JP2002074637A - 磁化容易軸又はマルチプル磁化容易軸を有する磁気フィルム及び該磁気フィルムの製造方法 - Google Patents
磁化容易軸又はマルチプル磁化容易軸を有する磁気フィルム及び該磁気フィルムの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 従来の磁気フィルムの欠点を克服し、磁気フ
ィルムを使用して超高密度ユニットレコーディングセル
を得る。 【解決手段】 予め形成された磁気フィルムにマルチプ
ル磁化容易軸を形成する方法、及びマルチプル磁化容易
軸を形成する上記方法によって形成されたマルチプル磁
化容易軸を有する磁気フィルムに関するものである。ま
た、データ記憶のための超高密度を達成するために、隣
接する領域間の交換相互作用や静電気相互作用が除去さ
れた磁気フィルム及び磁気フィルムデバイスを形成する
方法を提案する。第１に、磁化容易軸を有する磁気領域
の磁気モーメントは、外部磁界がない状態で、自動的に
この軸と揃う。第２に、２つの隣接する領域を有し、各
領域で異なった磁化容易軸を持つ薄膜磁気フィルムを提
供する。
ィルムを使用して超高密度ユニットレコーディングセル
を得る。 【解決手段】 予め形成された磁気フィルムにマルチプ
ル磁化容易軸を形成する方法、及びマルチプル磁化容易
軸を形成する上記方法によって形成されたマルチプル磁
化容易軸を有する磁気フィルムに関するものである。ま
た、データ記憶のための超高密度を達成するために、隣
接する領域間の交換相互作用や静電気相互作用が除去さ
れた磁気フィルム及び磁気フィルムデバイスを形成する
方法を提案する。第１に、磁化容易軸を有する磁気領域
の磁気モーメントは、外部磁界がない状態で、自動的に
この軸と揃う。第２に、２つの隣接する領域を有し、各
領域で異なった磁化容易軸を持つ薄膜磁気フィルムを提
供する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、予め形成された領
域に磁化容易軸を有する磁気フィルム、及び該磁気フィ
ルムを形成する方法に関するものである。特に、本発明
は、予め形成された磁気フィルムにマルチプル磁化容易
軸を形成する方法、及びマルチプル磁化容易軸を形成す
る上記方法によって形成されたマルチプル磁化容易軸を
有する磁気フィルムに関するものである。
域に磁化容易軸を有する磁気フィルム、及び該磁気フィ
ルムを形成する方法に関するものである。特に、本発明
は、予め形成された磁気フィルムにマルチプル磁化容易
軸を形成する方法、及びマルチプル磁化容易軸を形成す
る上記方法によって形成されたマルチプル磁化容易軸を
有する磁気フィルムに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】情報処理技術は、ここ十年の間に着実に
進歩している。情報時代に生きていく上で、情報を得た
り記憶したりすることに対する人々の要求や需要は増加
し続けており、人々は自分たちの要求を満足させる記録
媒体を熱望している。従って、高密度データ記録媒体へ
の要求は急速に増加していくであろうし、市場はかかる
技術を持った製造業者を求めていくであろう。
進歩している。情報時代に生きていく上で、情報を得た
り記憶したりすることに対する人々の要求や需要は増加
し続けており、人々は自分たちの要求を満足させる記録
媒体を熱望している。従って、高密度データ記録媒体へ
の要求は急速に増加していくであろうし、市場はかかる
技術を持った製造業者を求めていくであろう。
【０００３】記憶装置には２種類ある。１つはＤＲＡ
Ｍ、ＳＤＲＡＭ、ＥＰＲＯＭなどのような半導体材料か
らなる主記憶装置であり、もう１つは磁性材料からなる
補助記憶装置である。主記憶装置はデータを一時的に記
憶しておくために使用されるのに対し、補助記憶装置は
データを長期間記憶しておくために使用される。補助記
憶装置を使用してデータを記憶する従来方法では、磁気
テープ、磁気ディスク及び磁気ドラムのような磁気媒体
や、あるいはコンパクトディスク（ＣＤ）装置のような
光媒体にデータが記憶される。ディスクタイプの磁気媒
体は、これらの装置の中で最も広く使用されており、磁
気テープや磁気ドラムより一般的である。フロッピー
（登録商標）ディスクドライバ（ＦＤＤ）装置、ハード
ディスクドライバ（ＨＤＤ）装置及び光磁気ディスクド
ライバ（ＭＯＤ）装置は、ディスクタイプの磁気媒体に
記憶する装置である。磁気媒体の従来の構造を図１に示
す。５００Åの厚さの合金ＮｉＰシード層（図示せず）
又はガラスからなるＡｌ／Ｍｇ基板１１上に、Ｃｒ、Ｃ
ｒＶを含む下層１３が成膜されている。厚さ２００Å〜
３００Åの下層１３上には、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰ
ｔＢ、ＦｅＰｔＣｒ又はＣｏＮｉＣｒを含んだ磁性体層
１５が成膜される。この上に、Ｃ：Ｎｘを含む厚さ１０
０Åの保護膜層１７と厚さ２０Åの潤滑層１９とが順次
成膜されている。
Ｍ、ＳＤＲＡＭ、ＥＰＲＯＭなどのような半導体材料か
らなる主記憶装置であり、もう１つは磁性材料からなる
補助記憶装置である。主記憶装置はデータを一時的に記
憶しておくために使用されるのに対し、補助記憶装置は
データを長期間記憶しておくために使用される。補助記
憶装置を使用してデータを記憶する従来方法では、磁気
テープ、磁気ディスク及び磁気ドラムのような磁気媒体
や、あるいはコンパクトディスク（ＣＤ）装置のような
光媒体にデータが記憶される。ディスクタイプの磁気媒
体は、これらの装置の中で最も広く使用されており、磁
気テープや磁気ドラムより一般的である。フロッピー
（登録商標）ディスクドライバ（ＦＤＤ）装置、ハード
ディスクドライバ（ＨＤＤ）装置及び光磁気ディスクド
ライバ（ＭＯＤ）装置は、ディスクタイプの磁気媒体に
記憶する装置である。磁気媒体の従来の構造を図１に示
す。５００Åの厚さの合金ＮｉＰシード層（図示せず）
又はガラスからなるＡｌ／Ｍｇ基板１１上に、Ｃｒ、Ｃ
ｒＶを含む下層１３が成膜されている。厚さ２００Å〜
３００Åの下層１３上には、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰ
ｔＢ、ＦｅＰｔＣｒ又はＣｏＮｉＣｒを含んだ磁性体層
１５が成膜される。この上に、Ｃ：Ｎｘを含む厚さ１０
０Åの保護膜層１７と厚さ２０Åの潤滑層１９とが順次
成膜されている。
【０００４】従来の磁気媒体は、連続磁気フィルム（又
は磁性体層１５）を有している。適切な磁界を提供する
書込ヘッドを使用して、薄膜連続磁気フィルム上の微小
領域を磁化することによって、情報の各ビットが記憶さ
れる。この微小領域における磁気モーメント、位置、及
び面積はバイナリ情報の１ビットを表し、読取ヘッドと
よばれる磁気センサが書込まれた情報を検索できるよう
に、これらを正確に定めなければならない。従来の磁気
ディスク記憶装置には、超高密度記憶装置の実現を阻む
いくつかの欠点がある。第１は、連続フィルムでは、取
