Ｋ・ｍｏｌ）及び温度Ｔを３００Ｋと
して上記式（１）から算出される値が３２Ｊ／Ｋ・ｍｏ
ｌ（７．７ｋｃａｌ／ｍｏｌ）以上となるように、好ま
しくは３３．２Ｊ／Ｋ・ｍｏｌ（８ｋｃａｌ／ｍｏｌ）
以上となるように液晶組成物の組成を設定すれば、表示
ムラの発生を抑制することができる。なお、ＲＴｌｏｇ
Ｐi＋ＨＥiの値が大きな液晶物質の多くはフッ素系の液
晶物質であり、一般に、そのような液晶物質の含量が高
くなると、駆動電圧が高くなる或いは応答速度が低下す
る傾向にある。したがって、上記式（１）から算出され
る値は４５．７Ｊ／Ｋ・ｍｏｌ（１１ｋｃａｌ／ｍｏ
ｌ）以下であることが好ましい。
【００１７】分配比或いはその対数については、多くの
化合物について実測値が得られており、経験パラメータ
も十分に揃っている。また、それらの実測値と計算値と
は、非常に高い精度で一致することが知られている。し
たがって、上記式（１）で用いる成分ｉの分配比Ｐiは
計算により求めることができる。また、同様に、成分ｉ
の１モル当たりの水和エネルギーＨＥiも計算により求
めることができる。
化合物について実測値が得られており、経験パラメータ
も十分に揃っている。また、それらの実測値と計算値と
は、非常に高い精度で一致することが知られている。し
たがって、上記式（１）で用いる成分ｉの分配比Ｐiは
計算により求めることができる。また、同様に、成分ｉ
の１モル当たりの水和エネルギーＨＥiも計算により求
めることができる。
【００１８】このような計算は、通常、最も安定なコン
ホメーションをとる液晶分子について行われる。すなわ
ち、分配比Ｐi及び水和エネルギーＨＥiの計算に先立っ
て、予め液晶分子の最も安定なコンホメーションを決定
する必要がある。
ホメーションをとる液晶分子について行われる。すなわ
ち、分配比Ｐi及び水和エネルギーＨＥiの計算に先立っ
て、予め液晶分子の最も安定なコンホメーションを決定
する必要がある。
【００１９】しかしながら、多くの液晶分子はアリール
基などのように剛体として考えることができる官能基だ
けでなく多様なコンホメーションをとり得る長鎖アルキ
ル基を有している。しかも、液晶組成物は多数の液晶分
子を含むことができ、加えて、液晶分子以外の分子も含
み得る。そのため、液晶組成物を構成する各分子につい
て最も安定なコンホメーションを決定すること並びにこ
のコンホメーションに基づいて分配比Ｐi及び水和エネ
ルギーＨＥiを計算することには、通常、多大な時間及
び労力が必要である。
基などのように剛体として考えることができる官能基だ
けでなく多様なコンホメーションをとり得る長鎖アルキ
ル基を有している。しかも、液晶組成物は多数の液晶分
子を含むことができ、加えて、液晶分子以外の分子も含
み得る。そのため、液晶組成物を構成する各分子につい
て最も安定なコンホメーションを決定すること並びにこ
のコンホメーションに基づいて分配比Ｐi及び水和エネ
ルギーＨＥiを計算することには、通常、多大な時間及
び労力が必要である。
【００２０】本発明者らは、より簡単な方法で算出する
ことができ且つ表示ムラの発生と高い相関を有する指標
を求めるべく検討した結果、炭素原子数が２個以上のア
ルキル基をノルマルペンチル基とみなして液晶分子の最
も安定なコンホメーションを決定し、このコンホメーシ
ョンに基づいて分配比Ｐi及び水和エネルギーＨＥiをそ
れぞれ計算し、液晶組成物がこれら液晶分子のみで構成
されているものと仮定して上記式（１）を利用すること
により、先に述べたのと同様の結果が得られることを見
出した。
ことができ且つ表示ムラの発生と高い相関を有する指標
を求めるべく検討した結果、炭素原子数が２個以上のア
ルキル基をノルマルペンチル基とみなして液晶分子の最
も安定なコンホメーションを決定し、このコンホメーシ
ョンに基づいて分配比Ｐi及び水和エネルギーＨＥiをそ
れぞれ計算し、液晶組成物がこれら液晶分子のみで構成
されているものと仮定して上記式（１）を利用すること
により、先に述べたのと同様の結果が得られることを見
出した。
【００２１】この方法によれば、アルキル基の炭素数の
みが異なる液晶分子は同一の液晶分子として扱われるこ
ととなるため、計算の対象となる分子の種類が減少す
る。また、炭素原子数が２個以上のアルキル基を全てノ
ルマルペンチル基とみなすので、液晶分子の最も安定な
コンホメーションを決定するのが容易になる。
みが異なる液晶分子は同一の液晶分子として扱われるこ
ととなるため、計算の対象となる分子の種類が減少す
る。また、炭素原子数が２個以上のアルキル基を全てノ
ルマルペンチル基とみなすので、液晶分子の最も安定な
コンホメーションを決定するのが容易になる。
【００２２】なお、液晶分子間でアルキル基の炭素数が
異なれば、それらの親水性や疎水性も異なるものと考え
られる。しかしながら、多くの場合、液晶分子に含まれ
る炭素原子数が２個以上のアルキル基は３〜７個程度の
炭素原子を有するものであり、炭素原子数が２個以上の
アルキル基をノルマルペンチル基とみなすことにより計
算結果に大きな違いが生ずることはない。
異なれば、それらの親水性や疎水性も異なるものと考え
られる。しかしながら、多くの場合、液晶分子に含まれ
る炭素原子数が２個以上のアルキル基は３〜７個程度の
炭素原子を有するものであり、炭素原子数が２個以上の
アルキル基をノルマルペンチル基とみなすことにより計
算結果に大きな違いが生ずることはない。
【００２３】本発明において、一対の基板の一方は、そ
の対向面にカラーフィルタ層及び複数の電極が順次積層
された構造を有するものであってもよい。また、本発明
