JP2002083784A - Manufacturing method for semiconductor device - Google Patents

Manufacturing method for semiconductor device

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JP2002083784A
JP2002083784A JP2000271384A JP2000271384A JP2002083784A JP 2002083784 A JP2002083784 A JP 2002083784A JP 2000271384 A JP2000271384 A JP 2000271384A JP 2000271384 A JP2000271384 A JP 2000271384A JP 2002083784 A JP2002083784 A JP 2002083784A
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JP
Japan
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wafer
chip
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semiconductor
chips
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Takashi Minegishi
孝 峯岸
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Sanyo Electric Co Ltd
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Sanyo Electric Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To solve the problem that conventionally the interval of semiconductor chips will not become completely uniform, when a sheet is extended after dicing in a conventional address system, deviation occurs between an address in MPC, and the position of the chip after dicing and this deviation becomes greater as the chip becomes fine, in an address system for selecting and assembling the chip of a requested rank in the case of assembly. SOLUTION: By providing a large number of alignment target chips on a wafer, even if the position deviation occurs after dicing, the position is corrected and mapping data are re-prepared. Since characteristic data and the semiconductor chip can be made to correspond exactly, even in the case of fine chip, the required characteristic rank can be selected and assembled by the address system.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造方
法に関し、ウエファ上に位置補正のためのターゲットチ
ップを多数設けることにより、特性データと個々の半導
体素子を正確に対応させることが可能な半導体装置の製
造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly to a semiconductor device capable of accurately associating characteristic data with individual semiconductor elements by providing a large number of target chips for position correction on a wafer. The present invention relates to a device manufacturing method.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体装置の製造工程では、パターン形
成が終了したウエファ上の半導体素子に対して、プロ−
バーによる電気的特性の測定を行う。このウエファ上の
半導体チップに対する測定の方法にはマーキング方式と
アドレス方式がある。
2. Description of the Related Art In a manufacturing process of a semiconductor device, a semiconductor element on a wafer on which a pattern has been formed is processed by a process.
The electrical characteristics are measured using a bar. There are a marking method and an address method as a method of measuring the semiconductor chip on the wafer.

【0003】マーキング方式はウエファ上に形成された
1個1個の半導体チップの電気的特性をMPCにより測
定し、要求される特性ランクを基に、良・不良を判定
し、不良の半導体チップにマーキングする方法である。
組立工程へは要求ランク(良品)の多いウエファを引渡
し、マーキングされていない半導体チップのみを組み立
てるため、hFEランクずれによるウエファアウトが発
生したり、ウエファ内のランク外不良が発生するなどで
歩留まりの低下が問題であった。
[0003] In the marking method, the electrical characteristics of each semiconductor chip formed on a wafer are measured by MPC, and good / defective is determined based on a required characteristic rank. This is a marking method.
Since wafers with many required ranks (non-defective products) are delivered to the assembling process, and only unmarked semiconductor chips are assembled, wafer out due to hFE rank deviation or out-of-rank defect in the wafer occurs, resulting in low yield. The drop was a problem.

【0004】一方、アドレス方式は、IDデータを印字
したウエファ上の個々の半導体チップをMPCで測定
し、得られた特性データと半導体チップの位置データを
管理して組立工程に引き渡し、IDデータを認識させる
ことにより特性データをウエファ毎およびチップ毎に対
応がとれるようにする方法である。これにより組み立て
時には必要な特性データの半導体チップのみを選別する
ことができるので、不良チップのマーキングレス化によ
る工数削減が可能となり、ランクずれ不良による歩留ま
りの低減を防止することができる。
On the other hand, in the address method, each semiconductor chip on a wafer on which ID data is printed is measured by MPC, the obtained characteristic data and the position data of the semiconductor chip are managed and transferred to an assembling process, and the ID data is transferred. This is a method in which characteristic data can be obtained for each wafer and each chip by recognizing it. As a result, only semiconductor chips having necessary characteristic data can be selected at the time of assembling, so that man-hours can be reduced by eliminating marking of defective chips, and reduction in yield due to rank shift failure can be prevented.

【0005】図4および図6はアドレス方式による測定
を行った半導体装置の製造方法を示す。
FIGS. 4 and 6 show a method of manufacturing a semiconductor device in which measurement is performed by the address method.

