JP2002033035A - 保護素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 プラスチックフィルムで融着封止した低融点
合金を有する温度ヒューズ、抵抗付きヒューズ、電流ヒ
ューズ、温度ヒューズ兼電流ヒューズ等の保護素子の耐
湿性を向上する。 【解決手段】 ホットメルト樹脂層２を有するプラスチ
ックフィルム１に形成した電極３，４の外方端にリード
５，６を接続するとともに、電極３，４の内方端間にま
たがって低融点合金７を接続し、低融点合金７をフラッ
クス８で被覆し、その上方からホットメルト樹脂層１０
を有するプラスチックフィルム９を被せて、前記ホット
メルト樹脂層２，１０同士をレーザ照射加熱、高周波加
熱、熱圧着等により融着封止した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、保護素子に関し、
より詳細には、特定温度で溶融する低融点合金を有する
温度ヒューズや、低融点合金とこの低融点合金を通電加
熱により強制的に溶断させる抵抗体とを有する抵抗付き
ヒューズや、電流ヒューズや、温度ヒューズ兼電流ヒュ
ーズ等の保護素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子機器等を過熱損傷から保護する保護
素子として、特定温度で動作して回路を遮断する温度ヒ
ューズが用いられている。この種の温度ヒューズには、
感温材として特定温度で溶融する絶縁性の化学物質から
なる感温ペレットを用いて、感温ペレットの溶融時に圧
縮ばねの伸長により可動接点を固定接点から開離する感
温ペレットタイプのもの（ａ）と、感温材として特定温
度で溶融する低融点合金を用いて、この低融点合金に通
電し、周囲温度の過昇により低融点合金が溶融して回路
を遮断する低融点合金タイプ（ｂ）とがある。また、低
融点合金と抵抗体とを具備し、抵抗体の通電加熱により
低融点合金を強制的に溶断させる抵抗付きヒューズと称
される保護素子（ｃ）もある。また、過電流で溶断する
電流ヒユーズ（ｄ）もある。さらに、周囲温度の過昇に
対しては温度ヒューズとして機能するとともに、過電流
に対しては電流ヒューズとして機能する温度ヒューズ兼
電流ヒューズと称される保護素子（ｅ）もある。

【０００３】本発明は、前記ｂタイプの温度ヒューズ
や、ｃタイプの抵抗付きヒューズや、ｄタイプの電流ヒ
ューズや、さらにはｅタイプの温度ヒューズ兼電流ヒュ
ーズ等と称される各種の保護素子の改良に関するもので
あるから、以下、そのようなタイプのものについて説明
する。前記ｂタイプの保護素子としては、例えば実開昭
５７−１４１３４６号公報に開示されている。また、ｃ
タイプの保護素子としては、例えば実開昭５８−５２８
４８号公報に開示されている。そして、前記ｂタイプお
よびｃタイプの保護素子を絶縁基板を用いて薄型構造に
したものもある。

【０００４】まず、前記ｂタイプの薄型温度ヒューズと
称される保護素子Ｄについて、図１８および図１９を用
いて説明する。図１８は、従来の最も一般的な薄型温度
ヒューズと称される保護素子Ｄの一部を切り開いた平面
図を示し、図１９はその長手方向の中心線に沿う縦断面
図を示す。図１８および図１９において、７１はポリエ
チレンテレフタレート（ＰＥＴ）等の可撓性を有するプ
ラスチックフィルムで、その長手方向の両端に、金属箔
の接着等により一対の電極７２，７３が形成されてい
る。前記電極７２，７３の各外方端には、リード７４，
７５がはんだ付け等により接続固定されている。また、
前記電極７２，７３の内方端にまたがって、特定温度で
溶融する低融点合金７６が溶接等により接続され、この
低融点合金７６の表面をフラックス７７で被覆してい
る。そして、このフラックス７７の上方からポリエチレ
ンテレフタレート（ＰＥＴ）等の可撓性を有するプラス
チックフィルム７８を被せて、上下のプラスチックフィ
ルム７１，７８を熱圧着等により融着止されている。

【０００５】この保護素子Ｄは、例えばリード７４，７
５を電気機器ないし電子機器（以下、単に電子機器とい
う）に直列に接続するとともに、異常時に温度上昇する
個所に設置しておくことにより、リード７４−電極７２
−低融点合金７６−電極７３−リード７５を通って、電
子機器に通電することができる。電子機器の短絡等の異
常により、周囲温度が上昇すると、まず、フラックス７
７が溶融して、低融点合金７６の表面を清浄化および活
性化して、低融点合金７６の溶融に備える。周囲温度が
さらに上昇して低融点合金７６の融点に達すると、低融
点合金７６が溶融し、表面張力によって電極７２，７３
に引き寄せられて、球状化した低融点合金７６ａ，７６
ｂとなる（図示省略）ため、回路が遮断され、電子機器
への通電が遮断される。これによって、周囲温度が下降
しても、球状化した低融点合金７６ａ，７６ｂは、元の
形状には復元しないため、回路は遮断されたままとな
り、いわゆる非復帰型の保護素子として機能する。この
ような保護素子Ｄは、従来のセラミック等の絶縁基板や
セラミックまたは耐熱性樹脂製の絶縁キャップを用いる
ものに比較して、薄型となり、可撓性を有するという特
長がある。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記温
度ヒューズＤにおいては、電極７２，７３およびリード
７４，７５以外の部分は、プラスチックフィルム７１，
７８同士の融着によって封止されるが、電極７２，７３
およびリード７４，７５部分は、プラスチックフィルム
７１，７８と電極７２，７３およびリード７４，７５と
の融着封止ができないため、耐湿性が十分でなかった。

【０００７】そこで、例えば、特開２０００−１３３１
０２号公報には、上記の保護素子Ｄの例でいえば、電極
７２，７３および／またはリード７４、７５の上に接着
剤を塗布して、封止することが開示されている。このよ
うな構成によれば、接着剤によって電極７２，７３およ
び／またはリード７４、７５とプラスチックフィルム７
１，７８との封止性は向上するが、電極７２，７３およ
び／またはリード７４、７５の上に、一々接着剤を塗布
することは、極めて煩雑であり、製造効率が悪いのみな
らず、接着剤の塗布忘れや塗布不良等の原因で、十分な
封止性が得られない場合があった。