において、一対の基板の一方は、その対向面にマトリク
ス状に設けられた走査線及び信号線とスイッチング素子
とを備え、一対の基板の他方は、その対向面に共通電極
を備え、一対の基板のいずれか一方はその対向面にカラ
ーフィルタ層を備えていてもよい。
の対向面にカラーフィルタ層及び複数の電極が順次積層
された構造を有するものであってもよい。また、本発明
において、一対の基板の一方は、その対向面にマトリク
ス状に設けられた走査線及び信号線とスイッチング素子
とを備え、一対の基板の他方は、その対向面に共通電極
を備え、一対の基板のいずれか一方はその対向面にカラ
ーフィルタ層を備えていてもよい。
【００２４】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら説明する。なお、各図において同様の構成部材に
は同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
ながら説明する。なお、各図において同様の構成部材に
は同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００２５】まず、下記表１に示すようにノルマルペン
チル基を有する複数種の液晶物質について、以下の方法
により、ｌｏｇＰi、ＨＥi、及びＲＴｌｏｇＰi＋ＨＥi
を計算した。すなわち、液晶物質ｉの疎水性パラメータ
ｌｏｇＰi及び水和エネルギーＨＥiは、東芝社製のパー
ソナルコンピュータＰＶ３００でＨｙｐｅｒｃｕｂｅ社
製のＨｙｐｅｒＣｈｅｍ ｖ５により計算した。具体的
には、まず、分子力場計算（ＭＭ＋）を用いて液晶分子
の最も安定なコンホメーションを求め、そのコンホメー
ションの液晶分子について経験的ＱＳＡＲ（Ｑｕａｎｔ
ｉｔａｔｉｖｅ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ−Ａｃｔｉｖｉｔ
ｙ Ｒｅｌａｔｉｏｎｓｈｉｐｓ）プログラムにより疎
水性パラメータｌｏｇＰi及び水和エネルギーＨＥiを計
算した。なお、分配比Ｐiは、液晶物質ｉの水相と１−
オクタノール相との間の分配比とした。その結果を、下
記表１に併せて示す。
チル基を有する複数種の液晶物質について、以下の方法
により、ｌｏｇＰi、ＨＥi、及びＲＴｌｏｇＰi＋ＨＥi
を計算した。すなわち、液晶物質ｉの疎水性パラメータ
ｌｏｇＰi及び水和エネルギーＨＥiは、東芝社製のパー
ソナルコンピュータＰＶ３００でＨｙｐｅｒｃｕｂｅ社
製のＨｙｐｅｒＣｈｅｍ ｖ５により計算した。具体的
には、まず、分子力場計算（ＭＭ＋）を用いて液晶分子
の最も安定なコンホメーションを求め、そのコンホメー
ションの液晶分子について経験的ＱＳＡＲ（Ｑｕａｎｔ
ｉｔａｔｉｖｅ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ−Ａｃｔｉｖｉｔ
ｙ Ｒｅｌａｔｉｏｎｓｈｉｐｓ）プログラムにより疎
水性パラメータｌｏｇＰi及び水和エネルギーＨＥiを計
算した。なお、分配比Ｐiは、液晶物質ｉの水相と１−
オクタノール相との間の分配比とした。その結果を、下
記表１に併せて示す。
【００２６】
【表１】
【００２７】上記表１に示すように、エステル系液晶で
は、ｌｏｇＰの値は大きいもののＨＥの値が小さいため
ＲＴｌｏｇＰ＋ＨＥの値は比較的小さい。一方、直環系
のｐ型液晶では、環の数が多いほどＲＴｌｏｇＰ＋ＨＥ
の値は大きく、極性不純物の混入をより効果的に抑制で
きるものと考えられる。
は、ｌｏｇＰの値は大きいもののＨＥの値が小さいため
ＲＴｌｏｇＰ＋ＨＥの値は比較的小さい。一方、直環系
のｐ型液晶では、環の数が多いほどＲＴｌｏｇＰ＋ＨＥ
の値は大きく、極性不純物の混入をより効果的に抑制で
きるものと考えられる。
【００２８】次に、図１及び図２に示す液晶表示装置を
用いて、上記式（１）から算出される値と表示ムラとの
関係を調べた。なお、図１は、本発明の実施例に係る液
晶表示装置を概略的に示す部分断面図である。また、図
２は、図１に示す液晶表示装置の平面図である。まず
は、図１及び図２に示す液晶表示装置の構造について説
明する。
用いて、上記式（１）から算出される値と表示ムラとの
関係を調べた。なお、図１は、本発明の実施例に係る液
晶表示装置を概略的に示す部分断面図である。また、図
２は、図１に示す液晶表示装置の平面図である。まず
は、図１及び図２に示す液晶表示装置の構造について説
明する。
【００２９】図１及び図２に示す液晶表示装置１は、カ
ラー表示可能なＴＮ型の液晶表示装置であって、アクテ
ィブマトリクス基板２と対向基板３との間に液晶層４を
挟持させた構造を有している。これらアクティブマトリ
クス基板２と対向基板３との間隔はアクティブマトリク
ス基板２に形成された柱状スペーサ５により一定に維持
されている。また、基板２，３間の周縁部には基板２，
３間に液晶材料を注入するための注入口２６を除いて接
着剤層２５が設けられており、その注入口２６は封止材
２７を用いて封止されている。なお、図１及び図２に示
す液晶表示装置１は、通常一対の偏光板で挟持され、背
面側には光源が配置される。
ラー表示可能なＴＮ型の液晶表示装置であって、アクテ
ィブマトリクス基板２と対向基板３との間に液晶層４を
挟持させた構造を有している。これらアクティブマトリ
クス基板２と対向基板３との間隔はアクティブマトリク
ス基板２に形成された柱状スペーサ５により一定に維持
されている。また、基板２，３間の周縁部には基板２，
３間に液晶材料を注入するための注入口２６を除いて接
