【特許請求の範囲】
【請求項１】 外周側に段状部を有するターゲット本体と、前記ターゲット本体の下面側を支持するバッキングプレートと、前記ターゲット本体の外周部外側に配置され、前記ターゲット本体の前記段状部の段面を保持するターゲット押え治具とを具備するスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲット本体の外周側に設けられた前記段状部の段面に、凹状のダスト抑制部が形成されていることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項２】 外周側に段状部を有するターゲット本体と、前記ターゲット本体の下面側を支持するバッキングプレートと、前記ターゲット本体の外周部外側に配置され、前記ターゲット本体の前記段状部の段面を保持するターゲット押え治具とを具備するスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲット本体の外周側に設けられた前記段状部の段差面に、凹状のダスト抑制部が形成されていることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項３】 外周側に段状部を有するターゲット本体と、前記ターゲット本体の下面側を支持するバッキングプレートと、前記ターゲット本体の外周部外側に配置され、前記ターゲット本体の前記段状部の段面を保持するターゲット押え治具とを具備するスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲット本体の外周側に設けられた前記段状部の段面および段差面に、それぞれ凹状のダスト抑制部が形成されていることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項４】 請求項１ないし請求項３のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記凹状のダスト抑制部は、深さ0.5mm以上の形状を有することを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項５】 請求項１ないし請求項４のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲット本体は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｇｅ、ＣｏおよびＦｅから選ばれる金属元素の単体、もしくは前記金属元素を含む合金または化合物からなることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項６】 真空容器と、前記真空容器内に配置される被成膜試料保持部と、前記真空容器内に前記被成膜試料保持部と対向して配置されるターゲット部とを具備するスパッタリング装置において、
前記ターゲット部は、請求項１ないし請求項５のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットを有することを特徴とするスパッタリング装置。
【請求項７】 請求項１ないし請求項５のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットを用いて形成されたことを特徴とする薄膜。
【請求項８】 請求項１ないし請求項５のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットを用いて形成された薄膜を具備することを特徴とする電子部品。
【請求項９】 請求項８記載の電子部品において、
前記薄膜は配線膜、電極、またはバリア層であることを特徴とする電子部品。
【請求項１０】 請求項８または請求項９記載の電子部品において、
半導体素子であることを特徴とする電子部品。
【請求項１１】 請求項８または請求項９記載の電子部品において、
液晶表示素子であることを特徴とする電子部品。
[Claims]
A target body having a stepped portion on an outer peripheral side; a backing plate supporting a lower surface side of the target body; and a backing plate disposed outside the outer peripheral portion of the target body, the target body having a stepped portion. In a sputtering target having a target holding jig for holding a stepped surface,
A sputtering target, wherein a concave dust suppressing portion is formed on a step surface of the step portion provided on an outer peripheral side of the target main body.
2. A target main body having a stepped portion on an outer peripheral side, a backing plate for supporting a lower surface side of the target main body, and a target main body disposed outside the outer peripheral portion of the target main body, the target main body having a stepped portion. In a sputtering target having a target holding jig for holding a stepped surface,
A sputtering target, wherein a concave dust suppressing portion is formed on a step surface of the step portion provided on an outer peripheral side of the target main body.
3. A target main body having a stepped portion on an outer peripheral side, a backing plate supporting a lower surface side of the target main body, and a backing plate disposed outside an outer peripheral portion of the target main body, the target main body having a stepped portion. In a sputtering target having a target holding jig for holding a stepped surface,
A sputtering target, wherein a concave dust suppressing portion is formed on each of a step surface and a step surface of the step portion provided on an outer peripheral side of the target body.
4. The sputtering target according to any one of claims 1 to 3, wherein
The sputtering target, wherein the concave dust suppressing portion has a shape with a depth of 0.5 mm or more.
5. The sputtering target according to claim 1, wherein:
The target body is a metal selected from Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Pt, Ag, Ir, Ru, Ni, Co, Al, Cu, Si, Ge, Co and Fe. A sputtering target comprising a simple substance of an element or an alloy or a compound containing the metal element.
6. A vacuum container, a film-holding sample holding unit disposed in the vacuum container, and a target unit disposed in the vacuum container so as to face the film-holding sample holding unit. In sputtering equipment,
A sputtering apparatus, wherein the target section includes the sputtering target according to any one of claims 1 to 5.
7. A thin film formed by using the sputtering target according to claim 1.
Claim 8. An electronic component, comprising: a thin film formed by using the sputtering target according to claim 1.
9. The electronic component according to claim 8,
The electronic component, wherein the thin film is a wiring film, an electrode, or a barrier layer.
10. The electronic component according to claim 8 or claim 9,
An electronic component, which is a semiconductor element.
11. The electronic component according to claim 8 or claim 9,
An electronic component, which is a liquid crystal display element.
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、スパッタリングターゲットとそれを用いたスパッタリング装置、薄膜、および電子部品に関する。
[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a sputtering target, a sputtering device using the same , a thin film, and an electronic component .
本発明のスパッタリング装置は、請求項６に記載したように、真空容器と、前記真空容器内に配置される被成膜試料保持部と、前記真空容器内に前記被成膜試料保持部と対向して配置されるターゲット部とを具備するスパッタリング装置において、前記ターゲット部は上記した本発明のスパッタリングターゲットを有することを特徴としている。
本発明の薄膜は、本発明のスパッタリングターゲットを用いて形成されたことを特徴としている。本発明の電子部品は、本発明のスパッタリングターゲットを用いて形成された薄膜を具備することを特徴としている。
As described in claim 6, the sputtering apparatus of the present invention has a vacuum vessel, a film-forming sample holding unit disposed in the vacuum vessel, and faces the film-forming sample holding unit in the vacuum vessel. And a target portion arranged in the manner described above, wherein the target portion has the above-described sputtering target of the present invention.
The thin film of the present invention is characterized by being formed using the sputtering target of the present invention. An electronic component according to the present invention includes a thin film formed using the sputtering target according to the present invention.