JP2002063720A - 記録・再生条件制御回路及び光ディスク記録再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 クロスイレースの影響を考慮した最適な消去
光強度、及び最適な記録・再生光強度を容易且つ短時間
に決定する。 【解決手段】 制御回路１４は、内部にメモリ１４ａを
有し、各記録・消去・再生モードに伴う、ゲート信号を
各回路に供給する。アシンメトリ算出回路２１は、制御
回路１４からの所定のタイミングで、演算増幅器１９か
らの出力により再生された再生信号（RF信号）をデータ
再生回路２０より受け、再生信号（RF信号）の最大・最
小振幅を検出し、信号振幅中心比のアシンメトリを算出
し、算出結果を制御回路１４へ報告する。条件決定手段
としての制御回路１４は再生信号からピット形成情報
（アシンメトリ）を求め最適記録再生条件を決定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は光ディスクの記録・
再生条件を最適化する記録・再生条件制御回路及び光デ
ィスク記録再生装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】光磁気ディスク等の光ディスク記録再生
装置では、光ディスクの記録ビット品位を良好に保つ為
に、記録条件の制御が必要な事は公知の事実である。

【０００３】最近の光ディスクでは更なる高密度化及び
大容量化の傾向があり、光磁気ディスクの高密度化を達
成する技術の一つとして磁気超解像による再生方法や光
ディスクのランド部およびグルーブ部共に情報の記録を
行うランドグルーブ記録が知られている。前記超解像に
よる光磁気ディスクでは、データ再生時の記録層上に積
層されたマスク層の温度分布を利用して１つの微小磁区
（開口部）のみを検出することができる。しかし、マス
ク層の開口部の大きさは、再生光強度により変化する
為、再生光強度を最適化しなければ再生信号のS/Nが低
下し、ＢＥＲ（BitError Rate）の悪化が発生する。

【０００４】また、前記ランドグルーブ記録では、上記
の通り隣接するランド部グルーブ部いずれにも記録を実
施する為、記録・消去時のクロスライト・クロスイレー
スが問題となる恐れがある。

【０００５】これら問題を解決する手段として、例えば
特開平１０−１３４３５４号公報において、記録光強度
の決定において、隣接トラックヘの記録の有無による再
生信号振幅の差により記録光強度を決定する制御回路が
提案されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記特
開平１０−１３４３５４号公報の制御回路ではクロスラ
イトの影響は回避されるが、上記クロスイレースの影響
が回避不能であり、且つ隣接トラック記録時の記録光強
度の制御方法が非常に複雑である。

【０００７】また、特開平１０−１３４３５４号公報で
は記録光強度の決定時に連続するブロックへ光強度を変
更し記録を実施した後、再度異なる再生光強度にて連続
リードを実施し、各記録・再生光強度での組合わせに
て、最もＢＥＲが良好であった記録・再生光強度の設定
を最適パワーと設定しているが、実際の光記録再生装置
では通常光強度の設定には十数[msec]程度の時間を要す
るため、現実的には該方式を用いてもディスク１回転に
１設定分の記録しか実施できず、複数の光強度設定の連
続した記録を実施しても、実質的な記録光強度決定に要
する時間短縮効果は低い。

【０００８】また、再生光強度の設定に関しても、前記
光記録光強度決定時に記録した記録ピットを使用して、
幾通りかの再生光強度にて、全記録光強度で記録された
記録ピットを再生しビットエラーの発生マトリックスを
作成し、最終的な記録・再生光強度を決定する為、大き
なメモリー及び複雑な制御が発生する。

【０００９】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
であり、クロスイレースの影響を考慮した最適な消去光
強度、及び最適な記録・再生光強度を容易且つ短時間に
決定することのできる記録・再生条件制御回路及び光デ
ィスク記録再生装置を提供することを目的としている。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の記録・再生条件
制御回路は、光の出射光量若しくは外部印加磁界の強度
を変化させることにより、所定の記録情報を記録・再生
する光ディスクの記録・再生条件を最適化する記録・再
生条件制御回路において、固定換算式にて変換すること
により、記録光強度と再生光強度を同時変更し最適な記
録・再生条件を決定し最適化時間を短縮する条件決定手
段を備えて構成される。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施の形態について述べる。

