JP2002053504A - タンタルチタンダブルエトキシドとその製法およびそれを用いた酸化物膜の製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】絶縁性のよいＴｉＯ_２含有Ｔａ_２Ｏ_５膜をＣＶ
Ｄ法で形成するための１液の金属アルコキシド原料化合
物および組成物を提供する。さらにその製法およびそれ
を用いた成膜方法を提供する。 【解決手段】新規化合物であるタンタルチタンダブルエ
トキシドＴａＴｉ（ＯＥｔ）_９あるいはＴａＴｉ（ＯＥ
ｔ）_９を含有するＴａ（ＯＥｔ）_５は、室温で一液体で
あり、その気化特性や熱分解特性は、一成分のようにふ
るまう。Ｔａ（ＯＥｔ）_５とＴｉ（ＯＥｔ）_４を混合加
熱後、減圧蒸留することにより、パーティクルのないＴ
ａＴｉ（ＯＥｔ）_９あるいはＴａＴｉ（ＯＥｔ）_９を含
有するＴａ（ＯＥｔ）_５を製造する。これを液体マスフ
ローコントローラーで供給し、気化させ、酸素を含んだ
雰囲気、６００℃でＣＶＤすることにより、アモルファ
ス状のＴｉＯ_２含有Ｔａ_２Ｏ_５膜を組成の再現性よく形
成できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＳＩのコンデン
サーなどの誘電体膜を、化学気相成長法（ＣＶＤ法）に
て形成するための原料として好適な金属アルコキシド化
合物とその製法およびそれを用いた酸化物薄膜の製法に
関する。

【０００２】

【従来の技術】ＬＳＩの高集積化に伴い、ＤＲＡＭのキ
ャパシタとしてＣＶＤ法による酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ
_５）膜が実用化しつつある。その絶縁性を向上するため
のひとつの方法として、特公平６−２７３２８号、ＵＳ
４７３４３４０号は、Ｔａ_２Ｏ_５にＴｉＯ_２をＴｉ／Ｔ
ａ＝０．１〜４ａｔ％となるようにドーピングすること
を開示している。低リーク電流特性を有する絶縁強度の
高い膜を作るには、組成を最適に制御することが重要で
ある。その原料供給の方法は、第一のバブラーにタンタ
ルエトキシド（Ｔａ（ＯＥｔ）_５）を入れ、第二のバブ
ラーにチタンイソプロポキシド（Ｔｉ（ＯｉＰｒ）_４）
を入れ、各々を適当な温度に加熱し、キャリヤーガスで
バブリングし、それぞれの蒸気をＣＶＤ室に供給する方
法である。最近では、液体マスフローで制御する方法も
ある。しかし、２ソースからの供給では、量と比率の正
確な制御が容易ではない。さらにＴａ（ＯＥｔ）_５とＴ
ｉ（ＯｉＰｒ）_４とは液相または気相で混合されると、
アルコキシ基の交換反応が起き、より複雑な化合物に一
部変化し、その蒸気圧やＣＶＤ特性がもとの原料と違っ
てしまい、膜組成の制御が難しくなるという問題があ
る。よって、あらかじめＴａ（ＯＥｔ）_５とＴｉ（Ｏｉ
Ｐｒ）_４を混ぜた一液をソースとすることはできなかっ
た。このことは、本発明の比較例でも明らかにされてい
る。

