JP2002075870A - マイクロ波加熱型の半導体製造用サセプタおよび半導体製造装置 - Google Patents
マイクロ波加熱型の半導体製造用サセプタおよび半導体製造装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体製造プロセスでの汚染が防止され、面
内温度勾配の発生もなく、信頼性の高い半導体が得られ
る半導体製造用サセプタ、半導体製造装置の提供。 【解決手段】 マイクロ波周波数帯域における誘電正接
値が１０−２以上の主として窒化アルミニウム焼結体よ
り成り、かつその窒化アルミニウム焼結体を構成する窒
化アルミニウム粒子のＣｏｄｏ法によって測定された平
均粒径が２〜８μｍであることを特徴とする半導体製造
用サセプタである。
内温度勾配の発生もなく、信頼性の高い半導体が得られ
る半導体製造用サセプタ、半導体製造装置の提供。 【解決手段】 マイクロ波周波数帯域における誘電正接
値が１０−２以上の主として窒化アルミニウム焼結体よ
り成り、かつその窒化アルミニウム焼結体を構成する窒
化アルミニウム粒子のＣｏｄｏ法によって測定された平
均粒径が２〜８μｍであることを特徴とする半導体製造
用サセプタである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体の製造過程
で用いられる半導体製造用サセプタおよびこれを用いた
半導体製造装置に関する。
で用いられる半導体製造用サセプタおよびこれを用いた
半導体製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造過程においては、酸化
処理、不純物拡散処理、エピタキシャル成長、およびＣ
ＶＤなどの工程で、半導体ウェハ（たとえばシリコンウ
ェハ）の加熱処理が行われている。そして、これらの加
熱処理においては、シリコンウェハを半導体製造用サセ
プタ上に載置・保持し、半導体製造（処理）装置中での
加熱が行われるが、従来は、シリコンウェハの加熱手段
としてランプ加熱、もしくは面状ヒータが用いられてい
る。 なお、これら半導体ウェハの処理では、半導体ウ
ェハを載置・保持する半導体製造用サセプタとして、熱
伝導性に優れ、熱膨張率がシリコンに類似している窒化
アルミニウム製によるものが注目されている。
処理、不純物拡散処理、エピタキシャル成長、およびＣ
ＶＤなどの工程で、半導体ウェハ（たとえばシリコンウ
ェハ）の加熱処理が行われている。そして、これらの加
熱処理においては、シリコンウェハを半導体製造用サセ
プタ上に載置・保持し、半導体製造（処理）装置中での
加熱が行われるが、従来は、シリコンウェハの加熱手段
としてランプ加熱、もしくは面状ヒータが用いられてい
る。 なお、これら半導体ウェハの処理では、半導体ウ
ェハを載置・保持する半導体製造用サセプタとして、熱
伝導性に優れ、熱膨張率がシリコンに類似している窒化
アルミニウム製によるものが注目されている。
【０００３】ここで、ランプ加熱方式は、シリコンウェ
ハを保持する半導体製造用サセプタの下方にハロゲンラ
ンプなどを配置し、このハロゲンランプの発熱で半導体
製造用サセプタを加熱して、保持するシリコンウェハを
所要の処理温度に上昇させる。しかし、このランプ加熱
方式の場合は、加熱効率が半導体製造用サセプタの色調
に依存し、たとえば白色味の強い窒化アルミニウム製の
半導体製造用サセプタを加熱する際、加熱効率が充分で
はなく、温度上昇に時間を要する。
ハを保持する半導体製造用サセプタの下方にハロゲンラ
ンプなどを配置し、このハロゲンランプの発熱で半導体
製造用サセプタを加熱して、保持するシリコンウェハを
所要の処理温度に上昇させる。しかし、このランプ加熱
方式の場合は、加熱効率が半導体製造用サセプタの色調
に依存し、たとえば白色味の強い窒化アルミニウム製の
半導体製造用サセプタを加熱する際、加熱効率が充分で
はなく、温度上昇に時間を要する。
【０００４】一方、ヒータ加熱方式は、半導体製造用サ
セプタの下方に、抵抗発熱性配線を内蔵した面状ヒータ
を設置し、抵抗発熱性配線に通電することによって、半
導体製造用サセプタを介してシリコンウェハを所要温度
に加熱・上昇させる。なお、面状ヒータと半導体製造用
サセプタを一体化させたヒータ内蔵型サセプタを使用す
ることも知られている。
セプタの下方に、抵抗発熱性配線を内蔵した面状ヒータ