【０００８】上記の問題点は、上述した温度ヒューズと
称される保護素子Ｄのみならず、低融点合金と抵抗体と
を有し、抵抗体への通電による発熱により、前記低融点
合金を強制的に溶断させるようにした，いわゆる抵抗付
きヒューズと称される保護素子においても、同様に発生
していた。また、低融点合金を有し、所定以上の過電流
が流れると自己発熱で溶断する電流ヒューズと称される
保護素子においても、同様であった。さらに、周囲温度
の過昇に対しては温度ヒューズとして機能するととも
に、過電流に対しては電流ヒューズとしても機能する，
いわゆる温度ヒューズ兼電流ヒューズと称される保護素
子においても同様であった。

【０００９】そこで、本発明は、導体間にまたがって低
融点合金を接続し、フラックスで被覆して、上下からプ
ラスチックフィルムで封止した温度ヒューズ，抵抗付き
ヒューズ，電流ヒューズ，温度ヒューズ兼電流ヒューズ
等の保護素子において、耐湿性の優れた、しかも製造容
易な保護素子を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、離隔した導体
間にまたがって形成された低融点合金と、低融点合金を
被覆するフラックスと、前記導体およびフラックスを上
下から可撓性を有するプラスチックフィルムで封止した
保護素子において、前記プラスチックフィルムの封止面
にホットメルト樹脂層を形成し、このホットメルト樹脂
層を加熱により融着封止したことを特徴とする保護素子
である。

【００１１】以下、本発明の各種構成と、作用効果につ
いて説明する。本発明の請求項１に記載の発明は、離隔
した導体間にまたがって形成された低融点合金と、低融
点合金を被覆するフラックスと、前記導体およびフラッ
クスを上下から可撓性を有するプラスチックフィルムで
封止した保護素子において、前記プラスチックフィルム
が、封止面にホットメルト樹脂層を有し、このホットメ
ルト樹脂層が加熱により融着封止されていることを特徴
とする保護素子である。このように、プラスチックフィ
ルムが、封止面にホットメルト樹脂層を有し、このホッ
トメルト樹脂層を加熱融着封止すると、上下プラスチッ
クフィルム同士はもちろんのこと、導体とプラスチック
フィルム間もホットメルト樹脂層を介して容易かつ確実
に封止でき、耐湿性の優れた保護素子が提供できる。ま
た、導体部分のみに接着剤を塗布するものに比較して、
導体部分に一々接着材を塗布する煩雑な作業が省略でき
るのみならず、接着剤の塗布忘れや塗布不良等による耐
湿性低下がなく、容易かつ確実に優れた耐湿性の保護素
子が得られる。

【００１２】本発明の請求項２に記載の発明は、前記プ
ラスチックフィルムが、ポリアミド（ＰＡ），アクリロ
ニトリルブタジエンスチレン（ＡＢＳ），アクリロニト
リルスチレン（ＡＳ），ポリメチルメタアクリル（ＰＭ
ＭＡ），ポリビニルアルコール（ＰＶＡＬ），ポリ塩化
ビニリデン（ＰＶＤＣ），ポリエチレンテレフタレート
（ＰＥＴ），ポリアセタール（ＰＯＭ），ポリカーボネ
ート（ＰＣ），ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ），ポ
リブチレンテレフタレート（ＰＢＴＰ），超高分子量ポ
リエチレン（ＵＨＭＷ−ＰＥ），ポリふっ化ビニリデン
（ＰＶＤＦ），ポリサルホン（ＰＳＦ），ポリエーテル
サルフォン（ＰＥＳ），ポリフェニレンサルファイド
（ＰＰＳ），ポリアリレート（ＰＡＲ），ポリアミドイ
ミド（ＰＡＩ），ポリエーテルイミド（ＰＥＩ），ポリ
エーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ），ポリイミド（Ｐ
Ｉ），液晶ポリマ（ＬＣＰ），ポリテトラフロロエチレ
ン（ＰＴＦＥ），フエノール（ＰＦ），ユリア（Ｕ
Ｆ），メラミン（ＭＦ），不飽和ポリエステル（Ｕ
Ｐ），エポキシ（ＥＰ），シリコーン（ＳＩ），ポリウ
レタン（ＰＵＲ）およびポリエチレンナフタレート（Ｐ
ＥＮ）の中から選択された１種，またはこれらの２種以
上を混合したもの，またはこれらの２種以上を積層した
もの，またはこれらを主成分とするもののいずれかであ
ることを特徴とする請求項１に記載の保護素子である。
このように、プラスチックフィルムの材質を選定する
と、プラスチックフィルム自体の耐湿性も高くなり、よ
り一層耐湿性の高い保護素子が得られる。

【００１３】本発明の請求項３に記載の発明は、前記ホ
ットメルト樹脂層が、ポリアミド系、ゴム系、アクリル
系、エポキシ系、ポリエステル系、フェノール系、酢酸
ビニル系のいずれかであることを特徴とする請求項１に
記載の保護素子である。このように、ホットメルト樹脂
層の材質を選定すると、プラスチックフィルムに熱的ダ
メージを与えることなく、耐湿性の優れた保護素子が得
られる。

【００１４】本発明の請求項４に記載の発明は、前記ホ
ットメルト樹脂層が、前記プラスチックフィルムの封止
面全面に形成されていることを特徴とする請求項１また
は３のいずれかに記載の保護素子である。このように、
ホットメルト樹脂層をプラスチックフィルムの封止面全
面に形成することにより、電極やリード部分に一々接着
剤を塗布する手間が省け、しかも、電極やリード部分以
外のプラスチックフィルム同士の封止性も向上する。

【００１５】本発明の請求項５に記載の発明は、前記導
体が、前記プラスチックフィルムの封止面に形成された
電極であることを特徴とする請求項１に記載された保護
素子である。このように、導体がプラスチックフィルム
面に形成されている電極であると、電極が薄くて保護素
子の薄型化に有利である。

【００１６】本発明の請求項６に記載の発明は、前記電
極が、導電ペーストの塗布，箔の接着，めっき，蒸着，
スパッタのいずれかで形成されたものであることを特徴
とする請求項５に記載の保護素子である。このようにし
て形成された電極は、プラスチックフィルムと一体で、
かつ薄型に形成できる。

【００１７】本発明の請求項７に記載の発明は、前記導
体が、リードであることを特徴とする請求項１に記載の
保護素子である。このように、導体がリードであると、
電極が不要になり、材料費および加工費が低減できる。

