JP2002050912A - ストリップライン共振器 - Google Patents
ストリップライン共振器Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】温度の変動によって周波数の変動が生じずに充
分なフィルタ特性が維持できるストリップライン共振器
を提供することにある。 【解決手段】誘電体ブロック１の周波数温度特性を補正
するように第1積層体３の積層厚みを第２、第３積層体
２，４の積層厚みとは異ならせたことを特徴とする。
分なフィルタ特性が維持できるストリップライン共振器
を提供することにある。 【解決手段】誘電体ブロック１の周波数温度特性を補正
するように第1積層体３の積層厚みを第２、第３積層体
２，４の積層厚みとは異ならせたことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波フィルタに
用いられるストリップライン共振器に関するもので、特
に、ストリップライン共振器の温度特性を補正する技術
に関するものである。
用いられるストリップライン共振器に関するもので、特
に、ストリップライン共振器の温度特性を補正する技術
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年の移動体通信の発達により、電波の
使用周波数帯が準マイクロ波の領域に上がってきた。特
に、米国では「ＰＣＳ」、欧州においては「ＤＣＳ」と
いうシステムが実用化されており、これらのシステムで
は、周波数がそれぞれ１．８〜１．９ＧＨｚ帯が使用さ
れている。一方、従来の移動体通信システム、例えば米
国のアナログシステムにおいては、送信周波数として８
２４〜８４９ＭＨｚが、受信周波数として８６９〜８９
４ＭＨｚが使用され、送信−受信周波数間隔が２０ＭＨ
ｚとされていた。また、ＰＣＳ（１．９ＧＨｚ帯）にお
いては、受信周波数として１９３０〜１９９０ＭＨｚ
が、送信周波数として１８５０〜１９１０ＭＨｚが使用
されており、送信−受信周波数間隔は２０ＭＨｚとされ
ていた。
使用周波数帯が準マイクロ波の領域に上がってきた。特
に、米国では「ＰＣＳ」、欧州においては「ＤＣＳ」と
いうシステムが実用化されており、これらのシステムで
は、周波数がそれぞれ１．８〜１．９ＧＨｚ帯が使用さ
れている。一方、従来の移動体通信システム、例えば米
国のアナログシステムにおいては、送信周波数として８
２４〜８４９ＭＨｚが、受信周波数として８６９〜８９
４ＭＨｚが使用され、送信−受信周波数間隔が２０ＭＨ
ｚとされていた。また、ＰＣＳ（１．９ＧＨｚ帯）にお
いては、受信周波数として１９３０〜１９９０ＭＨｚ
が、送信周波数として１８５０〜１９１０ＭＨｚが使用
されており、送信−受信周波数間隔は２０ＭＨｚとされ
ていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＰＣＳ
においては、従来のアナログシステムに比べて使用周波
数帯が上がり、かつ、通過帯域幅が広がったにもかかわ
らず、送信−受信周波数間隔は従来の移動体通信システ
ムの場合（２０ＭＨｚ）と同じであり、このために、所
望のフィルタ特性を得るためには非常に厳しい条件が必
要となっていた。しかも、このような厳しい条件の下、
高周波フィルタに用いられる誘電体基板は、一般的にフ
ィルタ特性の中心周波数の温度特性を持つが、この温度
変化によって、誘電体の比誘電率が変化し、これにより
容量成分がかわり、この結果、高周波フィルタの中心周
波数が変わることがあった。従って、高周波フィルタの
中心周波数が大きく変動すると高周波フィルタの挿入損
失と減衰量は大きく変化してしまい、通信の品質に大き
な影響を与えてしまうという問題点があった。また、近
年、携帯電話の小型化、通信の高品質化に伴って、高周
波フィルタに用いられるストリップライン共振器の小型
化及び低損失化、高減衰化が図られており、このために
は、ストリップライン共振器の材料が高Ｑ値、高誘電率