り得る磁気モーメントが無数にあることである。従っ
て、磁気フィルム上の（バイナリ情報の１ビットを含
む）各ビットセルの磁気モーメント、位置、及び面積を
定めるに際して、書込ヘッドは極めて正確に書込みを行
わなければならない。これを行っている間のわずかなエ
ラーは、ビットセル中にエラーを生じるだけでなく、隣
接するビットセルに対する書込ミスが生じ、読取時にエ
ラーを引き起こすおそれがある。第２に、連続磁気フィ
ルムは、ビットセル間の交換相互作用と静電気相互作用
とを結合させ易い。ビットセルが相互に極めて近接して
いる場合、ビットセル間の交換相互作用や静電気相互作
用によって、１つのビットセルに対する書込みによっ
て、隣接するビットセルに対して書込みがなされてしま
うことがある。第３に、連続磁気フィルムでは、ビット
セル間に物理的境界を持たせないようにしており、読取
り及び書込みが目に見えない方法でなされる。これは、
実際のビットセルの位置を物理的に検知するのではな
く、ディスクの動きを算出し、書込ヘッド又は読取ヘッ
ドによって各ビットセルの位置を検出することを意味し
ている。最終的に、連続磁気フィルムでは、２つのビッ
トセルについて、それぞれ異なる不完全な磁化を行って
境界を定めており、これは読取時のノイズを引き起こ
す。
は磁性体層１５）を有している。適切な磁界を提供する
書込ヘッドを使用して、薄膜連続磁気フィルム上の微小
領域を磁化することによって、情報の各ビットが記憶さ
れる。この微小領域における磁気モーメント、位置、及
び面積はバイナリ情報の１ビットを表し、読取ヘッドと
よばれる磁気センサが書込まれた情報を検索できるよう
に、これらを正確に定めなければならない。従来の磁気
ディスク記憶装置には、超高密度記憶装置の実現を阻む
いくつかの欠点がある。第１は、連続フィルムでは、取
り得る磁気モーメントが無数にあることである。従っ
て、磁気フィルム上の（バイナリ情報の１ビットを含
む）各ビットセルの磁気モーメント、位置、及び面積を
定めるに際して、書込ヘッドは極めて正確に書込みを行
わなければならない。これを行っている間のわずかなエ
ラーは、ビットセル中にエラーを生じるだけでなく、隣
接するビットセルに対する書込ミスが生じ、読取時にエ
ラーを引き起こすおそれがある。第２に、連続磁気フィ
ルムは、ビットセル間の交換相互作用と静電気相互作用
とを結合させ易い。ビットセルが相互に極めて近接して
いる場合、ビットセル間の交換相互作用や静電気相互作
用によって、１つのビットセルに対する書込みによっ
て、隣接するビットセルに対して書込みがなされてしま
うことがある。第３に、連続磁気フィルムでは、ビット
セル間に物理的境界を持たせないようにしており、読取
り及び書込みが目に見えない方法でなされる。これは、
実際のビットセルの位置を物理的に検知するのではな
く、ディスクの動きを算出し、書込ヘッド又は読取ヘッ
ドによって各ビットセルの位置を検出することを意味し
ている。最終的に、連続磁気フィルムでは、２つのビッ
トセルについて、それぞれ異なる不完全な磁化を行って
境界を定めており、これは読取時のノイズを引き起こ
す。
【０００５】一般的に、主記憶装置を代表するＲＡＭ
（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）は、半
導体からできている。従って、メモリ単位容量あたりの
価格は、補助記憶装置を代表するハードディスクに比べ
て非常に高い。その上、ほとんどすべての種類の主記憶
装置が揮発性であり、電力を切ったときに情報が消えて
しまう。ＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ ＲＡＭ）やＦＲＡＭ
（Ｆｌａｓｈ ＲＡＭ）のような非揮発性のＲＡＭもあ
るが、これらは揮発性のＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒ
ＡＭ）より高価である。低価格の非揮発性のＲＡＭの新
種を得るために、ＭＲＡＭ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ ＲＡ
Ｍ）を市場に紹介した開発者がいる。図２は、ＭＲＡＭ
の一般的な構造を示したものである。ＭＲＡＭの基本的
原理は、ＭＲ（磁気抵抗）ヘッドに由来している。一方
向に走る複数のワードライン６１が、間隔を有して並ん
でいる。各ワードライン６１上には、複数の磁気ビット
セル５５が並んでいる。磁気ビットセル５５上には、ワ
ードライン６１と交差する方向に走る複数のビットライ
ン６３が並んでいる。即ち、ワードライン６１とビット
ライン６３とは三次元空間において相互に交差し、ワー
ドライン６１とビットライン６３との交差領域にビット
セル５５が挟まれている。ここで、ビットセル５５は、
ワードライン６１と接触する第１強磁性層７１と、ビッ
トライン６３と接触する第２強磁性層７３と、第１強磁
性層７１と第２強磁性層７３との間に挿入されたトンネ
ルバリヤ層７７とを備えている。第１強磁性層７１は、
ワードライン６１が走る方向に平行な方向に磁化されて
いる。第１強磁性層層７１と第２強磁性層７３との磁化
状態が同じ場合、ビットセル５５間の電流抵抗が低くな
るので、ビットセルはデジタル値「０」を表す。そうで
ない場合には、電流抵抗が高くなるので、ビットセルは
「１」を表す。従って、電流がワードライン６１の１つ
に流れると、ビットセル５５の磁化状態によって、ビッ
トライン６３では異なる電圧が検出される。この結果、
記憶されたデータが検索される。選択されたワードライ
ン６１と選択されたビットライン６３とに電流が流れて
データが書込まれ、第２強磁性層７３が第１強磁性層７
１と逆方向に磁化される。ＭＲＡＭは、メモリセル用の
磁性材料と、磁気セルを駆動するための半導体材料とか
ら構成される。ＭＲＡＭにおいては、磁気セルの密度を
高めることが重要な課題の１つである。ＭＲＡＭの磁気
セルは相互に絶縁されている。しかし、面密度が高くす
るために磁気セルが近接して並んでいる場合には、交換
相互作用や静電気相互作用に関して同様の問題がある。
（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）は、半
導体からできている。従って、メモリ単位容量あたりの
価格は、補助記憶装置を代表するハードディスクに比べ
て非常に高い。その上、ほとんどすべての種類の主記憶
装置が揮発性であり、電力を切ったときに情報が消えて
しまう。ＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ ＲＡＭ）やＦＲＡＭ
（Ｆｌａｓｈ ＲＡＭ）のような非揮発性のＲＡＭもあ
るが、これらは揮発性のＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒ
ＡＭ）より高価である。低価格の非揮発性のＲＡＭの新
種を得るために、ＭＲＡＭ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ ＲＡ
