JP2002043460A

JP2002043460A - 高周波用パッケージ

Info

Publication number: JP2002043460A
Application number: JP2000225819A
Authority: JP
Inventors: Noboru Kubo; 昇久保
Original assignee: Sumitomo Metal SMI Electronics Device Inc
Current assignee: Sumitomo Metal SMI Electronics Device Inc
Priority date: 2000-07-26
Filing date: 2000-07-26
Publication date: 2002-02-08
Anticipated expiration: 2020-07-26
Also published as: JP3834190B2

Abstract

(57)【要約】【課題】グランドプレーンの共振対策構造を備え、フ
ィードスルー部の貫通部の壁厚みを薄くし、高速信号線
の電流集中を緩和させて導体損失の増加を抑えた高周波
用パッケージを提供する。【解決手段】フィードスルー部１６を複数のセラミッ
ク２３ａ〜２３ｅの積層体２３で形成する高周波用パッ
ケージ１０であって、フィードスルー部１６はセラミッ
ク２３ａ〜２３ｅを縦方向に並べて横方向に積層し、セ
ラミック２３ａ〜２３ｅの一部を貫通して導体を充填し
た貫通部ビア２６を配線の一部とする高速信号線２４を
具備し、しかも高速信号線２４を挟んでグランドプレー
ン２８が形成され、高速信号線２４と並行するグランド
ビア２７が形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高周波の高速の信
号線が通過する配線の導体損失を低減し、グランドプレ
ーンとの共振を抑制する高周波用パッケージに関する。

【０００２】

【従来の技術】図８に、従来の一般的なマイクロ波、ミ
リ波等の高周波において使用される高周波用パッケージ
５０を示す。コバール、４２アロイ等からなるメタルウ
ォール５１と銅タングステン等からなるメタルベース５
２は、ろう付けされて接合され、表面にＮｉめっき、Ａ
ｕめっきが施されて、高周波用パッケージ５０のベース
５３を形成している。コバール、４２アロイ等からなる
キャップ５４は、半導体電子部品５５がベース５３に実
装された後、ベース５３と金錫ろう材等で接合し、封止
をする。この高周波用パッケージ５０は、実装される半
導体電子部品５５が外部からの電磁波に影響されないよ
うにするため、及び半導体電子部品５５からの不要電磁
波を外部に出さないために、外周は導電性であることが
必要である。また、この半導体電子部品５５は、電源用
や信号用の端子５７を備え、この端子５７は、メタルウ
ォール５１に開けた貫通孔に嵌入されセラミックの積層
体からなるフィードスルー部５６の内側（パッケージ内
側）に設けられたワイヤボンディング用パッド５８とボ
ンディングワイヤ５９を介して接続されている。そし
て、フィードスルー部５６の外側（パッケージ外側）に
設けられたリード接続用パッド６０には外部と接続する
ためのコバール、４２アロイ等の金属からなるリード６
１が銀銅ろう材等でろう付けされている。

【０００３】高周波用パッケージ５０において、例え
ば、２．５ＧＨｚのような高周波の高速信号線７１が通
過する場合では、図９に示すように、凸型のセラミック
積層体７２で形成されるフィードスルー部５６を通して
パッケージの外部と内部を配線で接続させており、セラ
ミック積層体７２の各セラミックの表面に形成された電
源用のグランドプレーン７３はグランドビア７４を介し
て繋がっている。しかし、更に高速化が進み、例えば、
１０ＧＨｚ以上になると、Ａｕめっきが施されていない
貫通部７５（メタルウォール５１の貫通孔に嵌入する部
分）において、高速信号線７１は表皮効果の影響により
導体損失が増加し、また、グランドプレーン７３との共
振が発生しやすくなる。

【０００４】そこで、図１０に示すように、グランドプ
レーン７３の各セラミック層を結ぶグランドビア７４の
間のピッチ７６を狭く、例えば、０．５ｍｍ程度にした
構造が考えられている。このピッチ７６が狭いほどより
高い周波数までグランドプレーン７３との共振を抑える
ことができる。しかしながら、高速信号線７１の貫通部
７５にグランドビア７４を配設するためには、貫通部７
５の線路長に相当する壁厚み７７をグランドビア７４の
設置によるセラミックのクラックの発生を考慮して、例
えば、１ｍｍ以上に厚くする必要がでてくる。壁厚み７
７が厚くなると貫通部７５の線路長が長くなり、高速信
号線７１の導体損失が増加する。従って、グランドプレ
ーン７３の共振対策を行っても、逆に導体損失の悪化を
招くことになる。また、この構造においては、例えば、
２０ＧＨｚ以上になると、貫通部７５における高速信号
線７１の上層セラミックに形成されたグランドプレーン
７３を流れる電流の経路確保が充分でなく高速信号線７
１とグランドプレーン７３からなるループインダクタン
スが増加して、特性インピーダンスの不整合による伝送
特性の劣化が目立ってくる。