のものが必要となってきている。しかしながら、このよ
うな高Ｑ値、高誘電率の材料は、一般的に大きな周波数
温度特性を持つことが知られており、ストリップライン
共振器の小型化及び低損失化すると上述のように温度変
化に伴う高周波フィルタの周波数変動の問題が顕著に現
れるという問題点を有していた。
においては、従来のアナログシステムに比べて使用周波
数帯が上がり、かつ、通過帯域幅が広がったにもかかわ
らず、送信−受信周波数間隔は従来の移動体通信システ
ムの場合（２０ＭＨｚ）と同じであり、このために、所
望のフィルタ特性を得るためには非常に厳しい条件が必
要となっていた。しかも、このような厳しい条件の下、
高周波フィルタに用いられる誘電体基板は、一般的にフ
ィルタ特性の中心周波数の温度特性を持つが、この温度
変化によって、誘電体の比誘電率が変化し、これにより
容量成分がかわり、この結果、高周波フィルタの中心周
波数が変わることがあった。従って、高周波フィルタの
中心周波数が大きく変動すると高周波フィルタの挿入損
失と減衰量は大きく変化してしまい、通信の品質に大き
な影響を与えてしまうという問題点があった。また、近
年、携帯電話の小型化、通信の高品質化に伴って、高周
波フィルタに用いられるストリップライン共振器の小型
化及び低損失化、高減衰化が図られており、このために
は、ストリップライン共振器の材料が高Ｑ値、高誘電率
のものが必要となってきている。しかしながら、このよ
うな高Ｑ値、高誘電率の材料は、一般的に大きな周波数
温度特性を持つことが知られており、ストリップライン
共振器の小型化及び低損失化すると上述のように温度変
化に伴う高周波フィルタの周波数変動の問題が顕著に現
れるという問題点を有していた。
【０００４】一方、誘電体フィルタの小型化に伴って全
体の強度も低下することが知られているが、特に高誘電
率の材料を用いる場合は、このような傾向が顕著に現れ
るものである。
体の強度も低下することが知られているが、特に高誘電
率の材料を用いる場合は、このような傾向が顕著に現れ
るものである。
【０００５】本発明は，上記欠点に鑑みて案出されたも
のであり、高周波フィルタに用いられるストリップライ
ン共振器において、温度の変動によって周波数の変動が
生じずに充分なフィルタ特性が維持できるストリップラ
イン共振器を提供することにある。
のであり、高周波フィルタに用いられるストリップライ
ン共振器において、温度の変動によって周波数の変動が
生じずに充分なフィルタ特性が維持できるストリップラ
イン共振器を提供することにある。
【０００６】また、本発明の他の目的は、小型で低損
失，高減衰量であって機械的強度も十分得られるストリ
ップライン共振器を提供することにある。
失，高減衰量であって機械的強度も十分得られるストリ
ップライン共振器を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに本発明は、矩形状の誘電体層を複数積層するととも
に誘電体層間にストリップラインを形成してなる第1積
層体の両主面に、矩形状の誘電体層を複数積層してなる
第2積層体と、第3積層体とを一体的に設けて誘電体ブロ
ックとなし、該誘電体ブロックの両主面にアース電極を
形成したストリップライン共振器において、前記誘電体
ブロックの周波数温度特性を補正するように前記第1積
層体の積層厚みを第2、第3積層体の積層厚みに対し異な
らせたことを特徴とするものである。
めに本発明は、矩形状の誘電体層を複数積層するととも
に誘電体層間にストリップラインを形成してなる第1積
層体の両主面に、矩形状の誘電体層を複数積層してなる
第2積層体と、第3積層体とを一体的に設けて誘電体ブロ
ックとなし、該誘電体ブロックの両主面にアース電極を
形成したストリップライン共振器において、前記誘電体
ブロックの周波数温度特性を補正するように前記第1積
層体の積層厚みを第2、第3積層体の積層厚みに対し異な
らせたことを特徴とするものである。
【０００８】本発明の構成によれば、誘電体ブロックの
周波数温度特性を補正するように前記第1積層体の誘電
