JP2002075234A

JP2002075234A - 陰極線管

Info

Publication number: JP2002075234A
Application number: JP2000264068A
Authority: JP
Inventors: Ryuichi Murai; 隆一村井; Shinichiro Hatta; 真一郎八田; Hiroshi Iwamoto; 洋岩本; Shigeo Nakadera; 茂夫中寺; Takayuki Yonezawa; 崇行米澤
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2000-08-31
Filing date: 2000-08-31
Publication date: 2002-03-15

Abstract

(57)【要約】【課題】内部磁気シールド体を備える陰極線管におい
て、管軸方向の地磁気が加わったときのビームランディ
ング変化量をさらに低減させ、画像劣化を防止する。【解決手段】内部磁気シールド体において、対向して
設けられる１対のＹシールド壁は、それぞれＸ−Ｚ平面
をＹ軸方向に対して角度を異ならせるようにした２つの
面４５１，４５２から構成され、これにより、膨出部４
５３が形成される。この膨出部４５３の頂部（Ｐ４）
は、Ｙシールド壁のＺ軸方向の長さ（Ｌ３）の略２／３
の距離（Ｌ４）をおいて、電子ビームの内部磁気シール
ド体の入口側からその方向に離れたところに配される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、コンピュ
ータおよびテレビなどの画像表示に用いられる陰極線管
に関し、特に、電子ビームに対する地磁気の影響を低減
する内部磁気シールド体を備える陰極線管に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、コンピュータやテレビなどの画像
表示に用いられている表示デバイスにおいて、フェース
プレートをフラット化することにより映り込みを低減す
るＣＲＴが注目されている。こうしたＣＲＴにおいて
は、フラットなフェースプレートに対応するためシャド
ウマスクにテンションを加えることが一般的であるが、
このテンションにより、シャドウマスクを構成する材質
の異方性が高まるとともに磁界の異方性も高まるため、
従来のシャドウマスクにテンションを加えないＣＲＴに
比べ地磁気の悪影響を顕著に受けるようになった（村井
他ＳＩＤ２０００ＤＩＧＥＳＴ，Ｐ５８２〜５８
５）。すなわち、磁界の異方性が高められたことにより
発生するローレンツ力によって、電子銃から出射される
電子ビームの軌道が大きく歪められてしまうため、電子
ビームが所定の蛍光面に衝突しなくなる、いわゆるミス
ランディングと呼ばれる現象が発生し、画像劣化（色む
ら、にじみ）が増長されてしまう。

【０００３】図１０は陰極線管を上面から見た概略図で
ある。同図に示すように、陰極線管に働く水平方向の地
磁気８００は、陰極線管の横方向に相当する横方向磁界
８０１と陰極線管の管軸方向に相当する管軸方向磁界８
０２に成分分解されるが、この各磁界８０１、８０２
は、それぞれ、特に図１１に示すようなＣＲＴ画面９０
０の４隅のコーナー部９０１、およびＣＲＴ画面９００
の中央部上下端（以下、ＮＳ部と表記する。）の２つの
ＮＳ部９０２においてミスランディングに伴う画像劣化
を引き起こす。これは、ＣＲＴ画面のコーナー部、ＮＳ
部に照射される電子ビームの偏向角が大きく、特に磁界
の影響を受け易いためと考えられる。

【０００４】この画像劣化を引き起こすミスランディン
グの評価は、一般に横方向、管軸方向から地磁気相当の
磁場がかかったときの各コーナー部９０１、ＮＳ部９０
２における電子ビームのシフト量を示すビームランディ
ング変化量（以下、それぞれ横コーナ、管軸ＮＳとい
う。）を測定することによって行っている。例えば、２
５インチの従来のＣＲＴ（シャドウマスクにテンション
が加えられるタイプ）におけるビームランディング変化
量は（横コーナ、管軸ＮＳ）＝（２５μｍ、４０μｍ）
程度と比較的大きな値を示す。

