JP2002040143A - 放射線撮像装置、蛍光体構造物とその製造方法 - Google Patents
放射線撮像装置、蛍光体構造物とその製造方法Info
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- JP2002040143A JP2002040143A JP2000225545A JP2000225545A JP2002040143A JP 2002040143 A JP2002040143 A JP 2002040143A JP 2000225545 A JP2000225545 A JP 2000225545A JP 2000225545 A JP2000225545 A JP 2000225545A JP 2002040143 A JP2002040143 A JP 2002040143A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高いアスペクト比の蛍光体分割部材を有し、
低コストでありながら高感度と高解像度を共に満足する
放射線撮像装置を提供する。 【解決手段】 １０１は撮像素子、１０２は光電変換
部、１０３は画素、１０４は蛍光体構造物と撮像素子の
接着層、１０５はシリコンの針状結晶体、１０６は針状
結晶体の間に充填された蛍光体、１０７は針状結晶体を
成長させたシリコン基板、１０８は周辺回路等の実装領
域である。（１１１）面のシリコン基板１０７上に金Ａ
ｕを成膜して配列ピッチ４０μｍ、直径１５μｍのドッ
トパターン２０２を形成する。そして、シランガスＳｉ
Ｈ4 、四塩化ケイ素ガスＳｉＣｌ4 の飽和した水素ガス
Ｈ2 中で基板１０７を加熱すると、過飽和状態のシリコ
ンはシリコン基板の＜１１１＞軸方向に沿って、下地シ
リコン結晶上に針状結晶体１０５として析出する。
低コストでありながら高感度と高解像度を共に満足する
放射線撮像装置を提供する。 【解決手段】 １０１は撮像素子、１０２は光電変換
部、１０３は画素、１０４は蛍光体構造物と撮像素子の
接着層、１０５はシリコンの針状結晶体、１０６は針状
結晶体の間に充填された蛍光体、１０７は針状結晶体を
成長させたシリコン基板、１０８は周辺回路等の実装領
域である。（１１１）面のシリコン基板１０７上に金Ａ
ｕを成膜して配列ピッチ４０μｍ、直径１５μｍのドッ
トパターン２０２を形成する。そして、シランガスＳｉ
Ｈ4 、四塩化ケイ素ガスＳｉＣｌ4 の飽和した水素ガス
Ｈ2 中で基板１０７を加熱すると、過飽和状態のシリコ
ンはシリコン基板の＜１１１＞軸方向に沿って、下地シ
リコン結晶上に針状結晶体１０５として析出する。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、蛍光体構造物、放
射線撮像装置とその製造方法に関し、特に、医療用、産
業用ディジタルＸ線撮像装置等の放射線撮像装置に好適
に使用し得る２次放射線撮像装置、蛍光体構造物とその
製造方法に関する。
射線撮像装置とその製造方法に関し、特に、医療用、産
業用ディジタルＸ線撮像装置等の放射線撮像装置に好適
に使用し得る２次放射線撮像装置、蛍光体構造物とその
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、医療機器の分野では、病院内での
診断効率の向上や、より精度の高い医療機器が強く望ま
れ、その流れの中で、従来フィルムを用いたＸ線撮像装
置が主流であったＸ線画像の分野においても“Ｘ線画像
情報のディジタル化”の要求が高まりつつある。
診断効率の向上や、より精度の高い医療機器が強く望ま
れ、その流れの中で、従来フィルムを用いたＸ線撮像装
置が主流であったＸ線画像の分野においても“Ｘ線画像
情報のディジタル化”の要求が高まりつつある。
【０００３】ディジタル化が達成されればＸ線画像情報
を光磁気ディスクのような記録媒体を用いて管理でき、
またさまざまな通信方式等により患者のＸ線画像情報
を、リアルタイムに遠隔地で見ることが可能となる。ま
たディジタルのＸ線画像情報は画像処理により、従来に
比べより一層高い精度での診断が可能となり、従来のフ
ィルム方式での上記課題を解決することができる。また
このディジタル化の流れは、医療の世界ばかりでなく、
産業分野においても進行しており、例えばディジタルＸ
線画像入力装置を結晶解析に応用する研究も行われてい
る。
を光磁気ディスクのような記録媒体を用いて管理でき、
またさまざまな通信方式等により患者のＸ線画像情報
を、リアルタイムに遠隔地で見ることが可能となる。ま
たディジタルのＸ線画像情報は画像処理により、従来に
比べより一層高い精度での診断が可能となり、従来のフ
ィルム方式での上記課題を解決することができる。また
このディジタル化の流れは、医療の世界ばかりでなく、
産業分野においても進行しており、例えばディジタルＸ
線画像入力装置を結晶解析に応用する研究も行われてい
る。
【０００４】現在Ｘ線画像情報のディジタル化のための
放射線撮像装置として２次元のＣＣＤ型撮像素子と蛍光
体のついたガラス製光学的ファイバーオプティックプレ
ートを用いたものが提案されている。
放射線撮像装置として２次元のＣＣＤ型撮像素子と蛍光
体のついたガラス製光学的ファイバーオプティックプレ
ートを用いたものが提案されている。
【０００５】図８にファイバーオプティックプレートを
用いた従来の放射線撮像装置の断面図及び平面図であ
る。図８（ａ）は断面図であり、図８（ｂ）は図８
（ａ）での領域Ａの拡大図である。
用いた従来の放射線撮像装置の断面図及び平面図であ
る。図８（ａ）は断面図であり、図８（ｂ）は図８
（ａ）での領域Ａの拡大図である。
【０００６】図９は、図８に示した従来の放射線撮像装
置の斜視図である。
置の斜視図である。
【０００７】図８，図９に示すように、８０１は撮像素
子、８０２は光電変換部、８０３は画素、８０４は撮像
素子とファイバーオプティックプレートとの接着層、８
０５はファイバーオプティックプレート、８０６はクラ
ッド、８０７はコア、８０８は蛍光板、８０９は周辺回
路等の実装領域である。
子、８０２は光電変換部、８０３は画素、８０４は撮像
