JP2002072377A - 放射線画像情報読取装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ラインセンサにより放射線画像情報の読取り
を行う放射線画像情報読取装置において、得られた放射
線画像におけるラインセンサの欠陥光電変換素子に起因
する欠陥画素の発生を防止する。 【解決手段】 放射線画像における１画素の信号値を、
ラインセンサの長さ方向における多数の光電変換素子か
ら得る放射線画像情報読取装置において、ラインセンサ
20に欠陥光電変換素子23が存在する場合、欠陥光電変換
素子23に隣接する光電変換素子21A，21Bの信号値の平均
値を求め、これを欠陥光電変換素子23の信号値として用
いる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は放射線画像情報読取
装置に関し、詳細には蓄積性蛍光体シートから発光する
輝尽発光光をラインセンサにより読み取る放射線画像情
報読取装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】放射線を照射するとこの放射線エネルギ
ーの一部が蓄積され、その後、可視光やレーザ光等の励
起光を照射すると蓄積された放射線エネルギーに応じて
輝尽発光を示す蓄積性蛍光体（輝尽性蛍光体）を利用し
て、支持体上に蓄積性蛍光体を積層してなるシート状の
蓄積性蛍光体シートに人体等の被写体の放射線画像情報
を一旦蓄積記録したものに、レーザ光等の励起光を画素
毎に偏向走査して各画素から順次輝尽発光光を生じせし
め、得られた輝尽発光光を光電読取手段により光電的に
順次読み取って画像信号を得、一方この画像信号読取り
後の蓄積性蛍光体シートに消去光を照射して、このシー
トに残留する放射線エネルギーを放出せしめる放射線画
像記録再生システムが広く実用に供されている。

【０００３】このシステムにより得られた画像信号には
観察読影に適した階調処理や周波数処理等の画像処理が
施され、これらの処理が施された後の画像信号は診断用
可視像としてフイルムに記録され、または高精細のＣＲ
Ｔに表示されて医師等による診断等に供される。一方、
上記消去光が照射された残留放射線エネルギーが放出さ
れた蓄積性蛍光体シートは再度放射線画像情報の蓄積記
録が可能となり、繰り返し使用可能とされる。

【０００４】ここで、上述した放射線画像記録再生シス
テムに用いられる放射線画像情報読取装置においては、
輝尽発光光の読取り時間の短縮化、装置のコンパクト化
およびコスト低減の観点から、励起光源として、シート
に対して線状に励起光を照射する、蛍光灯、冷陰極蛍光
灯またはＬＥＤアレイ等のライン光源を使用し、光電読
取手段として、ライン光源により励起光が照射されたシ
ートの線状の部分の長さ方向に沿って多数の光電変換素
子が配列されたラインセンサを使用するとともに、上記
ライン光源およびラインセンサをシートに対して相対的
に、上記線状の部分の長さ方向に略直交する方向に移動
する走査手段を備えた構成が提案されている（特開昭60
−111568号、同60−236354号、特開平１−101540号
等）。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上述した放射線画像情
報読取装置においては、複数の光電変換素子を配列した
ラインセンサにより放射線画像情報の読取りを行ってい
るが、いくつかの光電変換素子が欠陥を有する場合があ
る。ここで、光電変換素子の欠陥とは、全く信号値を得
ることができないか、または信号値を得ることができた
としても本来得られるべき信号値よりも小さな信号値し
か得られないことをいう。このように、欠陥を有する光
電変換素子を含むラインセンサにより放射線画像の読取
りを行うと、得られる放射線画像において信号値のない
画素または周辺画素と比較して値が小さな画素（以下欠
陥画素とする）が生じ、その結果、放射線画像の画質が
低下してしまうという問題がある。

【０００６】本発明は上記事情に鑑みなされたものであ
り、ラインセンサに欠陥を有する光電変換素子がある場
合でも、放射線画像の画質低下を防止できる放射線画像
情報読取装置を提供することを目的とするものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明による第１の放射
線画像情報読取装置は、放射線画像情報が蓄積記録され
た蓄積性蛍光体シートから該放射線画像情報を表す画像
信号を得る放射線画像情報読取装置において、前記蓄積
性蛍光体シートの一部に励起光を線状に照射するライン
光源と、前記シートの線状に照射された部分またはこの
照射された部分に対応するシートの裏面側の部分から発
光された輝尽発光光を受光して光電変換を行う、該部分
の長さ方向に、前記画像信号により表される放射線画像
の該長さ方向における画素数よりも多数の光電変換素子
が配設されたラインセンサと、前記ライン光源および前
記ラインセンサを前記シートに対して相対的に、前記長
さ方向とは異なる方向に移動させる走査手段と、前記ラ
インセンサの出力を前記シートの移動に応じて順次読み
取ることにより、前記放射線画像情報を表す画像信号を
得るに際し、前記ラインセンサが欠陥光電変換素子を有
する場合には、該欠陥光電変換素子に前記長さ方向にお
いて隣接する１以上の光電変換素子において得られた信
号値に基づいて、前記欠陥光電変換素子の信号値を得る
読取手段とを備えたことを特徴とするものである。

