JP2002083751A - 半導体ウェハ／チップの標識構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 不良デバイスの発生を伴うことなく、正確に
文字標識を認識することが可能な標識構造を得る。 【解決手段】 チップ２が形成されていないウェハ１の
周縁部には、文字標識が付された標識形成領域が設けら
れており、単位標識形成部３には、アルミニウム等から
成る９個のパッド６ａ〜６ｉが形成されている。これら
のパッドは、シリコン基板４上に形成された層間絶縁膜
５の上面上に形成されている。互いに隣接するパッド６
ｎ間には、数字である文字標識の形状に対応して、アル
ミニウム等から成る金属配線が形成されている。例えば
数字「１」を表示する場合、パッド６ｂとパッド６ｅと
の間には金属配線７ｂｅが、パッド６ｅとパッド６ｈと
の間には金属配線７ｅｈが、それぞれ形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は半導体ウェハ／チ
ップの標識構造に関し、特に、製造番号や管理番号等が
付されたウェハやチップの構造に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ウェハには、生産管理を行うために、製
造番号や管理番号等の文字標識（数字やアルファベッ
ト）が付されることがある。従来は、レーザ光の照射に
よって半導体基板の主面の周縁部に上記標識を刻字し、
各種半導体製造プロセスを経た後にウェハの表面に現れ
るレーザ刻字跡を光学的に観察して、ＯＣＲ（Optical
Character Recognition）処理にて文字情報として認識
するのが一般的であった。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、このような従
来の標識構造によると、ＣＭＰ（Chemical MechanicalP
olishing）等によるウェハ表面の平坦化工程等の影響に
よって、ウェハ表面におけるレーザ刻字跡が薄くなり、
その結果、ＯＣＲ処理において文字の誤認識等が発生し
やすいという問題があった。

【０００４】このような場合、標識を刻字するために半
導体基板に照射するレーザ光の強度を上げて、より深く
刻字を行うことも対策の一つとして考えられるが、その
反面、削られた基板が異物として刻字部周辺に付着し、
半導体デバイスの不良の発生原因となるため、根本的な
対策とはならない。

【０００５】本発明はかかる問題を解決するために成さ
れたものであり、不良デバイスの発生を伴うことなく、
正確に文字標識を認識することが可能な半導体ウェハ／
チップの標識構造を得ることを目的とするものである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】この発明のうち請求項１
に記載の半導体ウェハ／チップの標識構造は、半導体基
板の主面上に形成された絶縁膜と、絶縁膜の主面上に形
成された導電性の複数のパッドと、文字である標識の形
状に対応して複数のパッド間を選択的に接続する第１の
導体とを備えるものである。

【０００７】また、この発明のうち請求項２に記載の半
導体ウェハ／チップの標識構造は、請求項１に記載の半
導体ウェハ／チップの標識構造であって、半導体基板
と、複数のパッドのうちの特定のパッドとを接続する第
２の導体をさらに備えることを特徴とするものである。

【０００８】また、この発明のうち請求項３に記載の半
導体ウェハ／チップの標識構造は、請求項１又は２に記
載の半導体ウェハ／チップの標識構造であって、複数の
パッドは、３行×３列の行列状に形成された９個のパッ
ドであることを特徴とするものである。

【０００９】また、この発明のうち請求項４に記載の半
導体ウェハ／チップの標識構造は、半導体基板の主面上
に形成された絶縁膜と、文字である標識の形状に対応し
て絶縁膜の主面上に形成された第１の導体と、第１の導
体と半導体基板とを接続する第２の導体とを備えるもの
である。

【００１０】また、この発明のうち請求項５に記載の半
導体ウェハ／チップの標識構造は、請求項１〜４のいず
れか一つに記載の半導体ウェハ／チップの標識構造であ
って、第１の導体は、絶縁膜の主面上に形成された金属
配線であることを特徴とするものである。

【００１１】また、この発明のうち請求項６に記載の半
導体ウェハ／チップの標識構造は、半導体基板の主面上
に形成された絶縁膜と、絶縁膜の主面上に形成された導
電性の複数のパッドと、文字である標識の形状に対応し
て半導体基板の主面内に形成された不純物導入領域と、
複数のパッドのうち不純物導入領域と平面視上重なるパ
ッドと、不純物導入領域とを接続する導体とを備えるも
のである。

