JP2002088225A

JP2002088225A - スルーホール充填用ペースト及びそれを用いたプリント配線板

Info

Publication number: JP2002088225A
Application number: JP2001175075A
Authority: JP
Inventors: Yasushi Sumi; 泰志墨; Toshifumi Kojima; 敏文小嶋; Masahiko Okuyama; 雅彦奥山
Original assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Current assignee: Niterra Co Ltd
Priority date: 2000-07-13
Filing date: 2001-06-11
Publication date: 2002-03-27
Anticipated expiration: 2021-06-11
Also published as: JP3920048B2

Abstract

(57)【要約】【目的】硬化後のスルーホール充填材の内部に、クラ
ックの様な隙間が発生することのない、銅等の金属フィ
ラーを含有したスルーホール充填材およびそれを用いた
プリント配線板並びに多層プリント配線板を提供するこ
と。【構成】エポキシ樹脂と、水酸基を有する特定のイミ
ダゾール系化合物からなる硬化剤と、卑金属を含む金属
フィラーとを含有するスルーホール充填用ペーストを用
いる。プリント配線板の導体層の表面は、少なくともス
ルーホール充填用ペーストと接触する部分を粗度Ｒzが
０．３〜２０μｍになるように粗化処理するとよい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、プリント配線板、積層
板に形成されたスルーホール内に充填して用いられるス
ルーホール充填用ペースト及びそれを用いたプリント配
線板並びに多層プリント配線板に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、プリント基板の更なる高密度化を
図るために、スルーホールの真上に絶縁層間を電気的に
接続するためのビアホールを形成する構造（Ｖｉａｏ
ｎＰＴＨ）が検討されている（特開平６−２７５９５
９号公報を参照。）。この構造においては、スルーホー
ル内に充填したスルーホール充填材の上に銅メッキを施
す必要がある。高い接続信頼性を得るためには、スルー
ホール充填材に対する銅メッキの密着性を確保すること
が重要となる。

【０００３】シリカ等の無機フィラーのみを含有するス
ルーホール充填用ペーストを用いた場合においては、銅
メッキの密着性を上げるためには、クロム酸や過マンガ
ン酸カリウム等を用いた特殊な薬液処理を施して、スル
ーホール充填材の表面を粗化する必要がある。このた
め、製造コストの低減が困難である。

【０００４】そこで、銅メッキとの密着性を上げる為
に、銅のような金属フィラーを含有したスルーホール充
填用ペーストの使用が検討されている（特開平１１−１
４０２８０号公報を参照。）。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、銅フィラーを
含有するスルーホール充填用ペーストを用いた場合にお
いては、硬化後のスルーホール充填材（１００）の内部
に、クラックの様な隙間（１２）が発生することがある
（図１を参照。）。このクラックの様な隙間は、無機フ
ィラーのみを含有するスルーホール充填材の内部には発
生しないが、銅等の金属フィラーを含有するスルーホー
ル充填材の内部には発生しやすい。

【０００６】この隙間は、スルーホール充填材の樹脂成
分の硬化収縮によって発生する内部応力に起因するクラ
ックと考えられていた。そこで、クラックの様な隙間の
発生を防止するには、硬化後のスルーホール充填材に柔
軟性を付与して内部応力を低減するような成分を添加す
ることが検討されていた（特開平８−３１１１５７号公
報を参照。）。

【０００７】しかし、柔軟性を付与するような成分の添
加は、硬化後のスルーホール充填材のガラス転移点（Ｔ
ｇ）の低下を引き起こして耐熱性を低下させたり、ハン
ダリフロー工程で発生する体積収縮（再硬化収縮）を増
大させることが知られている（特開平１１−１９９７５
９号公報を参照。）。耐熱性の低下や再硬化収縮といっ
た現象は、プリント配線板や多層プリント配線板のスル
ーホールに関する信頼性を低下させる好ましくない要因
である。

【０００８】このように、スルーホール充填材の耐熱性
の低下や表裏面の凹みの発生等の問題があるため、ＭＰ
Ｕ用パッケージのような高い信頼性が要求されるものに
は、柔軟性を付与するような成分を添加したスルーホー
ル充填用ペーストを使用することができなかった。その
ため、スルーホールに関する信頼性の高いプリント配線
板や多層プリント配線板を得ることは容易ではない。ま
た、スルーホール充填用ペーストは、経時変化による粘
度変動が大きいため、安定した製品を得るには、この変
動を抑える必要がある。さらに、シェルライフを長く確
保して、長期間の保管後においても安定した特性を維持
できるようにする必要がある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】銅等の卑金属を含む金属
フィラーを添加したスルーホール充填用ペーストの硬化
収縮挙動は、スルーホールの中心部と表面部（外気に曝
されている部分）とでは、硬化速度に大きな違いがあ
る。具体的に述べると、スルーホール中心部の硬化速度
がスルーホール表面部の硬化速度に比べて極端に遅いこ
とである。

【００１０】これらの現象に鑑みて、本発明者等は、上
記の隙間は、従来言われているような内部応力によるク
ラックではなく、硬化速度の遅い中心部の樹脂成分が、
硬化速度の速い表面部に移動していくことによって発生
する巣（いわゆるｂｌｏｗｈｏｌｅ）であると推察し
た。

【００１１】そこで、本発明者等は種々の硬化剤を使用
して硬化挙動の変化について検討した。その結果、ある
特定の硬化剤を選択することによって、スルーホール充
填用ペーストの硬化収縮挙動を制御し、上記隙間の発生
を抑制できることを本発明者等は見いだし、本発明の完
成に至ったものである。

【００１２】金属フィラーに用いる銅等の卑金属には、
ある種の触媒作用があり、エポキシ樹脂の硬化反応に何
らかの影響を及ぼすことが知られている（特開平９−３
１３０７号公報を参照。）。硬化収縮挙動の問題は、卑
金属表面の酸化状態によって触媒効果が変動することに
起因すると思われる。具体的には、銅表面ではアニオン
重合が阻害され、一方、酸化表面ではアニオン重合が促
進されるような場合である。

【００１３】本発明では、一般式（１）の構造を有する
イミダゾール系硬化剤を用いる。この硬化剤を使用する
ことで、銅粉末等の卑金属を含む金属フィラーを添加し
たスルーホール充填材に発生する上記隙間の問題を回避
できる。このイミダゾール系硬化剤は、卑金属の表面状
態の違いによる触媒作用のばらつきを調整して、硬化収
縮挙動の均一化を促進する効果を有すると推察される。
この理由を以下に説明する。