体層積層厚みを第２、第３積層体の積層厚みに対し異な
らせたことにより同じ材質の誘電体層であっても比誘電
率が異なって、これにより周波数温度特性を第1積層体
と第２、第３積層体で異ならせることができる。その結
果、第１〜第３の積層体が一体的に形成された誘電体ブ
ロックの周波数温度特性が補正されるものである。
周波数温度特性を補正するように前記第1積層体の誘電
体層積層厚みを第２、第３積層体の積層厚みに対し異な
らせたことにより同じ材質の誘電体層であっても比誘電
率が異なって、これにより周波数温度特性を第1積層体
と第２、第３積層体で異ならせることができる。その結
果、第１〜第３の積層体が一体的に形成された誘電体ブ
ロックの周波数温度特性が補正されるものである。
【０００９】また、第1積層体と第2、３の積層体とが互
いに逆極性となる誘電体材料をもちいることにより、誘
電体ブロックの周波数温度特性をゼロに近づけることが
できるものである。
いに逆極性となる誘電体材料をもちいることにより、誘
電体ブロックの周波数温度特性をゼロに近づけることが
できるものである。
【００１０】さらに、前記第1積層体の誘電体層の厚み
を第２、第３積層体の誘電体層の厚みよりも薄く形成し
たことにより、誘電体ブロックの周波数温度特性を補正
できると共に、誘電体ブロックの焼結強度を上げること
ができる。
を第２、第３積層体の誘電体層の厚みよりも薄く形成し
たことにより、誘電体ブロックの周波数温度特性を補正
できると共に、誘電体ブロックの焼結強度を上げること
ができる。
【００１１】従って、温度の変化によってもストリップ
ライン共振器の中心周波数変動が生じず、従って、充分
なフィルタ特性を維持した機械的強度の強固な高周波フ
ィルタが提供できる。
ライン共振器の中心周波数変動が生じず、従って、充分
なフィルタ特性を維持した機械的強度の強固な高周波フ
ィルタが提供できる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明のストリップライン
共振器の実施例を図面に基づいて説明する。図１は、高
周波フィルタに用いられるストリップライン共振器を備
えた誘電体フィルタの外観斜視図、図２は図１に示すＡ
−Ａ線断面図である。図1に示すように誘電体フィルタ
Ｐは、複数の誘電体層を積層してなる誘電体ブロック１
の略全面にアース電極５が形成されている。また、誘電
体ブロック１の内部にはストリップライン６が、さらに
誘電体ブロック１の内部で、かつ、ストリップライン６
と対向した位置に入出力用内部電極７が形成されてい
る。
共振器の実施例を図面に基づいて説明する。図１は、高
周波フィルタに用いられるストリップライン共振器を備
えた誘電体フィルタの外観斜視図、図２は図１に示すＡ
−Ａ線断面図である。図1に示すように誘電体フィルタ
Ｐは、複数の誘電体層を積層してなる誘電体ブロック１
の略全面にアース電極５が形成されている。また、誘電
体ブロック１の内部にはストリップライン６が、さらに
誘電体ブロック１の内部で、かつ、ストリップライン６
と対向した位置に入出力用内部電極７が形成されてい
る。
【００１３】誘電体ブロック１は図２に示すように誘電
体層１ａ〜１ｊを積層してなる。具体的には誘電体層１
ｄ〜１ｇの層間１ｅ、１ｆにストリップライン６を形成
してなる第1積層体３と、第1積層体の一方主面から誘電
体層１ａ〜１ｃを複数積層してなる第２積層体２と、第
1積層体３の他方主面から誘電体層１ｈ〜１ｉを複数積
層してなる第3の積層体４とからなる。
体層１ａ〜１ｊを積層してなる。具体的には誘電体層１
ｄ〜１ｇの層間１ｅ、１ｆにストリップライン６を形成
してなる第1積層体３と、第1積層体の一方主面から誘電
体層１ａ〜１ｃを複数積層してなる第２積層体２と、第
1積層体３の他方主面から誘電体層１ｈ〜１ｉを複数積
層してなる第3の積層体４とからなる。
【００１４】また、第1積層体３の積層厚みを第２、第
３積層体２、４とは異なるようにしている。さらに第1