【０００５】こうしたミスランディングを抑制するた
め、特願平１１−３６９８７０号に記載されているよう
に、内部磁気シールド体にスカート部を設けることによ
りその形状を最適化して抑制する技術がある。この技術
によれば、ビームランディング変化量を（横コーナ、管
軸ＮＳ）＝（１２μｍ、１６μｍ）まで改善することが
できる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
技術だけでは、ビームランディング変化量をこれ以上改
善することは難しく、さらに別の解決方法が望まれる。
特に、管軸ＮＳの特性については、内部磁気シールド体
が管軸方向に開口しているため、この開口部から内部磁
気シールド体に進入する管軸方向の地磁気による影響に
ついては上記従来技術では十分に対処できないこともあ
り、その特性の改善は非常に困難である。

【０００７】本発明は上記課題に鑑み、管軸ＮＳのビー
ムランディング変化量をさらに低減することにより、画
像劣化を抑制することができる陰極線管を提供すること
を目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る陰極線管は、内面に蛍光面が形成され
たフェースプレートと、当該フェースプレートに接合さ
れるファンネルと、当該ファンネルのネック部に内蔵さ
れ電子ビームを出射する電子銃と、前記ファンネル内部
に設けられる内部磁気シールド体とを備える陰極線管で
あって、前記内部磁気シールド体は、前記陰極線管の管
軸方向であるＺ軸方向と直交する水平方向のＸ軸方向お
よび垂直方向のＹ軸方向のうち、Ｙ軸方向において対向
する１対の第１のシールド壁と、Ｘ軸方向において対向
する１対の第２のシールド壁とからなり、前記第１のシ
ールド壁は、前記内部磁気シールド体内を最大偏向角で
通過する電子ビームとのＹ軸方向の距離が、内部磁気シ
ールド体の電子ビームの入口側端部において、出口側端
部より短く設定されることを特徴とする。

【０００９】これにより、ＮＳ部に照射される最大偏向
角に近い電子ビーム近傍の地磁気は、距離的に近い第１
のシールド壁方向に大きく偏向した後、通過されるの
で、陰極線管内に地磁気が流れ込んだとしても地磁気の
影響が抑制される結果、管軸ＮＳのビームランディング
変化量も抑制され、画像劣化が防止される。また、本発
明に係る陰極線管内面は、蛍光面が形成されたフェース
プレートと、当該フェースプレートに接合されるファン
ネルと、当該ファンネルのネック部に内蔵され電子ビー
ムを出射する電子銃と、前記ファンネル内部に設けられ
る内部磁気シールド体とを備える陰極線管であって、前
記内部磁気シールド体は、前記陰極線管の管軸方向であ
るＺ軸方向と直交する水平方向のＸ軸方向および垂直方
向のＹ軸方向のうち、Ｙ軸方向において対向する１対の
第１のシールド壁と、Ｘ軸方向において対向する第２の
シールド壁とからなり、前記第１のシールド壁は、外
側に膨らみを有する膨出部を備えることを特徴とする。

【００１０】この膨出部が設けられることにより、内部
磁気シールド体が電子ビームに悪影響を与えると考えら
れる部分を電子ビームから遠ざけることができ、ミスラ
ンディングを抑制して画像劣化を防止することができ
る。ここで、この膨出部をＸ−Ｚ平面をＹ軸に対して角
度を異ならせるようにした複数の面から構成すること
が、内部磁気シールド体の製造する上でプレス成形しや
すいため好ましい。

【００１１】また、電子ビームが内部磁気シールド体内
を最大偏向角で通過する際の、内部磁気シールド体入口
側における第１のシールド壁と電子ビームとの距離を、
出口側のその距離より短くすれば、陰極線管内に流れ込
む地磁気を抑制できる上、磁力線の方向を電子ビームず
れの少ない方向へ変えることができるのでさらに効果的
である。

【００１２】また、上記膨出部を設ける位置としては、
その頂部が、前記内部磁気シールド体の電子ビームの入
口側から、前記陰極線管のＺ軸方向における第１のシー
ルド壁の長さのほぼ２／３の長さ離れた位置が好まし
い。また、前記第２のシールド壁が切り欠き部を有して
いれば、第１のシールド壁に対して地磁気がより大きく
偏向されるために地磁気の影響を低減し画像劣化を防止
することができる。

【００１３】また、前記第１のシールド壁は、突出部を
備えることにより、内部磁気シールド体入口側における
第１のシールド壁と電子ビームとの距離を出口側のそれ
より短くするようにしてもよい。