【００１８】本発明の請求項８に記載の発明は、前記導
体が、銅，ニッケル，銅合金またはニツケル合金の中か
ら選択されたものであることを特徴とする請求項５ない
し７のいずれかに記載の保護素子である。このように、
導体が上記材料から選択されると、材料費が安く、導電
性も問題がないし、保護素子を電子機器に組み込む場合
に、ねじ止め等の機械的方法のみならず、特にリードを
銅，または銅合金で形成下場合は、はんだ付けによって
行うことができるし、リードをニッケル，またはニツケ
ル合金で形成下場合は、抵抗溶接によっても行うことが
できる。

【００１９】本発明の請求項９に記載の発明は、前記導
体の一部または全面に、金層を有することを特徴とする
請求項５ないし８のいずれかに記載の保護素子である。
このように、導体に金層を形成すると、電極やリード等
の導体材料に直接低融点合金を溶接により接続する場合
に比較して、低融点合金の溶接性が向上して、溶接が容
易かつ確実に行え、接続抵抗が小さくなり、保護素子の
内部抵抗を小さくできる。

【００２０】本発明の請求項１０に記載の発明は、前記
導体が、表面にはんだ層を有することを特徴とする請求
項５ないし９のいずれかに記載の保護素子である。この
ように、導体がその表面にはんだ層を有すると、電極や
リード等の導体材料に直接低融点合金を溶接により接続
する場合に比較して、低融点合金の溶接性が向上して、
溶接が容易かつ確実に行え、接続抵抗が小さくなり、保
護素子の内部抵抗を小さくできる。

【００２１】本発明の請求項１１記載の発明は、前記保
護素子が、温度ヒューズ，抵抗付きヒューズ，電流ヒュ
ーズまたは温度ヒューズ兼電流ヒューズのいずれかであ
ることを特徴とする請求項１ないし１０のいずれかに記
載の保護素子である。このような構成によると、耐湿性
の優れた各種の保護素子が得られる。

【００２２】本発明の実施態様について、以下、図面を
参照して説明する。

【実施態様１】図１は本発明の第１実施態様の温度ヒュ
ーズからなる保護素子Ａの一部を切り開いた平面図を示
し、図２はその長手方向の中心線に沿う断面図である。
図１および図２において、１は可撓性を有するプラスチ
ックフィルムで、例えばポリアミド（ＰＡ），ＡＢＳ，
ＡＳ，ポメチルメタアクリル（ＰＭＭＡ），ポリビニル
アルコール（ＰＶＡ），ポリ塩化ビニリデン（ＰＶＤ
Ｃ），ポリエチレルテレフタレート（ＰＥＴ），ポリア
セタール（ＰＯＭ），ポリカーボネート（ＰＣ），ポリ
フェニレンエーテル（ＰＰＥ），ポリブチレンテレフタ
レート（ＰＢＴ），超高分子量ポリエチレン（ＵＨＭＷ
−ＰＥ），ＰＶＤＦ，ポリサルホン（ＰＳＦ），ポリエ
ーテルサルフォン（ＰＥＳ），ポリフェニレンサルファ
イド（ＰＰＳ），ポリアリレート（ＰＡＲ），ポリアミ
ドイミド（ＰＡＩ），ポリエーテルイミド（ＰＥＩ），
ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ），ポリイミド
（ＰＩ），液晶ポリマ（ＬＣＰ），ポリテトラフロロエ
チレン（ＰＴＦＥ），フエノール（ＰＦ），ユリア（Ｕ
Ｆ），メラミン（ＭＦ），不飽和ポリエステル（Ｕ
Ｐ），エポキシ（ＥＰ），シリコーン（ＳＩ），ポリウ
レタン（ＰＵＲ）およびポリエチレンナフタレート（Ｐ
ＥＮ）の中から選択された１種，またはこれらの２種以
上を混合したもの，またはこれらの２種以上を積層した
もの，またはこれらを主成分とするものの中から選択さ
れている。

【００２３】このプラスチックフィルム１の封止面全面
にわたって、ポリアミド系、ゴム系、アクリル系、エポ
キシ系、ポリエステル系、フェノール系、酢酸ビニル系
のいずれかから選択された材料からなるホットメルト樹
脂層２が形成されている。

【００２４】前記ホットメルト樹脂層２の上の離隔した
位置には、プラスチックフィルム１の長手方向の両端に
銅，ニッケル，銅合金，ニッケル合金からなる電極３，
４を有する。これらの電極３，４は、ホットメルト樹脂
層２の上に接着剤を介してあるいはホットメルト樹脂層
２により直接接着された箔状のものでもよいし、ホット
メルト樹脂層２の上にめっき，蒸着，スパッタ等で形成
されたものでもよい。箔状のものを接着した場合は、一
旦全面に接着したものを、フォトエッチング法で所定の
形状にパターニングすればよいし、めっき，蒸着，スパ
ッタ等で形成されたものの場合は、一旦全面に被着した
ものを前記同様にフォトエッチング法でパターニングし
てもよいし、所定形状の窓孔を有するマスクやレジスト
を用いて直接所定形状に形成したものでもよい。

【００２５】ここで、電極２，３は、図１８および図１
９の保護素子Ｄとは異なり、プラスチックフィルム１の
長手方向の両端から寸法ａだけ退入するとともに、短手
方向の両端から寸法ｂだけ退入して形成されている。こ
れによって、後で説明するように、ホットメルト樹脂層
同士の融着封止面積を増大させて封止性を向上し、もっ
て耐湿性を向上させている。

【００２６】なお、これらの電極３，４は、その表面の
一部または全面に金層を形成してもよい。金層を形成す
ることによって、電極３，４の導電性が増大するのみな
らず、後述するリードや低融点合金のはんだ付け性や溶
接性が向上する。また、これらの電極３，４の上には、
金層に代えて、あるいは金層の上にさらに、はんだ層が
形成されてもよい。はんだ層を形成することによって、
電極３，４の導電性が増大するのみならず、後述するリ
ードや低融点合金のはんだ付け性や溶接性が向上する。

【００２７】前記電極３，４の外方端には、それぞれ銅
またはニッケル製のリード５，６がはんだ付け等により
接続されている。また、前記電極３，４の内方端間にま
たがって、低融点合金７が溶接等により接続されてい
る。この低融点合金７の表面は、フラックス８で被覆さ
れている。電極３，４およびフラックス８の上方から、
前記プラスチックフィルム１と同種または異種の材料か
らなり、その封止面に前記ホットメルト樹脂層２と同様
のホットメルト樹脂層１０を形成したプラスチックフィ
ルム９が前記ホットメルト樹脂層１０側を下にして被せ
られ、前記プラスチックフィルム１のホットメルト樹脂
層２とプラスチックフィルム９のホットメルト樹脂層１
０とが、レーザ照射加熱、高周波加熱、熱圧着等により
融着封止されている。