積層体３の誘電体層の厚さも第２、第３積層体２、４よ
りも薄く形成している。
３積層体２、４とは異なるようにしている。さらに第1
積層体３の誘電体層の厚さも第２、第３積層体２、４よ
りも薄く形成している。
【００１５】誘電体層１ａ〜１ｊはその材質として誘電
体セラミック材料と低温焼成化を可能とする酸化物や低
融点ガラス材料とから構成されている。具体的には、誘
電体セラミック材料とは、例えば、ＢａＯ−ＴｉＯ
2系、Ｃａ−ＴｉＯ2系、ＭｇＯ−ＴｉＯ2系等があり、
低温焼成化するための酸化物としては、ＢｉＶＯ4、Ｃ
ｕＯ、Ｌｉ2Ｏ、Ｂ2Ｏ3等がある。第１〜第３の積層体
２，３，４を温度係数が異なる材質としてもよい。
体セラミック材料と低温焼成化を可能とする酸化物や低
融点ガラス材料とから構成されている。具体的には、誘
電体セラミック材料とは、例えば、ＢａＯ−ＴｉＯ
2系、Ｃａ−ＴｉＯ2系、ＭｇＯ−ＴｉＯ2系等があり、
低温焼成化するための酸化物としては、ＢｉＶＯ4、Ｃ
ｕＯ、Ｌｉ2Ｏ、Ｂ2Ｏ3等がある。第１〜第３の積層体
２，３，４を温度係数が異なる材質としてもよい。
【００１６】また、誘電体層１ａ〜１ｇは、端面側のそ
の厚み方向で、貫通孔が形成され、そこに導体が充填さ
れたビアホール導体８が形成されている。なお、ビアホ
ール導体８はＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｃｕなどを主成分とす
る導体材料が用いられる。
の厚み方向で、貫通孔が形成され、そこに導体が充填さ
れたビアホール導体８が形成されている。なお、ビアホ
ール導体８はＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｃｕなどを主成分とす
る導体材料が用いられる。
【００１７】アース電極５は、Ａｇ、Ｃｕなどを主成分
（Ａｇ単体またはＡｇ−Ｐｄ、Ａｇ−ＰｔなどのＡｇ合
金、Ｃｕ単体またはＣｕ合金）とする導体材料から成
り、その形成方法としては、未焼成状態の誘電体ブロッ
ク１上に、アース電極５ａ〜５ｄとなる導体膜が被着さ
れ、誘電体ブロック１と一体的に焼成して構成される。
（Ａｇ単体またはＡｇ−Ｐｄ、Ａｇ−ＰｔなどのＡｇ合
金、Ｃｕ単体またはＣｕ合金）とする導体材料から成
り、その形成方法としては、未焼成状態の誘電体ブロッ
ク１上に、アース電極５ａ〜５ｄとなる導体膜が被着さ
れ、誘電体ブロック１と一体的に焼成して構成される。
【００１８】ストリップライン６は短手方向に整列した
ストリップライン６１，６２からなる。また、ストリッ
プライン６１，６２は誘電体層１ｆ，１ｇ間に形成され
ており、その一端側はビアホール導体８に接続されてい
る。またストリップライン６の開放側はビアホール導体
８を介して対向した折り返し対向電極６０を形成した構
造としており、入出力内部電極７と折り返し電極６０と
から形成される容量成分で全体としての容量成分の微調
整が可能であり、この容量成分を変化させても周波数温
度特性の温度変化による中心周波数の変化を抑えること
ができる。
ストリップライン６１，６２からなる。また、ストリッ
プライン６１，６２は誘電体層１ｆ，１ｇ間に形成され
ており、その一端側はビアホール導体８に接続されてい
る。またストリップライン６の開放側はビアホール導体
８を介して対向した折り返し対向電極６０を形成した構
造としており、入出力内部電極７と折り返し電極６０と
から形成される容量成分で全体としての容量成分の微調
整が可能であり、この容量成分を変化させても周波数温
度特性の温度変化による中心周波数の変化を抑えること
ができる。
【００１９】ストリップライン６の材質としては、Ａ
ｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｃｕなどを主成分とする導体材料によ
り構成されており、この導体材料に必要に応じてガラス
成分などが含有されている。
ｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｃｕなどを主成分とする導体材料によ