【０００５】そこで、グランドプレーン７３の共振対策
と電流経路確保を同時に行える構造としては、図１１に
示すように、貫通部７５における高速信号線７１の上層
セラミックに形成されたグランドプレーン７３を流れる
電流の経路を貫通部７５の壁側面にグランドキャスタレ
ーション７８を形成して、確保している。これにより、
特性インピーダンス不整合による伝送特性の劣化を低減
し、壁厚み７７は、例えば、０．７ｍｍ程度となり、薄
くできるので導体損失の増加を抑えることができる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
たような従来の高周波用パッケージは、次のような課題
がある。（１）高周波化が更に進んでおり、高速信号線の導体損
失の低減を更に行う必要がでてきており、フィードスル
ー部の貫通部の線路長を短くする、すなわち、貫通部の
壁厚みを薄くする必要がある。（２）従来構造では、フィードスルー部の高速信号線の
両端に電流が集中するが、高周波化が進めば進む程、表
皮効果により、更に高速信号線の両端への電流の集中が
強まる。この高速信号線の両端への局部的な電流集中を
緩和する必要がある。本発明は、かかる事情に鑑みてな
されたものであって、グランドプレーンの共振対策構造
を備え、更に、フィードスルー部の貫通部の壁厚みを薄
くし、また、高速信号線の電流集中を緩和させて導体損
失の増加を抑えた高周波用パッケージを提供することを
目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】前記目的に沿う本発明に
係る高周波用パッケージは、フィードスルー部を複数の
セラミックの積層体で形成する高周波用パッケージであ
って、フィードスルー部はセラミックを縦方向に並べて
横方向に積層し、セラミックの一部を貫通して導体を充
填した貫通部ビアを配線の一部とする高速信号線を具備
し、しかも高速信号線を挟んでグランドプレーンが形成
され、高速信号線と並行するグランドビアが形成されて
いる。セラミックの積層方向（横方向）にグランドビア
が形成され、フィードスルー部の貫通部に縦方向のビア
やキャスタレーションを必要としないので、貫通部の壁
厚みを薄くでき、貫通部の高速信号線はビアで形成され
ているので、信号線断面は実質的に円となり、表皮効果
による電流の局部集中が回避でき、高速信号線の導体損
失を低減することができる。また、グランドビアは狭ピ
ッチで形成できるので、グランドプレーンの共振を抑え
ることができる。更に、グランドプレーンの電流経路は
充分確保された構造であるので、高速信号線とグランド
プレーンからなるループインダクタンスの増加で発生す
る特性インピーダンス不整合からでる反射を低減するこ
とができる。

【０００８】ここで、高速信号線が形成されるセラミッ
クの端面部には、高速信号線を含む導体配線がキャスタ
レーションによって形成されていてもよい。これによ
り、セラミックの端面部であっても高速信号線やグラン
ドプレーンを容易に形成することができ、導体損失や共
振の少ない高周波用パッケージが得られる。また、貫通
部以外の高速信号線の信号線断面が実質的に半円形状と
なり、表皮効果による電流の局部集中が回避でき、高速
信号線の導体損失を低減することができる。また、高速
信号線が形成されるセラミックの端面部には、高速信号
線を含む導体配線が平面印刷で形成されていてもよい。
これにより、セラミックの端面部であっても容易に高速
信号線やグランドプレーンを形成することができ、導体
損失や共振の少ない高周波用パッケージが得られる。更
に、高速信号線が形成されるセラミックの端面部には、
平面印刷で形成される導体配線とキャスタレーションに
よって形成される導体配線とを有してもよい。これによ
り、セラミックの端面部の高速信号線やグランドプレー
ンを形成するのに設計の自由度を得ることができ、導体
損失や共振の少ない高周波用パッケージが得られる。