【0006】図4はパターン形成後のウエファを示す。
ウエファ11にはパターン形成前にウエファIDをレーザ
ーマーキングしておく。更に、個々の半導体チップ13の
電気的特性と位置データを対応させるためにウエファ11
上にアライメントターゲットチップ15を設ける。このア
ライメントターゲットチップ15は、マスク合わせにも使
用するので、通常は2個作りこまれる。
FIG. 4 shows the wafer after pattern formation.
The wafer 11 is laser-marked with a wafer ID before pattern formation. Further, in order to make the electrical characteristics of the individual semiconductor chips 13 correspond to the position data, the wafer 11
An alignment target chip 15 is provided thereon. Since this alignment target chip 15 is also used for mask alignment, usually two alignment target chips 15 are formed.

【0007】図5は、アドレス方式による半導体チップ
13のチェック工程を示す。ウエファ11のオリフラ部に印
字されたウエファID12および各半導体チップ13のチッ
プID14を測定順に記録する。その後、プローブの針17
を各半導体チップ13の電極パットに接触する。そしてこ
の状態で、あらかじめプログラムされている入力信号波
形を入力電極パットから入力し、出力端子から出力され
た一定の信号波形をテスターが読み取り、検査結果と半
導体チップ13の位置データをマップデータとして組立工
程に引き渡す。マップデータとしては例えばウエファI
D12、チップID14、良不良、良品の場合は特性ランク
などを管理する。また、アライメントターゲットチップ
15に付いてはアライメントターゲットチップであること
を認識させておく。
FIG. 5 shows a semiconductor chip based on the address method.
13 check processes are shown. The wafer ID 12 printed on the orientation flat portion of the wafer 11 and the chip ID 14 of each semiconductor chip 13 are recorded in the order of measurement. Then the probe needle 17
In contact with the electrode pads of each semiconductor chip 13. In this state, a pre-programmed input signal waveform is input from the input electrode pad, a constant signal waveform output from the output terminal is read by a tester, and the inspection result and the position data of the semiconductor chip 13 are assembled as map data. Deliver to the process. As map data, for example, wafer I
In the case of D12, chip ID14, good or bad, and good product, the characteristic rank is managed. Also, alignment target chip
It is noted that 15 is an alignment target chip.

【0008】また、ウエファ11全体の測定結果もランク
収率、歩留まり、各不良の不良率などをデータとして管
理する。更にこのウエファ11には不良品のマーキングは
行われず、測定データとともに組立工程へ引き渡され
る。
Also, the measurement results of the entire wafer 11 are managed as data such as rank yield, yield, and the defect rate of each defect. Further, no defective product is marked on the wafer 11, and the wafer 11 is transferred to the assembly process together with the measurement data.

【0009】図6は、組立工程でダイシングされた半導
体チップを示す。ダイシング後の個々の半導体チップ13
を真空チャックしやすくするためにウエファ11裏面のシ
ート16を引き伸ばして個々の半導体チップ13の間があく
ように切り離す。引き渡されたデータと対応させて要求
のあるランクの半導体チップ13のみを真空チャックによ
りダイボンドして個々に組み立てる。
FIG. 6 shows a semiconductor chip diced in the assembling process. Individual semiconductor chips 13 after dicing
In order to facilitate vacuum chucking, the sheet 16 on the back surface of the wafer 11 is stretched and cut off so that there is a gap between the individual semiconductor chips 13. Only the semiconductor chips 13 of a required rank are die-bonded by a vacuum chuck in accordance with the transferred data and individually assembled.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】従来のアドレス方式に
より半導体装置を製造する方法では、ダイシング後にウ
エファ11裏面のシート16を引き伸ばした時に半導体チッ
プ13の間隔が完全に等間隔にはならない。さらにアライ
メントターゲットチップ15は2ヶ所のみなのでMPC測
定時のアドレスデータとずれが生じてしまう。トランジ
スタなどの微小チップであればこのチップ間隔のばらつ
きの影響が大きく、半導体チップ13のウエファ上の位置
と管理されている位置データおよび特性データが正確に
対応できない問題が生じていた。
In the conventional method of manufacturing a semiconductor device by the address method, when the sheet 16 on the back surface of the wafer 11 is stretched after dicing, the intervals between the semiconductor chips 13 are not completely equal. Furthermore, since there are only two alignment target chips 15, there is a deviation from the address data at the time of MPC measurement. In the case of a microchip such as a transistor, the influence of the variation in the chip interval is large, and there has been a problem that the position of the semiconductor chip 13 on the wafer and the managed position data and characteristic data cannot be accurately corresponded.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明は、かかる課題に
鑑みて成されたものであり、ウエファ上にパターン形成
された半導体素子を個別に測定し、得られた特性データ
と前記個々の半導体素子の位置データを管理してダイシ
ング後に特性別に組み立てる半導体装置の製造方法にお
いて、前記ウエファ上にターゲットチップを3個以上設
けることを特徴とするものである。これによりMPC時
のターゲットチップの位置データとダイシング後の位置
のずれを認識し、そのデータを基に補正をかけてウエフ
ァ上のマップデータを作り直すことにより、特性データ
および位置データとウエファ上のチップの位置を正確に
対応させることができる半導体装置の製造方法を提供で
きる。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problem, and individually measures semiconductor elements patterned on a wafer, and obtains characteristic data obtained and the individual semiconductor elements. In a method for manufacturing a semiconductor device in which element position data is managed and assembled according to characteristics after dicing, three or more target chips are provided on the wafer. Thereby, the difference between the position data of the target chip at the time of MPC and the position after dicing is recognized, and correction is made based on the data to re-create the map data on the wafer, thereby obtaining the characteristic data and the position data and the chip on the wafer. And a method of manufacturing a semiconductor device that can accurately correspond to the position of the semiconductor device.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を詳細
に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail.