を設置し、抵抗発熱性配線に通電することによって、半
導体製造用サセプタを介してシリコンウェハを所要温度
に加熱・上昇させる。なお、面状ヒータと半導体製造用
サセプタを一体化させたヒータ内蔵型サセプタを使用す
ることも知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記、ランプ加熱方式
における加熱効率問題の対策として、窒化アルミニウム
に着色用の添加剤などを加えて、半導体製造用サセプタ
を黒色化する手法が知られている。しかしながら、この
対応策は、不所望な不純物元素を半導体製造用サセプタ
に導入することとなり、半導体製造上、好ましい手段と
はいえない。また、このような窒化アルミニウム焼結体
への異元素の導入は、窒化アルミニウム焼結体の熱伝導
率低下を招来し易く、サセプタとして使用した場合、温
度ムラが生じ易いと云う欠点を有する。
における加熱効率問題の対策として、窒化アルミニウム
に着色用の添加剤などを加えて、半導体製造用サセプタ
を黒色化する手法が知られている。しかしながら、この
対応策は、不所望な不純物元素を半導体製造用サセプタ
に導入することとなり、半導体製造上、好ましい手段と
はいえない。また、このような窒化アルミニウム焼結体
への異元素の導入は、窒化アルミニウム焼結体の熱伝導
率低下を招来し易く、サセプタとして使用した場合、温
度ムラが生じ易いと云う欠点を有する。
【０００６】一方、ヒータ加熱方式の場合は、抵抗発熱
性配線を内蔵した高価な面状ヒータを用いるため、コス
トアップを招来する。さらに、面状ヒータの構造ないし
構成に起因する面内温度勾配がつき易く、結果的に、加
工のために面上に載置・保持されたシリコンウェハに温
度ムラが生じて、製造プロセスにおける歩留の低下を招
来する。
性配線を内蔵した高価な面状ヒータを用いるため、コス
トアップを招来する。さらに、面状ヒータの構造ないし
構成に起因する面内温度勾配がつき易く、結果的に、加
工のために面上に載置・保持されたシリコンウェハに温
度ムラが生じて、製造プロセスにおける歩留の低下を招
来する。
【０００７】本発明は、上記事情に対処してなされたも
ので、半導体製造用サセプタに起因するプロセス汚染を
防止し、また、面内温度勾配の発生もなく、信頼性の高
い半導体を歩留まりよく得ることができる、半導体製造
用サセプタおよび半導体製造装置の提供を目的とする。
ので、半導体製造用サセプタに起因するプロセス汚染を
防止し、また、面内温度勾配の発生もなく、信頼性の高
い半導体を歩留まりよく得ることができる、半導体製造
用サセプタおよび半導体製造装置の提供を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、マイ
クロ波周波数帯域における誘電正接値が１０−２以上の
主として窒化アルミニウム焼結体より成り、かつその窒
化アルミニウム焼結体を構成する窒化アルミニウム粒子
のＣｏｄｅ法によって測定された平均粒径が２〜８μｍ
であることを特徴とするマイクロ波加熱型の半導体製造
装置用サセプタである。
クロ波周波数帯域における誘電正接値が１０−２以上の
主として窒化アルミニウム焼結体より成り、かつその窒
化アルミニウム焼結体を構成する窒化アルミニウム粒子
のＣｏｄｅ法によって測定された平均粒径が２〜８μｍ
であることを特徴とするマイクロ波加熱型の半導体製造
装置用サセプタである。
【０００９】請求項２の発明は、一主面に半導体ウェハ
を載置・保持するマイクロ波加熱型の半導体製造用サセ
プタと、前記半導体製造用サセプタを内装・収容する空
間を有する半導体処理チャンバーと、前記半導体処理チ
ャンバー外に配置されたマイクロ波発振器と、前記マイ
クロ波発振器で発振されたマイクロ波を前記半導体製造
用サセプタにマイクロ波透過窓を介して導く導波管とを
有し、前記半導体製造用サセプタは、マイクロ波周波数
帯域における誘電正接値が１０ −２以上の主として窒化
アルミニウム焼結体より成り、かつその窒化アルミニウ
ム焼結体を構成する窒化アルミニウム粒子のＣｏｄｅ法
によって測定された平均粒径が２〜８μｍであることを
特徴とする半導体製造装置である。
を載置・保持するマイクロ波加熱型の半導体製造用サセ
プタと、前記半導体製造用サセプタを内装・収容する空
間を有する半導体処理チャンバーと、前記半導体処理チ