【０００９】

【発明の実施の形態】続いて、添付した図面を参照しつ
つ、本発明を具体化した実施の形態について説明し、本
発明の理解に供する。ここに、図１（Ａ）、（Ｂ）はそ
れぞれ本発明の一実施の形態に係る高周波用パッケージ
の平面図、断面図、図２は同高周波用パッケージのフィ
ードスルー部の斜視図、図３（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ
同高周波用パッケージのフィードスルー部の断面図、図
４は同高周波用パッケージの第１の変形例に係るフィー
ドスルー部の斜視図、図５（Ａ）〜（Ｃ）は同フィード
スルー部のキャスタレーションの形成方法の説明図、図
６は同高周波用パッケージの第２の変形例に係るフィー
ドスルー部の斜視図、図７（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ同
高周波用パッケージの第３、第４の変形例に係るフィー
ドスルー部の斜視図である。

【００１０】図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、本発明
の一実施の形態に係る高周波用パッケージ１０は、発信
用光モジュールパッケージであって、セラミックと熱膨
張係数が近似するコバール、４２アロイ等の金属で形成
されるメタルウォール１１と、セラミックと熱膨張係数
が近似し、しかも放熱性に優れる銅タングステン等の金
属で形成されるメタルベース１２とが銀銅ろう等のろう
材でろう付けされて接合され、表面にＮｉめっき及びＡ
ｕめっきが施されて形成されたベース１３を有してい
る。ベース１３の中に、例えば、レーザーダイオード１
５ａとフォトダイオード１５ｂを有する半導体電子部品
１５が実装された後、コバール、４２アロイ等の金属表
面やセラミックの全面メタライズ表面にＮｉめっき及び
Ａｕめっきを施して形成されるキャップ１４が、ベース
１３に金錫ろう材等で接合され、半導体電子部品１５は
封止されている。この高周波用パッケージ１０は、実装
される半導体電子部品１５が外部からの電磁波に影響さ
れないようにするため、更に半導体電子部品１５からの
不要電磁波を外部に出さないために、外周をできるだけ
導電性に保つことが必要とされる。

【００１１】半導体電子部品１５は電源用や信号用のワ
イヤボンド用端子１５ｃを備え、メタルウォール１１の
壁面を貫通して銀ろう付け等で接合して形成されたフィ
ードスルー部１６の内側に設けられたワイヤボンディン
グ用パッド１７とボンディングワイヤ１８を介して接続
されている。そして、フィードスルー部１６の外側に設
けられたリード接続用パッド１９には外部と接続するた
めのコバール、４２アロイ等の金属からなるリード２０
がろう付けされている。なお、レーザーダイオード１５
ａからの光は、レンズ部２２を介して光ファイバー２１
で外部に伝えられる。

【００１２】次いで、図２、図３（Ａ）、（Ｂ）を参照
して、フィードスルー部１６の構造を説明する。フィー
ドスルー部１６は、タングステンやモリブデン等の高融
点金属で配線パターンやビア導体を形成したセラミック
グリーンシートからなる絶縁体のセラミック２３ａ〜２
３ｅを縦方向に並べて横方向に積層した積層体２３で形
成されている。フィードスルー部１６を形成する積層体
２３の実質的に中央部に配置されたセラミック２３ｃ
は、高周波用パッケージ１０のメタルウォール１１に設
けた貫通孔に嵌入して内側と外側を接続する貫通部２５
を構成し、他のセラミック２３ａ、２３ｂ、２３ｄ、２
３ｅより高さが高く形成されている。セラミック２３ｃ
には、スルーホールを穿設し、導体を充填して貫通部ビ
ア２６を形成し、これを配線の一部とする高速信号線２
４が貫通部２５を通過するように設けられ、高周波用パ
ッケージ１０の外部と内部を配線で結合して信号を伝達
している。

【００１３】また、各セラミック２３ａ〜２３ｅには、
グランドプレーン２８が高速信号線２４を挟んでタング
ステンやモリブデン等の高融点金属の配線パターンで形
成されている。この各層のグランドプレーン２８を接続
するようにグランドビア２７が各セラミック２３ａ〜２
３ｅに穿設されたスルーホールにタングステンやモリブ
デン等の高融点金属を充填することで形成されている。
そして、このグランドビア２７は、高速信号線２４と並
行するように形成されている。グランドビア２７間のピ
ッチは、より高い周波数までグランドプレーン２８との
共振を抑えるために、できるだけ短いほうがよい。