【００１４】一般に、イミダゾール系硬化剤を添加した
エポキシ樹脂は、分子内錯体を形成しながら重合が進ん
でいくと言われている（高分子刊行会、「入門エポキシ
樹脂」p.98〜p.99、を参照。）。分子内錯体が形成され
ると、反応速度は低下するものの、代わりに重合停止反
応は起こりにくくなると言われている。すなわち、エポ
キシ樹脂の重合反応を阻害するような、外部からの影響
を受け難くなる。本発明者等は、硬化収縮挙動の均一化
を促進するには、如何にこの分子内錯体を効果的に形成
するかがポイントになると推察した。そこで、発明者等
は種々のイミダゾール系硬化剤を用いて検討したとこ
ろ、特定の構造を有するイミダゾール系硬化剤を選択す
ることで、エポキシ樹脂の硬化収縮挙動の均一化を促進
できることを見出し、本発明の完成に至った。

【００１５】本発明に用いる一般式（１）のイミダゾー
ル系硬化剤は、分子内に水酸基（−ＯＨ）を持ってい
る。この水酸基とアニオン重合末端基とが水素結合する
ことで、分子内錯体がより効果的に形成される。その結
果、卑金属の触媒作用のばらつきの影響を受け難くなっ
て、硬化収縮挙動の均一化を促進することが可能とな
り、上記の隙間の発生が効果的に抑制できるものと推察
される。

【００１６】一般式（１）

【化１】

【００１７】一般式（１）におけるＲ₁としては、水素
原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０の
ヒドロキシアルキル基、または、炭素数１〜１０のアル
キルオキシ基が好ましい置換基として挙げられる。更に
は、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基（メチル基、
エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基）、
炭素数１〜４のヒドロキシアルキル基（ヒドロキシメチ
ル基、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基、ヒ
ドロキシブチル基）、または、炭素数１〜４のアルキル
オキシ基（メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イ
ソプロポキシ基、ブトキシ基）が好ましい置換基として
挙げられる。

【００１８】特に好ましいイミダゾール系硬化剤は、Ｒ
₁がメチル基である「２−フェニル−４−メチル−５−
ヒドロキシメチル−イミダゾール」である。この硬化剤
は、銅粉末を添加したスルーホール充填材で発生しやす
い上記の隙間の問題を効果的に抑制できる。また、スル
ーホール内に充填したスルーホール充填用ペーストをキ
ュアする際に発生する、スルーホール充填材の表裏面の
凹みの問題を効果的に抑制することができる。スルーホ
ール充填材の表裏面に凹みが発生すると、次いで形成さ
れるビルドアップ層に凹凸を発生させる原因となるため
好ましくない。特に、図７に示すようなＦＣ−ＰＧＡ型
の配線基板のようにスルーホール直下のビルドアップ層
にピン付けする場合にも問題となる。ここにいう「ＦＣ
−ＰＧＡ型の配線基板」とは、半導体素子をＦＣ（フリ
ップチップ）実装するとともに、マザーボードへの実装
をピンによって行うタイプのＰＧＡ（ピングリッドアレ
イ）型配線基板をいう。

【００１９】特には、アスペクト比が大きいスルーホー
ル（１．６〜３２、好ましくは２．５〜３２、より好ま
しくは５〜３２、特には、８〜３２）や、スルーホール
導体の内壁面にエッチングや黒化処理により十点平均粗
さ（ＪＩＳＢ０６０１の３．５．１に準ずる。）に
よる粗度Ｒzが０．３〜３μｍ（好ましくは２〜３μ
ｍ）の凹凸を有する粗化面が形成されていたり、更に内
壁面にうねりや段差があって直線性に乏しいようなスル
ーホール（レーザにより穿設されたもの等）や、直径の
異なるスルーホールが混在（例えば、１００μｍと３０
０μｍが混在）する場合の各スルーホールを充填する場
合において有用である。尚、スルーホールの内壁面には
導通用のスルーホール導体が形成されているのがよい
が、導電性を有するスルーホール充填用ペーストを用い
る場合は、スルーホール導体の形成を省略することもで
きる。

【００２０】本発明に用いるスルーホールを有する基板
としては、ＦＲ−４、ＦＲ−５、ＢＴ等のいわゆるコア
基板を用いるのがよいが、ＰＴＦＥ等の熱可塑性樹脂シ
ートに厚み３５μm程度の厚手の銅箔を挟み込んでコア
基板としたものにスルーホールを形成したものを用いて
もよい。また、コア基板の少なくとも一面に絶縁層を形
成した基板を貫通するように形成されたスルーホールを
有する基板を用いることができる。図１１は、コア基板
の両面に絶縁層を形成した基板を貫通するように形成さ
れたスルーホールを有する基板の例である。この場合ス
ルーホールは、絶縁層を形成した後に炭酸ガスレーザ等
を用いたレーザ加工機を用いて形成するのがよい。しか
し、レーザにより穿設されたスルーホールは、内壁面に
うねりや段差があって直線性に乏しいため、スルーホー
ル充填が困難な場合が多い。本発明で用いるスルーホー
ル充填用ペーストは、コア基板の両面に絶縁層を形成し
た基板を貫通するようにレーザにより穿設されたスルー
ホールであっても、良好な充填を行うことができる利点
がある。

【００２１】本発明のプリント配線板の製造方法により
得られたプリント配線板上に、絶縁層及び導体層を交互
に積層したビルドアップ層を形成して多層プリント配線
板を得ることができる。この場合、図７に示すようなコ
ンデンサ内蔵型の多層プリント配線板であっても、いわ
ゆるガラス−エポキシ複合材料（絶縁基板）の厚みを４
００μｍ程度と、通常品の８００μｍの半分にまで薄く
して低背化を図ることができる利点がある。また、スル
ーホール充填材の内部に隙間が無く、かつ、スルーホー
ル近傍のビルドアップ層の平坦性に優れた基板を用いる
ため、図７に示すようなＦＣ−ＰＧＡ型の配線基板のよ
うにスルーホール直下のビルドアップ層にピン付けした
ＰＧＡ（ピングリッドアレイ）型の多層プリント配線板
を形成する場合に特に好適である。

【００２２】ビルドアップの方法は問わないが、セミア
ディティブ法、フルアディティブ法等の公知のアディテ
ィブ法や、ガラスクロス、耐熱樹脂製不織布、金属箔等
を芯材にして樹脂絶縁層をプリプレグでラミネートする
ラミネート法等を用いることができる。アディティブ法
を用いる場合は、ビルドアップ層を形成する前には、露
出した配線表面に化学エッチング、黒化処理、針状メッ
キ等の公知の粗化面形成処理を行う。それによって、続
いて形成される樹脂絶縁層の密着力が向上できる。形成
された樹脂絶縁層の表面を過マンガン酸カリウム処理、
クロム酸処理等により粗化処理する。続いて形成される
導体層の密着力を上げるためである導体層は無電解メッ
キ、電解メッキ、フォトリソグラフィを用いた公知の方
法で形成できる。