【０００３】２０００年６月２１日に見た英国Ｉｎｏｒ
ｇｔｅｃｈ社のインターネットホームページ（ｈｔｔ
ｐ：／／ｗｗｗ．ｉｎｏｒｇｔｅｃｈ．ｃｏ．ｕｋ）オ
ンラインニュースは、Ｊ−Ｐ Ｓｅｎａｔｅｕｒらが１
ソースのＴａ（ＯＥｔ）_４（ｄｍａｅ）／Ｔｉ（ＯＥ
ｔ）_２（ｄｍａｅ）_２ヘキサン溶液を用いて、液体イン
ジェクション供給のＣＶＤでＴａ_２Ｏ_５／ＴｉＯ_２膜を
作ったことを開示している。この原料を２５０℃の気化
器で気化させ、５００℃で成膜した結果、膜はアモルフ
ァスであり、そのＴａ／Ｔｉ比はソース液のＴａ／Ｔｉ
に非常に近かったとのことである。ここでｄｍａｅは、
ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏｅｔｈｏｘｉｄｅジメチル
アミノエトキシドである。彼らは、Ｔａ（ＯＥｔ）
_４（ｄｍａｅ）は単量体なので、二量体のＴａ（ＯＥ
ｔ）_５より蒸気圧が高く、気化しやすいこと、Ｔａ（Ｏ
Ｅｔ）_４（ｄｍａｅ）／Ｔｉ（ＯＥｔ）_２（ｄｍａｅ）
_２は有害なアルコキシ基の交換反応を最小にできるとし
ている。しかし、Ｔａ（ＯＥｔ）_４（ｄｍａｅ）やＴｉ
（ＯＥｔ）_２（ｄｍａｅ）_２は、Ｔａ（ＯＥｔ）_５やＴ
ｉ（ＯＥｔ）_４から特別に製造しなければならないとい
う量産時の問題がある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ＴｉＯ_２含有Ｔａ_２Ｏ
_５膜をＣＶＤ法で形成するための１ソースの液体化合物
ないし組成物を提供することである。室温において液体
で、液体マスフローコントローラーにより制御でき、ア
ルコキシ基の交換反応をおこすことなく、Ｔａ／Ｔｉの
気化特性やＴａ／ＴｉのＣＶＤ特性が似ている化合物を
提供する。さらにその化合物ないし組成物の製法および
それを用いたＴｉＯ_２含有Ｔａ_２Ｏ_５膜の製法を提供す
ることである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、ＴｉＯ_２含有
Ｔａ_２Ｏ_５膜をＣＶＤ法で成膜するために好適な１ソー
スの液体材料であるＴａＴｉ（ＯＣ_２Ｈ_５）_９（以下Ｔ
ａＴｉ（ＯＥｔ）_９と表す）で表されるタンタルチタン
ダブルエトキシドである。さらに本発明は、ＴａＴｉ
（ＯＥｔ）_９を含有するＴａ（ＯＥｔ）_５である。本発
明は、Ｔｉ（ＯＥｔ）_４とＴａ（ＯＥｔ）_５とを混合加
熱し、ついで蒸留することを特徴とするＴａＴｉ（ＯＥ
ｔ）_９の製法である。また本発明は、Ｔｉ（ＯＥｔ）_４
と当モル以上のＴａ（ＯＥｔ）_５とを混合加熱し、つい
で蒸留することを特徴とするＴａＴｉ（ＯＥｔ）_９を含
有するＴａ（ＯＥｔ）_５の製法である。本発明は、Ｔａ
Ｔｉ（ＯＥｔ）_９あるいはＴａＴｉ（ＯＥｔ）_９を含有
するＴａ（ＯＥｔ）_５を用いることを特徴とするＣＶＤ
法によるＴｉＯ_２含有Ｔａ_２Ｏ_５膜の製法である。本発
明は、ＴａＴｉ（ＯＥｔ）_９あるいはＴａＴｉ（ＯＥ
ｔ）_９を含有するＴａ（ＯＥｔ）_５を液体マスフロー装
置で供給することを特徴とするＣＶＤ法による酸化チタ
ン含有酸化タンタル膜の製法である。

【０００６】アルコキシ基の交換反応を防ぐにはＴｉと
Ｔａが同一のアルコキシ基を持つことが必要である。Ｔ
ａ_２Ｏ_５膜形成の原料として、通常はＴａ（ＯＥｔ）_５
が使われている。それと同じアルコキシ基をもつＴｉ
（ＯＥｔ）_４は熱履歴により会合度や融点が影響を受け
る。その融点、蒸気圧、液、固体、気体の会合度をＴａ
（ＯＥｔ）５とあわせて、表１に示した。表中^＊会合度
はＤ．Ｃ．Ｂｒａｄｌｅｙ，Ｒ．Ｃ．Ｍｅｈｒｏｔｒａ
ａｎｄＤ．Ｐ．Ｇａｕｒ“Ｍｅｔａｌ Ａｌｋｏｘｉ
ｄｅｓ”Ｐ６３−６８（１９７８Ａｃａｄｅｍｉｃ Ｐ
ｒｅｓｓ）による。その他の値は本発明者の測定値であ
る。