ャンバー外に配置されたマイクロ波発振器と、前記マイ
クロ波発振器で発振されたマイクロ波を前記半導体製造
用サセプタにマイクロ波透過窓を介して導く導波管とを
有し、前記半導体製造用サセプタは、マイクロ波周波数
帯域における誘電正接値が１０ −２以上の主として窒化
アルミニウム焼結体より成り、かつその窒化アルミニウ
ム焼結体を構成する窒化アルミニウム粒子のＣｏｄｅ法
によって測定された平均粒径が２〜８μｍであることを
特徴とする半導体製造装置である。
【００１０】請求項１および２の発明は、窒化アルミニ
ウム焼結体が適度の誘電正接値を有しており、マイクロ
波の照射によって効率よく、かつ容易に加熱され、面内
一様な放熱性を呈することに着目したものである。すな
わち、誘電正接値が１０−２以上の窒化アルミニウム焼
結体で半導体製造用サセプタを作製し、マイクロ波を照
射すると、効率よく、かつ面内温度ムラのない加熱体と
して機能することの確認に基づいてなされた発明であ
る。
ウム焼結体が適度の誘電正接値を有しており、マイクロ
波の照射によって効率よく、かつ容易に加熱され、面内
一様な放熱性を呈することに着目したものである。すな
わち、誘電正接値が１０−２以上の窒化アルミニウム焼
結体で半導体製造用サセプタを作製し、マイクロ波を照
射すると、効率よく、かつ面内温度ムラのない加熱体と
して機能することの確認に基づいてなされた発明であ
る。
【００１１】請求項１および２の発明において、半導体
製造用サセプタを構成する窒化アルミニウム焼結体は、
たとえば平均粒径０．１〜５μｍ程度の窒化アルミニウ
ム粉末に、酸化イットリウムなどの燒結助剤、要すれば
その他の添加剤、およびバインダー類を添加配合し、ス
ラリー状に混合した後、この混練スラリーから造粒し、
これを成形・脱脂処理・燒結することにより得られる。
なお、熱伝導性を損なったり、あるいは半導体の汚染源
となる恐れのある成分などの添加は好ましくない。
製造用サセプタを構成する窒化アルミニウム焼結体は、
たとえば平均粒径０．１〜５μｍ程度の窒化アルミニウ
ム粉末に、酸化イットリウムなどの燒結助剤、要すれば
その他の添加剤、およびバインダー類を添加配合し、ス
ラリー状に混合した後、この混練スラリーから造粒し、
これを成形・脱脂処理・燒結することにより得られる。
なお、熱伝導性を損なったり、あるいは半導体の汚染源
となる恐れのある成分などの添加は好ましくない。
【００１２】ここで、窒化アルミニウム焼結体を構成す
る窒化アルミニウム粒子は、Ｃｏｄｅ法によって測定さ
れた平均粒径が２〜８μｍ、より好ましくは３〜５μｍ
である。すなわち、Ｃｏｄｅ法によって測定された平均
粒径が２〜８μｍの窒化アルミニウム粒子から成る焼結
体の場合は、マイクロ波周波数帯域において誘電分散現
象を生じ、誘電正接値の向上が図られてマイクロ波照射
による昇温が容易に行われ、かつ面内温度勾配の少ない
被加熱体として機能するからである。
る窒化アルミニウム粒子は、Ｃｏｄｅ法によって測定さ
れた平均粒径が２〜８μｍ、より好ましくは３〜５μｍ
である。すなわち、Ｃｏｄｅ法によって測定された平均
粒径が２〜８μｍの窒化アルミニウム粒子から成る焼結
体の場合は、マイクロ波周波数帯域において誘電分散現
象を生じ、誘電正接値の向上が図られてマイクロ波照射
による昇温が容易に行われ、かつ面内温度勾配の少ない
被加熱体として機能するからである。
【００１３】請求項１および２の発明において、半導体
製造用サセプタの構造ないし形状は、その使用態様に応
じて選択され、また、その大きさないし寸法も適宜設定
される。つまり、窒化アルミニウム焼結体の形状、径寸
法、厚さなどは、半導体の製造工程での使用態様、使用
条件などに対応して決められる。
製造用サセプタの構造ないし形状は、その使用態様に応
じて選択され、また、その大きさないし寸法も適宜設定
される。つまり、窒化アルミニウム焼結体の形状、径寸
法、厚さなどは、半導体の製造工程での使用態様、使用
条件などに対応して決められる。
【００１４】ここで、窒化アルミニウム焼結体として誘
電正接値が１０−２ 以上のものを選択すると、マイク
ロ波周波数帯域において誘電分散現象を生じ、誘電正接
値の向上が図られてマイクロ波照射による昇温が容易に
行われ、かつ面内温度勾配のない加熱体として機能す
る。すなわち、誘電正接値が１０−２ 以上になると、