【００２８】このような構成の温度ヒューズよりなる保
護素子Ａによると、可撓性を有するプラスチックフィル
ム１および９を用いているので、プラスチックフィルム
１および９の厚さをそれぞれ５０μｍ程度にできるこ
と、および低融点合金７をリード５，６の上に接続しな
いで、電極３，４に接続していること、すなわち、リー
ド５，６と低融点合金７とを平面的に配置していること
によって、保護素子Ａ全体の厚さを４００μｍ程度と薄
型化することができる。また、ホットメルト樹脂層２，
１０による融着封止を行っているので、ホットメルト樹
脂層２，１０同士の融着封止部分はもちろんのこと、電
極２，３およびリード５，６との封止部分も、ホットメ
ルト樹脂層２，１０により融着封止されるため、容易か
つ確実に封止されて、高い耐湿性の保護素子が得られ
る。しかも、前述のように、電極２，３をプラスチック
フィルム１の長手方向の両端および短手方向の両端から
それぞれ寸法ａ，ｂだけ退入させているので、電極２，
３が封止端面に露出せず、しかもホットメルト樹脂層２
と１０との融着封止面積が増大しており、優れた耐湿性
の保護素子が得られる。

【００２９】また、前述のように、低融点合金７をリー
ド５，６の上に接続しないで、電極３，４に接続してい
ることによって、リード５，６を電子機器に組み込む場
合に、はんだ付けや抵抗溶接により接続しても、はんだ
付け時や抵抗溶接時の熱がリード５，６から直接低融点
合金７に伝達しないで、一旦電極３，４を介して低融点
合金７に伝達することによって、リード５，６のはんだ
付け時や抵抗溶接時の熱によって低融点合金７が誤溶融
することがない。換言すれば、はんだ付けや抵抗溶接の
時間を長くしても、低融点合金７が誤溶融しないので、
リード５，６を容易かつ確実にはんだ付けすることがで
きる。

【００３０】

【製造方法の実施態様１】次に、本発明の第１実施態様
の保護素子Ａの製造方法の第１実施態様について説明す
る。図３はその製造工程ブロック図で、図４ないし図９
は各工程におけるプラスチックフィルム等の正面図また
は部分断面図である。まず、前述した可撓性を有する材
料よりなり、片面全面にホットメルト樹脂層２を有する
プラスチックフィルム１を用意する（図３ａ，図４）。
次に、プラスチックフィルム１の表面にホットメルト樹
脂層２を介して銅，ニッケル，銅合金またはニッケル合
金等よりなる導電性箔材を接着するか、導電ペーストを
塗布乾燥するか、蒸着、スパッタ、めっき等により電極
３，４を形成する（図３ｂ，図５）。もし必要であれ
ば、電極３，４の上に金層（図示省略）をめっき法等で
形成する。この金層は、後述するリード５，６のはんだ
付けおよび低融点合金７の溶接を容易にするとともに、
接続強度を大きくするのに役立つものである。また、電
極３，４の表面に、あるいは上記金層の表面に、低融点
合金７よりも高融点のはんだ層をめっき形成する。この
はんだ層は、後述するリード５，６のはんだ付けおよび
低融点合金７の溶接を容易にするとともに、接続強度を
大きくするのに役立つものである。前記のように電極
３，４に直接または必要により金層やはんだ層を形成し
た電極３，４の外方端に、銅，ニッケル，銅合金または
ニッケル合金等よりなるリード５，６を前記はんだ層等
を利用して接続する（図３ｃ，図６）。また、前記電極
３，４に直接または必要により金層やはんだ層を形成し
た電極３，４の内方端間に、低融点合金７を溶接等によ
り接続する（図３ｄ，図７）。この低融点合金７の上か
ら、この低融点合金７よりも融点の低いフラックス８を
塗布して、低融点合金７全体を被覆する。なお、常温で
糊状のフラックスを用いる場合は、フラックス８の融点
が低融点合金７の融点と同一かまたは若干高くてもよい
（図３ｅ，図８）。最後に、電極３，４およびフラック
ス８の上から、前記プラスチックフィルム１と同種また
は異種の可撓性を有する材料からなり片面全面にホット
メルト樹脂層１０を有するプラスチックフィルム９を被
せ(図９)、プラスチックフィルム１のホットメルト樹脂
層２とプラスチックフィルム９のホットメルト樹脂層１
０とを、レーザ照射加熱、高周波加熱、熱圧着等により
融着封止する。このとき、電極３，４およびリード５，
６の部分は、プラスチックフィルム９の内面側に形成さ
れているホットメルト樹脂層１０の融着により確実に封
止される（図３ｆ）。すると、図１および図２に示すよ
うな温度ヒューズと称される保護素子Ａが得られる。

【００３１】

【製造方法の実施態様２】次に、本発明の第１実施態様
の保護素子Ａの製造方法の第２実施態様について説明す
る。図１０は、保護素子Ａの製造方法の第２実施態様の
製造工程途中の平面図で、第１実施態様の図４ないし図
９に対応する平面図である。ここで、図４ないし図９で
は、各工程におけるプラスチックフィルム１等を正面か
ら見た状態を示しているが、本第２実施態様では、各工
程における状態を一つの平面図内に併示している。すな
わち、片面全面にホットメルト樹脂層２ａを形成した長
尺のプラスチックフィルム１ａを用意し、その短手方向
の両端に長手方向に沿って電極３…，４…（および必要
に応じて金層やはんだ層）を形成し、各電極３…，４…
の外方端に所定間隔でリード５…，６…を接続し、電極
３…，４…の内方端間にまたがって低融点合金７，７…
を溶接等により接続し、各低融点合金７，７…にフラッ
クス８，８…を塗布被覆し、さらにフラックス８，８…
の上方から片面全面にホットメルト樹脂層１０ａを形成
した長尺のプラスチックフィルム９ａを被せて、ホット
メルト樹脂層２ａ，１０ａ同士を融着封止する。融着封
止後、プラスチックフィルム１ａおよび９ａを各低融点
合金７およびフラックス８ごとに切断分離すると、図１
および図２に示す第１実施態様の保護素子Ａと同様の保
護素子Ａが得られる。