【００１４】セラミック２３ａ、２３ｂの端面部には、
図１に示すように、半導体電子部品１５とボンディング
ワイヤ１８で接続するためのワイヤボンディング用パッ
ド１７が貫通部ビア２６やグランドプレーン２８とグラ
ンドビア２７に接続して形成されており、セラミック２
３ｄ、２３ｅの端面部には、リード２０を接合するため
のリード接続用パッド１９が貫通部ビア２６やグランド
プレーン２８とグランドビア２７に接続して形成されて
いる。

【００１５】セラミック２３ｃの外周端面部にはタング
ステンやモリブデン等の高融点金属が形成され、その表
面にはＮｉめっきが施されている。更にこのセラミック
２３ｃを、メタルウォール１１の予め窓状に開口した貫
通孔に嵌め込み、銀銅ろう等でろう付けを行い接合し、
更にＮｉめっき及びＡｕめっきを行って、高周波用パッ
ケージ１０が形成される。

【００１６】次に、図４を参照して、本実施の形態に係
る高周波用パッケージ１０のフィードスルー部１６の第
１の変形例であるフィードスルー部１６ａの構造を説明
する。なお、符号は上記実施の形態と同じ部分は同符号
を使用している。フィードスルー部１６ａは、高速信号
線２４が形成されるセラミック２３ａ、２３ｂ、２３
ｄ、２３ｅの端面部に、ワイヤボンディング用パッド１
７やリード接続用パッド１９を含む導体配線がそれぞれ
信号キャスタレーション２９、グランドキャスタレーシ
ョン３０、リードキャスタレーション３１のキャスタレ
ーションで形成されている。

【００１７】なお、図５に示すように、キャスタレーシ
ョンの形成方法は、セラミック２３ａ、２３ｂ、２３
ｄ、２３ｅをそれぞれ形成するセラミックグリーンシー
ト３２に信号キャスタレーション用孔３３、グランドキ
ャスタレーション用長楕円孔３４、リードキャスタレー
ション用長楕円孔３５、及び、グランドビア用孔３６を
穿設し（図５（Ａ））、次に、信号キャスタレーション
用孔３３、グランドキャスタレーション用長楕円孔３
４、リードキャスタレーション用長楕円孔３５には、そ
れぞれ孔の壁面にタングステンやモリブデン等の高融点
金属を施し、グランドビア用孔３６には、高融点金属を
充填し、更に、グランドプレーン２８のパターンを形成
して（図５（Ｂ））、次に、各セラミック２３ａ〜２３
ｅを積層し、焼成した後、信号キャスタレーション用孔
３３、グランドキャスタレーション用長楕円孔３４、リ
ードキャスタレーション用長楕円孔３５の中心を通るス
ナップラインに沿って分割することで信号キャスタレー
ション２９、グランドキャスタレーション３０、リード
キャスタレーション３１が形成（図５（Ｃ））できる。
なお、フィードスルー部１６ａは、高速信号線を含む導
体配線をキャスタレーションで形成する以外のその他の
構造はフィードスルー部１６と同じである。

【００１８】図６を参照して、第２の変形例であるフィ
ードスルー部１６ｂの構造を説明する。なお、符号は上
記実施の形態と同じ部分は同符号を使用している。高速
信号線２４が形成されるセラミック２３ａ、２３ｂ、２
３ｄ、２３ｅの端面部には、ワイヤボンディング用パッ
ド１７やリード接続用パッド１９を含む導体配線をタン
グステンやモリブデン等の高融点金属をスクリーン印刷
等で平面印刷することによって、それぞれ信号パターン
３７、グランドパターン３８、リードパターン３９を形
成している。セラミック２３ａ、２３ｂ、２３ｄ、２３
ｅの端面部への印刷は、それぞれを別々のセラミックグ
リーンシートに印刷してもよく、あるいは、セラミック
グリーンシートをまとめて重ねて合わせておいて、その
端面部に印刷し、形成してもよい。なお、フィードスル
ー部１６ｂは、高速信号線を含む導体配線を平面印刷で
形成する以外のその他の構造はフィードスルー部１６と
同じである。