マイクロ波エネルギの熱エネルギ変換が十分に行われ、
加熱効率が向上する。なお、上記Ｃｏｄｅ法によって測
定された平均粒径が２〜８μｍの窒化アルミニウム粒子
から成る焼結体は、通常、１０−２ 以上の誘電正接値
を示す。
電正接値が１０−２ 以上のものを選択すると、マイク
ロ波周波数帯域において誘電分散現象を生じ、誘電正接
値の向上が図られてマイクロ波照射による昇温が容易に
行われ、かつ面内温度勾配のない加熱体として機能す
る。すなわち、誘電正接値が１０−２ 以上になると、
マイクロ波エネルギの熱エネルギ変換が十分に行われ、
加熱効率が向上する。なお、上記Ｃｏｄｅ法によって測
定された平均粒径が２〜８μｍの窒化アルミニウム粒子
から成る焼結体は、通常、１０−２ 以上の誘電正接値
を示す。
【００１５】請求項１の発明では、マイクロ波による加
熱型であるため、半導体製造用サセプタを形成する窒化
アルミニウム焼結体の色調（白色味）に左右されず、効
率よく、また、面内温度勾配のない加熱を行うことがで
きる。すなわち、窒化アルミニウム焼結体が高誘電正接
化しているため、効率のよい加熱作用が助長される。し
かも、半導体製造用サセプタは、高熱伝導性を保持する
一方、半導体に対する不純物汚染源となる恐れもない。
熱型であるため、半導体製造用サセプタを形成する窒化
アルミニウム焼結体の色調（白色味）に左右されず、効
率よく、また、面内温度勾配のない加熱を行うことがで
きる。すなわち、窒化アルミニウム焼結体が高誘電正接
化しているため、効率のよい加熱作用が助長される。し
かも、半導体製造用サセプタは、高熱伝導性を保持する
一方、半導体に対する不純物汚染源となる恐れもない。
【００１６】請求項２の発明では、マイクロ波加熱型の
半導体製造用サセプタを使用したことにより、加熱を伴
う加工処理において、半導体ウェハを載置・保持させた
場合、面内温度勾配を起こさずに、かつ効率よく加熱で
きるので、歩留まりよく、信頼性の高い半導体の提供が
可能になる。
半導体製造用サセプタを使用したことにより、加熱を伴
う加工処理において、半導体ウェハを載置・保持させた
場合、面内温度勾配を起こさずに、かつ効率よく加熱で
きるので、歩留まりよく、信頼性の高い半導体の提供が
可能になる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、図１を参照して実施例を説
明する。
明する。
【００１８】平均粒径０．８μｍの窒化アルミニウム粉
末に、燒結助剤として酸化イットリウム、バインダーと
してポリビニルブチラールなどを添加・混合して得た６
種類のスラリーから、それぞれ造粒し、これらを所要の
形状・寸法にそれぞれ成形して、脱脂処理、窒素雰囲気
中１８２０〜１９００℃で燒結を行って、６種類の円板
状窒化アルミニウム系燒結体を作製した。その後、各窒
化アルミニウム系燒結体を径２５０ｍｍ、厚さ１０ｍｍ
の円板に加工した。
末に、燒結助剤として酸化イットリウム、バインダーと
してポリビニルブチラールなどを添加・混合して得た６
種類のスラリーから、それぞれ造粒し、これらを所要の
形状・寸法にそれぞれ成形して、脱脂処理、窒素雰囲気
中１８２０〜１９００℃で燒結を行って、６種類の円板
状窒化アルミニウム系燒結体を作製した。その後、各窒
化アルミニウム系燒結体を径２５０ｍｍ、厚さ１０ｍｍ
の円板に加工した。
【００１９】上記６種類の各窒化アルミニウム系燒結体
について、それぞれ誘電正接を測定した。その結果を表
１に、窒化アルミニウム焼結体のＣｏｄｅ粒径（μｍ）
と併せて示す。
について、それぞれ誘電正接を測定した。その結果を表
１に、窒化アルミニウム焼結体のＣｏｄｅ粒径（μｍ）
と併せて示す。
【００２０】
【表１】
【００２１】次ぎ、これら窒化アルミニウム系燒結体を
半導体製造用サセプタとし、図１に概略構成を断面的に
示す製造装置を構成した。図１において、１は一主面に
半導体ウェハ２を載置・保持する窒化アルミニウム焼結
体から成るマイクロ波加熱型の半導体製造用サセプタ、
３は前記半導体製造用サセプタ１を内装・収容する空間
を有する半導体処理チャンバーである。ここで、半導体
製造用サセプタ１は、上記試料１〜５に対応するもので
あり、これらは支持体４によって支持されている。な
お、３ａ、３ｂは、半導体処理チャンバー３内の雰囲気
を切り換えるための供給・排出口である。