【００１４】

【発明の実施の形態】（第１の実施の形態）以下、本発
明に係る陰極線管の第１の実施の形態について図面を参
照しながら説明する。＜陰極線管の全体構成＞図１は、本発明に係る陰極線管
の横断面図である。

【００１５】同図に示すように、陰極線管は、ガラスバ
ルブ１０、電子銃２０、偏向ヨーク部３０、内部磁気シ
ールド体４０、シャドウマスク５０などから構成され
る。ガラスバルブ１０は、電子ビームを透過させるため
に内部を真空に保つものであり、透明ガラスからなる正
面視矩形状のフェースプレート１１と、漏斗状のガラス
からなるファンネル１２とがフリット接合されて構成さ
れる。フェースプレート１１のファンネル１２側には
赤、緑、青の各色蛍光体１３が所定の位置に塗り分けら
れている。ファンネル１２は、ファンネル本体部１２１
とネック部１２２とから構成され、ファンネル本体部１
２１の先細側開口部１２３には、筒状ガラスから構成さ
れるネック部１２２がフリット接合されて固定されてい
る。このネック部１２２には電子銃２０が挿設されてい
る。

【００１６】電子銃２０は、図示しない多数の電極およ
びカソードを備え、電子ビームＥＢを出射する。偏向ヨ
ーク３０は、垂直偏向コイル３１および水平偏向コイル
（不図示）からなり、ファンネル１２の先細側開口部１
２３の外側に沿って配設されている。この偏向ヨーク３
０は、所定の周波数で磁界を発生させることにより、電
子銃２０から出射された電子ビームＥＢを蛍光体１３全
面に走査させるように偏向させる。

【００１７】内部磁気シールド体４０は、ガラスバルブ
１０の内部において、電子銃２０から出射される電子ビ
ームが走査される軌跡を囲むように配されており、Ｕ字
フレーム５２に取着されている。この内部磁気シールド
体４０は、内部を電子ビームＥＢが通過した場合に地磁
気が電子ビームＥＢへ与えるローレンツ力の影響を低減
する効果を有する。

【００１８】シャドウマスク５０は、偏向ヨーク３０に
より偏向された電子ビームＥＢを所定の色の蛍光体１３
に対して照射させるための電子ビームを透過させる孔を
有する金属製マスクであり、１対のマスクフレーム５１
により張架されて固定されている。このマスクフレーム
５１は、１対のＵ字フレーム５２（図４参照）により架
設されている。

【００１９】＜内部磁気シールド体４０の構成＞図２
は、本発明に係る陰極線管の内部磁気シールド体４０付
近の構成を示す斜視図である。内部磁気シールド体４０
は、磁性材料から成る１枚の平板をプレス成形すること
により得られ、同図に示すように、電子ビームの入口側
となる小開口部４２０とこれに対向する電子ビームの出
口側となる大開口部（図面では隠れてしまうために見え
ない）を有した４角錐状の構造を有しており、陰極線管
の管軸方向Ｚ（図１参照）に直交するＸ（水平方向），
Ｙ（垂直方向）軸方向のうち、Ｙ軸方向に対向する１対
のＹシールド壁４１１と、Ｘ軸方向に対向する１対のＸ
シールド壁４１２などから構成される。

【００２０】各Ｙシールド壁４１１は、それぞれの大開
口部側底辺に端縁部４１３を備え、その各端縁部４１３
の中央にはスカート部４１５がそれぞれ設けられてい
る。各Ｘシールド壁４１２は、それぞれの大開口部側底
辺に端縁部４１４が設けられるとともに、それぞれの小
開口部４２０側においては３角形状の切り欠き部４２１
が設けられている。この切り欠き部４２１が設けられる
ことによって、管軸方向の地磁気は小開口部４２０付近
でＹ軸方向の磁場が大きくなることが知られており（特
開昭５３−１５０６１号公報など）、これによってもミ
スランディングが抑制される。

【００２１】上記端縁部４１３の両端および端縁部４１
４の一主面は、マスクフレーム５１を架設する１対のＵ
字フレーム５２に当接して設けられるが、端縁部４１３
のＵ字フレーム５２と当接しない場所においてはマスク
フレーム５１と間隙を有した状態に保たれている。ま
た、各端縁部４１３の中央に設けられるスカート部４１
５の１辺は、マスクフレーム５１に直接接するように設
けられている。このスカート部４１５が設けられること
により内部磁気シールド体からシャドウマスクに磁束が
流れ易くなりビームランディング変化量が低下する。こ
のことは、従来技術で述べた特願平１１−３６９８７０
号に記載されているので詳細な説明は省略する。