【００２３】本発明に用いるスルーホール用充填ペース
トには、エポキシ樹脂と金属フィラーと硬化剤とを含む
組成物をベースとする。所望の特性を得るために、この
組成物に対して感光性樹脂、熱可塑性樹脂、無機フィラ
ー、超微粒子無機フィラー、脱泡剤等を適宜選択して添
加した組成物とすることができる。

【００２４】エポキシ樹脂は、一般に硬化収縮が少ない
ため、硬化後の凹みを効果的に抑制するために用いられ
る。特には、耐熱性、耐湿性、耐薬品性に優れる芳香族
エポキシ樹脂を用いることが望ましい。更には、ペース
トを無溶剤化する為に、常温で液状のエポキシ樹脂（Ｂ
ＰＡ型、ＢＰＦ型等のＢＰ型やＰＮ型）を用いるのがよ
い。

【００２５】金属フィラーは、硬化収縮をさらに低減し
たり、熱膨張率やペーストの粘度を制御したり、スルー
ホール充填材に導電性を付与するために用いられる。ま
た、金属フィラーの添加によって、スルーホール充填材
上に形成した銅メッキとの密着性を効果的に向上するこ
とができる。不純物酸素を若干含んだアトマイズ粉が安
価でよい。金属フィラーとしては、銅、ニッケル等の卑
金属単体、又はこれらから選ばれる卑金属と他の金属と
の合金のみならず、これらの金属や合金で被覆した無機
フィラー（本発明では、この金属被覆した無機フィラー
も金属フィラーの概念に含める。）等を用いることがで
きる。尚、合金粉末の場合は、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ等の貴
金属との合金がよい。

【００２６】この金属フィラーは、銅粉末、ニッケル粉
末等の卑金属粉末がよい。不純物酸素を若干含んだアト
マイズ粉が安価でよい。貴金属を用いるよりも安価だか
らである。特には銅粉末又は銅合金粉末がよい。銅粉末
又は銅合金粉末であると、スルーホール充填材上に形成
するメッキを、通常の銅メッキ工程と同様の工程で行え
るからである。銅合金粉末の場合は、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ
等の貴金属との合金がよい。

【００２７】金属フィラーの形状には、球状、鱗片状、
樹枝状等があるが、特には球状が望ましい。ペーストの
流動性が向上して、スルーホール内への充填性に優れる
からである。金属フィラーの平均粒径としては、２０μ
ｍ以下が好ましい。この平均粒径が２０μｍよりも大き
いと、銅メッキとの密着性が低下するからである。更に
好ましくは１〜１５μｍ、特には３〜１０μｍである。
銅メッキのフクレの発生を効果的に防止できるからであ
る。また、スルーホール充填性を良好にするために、見
かけ密度が２ｇ／ｃｍ³以上の金属フィラーを用いるの
がよい。

【００２８】本発明のスルーホール充填用ペーストは、
熱膨張係数等の物性値調整のために、無機フィラーを含
むとよい。無機フィラーを構成するセラミックとして
は、酸化物（アルミナ、シリカ等）、窒化物（窒化珪
素、チタンナイトライド等）、ケイ化物（タングステン
シリサイド、チタンシリサイド等）、炭化物（タングス
テンカーバイド、チタンカーバイド等）等を用いること
ができる。特には、タイミクロン等の微細アルミナ粉末
やアエロジル等の微細シリカ粉末がよい。また必要に応
じて、消泡剤、レベリング剤等の微量添加剤を添加して
も良い。

【００２９】本発明のスルーホール充填用ペーストは、
超微粒子無機フィラーを含むとよい。スルーホール充填
用ペーストの粘度の経時変化を抑えることができるから
である。さらに分散剤を添加しても良い。超微粒子無機
フィラーとしては、超微粒子状のセラミック粉末がよ
い。ここにいう超微粒子とは、以下のような特性を有す
る粒子をいう。粒子のＢＥＴ法による比表面積が４０
〜４００ｍ²／ｇである。ＢＥＴ法は周知の手法のた
め、その詳細はここでは割愛する。スルーホール充填用
ペーストのスルーホールへの穴埋め時の流動性を良好に
保ちながら経時変化による粘度変動を効果的に防止する
ことができる。粒子のＢＥＴ法による比表面積の好まし
い範囲は６０〜１００ｍ²／ｇである。スルーホールへ
の穴埋め時に問題となる硬化後のスルーホール充填用ペ
ーストにおける樹脂塊やボイドの発生を効果的に抑える
ことができる。粒子の１次粒子径が５〜５０ｎｍであ
る。１次粒子径がｎｍ（ナノメートル）オーダーの超微
粒子を用いることで、スルーホール充填用ペーストにお
ける金属フィラーの沈降や粘度の経時変化を効果的に抑
制することができる。粒子の１次粒子径の好ましい範囲
は１０〜２０ｎｍである。スルーホール充填用ペースト
の粘度を過度に増大させることがない。粒子の見かけ
比重が３０〜２００ｇ／ｌである。スルーホール充填用
ペーストにおける金属フィラーの沈降防止や粘度の経時
変化の抑制に効果的である。

【００３０】超微粒子無機フィラーとしては、その４％
分散液（水：メタノール＝１：１溶液中）のｐＨ値が
３．５〜６．５であるとよい。ｐＨ値を中性から酸性よ
りに調整することで、塩基性のイミダゾール系化合物で
ある硬化剤の室温下での活性を落として、使用中に発生
するスルーホール充填用ペーストの硬化の進行による増
粘を効果的に抑制できる。ただし、ｐＨ値が３．５より
も小さくなると、逆に塩基性のイミダゾール系化合物で
ある硬化剤の室温下での活性が落ちすぎて、硬化不十分
になるので好ましくない。また、ｐＨ値が６．５よりも
大きくなると、粘度が逆に不安定になりため好ましくな
い。超微粒子無機フィラーの４％分散液（水：メタノー
ル＝１：１溶液中）のｐＨ値は、例えば以下のように測
定する。ここでは超微粒子無機フィラーとして微細シリ
カ（アエロジル）を用いて説明する。アエロジル４ｇを
２００ｍｌビーカーにとる。そこにメタノール５０ｍｌ
を加えて攪拌する。さらに純粋５０ｍｌを加えて攪拌し
て、よく分散させる。この分散液にガラス電極を入れて
ｐＨ値を測定する。５分間のｐＨ値の変動が±０．０１
以内となるまで放置して、そのときの値を超微粒子無機
フィラーのｐＨ値として読み取る。