り構成されており、この導体材料に必要に応じてガラス
成分などが含有されている。
【００２０】なお、本発明のストリップライン６は誘電
体ブロック１の中央に配設したが、これに限定されるこ
とはなく、誘電体ブロック１の一方主面に形成したアー
ス電極５ａに対向する誘電体ブロック１の他方主面に形
成してもよい。
体ブロック１の中央に配設したが、これに限定されるこ
とはなく、誘電体ブロック１の一方主面に形成したアー
ス電極５ａに対向する誘電体ブロック１の他方主面に形
成してもよい。
【００２１】内部電極７は誘電体層１ｇ，１ｈ間に形成
されており、その中央部に形成した入出力用内部電極７
１はストリップライン６１，６２間に、また、入出力用
内部電極７２、７３は、その一端が誘電体ブロック１の
端面に引き出されて入出力電極７０が形成されている。
内部電極７の材質としては、ビアホール導体８で示した
導体材料と同じものが用いられる。
されており、その中央部に形成した入出力用内部電極７
１はストリップライン６１，６２間に、また、入出力用
内部電極７２、７３は、その一端が誘電体ブロック１の
端面に引き出されて入出力電極７０が形成されている。
内部電極７の材質としては、ビアホール導体８で示した
導体材料と同じものが用いられる。
【００２２】以上のようなストリップライン共振器の構
成により、誘電体ブロック１、ストリップライン６、ア
ース電極５の働きにより、ストリップライン６とアース
電極５との間で容量成分と誘導成分とが形成されてλ／
４のＬ−Ｃ共振回路が構成され、これを利用してフィル
タ特性を得ることができる。
成により、誘電体ブロック１、ストリップライン６、ア
ース電極５の働きにより、ストリップライン６とアース
電極５との間で容量成分と誘導成分とが形成されてλ／
４のＬ−Ｃ共振回路が構成され、これを利用してフィル
タ特性を得ることができる。
【００２３】なお、本発明のストリップライン共振器は
端面に形成したビアホール導体８によりλ／４のＬ−Ｃ
共振回路を構成したがこれに限定されることはなく、ビ
アホール導体８を形成せずにλ／２のＬ−Ｃ共振回路を
形成しても良い。
端面に形成したビアホール導体８によりλ／４のＬ−Ｃ
共振回路を構成したがこれに限定されることはなく、ビ
アホール導体８を形成せずにλ／２のＬ−Ｃ共振回路を
形成しても良い。
【００２４】このような誘電体フィルタＰの等価回路を
図３に示す。図において、Ｌ１，Ｌ２は各ストリップラ
イン６１、６２で形成される誘導性成分、Ｃ１，Ｃ２は
ストリップライン６とアース電極５で形成される容量成
分、Ｃin，Ｃout，Ｃa，Ｃbは内部電極７とストリップ
ライン６で形成される容量成分を示す。
図３に示す。図において、Ｌ１，Ｌ２は各ストリップラ
イン６１、６２で形成される誘導性成分、Ｃ１，Ｃ２は
ストリップライン６とアース電極５で形成される容量成
分、Ｃin，Ｃout，Ｃa，Ｃbは内部電極７とストリップ
ライン６で形成される容量成分を示す。
【００２５】本発明の特徴である周波数温度特性を補正
する方法は、誘電体フィルタＰの第1積層体３の積層方
向の厚みを第２、第３積層体２、４とは異なるようにし
て誘電体ブロック１全体の周波数温度特性が補正され
る。即ち、誘電体フィルタＰにおける周波数温度係数を
τｆ、誘電体ブロック１の比誘電率をεｒ、比誘電率温
度係数τとした場合、 τｆ＝−（τ／２εｒ）−α（αは熱膨張係数） の関係が成り立つことが知られている。従って、予め、
熱膨張係数αがわかるため、誘電体ブロック１の周波数
温度特性τｆは誘電体フィルタＰが持つ容量成分Ｃ1、
Ｃ２によって変わることとなり、第1積層体３の積層方
向の厚みを、第２、第３積層体２、４とは異なるように
することで周波数温度特性が誘電体ブロック１の全体で
相殺されるように補正させることができるのを見出した
ものである。
する方法は、誘電体フィルタＰの第1積層体３の積層方
向の厚みを第２、第３積層体２、４とは異なるようにし
て誘電体ブロック１全体の周波数温度特性が補正され