【００１２】図１ないし図１０は本発明の一実施の形態
に係わり、図１は光ディスク記録再生装置の構成を示す
構成図、図２は図１の光ディスク６テストエリアの記録
データの再生信号の波形を示す図、図３は図２の再生信
号のアシンメトリ（Asym）の変化を示す図、図４は図１
のアシンメトリ算出回路の構成を示す構成図、図５は図
１の制御回路による記録再生光強度条件決定方法を示す
フローチャート、図６は図１の制御回路による再生時の
印加磁界強度の最適設定方法を示すフローチャート、図
７は図１の光ディスク記録再生装置の作用を説明する第
１の図、図８は図１の光ディスク記録再生装置の作用を
説明する第２の図、図９は図１の光ディスク記録再生装
置の作用を説明する第３の図、図１０は図１の制御回路
による記録再生光強度条件決定方法の変形例を示すフロ
ーチャートである。

【００１３】本実施の形態の光ディスク記録再生装置で
は、図１に示すように、半導体レーザ１から出射された
光が光ピックアップを構成するコリメータレンズ２、ビ
ームスプリッタプリズム３及び対物レンズ４を通ってス
ピンドルモータ５にて回転駆動されている光ディスク６
の情報記録面上に照射される。

【００１４】また、光ディスク６からの戻り光は、前記
対物レンズ４を通ってビームスプリッタプリズム３に入
射する。ビームスプリッタプリズム３で反射された戻り
光はビームスプリッタプリズム７に入射され、さらにビ
ームスプリッタプリズム７にて進行方向が２方向に分離
され、分離された２つの戻り光はそれぞれ集光レンズ
８，９にて集光された後、それぞれの光検出器１０，１
１に入射される。

【００１５】また、半導体レーザ１を駆動するレーザ駆
動回路１２はレーザ制御回路１３により制御され、レー
ザ制御回路１３は、制御回路１４からのゲート信号、各
光強度指示値（ライト、リードあるいは消去時の光強度
を設定するための電流指示値）及び光ディスクコントロ
ーラ（以下、ＯＣＤ）１５からの記録データ信号(Write
Data)、記録基準クロック信号(Write Clock)に準じたL
D電流指示をレーザ駆動回路１２に対し行い、記録・再
生・消去モードに応じた光強度となるように制御を行
う。

【００１６】各光検出器１０，１１によって電流変換さ
れた光ディスク６からの再生信号は、それぞれ電流/電
圧変換素子１６，１７により電圧変換され、演算増幅器
１８，１９にて演算処理された後、データ再生回路２０
に入力される。

【００１７】前記データ再生回路２０は、図示しない可
変ゲインアンプ（VGA）及び高域遮断フィルタ・２値化
回路・PLL回路により構成され、再生クロックに同期し
た光ディスクアドレスデータ及びMOデータ信号の２値化
を実施し、ＯＣＤ１５へ再生クロックに同期した２値化
信号（ID/MO データ)及びリードクロック(Read Clock)
を出力する。

【００１８】ＯＣＤ１５は、これら３つの信号（ID/MO
データ、Read Clock)より再生信号の復調を実施し、且
つ、記録実施時には記録基準クロック及び記録データ信
号をレーザ制御回路１３へ供給する。

【００１９】また、制御回路１４は、内部にメモリ１４
ａを有し、各記録・消去・再生モードに伴う、ゲート信
号をレーザ制御回路１３と界磁系駆動回路２２の各回路
に供給する。

