JP2000178724A - Sputtering target and optical information recording medium - Google Patents

Sputtering target and optical information recording medium

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JP2000178724A
JP2000178724A JP10352581A JP35258198A JP2000178724A JP 2000178724 A JP2000178724 A JP 2000178724A JP 10352581 A JP10352581 A JP 10352581A JP 35258198 A JP35258198 A JP 35258198A JP 2000178724 A JP2000178724 A JP 2000178724A
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powder
thin film
sputtering target
region
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Rie Kojima
理恵 児島
Eiji Ono
鋭二 大野
Yoshitaka Sakagami
嘉孝 坂上
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a sputtering target capable of forming a thin film having a stable compsn. from the point directly after the start of use to exhaustion. SOLUTION: A compositional discontinuous face orthogonal to the thickness direction is set, and the space between the upper face which is the face on the side in which sputtering is started and the compositional discontinuous face is defined as a 1st region. Moreover, for forming a thin film contg. plural components in desired rations from the point directly after the start of use, as for each component in the 1st region part, setting is executed in such a manner that the content of the one lower in the sputtering rate is made relatively large compared to the desired ratio of the thin film.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、光学情報記録媒体
の製造に用いることができるスパッタリングタ−ゲット
とそれを用いて作成した光学情報記録媒体に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a sputtering target which can be used for manufacturing an optical information recording medium, and an optical information recording medium prepared using the same.

【０００２】[0002]

【従来の技術】光学情報記録媒体は、基板上に少なくと
も光干渉層、記録層及び反射層等の複数の層を積層する
ことにより作成される。光干渉層、記録層及び反射層
は、スパッタリングタ−ゲットをスパッタリングして形
成した厚さ数十から数百（ｎｍ）の薄膜から形成され
る。2. Description of the Related Art An optical information recording medium is produced by laminating at least a plurality of layers such as a light interference layer, a recording layer and a reflection layer on a substrate. The light interference layer, the recording layer and the reflection layer are formed from thin films having a thickness of several tens to several hundreds (nm) formed by sputtering a sputtering target.

【０００３】以下、光干渉層、記録層及び反射層につい
て説明する。光干渉層は誘電体薄膜であり、光学距離を
調節して記録層への光吸収効率を高め、情報の記録前と
情報の記録後の反射光量の変化を大きくして信号振幅を
増大する働きがある。さらに、光干渉層は、例えば、Ｓ
ｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5などの酸化物、ＳｉＮ、ＡｌＮ、Ｔｉ
Ｎ、ＴａＮ、ＺｒＮ、ＧｅＮ等の窒化物、ＺｎＳ等の硫
化物、ＳｉＣなどの炭化物、ＣａＦ2等のフッ化物、Ｚ
ｎＳｅ等のセレン化又はこれらの混合物から形成され
る。特に、非晶質材料と硫化物との混合物であるＺｎＳ
−ＳｉＯ2又はＺｎＳｅ−ＳｉＯ2は、高屈折率を有し、
成膜速度も速く、機械特性及び耐湿性も良好であるか
ら、光干渉層として注目されている。尚、光干渉層中の
ＳｉＯ2の濃度が高いと、耐クラック性が弱くなるた
め、光干渉層に含有されるＳｉＯ2濃度は５０％以下が
好ましいとされる。Hereinafter, the light interference layer, the recording layer and the reflection layer will be described. The light interference layer is a dielectric thin film that adjusts the optical distance to increase the light absorption efficiency of the recording layer, and increases the signal amplitude by increasing the change in the amount of reflected light before and after recording information. There is. Further, the light interference layer is, for example, S
oxides such as iO 2, Ta 2 O 5, SiN, AlN, Ti
Nitrides such as N, TaN, ZrN, and GeN; sulfides such as ZnS; carbides such as SiC; fluorides such as CaF 2 ;
It is formed from selenization such as nSe or a mixture thereof. In particular, ZnS which is a mixture of an amorphous material and a sulfide
-SiO 2 or ZnSe-SiO 2 has a high refractive index,
Because of its high film formation rate and good mechanical properties and moisture resistance, it is attracting attention as a light interference layer. Incidentally, if the concentration of SiO 2 in the light interference layer is high, the crack resistance becomes weak, so that the concentration of SiO 2 contained in the light interference layer is preferably 50% or less.

【０００４】このような光干渉層の膜厚は、例えばマト
リクス法（例えば久保田広著「波動光学」岩波新書，１
９７１年，第３章を参照）に基づく計算により、記録層
が結晶状態である場合（記録前）と、記録層がアモルフ
ァス状態である場合（記録後）とで、反射する光量の変
化がより大きく、かつ記録層への光吸収率がより大きく
なる条件を満足するように厳密に決定する必要がある。The thickness of such an optical interference layer is determined, for example, by a matrix method (for example, Hiroshi Kubota, “Wave Optics”, Iwanami Shinsho, 1).
971, see Chapter 3), the change in the amount of reflected light between the case where the recording layer is in a crystalline state (before recording) and the case where the recording layer is in an amorphous state (after recording) is larger. It must be strictly determined so as to satisfy the condition that it is large and the light absorption rate to the recording layer becomes larger.

【０００５】記録層は、結晶相とアモルファス相との間
で可逆的な相変態を起こす材料として、Ｔｅ、Ｇｅ、Ｓ
ｂを含むＴｅ−Ｇｅ−Ｓｂ、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｐｄ、
Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｓｅ、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｂｉ、Ｔ
ｅ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｃｒの系に窒素を添加して作製され
る。これらの系の中で、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｂは、擬二元系
組成であるＧｅＴｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3が高速結晶化したもの
であり、良好な記録消去性能を確保することができる。
特に、混合比をＧｅＴｅ：Ｓｂ2Ｔｅ3＝２：１近傍とす
ると、最も相安定性に優れ、実用的に好ましい組成とな
る。このようなＴｅ、Ｇｅ、Ｓｂを含む系に窒素を添加
する記録層は、Ｔｅ、Ｇｅ、Ｓｂを含む系の材料を母材
として、Ａｒガス及びＮ2ガス雰囲気中で反応性スパッ
タリング法により形成される。[0005] The recording layer is made of a material that causes a reversible phase transformation between a crystalline phase and an amorphous phase.
b, Te-Ge-Sb, Te-Ge-Sb-Pd,
Te-Ge-Sb-Se, Te-Ge-Sb-Bi, T
It is manufactured by adding nitrogen to an e-Ge-Sb-Cr system. Among these systems, Te-Ge-Sb is obtained by crystallizing GeTe-Sb 2 Te 3 , which is a pseudo-binary composition, at a high speed, and can secure good recording / erasing performance.
In particular, when the mixing ratio is in the vicinity of GeTe: Sb 2 Te 3 = 2: 1, the composition has the most excellent phase stability and is a practically preferable composition. Such a recording layer in which nitrogen is added to a system containing Te, Ge and Sb is formed by a reactive sputtering method in an atmosphere of Ar gas and N 2 gas using a material of a system containing Te, Ge and Sb as a base material. Is done.

【０００６】反射層は、記録層に吸収される光量を増大
させるという光学的役割、記録層で生じた熱を速やかに
拡散させるという熱的な役割、及び多層膜を使用環境か
ら保護する役割を有する。従って、反射層は、耐食性及
び放熱性に優れた材料で形成する必要がある。具体的に
は、Ａｌ、Ａｌを主成分とする合金，Ａｕ、Ａｕを主成
分とする合金等が用いられる。[0006] The reflective layer has an optical role of increasing the amount of light absorbed by the recording layer, a thermal role of rapidly diffusing the heat generated in the recording layer, and a role of protecting the multilayer film from the use environment. Have. Therefore, the reflective layer needs to be formed of a material having excellent corrosion resistance and heat dissipation. Specifically, Al, an alloy mainly containing Al, Au, an alloy mainly containing Au, or the like is used.

【０００７】また、光干渉層と記録層の間に第１の窒化
物層を、記録層と第２の光干渉層の間に第２の窒化層を
備える光学情報記録媒体もある。第１の窒化物層及び第
２の窒化物層は光干渉層と記録層の間で生じる物質移動
を防止する機能を持ち、Ｇｅ−Ｍ（Ｍ：Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃ
ｒ、Ｃｏ、Ｓｉ）スパッタリングタ−ゲットを用いて、
形成される。Some optical information recording media have a first nitride layer between the optical interference layer and the recording layer and a second nitride layer between the recording layer and the second optical interference layer. The first nitride layer and the second nitride layer have a function of preventing mass transfer occurring between the light interference layer and the recording layer, and have a Ge-M (M: Ti, Ni, C
r, Co, Si) using a sputtering target,
It is formed.

【０００８】上述した光学情報記録媒体を構成する光干
渉層、記録層及び反射層等の各層は、いずれも光学情報
記録媒体の光学定数を決定するものであり、光学的及び
熱的に多層構造を設計するためには、厳密に膜厚及び組
成を設定する必要がある。Each layer of the optical information recording medium, such as the optical interference layer, the recording layer and the reflection layer, determines the optical constant of the optical information recording medium, and is optically and thermally multi-layered. In order to design the thickness, it is necessary to set the film thickness and the composition strictly.

【０００９】従って、光学情報記録媒体の光学特性や記
録再生性能を良好に保ち、かつ安定した品質の光学情報
記録媒体を安定して量産するためには、光学情報記録媒
体を製造する際のスパッタリング工程において、各層の
光学定数等を厳密に制御して、設定値と合致する組成の
薄膜を形成する必要があるTherefore, in order to maintain good optical characteristics and recording / reproducing performance of the optical information recording medium and to stably mass-produce the optical information recording medium of a stable quality, the sputtering at the time of manufacturing the optical information recording medium is required. In the process, it is necessary to strictly control the optical constants and the like of each layer to form a thin film having a composition that matches the set value

【００１０】[0010]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
光学情報記録媒体を構成する各層を形成するために作成
されたスパッタリングターゲットを用いて、光干渉層、
記録層及び反射層等の各層を形成する場合、スパッタリ
ングターゲットの使用開始初期において、形成される膜
の組成が所望の組成とはならず、所望の特性が得られな
いという問題点があった。このために、光学情報記録媒
体の光学特性、記録再生性能及び繰り返し記録性能が悪
化するという問題点があった。However, by using a sputtering target formed for forming each layer constituting the conventional optical information recording medium, an optical interference layer,
When each layer such as a recording layer and a reflective layer is formed, there is a problem that the composition of a film to be formed does not become a desired composition at an early stage of starting use of a sputtering target, and desired characteristics cannot be obtained. For this reason, there has been a problem that the optical characteristics, recording / reproducing performance and repetitive recording performance of the optical information recording medium are deteriorated.

【００１１】また、上記窒化物層を、Ｇｅ−Ｍスパッタ
リングタ−ゲットを用いて作製する場合、特にＭがＣｒ
である場合、タ−ゲット使用開始後は膜中のＣｒが不足
し、成膜速度が速くなることが判っている。成膜速度が
速くなると、窒素との反応度合いが低下し、形成される
窒化物層の組成比が目標値に対しずれるという問題があ
った。この課題を解決するために、安定した組成の薄膜
を形成することができる、Ｇｅ−Ｍ（Ｍ：Ｔｉ、Ｎｉ、
Ｃｒ、Ｃｏ、Ｓｉ）スパッタリングタ−ゲットが要求さ
れている。When the nitride layer is formed by using a Ge-M sputtering target, M
It is known that when the target is used, the Cr in the film becomes insufficient after the start of use of the target, and the film forming speed increases. When the deposition rate is increased, the degree of reaction with nitrogen is reduced, and the composition ratio of the formed nitride layer is deviated from a target value. In order to solve this problem, Ge-M (M: Ti, Ni,
(Cr, Co, Si) sputtering targets are required.

【００１２】また、スパッタリングターゲットの使用時
のスパッタ率も、使用初期直後とその後とでは変化する
ので薄膜の膜厚が正確に制御することが困難であった。
このように、光学情報記録媒体の光学特性が変化し、形
成される薄膜の膜厚の制御が困難であるために、このよ
うな薄膜を光学情報記録媒体に用いると、光学情報記録
媒体の記録再生性能がバラツキ、製造歩留まりを悪化さ
せることになる。また、これらのことを避けようとする
と、スパッタリングタ−ゲットを一定時間使用した後に
所望の組成の薄膜の製造に使用する必要があり、ターゲ
ットのうちの数分の一を廃棄することになる。このこと
は光学情報記録媒体の生産コストが高価になるという新
たな問題を招くことになっていた。Also, the sputtering rate during use of the sputtering target changes between immediately after the initial stage of use and thereafter, so that it has been difficult to accurately control the thickness of the thin film.
As described above, since the optical characteristics of the optical information recording medium change and it is difficult to control the thickness of the formed thin film, when such a thin film is used for the optical information recording medium, the recording of the optical information recording medium is performed. The reproduction performance varies and the production yield is deteriorated. In order to avoid these problems, the sputtering target must be used for a certain period of time and then used for producing a thin film having a desired composition, and a fraction of the target is discarded. This has caused a new problem that the production cost of the optical information recording medium becomes high.

【００１３】そのために、一枚のスパッタリングタ−ゲ
ットの使用開始から消耗寿命（ターゲットの厚さが一定
以下となり使用できないようになった状態をいい、通常
は使用前の一割以下となった状態をいう。）まで、その
スパッタリングターゲット（以下、ターゲットと呼ぶ）
で形成される薄膜の組成は、所望の値に合致しているこ
とが要求される。つまり、同じターゲットから形成され
る薄膜は、使用開始直後から消耗寿命直前まで常に、一
定の組成となるように安定していることが要求される。For this reason, the service life from the start of use of a single sputtering target (the state in which the thickness of the target cannot be used because the thickness of the target is less than a certain value, usually less than 10% before use) ) Until the sputtering target (hereinafter, referred to as a target).
It is required that the composition of the thin film formed as described above conforms to a desired value. That is, a thin film formed from the same target is required to be stable so as to have a constant composition from immediately after the start of use to immediately before the consumption life.

【００１４】本発明は、使用開始直後から消耗寿命に至
るまで、安定した組成の薄膜を形成することができるス
パッタリングターゲットを提供することを第１の目的と
する。It is a first object of the present invention to provide a sputtering target capable of forming a thin film having a stable composition from immediately after the start of use to the end of its consumption life.

【００１５】また、本発明は、記録再生性能が高く、か
つ記録・再生を繰り返しても記録再生性能の悪化が少な
く、しかも安価に製造することができる光学情報記録媒
体を提供することを第２の目的とする。Another object of the present invention is to provide an optical information recording medium having high recording / reproducing performance, less deterioration of recording / reproducing performance even when recording / reproducing is repeated, and which can be manufactured at low cost. The purpose of.

【００１６】[0016]

【課題を解決するための手段】上記のようにターゲット
を一定量消耗するまで、形成される薄膜の組成が安定し
ないことについて、２種類の材料からなるターゲットを
モデルにして考察すると、タ−ゲットの使用直後は、ス
パッタ率の大きい粉末のみが選択的にスパッタリングさ
れることが原因であると考えられる。つまり、ターゲッ
トの使用開始直後は、ターゲット表面から飛び出して薄
膜を形成する２種類の材料粉末の比率が安定しないこと
が原因と考えられる。The instability of the composition of a thin film to be formed until the target is consumed by a certain amount as described above is considered by using a target made of two kinds of materials as a model. Immediately after use, it is considered that only powder having a high sputtering rate is selectively sputtered. That is, it is considered that the cause is that the ratio of the two types of material powders that jump out of the target surface and form a thin film is not stable immediately after the start of use of the target.