【００２２】次に、図３を用いて、内部磁気シールド体
４０におけるＹシールド壁４１１の配設状態について説
明する。図３は、本発明に係る陰極線管をＸ軸方向から
見た断面概略図である。なお、ファンネル１２などは説
明の都合上図示を省略している。ここで、電子銃２０の
出射点をＯとし、点Ｏから出射された電子ビームＥＢが
最大偏向角の状態でシャドウマスク５０に照射される点
をＰ、この２点を結ぶ電子ビームＥＢの軌跡線をＯＰ、
Ｙシールド壁４１１の電子銃２０側の端縁部の点をＰ
１、点Ｐ１からＯＰまでのＹ軸方向の距離をＬ１、Ｙシ
ールド壁４１１のシャドウマスク５０側の端縁部の点を
Ｐ２、点Ｐ２からＯＰまでのＹ軸方向の距離をＬ２とす
る。

【００２３】本第１の実施の形態では、距離Ｌ１、Ｌ２
の関係をＬ１＜Ｌ２となるようにＹシールド壁４１１を
構成している。距離Ｌ２については、設計上の理由によ
りＣＲＴの大きさによって略固定された値に制限され、
例えば２５インチのＣＲＴであれば約３３ｍｍ程度の大
きさとなる。一方、距離Ｌ１については、距離Ｌ２より
短い距離に設定されることにより、管軸方向の地磁気は
Ｙシールド壁４１１に偏向される力が強くなると考えら
れる。すなわち、鉄のような磁性体材料から構成される
内部磁気シールド体４０は、磁気モーメントの値が高い
のでシールド本体に沿って磁束を通し易く、距離Ｌ１の
値をＬ２より小さくすることによって、ＮＳ部に照射さ
れる電子ビーム近傍の管軸方向の地磁気をＹ軸方向に強
く屈曲することができると考えられる。

【００２４】したがって、屈曲された管軸方向の地磁気
は距離的に一番近いＹシールド壁４１１を通過してシャ
ドウマスク５０に流れると考えられ、陰極線管内へ流れ
込むことが抑制されるので、走査されている電子ビーム
ＥＢに加わるローレンツ力の影響は低減される。その結
果、ビームランディング変化量が低減され、ＣＲＴ画面
における色むら、にじみなどによる画像劣化も抑制され
ると考えられる。

【００２５】（第２の実施の形態）次に、本発明に係る
陰極線管の第２の実施の形態について説明する。本第２
の実施の形態における陰極線管は、第１の実施の形態と
内部磁気シールド体の形状が異なるほかは、図１および
図２に示すものと同様であるため同じ構成要素のものに
ついては説明を省略し、異なる内部磁気シールド体を中
心に説明する。

【００２６】図４は、第２の実施の形態における陰極線
管の内部磁気シールド体４００の斜視図である。内部磁
気シールド体４００は、第１の実施の形態において図２
を用いて説明した内部磁気シールド体４０とは、１対の
Ｙシールド壁４５０に膨出部４５３が存在する点、およ
びその形状変化に伴うＸシールド壁４６２の形状の点で
異なっている。

【００２７】同図に示すように、内部磁気シールド体４
００は、Ｙ軸方向に対向する１対のＹシールド壁４５０
と、Ｘ軸方向に対向する１対のＸシールド壁４６２とか
ら構成される。Ｙシールド壁４５０は、Ｘ−Ｚ平面をＹ
軸方向に対して異なる角度で傾斜させた２つの面４５
１，４５２から構成され、これによって、Ｙシールド壁
４５０に膨出部４５３が設けられる。