【０００７】

【表１】

【０００８】Ｔｉ（ＯＥｔ）_４の気体の会合度は、図２
からもわかるように単量体である。ＥＩ−ＭＳ分析で、
二量体から生成するはずのフラグメントＴｉ_２（ＯＥ
ｔ）_７ ^＋、Ｔｉ_２（ＯＥｔ）_８ ^＋などが検出されていな
いからである。これに対しＴａ（ＯＥｔ）_５の気体は二
量体である。すなわち、図１で、Ｔａ_２（ＯＥｔ）_９ ^＋
やＴａ_２（ＯＥｔ）_８ ^＋が検出されている。

【０００９】今までに、チタンアルコキシドと他の金属
アルコキシドとの複合アルコキシドの報告例は、アルカ
リ金属を除けば、ほとんどなかった。溶液中では生成し
ていると推定される例はあったが、蒸留や昇華でそのも
のを単離できたことはなかった。本発明者は、Ｔａ（Ｏ
Ｅｔ）_５−Ｔｉ（ＯＥｔ）_４系を詳細に検討した結果、
タンタルチタンダブルアルコキシドＴａＴｉ（ＯＥｔ）
_９が生成していることを見出し、この化合物をＣＶＤの
原料として使うとＴｉＯ_２含有のＴａ_２Ｏ_５膜が容易に
製造できることを見出した。

【００１０】

【発明の実施の形態】（１）ダブルエトキシドの合成と
蒸留回収 実施例１で得られた各留分の組成は表２のとおりであ
る。この結果、第２留分の組成はＴａＴｉ（ＯＥｔ）_９
の組成に近い。蒸留のデータから得たＴａＴｉ（ＯＥ
ｔ）_９の蒸気圧は１２６〜１２９℃／０．４〜０．５Ｔ
ｏｒｒであった。

【００１１】

【表２】

【００１２】（２）融点測定 各留分の融点を目視で測定した結果を表３に示す。いず
れも０℃以上では、Ｔａ（ＯＥｔ）_５と同程度の粘性の
液体であった。すなわちＴａＴｉ（ＯＥｔ）_９に相当す
る組成物付近では０℃以上で液体であることがわかっ
た。ＣＶＤ原料として好ましい性質である。

【００１３】

【表３】

【００１４】（３）ＥＩ−ＭＳ ＴａＴｉ（ＯＥｔ）_９のダブルアルコキシドが生成して
いることを確認するために第２留分とＴａ（ＯＥｔ）_５
とＴｉ（ＯＥｔ）_４のＥＩ−ＭＳ分析を行った。 測定条件 測定装置：ＪＥＯＬ ＡＸ５０５Ｗ イオン化法：ＥＩ イオン源温度：２３０℃ イオン化エネルギー：７０ｅＶ 測定結果は、Ｔａ（ＯＥｔ）_５のを図１に、Ｔｉ（ＯＥ
ｔ）_４のを図２に、第２留分のを図３に示した。主なｍ
／ｚと強度（％）とそのイオン種を以下に列挙した。

【００１５】Ｔａ（ＯＥｔ）_５ （図１） 二量体の分子イオンＴａ_２（ＯＥｔ）_１０ ^＋（ｍ／ｚ＝
８１２）はなかった。 ｍ／ｚ＝７６７（２８％）Ｔａ_２（ＯＥｔ）_９ ^＋７２２
（２１％）Ｔａ_２（ＯＥｔ）_８ ^＋６９３（２５％）Ｔａ
_２Ｏ（ＯＥｔ）_７ ^＋３６１（１００％）Ｔａ（ＯＥｔ）
_４ ^＋ この結果からＴａ（ＯＥｔ）_５は気体で二量体として存
在する。このことは、他の分析手段の結果解析を加味し
たいくつかの文献でＴａ（ＯＥｔ）_５は二量体であると
いう結論と一致する。Ｔａ（ＯＥｔ）_４ ^＋は二量体から
のフラグメントである。

【００１６】Ｔｉ（ＯＥｔ）_４ （図２） 単量体の分子イオンＴｉ（ＯＥｔ）_４ ^＋（２２８）や二
量体の分子イオンＴｉ_２（ＯＥｔ）_８ ^＋（４５６）はな
かった。 ｍ／ｚ＝２２７（４％）Ｔｉ（ＯＥｔ）_３（ＯＣＨ_２Ｃ
Ｈ_２）^＋２１３（１００％）Ｔｉ（ＯＥｔ）_３（ＯＣＨ
_２）^＋１８３（７７％）Ｔｉ（ＯＥｔ）_３ ^＋１６９（２
６％）Ｔｉ（ＯＥｔ）^２（ＯＣＨ_３）^＋ この結果からＴｉ（ＯＥｔ）_４は気体で単量体として存
在する。このことは文献と一致する。