る。即ち、誘電体フィルタＰにおける周波数温度係数を
τｆ、誘電体ブロック１の比誘電率をεｒ、比誘電率温
度係数τとした場合、 τｆ＝−（τ／２εｒ）−α（αは熱膨張係数） の関係が成り立つことが知られている。従って、予め、
熱膨張係数αがわかるため、誘電体ブロック１の周波数
温度特性τｆは誘電体フィルタＰが持つ容量成分Ｃ1、
Ｃ２によって変わることとなり、第1積層体３の積層方
向の厚みを、第２、第３積層体２、４とは異なるように
することで周波数温度特性が誘電体ブロック１の全体で
相殺されるように補正させることができるのを見出した
ものである。
【００２６】従って、より好ましい態様としては、第1
積層体の周波数温度特性が第２、第３積層体の周波数温
度特性と逆極性となるように選択すると図４に示すよう
に誘電体ブロック１の周波数温度特性がゼロに近づける
ことができる。
積層体の周波数温度特性が第２、第３積層体の周波数温
度特性と逆極性となるように選択すると図４に示すよう
に誘電体ブロック１の周波数温度特性がゼロに近づける
ことができる。
【００２７】また、第1積層体３の誘電体層１ｄ〜１ｇ
の各厚みを第２、第３積層体２、４に比べて薄くするこ
とで誘電体ブロック１の最外層に大きな厚みの誘電体層
が配設されることになり、誘電体ブロック１の燒結時の
たわみを抑える構造としている。
の各厚みを第２、第３積層体２、４に比べて薄くするこ
とで誘電体ブロック１の最外層に大きな厚みの誘電体層
が配設されることになり、誘電体ブロック１の燒結時の
たわみを抑える構造としている。
【００２８】
【発明の効果】以上のように、 本発明の構成によれ
ば、誘電体ブロックの周波数温度特性を補正するように
第1積層体の誘電体層積層方向の厚みを第２、第３積層
体の誘電体層積層方向の厚みとは異ならせたことにより
同じ材質の誘電体層であっても比誘電率が異なって、こ
れにより周波数温度特性を第1積層体と第２、第３積層
体で異ならせることができる。その結果、第１〜第３の
積層体が一体的に形成された誘電体ブロックの周波数温
度特性が効果的に補正することができる。
ば、誘電体ブロックの周波数温度特性を補正するように
第1積層体の誘電体層積層方向の厚みを第２、第３積層
体の誘電体層積層方向の厚みとは異ならせたことにより
同じ材質の誘電体層であっても比誘電率が異なって、こ
れにより周波数温度特性を第1積層体と第２、第３積層
体で異ならせることができる。その結果、第１〜第３の
積層体が一体的に形成された誘電体ブロックの周波数温
度特性が効果的に補正することができる。
【００２９】また、第1積層体と第2、３の積層体とが互
いに逆極性となる誘電体材料をもちいることにより、誘
電体ブロックの周波数温度特性をゼロに近づけることが
できたストリップライン共振器を提供することができ
る。
いに逆極性となる誘電体材料をもちいることにより、誘
電体ブロックの周波数温度特性をゼロに近づけることが
できたストリップライン共振器を提供することができ
る。
【００３０】さらに、前記第1積層体の誘電体層積層方
向の厚みを第２、第３積層体の誘電体層積層方向の厚み
よりも薄く形成するとともに、前記第２積層体と第3の
積層体との誘電体積層方向の厚みを略同じにしたことに
より、誘電体ブロックの周波数温度特性を補正できると
共に、誘電体ブロックの焼結強度を上げることができる
ストリップライン共振器を提供することができる。
向の厚みを第２、第３積層体の誘電体層積層方向の厚み
よりも薄く形成するとともに、前記第２積層体と第3の
積層体との誘電体積層方向の厚みを略同じにしたことに
より、誘電体ブロックの周波数温度特性を補正できると
共に、誘電体ブロックの焼結強度を上げることができる
ストリップライン共振器を提供することができる。
【００３１】従って、温度の変化によってもストリップ
ライン共振器の中心周波数変動が生じず、従って、充分
なフィルタ特性を維持した機械的強度の強固な高周波フ
ィルタが提供できる。
ライン共振器の中心周波数変動が生じず、従って、充分