【００２８】Ｘシールド壁４６２は、上記膨出部４５３
が設けられることにあわせて、Ｙ軸方向に対して部分的
に膨らみをもつ多角形に形成される。図５は、膨出部４
５３の位置を説明するための陰極線管の概略断面図であ
る。なお、説明の都合上、ファンネルなどは図示を省略
している。ここで、同図に示すように、面４５１の電子
銃２０側の端縁の点をＰ３、面４５１，４５２の境界点
（膨出部４５３の頂部）をＰ４、面４５２のシャドウマ
スク５０側端縁の点をＰ５とし、Ｐ３〜Ｐ５，Ｐ３〜Ｐ
４のＺ軸方向の距離をそれぞれＬ３、Ｌ４、点Ｐ３およ
びＰ５から電子ビームＥＢの軌跡線ＯＰへのＹ軸方向の
距離をそれぞれＬ５，Ｌ６とする。

【００２９】膨出部４５３の頂部（Ｐ４）の位置は、管
軸ＮＳにおけるビームランディング変化量が最小となる
ような位置が好ましく、具体的に管軸ＮＳのビームラン
ディング変化量が最小値となる膨出部４５３の頂部（Ｐ
４）の位置は、実験の結果、Ｌ４／Ｌ３＝２／３となる
位置であることがわかった（詳細については後述す
る。）。理由ははっきりとわからないが、この位置の近
傍におけるＹシールド壁４５０が電子ビームＥＢに悪影
響を及ぼしやすい状態となっていると考えられ、この位
置に膨出部４５３を設けることにより電子ビームＥＢが
Ｙシールド壁４５０から遠ざけられるため、その影響を
受けにくくなったと考えられる。

【００３０】なお、Ｌ５，Ｌ６の距離の関係については
Ｌ５＜Ｌ６とすることにより、本第２の実施の形態にお
いても第１の実施の形態と同様、さらに管軸ＮＳのビー
ムランディング変化量が低減されると考えられる。（変形例）上記第１および第２の実施の形態の変形例と
して、以下のような形態を実施することができる。

【００３１】上記第１および第２の実施の形態において
は、Ｙシールド壁４１１およびＹシールド壁４５０の面
４５１は平板状であったが、小開口部側に突出部を設け
てもよい。図６，７は、それぞれ本発明に係る陰極線管
の第１および第２の実施の形態の変形例における内部磁
気シールド体付近を示す斜視図である。

【００３２】両図に示すように、変形例におけるＹシー
ルド壁４１１およびＹシールド壁４５０の面４５１は、
その小開口部４２０，４７０側の辺に突出部４８０，４
８１がＹ軸方向に沿って内側に折れ曲げた状態に形成さ
れている。これによっても、内部磁気シールド体内を最
大偏向角で通過する電子ビームとＹシールド壁とのＹ軸
方向の距離を電子ビームの入口側端部において出口側端
部より短くすることができ、上記と同様の理由により管
軸ＮＳのミスランディングを低減して、画像劣化を抑制
することができると考えられる。

【００３３】また、上記第２の実施の形態においては内
部磁気シールド体４５０を製造する上でプレス成形のし
易さから、Ｙシールド壁を２つの面４５１，４５２から
構成したが、これに限定されず、Ｙシールド壁を３つ以
上の面、もしくは曲面から構成してもよい。また、入口
側から出口側全体にわたって膨出させるのが好ましい
が、必ずしもそうしなくてもよく、上記Ｌ４／Ｌ３＝２
／３となる位置にかかるように膨出部さえ形成されれば
同様の効果が得られると考えられる。

【００３４】（実験）上述した各内部磁気シールド体４
０，４００の効果を実証するために、２５インチの陰極
線管に横方向、管軸方向から地磁気相当の磁気を加え
て、それぞれの内部磁気シールド体を適用した場合の横
コーナ、管軸ＮＳのビームランディング変化量について
測定を行った。

【００３５】内部磁気シールド体４０について内部磁気シールド体４０を適用した場合の各ビームラン
ディング変化量の測定結果を図８（ａ）に、その結果を
グラフ化したものを図８（ｂ）に示す。ここで、図３に
おけるＬ２の値は３３ｍｍ固定であり、Ｌ１の値は図８
（ａ）に示す４点が適用され、そのときのビームランデ
ィング変化量について測定を行った。