半導体製造用サセプタとし、図１に概略構成を断面的に
示す製造装置を構成した。図１において、１は一主面に
半導体ウェハ２を載置・保持する窒化アルミニウム焼結
体から成るマイクロ波加熱型の半導体製造用サセプタ、
３は前記半導体製造用サセプタ１を内装・収容する空間
を有する半導体処理チャンバーである。ここで、半導体
製造用サセプタ１は、上記試料１〜５に対応するもので
あり、これらは支持体４によって支持されている。な
お、３ａ、３ｂは、半導体処理チャンバー３内の雰囲気
を切り換えるための供給・排出口である。
【００２２】また、５は前記半導体処理チャンバー３内
の半導体製造用サセプタ１に保持された半導体ウェハ２
を俯瞰できる位置、たとえば半導体処理チャンバー３の
下側で半導体製造用サセプタ１に対向する位置に配置さ
れたマイクロ波を透過するマイクロ波透過窓、６は前記
マイクロ波透過窓５に近接して半導体処理チャンバー３
外に配置されたマイクロ波発振器、７は前記マイクロ波
発振器６で発振されたマイクロ波を前記半導体製造用サ
セプタ１にマイクロ波透過窓５を介して導く導波管であ
る。
の半導体製造用サセプタ１に保持された半導体ウェハ２
を俯瞰できる位置、たとえば半導体処理チャンバー３の
下側で半導体製造用サセプタ１に対向する位置に配置さ
れたマイクロ波を透過するマイクロ波透過窓、６は前記
マイクロ波透過窓５に近接して半導体処理チャンバー３
外に配置されたマイクロ波発振器、７は前記マイクロ波
発振器６で発振されたマイクロ波を前記半導体製造用サ
セプタ１にマイクロ波透過窓５を介して導く導波管であ
る。
【００２３】上記半導体製造装置の構成において、半導
体ウェハ２を載置・保持しない状態で、半導体製造用サ
セプタ１にマイクロ波発振器６で発振されたマイクロ波
２．４５ＧＨｚを照射して、半導体製造用サセプタ１が
６００℃に上昇するまでの時間、および面内温度差
（℃）をそれぞれ計った。この加熱試験の結果を表１に
併せて示す。ここで、６００℃までの昇温時間は、半導
体製造用サセプタ１が試料１のときの昇温時間１００に
対する相対値である。
体ウェハ２を載置・保持しない状態で、半導体製造用サ
セプタ１にマイクロ波発振器６で発振されたマイクロ波
２．４５ＧＨｚを照射して、半導体製造用サセプタ１が
６００℃に上昇するまでの時間、および面内温度差
（℃）をそれぞれ計った。この加熱試験の結果を表１に
併せて示す。ここで、６００℃までの昇温時間は、半導
体製造用サセプタ１が試料１のときの昇温時間１００に
対する相対値である。
【００２４】一方、試料６に対応する半導体製造用サセ
プタは、ハロゲンランプ（８００Ｗ）を加熱源として下
方に配置した製造装置の構成（比較例１）とした。そし
て、半導体製造用サセプタが６００℃に上昇するまでの
時間、および面内温度差を計った。この加熱試験の結果
を表１に併せて示す。ここで、６００℃までの昇温時間
は、半導体製造用サセプタ１が試料１のときの昇温時間
１００に対する相対値である。
プタは、ハロゲンランプ（８００Ｗ）を加熱源として下
方に配置した製造装置の構成（比較例１）とした。そし
て、半導体製造用サセプタが６００℃に上昇するまでの
時間、および面内温度差を計った。この加熱試験の結果
を表１に併せて示す。ここで、６００℃までの昇温時間
は、半導体製造用サセプタ１が試料１のときの昇温時間
１００に対する相対値である。
【００２５】また、上記円板状の窒化アルミニウム燒結
体（試料４に相当）の製造において、その厚さを５ｍｍ
とした２枚の窒化アルミニウム燒結体板の間に、タング
ステン線製の抵抗発熱線を挟着・一体化した厚さ１０ｍ
ｍの加熱源内蔵型の半導体製造用サセプタ（比較例２）
を構成した。この加熱源内蔵型半導体製造用サセプタを
用いて、上記製造装置に対応する装置を構成した。
体（試料４に相当）の製造において、その厚さを５ｍｍ
とした２枚の窒化アルミニウム燒結体板の間に、タング
ステン線製の抵抗発熱線を挟着・一体化した厚さ１０ｍ
ｍの加熱源内蔵型の半導体製造用サセプタ（比較例２）
を構成した。この加熱源内蔵型半導体製造用サセプタを
用いて、上記製造装置に対応する装置を構成した。
【００２６】そして、加熱源内蔵型半導体製造用サセプ
タに２００Ｖの電圧を印加して、６００℃に上昇するま
での時間、および面内温度差を計った。この加熱試験の
結果を表１に併せて示す。ここで、６００℃までの昇温