素子とファイバーオプティックプレートとの接着層、８
０５はファイバーオプティックプレート、８０６はクラ
ッド、８０７はコア、８０８は蛍光板、８０９は周辺回
路等の実装領域である。
【０００８】等倍光学系のファイバーオプティックプレ
ート８０５を用いることにより、縮小光学系を用いるよ
りも感度の大幅な向上が見られる。蛍光体８０８はファ
イバーオプティックプレート８０５上に設置する。
ート８０５を用いることにより、縮小光学系を用いるよ
りも感度の大幅な向上が見られる。蛍光体８０８はファ
イバーオプティックプレート８０５上に設置する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の構
成では以下の問題点があった。
成では以下の問題点があった。
【００１０】Ｘ線の利用効率を良くするためには蛍光板
８０８の厚さを増し、ここでの吸収を増加させることが
必要である。ところが従来の方法では、蛍光体の膜厚を
増加させると蛍光体内での光の散乱が大きくなり解像度
が悪くなるので蛍光体の膜厚を十分大きくすることがで
きなかった。
８０８の厚さを増し、ここでの吸収を増加させることが
必要である。ところが従来の方法では、蛍光体の膜厚を
増加させると蛍光体内での光の散乱が大きくなり解像度
が悪くなるので蛍光体の膜厚を十分大きくすることがで
きなかった。
【００１１】そこで、本発明は、高いアスペクト比の蛍
光体分割部材を有し、低コストでありながら高感度と高
解像度を共に満足する放射線撮像装置と蛍光体構造とそ
の製造方法を提供することを課題としている。
光体分割部材を有し、低コストでありながら高感度と高
解像度を共に満足する放射線撮像装置と蛍光体構造とそ
の製造方法を提供することを課題としている。
【００１２】又、本発明は、画質を低下させることなく
高感度な画像が得られる放射線撮像装置と蛍光体構造物
を提供することを課題としている。
高感度な画像が得られる放射線撮像装置と蛍光体構造物
を提供することを課題としている。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めの本発明の放射線撮像装置においては、第１、第２の
基板を有し、前記第１の基板表面に対して角度θ（０＜
θ≦９０°）をなす方向に沿って、前記第１の基板上に
前記第１の基板の組成物を有する針状結晶体を成長さ
せ、前記針状結晶体の隙間に蛍光体を充填させ、前記第
２の基板は複数の画素を有し、前記画素と前記蛍光体を
相対するように配置する。
めの本発明の放射線撮像装置においては、第１、第２の
基板を有し、前記第１の基板表面に対して角度θ（０＜
θ≦９０°）をなす方向に沿って、前記第１の基板上に
前記第１の基板の組成物を有する針状結晶体を成長さ
せ、前記針状結晶体の隙間に蛍光体を充填させ、前記第
２の基板は複数の画素を有し、前記画素と前記蛍光体を
相対するように配置する。
【００１４】又、本発明の放射線撮像装置においては、
基板を有し、前記基板は複数の画素を有し、前記基板表
面に対して角度θ（０＜θ≦９０°）をなす方向に沿っ
て、前記基板上に基板の組成物を有する針状結晶体を成
長させ、前記針状結晶体の隙間に蛍光体を充填させる。
基板を有し、前記基板は複数の画素を有し、前記基板表
面に対して角度θ（０＜θ≦９０°）をなす方向に沿っ
て、前記基板上に基板の組成物を有する針状結晶体を成
長させ、前記針状結晶体の隙間に蛍光体を充填させる。
【００１５】又、本発明の蛍光体構造物においては、基
板を有し、前記基板表面に対して角度θ（０＜θ≦９０
°）をなす方向に沿って、前記基板上に基板の組成物を
有する針状結晶体を成長させ、前記針状結晶体の隙間に
蛍光体を充填させる。
板を有し、前記基板表面に対して角度θ（０＜θ≦９０
°）をなす方向に沿って、前記基板上に基板の組成物を
有する針状結晶体を成長させ、前記針状結晶体の隙間に
蛍光体を充填させる。
【００１６】また、本発明の放射線撮像装置の製造方法
においては、第１の基板上に第１の基板の組成物と共晶
体を形成する金属のパターンを配置する工程と、ＶＬＳ
法により前記金属パターン部分に前記組成物の針状結晶
体を成長させる工程と、蛍光体粒子を前記針状結晶体を
含むように設置する工程と、第２の基板上に複数の画素
を形成する工程と、前記第１の基板と第２の基板と組み
合わせる工程とを含む。
においては、第１の基板上に第１の基板の組成物と共晶
体を形成する金属のパターンを配置する工程と、ＶＬＳ
法により前記金属パターン部分に前記組成物の針状結晶
体を成長させる工程と、蛍光体粒子を前記針状結晶体を
含むように設置する工程と、第２の基板上に複数の画素
を形成する工程と、前記第１の基板と第２の基板と組み
合わせる工程とを含む。
【００１７】又、本発明の放射線撮像装置の製造方法に
おいては、基板上に複数の画素を形成する工程と、前記
基板上に基板の組成物と共晶体を形成する金属のパター
ンを配置する工程と、ＶＬＳ法により前記金属パターン
部分に前記組成物の針状結晶体を成長させる工程と、蛍
光体粒子を前記針状結晶体を含むように設置する工程と
を含む。
おいては、基板上に複数の画素を形成する工程と、前記
基板上に基板の組成物と共晶体を形成する金属のパター
ンを配置する工程と、ＶＬＳ法により前記金属パターン
部分に前記組成物の針状結晶体を成長させる工程と、蛍
光体粒子を前記針状結晶体を含むように設置する工程と
を含む。
【００１８】又、本発明の蛍光体構造物の製造方法にお
いては、基板上に基板の組成物と共晶体を形成する金属
のパターンを配置する工程と、ＶＬＳ法により前記金属
パターン部分に前記組成物の針状結晶体を成長させる工
程と、蛍光体粒子を前記針状結晶体を含むように設置す
る工程とを含む。
いては、基板上に基板の組成物と共晶体を形成する金属
のパターンを配置する工程と、ＶＬＳ法により前記金属
パターン部分に前記組成物の針状結晶体を成長させる工
程と、蛍光体粒子を前記針状結晶体を含むように設置す
る工程とを含む。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。
施の形態について説明する。
