JP2002038226A - 高周波回路用銅合金箔 - Google Patents
高周波回路用銅合金箔Info
- Publication number
- JP2002038226A JP2002038226A JP2000226421A JP2000226421A JP2002038226A JP 2002038226 A JP2002038226 A JP 2002038226A JP 2000226421 A JP2000226421 A JP 2000226421A JP 2000226421 A JP2000226421 A JP 2000226421A JP 2002038226 A JP2002038226 A JP 2002038226A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- less
- copper
- surface roughness
- alloy foil
- foil
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】銅の高い導電性を持ちながら高強度を持ち，な
お且つインピーダンスの低い銅合金箔の開発。 【解決手段】質量百分率（％）に基づいて（以下、％と
表記する）Zr：0.01％以上0.25％以下を含有し，残部を
銅及び不可避不純物とし，表面粗さにおいて，最大高さ
（Ryとする）を0.3μm以上3.5μm以下，算術平均粗さ(R
aとする)を0.02μm以上0.2μm以下とした高周波回路用
銅合金箔。
お且つインピーダンスの低い銅合金箔の開発。 【解決手段】質量百分率（％）に基づいて（以下、％と
表記する）Zr：0.01％以上0.25％以下を含有し，残部を
銅及び不可避不純物とし，表面粗さにおいて，最大高さ
（Ryとする）を0.3μm以上3.5μm以下，算術平均粗さ(R
aとする)を0.02μm以上0.2μm以下とした高周波回路用
銅合金箔。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，強度，導電性，表
面性状に優れた銅合金箔に関するものであり，例えばIC
カードのアンテナ等のような高周波回路の用途に最適で
ある。
面性状に優れた銅合金箔に関するものであり，例えばIC
カードのアンテナ等のような高周波回路の用途に最適で
ある。
【０００２】
【従来の技術】近年の高機能電子機器に対する小型化，
処理速度の高速化からの要求から，その配線に用いられ
る材料には，一般に狭ピッチ化軽量化に有利な薄型化が
要求されたり，高周波電流の通電性の良いことが要求さ
れている。その一つの例が，ICカードである。これま
で，カードは薄型で携帯に便利であることから，これま
で主に磁気信号を記録させた磁気カードとして，キャッ
シュカードやクレジットカードをはじめ，テレフォンカ
ード，ポイントカードなど種々の分野で幅広く利用され
てきている。これに対しICカードはカード内にICを内蔵
するので，より高度な判断，複雑な演算が可能であり，
記憶容量は磁気カードの100倍大きい。また，情報の読
み書きが可能であり，安全性が高いという特徴もある。
さらに，ICカードの情報伝達方法には，接点への物理的
接触により交信する接触型以外に，電磁波などを用いて
最大数m程度の空間的な距離をあけて交信することので
きる非接触型のものもある。
処理速度の高速化からの要求から，その配線に用いられ
る材料には，一般に狭ピッチ化軽量化に有利な薄型化が
要求されたり，高周波電流の通電性の良いことが要求さ
れている。その一つの例が，ICカードである。これま
で，カードは薄型で携帯に便利であることから，これま
で主に磁気信号を記録させた磁気カードとして，キャッ
シュカードやクレジットカードをはじめ，テレフォンカ
ード，ポイントカードなど種々の分野で幅広く利用され
てきている。これに対しICカードはカード内にICを内蔵
するので，より高度な判断，複雑な演算が可能であり，
記憶容量は磁気カードの100倍大きい。また，情報の読
み書きが可能であり，安全性が高いという特徴もある。
さらに，ICカードの情報伝達方法には，接点への物理的
接触により交信する接触型以外に，電磁波などを用いて
最大数m程度の空間的な距離をあけて交信することので
きる非接触型のものもある。
【０００３】これらの特徴により，例えば，IDカード，
乗車券（定期券），電子マネー，高速道路ゲート，免許
証，健康保険証，住民票，IDカード，医療カード，物流
管理等といった非常に広い範囲での利用が見こまれてい
る。また，非接触型ICカードはその通信距離により，密
着型（通信距離〜2mm），近接型（同10cm），近傍型
（同70cm），マイクロ波型（同数m）の4タイプに分かれ
ており，通信周波数は密着型では4.91MHz，近接型，近
傍型では13.56MHz，マイクロ波型では2.45および5.8GHz
と高周波数域までわたっている。
乗車券（定期券），電子マネー，高速道路ゲート，免許
証，健康保険証，住民票，IDカード，医療カード，物流
管理等といった非常に広い範囲での利用が見こまれてい
る。また，非接触型ICカードはその通信距離により，密
着型（通信距離〜2mm），近接型（同10cm），近傍型