【００１２】

【発明の実施の形態】実施の形態１．図１は、本発明の
実施の形態１に係る標識構造を備える、ウェハの構造を
示す上面図である。ウェハ１には、複数のチップ２が行
列状に並んで配置されている。チップ２が形成されてい
ないウェハ１の周縁部には、製造番号や管理番号等の文
字標識（数字やアルファベット。本実施の形態１では数
字を想定している。）が付された標識形成領域が設けら
れている。標識形成領域は、複数の単位標識形成部３が
並んで構成されている。各単位標識形成部３には、上記
文字標識が、それぞれ１文字ずつ付されている。例えば
図１に示した例では、１４個の単位標識形成部３が設け
られており、１４文字の標識を付すことが可能である。

【００１３】図２は、一つの単位標識形成部３を拡大し
て示す上面図であり、図３は、図２に示したラインＸ１
−Ｘ１に沿った位置に関する断面構造を示す断面図であ
る。図２を参照して、単位標識形成部３には、アルミニ
ウム等から成る９個の導電性のパッド６ａ〜６ｉが形成
されている。パッド６ａ〜６ｃ、パッド６ｄ〜６ｆ、パ
ッド６ｇ〜６ｉはそれぞれ同一の行に属し、パッド６
ａ，６ｄ，６ｇ、パッド６ｂ，６ｅ，６ｈ、パッド６
ｃ，６ｆ，６ｉはそれぞれ同一の列に属する。本明細書
においては、パッド６ａ〜６ｉを総称して表す場合、
「パッド６ｎ」と表記する。図３を参照して、ウェハ１
は、シリコン基板４と、シリコン基板４の上面上に形成
された、シリコン酸化膜等から成る層間絶縁膜５とを備
えている。パッド６ｎは、層間絶縁膜５の上面上に形成
されている。

【００１４】互いに隣接するパッド６ｎ間には、数字で
ある文字標識の形状に対応して、アルミニウム等から成
る金属配線が形成されている。図４は、数字「０」を表
示する単位標識形成部３の構造を示す上面図である。パ
ッド６ａとパッド６ｂとの間には金属配線７ａｂが、パ
ッド６ｂとパッド６ｃとの間には金属配線７ｂｃが、パ
ッド６ａとパッド６ｄとの間には金属配線７ａｄが、パ
ッド６ｃとパッド６ｆとの間には金属配線７ｃｆが、パ
ッド６ｄとパッド６ｇとの間には金属配線７ｄｇが、パ
ッド６ｆとパッド６ｉとの間には金属配線７ｆｉが、パ
ッド６ｇとパッド６ｈとの間には金属配線７ｇｈが、パ
ッド６ｈとパッド６ｉとの間には金属配線７ｈｉが、そ
れぞれ形成されている。なお、本明細書においては、金
属配線７ａｂ，７ｂｃ，・・・を総称して表す場合、「金
属配線７ｐｑ」と表記する。

【００１５】図５は、数字「１」を表示する単位標識形
成部３の構造を示す上面図である。パッド６ｂとパッド
６ｅとの間には金属配線７ｂｅが、パッド６ｅとパッド
６ｈとの間には金属配線７ｅｈが、それぞれ形成されて
いる。

【００１６】図６は、数字「２」を表示する単位標識形
成部３の構造を示す上面図である。パッド６ｂとパッド
６ｃとの間には金属配線７ｂｃが、パッド６ｃとパッド
６ｆとの間には金属配線７ｃｆが、パッド６ｄとパッド
６ｅとの間には金属配線７ｄｅが、パッド６ｅとパッド
６ｆとの間には金属配線７ｅｆが、パッド６ｄとパッド
６ｇとの間には金属配線７ｄｇが、パッド６ｇとパッド
６ｈとの間には金属配線７ｇｈが、パッド６ｈとパッド
６ｉとの間には金属配線７ｈｉが、それぞれ形成されて
いる。

【００１７】図７は、数字「３」を表示する単位標識形
成部３の構造を示す上面図である。パッド６ａとパッド
６ｂとの間には金属配線７ａｂが、パッド６ｂとパッド
６ｃとの間には金属配線７ｂｃが、パッド６ｃとパッド
６ｆとの間には金属配線７ｃｆが、パッド６ｅとパッド
６ｆとの間には金属配線７ｅｆが、パッド６ｆとパッド
６ｉとの間には金属配線７ｆｉが、パッド６ｇとパッド
６ｈとの間には金属配線７ｇｈが、パッド６ｈとパッド
６ｉとの間には金属配線７ｈｉが、それぞれ形成されて
いる。