【００１７】本願発明は、ターゲット使用開始直後か
ら、ターゲット表面から飛び出し薄膜を形成する粒子の
比率が、薄膜の所望の混合比に一致するように、スパッ
タ率の小さな材料を、スパッタ率の大きな材料よりも飛
び出しやすくしたことを特徴とする。具体的には、本願
発明のスパッタリングターゲットは、スパッタ率が異な
る複数の成分の粉末が混合後に焼結されてなり、複数の
成分を所望の割合で含む薄膜を形成するためのスパッタ
リングターゲットであって、スパッタリングターゲット
は厚さ方向に直交する組成不連続面を有し、スパッタリ
ングターゲットの使用を開始する側の面である上面と上
記組成不連続面との間の第１領域では、使用開始直後か
ら上記複数の成分を所望の割合で含む薄膜が形成される
ように、各成分をスパッタ率の低いものほど上記薄膜の
所望の割合に比較して多くなるように設定し、スパッタ
リングターゲットのうち第１領域以外の第２領域では、
上記複数の成分の割合を上記薄膜の所望の割合と略同一
に設定したことを特徴とするものである。According to the present invention, a material having a low sputtering rate is replaced with a material having a high sputtering rate so that the ratio of particles that jump out of the target surface and form a thin film immediately after the start of use of the target matches the desired mixing ratio of the thin film. It is characterized by making it easier to jump out. Specifically, the sputtering target of the present invention is a sputtering target formed by sintering powders of a plurality of components having different sputtering rates after mixing, and forming a thin film containing the plurality of components at a desired ratio. The sputtering target has a composition discontinuous surface orthogonal to the thickness direction, and the first region between the upper surface, which is the surface on which the sputtering target starts to be used, and the composition discontinuous surface, immediately after the start of use. In order to form a thin film containing the plurality of components at a desired ratio, each component is set so that the lower the sputtering rate, the greater the ratio of the desired ratio of the thin film. In the second area other than the area,
The ratio of the plurality of components is set substantially equal to the desired ratio of the thin film.

【００１８】上記スパッタリングターゲットが、第１の
成分と第２の成分との２成分からなる場合、本願発明の
スパッタリングターゲットは、第１領域部における第１
の成分の割合を、薄膜中の第１の成分の所望の割合より
も大きくするのが好ましい。In the case where the sputtering target comprises two components, a first component and a second component, the sputtering target of the present invention has the first region in the first region.
Is preferably higher than the desired ratio of the first component in the thin film.

【００１９】さらに、本願発明のスパッタリングターゲ
ットは、第１領域部分における上記第１の成分の割合
を、上面から成不連続面にかけて減少させてもよい。Further, in the sputtering target of the present invention, the ratio of the first component in the first region may be reduced from the upper surface to the discontinuous surface.

【００２０】また、本願発明のスパッタリングターゲッ
トは、第１領域における第１の成分の割合が一定とし、
第１領域と第２領域からなる２層構造としてもよい。Further, in the sputtering target of the present invention, the ratio of the first component in the first region is constant,
It may have a two-layer structure including a first region and a second region.

【００２１】本願発明の具体的なスパッタリングターゲ
ットは、第１の成分の粉末をＳｉＯ2粉末とし、第２の
成分の粉末を、ＺｎＳｅ粉末又はＺｎＳ粉末とすること
ができる。このようにして作製したスパッタリングター
ゲットは、第１領域の厚さを、１.０ｍｍないし２.０ｍ
ｍとするのが好ましく、第１領域中の最大の第１の成分
の割合を、薄膜中の所望の第１の成分の割合の１.２な
いし１.４倍をするのが好ましい。In a specific sputtering target of the present invention, the powder of the first component can be SiO 2 powder, and the powder of the second component can be ZnSe powder or ZnS powder. In the sputtering target manufactured as described above, the thickness of the first region is set to 1.0 mm to 2.0 m.
It is preferable that the ratio of the largest first component in the first region is 1.2 to 1.4 times the ratio of the desired first component in the thin film.

【００２２】また、基板上に少なくとも光干渉層、記録
層及び反射層をこの順に形成して作製した光学情報記録
媒体の光反射層を、第１の成分の粉末をＳｉＯ2粉末と
し、第２の成分の粉末を、ＺｎＳｅ粉末又はＺｎＳ粉末
とする本発明のスパッタリングターゲットで形成するこ
とができる。この場合、第１の成分の粉末と上記第２の
成分の粉末とが、酸素雰囲気中で焼成され、表面に酸化
膜を備えているものであるのが好ましい。A light reflecting layer of an optical information recording medium produced by forming at least a light interference layer, a recording layer and a reflection layer on a substrate in this order is prepared by using a first component powder as SiO 2 powder, Can be formed by the sputtering target of the present invention in which the powder of the component is ZnSe powder or ZnS powder. In this case, it is preferable that the powder of the first component and the powder of the second component are fired in an oxygen atmosphere and have an oxide film on the surface.

【００２３】本願発明の別の具体的なスパッタリングタ
ーゲットは、第１の成分の粉末をＧｅ粉末とし、第２の
成分の粉末を、Ｔｉ粉末、Ｎｉ粉末、Ｃｒ粉末、Ｃｏ粉
末及びＳｉ粉末からなる群から一つ選択されたものとす
ることができる。このようなスパッタリングターゲット
は、第１領域の厚さが、１.５ｍｍないし２.５ｍである
ことが好ましく。さらに、第１領域中の最大の第１の成
分の割合が、薄膜中の所定の第１の成分の割合の１.３
ないし１.４倍であるのが好ましい。Another specific sputtering target of the present invention is that the first component powder is Ge powder, and the second component powder is Ti powder, Ni powder, Cr powder, Co powder and Si powder. One can be selected from the group. In such a sputtering target, the first region preferably has a thickness of 1.5 mm to 2.5 m. Further, the maximum ratio of the first component in the first region is 1.3% of the predetermined ratio of the first component in the thin film.
It is preferably from 1.4 to 1.4 times.

【００２４】また、基板上に少なくとも第１の窒化物
層、記録層、第２の窒化物層、反射層をこの順に形成さ
れてなる光学情報記録媒体の第１の窒化物層と第２の窒
化物層のうち少なくともいずれか一方を、第１の成分の
粉末をＧｅ粉末とし、第２の成分の粉末を、Ｔｉ粉末、
Ｎｉ粉末、Ｃｒ粉末、Ｃｏ粉末及びＳｉ粉末からなる群
から一つ選択されたものとするスパッタリングターゲッ
トで形成することができる。この場合、第１の成分の粉
末と上記第２の成分の粉末とが、窒素雰囲気中で焼成さ
れ、表面に窒化膜を備えていることが好ましい。Further, at least a first nitride layer, a recording layer, a second nitride layer, and a reflective layer are formed on a substrate in this order, the first nitride layer and the second nitride layer of an optical information recording medium. For at least one of the nitride layers, the powder of the first component is Ge powder, the powder of the second component is Ti powder,
It can be formed by a sputtering target selected from the group consisting of Ni powder, Cr powder, Co powder and Si powder. In this case, it is preferable that the powder of the first component and the powder of the second component are fired in a nitrogen atmosphere and have a nitride film on the surface.

【００２５】[0025]

【発明の実施の形態】（実施の形態１）以下、本発明の
実施の形態１のスパッタリングターゲットについて詳細
に説明する。本実施の形態のスパッタリングターゲット
は、スパッタ率が異なる複数の成分を含む薄膜を、スパ
ッタリングターゲットの使用開始直後から消耗寿命直前
まで、常に複数の成分が一定の割合で含まれる安定した
薄膜を形成するための板状のスパッタリングターゲット
であって、種々の実施例検討の結果、以下の規則性を見
出して完成させたものである。 （１）上面から下面まで均一に、目的とする薄膜の組成
と等しい割合で複数の成分を含むスパッタリングターゲ
ット（従来例）では、使用開始直後から所定の使用時間
が経過した後に、言いかえると使用を開始する上面から
一定の深さまで除去されたスパッタリングターゲットを
用いると、その後は、所望の組成比の薄膜を組成バラツ
キ少なく形成することができる。 （２）使用を開始する上面から一定の深さまで除去され
るまでは、形成される薄膜中においてスパッタ率の高い
成分が所定量より多く含まれる。 （３）そして、その所定量より多く含まれる割合は、各
成分のスパッタ率と正の相関があり、その多く含まれる
割合は、深くなるほど減少する。(Embodiment 1) Hereinafter, a sputtering target according to Embodiment 1 of the present invention will be described in detail. The sputtering target of this embodiment forms a thin film including a plurality of components having different sputtering rates from a start of use of the sputtering target to immediately before a consumption life thereof, and a stable thin film including a plurality of components at a constant rate. The present invention has been completed by finding the following regularity as a result of studying various examples. (1) In a sputtering target (conventional example) containing a plurality of components in a ratio equal to the composition of a target thin film uniformly from the upper surface to the lower surface, a predetermined use time immediately after the start of use, in other words, use When a sputtering target removed to a certain depth from the upper surface where the process is started is used, a thin film having a desired composition ratio can be formed with less composition variation thereafter. (2) Until the film is removed to a certain depth from the upper surface where the use is started, a component having a high sputtering rate is contained in the formed thin film in an amount larger than a predetermined amount. (3) Then, the proportion contained in a larger amount than the predetermined amount has a positive correlation with the sputtering rate of each component, and the proportion contained in the larger amount decreases as the depth increases.

【００２６】従って、使用を開始する上面から、形成さ
れる薄膜の組成が所望の値になるまでの一定の深さまで
の第１の領域と、それより深い第２の領域との間で組成
を異ならせ、かつ第１の領域を各成分のスパッタ率に対
応させて設定することにより、使用開始直後から所望の
組成の薄膜の形成が可能なスパッタリングターゲットを
作成することが可能となる。以下、第１の領域と第２の
領域との境界を組成不連続面と呼ぶ。Therefore, the composition is changed between the first region up to a certain depth until the composition of the thin film to be formed reaches a desired value and the second region deeper from the top surface where the use is started. By making them different and setting the first region in accordance with the sputtering rate of each component, it becomes possible to produce a sputtering target capable of forming a thin film of a desired composition immediately after the start of use. Hereinafter, the boundary between the first region and the second region is referred to as a composition discontinuity surface.

【００２７】すなわち、実施の形態のスパッタリングタ
ーゲットは、その内部に厚さ方向に直交しかつ組成の変
化率が不連続的に変化する組成不連続面を有している。
そして、スパッタリングターゲットのうちの、上記スパ
ッタリングターゲットの使用が開始される面である上面
と組成不連続面との間の第１領域部では、使用開始直後
から複数の成分を所望の割合で含む薄膜が形成されるよ
うに、各成分をその割合がスパッタ率の低いものほど薄
膜の所望の割合に比較して多くなるように設定してい
る。また、スパッタリングターゲットのうちの第１領域
部以外の第２領域部では、複数の成分の割合を形成する
薄膜の所望の割合と略同一に設定している。That is, the sputtering target of the embodiment has a composition discontinuous surface therein which is orthogonal to the thickness direction and in which the rate of change of the composition varies discontinuously.
Then, in the first region portion between the upper surface, which is the surface where the use of the sputtering target is started, and the discontinuous composition surface of the sputtering target, a thin film containing a plurality of components at a desired ratio immediately after the start of use. Are formed so that the proportion of each component is higher as the sputtering rate is lower than the desired proportion of the thin film. In the second region portion other than the first region portion of the sputtering target, the ratio of the plurality of components is set to be substantially the same as the desired ratio of the thin film forming the component.

【００２８】以下、具体的な組成を有するスパッタリン
グターゲットについて説明する。Hereinafter, a sputtering target having a specific composition will be described.

【００２９】（ターゲット１）ターゲット１は、ＳｉＯ
2を２０ｍｏｌ％、ＺｎＳを８０ｍｏｌ％含有するＺｎ
Ｓ−ＳｉＯ2薄膜を形成するのに利用されるＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ2スパッタリングターゲットである。ターゲット１
は、ＳｉＯ2粉末粒子及びＺｎＳ粉末粒子を混合し、焼
結して固めた円柱形状であり、成膜を行う際は、上面か
ら消耗していくように設計されている。ＳｉＯ2粉末粒
子及びＺｎＳ粉末粒子の混合比は、ターゲットの厚さ方
向に対して変化している。詳細に説明すると、ターゲッ
ト１は、厚さ方向と直交する組成不連続面を有し、上面
と組成不連続面に挟まれる部分（以下、第１領域と呼
ぶ）と組成不連続面と下面とに挟まれる部分（以下、第
２領域と呼ぶ）では、ＳｉＯ2粉末粒子及びＺｎＳ粉末
粒子の混合比が異なる。従って、スパッタリングターゲ
ットは、第１領域が先に消耗し、第２領域が後に消耗す
る。また、ターゲット１は、厚さｔ＝６（ｍｍ）、上面
と組成不連続面との距離、即ち第１領域の厚さｘ＝１.
５（ｍｍ）とする。以下、ｔは、ターゲットの厚さを示
し、ｘは第１領域の厚さを示すものとする。(Target 1) The target 1 is made of SiO
2 containing 20 mol% and ZnS containing 80 mol%
ZnS-S which is utilized to form the S-SiO 2 thin film
It is an iO 2 sputtering target. Target 1
Has a columnar shape obtained by mixing and sintering SiO 2 powder particles and ZnS powder particles, and is designed to be consumed from the upper surface when forming a film. The mixing ratio of the SiO 2 powder particles and the ZnS powder particles changes in the thickness direction of the target. More specifically, the target 1 has a composition discontinuous surface orthogonal to the thickness direction, and includes a portion sandwiched between the upper surface and the composition discontinuous surface (hereinafter, referred to as a first region), a composition discontinuous surface, and a lower surface. (Hereinafter, referred to as a second region) have different mixing ratios of the SiO 2 powder particles and the ZnS powder particles. Therefore, in the sputtering target, the first region is consumed first, and the second region is consumed later. The target 1 has a thickness t = 6 (mm) and a distance between the upper surface and the composition discontinuity surface, that is, the thickness x of the first region x = 1.
5 (mm). Hereinafter, t indicates the thickness of the target, and x indicates the thickness of the first region.

【００３０】第１領域においては、ＳｉＯ2粉末粒子の
組成比は、上面で２５（ｍｏｌ％）で、厚さ方向に沿っ
て上面から組成不連続面に向かってＳｉＯ2粉末粒子の
組成比が比例的に減少し、組成不連続面では２０（ｍｏ
ｌ％）となるように、ＳｉＯ2粉末粒子及びＺｎＳ粉末
粒子が混合されている。In the first region, the composition ratio of the SiO 2 powder particles is 25 (mol%) on the upper surface, and the composition ratio of the SiO 2 powder particles from the upper surface to the discontinuous composition surface along the thickness direction. It decreases in proportion to 20 (mo
1%), the SiO 2 powder particles and the ZnS powder particles are mixed.

【００３１】また、第２領域では、ＳｉＯ2粉末粒子の
組成比は、薄膜の組成比と同じ２０（ｍｏｌ％）で混合
され、厚さ方向に対して一様に分布している。In the second region, the composition ratio of the SiO 2 powder particles is 20 (mol%), which is the same as the composition ratio of the thin film, and is uniformly distributed in the thickness direction.

【００３２】つまり、ターゲット１のＳｉＯ2粉末粒子
の組成比は、上面においては、最大の２５（ｍｏｌ％）
であり、厚さ方向に沿って比例的に減少し、組成不連続
面では２０（ｍｏｌ％）となり、組成不連続面から下面
までは、２０（ｍｏｌ％）で組成比は変化しない。That is, the composition ratio of the SiO 2 powder particles of the target 1 is 25 (mol%) which is the maximum on the upper surface.
, And decreases proportionally along the thickness direction, becomes 20 (mol%) on the discontinuous composition surface, and does not change at 20 (mol%) from the discontinuous composition surface to the lower surface.

【００３３】次に、ターゲット１を用いた、ＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ2薄膜の成膜について説明する。ターゲット１を使
用してスパッタリングを開始すると、上述したように上
面から消耗される。上面におけるＳｉＯ2粉末粒子の組
成比は２５（ｍｏｌ％）であるが、ＳｉＯ2粉末粒子の
スパッタ率は、ＺｎＳ粉末粒子のスパッタ率よりも小さ
いから、ＺｎＳ粉末粒子が選択的にスパッタされるた
め、形成されるＺｎＳ−ＳｉＯ2薄膜のＳｉＯ2の組成比
は２０（ｍｏｌ％）となる。さらに、第１領域部のどの
部分をスパッタしても、形成されるＺｎＳ−ＳｉＯ2薄
膜のＳｉＯ2の組成比は２０（ｍｏｌ％）となる。さら
に第１領域を消耗した後、第２領域をスパッタしても、
形成されるＺｎＳ−ＳｉＯ2薄膜のＳｉＯ2の組成比は２
０（ｍｏｌ％）となる。Next, using a target 1, ZnS-S
The formation of the iO 2 thin film will be described. When sputtering is started using the target 1, the target is consumed from the upper surface as described above. Although the composition ratio of the SiO 2 powder particles on the upper surface is 25 (mol%), the sputtering rate of the SiO 2 powder particles is smaller than the sputtering rate of the ZnS powder particles, so that the ZnS powder particles are selectively sputtered. The composition ratio of SiO 2 in the formed ZnS—SiO 2 thin film is 20 (mol%). Further, no matter what part of the first region is sputtered, the composition ratio of SiO 2 in the formed ZnS—SiO 2 thin film is 20 (mol%). After the first region is further consumed, even if the second region is sputtered,
The composition ratio of SiO 2 in the formed ZnS—SiO 2 thin film is 2
0 (mol%).