時間は、半導体製造用サセプタ１が試料１のときの昇温
時間１００に対する相対値である。
タに２００Ｖの電圧を印加して、６００℃に上昇するま
での時間、および面内温度差を計った。この加熱試験の
結果を表１に併せて示す。ここで、６００℃までの昇温
時間は、半導体製造用サセプタ１が試料１のときの昇温
時間１００に対する相対値である。
【００２７】上記実施例および比較例から分かるよう
に、本発明に係るマイクロ波を加熱エネルギ源とする半
導体製造用サセプタは、面内温度差のない加熱ができる
だけでなく、半導体の汚染源となる恐れもない。つま
り、窒化アルミニウム燒結体の高い熱伝導性および耐プ
ラズマ性などが生かされながら、面内温度勾配および汚
染の恐れが解消された半導体製造用サセプタの提供によ
り、半導体の生産性、歩留まりなどの向上が図られる。
に、本発明に係るマイクロ波を加熱エネルギ源とする半
導体製造用サセプタは、面内温度差のない加熱ができる
だけでなく、半導体の汚染源となる恐れもない。つま
り、窒化アルミニウム燒結体の高い熱伝導性および耐プ
ラズマ性などが生かされながら、面内温度勾配および汚
染の恐れが解消された半導体製造用サセプタの提供によ
り、半導体の生産性、歩留まりなどの向上が図られる。
【００２８】本発明は、上記実施例に限定されるもので
なく、発明の趣旨を逸脱しない範囲でいろいろの変形を
採ることができる。たとえば、半導体製造用サセプタの
形状、寸法などは、使用目的、製造装置の規模などに応
じて選択・設定でき、マイクロ波発振器をサセプタの下
部に設置し、裏面からサセプタを加熱する方式を採るこ
ともできる。
なく、発明の趣旨を逸脱しない範囲でいろいろの変形を
採ることができる。たとえば、半導体製造用サセプタの
形状、寸法などは、使用目的、製造装置の規模などに応
じて選択・設定でき、マイクロ波発振器をサセプタの下
部に設置し、裏面からサセプタを加熱する方式を採るこ
ともできる。
【００２９】
【発明の効果】請求項１の発明によれば、色調（白色
味）に左右されず、効率よく、また、面内温度勾配のな
い加熱作用を有するマイクロ波加熱型の半導体製造用サ
セプタが提供される。すなわち、請求項１の発明によれ
ば、半導体製造用サセプタ自体が高誘電正接値を有する
ため、より効率の高い加熱作用が得られる。また、これ
らの半導体製造用サセプタは、高熱伝導性を保持する一
方、半導体に対する不純物汚染源となる恐れもないの
で、生産性および歩留まりなどの向上に大きく寄与す
る。
味）に左右されず、効率よく、また、面内温度勾配のな
い加熱作用を有するマイクロ波加熱型の半導体製造用サ
セプタが提供される。すなわち、請求項１の発明によれ
ば、半導体製造用サセプタ自体が高誘電正接値を有する
ため、より効率の高い加熱作用が得られる。また、これ
らの半導体製造用サセプタは、高熱伝導性を保持する一
方、半導体に対する不純物汚染源となる恐れもないの
で、生産性および歩留まりなどの向上に大きく寄与す
る。
【００３０】請求項２の発明によれば、半導体の加熱処
理において、面内温度勾配を起こさずに、かつ効率よく
加熱できるので、歩留まりよく、信頼性の高い半導体を
提供することが可能になる。
理において、面内温度勾配を起こさずに、かつ効率よく
加熱できるので、歩留まりよく、信頼性の高い半導体を
提供することが可能になる。
【図１】図１は、実施例に係る半導体製造装置の概略構
成を示す断面図。
成を示す断面図。
１……半導体製造用サセプタ ２……半導体ウェハ ３……半導体処理チャンバー ４……支持体 ５……マイクロ波透過窓 ６……マイクロ波発振器 ７……導波管
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｃ０４Ｂ 35/58 １０４Ｙ (72)発明者 村松 滋子 神奈川県秦野市曾屋30番地 東芝セラミッ クス株式会社開発研究所内 (72)発明者 市島 雅彦 神奈川県秦野市曾屋30番地 東芝セラミッ クス株式会社開発研究所内 Ｆターム(参考） 4G001 BA09 BA36 BB09 BB36 BC13 BC17 BC52 BC54 BD38 BE22 BE32 4K030 CA04 CA12 FA10 GA02 KA23 KA46 5F031 CA02 HA02 HA03 MA28 MA29 5F045 AA03 AA20 AB02 AB32 AF03 BB02 DP03 DQ10 EK03 EM09