Ｍ）を市場に紹介した開発者がいる。図２は、ＭＲＡＭ
の一般的な構造を示したものである。ＭＲＡＭの基本的
原理は、ＭＲ（磁気抵抗）ヘッドに由来している。一方
向に走る複数のワードライン６１が、間隔を有して並ん
でいる。各ワードライン６１上には、複数の磁気ビット
セル５５が並んでいる。磁気ビットセル５５上には、ワ
ードライン６１と交差する方向に走る複数のビットライ
ン６３が並んでいる。即ち、ワードライン６１とビット
ライン６３とは三次元空間において相互に交差し、ワー
ドライン６１とビットライン６３との交差領域にビット
セル５５が挟まれている。ここで、ビットセル５５は、
ワードライン６１と接触する第１強磁性層７１と、ビッ
トライン６３と接触する第２強磁性層７３と、第１強磁
性層７１と第２強磁性層７３との間に挿入されたトンネ
ルバリヤ層７７とを備えている。第１強磁性層７１は、
ワードライン６１が走る方向に平行な方向に磁化されて
いる。第１強磁性層層７１と第２強磁性層７３との磁化
状態が同じ場合、ビットセル５５間の電流抵抗が低くな
るので、ビットセルはデジタル値「０」を表す。そうで
ない場合には、電流抵抗が高くなるので、ビットセルは
「１」を表す。従って、電流がワードライン６１の１つ
に流れると、ビットセル５５の磁化状態によって、ビッ
トライン６３では異なる電圧が検出される。この結果、
記憶されたデータが検索される。選択されたワードライ
ン６１と選択されたビットライン６３とに電流が流れて
データが書込まれ、第２強磁性層７３が第１強磁性層７
１と逆方向に磁化される。ＭＲＡＭは、メモリセル用の
磁性材料と、磁気セルを駆動するための半導体材料とか
ら構成される。ＭＲＡＭにおいては、磁気セルの密度を
高めることが重要な課題の１つである。ＭＲＡＭの磁気
セルは相互に絶縁されている。しかし、面密度が高くす
るために磁気セルが近接して並んでいる場合には、交換
相互作用や静電気相互作用に関して同様の問題がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】超高密度磁気記憶を得
るためには、上述した従来の磁気記憶装置における欠点
を克服しなければならない。この欠点を克服するために
多くの努力がなされ、特に米国特許５，９５６，２１６
号や６，１４６，７５５号には、この欠点を克服するこ
とが示されている。これら２つの特許は、磁性材料の磁
気素子を離散させることを提案している。これらの特許
によると、各離散磁気素子は、他の素子と非磁性材料に
よって離間されている。２つの隣接する素子間の交換相
互作用が大幅に減少するか、又はなくなるように、その
間隔は十分に大きくなっている。各磁気素子のサイズは
小さく、好ましくは異方性形状をしており、各離散磁気
素子の磁気モーメントは、外部磁界がない状態で、自動
的にその素子の軸と揃う。このような離散磁気素子は、
単磁区素子とよばれる。かかる単磁区を有する磁気フィ
ルムをこれら従来の発明によって製造するためのコスト
は極めて高くなる。従って、製造ラインに適用すること
や実際の市場において商業化することは困難である。
るためには、上述した従来の磁気記憶装置における欠点
を克服しなければならない。この欠点を克服するために
多くの努力がなされ、特に米国特許５，９５６，２１６
号や６，１４６，７５５号には、この欠点を克服するこ
とが示されている。これら２つの特許は、磁性材料の磁
気素子を離散させることを提案している。これらの特許
によると、各離散磁気素子は、他の素子と非磁性材料に
よって離間されている。２つの隣接する素子間の交換相
互作用が大幅に減少するか、又はなくなるように、その
間隔は十分に大きくなっている。各磁気素子のサイズは
小さく、好ましくは異方性形状をしており、各離散磁気
素子の磁気モーメントは、外部磁界がない状態で、自動
的にその素子の軸と揃う。このような離散磁気素子は、
単磁区素子とよばれる。かかる単磁区を有する磁気フィ
ルムをこれら従来の発明によって製造するためのコスト
は極めて高くなる。従って、製造ラインに適用すること
や実際の市場において商業化することは困難である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、ＫＩＰＯ
（大韓民国知的所有権局）に、１９９８年７月２４日に
特許出願をし、出願番号１０−１９９８−０２９８３０
号が付与された。この出願においては、準安定磁性材料
を形成する方法及びこれによって形成された磁性材料に
ついて述べられている。希土類金属と遷移元素とのマル
チレイヤを成膜し、磁界内で不活性ガスを含むイオンビ
ームを用いて希土類金属と遷移元素とを混合させること
によって、優れた磁気特性を有する薄膜磁気フィルムを
得ることが示されている。この結果、イオンビーム混合
の後、磁気運動量及び保磁力は５０％向上した。イオン
ビームで処理される薄膜磁気フィルムの磁性についての
研究は引き続き行われており、イオンビーム混合の後、
薄膜磁気フィルムに磁化容易軸が形成されることが見出
された。更に、磁化容易軸及びマルチプル磁化容易軸を
有する磁気フィルムがこの特許により開発されている。
（大韓民国知的所有権局）に、１９９８年７月２４日に
特許出願をし、出願番号１０−１９９８−０２９８３０
号が付与された。この出願においては、準安定磁性材料
を形成する方法及びこれによって形成された磁性材料に
ついて述べられている。希土類金属と遷移元素とのマル
チレイヤを成膜し、磁界内で不活性ガスを含むイオンビ
ームを用いて希土類金属と遷移元素とを混合させること
によって、優れた磁気特性を有する薄膜磁気フィルムを
得ることが示されている。この結果、イオンビーム混合
の後、磁気運動量及び保磁力は５０％向上した。イオン
ビームで処理される薄膜磁気フィルムの磁性についての
研究は引き続き行われており、イオンビーム混合の後、
薄膜磁気フィルムに磁化容易軸が形成されることが見出
された。更に、磁化容易軸及びマルチプル磁化容易軸を
有する磁気フィルムがこの特許により開発されている。
【０００８】本発明の目的は、従来の磁気フィルムの欠
点を克服し、磁気フィルムを使用して超高密度ユニット
レコーディングセルを得ることである。本発明の他の目
的は、データ記憶のための超高密度を達成するために、
隣接する領域間の交換相互作用や静電気相互作用が除去
された磁気フィルム及び磁気フィルムデバイスを形成す
る方法を提案することである。本発明は、第１に、磁化
容易軸を有する磁気フィルム（又は領域）、及び磁気フ
ィルムに磁化容易軸を形成する方法を提供する。磁化容
易軸を有する磁気領域の磁気モーメントは、外部磁界が
ない状態で、自動的にこの軸と揃う。これは、磁化容易
軸を有する磁気領域の磁気モーメントが、磁化容易軸の
大きさは同じで方向が逆という状態に厳しく制限されて
いることを意味する。本発明は、第２に、２つの隣接す
る領域間の交換相互作用が大幅に減少するか、又はなく
なるように、２つの隣接する領域を有し、各領域で異な
った磁化容易軸を持つ薄膜磁気フィルムを提供する。
点を克服し、磁気フィルムを使用して超高密度ユニット