【００２０】アシンメトリ算出回路２１は、制御回路１
４からの所定のタイミングで、演算増幅器１９からの出
力により再生された再生信号（RF信号）をデータ再生回
路２０より受け、再生信号（RF信号）の最大・最小振幅
を検出し、信号振幅中心比のアシンメトリを算出し、算
出結果を制御回路１４へ報告する。

【００２１】界磁系駆動回路２２は、制御回路１４から
のゲート信号及びＤ／Ａ変換器２３を介した電流指示値
を入力して、界磁系駆動回路２２は、前記電流指示値に
応じた磁場を発生する。

【００２２】本実施の形態では、条件決定手段としての
制御回路１４が再生信号からピット形成情報（アシンメ
トリ）を求め最適記録再生条件を決定するため、ここ
で、アシンメトリ値と最適記録条件の関係に関して説明
する。

【００２３】光ディスク６に照射された記録光強度によ
り、光ディスク６に形成される記録ピット長及びピット
間隔が変化することから、前記ピット長及びピット間隔
の非対称性（Asymetry：アシンメトリ）により、最適記
録光強度を判断することが可能である。

【００２４】本実施の形態では、長穴記録において光デ
ィスク６のＶＦＯ部もしくはデータ部の先頭に２Ｔの繰
り返しデータ（最短ピットパターン）を、前記２Ｔ繰り
返しデータの後に６Ｔ以上の長いピットの繰り返しパタ
ーンを光ディスク６のテストエリアに記録する。前記記
録データを再生すると図２の様な再生信号が得られる。
２Ｔ最短ピットの繰り返し信号の振幅の中心値をC、６
Tピットの繰り返し信号の中心値をＤとし、その振幅を
Ｂとすると、アシンメトリ（Asym）は、 Asym=(D-C)/B ・・・（１） 記録光強度を変化した場合のAsymの変化を図３に示す。
このように記録光強度に応じ、Asymがマイナスからプラ
スヘ変化することがわかる。

【００２５】アシンメトリを検出するアシンメトリ算出
回路２１は、図４にしめすように、ピークホールド回路
３１，ボトムホールド回路３２，加算器３３，減算器３
４、除算器３５及びＡ／Ｄ変換器３６，３７により構成
でき、これは、データ再生回路２０の２値化前の信号の
記録データ信号に応じたサンプルホールド信号タイミン
グに応じホールドし、上記式（１）の演算を実施し、Ａ
／Ｄ変換後、制御回路１４へ入力される。

【００２６】次に、図５を用いて本実施の形態の記録再
生条件設定の方法、詳細にはランド・グルーブ記録での
超解像ディスクに対する記録再生光強度条件決定方法
（試し書き）に関して説明する。この記録再生光強度条
件決定方法（試し書き）は、光ディスクの挿入時、装置
電源電圧投入時、及び光ディスク近傍の所定の温度変化
が発生した場合等、装置での記録再生光強度条件を見直
す際の各条件決定方法である。

【００２７】以下説明では、Tr(n)をランド部、Tr(n-
1)，Tr(n+1)はグルーブとし、以下説明を実施する。但
し、本発明は、Tr(n)をランド部に限定するものではな
い。ランド/グルーブ間で特性に差が大きい場合は、記
録・再生光強度マージンが少ない側を、Tr(n)とするこ
とが望ましい。

【００２８】まず、光記録再生装置で定めた記録再生光
強度見直し（パワーキャリプレーション（試し書き実
施））フラグを検出し、試し書き開始する。

【００２９】ステップＳ１で光ディスクのフォーマット
にて定められた最外周ゾーンのテストエリア内より、制
御回路１４内蔵のメモリ１４ａの乱数テーブルより試し
書き開始セクタ（Land，Tr（n）のS（k））を任意に決
定する。

【００３０】ステップＳ２でTr(n-1)のS(k)セクタ、Tr
(n)のS(k)セクタ、Tr(n+1)のS(k)セクタからそれぞれm
セクタを、所定消去光強度(EP0)で消去を実施する。但
し、このEP0は本ゾーンで消し残りが発生しない十分高
い消去パワーであるものとする。本消去時は、クロスイ
レーズ等の影響を考慮する必要はない。