【００３４】つまり、ターゲット１の使用開始直後から
ターゲット１の消耗寿命まで、ターゲットの消耗量にか
かわらず、ターゲット１を用いることで得られる薄膜
は、組成は安定している。That is, the composition of the thin film obtained by using the target 1 is stable from immediately after the start of use of the target 1 to the consumption life of the target 1 irrespective of the amount of consumption of the target.

【００３５】第１領域においては、ＳｉＯ2の組成比を
上面から組成不連続面にかけて比例的に減少させるのが
好ましいが、本願発明はこれに限定されるものではな
く、ＳｉＯ2の組成比を上面から組成不連続面にかけて
段階的に減少させても、同様の効果が得られる。例え
ば、ＳｉＯ2の組成比が２５（ｍｏｌ％）、２３．７５
（ｍｏｌ％）、２２.５（ｍｏｌ％）、２１.２５（ｍｏ
ｌ％）である４つの領域を積層させ第１領域を形成し、
ＳｉＯ2の組成比を４段階で減少させても、同様の効果
が得られる。このような第１領域は、 ＳｉＯ2の組成比
が上面から組成不連続面にかけて比例的に減少させられ
たものに比べて、作製が容易であるという利点がある。[0035] In the first area, but it preferred to proportionally reduce the composition ratio of SiO 2 from the upper surface toward the composition discontinuity, the present invention is not limited thereto, the composition ratio of SiO 2 The same effect can be obtained even if it is reduced stepwise from the upper surface to the discontinuous composition surface. For example, the composition ratio of SiO 2 is 25 (mol%), 23.75.
(Mol%), 22.5 (mol%), 21.25 (mo
1%) to form a first region,
The same effect can be obtained even if the composition ratio of SiO 2 is reduced in four stages. Such a first region has an advantage that it can be easily manufactured as compared with the first region in which the composition ratio of SiO 2 is proportionally decreased from the upper surface to the discontinuous composition surface.

【００３６】さらに、第１領域でのＳｉＯ2の組成比を
一定の２５（ｍｏｌ％）としても、同様の効果が得られ
る。このような第１領域は、ＳｉＯ2の組成比が上面か
ら組成不連続面にかけて比例的に減少させられたものに
比べて、さらに、作製が容易であるという利点がある。Further, the same effect can be obtained even when the composition ratio of SiO 2 in the first region is fixed at 25 (mol%). Such a first region has an advantage that it is easier to manufacture as compared to a region in which the composition ratio of SiO 2 is proportionally reduced from the upper surface to the discontinuous composition surface.

【００３７】また、ＺｎＳの替わりに、ＳｉＯ2のスパ
ッタ率よりも大きなスパッタ率を有するＺｎＳｅ粉末材
料を用いて、ＳｉＯ2―ＺｎＳｅ薄膜を形成するのに用
いられるＳｉＯ2―ＺｎＳｅスパッタリングターゲット
を作製しても、同様の効果を得ることができる。Further, instead of ZnS, by using a ZnSe powder material having a sputtering rate than sputtering rate of SiO 2, to prepare a SiO 2 type ZnSe sputtering target used to form the SiO 2 type ZnSe thin film However, the same effect can be obtained.

【００３８】（ターゲット２）ターゲット２は、Ｃｒを
３０ａｔ％、Ｇｅ７０ａｔ％含有するＣｒ−Ｇｅ薄膜を
形成するのに利用されるＣｒ−Ｇｅスパッタリングター
ゲットである。ターゲット２は、Ｃｒ粉末粒子及びＧｅ
粉末粒子を混合し、焼結して固めた円柱形状であり、成
膜を行う際は、上面から消耗していくように設計されて
いる。Ｃｒ粉末粒子及びＧｅ粉末粒子の混合比は、ター
ゲットの厚さ方向に対して変化している。詳細に説明す
ると、ターゲット２は、厚さ方向と直交する組成不連続
面を有し、上面と組成不連続面に挟まれる部分（第１領
域と呼ぶ）と組成不連続面と下面とに挟まれる部分（第
２領域と呼ぶ）では、Ｃｒ粉末粒子及びＧｅ粒子の混合
比が異なる。また、ターゲット２は、厚さｔ＝６（ｍ
ｍ）であり、上面と組成不連続面との距離、即ち第１領
域の厚さｘ＝２.０（ｍｍ）である。(Target 2) The target 2 is a Cr-Ge sputtering target used for forming a Cr-Ge thin film containing 30 at% of Cr and 70 at% of Ge. Target 2 is composed of Cr powder particles and Ge
It has a cylindrical shape in which powder particles are mixed, sintered and hardened, and is designed to be consumed from the upper surface when forming a film. The mixing ratio of the Cr powder particles and the Ge powder particles changes in the thickness direction of the target. More specifically, the target 2 has a composition discontinuous surface orthogonal to the thickness direction, and is sandwiched between the upper surface and a portion sandwiched between the composition discontinuous surfaces (referred to as a first region) and the composition discontinuous surface and the lower surface. In a portion (referred to as a second region), the mixing ratio of the Cr powder particles and the Ge particles is different. The target 2 has a thickness t = 6 (m
m), and the distance between the upper surface and the composition discontinuity surface, that is, the thickness x of the first region x = 2.0 (mm).

【００３９】第１領域においては、Ｃｒ粉末粒子の組成
比は、上面で４０（ａｔ％）で、厚さ方向に沿って上面
から組成不連続面に向かって比例的にＣｒ粉末粒子の組
成比が減少し、組成不連続面では３０（ａｔ％）となる
ように、Ｃｒ粒子及びＧｅ粒子が混合されている。In the first region, the composition ratio of the Cr powder particles is 40 (at%) on the upper surface, and is proportional to the composition ratio of the Cr powder particles from the upper surface to the discontinuous composition surface along the thickness direction. Is reduced, and the Cr particles and the Ge particles are mixed so as to be 30 (at%) on the discontinuous composition surface.

【００４０】また、第２領域では、Ｃｒ粉末粒子の組成
比は、Ｃｒ−Ｇｅ薄膜の組成比と同じ３０（ａｔ％）で
混合され、厚さ方向に対して一様に分布している。In the second region, the composition ratio of the Cr powder particles is 30 (at%), which is the same as the composition ratio of the Cr—Ge thin film, and is uniformly distributed in the thickness direction.

【００４１】つまり、ターゲット２のＣｒ粉末粒子の組
成比は、上面においては、最大の４０（ａｔ％）であ
り、軸に沿って比例的に減少し、組成不連続面では３０
ａｔ％となり、組成不連続面から下面までは、３０（ａ
ｔ％）で組成比は変化しない。That is, the composition ratio of the Cr powder particles of the target 2 is 40 (at%), which is the maximum on the upper surface, decreases proportionately along the axis, and 30 on the discontinuous surface.
at%, and 30 (a)
(%), the composition ratio does not change.

【００４２】次に、ターゲット２を用いた、Ｃｒ−Ｇｅ
薄膜を形成について説明する。ターゲット２の使用を始
めると上面から消耗される。上面におけるＣｒ粉末粒子
の組成比は３０ａｔ％であるが、Ｃｒ粉末粒子のスパッ
タ率は、Ｇｅ粉末粒子のスパッタ率よりも小さいから、
Ｇｅ粉末粒子が選択的にスパッタされるため、形成され
るＣｒ−Ｇｅ薄膜のＧｅの組成比は３０（ａｔ％）とな
る。さらに、第１領域部のどの部分をスパッタしても、
形成されるＣｒ−Ｇｅ薄膜のＣｒの組成比は３０（ａｔ
％）となる。さらに第１領域を消耗した後、第２の領域
をスパッタしても、形成されるＣｒ−Ｇｅ薄膜のＣｒの
組成比は３０（ａｔ％）となる。Next, Cr-Ge using the target 2
The formation of the thin film will be described. When the target 2 is started to be used, it is consumed from the upper surface. Although the composition ratio of the Cr powder particles on the upper surface is 30 at%, the sputtering rate of the Cr powder particles is smaller than that of the Ge powder particles.
Since Ge powder particles are selectively sputtered, the composition ratio of Ge in the formed Cr—Ge thin film is 30 (at%). Further, no matter what part of the first region is sputtered,
The composition ratio of Cr of the formed Cr—Ge thin film is 30 (at
%). Further, even if the second region is sputtered after the first region is consumed, the Cr composition ratio of the formed Cr—Ge thin film becomes 30 (at%).

【００４３】つまり、ターゲット２の使用開始直後から
ターゲット２の消耗寿命まで、ターゲットの消耗量にか
かわらず、ターゲット２を用いることで得られる薄膜
は、組成は安定している。That is, the composition of the thin film obtained by using the target 2 is stable from immediately after the start of use of the target 2 to the consumption life of the target 2 irrespective of the amount of consumption of the target.

【００４４】第１領域においては、Ｃｒの組成比を上面
から組成不連続面にかけて比例的に減少させるのが好ま
しいが、本願発明はこれに限定されるものではなく、上
面から組成不連続面にかけて段階的に減少させても、同
様の効果が得られる。例えば、Ｃｒの組成比が４０（ａ
ｔ％）、３７.５（ａｔ％）、３５（ａｔ％）、３２.５
（ａｔ％）である４つの領域を積層させ第１領域を形成
し、Ｃｒの組成比を上面から組成不連続面にかけて４段
階で減少させても、同様の効果が得られる。このような
第１領域は、Ｃｒの組成比が上面から組成不連続面にか
けて比例的に減少させられたものに比べて、作製が容易
であるという利点がある。In the first region, it is preferable to decrease the composition ratio of Cr proportionally from the upper surface to the discontinuous composition surface. However, the present invention is not limited to this. The same effect can be obtained even if it is reduced stepwise. For example, if the composition ratio of Cr is 40 (a
t%), 37.5 (at%), 35 (at%), 32.5
The same effect can be obtained even if the first region is formed by laminating four regions (at%) and the Cr composition ratio is reduced in four steps from the upper surface to the discontinuous composition surface. Such a first region has an advantage that it can be easily manufactured as compared with a region in which the composition ratio of Cr is reduced proportionally from the upper surface to the discontinuous composition surface.

【００４５】さらに、第１領域でのＣｒの組成比を一定
の４０（ａｔ％）としても、同様の効果が得られる。こ
のような第１領域は、Ｃｒの組成比が上面から組成不連
続面にかけて比例的に減少させられたものに比べて、さ
らに、作製が容易であるという利点がある。Further, the same effect can be obtained even when the composition ratio of Cr in the first region is set to a constant value of 40 (at%). Such a first region has an advantage that it is easier to manufacture as compared with a case where the composition ratio of Cr is proportionally reduced from the upper surface to the discontinuous composition surface.

【００４６】また、Ｃｒ粉末に変えて、Ｇｅのスパッタ
率よりも小さいスパッタ率を有するＴｉ粉末、Ｃｏ粉末
及びＳｉ粉末からなる群から一つ選択されたものを用い
て、Ｇｅ―Ｍ（Ｍは、Ｔｉ、Ｃｏ又はＳｉ）スパッタリ
ングターゲットを作製しても同様の効果が得られる。Further, instead of the Cr powder, one selected from the group consisting of a Ti powder, a Co powder and a Si powder having a sputtering rate smaller than that of Ge is used, and Ge-M (M is , Ti, Co or Si), a similar effect can be obtained.

【００４７】上記第１の実施の形態で示したスパッタリ
ングターゲットは、２種類の材料を混合してなるもので
あるが、本願発明はこれに限定されるものではない。例
えば、３つ以上の成分からなる薄膜用のターゲットを作
製する場合、実験等でターゲットの組成不連続面を見出
し、ターゲットの上面と不連続面との間の第１領域部
を、ターゲットの使用開始直後でも、複数の成分を所望
の割合で含む薄膜が形成されるように、各成分をスパッ
タ率の低いものほど上記薄膜の所望の割合に比較して多
くなるように設定することで、本願発明の効果を得るこ
とができる。Although the sputtering target shown in the first embodiment is a mixture of two kinds of materials, the present invention is not limited to this. For example, when producing a target for a thin film composed of three or more components, a composition discontinuity plane of the target is found through experiments or the like, and a first region between the upper surface and the discontinuity plane of the target is used. Immediately after the start, a thin film containing a plurality of components at a desired ratio is formed so that each component is set to have a higher sputtering ratio as compared with the desired ratio of the thin film so that a thin film containing a desired ratio is formed. The effects of the invention can be obtained.

【００４８】また、上記第１の実施の形態で示したター
ゲット１及びターゲット２は、円柱形状のものである
が、本願発明のスパッタリングターゲットは、円柱形状
に限定されるものではなく、例えば、四角柱形状であっ
てもよい。Although the targets 1 and 2 shown in the first embodiment have a cylindrical shape, the sputtering target of the present invention is not limited to a cylindrical shape. It may have a prismatic shape.

【００４９】（実施の形態２）次に、本発明の実施の形
態２の光学情報記録媒体について詳細に説明する。本実
施の形態の光学情報記録媒体は、上記実施の形態１のス
パッタリングターゲットを用いて形成した薄膜層を備え
ているものであり、種々の実験検討に基づいて、完成さ
せたものである。(Embodiment 2) Next, an optical information recording medium according to Embodiment 2 of the present invention will be described in detail. The optical information recording medium of the present embodiment has a thin film layer formed using the sputtering target of the first embodiment, and has been completed based on various experimental studies.

【００５０】本実施の形態の光学情報記録媒体は、基板
上に光干渉層、記録層、反射層をこの順で形成したもの
である。光干渉層は、上記第１の実施例１のＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ2スパッタリングタ−ゲットまたはＺｎＳｅ−Ｓｉ
Ｏ2スパッタリングタ−ゲットを用いて、形成される。
従って、同じターゲットを用いて、組成比が一定してい
て、特性の安定している光吸収層を作製することができ
る。The optical information recording medium of the present embodiment has a light interference layer, a recording layer and a reflection layer formed on a substrate in this order. The light interference layer is made of ZnS-S of the first embodiment.
SiO 2 sputtering target or ZnSe-Si
It is formed using an O 2 sputtering target.
Therefore, using the same target, a light absorption layer having a constant composition ratio and stable characteristics can be manufactured.

【００５１】この際、利用されるＺｎＳ−ＳｉＯ2スパ
ッタリングタ−ゲットまたはＺｎＳｅ−ＳｉＯ2スパッ
タリングタ−ゲットの材料となる、ＺｎＳ粉末、ＳｉＯ
2粉末、及びＺｎＳ粉末は、酸素雰囲気中で焼結され、
表面が酸化されたものであるのが好ましい。このよう
に、表面に酸化膜を備えている粉末からなるターゲット
を用いると、ターゲットの使用開始直後でも、充分に酸
素を含有している光干渉層を形成することができる。At this time, ZnS powder, SiOS, which is a material of the ZnS—SiO 2 sputtering target or ZnSe—SiO 2 sputtering target to be used.
2 powder, and ZnS powder are sintered in an oxygen atmosphere,
Preferably, the surface is oxidized. As described above, when a target made of a powder having an oxide film on the surface is used, a light interference layer sufficiently containing oxygen can be formed even immediately after the start of use of the target.

【００５２】光干渉層を形成する基板としては円盤状
で、透明で表面の平滑なものであるもの、例えば、必要
に応じて案内溝が形成されたポリカ−ボネ−ト、アモル
ファスポリオレフィン、ＰＭＭＡなどの樹脂又はガラス
を用いる。The substrate on which the light interference layer is formed is a disk-shaped, transparent and smooth-surfaced substrate, such as polycarbonate, amorphous polyolefin, PMMA having guide grooves formed as necessary. Resin or glass is used.

【００５３】また、光学情報記録媒体は、記録層と反射
層との間に第２の光干渉層を備えている。第２の光干渉
層の材料は、光干渉層の材料と同じ系ものが用いられ
る。Further, the optical information recording medium has a second light interference layer between the recording layer and the reflection layer. As the material of the second light interference layer, the same material as the material of the light interference layer is used.