【００３１】超微粒子無機フィラーに含まれるカーボン
含有量は３〜５質量％であるとよい。超微粒子のエポキ
シ樹脂との濡れ性を良好にして、優れた分散性を得るこ
とができる。その理由の詳細は不明であるが、超微粒子
無機フィラーの表面に付着したカーボン成分が、超微粒
子無機フィラー同士の分子間力等により凝集するのを防
止するものと推察される。また、カーボンが静電気を逃
がして、超微粒子が静電力で凝集するのを防止している
とも推察される。

【００３２】超微粒子無機フィラーに含まれる水分含有
量は０．０５〜０．１５質量％であるとよい。スルーホ
ール充填ペーストの製造ロット毎の粘度を安定して保つ
ことができる。水分含有量が０．０５質量％未満である
と、雰囲気の湿度変化に対して粘度が不安定になるため
好ましくない。また、水分含有量が０．１５質量％を超
えると、製造初期の粘度変動が大きくなるため好ましく
ない。

【００３３】超微粒子無機フィラーは、有機成分を除く
無機成分全体における主たる無機成分の純度が９９．５
％以上のものがよい。これは、カーボン等の有機成分を
除いた純粋な無機成分全体を１００質量％ととしたとき
の純度をいう。超微粒子無機フィラーは、その微細さゆ
えに、スルーホール充填用ペースト全体に均一に分散し
ている。そのため、不要な不純物を含むと、不純物に起
因する悪影響（例えば、金属イオンのマイグレーション
等）が、スルーホール全体に及ぶことになる。それを回
避するためには、無機成分の純度を９９．５％以上にす
るのがよい。

【００３４】本発明のスルーホール充填用ペーストを用
いたプリント配線板は、スルーホールの信頼性に優れる
利点を有するため、ビルドアップ工法を用いた多層プリ
ント配線板用途に好適である。ＶｉａｏｎＰＴＨ構
造を採った場合においても、安定した接続信頼性が得ら
れる利点がある。また、スルーホール開口端面近傍に凹
凸や隙間を発生させないため、ＦＣ−ＰＧＡ型の多層プ
リント配線板のようにスルーホール直下のビルドアップ
層にピン付けする場合においても、ピンの傾きや接合不
良等の不具合の発生を防止できる利点がある。

【００３５】上記スルーホール充填用ペーストは、プリ
ント配線板を構成するコア基板の表面やスルーホールの
壁面に形成される導体層が、水に対する接触角が９０度
以上になるように疎水化処理されている場合に特に有用
である。尚、未処理の場合の接触角は通常７０〜８０
度、酸化処理（いわゆる黒化処理）の場合の接触角は通
常７５〜９０度である。

【００３６】本発明のプリント配線板に用いるコア基板
の導体層（主に銅）は、絶縁層やソルダーレジストとの
密着性の向上及び発錆防止のために、カップリング剤や
防錆剤で導体層表面を疎水性つまり親油性に処理（特に
は、水に対する接触角（２θ）が９０度を超えるように
疎水化処理）するとよい。これらの処理をすることで、
導体層の表面と親油性の樹脂（例えばエポキシ樹脂）と
の濡れ性は良くなり（逆に水との濡れ性は悪くなる）、
絶縁層やソルダーレジストの密着性は向上する。密着性
の向上のためには、水に対する接触角が９５度以上がよ
く、特には１００度以上がよい。ここにいう接触角（２
θ）は、水滴（８）の導体表面（７）との接触点（８
０）から水滴の頂点（８１）へ引いた仮想線（８２）
と、水平線（８３）とが形成する角度（θ）（９）の２
倍角（２θ）をいう（図５を参照。）。

【００３７】ところが一般には、導体層の表面が親油性
となって樹脂との濡れ性が高くなるにつれてブリードア
ウト（熱硬化時の樹脂流れ）は増大し、スルーホール充
填用ペーストの穴埋め性は低下してしまう。しかし、本
発明のスルーホール充填用ペーストは、水に対する接触
角が９０度以上になるように疎水化処理された（つま
り、親油性の高い）導体層を有するコア基板へも良好な
穴埋めをすることができる利点がある。

【００３８】本発明のプリント配線板に用いる導体層の
表面の少なくとも一部は、粗度Ｒzが０．３〜２０μ
ｍ、好ましくは０．５〜１０μｍ、より好ましくは１〜
５μｍとなっているのがよい。特には、少なくともスル
ーホール充填用ペーストが接触する部分が粗化されてい
るのがよい。例えば、スルーホールの内壁面に形成され
たスルーホール導体層の部分である。スルーホール充填
用ペーストが導体層の表面の凹凸に食い込んで、密着性
を向上させるアンカー効果を奏するからである。表面粗
度Ｒzの制御については、特に制約は無く、マイクロエ
ッチング法や黒化処理等の公知の方法で行えばよい。

【００３９】

【実施例】以下に本発明の一態様を実施例を用いて説明
する。尚、本発明は以下の実施例のみに限定されるもの
ではない。・実施例１；スルーホール充填用ペーストの評価スルーホール充填用ペーストの調製表１の組成になるように、以下に示すエポキシ樹脂、イ
ミダゾール系硬化剤、銅およびシリカフィラーを混合
し、３本ロールミルで十分に分散させ、スルーホール充
填用ペーストを調製する。

【００４０】エポキシ樹脂は以下の３種類。・商品名：ＹＬ９８０：ビスフェノールA型エポキシ樹
脂（油化シェル製）・商品名：Ｅ８２８：ビスフェノールA型エポキシ樹脂
（油化シェル製）・商品名：Ｅ１５２：フェノールノボラック型エポキシ
樹脂（油化シェル製）

【００４１】硬化剤は以下の４種類。・商品名：２Ｐ４ＭＨＺ：２−フェニル−４−メチル−
５−ヒドロキシメチル−イミダゾール（四国化成製）・商品名：２ＰＨＺ：２−フェニル−４，５−ジヒドロ
キシメチル−イミダゾール（四国化成製）・商品名：２Ｐ４ＭＺ：２−フェニル−４−メチル−イ
ミダゾール（四国化成製）・商品名：２ＰＺ−ＯＫ：２−フェニル−イミダゾール
・イソシアヌル酸付加体（四国化成製）

【００４２】無機フィラーは以下の４種類。ここで、
「ＲＹ２００Ｓ：微細シリカ（日本アエロジル製）」は
超微粒子無機フィラーである。・商品名：ＳＦＲ−ＣＵ−５：球状銅フィラー，平均粒
径５μｍ（日本アトマイズ加工製）・商品名：ＳＦＲ−ＣＵ−１０：球状銅フィラー，平均
粒径１０μｍ（日本アトマイズ加工製）・商品名：ＳＯＣ２：球状シリカフィラー，平均粒径
０．５μｍ（龍森製）・商品名：ＲＹ２００Ｓ：微細シリカ（日本アエロジル
製）、ＢＥＴ法による比表面積７６ｍ²／ｇ、１次粒子
径（平均値）１６ｎｍ、シリカ純度９９．９％以上（無
機成分全体における主たる無機成分であるシリカの純度
を示す。）、見かけ比重５０ｇ／ｌ、水分含有量０．０
８９質量％、カーボン含有量４．３質量％、４％分散液
（水：メタノール＝１：１溶液中）のｐＨ値５．７２