【０００８】なお、本発明による第１の放射線画像情報
読取装置においては、「画像信号により表される放射線
画像の長さ方向における画素数よりも多数の光電変換素
子が配設される」ことにより、放射線画像における１画
素の信号値を、ラインセンサの長さ方向における多数の
光電変換素子の信号値から得るようにしたものである。
例えば、放射線画像の１画素の信号値をラインセンサの
長さ方向に配設された４つの光電変換素子の信号値から
得るものである。

【０００９】「欠陥光電変換素子」とは、全く信号値を
得ることができないか、または信号値を得ることができ
たとしても本来得られるべき信号値よりも小さな信号値
しか得られない光電変換素子のことをいう。

【００１０】「欠陥光電変換素子に長さ方向において隣
接する１以上の光電変換素子」は、欠陥光電変換素子に
隣接する１つの光電変換素子でもよく、これに隣接する
２以上の光電変換素子であってもよい。

【００１１】本発明による第２の放射線画像情報読取装
置は、放射線画像情報が蓄積記録された蓄積性蛍光体シ
ートから該放射線画像情報を表す画像信号を得る放射線
画像情報読取装置において、前記蓄積性蛍光体シートの
一部に励起光を線状に照射するライン光源と、前記シー
トの線状に照射された部分またはこの照射された部分に
対応するシートの裏面側の部分から発光された輝尽発光
光を受光して光電変換を行う複数の光電変換素子が、該
部分から発光される輝尽発光光を多数の光電変換素子に
て受光可能なように、該部分の長さ方向および該長さ方
向に直交する方向に配設されたラインセンサと、前記ラ
イン光源および前記ラインセンサを前記シートに対して
相対的に、前記長さ方向とは異なる方向に移動させる走
査手段と、前記ラインセンサの出力を前記シートの移動
に応じて順次読み取ることにより、前記放射線画像情報
を表す画像信号を得るに際し、前記ラインセンサが欠陥
光電変換素子を有する場合には、前記蓄積性蛍光体シー
トの該欠陥光電変換素子に対応する部分から発せられる
輝尽発光光を受光する光電変換素子にて得られる信号値
に基づいて、該欠陥光電変換素子に対応する信号値を得
る読取手段とを備えたことを特徴とするものである。

【００１２】なお、本発明による第２の放射線画像情報
読取装置においては、「シートの線状に照射された部分
またはこの照射された部分に対応するシートの裏面側の
部分から発光された輝尽発光光を受光して光電変換を行
う複数の光電変換素子が、該部分から発光される輝尽発
光光を多数の光電変換素子にて受光可能なように」する
ことにより、蓄積性蛍光体シートのある１箇所から発せ
られる輝尽発光光を、その輝尽発光光を受光可能な複数
の光電変換素子により受光し、各光電変換素子から得ら
れた信号の加算値あるいは平均値等をその部分において
得られる放射線画像情報の信号値とするようにしたもの
である。

【００１３】ライン光源としては、蓄積性蛍光体シート
に励起光をライン状に照射するものであればよく、ＬＥ
Ｄ、有機ＥＬ、蛍光灯、高圧ナトリウムランプ、冷陰極
管等を用いることができる。また、出射される励起光が
ライン状であるものだけでなく、蓄積性蛍光体シートの
照射面においてライン状となるように、励起光を拡大す
る拡大機構を備えたものであってもよい。また、励起光
をライン状に出射するブロードエリアレーザ（ＢＬＤ）
を用いてもよい。

【００１４】ライン光源から出射される励起光は、連続
的に出射されるものであってもよいし、出射と停止を繰
り返すパルス状に出射されるパルス光であってもよい
が、ノイズ低減の観点から、高出力のパルス光であるこ
とが望ましい。また、ライン光源の発光波長は、蓄積性
蛍光体シートに励起光を照射することによって輝尽発光
光を生ぜしめることができる波長であればよく、例えば
赤色の励起光により励起されるシートとの組合せ使用に
おいては、 600〜1000nm、さらに好ましくは 600〜 700
nmとする。

【００１５】また、ライン光源から出射された励起光に
よる蓄積性蛍光体シート上の照射領域の長軸方向の長さ
が、蓄積性蛍光体シートの一辺よりも長いことまたは同
等であることが望ましく、この場合、励起光をシートの
辺に対して傾斜させて照射するようにしてもよい。さら
に、ライン光源から出射された励起光の、シート上にお
ける集光度を一層向上させるために、シリンドリカルレ
ンズ、スリット、セルフォックレンズ（登録商標；以下
省略）アレイやロッドレンズアレイ等の屈折率分布形レ
ンズアレイ、光ファイバ束等、またはこれらの組合せ
を、ライン光源とシートとの間に配設してもよい。な
お、ライン光源から出射された励起光のシート上におけ
る光線幅は10〜4000μｍとするのが適切である。

【００１６】また、シートの各部分から発光された輝尽
発光光の、ラインセンサ上における集光度を高めるため
に、物体面と像面とが１対１に対応する結像系で構成さ
れているセルフォックレンズアレイやロッドレンズアレ
イ等の屈折率分布形レンズアレイ、シリンドリカルレン
ズ、スリット、光ファイバ束等、またはこれらの組合せ
を、シートとラインセンサとの間に配設するのが望まし
い。