【００３６】図８（ｂ）のグラフよりわかるように、距
離Ｌ１が３３ｍｍより小さくなるほど管軸ＮＳの特性が
よくなっているのがわかる。これは、Ｌ１が短くなれば
なるほど、ＮＳ部に照射される最大偏向角に近い電子ビ
ーム近傍の地磁気はＹシールド壁方向に大きく偏向さ
れ、その壁を通過していくためシャドウマスク、陰極線
管内に地磁気が流れ込んだとしても地磁気の影響が抑制
されるためと思われる。また、横コーナの特性について
は、図８（ｂ）に示すように、Ｌ１の距離が短くなるに
したがい若干悪化しているが、その変化量は数μｍ程度
であり問題とはならない範囲である。

【００３７】なお、上記Ｌ１の値は、限りなく０に近い
方が管軸ＮＳの特性を向上させるためには好ましいが、
あまりに０に近い値であると電子ビームが内部磁気シー
ルド体と干渉してしまうおそれがあるため、内部磁気シ
ールド体の寸法誤差および振動に対する揺れ幅などを考
慮して干渉を起こさないだけの大きさを確保すべきであ
る。

【００３８】内部磁気シールド体４００について内部磁気シールド体４００を適用した場合の各ビームラ
ンディング変化量の測定結果を図９（ａ）に、その結果
をグラフ化したものを図９（ｂ）に示す。ここで、図５
におけるＬ３の値は２００ｍｍであり、各ビームランデ
ィング変化量は、図５におけるＬ４の値を変化させて測
定している。なお、実験に際しては、Ｌ５＝１５ｍｍ、
Ｌ６＝３３ｍｍと設定した。

【００３９】図９（ｂ）のグラフからわかるように、Ｌ
４の値が０から大きくなるに従い、ビームランディング
変化量は１６μｍから減少しつつＬ４＝１３０ｍｍ付近
で極小値８μｍを取り、その後Ｌ４＝２００ｍｍで１４
μｍまで増加している。すなわち、Ｙシールド壁が途中
で膨らみを持つとともにＬ３／Ｌ４の値を１３０／２０
０、すなわち２／３付近に設定することにより、管軸Ｎ
Ｓのビームランディング変化量は最小値をとることがわ
かる。また、管軸ＮＳの特性が最もよいＬ４の値が１３
０ｍｍにおいての横コーナ特性は、ビームランディング
変化量が若干増加しているが、数μｍ程度と問題とはな
らない範囲である。

【００４０】なお、このＬ３／Ｌ４＝２／３の値は特に
限定されるものではなく、このビームランディング変化
量が小さくなるような値であれば多少ずれていてもかま
わない。

【００４１】

【発明の効果】以上説明してきたように、本発明に係る
陰極線管によれば、内面に蛍光面が形成されたフェース
プレートと、当該フェースプレートに接合されるファン
ネルと、当該ファンネルのネック部に内蔵され電子ビー
ムを出射する電子銃と、前記ファンネル内部に設けられ
る内部磁気シールド体とを備えた陰極線管であって、前
記内部磁気シールド体は、前記陰極線管の管軸方向であ
るＺ軸方向と直交する水平方向のＸ軸方向および垂直方
向のＹ軸方向のうち、Ｙ軸方向において対向する１対の
第１のシールド壁と、Ｘ軸方向において対向する１対の
第２のシールド壁とからなり、前記第１のシールド壁
は、電子ビームが内部磁気シールド体内を最大偏向角で
通過する際の、内部磁気シールド体入口側における電子
ビームとのＹ軸方向の距離が、出口側のその距離より短
く設定されるようにしたので、管軸方向の地磁気が第１
のシールド壁に強く偏向されて透過され、陰極線管内に
流れ込む磁束が低減されるため、管軸ＮＳのビームラン
ディング変化量が抑制されて画像劣化を防止することが
できる。

【００４２】また、本発明に係る陰極線管は、第１のシ
ールド壁において外側に膨らみを有する膨出部を備える
ようにしたので、第１のシールド壁が電子ビームに悪影
響を及ぼすと考えられる部分が電子ビームから遠ざけら
れるため、管軸ＮＳのビームランディング変化量が抑制
されて、画像劣化を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る陰極線管の横
断面図である。

