JP2002040052A - コンタクトプローブとその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 コンタクトプローブとその製造方法におい
て、高精度にかつ容易にピン先を認識させること。 【解決手段】 複数のパターン配線１２がフィルム１１
の表面上に形成されこれらのパターン配線の各先端がフ
ィルムの先端部から突出状態に配されてコンタクトピン
１２ａとされるコンタクトプローブ１０であって、前記
コンタクトピンは、その先端に測定対象物ＩＣに接触す
るコンタクト領域Ｃを有し、該コンタクト領域と少なく
ともコンタクト領域に基端側で隣接した領域とは、互い
の表面が異なる光反射率を有している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プローブピンやソ
ケットピン等として用いられ、プローブカードやテスト
用ソケット等に組み込まれて半導体ＩＣチップや液晶デ
バイス等の各端子に接触して電気的なテストを行うコン
タクトプローブとその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、ＩＣチップやＬＳＩチップ等の
半導体チップ又はＬＣＤ（液晶表示体）の各端子に接触
させて電気的なテストを行うために、コンタクトピンが
用いられている。近年、ＩＣチップ等の高集積化および
微細化に伴って電極であるコンタクトパッドが狭ピッチ
化されるとともに、コンタクトピンの多ピン狭ピッチ化
が要望されている。しかしながら、コンタクトピンとし
て用いられていたタングステン針のコンタクトプローブ
では、タングステン針の径の限界から多ピン狭ピッチへ
の対応が困難になっていた。

【０００３】これに対して、例えば、特公平７−８２０
２７号公報に、複数のパターン配線が樹脂フィルム上に
形成されこれらのパターン配線の各先端が樹脂フィルム
から突出状態に配されてコンタクトピンとされるコンタ
クトプローブの技術が提案されている。この技術例で
は、複数のパターン配線の先端部をコンタクトピンとす
ることによって、多ピン狭ピッチ化を図るとともに、複
雑な多数の部品を不要とするものである。

【０００４】このコンタクトプローブ１は、図９に示す
ように、フィルム２の片面にＮｉ（ニッケル）またはＮ
ｉ合金で形成されるパターン配線３を張り付けた構造と
なっており、フィルム２の端部からパターン配線３の先
端部が突出してコンタクトピン３ａとされている。な
お、フィルム２は、ポリイミド樹脂フィルム層２ａ上に
Ｃｕ（銅）、Ｎｉ等の金属フィルム層２ｂがグラウンド
として積層されて構成されている。また、このコンタク
トプローブ１は、プローバーにセットして使用される
が、プローバーでは、コンタクトピン３ａのピン先に光
を照射してピン先の光り具合、すなわち光の反射状態か
らピン先位置を認識している。

【０００５】また、近年、ＩＣチップはますます小さく
なる傾向にあり、電極パッドの間隔も狭くなり、パッド
サイズも縮小している。そのため、コンタクトプローブ
１をパッドに接触させてからのオーバードライブ量（コ
ンタクトピンがパッドに接触してからさらに下方に向け
て引き下げる量）が大きく、スクラブ痕（オーバードラ
イブをかけることにより、コンタクトピンの先端でパッ
ド表面のアルミニウムの表面酸化膜を擦り取り、内部の
アルミニウムを露出させるようにしたときの痕）が長い
と、コンタクトピン３ａがパッドからはみ出してしまう
場合がある。したがって、オーバードライブ量を極力小
さくし、スクラブ痕を小さくする必要があり、少しのオ
ーバードライブ量で良好なコンタクト性を維持するため
には、各コンタクトピン３ａの高さを揃えなければなら
ない。そこで、図１０の（ａ）（ｂ）及び図１１に示す
ように、コンタクト角度より低い角度でコンタクトピン
３ａの先端を研磨して高さ精度を上げることが実施され
ている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】従来のコンタクトプロ
ーブの技術では、以下のような課題が残っている。すな
わち、ピン先の認識を、光の反射を利用して行っている
ため、ピン先の表面状態によってはピン先認識に誤差が
生じて正確な位置を認識できないおそれがある。特に、
上述したように、コンタクトピン３ａの高さを揃える研
磨を行う場合、研磨面３ｂが鏡面状になり、この研磨さ
れた比較的広い領域（研磨面３ｂ）で光が強く反射され
ることになって、正確にピン先を認識することが困難に
なる場合があった。このような場合、コンタクトピンを
正確にチップ上のバンプ等に接触させることができなく
なるおそれがある。

【０００７】本発明は、前述の課題に鑑みてなされたも
ので、高精度にかつ容易にピン先を認識させることがで
きるコンタクトプローブ及びその製造方法を提供するこ
とを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するために以下の構成を採用した。すなわち、本発明
のコンタクトプローブは、複数のパターン配線がフィル
ムの表面上に形成されこれらのパターン配線の各先端部
がフィルムの先端部に配されてコンタクトピンとされる
コンタクトプローブであって、前記コンタクトピンは、
その先端に測定対象物に接触するコンタクト領域を有
し、該コンタクト領域と少なくともコンタクト領域に基
端側で隣接した領域とは、互いの表面が異なる光反射率
を有していることを特徴とする。