（同70cm），マイクロ波型（同数m）の4タイプに分かれ
ており，通信周波数は密着型では4.91MHz，近接型，近
傍型では13.56MHz，マイクロ波型では2.45および5.8GHz
と高周波数域までわたっている。
【０００４】この非接触型ICカードの基本構造は，絶縁
シート，アンテナ，ICチップからなり，ICチップには強
誘電体メモリ，不揮発性メモリ，ROM，RAM，変復調回
路，電源回路，暗号回路，制御回路等が組みこまれてい
る。このアンテナ用材料としては，被覆銅線巻き線，銀
ペースト，アルミ箔，銅箔などがあり，巻き数，用途，
製造コストなどにより使い分けられている。巻き数が少
なく高導電性が必要なケースでは，アンテナ用材料とし
て銅箔を用いることが多い。
シート，アンテナ，ICチップからなり，ICチップには強
誘電体メモリ，不揮発性メモリ，ROM，RAM，変復調回
路，電源回路，暗号回路，制御回路等が組みこまれてい
る。このアンテナ用材料としては，被覆銅線巻き線，銀
ペースト，アルミ箔，銅箔などがあり，巻き数，用途，
製造コストなどにより使い分けられている。巻き数が少
なく高導電性が必要なケースでは，アンテナ用材料とし
て銅箔を用いることが多い。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】純銅箔を用いた場合に
は材料強度が低いため，部品を組み立てる工程で変形を
生じたり，狭ピッチの配線のため，引張応力がかかると
破断を生じて生産性を下げてしまうという不具合があっ
た。また，さらに電解銅箔のような表面粗さの大きい箔
を用いた場合には，高周波の信号を通した場合に，信号
の発信，受信の際インピーダンスが増大し，高周波領域
では使用できない場合がある。従って，銅の高い導電性
を持ちながら高強度を持ち，なお且つインピーダンスの
低い銅合金箔が待たれていた。
は材料強度が低いため，部品を組み立てる工程で変形を
生じたり，狭ピッチの配線のため，引張応力がかかると
破断を生じて生産性を下げてしまうという不具合があっ
た。また，さらに電解銅箔のような表面粗さの大きい箔
を用いた場合には，高周波の信号を通した場合に，信号
の発信，受信の際インピーダンスが増大し，高周波領域
では使用できない場合がある。従って，銅の高い導電性
を持ちながら高強度を持ち，なお且つインピーダンスの
低い銅合金箔が待たれていた。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は，上記課題を
開発すべく鋭意研究を行った結果，高強度と高導電性を
あわせもち，なお且つ面粗度の小さい銅合金の箔を圧延
により製造しこれを適用することにより上記課題を解決
することができた。以下に，上記箔をつくるための具体
的な方法を示す。
開発すべく鋭意研究を行った結果，高強度と高導電性を
あわせもち，なお且つ面粗度の小さい銅合金の箔を圧延
により製造しこれを適用することにより上記課題を解決
することができた。以下に，上記箔をつくるための具体
的な方法を示す。
【０００７】かくして本発明は（１）Zr：0.01％以上0.
25％以下を含有し，残部を銅及び不可避不純物とし，表
面粗さにおいて，最大高さRyを0.3μm以上3.5μm以下，
Raを0.02μm以上0.2μm以下とした高周波回路用銅合金
箔。（２）Zr：0.01％以上0.25％以下を含有し，更にZ
n，Ni，Sn，Si，Mn，P，Mg，Co，Al，B，In，AgおよびH
fの1種以上を総量で0.005％以上1.5％以下をも含有さ
せ，残部が銅及び不可避不純物とし，表面粗さにおい
て，Ryを0.3μm以上3.5μm以下，Raを0.02μm以上0.2μ
m以下とした高周波回路用銅合金箔。（３）Cr：0.02％
以上0.4％以下，Zr：0.01％以上0.25％以下を含有し，
残部を銅及び不可避不純物とし，表面粗さにおいて，Ry
を0.3μm以上3.5μm以下，Raを0.02μm以上0.2μm以下
とした高周波回路用銅合金箔。
25％以下を含有し，残部を銅及び不可避不純物とし，表
面粗さにおいて，最大高さRyを0.3μm以上3.5μm以下，
Raを0.02μm以上0.2μm以下とした高周波回路用銅合金
箔。（２）Zr：0.01％以上0.25％以下を含有し，更にZ
n，Ni，Sn，Si，Mn，P，Mg，Co，Al，B，In，AgおよびH
fの1種以上を総量で0.005％以上1.5％以下をも含有さ
せ，残部が銅及び不可避不純物とし，表面粗さにおい
て，Ryを0.3μm以上3.5μm以下，Raを0.02μm以上0.2μ
m以下とした高周波回路用銅合金箔。（３）Cr：0.02％
以上0.4％以下，Zr：0.01％以上0.25％以下を含有し，
残部を銅及び不可避不純物とし，表面粗さにおいて，Ry
を0.3μm以上3.5μm以下，Raを0.02μm以上0.2μm以下
とした高周波回路用銅合金箔。
【０００８】（４）Cr：0.02％以上0.4％以下，Zr：0.0
1％以上0.25％以下を含有し，更にZn，Ni，Sn，Si，M
n，P，Mg，Co，Al，B，In，AgおよびHfの1種以上を総量
で0.005％以上1.5％以下をも含有させ，残部が銅及び不
可避不純物とし，表面粗さにおいて，Ryを0.3μm以上3.