【００２０】（実施形態１）本発明において針状結晶体
を形成するために用いられるVapor Liquid Solid（Ｖ
ＬＳ）成長法は、Ｒ．Ｓ．Ｗａｇｎｅｒ ａｎｄ Ｗ．
Ｃ．Ｅｌｌｉｓ：Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．４，
Ｎｏ．５，ｐｐ．８９（１９６４）、Ｇｉｖａｒｇｉｚ
ｏｖ，Ｊ．Ｃｒｙｓｔ．Ｇｒｏｗｔｈ，Ｎｏ．３１，ｐ
ｐ．２０（１９７５）、Ｒ．Ｓ．Ｗａｇｎｅｒ，Ｗ．
Ｃ．Ｅｌｌｉｓ：Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｆ ｔ
ｈｅ Ｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ
ｏｆ ＡＩＭＥ，１９６５，Ｖｏｌｕｍｅ ２３３，ｐ
ｐ．１０５３〜１０６４、「結晶工学ハンドブック」
（共晶工学ハンドブック編集委員会編、共立出版）、に
述べられている。
を形成するために用いられるVapor Liquid Solid（Ｖ
ＬＳ）成長法は、Ｒ．Ｓ．Ｗａｇｎｅｒ ａｎｄ Ｗ．
Ｃ．Ｅｌｌｉｓ：Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．４，
Ｎｏ．５，ｐｐ．８９（１９６４）、Ｇｉｖａｒｇｉｚ
ｏｖ，Ｊ．Ｃｒｙｓｔ．Ｇｒｏｗｔｈ，Ｎｏ．３１，ｐ
ｐ．２０（１９７５）、Ｒ．Ｓ．Ｗａｇｎｅｒ，Ｗ．
Ｃ．Ｅｌｌｉｓ：Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｆ ｔ
ｈｅ Ｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ
ｏｆ ＡＩＭＥ，１９６５，Ｖｏｌｕｍｅ ２３３，ｐ
ｐ．１０５３〜１０６４、「結晶工学ハンドブック」
（共晶工学ハンドブック編集委員会編、共立出版）、に
述べられている。
【００２１】本実施形態においてはシリコン基板からの
針状結晶体を利用する。蛍光体の分割とは完全に分離す
る場合だけでなく、本発明のように一部分が分離される
ことも指すものとする。
針状結晶体を利用する。蛍光体の分割とは完全に分離す
る場合だけでなく、本発明のように一部分が分離される
ことも指すものとする。
【００２２】図１に実施形態１の放射線撮像装置を示
す。図１（ｂ）は図１（ａ）のＡの部分の拡大図であ
る。１０１は撮像素子、１０２は光電変換部、１０３は
画素、１０４は蛍光体構造物と撮像素子の接着層、１０
５はシリコンの針状結晶体、１０６は針状結晶体の間に
充填された蛍光体、１０７は針状結晶体を成長させたシ
リコン基板、１０８は周辺回路等の実装領域である。
す。図１（ｂ）は図１（ａ）のＡの部分の拡大図であ
る。１０１は撮像素子、１０２は光電変換部、１０３は
画素、１０４は蛍光体構造物と撮像素子の接着層、１０
５はシリコンの針状結晶体、１０６は針状結晶体の間に
充填された蛍光体、１０７は針状結晶体を成長させたシ
リコン基板、１０８は周辺回路等の実装領域である。
【００２３】図２（ａ）は針状結晶体を成長させたシリ
コン基板の斜視図である。３０１は針状結晶体を成長さ
せたシリコンＳｉ基板、３０２はシリコンの針状結晶
体、図２（ｂ）は図（ｂ）に示した針状結晶体の間に蛍
光体粉末と樹脂の混合部３０３を充填させた蛍光体構造
物を示す。シリコン基板の表面、その上の針状結晶体表
面には金属層が設置されている。
コン基板の斜視図である。３０１は針状結晶体を成長さ
せたシリコンＳｉ基板、３０２はシリコンの針状結晶
体、図２（ｂ）は図（ｂ）に示した針状結晶体の間に蛍
光体粉末と樹脂の混合部３０３を充填させた蛍光体構造
物を示す。シリコン基板の表面、その上の針状結晶体表
面には金属層が設置されている。
【００２４】本実施形態では、撮像素子として複数の画
素を含むＣＭＯＳ型撮像素子を用いている。画素は１０
０μｍ×１００μｍの大きさとした。
素を含むＣＭＯＳ型撮像素子を用いている。画素は１０
０μｍ×１００μｍの大きさとした。
【００２５】次に、図３を参照して、針状結晶体の作製
方法について説明する。
方法について説明する。
【００２６】工程（ａ） （１１１）面のシリコン基板
２０１上にシリコンと共晶合金を形成可能な金属である
金を蒸着、スパッタリングなどで形成し、その後フォト
リソグラフィとエッチングによりパターニングを行い、
金Ａｕを配列ピッチ４０μｍ、直径１５μｍのドットパ
ターン２０２を形成した。
２０１上にシリコンと共晶合金を形成可能な金属である
金を蒸着、スパッタリングなどで形成し、その後フォト
リソグラフィとエッチングによりパターニングを行い、
金Ａｕを配列ピッチ４０μｍ、直径１５μｍのドットパ
ターン２０２を形成した。
【００２７】工程（ｂ） シランガスＳｉＨ4 、四塩化ケイ素ガスＳｉＣｌ4 の飽
和した水素ガスＨ2 中で工程（ａ）で作成した基板を加
熱する。シリコン／金の共晶温度（４００℃）以上で金
とシリコンの接した部分で合金化が始まる。
和した水素ガスＨ2 中で工程（ａ）で作成した基板を加
熱する。シリコン／金の共晶温度（４００℃）以上で金
とシリコンの接した部分で合金化が始まる。
【００２８】ガスの熱分解により、シリコンが雰囲気中
よりシリコン／合金金化部分に溶け込み、過飽和状態に
なる。
よりシリコン／合金金化部分に溶け込み、過飽和状態に
なる。
【００２９】過飽和状態のシリコンはシリコン基板の＜
１１１＞軸方向に沿って、下地シリコン結晶上に針状結
晶体２０３として析出する。このとき針状結晶体はシリ
コン単結晶である。針状結晶体の頂上部はシリコン／金
合金化部分２０４を維持して成長する。
１１１＞軸方向に沿って、下地シリコン結晶上に針状結
晶体２０３として析出する。このとき針状結晶体はシリ
コン単結晶である。針状結晶体の頂上部はシリコン／金
合金化部分２０４を維持して成長する。
【００３０】針状単結晶体の直径は初期の金との合金化
部分の大きさとほぼ同一である。
部分の大きさとほぼ同一である。
【００３１】成長速度は温度で決まり、例えば８００℃
では１μｍ／分にもなる。
では１μｍ／分にもなる。
【００３２】長さについては結晶の成長時間、温度条件
により任意に変えることができる。