【００１８】図８は、数字「４」を表示する単位標識形
成部３の構造を示す上面図である。パッド６ａとパッド
６ｄとの間には金属配線７ａｄが、パッド６ｂとパッド
６ｅとの間には金属配線７ｂｅが、パッド６ｄとパッド
６ｅとの間には金属配線７ｄｅが、パッド６ｅとパッド
６ｆとの間には金属配線７ｅｆが、パッド６ｅとパッド
６ｈとの間には金属配線７ｅｈが、それぞれ形成されて
いる。

【００１９】図９は、数字「５」を表示する単位標識形
成部３の構造を示す上面図である。パッド６ａとパッド
６ｂとの間には金属配線７ａｂが、パッド６ａとパッド
６ｄとの間には金属配線７ａｄが、パッド６ｄとパッド
６ｅとの間には金属配線７ｄｅが、パッド６ｅとパッド
６ｆとの間には金属配線７ｅｆが、パッド６ｆとパッド
６ｉとの間には金属配線７ｆｉが、パッド６ｇとパッド
６ｈとの間には金属配線７ｇｈが、パッド６ｈとパッド
６ｉとの間には金属配線７ｈｉが、それぞれ形成されて
いる。

【００２０】図１０は、数字「６」を表示する単位標識
形成部３の構造を示す上面図である。パッド６ａとパッ
ド６ｄとの間には金属配線７ａｄが、パッド６ｄとパッ
ド６ｅとの間には金属配線７ｄｅが、パッド６ｅとパッ
ド６ｆとの間には金属配線７ｅｆが、パッド６ｄとパッ
ド６ｇとの間には金属配線７ｄｇが、パッド６ｆとパッ
ド６ｉとの間には金属配線７ｆｉが、パッド６ｇとパッ
ド６ｈとの間には金属配線７ｇｈが、パッド６ｈとパッ
ド６ｉとの間には金属配線７ｈｉが、それぞれ形成され
ている。

【００２１】図１１は、数字「７」を表示する単位標識
形成部３の構造を示す上面図である。パッド６ａとパッ
ド６ｂとの間には金属配線７ａｂが、パッド６ｂとパッ
ド６ｃとの間には金属配線７ｂｃが、パッド６ｃとパッ
ド６ｆとの間には金属配線７ｃｆが、パッド６ｅとパッ
ド６ｆとの間には金属配線７ｅｆが、パッド６ｅとパッ
ド６ｈとの間には金属配線７ｅｈが、それぞれ形成され
ている。

【００２２】図１２は、数字「８」を表示する単位標識
形成部３の構造を示す上面図である。パッド６ａとパッ
ド６ｂとの間には金属配線７ａｂが、パッド６ｂとパッ
ド６ｃとの間には金属配線７ｂｃが、パッド６ａとパッ
ド６ｄとの間には金属配線７ａｄが、パッド６ｃとパッ
ド６ｆとの間には金属配線７ｃｆが、パッド６ｄとパッ
ド６ｅとの間には金属配線７ｄｅが、パッド６ｅとパッ
ド６ｆとの間には金属配線７ｅｆが、パッド６ｄとパッ
ド６ｇとの間には金属配線７ｄｇが、パッド６ｆとパッ
ド６ｉとの間には金属配線７ｆｉが、パッド６ｇとパッ
ド６ｈとの間には金属配線７ｇｈが、パッド６ｈとパッ
ド６ｉとの間には金属配線７ｈｉが、それぞれ形成され
ている。

【００２３】図１３は、数字「９」を表示する単位標識
形成部３の構造を示す上面図である。パッド６ａとパッ
ド６ｂとの間には金属配線７ａｂが、パッド６ｂとパッ
ド６ｃとの間には金属配線７ｂｃが、パッド６ａとパッ
ド６ｄとの間には金属配線７ａｄが、パッド６ｃとパッ
ド６ｆとの間には金属配線７ｃｆが、パッド６ｄとパッ
ド６ｅとの間には金属配線７ｄｅが、パッド６ｅとパッ
ド６ｆとの間には金属配線７ｅｆが、パッド６ｆとパッ
ド６ｉとの間には金属配線７ｆｉが、それぞれ形成され
ている。