【００４３】コア基板の疎水化処理基板（２）は、厚み８００μｍのＢＴ（ビスマレイミド
・トリアジン）樹脂製銅張基板を用いる。機械ドリル加
工で孔開けした後、孔の内壁面（３）に厚み１５μｍの
銅メッキにより導体層（４）を形成して、直径３００μ
ｍのスルーホールを有するコア基板（１）を作製する
（図２を参照。）。得られた基板の導体層の表面を、市
販のマイクロエッチング液（商品名：MEC etch BOND、
メック社製）を用いて粗面化処理して、粗化面（５）を
形成する（図３を参照。）。その後、市販の防錆剤によ
って防錆処理（商標名：ＣＺ処理、メック社製）を施し
て疎水化面（６）を形成して、疎水化処理を完了する
（図４を参照。）。

【００４４】疎水化処理を施した導体層表面の水に対す
る接触角（２θ）を、接触角測定器（商品名：ＣＡ−
Ａ、協和科学製）により液適法で測定したところ、接触
角（２θ）は１０１度であった。ここにいう接触角（２
θ）は、水滴（８）の導体表面（７）との接触点（８
０）から水滴の頂点（８１）へ引いた仮想線（８２）
と、水平線（８３）とが形成する角度（θ）（９）の２
倍角（２θ）をいう（図５を参照。）。

【００４５】穴埋め試験表１に示すそれぞれのスルーホール充填用ペーストをコ
ア基板（１）のスルーホール内に充填する。真空吸引装
置の付いた台座の上に不繊紙を設置し、上記基板を、台
座の上に配置する。その上にスルーホールの位置に対応
するように２００μｍ、３００μｍ、４００μｍの３種
類の貫通孔を有するステンレス製の穴埋めマスクを設置
する。次いで、表１の各穴埋め充填ペーストを載せ、ロ
ーラー式スキージを加圧しながら穴埋め充填を行う。そ
の後、１２０℃×４０分の条件で仮キュアした後、１５
０℃×５時間の条件でキュアして熱硬化する。ここで、
硬化後のスルーホール充填材（１１）の表面に２０μｍ
を越える凹み（ｄ）（１０）が発生したものを不合格
（図６を参照。）として、穴埋め性を評価する。スルー
ホール１００個中の合格率が８５％以上のものを合格と
判断する。合否を表１に併記する。

【００４６】隙間観察コア基板のスルーホール部を切断し、硬化後のスルーホ
ール充填材の隙間の有無を倍率２００倍の拡大顕微鏡を
用いて観察する。スルーホール１００個中の合格率が８
５％以上のものを合格と判断する。合否を表１に併記す
る。

【００４７】

【表１】

【００４８】一般式（１）の構造を持つイミダゾール系
硬化剤を用いた実施例である試料番号１〜試料番号３
は、隙間が発生せず、良好な結果が得られる。特に、Ｒ
₁がメチル基である試料番号１および試料番号２では、
凹みも殆ど発生せず（１０μｍ以下）、良好な穴埋めが
できた。

【００４９】一方、分子内に水酸基を持たないイミダゾ
ール系硬化剤を用いた比較例である試料番号４及び試料
番号５では、内部に隙間が発生した。尚、参考例である
試料番号６は、比較例である試料番号４の銅フィラーを
シリカフィラーに変更したものであるが、これには隙間
は発生しなかった。このことから、この隙間は、銅フィ
ラーを用いた場合に固有の現象であることがわかる。

【００５０】・実施例２；ＦＣ−ＰＧＡ型多層プリント
配線板の例ＦＣ−ＰＧＡ型多層プリント配線板を用いた半導体装
置の作製本発明のプリント配線板の製造方法を用いた多層プリン
ト配線板について、図７に示すいわゆる「ＦＣ−ＰＧ
Ａ」構造の実施例を用いて以下に説明する。図８に示す
ような、厚み０．４ｍｍの絶縁基板（１０１）に厚み１
８μｍの銅箔（２００）を貼り付けたＦＲ−５製両面銅
張りコア基板を用意する。ここで用いるコア基板の特性
は、ＴＭＡによるＴｇ（ガラス転移点）が１７５℃、基
板面方向のＣＴＥ（熱膨張係数）が１６ｐｐｍ／℃、基
板面垂直方向のＣＴＥ（熱膨張係数）が５０ｐｐｍ／
℃、１ＭＨｚにおける誘電率εが４．７、１ＭＨｚにお
けるｔａｎδが０．０１８である。

【００５１】コア基板上にフォトレジストフィルムを貼
り付けて露光現像を行い、直径６００μｍの開口部及び
所定の配線形状に対応する開口部（図示せず。）を設け
る。フォトレジストフィルムの開口部に露出した銅箔を
亜硫酸ナトリウムと硫酸を含むエッチング液を用いてエ
ッチング除去する。フォトレジストフィルムを剥離除去
して、図９に示すような露出部（３００）及び所定の配
線形状に対応する露出部（図示せず。）が形成されたコ
ア基板を得る。

【００５２】市販のエッチング処理装置（メック社製
ＣＺ処理装置）によってエッチング処理を施して銅箔の
表面粗化をした後、エポキシ樹脂を主体とする厚み３５
μｍの絶縁フィルムをコア基板の両面に貼り付ける。そ
して、１７０℃×１．５時間の条件にてキュアして絶縁
層を形成する。このキュア後の絶縁層の特性は、ＴＭＡ
によるＴｇ（ガラス転移点）が１５５℃、ＤＭＡによる
Ｔｇ（ガラス転移点）が２０４℃、ＣＴＥ（熱膨張係
数）が６６ｐｐｍ／℃、１ＭＨｚにおける誘電率εが
３．７、１ＭＨｚにおけるｔａｎδが０．０３３、３０
０℃での重量減が−０．１％、吸水率が０．８％、吸湿
率が１％、ヤング率が３ＧＨｚ、引っ張り強度が６３Ｍ
Ｐａ、伸び率が４．６％である。

【００５３】図１０に示すように、炭酸ガスレーザを用
いて絶縁層（４００）に層間接続用のビアホール（５０
０）を形成する。ビアホールの形態は、表層部の直径は
１２０μｍ、底部の直径は６０μｍのすりばち状であ
る。更に炭酸ガスレーザの出力を上げて、絶縁層とコア
基板を貫通するようにスルーホール（６００）を形成す
る。スルーホールの直径は、２００μｍ、３００μｍ、
４００μｍの３種類（図示せず。）を形成する。これら
のスルーホールの内壁面はレーザ加工に特有のうねり
（図示せず。）を有する。そして、基板を塩化パラジウ
ムを含む触媒活性化液に浸漬した後、全面に無電解銅メ
ッキを施す（図示せず。）。