【0013】半導体装置の製造方法は、ウエファ上にパ
ターン形成された半導体素子を個別に測定し、得られた
特性データと前記個々の半導体素子の位置データを管理
してダイシング後に特性別に組み立てる半導体装置の製
造方法において、前記ウエファ上にターゲットチップを
3個以上設けるものである。
[0013] A method of manufacturing a semiconductor device comprises the steps of individually measuring semiconductor elements pattern-formed on a wafer, managing the obtained characteristic data and the position data of the individual semiconductor elements, and assembling the semiconductor elements according to characteristics after dicing. In the above method, three or more target chips are provided on the wafer.

【0014】図1は本発明の特徴であるパターン形成後
のウエファを示す。ウエファ1のオリフラ部にはパター
ン形成前にウエファID2をレーザーマーキングしてお
く。更に、個々の半導体チップ3にもチップID4を割
り当てる。
FIG. 1 shows a wafer after pattern formation, which is a feature of the present invention. The wafer ID2 is laser-marked on the orientation flat portion of the wafer 1 before pattern formation. Further, a chip ID 4 is assigned to each semiconductor chip 3.

【0015】ウエファ1上には半導体チップ3の電気的
特性および位置データと、半導体チップ3のウエファ1
上の位置を対応させるためのアライメントターゲットチ
ップ5を多数設ける。このアライメントターゲットチッ
プ5の数は、ウエファ理論収率の0.1%程度作りこまれ
る。例えば理論収率30000個であればアライメントター
ゲットチップ5は30個程度とする。
On the wafer 1, the electrical characteristics and the position data of the semiconductor chip 3 and the wafer 1 of the semiconductor chip 3
A number of alignment target chips 5 are provided to correspond the upper positions. The number of the alignment target chips 5 is about 0.1% of the theoretical wafer yield. For example, if the theoretical yield is 30,000, the number of alignment target chips 5 is about 30.

【0016】これによりダイシング後にシートを伸ばし
た際に半導体チップ3の間隔が均等にならなくても、M
PC時のアライメントターゲットチップ5の位置とダイ
シング後の位置のずれを認識し、そのデータを基に補正
をかけてウエファ1上のマップを作り直すことができ
る。
Thus, even if the intervals between the semiconductor chips 3 are not uniform when the sheet is stretched after dicing, M
The deviation between the position of the alignment target chip 5 at the time of PC and the position after dicing can be recognized, and correction can be performed based on the data to re-create the map on the wafer 1.

【0017】図2は、アドレス方式による半導体チップ
のチェック工程を示す。まずデータ引渡しのためのフロ
ッピー(登録商標)ディスクなどの記録媒体に、管理す
るデータの指標となるウエファID2および各半導体チ
ップ3の半導体チップID4を測定順に記録する。その
後、プローブの針7を各半導体チップ3の電極パットに
接触する。そしてこの状態で、あらかじめプログラムさ
れている入力信号波形を入力電極パットから入力し、出
力端子から出力される一定の信号波形をテスターに読み
取らせる。
FIG. 2 shows a step of checking a semiconductor chip by an address method. First, a wafer ID 2 serving as an index of data to be managed and a semiconductor chip ID 4 of each semiconductor chip 3 are recorded in a measurement order on a recording medium such as a floppy (registered trademark) disk for data transfer. Thereafter, the probe needle 7 is brought into contact with the electrode pad of each semiconductor chip 3. In this state, a pre-programmed input signal waveform is input from the input electrode pad, and a constant signal waveform output from the output terminal is read by the tester.

