JP2002069627A5 - Sputtering target, sputtering device using the same, thin film, and electronic component - Google Patents
Sputtering target, sputtering device using the same, thin film, and electronic component Download PDFInfo
- Publication number
- JP2002069627A5 JP2002069627A5 JP2000261375A JP2000261375A JP2002069627A5 JP 2002069627 A5 JP2002069627 A5 JP 2002069627A5 JP 2000261375 A JP2000261375 A JP 2000261375A JP 2000261375 A JP2000261375 A JP 2000261375A JP 2002069627 A5 JP2002069627 A5 JP 2002069627A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sputtering
- sputtering target
- electronic component
- target
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Description
【特許請求の範囲】
【請求項１】 成膜材料からなるターゲット本体を具備するスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲット本体の少なくとも非エロージョン部の一部に、エッチング処理またはポリッシング処理が施された表面処理領域を有することを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項２】 請求項１記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記表面処理領域は、前記ターゲット本体のスパッタ面を含む露出表面全面に設けられていることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項３】 請求項１または請求項２記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲット本体はバッキングプレートにより支持されていることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項４】 成膜材料からなるターゲット本体と、前記ターゲット本体を支持するバッキングプレートとを具備するスパッタリングターゲットにおいて、
前記バッキングプレートの露出表面の少なくとも一部に、エッチング処理またはポリッシング処理が施された表面処理領域を有することを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項５】 請求項４記載のスパッタリングターゲットにおいて、
さらに、前記ターゲット本体の少なくとも非エロージョン部の一部に、エッチング処理またはポリッシング処理が施された表面処理領域を有することを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項６】 請求項１ないし請求項５のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記表面処理領域はＲａで1.5μm以下でかつＲｙで10μm以下の表面粗さを有することを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項７】 請求項６記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記表面処理領域の表面粗さのバラツキが15％以内であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項８】 請求項１ないし請求項７のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲット本体は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｃｕ、ＳｉおよびＧｅから選ばれる金属元素の単体、もしくは前記金属元素を含む合金または化合物からなることを特徴するスパッタリングターゲット。
【請求項９】 真空容器と、前記真空容器内に配置される被成膜試料保持部と、前記真空容器内に前記被成膜試料保持部と対向して配置されるターゲット部とを具備するスパッタリング装置において、
前記ターゲット部は、請求項１ないし請求項８のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットを有することを特徴とするスパッタリング装置。
【請求項１０】 請求項１ないし請求項８のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットを用いて形成されたことを特徴とする薄膜。
【請求項１１】 請求項１ないし請求項８のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットを用いて形成された薄膜を具備することを特徴とする電子部品。
【請求項１２】 請求項１１記載の電子部品において、
前記薄膜は配線膜、電極、または素子構成膜であることを特徴とする電子部品。
【請求項１３】 請求項１１または請求項１２記載の電子部品において、
半導体素子であることを特徴とする電子部品。
【請求項１４】 請求項１１または請求項１２記載の電子部品において、
液晶表示素子であることを特徴とする電子部品。
[Claims]
1. A sputtering target having a target body made of a film forming material,
A sputtering target, characterized in that at least a part of the non-erosion portion of the target main body has a surface treatment region subjected to an etching process or a polishing process.
2. The sputtering target according to claim 1, wherein
The sputtering target, wherein the surface treatment region is provided on an entire exposed surface including a sputtering surface of the target main body.
3. The sputtering target according to claim 1, wherein
The said target main body is supported by the backing plate, The sputtering target characterized by the above-mentioned.
4. A sputtering target, comprising: a target main body made of a film forming material; and a backing plate supporting the target main body.
A sputtering target, characterized in that at least a part of an exposed surface of the backing plate has a surface-treated region subjected to an etching process or a polishing process.
5. The sputtering target according to claim 4, wherein
Further, a sputtering target characterized in that at least a part of the non-erosion portion of the target main body has a surface treatment region subjected to an etching process or a polishing process.