【００３１】ステップＳ３で制御回路１４にて下記の光
強度をレジスタに下記初期パワーを設定し、ループ回数
K４に設定する。

【００３２】WP=WP0 ・・・（２） RP=RP0 ・・・（３） RP=α×WP ・・・（４） 但し、WPは記録光強度、RPは再生光強度であり、上記式
（４）の定数αは予め制御回路１４（メモリ１４ａ）に
記録されている１．０以下の定数である。また、WPは、
長穴記録におけるパルストレイン発光のピークパワーで
ある。

【００３３】ステップＳ４において、ステップＳ３で設
定された記録光強度にてTr(n)のS(k)セクタヘ、前記試し
書き用のテストパターンを記録(ライト)する。

【００３４】ステップＳ５において、ステップＳ３で設
定された光強度にてTr(n-1)及びTr(n+1)の各Ｓ(ｋ)セク
タヘ、６Ｔ繰り返しパターンを記録する。但し、前記記
録パターンは、７Ｔ以上の繰り返しパターン、６Ｔ以上
のピットを含んだランダムパターン等、比較的多く長ピ
ットを含んだパターンであればどの様なパターンでも問
題ない。

【００３５】ステップＳ６において、ステップＳ３で設
定された再生光強度にてTr(n)のS(k)セクタを再生し、A
symの算出し、制御回路１４へ算出結果を報告する。

【００３６】ステップＳ７において、ステップＳ６にて
検出したAsy■値(A(k))が以下の式を満足するか制御回
路１４にて判断する。

【００３７】a−b≦A(k)≦a＋ｂ ・・・（５） ステップＳ８において、ステップＳ７にて式（５）を満
足しない場合は、以下の関係式（６）〜（９）に基づ
き、WP、RP及びkを再設定し、ステップＳ４ヘもどり、
ステップＳ７が完了するまで、繰り返しステップＳ４か
らステップＳ７を実施する。

【００３８】WP=WP0−△Pw ・・・（６） RP=RP0＋△PR ・・・（７） ｋ=ｋ＋1 ・・・（８） RP＝α×WP，△PR＝α×△Pw ・・・（９） ステップＳ９において、ステップＳ７の式（５）を満た
すWP,RP及びセクタアドレスS(k)借しくはk値を所定のメ
モリヘ記憶する。

【００３９】ステップＳ９において、ステップＳ９にて
決定したWPを用いて、下記換算式に応じて消去光強度EP
を定め、制御回路１４内蔵のメモリ１４ａヘ記録する。

【００４０】EP=γ×WP ・・・（１０） 但し、上記式（１０）の定数γは予め制御回路１４（メ
モリ１４ａ）に記録されている１．０以下の定数であ
る。

【００４１】上記動作にて、最外周の記録再生条件設定
（試し書き）は完了する。但し、同様の動作を最内周も
しくは最内・中周の複数ゾーンのテストエリアにて実施
し、それら結果の直線近似により各ゾーンでのWP，RP，
EPを求め、制御回路１４内蔵のメモリ１４ａに全ゾーン
のWP，RP，EPを記録し、これら値を各ゾーンの最適光強
度とする。

【００４２】また、本実施の形態では、記録・再生光強
度との関係式（４）の定数αを固定としているが、試し
書き実施アドレス及びドライブ環境温度等に応じた定数
テーブルを制御回路１４内蔵のメモリ１４ａに持つこと
により、より正確な最適定数決定が実現される。記録・
消去光強度との関係式（１０）の定数γに関しても同様
であり、試し書き実施アドレス及びドライブ環境温度等
に応じた定数テーブルを制御回路１４内蔵のメモリ１４
ａに持つことにより、より正確な最適定数決定が実現さ
れる。