【００１７】走査手段による、ライン光源およびライン
センサをシートに対して相対的に移動させる方向（これ
らの長さ方向とは異なる方向）とは、これらの長さ方向
（長軸方向）に略直交する方向、すなわち短軸方向であ
ることが望ましいが、この方向に限るものではなく、例
えば上述したように、ライン光源やラインセンサをシー
トの一辺よりも長いものとした構成においては、シート
の略全面に亘って均一に励起光を照射することができる
範囲内で、ライン光源およびラインセンサの長さ方向に
略直交する方向から外れた斜め方向に移動させるもので
あってもよいし、例えばジグザグ状に移動方向を変化さ
せて移動させるものであってもよい。

【００１８】さらに、シートとラインセンサとの間に、
輝尽発光光を透過させるが励起光を透過させない励起光
カットフィルタ（シャープカットフィルタ、バンドパス
フィルタ）を設けて、ラインセンサに励起光が入射する
のをさらに防止することが好ましい。

【００１９】ラインセンサとしては、アモルファスシリ
コンセンサ、ＣＣＤセンサ、バックイルミネータ付きの
ＣＣＤ、ＭＯＳイメージセンサ等を適用することができ
る。

【００２０】なお、本発明による第２の放射線画像情報
読取装置において、ラインセンサは長さ方向に直交する
短軸方向についても複数の光電変換素子が配設されたも
のであるが、この場合、複数の光電変換素子は、長軸方
向および短軸方向のいずれの方向についても１直線状に
並ぶマトリックス状の配列であるものに限らず、長軸方
向には１直線状に並ぶが短軸方向はジグザグ状に並ぶ配
列や、短軸方向には１直線状に並ぶが長軸方向はジグザ
グ状に並ぶ配列、両軸方向ともにジグザグ状に並ぶ配列
により配設されたものであってもよい。

【００２１】なお、光電変換素子の数を、転送レートに
よる影響が生じる程に増大させた構成においては、各光
電変換素子に対応するメモリ素子を設けて、各光電変換
素子に蓄積した電荷を一旦各メモリ素子に記憶させ、次
の電荷蓄積期間中に、各メモリ素子から電荷を読み出す
ことで、電荷の転送時間増大による電荷蓄積時間の短縮
化を回避する構成とすればよい。

【００２２】また、ラインセンサの長さ方向における光
電変換素子の配列数は1000以上であることが望ましく、
ラインセンサの長さは、その受光面において、シートの
一辺よりも長いものまたは同等のものであることが望ま
しく、長いものとしたときは、ラインセンサをシートの
辺に対して傾斜させて光電検出するようにしてもよい。

【００２３】また、本発明による放射線画像情報読取装
置においては、ライン光源とラインセンサとは、シート
の同一面側に配置される構成であってもよいし、互いに
反対の面側に別個に配置される構成であってもよい。た
だし、別個に配置される構成を採用する場合は、シート
の、励起光が入射した面とは反対の面側に輝尽発光光が
透過するように、シートの支持体等を、輝尽発光光透過
性のものとすることが必要である。

【００２４】なお、シートに照射される励起光は、その
パワー（照射強度や発光輝度に対応する）が変動しない
ようにするのが望ましい。パワー変動が生じ得る場合に
は、励起光の光量を監視手段により監視し、この監視結
果に基づいて、パワー変動が生じたときは、光電変換素
子による光電変換速度よりも高速に、光源（ライン光源
を含む）の発光パワー（輝度）が一定になるように変調
手段により、例えば光源の駆動電圧を変調する等して、
パワー変動の影響を抑制するようにすればよい。

【００２５】

【発明の効果】本発明の第１の放射線画像情報読取装置
によれば、ラインセンサに欠陥光電変換素子がある場
合、放射線画像情報の読取時に、欠陥光電変換素子にラ
インセンサの長さ方向において隣接する１以上の光電変
換素子にて得られた信号値に基づいて、欠陥光電変換素
子の信号値が得られる。この際、欠陥光電変換素子の信
号値は、欠陥光電変換素子に対応するシートの部分の放
射線画像情報を正確に表すものではなく、実際の放射線
画像情報を表す信号値に誤差を含んだものとなってい
る。しかしながら、本発明による第１の放射線画像情報
読取装置は、放射線画像における１画素の信号値を、ラ
インセンサの長さ方向における多数の光電変換素子の信
号値から得るものである。このため、欠陥光電変換素子
の信号値が実際の信号値に誤差を含んだものであって
も、その誤差は放射線画像における１画素についてみれ
ば微小なものとなる。例えば、放射線画像の１画素の信
号値をラインセンサの長さ方向に配設された４つの光電
変換素子の信号値から得る場合、１つの光電変換素子の
信号値は、放射線画像の１画素において２５％の影響し
かないこととなる。したがって、ラインセンサに欠陥光
電変換素子があっても、比較的簡易な方法により欠陥光
電変換素子の信号値を得ることができ、その結果、欠陥
画素のない高画質の放射線画像を得ることができる。