6. The sputtering target according to any one of claims 1 to 5, wherein
The surface treatment region has a surface roughness of 1.5 μm or less in Ra and 10 μm or less in Ry.
7. The sputtering target according to claim 6, wherein
A sputtering target, wherein a variation in surface roughness of the surface treatment region is within 15%.
8. The sputtering target according to any one of claims 1 to 7, wherein
The target body is made of a metal element selected from Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Pt, Ag, Ir, Ru, Fe, Ni, Co, Al, Cu, Si and Ge. A sputtering target comprising a simple substance or an alloy or a compound containing the metal element.
9. A vacuum container, a film-holding sample holding unit disposed in the vacuum container, and a target unit disposed in the vacuum container so as to face the film-holding sample holding unit. In sputtering equipment,
A sputtering apparatus, wherein the target section has the sputtering target according to any one of claims 1 to 8.
10. A thin film formed by using the sputtering target according to claim 1.
11. An electronic component, comprising: a thin film formed by using the sputtering target according to claim 1.
12. The electronic component according to claim 11,
The electronic component, wherein the thin film is a wiring film, an electrode, or an element constituent film.
Claim 13 The electronic component according to claim 11 or 12,
An electronic component, which is a semiconductor element.
14. The electronic component according to claim 11 or 12,
An electronic component, which is a liquid crystal display element.
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、各種電子部品の配線膜、電極、素子構成膜などを形成する際に用いられるスパッタリングターゲットとそれを用いたスパッタリング装置、薄膜、および電子部品に関する。
[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a sputtering target used for forming a wiring film, an electrode, an element constituent film, and the like of various electronic components, a sputtering apparatus using the sputtering target , a thin film, and an electronic component .
また、本発明のスパッタリング装置は、請求項９に記載したように、真空容器と、前記真空容器内に配置される被成膜試料保持部と、前記真空容器内に前記被成膜試料保持部と対向して配置されるターゲット部とを具備するスパッタリング装置において、前記ターゲット部は上記した本発明のスパッタリングターゲットを有することを特徴としている。
本発明の薄膜は、本発明のスパッタリングターゲットを用いて形成されたことを特徴としている。本発明の電子部品は、本発明のスパッタリングターゲットを用いて形成された薄膜を具備することを特徴としている。
Further, as described in claim 9, the sputtering apparatus according to the present invention includes a vacuum container, a film-forming sample holding unit disposed in the vacuum container, and a film-forming sample holding unit in the vacuum container. And a target unit disposed opposite to the sputtering unit, wherein the target unit includes the above-described sputtering target of the present invention.
The thin film of the present invention is characterized by being formed using the sputtering target of the present invention. An electronic component according to the present invention includes a thin film formed using the sputtering target according to the present invention.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000261375A JP4709358B2 (en) | 2000-08-30 | 2000-08-30 | Sputtering target and sputtering apparatus, thin film, and electronic component using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000261375A JP4709358B2 (en) | 2000-08-30 | 2000-08-30 | Sputtering target and sputtering apparatus, thin film, and electronic component using the same |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002069627A JP2002069627A (en) | 2002-03-08 |
| JP2002069627A5 true JP2002069627A5 (en) | 2007-10-11 |
| JP4709358B2 JP4709358B2 (en) | 2011-06-22 |
Family
ID=18749223
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000261375A Expired - Lifetime JP4709358B2 (en) | 2000-08-30 | 2000-08-30 | Sputtering target and sputtering apparatus, thin film, and electronic component using the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4709358B2 (en) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050028838A1 (en) * | 2002-11-25 | 2005-02-10 | Karl Brueckner | Cleaning tantalum-containing deposits from process chamber components |