【００５４】さらに、光学情報記録媒体は、光干渉層と
記録層の間に第１の窒化物層を、記録層と第２の光干渉
層の間に第２の窒化層を備えている。第１の窒化物層及
び第２の窒化層は、上記実施の形態１で説明したＧｅ−
Ｍ（Ｍ：Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｓｉ）スパッタリン
グターゲットを用いて作製する。こうすることで、同じ
ターゲットを用いて、組成比が一定していて、特性の安
定している第１の窒化物層及び第２の窒化層を作製する
ことができる。Further, the optical information recording medium has a first nitride layer between the optical interference layer and the recording layer, and a second nitride layer between the recording layer and the second optical interference layer. The first nitride layer and the second nitride layer are formed of the Ge- layer described in the first embodiment.
It is manufactured using an M (M: Ti, Ni, Cr, Co, Si) sputtering target. Thus, using the same target, the first nitride layer and the second nitride layer whose composition ratio is constant and whose characteristics are stable can be manufactured.

【００５５】この際、利用されるＧｅ―Ｍスパッタリン
グタ−ゲットの材料となる、２つの材料粉末は、いずれ
も、窒素雰囲気中で焼結され、表面が窒化されたもので
あるのが好ましい。このように、表面に窒化膜を備えて
いる粉末からなるターゲットを用いると、ターゲットの
使用開始直後でも、充分に窒素を含有している第一の窒
化物層及び第二の窒化層を形成することができる。At this time, it is preferable that each of the two material powders to be used as the material of the Ge-M sputtering target is sintered in a nitrogen atmosphere and the surface thereof is nitrided. As described above, when a target made of a powder having a nitride film on the surface is used, the first nitride layer and the second nitride layer sufficiently containing nitrogen are formed even immediately after the start of use of the target. be able to.

【００５６】本実施の形態では、第１の窒化物層及び第
２の窒化層のいずれも、上記実施の形態２のターゲット
を用いて形成したが、本願発明はこれに限定されるもの
ではなく、第一の窒化物層及び第二の窒化層のいずれか
一方を、上記実施の形態２のターゲットを用いて形成し
ても、同様の効果を得ることができる。In this embodiment, both the first nitride layer and the second nitride layer are formed using the target of the second embodiment, but the present invention is not limited to this. The same effect can be obtained by forming one of the first nitride layer and the second nitride layer using the target of the second embodiment.

【００５７】上述した方法で、基板上に必要な薄膜形成
後は、反射層上にＵＶ硬化樹脂でオーバーコートを施
す。具体的には、アクリル樹脂を主成分とした材料また
はエポキシ樹脂を主成分とした材料を用いる。After the necessary thin film is formed on the substrate by the method described above, the reflective layer is overcoated with a UV curable resin. Specifically, a material mainly containing an acrylic resin or a material mainly containing an epoxy resin is used.

【００５８】オーバーコート後は、透明なダミ−基板薄
膜が形成された基板と貼り合わせて、半導体レ−ザで全
面を結晶化させる。こうして、光情報記録媒体が完成す
る。After overcoating, the substrate is bonded to a substrate on which a transparent dummy substrate thin film is formed, and the entire surface is crystallized with a semiconductor laser. Thus, the optical information recording medium is completed.

【００５９】尚、上記張り合わせ工程を省略して、オー
バーコート工程まで、単板構造である光情報記録媒体を
完成させてもよい。The laminating step may be omitted, and the optical information recording medium having a single-plate structure may be completed up to the overcoating step.

【００６０】[0060]

【実施例】以下に、本発明の実施例について説明する。Embodiments of the present invention will be described below.

【００６１】（実施例１）最初に、粉末を均一に混ぜた
ＺｎＳ−ＳｉＯ2スパッタリングタ−ゲットを使用して
薄膜を形成した場合、スパッタリングタ−ゲット使用開
始から消耗寿命まで、形成される薄膜の組成がいかに変
化するか調べた。Example 1 First, when a thin film is formed using a ZnS-SiO 2 sputtering target in which powder is uniformly mixed, the thin film is formed from the start of using the sputtering target to the consumption life. It was investigated how the composition changes.

【００６２】具体的には、ＳｉＯ2の組成比が２０（ｍ
ｏｌ％）である、ＺｎＳ−ＳｉＯ2薄膜を成膜する為、
ＺｎＳ粉末とＳｉＯ2粉末とを、８０：２０のモル濃度
比になるように両粉末を均一に混合して固めてターゲッ
ト（ａ）を作製した。図９（ａ）に示すように、ターゲ
ット（ａ）のＳｉＯ2の混合比は、タ−ゲット厚さ方向
に対して一定であり、直径２００（ｍｍ）、厚さｔ＝６
（ｍｍ）とした。Specifically, the composition ratio of SiO 2 is 20 (m
ol%) to form a ZnS-SiO 2 thin film.
The target (a) was prepared by uniformly mixing and solidifying the ZnS powder and the SiO 2 powder so as to have a molar concentration ratio of 80:20. As shown in FIG. 9A, the mixing ratio of SiO 2 in the target (a) is constant in the target thickness direction, and the diameter is 200 (mm) and the thickness t = 6.
(Mm).

【００６３】次に、タ−ゲット（ａ）をバッキングプレ
−トに接着し、枚葉式スパッタ装置に取り付けた。続い
て、到達真空度５×１０-6ＴｏｒｒでＡｒガスを導入
し、圧力２ｍＴｏｒｒでＲＦ電源を用いて３０００Ｗの
パワ−を投入し、スパッタを開始した。このようにし
て、膜厚約１００（ｎｍ）のＺｎＳ−ＳｉＯ2薄膜をカ
−ボン基板に成膜した。薄膜の組成はラザフォ−ド後方
散乱により分析した。タ−ゲット使用開始直後から、タ
ーゲットが消耗し、厚さが０.５ｍｍになるまで、ター
ゲットが０．５ｍｍ消耗する毎に、同じターゲットによ
る成膜と薄膜組成分析を繰り返した。タ−ゲットの消耗
量は、真空チャンバ−を大気に戻した後、ノギスと金尺
を使用して測定した。Next, the target (a) was adhered to a backing plate and attached to a single-wafer sputtering apparatus. Subsequently, Ar gas was introduced at an ultimate vacuum of 5 × 10 −6 Torr, and 3000 W of power was applied at a pressure of 2 mTorr using an RF power source to start sputtering. In this manner, a ZnS-SiO 2 thin film having a thickness of about 100 (nm) mosquitoes - was formed in Bonn substrate. The composition of the thin film was analyzed by Rutherford backscattering. Immediately after the start of use of the target, film formation and thin film composition analysis using the same target were repeated every time the target was consumed by 0.5 mm until the target was consumed to a thickness of 0.5 mm. The consumption of the target was measured using a caliper and a gold scale after returning the vacuum chamber to the atmosphere.

【００６４】ターゲット（ａ）の消耗量と、ターゲット
（ａ）を用いて成膜したＺｎＳ−ＳｉＯ2薄膜中のＳｉ
Ｏ2濃度との関係を図９（ｂ）に示す。タ−ゲット
（ａ）使用開始直後と、以降ターゲットが０．５ｍｍ消
耗する毎に、５．５ｍｍ消耗するまで、成膜と組成分析
を繰り返した。タ−ゲットの消耗量は、真空チャンバ−
を大気に戻しノギスと金尺を使用して測定した。以下、
実験２〜５における、スパッタ条件、組成分析法は同様
である。また、ターゲットの消耗量と、その消耗したタ
ーゲットから得られる薄膜の組成分析との関係を測定す
る方法は、以下、全ての実験に関して同様である。The amount of consumption of the target (a) and the amount of Si in the ZnS—SiO 2 thin film formed using the target (a)
FIG. 9B shows the relationship with the O 2 concentration. Film formation and composition analysis were repeated immediately after the start of use of the target (a) and every time the target was consumed by 0.5 mm until the target was consumed by 5.5 mm. The amount of consumption of the target is
Was returned to the atmosphere and measured using a caliper and a gold scale. Less than,
The sputtering conditions and composition analysis methods in Experiments 2 to 5 are the same. Further, the method of measuring the relationship between the consumption amount of the target and the composition analysis of the thin film obtained from the consumed target is the same for all experiments.

【００６５】図９（ｂ）から、スパッタリングタ−ゲッ
ト（ａ）の使用開始後は、形成される薄膜中のＳｉＯ2
濃度が目標値２０（ｍｏｌ％）より小さく、消耗が進む
につれて膜中ＳｉＯ2濃度が大きくなっていくことが判
る。またターゲットを約１．５（ｍｍ）消耗した後は、
形成される薄膜中のＳｉＯ2濃度が目標値に達し安定す
ることも判る。尚、薄膜中のＳｉＯ2組成比の許容値
は、２０．０±０．５（ｍｏｌ％）である。As shown in FIG. 9B, after starting the use of the sputtering target (a), the SiO 2 in the formed thin film was changed.
It can be seen that the concentration is lower than the target value of 20 (mol%), and the SiO 2 concentration in the film increases as the consumption increases. After the target has been consumed by about 1.5 (mm),
It can also be seen that the SiO 2 concentration in the formed thin film reaches the target value and stabilizes. The allowable value of the composition ratio of SiO 2 in the thin film is 20.0 ± 0.5 (mol%).

【００６６】ターゲットの使用開始面（上面）から深さ
１.５（ｍｍ）の部分をスパッタして得られる薄膜の組
成は安定しないので、上面から深さ１.５（ｍｍ）まで
の部分（第１領域）の組成比を変更すれば、ターゲット
の使用開始直後から、安定した組成の薄膜を得ることが
できると考えられる。つまり、ターゲットのターゲット
の上面から深さｄ（ｍｍ）の部分のみ材料粉末の組成比
を変更し、ｄ（ｍｍ）よりも深い部分は、薄膜の組成比
と材料粉末の組成比を同じにすればよいと考えられる。
以下、上面から深さｄ（ｍｍ）に位置する厚さ方向に直
交する面を組成不連続面と呼び、上面と組成不連続面に
挟まれる部分を領域形状の部分を第１領域と呼ぶ。Since the composition of a thin film obtained by sputtering a portion of 1.5 (mm) depth from the use starting surface (upper surface) of the target is not stable, the portion (1.5 mm) from the upper surface to a depth of 1.5 (mm) is not stable. It is considered that by changing the composition ratio of the first region), a thin film having a stable composition can be obtained immediately after the start of use of the target. In other words, the composition ratio of the material powder is changed only in a portion at a depth d (mm) from the upper surface of the target, and in the portion deeper than d (mm), the composition ratio of the thin film and the material powder are made the same. It is considered good.
Hereinafter, a surface perpendicular to the thickness direction located at a depth d (mm) from the upper surface is referred to as a composition discontinuity surface, and a portion sandwiched between the upper surface and the composition discontinuity surface is referred to as a first region.

【００６７】（実施例２）次に、直径２００（ｍｍ）、
厚さｔ＝６（ｍｍ）、粉末の混合比の異なる、５種類の
ＺｎＳ−ＳｉＯ2スパッタリングタ−ゲット（ｂ）〜
（ｆ）を作製し、各スパッタリングタ−ゲット使用開始
直後に得られる薄膜の組成を分析した。結果を以下の表
１に示す。(Example 2) Next, a diameter of 200 (mm)
The thickness t = 6 (mm), different powder mix ratio, five ZnS-SiO 2 sputtering data - target (b) ~
(F) was prepared, and the composition of the thin film obtained immediately after the start of use of each sputtering target was analyzed. The results are shown in Table 1 below.

【００６８】[0068]

【表１】 [Table 1]

【００６９】表１から、タ−ゲットのＳｉＯ2の混合比
を増やすことにより、形成される薄膜中のＳｉＯ2濃度
も増加することが判る。さらに、ターゲットの混合比を
７５：２５にすれば、タ−ゲット使用開始直後に得るこ
とができる薄膜のＳｉＯ2濃度は、２０ｍｏｌ％になる
ことが判る。このことから、目標とする薄膜のＳｉＯ2
濃度に対し、タ−ゲットの上面のＳｉＯ2混合比は約１.
２〜１．４倍にすることが好ましいことが判る。From Table 1, it can be seen that increasing the mixing ratio of SiO 2 in the target also increases the SiO 2 concentration in the formed thin film. Further, when the mixing ratio of the target is set to 75:25, it can be seen that the SiO 2 concentration of the thin film that can be obtained immediately after the start of use of the target is 20 mol%. From this, the target thin film SiO 2
With respect to the concentration, the SiO 2 mixing ratio on the upper surface of the target is about 1.
It turns out that it is preferable to make it 2 to 1.4 times.

【００７０】以下、実施例３〜５は、ターゲットの上面
から深さ１.５（ｍｍ）の位置に組成不連続面を設定し
た場合の、第１領域におけるＳｉＯ2混合比の分布につ
いて、検討したものである。In the following, Examples 3 to 5 discuss the distribution of the SiO 2 mixture ratio in the first region when the composition discontinuity plane is set at a depth of 1.5 (mm) from the upper surface of the target. It was done.

【００７１】（実施例３）実施例３として、第１領域部
において、ターゲットの深さに比例して、ＳｉＯ2組成
比が減少していくスパッタリングタ−ゲット（ｇ）を作
製した。形状は直径２００（ｍｍ）、厚さｔ＝６（ｍ
ｍ）とした。ターゲット（ｇ）の深さとＳｉＯ2混合比
との関係を図１（ａ）に示す。また、ターゲット（ｇ）
の消耗量と、ターゲット（ｇ）を用いて成膜したＺｎＳ
−ＳｉＯ2薄膜中のＳｉＯ2濃度との関係を図１（ｂ）に
示す。Example 3 As Example 3, a sputtering target (g) in which the SiO 2 composition ratio decreased in proportion to the target depth in the first region was manufactured. The shape is diameter 200 (mm), thickness t = 6 (m
m). FIG. 1A shows the relationship between the depth of the target (g) and the mixing ratio of SiO 2 . The target (g)
Consumption and ZnS deposited using target (g)
FIG. 1B shows the relationship with the SiO 2 concentration in the SiO 2 thin film.

【００７２】図１（ａ）、（ｂ）から、第１領域におい
て、ＳｉＯ2混合比をターゲットの深さに対して比例的
に減少させるように作製したターゲット（ｇ）を用いる
と、ターゲット（ｇ）の使用開始直後から消耗寿命に至
るまで、ＳｉＯ2濃度が一定の薄膜を得ることができる
ことが判る。As shown in FIGS. 1A and 1B, in the first region, when the target (g) manufactured so as to decrease the SiO 2 mixture ratio in proportion to the target depth is used, the target ( It can be seen that a thin film having a constant SiO 2 concentration can be obtained from immediately after the use of g) until the end of its consumption life.

【００７３】（実施例４）実施例４として、第１領域に
おいて、ＳｉＯ2混合比が４段階で減少する、４段階の
層状分布をもつスパッタリングタ−ゲット（ｈ）を作製
した。形状は直径２００（ｍｍ）、厚さｔ＝６（ｍｍ）
とした。ターゲット（ｈ）の深さとＳｉＯ2混合比との
関係を図２（ａ）に示す。また、ターゲット（ｈ）の消
耗量と、ターゲット（ｈ）を用いて成膜したＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ2薄膜中のＳｉＯ2濃度との関係を図２（ｂ）に示
す。Example 4 As Example 4, a sputtering target (h) having a four-step layered distribution in which the SiO 2 mixture ratio decreased in four steps in the first region was manufactured. The shape is diameter 200 (mm), thickness t = 6 (mm)
And FIG. 2A shows the relationship between the depth of the target (h) and the mixing ratio of SiO 2 . The amount of consumption of the target (h) and the amount of ZnS-S
FIG. 2B shows the relationship with the SiO 2 concentration in the iO 2 thin film.

【００７４】図２（ａ）、（ｂ）から、第１領域を多層
構造にし、第１領域でＳｉＯ2混合比を段階的に減少さ
せて作製したターゲット（ｈ）を用いると、ターゲット
（ｈ）の使用開始直後から消耗寿命に至るまで、ＳｉＯ
2濃度がほぼ一定の薄膜を得ることができることが判っ
た。2 (a) and 2 (b), when the first region has a multilayer structure and the target (h) manufactured by gradually decreasing the SiO 2 mixture ratio in the first region is used, the target (h) )) From the start of use until the end of its consumption life.
2 It was found that a thin film having a substantially constant concentration could be obtained.