着剤層２５が設けられており、その注入口２６は封止材
２７を用いて封止されている。なお、図１及び図２に示
す液晶表示装置１は、通常一対の偏光板で挟持され、背
面側には光源が配置される。
【００３０】アクティブマトリクス基板２はガラス基板
のような透明基板７を有しており、この透明基板７の一
方の主面にはコプラナー型のポリシリコンＴＦＴが形成
されている。すなわち、透明基板７の一方の主面に酸化
珪素膜と窒化珪素膜との二層構造を有するアンダーコー
ティング層８が形成され、アンダーコーティング層８上
には半導体活性層（チャネル）９、ソース・ドレインで
ある高濃度不純物領域１０が形成され、これらを覆うよ
うにゲート酸化膜１１が形成されている。さらに、ゲー
ト絶縁膜１１上にはゲート電極１２が形成されている。
なお、図示しない走査線は、ゲート電極１２と同一の工
程で形成される。
のような透明基板７を有しており、この透明基板７の一
方の主面にはコプラナー型のポリシリコンＴＦＴが形成
されている。すなわち、透明基板７の一方の主面に酸化
珪素膜と窒化珪素膜との二層構造を有するアンダーコー
ティング層８が形成され、アンダーコーティング層８上
には半導体活性層（チャネル）９、ソース・ドレインで
ある高濃度不純物領域１０が形成され、これらを覆うよ
うにゲート酸化膜１１が形成されている。さらに、ゲー
ト絶縁膜１１上にはゲート電極１２が形成されている。
なお、図示しない走査線は、ゲート電極１２と同一の工
程で形成される。
【００３１】走査線及びゲート絶縁膜１１上には、Ｍｏ
層とＡｌ層との二層構造を有する信号線１３が形成され
ている。信号線１３は、ゲート絶縁膜１１及び層間絶縁
膜１４を貫通するコンタクトホール１５を介して高純度
不純物領域１０に接続されている。
層とＡｌ層との二層構造を有する信号線１３が形成され
ている。信号線１３は、ゲート絶縁膜１１及び層間絶縁
膜１４を貫通するコンタクトホール１５を介して高純度
不純物領域１０に接続されている。
【００３２】信号線１３及び層間絶縁膜１４上には、酸
化珪素膜と窒化珪素膜との二層構造を有する無機絶縁膜
１６及びカラーフィルタ層１７が順次積層されている。
カラーフィルタ層１７は、樹脂に色材を添加してなる
赤、青、緑の３色のストライプパターンで構成されてい
る。
化珪素膜と窒化珪素膜との二層構造を有する無機絶縁膜
１６及びカラーフィルタ層１７が順次積層されている。
カラーフィルタ層１７は、樹脂に色材を添加してなる
赤、青、緑の３色のストライプパターンで構成されてい
る。
【００３３】カラーフィルタ層１７上には、ＩＴＯ（In
dium Thin Oxide）等の透明導電材料からなる画素電極
１８が形成されている。画素電極１８は、カラーフィル
タ層１７に設けられたコンタクトホール１９を介してＴ
ＦＴに電気的に接続されている。また、カラーフィルタ
層１７上には、柱状スペーサ５及び周縁遮光層（図示せ
ず）が形成されている。これら画素電極１８及び柱状ス
ペーサ５上には、ポリイミドなどからなる配向膜２０が
形成されている。
dium Thin Oxide）等の透明導電材料からなる画素電極
１８が形成されている。画素電極１８は、カラーフィル
タ層１７に設けられたコンタクトホール１９を介してＴ
ＦＴに電気的に接続されている。また、カラーフィルタ
層１７上には、柱状スペーサ５及び周縁遮光層（図示せ
ず）が形成されている。これら画素電極１８及び柱状ス
ペーサ５上には、ポリイミドなどからなる配向膜２０が
形成されている。
【００３４】対向基板３は、透明基板２１のアクティブ
マトリクス基板２と対向する面に共通電極２２及び配向
膜２３が順次形成された構造を有している。この共通電
極２２には、画面周囲部に設けられた銀ペースト等から
なる電極転移材（トランスファ：図示せず）を介して、
アクティブマトリクス基板２から電圧を印加することが
可能である。
マトリクス基板２と対向する面に共通電極２２及び配向
膜２３が順次形成された構造を有している。この共通電
極２２には、画面周囲部に設けられた銀ペースト等から
なる電極転移材（トランスファ：図示せず）を介して、
アクティブマトリクス基板２から電圧を印加することが
可能である。
【００３５】本実施例では、上述した構造の液晶表示装
置１を以下の方法により作製した。まず、一方の主面に
ＴＦＴ等が形成されたガラス基板２を準備した。次に、
ガラス基板２のＴＦＴ等が形成された面に、赤色の着色
層を形成するための塗工液を塗布した。次いで、透明基
板２に塗工液を塗布することにより得られた塗膜をフォ
トリソグラフィ技術及びエッチング技術を利用してパタ
ーニングした。このパターニングは、カラーフィルタ層
１７の赤色の色領域に対応して塗膜が残されるように及
びコンタクトホール１９が形成されるように行った。以
上のようにして、赤色の着色層を得た。同様のプロセス
により緑色の着色層及び青色の着色層を順次形成した。
これにより、赤、青、緑の３色のストライプ状の着色層
を有する厚さ３μｍのカラーフィルタ層１７を得た。な
お、これら着色層は、塗工液として、富士フィルムオウ
リン社製の紫外線硬化型アクリル樹脂ＣＧ−２０００、
ＣＲ−２０００、及びＣＢ−２０００を用いて形成し
た。
置１を以下の方法により作製した。まず、一方の主面に
ＴＦＴ等が形成されたガラス基板２を準備した。次に、
ガラス基板２のＴＦＴ等が形成された面に、赤色の着色
層を形成するための塗工液を塗布した。次いで、透明基
板２に塗工液を塗布することにより得られた塗膜をフォ
トリソグラフィ技術及びエッチング技術を利用してパタ
ーニングした。このパターニングは、カラーフィルタ層