【００４３】また、本実施の形態では記録光強度の最適
化にあたり、アシンメトリ検出回路２１を用いて実施し
たが、本提案の光ディスク記録再生装置の再生回路にて
再生された再生データと記録データを比較することによ
りＢＥＲを算出し、ＢＥＲが最小となる記録光強度を最
適光強度としても良い。

【００４４】次に、図６を用いて再生時の印加磁界強度
の最適設定に関する方法を説明する。

【００４５】まず、光記録再生装置で定めた記録再生光
強度見直し（パワーキャリブレーション（試し書き実
施））フラグを検出し、試し書き開始する。

【００４６】次に、ステップＳ２１で始めに、予め制御
回路１４内蔵のメモリ１４ａに登録された外部磁界強度
の初期値(H0)に相当する電流指示をＤ／Ａ変換器２３を
介して、界磁系駆動回路２２に対して行う。

【００４７】ステップＳ２２で図５のフローに従って、
記録・再生・消去光強度（WP，RP，EP）の最適化（試し
書き）を実施しする。

【００４８】ステップＳ２３において、ステップＳ２２
で最適化された再生光強度（RP）を用いて、以下の式に
て決定される再生光強度（RP）をCPUにて算出し、設定
する。但し、下記定数Ａは、１．０以下の定数である。

【００４９】RP＝A×WP ・・・（１１） また、外部印加磁界を制御回路１４にて以下の式にて決
定し設定する。

【００５０】H＝Ho−△H ・・・（１２） そして、ループ回数Ｍを０に設定する。

【００５１】Ｍ＝０ ・・・（１３） ステップＳ２４において、ステップＳ２２にて決定され
た最適記録光強度(WP)にて記録されたTr(n)のS(K)セク
タを再生し、再生データと制御回路１４内蔵のメモリ１
４ａに記憶された記録データを比較して、再生データの
ＢＥＲ(Bit Error Rate)を測定する。

【００５２】ステップＳ２５において、ステップＳ２４
でのＢＥＲとステップＳ２３にて設定された外部印加磁
界Ｈをひとまとめとして、制御回路１４内蔵のメモリ１
４ａヘ記憶する。

【００５３】ステップＳ２６で前記ループ回数Ｍが規定
回数に達したか判断を実施する。本実施の形態では、規
定回数を３回と設定したが、本ループ回数は前記回数に
限定するものではなく、必要に応じ設定すればよい。

【００５４】ステップＳ２７において、ステップＳ２６
にて、前記ループ回数Ｍが規定回数に達しない場合は、
以下の関係式に基づき、Ｈ及びＭを再設定し、ステップ
Ｓ２４へもどり、ステップＳ２６が完了するまで繰り返
しステップＳ２４からステップＳ２６を実施する。

【００５５】H=H＋△H ・・・（１４） M=M＋1 ・・・（１５） ステップＳ２８において、ループ回数Ｍが規定回数に達
したら、ステップＳ２５でメモリ１４ａに記憶された各H
でのＢＥＲ測定結果を比較し、ＢＥＲが最小となる外部
印加磁界を最適外部印加磁界Ｈとして決定し、全試し書
きを終了する。

【００５６】上記の様に、再生光強度を一定量低めに設
定し、外部印加磁界のスキヤンを実施することにより、
ＢＥＲの変化がより健著に得られ、より正確な最適外部
印加磁界の設定を実現する。

【００５７】また、本実施の形態では、外部印加磁界の
最適化を、記録・再生・消去光強度の最適化実施後に実
施するようにしたが、予め光ディスク上に記録された記
録済みデータ若しくは、所定の記録光強度で記録した記
録データを用いて、光強度の最適化の実施前に外部印加
磁界の最化を実施しても良い。

【００５８】従来の最適記録・再生光強度条件設定制御
回路は、最適記録光強度を決定した後、再生光強度を決
定していた。この様な方式に応じて、記録光強度とＢＥ
Ｒ、再生光強度とＢＥＲの関係は、図７、図８の通りで
ある。この場合、図７、図８では記録・再生何れかの光
強度が最適となっている為、非常に広い範囲で良好なＢ
ＥＲが得られていることが分かる。