【００２６】また、本発明による第２の放射線画像情報
読取装置によれば、ラインセンサに欠陥光電変換素子が
ある場合、シートの欠陥光電変換素子に対応する部分か
ら発せられる輝尽発光光を受光する光電変換素子の信号
値に基づいて、欠陥光電変換素子の信号値が得られる。
ここで、本発明による第２の放射線画像情報読取装置
は、蓄積性蛍光体シートのある１箇所から発せられる輝
尽発光光を、その輝尽発光光を受光可能な複数の光電変
換素子により受光して、その加算値を放射線画像の１画
素の信号値としているものである。この際、欠陥光電変
換素子の周囲の光電変換素子には欠陥光電変換素子が受
光する光量と略等しい光量の輝尽発光光が照射されるた
め、欠陥光電変換素子の周囲の光電変換素子からは欠陥
光電変換素子において得られるべき信号値と略等しい信
号値が得られることとなる。したがって、ラインセンサ
に欠陥光電変換素子があっても、比較的簡易な方法によ
り欠陥光電変換素子の信号値を得ることができ、その結
果、欠陥画素のない高画質の放射線画像を得ることがで
きる。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態について説明する。

【００２８】図１は本発明の実施形態による放射線画像
情報読取装置の構成を示す図であり、（ａ）は斜視図、
（ｂ）は（ａ）に示した放射線画像情報読取装置のＩ−
Ｉ線断面図、図２は図１に示した読取装置のラインセン
サ20の詳細構成を示す図である。

【００２９】図示の放射線画像情報読取装置は、放射線
画像情報が蓄積記録された蓄積性蛍光体シート（以下、
シートという）50を載置して矢印Ｙ方向に搬送する走査
ベルト40、線幅略100μｍの線状の２次励起光（以下、
単に励起光という）Ｌをシート50表面に略平行に発する
ブロードエリアレーザ（以下、ＢＬＤという）11、ＢＬ
Ｄ11から出射された線状の励起光Ｌを集光するコリメー
タレンズおよび一方向にのみビームを拡げるトーリック
レンズの組合せからなる光学系12、シート50表面に対し
て45度の角度だけ傾けて配された、励起光Ｌを反射し後
述する輝尽発光光Ｍを透過するように設定されたダイク
ロイックミラー14、ダイクロイックミラー14により反射
された線状の励起光Ｌを、シート50上に矢印Ｘ方向に沿
って延びる線状（線幅略100μｍ）に集光するととも
に、線状の励起光Ｌが集光されてシート50から発せられ
る、蓄積記録された放射線画像情報に応じた輝尽発光光
Ｍを平行光束とする屈折率分布型レンズアレイ（多数の
屈折率分布型レンズが配列されてなるレンズであり、以
下、第１のセルフォックレンズアレイという）15、およ
びこの第１のセルフォックレンズアレイ15により平行光
束とされ、ダイクロイックミラー14を透過した輝尽発光
光Ｍを、後述するラインセンサ20を構成する各光電変換
素子21の受光面に集光させる第２のセルフォックレンズ
アレイ16、第２のセルフォックレンズアレイ16を透過し
た輝尽発光光Ｍに僅かに混在する、シート50表面で反射
した励起光Ｌをカットし輝尽発光光Ｍを透過させる励起
光カットフィルタ17、励起光カットフィルタ17を透過し
た輝尽発光光Ｍを受光して光電変換する多数の光電変換
素子21が配列されたラインセンサ20、およびラインセン
サ20を構成する各光電変換素子21から出力された信号
を、シート50の移動に応じて順次読み取ることにより、
シート50に蓄積記録された放射線画像情報を表す画像信
号Ｓ１を得るに際し、ラインセンサ20が欠陥光電変換素
子を有する場合には、欠陥光電変換素子に矢印Ｘ方向に
おいて隣接する２つの光電変換素子21の信号値に基づい
て、欠陥光電変換素子の信号値を得るようにした読取手
段29を備えた構成である。

【００３０】なお、ラインセンサ20は、画像信号Ｓ１に
より表される放射線画像の矢印Ｘ方向における画素数よ
りも多数の光電変換素子21が配設されている。これによ
り、放射線画像における１画素の信号値を、ラインセン
サ20の矢印Ｘ方向における多数の光電変換素子21の信号
値から得るものである。具体的には、後述するように放
射線画像の１画素の信号値をラインセンサ20の矢印Ｘ方
向に配設された４つの光電変換素子21の信号値から得る
ものである。

【００３１】第１のセルフォックレンズアレイ15は、ダ
イクロイックミラー14上において、シート50上の輝尽発
光光Ｍの発光域を１対１の大きさで結像する像面とする
作用をなし、第２のセルフォックレンズアレイ16は、光
電変換素子21の受光面において、ダイクロイックミラー
14上における輝尽発光光Ｍの像を１対１の大きさで結像
する像面とする作用をなす。

【００３２】また、コリメータレンズとトーリックレン
ズからなる光学系12は、ＢＬＤ11からのレーザ光Ｌをダ
イクロイックミラー14上の所望の照射域に拡大する。

【００３３】ラインセンサ20は詳しくは、図２に示すよ
うに、長軸方向（図１の矢印Ｘ方向）に沿って多数（例
えば1000個以上）の光電変換素子21が配列されている。
また、ラインセンサ20を構成するこれら多数の光電変換
素子21はそれぞれ、縦100μｍ×横100μｍ程度の大きさ
の受光面を有しており、この大きさは、シート50の表面
における縦100μｍ×横100μｍ程度の大きさ部分から発
光する輝尽発光光Ｍを受光する大きさである。なお、光
電変換素子21としては具体的には、アモルファスシリコ
ンセンサ、ＣＣＤセンサまたはＭＯＳイメージセンサ等
を適用することができる。