レコーディングセルを得ることである。本発明の他の目
的は、データ記憶のための超高密度を達成するために、
隣接する領域間の交換相互作用や静電気相互作用が除去
された磁気フィルム及び磁気フィルムデバイスを形成す
る方法を提案することである。本発明は、第１に、磁化
容易軸を有する磁気フィルム（又は領域）、及び磁気フ
ィルムに磁化容易軸を形成する方法を提供する。磁化容
易軸を有する磁気領域の磁気モーメントは、外部磁界が
ない状態で、自動的にこの軸と揃う。これは、磁化容易
軸を有する磁気領域の磁気モーメントが、磁化容易軸の
大きさは同じで方向が逆という状態に厳しく制限されて
いることを意味する。本発明は、第２に、２つの隣接す
る領域間の交換相互作用が大幅に減少するか、又はなく
なるように、２つの隣接する領域を有し、各領域で異な
った磁化容易軸を持つ薄膜磁気フィルムを提供する。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明では、Ｃｏ、Ｎｉ又はＦｅ
のような強磁性物質を有する磁気フィルムが基板上に形
成され、この磁気フィルムをＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｘｅ又
はＫｒのような不活性ガスを有するイオンビームで処理
して磁化容易軸が形成される。更に、イオンビームが磁
気フィルムに注入されるときに磁界を印加して、磁界の
ない状態で形成された磁化容易軸と交差する別の磁化容
易軸を作る。以下、磁化容易軸又はマルチプル磁化容易
軸の形成の好適な実施の形態について添付図面を参照し
つつ説明する。
のような強磁性物質を有する磁気フィルムが基板上に形
成され、この磁気フィルムをＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｘｅ又
はＫｒのような不活性ガスを有するイオンビームで処理
して磁化容易軸が形成される。更に、イオンビームが磁
気フィルムに注入されるときに磁界を印加して、磁界の
ない状態で形成された磁化容易軸と交差する別の磁化容
易軸を作る。以下、磁化容易軸又はマルチプル磁化容易
軸の形成の好適な実施の形態について添付図面を参照し
つつ説明する。
【００１０】（好適な実施の形態１）図３（ａ）乃至図
３（ｃ）は、２本の磁化容易軸を有する準安定磁性材料
をイオンビーム混合によって形成する方法を示したもの
である。この好適な実施の形態においては、磁性材料
は、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ及びＴｂのような希土類物質の少
なくとも１種と、Ｃｏ、Ｆｅ及びＮｉのような遷移金属
の少なくとも１種とを含んでいる。希土類物質と遷移金
属とを混合するためのイオンビームは、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａ
ｒ、Ｘｅ及びＫｒのような不活性ガスの中から選択され
た１種を含んでいる。
３（ｃ）は、２本の磁化容易軸を有する準安定磁性材料
をイオンビーム混合によって形成する方法を示したもの
である。この好適な実施の形態においては、磁性材料
は、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ及びＴｂのような希土類物質の少
なくとも１種と、Ｃｏ、Ｆｅ及びＮｉのような遷移金属
の少なくとも１種とを含んでいる。希土類物質と遷移金
属とを混合するためのイオンビームは、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａ
ｒ、Ｘｅ及びＫｒのような不活性ガスの中から選択され
た１種を含んでいる。
【００１１】図３（ａ）に示されるように、８つのＰｔ
層１１１ａと８つのＣｏ層１１１ｂとが交互にガラス製
の基板１０１上に成膜されて、ＣｏＰｔマルチレイヤ１
１１が８×１０−７Ｔｏｒｒの真空チャンバ（図示せ
ず）内で形成される。各Ｐｔ層１１１ａの厚さは３５Å
で、各Ｃｏ層１１１ｂの厚さは４５Åであり、ＣｏＰｔ
マルチレイヤ１１１の厚さは６４０Åである。ここで、
極座標系において１７０°〜３５０°に沿った方向に形
成される磁化容易軸がＣｏ／Ｐｔマルチレイヤ１１１内
に検出される。図４に示されるように、白丸は、Ｃｏ／
Ｐｔマルチレイヤ１１１内の磁化容易軸の方向を表して
いる。Ｃｏ／Ｐｔマルチレイヤ１１１には第１領域２１
１ａと第２領域２１１ｂとが形成されている。
層１１１ａと８つのＣｏ層１１１ｂとが交互にガラス製
の基板１０１上に成膜されて、ＣｏＰｔマルチレイヤ１
１１が８×１０−７Ｔｏｒｒの真空チャンバ（図示せ
ず）内で形成される。各Ｐｔ層１１１ａの厚さは３５Å
で、各Ｃｏ層１１１ｂの厚さは４５Åであり、ＣｏＰｔ
マルチレイヤ１１１の厚さは６４０Åである。ここで、
極座標系において１７０°〜３５０°に沿った方向に形
成される磁化容易軸がＣｏ／Ｐｔマルチレイヤ１１１内
に検出される。図４に示されるように、白丸は、Ｃｏ／
Ｐｔマルチレイヤ１１１内の磁化容易軸の方向を表して
いる。Ｃｏ／Ｐｔマルチレイヤ１１１には第１領域２１
１ａと第２領域２１１ｂとが形成されている。
【００１２】図３（ｂ）に示されるように、第２領域２
１１ｂは、ステンシルマスクやフォトレジストマスクの
ような第１マスク１１３ａで被覆される。Ａｒ＋イオン
ビーム１１５が、イオンビーム発生器（図示せず）を用
いてＣｏＰｔマルチレイヤ１１１の第１領域２１１ａに
照射されるが、このイオンビーム１１５のエネルギは約
８０ｋｅＶである。その後、ＣｏＰｔマルチレイヤ１１
１が混合されて、ＣｏＰｔ合金を含む第１準安定金属層
１２１ａが形成される。第１領域２１１ａは、極座標系
において２００°〜２０°の方向に向いた第１磁化容易
軸を有する。図４において、アステリスクは第１領域２
１１ａ内のＣｏＰｔ合金の第１磁化容易軸の方向を表し
ている。
１１ｂは、ステンシルマスクやフォトレジストマスクの
ような第１マスク１１３ａで被覆される。Ａｒ＋イオン
ビーム１１５が、イオンビーム発生器（図示せず）を用
いてＣｏＰｔマルチレイヤ１１１の第１領域２１１ａに
照射されるが、このイオンビーム１１５のエネルギは約
８０ｋｅＶである。その後、ＣｏＰｔマルチレイヤ１１
１が混合されて、ＣｏＰｔ合金を含む第１準安定金属層
１２１ａが形成される。第１領域２１１ａは、極座標系
において２００°〜２０°の方向に向いた第１磁化容易
軸を有する。図４において、アステリスクは第１領域２
１１ａ内のＣｏＰｔ合金の第１磁化容易軸の方向を表し
ている。
【００１３】図３（ｃ）に示されるように、Ｃｏ／Ｐｔ
マルチレイヤの第１領域２１１ａは、第２マスク１１３
ｂ（ステンシルマスクやフォトレジストマスク）で被覆
される。磁石１１７を用いて、Ｃｏ／Ｐｔマルチレイヤ
の表面に対して垂直方向に磁界が印加される。Ａｒ＋イ
オンビーム１１５が、イオンビーム発生器を用いてＣｏ
Ｐｔマルチレイヤの第２領域２１１ｂに照射されるが、
このイオンビーム１１５のエネルギは約８０ｋｅＶであ