【００５９】しかし、本現象は最適光強度を決定するこ
とを考慮した場合、より広い範囲で光強度のスキヤンを
実施しないと、その光強度マージンの中央値を把握する
ことができない。

【００６０】これに対し、本実施の形態のように、記録
光強度に合わせ再生光強度を所定の換算式に応じ同時
に、記録・再生光強度を同時に変更した場合の記録光強
度とＢＥＲの関係は、図９の様に非常に滑らかな変化で
ＢＥＲが変化し、且つ同様の最適記録光強度が得られる
ことが分かる。

【００６１】また、この時のアシンメトリの変化は図３
にしたようになり、図３において、再生光強度を固定と
した場合が赤色、本発明の様に記録再生光強度を同時に
変化した場合が青色であり、アシンメトリが原理的に、
ほぼ最適となるAsym=()付近では、同様の変化を行い、
且つＢＥＲ最適付近でピーク特性を示すことが分かる。

【００６２】これら特性を利用することにより、記録・
再生光強度の最適条件を決定するので、記録・再生・消
去の３つの光強度を１度の光強度スキャンで決定するこ
とが可能となるばかりか、同時に記録・再生光強度を変
化することにより、より滑らかな特性変化が得られるこ
とからより正確な最適光強度の決定が可能となる。

【００６３】なお、ランド・グルーブ記録での超解像デ
ィスクに対する記録再生光強度条件決定方法 （試し書
き）は、図５のフローに限らず、図１０に示すフローに
よって記録再生光強度条件を決定してもよい。

【００６４】詳細には、光記録再生装置で定めた記録再
生光強度見直し(パワーキャリブレーション(試し書き実
施))フラグを検出し、試し書き開始する。

【００６５】ステップＳ４１で光ディスクのFormatにて
定められた最外周ゾーンのテストエリア内より、CPU内
蔵の乱数テーブルより試し書き開始セクタ(Land，Tr(n)
のS(k))を任意に決定する。

【００６６】ステップＳ４２でTr(n-1)のS(k)セクタ、T
r(n)のS(k)セクタ、Tr(n+1)のS(k)セクタからそれぞれm
セクタを、所定消去光強度(EP0)で消去を実施する。但
し、このEP0は本ゾーンで消し残りが発生しない十分高
い消去パワーであるものとする。本消去時は、クロスイ
レーズ等の影響を考慮する必要はない。

【００６７】ステップＳ４３で制御回路１４よりレジス
タに下記初期記録パワーを設定し、ループ回数k=0に設
定する。

【００６８】WP=WP0 ・・・（１６） 但し、WPは記録光強度であり、長穴記録におけるパルス
トレイン発光のピークパワーである。

【００６９】ステップＳ４４において、ステップＳ４３
で設定された記録光強度にてTr(n)のS(k)セクタヘ、前
記試し書き用のテストパターンを記録(ライト)する。

【００７０】ステップＳ４５において、ステップＳ４３
で設定された光強度にてTr(n-1)及びTr(n+1)の各Ｓ(ｋ)
セクタヘ、６Ｔ繰り返しパターンを記録する。但し、本
記録パターンは、７Ｔ以上の繰り返しパターン、６Ｔ以
上のピットを含んだランダムパターン等、比較的多く長
ピットを含んだパターンであればどの様なパターンでも
問題ない。

【００７１】ステップＳ４６において、ステップＳ４３
で設定された再生光強度RPoにてTr(n)のS(k)セクタを再
生し、6T繰り返し振幅(Vrf)を観測し、制御回路１４へ
算出結果を報告する。

【００７２】制御回路１４は、ステップＳ４７におい
て、記録光強度WPとステップＳ４６での測定のVrf及び
記録実施セクタS(K)を相関を保ち、メモリ１４ａヘ記憶
する。