【００３４】なお、本実施形態においては、図２に示す
ように、画像信号Ｓ１により表される放射線画像の１画
素の信号値をラインセンサ20の矢印Ｘ方向に配設された
４つの光電変換素子21の信号値から得るものである。

【００３５】読取手段29は以下のようにして欠陥光電変
換素子における信号値を求める。図３は欠陥光電変換素
子23における信号値の算出を説明するための図である。
なお、図３においては欠陥光電変換素子23を斜線で示
す。本実施形態においては、欠陥光電変換素子23に隣接
する光電変換素子21A，21Bの信号値の平均値を欠陥光電
変換素子23の信号値として求める。なお、光電変換素子
21Aまたは光電変換素子21Bの信号値を欠陥光電変換素子
23の信号値として求めてもよい。

【００３６】この際、欠陥光電変換素子23の信号値は、
欠陥光電変換素子23に対応するシート50の部分の放射線
画像情報を正確に表すものではなく、実際の放射線画像
情報を表す信号値に誤差を含んだものとなっている。こ
こで、本実施形態においては、画像信号Ｓ１により表さ
れる放射線画像の１画素の信号値をラインセンサ20の矢
印Ｘ方向に配設された４つの光電変換素子21の信号値か
ら得るものである。このため、欠陥光電変換素子23の信
号値が実際の信号値に誤差を含んだものであっても、そ
の誤差は放射線画像における１画素についてみれば微小
なものとなる。例えば、本実施形態においては、１つの
光電変換素子21の信号値は、放射線画像の１画素におい
て２５％の影響しかないこととなる。したがって、欠陥
光電変換素子23に隣接する２つの光電変換素子21A，21B
の信号値の平均値を欠陥光電変換素子23の信号値として
も、放射線画像１画素についてはそれほど誤差が大きい
ものではなくなる。その結果、欠陥画素のない高画質の
放射線画像を簡易に得ることができる。

【００３７】次いで、本実施形態による放射線画像情報
読取装置の作用について説明する。

【００３８】まず、走査ベルト40が矢印Ｙ方向に移動す
ることにより、この走査ベルト40上に載置された、放射
線画像情報が蓄積記録されたシート50を矢印Ｙ方向に搬
送する。

【００３９】一方、ＢＬＤ11が、線状の励起光Ｌをシー
ト50表面に対して略平行に出射し、この励起光Ｌは、そ
の光路上に設けられたコリメータレンズおよびトーリッ
クレンズからなる光学系12により平行ビームとされ、ダ
イクロイックミラー14により反射されてシート50表面に
対して垂直に入射する方向に進行され、第１のセルフォ
ックレンズアレイ15により、シート50上に矢印Ｘ方向に
沿って延びる線状に集光される。

【００４０】シート50に入射した線状の励起光Ｌは、そ
の集光域の蓄積性蛍光体を励起するとともに集光域から
シート50内部に入射して集光域の近傍部分に拡散し、集
光域の近傍部分の蓄積性蛍光体も励起する。この結果、
シート50の集光域およびその近傍から、蓄積記録されて
いる放射線画像情報に応じた強度の輝尽発光光Ｍが発光
される。

【００４１】シート50から発光した輝尽発光光Ｍは、第
１のセルフォックレンズアレイ15により平行光束とさ
れ、ダイクロイックミラー14を透過し、第２のセルフォ
ックレンズアレイ16により、ラインセンサ20を構成する
各光電変換素子21の受光面に集光される。この際、第２
のセルフォックレンズアレイ16を透過した輝尽発光光Ｍ
に僅かに混在する、シート50表面で反射した励起光Ｌ
が、励起光カットフィルタ17によりカットされる。

【００４２】ラインセンサ20は、各光電変換素子21によ
り受光された輝尽発光光Ｍを光電変換し、光電変換して
得られた各信号Ｑは読取手段29に入力される。

【００４３】読取手段29は入力される信号ＱをＡ／Ｄ変
換するとともに、シート50の部位に対応させて記憶し、
シート50の全面において信号Ｑが得られると、シート50
に蓄積記録された放射線画像を表す画像信号Ｓ１を出力
する。

【００４４】この際、ラインセンサ20に欠陥光電変換素
子が存在する場合は、欠陥光電変換素子に隣接する２つ
の光電変換素子21A，21B（図３参照）の平均値を、欠陥
光電変換素子の信号値として求め、画像信号Ｓ１を得
る。

