JP2002038258A5 - Sputtering target and Ge layer, Ge compound layer, Ge alloy layer and optical disk, electric / electronic component, magnetic component using the same - Google Patents
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【特許請求の範囲】
【請求項１】 高純度Ｇｅ、もしくはＢ、Ｃ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｏ、ＩｒおよびＲｕから選ばれる少なくとも1種の元素を0.1〜50原子％の範囲で含むＧｅ合金からなるスパッタリングターゲットであって、
前記ターゲット表面の面方位をＸ線回折法で測定した際の(111)面のピーク強度に対する(220)面のピーク強度の比（(220)／(111)）が0.3以上であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項２】 請求項１記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲット表面全体における前記(220)／(111)ピーク強度比のバラツキが±30％以内であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項３】 請求項１または請求項２記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲットはバッキングプレートと接合されていることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項４】 請求項１ないし請求項３のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲットは光ディスクの構成層を形成する際に用いられることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項５】 請求項１ないし請求項３のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲットは光ディスクの中間層を構成するＧｅ層、Ｇｅ化合物層またはＧｅ合金層を形成する際に用いられることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項６】 請求項１ないし請求項３のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットを用いて形成されたことを特徴とするＧｅ層。
【請求項７】 請求項１ないし請求項３のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットを用いて形成されたことを特徴とするＧｅ化合物層。
【請求項８】 請求項１ないし請求項３のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットを用いて形成されたことを特徴とするＧｅ合金層。
【請求項９】 請求項１ないし請求項３のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットを用いて形成されたＧｅ層、Ｇｅ化合物層またはＧｅ合金層を具備することを特徴とする光ディスク。
【請求項１０】 請求項１ないし請求項３のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットを用いて形成されたＧｅ層、Ｇｅ化合物層またはＧｅ合金層を具備することを特徴とする電気・電子部品。
【請求項１１】 請求項１ないし請求項３のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットを用いて形成されたＧｅ層、Ｇｅ化合物層またはＧｅ合金層を具備することを特徴とする磁気部品。
[Claims]
1. High purity Ge or selected from B, C, Al, Si, Fe, Cr, Ta, Nb, Cu, Mn, Mo, W, Ni, Ti, Zr, Hf, Co, Ir and Ru. A sputtering target comprising a Ge alloy containing at least one element in a range of 0.1 to 50 atomic%,
The ratio of the peak intensity of the (220) plane to the peak intensity of the (111) plane when the plane orientation of the target surface is measured by X-ray diffraction ((220) / (111)) is 0.3 or more. Sputtering target.
2. The sputtering target according to claim 1, wherein
A sputtering target, wherein the variation of the (220) / (111) peak intensity ratio over the entire surface of the target is within ± 30%.
3. The sputtering target according to claim 1, wherein
The said target is joined with the backing plate, The sputtering target characterized by the above-mentioned.
4. The sputtering target according to claim 1, wherein:
The sputtering target is used when forming a constituent layer of an optical disk.
5. The sputtering target according to any one of claims 1 to 3, wherein
A sputtering target, wherein the target is used when forming a Ge layer, a Ge compound layer, or a Ge alloy layer constituting an intermediate layer of an optical disc.
[Claim 6] A Ge layer formed using the sputtering target according to any one of claims 1 to 3.
[Claim 7] A Ge compound layer formed by using the sputtering target according to claim 1.
[Claim 8] A Ge alloy layer formed by using the sputtering target according to claim 1.
[Claim 9] An optical disk comprising a Ge layer, a Ge compound layer, or a Ge alloy layer formed using the sputtering target according to claim 1.
[Claim 10] An electric / electronic component comprising a Ge layer, a Ge compound layer, or a Ge alloy layer formed by using the sputtering target according to claim 1.
11. A magnetic component comprising a Ge layer, a Ge compound layer, or a Ge alloy layer formed by using the sputtering target according to claim 1.
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば光ディスクの構成層としてのＧｅ層、Ｇｅ化合物層、Ｇｅ合金層などを形成する際に用いられるスパッタリングターゲットと、それを用いたＧｅ層、Ｇｅ化合物層、Ｇｅ合金層および光ディスク、電気・電子部品、磁気部品に関する。
[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention provides, for example, a sputtering target used when forming a Ge layer, a Ge compound layer, a Ge alloy layer, and the like as constituent layers of an optical disc, and a Ge layer, a Ge compound layer, a Ge alloy layer, and an optical disc using the same. Related to electric / electronic parts and magnetic parts .
本発明のスパッタリングターゲットは、例えば請求項３に記載したように、バッキングプレートと接合されて用いられる。また、本発明のスパッタリングターゲットは、例えば請求項４に記載したように、光ディスクの構成層を形成する際に用いられるものである。特に、請求項５に記載したように、相変化型などの光ディスクの中間層を構成するＧｅ層、Ｇｅ化合物層、Ｇｅ合金層の形成用として好適である。
また、本発明のＧｅ層、Ｇｅ化合物層またはＧｅ合金層は、本発明のスパッタリングターゲットを用いて形成されたことを特徴としている。本発明の光ディスクは、本発明のスパッタリングターゲットを用いて形成されたＧｅ層、Ｇｅ化合物層またはＧｅ合金層を具備することを特徴としている。本発明の電気・電子部品は、本発明のスパッタリングターゲットを用いて形成されたＧｅ層、Ｇｅ化合物層またはＧｅ合金層を具備することを特徴としている。本発明の磁気部品は、本発明のスパッタリングターゲットを用いて形成されたＧｅ層、Ｇｅ化合物層またはＧｅ合金層を具備することを特徴としている。
The sputtering target of the present invention is used by being joined to a backing plate, for example. The sputtering target according to the present invention is used, for example, when forming a constituent layer of an optical disk. In particular, as described in claim 5, it is suitable for forming a Ge layer, a Ge compound layer, and a Ge alloy layer constituting an intermediate layer of an optical disk of a phase change type or the like.
Further, the Ge layer, the Ge compound layer, or the Ge alloy layer of the present invention is formed using the sputtering target of the present invention. An optical disc according to the present invention includes a Ge layer, a Ge compound layer, or a Ge alloy layer formed using the sputtering target according to the present invention. An electric / electronic component according to the present invention includes a Ge layer, a Ge compound layer, or a Ge alloy layer formed using the sputtering target according to the present invention. The magnetic component of the present invention is characterized by including a Ge layer, a Ge compound layer, or a Ge alloy layer formed using the sputtering target of the present invention.
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