5μm以下，Raを0.02μm以上0.2μm以下とした高周波回
路用銅合金箔。（５）Cr：0.02％以上0.4％以下，Zr：
0.01％以上0.25％以下，Fe：0.05％以上1.8％以下，T
i：0.05％以上0.8％以下を含有し，残部を銅及び不可避
不純物とし，表面粗さにおいて，Ryを0.3μm以上3.5μm
以下，Raを0.02μm以上0.2μm以下とした高周波回路用
銅合金箔。（６）Cr：0.02％以上0.4％以下，Zr：0.01
％以上0.25％以下，Fe：0.05％以上1.8％以下，Ti：0.0
5％以上0.8％以下を含有し，更にZn，Ni，Sn，Si，Mn，
P，Mg，Co，Al，B，In，AgおよびHfの1種以上，総量で
0.005％以上1.5％をも含有させ，残部が銅及び不可避不
純物とし，表面粗さにおいて，Ryを0.3μm以上3.5μm以
下，Raを0.02μm以上0.2μm以下とした高周波回路用銅
合金箔。
1％以上0.25％以下を含有し，更にZn，Ni，Sn，Si，M
n，P，Mg，Co，Al，B，In，AgおよびHfの1種以上を総量
で0.005％以上1.5％以下をも含有させ，残部が銅及び不
可避不純物とし，表面粗さにおいて，Ryを0.3μm以上3.
5μm以下，Raを0.02μm以上0.2μm以下とした高周波回
路用銅合金箔。（５）Cr：0.02％以上0.4％以下，Zr：
0.01％以上0.25％以下，Fe：0.05％以上1.8％以下，T
i：0.05％以上0.8％以下を含有し，残部を銅及び不可避
不純物とし，表面粗さにおいて，Ryを0.3μm以上3.5μm
以下，Raを0.02μm以上0.2μm以下とした高周波回路用
銅合金箔。（６）Cr：0.02％以上0.4％以下，Zr：0.01
％以上0.25％以下，Fe：0.05％以上1.8％以下，Ti：0.0
5％以上0.8％以下を含有し，更にZn，Ni，Sn，Si，Mn，
P，Mg，Co，Al，B，In，AgおよびHfの1種以上，総量で
0.005％以上1.5％をも含有させ，残部が銅及び不可避不
純物とし，表面粗さにおいて，Ryを0.3μm以上3.5μm以
下，Raを0.02μm以上0.2μm以下とした高周波回路用銅
合金箔。
【０００９】
【発明の実施の形態】次に本発明と関与する成分元素の
限定理由を述べる。 Ｚｒ：Zrには，時効処理によりCuと化合物を形成して母
材中に析出しこれを強化する作用があるが，その含有量
が0.01％未満ではこの作用による所望の効果が得られな
い。一方，Zr含有量が増加すると粗大な未固溶Zrが母材
料中に残留するようになって圧延中材料表面に露出し表
面欠陥を生成する。表面欠陥を生成させないZr含有量
は，0.25％以下，望ましくは0.15%以下とすればよいこ
とがわかった。 Ｃｒ：Crは，合金を溶体化処理後，時効処理を行うこと
により母相中に析出して強度を向上させる作用をするた
め必要に応じて添加されるが，その含有量が0.02%未満
ではこの作用による所望の効果が得られず，一方，含有
量が増加すると粗大なCrが母相中に残留し，圧延中材料
表面に露出し表面欠陥を生成する。表面欠陥を生成させ
ないCr含有量は，0.4％以下，望ましくは0.25%以下であ
ることがわかった。
限定理由を述べる。 Ｚｒ：Zrには，時効処理によりCuと化合物を形成して母
材中に析出しこれを強化する作用があるが，その含有量
が0.01％未満ではこの作用による所望の効果が得られな
い。一方，Zr含有量が増加すると粗大な未固溶Zrが母材
料中に残留するようになって圧延中材料表面に露出し表
面欠陥を生成する。表面欠陥を生成させないZr含有量
は，0.25％以下，望ましくは0.15%以下とすればよいこ
とがわかった。 Ｃｒ：Crは，合金を溶体化処理後，時効処理を行うこと
により母相中に析出して強度を向上させる作用をするた
め必要に応じて添加されるが，その含有量が0.02%未満
ではこの作用による所望の効果が得られず，一方，含有
量が増加すると粗大なCrが母相中に残留し，圧延中材料
表面に露出し表面欠陥を生成する。表面欠陥を生成させ
ないCr含有量は，0.4％以下，望ましくは0.25%以下であ
ることがわかった。
【００１０】ＴｉおよびＦｅ：TiおよびFeは，合金を時
効処理した時に母相中にTiとFeとの金属間化合物を形成
し，その結果として合金強度をさらに向上させる作用を
発揮するため必要に応じて添加されるが，これらの含有
量がそれぞれ0.05％未満では上記作用による所望の強度
が得られない。一方，Ti含有量またはFe含有量が増加す
ると，TiとFeを主成分とする粗大な介在物が残存し，圧
延中材料表面に露出し表面欠陥を生成する。表面欠陥を
生成させないためにはTi含有量を0.8％以下，望ましく
は0.6%以下とし，Fe含有量を1.8％以下，望ましくは1.4
%以下とすればよいことがわかった。
効処理した時に母相中にTiとFeとの金属間化合物を形成
し，その結果として合金強度をさらに向上させる作用を
発揮するため必要に応じて添加されるが，これらの含有
量がそれぞれ0.05％未満では上記作用による所望の強度
が得られない。一方，Ti含有量またはFe含有量が増加す
ると，TiとFeを主成分とする粗大な介在物が残存し，圧
延中材料表面に露出し表面欠陥を生成する。表面欠陥を
生成させないためにはTi含有量を0.8％以下，望ましく
は0.6%以下とし，Fe含有量を1.8％以下，望ましくは1.4