【００７５】（実施例５）実施例５として、２層構造で
あり、第１領域でのＳｉＯ2混合比が一定であるスパッ
タリングタ−ゲット（ｉ）を作製した。形状は。直径２
００（ｍｍ）、厚さｔ＝６（ｍｍ）とした。ターゲット
（ｉ）の深さとＳｉＯ2混合比との関係を図３（ａ）に
示す。また、ターゲット（ｉ）の消耗量と、ターゲット
（ｉ）を用いて成膜したＺｎＳ−ＳｉＯ2薄膜中のＳｉ
Ｏ2濃度との関係を図３（ｂ）に示す。Example 5 As Example 5, a sputtering target (i) having a two-layer structure and having a constant SiO 2 mixing ratio in the first region was manufactured. Shape is. Diameter 2
00 (mm) and thickness t = 6 (mm). FIG. 3A shows the relationship between the depth of the target (i) and the mixing ratio of SiO 2 . Further, the amount of consumption of the target (i) and the amount of Si in the ZnS—SiO 2 thin film formed using the target (i).
FIG. 3B shows the relationship with the O 2 concentration.

【００７６】図３（ａ）、（ｂ）から、２層構造であ
り、第１領域におけるＳｉＯ2混合比を一定として作製
したターゲット（ｉ）を用いると、ターゲット（ｉ）の
使用開始直後から消耗寿命に至るまで、ＳｉＯ2濃度が
ほぼ一定の薄膜を得ることができることが判った。3 (a) and 3 (b), when the target (i) having a two-layer structure and having a constant SiO 2 mixture ratio in the first region is used, immediately after the start of use of the target (i), It has been found that a thin film having a substantially constant SiO 2 concentration can be obtained up to the consumption life.

【００７７】以下の実施例６〜９は、ｘをパラメーター
として、組成不連続面を設定する深さを検討するもので
ある。以下、ｘ＝ｎは、ターゲットの上面から深さｎ
（ｍｍ）の位置に組成不連続面を設定し、ターゲットの
上面から深さｎ（ｍｍ）までの部分を第１領域としたこ
とを意味する。The following Examples 6 to 9 examine the depth at which the composition discontinuity plane is set, using x as a parameter. Hereinafter, x = n is a depth n from the upper surface of the target.
This means that the composition discontinuity plane is set at the position of (mm), and the portion from the upper surface of the target to the depth n (mm) is set as the first region.

【００７８】（実施例６）実施例６として、ｘ＝０.５
とし、実施例３〜５と同様に、第１領域中のＳｉＯ2濃
度分布と変更した３つのターゲット６を作製した。さら
に、ターゲット６を用いて薄膜を形成した結果、ターゲ
ット６が０．５〜１．５（ｍｍ）消耗された状態で形成
される薄膜は、薄膜中のＳｉＯ2濃度が許容値を下回る
ことが判った。(Embodiment 6) As Embodiment 6, x = 0.5
In the same manner as in Examples 3 to 5, three targets 6 were produced in which the SiO 2 concentration distribution in the first region was changed. Furthermore, as a result of forming a thin film using the target 6, a thin film formed in a state where the target 6 is consumed by 0.5 to 1.5 (mm) may have a SiO 2 concentration in the thin film below an allowable value. understood.

【００７９】（実施例７）実施例７として、ｘ＝１.０
として、実施例３〜５と同様に、第１領域中のＳｉＯ2
濃度分布と変更した３つのターゲット７を作製した。さ
らに、各ターゲット７を用いて薄膜を形成した結果、い
ずれのターゲット７を用いても、使用開始直後から消耗
寿命に至るまで、ＳｉＯ2濃度がほぼ一定の薄膜を得る
ことができることが判った。(Embodiment 7) As Embodiment 7, x = 1.0
As in Examples 3 to 5, the SiO 2 in the first region
Three targets 7 having different concentration distributions were produced. Furthermore, as a result of forming a thin film using each of the targets 7, it was found that a thin film having a substantially constant SiO 2 concentration can be obtained from any of the targets 7 from the start of use to the end of its consumption life.

【００８０】（実施例８）実施例７として、ｘ＝２.０
として、実施例３〜５と同様に、第１領域中のＳｉＯ2
濃度分布と変更した３つのターゲット８を作製した。各
ターゲット８を用いて薄膜を形成した結果、いずれのタ
ーゲット８を用いても、使用開始直後から消耗寿命に至
るまで、ＳｉＯ2濃度がほぼ一定の薄膜を得ることがで
きることが判った。(Embodiment 8) As Embodiment 7, x = 2.0
As in Examples 3 to 5, the SiO 2 in the first region
Three targets 8 having different concentration distributions were produced. As a result of forming a thin film using each of the targets 8, it was found that a thin film having a substantially constant SiO 2 concentration can be obtained from any of the targets 8 immediately after the start of use until the end of its life.

【００８１】（実施例９）実施例９として、ｘ＝２.５
とし、実施例３〜５と同様に、第１領域中のＳｉＯ2濃
度分布と変更した３つのターゲット９を作製した。さら
に、ターゲット９を用いて薄膜を形成した結果、ターゲ
ット９が１.５〜２.５（ｍｍ）消耗された状態で形成さ
れる薄膜は、薄膜中のＳｉＯ2濃度が許容値を上回るこ
とが判った。(Embodiment 9) As Embodiment 9, x = 2.5
In the same manner as in Examples 3 to 5, three targets 9 were produced in which the SiO 2 concentration distribution in the first region was changed. Furthermore, as a result of forming a thin film using the target 9, a thin film formed in a state where the target 9 is consumed by 1.5 to 2.5 (mm) may have a SiO 2 concentration in the thin film exceeding an allowable value. understood.

【００８２】（実施例１０）実施例１０として、ターゲ
ットの厚さｔ＝１０（ｍｍ）とし、実施例１〜９と同様
に、第１領域中のＳｉＯ2濃度分布及び組成不連続面を
変更した９つのターゲット１０を作製し、各ターゲット
１０を用いて薄膜を形成した結果、どのターゲットを用
いても、使用開始直後から消耗寿命に至るまで、ＳｉＯ
2濃度がほぼ一定の薄膜を得ることができることが判っ
た。Example 10 In Example 10, the target thickness t = 10 (mm) and the SiO 2 concentration distribution and the composition discontinuity plane in the first region were changed in the same manner as in Examples 1 to 9. As a result of producing the nine targets 10 formed as described above and forming a thin film using each of the targets 10, no matter which target was used, the SiO 2 was used immediately after the start of use until the end of its consumption life.
2 It was found that a thin film having a substantially constant concentration could be obtained.

【００８３】（実施例１１）実施例１１として、ターゲ
ットの厚さｔ＝３（ｍｍ）とし、実施例１〜９と同様
に、第１領域中のＳｉＯ2濃度分布及び組成不連続面を
変更した９つのターゲット１０を作製し、各ターゲット
１1を用いて薄膜を形成した結果、どのターゲットを用
いても、使用開始直後から消耗寿命に至るまで、ＳｉＯ
2濃度がほぼ一定の薄膜を得ることができることを判っ
た。Example 11 In Example 11, the target thickness t was set to 3 (mm), and the SiO 2 concentration distribution and the composition discontinuity plane in the first region were changed in the same manner as in Examples 1 to 9. As a result of fabricating nine targets 10 and forming a thin film using each target 11, no matter which target was used, the SiO 2 was used immediately after the start of use until the end of its life.
2 It was found that a thin film having a substantially constant concentration could be obtained.

【００８４】（実施例１２）ＺｎＳｅ−ＳｉＯ2スパッ
タリングタ−ゲット１１を作製し、実施例１から１１と
同じ実施例を行った。その結果、ターゲット１１を用い
て薄膜を形成すると、ターゲット１１の使用開始直後か
ら消耗寿命に至るまで、ＳｉＯ2濃度がほぼ一定の薄膜
を得ることができることが判った。(Example 12) A ZnSe-SiO 2 sputtering target 11 was manufactured, and the same example as in Examples 1 to 11 was performed. As a result, it has been found that when a thin film is formed using the target 11, a thin film having a substantially constant SiO 2 concentration can be obtained from immediately after the use of the target 11 to the end of its life.

【００８５】従って、スパッタリングターゲットα−Ｓ
ｉＯ2を作製する際（α：ＺｎＳｅ又はＺｎＳ）、タ−
ゲットの厚さ及びαに依存せず、組成不連続面は、ター
ゲットから深さ１ｍｍ〜２ｍｍ位置に設定するのが最も
好ましい。Therefore, the sputtering target α-S
When producing iO 2 (α: ZnSe or ZnS),
Regardless of the thickness and α of the get, the composition discontinuity surface is most preferably set at a position 1 mm to 2 mm deep from the target.

【００８６】（実施例１３）Ｇｅ粉末とＣｒ粉末とを均
一に混合して作製したＧｅＣｒスパッタリングタ−ゲッ
トを使用して、スパッタリングタ−ゲット使用開始から
消耗寿命まで、形成される薄膜の組成がいかに変化する
か調べた。Example 13 Using a GeCr sputtering target prepared by uniformly mixing Ge powder and Cr powder, the composition of a thin film to be formed from the start of using the sputtering target to the consumption life thereof. I checked how it changes.

【００８７】詳細には、Ｇｅ粉末とＣｒ粉末とを、７
０：３０のモル濃度比で均一に混ぜて固めて、直径２０
０（ｍｍ）、厚みｔ＝６（ｍｍ）のＧｅＣｒタ−ゲット
（ｊ）を作製した。このタ−ゲット（ｊ）を各々バッキ
ングプレ−トに接着し、枚葉式スパッタ装置に取り付け
た。到達真空度５×１０-6Ｔｏｒｒで、Ａｒガスを導入
し、圧力２０ｍＴｏｒｒでＲＦ電源を用いて１０００Ｗ
のパワ−を投入しスパッタを開始した。こうすること
で、膜厚約５００（ｎｍ）のＧｅＣｒ薄膜をガラス基板
に形成した。薄膜の組成はＩＣＰ発光分光分析により分
析した。ＧｅＣｒタ−ゲットのＣｒ混合比を図１１
（ａ）に、タ−ゲット消耗に対するスパッタ膜中のＣｒ
濃度（ａｔ％）を図１１（ｂ）に示す。以下、実施例１
４から１７においてもスパッタ条件、組成分析条件は同
様とした。More specifically, Ge powder and Cr powder were
Evenly mix and harden at a molar concentration ratio of 0:30 to obtain a diameter of 20
A GeCr target (j) having a thickness of 0 (mm) and a thickness of t = 6 (mm) was produced. Each of the targets (j) was adhered to a backing plate and attached to a single-wafer sputtering apparatus. At an ultimate vacuum of 5 × 10 −6 Torr, Ar gas is introduced, and at a pressure of 20 mTorr, 1000 W using an RF power source.
And the sputtering was started. Thus, a GeCr thin film having a thickness of about 500 (nm) was formed on the glass substrate. The composition of the thin film was analyzed by ICP emission spectroscopy. FIG. 11 shows the Cr mixing ratio of the GeCr target.
(A) shows Cr in the sputtered film against the target consumption.
The concentration (at%) is shown in FIG. Hereinafter, Example 1
The sputtering conditions and composition analysis conditions were the same for 4 to 17.

【００８８】図１１（ａ）、（ｂ）から、タ−ゲット使
用開始後は、目標値３０（ａｔ％）に対し、薄膜中のＣ
ｒ濃度が約半分であることがわかる。また、約２ｍｍ消
耗で薄膜中Ｃｒ濃度が３０（ａｔ％）に達し、安定する
ことも判った。従って、ターゲットの使用開始面（上
面）から深さ２（ｍｍ）の部分をスパッタして得られる
薄膜の組成は安定しないので、上面から深さ２（ｍｍ）
までの部分（第１領域）の組成比を変更すれば、ターゲ
ットの使用開始直後から、安定した組成の薄膜を得るこ
とができると考えられる。つまり、ターゲットのターゲ
ットの上面から深さｄ（ｍｍ）の部分のみ材料粉末の組
成比を変更し、ｄ（ｍｍ）よりも深い部分は、薄膜の組
成比と材料粉末の組成比を同じにすれはよい。以下、上
面から深さｄ（ｍｍ）に位置する厚さ方向に直交する面
を組成不連続面と呼び、上面と組成不連続面に挟まれる
部分を領域形状の部分を第１領域と呼ぶ。尚、薄膜のＣ
ｒ濃度の許容値は、３０．０±０．５（ａｔ％）であ
る。From FIGS. 11 (a) and 11 (b), after the start of the use of the target, the C in the thin film is not increased with respect to the target value 30 (at%).
It can be seen that the r concentration is about half. It was also found that the Cr concentration in the thin film reached 30 (at%) with about 2 mm consumption, and was stabilized. Therefore, since the composition of the thin film obtained by sputtering the portion having a depth of 2 (mm) from the use start surface (upper surface) of the target is not stable, the depth is 2 (mm) from the upper surface.
By changing the composition ratio of the portion up to (the first region), a thin film having a stable composition can be obtained immediately after the start of use of the target. In other words, the composition ratio of the material powder is changed only in a portion at a depth d (mm) from the upper surface of the target, and in the portion deeper than d (mm), the composition ratio of the thin film and the material powder are made the same. Is good. Hereinafter, a surface perpendicular to the thickness direction located at a depth d (mm) from the upper surface is referred to as a composition discontinuity surface, and a portion sandwiched between the upper surface and the composition discontinuity surface is referred to as a first region. In addition, C of the thin film
The allowable value of the r concentration is 30.0 ± 0.5 (at%).

【００８９】（実施例１４）直径２００（ｍｍ）、厚み
ｔ＝６（ｍｍ）の粉末の混合比の異なる５種類のＧｅＣ
ｒスパッタリングタ−ゲット（ｋ）〜（ｏ）を作製し、
スパッタリングタ−ゲット使用開始時における、形成さ
れる薄膜の組成を分析した。結果を、以下の表２に示
す。Example 14 Five kinds of GeC powders having different mixing ratios of powder having a diameter of 200 (mm) and a thickness of t = 6 (mm)
r sputtering targets (k) to (o) are prepared,
At the beginning of using the sputtering target, the composition of the formed thin film was analyzed. The results are shown in Table 2 below.

【００９０】[0090]

【表２】 [Table 2]

【００９１】表２から、タ−ゲットのＣｒの混合比を増
やすことにより、形成される薄膜のＣｒ濃度も増し、混
合比を６０：４０にすればスパッタリングタ−ゲット使
用開始時の薄膜中のＧｅ濃度が３０ａｔ％Ｃｒになるこ
とが判った。このことから、目標とする薄膜中のＣｒ濃
度に対し、タ−ゲット上面のＣｒ混合比は約１.３〜１.
５倍にすることが好ましいことが判る。From Table 2, it can be seen that by increasing the Cr mixing ratio of the target, the Cr concentration of the formed thin film is also increased. When the mixing ratio is 60:40, the Cr content in the thin film at the start of using the sputtering target is increased. It was found that the Ge concentration was 30 at% Cr. From this, the Cr mixing ratio on the upper surface of the target is about 1.3 to 1.0 with respect to the target Cr concentration in the thin film.
It turns out that it is preferable to make it 5 times.

【００９２】以下、実施例１５〜１７は、ターゲットの
上面から深さ２．０（ｍｍ）の位置に組成不連続面を設
定した場合の、第１領域におけるＣｒ混合比の分布に関
して検討したものである。Hereinafter, Examples 15 to 17 are for examining the distribution of the Cr mixture ratio in the first region when the composition discontinuity surface is set at a depth of 2.0 (mm) from the upper surface of the target. It is.

【００９３】（実施例１５）実施例１５として、第１領
域において、ターゲットの深さに比例して、Ｃｒ混合比
を減少させたＧｅＣｒスパッタリングタ−ゲット（ｐ）
を作製した。形状は直径２００（ｍｍ）、厚さｔ＝６
（ｍｍ）とした。ターゲット（ｐ）の深さとＣｒ混合比
との関係を図４（ａ）に示す。また、ターゲット（ｐ）
の消耗量と、ターゲット（ｐ）を用いて成膜したＧｅ―
Ｃｒ薄膜中のＣｒ濃度との関係を図４（ｂ）に示す。Fifteenth Embodiment As a fifteenth embodiment, in the first region, a GeCr sputtering target (p) in which the Cr mixture ratio is reduced in proportion to the target depth.
Was prepared. The shape is diameter 200 (mm), thickness t = 6
(Mm). FIG. 4A shows the relationship between the depth of the target (p) and the Cr mixing ratio. The target (p)
Consumption of Ge and Ge- deposited using target (p)
FIG. 4B shows the relationship with the Cr concentration in the Cr thin film.