【０００９】このコンタクトプローブでは、コンタクト
ピンが、その先端に測定対象物に接触するコンタクト領
域を有し、該コンタクト領域と少なくともコンタクト領
域に基端側で隣接した領域との互いの表面が異なる光反
射率を有しているので、ピン先認識のためにコンタクト
ピンに光を照射した際、コンタクト領域と前記隣接した
領域との反射光の光量が異なって、コンタクト領域が明
確になるため、コンタクト領域を正確に認識することが
できる。なお、コンタクト領域側を強く光らせるために
は、コンタクト領域の光反射率を前記隣接した領域より
高くすればよい。

【００１０】また、本発明のコンタクトプローブは、前
記コンタクトピンが、前記隣接した領域が前記コンタク
ト領域と光反射率の異なる材料で覆われている技術が採
用される。また、本発明のコンタクトプローブは、前記
コンタクトピンの前記隣接した領域が前記コンタクト領
域の表面を化学的に変質させて光反射率を変化させた表
面を有する技術が採用される。

【００１１】すなわち、これらのコンタクトプローブで
は、前記隣接した領域にコーティング処理又は化学的な
変質化処理が施されているので、コンタクトピンの構造
を複雑にすることなく、簡易な作業でコンタクト領域に
対して異なる光反射率を容易に得ることができる。

【００１２】また、本発明のコンタクトプローブは、前
記パターン配線が、黒色Ｎｉ層とＮｉ合金層とが積層さ
れて構成され、前記コンタクト領域は、前記Ｎｉ合金層
が露出していると共に、前記隣接した領域は、前記黒色
Ｎｉ層が露出している技術が採用される。すなわち、こ
のコンタクトプローブでは、コンタクト領域にＮｉ合金
層が露出していると共に、前記隣接した領域に黒色Ｎｉ
層が露出しているので、前記隣接した領域が黒くて光反
射率が著しく低いため、より正確にコンタクト領域を認
識することができる。

【００１３】本発明のコンタクトプローブの製造方法
は、複数のパターン配線をフィルムの表面上に形成しこ
れらのパターン配線の各先端部をフィルムの先端部に配
してコンタクトピンとするコンタクトプローブの製造方
法であって、基板層の上に前記コンタクトピンの材質に
被着又は結合する材質の第１の金属層を形成する第１の
金属層形成工程と、前記第１の金属層の上にマスクを施
してマスクされていない部分に前記パターン配線及び前
記コンタクトピンに供される第２の金属層をメッキ処理
により形成するメッキ処理工程と、前記マスクを取り除
いた前記第２の金属層の上に少なくとも前記コンタクト
ピンに供される部分を除いてカバーする前記フィルムを
被着するフィルム被着工程と、前記フィルムと第２の金
属層とからなる部分及び前記基板層と第１の金属層とか
らなる部分を分離する分離工程と、前記コンタクトピン
の表面を化学的に変質させて前記第２の金属層と異なる
光反射率の変質層を形成する表面変質工程と、前記コン
タクトピンの先端で測定対象物との接触に供されるコン
タクト領域の前記変質層を選択的に除去し前記第２の金
属層を露出させる金属露出工程とを有することを特徴と
する。

【００１４】このコンタクトプローブの製造方法では、
表面変質工程において、コンタクトピンの表面を化学的
に変質させて第２の金属層と異なる光反射率の変質層を
形成するので、変質層によりコンタクトピン表面全体
が、例えば黒色になる。そして、金属露出工程におい
て、コンタクト領域の変質層を選択的に除去し第２の金
属層を露出させるので、コンタクト領域と該領域以外と
で光反射率が異なるコンタクトピンとすることができ
る。

【００１５】本発明のコンタクトプローブの製造方法
は、複数のパターン配線をフィルムの表面上に形成しこ
れらのパターン配線の各先端部をフィルムの先端部に配
してコンタクトピンとするコンタクトプローブの製造方
法であって、基板層の上に前記コンタクトピンの材質に
被着又は結合する材質の第１の金属層を形成する第１の
金属層形成工程と、前記第１の金属層の上にマスクを施
してマスクされていない部分に前記パターン配線及び前
記コンタクトピンに供される第２の金属層をメッキ処理
により形成するメッキ処理工程と、前記マスクを取り除
いた前記第２の金属層の上に少なくとも前記コンタクト
ピンに供される部分を除いてカバーする前記フィルムを
被着するフィルム被着工程と、前記フィルムと第２の金
属層とからなる部分及び前記基板層と第１の金属層とか
らなる部分を分離する分離工程と、前記コンタクトピン
を前記第２の金属層と異なる光反射率の塗料で塗装する
塗装工程と、前記コンタクトピンの先端で測定対象物と
の接触に供されるコンタクト領域に塗装された前記塗料
を選択的に除去し前記第２の金属層を露出させる金属露
出工程とを有することを特徴とする。

【００１６】このコンタクトプローブの製造方法では、
塗装工程において、コンタクトピンを第２の金属層と異
なる光反射率の塗料で塗装するので、例えば黒色塗料に
よりコンタクトピン表面全体が黒色になる。そして、金
属露出工程において、コンタクト領域に塗装された前記
塗料を選択的に除去し第２の金属層を露出させるので、
コンタクト領域と該領域以外とで光反射率が異なるコン
タクトピンとすることができる。