【００１９】図７（Ａ）、（Ｂ）を参照して、第３、第
４の変形例であるフィードスルー部１６ｃ、１６ｄの構
造を説明する。なお、ここでも符号は上記実施の形態と
同じ部分は同符号を使用している。フィードスルー部１
６ｃ、１６ｄにおいては、高速信号線２４が形成される
セラミック２３ａ、２３ｂ、２３ｄ、２３ｅの端面部に
は、ワイヤボンディング用パッド１７やリード接続用パ
ッド１９がキャスタレーションと平面印刷の両方によっ
て、形成されている。図７（Ａ）に示すように、高速信
号線２４を信号キャスタレーション４０で形成し、ワイ
ヤボンディング用パッド１７やリード接続用パッド１９
をグランドパターン４１やリードパターン４２の平面印
刷で形成している。また、リード接続用パッド１９をリ
ードキャスタレーションで形成することもできる。ま
た、図７（Ｂ）に示すように、高速信号線２４を信号パ
ターン４４で形成し、ワイヤボンディング用パッド１７
やリード接続用パッド１９をグランドキャスタレーショ
ン４５やリードキャスタレーション４３のキャスタレー
ションで形成している。また、リード接続用パッド１９
をリードパターンで形成することもできる。なお、フィ
ードスルー部１６ｃ、１６ｄは、高速信号線を含む導体
配線を平面印刷とキャスタレーションで形成する以外の
その他の構造はフィードスルー部１６と同じである。

【００２０】なお、セラミックの積層体の積層数は、本
実施の形態では５層構造となっているが、セラミックの
層数は限定されるものではない。更に、積層体の実質的
に中央部となるセラミックは本実施の形態では１層とな
っているが複数層で形成してもよい。また、セラミック
の材質は、特に限定するものではなく、アルミナ、窒化
アルミニウム、低温焼成ガラスセラミック等のセラミッ
クが使用できる。

【００２１】

【実施例】本発明者は、本発明の高周波用パッケージ
と、従来例の高周波用パッケージの貫通部における伝送
特性をＳパラメーターで表すことにより導体損失の比較
を行った。Ｓパラメーターは、周波数（ＧＨ_z ）を変化
させながら、線路を通過する信号の損失の度合いを測定
する通過Ｓ₂₁（ｄＢ／ｍｍ）の値を求めた。資料は、貫
通部の線路長（壁厚み）を１ｍｍとし、貫通部ビアで形
成された本発明の高周波用パッケージに対して、従来例
は、同じく貫通部の線路長（壁厚み）を１ｍｍとし、図
１１に示す、縦方向にセラミックを積層し、貫通部の壁
側面にグランドキャスタレーションを設けて形成した高
周波用パッケージを使用した。その結果を図１２に示
す。従来例の高周波用パッケージは、高周波の度合いが
増加するに従い急激に通過損失が増大するのに対して、
本発明の高周波用パッケージでは、通過損失の変化は僅
かであり、３０ＧＨz で従来例は本発明の５倍の通過損
失である結果が電磁界構造解析によって得られた。

【００２２】

【発明の効果】請求項１〜４記載の高周波用パッケージ
においては、フィードスルー部はセラミックを縦方向に
並べて横方向に積層し、セラミックの一部を貫通して導
体を充填した貫通部ビアを配線の一部とする高速信号線
を具備し、しかも高速信号線を挟んでグランドプレーン
が形成され、高速信号線と並行するグランドビアが形成
されているので、貫通部の壁厚みを薄くでき、貫通部の
信号線断面は実質的に円となり、表皮効果による電流の
局部集中が回避でき、高速信号線の導体損失を低減する
ことができる。また、グランドビアが狭ピッチで形成で
き、グランドプレーンの共振を抑えることができる。更
に、グランドプレーンの電流経路は充分確保された構造
であり、高速信号線とグランドプレーンからなるループ
インダクタンスの増加から発生する特性インピーダンス
不整合による反射を低減することができる高周波用パッ
ケージが得られる。特に、請求項２記載の高周波用パッ
ケージにおいては、高速信号線が形成されるセラミック
の端面部には、高速信号線を含む導体配線がキャスタレ
ーションによって形成されているので、セラミックの端
面部であっても高速信号線やグランドプレーンを容易に
形成することができ、導体損失や共振の少ない高周波用
パッケージが得られる。また、貫通部以外の高速信号線
の信号線断面が実質的に半円形状が得られ、表皮効果に
よる電流の局部集中が回避でき、高速信号線の導体損失
を低減することができる高周波用パッケージが得られ
る。また、請求項３記載の高周波用パッケージにおいて
は、高速信号線が形成されるセラミックの端面部には、
高速信号線を含む導体配線が平面印刷で形成されている
ので、セラミックの端面部であっても容易に高速信号線
やグランドプレーンを形成することができ、導体損失や
共振の少ない高周波用パッケージが得られる。更に、請
求項４記載の高周波用パッケージにおいては、高速信号
線が形成されるセラミックの端面部には、平面印刷で形
成される導体配線とキャスタレーションによって形成さ
れる導体配線とを有するので、セラミックの端面部の高
速信号線やグランドプレーンを形成するのに設計の自由
度を得ることができ、導体損失や共振の少ない高周波用
パッケージが得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ本発明の一実施の形
態に係る高周波用パッケージの平面図、断面図である。