により任意に変えることができる。
【００３３】シリコンと共晶可能な金属としては金以外
の白金Ｐｔ、パラジウムＰｄ、ニッケルＮｉ、銀Ａｇ、
銅Ｃｕ等が知られている。
の白金Ｐｔ、パラジウムＰｄ、ニッケルＮｉ、銀Ａｇ、
銅Ｃｕ等が知られている。
【００３４】直径１０μｍ、長さ１ｍｍの針状結晶体２
０３を基板２０１に対して垂直に（基板に対してなす角
度θ＝９０°）成長させた。
０３を基板２０１に対して垂直に（基板に対してなす角
度θ＝９０°）成長させた。
【００３５】針状単結晶体の直径は５〜１０μｍであ
る。高さは、２００μｍ以上、好適には２００μｍ〜１
ｍｍである。針状単結晶体の高さに対する直径の比率ア
スペクト比は１０〜１００が必要であり、好適には４０
以上である。
る。高さは、２００μｍ以上、好適には２００μｍ〜１
ｍｍである。針状単結晶体の高さに対する直径の比率ア
スペクト比は１０〜１００が必要であり、好適には４０
以上である。
【００３６】工程（ｃ） 針状単結晶体の側面は厚さ０．１〜１０μｍの反射膜で
被服されていることが好ましいので、Ｎｉ−Ｐ無電解メ
ッキによりシリコンの針状結晶体表面とシリコン基板表
面にＮｉ−Ｐを１μｍメッキした。
被服されていることが好ましいので、Ｎｉ−Ｐ無電解メ
ッキによりシリコンの針状結晶体表面とシリコン基板表
面にＮｉ−Ｐを１μｍメッキした。
【００３７】この反射膜は、一般の蒸着法、メッキ法、
及びディップ法等で実現できる。
及びディップ法等で実現できる。
【００３８】この後、Ｇｄ2 Ｏ2 Ｓの粉末状蛍光体を分
散させた光硬化型樹脂をＳｉ基板３０１にスキージ等で
充填し、しかる後に紫外線を照射し、光硬化型樹脂を硬
化させる。
散させた光硬化型樹脂をＳｉ基板３０１にスキージ等で
充填し、しかる後に紫外線を照射し、光硬化型樹脂を硬
化させる。
【００３９】図３（ｂ）に示すように、このようにして
作製した蛍光体構造物を、ＣＭＯＳ型撮像素子の上に貼
り合わせることにより放射線撮像装置が作製される。
作製した蛍光体構造物を、ＣＭＯＳ型撮像素子の上に貼
り合わせることにより放射線撮像装置が作製される。
【００４０】針状結晶体の本数を撮像素子の画素当り１
０本程度とすると、開口率は８０％以上であり、ＭＴＦ
は十分とれる。感度が高く、解像度の高い放射線撮像装
置を実現できた。
０本程度とすると、開口率は８０％以上であり、ＭＴＦ
は十分とれる。感度が高く、解像度の高い放射線撮像装
置を実現できた。
【００４１】本実施形態においては、ＳｉはＸ線の透過
率が高いので窓材として良好である。その上、Ｓｉは半
導体材料として手軽に利用でき、品質が安定している。
率が高いので窓材として良好である。その上、Ｓｉは半
導体材料として手軽に利用でき、品質が安定している。
【００４２】針状結晶体の成長は半導体プロセスが利用
できるので、既存の撮像素子の設備が利用できるので低
コストで生産できる。この場合、針状結晶体の成長は半
導体プロセスが利用できるので、既存の撮像素子の設備
が利用できるので低コストで生産できる。
できるので、既存の撮像素子の設備が利用できるので低
コストで生産できる。この場合、針状結晶体の成長は半
導体プロセスが利用できるので、既存の撮像素子の設備
が利用できるので低コストで生産できる。
【００４３】又、本実施形態においては、Ｓｉ上に金属
層を設け蛍光体からの光を反射させ光の利用効率を向上
させることが出来る。この金属層は、通常の半導体プロ
セスで作製できる。
層を設け蛍光体からの光を反射させ光の利用効率を向上
させることが出来る。この金属層は、通常の半導体プロ
セスで作製できる。
【００４４】又、本実施形態においては、粉末状の蛍光
体、例えばＧｄ2 Ｏ2 Ｓの直径が５μｍの粉末を光硬化
樹脂に分散させる。通常の印刷法が利用できるので作成
が容易である。
体、例えばＧｄ2 Ｏ2 Ｓの直径が５μｍの粉末を光硬化
樹脂に分散させる。通常の印刷法が利用できるので作成
が容易である。
【００４５】又、本実施形態においては、二つの基板を
貼り合わせる際にアライメントは不要であり、工程が簡
略になる。
貼り合わせる際にアライメントは不要であり、工程が簡
略になる。
【００４６】又、本実施形態においては、Ｓｉの針状結
晶体は強度があり、蛍光体を分散した樹脂を充填する場
合、スキージ法などを利用できる。撮像素子の大きさに
あわせ、精度良くシリコン基板２０１を切り出すことが
できる。この上に針状結晶をシリコン基板に精度良く作
ることができるので、撮像素子の画像領域の端部での合
わせの精度が上がる。
晶体は強度があり、蛍光体を分散した樹脂を充填する場
合、スキージ法などを利用できる。撮像素子の大きさに
あわせ、精度良くシリコン基板２０１を切り出すことが
できる。この上に針状結晶をシリコン基板に精度良く作
ることができるので、撮像素子の画像領域の端部での合
わせの精度が上がる。
【００４７】又、本実施形態においては、撮像素子とし
て、ＭＯＳ型撮像素子、ＣＭＯＳ型撮像素子、ＣＣＤ型
撮像素子等が使える。ＣＭＯＳ型撮像素子が好適であ
る。消費電力が少ないので大板にした場合発熱が押さえ
られる。ランダムアクセス、画素加算等が容易に実現で
きるので画格や読取り画素サイズを自由に変えられる。
医療での応用の場合動画で局所的な部位を粗く見る透視
モードや、広い範囲で細かく見る静止画モードがあり、
これらのモード切り替えを行うことが容易になる。
て、ＭＯＳ型撮像素子、ＣＭＯＳ型撮像素子、ＣＣＤ型
撮像素子等が使える。ＣＭＯＳ型撮像素子が好適であ
る。消費電力が少ないので大板にした場合発熱が押さえ
られる。ランダムアクセス、画素加算等が容易に実現で
きるので画格や読取り画素サイズを自由に変えられる。
医療での応用の場合動画で局所的な部位を粗く見る透視
モードや、広い範囲で細かく見る静止画モードがあり、
これらのモード切り替えを行うことが容易になる。
【００４８】本実施形態においては、針状結晶体の表面
や基板の内面に金属層を設けたが、蛍光体からの光を吸
収する部材や針状結晶体を用いても、解像度向上の効果
を発揮する。
や基板の内面に金属層を設けたが、蛍光体からの光を吸
収する部材や針状結晶体を用いても、解像度向上の効果