【００７３】ステップＳ４８において、ループ回数ｋが
ｎ回に達したか、制御回路１４にて判断を実施する。

【００７４】k≧n ・・・（１７） ステップＳ４９において、ステップＳ４８にて、式（１
７）を満足しない場合は、以下の関係式に基づき、WP及
びkを再設定し、ステップＳ４４ヘもどり、ステップＳ
４８が完了するまで繰り返しステップＳ４４からステッ
プＳ４８を実施する。

【００７５】WP=WPo＋△Pw ・・・（１８） k=k＋1 ・・・（１９） ステップＳ５０において、ループ回数kが規定回数ｎに
達したら、ステップＳ４７でメモリ１４ａに記憶された
各WPでの再生信号振幅Vrfより、Vrfが最大となるWPを検
索し、本記録光強度WPを最適記録光強度として決定す
る。

【００７６】ステップＳ５１において、ステップＳ５０
にて決定したWPを用いて、下記換算式に応じて再生・消
去光強度RP，EPを算出する。

【００７７】RP＝α×WP ・・・（２０） EP＝γ×WP ・・・（２１） 但し、上記の式（２０）（２１）の定数α及びγは、予
め制御回路１４内蔵のメモリ１４ａに記憶された１．０
以下の定数である。

【００７８】ステップＳ５２において、ステップＳ５０
及びステップＳ５１で決定されたWP/RP/EPを試し書き実
施ゾーンの最適光強度として、制御回路１４内蔵のメモ
リ１４ａヘ記録し、試し書きを終了する。

【００７９】上記動作にて、最外周の記録再生条件設定
（試し書き）は完了する。但し、同様の動作を最内周も
しくは最内・中周の複数ゾーンのテストエリアにて実施
し、それら結果の直線近似により各ゾーンでのWP，RP，
EPを求め、制御回路１４内蔵のメモリ１４ａに全ゾーン
のWP，RP，EPを記録し、これら値を各ゾーンの最適光強
度とする。

【００８０】また、本変形例では、記録・再生光強度と
の関係式（２０）の定数αを固定としているが、試し書
き実施アドレス及びドライブ環境温度等に応じた定数テ
ーブルを制御回路１４内蔵のメモリ１４ａに持つことに
より、より正確な最適定数決定が実現される。

【００８１】記録・消去光強度との関係式（２１）の定
数γに関しても同様であり、試し書き実施アドレス及び
ドライブ環境温度等に応じた定数テーブルを制御回路１
４内蔵のメモリ１４ａに持つことにより、より正確な最
適定数決定が実現される。

【００８２】上記ステップＳ４６のRF信号振幅(Vrf)の
検出は、アシンメトリ検出回路２１を用いても実施可能
できるし、特開平１０−１３４３５４号公報の図６に記
載された一般的な信号振幅検出回路を用いることが可能
である。

【００８３】また、本変形例では記録光強度の最適化に
あたり、アシンメトリ検出回路を用いて実施したが、本
提案の光ディスク記録再生装置の再生回路にて再生され
た再生データと記録データを比較することによりＢＥＲ
を算出し、ＢＥＲが最小となる記録光強度を最適光強度
としても良い。

【００８４】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ク
ロスイレースの影響を考慮した最適な消去光強度、及び
最適な記録・再生光強度を容易且つ短時間に決定するこ
とができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態に係る光ディスク記録再
生装置の構成を示す構成図