【００１７】第２留分 （図３） ダブルアルコキシドの分子イオンＴａＴｉ（ＯＥｔ）_９
^＋（６３４）はなかった。 ｍ／ｚ＝７５７（５％）Ｔａ_２（ＯＥｔ）_９ ^＋５８９
（８％）ＴａＴｉ（ＯＥｔ）_８ ^＋５４４（３５％）Ｔａ
Ｔｉ（ＯＥｔ）_７ ^＋５１５（１２％）ＴａＴｉＯ（ＯＥ
ｔ）_６ ^＋３６１（１００％）Ｔａ（ＯＥｔ）_４ ^＋２１３
（７８％）Ｔｉ（ＯＥｔ）_３（ＯＣＨ_２）^＋１８３（６
３％）Ｔｉ（ＯＥｔ）_３ ^＋ この結果、Ｔａ_２（ＯＥｔ）_１０のフラグメントである
Ｔａ_２（ＯＥｔ）_９ ^＋に比べて、ＴａＴｉ（ＯＥｔ）_９
のフラグメントであるＴａＴｉ（ＯＥｔ）_８ ^＋、ＴａＴ
ｉ（ＯＥｔ）_７ ^＋、ＴａＴｉＯ（ＯＥｔ）_６ ^＋の強度が
かなり大きいことから、第２留分のＴａ（ＯＥｔ）
_５は、多くはＴａＴｉ（ＯＥｔ）_９で存在している。こ
のことは、会合相手のＴｉ（ＯＥｔ）_４も多くはＴａＴ
ｉ（ＯＥｔ）_９で存在していることを意味している。す
なわち第２留分の気体は、多量のＴａＴｉ（ＯＥｔ）_９
と少量のＴａ_２（ＯＥｔ）_１０と少量のＴｉ（ＯＥｔ）
_４との混合物である。またＴａ（ＯＥｔ）_４ ^＋、Ｔｉ
（ＯＥｔ）_３（ＯＣＨ_２）^＋、Ｔｉ（ＯＥｔ）_３ ^＋は、
主にＴａＴｉ（ＯＥｔ）_９のフラグメントである。よっ
て、この留分は、ＴａＴｉ（ＯＥｔ）_９なるダブルアル
コキシドの性質を多く発現すると考えられる。

【００１８】（４）ＴＧ−ＤＴＡ 第２留分のＴＧ−ＤＴＡ測定した。 測定条件 試料重量：５０．０ｍｇ 雰囲気：Ａｒ １気圧 昇温速度：１０．０ｄｅｇ／ｍｉｎ 結果を図４に示した。ほぼ１成分として気化しているこ
とがわかる。

【００１９】以上記したように、ＴａＴｉ（ＯＥｔ）_９
に相当する組成物は、主にダブルエトキシドＴａＴｉ
（ＯＥｔ）_９であり、液体マスフローコントローラーで
室温供給ができる粘性の液体であり、完全に蒸発すると
いう、ＣＶＤ原料として非常に好ましい物性を持つこと
がわかる。

【００２０】本発明のダブルエトキシドＴａＴｉ（ＯＥ
ｔ）_９の製法は、Ｔａ（ＯＥｔ）_５とＴｉ（ＯＥｔ）_４
とを混合溶解し、加熱処理後、蒸留することである。５
０〜２００℃で１〜１０時間加熱処理を行うことによ
り、ダブルアルコキシドの形成が起きる。この際、母ア
ルコールであるエタノール溶媒中で行ってもよい。不活
性な有機溶媒中で行ってもよい。混合溶解加熱処理した
だけの液には、多数の微粒子（パーティクル）がある。
これはＴａ（ＯＥｔ）_５やＴｉ（ＯＥｔ）_４の秤量混合
工程で、微量の大気が混入し、その湿気によりＴａ（Ｏ
Ｅｔ）_５やＴｉ（ＯＥｔ）_４が僅かに加水分解して生成
した水酸化物である。そこで蒸留することにより、微粒
子をなくせる。蒸留前の液体に赤色レーザーポインター
で光線をあてると、多くの微粒子が認められたが、蒸留
後の留出物には、全く微粒子は認められなかった。