る。その後、ＣｏＰｔマルチレイヤが混合されて、Ｃｏ
Ｐｔ合金を含む第２準安定金属層１２１ｂが形成され
る。第２領域２１１ｂは、極座標系において約１４０°
〜３２０°の方向に向いた第２磁化容易軸を有する。図
４に示されるように、黒三角は、第２領域２１１ｂ内の
ＣｏＰｔ合金の第２磁化容易軸の方向を表している。従
って、図３（ｂ）、図３（ｃ）及び図４によれば、第１
磁化容易軸と第２磁化容易軸との方向の違いは約６０°
となる。
マルチレイヤの第１領域２１１ａは、第２マスク１１３
ｂ（ステンシルマスクやフォトレジストマスク）で被覆
される。磁石１１７を用いて、Ｃｏ／Ｐｔマルチレイヤ
の表面に対して垂直方向に磁界が印加される。Ａｒ＋イ
オンビーム１１５が、イオンビーム発生器を用いてＣｏ
Ｐｔマルチレイヤの第２領域２１１ｂに照射されるが、
このイオンビーム１１５のエネルギは約８０ｋｅＶであ
る。その後、ＣｏＰｔマルチレイヤが混合されて、Ｃｏ
Ｐｔ合金を含む第２準安定金属層１２１ｂが形成され
る。第２領域２１１ｂは、極座標系において約１４０°
〜３２０°の方向に向いた第２磁化容易軸を有する。図
４に示されるように、黒三角は、第２領域２１１ｂ内の
ＣｏＰｔ合金の第２磁化容易軸の方向を表している。従
って、図３（ｂ）、図３（ｃ）及び図４によれば、第１
磁化容易軸と第２磁化容易軸との方向の違いは約６０°
となる。
【００１４】（好適な実施の形態２）図５（ａ）乃至図
５（ｃ）は、２本の磁化容易軸を有する磁性材料をイオ
ンビーム処理によって形成する方法の他の例を示したも
のである。この好適な実施の形態においては、磁性材料
は、Ｃｏ、Ｆｅ及びＮｉのような強磁性物質の少なくと
も１種を含む。この強磁性物質を処理するイオンビーム
は、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｘｅ及びＫｒのような不活性ガ
スの中から選択された１種を含んでいる。
５（ｃ）は、２本の磁化容易軸を有する磁性材料をイオ
ンビーム処理によって形成する方法の他の例を示したも
のである。この好適な実施の形態においては、磁性材料
は、Ｃｏ、Ｆｅ及びＮｉのような強磁性物質の少なくと
も１種を含む。この強磁性物質を処理するイオンビーム
は、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｘｅ及びＫｒのような不活性ガ
スの中から選択された１種を含んでいる。
【００１５】図５（ａ）に示されるように、ＦｅＰｔ
（又はＣｏＰｔ、ＮｉＰｔ）が基板１０１上に成膜され
て、２０〜１００ｎｍの厚さの磁性体（又は強磁性）層
１３１が８×１０−７Ｔｏｒｒの真空チャンバ（図示せ
ず）内で形成される。この磁性体層内には磁化容易軸が
存在しない。図６に示されるように、白丸は磁化容易軸
を有しないＦｅＰｔ磁性体層を表している（一般的なケ
ースである）。
（又はＣｏＰｔ、ＮｉＰｔ）が基板１０１上に成膜され
て、２０〜１００ｎｍの厚さの磁性体（又は強磁性）層
１３１が８×１０−７Ｔｏｒｒの真空チャンバ（図示せ
ず）内で形成される。この磁性体層内には磁化容易軸が
存在しない。図６に示されるように、白丸は磁化容易軸
を有しないＦｅＰｔ磁性体層を表している（一般的なケ
ースである）。
【００１６】図５（ｂ）に示されるように、磁性体層１
３１には第１領域２１１ａと第２領域２１１ｂとが形成
されている。第２領域２１１ａは、ステンシルマスクや
フォトレジストマスクのような第１マスク１１３ａで被
覆される。Ａｒ＋イオンビーム１１５が、イオンビーム
発生器（図示せず）を用いて磁性体層１３１の第１領域
２１１ａに照射されるが、このイオンビーム１１５のエ
ネルギは約８０ｋｅＶである。その後、第１領域２１１
ａには、極座標系において約９０°〜２７０°の方向に
向いた第１磁化容易軸を有する第１磁性体層１３１ａが
形成される。図６に示されるように、アステリスクは、
第１領域２１１ａ内のＦｅＰｔ磁性体層１３１ａの第１
磁化容易軸の方向を表している。
３１には第１領域２１１ａと第２領域２１１ｂとが形成
されている。第２領域２１１ａは、ステンシルマスクや
フォトレジストマスクのような第１マスク１１３ａで被
覆される。Ａｒ＋イオンビーム１１５が、イオンビーム
発生器（図示せず）を用いて磁性体層１３１の第１領域
２１１ａに照射されるが、このイオンビーム１１５のエ
ネルギは約８０ｋｅＶである。その後、第１領域２１１
ａには、極座標系において約９０°〜２７０°の方向に
向いた第１磁化容易軸を有する第１磁性体層１３１ａが
形成される。図６に示されるように、アステリスクは、
第１領域２１１ａ内のＦｅＰｔ磁性体層１３１ａの第１
磁化容易軸の方向を表している。
【００１７】次に、磁性体層１３１の第１領域２１１ａ
は、第２マスク１１３ｂ（ステンシルマスクやフォトレ
ジストマスク）で被覆される。磁石１１７を用いて、磁
性体層の表面に対して垂直方向に磁界が印加される。Ａ
ｒ＋イオンビーム１１５が、イオンビーム発生器（図示
せず）を用いて磁性体層の第２領域２１１ｂに照射され
るが、このイオンビーム１１５のエネルギは約８０ｋｅ
Ｖである。その後、第２領域２１１ｂには、極座標系に
おいて約１５０°〜３３０°の方向に向いた第２磁化容
易軸を有する第２磁性体層１３１ｂが形成される。図６
に示されるように、黒三角は、第２領域２１１ｂ内のＦ
ｅＰｔ磁性体層１３１ｂの第２磁化容易軸の方向を表し
ている。従って、図５（ｂ）及び図６によれば、第１磁
化容易軸と第２磁化容易軸との方向の違いは約６０°と
なる。
は、第２マスク１１３ｂ（ステンシルマスクやフォトレ
ジストマスク）で被覆される。磁石１１７を用いて、磁
性体層の表面に対して垂直方向に磁界が印加される。Ａ
ｒ＋イオンビーム１１５が、イオンビーム発生器（図示
せず）を用いて磁性体層の第２領域２１１ｂに照射され
るが、このイオンビーム１１５のエネルギは約８０ｋｅ
Ｖである。その後、第２領域２１１ｂには、極座標系に
おいて約１５０°〜３３０°の方向に向いた第２磁化容
易軸を有する第２磁性体層１３１ｂが形成される。図６
に示されるように、黒三角は、第２領域２１１ｂ内のＦ
ｅＰｔ磁性体層１３１ｂの第２磁化容易軸の方向を表し
ている。従って、図５（ｂ）及び図６によれば、第１磁
化容易軸と第２磁化容易軸との方向の違いは約６０°と
なる。
【００１８】本発明によれば、隣接するビットセルが異
なる磁化容易軸を有するように形成することにより、ビ
ットセル間に物理的境界を有する薄膜磁気フィルムを得
ることができる。図７は、磁気フィルムの第１領域及び
第２領域のＭＦＭ（磁力顕微鏡）画像を示すものであ
る。矢印は、磁化容易軸の方向を表す。図４及び図６に
示されるように、第１磁化容易軸の方向と第２磁化容易
軸の方向とのなす角は、約６０°である。この場合、第
１磁化容易軸及び第２磁化容易軸の隣接する領域の間の
磁力は、ｃｏｓ６０°（＝０．６）に関係しており、第
１磁化容易軸と第２磁化容易軸との間の交換相互作用が
６０％まで減少する。約６０°の角度にする理由は正確
には解明されていないが、ＣｏＰｔ合金の六方構造に関