【００４５】なお、上記実施形態においては、図２に示
すように、多数の光電変換素子21を一列に配列したライ
ンセンサ20を用いているが、図４に示すように、矢印Ｘ
方向に延びた光電変換素子21の列が、シート50の搬送方
向（矢印Ｙ方向）に５列ジグザグ状に並ぶように配列さ
れたラインセンサ20を用いてもよい。この場合、複数の
光電変換素子21によりシート50の部分から発せられる輝
尽発光光Ｍを検出する。例えば、図５に示すように、シ
ート50の部分から発せられた輝尽発光光Ｍを、輝尽発光
光Ｍが照射される７個の光電変換素子21により検出す
る。なお、ここではシート50の輝尽発光光Ｍが発光する
部分に対応する光電変換素子を光電変換素子21Cとす
る。この際、シート50の輝尽発光光Ｍが発光される部分
に対応する放射線画像の画素値は、光電変換素子21Cお
よびその周囲の７個の光電変換素子の信号値の加算値と
する。なお、欠陥光電変換素子21Cおよびその周囲の７
個の光電変換素子の平均値や重み付け平均値としてもよ
い。また、この際、読取手段29は、得られる画像信号に
より表される放射線画像の１画素を、ラインセンサ20の
各光電変換素子の信号値と対応付けて読取りを行うもの
とする。

【００４６】図４に示すようなラインセンサ20におい
て、欠陥光電変換素子が存在する場合は、欠陥光電変換
素子の信号値を、その周囲のいずれかの光電変換素子の
信号値とする。例えば、図５において、光電変換素子21
Cを欠陥光電変換素子とすると、輝尽発光光Ｍが照射さ
れる範囲にある欠陥光電変換素子21Cの周囲の６つの光
電変換素子のうち、いずれかの光電変換素子において得
られた信号値を、欠陥光電変換素子23の信号値とする。

【００４７】ここで、図４に示すラインセンサ20を用い
た場合、蓄積性蛍光体シート50のある１箇所から発せら
れる輝尽発光光Ｍを、その輝尽発光光Ｍを受光可能な７
個の光電変換素子により受光して、その加算値を放射線
画像の１画素の信号値としている。この際、欠陥光電変
換素子の周囲の光電変換素子には欠陥光電変換素子が受
光する光量と略等しい光量の輝尽発光光Ｍが照射される
ため、欠陥光電変換素子23の周囲の光電変換素子からは
欠陥光電変換素子において得られるべき信号値と略等し
い信号値が得られることとなる。このため、欠陥光電変
換素子の信号値をこれの周囲のいずれかの光電変換素子
の信号値としても、放射線画像における１画素の信号値
の誤差は微小なものとなる。したがって、図４に示すラ
インセンサ20に欠陥光電変換素子があっても、比較的簡
易な方法により欠陥光電変換素子の信号値を得ることが
でき、その結果、簡易な方法により欠陥画素のない高画
質の放射線画像を得ることができる。

【００４８】なお、欠陥光電変換素子は下記のようにし
て検出すればよい。まず、放射線を一様に照射した蓄積
性蛍光体シートを用いて、上記実施形態と同様に読取り
を行う。なお、読取手段29は、得られる画像信号により
表される放射線画像の１画素を、ラインセンサ20の各光
電変換素子において得られた信号値と対応付けて読取り
を行うように切り替えておく。

【００４９】そして、得られた一様画像の各画素の信号
値を、各画素に隣接する画素の信号値と比較し、その差
が所定の閾値を越えた場合に、その画素の信号値を得た
光電変換素子を欠陥光電変換素子とする。また、一様画
像の各画素の信号値の平均値を求め、各画素の信号値を
その平均値と比較し、その差が所定の閾値を越えた場合
に、その画素を欠陥光電変換素子として求めてもよい。

【００５０】また、一様露光した蓄積性蛍光体シートの
読取りのみならず、ライン状の一様の光を照射する基準
光源を設け、この基準光源から発せられる光をラインセ
ンサ20において検出して一様画像を表す信号値を得ても
よい。さらに、放射線を一様露光した蓄積性蛍光体シー
トに代えて、放射線を照射しなくても、励起光の照射に
より輝尽発光光を発光可能な蛍光体を用いた蓄積性蛍光
体シート（アンチストークスタイプの蓄積性蛍光体シー
ト）の読取りを行って、一様画像を表す画像信号を得て
もよい。

【００５１】なお、欠陥光電変換素子を検出した場合に
は、上記実施形態のように欠陥光電変換素子の信号値を
求めて、放射線画像を表す画像信号を得るようにしても
よいが、欠陥光電変換素子以外の光電変換素子において
得られた信号値のみを用いて画像信号を得るようにして
もよい。また、欠陥光電変換素子がある程度の値を有す
る信号値を出力可能なものである場合、一様画像を表す
一様画像信号から欠陥光電変換素子の信号値を補正する
ための補正データを求め、この補正データにより蓄積性
蛍光体シートを読み取ることにより得られた画像信号を
補正してもよい。さらに、欠陥光電変換素子の数が所定
の閾値より多い場合には、放射線画像情報読取装置のオ
ペレータに警告を行うようにしてもよい。

【００５２】また、上述した実施形態による放射線画像
情報読取装置は、励起光Ｌの光路と輝尽発光光Ｍの光路
とが一部において重複するような構成を採用して、装置
の一層のコンパクト化を図るものとしたが、このような
構成に限るものではなく、例えば図６に示すように、励
起光Ｌの光路と輝尽発光光Ｍの光路とが全く重複しない
構成を適用することもできる。