【００９４】図４（ａ）、（ｂ）から、第１領域におい
て、Ｃｒ混合比をターゲットの深さに対して比例的に減
少させるように作製したターゲット（ｐ）を用いると、
ターゲット（ｐ）の使用開始直後から消耗寿命に至るま
で、Ｃｒ濃度が一定の薄膜を得ることができることが判
る。As shown in FIGS. 4A and 4B, when the target (p) manufactured so as to decrease the Cr mixing ratio in proportion to the target depth in the first region is used,
It can be seen that a thin film having a constant Cr concentration can be obtained from immediately after the start of use of the target (p) to the end of its consumption life.

【００９５】（実施例１６）実施例１６として、第１領
域において、Ｃｒ混合比が４段階で減少する、４段階の
層状分布をもつスパッタリングタ−ゲット（ｑ）を作製
した。形状は、直径２００（ｍｍ）、厚さｔ＝６（ｍ
ｍ）とする。ターゲット（ｑ）の深さとＣｒ混合比との
関係を図５（ａ）に示す。また、ターゲット（ｑ）の消
耗量と、ターゲット（ｑ）を用いて成膜したＣｒ−Ｇｅ
薄膜中のＣｒ濃度との関係を図５（ｂ）に示す。Example 16 As Example 16, a sputtering target (q) having a four-stage layered distribution in which the Cr mixing ratio decreased in four stages in the first region was manufactured. The shape is diameter 200 (mm), thickness t = 6 (m
m). FIG. 5A shows the relationship between the depth of the target (q) and the Cr mixing ratio. The amount of consumption of the target (q) and the amount of Cr-Ge
FIG. 5B shows the relationship with the Cr concentration in the thin film.

【００９６】図５（ａ）、（ｂ）から、第１領域を多層
構造にし、第１領域でＣｒ混合比を段階的に減少させて
作製したターゲット（ｑ）を用いると、ターゲット
（ｑ）の使用開始直後から消耗寿命に至るまで、Ｃｒ濃
度がほぼ一定の薄膜を得ることができることが判る。As shown in FIGS. 5A and 5B, when the first region has a multilayer structure and the target (q) manufactured by gradually decreasing the Cr mixing ratio in the first region is used, the target (q) It can be seen that a thin film having a substantially constant Cr concentration can be obtained from immediately after the start of use to the end of its consumption life.

【００９７】（実施例１７）実施例１７として、２層構
造であり、第１領域でのＣｒ混合比が一定であるスパッ
タリングタ−ゲット（ｒ）を作製した。形状は。直径２
００（ｍｍ）、厚さｔ＝６（ｍｍ）とした。ターゲット
（ｒ）の深さとＣｒ混合比との関係を図６（ａ）に示
す。また、ターゲット（ｒ）の消耗量と、ターゲット
（ｒ）を用いて成膜したＧｅ−Ｃｒ薄膜中のＣｒ濃度と
の関係を図６（ｂ）に示す。Example 17 As Example 17, a sputtering target (r) having a two-layer structure and a constant Cr mixing ratio in the first region was manufactured. Shape is. Diameter 2
00 (mm) and thickness t = 6 (mm). FIG. 6A shows the relationship between the depth of the target (r) and the Cr mixing ratio. FIG. 6B shows the relationship between the amount of consumption of the target (r) and the Cr concentration in the Ge—Cr thin film formed using the target (r).

【００９８】図６（ａ）、（ｂ）から、２層構造であ
り、第１領域におけるＣｒ混合比を一定として作製した
ターゲット（ｒ）を用いると、ターゲット（ｒ）の使用
開始直後から消耗寿命に至るまで、Ｃｒ濃度がほぼ一定
の薄膜を得ることができることがわかる。As shown in FIGS. 6A and 6B, when a target (r) having a two-layer structure and a constant Cr mixture ratio in the first region is used, the target (r) is consumed immediately after the start of use. It can be seen that a thin film having a substantially constant Cr concentration can be obtained until the end of the life.

【００９９】以下の実施例１８〜２１は、ｘをパラメー
ターとして、組成不連続面を設定する深さを検討するも
のである。以下、ｘ＝ｎは、ターゲットの上面から深さ
ｎ（ｍｍ）の位置に組成不連続面を設定し、ターゲット
の上面から深さｎ（ｍｍ）までの部分を第１領域とした
ことを意味する。The following Examples 18 to 21 examine the depth at which the composition discontinuity plane is set, using x as a parameter. Hereinafter, x = n means that the composition discontinuity surface is set at a position at a depth n (mm) from the upper surface of the target, and a portion from the upper surface of the target to a depth n (mm) is defined as the first region. I do.

【０１００】（実施例１８）実施例１８として、ｘ＝
１.０とし、実施例１５〜１７と同様に、第１領域中の
Ｃｒ濃度分布と変更した３つのターゲット１８を作製し
た。さらに、ターゲット１８を用いて薄膜を形成した結
果、ターゲット１８が０．５〜２.０（ｍｍ）消耗され
た状態で形成される薄膜は、薄膜中のＣｒ濃度が許容値
を下回ることが判った。(Embodiment 18) As Embodiment 18, x =
1.0, and three targets 18 were prepared in the same manner as in Examples 15 to 17 except that the Cr concentration distribution in the first region was changed. Furthermore, as a result of forming a thin film using the target 18, it is found that the thin film formed when the target 18 is consumed by 0.5 to 2.0 (mm) has a Cr concentration in the thin film below an allowable value. Was.

【０１０１】（実施例１９）実施例１９として、ｘ＝
１.５として、実施例１５〜１７と同様に、第１領域中
のＣｒ濃度分布と変更した３つのターゲット１９を作製
した。さらに、各ターゲット１９を用いて薄膜を形成し
た結果、いずれのターゲット１９を用いても、使用開始
直後から消耗寿命に至るまで、Ｃｒ濃度がほぼ一定の薄
膜を得ることができることが判った。(Embodiment 19) As Embodiment 19, x =
As 1.5, three targets 19 were prepared in the same manner as in Examples 15 to 17 except that the Cr concentration distribution in the first region was changed. Furthermore, as a result of forming a thin film using each target 19, it was found that a thin film having a substantially constant Cr concentration can be obtained from any of the targets 19 from the start of use to the end of the consumption life.

【０１０２】（実施例２０）実施例２０として、ｘ＝
２.５として、実施例１５〜１７と同様に、第１領域中
のＣｒ濃度分布と変更した３つのターゲット２０を作製
した。各ターゲット２０を用いて薄膜を形成した結果、
いずれのターゲット２０を用いても、使用開始直後から
消耗寿命に至るまで、Ｃｒ濃度がほぼ一定の薄膜を得る
ことができることが判った。(Embodiment 20) As Embodiment 20, x =
As 2.5, three targets 20 were prepared in the same manner as in Examples 15 to 17 except that the Cr concentration distribution in the first region was changed. As a result of forming a thin film using each target 20,
It was found that a thin film having a substantially constant Cr concentration can be obtained from any of the targets 20 from the start of use to the end of its life.

【０１０３】（実施例２１）実施例９として、ｘ＝３.
０とし、実施例１５〜１７と同様に、第１領域中のＣｒ
濃度分布と変更した４つのターゲット２１を作製した。
さらに、ターゲット２１を用いて薄膜を形成した結果、
ターゲット９が２.０〜３.０（ｍｍ）消耗された状態で
形成される薄膜は、薄膜中のＣｒ濃度が許容値を上回る
ことが判った。(Embodiment 21) As Embodiment 9, x = 3.
0 in the same manner as in Examples 15 to 17,
Four targets 21 having different concentration distributions were produced.
Furthermore, as a result of forming a thin film using the target 21,
It was found that in the thin film formed when the target 9 was consumed by 2.0 to 3.0 (mm), the Cr concentration in the thin film exceeded an allowable value.

【０１０４】（実施例２２）実施例２２として、ターゲ
ットの厚さｔ＝１０（ｍｍ）とし、実施例１３〜２３と
同様に、第１領域中のＣｒ濃度分布及び組成不連続面を
変更した９つのターゲット２２を作製し、各ターゲット
２２を用いて薄膜を形成した結果、どのターゲットを用
いても、使用開始直後から消耗寿命に至るまで、Ｃｒ濃
度がほぼ一定の薄膜を得ることができることが判った。Example 22 In Example 22, the thickness of the target was set to t = 10 (mm), and the Cr concentration distribution and the composition discontinuity plane in the first region were changed in the same manner as in Examples 13 to 23. As a result of manufacturing nine targets 22 and forming a thin film using each target 22, it is possible to obtain a thin film having a substantially constant Cr concentration from the start of use to the end of its life, regardless of which target is used. understood.

【０１０５】（実施例２３）実施例２３として、ターゲ
ットの厚さｔ＝３（ｍｍ）とし、実施例１３〜２３と同
様に、第１領域中のＣｒ濃度分布及び組成不連続面を変
更した９つのターゲット２３を作製し、各ターゲット２
３を用いて薄膜を形成した結果、どのターゲットを用い
ても、使用開始直後から消耗寿命に至るまで、Ｃｒ濃度
がほぼ一定の薄膜を得ることができることが判った。(Example 23) In Example 23, the target thickness t was set to 3 (mm), and the Cr concentration distribution and the composition discontinuity plane in the first region were changed in the same manner as in Examples 13 to 23. Nine targets 23 were prepared, and each target 2
As a result of forming a thin film using No. 3, it was found that a thin film having a substantially constant Cr concentration can be obtained from the start of use to the end of its life, regardless of the target used.

【０１０６】（実施例２４）Ｇｅ−Ｍ（Ｍは、Ｔｉ、Ｎ
ｉ、Ｃｏ又はＳｉ）スパッタリングタ−ゲット２４を作
製し、実施例１３から２１と同じ実験を行った。ターゲ
ット２４を用いて薄膜を形成すると、ターゲット２４の
使用開始直後から消耗寿命に至るまで、薄膜中のＭ濃度
がほぼ一定の薄膜を得ることができることが判った。(Example 24) Ge-M (M is Ti, N
(i, Co or Si) sputtering target 24 was prepared, and the same experiment as in Examples 13 to 21 was performed. It has been found that when a thin film is formed using the target 24, a thin film having a substantially constant M concentration in the thin film can be obtained from immediately after the use of the target 24 to the end of its consumption life.

【０１０７】従って、スパッタリングターゲットＧｅ―
Ｍを作製する際、タ−ゲットの厚さ及びＭに依存せず、
組成不連続面は、ターゲットから深さ１.５ｍｍ〜２.５
ｍｍの位置に設定するのが最も好ましい。Therefore, the sputtering target Ge-
When manufacturing M, regardless of the thickness of the target and M,
The composition discontinuity surface is 1.5 mm to 2.5 mm deep from the target.
Most preferably, it is set at a position of mm.

【０１０８】（実施例２５）粉末を均一に混ぜたＺｎＳ
−ＳｉＯ2スパッタリングタ−ゲットを使用して光学情
報記録媒体の第１の光干渉層及び第２の光干渉層を作製
する場合について、各スパッタリングターゲットの使用
開始直後から消耗寿命に至るまで、同じスパッタリング
ターゲットから作製された第１の光干渉層及び第２の光
干渉層の特性、具体的には光学情報記録媒体の反射率や
記録感度がどのように変化するかを調べた。(Example 25) ZnS in which powder was uniformly mixed
-SiO 2 Sputtering data - for the case of preparing a first optical interference layer and the second optical interference layer of the optical information recording medium using the target, up to the exhaustion life immediately after start of use of the sputtering targets, the same The characteristics of the first optical interference layer and the second optical interference layer manufactured from the sputtering target, specifically, how the reflectance and the recording sensitivity of the optical information recording medium change were examined.

【０１０９】ポリカ−ボネート基板上に第一の光干渉
層、第一の窒化物層、記録層、第二の光干渉層、反射層
をこの順に真空チャンバー内で連続形成して、光学情報
記録媒体を製造した。実施例１と同様に枚葉式スパッタ
装置にターゲットをセットして、到達真空度を５×１０
― 6Ｔｏｒｒとして、薄膜を形成した。ＳｉＯ2混合比が
２０ｍｏｌ％であり、厚さ方向に対して混合比が均一で
あるＺｎＳ−ＳｉＯ2スパッタリングタ−ゲット（ａ）
を使用して、上記実施例１と同じスパッタ条件で膜厚１
０００（ｎｍ）の光干渉層を作製した。A first optical interference layer, a first nitride layer, a recording layer, a second optical interference layer, and a reflective layer are successively formed in this order on a polycarbonate substrate in a vacuum chamber to record optical information. The media was manufactured. The target was set in the single-wafer sputtering apparatus in the same manner as in Example 1, and the ultimate vacuum was 5 × 10
A thin film was formed at 6 Torr. SiO 2 mixture ratio is that 20 mol%, the mixing ratio with respect to the thickness direction is uniform ZnS-SiO 2 sputtering data - target (a)
And a film thickness of 1 under the same sputtering conditions as in Example 1 above.
A light interference layer of 000 (nm) was produced.

【０１１０】Ｃｒの混合比が３０ａｔ％、厚さｔ＝６ｍ
ｍ、上面から３ｍｍ以上消耗しているＧｅ―Ｃｒターゲ
ットを枚葉式スパッタ装置にセットし、ＡｒガスとＮ2
ガスとを導入し、圧力を２０ｍＴｏｒｒとし、放電パワ
ー１０００Ｗで反応性スパッタにより、膜厚１００（ｎ
ｍ）のＧｅ―Ｃｒ薄膜を第１の窒化物層として形成し
た。The mixing ratio of Cr is 30 at%, thickness t = 6 m
m, a Ge—Cr target depleted by 3 mm or more from the upper surface is set in a single-wafer sputtering apparatus, and Ar gas and N 2
A gas was introduced, the pressure was set to 20 mTorr, and the discharge power was set to 1000 W by reactive sputtering to form a film having a thickness of 100 (n).
m) The Ge—Cr thin film was formed as a first nitride layer.

【０１１１】さらに、枚葉式スパッタ装置にＧｅＳｂＴ
ｅターゲットをセットして、ＡｒガスとＮ2ガスを導入
して、圧力を１ｍＴｏｒｒとし、放電パワー２００Ｗで
反応性スパッタにより、膜厚２００（ｎｍ）の記録層を
形成した。Further, GeSbT was used for the single wafer sputtering apparatus.
An e target was set, Ar gas and N 2 gas were introduced, the pressure was set to 1 mTorr, and a 200 (nm) -thick recording layer was formed by reactive sputtering at a discharge power of 200 W.

【０１１２】次に、厚さ＝６ｍｍ、Ｃｒの組成比が３０
ａｔ％であり、上面から３ｍｍ以上消耗されたＧｅ―Ｃ
ｒスパッタリングタ−ゲットを、枚葉式スパッタ装置に
セットし、Ａｒガスを導入し、圧力を２ｍＴｏｒｒし
て、放電パワー３０００Ｗで、膜厚３００（ｎｍ）の第
２窒化物層を作成した。Next, when the thickness is 6 mm and the composition ratio of Cr is 30
at-%, Ge-C consumed by 3 mm or more from the upper surface
The r sputtering target was set in a single-wafer sputtering apparatus, Ar gas was introduced, the pressure was set at 2 mTorr, and a discharge power of 3000 W was used to form a second nitride layer having a thickness of 300 (nm).

【０１１３】最後に、ＡｌＣｒターゲットを枚葉式スパ
ッタリング装置にセットし、Ａｒガスを導入し、圧力を
１ｍＴｏｒｒとして、放電パワー１０００Ｗとし、膜厚
１０００（ｎｍ）の反射層を形成した。Finally, the AlCr target was set in a single-wafer sputtering apparatus, Ar gas was introduced, the pressure was set to 1 mTorr, the discharge power was set to 1000 W, and a reflective layer having a thickness of 1000 (nm) was formed.