【００１７】本発明のコンタクトプローブの製造方法
は、複数のパターン配線をフィルムの表面上に形成しこ
れらのパターン配線の各先端部をフィルムの先端部に配
してコンタクトピンとするコンタクトプローブの製造方
法であって、基板層の上に前記コンタクトピンの材質に
被着又は結合する材質の第１の金属層を形成する第１の
金属層形成工程と、前記第１の金属層の上にマスクを施
してマスクされていない部分に前記パターン配線及び前
記コンタクトピンに供される第１メッキ層及び第２メッ
キ層からなる第２の金属層をメッキ処理により形成する
メッキ処理工程と、前記マスクを取り除いた前記第２の
金属層の上に少なくとも前記コンタクトピンに供される
部分を除いてカバーする前記フィルムを被着するフィル
ム被着工程と、前記フィルムと第２の金属層とからなる
部分及び前記基板層と第１の金属層とからなる部分を分
離する分離工程とを備え、前記メッキ処理工程は、前記
第１メッキ層を形成した後に第１メッキ層の金属と異な
る光反射率の金属で第２メッキ層を形成し、前記分離工
程後に、前記コンタクトピンの先端で測定対象物との接
触に供されるコンタクト領域の前記第１メッキ層を選択
的に除去して前記第２メッキ層を露出させる第２メッキ
層露出工程を有することを特徴とする。

【００１８】このコンタクトプローブの製造方法では、
メッキ処理工程において、第１メッキ層を形成した後に
第１メッキ層の金属と異なる光反射率の金属で第２メッ
キ層を形成するので、分離工程後のコンタクトピンが第
１メッキ層と第２メッキ層との２層構造となる。そし
て、第２メッキ層露出工程において、コンタクト領域の
第１メッキ層を選択的に除去して第２メッキ層を露出さ
せるので、コンタクト領域と該領域に基端側で隣接する
領域とで光反射率が異なる層が露出したコンタクトピン
を得ることができる。

【００１９】また、本発明のコンタクトプローブの製造
方法は、前記メッキ処理工程において、前記第１メッキ
層の金属が黒色Ｎｉであると共に、前記第２メッキ層の
金属がＮｉ合金であることが好ましい。すなわち、この
コンタクトプローブの製造方法では、第１メッキ層の金
属が黒色Ｎｉであると共に、第２メッキ層の金属がＮｉ
合金であるので、第１メッキ層が露出する領域が黒くな
って光反射率が著しく低くなり、より正確にコンタクト
領域を認識することができる。

【００２０】また、上記３つの本発明のコンタクトプロ
ーブの製造方法は、前記コンタクトピンの先端を研磨し
て各コンタクトピンの高さを揃える高さ調整工程を備
え、前記塗装工程、前記表面変質工程又は前記第２メッ
キ層露出工程は、前記高さ調整工程後に行うことが好ま
しい。すなわち、これらのコンタクトプローブの製造方
法では、高さ調整工程後に塗装工程、表面変質工程又は
前記第２メッキ層露出工程を行うので、高さ調整の研磨
で表面の塗料、変質層又は第１メッキ層が除去されず、
第２の金属層又は第２メッキ層を露出させたコンタクト
領域を高精度に形成することができ、高さ調整のための
研磨が行われたコンタクトピンでも正確にピン先認識が
可能になる。

【００２１】なお、前記メッキ処理工程において、前記
第１メッキ層を３μｍ以上１０μｍ以下の厚さにするこ
とが好ましい。すなわち、このコンタクトプローブの製
造方法では、第１メッキ層を３μｍ以上の厚さで形成す
るので、高さ調整工程の研磨の際に、第２メッキ層が露
出することを防ぐことができる。また、第１メッキ層を
１０μｍ以下の厚さで形成するので、第２メッキ層露出
工程の研磨の際に、第１メッキ層を除去しきれなくて第
２メッキ層が露出しないこと、又は露出が不十分となる
ことを防ぐことができる。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係るコンタクトプ
ローブとその製造方法の第１実施形態を、図１から図４
を参照しながら説明する。これらの図にあって、符号１
０はコンタクトプローブ、１１はフィルム、１２はパタ
ーン配線を示している。

【００２３】本実施形態のコンタクトプローブ１０は、
ＩＣ用プローブとして所定形状に切り出したもので、図
１および図２に示すように、フィルム１１の片面に金属
で形成される複数のパターン配線１２を有する構造とな
っており、フィルム１１の先端側からはパターン配線１
２の先端部が突出してコンタクトピン１２ａとされてい
る。フィルム１１は、ポリイミド樹脂フィルム層１１ａ
上にＣｕ（銅）、Ｎｉ等の金属フィルム層１１ｂがグラ
ウンドとして積層されて構成されているが、樹脂フィル
ム層１１ａだけで構成されていてもよい。

【００２４】パターン配線１２は、Ｎｉ合金（第２の金
属層）で形成されている。また、コンタクトピン１２ａ
は、先端に測定対象物であるＩＣのバンプに接触させる
領域であるコンタクト領域Ｃを有し、コンタクト領域Ｃ
は、Ｎｉ合金が露出しているが、コンタクト領域Ｃ以外
の領域（少なくともコンタクト領域に基端側で隣接した
領域）には、黒色の塗料Ｐにより塗装が施されている。

【００２５】すなわち、コンタクト領域Ｃとコンタクト
領域以外の領域とは、互いに表面が異なる光反射率を有
している。さらに、コンタクト領域Ｃは、研磨されて鏡
面化されている。