【００５３】すなわち図示の放射線画像情報読取装置
は、走査ベルト40、線状の励起光Ｌをシート50表面に対
して略４５度の角度で発するＢＬＤ11、ＢＬＤ11から出
射された線状の励起光Ｌを集光するコリメータレンズお
よび一方向にのみビームを拡げるトーリックレンズの組
合せからなり、シート50表面に線状の励起光Ｌを照射す
る光学系12、シート50の表面に対して略４５度だけ傾斜
しかつ励起光Ｌの進光方向に略直交する光軸を有し、励
起光Ｌの照射によりシート50から発せられた輝尽発光光
Ｍを後述するラインセンサ20を構成する各光電変換素子
21の受光面に集光させるセルフォックレンズアレイ16、
セルフォックレンズアレイ16に入射する輝尽発光光Ｍに
混在する励起光Ｌをカットする励起光カットフィルタ1
7、励起光カットフィルタ17を透過した輝尽発光光Ｍを
受光して光電変換する多数の光電変換素子21が配列され
たラインセンサ20、およびラインセンサ20を構成する各
光電変換素子21から出力された信号Ｑを読み取って画像
信号Ｓ１を得る読取手段29を備えた構成である。

【００５４】また、上記各実施形態の放射線画像情報読
取装置は、励起光の光源とラインセンサとをいずれもシ
ートの同一面側に配して、励起光が入射したシート面か
ら出射する輝尽発光光を受光するようにした反射光集光
型の構成を採用したが、本発明の放射線画像情報読取装
置はこのような構成のものに限るものではなく、支持体
が輝尽発光光透過性の材料により形成された蓄積性蛍光
体シートを用いることによって、図７に示すように、励
起光の光源とラインセンサとを互いにシートの異なる面
側に配して、励起光が入射したシート面の反対側の面か
ら出射する輝尽発光光を受光するようにした透過光集光
型の構成を採用することもできる。

【００５５】すなわち図示の放射線画像情報読取装置
は、蓄積性蛍光体シート50の前端部および後端部（当該
前端部および後端部には放射線画像が記録されていない
か、または記録されていても関心領域ではないものであ
る）を支持して矢印Ｙ方向にシートを搬送する走査ベル
ト40′、線状の励起光Ｌをシート50表面に対して略直交
する方向に発するＢＬＤ11、ＢＬＤ11から出射された線
状の励起光Ｌを集光するコリメータレンズおよび一方向
にのみビームを拡げるトーリックレンズの組合せからな
り、シート50表面に線状の励起光Ｌを照射する光学系1
2、シート50の表面に略直交する光軸を有し、励起光Ｌ
の照射によりシート50の裏面（励起光Ｌの入射面に対し
て反対側の面）から発せられた輝尽発光光Ｍ′を後述す
るラインセンサ20を構成する各光電変換素子21の受光面
に集光させるセルフォックレンズアレイ16、セルフォッ
クレンズアレイ16に入射する輝尽発光光Ｍ′に混在する
励起光Ｌをカットする励起光カットフィルタ17、励起光
カットフィルタ17を透過した輝尽発光光Ｍ′を受光して
光電変換する多数の光電変換素子21が配列されたライン
センサ20、およびラインセンサ20を構成する各光電変換
素子21から出力された信号Ｑを読み取って画像信号Ｓ１
を得る読取手段29を備えた構成である。

【００５６】また、支持体が輝尽発光光透過性の材料に
より形成された蓄積性蛍光体シートを使用し、図８に示
すように、２つのラインセンサをシートの両面側に配し
て、励起光が入射したシートの両面から出射する輝尽発
光光を受光するようにした両面読取り型の構成を採用す
ることもできる。

【００５７】すなわち図８に示す放射線画像情報読取装
置は、蓄積性蛍光体シート50の前端部および後端部を支
持して矢印Ｙ方向にシート50を搬送する走査ベルト4
0′、線状の励起光Ｌをシート50表面に向けて出射する
ＢＬＤ11、ＢＬＤ11から出射された線状の励起光Ｌを集
光するコリメータレンズおよび一方向にのみビームを拡
げるトーリックレンズの組合せからなる光学系12、シー
ト50表面に対して45度の角度だけ傾けて配された、励起
光Ｌを反射し後述する輝尽発光光Ｍを透過するように設
定されたダイクロイックミラー14、ダイクロイックミラ
ー14により反射された線状の励起光Ｌを、シート50上に
矢印Ｘ方向に沿って延びる線状に集光するとともに、線
状の励起光Ｌが集光されてシート50から発せられる、蓄
積記録された放射線画像情報に応じた輝尽発光光Ｍを平
行光束とするセルフォックレンズアレイ15、シート50の
表面（励起光Ｌが照射される面）から発せられダイクロ
イックミラー14を透過した輝尽発光光Ｍをラインセンサ
20aを構成する各光電変換素子21aの受光面に集光させる
セルフォックレンズアレイ16a、セルフォックレンズア
レイ16aを透過した輝尽発光光Ｍに混在する励起光Ｌを
カットする励起光カットフィルタ17a、励起光カットフ
ィルタ17aを透過した輝尽発光光Ｍを受光して光電変換
する多数の光電変換素子21aが配列されたラインセンサ2
0a、ラインセンサ20aを構成する各光電変換素子21aから
出力された信号Ｑａを、シート50の移動に応じて順次読
み取ることにより、シート50に蓄積記録された放射線画
像情報を表す画像信号Ｓ１aを得る読取手段29a、シート
50の裏面（励起光Ｌが照射される側とは反対側の面）か
ら発せられた輝尽発光光Ｍ′を、ラインセンサ20bを構
成する各光電変換素子21bの受光面に集光させるセルフ
ォックレンズアレイ16b、セルフォックレンズアレイ16b
を透過した輝尽発光光Ｍ′に混在する励起光Ｌをカット
する励起光カットフィルタ17b、励起光カットフィルタ1
7bを透過した輝尽発光光Ｍ′を受光して光電変換する多
数の光電変換素子21bが配列されたラインセンサ20b、お
よびラインセンサ20bを構成する各光電変換素子21bから
出力された信号Ｑｂを、シート50の移動に応じて順次読
み取ることにより、シート50に蓄積記録された放射線画
像情報を表す画像信号Ｓ１bを得る読取手段29bを備えた
構成である。