【００２４】図１４は、標識を読み出す方法を説明する
ための模式図である。ここでは、一例として数字「７」
を表示する単位標識形成部３を想定している。読み出し
装置は、直流電源等の電源８と、電流計等の電流検出部
９と、アルミニウム等から成る共通配線１０、枝配線１
１ｓ〜１１ｕ、配線１１ｅと、スイッチ１２ａ〜１２ｉ
と、プローブ針１３ａ〜１３ｉとを有している。電源の
正極は電流検出部９に接続されており、負極は接地され
ている。電流検出部９は共通配線１０に接続されてお
り、共通配線１０は枝配線１１ｓ〜１１ｕにそれぞれ接
続されている。

【００２５】プローブ針１３ａ〜１３ｃはパッド６ａ〜
６ｃにそれぞれ当接しており、またプローブ針１３ａ〜
１３ｃは、スイッチ１２ａ〜１２ｃを介して枝配線１１
ｓにそれぞれ接続されている。プローブ針１３ｄ，１３
ｆはパッド６ｄ，６ｆにそれぞれ当接しており、またプ
ローブ針１３ｄ，１３ｆは、スイッチ１２ｄ，１２ｆを
介して枝配線１１ｔにそれぞれ接続されている。プロー
ブ針１３ｇ〜１３ｉはパッド６ｇ〜６ｉにそれぞれ当接
しており、またプローブ針１３ｇ〜１３ｉは、スイッチ
１２ｇ〜１２ｉを介して枝配線１１ｕにそれぞれ接続さ
れている。プローブ針１３ｅは、パッド配列の中央に位
置するパッド６ｅに当接しており、またプローブ針１３
ｅは、一端が接地された配線１１ｅの他端に接続されて
いる。

【００２６】図１４に示した構成において、スイッチ１
２ａ〜１２ｉを一つずつ順番に導通状態にする。例えば
スイッチ１２ａを導通状態にすると、電源８から共通配
線１０、枝配線１１ｓ、スイッチ１２ａ、プローブ針１
３ａ、パッド６ａ、金属配線７ａｂ、パッド６ｂ、金属
配線７ｂｃ、パッド６ｃ、金属配線７ｃｆ、パッド６
ｆ、金属配線７ｅｆ、パッド６ｅ、及びプローブ針１３
ｅをこの順に介して配線１１ｅに電流が流れる。そし
て、この電流（電流が流れるという事実）は電流検出部
９によって検出される。同様にスイッチ１２ｂ，１２
ｃ，１２ｆ，１２ｈをそれぞれ導通状態にすると、電流
検出部９は、電流が流れるという事実を検出する。

【００２７】一方、スイッチ１２ｄ，１２ｇ，１２ｉを
それぞれ導通状態にしても、パッド６ｄ，６ｇ，６ｉは
パッド６ｅと電気的に接続されていないため、この場合
は電源８から配線１１ｅに電流は流れない。従って、電
流検出部９は、電流が流れないという事実を検出する。

【００２８】このように、スイッチ１２ａ，１２ｂ，１
２ｃ，１２ｆ，１２ｈをそれぞれ導通状態にしたときに
は電流が流れ、スイッチ１２ｄ，１２ｇ，１２ｉをそれ
ぞれ導通状態にしたときには電流が流れなかった場合
は、その単位標識形成部３に形成されている標識は数字
の「７」であると認識する。

【００２９】図１５は、電流検出部９による検出結果
と、数字「０」〜「９」との対応関係を示す図である。
図１５においては、電流が流れたという事実を記号
「○」で、電流が流れなかったという事実を記号「×」
で表している。例えば、いずれのスイッチ１２ａ〜１２
ｉを導通状態にしても電流が流れなかった場合は、その
標識は数字の「０」であると認識し、スイッチ１２ｂ，
１２ｈを導通状態にしたときは電流が流れ、他のスイッ
チ１２ａ，１２ｃ〜１２ｇ，１２ｉを導通状態にしたと
きは電流が流れなかった場合は、その標識は数字の
「１」であると認識する。

【００３０】ここで、電流が流れたという事実を２進数
の「１」、電流が流れなかったという事実を２進数の
「０」で表した８ビットのディジタルデータを作成し、
各ディジタルデータと標識とを対応させて管理してもよ
い。この場合、例えばディジタルデータ「０１１１１１
１１」は数字の「２」に、ディジタルデータ「１１１０
１１１１」は数字の「３」に、それぞれ対応する。