%以下とすればよいことがわかった。
【００１１】Zn，Ni，Sn，Si，Mn，P，Mg，Co，Al，B，
In，AgおよびHf：Zn，Ni，Sn，Si，Mn，P，Mg，Co，A
l，B，In，AgおよびHfは以下のように作用する。これら
の成分は，いずれも合金の導電性を大きく低下させずに
主として固溶強化により強度を向上させる作用を有して
おり，したがって必要により1種または2種以上の添加が
なされるが，その含有量が総量で0.005％未満であると
前記作用による所望の効果が得られず，一方，総量で1.
5％を超える場合には合金の導電率が著しく低下する。
このため，単独添加または2種以上の複合添加がなされ
るZn，Ni，Sn，Si，Mn，P，Mg，Co，Al，B，In，Agおよ
びHfの含有量を総量で0.005〜1.5％と定めた。
In，AgおよびHf：Zn，Ni，Sn，Si，Mn，P，Mg，Co，A
l，B，In，AgおよびHfは以下のように作用する。これら
の成分は，いずれも合金の導電性を大きく低下させずに
主として固溶強化により強度を向上させる作用を有して
おり，したがって必要により1種または2種以上の添加が
なされるが，その含有量が総量で0.005％未満であると
前記作用による所望の効果が得られず，一方，総量で1.
5％を超える場合には合金の導電率が著しく低下する。
このため，単独添加または2種以上の複合添加がなされ
るZn，Ni，Sn，Si，Mn，P，Mg，Co，Al，B，In，Agおよ
びHfの含有量を総量で0.005〜1.5％と定めた。
【００１２】最大高さ（Ｒｙ）と算術平均粗さ（Ｒ
ａ）：表面粗さが大きくなると，高周波で通電した場合
に表皮効果のため直流抵抗が極端に増大するためインピ
ーダンスの増大を招き，正常な信号のやりとりが不可能
となる。この現象を解析した結果，表面粗さの指標とし
てはRｙ，Rａの両者が影響することがわかった。即ち，
Ryについては3.5μｍ以下，Raについては0.2μm以下と
すればよいことがわかった。また，Ryが0.3μmより小さ
くなるか，Raが0.02μmより小さくなると，表面の摩擦
が小さくなるため，箔の搬送ラインにおいてスリップが
生じることにより，蛇行したりスリップ傷が発生する。
スリップ傷は箔を製造、取扱いする際、搬送ラインのロ
ールが材料と同調しないために発生する傷である。
ａ）：表面粗さが大きくなると，高周波で通電した場合
に表皮効果のため直流抵抗が極端に増大するためインピ
ーダンスの増大を招き，正常な信号のやりとりが不可能
となる。この現象を解析した結果，表面粗さの指標とし
てはRｙ，Rａの両者が影響することがわかった。即ち，
Ryについては3.5μｍ以下，Raについては0.2μm以下と
すればよいことがわかった。また，Ryが0.3μmより小さ
くなるか，Raが0.02μmより小さくなると，表面の摩擦
が小さくなるため，箔の搬送ラインにおいてスリップが
生じることにより，蛇行したりスリップ傷が発生する。
スリップ傷は箔を製造、取扱いする際、搬送ラインのロ
ールが材料と同調しないために発生する傷である。
【００１３】板の製造、取扱いと異なり、箔の製造、取
扱いでは、箔自体の薄い厚さのため、低い張力でライン
上を搬送しなければならず、板に比べて搬送ロールが同
調し難く、スリップ傷が発生し易い。 スリップ傷は、
箔全長に渡って発生することもあり、強いスリップ傷で
Ｒｙが２．０μｍを超えるものは、この発生部位にて箔
に折れが発生することもある。大きなスリップ傷が発生
した部位を加工した部品は、スリップ傷が発生していな
い部分を加工した部品と比べ、表皮効果のため、インピ
ーダンスが大きくなり、高周波回路用として使用できな
い。そのため、スリップ傷の発生は箔の生産性を低下さ
せる。このような不具合の発生しないためには、合金成
分の添加により箔の強度を向上させる手段に加えて、製
造ラインのロールとの摩擦を大きくすると更に効果があ
る。本発明においては、箔のＲｙが０．３μｍ以上、且
つＲａが０．０２μｍ以上であれば、スリップ傷の発生
は殆どなく、生産性を低下させることはない。即ち、ス
リップ傷部も含めて、Ｒｙ、ＲａについてはＲｙが０．
３μｍ以上３．５μｍ以下、Ｒａが０．０２μｍ以上
０．２μｍ以下、望ましくはＲｙが０．３μｍ以上２．
０μｍ以下、Ｒａが０．０２以上０．１５μｍ以下とす
ることが必用であることが判明した。ここで、表面粗さ
を制御する方法としては、圧延、電解の方法を問わない
が、このような表面粗さを得るためには、一般には圧延
の方が容易に制御でき、圧延機のワークロールの表面粗
さをＲｙで０．５μｍ以上４μｍ以下、Ｒａで０．０５
μｍ以上０．２５μｍ以下とし、このワークロールの表
面プロフィルを箔に転写することにより、表面粗さの制
御を行う。次に，本発明の効果を，好ましい組成範囲を
示す実施例により具体的に説明する。
扱いでは、箔自体の薄い厚さのため、低い張力でライン
上を搬送しなければならず、板に比べて搬送ロールが同
調し難く、スリップ傷が発生し易い。 スリップ傷は、
箔全長に渡って発生することもあり、強いスリップ傷で
Ｒｙが２．０μｍを超えるものは、この発生部位にて箔
に折れが発生することもある。大きなスリップ傷が発生
した部位を加工した部品は、スリップ傷が発生していな
い部分を加工した部品と比べ、表皮効果のため、インピ
ーダンスが大きくなり、高周波回路用として使用できな