【００２１】本発明のダブルエトキシドＴａＴｉ（ＯＥ
ｔ）_９を含有するＴａ（ＯＥｔ）_５の製法は、ダブルエ
トキシドＴａＴｉ（ＯＥｔ）_９の製法と同様である。す
なわち目標の液組成と同じ割合でＴａ（ＯＥｔ）_５とＴ
ｉ（ＯＥｔ）_４とを混合溶解し、加熱処理後、蒸留する
ことである。Ｔｉ（ＯＥｔ）_４がモル比０〜１／２で
は、Ｔａ（ＯＥｔ）_５が過剰であり、少量側のＴｉ（Ｏ
Ｅｔ）_４はほとんどがダブルエトキシドＴａＴｉ（ＯＥ
ｔ）_９を形成しているはずで、残りはＴａ_２（ＯＥｔ）
_１０である。

【００２２】本発明の、ＴａＴｉ（ＯＥｔ）_９あるいは
ＴａＴｉ（ＯＥｔ）_９を含有するＴａ（ＯＥｔ）_５をＣ
ＶＤ装置に供給する方法は、液体マスフローコントロー
ラーで行うのが最も簡単で精確な制御ができる。この方
法は純Ｔａ_２Ｏ_５膜形成用に純Ｔａ（ＯＥｔ）_５の供給
に量産で用いられているので、実施は容易である。バブ
リング方式に比べ、量産ではるかに有利である。

【００２３】本発明の、ＴａＴｉ（ＯＥｔ）_９あるいは
ＴａＴｉ（ＯＥｔ）_９を含有するＴａ（ＯＥｔ）_５を用
いたＣＶＤは、減圧下４００〜７００℃の酸化雰囲気中
で行われ、ＴｉＯ_２含有Ｔａ_２Ｏ_５膜が生成する。酸化
剤として、酸素、オゾンなどが用いられる。ＣＶＤは、
通常の熱ＣＶＤの他、プラズマＣＶＤ、オゾンＣＶＤ、
光ＣＶＤなどが使える。

【００２４】膜のＴｉ／（Ｔｉ＋Ｔａ）原子割合は、
０．０１〜０．２程度のことが多い。このためには本発
明のＴａＴｉ（ＯＥｔ）_９を含有するＴａ（ＯＥｔ）_５
を用いるが、そのＣＶＤでは液組成と膜組成がほぼ同じ
になるので、組成の制御は容易である。成膜温度、圧力
によって組成が若干ずれた場合には、液組成にフィード
バックすることにより、調節すればよい。

【００２５】

【実施例１】タンタルチタンダブルエトキシドＴａＴｉ
（ＯＥｔ）_９の製造 リフラックスコンデンサー、温度計、攪拌子を備えた１
００ｍｌ三つ口フラスコを真空置換しアルゴン雰囲気と
し、Ｔａ（ＯＥｔ）_５２４．９ｇ（６１．３ｍｍｏｌ）
を仕込み、次いで塊状のＴｉ（ＯＥｔ）_４１３．７ｇ
（６０．１ｍｍｏｌ）を仕込んだ。仕込みＴａ／Ｔｉモ
ル比は０．５０５／０．４９５であった。次いで昇温す
ると、７０℃付近で透明な均一液になり、攪拌しつつ１
００℃で２時間加熱後、コンデンサーを枝付き分留頭に
代え、蒸留圧力０．５〜０．４Ｔｏｒｒで蒸留した。留
出温度１１０〜１４０℃で、３留分に分けて回収した。
各留分は無色透明で、全量が留出した。各留分に赤色レ
ーザーポインターをあてた目視観察では、パーティクル
はなかった。各留分のＴａ、Ｔｉを分析しその組成を求
めた結果を表４に示す。なお第２留分の不純物元素分析
の結果、Ｔａ、Ｔｉ以外はすべて１ｐｐｍ以下であっ
た。