| JP2006316339A (en) * | 2005-04-12 | 2006-11-24 | Kobe Steel Ltd | Aluminum-based sputtering target |
| JP2008110902A (en) * | 2006-10-31 | 2008-05-15 | Olympus Corp | Optical element forming die and its production method |
| US8562794B2 (en) | 2010-12-14 | 2013-10-22 | Asahi Glass Company, Limited | Process for producing reflective mask blank for EUV lithography and process for producing substrate with functional film for the mask blank |
| US9870902B2 (en) * | 2013-04-30 | 2018-01-16 | Kobelco Research Institute, Inc. | Li-containing oxide target assembly |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03257158A (en) * | 1990-03-07 | 1991-11-15 | Toshiba Corp | Sputtering target |
| JPH09209135A (en) * | 1996-02-01 | 1997-08-12 | Mitsubishi Materials Corp | Target for magnetron sputtering |
| JP3755559B2 (en) * | 1997-04-15 | 2006-03-15 | 株式会社日鉱マテリアルズ | Sputtering target |
| JP3802683B2 (en) * | 1998-07-27 | 2006-07-26 | 新日本製鐵株式会社 | High purity titanium plate for titanium target material and method for producing the same |
| WO2000040769A1 (en) * | 1998-12-28 | 2000-07-13 | Japan Energy Corporation | Sputtering target |
| JP3820787B2 (en) * | 1999-01-08 | 2006-09-13 | 日鉱金属株式会社 | Sputtering target and manufacturing method thereof |
| JP2002038259A (en) * | 2000-07-24 | 2002-02-06 | Honeywell Electronics Japan Kk | Sputtering target material |
-
2000
- 2000-08-30 JP JP2000261375A patent/JP4709358B2/en not_active Expired - Lifetime
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6276327B2 (en) | Targets containing molybdenum | |
| TW533514B (en) | Physical vapor deposition target/backing plate assemblies; and methods of forming physical vapor deposition target/backing plate assemblies | |
| US4557981A (en) | Article comprising a substrate having a hard and corrosion-proof coating thereon | |
| JPS6032335B2 (en) | Method for forming amorphous magnetic thin film | |
| CN105908139B (en) | Wiring membrane and coating formation sputtering target material is laminated in electronic component-use | |
| TW200831692A (en) | Novel manufacturing design and processing methods and apparatus for PVD targets | |
| JP2011523978A (en) | Molybdenum-niobium alloy, sputtering target containing such alloy, method for producing such target, thin film produced therefrom, and use thereof | |
| KR20050054469A (en) | Ag-base alloy wiring/electrode film for flat panel display, ag-base alloy sputtering target, and flat panel display | |
| JP2004523652A5 (en) | ||
| JP2002069627A5 (en) | Sputtering target, sputtering device using the same, thin film, and electronic component | |
| JP2001316808A5 (en) | Sputtering target and thin film and electronic parts using the same | |
| JP6823799B2 (en) | Laminated wiring film for electronic components and sputtering target material for coating layer formation | |
| JP2000199054A (en) | Aluminum alloy sputtering target material | |
| CN106544629A (en) | A kind of preparation method and device of large scale self-supporting beryllium film | |
| JP2002146523A5 (en) | Sputtering target and sputtering device, thin film, electronic component using it | |
| JP2002069610A5 (en) | Sputtering target, sputtering device using the same, thin film, and electronic component | |
| JP2002167668A (en) | Sputtering target | |
| JP6380837B2 (en) | Sputtering target material for forming coating layer and method for producing the same | |
| CN106191793B (en) | Film forming apparatus and cleaning method thereof | |
| US5068020A (en) | Coated substrates and process | |
| KR100297330B1 (en) | Aluminum or aluminum alloy sputtering target and method for manufacturing the same | |
| JP4709358B2 (en) | Sputtering target and sputtering apparatus, thin film, and electronic component using the same | |
| JP2002069624A5 (en) | Sputtering target, Ge-based thin film and optical disk using the same, semiconductor device, liquid crystal display element, PDP | |
| JP2002038258A5 (en) | Sputtering target and Ge layer, Ge compound layer, Ge alloy layer and optical disk, electric / electronic component, magnetic component using the same | |
| JPS63162861A (en) | Thin film deposition device |