【００５８】また、上記各実施形態においては、蓄積性
蛍光体シートをライン光源およびラインセンサに対して
移動させて放射線画像の読取りを行っているが、ライン
光源およびラインセンサを蓄積性蛍光体シートに対して
移動させて放射線画像の読取りを行ってもよい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の放射線画像情報読取装置の一実施形態
を示す構成図

【図２】図１に示した放射線画像情報読取装置のライン
センサの詳細を示す図

【図３】欠陥光電変換素子の信号値の算出を説明するた
めの図

【図４】ラインセンサの他の例を示す図

【図５】図４に示すラインセンサを用いた放射線画像情
報読取装置における欠陥光電変換素子の信号値の算出を
説明するための図

【図６】本発明の放射線画像情報読取装置の他の実施形
態を示す構成図（その１）

【図７】本発明の放射線画像情報読取装置の他の実施形
態を示す構成図（その２）

【図８】本発明の放射線画像情報読取装置の他の実施形
態を示す構成図（その３）

【符号の説明】

11 ブロードエリア半導体レーザ（ＢＬＤ） 12 コリメータレンズとトーリックレンズからなる光
学系 14 ダイクロイックミラー 15,16 セルフォックレンズアレイ 17 励起光カットフィルタ 20 ラインセンサ 21 光電変換素子 23 欠陥光電変換素子 29 読取手段 40 走査ベルト 50 蓄積性蛍光体シート Ｌ レーザ光 Ｍ 輝尽発光光

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 放射線画像情報が蓄積記録された蓄積
   性蛍光体シートから該放射線画像情報を表す画像信号を
   得る放射線画像情報読取装置において、 前記蓄積性蛍光体シートの一部に励起光を線状に照射す
   るライン光源と、 前記シートの線状に照射された部分またはこの照射され
   た部分に対応するシートの裏面側の部分から発光された
   輝尽発光光を受光して光電変換を行う、該部分の長さ方
   向に、前記画像信号により表される放射線画像の該長さ
   方向における画素数よりも多数の光電変換素子が配設さ
   れたラインセンサと、 前記ライン光源および前記ラインセンサを前記シートに
   対して相対的に、前記長さ方向とは異なる方向に移動さ
   せる走査手段と、 前記ラインセンサの出力を前記シートの移動に応じて順
   次読み取ることにより、前記放射線画像情報を表す画像
   信号を得るに際し、前記ラインセンサが欠陥光電変換素
   子を有する場合には、該欠陥光電変換素子に前記長さ方
   向において隣接する１以上の光電変換素子において得ら
   れた信号値に基づいて、前記欠陥光電変換素子の信号値
   を得る読取手段とを備えたことを特徴とする放射線画像
   情報読取装置。
2. 【請求項２】 放射線画像情報が蓄積記録された蓄積
   性蛍光体シートから該放射線画像情報を表す画像信号を
   得る放射線画像情報読取装置において、 前記蓄積性蛍光体シートの一部に励起光を線状に照射す
   るライン光源と、 前記シートの線状に照射された部分またはこの照射され
   た部分に対応するシートの裏面側の部分から発光された
   輝尽発光光を受光して光電変換を行う複数の光電変換素
   子が、該部分から発光される輝尽発光光を多数の光電変
   換素子にて受光可能なように、該部分の長さ方向および
   該長さ方向に直交する方向に配設されたラインセンサ
   と、 前記ライン光源および前記ラインセンサを前記シートに
   対して相対的に、前記長さ方向とは異なる方向に移動さ
   せる走査手段と、 前記ラインセンサの出力を前記シートの移動に応じて順
   次読み取ることにより、前記放射線画像情報を表す画像
   信号を得るに際し、前記ラインセンサが欠陥光電変換素
   子を有する場合には、前記蓄積性蛍光体シートの該欠陥
   光電変換素子に対応する部分から発せられる輝尽発光光
   を受光する光電変換素子にて得られる信号値に基づい
   て、該欠陥光電変換素子に対応する信号値を得る読取手
   段とを備えたことを特徴とする放射線画像情報読取装
   置。