を発揮する。
【００４９】又、本実施形態においては、ＶＬＳ法によ
る針状結晶体の成長はシリコンに限らず、他の単結晶Ｌ
ａＢ6 ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，ＷＯ2 ，ＳｉＣ等で知られ
ており、これらの結晶と共晶する金属には、Ａｕ，Ｐ
ｔ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｐｄ，Ｇａがある。これらの針状結晶
体を用いてもよい。針状結晶体は基板に対してある角度
θ（０＜θ≦９０°）をもって成長させても構わない。
る針状結晶体の成長はシリコンに限らず、他の単結晶Ｌ
ａＢ6 ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，ＷＯ2 ，ＳｉＣ等で知られ
ており、これらの結晶と共晶する金属には、Ａｕ，Ｐ
ｔ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｐｄ，Ｇａがある。これらの針状結晶
体を用いてもよい。針状結晶体は基板に対してある角度
θ（０＜θ≦９０°）をもって成長させても構わない。
【００５０】（実施形態２）本実施形態においてはＳｉ
針状結晶体を形成した蛍光体構造物をファイバーオプテ
ィックプレートの上に貼り合わせた。図４に実施形態２
の放射線撮像装置を示す。図４（ｂ）は図４（ａ）のＡ
の部分の拡大図である。４０１は撮像素子、４０２は光
電変換部、４０３は画素、４０４は蛍光体構造物と撮像
素子の接着層、４０５はシリコンの針状結晶体、４０６
は針状結晶体の間に充填された蛍光体、４０７は針状結
晶体を成長させたシリコン基板、４１１は周辺回路等の
実装領域である。
針状結晶体を形成した蛍光体構造物をファイバーオプテ
ィックプレートの上に貼り合わせた。図４に実施形態２
の放射線撮像装置を示す。図４（ｂ）は図４（ａ）のＡ
の部分の拡大図である。４０１は撮像素子、４０２は光
電変換部、４０３は画素、４０４は蛍光体構造物と撮像
素子の接着層、４０５はシリコンの針状結晶体、４０６
は針状結晶体の間に充填された蛍光体、４０７は針状結
晶体を成長させたシリコン基板、４１１は周辺回路等の
実装領域である。
【００５１】４０８はファイバーオプティックプレート
である。４０９はクラッド、４１０はコアの部分であ
る。ファイバーオプティックプレートは酸化鉛を含有し
Ｘ線の遮蔽効果も有する。
である。４０９はクラッド、４１０はコアの部分であ
る。ファイバーオプティックプレートは酸化鉛を含有し
Ｘ線の遮蔽効果も有する。
【００５２】本実施形態では、撮像素子として複数の画
素を含むＣＭＯＳ型撮像素子を用いている。
素を含むＣＭＯＳ型撮像素子を用いている。
【００５３】画素は１００μｍ×１００μｍの大きさと
した。
した。
【００５４】針状結晶体の作製方法は実施形態１と同様
である。
である。
【００５５】シリコン基板４０７上に直径１０μｍ、長
さ１ｍｍの針状結晶体４０５を基板に対して垂直に成長
させた。
さ１ｍｍの針状結晶体４０５を基板に対して垂直に成長
させた。
【００５６】針状結晶体４０５とシリコン基板４０７の
表面にＮｉ−Ｐ無電解メッキによりＮｉ−Ｐを１μｍメ
ッキし蛍光体構造物基板とした。
表面にＮｉ−Ｐ無電解メッキによりＮｉ−Ｐを１μｍメ
ッキし蛍光体構造物基板とした。
【００５７】Ｇｄ2 Ｏ2 Ｓの粉末状蛍光体４０６を分散
させた光硬化型樹脂を蛍光体構造物基板に充填し、光硬
化型樹脂を硬化させ、蛍光体構造物を作製する。
させた光硬化型樹脂を蛍光体構造物基板に充填し、光硬
化型樹脂を硬化させ、蛍光体構造物を作製する。
【００５８】ＣＭＯＳ型撮像素子４０１の上にファイバ
ーオプティックプレート４０８を貼り合わせ、さらに蛍
光体構造物を、この上に貼り合わせることで放射線撮像
装置が作製される。
ーオプティックプレート４０８を貼り合わせ、さらに蛍
光体構造物を、この上に貼り合わせることで放射線撮像
装置が作製される。
【００５９】本実施形態においては、ＳｉはＸ線の透過
率が高いので窓材として良好である。その上、Ｓｉは半
導体材料として手軽に利用でき、品質が安定している。
この場合、針状結晶体の成長は半導体プロセスが利用で
きるので、既存の撮像素子の設備が利用できるので低コ
ストで生産できる。
率が高いので窓材として良好である。その上、Ｓｉは半
導体材料として手軽に利用でき、品質が安定している。
この場合、針状結晶体の成長は半導体プロセスが利用で
きるので、既存の撮像素子の設備が利用できるので低コ
ストで生産できる。
【００６０】又、本実施形態においては、Ｓｉ上に金属
層を設け蛍光体からの光を反射させ光の利用効率を向上
させることが出来る。この金属層は、通常の半導体プロ
セスで作成できる。
層を設け蛍光体からの光を反射させ光の利用効率を向上
させることが出来る。この金属層は、通常の半導体プロ
セスで作成できる。
【００６１】又、本実施形態においては、粉末状の蛍光
体、例えばＧｄ2 Ｏ2 Ｓの直径が５μｍの粉末を光硬化
樹脂に分散させている。従って、通常の印刷法が利用で
きるので作成が容易である。
体、例えばＧｄ2 Ｏ2 Ｓの直径が５μｍの粉末を光硬化
樹脂に分散させている。従って、通常の印刷法が利用で
きるので作成が容易である。
【００６２】針状結晶体の本数を撮像素子の画素当り１
０本程度とすると、開口率は８０％以上であり、ＭＴＦ
は十分とれる。感度が高く、解像度の高い放射線撮像装
置を実現できた。
０本程度とすると、開口率は８０％以上であり、ＭＴＦ
は十分とれる。感度が高く、解像度の高い放射線撮像装
置を実現できた。
【００６３】又、本実施形態においては、二つの基板を
貼り合わせる際にアライメントは不要であり、工程が簡
略になる。
貼り合わせる際にアライメントは不要であり、工程が簡
略になる。
【００６４】又、本実施形態においては、Ｓｉの針状結
晶体は強度があり、蛍光体を分散した樹脂を充填する場
合、スキージ法などを利用できる。
晶体は強度があり、蛍光体を分散した樹脂を充填する場
合、スキージ法などを利用できる。
【００６５】又、本実施形態においては、酸化鉛を含有