１７の赤色の色領域に対応して塗膜が残されるように及
びコンタクトホール１９が形成されるように行った。以
上のようにして、赤色の着色層を得た。同様のプロセス
により緑色の着色層及び青色の着色層を順次形成した。
これにより、赤、青、緑の３色のストライプ状の着色層
を有する厚さ３μｍのカラーフィルタ層１７を得た。な
お、これら着色層は、塗工液として、富士フィルムオウ
リン社製の紫外線硬化型アクリル樹脂ＣＧ−２０００、
ＣＲ−２０００、及びＣＢ−２０００を用いて形成し
た。
【００３６】次に、ガラス基板２のカラーフィルタ層１
７を形成した面にスパッタリング法により厚さ１００ｎ
ｍのＩＴＯ膜を形成し、このＩＴＯ膜をパターニングす
ることにより画素電極１８を得た。その後、透明基板２
の画素電極１８を形成した面に、所定の塗工液を塗布し
た。ここでは、その塗工液として、黒色の顔料を含む紫
外線硬化型アクリル樹脂ＣＫ−２０００（富士ハントテ
クノロギー社製）を用いた。次いで、得られた塗膜をフ
ォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を利用してパ
ターニングすることにより柱状スペーサ５及び周縁遮光
層を形成した。
７を形成した面にスパッタリング法により厚さ１００ｎ
ｍのＩＴＯ膜を形成し、このＩＴＯ膜をパターニングす
ることにより画素電極１８を得た。その後、透明基板２
の画素電極１８を形成した面に、所定の塗工液を塗布し
た。ここでは、その塗工液として、黒色の顔料を含む紫
外線硬化型アクリル樹脂ＣＫ−２０００（富士ハントテ
クノロギー社製）を用いた。次いで、得られた塗膜をフ
ォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を利用してパ
ターニングすることにより柱状スペーサ５及び周縁遮光
層を形成した。
【００３７】次に、ガラス基板２の柱状スペーサ５及び
周縁遮光層を形成した面に、ＪＳＲ社製のポリイミドで
あるＡＬ−１０５１を用いて薄膜を形成し、これにラビ
ング処理を施すことにより配向膜２０を得た。以上のよ
うにして、アクティブマトリクス基板２を完成した。
周縁遮光層を形成した面に、ＪＳＲ社製のポリイミドで
あるＡＬ−１０５１を用いて薄膜を形成し、これにラビ
ング処理を施すことにより配向膜２０を得た。以上のよ
うにして、アクティブマトリクス基板２を完成した。
【００３８】上述した方法でアクティブマトリクス基板
２を作製する一方で、ガラス基板２１の一方の主面に厚
さ１００ｎｍのＩＴＯ膜からなる共通電極２２を形成し
て対向基板３を準備した。この共通電極２２上にも、上
述したのと同様の方法により配向膜２３を形成した。
２を作製する一方で、ガラス基板２１の一方の主面に厚
さ１００ｎｍのＩＴＯ膜からなる共通電極２２を形成し
て対向基板３を準備した。この共通電極２２上にも、上
述したのと同様の方法により配向膜２３を形成した。
【００３９】次に、接着剤２５として、熱硬化型エポキ
シ系接着剤ＥＳ−５５００（三井東圧化学社製）を用い
てアクティブマトリクス基板２と対向基板３とを貼り合
わせることにより液晶セルを形成した。次いで、この液
晶セルに注入口２６から所定の液晶組成物を注入し、封
止剤２７を用いて注入口を封止した。以上のようにし
て、図１及び図２に示す液晶表示装置１を得た。
シ系接着剤ＥＳ−５５００（三井東圧化学社製）を用い
てアクティブマトリクス基板２と対向基板３とを貼り合
わせることにより液晶セルを形成した。次いで、この液
晶セルに注入口２６から所定の液晶組成物を注入し、封
止剤２７を用いて注入口を封止した。以上のようにし
て、図１及び図２に示す液晶表示装置１を得た。
【００４０】上述した方法で、液晶組成物の種類が異な
る複数の液晶表示装置１を作製し、それら液晶組成物Ｌ
Ｃ１〜ＬＣ６について上記式（１）から算出される値を
求めた。なお、疎水性パラメータｌｏｇＰi及び水和エ
ネルギーＨＥiとしては、炭素数が２以上のアルキル基
をノルマルペンチル基とみなして上述したのと同様の方
法により算出した値を用いるのとともに上記表１に示す
値も利用した。また、気体定数Ｒを２ｃａｌ／Ｋ・ｍｏ
ｌ及び温度Ｔを３００Ｋとし、液晶組成物ＬＣ１〜ＬＣ
６は液晶分子のみで構成されているものと仮定した。そ
の結果を下記表２に示す。
る複数の液晶表示装置１を作製し、それら液晶組成物Ｌ
Ｃ１〜ＬＣ６について上記式（１）から算出される値を
求めた。なお、疎水性パラメータｌｏｇＰi及び水和エ
ネルギーＨＥiとしては、炭素数が２以上のアルキル基
をノルマルペンチル基とみなして上述したのと同様の方
法により算出した値を用いるのとともに上記表１に示す
値も利用した。また、気体定数Ｒを２ｃａｌ／Ｋ・ｍｏ
ｌ及び温度Ｔを３００Ｋとし、液晶組成物ＬＣ１〜ＬＣ
６は液晶分子のみで構成されているものと仮定した。そ
の結果を下記表２に示す。
【００４１】さらに、上述した方法で作製した液晶表示
装置１について、６０℃・８０％の高温高湿度条件下で
１０００時間の連続点灯試験を行った。その結果も下記
表２に併せて示す。
装置１について、６０℃・８０％の高温高湿度条件下で
１０００時間の連続点灯試験を行った。その結果も下記
表２に併せて示す。
【００４２】
【表２】
【００４３】上記表２に示すように、式（１）から算出
される値が７．７ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上の液晶組成物Ｌ
Ｃ１〜ＬＣ３を用いた液晶表示装置１では、表示ムラ不
良は３００時間を超えても発生することがなく、実用上