【0018】この検査結果と半導体チップ3の位置デー
タをマップデータとして記録して組立工程に引き渡す。
マップデータとしては例えばウエファID2、チップI
D4、良不良、良品の場合はVCBOやhFEなどの特性
ランクなどを管理する。また、アライメントターゲット
チップ5に付いてはアライメントターゲットチップであ
ることを認識させておく。
The inspection result and the position data of the semiconductor chip 3 are recorded as map data and delivered to the assembling process.
As the map data, for example, wafer ID2, chip I
D4, good or bad, in the case of non-defective product to manage, such as characteristic ranks of such VCBO and h FE. In addition, it is made to recognize that the alignment target chip 5 is an alignment target chip.

【0019】また、ウエファ1全体の測定結果もランク
収率、歩留まり、各不良の不良率などをデータとして管
理する。更にこのウエファ1には不良品のマーキングは
行われず、測定データとともにすべてのウエファ1が組
立工程へ引き渡される。
The measurement result of the entire wafer 1 also manages the rank yield, the yield, the defect rate of each defect, and the like as data. Further, the wafer 1 is not marked with a defective product, and all the wafers 1 are transferred to the assembling process together with the measurement data.

【0020】図6は、組立工程でダイシングされた半導
体チップを示す。ダイシング後の個々の半導体チップ3
を真空チャックしやすくするためにウエファ1裏面のシ
ート5を引き伸ばして個々の半導体チップ3の間があく
ように切り離す。このとき、チップ3の間隔は完全な等
間隔にはならず、MPC時のマッピングデータとずれが
生じてしまうが、アライメントターゲットチップ5を多
数(ウエファ理論収率の0.1%程度)設けていることに
より位置補正が可能となり、トランジスタのような微小
チップの場合でも管理されている位置データおよび特性
データと、ウエファ1上の半導体チップ3の位置を正確
に対応させることができる。
FIG. 6 shows a semiconductor chip diced in the assembling process. Individual semiconductor chips 3 after dicing
In order to facilitate vacuum chucking, the sheet 5 on the back surface of the wafer 1 is stretched and separated so as to leave a gap between the individual semiconductor chips 3. At this time, the intervals between the chips 3 are not completely equal, which may cause deviation from the mapping data at the time of MPC. However, a large number of alignment target chips 5 (about 0.1% of the theoretical wafer yield) must be provided. Accordingly, position correction becomes possible, and even in the case of a microchip such as a transistor, the managed position data and characteristic data can accurately correspond to the position of the semiconductor chip 3 on the wafer 1.

【0021】まず、引き渡された管理データを読み込
み、ウエファID2、チップID4およびチップ3の特
性データを認識する。ダイボンド時に必要なランクのデ
ータを与えるとそのランクのチップ3のみを選別して組
み立てる。パターン認識カメラによりアライメントター
ゲットチップ5の位置を確認し、MPC時のターゲット
チップの位置とダイシング後の位置のずれを認識し、そ
のデータを基に補正をかけてウエファ1上のマップを作
り直す。
First, the transferred management data is read, and the wafer ID 2, the chip ID 4, and the characteristic data of the chip 3 are recognized. When data of a required rank is given at the time of die bonding, only chips 3 of that rank are selected and assembled. The position of the alignment target chip 5 is confirmed by the pattern recognition camera, the deviation between the position of the target chip at the time of MPC and the position after dicing is recognized, and correction is made based on the data to re-create the map on the wafer 1.

【0022】この結果個々の半導体チップ3の位置デー
タおよび特性データと、ウエファ1上のチップ3の位置
が正確に対応できるので、要求のあるランクのチップ3
のみを真空チャックによりダイボンドして個々の半導体
チップ3を組み立てる。
As a result, the position data and characteristic data of each semiconductor chip 3 and the position of the chip 3 on the wafer 1 can accurately correspond to each other.
Only the semiconductor chips 3 are assembled by die bonding using a vacuum chuck.