係していると考えられる。これが事実であれば、単純な
立方構造を有するＦｅＡｕやＣｏＡｕの場合はほぼ９０
°になると考えられる。
なる磁化容易軸を有するように形成することにより、ビ
ットセル間に物理的境界を有する薄膜磁気フィルムを得
ることができる。図７は、磁気フィルムの第１領域及び
第２領域のＭＦＭ（磁力顕微鏡）画像を示すものであ
る。矢印は、磁化容易軸の方向を表す。図４及び図６に
示されるように、第１磁化容易軸の方向と第２磁化容易
軸の方向とのなす角は、約６０°である。この場合、第
１磁化容易軸及び第２磁化容易軸の隣接する領域の間の
磁力は、ｃｏｓ６０°（＝０．６）に関係しており、第
１磁化容易軸と第２磁化容易軸との間の交換相互作用が
６０％まで減少する。約６０°の角度にする理由は正確
には解明されていないが、ＣｏＰｔ合金の六方構造に関
係していると考えられる。これが事実であれば、単純な
立方構造を有するＦｅＡｕやＣｏＡｕの場合はほぼ９０
°になると考えられる。
【００１９】（好適な実施の形態３）図８（ａ）乃至図
８（ｃ）は、２本の磁化容易軸を有する磁気フィルム
を、磁界を印加しないイオンビーム処理によって形成す
る方法の他の例を示したものである。この好適な実施の
形態においては、磁性材料はＣｏ、Ｆｅ及びＮｉのよう
な強磁性物質の少なくとも１種を含む。この強磁性物質
を処理するイオンビームは、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｘｅ及
びＫｒのような不活性ガスの中から選択された１種を含
んでいる。
８（ｃ）は、２本の磁化容易軸を有する磁気フィルム
を、磁界を印加しないイオンビーム処理によって形成す
る方法の他の例を示したものである。この好適な実施の
形態においては、磁性材料はＣｏ、Ｆｅ及びＮｉのよう
な強磁性物質の少なくとも１種を含む。この強磁性物質
を処理するイオンビームは、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｘｅ及
びＫｒのような不活性ガスの中から選択された１種を含
んでいる。
【００２０】磁性材料（ＦｅＰｔ又はＣｏＰｔ、ＮｉＰ
ｔ）が基板（図示せず）上に成膜されて、２０〜１００
ｎｍの厚さの磁性体（又は強磁性）層１３１が８×１０
−７Ｔｏｒｒの真空チャンバ（図示せず）内で形成され
る。この磁性体層内に磁化容易軸が存在しない。ここ
で、極座標系において１００°〜２８０°の方向に沿っ
て形成された、Ｃｏ／Ｐｔ層内の磁化容易軸が検出され
る。図９に示されるように、黒丸はＣｏＰｔ磁性体層の
磁化容易軸の方向を表している。
ｔ）が基板（図示せず）上に成膜されて、２０〜１００
ｎｍの厚さの磁性体（又は強磁性）層１３１が８×１０
−７Ｔｏｒｒの真空チャンバ（図示せず）内で形成され
る。この磁性体層内に磁化容易軸が存在しない。ここ
で、極座標系において１００°〜２８０°の方向に沿っ
て形成された、Ｃｏ／Ｐｔ層内の磁化容易軸が検出され
る。図９に示されるように、黒丸はＣｏＰｔ磁性体層の
磁化容易軸の方向を表している。
【００２１】図８（ａ）に示されるように、磁性体層１
３１には第１領域２１１ａと第２領域２１１ｂとが形成
されている。第２領域２１１ｂは、ステンシルマスクや
フォトレジストマスクのような第１マスク１１３ａで被
覆される。Ａｒ＋イオンビームが、イオンビーム発生器
（図示せず）を用いて磁性体層１３１の第１領域２１１
ａに照射されるが、このイオンビームのエネルギは約８
０ｋｅＶである。その後、第１領域２１１ａには、極座
標系において約２０°〜２００°の方向に向いた第１磁
化容易軸が形成される。矢印は、磁化容易軸の方向を表
す。図９に示されるように、普通線は、磁性体層１３１
内の第１磁化容易軸の方向を表している。
３１には第１領域２１１ａと第２領域２１１ｂとが形成
されている。第２領域２１１ｂは、ステンシルマスクや
フォトレジストマスクのような第１マスク１１３ａで被
覆される。Ａｒ＋イオンビームが、イオンビーム発生器
（図示せず）を用いて磁性体層１３１の第１領域２１１
ａに照射されるが、このイオンビームのエネルギは約８
０ｋｅＶである。その後、第１領域２１１ａには、極座
標系において約２０°〜２００°の方向に向いた第１磁
化容易軸が形成される。矢印は、磁化容易軸の方向を表
す。図９に示されるように、普通線は、磁性体層１３１
内の第１磁化容易軸の方向を表している。
【００２２】次に、図８（ｂ）に示されるように、磁性
体層１３１は、反時計回りに約９０°回転するように設
定される。磁性体層１３１の第１領域２１１ａは、第２
マスク１１３ｂ（ステンシルマスクやフォトレジストマ
スク）で被覆される。Ａｒ＋イオンビームが、イオンビ
ーム発生器（図示せず）を用いて磁性体層１３１の第２
領域２１１ｂに照射されるが、このイオンビームのエネ
ルギは約８０ｋｅＶである。その後、第２領域２１１ｂ
には、極座標系において約１６０°〜３４０°の方向に
向いた第２磁化容易軸が形成される。矢印は、磁化容易
軸の方向を表す。図９に示されるように、黒四角は、第
２領域２１１ｂにおける磁性体層１３１の第２磁化容易
軸の方向を表す。従って、第１磁化容易軸と第２磁化容
易軸との方向の違いは約４０°となる。
体層１３１は、反時計回りに約９０°回転するように設
定される。磁性体層１３１の第１領域２１１ａは、第２
マスク１１３ｂ（ステンシルマスクやフォトレジストマ
スク）で被覆される。Ａｒ＋イオンビームが、イオンビ
ーム発生器（図示せず）を用いて磁性体層１３１の第２
領域２１１ｂに照射されるが、このイオンビームのエネ
ルギは約８０ｋｅＶである。その後、第２領域２１１ｂ
には、極座標系において約１６０°〜３４０°の方向に
向いた第２磁化容易軸が形成される。矢印は、磁化容易
軸の方向を表す。図９に示されるように、黒四角は、第
２領域２１１ｂにおける磁性体層１３１の第２磁化容易
軸の方向を表す。従って、第１磁化容易軸と第２磁化容
易軸との方向の違いは約４０°となる。
【００２３】最終的に、磁性体層１３１は２つの領域、
第１領域２１１ａと第２領域２１１ｂとを有する。各領
域は、図８（ｃ）に示されるように、異なる磁化容易軸
を有している。本実施の形態では、磁界を印加せず、異
なる磁気フィルムの設定でイオンビーム処理を行い、１
枚の磁気フィルムに２本の磁化容易軸を形成することが
示されている。従って、イオン処理の幾何学的条件を制
御することによって、薄膜磁気フィルムにマルチ磁化容
易軸を形成することができる。
第１領域２１１ａと第２領域２１１ｂとを有する。各領
域は、図８（ｃ）に示されるように、異なる磁化容易軸
を有している。本実施の形態では、磁界を印加せず、異
なる磁気フィルムの設定でイオンビーム処理を行い、１
枚の磁気フィルムに２本の磁化容易軸を形成することが
示されている。従って、イオン処理の幾何学的条件を制
御することによって、薄膜磁気フィルムにマルチ磁化容
易軸を形成することができる。
【００２４】
【発明の効果】要するに、本発明は、外部磁界がない状
態で、磁気フィルム（又は領域）を、磁化のベクトルの