【０１１４】光情報記録媒体を構成する薄膜を形成した
後、ＵＶ硬化樹脂でオーバーコートを施し、同じものを
樹脂で貼り合わせて両面型の光学情報記録媒体を製造し
た。貼り合わせ後、半導体レ−ザにより記録媒体全面を
結晶化させた。After forming the thin film constituting the optical information recording medium, it was overcoated with a UV curable resin, and the same was adhered with the resin to produce a double-sided optical information recording medium. After bonding, the entire surface of the recording medium was crystallized with a semiconductor laser.

【０１１５】光学情報記録媒体の反射率および記録感度
の測定条件を説明する。反射率は、パルステック製光領
域評価装置で測定した。光源波長は、６６０ｎｍ、ＮＡ
０.６である。線速度６ｍ／ｓで反射部の反射率を測定
した。The conditions for measuring the reflectance and the recording sensitivity of the optical information recording medium will be described. The reflectance was measured with a light area evaluation device manufactured by Pulstec. The light source wavelength is 660 nm, NA
0.6. The reflectivity of the reflector was measured at a linear velocity of 6 m / s.

【０１１６】記録感度は、同装置にてランダム信号を記
録し、ジッタ−値１０％なる記録パワ−を測定した。ス
パッタリングターゲット（ａ）の使用開始直後から消耗
寿命に至るまで用いて、このターゲット（ａ）から作製
された第１の光干渉層、第２の光干渉層及び第１の窒化
物層の特性を備えている光学情報記録媒体の反射率及び
記録感度と、ターゲット（ａ）の消耗との関係を図１０
（ａ）、（ｂ）に示す。The recording sensitivity was determined by recording a random signal with the same apparatus and measuring the recording power at which the jitter value was 10%. The properties of the first light interference layer, the second light interference layer, and the first nitride layer formed from the sputtering target (a) from the start of use of the sputtering target (a) to the end of its consumption life are used. FIG. 10 shows the relationship between the reflectance and recording sensitivity of the provided optical information recording medium and the consumption of the target (a).
(A) and (b) show.

【０１１７】図１０（ａ）から、タ−ゲット（ａ）使用
開始直後に作製された光情報記録媒体の反射率は２５％
と高いこと、ターゲット（ａ）の消耗がされると、反射
率は徐々に低下すること、及びターゲット（ａ）が約
１．５（ｍｍ）以上消耗した状態で作製された光情報記
録媒体の反射率は、１８％で安定することが判った。FIG. 10A shows that the reflectance of the optical information recording medium produced immediately after the start of use of the target (a) was 25%.
When the target (a) is consumed, the reflectance gradually decreases, and the optical information recording medium manufactured in a state where the target (a) is consumed by about 1.5 (mm) or more. The reflectance was found to be stable at 18%.

【０１１８】同様に、図１０（ｂ）から、タ−ゲット
（ａ）使用開始直後に作製された光情報記録媒体の記録
感度は１１ｍｖであるが、ターゲット（ａ）の消耗がさ
れると、記録感度は徐々に低下し、ターゲット（ａ）が
約１．５（ｍｍ）以上消耗した状態で作製された光情報
記録媒体の記録感度は、８.５ｍＶでと高感度で安定す
ることが判った。Similarly, from FIG. 10B, the recording sensitivity of the optical information recording medium manufactured immediately after the start of use of the target (a) is 11 mv, but when the target (a) is consumed, It was found that the recording sensitivity gradually decreased, and the recording sensitivity of the optical information recording medium manufactured in a state where the target (a) was consumed by about 1.5 (mm) or more was 8.5 mV and was stable with high sensitivity. Was.

【０１１９】（実施例２６）上記実施例３で検証したタ
ーゲット（ｇ）を用いて形成した第１光干渉層を備えて
いる光学情報記憶媒を作製した。ターゲット（ｇ）の消
耗量と、ターゲット（ｇ）を用いて成膜した第１光干渉
層を備えている光学情報記録媒体の反射率及び記録感度
との関係を図７（ａ）、（ｂ）に示す。Example 26 An optical information storage medium having a first light interference layer formed using the target (g) verified in Example 3 was manufactured. 7A and 7B show the relationship between the consumption of the target (g) and the reflectance and recording sensitivity of the optical information recording medium having the first optical interference layer formed using the target (g). ).

【０１２０】図７（ａ）、（ｂ）から、ターゲット
（ｇ）を用いて光学記憶情報媒体の第１光干渉層を作製
すると、ターゲット（ｇ）の消耗量に関わらず、ターゲ
ット（ｇ）の使用開始直後から消耗寿命に至るまで、安
定した特性の第１光干渉層を作製することができること
が判った。From FIGS. 7A and 7B, when the first optical interference layer of the optical storage information medium is produced using the target (g), the target (g) can be produced regardless of the consumption of the target (g). It has been found that the first light interference layer having stable characteristics can be manufactured from immediately after the start of use to the consumption life.

【０１２１】（実施例２７）上記実施例４で検証したタ
ーゲット（ｈ）を用いて形成した第１光干渉層を備えて
いる光学情報記憶媒を作製した。さらに、ターゲット
（ｈ）の消耗量と、ターゲット（ｈ）を用いて成膜した
第１光干渉層を備えている光学情報記録媒体の反射率及
び記録感度との関係を検証すると、上記実施例２６と同
様の結果を得た。(Example 27) An optical information storage medium having a first light interference layer formed using the target (h) verified in Example 4 was produced. Further, when the relationship between the amount of consumption of the target (h) and the reflectance and recording sensitivity of the optical information recording medium having the first optical interference layer formed using the target (h) is verified, The same result as that of No. 26 was obtained.

【０１２２】（実施例２８）上記実施例４で検証したタ
ーゲット（ｉ）を用いて形成した第１光干渉層を備えて
いる光学情報記憶媒を作製した。さらに、ターゲット
（ｉ）の消耗量と、ターゲット（ｉ）を用いて成膜した
第１光干渉層を備えている光学情報記録媒体の反射率及
び記録感度との関係を検証すると、上記実施例２６と同
様の結果を得た。Example 28 An optical information storage medium having a first light interference layer formed using the target (i) verified in Example 4 was produced. Further, the relationship between the amount of consumption of the target (i) and the reflectance and the recording sensitivity of the optical information recording medium having the first optical interference layer formed using the target (i) was verified. The same result as that of No. 26 was obtained.

【０１２３】（実施例２９）いずれも、酸素雰囲気中で
焼結されて表面が酸化されているＺｎＳ粒子及びＳｉＯ
2から、上記実施例４で検証したターゲット（ｈ）と同
様のターゲット（ｈ´）を作製した。このターゲット
（ｈ´）を用いて形成した第１光干渉層を備えている光
学情報記憶媒を作製した。さらに、ターゲット（ｈ´）
の消耗量と、ターゲット（ｈ´）を用いて成膜した第１
光干渉層を備えている光学情報記録媒体の反射率及び記
録感度との関係を検証すると、上記実施例２６と同様の
結果を得た。(Example 29) In both cases, ZnS particles and SiO2 particles whose surfaces were oxidized by sintering in an oxygen atmosphere were used.
From 2 , a target (h ′) similar to the target (h) verified in Example 4 above was produced. An optical information storage medium having a first optical interference layer formed using this target (h ′) was produced. Furthermore, the target (h ')
Consumption amount and the first film formed using the target (h ′).
When the relationship between the reflectance and the recording sensitivity of the optical information recording medium having the optical interference layer was verified, the same results as in Example 26 were obtained.

【０１２４】（実施例３０）粉末を均一に混ぜたＧｅ―
Ｃｒスパッタリングタ−ゲットを使用して光学情報記録
媒体の第１の窒化物層及び第２の窒化物層を作製する場
合について、各スパッタリングターゲットの使用開始直
後から消耗寿命に至るまで、同じスパッタリングターゲ
ットから作製された第１の窒化物層及び第２の窒化物層
の特性、具体的には光学情報記録媒体の反射率や記録感
度がどのように変化するかを調べた。(Example 30) Ge- mixed with powder uniformly
In the case where the first nitride layer and the second nitride layer of the optical information recording medium are manufactured by using a Cr sputtering target, the same sputtering target is used from immediately after the start of use of each sputtering target until the end of its consumption life. The characteristics of the first nitride layer and the second nitride layer prepared from the above, specifically, how the reflectance and the recording sensitivity of the optical information recording medium change were examined.

【０１２５】ポリカ−ボネート基板上に第１の光干渉
層、第１の窒化物層、記録層、第２の窒化物層、反射層
をこの順に真空チャンバー内で連続形成して、光学情報
記録媒体を製造した。A first light interference layer, a first nitride layer, a recording layer, a second nitride layer, and a reflection layer are successively formed in this order on a polycarbonate substrate in a vacuum chamber to record optical information. The media was manufactured.

【０１２６】第１の窒化物層、記録層、反射層は実施例
２５と同じ条件でスパッタした。第１の光干渉層は、厚
さｔ＝６ｍｍ、使用開始面から３ｍｍ以上消耗されたＺ
ｎＳ−２０ｍｏｌ％ＳｉＯ2スパッタリングタ−ゲット
を用いて形成した。The first nitride layer, recording layer and reflection layer were sputtered under the same conditions as in Example 25. The first light interference layer has a thickness t = 6 mm and Z consumed by 3 mm or more from the starting surface.
It was formed using an nS-20 mol% SiO 2 sputtering target.

【０１２７】さらに、Ｃｒの混合比が３０ｍｏｌ％で、
Ｃｒ粉末とＧｅ粉末と均一に混合してなるＧｅ―３０Ｃ
ｒスパッタリングタ−ゲットを枚葉式スパッタ装置にセ
ットし、ＡｒガスとＮ2ガスを導入し、圧力２０ｍＴｏ
ｒｒ、放電パワー１０００Ｗとして、反応性スパッタに
より３００（ｎｍ）の第２の窒化物層を形成した。Further, when the mixing ratio of Cr is 30 mol%,
Ge-30C uniformly mixed with Cr powder and Ge powder
The r sputtering target was set in a single wafer sputtering apparatus, Ar gas and N 2 gas were introduced, and the pressure was 20 mTo.
A second nitride layer having a thickness of 300 (nm) was formed by reactive sputtering at rr and a discharge power of 1000 W.

【０１２８】スパッタリングターゲット（ｊ）の使用開
始直後から消耗寿命に至るまで用いて、このターゲット
（ｊ）から作製された第１の窒化物層の特性を備えてい
る光学情報記録媒体の反射率及び記録感度と、ターゲッ
ト（ｊ）の消耗との関係を図１２（ａ）、（ｂ）に示
す。Using the sputtering target (j) immediately after its use until the end of its consumption life, the reflectance and the reflectance of the optical information recording medium having the characteristics of the first nitride layer produced from this target (j) are determined. FIGS. 12A and 12B show the relationship between the recording sensitivity and the consumption of the target (j).

【０１２９】図１２（ａ）から、タ−ゲット（ｊ）使用
開始直後に作製された光情報記録媒体の反射率は約２３
％と高いこと、ターゲット（ｊ）の消耗がされると、反
射率は徐々に低下すること、及びターゲット（ｊ）が約
２．０（ｍｍ）以上消耗した状態で作製された光情報記
録媒体の反射率は、１８％で安定することが判る。From FIG. 12A, it is found that the reflectance of the optical information recording medium manufactured immediately after the start of use of the target (j) is about 23.
%, The reflectance gradually decreases when the target (j) is consumed, and an optical information recording medium manufactured with the target (j) consumed by about 2.0 (mm) or more. It can be seen that the reflectance is stable at 18%.

【０１３０】同様に、図１２（ｂ）から、タ−ゲット
（ｊ）使用開始直後に作製された光情報記録媒体の記録
感度は１０.５ｍｖであるが、ターゲット（ｊ）の消耗
がされると、記録感度は徐々に低下し、ターゲット
（ｊ）が約２．０（ｍｍ）以上消耗した状態で作製され
た光情報記録媒体の記録感度は、８.５ｍＶと高感度で
安定することが判る。Similarly, from FIG. 12B, the recording sensitivity of the optical information recording medium produced immediately after the start of use of the target (j) is 10.5 mv, but the target (j) is consumed. The recording sensitivity gradually decreases, and the recording sensitivity of the optical information recording medium manufactured in a state where the target (j) is consumed by about 2.0 (mm) or more is stable at 8.5 mV and high sensitivity. I understand.

【０１３１】（実施例３１）上記実施例１５で検証した
ターゲット（ｐ）を用いて形成した第２の窒化物層を備
えている光学情報記憶媒を作製した。さらに、ターゲッ
ト（ｐ）の消耗量と、ターゲット（ｐ）を用いて成膜し
た第２の窒化物層を備えている光学情報記録媒体の反射
率及び記録感度との関係を図８（ａ）、（ｂ）に示す。Example 31 An optical information storage medium having a second nitride layer formed using the target (p) verified in Example 15 was produced. FIG. 8A shows the relationship between the consumption of the target (p) and the reflectance and recording sensitivity of the optical information recording medium having the second nitride layer formed using the target (p). , (B).

【０１３２】図８（ａ）、（ｂ）から、ターゲット
（ｐ）を用いて光学記憶情報媒体の第２の窒化物層を作
製すると、ターゲット（ｐ）の消耗量に関わらず、ター
ゲット（ｐ）の使用開始直後から消耗寿命に至るまで、
安定した第２の窒化物層を形成することができることが
判る。As shown in FIGS. 8A and 8B, when the second nitride layer of the optical storage information medium is manufactured using the target (p), the target (p) is produced regardless of the consumption of the target (p). ) From the start of use until the end of its life,
It can be seen that a stable second nitride layer can be formed.

【０１３３】（実施例３２）上記実施例１６で検証した
ターゲット（ｑ）を用いて形成した第２の窒化物層を備
えている光学情報記憶媒を作製した。さらに、ターゲッ
ト（ｑ）の消耗量と、ターゲット（ｑ）を用いて成膜し
た第２の窒化物層を備えている光学情報記録媒体の反射
率及び記録感度との関係を検証すると、上記実施例３１
と同様の結果を得た。Example 32 An optical information storage medium having a second nitride layer formed using the target (q) verified in Example 16 was produced. Further, the relationship between the amount of consumption of the target (q) and the reflectance and recording sensitivity of the optical information recording medium having the second nitride layer formed using the target (q) was verified. Example 31
And similar results were obtained.

【０１３４】（実施例３３）上記実施例１７で検証した
ターゲット（ｒ）を用いて形成した第２の窒化物層を備
えている光学情報記憶媒を作製した。さらに、ターゲッ
ト（ｒ）の消耗量と、ターゲット（ｒ）を用いて成膜し
た第２の窒化物層を備えている光学情報記録媒体の反射
率及び記録感度との関係を検証すると、上記実施例３１
と同様の結果を得た。Example 33 An optical information storage medium having a second nitride layer formed using the target (r) verified in Example 17 was manufactured. Furthermore, the relationship between the amount of consumption of the target (r) and the reflectance and the recording sensitivity of the optical information recording medium having the second nitride layer formed using the target (r) was verified. Example 31
And similar results were obtained.

【０１３５】（実施例３４）いずれも、窒素雰囲気中で
焼結されて表面が窒化されているＧｅ粒子及びＣｒか
ら、上記実施例４で検証したターゲット（ｐ）と同様の
ターゲット（ｐ´）を作製した。このターゲット（ｐ
´）を用いて形成した第１光干渉層を備えている光学情
報記憶媒を作製した。さらに、ターゲット（ ｐ´）の
消耗量と、ターゲット（ｐ´）を用いて成膜した窒素物
層を備えている光学情報記録媒体の反射率及び記録感度
との関係を検証すると、上記実施例３１と同様の結果を
得た。Example 34 In each case, the same target (p ′) as the target (p) verified in Example 4 above was obtained from Ge particles and Cr whose surfaces were nitrided by being sintered in a nitrogen atmosphere. Was prepared. This target (p
') An optical information storage medium having a first optical interference layer formed by using (1) was manufactured. Further, when the relationship between the amount of consumption of the target (p ') and the reflectance and recording sensitivity of the optical information recording medium having the nitrogen layer formed using the target (p') is verified, 31 similar results were obtained.

【０１３６】[0136]

【発明の効果】本発明のスパッタリングターゲットは、
使用を開始する上面から、形成される薄膜の組成が所望
の値になるまでの一定の深さまでの第１領域と、それよ
り深い第２領域とを備えていて、第１領域の各成分をス
パッタ率に対応させて設定するものであるから、使用開
始直後から消耗寿命に至るまで、安定した組成の薄膜の
形成が可能である。According to the present invention, the sputtering target
A first region is provided from the upper surface where the use is started to a certain depth until the composition of the formed thin film reaches a desired value, and a second region deeper than the first region is provided. Since the setting is made in accordance with the sputtering rate, a thin film having a stable composition can be formed from immediately after the start of use to the end of its life.