い。そのため、スリップ傷の発生は箔の生産性を低下さ
せる。このような不具合の発生しないためには、合金成
分の添加により箔の強度を向上させる手段に加えて、製
造ラインのロールとの摩擦を大きくすると更に効果があ
る。本発明においては、箔のＲｙが０．３μｍ以上、且
つＲａが０．０２μｍ以上であれば、スリップ傷の発生
は殆どなく、生産性を低下させることはない。即ち、ス
リップ傷部も含めて、Ｒｙ、ＲａについてはＲｙが０．
３μｍ以上３．５μｍ以下、Ｒａが０．０２μｍ以上
０．２μｍ以下、望ましくはＲｙが０．３μｍ以上２．
０μｍ以下、Ｒａが０．０２以上０．１５μｍ以下とす
ることが必用であることが判明した。ここで、表面粗さ
を制御する方法としては、圧延、電解の方法を問わない
が、このような表面粗さを得るためには、一般には圧延
の方が容易に制御でき、圧延機のワークロールの表面粗
さをＲｙで０．５μｍ以上４μｍ以下、Ｒａで０．０５
μｍ以上０．２５μｍ以下とし、このワークロールの表
面プロフィルを箔に転写することにより、表面粗さの制
御を行う。次に，本発明の効果を，好ましい組成範囲を
示す実施例により具体的に説明する。
【００１４】
【実施例】まず，電気銅あるいは無酸素銅を主原料と
し，銅クロム母合金，銅ジルコニウム母合金，亜鉛，チ
タン，軟鋼，ニッケル，スズ，インジウム，マンガン，
マグネシウム，シリコン，銅リン母合金，アルミニウ
ム，コバルト，ホウ素，銀，ハフニウムを副原料とし，
高周波溶解炉にて表１に示す各種成分組成の銅合金を真
空中またはAr雰囲気中で溶製し，厚さ30mmのインゴット
に鋳造した。次に，これらの各インゴットを熱間加工お
よび溶体化処理，１回目の冷間圧延，時効処理，最終の
冷間圧延，歪取焼鈍の順に行い，厚さ0.035mmの箔とし
た。
し，銅クロム母合金，銅ジルコニウム母合金，亜鉛，チ
タン，軟鋼，ニッケル，スズ，インジウム，マンガン，
マグネシウム，シリコン，銅リン母合金，アルミニウ
ム，コバルト，ホウ素，銀，ハフニウムを副原料とし，
高周波溶解炉にて表１に示す各種成分組成の銅合金を真
空中またはAr雰囲気中で溶製し，厚さ30mmのインゴット
に鋳造した。次に，これらの各インゴットを熱間加工お
よび溶体化処理，１回目の冷間圧延，時効処理，最終の
冷間圧延，歪取焼鈍の順に行い，厚さ0.035mmの箔とし
た。
【００１５】
【表１】
【００１６】このようにして得られた各合金につき諸特
性の評価を行った。引張強さについては引張試験機を用
いて測定した。導電率は導電率（％ＩＡＣＳ）により評
価した。表面粗さは，銅合金箔の圧延平行方向と圧延直
角方向のRyとRaを表面粗さ計にて測定することで求めた
（測定はＪＩＳ Ｂ０６０１に準じる）。Raについては3
次元走査型電子顕微鏡より表面積を求めても同等の傾向
が得られた。さらに，サンプル（長さ10m，幅60ｍｍ）
を目視観察することで表面欠陥の数を測定した。この結
果欠陥数が5個未満だったものを○，5個以上だったもの
を×と判定した。
性の評価を行った。引張強さについては引張試験機を用
いて測定した。導電率は導電率（％ＩＡＣＳ）により評
価した。表面粗さは，銅合金箔の圧延平行方向と圧延直
角方向のRyとRaを表面粗さ計にて測定することで求めた
（測定はＪＩＳ Ｂ０６０１に準じる）。Raについては3
次元走査型電子顕微鏡より表面積を求めても同等の傾向
が得られた。さらに，サンプル（長さ10m，幅60ｍｍ）
を目視観察することで表面欠陥の数を測定した。この結
果欠陥数が5個未満だったものを○，5個以上だったもの
を×と判定した。
【００１７】表2に本発明例の特性評価結果を表記す
る。
る。
【００１８】
【表２】
【００１９】次に表3に比較例合金の化学成分，表4に比
較例の特性評価結果を表記する。
較例の特性評価結果を表記する。
【００２０】
【表３】
【００２１】
【表４】
【００２２】本実施例合金Ｎｏ．１〜２７は，表から明
らかなように良好な特性の箔が得られた。これに対し比
較例合金Ｎｏ．28，30では合金成分が適性範囲より少な
いため強度が劣る例であり，比較例合金Ｎｏ．29，31，
32，33は主成分が適性範囲より多いため表面欠陥が多い
場合であり，比較例合金Ｎｏ．34は副成分が適性範囲を
超えているため導電性が劣る例である。
らかなように良好な特性の箔が得られた。これに対し比
較例合金Ｎｏ．28，30では合金成分が適性範囲より少な
いため強度が劣る例であり，比較例合金Ｎｏ．29，31，
32，33は主成分が適性範囲より多いため表面欠陥が多い
場合であり，比較例合金Ｎｏ．34は副成分が適性範囲を
超えているため導電性が劣る例である。
【００２３】更に，本発明例合金N0.1，4，6，10，13，
15，20，22および26について圧延ロールの粗さを種々準
備し，表面粗さの異なる供試材を作製し，これらをエッ
チングにより圧延方向１mm幅に加工し，100mm長さにつ
いて10MHz，20mAの高周波電流を流し，電圧降下を測定
し，インピーダンスを求めた。また，製品で表面検査を
行い，良好だったものを○，表面に長さ100mm以上のス
リップ傷が発生し，実用上製品化不可能と判断されたも
のを×とした。表５に表面粗さとインピーダンスの測定
結果を表記する。スリップ傷の発生した、ｎ、ｑのイン
ピーダンスはスリップ傷の発生してない部位を加工、測
定した値であり小さい値を示している。
15，20，22および26について圧延ロールの粗さを種々準