【図２】本発明の第１の実施の形態に係る陰極線管の内
部磁気シールド体付近の斜視図である。

【図３】本発明の第１の実施の形態における内部磁気シ
ールド体の取り付け位置を説明するための断面図であ
る。

【図４】本発明の第２の実施の形態に係る陰極線管の内
部磁気シールド体付近の斜視図である。

【図５】本発明の第２の実施の形態における内部磁気シ
ールド体の膨出部の位置を説明するための断面図であ
る。

【図６】図２において突出部を設ける場合の陰極線管の
内部磁気シールド付近の斜視図である。

【図７】図４において突出部を設ける場合の陰極線管の
内部磁気シールド付近の斜視図である。

【図８】陰極線管に本発明を適用した場合の実験結果を
示す図である。

【図９】陰極線管に本発明を適用した場合の実験結果を
示す図である。

【図１０】地磁気を説明するための陰極線管を上部から
見た概略図である。

【図１１】ビームランディング変化量を測定する箇所を
説明するための図である。

【符号の説明】

１０ガラスバルブ１１フェースプレート１２ファンネル２０電子銃３０偏向ヨーク部３１垂直偏向コイル４０，４００内部磁気シールド体５０シャドウマスク５１マスクフレーム５２Ｕ字フレーム１２１ファンネル本体１２２ネック部１２３先細側開口部４１１，４５０Ｙシールド壁４１２，４６２Ｘシールド壁４１３，４１４端縁部４１５スカート部４２０，４７０小開口部４５１，４５２面４５３膨出部４８０，４８１突出部

フロントページの続き (72)発明者岩本洋大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者中寺茂夫大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者米澤崇行大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内Ｆターム(参考） 5C031 CC01 EE08

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】内面に蛍光面が形成されたフェースプレ
ートと、当該フェースプレートに接合されるファンネル
と、当該ファンネルのネック部に内蔵され電子ビームを
出射する電子銃と、前記ファンネル内部に設けられる内
部磁気シールド体とを備える陰極線管であって、前記内部磁気シールド体は、前記陰極線管の管軸方向で
あるＺ軸方向と直交する水平方向のＸ軸方向および垂直
方向のＹ軸方向のうち、Ｙ軸方向において対向する１対
の第１のシールド壁と、Ｘ軸方向において対向する１対
の第２のシールド壁とからなり、前記第１のシールド壁は、前記内部磁気シールド体内を
最大偏向角で通過する電子ビームとのＹ軸方向の距離
が、内部磁気シールド体の電子ビームの入口側端部にお
いて、出口側端部より短く設定されることを特徴とする
陰極線管。
【請求項２】内面に蛍光面が形成されたフェースプレ
ートと、当該フェースプレートに接合されるファンネル
と、当該ファンネルのネック部に内蔵され電子ビームを
出射する電子銃と、前記ファンネル内部に設けられる内
部磁気シールド体とを備える陰極線管であって、前記内部磁気シールド体は、前記陰極線管の管軸方向で
あるＺ軸方向と直交する水平方向のＸ軸方向および垂直
方向のＹ軸方向のうち、Ｙ軸方向において対向する１対
の第１のシールド壁と、Ｘ軸方向において対向する第２
のシールド壁とからなり、前記第１のシールド壁は、外側に膨らみを有する膨出部
を備えることを特徴とする陰極線管。
【請求項３】前記膨出部は、Ｘ−Ｚ平面をＹ軸に対し
て角度を異ならせるようにした複数の面から構成される
ことを特徴とする請求項２に記載の陰極線管。
【請求項４】前記第１のシールド壁は、前記内部磁気
シールド体内を最大偏向角で通過する電子ビームとのＹ
軸方向の距離が、内部磁気シールド体の電子ビームの入
口側端部において、出口側端部より短く設定されること
を特徴とする請求項２または３に記載の陰極線管。
【請求項５】前記膨出部における頂部は、前記内部磁
気シールド体の電子ビームの入口側端部から、前記第１
のシールド壁におけるＺ軸方向の長さの略２／３の距離
をおいてその方向に離れた位置に配されることを特徴と
する請求項２〜４のいずれかに記載の陰極線管。
【請求項６】前記第２のシールド壁は、切り欠き部を
有することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載
の陰極線管。
【請求項７】前記第１のシールド壁は、前記内部磁気
シールド体内を最大偏向角で通過する電子ビームとのＹ
軸方向の距離が、内部磁気シールド体の電子ビームの入
口側端部において、出口側端部より短くなるように、そ
の入口側端部に突出部を備えることを特徴とする請求項
１〜６のいずれかに記載の陰極線管。