方向は異なっているが、大きさは実質的に等しい２つの
磁化量のうちの一方又は他方に磁化できるような一の磁
化容易軸を有する磁気フィルム（又は領域）を提案す
る。本発明においては、単磁区構造によってあるいは形
状異方性によって磁化容易軸が形成されるものではな
く、イオン処理によって磁化容易軸が形成される。従っ
て、イオン処理条件を調整することによって、磁化容易
軸の方向を自由に制御することができる。更に、本発明
は、磁化容易軸が異なる方向にあり、物理的境界が形成
されている隣接する領域を有する薄膜磁気フィルムを提
案する。その結果、一の領域の磁性特性が、隣接する領
域の磁性特性に影響を及ぼすことがない。本発明を従来
の磁気記憶装置に適用すれば、面密度を高めることがで
き、より進歩した記憶装置を実現することができる。
態で、磁気フィルム（又は領域）を、磁化のベクトルの
方向は異なっているが、大きさは実質的に等しい２つの
磁化量のうちの一方又は他方に磁化できるような一の磁
化容易軸を有する磁気フィルム（又は領域）を提案す
る。本発明においては、単磁区構造によってあるいは形
状異方性によって磁化容易軸が形成されるものではな
く、イオン処理によって磁化容易軸が形成される。従っ
て、イオン処理条件を調整することによって、磁化容易
軸の方向を自由に制御することができる。更に、本発明
は、磁化容易軸が異なる方向にあり、物理的境界が形成
されている隣接する領域を有する薄膜磁気フィルムを提
案する。その結果、一の領域の磁性特性が、隣接する領
域の磁性特性に影響を及ぼすことがない。本発明を従来
の磁気記憶装置に適用すれば、面密度を高めることがで
き、より進歩した記憶装置を実現することができる。
【図１】図１は、ハードディスクドライブシステムのよ
うな磁気記憶装置の一般的な構造を示す断面図である。
うな磁気記憶装置の一般的な構造を示す断面図である。
【図２】図２は、磁気ＲＡＭの一般的な構造を示す斜視
図である。
図である。
【図３】図３（ａ）乃至図３（ｃ）は、本発明による２
本の磁化容易軸を有する準安定ＣｏＰｔ合金の製造方法
の一例を示している。
本の磁化容易軸を有する準安定ＣｏＰｔ合金の製造方法
の一例を示している。
【図４】図４は、ＣｏＰｔマルチレイヤ、イオンビーム
により混合されたＣｏＰｔ準安定合金、及びイオンビー
ムによって磁界内で混合されたＣｏＰｔ準安定合金の磁
化容易軸を示している。
により混合されたＣｏＰｔ準安定合金、及びイオンビー
ムによって磁界内で混合されたＣｏＰｔ準安定合金の磁
化容易軸を示している。
【図５】図５（ａ）乃至図５（ｃ）は、本発明による２
本の磁化容易軸を有する強磁性層の製造方法の他の例を
示している。
本の磁化容易軸を有する強磁性層の製造方法の他の例を
示している。
【図６】図６は、成膜されたＦｅＰｔ合金層、イオンビ
ームによって処理されたＦｅＰｔ合金層、及びイオンビ
ームによって磁界内で混合されたＦｅＰｔ合金層の磁化
容易軸を示している。
ームによって処理されたＦｅＰｔ合金層、及びイオンビ
ームによって磁界内で混合されたＦｅＰｔ合金層の磁化
容易軸を示している。
【図７】図７は、本発明によって製造されたＣｏＰｔ合
金又はＦｅＰｔ合金のＭＦＭ（磁力顕微鏡）画像を示し
ている。
金又はＦｅＰｔ合金のＭＦＭ（磁力顕微鏡）画像を示し
ている。
【図８】図８（ａ）乃至図８（ｃ）は、本発明による幾
何的変化を用いた、２本の磁化容易軸を有する磁性体層
の製造方法の第３の例を示している。
何的変化を用いた、２本の磁化容易軸を有する磁性体層
の製造方法の第３の例を示している。
【図９】図９は、ＣｏＰｔマルチレイヤの磁性体層、第
１の幾何的条件下でイオンビームにより処理された磁性
体層、及び第２の幾何的条件下でイオンビームによって
処理された磁性体層の磁化容易軸を示している。
１の幾何的条件下でイオンビームにより処理された磁性
体層、及び第２の幾何的条件下でイオンビームによって
処理された磁性体層の磁化容易軸を示している。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｆ 41/18 Ｈ０１Ｆ 41/18 // Ｈ０１Ｌ 27/105 Ｈ０１Ｌ 27/10 ４４７ (72)発明者 クン ワ チャエ 大韓民国 ソウル セオダエムン−ク ナ ムガジャ ２ドン 373−５ ヤンジ ヴ ィラ201 (72)発明者 ワン ホ ジョン 大韓民国 ソウル セオダエムン−ク シ ンチョン−ドン 134 ヨンセ大学内 Ｆターム(参考） 5D006 BB01 BB07 EA03 5D112 AA05 BB01 FA04 FB13 FB20 GA19 5E049 AA04 GC06 5F083 FZ10 GA09 GA27 HA10 PR00
Claims (20)
- 【請求項１】 イオンビームによって処理される所定の
領域に磁化容易軸を有する磁気フィルム。 - 【請求項２】 第１の方向に第１磁化容易軸を有する第
１領域と、 第２の方向に第２磁化容易軸を有する第２領域とを有す
る磁気フィルム。 - 【請求項３】 前記第１磁化容易軸の前記方向と前記第
２磁化容易軸の前記方向との角度差が６０°から９０°
である請求項２に記載の磁気フィルム。 - 【請求項４】 前記磁気フィルムは、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ
及びＴｂから選択された少なくとも１種の希土類物質を
含む請求項２に記載の磁気フィルム。 - 【請求項５】 前記磁気フィルムは、Ｃｏ、Ｎｉ及びＦ
ｅから選択された少なくとも１種の遷移金属を含む請求
項２に記載の磁気フィルム。 - 【請求項６】 基板上に磁性体層を形成する工程と、 前記磁性体層の第１領域と第２領域とを形成する工程
と、 前記磁性体層の前記第１領域をイオンビームで処理し
て、第１の方向に向いた第１磁化容易軸を形成する工程
と、 前記磁性体層の前記第２領域を磁界内でイオンビームに
より処理して、第２の方向に向いた第２磁化容易軸を形
成する工程と、 を有する磁気フィルムの製造方法。 - 【請求項７】 前記磁性体層は、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ及び
Ｔｂから選択された少なくとも１種の希土類物質を含む
請求項６に記載の磁気フィルムの製造方法。 - 【請求項８】 前記第１磁化容易軸の前記方向と前記第
２磁化容易軸の前記方向との角度差が６０°から９０°
である請求項６に記載の磁気フィルムの製造方法。 - 【請求項９】 前記磁性体層は、Ｃｏ、Ｎｉ及びＦｅか
ら選択された少なくとも１種の遷移金属を含む請求項６
に記載の磁気フィルムの製造方法。 - 【請求項１０】 前記イオンビームは、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａ
ｒ、Ｘｅ及びＫｒから選択された少なくとも１種の不活
性ガスを含む請求項６に記載の磁気フィルムの製造方
法。 - 【請求項１１】 基板上に磁性体層を形成する工程と、 前記磁性体層の一の選択された領域にイオンビームを印