【００２６】本実施形態のコンタクトプローブ１０で
は、コンタクトピン１２ａが、その先端にＩＣ等の測定
対象物ＩＣに接触するコンタクト領域Ｃを有し、該コン
タクト領域Ｃとコンタクト領域以外の領域（少なくとも
コンタクト領域Ｃの基端側に隣接する領域）とが、互い
に表面が異なる光反射率を有しているので、ピン先認識
のためにコンタクトピン１２ａに光を照射した際、コン
タクト領域Ｃとコンタクト領域以外の領域との反射光の
光量が異なって、コンタクト領域Ｃが明確になるため、
コンタクト領域Ｃを正確に認識することができる。

【００２７】次に、本実施形態のコンタクトプローブ１
０の製造方法について、図２及び図３を参照しながら工
程順に説明する。

【００２８】〔ベースメタル層形成工程（第１の金属層
形成工程）〕まず、図２の（ａ）に示すように、ステン
レス製の支持金属板１６の上に、Ｃｕ（銅）メッキによ
りベースメタル層（第１の金属層）１７を形成する。

【００２９】〔パターン形成工程〕このベースメタル層
１７の上にフォトレジスト層１８を形成した後、図２の
（ｂ）に示すように、写真製版技術により、フォトレジ
スト層１８に所定のパターンのフォトマスクＭを施して
露光し、図２の（ｃ）に示すように、フォトレジスト層
１８を現像してパターン配線１２となる部分を除去して
残存するフォトレジスト層（マスク）１８に開口部１８
ａを形成する。

【００３０】なお、本実施形態においては、フォトレジ
スト層１８をネガ型フォトレジストによって形成してい
るが、ポジ型フォトレジストを採用して所望の開口部１
８ａを形成しても構わない。また、本実施形態において
は、フォトレジスト層１８が、本願請求項にいう「マス
ク」に相当する。但し、本願請求項の「マスク」とは、
本実施形態のフォトレジスト層１８のように、フォトマ
スクＭを用いた露光・現像工程を経て開口部１８ａが形
成されるものに限定されるわけではない。例えば、メッ
キ処理される箇所に予め孔が形成された（すなわち、予
め、図２の（ｃ）の符号１８で示す状態に形成されてい
る）フィルム等でもよい。本願発明において、このよう
なフィルム等を「マスク」として用いる場合には、本実
施形態におけるパターン形成工程は不要である。

【００３１】〔メッキ処理工程〕そして、図２の（ｄ）
に示すように、開口部１８ａにパターン配線１２となる
Ｎｉ合金層（第２の金属層）Ｎを電解メッキ処理により
形成する。上記メッキ処理の後、図２の（ｅ）に示すよ
うに、フォトレジスト層１８を除去する。

【００３２】〔フィルム被着工程〕次に、図２の（ｆ）
に示すように、Ｎｉ合金層Ｎの上であって、図に示した
コンタクトピン１２ａ（すなわちパターン配線１２の先
端部）となる部分以外に、フィルム１１を接着剤１９に
より接着する。

【００３３】フィルム１１は、ポリイミド樹脂フィルム
層１１ａに金属フィルム層（銅箔）１１ｂが一体に設け
られた二層テープである。このフィルム被着工程の前ま
でに、二層テープのうちの金属フィルム層１１ｂに、写
真製版技術を用いた銅エッチングを施して、グラウンド
面を形成しておき、このフィルム被着工程では、二層テ
ープのうちのポリイミド樹脂フィルム層１１ａを接着剤
１９を介してＮｉ合金層Ｎに被着させる。なお、金属フ
ィルム層１１ｂは、銅箔に加えて、Ｎｉ、Ｎｉ合金等で
もよい。

【００３４】〔分離工程〕そして、図２の（ｇ）に示す
ように、フィルム１１とパターン配線１２とベースメタ
ル層１７とからなる部分を、支持金属板１６から分離さ
せた後、Ｃｕエッチを経て、図２の（ｈ）に示すよう
に、フィルム１１にパターン配線１２のみを接着させた
状態とする。

【００３５】〔高さ調整工程〕次に、コンタクトピン１
２ａの高さを一定にするために、図３の（ａ）に示すよ
うに、各コンタクトピン１２ａの先端を研磨すると共に
鏡面化する。この研磨は、その研磨面Ｋが、コンタクト
ピン１２ａの延在方向に対してコンタクト角度θ１（コ
ンタクトピン１２ａを測定対象物ＩＣに接触させる際の
角度）より低い角度θ２になるように行われる。

【００３６】〔塗装工程〕次に、コンタクトピン１２ａ
の表面に、図３の（ｂ）に示すように、黒色の塗料Ｐを
スプレー等で塗装することにより、コンタクトピン１２
ａを着色する。なお、塗装する塗料Ｐは、塗装後の光反
射率がコンタクトピン１２ａの材料であるＮｉ合金の光
反射率と大きく異なるものであれば、黒色以外の色、例
えば灰色、茶色、青色、藍色又は赤色等でもよい。すな
わち、ピン先認識の際に照射される光を吸収し易く反射
し難い色であれば構わない。