【００３２】なお、前記図１０において、各独立したリ
ード５，…，６，…に代えて、図示二点鎖線で示すよう
に、各リード５，…，６，…が一体となった櫛歯状のリ
ードフレーム５ａ，６ａを用いると、各リード５，…，
６，…の取り扱いおよび位置決めが容易になる特長があ
る。このリードフレーム５ａ，６ａは、電極３，…４…
にリードフレーム５ａ，６ａを接続した後に切断分離し
てもよいし、電極３，…４…に低融点合金７を接続した
後に切断分離してもよいし、フラックス８，８…を塗布
乾燥固化後に切断分離してもよいし、プラスチックフィ
ルム１ａおよび９ａのホットメルト樹脂層２，１０を融
着封止後、切断分離前または分離後に切断分離してもよ
い。

【００３３】

【実施態様２】次に、本発明の第２実施態様の保護素子
Ｂについて説明する。本第２実施態様の保護素子Ｂは、
図１および図２の第１実施例における電極３，４を省略
して、リードにまたがって直接低融点合金を接続したも
のである。図１１は保護素子Ｂの一部を切り開いた平面
図で、図１２は長手方向の中心線に沿う断面図を示す。
図１１および図１２において、１１はプラスチックフィ
ルムで、片面全面にホットメルト樹脂層１２を有する。
１３，１４は銅、ニッケル、銅合金、ニッケル合金等か
らなるリードで、前記ホットメルト樹脂層１２によりプ
ラスチックフィルム１１に接着固定されている。これら
のリード１３，１４の内方端間にまたがって、低融点合
金１５が溶接等により接続されている。前記リード１
３，１４の内方端および低融点合金１５にはフラックス
１６が塗布されて被覆されている。そして、フラックス
１６の上方からその片面全面にホットメルト樹脂層１８
を形成したプラスチックフィルム１７を、ホットメルト
樹脂層１８側をもって被せ、レーザ照射加熱、高周波加
熱、熱圧着等により、ホットメルト樹脂層１２，１８同
士を融着して封止している。

【００３４】この第２実施態様の保護素子Ｂにおいて
も、ホットメルト層１２，１８同士を加熱融着して封止
しているので、前記第１実施例の保護素子Ａと同様の優
れた耐湿性が得られる。また、第１実施態様の保護素子
Ａに比較して、電極３，４を有しないので、それだけ材
料費および加工費を低減でき、安価な保護素子を提供で
きるという特長がある。また、周囲の温度がリード１
３，１４を介して直接低融点合金１５に伝わるので、周
囲温度に迅速に対応する動作特性の優れた保護素子が得
られるという特長もある。

【００３５】この第２実施態様の保護素子Ｂは、リード
５，６にまたがって予め低融点合金１５を溶接等により
接続してリード−低融点合金一体構体を製造しておい
て、このリード−低融点合金一体構体を、プラスチック
フィルム１１にホットメルト樹脂層１２を利用して固定
し、低融点合金１５にフラックス１６を塗布してから、
ホットメルト樹脂層１８を有するプラスチックフィルム
１７を被せて、ホットメルト樹脂層１２，１８同士を融
着封止するようにしてもよい。なお、この第２実施態様
の保護素子Ｂも、１個ずつ製造できることはもちろんで
あるが。電極２，３を形成しない点を除いて、概ね図１
０と同様の製造方法を採用することができる。この場合
に、プラスチックフィルム１１にホットメルト樹脂層１
２を利用してリード１３，…１４…を固定した後に、リ
ード１３，…１４，…の内方端にまたがって低融点合金
１５を接続してもよいし、前述のように、予めリードリ
ード１３，…１４，…の内方端にまたがって低融点合金
１５を接続してリード−低融点合金一体構体を製作して
おいて、このリード−低融点合金一体構体を、プラスチ
ックフィルム１１にホットメルト樹脂層１２を利用して
固定するようにしてもよい。

【００３６】

【実施態様３】次に、本発明の第３実施態様の保護素子
Ｃについて説明する。本第３実施態様の保護素子Ｃは、
低融点合金と、通電発熱によりこの前記低融点合金を強
制的に溶断させる抵抗体とを具備する，いわゆる抵抗付
きヒューズに関するものである。図１３は、本第３実施
態様の保護素子Ｃの上部プラスチックフィルム，フラッ
クス等の一部を切り開いた状態を示す平面図であり、図
１４は図１３の保護素子ＣにおけるＸ−Ｘ線に沿う縦断
面図で、図１５は下部プラスチックフィルムの一部を切
り開いた下面図である。

【００３７】図１３ないし図１５において、３１は前記
同様の可撓性を有するプラスチックベースフィルムで、
その長手方向の両端近傍に偏芯して透孔３２，３３が穿
設されている。前記プラスチックベースフィルム３１の
表面の一方端の前記透孔３３を含まない位置，透孔３２
を含む位置、および透孔３３を含む位置にそれぞれ銅，
ニッケル、銅合金，ニッケル合金等よりなる電極３４，
３５，３５が形成されている。また、プラスチックベー
スフィルム３１の裏面の長手方向の両端には、それぞれ
前記透孔３２，３３を含む位置に銅，ニッケル，銅合
金，ニッケル合金等よりなる電極３７，３８が形成され
ている。なお、前記各電極３４，３５，３６，３７，３
８の上には、それぞれ金層やはんだ層が単独または積層
形成されてもよい。

【００３８】ここで、前記プラスチックベースフィルム
３１の表面側の電極３５と裏面側の電極３７とは透孔３
２内の導電体を介して接続されており、また、プラスチ
ックベースフィルム３１の表面側の電極３６と裏面側の
電極３８とは透孔３３内の導電体を介して接続されてい
る。なお、前記透孔３２，３３をプラスチックベースフ
ィルム３１の表裏両面側からまたはそのいずれか一方側
からテーパ状に形成しておき、粗面化後Ｐｄ置換してお
き、電極をめっき法で形成することにより、プラスチッ
クベースフィルム３１の表面側の電極３４，３５，３６
と、裏面側の電極３７，３８と、さらにこれら表裏両面
の電極３４ないし３８を透孔３２，３３内で接続する接
続導電体とを同時に形成することができる。