【００５４】次いで、基板の全面に厚み１８μｍの銅パ
ネルメッキ（７００）をかける。ここで、ビアホールに
は、層間を電気的に接続するビアホール導体（８００）
が形成される。またスルーホールには、基板の表裏面を
電気的に接続するスルーホール導体（９００）が形成さ
れる。パネルメッキ後のスルーホールの直径は、１６０
μｍ、２６０μｍ、３６０μｍとなる。市販のエッチン
グ処理装置（メック社製ＣＺ処理装置）によってエッ
チング処理を施して銅メッキの表面粗化する。その後、
同社の防錆剤によって防錆処理（商標名：ＣＺ処理）を
施して疎水化面を形成して、疎水化処理を完了する。疎
水化処理を施した導体層表面の水に対する接触角（２
θ）を、接触角測定器（商品名：ＣＡ−Ａ、協和科学
製）により液適法で測定したところ、接触角（２θ）は
１０１度であった。

【００５５】真空吸引装置の付いた台座の上に不繊紙を
設置し、上記基板を、台座の上に配置する（図示せ
ず。）。その上にスルーホールの位置に対応するように
２００μｍ、３００μｍ、４００μｍの３種類の貫通孔
を有するステンレス製の穴埋めマスクを設置する（図示
せず。）。次いで、表１の各スルーホール充填用ペース
トを載せ、ローラー式スキージを加圧しながら穴埋め充
填を行う（図示せず。）。

【００５６】図１１に示すように、スルーホール内に充
填したスルーホール充填用ペースト（１０２）を、１２
０℃×２０分の条件下で仮キュアさせる。次いで、図１
２に示すように、ベルトサンダー（粗研磨）を用いてコ
ア基板表面を研磨した後、バフ研磨（仕上げ研磨）して
平坦化して、１５０℃×５時間の条件下でキュアさせ
て、穴埋め工程を完了する。尚、この穴埋め工程を完了
した基板の一部は、穴埋め性の評価試験に用いる。

【００５７】図１３に示すように、金型（図示せず。）
を用いて□８ｍｍの貫通孔（１１０）を形成する。図１
４に示すように、基板の一面にマスキングテープ（１２
０）を貼り付ける。そして、図１５に示すように、貫通
孔（１１０）に露出したマスキングテープ（１２０）の
粘着面上に、積層チップコンデンサ（１３０）をチップ
マウンタを用いて８個配置する。この積層チップコンデ
ンサは、絶縁体と導体とを交互に積層した積層体（１５
０）からなり、電極（１４０）が積層体から７０μｍ突
き出している。

【００５８】図１６に示すように、積層チップコンデン
サを配置した貫通孔の中に、エポキシ樹脂とシリカフィ
ラーを主体とする埋め込み樹脂（１６０）をディスペン
サ（図示せず。）を用いて充填する。埋め込み樹脂を、
１次加熱工程を８０℃×３時間、２次加熱工程を１７０
℃×６時間の条件により脱泡および熱硬化する。

【００５９】図１７に示すように、硬化した埋め込み樹
脂の表面を、ベルトサンダーを用いて粗研磨した後、ラ
ップ研磨にて仕上げ研磨する。研磨面には、チップコン
デンサーの電極の端面が露出している。次いで、仮キュ
アした穴埋め樹脂を１５０℃×５時間の条件下で硬化さ
せる。

【００６０】その後、膨潤液とＫＭｎＯ₄溶液を用い
て、埋め込み樹脂の研磨面を粗化する。粗化面をＰｄ触
媒活性化した後、無電解メッキ、電解メッキの順番で銅
メッキを施す。図１８に示すように、埋め込み樹脂の上
に形成されたメッキ層は、チップコンデンサーの電極の
端面と電気的に接続されている。メッキ面にレジストを
形成し、所定の配線パターンをパターニングする。不要
な銅をＮａ₂Ｓ₂Ｏ₈／濃硫酸を用いてエッチング除去す
る。レジストを剥離して、図１９に示すように、配線の
形成を完了する。市販のエッチング処理装置（メック社
製ＣＺ処理装置）によってエッチング処理を施して配
線の銅メッキの表面粗化する。

【００６１】その上に絶縁層となるフィルム（１９０）
をラミネートして熱硬化した後、炭酸ガスレーザーを照
射して層間接続用のビアホールを形成する。絶縁層の表
面を上記と同じ酸化剤を用いて粗化し、同様の手法で所
定の配線（２００）を形成する。配線基板の最表面にソ
ルダーレジスト層となるドライフィルムをラミネートし
て、半導体素子の実装パターンを露光、現像して形成し
て、ソルダーレジスト層（２１０）の形成を完了する。
実装用のピン付けを行う面についても同様の方法によ
り、所定の配線（２３０）とソルダーレジスト層（２４
０）を形成して、図２０に示すように、ピン付け前の多
層プリント配線板を得る。

【００６２】半導体素子を実装する端子電極（２００）
には、Ｎｉメッキ、Ａｕメッキの順番でメッキを施す
（図示せず。）。その上に低融点ハンダからなるハンダ
ペーストを印刷した後、ハンダリフロー炉を通して半導
体素子を実装するためのハンダバンプ（２２０）を形成
する。

【００６３】一方、半導体素子実装面の反対側には、高
融点ハンダからなるハンダペーストを印刷した後、ハン
ダリフロー炉を通してピン付けするためのハンダバンプ
（２６０）を形成する。治具（図示せず。）にピン（２
５０）をセットした上に基板を配置した状態で、ハンダ
リフロー炉を通してピン付けを行い（図示せず。）、図
２１に示すように、半導体素子を実装する前のＦＣ−Ｐ
ＧＡ型の多層プリント配線板を得る。投影機を用いてピ
ンの先端の所定位置からの位置ずれ量を測定したとこ
ろ、０．１ｍｍ以下と良好な結果が得られた。

【００６４】半導体素子実装面上に半導体素子（２７
０）を実装可能な位置に配置して、低融点ハンダのみが
溶解する温度条件にてハンダリフロー炉を通して、半導
体素子を実装する。実装部にアンダーフィル材をディス
ペンサーで充填した後、熱硬化して、図７示すような半
導体素子を実装したＦＣ−ＰＧＡ型の多層プリント配線
板を用いた半導体装置を得る。