【００３７】〔下地金属露出工程〕さらに、コンタクト
ピン１２ａの先端でＩＣとの接触に供されるコンタクト
領域Ｃに塗装された塗料Ｐを、図３の（ｃ）及び図４に
示すように、研磨により選択的に除去しＮｉ合金層Ｎを
露出させる。すなわち、高さ調整工程の研磨とは別の研
磨でＮｉ合金層Ｎを露出させてコンタクト領域Ｃを形成
したので、コンタクト領域Ｃを高精度に形成することが
できる。なお、この研磨は、その研磨面が、コンタクト
ピン１２ａの延在方向に対してコンタクト角度θ１と同
じ角度となるように行われる。

【００３８】このように本実施形態では、塗装工程にお
いて、コンタクトピン１２ａをＮｉ合金層Ｎと異なる光
反射率の塗料Ｐで塗装し、下地金属露出工程において、
コンタクト領域に塗装された塗料Ｐを、選択的に除去し
Ｎｉ合金層Ｎを露出させるので、コンタクト領域Ｃと該
領域以外とで光反射率が異なることになる。すなわち、
光の反射を利用したピン先認識において、正確な認識が
可能なコンタクトピン１２ａが得られる。なお、本実施
形態では、黒色塗料Ｐでコンタクト領域Ｃ以外を塗装す
るので、照射された光により、Ｎｉ合金層Ｎが露出した
コンタクト領域Ｃのみを光らせることができる。また、
塗装工程が、高さ調整工程後に行われるので、高さ調整
の研磨で表面の塗料Ｐが除去されず、Ｎｉ合金層Ｎを露
出させたコンタクト領域Ｃを高精度に形成することがで
き、高さ調整のための研磨が行われたコンタクトピンで
も正確にピン先認識が可能になる。

【００３９】次に、本発明に係るコンタクトプローブと
その製造方法の第２実施形態を、図５を参照しながら説
明する。

【００４０】第２実施形態と第１実施形態との異なる点
は、第１実施形態では、コンタクトピン１２ａのコンタ
クト領域以外の領域がコンタクト領域Ｃと光反射率の異
なる塗料Ｐで覆われているのに対し、第２実施形態のコ
ンタクトプローブ２０では、図５に示すように、コンタ
クトピン２２ａのコンタクト領域以外の領域が、コンタ
クト領域Ｃの表面を化学的に変質させて光反射率を変化
させた変質層Ｈを表面に有する点である。

【００４１】すなわち、第２実施形態では、第１実施形
態の塗装工程に代えて、図５の（ａ）に示すように、コ
ンタクトピン２２ａ表面に、化学的に黒染め処理等を施
して変質層Ｈを形成する表面変質工程を行い、図５の
（ｂ）に示すように、第１実施形態の下地金属露出工程
と同様の研磨、すなわちコンタクトピン２２ａの先端で
ＩＣとの接触に供されるコンタクト領域Ｃの変質層Ｈだ
けを、選択的に研磨で除去し、Ｎｉ合金層Ｎを露出させ
ることにより、コンタクトプローブ２０を製造する。な
お、上記黒染め処理は、コンタクトプローブ２０表面を
脱脂後、市販されているニッケル用常温黒染め剤にコン
タクトピン２２ａ先端部のみ３０〜６０秒程度漬浸させ
て黒染めした後、表面をよく水洗して付着しているスラ
ッジを洗い流すことにより行う。

【００４２】本実施形態では、第１実施形態と同様に、
表面変質工程において、化学的な黒染め処理等でコンタ
クトピン２２ａ表面にＮｉ合金層Ｎと異なる光反射率の
変質層Ｈを形成し、下地金属露出工程において、コンタ
クト領域Ｃの変質層Ｈを選択的に除去しＮｉ合金層Ｎを
露出させるので、コンタクト領域Ｃと該領域以外とで光
反射率が異なることになり、正確なピン先認識が可能な
コンタクトピン２２ａが得られる。

【００４３】また、表面変質工程を高さ調整工程後に行
うので、高さ調整の研磨で表面の変質層Ｈが除去され
ず、高精度なコンタクト領域Ｃを形成でき、高さ調整の
ための研磨が行われたコンタクトピンでも正確にピン先
認識が可能になる。特に、黒染め処理による黒色は、光
を吸収し易く著しく光反射率が低いことから、Ｎｉ合金
層Ｎが露出したコンタクト領域Ｃのみが光り、ピン先認
識がし易くなる。

【００４４】次に、本発明に係るコンタクトプローブと
その製造方法の第３実施形態を、図６から図８を参照し
ながら説明する。

【００４５】第３実施形態と第１実施形態との異なる点
は、第１実施形態では、パターン配線１２及びコンタク
トピン１２ａが単一の材料、すなわちＮｉ合金層Ｎで形
成されているのに対し、第３実施形態のコンタクトプロ
ーブ３０では、図６に示すように、パターン配線２２及
びコンタクトピン２２ａが、黒色Ｎｉ層（第１メッキ
層）ＢＮと該黒色Ｎｉ層ＢＮと異なる光反射率の金属で
あるＮｉ合金層（第２メッキ層）ＮＡとが積層されて構
成されている点である。