【００３１】なお、以上の説明では、読み出し時に配線
１１ｅを介して接地電位を与えるパッド（以下「共通パ
ッド」と称する）としてパッド６ｅを割り当てる場合に
ついて説明したが、共通パッド以外の全てのパッドに順
番に電圧を印加した場合に、電流が流れるか否かのパタ
ーンが各パッド間で異なる任意のパッドを、共通パッド
として割り当てることができる。例えば上記の例では、
パッド６ｅの他に、パッド６ｂ，６ｆ，６ｈを共通パッ
ドとして割り当てることができる。

【００３２】このように本実施の形態１に係る標識構造
によれば、共通パッド１２ｅを接地した状態で、残りの
パッド１２ａ〜１２ｄ，１２ｆ〜１２ｉに順番に電圧を
印加することにより、どのパッドに電圧を印加した場合
に電流が流れるかによって、文字である標識の形状を電
気的に認識することができる。

【００３３】また、パッド６ｎ及び金属配線７ｐｑはい
ずれも層間絶縁膜５上に形成されているため、光学顕微
鏡等を用いた光学的観察によっても、標識の形状を認識
することが可能となる。

【００３４】実施の形態２．図１６は、本発明の実施の
形態２に係る標識構造に関して、一つの単位標識形成部
３を拡大して示す上面図であり、図１７は、図１６に示
したラインＸ２−Ｘ２に沿った位置に関する断面構造を
示す断面図である。ここでは、一例として数字「７」を
表示する単位標識形成部３を想定している。図１６，１
７を参照して、共通パッド６ｅは、層間絶縁膜５内に形
成されたコンタクトプラグ１４を介して、シリコン基板
４に電気的に接続されている。コンタクトプラグ１４
は、共通パッド６ｅが形成されている部分の層間絶縁膜
５の上面から、シリコン基板４の上面に達して形成され
たコンタクトホール１５と、該コンタクトホール１５内
を充填する導体プラグ１６とを有している。本実施の形
態２に係る標識構造のその他の構造は、上記実施の形態
１に係る標識構造と同様である。

【００３５】このように本実施の形態２に係る標識構造
によれば、共通パッド６ｅとシリコン基板４とが、コン
タクトプラグ１４を介して互いに電気的に接続されてい
る。従って、かかる標識構造が形成されたウェハ１をＳ
ＥＭ（Scanning Electron Microscope）等のステージ
（ＧＮＤに接続されている）上に載置し、電子ビームに
よって標識形成領域を走査することにより、標識の形状
を認識することができる。即ち、シリコン基板４に電気
的に接続されたパッド６ｎや配線７ｐｑは、電子ビーム
の照射によって帯電しないため、ＳＥＭ像においては黒
い像として現れ、この白黒のコントラストによって標識
の形状を認識することができる。

【００３６】実施の形態３．図１８は、本発明の実施の
形態３に係る標識構造に関して、一つの単位標識形成部
３を拡大して示す上面図であり、図１９は、図１８に示
したラインＸ３−Ｘ３に沿った位置に関する断面構造を
示す断面図である。ここでは、一例として数字「７」を
表示する単位標識形成部３を想定している。図１８，１
９を参照して、層間絶縁膜５上には、文字（本実施の形
態３では、数字やアルファベット等の任意の文字を想定
している。）である標識の形状に対応したパターンを有
する金属膜１７が形成されている。金属膜１７は、層間
絶縁膜５内に形成されたコンタクトプラグ１８を介し
て、シリコン基板４に電気的に接続されている。コンタ
クトプラグ１８は、層間絶縁膜５の上面からシリコン基
板４の上面に達して形成されたコンタクトホール１９
と、該コンタクトホール１９内を充填する導体プラグ２
０とを有している。

【００３７】このように本実施の形態３に係る標識構造
によれば、層間絶縁膜５上に、標識の文字形状に対応し
たパターンを有する金属膜１７が形成されている。その
ため、光学顕微鏡等を用いた光学的観察によって、標識
の形状を認識することができる。

【００３８】しかも、金属配線１７とシリコン基板４と
は、コンタクトプラグ１８を介して互いに電気的に接続
されている。そのため、上記実施の形態２に係る標識構
造と同様に、ＳＥＭ等による観察によっても、標識の形
状を認識することが可能である。