【００６５】スルーホール充填性の評価上記の穴埋め工程を完了した基板を用いて、穴埋め性の
評価試験を行う。スルーホール充填材のスルーホール端
面から倍率２００倍の拡大鏡を用いて、クラック等の不
具合の有無を目視検査する。

【００６６】一方、比較例は、穴埋め工程がメタルマス
クを用いた公知のスクリーン印刷法であり、表２に示す
条件で行う。メタルマスクの貫通孔の直径は実施例の支
持板と同様にする。充填終了後、スルーホール端面から
倍率２００倍の拡大鏡を用いて、スルーホール充填材の
不具合の有無を目視検査する。結果を表２に示す。ま
た、硬化後のスルーホール充填材のスルーホール端面か
ら倍率２００倍の拡大鏡を用いて、クラック等の不具合
の有無を目視検査する。

【００６７】

【表２】

【００６８】表２の結果より、本発明によれば、コア基
板の両面にビルドアップ層を形成した基板を貫通するよ
うに形成され、かつ、その内壁面にうねりを有するスル
ーホールであっても、充填不良や硬化時の隙間等の不具
合を生じさせることなく充填、硬化が可能であることが
わかる。１枚の基板中に異なる直径のスルーホールを有
する場合であっても、充填性を均一にできる。また、ス
ルーホール開口端面近傍に凹凸や隙間を発生させないた
め、続いて形成されるビルドアップ層に凹凸を生じさせ
ることもない。そのため、ＦＣ−ＰＧＡ型の配線基板の
ようにスルーホール直下のビルドアップ層にピン付けし
た多層プリント配線板に好適である。

【００６９】・実施例３；超微粒子無機粒子の物性によ
るスルーホール充填ペーストへの影響の評価スルーホール充填用ペーストの調整諸特性値が表３に記載するように異なる以外は、組成は
実施例１の試料番号１の組成を用いてスルーホール充填
用ペーストを調整する。調整方法も実施例１に準じて行
う。一部の試料は、アエロジルではなく、アルミナ、チ
タニアを用いる。評価実施例１と同様の方法を用いて穴埋め試験を行う。結果
は、穴埋め性の極めて良好なものを◎（ほぼ１００％合
格）、穴埋め性のかなり良好なものを○（９５％以上１
００％未満合格）、穴埋め性の良好なものを△（８５％
以上９５％未満合格）として表３に示す。また、粘度の
経時変化は、スルーホール充填用ペーストを作製してか
ら２ヶ月放置したものを用いる。放置後の状態を確認し
て、増粘の殆ど無いものを◎、若干の増粘に留まるもの
を○、増粘しているものを△として表３に併せて示す。

【００７０】

【表３】

【００７１】結果より、超微粒子無機フィラーの特性を
特定の範囲に調整することで、穴埋め性のみならず、粘
度の経時変化を効果的に抑制できることがわかる。超微
粒子無機フィラーの特性値の臨界的意義について、以下
に補足説明をする。

【００７２】試料番号１３を見ると、比表面積がこれ以
上大きくなると高粘度になりすぎて、穴埋め性によくな
いことがわかる。また、１次粒子径の下限は、せいぜい
５ｎｍが許容範囲であることがわかる。試料番号２８を
見ると、比表面積がこれ以上小さくなると粘度の経時変
化が大きくなってよくないことがわかる。試料番号２６
を見ると、１次粒子径がこれ以上になると、粘度の経時
変化が大きくなってよくないことがわかる。

【００７３】試料番号１４を見ると、ｐＨ値がこれ以上
小さくなると粘度の経時変化が大きくなってよくないこ
とがわかる。この理由の詳細は不明であるが、酸性より
になると、塩基性の硬化剤と好ましくない副反応が起き
ているものと推察される。また、試料番号１９を見る
と、ｐＨ値がこれ以上大きくなると、若干粘度の経時変
化が大きくなってよくないことがわかる。この理由の詳
細は不明であるが、必要以上に塩基性に偏ると、何らか
の好ましくない副反応が起きるものと推察される。

【００７４】試料番号２１を見ると、これ以上カーボン
含有量が少なくなると、穴埋め性が低下することがわか
る。カーボン成分が分子間力等による凝集を抑えて、粘
度変動を抑えるものと推察される。カーボン含有量が５
質量％の試料番号２０では、試料番号２１のような特性
低下は目立って無いものの、これ以上含めるとスルーホ
ール上へのメッキに支障がでるため好ましくない。

【００７５】試料番号２２を見ると、これ以上水分含有
量が多くなると、粘度の経時変化が大きくなってよくな
いことがわかる。水分が樹脂の硬化性に影響を及ぼして
いるものと推察される。また、試料番号２３を見ると、
これ以上水分含有量が少なくなっても、やはり若干粘度
の経時変化が大きくなってよくないことがわかる。おそ
らく、作業環境の湿度を吸湿しやすくなっていることが
影響しているものと思われる。

【００７６】

【発明の効果】本発明によれば、銅等の卑金属フィラー
を含有するスルーホール充填材において、耐熱性の低下
や表裏面の凹みの発生を伴うことなく、硬化後のスルー
ホール充填材の内部に隙間が発生するのを防止すること
ができる。また、スルーホール開口端面近傍に凹凸や隙
間を発生させないため、続いて形成されるビルドアップ
層に凹凸を生じさせることもない。スルーホール近傍の
ビルドアップ層の平坦性に優れた基板を得ることができ
るため、ＦＣ−ＰＧＡ型の配線基板のようにスルーホー
ル直下のビルドアップ層にピン付けしたＰＧＡ（ピング
リッドアレイ）型の多層プリント配線板を形成する場合
に特に好適である。