加して、第１の方向に向いた第１磁化容易軸を形成する
工程と、 を含む磁気フィルムの製造方法。 - 【請求項１２】 前記磁気フィルムに磁界を印加する工
程と、 前記磁性体層の他の選択された領域にイオンビームを印
加して、第２の方向に向いた第２磁化容易軸を形成する
工程と、 を更に含む請求項１１に記載の磁気フィルムの製造方
法。 - 【請求項１３】 前記磁性体層は、Ｃｏ、Ｎｉ及びＦｅ
から選択された少なくとも１種の遷移金属を含む請求項
１１に記載の磁気フィルムの製造方法。 - 【請求項１４】 前記イオンビームは、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａ
ｒ、Ｘｅ及びＫｒから選択された少なくとも一つの不活
性ガスを含む請求項１１に記載の磁気フィルムの製造方
法。 - 【請求項１５】 基板上に磁性体層を形成する工程と、 前記磁性体層をイオンビームで処理して、一の方向に向
いた磁化容易軸を形成する工程と、 を含む磁気フィルムの製造方法。 - 【請求項１６】 前記磁性体層は、Ｃｏ、Ｎｉ及びＦｅ
から選択された少なくとも１種の遷移金属を含む請求項
１５に記載の磁気フィルムの製造方法。 - 【請求項１７】 基板上に磁性体層を形成する工程と、 前記磁気フィルムに磁界を印加する工程と、 前記磁性体層をイオンビームで処理して、一の方向に向
いた磁化容易軸を形成する工程と、 を含む磁気フィルムの製造方法。 - 【請求項１８】 前記磁性体層は、Ｃｏ、Ｎｉ及びＦｅ
から選択された少なくとも１種の遷移金属を含む請求項
１７に記載の磁気フィルムの製造方法。 - 【請求項１９】 基板上に磁性体層を形成する工程と、 第１領域に開口する第１マスクで前記磁性体層を被覆す
る工程と、 前記第１領域をイオンビームで処理して、第１磁化容易
軸を形成する工程と、 前記磁性体層をある程度回転させる工程と、 第２領域に開口する第２マスクで前記磁性体層を被覆す
る工程と、 前記第２領域をイオンビームで処理して、第２磁化容易
軸を形成する工程と、 を含む磁気フィルムの製造方法。 - 【請求項２０】 基板上に磁性体層を形成する工程と、 第１領域に開口する第１マスクで前記磁性体層を被覆す
る工程と、 前記第１領域を磁界内でイオンビームにより処理し、第
１磁化容易軸を形成する工程と、 前記磁性体層をある程度回転させる工程と、 第２領域に開口する第２マスクで前記磁性体層を被覆す
る工程と、 前記第２領域を磁界内でイオンビームにより処理し、第
２磁化容易軸を形成する工程と、を含む磁気フィルムの
製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2000-019153 | 2000-04-12 | ||
| KR1020000019153A KR100341843B1 (ko) | 2000-04-12 | 2000-04-12 | 자성체내의 자화 용이축 회전 및 다중 자화축 물질 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002074637A true JP2002074637A (ja) | 2002-03-15 |
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ID=19663729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001114591A Pending JP2002074637A (ja) | 2000-04-12 | 2001-04-12 | 磁化容易軸又はマルチプル磁化容易軸を有する磁気フィルム及び該磁気フィルムの製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP2002074637A (ja) |
| KR (1) | KR100341843B1 (ja) |
| AU (1) | AU2001246758A1 (ja) |
| TW (1) | TW512370B (ja) |
| WO (1) | WO2001078070A1 (ja) |
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| JP3961887B2 (ja) * | 2002-06-10 | 2007-08-22 | 富士通株式会社 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
| EP1491623A4 (en) * | 2002-08-19 | 2006-02-01 | Olympus Corp | INCUBATOR AND DEVICE FOR CULTURE |
| US7199055B2 (en) * | 2003-03-03 | 2007-04-03 | Cypress Semiconductor Corp. | Magnetic memory cell junction and method for forming a magnetic memory cell junction |
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| JP3004043B2 (ja) * | 1990-10-23 | 2000-01-31 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体メモリ装置 |
| DE19757649B4 (de) * | 1997-12-15 | 2005-10-20 | Francotyp Postalia Ag | Anordnung und Verfahren zum Datenaustausch zwischen einer Frankiermaschine und Chipkarten |
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- 2001-04-11 AU AU2001246758A patent/AU2001246758A1/en not_active Abandoned
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- 2001-05-25 TW TW090112617A patent/TW512370B/zh not_active IP Right Cessation
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- 2003-12-08 US US10/728,763 patent/US20040115461A1/en not_active Abandoned
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040511 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041019 |