【図２】同高周波用パッケージのフィードスルー部の斜
視図である。

【図３】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ同高周波用パッケー
ジのフィードスルー部の断面図である。

【図４】同高周波用パッケージのフィードスルー部の第
１の変形例に係る斜視図である。

【図５】（Ａ）〜（Ｃ）は同フィードスルー部のキャス
タレーションの形成方法の説明図である。

【図６】同高周波用パッケージの第２の変形例に係るフ
ィードスルー部の斜視図である。

【図７】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ同高周波用パッケー
ジの第３、第４の変形例に係るフィードスルー部の斜視
図である。

【図８】従来の高周波用パッケージの斜視図である。

【図９】従来の高周波用パッケージのフィードスルー部
の斜視図である。

【図１０】従来の高周波用パッケージのフィードスルー
部の斜視図である。

【図１１】従来の高周波用パッケージのフィードスルー
部の斜視図である。

【図１２】本発明と従来の高周波用パッケージの伝送特
性の比較図である。

【符号の説明】

１０：高周波用パッケージ、１１：メタルウォール、１
２：メタルベース、１３：ベース、１４：キャップ、１
５：半導体電子部品、１５ａ：レーザーダイオード、１
５ｂ：フォトダイオード、１５ｃ：ワイヤボンド用端
子、１６、１６ａ、１６ｂ、１６ｃ、１６ｄ：フィード
スルー部、１７：ワイヤボンディング用パッド、１８：
ボンディングワイヤ、１９：リード接続用パッド、２
０：リード、２１：光ファイバー、２２：レンズ部、２
３：積層体、２３ａ〜２３ｅ：セラミック、２４：高速
信号線、２５：貫通部、２６：貫通部ビア、２７：グラ
ンドビア、２８：グランドプレーン、２９：信号キャス
タレーション、３０：グランドキャスタレーション、３
１：リードキャスタレーション、３２：セラミックグリ
ーンシート、３３：信号キャスタレーション用孔、３
４：グランドキャスタレーション用長楕円孔、３５：リ
ードキャスタレーション用長楕円孔、３６：グランドビ
ア用孔、３７：信号パターン、３８：グランドパター
ン、３９：リードパターン、４０：信号キャスタレーシ
ョン、４１：グランドパターン、４２：リードパター
ン、４３：リードキャスタレーション、４４：信号パタ
ーン、４５：グランドキャスタレーション

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】フィードスルー部を複数のセラミックの
積層体で形成する高周波用パッケージであって、前記フ
ィードスルー部は前記セラミックを縦方向に並べて横方
向に積層し、前記セラミックの一部を貫通して導体を充
填した貫通部ビアを配線の一部とする高速信号線を具備
し、しかも前記高速信号線を挟んでグランドプレーンが
形成され、前記高速信号線と並行するグランドビアが形
成されていることを特徴とする高周波用パッケージ。
【請求項２】請求項１記載の高周波用パッケージにお
いて、前記高速信号線が形成される前記セラミックの端
面部には、前記高速信号線を含む導体配線がキャスタレ
ーションによって形成されていることを特徴とする高周
波用パッケージ。
【請求項３】請求項１記載の高周波用パッケージにお
いて、前記高速信号線が形成される前記セラミックの端
面部には、前記高速信号線を含む導体配線が平面印刷で
形成されていることを特徴とする高周波用パッケージ。
【請求項４】請求項１記載の高周波用パッケージにお
いて、前記高速信号線が形成される前記セラミックの端
面部には、平面印刷で形成される導体配線とキャスタレ
ーションによって形成される導体配線とを有することを
特徴とする高周波用パッケージ。