十分な耐性を有していることが確認された。
される値が７．７ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上の液晶組成物Ｌ
Ｃ１〜ＬＣ３を用いた液晶表示装置１では、表示ムラ不
良は３００時間を超えても発生することがなく、実用上
十分な耐性を有していることが確認された。
【００４４】なお、上記実施例では、上記式（１）から
算出される値を求める際に炭素数が２以上のアルキル基
をノルマルペンチル基とみなして計算を簡略化したが、
そのような簡略化を行わない場合も上述したのと同様の
結果を得ることができる。また、上記表１に示す疎水性
パラメータｌｏｇＰiは分配比Ｐiを液晶物質ｉの水相と
１−オクタノール相との間の分配比として求めたもので
あるが、分配比Ｐiを水相と他の有機相との間の分配比
として疎水性パラメータｌｏｇＰiを求めてもよい。
算出される値を求める際に炭素数が２以上のアルキル基
をノルマルペンチル基とみなして計算を簡略化したが、
そのような簡略化を行わない場合も上述したのと同様の
結果を得ることができる。また、上記表１に示す疎水性
パラメータｌｏｇＰiは分配比Ｐiを液晶物質ｉの水相と
１−オクタノール相との間の分配比として求めたもので
あるが、分配比Ｐiを水相と他の有機相との間の分配比
として疎水性パラメータｌｏｇＰiを求めてもよい。
【００４５】また、上述した実施例では、図１及び図２
に示す構造の液晶表示装置１について説明したが、他の
構造を採用することもできる。例えば、上記実施例で
は、スイッチング素子としてコプラナー型のポリシリコ
ンＴＦＴを用いたが、他のＴＦＴを用いることもでき
る。或いは、単純マトリクス駆動のカラー型ドットマト
リクス表示を行うこともできる。すなわち、一方の主面
に横（Ｙ）方向に帯状にパターニングされたＹ電極を有
するＹ基板と、一方の主面にカラーフィルタ層及び縦
（Ｘ）方向に帯状にパターニングされたＸ電極が順次積
層されたＸ基板とを、Ｙ電極とＸ電極とがほぼ直交する
ように対向配置し、それらの間に液晶層４を挟持させた
構造を採用することも可能である。さらに、上記実施例
では、ＴＮ型の液晶表示装置１について説明したが、表
示方式は、ＳＴＮ型、ＧＨ型、ＥＣＢ型、或いは強誘電
性液晶を利用したタイプ等であってもよい。
に示す構造の液晶表示装置１について説明したが、他の
構造を採用することもできる。例えば、上記実施例で
は、スイッチング素子としてコプラナー型のポリシリコ
ンＴＦＴを用いたが、他のＴＦＴを用いることもでき
る。或いは、単純マトリクス駆動のカラー型ドットマト
リクス表示を行うこともできる。すなわち、一方の主面
に横（Ｙ）方向に帯状にパターニングされたＹ電極を有
するＹ基板と、一方の主面にカラーフィルタ層及び縦
（Ｘ）方向に帯状にパターニングされたＸ電極が順次積
層されたＸ基板とを、Ｙ電極とＸ電極とがほぼ直交する
ように対向配置し、それらの間に液晶層４を挟持させた
構造を採用することも可能である。さらに、上記実施例
では、ＴＮ型の液晶表示装置１について説明したが、表
示方式は、ＳＴＮ型、ＧＨ型、ＥＣＢ型、或いは強誘電
性液晶を利用したタイプ等であってもよい。
【００４６】また、上記実施例では、画素電極１８を形
成した後に柱状スペーサ５及び周縁遮光層を形成した
が、柱状スペーサ５及び周縁遮光層を形成した後に画素
電極１８を形成してもよい。また、上述した方法では、
柱状スペーサ５と周縁遮光層とを同時に形成したが、そ
れらを別々の工程で形成することもできる。さらに、上
述した方法では、アクティブマトリクス基板２に柱状ス
ペーサ５と周縁遮光層とを形成したが、これらは対向基
板３に形成してもよい。或いは、柱状スペーサ５及び周
縁遮光層の一方をアクティブマトリクス基板２に形成
し、他方を対向基板３に形成してもよい。
成した後に柱状スペーサ５及び周縁遮光層を形成した
が、柱状スペーサ５及び周縁遮光層を形成した後に画素
電極１８を形成してもよい。また、上述した方法では、
柱状スペーサ５と周縁遮光層とを同時に形成したが、そ
れらを別々の工程で形成することもできる。さらに、上
述した方法では、アクティブマトリクス基板２に柱状ス
ペーサ５と周縁遮光層とを形成したが、これらは対向基
板３に形成してもよい。或いは、柱状スペーサ５及び周
縁遮光層の一方をアクティブマトリクス基板２に形成
し、他方を対向基板３に形成してもよい。
【００４７】また、上記実施例では、柱状スペーサ５及
び周縁遮光層の双方を黒色の感光性組成物を用いて形成
したが、それらの一方のみを上記感光性組成物を用いて
形成してもよい。さらに、上記液晶表示装置１におい
て、柱状スペーサ５は遮光性でなくてもよい。或いは、
柱状スペーサ５の代わりにプラスチックビーズのような
粒状スペーサを用いることもできる。
び周縁遮光層の双方を黒色の感光性組成物を用いて形成
したが、それらの一方のみを上記感光性組成物を用いて
形成してもよい。さらに、上記液晶表示装置１におい
て、柱状スペーサ５は遮光性でなくてもよい。或いは、
柱状スペーサ５の代わりにプラスチックビーズのような
粒状スペーサを用いることもできる。
【００４８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では、液晶
組成物の疎水性及び親水性の双方を考慮した所定の式か
ら算出される値に基づいて液晶組成物の組成を設定する
ことにより、極性不純物が混入し難い液晶組成物を実現
することができ、それにより表示ムラの発生を抑制する
ことが可能となる。すなわち、本発明によると、表示ム