【図２】図１の光ディスク６テストエリアの記録データ
の再生信号の波形を示す図

【図３】図２の再生信号のアシンメトリ（Asym）の変化
を示す図

【図４】図１のアシンメトリ算出回路の構成を示す構成
図

【図５】図１の制御回路による記録再生光強度条件決定
方法を示すフローチャート

【図６】図１の制御回路による再生時の印加磁界強度の
最適設定方法を示すフローチャート

【図７】図１の光ディスク記録再生装置の作用を説明す
る第１の図

【図８】図１の光ディスク記録再生装置の作用を説明す
る第２の図

【図９】図１の光ディスク記録再生装置の作用を説明す
る第３の図

【図１０】図１の制御回路による記録再生光強度条件決
定方法の変形例を示すフローチャート

【符号の説明】

１…半導体レーザ ２…コリメータレンズ ３，７…ビームスプリッタプリズム ４…対物レンズ ５…スピンドルモータ ６…光ディスク ８，９…集光レンズ １０，１１…光検出器 １２…レーザ駆動回路 １３…レーザ制御回路 １４…制御回路 １４ａ…メモリ １５…光ディスクコントローラ（ＯＣＤ） １６，１７…電流/電圧変換素子 １８，１９…演算増幅器 ２０…データ再生回路 ２１…アシンメトリ算出回路 ２２…界磁系駆動回路 …Ｄ／Ａ変換器

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 11/105 ５８１ Ｇ１１Ｂ 11/105 ５８１Ｆ

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光の出射光量若しくは外部印加磁界の強
   度を変化させることにより、所定の記録情報を記録・再
   生する光ディスクの記録・再生条件を最適化する記録・
   再生条件制御回路において、 固定換算式にて変換することにより、記録光強度と再生
   光強度を同時変更し最適な記録・再生条件を決定する条
   件決定手段を備えたことを特徴とする記録・再生条件制
   御回路。
2. 【請求項２】 光の出射光量若しくは外部印加磁界の強
   度を変化させることにより、所定の記録情報を記録・再
   生する光ディスクの記録・再生条件を最適化する記録・
   再生条件制御回路において、 記録光強度を変化し決定した最適な記録光強度より固定
   換算式にて最適な再生光強度条件を決定する条件決定手
   段を備えたことを特徴とする記録・再生条件制御回路。
3. 【請求項３】 前記条件決定手段は、前記光ディスクの
   最適な記録の光強度を求め、この記録の光強度に固定換
   算式にて決定した光強度を、その光ディスクの最適消去
   条件として決定することを特徴とする請求項１または２
   に記載の記録・再生条件制御回路。
4. 【請求項４】 光の出射光量若しくは外部印加磁界の強
   度を変化させることにより、所定の記録情報を記録・再
   生する光ディスクの記録・再生条件を最適化する記録・
   再生条件制御回路において、 再生時の印加磁界強度の最適条件を設定する条件決定手
   段を備えたことを特徴とする記録・再生条件制御回路。
5. 【請求項５】 前記条件決定手段は、前記光ディスクの
   複数ゾーン若しくはトラックにて記録・再生条件の最適
   化を実施することにより、前記光ディスク全トラックの
   記録・再生条件の決定を実施することを特徴とする請求
   項１ないし４に記載の記録・再生条件制御回路。
6. 【請求項６】 光ディスクに光ビームを照射する出射手
   段と、 前記光ビームを前記光ディスクの目標トラック及びその
   隣接トラックに移動する為のトラッキング手段と、 前記光ディスクより再生された再生信号より所定の記録
   情報を算出する算出手段と、 前記光ディスクに出射する光強度を制御する光強度制御
   手段と、 記録光強度より再生・消去光強度を固定換算式にて算出
   する演算手段と、 記録・再生条件の最適条件制御回路により決定された各
   条件を記憶する記憶手段とを有することを特徴とする光
   ディスク記録再生装置。
7. 【請求項７】 光ディスクに光ビームを照射する出射手
   段と、 前記光ビームを前記光ディスクの目標トラックに移動す
   る為のトラッキング手段と、 前記光ディスクより再生された再生信号より所定の記録
   情報を算出する算出手段と、 前記光ディスクに出射する光強度を制御する光強度制御
   手段と、 記録・再生時の印加磁界強度を制御する制御手段と、 記録・再生条件の最適条件制御回路により決定された各
   条件を記憶する記憶手段とを有することを特徴とする光
   ディスク記録再生装置。