【００２６】

【表４】

【００２７】組成^＊はＴａ、Ｔｉの分析値から計算し
た。（Ｔａ＋Ｔｉ）の当量が（ＯＥｔ）の当量と完全に
は一致しない理由は、分析精度がやや悪いためと思われ
る。この結果、第２留分の組成はＴａＴｉ（ＯＥｔ）_９
の組成に近い。主に第２留分を分析解析した結果は前述
した。

【００２８】

【比較例１】リフラックスコンデンサー、温度計、攪拌
子を備えた１００ｍｌ三つ口フラスコを真空置換しアル
ゴン雰囲気とし、Ｔａ（ＯＥｔ）_５２０．３ｇ（５０．
０ｍｍｏｌ）を仕込み、次いでＴｉ（ＯｉＰｒ）_４１
３．０ｇ（４５．７ｍｍｏｌ）を仕込んだ。仕込みＴａ
／Ｔｉモル比は０．５２２／０．４７８であった。次い
で攪拌しつつ１００℃で２時間加熱後、コンデンサーを
枝付き分留頭に代え、蒸留圧力０．６Ｔｏｒｒで蒸留し
た。留出温度８０〜１４０℃で、２留分に分けて回収し
た。各留分は無色透明で、全量が留出した。各留分のＴ
ａ、Ｔｉを分析した。さらに各留分を加水分解し回収し
たｉＰｒＯＨ／ＥｔＯＨの質量比率をガスクロマトグラ
フィーにより定量した。

【００２９】 留分 組成^＊＊ 第１留分 Ｔａ_０．４８Ｔｉ_１．５２（ＯｉＰｒ）_４．６（ＯＥｔ）_４．２ 第２留分 Ｔａ_１．６６Ｔｉ_０．３４（ＯｉＰｒ）_３．０（ＯＥｔ）_６．８

【００３０】液と固体^＊は、約半分は留出中に固化し、
融点５０〜１００℃の白色固体となった。組成^＊＊は、
Ｔａ、Ｔｉ、ｉＰｒＯＨ／ＥｔＯＨの分析値から計算し
た。（Ｔａ＋Ｔｉ）の当量が（ＯｉＰｒ＋ＯＥｔ）の当
量と完全には一致しない理由は、分析精度がやや悪いた
めと思われる。

【００３１】０．６Ｔｏｒｒでの純Ｔｉ（ＯｉＰｒ）_４
の留出温度は約６０℃、純Ｔａ（ＯＥｔ）_５の留出温度
は約１４５℃である。第１留分は純Ｔｉ（ＯｉＰｒ）_４
より留出温度が高く、Ｔａ化合物が０．４９／２あり、
しかもＯＥｔが、４．２／８．８と多い。このことは、
Ｔｉにかなり多くのＯＥｔが結合していることになる。
例えば、Ｔｉ（ＯｉＰｒ）_３（ＯＥｔ）やＴｉ（ＯｉＰ
ｒ）_２（ＯＥｔ）_２が生成している。第２留分は純Ｔａ
（ＯＥｔ）_５より留出温度が低く、Ｔｉ化合物が０．３
４／２あり、しかもＯｉＰｒが３．０／９．８と多い。
このことは、Ｔａにかなり多くのＯｉＰｒが結合してい
ることになる。例えば、Ｔａ（ＯｉＰｒ）（ＯＥｔ）_４
やＴａ（ＯｉＰｒ）_２（ＯＥｔ）_３が生成している。こ
れらのなかには、融点が５０〜１００℃のものがあるは
ずである。

【００３２】この結果から、熱処理によりＴａとＴｉの
アルコキシ基の交換反応が起きていることが証明され
た。よってＴａ（ＯｉＰｒ）_４とＴａ（ＯＥｔ）_５を１
液にして供給加熱蒸発させると、その間に化合物の変化
がおこり、ＣＶＤの制御に問題を生じることがわかる。
１液での室温での長期間保存でも変化はおこると予想さ
れ、ポットライフが問題となる。また別々に供給して
も、気相で混合されるので、その時に化合物の変化が起
こる。いずれにしても、量産装置では好ましくない。