【００３９】なお、この第３実施態様の保護素子Ｃのプ
ラスチックベースフィルム３１においては、第１，第２
の実施態様の保護素子Ａ，Ｂと相違して、前記各電極３
４ないし３８は、プラスチックベースフィルム３１の長
手方向の両端および／または短手方向の両端まで形成し
てもよい。それは、後述するように、このプラスチック
ベースフィルム３１よりも大きいサイズの上下部プラス
チックフィルムを用いて封止することにより、プラスチ
ックベースフィルム３１が端面から露出することがない
からである。

【００４０】前記プラスチックベースフイルム３１の裏
面の電極３７，３８間にまたがって、例えば酸化ルテニ
ウム（ＲｕＯ）等を蒸着，スパッタまたはめっきして抵
抗膜３９が形成されている。なお、この抵抗膜３９に代
えて厚膜抵抗やチップ抵抗を用いることもできる。

【００４１】再び表面側に戻って、前記電極３４ないし
３６には、前述したように、必要によりそれぞれ金層や
低融点合金よりも高融点のはんだ層が形成されている。
そして、この電極３４ないし３６に、それぞれ銅板材，
ニッケル板材，銅合金板材またはニッケル合金板材等よ
りなるリード４０，４１，４２が前記はんだ層等によっ
て固着接続されている。ここで、リード４０と４１は、
同一軸線上になるように接続固定され、リード４２のみ
が異なる位置から導出されるように接続固定されている
とともに、その幅寸法も他のリード４０，４１より小さ
く設定されている。。

【００４２】前記電極３４と３５の内方端間にまたがっ
て、低融点合金４３が溶接等により接続されている。こ
こで、電極３４と３５に金層や低融点合金よりも高融点
のはんだ層が形成されていると、低融点合金４３の溶接
性が向上し、低融点合金４３を容易かつ確実に接続で
き、接続抵抗を低減し、内部抵抗の小さい保護素子が得
られる。前記低融点合金４３の表面は、フラックス４４
によって被覆されている。

【００４３】そして、前記フラックス４４の上方から
と、前記抵抗膜３９の下方からは、それぞれ片面全面に
ホットメルト樹脂層４６を有する上部プラスチックフィ
ルム４５と、ホットメルト樹脂層４８を有する下部プラ
スチックフィルム４７とが、それぞれホットメルト樹脂
層４６，４８側をもって被せられ、これら両プラスチッ
クフィルム４５，４７の周縁同士をレーザ照射加熱、高
周波加熱、熱圧着等により、ホットメルト樹脂層４６，
４８同士を融着封止してある。

【００４４】ここで、図１３から明らかなように、上部
プラスチックフィルム４５と下部プラスチックフィルム
４７とは、プラスチックベースフィルム３１よりも、長
手方向で片側寸法ｃだけ大きく、また短手方向で片側寸
法ｄだけ大きいサイズにしていることによって、プラス
チックベースフィルム３１からはみ出る上下部プラスチ
ックフィルム４５，４７のホットメルト樹脂層４６，４
８同士が融着封止されるため、電極３４ないし３８が、
プラスチックベースフィルム３１の長手方向の両端およ
び／または短手方向の両端まで形成されていても、何ら
支障なく封止できる。

【００４５】本第３実施態様の保護素子Ｃにおいても、
可撓性でかつホットメルト樹脂層４６，４８を有するプ
ラスチックフイルム４５および４７を用い、ホットメル
ト樹脂層４６，４８同士を融着封止したので、耐湿性の
優れた保護素子が提供できるという作用効果が得られる
のみならず、抵抗膜３９への通電発熱により、低融点合
金４３を強制的に溶断させることができるので、低融点
合金４３の融点は前記第１実施態様や第２実施態様の保
護素子Ａ，Ｂにおける周囲温度に応答する低融点合金
７，１５ほど厳密な溶断精度が要求されなくなるので、
低融点合金４３の選択範囲が広くなり、入手容易な安価
な材料を採用できるのみならず、温度ヒューズが使用で
きなかった新たな用途にも適用できるという特有の作用
効果を奏する。

【００４６】次に、上記第３実施態様の保護素子Ｃの使
用方法例について説明する。図１６は、上記の保護素子
Ｃの等価回路図を示す。図１６において、５０，５１，
５２は端子で、それぞれリード４０，４１，４２に対応
している。また、Ｆはヒューズ素子で低融点合金４３に
対応しており、前記端子５０（４０），５１（４１）間
に接続されている。さらに、Ｒは抵抗で抵抗膜３９に対
応しており、前記端子５１（４１），５２（４２）間に
接続されている。

【００４７】図１７は前記抵抗付きヒューズよりなる保
護素子Ｃを、リチウムイオン二次電池の過充電防止に適
用した場合の回路図を示す。図１７において、６１，６
２は正負直流電源端子で、６３，６４は正負直流負荷端
子である。前記正直流電源端子６１には保護素子Ｃの端
子５０（４０）が接続され、正直流負荷端子６３には保
護素子Ｃの端子５１（４１）が接続されている。したが
って、前記正直流電源端子６１と正直流負荷端子６３間
には保護素子Ｃのヒューズ素子Ｆ（低融点合金４３）が
接続されている。また、負直流電源端子６２は負直流負
荷端子６４に接続されている。さらに、保護素子Ｃの端
子５２（４２）は、負荷の端子電圧を検知する検知回路
の電圧検知動作によって導通状態となるスイッチング素
子，例えばＮＰＮ型トランジスタ６５のコレクタ−エミ
ッタを介して、負直流電源端子６２（負直流負荷端子６
４）に接続されている。前記正直流負荷端子６３とスイ
ッチング素子６５の制御端子（ベース）間には、電圧検
知回路６６が接続されている。前記電圧検知回路６６
は、電圧検知手段の一例としてのツェナダイオード６７
と電流制限抵抗６８の直列回路からなり、前記ツェナダ
イオード６７のカソードが前記性直流負荷端子６３に接
続されており、前記電流制限抵抗６８の他端はスイッチ
ング素子６５の制御端子（ベース）に接続されている。
ここで、前記図１７のように保護素子Ｃを接続する場合
に、前述のとおり、リード４０，４１が一直線状に導出
されており、リード４２のみが異なる位置から導出され
ており、しかもその幅が他のリード４０，４１と異なっ
ているので、これらリード４０，４１，４２，すなわち
端子５０，５１，５２の判別が容易で、誤接続すること
がない。