したファイバーオプティックプレートを有しているの
で、Ｘ線遮蔽効果が大きく、撮像素子に到達するＸ線は
低減し、Ｘ線による撮像素子の劣化の問題がなくなっ
た。
したファイバーオプティックプレートを有しているの
で、Ｘ線遮蔽効果が大きく、撮像素子に到達するＸ線は
低減し、Ｘ線による撮像素子の劣化の問題がなくなっ
た。
【００６６】又、本実施形態においては、撮像素子とし
て、ＭＯＳ型撮像素子、ＣＭＯＳ型撮像素子、ＣＣＤ型
撮像素子等が使える。ＣＭＯＳ型撮像素子が好適であ
る。消費電力が少ないので大板にした場合発熱が押さえ
られる。ランダムアクセス、画素加算等が容易に実現で
きるので画格や読取り画素サイズを自由に変えられる。
医療での応用の場合動画で局所的な部位を粗く見る透視
モードや、広い範囲で細かく見る静止画モードがあり、
これらのモード切り替えを行うことが容易になる。
て、ＭＯＳ型撮像素子、ＣＭＯＳ型撮像素子、ＣＣＤ型
撮像素子等が使える。ＣＭＯＳ型撮像素子が好適であ
る。消費電力が少ないので大板にした場合発熱が押さえ
られる。ランダムアクセス、画素加算等が容易に実現で
きるので画格や読取り画素サイズを自由に変えられる。
医療での応用の場合動画で局所的な部位を粗く見る透視
モードや、広い範囲で細かく見る静止画モードがあり、
これらのモード切り替えを行うことが容易になる。
【００６７】又、本実施形態においては、針状結晶体の
表面や基板の内面に金属層を設けたが、蛍光体からの光
を吸収する部材や針状結晶体を用いても、解像度向上の
効果を発揮する。
表面や基板の内面に金属層を設けたが、蛍光体からの光
を吸収する部材や針状結晶体を用いても、解像度向上の
効果を発揮する。
【００６８】又、本実施形態においては、ＶＬＳ法によ
る針状結晶体の成長はシリコンに限らず、他の単結晶Ｌ
ａＢ6 ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，ＷＯ2 ，ＳｉＣ等で知られ
ており、これらの結晶と共晶する金属には、Ａｕ，Ｐ
ｔ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｐｄ，Ｇａがある。
る針状結晶体の成長はシリコンに限らず、他の単結晶Ｌ
ａＢ6 ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，ＷＯ2 ，ＳｉＣ等で知られ
ており、これらの結晶と共晶する金属には、Ａｕ，Ｐ
ｔ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｐｄ，Ｇａがある。
【００６９】これらの針状結晶体を用いても同様の効果
を作用効果を発揮できる。
を作用効果を発揮できる。
【００７０】針状結晶体は基板に対してある角度θ（０
＜θ≦９０°）をもって成長させても構わない。
＜θ≦９０°）をもって成長させても構わない。
【００７１】（実施形態３）本実施形態においては、撮
像素子のシリコン基板から成長させた針状結晶体を利用
する。
像素子のシリコン基板から成長させた針状結晶体を利用
する。
【００７２】図５に本発明の実施形態３の放射線撮像装
置を示す。図５（ｂ）は図５（ａ）のＡの部分の拡大図
である。５０１は撮像素子、５０２は光電変換部、５０
３は画素、５０４は撮像素子と撮像素子の繋ぎ部分、５
０５はシリコンの針状結晶体、５０６は針状結晶体の間
に充填された蛍光体、５０７は反射板、５０８は周辺回
路等の実装領域である。
置を示す。図５（ｂ）は図５（ａ）のＡの部分の拡大図
である。５０１は撮像素子、５０２は光電変換部、５０
３は画素、５０４は撮像素子と撮像素子の繋ぎ部分、５
０５はシリコンの針状結晶体、５０６は針状結晶体の間
に充填された蛍光体、５０７は反射板、５０８は周辺回
路等の実装領域である。
【００７３】本実施形態では、撮像素子として複数の画
素を含むＣＭＯＳ型撮像素子を用いている。
素を含むＣＭＯＳ型撮像素子を用いている。
【００７４】画素は１００μｍ×１００μｍの大きさと
した。
した。
【００７５】図６は、撮像素子の画素回りの斜視図であ
る。本実施形態においては、撮像素子基板６０１上に直
接シリコン針状結晶体を成長させる。画素を光学的に分
離するように、光電変換部６０３の周辺に針状結晶体を
成長させる。
る。本実施形態においては、撮像素子基板６０１上に直
接シリコン針状結晶体を成長させる。画素を光学的に分
離するように、光電変換部６０３の周辺に針状結晶体を
成長させる。
【００７６】図７は、４個の撮像素子７０１をタイル状
に貼り合わ、実装領域に周辺回路７０３を実装した放射
線撮像装置の平面図である。
に貼り合わ、実装領域に周辺回路７０３を実装した放射
線撮像装置の平面図である。
【００７７】針状結晶体の成長方法は実施形態１と同様
である。ただし本実施形態では図６に示すようにＣＭＯ
Ｓ型撮像素子を形成したシリコン基板６０１上に針状結
晶６０５を成長させる。１００μｍ×１００μｍ画素の
周辺部に図示しない金のパターンを形成し、ここに直径
１０μｍ、長さ１ｍｍの針状結晶体６０５を基板６０１
に対して垂直に成長させた。
である。ただし本実施形態では図６に示すようにＣＭＯ
Ｓ型撮像素子を形成したシリコン基板６０１上に針状結
晶６０５を成長させる。１００μｍ×１００μｍ画素の
周辺部に図示しない金のパターンを形成し、ここに直径
１０μｍ、長さ１ｍｍの針状結晶体６０５を基板６０１
に対して垂直に成長させた。
【００７８】針状結晶体６０５は光電変換部６０３を取
り囲み光学的反射部材として機能する。
り囲み光学的反射部材として機能する。
【００７９】本実施形態では針状結晶体を成長させた４
個の撮像素子をタイル状に貼り合わせる。その後Ｇｄ2
Ｏ2 Ｓの粉末状蛍光体を分散させた光硬化型樹脂を貼り
合わせた撮像素子上にスキージ等で充填し、光硬化型樹
脂を硬化させる。
個の撮像素子をタイル状に貼り合わせる。その後Ｇｄ2
Ｏ2 Ｓの粉末状蛍光体を分散させた光硬化型樹脂を貼り
合わせた撮像素子上にスキージ等で充填し、光硬化型樹
脂を硬化させる。
【００８０】金属の反射膜をその上から積層し金属板５
０７とする。
０７とする。
【００８１】本実施形態においては、一つの基板上に撮