備し，表面粗さの異なる供試材を作製し，これらをエッ
チングにより圧延方向１mm幅に加工し，100mm長さにつ
いて10MHz，20mAの高周波電流を流し，電圧降下を測定
し，インピーダンスを求めた。また，製品で表面検査を
行い，良好だったものを○，表面に長さ100mm以上のス
リップ傷が発生し，実用上製品化不可能と判断されたも
のを×とした。表５に表面粗さとインピーダンスの測定
結果を表記する。スリップ傷の発生した、ｎ、ｑのイン
ピーダンスはスリップ傷の発生してない部位を加工、測
定した値であり小さい値を示している。
【００２４】
【表５】
【００２５】本発明例の請求項の規定水準内で実施した
本発明例合金のNo.1，4，6，10，13，15，20，22および
26の組成に各々対応する記号ａ〜ｉは良好なインピーダ
ンス，表面品質が得られた。これに対し比較例合金に各
々対応する記号ｊ，ｋ，ｌ，ｍ，ｏ，ｐ，ｒはいずれも
RyまたはRaが大きいためにインピーダンスが増加した例
であり，比較例記号ｎおよびｑはRaが小さいためにスリ
ップ傷が発生した例である。
本発明例合金のNo.1，4，6，10，13，15，20，22および
26の組成に各々対応する記号ａ〜ｉは良好なインピーダ
ンス，表面品質が得られた。これに対し比較例合金に各
々対応する記号ｊ，ｋ，ｌ，ｍ，ｏ，ｐ，ｒはいずれも
RyまたはRaが大きいためにインピーダンスが増加した例
であり，比較例記号ｎおよびｑはRaが小さいためにスリ
ップ傷が発生した例である。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように，本発明により合金
組成と合金の表面粗さを特定することによって，非接触
ICカードアンテナ用として従来にない最適な銅合金箔が
得られる。
組成と合金の表面粗さを特定することによって，非接触
ICカードアンテナ用として従来にない最適な銅合金箔が
得られる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ２２Ｃ 9/08 Ｃ２２Ｃ 9/08 9/10 9/10 Ｇ０６Ｋ 19/077 Ｇ０６Ｋ 19/00 Ｋ
Claims (6)
- 【請求項１】質量百分率（％）に基づいて（以下、％と
表記する）Zr：0.01％以上0.25％以下を含有し，残部を
銅及び不可避不純物とし，表面粗さにおいて，最大高さ
（以下Ryとする）を0.3μm以上3.5μm以下，算術平均粗
さ(以下Raとする)を0.02μm以上0.2μm以下とした高周
波回路用銅合金箔。 - 【請求項２】Zr：0.01％以上0.25％以下を含有し，更に
Zn，Ni，Sn，Si，Mn，P，Mg，Co，Al，B，In，Agおよび
Hfの1種以上を総量で0.005％以上1.5％以下をも含有さ
せ，残部が銅及び不可避不純物とし，表面粗さにおい
て，Ryを0.3μm以上3.5μm以下，Raを0.02μm以上0.2μ
m以下とした高周波回路用銅合金箔。 - 【請求項３】Cr：0.02％以上0.4％以下，Zr：0.01％以
上0.25％以下を含有し，残部を銅及び不可避不純物と
し，表面粗さにおいて，Ryを0.3μm以上3.5μm以下，Ra
を0.02μm以上0.2μm以下とした高周波回路用銅合金
箔。 - 【請求項４】Cr：0.02％以上0.4％以下，Zr：0.01％以
上0.25％以下を含有し，更にZn，Ni，Sn，Si，Mn，P，M
g，Co，Al，B，In，AgおよびHfの1種以上を総量で0.005
％以上1.5％以下をも含有させ，残部が銅及び不可避不
純物とし，表面粗さにおいて，Ryを0.3μm以上3.5μm以
下，Raを0.02μm以上0.2μm以下とした高周波回路用銅
合金箔。 - 【請求項５】Cr：0.02％以上0.4％以下，Zr：0.01％以
上0.25％以下，Fe：0.05％以上1.8％以下，Ti：0.05％
以上0.8％以下を含有し，残部を銅及び不可避不純物と
し，表面粗さにおいて，Ryを0.3μm以上3.5μm以下，Ra
を0.02μm以上0.2μm以下とした高周波回路用銅合金
箔。 - 【請求項６】Cr：0.02％以上0.4％以下，Zr：0.01％以
上0.25％以下，Fe：0.05％以上1.8％以下，Ti：0.05％
以上0.8％以下を含有し，更にZn，Ni，Sn，Si，Mn，P，
Mg，Co，Al，B，In，AgおよびHfの1種以上，総量で0.00
5％以上1.5％をも含有させ，残部が銅及び不可避不純物
とし，表面粗さにおいて，Ryを0.3μm以上3.5μm以下，
Raを0.02μm以上0.2μm以下とした高周波回路用銅合金
箔。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000226421A JP3760089B2 (ja) | 2000-07-27 | 2000-07-27 | 高周波回路用銅合金箔 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000226421A JP3760089B2 (ja) | 2000-07-27 | 2000-07-27 | 高周波回路用銅合金箔 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002038226A true JP2002038226A (ja) | 2002-02-06 |