ラを生じにくく信頼性の高い液晶表示装置及びその製造
方法が提供される。
組成物の疎水性及び親水性の双方を考慮した所定の式か
ら算出される値に基づいて液晶組成物の組成を設定する
ことにより、極性不純物が混入し難い液晶組成物を実現
することができ、それにより表示ムラの発生を抑制する
ことが可能となる。すなわち、本発明によると、表示ム
ラを生じにくく信頼性の高い液晶表示装置及びその製造
方法が提供される。
【図１】本発明の実施例に係る液晶表示装置を概略的に
示す断面図。
示す断面図。
【図２】図１に示す液晶表示装置を概略的に示す平面
図。
図。
１…液晶表示装置 ２…アクティブマトリクス基板 ３…対向基板 ４…液晶層 ５…スペーサ ７，２１…透明基板 ８…アンダーコーティング層 ９…半導体活性層 １０…高濃度不純物領域 １１…ゲート酸化膜 １２…ゲート電極 １３…信号線 １４…層間絶縁膜 １５…コンタクトホール １６…無機絶縁膜 １７…カラーフィルタ層 １８…画素電極 １９…コンタクトホール ２０，２３…配向膜 ２２…共通電極 ２５…接着剤層 ２６…注入口 ２７…封止材
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１２年１１月１５日（２０００．１１．
１５）
１５）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、対向して配置された一対の基板と前記一
対の基板間に挟持され複数種の液晶物質を含有する液晶
組成物からなる液晶層とを具備し、前記液晶組成物の成
分ｉのモル分率をＸi、前記成分ｉの水相と１−オクタ
ノール相との間の分配比をＰi、前記成分ｉの１モル当
たりの水和エネルギーをＨＥi、気体定数Ｒを８．３Ｊ
／Ｋ・ｍｏｌ、及び温度Ｔを３００Ｋとしたときに算出
されるＸi（ＲＴｌｏｇＰi＋ＨＥi）の前記液晶組成物
の全成分についての和が３２ｋＪ／ｍｏｌ以上であるこ
とを特徴とする液晶表示装置を提供する。
に、本発明は、対向して配置された一対の基板と前記一
対の基板間に挟持され複数種の液晶物質を含有する液晶
組成物からなる液晶層とを具備し、前記液晶組成物の成
分ｉのモル分率をＸi、前記成分ｉの水相と１−オクタ
ノール相との間の分配比をＰi、前記成分ｉの１モル当
たりの水和エネルギーをＨＥi、気体定数Ｒを８．３Ｊ
／Ｋ・ｍｏｌ、及び温度Ｔを３００Ｋとしたときに算出
されるＸi（ＲＴｌｏｇＰi＋ＨＥi）の前記液晶組成物
の全成分についての和が３２ｋＪ／ｍｏｌ以上であるこ
とを特徴とする液晶表示装置を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００６】また、本発明は、対向して配置された一対
の基板と前記一対の基板間に挟持され複数種の液晶物質
を含有する液晶組成物からなる液晶層とを具備し、前記
複数種の液晶物質はそれぞれ炭素原子数が２個以上のア
ルキル基を有し、前記複数種の液晶物質の成分ｉのモル
分率をＸi、前記成分ｉの水相と１−オクタノール相と
の間の分配比をＰi、前記成分ｉの１モル当たりの水和
エネルギーをＨＥi、気体定数Ｒを８．３Ｊ／Ｋ・ｍｏ
ｌ、及び温度Ｔを３００Ｋとしたときに算出されるＸi
（ＲＴｌｏｇＰi＋ＨＥi）の前記複数種の液晶物質の全
成分についての和が３２ｋＪ／ｍｏｌ以上であり、前記
分配比Ｐi及び前記水和エネルギーＨＥiはそれぞれ前記
アルキル基をノルマルペンチル基として計算することに
より得られた値であることを特徴とする液晶表示装置を
提供する。
の基板と前記一対の基板間に挟持され複数種の液晶物質
を含有する液晶組成物からなる液晶層とを具備し、前記
複数種の液晶物質はそれぞれ炭素原子数が２個以上のア
ルキル基を有し、前記複数種の液晶物質の成分ｉのモル
分率をＸi、前記成分ｉの水相と１−オクタノール相と
の間の分配比をＰi、前記成分ｉの１モル当たりの水和
エネルギーをＨＥi、気体定数Ｒを８．３Ｊ／Ｋ・ｍｏ
ｌ、及び温度Ｔを３００Ｋとしたときに算出されるＸi
（ＲＴｌｏｇＰi＋ＨＥi）の前記複数種の液晶物質の全
成分についての和が３２ｋＪ／ｍｏｌ以上であり、前記
分配比Ｐi及び前記水和エネルギーＨＥiはそれぞれ前記
アルキル基をノルマルペンチル基として計算することに
より得られた値であることを特徴とする液晶表示装置を
提供する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１６】本発明において、分配比Ｐiとしては、成
分ｉの水相と１−オクタノール相との間の分配比を用い
ることができる。この場合、上記式（１）から算出され
る値と表示ムラの発生との間に極めて高い相関が実現さ
れる。また、この場合、気体定数Ｒを８．３Ｊ／Ｋ・ｍ
ｏｌ（２ｃａｌ／Ｋ・ｍｏｌ）及び温度Ｔを３００Ｋと
して上記式（１）から算出される値が３２ｋＪ／ｍｏｌ
（７．７ｋｃａｌ／ｍｏｌ）以上となるように、好まし
くは３３．２ｋＪ／ｍｏｌ（８ｋｃａｌ／ｍｏｌ）以上
となるように液晶組成物の組成を設定すれば、表示ムラ
の発生を抑制することができる。なお、ＲＴｌｏｇＰi
＋ＨＥiの値が大きな液晶物質の多くはフッ素系の液晶
物質であり、一般に、そのような液晶物質の含量が高く
なると、駆動電圧が高くなる或いは応答速度が低下する
傾向にある。したがって、上記式（１）から算出される
値は４５．７ｋＪ／ｍｏｌ（１１ｋｃａｌ／ｍｏｌ）以
下であることが好ましい。
分ｉの水相と１−オクタノール相との間の分配比を用い
ることができる。この場合、上記式（１）から算出され
る値と表示ムラの発生との間に極めて高い相関が実現さ