【図面の簡単な説明】

【図１】硬化後のスルーホール充填材の内部に発生した
隙間を示す説明図。

【図２】コア基板の疎水化処理の工程を示す説明図。

【図３】コア基板の疎水化処理の工程を示す説明図。

【図４】コア基板の疎水化処理の工程を示す説明図。

【図５】導体表面の水に対する接触角θの測定方法を示
す説明図。

【図６】硬化後のスルーホール充填材の表面に発生する
凹みｄを示す説明図。

【図７】本発明の実施例で用いたＦＣ−ＰＧＡ型の多層
プリント配線板を用いた半導体装置の説明図。

【図８】本発明の実施例で用いた厚み４００μｍの銅張
りコア基板の概略図。

【図９】厚み４００μｍの銅張りコア基板のパターニン
グ後の状態を示す説明図。

【図１０】コア基板の両面に絶縁層を形成した基板にビ
アホールとスルーホールを形成した状態を示す説明図。

【図１１】コア基板の両面に絶縁層を形成した基板にパ
ネルメッキをかけた後の状態を示す説明図。

【図１２】スルーホールを穴埋め充填した基板の説明
図。

【図１３】貫通孔を打ち抜き形成した基板を示す説明
図。

【図１４】貫通孔を打ち抜き形成した基板の一面にマス
キングテープを貼り付けた状態を示す説明図。

【図１５】貫通孔内に露出したマスキングテープ上に積
層チップコンデンサを配置した状態を示す説明図。

【図１６】貫通孔内に埋め込み樹脂を充填した状態を示
す説明図。

【図１７】基板面を研磨して平坦化した状態を示す説明
図。

【図１８】基板の研磨面にパネルメッキをかけた状態を
示す説明図。

【図１９】配線をハターニングした状態を示す説明図。

【図２０】基板上にビルドアップ層及びソルダーレジス
ト層を形成した状態を示す説明図。

【図２１】本発明の実施例で用いたＦＣ−ＰＧＡ型の多
層プリント配線板の説明図。

【符号の説明】

１コア基板２基板３孔の内壁面４導体層５粗化面６疎水化面７導体層表面８水滴８０水滴の導体層表面との接触点８１水滴の頂点８２仮想線８３水平線９角度（θ）１０硬化後のスルーホール充填材１１凹み（ｄ）１２隙間

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０５Ｋ 3/38 Ｈ０５Ｋ 3/38 Ａ 3/46 3/46 ＢＮＦターム(参考） 4J002 CD001 DA076 DA086 DB017 DE147 DF017 DJ007 DJ017 4J036 AA01 DC41 DC43 FA01 FA02 5E314 AA24 AA32 AA41 AA42 BB05 CC01 FF08 GG01 GG11 GG19 5E343 AA02 AA12 BB24 BB71 DD21 EE37 GG02 5E346 AA06 AA12 AA15 AA32 AA43 AA51 FF04 FF07 FF12 FF45 GG15 GG17 GG28 HH11

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】エポキシ樹脂と、硬化剤と、金属フィラ
ーとを含有するスルーホール充填用ペーストにおいて、
該金属フィラーは少なくとも卑金属を含む粉末であり、
該硬化剤は以下の一般式（１）で表わされるイミダゾー
ル系化合物であることを特徴とするスルーホール充填用
ペースト。一般式（１）【化１】（式中、Ｒ₁は水素原子、炭素数１〜１０のアルキル
基、炭素数１〜１０のヒドロキシアルキル基または、炭
素数１〜１０のアルキルオキシ基を示す。）
【請求項２】無機フィラーを含むことを特徴とする請
求項１に記載のスルーホール充填用ペースト。
【請求項３】超微粒子無機フィラーを含むことを特徴
とする請求項１又は請求項２に記載のスルーホール充填
用ペースト。
【請求項４】前記超微粒子無機フィラーとして、その
ＢＥＴ法による比表面積が４０〜４００ｍ²／ｇである
ものを用いたことを特徴とする請求項３に記載のスルー
ホール充填用ペースト。
【請求項５】前記超微粒子無機フィラーとして、その
ＢＥＴ法による比表面積が６０〜１００ｍ²／ｇである
ものを用いたことを特徴とする請求項３に記載のスルー
ホール充填用ペースト。
【請求項６】前記超微粒子無機フィラーとして、その
１次粒子径が５〜５０ｎｍであるものを用いたことを特
徴とする請求項３に記載のスルーホール充填用ペース
ト。
【請求項７】前記超微粒子無機フィラーとして、その
１次粒子径が１０〜２０ｎｍであるものを用いたことを
特徴とする請求項３に記載のスルーホール充填用ペース
ト。
【請求項８】前記超微粒子無機フィラーとして、その
見かけ比重が３０〜２００ｇ／ｌであるものを用いたこ
とを特徴とする請求項３に記載のスルーホール充填用ペ
ースト。
【請求項９】前記超微粒子無機フィラーとして、その
４％分散液（水：メタノール＝１：１溶液中）のｐＨ値
が３．５〜６．５であるものを用いたことを特徴とする
請求項３に記載のスルーホール充填用ペースト。
【請求項１０】前記超微粒子無機フィラーとして、有
機成分を炭素換算したときのカーボン含有量が３〜５質
量％であるものを用いたことを特徴とする請求項３に記
載のスルーホール充填用ペースト。
【請求項１１】前記超微粒子無機フィラーとして、水
分含有量が０．０５〜０．１５質量％であるものを用い
たことを特徴とする請求項３に記載のスルーホール充填
用ペースト。
【請求項１２】前記超微粒子無機フィラーとして、有
機成分を除く無機成分全体における主たる無機成分の純
度が９９．５％以上のものを用いたことを特徴とする請
求項３に記載のスルーホール充填用ペースト。
【請求項１３】エポキシ樹脂と、硬化剤と、金属フィ
ラーとを含有するスルーホール充填用ペーストを、導体
層を有する基板のスルーホール内に充填、硬化したプリ
ント配線板において、該金属フィラーは少なくとも卑金
属を含む粉末であり、該硬化剤は以下の一般式（１）で
表わされるイミダゾール系化合物であることを特徴とす
るプリント配線板。一般式（１）【化１】（式中、Ｒ₁は水素原子、炭素数１〜１０のアルキル
基、炭素数１〜１０のヒドロキシアルキル基または、炭
素数１〜１０のアルキルオキシ基を示す。）
【請求項１４】スルーホール内に充填、硬化されたス
ルーホール充填材が、無機フィラーを含むことを特徴と
する請求項１３に記載のプリント配線板。
【請求項１５】スルーホール内に充填、硬化されたス
ルーホール充填材が、超微粒子無機フィラーを含むこと
を特徴とする請求項１３又は請求項１４に記載のプリン
ト配線板。
【請求項１６】前記導体層の表面の少なくとも一部
が、水に対する接触角が９０度を超えるように疎水化処
理されていることを特徴とする請求項１３乃至請求項１
５のいずれかに記載のプリント配線板。
【請求項１７】前記導体層の表面の少なくとも一部
が、粗度Ｒzが０．３〜２０μｍになるように粗化処理
されていることを特徴とする請求項１３乃至請求項１６
のいずれかに記載のプリント配線板。
【請求項１８】前記基板として、コア基板の少なくと
も一面に、絶縁層及び導体層を交互に積層したビルドア
ップ層を形成するとともに、前記スルーホールを上記コ
ア基板及び上記ビルドアップ層を貫通するように形成し
たものを用いることを特徴とする請求項１３乃至請求項
１７のいずれかに記載のプリント配線板。
【請求項１９】請求項１３乃至請求項１８のいずれか
に記載のプリント配線板上に、絶縁層及び導体層を交互
に積層したビルドアップ層を形成したことを特徴とする
多層プリント配線板。
【請求項２０】前記多層プリント配線板がＰＧＡ型配
線基板であることを特徴とする請求項１９に記載の多層
プリント配線板。