【００４８】図１７の回路構成において、正負直流電源
端子６１，６２間に、直流電源の一例として充電器６９
を接続するとともに、正負直流負荷端子６３，６４に負
荷の一例としてリチウムイオン二次電池７０を接続す
る。すると、充電器６９−端子６１−端子５０（４０）
−ヒューズ素子Ｆ（低融点合金４３）−端子５１（４
１）−端子６３−リチウムイオン二次電池７０−端子６
４−端子６２−充電器６９の経路で、リチウムイオン二
次電池７０が充電される。このリチウムイオン二次電池
７０の端子電圧は、電圧検知回路６６によって検知され
るが、充電開始直後はリチウムイオン二次電池７０の端
子電圧が低いため、ツェナダイオード６７が非導通状態
であり、したがって、トランジスタ６５にベース電流が
供給されないため、トランジスタ６５はオフ状態であ
る。

【００４９】充電時間の経過とともに、リチウムイオン
二次電池７０の端子電圧は次第に上昇していき、ついに
リチウムイオン二次電池７０の端子電圧が所定電圧に達
して充電が完了すると、ツェナダイオード６７が導通状
態になり、トランジスタ６５にベース電流が流れ、トラ
ンジスタ６５が導通状態となる。すると、充電器６９−
端子６１−端子５０（４０）−ヒューズ素子Ｆ（低融点
合金４３）−端子５１（４１）−抵抗Ｒ（抵抗膜３９）
−端子５２（４２）−トランジスタ６５−端子６２−充
電器６９の経路で電流が流れ、抵抗Ｒ（抵抗膜３９）が
発熱する。この抵抗Ｒ（抵抗膜３９）の発熱は、プラス
チックベースフィルム３１を介して表面側の低融点合金
４３（ヒューズ素子Ｆ）に伝達され、低融点合金４３
（ヒューズ素子Ｆ）が溶断する。すると、リチウムイオ
ン二次電池７０の充電が停止されて、過充電が防止され
るとともに、抵抗Ｒ（抵抗膜３９）がヒューズ素子Ｆ
（低融点合金４３）の２次側に接続されているので、抵
抗Ｒ（抵抗膜３９）への通電加熱も停止される。

【００５０】なお、本発明の上記各実施態様は、特定の
構造のものについて説明したが、本発明は上記実施例に
示した構造に限定されるものではなく、本発明の精神を
逸脱しない範囲で、各種の変形が可能であることはいう
までもない。

【００５１】例えば、図１および図２に示す第１実施態
様の保護素子Ａにおいて、リード５，６を電極３,４に
接続しないで、プラスチックフィルム１に透孔を形成
し、その裏面に電極およびはんだ層を形成するとともに
表裏面の電極を透孔内の導電体で接続して、この裏面の
電極およびはんだ層にリードを接続するようにしてもよ
い。そのようにすると、プラスチックフィルム１と９と
の融着封止部分にリードが介在されないので、プラスチ
ックフィルム１と９との接合部が平面状となり、融着封
止がより一層確実になり、耐湿性が向上するという特徴
がある。

【００５２】また、図１および図２に示す第１実態様の
保護素子Ａにおいて、リード５,６を設ける代わりに、
薄膜または厚膜状の電極３，４を下側プラスチックフィ
ルム１の端面または透孔を通って裏面に延長形成するこ
とにより、表面実装タイプにすることもできる。

【００５３】さらにまた、図１３ないし図１５に示す第
３実施態様の保護素子Ｃにおいては、抵抗膜３９をプラ
スチックベースフィルム３１の低融点合金４３の接続固
着面側と反対側に設ける場合について説明したが、低融
点合金４３の固着面側と同一面側に設けてもよい。この
場合、抵抗膜３９の表面に絶縁層を形成し、この絶縁層
の上に低融点合金４３を形成することが望ましい。その
ような構成によれば、抵抗膜３９の発熱は薄い絶縁層を
介して低融点合金４３に伝達されるので、抵抗膜３９へ
の通電開始後、短時間で低融点合金４３を溶断させるこ
とができるという特長がある。換言すれば、抵抗膜３９
のより小さな発熱で低融点合金４３を溶断できるという
特長がある。その場合、当然、プラスチックベースフィ
ルム３１の透孔３２，３３やプラスチックベースフィル
ム３１の裏面側の電極３７，３８は不要である。

【００５４】また、リード５,６、１３，１４および４
０ないし４２は、電流容量を損なわない限り、封止部分
を幅狭状にするか、封止部分を蛇行させるか、封止部分
に透孔を形成するかして、プラスチックフィルム１,１
１,４５と９,１７,４７との融着封止面積を増大させる
ことが望ましい。場合によっては、リード５,６、１
３，１４および４０ないし４２の封止部分に、エムボス
またはハーフエッチングによる凹部を設けて、封止界面
を凹凸状にしてもよい。

【００５５】

【発明の効果】本発明は以上のように、離隔した導体間
にまたがって形成された低融点合金と、低融点合金を被
覆するフラックスと、前記導体およびフラックスを上下
から可撓性を有するプラスチックフィルムで封止した保
護素子において、前記プラスチックフィルムが、封止面
にホットメルト樹脂層を有し、このホットメルト樹脂層
が加熱により融着封止されていることを特徴とする保護
素子であるから、ホットメルト樹脂層を加熱融着封止す
ると、上下プラスチックフィルム同士はもちろんのこ
と、導体とプラスチックフィルム間もホットメルト樹脂
層を介して容易かつ確実に封止でき、耐湿性の優れた保
護素子が提供できる。また、導体部分のみに接着剤を塗
布するものに比較して、導体部分に一々接着材を塗布す
る煩雑な作業が省略できるのみならず、接着剤の塗布忘
れや塗布不良等による耐湿性低下がなく、容易かつ確実
に優れた耐湿性の保護素子が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の第１実施態様の保護素子Ａの一部を
切り開いた平面図

【図２】 本発明の第１実施態様の保護素子Ａの長手方
向の中心線に沿う断面図

【図３】 本発明の第１実施態様の保護素子Ａの製造工
程ブロツク図

【図４】 本発明の第１実施態様の保護素子Ａの製造工
程におけるプラスチックフィルムの正面図

【図５】 本発明の第１実施態様の保護素子Ａの製造工
程におけるプラスチックフィルムに電極を形成した状態
の正面図

【図６】 本発明の第１実施態様の保護素子Ａの製造工
程におけるプラスチックフィルム上の電極にリードを接
続した状態の正面図

【図７】 本発明の第１実施態様の保護素子Ａの製造工
程における電極間にまたがって低融点合金を接続した状
態の正面図

【図８】 本発明の第１実施態様の保護素子Ａの製造工
程における低融点合金をフラックスで被覆した状態の正
面図

【図９】 本発明の第１実施態様の保護素子Ａの製造工
程における下部プラスチックフィルムと上部プラスチッ
クフィルムを融着封止する前の状態を示す一部を断面で
示す正面図