像素子と蛍光体を形成するので、製造コストがかからな
い。
像素子と蛍光体を形成するので、製造コストがかからな
い。
【００８２】又、本実施形態においては、分割した蛍光
体と画素のアライメントがいらない。１対１で正確に対
応している。
体と画素のアライメントがいらない。１対１で正確に対
応している。
【００８３】又、本実施形態においては、撮像素子を４
個をまず精度よく貼り合わせたあと、蛍光体を充填する
構造なので、蛍光体は切れ目なく連続したものとして形
成できる。光学的にシームレスな撮像装置を提供でき
る。
個をまず精度よく貼り合わせたあと、蛍光体を充填する
構造なので、蛍光体は切れ目なく連続したものとして形
成できる。光学的にシームレスな撮像装置を提供でき
る。
【００８４】又、本実施形態においては、Ｓｉは半導体
材料として手軽に利用でき、品質が安定している。
材料として手軽に利用でき、品質が安定している。
【００８５】又、本実施形態においては、針状結晶体の
成長は半導体プロセスが利用できるので、既存の撮像素
子の設備が利用できるので低コストで生産できる。撮像
素子の製造工程に引き続いて、半導体プロセスの設備で
針状結晶体を成長させられるので、一貫した製法がとれ
工程管理が容易である。
成長は半導体プロセスが利用できるので、既存の撮像素
子の設備が利用できるので低コストで生産できる。撮像
素子の製造工程に引き続いて、半導体プロセスの設備で
針状結晶体を成長させられるので、一貫した製法がとれ
工程管理が容易である。
【００８６】又、本実施形態においては、粉末状の蛍光
体、例えばＧｄ2 Ｏ2 Ｓの直径が５μｍの粉末を光硬化
樹脂に分散させる。通常の印刷法が利用できるので作成
が容易である。
体、例えばＧｄ2 Ｏ2 Ｓの直径が５μｍの粉末を光硬化
樹脂に分散させる。通常の印刷法が利用できるので作成
が容易である。
【００８７】又、本実施形態においては、撮像素子とし
て、ＭＯＳ型撮像素子、ＣＭＯＳ型撮像素子、ＣＣＤ型
撮像素子等が使える。ＣＭＯＳ型撮像素子が好適であ
る。消費電力が少ないので大板にした場合発熱が押さえ
られる。ランダムアクセス、画素加算等が容易に実現で
きるので画格や読取り画素サイズを自由に変えられる。
医療での応用の場合動画で局所的な部位を粗く見る透視
モードや、広い範囲で細かく見る静止画モードがあり、
これらのモード切り替えを行うことが容易になる。
て、ＭＯＳ型撮像素子、ＣＭＯＳ型撮像素子、ＣＣＤ型
撮像素子等が使える。ＣＭＯＳ型撮像素子が好適であ
る。消費電力が少ないので大板にした場合発熱が押さえ
られる。ランダムアクセス、画素加算等が容易に実現で
きるので画格や読取り画素サイズを自由に変えられる。
医療での応用の場合動画で局所的な部位を粗く見る透視
モードや、広い範囲で細かく見る静止画モードがあり、
これらのモード切り替えを行うことが容易になる。
【００８８】針状結晶体は基板に対してある角度θ（０
＜θ≦９０°）をもって成長させても構わない。
＜θ≦９０°）をもって成長させても構わない。
【００８９】
【発明の効果】以上説明した本発明によれば、高いアス
ペクト比の蛍光体分割部材を有し、低コストでありなが
ら高感度と高解像度を共に満足する放射線撮像装置と蛍
光体構造物とその製造方法を提供することができた。
ペクト比の蛍光体分割部材を有し、低コストでありなが
ら高感度と高解像度を共に満足する放射線撮像装置と蛍
光体構造物とその製造方法を提供することができた。
【００９０】また画質を低下させることなく高感度な画
像が得られる放射線撮像装置と蛍光体構造物を提供する
ことができた。
像が得られる放射線撮像装置と蛍光体構造物を提供する
ことができた。
【図１】本発明の第１の実施形態である放射線撮像装置
を示す。（ｂ）は（ａ）のＡの部分の拡大図である。
を示す。（ｂ）は（ａ）のＡの部分の拡大図である。
【図２】蛍光体構造物の斜視図である。
【図３】本発明の製造方法を示す。
【図４】本発明の第２の実施形態である放射線撮像装置
を示す。（ｂ）は（ａ）のＡの部分の拡大図である。
を示す。（ｂ）は（ａ）のＡの部分の拡大図である。
【図５】本発明の第３の実施形態である放射線撮像装置
を示す。
を示す。
【図６】撮像素子の画素回りの構造を示す。
【図７】４個の撮像素子をタイル状に貼り合わせた放射
線撮像装置を示す。
線撮像装置を示す。
【図８】（ａ）は従来の放射線撮像装置の断面図、
（ｂ）は（ａ）での領域Ａの拡大図である。
（ｂ）は（ａ）での領域Ａの拡大図である。
【図９】図８に示した従来の放射線撮像装置の斜視図で
ある。
ある。
１０１、４０１、５０１ 撮像素子 １０２、４０２、５０２ 光電変換部 １０３、４０３、５０３ 画素 １０４、４０４、５０４ 接着部 １０５、４０５、５０５ Ｓｉ針状結晶体 １０６、４０６、５０６ 蛍光体 １０７、４０７、５０７ Ｓｉ基板
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｊ 9/22 Ｈ０１Ｊ 9/22 Ｔ Ｈ０４Ｎ 5/321 Ｈ０４Ｎ 5/321 (72)発明者 海部 紀之 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 梶原 賢治 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 結城 修 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 2G088 EE01 EE27 FF02 FF14 GG13 GG14 GG16 GG20 JJ05 JJ09 JJ23 JJ37 LL12 LL13 4G077 AA04 BA04 CC06 ED06 5C024 AX12 GX09 GY01 GY31 5C028 FF06 FF11
Claims (14)
- 【請求項１】 第１、第２の基板を有し、前記第１の基
板表面に対して角度θ（０＜θ≦９０°）をなす方向に
沿って、前記第１の基板上に前記第１の基板の組成物を
有する針状結晶体を成長させ、前記針状結晶体の隙間に
蛍光体を充填させ、前記第２の基板は複数の画素を有