【００４６】また、第１実施形態では、塗料Ｐの有無で
コンタクト領域Ｃとそれ以外の領域との光反射率に差を
設けていたのに対し、第２実施形態では、コンタクト領
域ＣにＮｉ合金層ＮＡが露出していると共に、コンタク
ト領域Ｃに基端側で隣接した領域に黒色Ｎｉ層ＢＮが露
出しており、異なる金属材料でコンタクト領域Ｃと上記
隣接した領域との光反射率に差を設けている点で異なっ
ている。

【００４７】すなわち、第３実施形態では、第１実施形
態のメッキ処理工程において、開口部１８ａにパターン
配線３２となる黒色Ｎｉ層ＢＮ及びＮｉ合金層ＮＡの２
層をこの順に電解メッキ処理により形成する。なお、黒
色Ｎｉ層ＢＮは、黒色Ｎｉメッキ、すなわち硫酸Ｎｉを
ベースにしたメッキ液に市販されている黒色Ｎｉメッキ
用添加剤を加えたメッキ液中で、電解メッキ処理するこ
とにより形成される。この際、黒色Ｎｉ層ＢＮを１μｍ
以上１５μｍ以下の厚さで形成するが、好ましくは３μ
ｍ以上１０μｍ以下の厚さで形成する。

【００４８】そして、分離工程後の高さ調整工程では、
図７の（ａ）に示すように、Ｎｉ合金層ＮＡが露出しな
い研磨量で、黒色Ｎｉ層ＢＮの部分を研磨して高さ調整
が行われる。なお、この研磨は、その研磨面Ｋが、コン
タクトピン１２ａの延在方向に対してコンタクト角度θ
１より低い角度θ２となるように行われる。さらに、高
さ調整工程後に、図７の（ｂ）及び図８に示すように、
コンタクトピン３２ａの先端で測定対象物ＩＣとの接触
に供されるコンタクト領域Ｃの黒色Ｎｉ層ＢＮを、研磨
により選択的に除去しＮｉ合金層ＮＡを露出させるＮｉ
合金層露出工程（第２メッキ層露出工程）を行う。な
お、この研磨は、その研磨面が、コンタクトピン１２ａ
の延在方向に対してコンタクト角度θ１と同じ角度とな
るように行われる。

【００４９】このように、第３実施形態では、メッキ処
理工程において、黒色Ｎｉ層ＢＮを形成した後に黒色Ｎ
ｉ層ＢＮの金属と異なる光反射率の金属のＮｉ合金層Ｎ
Ａを形成するので、分離工程後のコンタクトピン３２ａ
が黒色Ｎｉ層ＢＮとＮｉ合金層ＮＡとの２層構造とな
り、Ｎｉ合金層露出工程において、コンタクト領域Ｃの
黒色Ｎｉ層ＢＮを選択的に除去してＮｉ合金層ＮＡを露
出させるので、コンタクト領域Ｃと該領域に基端側で隣
接する領域とで光反射率が異なる層が露出することにな
り、光の反射を利用したピン先認識において、正確な認
識が可能なコンタクトピンが得られる。

【００５０】特に、黒色Ｎｉ層ＢＮは、黒色であるため
に光を吸収し易く著しく光反射率が低いことから、Ｎｉ
合金層ＮＡが露出したコンタクト領域Ｃのみが光り、ピ
ン先認識がし易くなる。また、高さ調整工程後にＮｉ合
金層露出工程を行うので、高さ調整の研磨で黒色Ｎｉ層
ＢＮが除去されず、Ｎｉ合金層ＮＡを露出させたコンタ
クト領域Ｃを高精度に形成することができ、高さ調整の
ための研磨が行われたコンタクトピンでも正確にピン先
認識が可能になる。

【００５１】なお、黒色Ｎｉ層ＢＮの厚さが３μｍ以上
であることが好ましいのは、これより薄いと、高さ調整
工程の研磨の際に、Ｎｉ合金層ＮＡが露出してしまうた
めである。また、黒色Ｎｉ層ＢＮの厚さが１０μｍ以下
であることが好ましいのは、これより厚いと、Ｎｉ合金
層露出工程の研磨の際に、黒色Ｎｉ層ＢＮを除去しきれ
なくてＮｉ合金層ＮＡが露出しない、又は露出が不十分
となるためであると共に、Ｎｉ合金層ＮＡが薄くなっ
て、比較的脆い黒色Ｎｉのためにコンタクトピン３２ａ
の剛性が保てなくなるからである。なお、本実施形態で
は、コンタクトピン３２ａ全体の厚さを、５０μｍとし
ている。

【００５２】なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態
に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない
範囲において種々の変更を加えることが可能である。例
えば、上記各実施形態のように、各コンタクトピンの先
端を研磨して高さを揃える高さ調整工程を行うことが好
ましいが、この工程を行わずに作製しても構わない。

【００５３】また、上記各実施形態においては、ＩＣ用
コンタクトプローブの製造方法に適用したが、他のもの
に採用しても構わない。例えば、ＩＣチップを内側に保
持して保護し、ＩＣチップのバーンインテスト用装置等
に搭載されるＩＣチップテスト用ソケットに用いるコン
タクトプローブやＬＣＤのテスト用プローブ装置用のコ
ンタクトプローブに適用してもよい。