れる。また、この場合、気体定数Ｒを８．３Ｊ／Ｋ・ｍ
ｏｌ（２ｃａｌ／Ｋ・ｍｏｌ）及び温度Ｔを３００Ｋと
して上記式（１）から算出される値が３２ｋＪ／ｍｏｌ
（７．７ｋｃａｌ／ｍｏｌ）以上となるように、好まし
くは３３．２ｋＪ／ｍｏｌ（８ｋｃａｌ／ｍｏｌ）以上
となるように液晶組成物の組成を設定すれば、表示ムラ
の発生を抑制することができる。なお、ＲＴｌｏｇＰi
＋ＨＥiの値が大きな液晶物質の多くはフッ素系の液晶
物質であり、一般に、そのような液晶物質の含量が高く
なると、駆動電圧が高くなる或いは応答速度が低下する
傾向にある。したがって、上記式（１）から算出される
値は４５．７ｋＪ／ｍｏｌ（１１ｋｃａｌ／ｍｏｌ）以
下であることが好ましい。
フロントページの続き (72)発明者 磨矢 奈津子 埼玉県深谷市幡羅町一丁目９番地２号 株 式会社東芝深谷工場内 (72)発明者 福岡 暢子 埼玉県深谷市幡羅町一丁目９番地２号 株 式会社東芝深谷工場内 (72)発明者 内藤 勝之 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内 Ｆターム(参考） 2H088 HA08 HA12 MA04 4H027 BC04 BE01 BE02 CM04 CQ04 CS04 CT04 CU04
Claims (7)
- 【請求項１】 対向して配置された一対の基板と前記一
対の基板間に挟持され複数種の液晶物質を含有する液晶
組成物からなる液晶層とを具備し、 前記液晶組成物の成分ｉのモル分率をＸi、前記成分ｉ
の水相と１−オクタノール相との間の分配比をＰi、前
記成分ｉの１モル当たりの水和エネルギーをＨＥi、気
体定数Ｒを８．３Ｊ／Ｋ・ｍｏｌ、及び温度Ｔを３００
Ｋとしたときに算出されるＸi（ＲＴｌｏｇＰi＋Ｈ
Ｅi）の前記液晶組成物の全成分についての和が３２Ｊ
／Ｋ・ｍｏｌ以上であることを特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項２】 対向して配置された一対の基板と前記一
対の基板間に挟持され複数種の液晶物質を含有する液晶
組成物からなる液晶層とを具備し、 前記複数種の液晶物質はそれぞれ炭素原子数が２個以上
のアルキル基を有し、 前記複数種の液晶物質の成分ｉのモル分率をＸi、前記
成分ｉの水相と１−オクタノール相との間の分配比をＰ
i、前記成分ｉの１モル当たりの水和エネルギーをＨ
Ｅi、気体定数Ｒを８．３Ｊ／Ｋ・ｍｏｌ、及び温度Ｔ
を３００Ｋとしたときに算出されるＸi（ＲＴｌｏｇＰi
＋ＨＥi）の前記複数種の液晶物質の全成分についての
和が３２Ｊ／Ｋ・ｍｏｌ以上であり、前記分配比Ｐi及
び前記水和エネルギーＨＥiはそれぞれ前記アルキル基
をノルマルペンチル基として計算することにより得られ
た値であることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記一対の基板の一方はその対向面にカ
ラーフィルタ層及び複数の電極が順次積層された構造を
有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載
の液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記一対の基板の一方はその対向面にマ
トリクス状に設けられた走査線及び信号線とスイッチン
グ素子とを具備し、前記一対の基板の他方はその対向面
に共通電極を具備し、前記一対の基板のいずれか一方は
その対向面にカラーフィルタ層を具備することを特徴と
する請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の液
晶表示装置。 - 【請求項５】 対向して配置された一対の基板と前記一
対の基板間に挟持された液晶層とを備えた液晶表示装置
の製造方法であって、 複数種の液晶物質を含有する液晶組成物の成分ｉのモル
分率をＸi、前記成分ｉの分配比をＰi、前記成分ｉの１
モル当たりの水和エネルギーをＨＥi、気体定数をＲ、
及び温度をＴとしたときに算出されるＸi（ＲＴｌｏｇ
Ｐi＋ＨＥi）の前記液晶組成物の全成分についての和に
基づいて前記液晶組成物の組成を設定し、前記組成を有
する液晶組成物を用いて前記液晶層を形成する工程を具
備することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項６】 対向して配置された一対の基板と前記一
対の基板間に挟持された液晶層とを備えた液晶表示装置
の製造方法であって、 それぞれ炭素原子数が２個以上のアルキル基を有する複
数種の液晶物質の成分ｉのモル分率をＸi、前記成分ｉ
の分配比をＰi、前記成分ｉの１モル当たりの水和エネ
ルギーをＨＥi、気体定数をＲ、及び温度をＴとしたと
きに算出されるＸi（ＲＴｌｏｇＰi＋ＨＥi）の前記複
数種の液晶物質の全成分についての和に基づいて前記複
数種の液晶物質を含有する液晶組成物の組成を設定し、
前記組成を有する液晶組成物を用いて前記液晶層を形成
する工程を具備し、前記分配比Ｐi及び前記水和エネル
ギーＨＥiとしてそれぞれ前記アルキル基をノルマルペ
ンチル基として計算することにより得られた値を用いる
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項７】 前記分配比Ｐiを前記成分ｉの水相と１
−オクタノール相との間の分配比とし且つ気体定数Ｒを
８．３Ｊ／Ｋ・ｍｏｌ及び温度Ｔを３００Ｋとしたとき
に前記和が３２Ｊ／Ｋ・ｍｏｌ以上となるように前記組
成を設定することを特徴とする請求項５または請求項６