【００３９】実施の形態４．図２０は、本発明の実施の
形態４に係る標識構造に関して、一つの単位標識形成部
３を拡大して示す上面図であり、図２１は、図２０に示
したラインＸ４−Ｘ４に沿った位置に関する断面構造を
示す断面図である。ここでは、一例として数字「７」を
表示する単位標識形成部３を想定している。図２０，２
１を参照して、本実施の形態４に係る標識構造は、上記
実施の形態１に係る標識構造を基礎として、層間絶縁膜
５の上面上に形成された金属配線７ｐｑの代わりに、文
字標識の形状に対応する一体の不純物導入領域２１を、
シリコン基板４の上面内に形成したものである。不純物
導入領域２１と平面視上重なるパッド６ｎ（図２０に示
した例では、パッド６ａ〜６ｃ，６ｅ，６ｆ，６ｈ）
は、層間絶縁膜５内に形成されたコンタクトプラグ２２
を介して、不純物導入領域２１に接続されている。本実
施の形態４に係る標識構造のその他の構造は、上記実施
の形態１に係る標識構造と同様である。

【００４０】図２０，２１に示した構造は、標識の形状
に応じた開口パターンを有するフォトレジストをシリコ
ン基板４上に形成し、かかるフォトレジストを注入マス
クに用いて、シリコン基板４とは導電型が異なるイオン
をシリコン基板４の上面内にイオン注入し、その後、フ
ォトレジストを除去した後に、層間絶縁膜５及びパッド
６ｎを形成することによって得られる。

【００４１】このように本実施の形態４に係る標識構造
によれば、上記実施の形態１に係る標識構造において層
間絶縁膜５の上面上に形成された金属配線７ｐｑの代わ
りに、シリコン基板４の上面内に不純物導入領域２１を
形成した。従って、層間絶縁膜５上には、標識の形状に
対応した金属配線７ｐｑのような立体的パターンが形成
されないため、標識の電気的認識を可能としつつ、光学
的観察による認識を不可能とすることができる。これ
は、一般的に公開したくない情報を標識内に形成する場
合に特に有意義である。

【００４２】なお、以上の説明では上記実施の形態１に
係る標識構造を基礎として本実施の形態４に係る発明を
適用する場合について説明したが、上記実施の形態２，
３に係る標識構造を基礎として、本実施の形態４に係る
発明を適用することも可能である。上記実施の形態２に
係る標識構造を基礎とした場合は、標識の電気的認識及
びＳＥＭ観察による認識を可能としつつ、光学的観察に
よる認識を不可能とすることができ、上記実施の形態３
に係る標識構造を基礎とした場合は、ＳＥＭ観察による
標識の認識を可能としつつ、光学的観察による認識を不
可能とすることができる。

【００４３】なお、上記実施の形態１〜４では、ウェハ
１の周縁部に標識を形成する場合について説明したが、
各チップ２ごとに標識を形成してもよい。これにより、
ウェハが個々のチップにダイシングされた後も各チップ
上に標識が残るため、生産管理の向上性を高めることが
できる。

【００４４】

【発明の効果】この発明のうち請求項１に係るものによ
れば、複数のパッドのうちの一つを接地した状態で、残
りのパッドに順番に電圧を印加することにより、どのパ
ッドに電圧を印加した場合に電流が流れるかによって、
文字である標識の形状を電気的に認識することができ
る。

【００４５】また、この発明のうち請求項２に係るもの
によれば、複数のパッドのうち、第１の導体や他のパッ
ドによって特定のパッドと電気的に接続されたパッド
は、第２の導体を介して半導体基板に電気的に接続され
ている。そのため、半導体基板を接地した状態での電子
顕微鏡による観察によっても、標識の形状を認識するこ
とが可能となる。

【００４６】また、この発明のうち請求項３に係るもの
によれば、第１の導体によって隣接パッド間を適切に接
続することにより、「０」〜「９」までの数字を単位標
識として採用することができる。

【００４７】また、この発明のうち請求項４に係るもの
によれば、第１の導体は、第２の導体を介して半導体基
板に電気的に接続されている。そのため、半導体基板を
接地した状態での電子顕微鏡による観察によって、文字
である標識の形状を認識することができる。

【００４８】また、この発明のうち請求項５に係るもの
によれば、光学顕微鏡等を用いた光学的観察によって
も、標識の形状を認識することが可能となる。

【００４９】また、この発明のうち請求項６に係るもの
によれば、標識の形状が立体的形状として絶縁膜の主面
上に現れないため、光学的観察による標識の認識を不可
能とすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施の形態１に係る標識構造を備え
る、ウェハの構造を示す上面図である。