【００５４】

【発明の効果】本発明によれば、以下の効果を奏する。
すなわち、本発明のコンタクトプローブによれば、コン
タクトピンが、その先端に測定対象物に接触するコンタ
クト領域を有し、該コンタクト領域と少なくともコンタ
クト領域に基端側で隣接した領域との表面が互いに異な
る光反射率を有しているので、コンタクト領域と前記隣
接した領域との反射光の光量が異なって、コンタクト領
域が明確になるため、高精度にかつ容易にピン先（コン
タクト領域）を認識させることができ、コンタクトピン
を正確にチップ上のバンプ等に接触させることができ
る。

【００５５】本発明のコンタクトプローブの製造方法に
よれば、表面変質工程において、コンタクトピンの表面
を化学的に変質させて第２の金属層と異なる光反射率の
変質層を形成し、金属露出工程において、コンタクト領
域の変質層を選択的に除去し第２の金属層を露出させる
ので、コンタクト領域と該領域以外（変質層で覆われた
領域）とで光反射率が異なることになり、光の反射を利
用したピン先認識において、正確な認識が可能なコンタ
クトピンが得られる。

【００５６】本発明のコンタクトプローブの製造方法に
よれば、塗装工程において、コンタクトピンを第２の金
属層と異なる光反射率の塗料で塗装し、金属露出工程に
おいて、コンタクト領域に塗装された前記塗料を選択的
に除去し第２の金属層を露出させるので、コンタクト領
域と該領域以外（塗料で塗装された領域）とで光反射率
が異なることになり、光の反射を利用したピン先認識に
おいて、正確な認識が可能なコンタクトピンが得られ
る。

【００５７】本発明のコンタクトプローブの製造方法に
よれば、メッキ処理工程において、第１メッキ層を形成
した後に第１メッキ層の金属と異なる光反射率の金属で
第２メッキ層を形成し、第２メッキ層露出工程におい
て、コンタクト領域の第１メッキ層を選択的に除去して
第２メッキ層を露出させるので、コンタクト領域と該領
域に基端側で隣接する領域とで光反射率が異なる層が露
出することになり、光の反射を利用したピン先認識にお
いて、正確な認識が可能なコンタクトピンが得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明に係るコンタクトプローブ及びその製
造方法の第１実施形態を示すコンタクトプローブの要部
断面図である。

【図２】 本発明に係るコンタクトプローブ及びその製
造方法の第１実施形態における製造工程を示すパターン
配線に直交した方向の断面図である。

【図３】 本発明に係るコンタクトプローブ及びその製
造方法の第１実施形態における製造工程を示すコンタク
トピンの断面図である。

【図４】 本発明に係るコンタクトプローブ及びその製
造方法の第１実施形態におけるコンタクトピンを示す下
面図である。

【図５】 本発明に係るコンタクトプローブ及びその製
造方法の第２実施形態を示す製造工程を示すコンタクト
ピンの断面図である。

【図６】 本発明に係るコンタクトプローブ及びその製
造方法の第３実施形態を示すコンタクトプローブの断面
図である。

【図７】 本発明に係るコンタクトプローブ及びその製
造方法の第３実施形態を示す製造工程を示すコンタクト
ピンの断面図である。

【図８】 本発明に係るコンタクトプローブ及びその製
造方法の第３実施形態におけるコンタクトピンを示す下
面図である。

【図９】 本発明に係るコンタクトプローブの従来例を
示す斜視図である。

【図１０】 本発明に係るコンタクトプローブ及びその
製造方法の従来例における高さ調整前（ａ）及び高さ調
整後（ｂ）のコンタクトピン先端を示す説明図である。

【図１１】 本発明に係るコンタクトプローブ及びその
製造方法の従来例における高さ調整後のコンタクトピン
を示す断面図である。

【符号の説明】

１０、２０、３０ コンタクトプローブ １１ フィルム １１ａ ポリイミド樹脂フィルム層 １１ｂ 金属フィルム層 １２ パターン配線 １２ａ、２２ａ、３２ａ コンタクトピン １７ ベースメタル層（第１の金属層） １８ フォトレジスト層（マスク） Ｃ コンタクト領域 ＢＮ 黒色Ｎｉ層（第１メッキ層） Ｈ 変質層 ＩＣ 測定対象物 Ｎ Ｎｉ合金層（第２の金属層） ＮＡ Ｎｉ合金層（第２メッキ層） Ｐ 塗料

フロントページの続き (72)発明者 石井 利昇 兵庫県三田市テクノパーク十二番地の六 三菱マテリアル株式会社三田工場内 Ｆターム(参考） 2G003 AA07 AB01 AC01 AG01 AG03 AG13 2G011 AA17 AB06 AB08 AC06 AE03 AF07 4M106 AA02 BA01 CA01 DD05 DD09 DD13 DD30