に記載の液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000291905A JP2002097470A (ja) | 2000-09-26 | 2000-09-26 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| US09/961,337 US6633348B2 (en) | 2000-09-26 | 2001-09-25 | Liquid crystal composition, liquid crystal display and method of manufacturing liquid crystal display |
| KR10-2001-0059737A KR100405748B1 (ko) | 2000-09-26 | 2001-09-26 | 액정조성물, 액정 디스플레이 및, 액정 디스플레이의제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000291905A JP2002097470A (ja) | 2000-09-26 | 2000-09-26 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002097470A true JP2002097470A (ja) | 2002-04-02 |
Family
ID=18774920
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000291905A Pending JP2002097470A (ja) | 2000-09-26 | 2000-09-26 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6633348B2 (ja) |
| JP (1) | JP2002097470A (ja) |
| KR (1) | KR100405748B1 (ja) |
Families Citing this family (4)
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|---|---|---|---|---|
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| KR101490478B1 (ko) * | 2008-07-10 | 2015-02-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치 |
| KR20100069934A (ko) * | 2008-12-17 | 2010-06-25 | 삼성전자주식회사 | 몰드의 제조 방법 및 이를 이용한 액정 표시 장치의 제조 방법 |
| KR20110101917A (ko) * | 2010-03-10 | 2011-09-16 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2537534B2 (ja) * | 1987-03-31 | 1996-09-25 | ユニチカ株式会社 | サ―モトロピック液晶性ポリエステルの製造方法 |
| EP0400861A1 (en) * | 1989-05-31 | 1990-12-05 | Seiko Epson Corporation | 1,3-dioxane derivative and liquid crystal composition incorporating the same |
| JP3124824B2 (ja) * | 1991-04-18 | 2001-01-15 | 出光興産株式会社 | 液晶組成物及びそれを用いた情報表示体 |
| DE69229621D1 (de) * | 1991-09-13 | 1999-08-26 | Merck Patent Gmbh | Elektrooptisches System |
| DE69800451T2 (de) * | 1997-05-22 | 2001-05-03 | Mitsubishi Gas Chemical Co | Antiferroelektrische Flüssigkristallzusammensetzung |
| WO1999006501A1 (fr) * | 1997-07-31 | 1999-02-11 | Asahi Glass Company Ltd. | Composition de cristal liquide et cristal liquide polymere obtenu par polymerisation de cette composition |
-
2000
- 2000-09-26 JP JP2000291905A patent/JP2002097470A/ja active Pending
-
2001
- 2001-09-25 US US09/961,337 patent/US6633348B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-09-26 KR KR10-2001-0059737A patent/KR100405748B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
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