【図２】 本発明の実施の形態１に関して、一つの単位
標識形成部を拡大して示す上面図である。

【図３】 図２に示したラインＸ１−Ｘ１に沿った位置
に関する断面構造を示す断面図である。

【図４】 本発明の実施の形態１に関して、数字「０」
を表示する単位標識形成部の構造を示す上面図である。

【図５】 本発明の実施の形態１に関して、数字「１」
を表示する単位標識形成部の構造を示す上面図である。

【図６】 本発明の実施の形態１に関して、数字「２」
を表示する単位標識形成部の構造を示す上面図である。

【図７】 本発明の実施の形態１に関して、数字「３」
を表示する単位標識形成部の構造を示す上面図である。

【図８】 本発明の実施の形態１に関して、数字「４」
を表示する単位標識形成部の構造を示す上面図である。

【図９】 本発明の実施の形態１に関して、数字「５」
を表示する単位標識形成部の構造を示す上面図である。

【図１０】 本発明の実施の形態１に関して、数字
「６」を表示する単位標識形成部の構造を示す上面図で
ある。

【図１１】 本発明の実施の形態１に関して、数字
「７」を表示する単位標識形成部の構造を示す上面図で
ある。

【図１２】 本発明の実施の形態１に関して、数字
「８」を表示する単位標識形成部の構造を示す上面図で
ある。

【図１３】 本発明の実施の形態１に関して、数字
「９」を表示する単位標識形成部の構造を示す上面図で
ある。

【図１４】 本発明の実施の形態１に関して、標識を読
み出す方法を説明するための模式図である。

【図１５】 本発明の実施の形態１に関して、電流検出
部による検出結果と、数字「０」〜「９」との対応関係
を示す図である。

【図１６】 本発明の実施の形態２に係る標識構造に関
して、一つの単位標識形成部を拡大して示す上面図であ
る。

【図１７】 図１６に示したラインＸ２−Ｘ２に沿った
位置に関する断面構造を示す断面図である。

【図１８】 本発明の実施の形態３に係る標識構造に関
して、一つの単位標識形成部３を拡大して示す上面図で
ある。

【図１９】 図１８に示したラインＸ３−Ｘ３に沿った
位置に関する断面構造を示す断面図である。

【図２０】 本発明の実施の形態４に係る標識構造に関
して、一つの単位標識形成部を拡大して示す上面図であ
る。

【図２１】 図２０に示したラインＸ４−Ｘ４に沿った
位置に関する断面構造を示す断面図である。

【符号の説明】

３ 単位標識形成部、４ シリコン基板、５ 層間絶縁
膜、６ｎ パッド、７ｐｑ 金属配線、１４，１８，２
２ コンタクトプラグ、１７ 金属膜、２１不純物導入
領域。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 茂久 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体基板の主面上に形成された絶縁膜
   と、 前記絶縁膜の主面上に形成された導電性の複数のパッド
   と、 文字である標識の形状に対応して前記複数のパッド間を
   選択的に接続する第１の導体とを備える、半導体ウェハ
   ／チップの標識構造。
2. 【請求項２】 前記半導体基板と、前記複数のパッドの
   うちの特定のパッドとを接続する第２の導体をさらに備
   える、請求項１に記載の半導体ウェハ／チップの標識構
   造。
3. 【請求項３】 前記複数のパッドは、３行×３列の行列
   状に形成された９個のパッドである、請求項１又は２に
   記載の半導体ウェハ／チップの標識構造。
4. 【請求項４】 半導体基板の主面上に形成された絶縁膜
   と、 文字である標識の形状に対応して前記絶縁膜の主面上に
   形成された第１の導体と、 前記第１の導体と前記半導体基板とを接続する第２の導
   体とを備える、半導体ウェハ／チップの標識構造。
5. 【請求項５】 前記第１の導体は、前記絶縁膜の前記主
   面上に形成された金属配線である、請求項１〜４のいず
   れか一つに記載の半導体ウェハ／チップの標識構造。
6. 【請求項６】 半導体基板の主面上に形成された絶縁膜
   と、 前記絶縁膜の主面上に形成された導電性の複数のパッド
   と、 文字である標識の形状に対応して前記半導体基板の前記
   主面内に形成された不純物導入領域と、 前記複数のパッドのうち前記不純物導入領域と平面視上
   重なるパッドと、前記不純物導入領域とを接続する導体
   とを備える半導体ウェハ／チップの標識構造。