【００３３】

【実施例２】ＴａＴｉ（ＯＥｔ）_９を含有するＴａ（Ｏ
Ｅｔ）_５の製造 実施例１において、Ｔａ（ＯＥｔ）_５とＴｉ（ＯＥｔ）
_４の仕込み比を代えた他は実施例１と同様な操作をおこ
なった。仕込みはＴａ（ＯＥｔ）_５５０．６ｇ（１２５
ｍｍｏｌ）とＴｉ（ＯＥｔ）_４０．８８ｇ（３．９ｍｍ
ｏｌ）で、Ｔａ／Ｔｉモル比は０．９７／０．０３であ
った。１００℃で２時間加熱後、蒸留圧力０．５〜０．
４Ｔｏｒｒ、留出温度１３５〜１４０℃で全量を蒸留回
収した。液は無色透明で、その融点は１８℃であった。

【００３４】

【実施例３】ＣＶＤによるＴｉＯ_２含有Ｔａ_２Ｏ_５膜の
成膜 実施例２で製造した液体を液体マスフローコントローラ
ーにより０．２ｍｌ／ｍｉｎを送り、１８０℃の気化器
で送り気化させ、予熱したＡｒガス８００ｓｃｃｍとＯ
_２ガス２００ｓｃｃｍと混ぜ、ＣＶＤ室に導入した。反
応圧力２Ｔｏｒｒ、６００℃の加熱されたＰｔ／ｓｉＯ
_２基板上に導き、熱分解堆積させ、膜厚１００ｎｍの膜
を作った。ＸＲＤ分析の結果、この膜はアモルファス状
であった。この膜を溶解しＩＣＰ発光分光分析した結
果、原子比Ｔｉ／Ｔａ＝０．０３／０．９７で原料液の
比率と同じであった。成膜操作を繰り返して得られる膜
の組成は一定であった。

【００３５】

【実施例４】ＣＶＤによるＴｉＯ_２／Ｔａ_２Ｏ_５膜の成
膜 実施例３において原料を実施例１で得られた第３留分に
代えた他は、実施例３と同様な操作を行った。ＸＲＤ分
析の結果、この膜はアモルファス状であった。この膜を
溶解しＩＣＰ発光分光分析した結果、原子比Ｔｉ／Ｔａ
＝０．４８／０．５２で原料液の比率とほぼ同じであっ
た。成膜操作を繰り返して得られる膜の組成は一定であ
った。

【００３６】

【発明の効果】新規化合物のＴａＴｉ（ＯＥｔ）_９は液
体であり、一成分として蒸発し、これを液体マスフロー
コントローラーで供給してＣＶＤを行うと、ＴｉＯ_２含
有のＴａ_２Ｏ_５膜が組成変動することなく再現性よく、
容易に形成できる。一液なので量産に好適である。

【図面の簡単な説明】

【図１】Ｔａ（ＯＥｔ）_５のＥＩ−ＭＳによる測定結果
を示す図である。

【図２】Ｔｉ（ＯＥｔ）_４のＥＩ−ＭＳによる測定結果
を示す図である。

【図３】第２留分（本発明のＴａＴｉ（ＯＥｔ）_９が主
成分である）のＥＩ−ＭＳによる測定結果を示す図であ
る。

【図４】第２留分（本発明のＴａＴｉ（ＯＥｔ）_９が主
成分である）のＴＧ−ＤＴＡによる測定結果を示す図で
ある。

フロントページの続き Ｆターム(参考） 4H006 AA01 AA02 AB78 AB91 AC42 AD11 BC10 4H049 VN05 VP01 VQ21 VR41 VR42 VR43 VS21 VU24 VW02 VW05 4H050 AA01 AA03 AB78 AB91 AB99 AD11 WB13 WB21 4K030 AA11 BA17 BA42 BA46 BB05 CA06 CA12 FA10 JA05 KA39 LA15 5F058 BA11 BC03 BF04 BF27

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】ＴａＴｉ（ＯＣ_２Ｈ_５）_９で表されるタン
   タルチタンダブルエトキシド。
2. 【請求項２】請求項１の化合物を含有するタンタルエト
   キシド。
3. 【請求項３】タンタルエトキシドとチタンエトキシドと
   を混合加熱し、ついで蒸留することを特徴とする請求項
   １および請求項２記載の化合物の製法。
4. 【請求項４】請求項１および請求項２記載の化合物を用
   いることを特徴とするＣＶＤ法による酸化チタン含有酸
   化タンタル膜の製法。
5. 【請求項５】請求項１および請求項２記載の化合物を液
   体マスフロー装置で供給することを特徴とするＣＶＤ法
   による酸化チタン含有酸化タンタル膜の製法。