【０１３７】本発明のスパッタリングターゲットは、ス
パッタ率の異なる２つの材料からなるものである場合、
第１の領域において、スパッタ率の小さい方の材料の混
合比を、形成しようとする薄膜の混合比より大きくする
ことにより、使用開始直後から消耗寿命に至るまで、よ
り精度良く安定した組成の薄膜の形成が可能である。When the sputtering target of the present invention is made of two materials having different sputtering rates,
In the first region, by setting the mixture ratio of the material having the smaller sputtering rate to be larger than the mixture ratio of the thin film to be formed, a thin film having a more stable composition can be obtained from immediately after the start of use to the end of its life. Can be formed.

【０１３８】また、本願発明の光学情報記録媒体は、本
願発明のスパッタリングターゲットを用いて形成された
窒化物層、光干渉層を備えているものである。上述した
ように、本願発明のスパッタリングターゲットは、使用
開始直後から消耗寿命に至るまで、組成が一定した薄膜
を形成するものである。従って、１つのターゲットによ
って、より多くの光学情報記録媒体を作製することがで
きる。即ち、本願発明のスパッタリングターゲットを用
いて製造することにより、本願発明の光学記憶情報媒体
は、安価かつ品質の安定したものとなる。Further, the optical information recording medium of the present invention has a nitride layer and a light interference layer formed by using the sputtering target of the present invention. As described above, the sputtering target of the present invention forms a thin film having a constant composition immediately after the start of use until the end of its life. Therefore, more optical information recording media can be manufactured with one target. That is, by manufacturing using the sputtering target of the present invention, the optical storage information medium of the present invention is inexpensive and has stable quality.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】 本発明の実施例３に関するデータであり、
（ａ）は、ターゲットの深さとＳｉＯ2の混合比との関
係を示すものであり、（ｂ）は、ターゲットの消耗と、
該ターゲットで形成される薄膜中のＳｉＯ2濃度を示す
ものである。FIG. 1 is data on Example 3 of the present invention;
(A) shows the relationship between the depth of the target and the mixing ratio of SiO 2 , (b) shows the consumption of the target,
3 shows the SiO 2 concentration in a thin film formed by the target.

【図２】 本発明の実施例４に関するデータであり、
（ａ）は、ターゲットの深さとＳｉＯ2の混合比との関
係を示すものであり、（ｂ）は、ターゲットの消耗と、
該ターゲットで形成される薄膜中のＳｉＯ2濃度を示す
ものである。FIG. 2 shows data on Example 4 of the present invention;
(A) shows the relationship between the depth of the target and the mixing ratio of SiO 2 , (b) shows the consumption of the target,
3 shows the SiO 2 concentration in a thin film formed by the target.

【図３】 本発明の実施例５に関するデータであり、
（ａ）は、ターゲットの深さとＳｉＯ2の混合比との関
係を示すものであり、（ｂ）は、ターゲットの消耗と、
該ターゲットで形成される薄膜中のＳｉＯ2濃度を示す
ものである。FIG. 3 shows data on Example 5 of the present invention;
(A) shows the relationship between the depth of the target and the mixing ratio of SiO 2 , (b) shows the consumption of the target,
3 shows the SiO 2 concentration in a thin film formed by the target.

【図４】 本発明の実施例１５に関するデータであり、
（ａ）は、ターゲットの深さとＣｒ混合比との関係を示
すものであり、（ｂ）は、ターゲットの消耗と、該ター
ゲットで形成される薄膜中のＣｒ濃度を示すものであ
る。FIG. 4 shows data on Example 15 of the present invention;
(A) shows the relationship between the target depth and the Cr mixing ratio, and (b) shows the consumption of the target and the Cr concentration in the thin film formed by the target.

【図５】 本発明の実施例１６に関するデータであり、
（ａ）は、ターゲットの深さとＣｒ混合比との関係を示
すものであり、（ｂ）は、ターゲットの消耗と、該ター
ゲットで形成される薄膜中のＣｒ濃度を示すものであ
る。FIG. 5 is data on Example 16 of the present invention;
(A) shows the relationship between the target depth and the Cr mixing ratio, and (b) shows the consumption of the target and the Cr concentration in the thin film formed by the target.

【図６】 本発明の実施例１７に関するデータであり、
（ａ）は、ターゲットの深さとＣｒ混合比との関係を示
すものであり、（ｂ）は、ターゲットの消耗と、該ター
ゲットで形成される薄膜中のＣｒ濃度を示すものであ
る。FIG. 6 shows data on Example 17 of the present invention;
(A) shows the relationship between the target depth and the Cr mixing ratio, and (b) shows the consumption of the target and the Cr concentration in the thin film formed by the target.

【図７】 本発明の実施例２６に関するデータであり、
（ａ）は、ターゲットの消耗と該ターゲットから形成さ
れた薄膜を備えている光情報記録媒体の反射率との関係
を示すものであり、（ｂ）は、ターゲットの消耗と該タ
ーゲットから形成された薄膜を備えている光情報記録媒
体の記録感度との関係を示すものである。FIG. 7 shows data relating to Example 26 of the present invention;
(A) shows the relationship between the consumption of the target and the reflectance of the optical information recording medium provided with the thin film formed from the target, and (b) shows the consumption of the target and the reflectance formed from the target. 3 shows the relationship with the recording sensitivity of an optical information recording medium having a thin film.

【図８】 本発明の実施例３１に関するデータであり、
（ａ）は、ターゲットの消耗と該ターゲットから形成さ
れた薄膜を備えている光情報記録媒体の反射率との関係
を示すものであり、（ｂ）は、ターゲットの消耗と該タ
ーゲットから形成された薄膜を備えている光情報記録媒
体の記録感度との関係を示すものである。FIG. 8 shows data relating to Example 31 of the present invention;
(A) shows the relationship between the consumption of the target and the reflectance of the optical information recording medium provided with the thin film formed from the target, and (b) shows the consumption of the target and the reflectance formed from the target. 3 shows the relationship with the recording sensitivity of an optical information recording medium having a thin film.

【図９】 本発明の実施例１関するデータであり、
（ａ）は、ターゲットの深さとＳｉＯ2の混合比との関
係を示すものであり、（ｂ）は、ターゲットの消耗と、
該ターゲットで形成される薄膜中のＳｉＯ2濃度を示す
ものである。FIG. 9 shows data relating to Example 1 of the present invention;
(A) shows the relationship between the depth of the target and the mixing ratio of SiO 2 , (b) shows the consumption of the target,
3 shows the SiO 2 concentration in a thin film formed by the target.

【図１０】 本発明の実施例２５に関するデータであり
（ａ）は、ターゲットの消耗と該ターゲットから形成さ
れた薄膜を備えている光情報記録媒体の反射率との関係
を示すものであり、（ｂ）は、ターゲットの消耗と該タ
ーゲットから形成された薄膜を備えている光情報記録媒
体の記録感度との関係を示すものである。10A and 10B are data relating to Example 25 of the present invention, and FIG. 10A shows the relationship between the consumption of a target and the reflectance of an optical information recording medium having a thin film formed from the target; (B) shows the relationship between the consumption of the target and the recording sensitivity of the optical information recording medium having the thin film formed from the target.

【図１１】 本発明の実施例１３に関するデータであ
り、（ａ）は、ターゲットの深さとＣｒ混合比との関係
を示すものであり、（ｂ）は、ターゲットの消耗と、該
ターゲットで形成される薄膜中のＣｒ濃度を示すもので
ある。11A and 11B show data relating to Example 13 of the present invention. FIG. 11A shows the relationship between the depth of the target and the Cr mixing ratio, and FIG. 11B shows the consumption of the target and the formation of the target. 3 shows the Cr concentration in the thin film to be formed.

【図１２】 本発明の実施例３０に関するデータであ
り、（ａ）は、ターゲットの消耗と該ターゲットから形
成された薄膜を備えている光情報記録媒体の反射率との
関係を示すものであり、（ｂ）は、ターゲットの消耗と
該ターゲットから形成された薄膜を備えている光情報記
録媒体の記録感度との関係を示すものである。FIG. 12 shows data relating to Example 30 of the present invention, in which (a) shows the relationship between the consumption of a target and the reflectance of an optical information recording medium having a thin film formed from the target. (B) shows the relationship between the consumption of the target and the recording sensitivity of the optical information recording medium having the thin film formed from the target.

フロントページの続き (72)発明者 坂上 嘉孝 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 4K029 AA04 AA11 BA46 BA51 BB02 BD12 CA06 DC04 DC05 DC09 DC12 5D029 LA16 MA13 5D121 AA04 AA05 EE03 EE09 EE14Continued on the front page (72) Inventor Yoshitaka Sakagami 1006 Kadoma Kadoma, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. F term (reference) 4K029 AA04 AA11 BA46 BA51 BB02 BD12 CA06 DC04 DC05 DC09 DC12 5D029 LA16 MA13 5D121 AA04 AA05 EE03 EE09 EE14

Claims (14)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 スパッタ率が異なる複数の成分の粉末が
混合後に焼結されてなり、上記複数の成分を所望の割合
で含む薄膜を形成するための板状のスパッタリングター
ゲットであって、 上記スパッタリングターゲットは厚さ方向と直交する組
成不連続面を有し、上記スパッタリングターゲットの使
用を開始する側の面である上面と上記組成不連続面との
間の第１領域では、使用開始直後から上記複数の成分を
上記所望の割合で含む薄膜が形成されるように、上記各
成分をスパッタ率の低いものほど上記薄膜の所望の割合
に比較して多くなるように設定し、上記スパッタリング
ターゲットのうち上記第１領域以外の第２領域では、上
記複数の成分の割合を上記薄膜の所望の割合と略同一に
設定したことを特徴とするスパッタリングターゲット。1. A plate-like sputtering target for forming a thin film containing a plurality of components having different sputtering rates and mixed and sintered at a desired ratio, said sputtering target comprising: The target has a composition discontinuous surface orthogonal to the thickness direction, and in the first region between the upper surface, which is the surface on which the sputtering target starts to be used, and the composition discontinuous surface, the target immediately after use is started. In order to form a thin film containing a plurality of components at the above-described desired ratio, the above-mentioned components are set so as to increase as the sputtering rate becomes lower as compared with the desired ratio of the above-mentioned thin film. In a second region other than the first region, a ratio of the plurality of components is set to be substantially the same as a desired ratio of the thin film. 【請求項２】 上記スパッタリングターゲットは、第１
の成分と該第１の成分よりも大きなスパッタリング率を
有する第２の成分との２つの成分からなり、上記第１領
域における上記第１の成分の割合が、上記薄膜の上記所
望の割合よりも大きいことを特徴とする請求項１記載の
スパッタリングターゲット。2. The sputtering target according to claim 1,
And a second component having a higher sputtering rate than the first component. The ratio of the first component in the first region is higher than the desired ratio of the thin film. The sputtering target according to claim 1, wherein the sputtering target is large. 【請求項３】 上記第１領域における上記第１の成分の
割合を、上記上面から上記組成不連続面にかけて減少さ
せたことを特徴とする請求項２記載のスパッタリングタ
ーゲット。3. The sputtering target according to claim 2, wherein a ratio of the first component in the first region is reduced from the upper surface to the composition discontinuous surface. 【請求項４】 上記第１領域における上記第１の成分の
割合が一定であり、上記第１領域と上記第２領域からな
る２層構造であることを特徴とする請求項２記載のスパ
ッタリングターゲット。4. The sputtering target according to claim 2, wherein the ratio of the first component in the first region is constant, and the sputtering target has a two-layer structure including the first region and the second region. . 【請求項５】 上記第１の成分の粉末がＳｉＯ2粉末で
あり、第２の成分の粉末が、ＺｎＳｅ粉末又はＺｎＳ粉
末であることを特徴とする請求項２ないし４のいずれか
一つに記載のスパッタリングターゲット。5. The method according to claim 2, wherein the powder of the first component is SiO 2 powder, and the powder of the second component is ZnSe powder or ZnS powder. The sputtering target according to the above. 【請求項６】 上記第１領域の厚さが、１.０ｍｍない
し２.０ｍｍであることを特徴とする請求項５記載のス
パッタリングターゲット。6. The sputtering target according to claim 5, wherein the first region has a thickness of 1.0 mm to 2.0 mm. 【請求項７】 上記第１領域中の最大の上記第１の成分
の割合が、上記所望の第１の成分の割合の１.２ないし
１.４倍であることを特徴とする請求項５又は６記載の
スパッタリングターゲット。7. The method according to claim 5, wherein the ratio of the largest first component in the first region is 1.2 to 1.4 times the ratio of the desired first component. Or the sputtering target of 6. 【請求項８】 基板上に少なくとも光干渉層、記録層及
び反射層をこの順に形成して作製した光学情報記録媒体
であって、 上記光反射層が、請求項５ないし請求項７のいずれか一
つに記載のスパッタリングターゲットを用いたスパッタ
法で形成されたものであることを特徴とする光学情報記
録媒体。8. An optical information recording medium produced by forming at least a light interference layer, a recording layer and a reflection layer on a substrate in this order, wherein the light reflection layer is any one of claims 5 to 7. An optical information recording medium formed by a sputtering method using the sputtering target according to one of the above aspects. 【請求項９】 上記スパッタリングターゲットに含まれ
る第１の成分の粉末と上記第２の成分の粉末とが、酸素
雰囲気中で焼成され、表面に酸化膜を備えているもので
あることを特徴とする請求項８記載の光学情報記録媒
体。9. The method according to claim 1, wherein the powder of the first component and the powder of the second component contained in the sputtering target are fired in an oxygen atmosphere and have an oxide film on the surface. The optical information recording medium according to claim 8, wherein 【請求項１０】 上記第１の成分の粉末がＧｅ粉末であ
り、上記第２の成分の粉末が、Ｔｉ粉末、Ｎｉ粉末、Ｃ
ｒ粉末、Ｃｏ粉末及びＳｉ粉末からなる群から一つ選択
されたものであることを特徴とする請求項２ないし４の
いずれか一つに記載のスパッタリングターゲット。10. The powder of the first component is Ge powder, and the powder of the second component is Ti powder, Ni powder, C powder.
The sputtering target according to any one of claims 2 to 4, wherein the sputtering target is one selected from the group consisting of r powder, Co powder, and Si powder. 【請求項１１】 上記第１領域の厚さが、１.５ｍｍな
いし２.５ｍであることを特徴とする請求項８載のスパ
ッタリングターゲット。11. The sputtering target according to claim 8, wherein the first region has a thickness of 1.5 mm to 2.5 m. 【請求項１２】 上記第１領域中の最大の上記第１の成
分の割合が、上記所定の第１の成分の割合の１.３ない
し１.４倍であることを特徴とする請求項１０又は１１
記載のスパッタリングターゲット。12. The method according to claim 10, wherein the ratio of the largest first component in the first region is 1.3 to 1.4 times the ratio of the predetermined first component. Or 11
The sputtering target according to the above. 【請求項１３】 基板上に少なくとも第１の窒化物層、
記録層、第２の窒化物層、反射層をこの順に形成されて
なる光学情報記録媒体であって、上記第１の窒化物層と
上記第２の窒化物層のうち少なくともいずれか一方が、
請求項１０ないし請求項１２のいずれか一つに記載のス
パッタリングターゲットを用いたスパッタ法で形成され
たものであることを特徴とする光学情報記録媒体。13. At least a first nitride layer on a substrate,
An optical information recording medium comprising a recording layer, a second nitride layer, and a reflective layer formed in this order, wherein at least one of the first nitride layer and the second nitride layer is
An optical information recording medium formed by a sputtering method using the sputtering target according to claim 10. 【請求項１４】 上記スパッタリングターゲットに含ま
れる第１の成分の粉末と上記第２の成分の粉末とが、窒
素雰囲気中で焼成され、表面に窒化膜を備えているもの
であることを特徴とする請求項１３の記載の光学情報記
録媒体。14. The method according to claim 1, wherein the powder of the first component and the powder of the second component contained in the sputtering target are fired in a nitrogen atmosphere and have a nitride film on the surface. The optical information recording medium according to claim 13, wherein
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