【0023】本発明の特徴は、ウエファ1上に多数のア
ライメントターゲットチップ5を作りこむことににあ
る。これによりダイシング後のウエファ1裏面のシート
6の引き延ばしによりチップ3の間隔が均一にならなく
ても、パターン認識カメラによりアライメントターゲッ
トチップ5の位置を確認し、MPC時のターゲットチッ
プの位置とダイシング後の位置のずれを認識し、そのデ
ータを基に補正をかけてウエファ1上のマップを作り直
すことができる。これにより結果個々の半導体チップ3
の位置データおよび特性データと、ウエファ1上の半導
体チップ3の位置が正確に対応させることができるの
で、従来では困難であった微小チップに関しても、アド
レス方式により要求のあるランクのチップのみを組み立
てることが可能となる。
A feature of the present invention resides in that a number of alignment target chips 5 are formed on the wafer 1. Thus, even if the distance between the chips 3 is not uniform due to the stretching of the sheet 6 on the back surface of the wafer 1 after the dicing, the position of the alignment target chip 5 is confirmed by the pattern recognition camera, and the position of the target chip at the time of MPC and after the dicing , And a correction can be made based on the data to recreate the map on the wafer 1. This results in individual semiconductor chips 3
Position data and characteristic data can accurately correspond to the position of the semiconductor chip 3 on the wafer 1, so that even a small chip that has been difficult in the past, only a chip of a required rank is assembled by an address method. It becomes possible.

【0024】その結果、ウエファアウトやウエファ内の
ランク外不良の大幅な低減と、マーキングレス化による
工数削減が実現できる。
As a result, it is possible to significantly reduce wafer outs and out-of-rank defects in the wafer, and to reduce man-hours by eliminating marking.

【0025】また、個々のチップをデータ管理すること
により生産管理及び品質管理も容易に行えることにな
る。
Further, by managing data of individual chips, production control and quality control can be easily performed.

【0026】[0026]

【発明の効果】本発明によれば、ウエファ上に多数のア
ライメントターゲットチップを作りこむことににある。
これによりダイシング後のシートの引き延ばしによりチ
ップの間隔が均一にならなくても、パターン認識カメラ
によりアライメントターゲットチップの位置を確認し、
MPC時のターゲットチップの位置とダイシング後の位
置のずれを認識し、そのデータを基に補正をかけてウエ
ファ上のマップを作り直すことができる。これにより結
果個々の半導体チップの位置データおよび特性データ
と、ウエファ上の半導体チップの位置を正確に対応させ
ることができるので、従来では困難であった微小チップ
に関しても、アドレス方式により要求のあるランクのチ
ップのみを組み立てることが可能となる。
According to the present invention, there is provided a method for forming a large number of alignment target chips on a wafer.
This enables the pattern recognition camera to confirm the position of the alignment target chip even if the chip spacing is not uniform due to the stretching of the sheet after dicing.
The deviation between the position of the target chip at the time of MPC and the position after dicing is recognized, and a correction can be made based on the data to recreate a map on the wafer. As a result, the position data and characteristic data of each semiconductor chip can accurately correspond to the position of the semiconductor chip on the wafer. Can be assembled only.

【0027】その結果、ウエファアウトやウエファ内の
ランク外不良の大幅な低減と、マーキングレス化による
工数削減が実現できる。
As a result, it is possible to significantly reduce wafer outs and out-of-rank defects in the wafer, and to reduce the number of steps by eliminating marking.

【0028】また、個々のチップをデータ管理すること
により生産管理及び品質管理も容易に行えることにな
る。
Further, by managing data of individual chips, production control and quality control can be easily performed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の製造方法を説明するための上面図であ
FIG. 1 is a top view for explaining a manufacturing method of the present invention.

【図2】本発明の製造方法を説明するための上面図であ
る。
FIG. 2 is a top view for explaining the manufacturing method of the present invention.

【図3】本発明の製造方法を説明するための上面図であ
る。
FIG. 3 is a top view for explaining the manufacturing method of the present invention.

【図4】従来の製造方法を説明するための上面図であ
る。
FIG. 4 is a top view for explaining a conventional manufacturing method.

【図5】従来の製造方法を説明するための上面図であ
る。
FIG. 5 is a top view for explaining a conventional manufacturing method.

【図6】従来の製造方法を説明するための上面図であ
る。
FIG. 6 is a top view for explaining a conventional manufacturing method.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ウエファ上にパターン形成された半導体
素子を個別に測定し、得られた特性データと前記個々の
半導体素子の位置データを管理してダイシング後に特性
別に組み立てる半導体装置の製造方法において、前記ウ
エファ上にターゲットチップを3個以上設けることを特
徴とする半導体装置の製造方法。
1. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: individually measuring semiconductor elements patterned on a wafer; managing obtained characteristic data and position data of the individual semiconductor elements; and assembling according to characteristics after dicing. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising providing three or more target chips on the wafer.
【請求項2】 前記個々の半導体素子の位置データは前
記ターゲットチップにより位置補正を行って正確に対応
させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the position data of each of the semiconductor elements is accurately corrected by performing position correction using the target chip.
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