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数のパターン配線がフィルムの表面上
   に形成されこれらのパターン配線の各先端部がフィルム
   の先端部に配されてコンタクトピンとされるコンタクト
   プローブであって、 前記コンタクトピンは、その先端に測定対象物に接触す
   るコンタクト領域を有し、 該コンタクト領域と少なくともコンタクト領域に基端側
   で隣接した領域とは、互いの表面が異なる光反射率を有
   していることを特徴とするコンタクトプローブ。
2. 【請求項２】 請求項１記載のコンタクトプローブにお
   いて、 前記コンタクトピンは、前記隣接した領域が前記コンタ
   クト領域と光反射率の異なる材料で覆われていることを
   特徴とするコンタクトプローブ。
3. 【請求項３】 請求項１記載のコンタクトプローブにお
   いて、 前記コンタクトピンは、前記隣接した領域が前記コンタ
   クト領域の表面を化学的に変質させて光反射率を変化さ
   せた表面を有することを特徴とするコンタクトプロー
   ブ。
4. 【請求項４】 請求項１記載のコンタクトプローブにお
   いて、 前記パターン配線は、黒色Ｎｉ層とＮｉ合金層とが積層
   されて構成され、 前記コンタクト領域は、前記Ｎｉ合金層が露出している
   と共に、前記隣接した領域は、前記黒色Ｎｉ層が露出し
   ていることを特徴とするコンタクトプローブ。
5. 【請求項５】 複数のパターン配線をフィルムの表面上
   に形成しこれらのパターン配線の各先端部をフィルムの
   先端部に配してコンタクトピンとするコンタクトプロー
   ブの製造方法であって、 基板層の上に前記コンタクトピンの材質に被着又は結合
   する材質の第１の金属層を形成する第１の金属層形成工
   程と、 前記第１の金属層の上にマスクを施してマスクされてい
   ない部分に前記パターン配線及び前記コンタクトピンに
   供される第２の金属層をメッキ処理により形成するメッ
   キ処理工程と、 前記マスクを取り除いた前記第２の金属層の上に少なく
   とも前記コンタクトピンに供される部分を除いてカバー
   する前記フィルムを被着するフィルム被着工程と、 前記フィルムと第２の金属層とからなる部分及び前記基
   板層と第１の金属層とからなる部分を分離する分離工程
   と、 前記コンタクトピンの表面を化学的に変質させて前記第
   ２の金属層と異なる光反射率の変質層を形成する表面変
   質工程と、 前記コンタクトピンの先端で測定対象物との接触に供さ
   れるコンタクト領域の前記変質層を選択的に除去し前記
   第２の金属層を露出させる金属露出工程とを有すること
   を特徴とするコンタクトプローブの製造方法。
6. 【請求項６】 複数のパターン配線をフィルムの表面上
   に形成しこれらのパターン配線の各先端部をフィルムの
   先端部に配してコンタクトピンとするコンタクトプロー
   ブの製造方法であって、 基板層の上に前記コンタクトピンの材質に被着又は結合
   する材質の第１の金属層を形成する第１の金属層形成工
   程と、 前記第１の金属層の上にマスクを施してマスクされてい
   ない部分に前記パターン配線及び前記コンタクトピンに
   供される第２の金属層をメッキ処理により形成するメッ
   キ処理工程と、 前記マスクを取り除いた前記第２の金属層の上に少なく
   とも前記コンタクトピンに供される部分を除いてカバー
   する前記フィルムを被着するフィルム被着工程と、 前記フィルムと第２の金属層とからなる部分及び前記基
   板層と第１の金属層とからなる部分を分離する分離工程
   と、 前記コンタクトピンを前記第２の金属層と異なる光反射
   率の塗料で塗装する塗装工程と、 前記コンタクトピンの先端で測定対象物との接触に供さ
   れるコンタクト領域に塗装された前記塗料を選択的に除
   去し前記第２の金属層を露出させる金属露出工程とを有
   することを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。
7. 【請求項７】 複数のパターン配線をフィルムの表面上
   に形成しこれらのパターン配線の各先端部をフィルムの
   先端部に配してコンタクトピンとするコンタクトプロー
   ブの製造方法であって、 基板層の上に前記コンタクトピンの材質に被着又は結合
   する材質の第１の金属層を形成する第１の金属層形成工
   程と、 前記第１の金属層の上にマスクを施してマスクされてい
   ない部分に前記パターン配線及び前記コンタクトピンに
   供される第１メッキ層及び第２メッキ層からなる第２の
   金属層をメッキ処理により形成するメッキ処理工程と、 前記マスクを取り除いた前記第２の金属層の上に少なく
   とも前記コンタクトピンに供される部分を除いてカバー
   する前記フィルムを被着するフィルム被着工程と、 前記フィルムと第２の金属層とからなる部分及び前記基
   板層と第１の金属層とからなる部分を分離する分離工程
   とを備え、 前記メッキ処理工程は、前記第１メッキ層を形成した後
   に第１メッキ層の金属と異なる光反射率の金属で第２メ
   ッキ層を形成し、 前記分離工程後に、前記コンタクトピンの先端で測定対
   象物との接触に供されるコンタクト領域の前記第１メッ
   キ層を選択的に除去して前記第２メッキ層を露出させる
   第２メッキ層露出工程を有することを特徴とするコンタ
   クトプローブの製造方法。
8. 【請求項８】 請求項７に記載のコンタクトプローブの
   製造方法において、 前記メッキ処理工程は、前記第１メッキ層の金属が黒色
   Ｎｉであると共に、前記第２メッキ層の金属がＮｉ合金
   であることを特徴とするコンタクトプローブの製造方
   法。
9. 【請求項９】 請求項５から８のいずれかに記載のコン
   タクトプローブの製造方法において、 前記コンタクトピンの先端を研磨して各コンタクトピン
   の高さを揃える高さ調整工程を備え、 前記塗装工程、前記表面変質工程又は前記第２メッキ層
   露出工程は、前記高さ調整工程後に行うことを特徴とす
   るコンタクトプローブの製造方法。