なフィルタ特性を維持した機械的強度の強固な高周波フ
ィルタが提供できる。
【図１】本発明のストリップライン共振器の斜視図であ
る。
る。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図であり本発明のストリッ
プライン共振器の内部構造を説明する斜視図である
プライン共振器の内部構造を説明する斜視図である
【図３】本発明のストリップライン共振器における等価
回路図である。
回路図である。
【図４】第1積層体と第２、第３積層体の周波数温度特
性を示したものである。
性を示したものである。
Ｐ：誘電体フィルタ １：誘電体ブロック ２：第１の誘電体層群 ３：第２の誘電体層群 ４：アース電極 ５：ストリップライン ６：入出力用内部電極 ７：ビアホール導体
Claims (2)
- 【請求項１】 矩形状の誘電体層を複数積層するととも
に誘電体層間にストリップラインを形成してなる第1積
層体の両主面に、矩形状の誘電体層を複数積層してなる
第2積層体と、第3積層体とを一体的に設けて誘電体ブロ
ックとなし、該誘電体ブロックの両主面にアース電極を
形成したストリップライン共振器において、 前記誘電体ブロックの周波数温度特性を補正するように
前記第1積層体の積層厚みを第2、第3積層体の積層厚み
に対し異ならせたことを特徴とするストリップライン共
振器。 - 【請求項２】 前記第１積層体と第2、３積層体とが互
いに逆極性となる誘電体材料を用いて形成されているこ
とを特徴とする請求項１記載のストリップライン共振
器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000231939A JP2002050912A (ja) | 2000-07-31 | 2000-07-31 | ストリップライン共振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000231939A JP2002050912A (ja) | 2000-07-31 | 2000-07-31 | ストリップライン共振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002050912A true JP2002050912A (ja) | 2002-02-15 |
Family
ID=18724696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000231939A Pending JP2002050912A (ja) | 2000-07-31 | 2000-07-31 | ストリップライン共振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002050912A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100373689C (zh) * | 2005-12-06 | 2008-03-05 | 电子科技大学 | 一种带状线谐振器及微波薄膜材料电磁参数测试装置 |
| JP2018006878A (ja) * | 2016-06-28 | 2018-01-11 | 日本ゼオン株式会社 | 信号伝送体、及び電子機器 |
-
2000
- 2000-07-31 JP JP2000231939A patent/JP2002050912A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100373689C (zh) * | 2005-12-06 | 2008-03-05 | 电子科技大学 | 一种带状线谐振器及微波薄膜材料电磁参数测试装置 |
| JP2018006878A (ja) * | 2016-06-28 | 2018-01-11 | 日本ゼオン株式会社 | 信号伝送体、及び電子機器 |
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