【図１０】 本発明の第１実施態様の保護素子Ａの別の
製造工程における各工程を併示した平面図

【図１１】 本発明の第２実施態様の保護素子Ｂの一部
を切り開いた平面図

【図１２】 本発明の第２実施態様の保護素子Ｂの中心
線に沿う断面図

【図１３】 本発明の第３実施態様の保護素子Ｃの一部
を切り開いた平面図

【図１４】 本発明の第３実施態様の保護素子ＣのＸ−
Ｘ線に沿う断面図

【図１５】 本発明の第３実施態様の保護素子Ｃの一部
を切り開いた下面図

【図１６】 本発明の第３実施態様の保護素子Ｃの等価
回路図

【図１７】 本発明の第３実施態様の保護素子Ｃをリチ
ウムイオン二次電池の過充電防止に適用した回路図

【図１８】 従来の保護素子Ｄの一部を切り開いた平面
図

【図１９】 従来の保護素子Ｄの中心線に沿う断面図

【符号の説明】

１、１ａ、９、９ａ，１１、１７、４５、４７ プラス
チックフィルム ２、２ａ、１０、１０ａ、１２、１８、４６、４８ ホ
ットメルト樹脂層 ３、４、３４、３５、３６、３７、３８ 電極 ５、６、１３、１４、４０、４１、４２ リード ５ａ、６ａ リードフレーム ７、１５、４３ 低融点合金 ８、１６、４４ フラックス ３１ プラスチックベースフィルム ３２、３３ 透孔 ３９ 抵抗膜 ５０、５１、５２ 端子 ６１、６２ 正負直流電源端子 ６３、６４ 正負直流負荷端子 ６５ スイッチング素子（トランジスタ） ６６ 電圧検知回路 ６７ 電圧検知素子（ツェナダイオード） ６８ 電流制限抵抗 ６９ 直流電源（充電器） ７０ 負荷（リチウムイオン二次電池） Ｆ ヒューズ素子 Ｒ 抵抗

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】離隔した導体間にまたがって形成された低
   融点合金と、低融点合金を被覆するフラックスと、前記
   導体およびフラックスを上下から可撓性を有するプラス
   チックフィルムで封止した保護素子において、前記プラ
   スチックフィルムが、封止面にホットメルト樹脂層を有
   し、このホットメルト樹脂層が加熱により融着封止され
   ていることを特徴とする保護素子。
2. 【請求項２】前記プラスチックフィルムが、ポリアミド
   （ＰＡ），アクリロニトリルブタジエンスチレン（ＡＢ
   Ｓ），アクリロニトリルスチレン（ＡＳ），ポリメチル
   メタアクリル（ＰＭＭＡ），ポリビニルアルコール（Ｐ
   ＶＡＬ），ポリ塩化ビニリデン（ＰＶＤＣ），ポリエチ
   レンテレフタレート（ＰＥＴ），ポリアセタール（ＰＯ
   Ｍ），ポリカーボネート（ＰＣ），ポリフェニレンエー
   テル（ＰＰＥ），ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ
   Ｐ），超高分子量ポリエチレン（ＵＨＭＷ−ＰＥ），ポ
   リふっ化ビニリデン（ＰＶＤＦ），ポリサルホン（ＰＳ
   Ｆ），ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ），ポリフェニ
   レンサルファイド（ＰＰＳ），ポリアリレート（ＰＡ
   Ｒ），ポリアミドイミド（ＰＡＩ），ポリエーテルイミ
   ド（ＰＥＩ），ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥ
   Ｋ），ポリイミド（ＰＩ），液晶ポリマ（ＬＣＰ），ポ
   リテトラフロロエチレン（ＰＴＦＥ），フエノール（Ｐ
   Ｆ），ユリア（ＵＦ），メラミン（ＭＦ），不飽和ポリ
   エステル（ＵＰ），エポキシ（ＥＰ），シリコーン（Ｓ
   Ｉ），ポリウレタン（ＰＵＲ）およびポリエチレンナフ
   タレート（ＰＥＮ）の中から選択された１種，またはこ
   れらの２種以上を混合したもの，またはこれらの２種以
   上を積層したもの，またはこれらを主成分とするものの
   いずれかであることを特徴とする請求項１に記載の保護
   素子。
3. 【請求項３】前記ホットメルト樹脂層が、ポリアミド
   系、ゴム系、アクリル系、エポキシ系、ポリエステル
   系、フェノール系、酢酸ビニル系のいずれかであること
   を特徴とする請求項１に記載の保護素子。
4. 【請求項４】前記ホットメルト樹脂層が、前記プラスチ
   ックフィルムの封止面全面に形成されていることを特徴
   とする請求項１または３のいずれかに記載の保護素子。
5. 【請求項５】前記導体が、前記プラスチックフィルムの
   封止面に形成された電極であることを特徴とする請求項
   １に記載された保護素子。
6. 【請求項６】前記電極が、導電ペーストの塗布，箔の接
   着，めっき，蒸着，スパッタのいずれかで形成されたも
   のであることを特徴とする請求項５に記載の保護素子。
7. 【請求項７】前記導体が、リードであることを特徴とす
   る請求項１に記載の保護素子。
8. 【請求項８】前記導体が、銅，ニッケル，銅合金または
   ニツケル合金の中から選択されたものであることを特徴
   とする請求項５ないし７のいずれかに記載の保護素子。
9. 【請求項９】前記導体の一部または全面に、金層を有す
   ることを特徴とする請求項５ないし８のいずれかに記載
   の保護素子。
10. 【請求項１０】前記導体が、表面にはんだ層を有するこ
    とを特徴とする請求項５ないし９のいずれかに記載の保
    護素子。
11. 【請求項１１】前記保護素子が、温度ヒューズ，抵抗付
    きヒューズ，電流ヒューズまたは温度ヒューズ兼電流ヒ
    ューズのいずれかであることを特徴とする請求項１ない
    し１０のいずれかに記載の保護素子。