し、前記画素と前記蛍光体を相対するように配置するこ
とを特徴とする放射線撮像装置。 - 【請求項２】 基板を有し、前記基板は複数の画素を有
し、前記基板表面に対して角度θ（０＜θ≦９０°）を
なす方向に沿って、前記基板上に基板の組成物を有する
針状結晶体を成長させ、前記針状結晶体の隙間に蛍光体
を充填させたことを特徴とする放射線撮像装置。 - 【請求項３】 前記基板の組成物がシリコンであり、前
記針状結晶体がシリコンの針状結晶体であることを特徴
とする請求項１、２のいずれか一つに記載された放射線
撮像装置。 - 【請求項４】 前記蛍光体が粉末状蛍光体であることを
特徴とする請求項１、２、３のいずれか一つに記載され
た放射線撮像装置。 - 【請求項５】 前記針状結晶体の表面に前記蛍光体が発
する光を反射する部材を有することを特徴とする請求項
１、２、３のいずれか一つに記載された放射線撮像装
置。 - 【請求項６】 基板を有し、前記基板表面に対して角度
θ（０＜θ≦９０°）をなす方向に沿って、前記基板上
に基板の組成物を有する針状結晶体を成長させ、前記針
状結晶体の隙間に蛍光体を充填させることを特徴とする
蛍光体構造物。 - 【請求項７】 前記基板の組成物がシリコンであり、前
記針状結晶体がシリコンの針状結晶体であることを特徴
とする請求項６記載の蛍光体構造物。 - 【請求項８】 前記蛍光体が粉末状蛍光体であることを
特徴とする請求項６、７のいずれか一つに記載された蛍
光体構造物。 - 【請求項９】 前記針状結晶体の表面に前記蛍光体が発
する光を反射する部材を有することを特徴とする請求項
６、７、８のいずれか一つに記載された蛍光体構造物。 - 【請求項１０】 第１の基板上に第１の基板の組成物と
共晶体を形成する金属のパターンを配置する工程と、 ＶＬＳ法により前記金属パターン部分に前記組成物の針
状結晶体を成長させる工程と、 蛍光体粒子を前記針状結晶体を含むように設置する工程
と、 第２の基板上に複数の画素を形成する工程と、 前記第１の基板と第２の基板と組み合わせる工程とを含
むことを特徴とする放射線撮像装置の製造方法。 - 【請求項１１】 基板上に複数の画素を形成する工程
と、 前記基板上に基板の組成物と共晶体を形成する金属のパ
ターンを配置する工程と、 ＶＬＳ法により前記金属パターン部分に前記組成物の針
状結晶体を成長させる工程と、 蛍光体粒子を前記針状結晶体を含むように設置する工程
とを含むことを特徴とする放射線撮像装置の製造方法。 - 【請求項１２】 前記基板の組成物がシリコンであり、
前記針状結晶体がシリコンの針状結晶体であることを特
徴とする請求項１０、１１のいずれか一つに記載された
放射線撮像装置の製造方法。 - 【請求項１３】 基板上に基板の組成物と共晶体を形成
する金属のパターンを配置する工程と、 ＶＬＳ法により前記金属パターン部分に前記組成物の針
状結晶体を成長させる工程と、 蛍光体粒子を前記針状結晶体を含むように設置する工程
とを含むことを特徴とする蛍光体構造物の製造方法。 - 【請求項１４】 前記基板の組成物がシリコンであり、
前記針状結晶体がシリコンの針状結晶体であることを特
徴とする請求項１３記載の蛍光体構造物の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000225545A JP2002040143A (ja) | 2000-07-26 | 2000-07-26 | 放射線撮像装置、蛍光体構造物とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000225545A JP2002040143A (ja) | 2000-07-26 | 2000-07-26 | 放射線撮像装置、蛍光体構造物とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002040143A true JP2002040143A (ja) | 2002-02-06 |
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ID=18719299
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000225545A Pending JP2002040143A (ja) | 2000-07-26 | 2000-07-26 | 放射線撮像装置、蛍光体構造物とその製造方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP2002040143A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011180069A (ja) * | 2010-03-03 | 2011-09-15 | Sed Kk | 物理現象観測装置 |
| JP2012087043A (ja) * | 2010-09-21 | 2012-05-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 微小針状構造物と微小針状構造物を有する装置 |
| JP2013200290A (ja) * | 2012-03-26 | 2013-10-03 | Katsuhiro Dobashi | シンチレーターアレイ放射線検出器の製作方法 |
| US9422159B2 (en) | 2010-07-15 | 2016-08-23 | Leigh E. Colby | Quantum dot digital radiographic detection system |
| US9425234B2 (en) | 2010-07-15 | 2016-08-23 | Leigh E. Colby | Quantum dot digital radiographic detection system |
-
2000
- 2000-07-26 JP JP2000225545A patent/JP2002040143A/ja active Pending
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