| JP3760089B2 JP3760089B2 (ja) | 2006-03-29 |
Family
ID=18720042
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000226421A Expired - Fee Related JP3760089B2 (ja) | 2000-07-27 | 2000-07-27 | 高周波回路用銅合金箔 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3760089B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7172818B2 (en) * | 2002-09-02 | 2007-02-06 | Furukawa Circuit Foil Co., Ltd. | Copper foil for chip-on-film use, plasma display panel, or high-frequency printed circuit board |
| WO2009044822A1 (ja) * | 2007-10-03 | 2009-04-09 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | 電気・電子部品用銅合金板材 |
| JP2010227971A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Nippon Mining & Metals Co Ltd | 圧延銅箔 |
| JP2011058029A (ja) * | 2009-09-08 | 2011-03-24 | Mitsubishi Shindoh Co Ltd | 銅合金箔 |
| JP2016060951A (ja) * | 2014-09-19 | 2016-04-25 | 三菱マテリアル株式会社 | 電子・電気機器用銅合金、電子・電気機器用銅合金薄板、電子・電気機器用部品、端子及びバスバー |
| EP3064604A4 (en) * | 2013-11-01 | 2017-02-22 | AutoNetworks Technologies, Ltd. | Copper alloy wire, copper alloy stranded wire, coated electric wire, wire harness and manufacturing method of copper alloy wire |
| CN107267797A (zh) * | 2016-03-31 | 2017-10-20 | Ｊｘ金属株式会社 | 钛铜箔、延展铜产品、电子设备部件以及自动调焦摄像机模块 |
-
2000
- 2000-07-27 JP JP2000226421A patent/JP3760089B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7172818B2 (en) * | 2002-09-02 | 2007-02-06 | Furukawa Circuit Foil Co., Ltd. | Copper foil for chip-on-film use, plasma display panel, or high-frequency printed circuit board |
| WO2009044822A1 (ja) * | 2007-10-03 | 2009-04-09 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | 電気・電子部品用銅合金板材 |
| JP2010227971A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Nippon Mining & Metals Co Ltd | 圧延銅箔 |
| JP2011058029A (ja) * | 2009-09-08 | 2011-03-24 | Mitsubishi Shindoh Co Ltd | 銅合金箔 |
| EP3064604A4 (en) * | 2013-11-01 | 2017-02-22 | AutoNetworks Technologies, Ltd. | Copper alloy wire, copper alloy stranded wire, coated electric wire, wire harness and manufacturing method of copper alloy wire |
| JP2016060951A (ja) * | 2014-09-19 | 2016-04-25 | 三菱マテリアル株式会社 | 電子・電気機器用銅合金、電子・電気機器用銅合金薄板、電子・電気機器用部品、端子及びバスバー |
| CN107267797A (zh) * | 2016-03-31 | 2017-10-20 | Ｊｘ金属株式会社 | 钛铜箔、延展铜产品、电子设备部件以及自动调焦摄像机模块 |