Claims (2)
- 【請求項１】 マイクロ波周波数帯域における誘電正接
値が１０−２以上の主として窒化アルミニウム焼結体よ
り成り、かつその窒化アルミニウム焼結体を構成する窒
化アルミニウム粒子のＣｏｄｅ法によって測定された平
均粒径が２〜８μｍであることを特徴とするマイクロ波
加熱型の半導体製造装置用サセプタ。 - 【請求項２】 一主面に半導体ウェハを載置・保持する
マイクロ波加熱型の半導体製造用サセプタと、前記半導
体製造用サセプタを内装・収容する空間を有する半導体
処理チャンバーと、前記半導体処理チャンバー外に配置
されたマイクロ波発振器と、前記マイクロ波発振器で発
振されたマイクロ波を前記半導体製造用サセプタにマイ
クロ波透過窓を介して導く導波管とを有し、前記半導体
製造用サセプタは、マイクロ波周波数帯域における誘電
正接値が１０ −２以上の主として窒化アルミニウム焼結
体より成り、かつその窒化アルミニウム焼結体を構成す
る窒化アルミニウム粒子のＣｏｄｅ法によって測定され
た平均粒径が２〜８μｍであることを特徴とする半導体
製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000251929A JP2002075870A (ja) | 2000-08-23 | 2000-08-23 | マイクロ波加熱型の半導体製造用サセプタおよび半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000251929A JP2002075870A (ja) | 2000-08-23 | 2000-08-23 | マイクロ波加熱型の半導体製造用サセプタおよび半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002075870A true JP2002075870A (ja) | 2002-03-15 |
Family
ID=18741264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000251929A Pending JP2002075870A (ja) | 2000-08-23 | 2000-08-23 | マイクロ波加熱型の半導体製造用サセプタおよび半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002075870A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010073952A (ja) * | 2008-09-19 | 2010-04-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| WO2013145932A1 (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱機構、ならびに成膜装置および成膜方法 |
| CN108701602A (zh) * | 2016-03-30 | 2018-10-23 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理装置 |
-
2000
- 2000-08-23 JP JP2000251929A patent/JP2002075870A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010073952A (ja) * | 2008-09-19 | 2010-04-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| WO2013145932A1 (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱機構、ならびに成膜装置および成膜方法 |
| CN108701602A (zh) * | 2016-03-30 | 2018-10-23 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理装置 |
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