| CN107267797B (zh) * | 2016-03-31 | 2020-06-23 | Ｊｘ金属株式会社 | 钛铜箔、延展铜产品、电子设备部件以及自动调焦摄像机模块 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3760089B2 (ja) | 2006-03-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP2508632B1 (en) | Copper alloy sheet material | |
| EP2339038B1 (en) | Copper alloy sheet for electric and electronic part | |
| JP3962751B2 (ja) | 曲げ加工性を備えた電気電子部品用銅合金板 | |
| EP1630239A1 (en) | Copper alloy and method of manufacturing the same | |
| WO2015152166A1 (ja) | 銅合金線材及びその製造方法 | |
| CN105339513B (zh) | 电子电气设备用铜合金、电子电气设备用铜合金薄板、电子电气设备用导电元件及端子 | |
| JP4157899B2 (ja) | 曲げ加工性に優れた高強度銅合金板 | |
| US9493858B2 (en) | Copper alloy | |
| JP2013047360A (ja) | Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金及びその製造方法 | |
| CN103443309B (zh) | 铜合金板材及其制造方法 | |
| KR20140002001A (ko) | 굽힘 가공성이 우수한 Cu-Ni-Si 계 합금조 | |
| CN101466856A (zh) | 电气电子零件用铜合金板 | |
| KR20160088379A (ko) | 구리 합금판, 그리고 그것을 구비하는 대전류용 전자 부품 및 방열용 전자 부품 | |
| JP2001049369A (ja) | 電子材料用銅合金及びその製造方法 | |
| JP2006274289A (ja) | 強度と曲げ加工性に優れたチタン銅合金及びその製造方法 | |
| JP3760089B2 (ja) | 高周波回路用銅合金箔 | |
| JP3765718B2 (ja) | 高周波回路用銅合金箔 | |
| WO2018180941A1 (ja) | Ｃｕ－Ｎｉ－Ｓｉ系銅合金条 | |
| JP4429611B2 (ja) | 銅合金複合箔、その製造法及び該銅合金複合箔を用いた高周波伝送回路 | |
| CN105283567B (zh) | 电子电气设备用铜合金、电子电气设备用铜合金薄板、电子电气设备用导电元件及端子 | |
| JP4539939B2 (ja) | 高周波回路用銅合金箔 | |
| CN108796296A (zh) | 一种铜合金及其应用 | |
| JP2002226929A (ja) | 高周波回路用銅合金箔 | |
| EP1245690A1 (en) | Copper, copper alloy, and manufacturing method therefor | |
| US20060147742A1 (en) | Composite copper foil, method of production thereof and high frequency transmission circuit using said composite copper foil |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050913 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060104 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060106 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090113 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100113 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110113 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110113 Year of fee payment: 5 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110113 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120113 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120113 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130113 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130113 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140113 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |