JP2002025942A - 半導体用電極およびその製造方法 - Google Patents
半導体用電極およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体との電気的導通性に優れ、可撓性に富
み、さらに長寿命で信頼性が高い半導体用電極を提供す
ること。 【解決手段】 少なくともＡｇ粉末、Ｉｎ粉末、および
セルロースアセテートブチレート樹脂を含み、好ましく
は重量比でＡｇ粉末／Ｉｎ粉末が１〜４である半導体用
電極、および前記各成分を含む導電性ペーストを半導体
上に塗布し、Ｉｎの融点より高い温度で加熱して乾燥す
る工程を有する半導体用電極の製造方法。
み、さらに長寿命で信頼性が高い半導体用電極を提供す
ること。 【解決手段】 少なくともＡｇ粉末、Ｉｎ粉末、および
セルロースアセテートブチレート樹脂を含み、好ましく
は重量比でＡｇ粉末／Ｉｎ粉末が１〜４である半導体用
電極、および前記各成分を含む導電性ペーストを半導体
上に塗布し、Ｉｎの融点より高い温度で加熱して乾燥す
る工程を有する半導体用電極の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体用電極およ
びその製造方法に関するものである。
びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体用電極としては、半導体との接触
抵抗が低い銀を含んだ導電性ペーストを塗布し、乾燥し
て形成したものが一般的に用いられている。しかしなが
ら、銀を導電材として単独で用いた銀電極を、光によっ
て起電力を生じる半導体用の電極として用いた場合、太
陽光の照射により徐々に崩壊する問題があり、耐光性お
よび寿命信頼性に難点があった。これは、水分の存在下
で光によって起電力を生じる半導体に光を照射すると電
極中の銀がイオン化して電気泳動する現象、いわゆるマ
イグレーションにより、銀電極中の銀が半導体中に入り
込むことに起因する。また、従来から用いられている銀
電極はエポキシ樹脂やフェノール樹脂をバインダーとし
て用いたものが主流であるが、これらの樹脂は可撓性に
劣り、さらにヒートサイクルなどで大きく劣化する問題
があった。
抵抗が低い銀を含んだ導電性ペーストを塗布し、乾燥し
て形成したものが一般的に用いられている。しかしなが
ら、銀を導電材として単独で用いた銀電極を、光によっ
て起電力を生じる半導体用の電極として用いた場合、太
陽光の照射により徐々に崩壊する問題があり、耐光性お
よび寿命信頼性に難点があった。これは、水分の存在下
で光によって起電力を生じる半導体に光を照射すると電
極中の銀がイオン化して電気泳動する現象、いわゆるマ
イグレーションにより、銀電極中の銀が半導体中に入り
込むことに起因する。また、従来から用いられている銀
電極はエポキシ樹脂やフェノール樹脂をバインダーとし
て用いたものが主流であるが、これらの樹脂は可撓性に
劣り、さらにヒートサイクルなどで大きく劣化する問題
があった。
【０００３】特開昭５９−１６７０５６号公報には、炭
素、フェノール樹脂、銀を含む導電性ペーストから形成
する第一層と、金属から形成する第二層とを積層したシ
リコン半導体用の電極が開示されているが、その電極を
備えたシリコン半導体を用いた光起電力素子では満足な
変換効率が得られなかった。この問題は、電極材として
銀およびフェノール樹脂を用いているので、電極の寿命
信頼性、耐ヒートサイクル性、および可撓性などが劣る
ことに起因する。
素、フェノール樹脂、銀を含む導電性ペーストから形成
する第一層と、金属から形成する第二層とを積層したシ
リコン半導体用の電極が開示されているが、その電極を
備えたシリコン半導体を用いた光起電力素子では満足な
変換効率が得られなかった。この問題は、電極材として
銀およびフェノール樹脂を用いているので、電極の寿命
信頼性、耐ヒートサイクル性、および可撓性などが劣る
ことに起因する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題点を
解決し、半導体との接触抵抗が低く、かつ長寿命で高信
頼性の半導体用電極を提供することを目的とする。
解決し、半導体との接触抵抗が低く、かつ長寿命で高信
頼性の半導体用電極を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体用電極
は、少なくとも銀（Ａｇ）粉末、インジウム（Ｉｎ）粉
末およびセルロースアセテートブチレート系樹脂（ＣＡ
Ｂ系樹脂）を含むことを特徴とするものである。さら
に、Ａｇ粉末とＩｎ粉末との含有量の比は重量比でＡｇ
粉末／Ｉｎ粉末＝１〜４であることが好ましい。これに
より、半導体との接触抵抗が低く、かつ長寿命で高信頼
性が高い半導体用電極を得ることができる。
は、少なくとも銀（Ａｇ）粉末、インジウム（Ｉｎ）粉
末およびセルロースアセテートブチレート系樹脂（ＣＡ
Ｂ系樹脂）を含むことを特徴とするものである。さら
に、Ａｇ粉末とＩｎ粉末との含有量の比は重量比でＡｇ
粉末／Ｉｎ粉末＝１〜４であることが好ましい。これに
より、半導体との接触抵抗が低く、かつ長寿命で高信頼
性が高い半導体用電極を得ることができる。
【０００６】また、本発明の半導体用電極の製造方法
は、少なくともＡｇ粉末、Ｉｎ粉末およびＣＡＢ系樹脂
を含む導電性ペーストを半導体素子に塗布する工程と、
前記塗布した導電性ペーストをＩｎの融点より高い温度
に加熱して乾燥する工程を有することを特徴とするもの
である。これにより、導電性ペーストの塗布層に均一に
分散したＩｎが電極と半導体との接合部分に拡散しで合
金化し易くなり、電極と半導体との電気的接触および物
理的な密着性を向上させることができる。
は、少なくともＡｇ粉末、Ｉｎ粉末およびＣＡＢ系樹脂
を含む導電性ペーストを半導体素子に塗布する工程と、
前記塗布した導電性ペーストをＩｎの融点より高い温度
に加熱して乾燥する工程を有することを特徴とするもの
である。これにより、導電性ペーストの塗布層に均一に
分散したＩｎが電極と半導体との接合部分に拡散しで合
金化し易くなり、電極と半導体との電気的接触および物
理的な密着性を向上させることができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の半導体用電極に含まれる
主導電材はＡｇ粉末とＩｎ粉末である。ＩｎはＡｇのよ
うなマイグレーションを起こさないので耐光性安定化剤
として働く。従って、Ｉｎ粉末と高導電性のＡｇ粉末と
を混合して導電材として用いることにより、耐光性と導
電性を兼ね備えた半導体用電極を形成することができ
る。本発明の半導体用電極中には、Ａｇ粉末およびＩｎ
粉末以外の他の導電材として、例えばニッケル、鉄、コ
バルト、金、白金、銅、カーボンなどの粉末を含有させ
てもよい。
主導電材はＡｇ粉末とＩｎ粉末である。ＩｎはＡｇのよ
うなマイグレーションを起こさないので耐光性安定化剤
として働く。従って、Ｉｎ粉末と高導電性のＡｇ粉末と
を混合して導電材として用いることにより、耐光性と導
電性を兼ね備えた半導体用電極を形成することができ
る。本発明の半導体用電極中には、Ａｇ粉末およびＩｎ
粉末以外の他の導電材として、例えばニッケル、鉄、コ
バルト、金、白金、銅、カーボンなどの粉末を含有させ
てもよい。
【０００８】また、上記本発明の半導体用電極に含まれ
るＣＡＢ系樹脂はバインダーとして機能する樹脂材料で
ある。前記のように、従来から用いられてきたフェノー
ル樹脂は硬く、可撓性がないため、電極が接続された半
導体に大きなストレスがかかり、さらに耐ヒートサイク
ル性が弱い問題点があった。一方、ＣＡＢ系樹脂は分子
の構造が網目構造であるためフィルム状に形成しやす
く、また可撓性があるため半導体にストレスがかかり難
い。さらにＣＡＢ系樹脂は耐ヒートサイクル性にも優れ
た樹脂なので、これを用いることにより上記従来のバイ
ンダーの問題点を全て解決することができる。上記ＣＡ
Ｂ系樹脂としては、セルロースアセテートブチレート樹
脂を始め、セルロースアセテートブチレートの側鎖がメ
チル基、フッ素原子、窒素原子などで置換された各種の
樹脂を用いることができる。
るＣＡＢ系樹脂はバインダーとして機能する樹脂材料で
ある。前記のように、従来から用いられてきたフェノー
ル樹脂は硬く、可撓性がないため、電極が接続された半
導体に大きなストレスがかかり、さらに耐ヒートサイク
ル性が弱い問題点があった。一方、ＣＡＢ系樹脂は分子
の構造が網目構造であるためフィルム状に形成しやす
く、また可撓性があるため半導体にストレスがかかり難
い。さらにＣＡＢ系樹脂は耐ヒートサイクル性にも優れ
た樹脂なので、これを用いることにより上記従来のバイ
ンダーの問題点を全て解決することができる。上記ＣＡ
Ｂ系樹脂としては、セルロースアセテートブチレート樹
脂を始め、セルロースアセテートブチレートの側鎖がメ
チル基、フッ素原子、窒素原子などで置換された各種の
樹脂を用いることができる。
【０００９】また、本発明の半導体用電極の製造方法
は、少なくともＡｇ粉末、Ｉｎ粉末およびＣＡＢ系樹脂
を含む導電性ペーストを半導体に塗布し、この塗布膜を
Ｉｎの融点より高い温度に加熱して、乾燥する方法であ
る。上記の導電性ペーストは、例えば、少なくともＡｇ
粉末およびＩｎ粉末を含む導電材を均一に混合し、これ
をＣＡＢ系樹脂を溶媒に溶解させた溶液に加えて三本ロ
ール、らいかい機、ポットミル、ニーダーなどにより混
合することにより、調製することができる。
は、少なくともＡｇ粉末、Ｉｎ粉末およびＣＡＢ系樹脂
を含む導電性ペーストを半導体に塗布し、この塗布膜を
Ｉｎの融点より高い温度に加熱して、乾燥する方法であ
る。上記の導電性ペーストは、例えば、少なくともＡｇ
粉末およびＩｎ粉末を含む導電材を均一に混合し、これ
をＣＡＢ系樹脂を溶媒に溶解させた溶液に加えて三本ロ
ール、らいかい機、ポットミル、ニーダーなどにより混
合することにより、調製することができる。
【００１０】上記の溶媒としては、例えばエチレング
リコールアルキルエーテルやその酢酸エステルのような
セロソルブ系溶剤、アルキレン部分が置換されていて
もよいジエチレングリコールモノアルキルエーテルやそ
の酢酸エステルのようなカルビトール系溶剤、セロソ
ルブ系溶剤やカルビトール系溶剤のエチレン部分を他の
アルキレンで置換された、例えばジプロピレングリコー
ルモノアルキルエーテルなど、テルピネオールのよう
なテルペンアルコール、コハク酸ジメチルのような二
塩基性酸、および酢酸ベンジルなどを用いることがで
きる。上記の中のアルキルは、メチル、エチル、プロピ
ル、あるいはブチルであることが好ましく、特にブチル
であることが好ましい。
リコールアルキルエーテルやその酢酸エステルのような
セロソルブ系溶剤、アルキレン部分が置換されていて
もよいジエチレングリコールモノアルキルエーテルやそ
の酢酸エステルのようなカルビトール系溶剤、セロソ
ルブ系溶剤やカルビトール系溶剤のエチレン部分を他の
アルキレンで置換された、例えばジプロピレングリコー
ルモノアルキルエーテルなど、テルピネオールのよう
なテルペンアルコール、コハク酸ジメチルのような二
塩基性酸、および酢酸ベンジルなどを用いることがで
きる。上記の中のアルキルは、メチル、エチル、プロピ
ル、あるいはブチルであることが好ましく、特にブチル
であることが好ましい。
【００１１】上記導電性ペーストを半導体表面に塗布す
る方法は、スクリーン印刷法、ホトリソグラフィー、オ
フセット印刷、筆やヘラによる塗り付け、およびスプレ
ーなどによる吹き付け法などを採ることができる。導電
性ペーストの塗布層を乾燥する方法としては、ホットプ
レートや循環型乾燥機あるいは温風乾燥などにより加熱
する方法を採ることができる。
る方法は、スクリーン印刷法、ホトリソグラフィー、オ
フセット印刷、筆やヘラによる塗り付け、およびスプレ
ーなどによる吹き付け法などを採ることができる。導電
性ペーストの塗布層を乾燥する方法としては、ホットプ
レートや循環型乾燥機あるいは温風乾燥などにより加熱
する方法を採ることができる。
【００１２】本発明は広く各種ＩＣ素子や電子機器に用
いられている半導体の電極に適用することができる。例
えば、太陽電池用半導体としてはアモルファスシリコ
ン、ポリシリコンなどのシリコン系半導体、ＣｄＳ、Ｃ
ｄＴｅ、ＧａＡｓなどに代表される各種化合物半導体が
あり、これらの半導体用の電極として本発明を効果的に
用いることができる。例えば、本発明を太陽電池に適用
する場合には、ｎ型半導体膜あるいはｐ型半導体膜に電
気的に接続される各種の電極に適用することができる。
具体的には、同一透光性基板上に形成された複数のセル
間を電気的に接続するための電極、或いは、単数または
複数のセルから構成されるサブモジュールの＋側電極や
−側電極として本発明の電極を用いることができる。
いられている半導体の電極に適用することができる。例
えば、太陽電池用半導体としてはアモルファスシリコ
ン、ポリシリコンなどのシリコン系半導体、ＣｄＳ、Ｃ
ｄＴｅ、ＧａＡｓなどに代表される各種化合物半導体が
あり、これらの半導体用の電極として本発明を効果的に
用いることができる。例えば、本発明を太陽電池に適用
する場合には、ｎ型半導体膜あるいはｐ型半導体膜に電
気的に接続される各種の電極に適用することができる。
具体的には、同一透光性基板上に形成された複数のセル
間を電気的に接続するための電極、或いは、単数または
複数のセルから構成されるサブモジュールの＋側電極や
−側電極として本発明の電極を用いることができる。
【００１３】本発明の半導体用電極は、半導体に直接に
接続された電極以外にも、例えば、ＣｄＳ／ＣｄＴｅ系
太陽電池のＣｄＴｅ膜上に形成されたカーボン膜上に設
けられた電極のように、間接的に半導体と電気的接続さ
れる電極としても用いることができる。
接続された電極以外にも、例えば、ＣｄＳ／ＣｄＴｅ系
太陽電池のＣｄＴｅ膜上に形成されたカーボン膜上に設
けられた電極のように、間接的に半導体と電気的接続さ
れる電極としても用いることができる。
【００１４】
【実施例】本発明を実施例により、さらに詳細に説明す
る。
る。
【００１５】《実施例１》本発明による半導体用電極を
用いたＣｄＳ／ＣｄＴｅ系太陽電池を作製した。その概
略断面を図１に示す。まず、透明ガラス基板１（８２０
×７１４ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのホウ珪酸ガラス板）上
に、酸化錫からなる透明導電膜２（伝導率；１０Ω／ｃ
ｍ2、光透過率；９８％）を形成した。次いで、ジエチ
ルジチオカルバミン酸カドミウム錯体を熱分解させるこ
とにより、透明導電膜２上に厚さ８００オングストロー
ムのＣｄＳ膜３を形成した。さらに、このＣｄＳ膜３と
透明導電膜２とをＹＡＧレーザーにより同時にパターニ
ングしてセル単位の膜に分割した。次いで、パターニン
グされたＣｄＳ膜３上および透明ガラス基板１の露出部
上に、近接昇華法により厚さ３０００オングストローム
のＣｄＴｅ膜４を形成した。このＣｄＴｅ膜４をサンド
ブラスト法によりパターニングして１３０のセル単位の
膜に分割した。
用いたＣｄＳ／ＣｄＴｅ系太陽電池を作製した。その概
略断面を図１に示す。まず、透明ガラス基板１（８２０
×７１４ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのホウ珪酸ガラス板）上
に、酸化錫からなる透明導電膜２（伝導率；１０Ω／ｃ
ｍ2、光透過率；９８％）を形成した。次いで、ジエチ
ルジチオカルバミン酸カドミウム錯体を熱分解させるこ
とにより、透明導電膜２上に厚さ８００オングストロー
ムのＣｄＳ膜３を形成した。さらに、このＣｄＳ膜３と
透明導電膜２とをＹＡＧレーザーにより同時にパターニ
ングしてセル単位の膜に分割した。次いで、パターニン
グされたＣｄＳ膜３上および透明ガラス基板１の露出部
上に、近接昇華法により厚さ３０００オングストローム
のＣｄＴｅ膜４を形成した。このＣｄＴｅ膜４をサンド
ブラスト法によりパターニングして１３０のセル単位の
膜に分割した。
【００１６】分割された各ＣｄＴｅ膜４上にカーボンペ
ーストを塗布した後、１５０℃で加熱して硬化させ、さ
らに、窒素雰囲気中で４００℃で１０分間の焼成を行っ
てカーボン膜５を形成した。次いで、導電性ペーストを
カーボン膜５と隣接するセルのＣｄＳ膜３にかけてスク
リーン印刷により塗布し、これをＩｎの融点（１５６．
６℃）より高い温度の２００℃で１時間加熱して乾燥さ
せ、本発明によるＡｇＩｎ電極６を形成した。このよう
にして１３０セルが直列に接続された太陽電池サブモジ
ュールを作製した。この際、これらの各セルはＡｇＩｎ
電極６ａにより直列に接続されている。また、両端のカ
ーボン膜５上に形成されたＡｇＩｎ電極６ｂおよび６ｃ
はそれぞれ前記サブモジュールの＋側電極および−側電
極として機能する。
ーストを塗布した後、１５０℃で加熱して硬化させ、さ
らに、窒素雰囲気中で４００℃で１０分間の焼成を行っ
てカーボン膜５を形成した。次いで、導電性ペーストを
カーボン膜５と隣接するセルのＣｄＳ膜３にかけてスク
リーン印刷により塗布し、これをＩｎの融点（１５６．
６℃）より高い温度の２００℃で１時間加熱して乾燥さ
せ、本発明によるＡｇＩｎ電極６を形成した。このよう
にして１３０セルが直列に接続された太陽電池サブモジ
ュールを作製した。この際、これらの各セルはＡｇＩｎ
電極６ａにより直列に接続されている。また、両端のカ
ーボン膜５上に形成されたＡｇＩｎ電極６ｂおよび６ｃ
はそれぞれ前記サブモジュールの＋側電極および−側電
極として機能する。
【００１７】上記の導電性ペーストは下記のようにして
調製した。まず、粒径５〜１００μｍ（平均粒径：約２
０μｍ）のＡｇフレーク粉末と粒径９〜１００μｍ（平
均粒径：約２２μｍ）のＩｎ粉末を重量比で２：１の割
合で混合した導電材と、セルロースアセテートブチレー
ト樹脂（ＣＡＢ樹脂）とを７９：２１の重量比で混合し
た。これに溶剤としてブチルカルビトールを加え、ポッ
トミルで攪拌し均一組成になるまで混合して粘度４０Ｐ
ａ・ｓの導電性ペーストを調製した。
調製した。まず、粒径５〜１００μｍ（平均粒径：約２
０μｍ）のＡｇフレーク粉末と粒径９〜１００μｍ（平
均粒径：約２２μｍ）のＩｎ粉末を重量比で２：１の割
合で混合した導電材と、セルロースアセテートブチレー
ト樹脂（ＣＡＢ樹脂）とを７９：２１の重量比で混合し
た。これに溶剤としてブチルカルビトールを加え、ポッ
トミルで攪拌し均一組成になるまで混合して粘度４０Ｐ
ａ・ｓの導電性ペーストを調製した。
【００１８】上記のようにしてＣｄＳ／ＣｄＴｅ系太陽
電池のサブモジュールを１０個作製した。これらの各太
陽電池サブモジュールについて、ソーラーシミュレータ
ーによってＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃｍ2の条件下で
変換効率を測定して評価した。まず、各太陽電池サブモ
ジュールの初期の変換効率を測定した結果、１０．２〜
１０．６％であり、平均値は１０．４％であった。これ
らの太陽電池サブモジュールのうちの５個をヒートサイ
クル試験に供した。ヒートサイクル試験は、高温（９０
±２℃）と低温（−４０±３℃）の環境下にそれぞれ１
５分間ずつ曝す繰り返しを２００サイクル連続させるこ
とにより行った。ヒートサイクル試験後の太陽電池サブ
モジュールの変換効率を測定した結果、ヒートサイクル
試験による変換効率の劣化率は、初期の変換効率値の
０．５％以下に止まることが判明した。
電池のサブモジュールを１０個作製した。これらの各太
陽電池サブモジュールについて、ソーラーシミュレータ
ーによってＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃｍ2の条件下で
変換効率を測定して評価した。まず、各太陽電池サブモ
ジュールの初期の変換効率を測定した結果、１０．２〜
１０．６％であり、平均値は１０．４％であった。これ
らの太陽電池サブモジュールのうちの５個をヒートサイ
クル試験に供した。ヒートサイクル試験は、高温（９０
±２℃）と低温（−４０±３℃）の環境下にそれぞれ１
５分間ずつ曝す繰り返しを２００サイクル連続させるこ
とにより行った。ヒートサイクル試験後の太陽電池サブ
モジュールの変換効率を測定した結果、ヒートサイクル
試験による変換効率の劣化率は、初期の変換効率値の
０．５％以下に止まることが判明した。
【００１９】ヒートサイクル試験前後の太陽電池サブモ
ジュールは、いずれも外観の変化は殆どなく、電極の密
着性を評価するための剥離試験結果も良好であった。剥
離試験は電極表面にセロハンテープを貼付け、充分に密
着させた後、セロハンテープを一気に剥がし、剥がれ具
合を観察することにより行った。また、他の５個の太陽
電池については温湿度サイクル試験を行った。温湿度サ
イクル試験による変換効率の劣化率は０．６％以下であ
った。外観の変化は殆ど無く、剥離試験結果も良好であ
った。尚、温湿度サイクル試験は、温度８５±２℃、湿
度８５±５％で３０分間、温度−４０±３℃で１時間の
環境下に曝す繰り返しを１０サイクル連続させることに
より行った。
ジュールは、いずれも外観の変化は殆どなく、電極の密
着性を評価するための剥離試験結果も良好であった。剥
離試験は電極表面にセロハンテープを貼付け、充分に密
着させた後、セロハンテープを一気に剥がし、剥がれ具
合を観察することにより行った。また、他の５個の太陽
電池については温湿度サイクル試験を行った。温湿度サ
イクル試験による変換効率の劣化率は０．６％以下であ
った。外観の変化は殆ど無く、剥離試験結果も良好であ
った。尚、温湿度サイクル試験は、温度８５±２℃、湿
度８５±５％で３０分間、温度−４０±３℃で１時間の
環境下に曝す繰り返しを１０サイクル連続させることに
より行った。
【００２０】《比較例１》Ａｇフレーク粉末のみを導電
材として用いた以外は実施例１と同様に調製した導電性
ペーストを用いて、実施例１のＡｇＩｎ電極の代わりに
Ａｇ電極を形成した。それ以外は実施例１と同様にして
１０個の太陽電池サブモジュールを作製した。これら太
陽電池サブモジュールの初期の変換効率を実施例１と同
様の方法で測定した。その結果、５．８〜７．６％と実
施例１よりも著しく低い変換効率を示し、しかも大きな
バラツキを示した。
材として用いた以外は実施例１と同様に調製した導電性
ペーストを用いて、実施例１のＡｇＩｎ電極の代わりに
Ａｇ電極を形成した。それ以外は実施例１と同様にして
１０個の太陽電池サブモジュールを作製した。これら太
陽電池サブモジュールの初期の変換効率を実施例１と同
様の方法で測定した。その結果、５．８〜７．６％と実
施例１よりも著しく低い変換効率を示し、しかも大きな
バラツキを示した。
【００２１】《比較例２》ＣＡＢ樹脂に代わり、ウレタ
ン樹脂（ブロック型ポリイソシアネート）を用いた以外
は実施例１と同様に導電性ペーストを調製した。この導
電性ペーストを用いて、実施例１のＡｇＩｎ電極の代わ
りに従来型の電極を形成した。それ以外は実施例１と同
様にして１０個の太陽電池サブモジュールを作製した。
これらの各太陽電池サブモジュールの初期の変換効率を
実施例１と同様の方法で測定した。その結果、１０．３
〜１０．６％の変換効率を示した。
ン樹脂（ブロック型ポリイソシアネート）を用いた以外
は実施例１と同様に導電性ペーストを調製した。この導
電性ペーストを用いて、実施例１のＡｇＩｎ電極の代わ
りに従来型の電極を形成した。それ以外は実施例１と同
様にして１０個の太陽電池サブモジュールを作製した。
これらの各太陽電池サブモジュールの初期の変換効率を
実施例１と同様の方法で測定した。その結果、１０．３
〜１０．６％の変換効率を示した。
【００２２】比較例２の太陽電池サブモジュールのうち
の５個を実施例１と同様のヒートサイクル試験に供し
た。ヒートサイクル試験後の変換効率の劣化率は４６〜
１００％と極めて大きな値を示した。また、ヒートサイ
クル試験後には、目視でＡｇＩｎ電極の色変化や剥離が
観測されたものもあり、剥離試験では、全数が容易に剥
離した。また、他の太陽電池サブモジュール５個を実施
例１と同様の温湿度サイクル試験に供した。温湿度サイ
クル試験試験後の変換効率の劣化率は６３〜１００％と
いう極めて大きな値を示した。目視によりＡｇＩｎ電極
の色変化が見られ、剥離試験では、ＡｇＩｎ電極中の樹
脂が破壊されて脆くなっているために容易に剥離するも
のや、ＡｇＩｎ電極が半導体と一緒に剥がれるものもあ
った。
の５個を実施例１と同様のヒートサイクル試験に供し
た。ヒートサイクル試験後の変換効率の劣化率は４６〜
１００％と極めて大きな値を示した。また、ヒートサイ
クル試験後には、目視でＡｇＩｎ電極の色変化や剥離が
観測されたものもあり、剥離試験では、全数が容易に剥
離した。また、他の太陽電池サブモジュール５個を実施
例１と同様の温湿度サイクル試験に供した。温湿度サイ
クル試験試験後の変換効率の劣化率は６３〜１００％と
いう極めて大きな値を示した。目視によりＡｇＩｎ電極
の色変化が見られ、剥離試験では、ＡｇＩｎ電極中の樹
脂が破壊されて脆くなっているために容易に剥離するも
のや、ＡｇＩｎ電極が半導体と一緒に剥がれるものもあ
った。
【００２３】比較例２では本発明のＣＡＢ樹脂に代わ
り、ウレタン樹脂樹脂を用いたが、エステル変性エポキ
シポリオールやノボラック型フェノール樹脂、シアノエ
ステル樹脂などＣＡＢ系樹脂を含まないものを用いた場
合にも、比較例２の場合と同様にヒートサイクルおよび
温湿度サイクル試験後に変換効率の大きな劣化、および
電極の著しい剥離や色変化が観測された。
り、ウレタン樹脂樹脂を用いたが、エステル変性エポキ
シポリオールやノボラック型フェノール樹脂、シアノエ
ステル樹脂などＣＡＢ系樹脂を含まないものを用いた場
合にも、比較例２の場合と同様にヒートサイクルおよび
温湿度サイクル試験後に変換効率の大きな劣化、および
電極の著しい剥離や色変化が観測された。
【００２４】また、実施例１ではＡｇ粉末とＩｎ粉末と
の含有量の比を重量比で、１：２としたが、Ａｇ粉末／
Ｉｎ粉末＝１〜４の重量比の範囲内では、実施例１と同
様の効果が得られることが実験により確認されている。
さらに、導電性ペーストの乾燥温度は実施例１では２０
０℃としたが、Ｉｎの融点より高い温度以上で、ＣＡＢ
樹脂が焼失しない程度の温度以下であれば同様の結果を
得ることができた。
の含有量の比を重量比で、１：２としたが、Ａｇ粉末／
Ｉｎ粉末＝１〜４の重量比の範囲内では、実施例１と同
様の効果が得られることが実験により確認されている。
さらに、導電性ペーストの乾燥温度は実施例１では２０
０℃としたが、Ｉｎの融点より高い温度以上で、ＣＡＢ
樹脂が焼失しない程度の温度以下であれば同様の結果を
得ることができた。
【００２５】
【発明の効果】本発明により、半導体との密着性と電気
的導通性に優れ、可撓性に富み、さらには長寿命で信頼
性が高い半導体用電極を得ることができる。
的導通性に優れ、可撓性に富み、さらには長寿命で信頼
性が高い半導体用電極を得ることができる。
【図１】本発明の実施例の半導体用電極を用いた太陽電
池の断面図である。
池の断面図である。
１ ガラス基板 ２ 透明導電膜 ３ ＣｄＳ膜 ４ ＣｄＴｅ膜 ５ カーボン膜 ６ ＡｇＩｎ電極 ６ａ ＡｇＩｎ電極（セル間接続用電極） ６ｂ ＡｇＩｎ電極（＋側電極） ６ｃ ＡｇＩｎ電極（−側電極）
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 33/00 Ｈ０１Ｌ 31/04 Ｅ Ｈ Ｍ Ｆターム(参考） 4M104 AA06 AA07 AA08 AA09 BB08 BB36 BB39 CC01 DD51 DD79 FF13 GG05 HH01 HH08 HH16 HH20 5F041 AA43 CA77 CA82 CA98 5F051 AA03 AA05 AA08 AA09 BA15 BA18 CB13 FA10 GA03 5G301 DA02 DA03 DA42 DD01
Claims (3)
- 【請求項１】 少なくとも銀粉末、インジウム粉末およ
びセルロースアセテートブチレート系樹脂を含むことを
特徴とする半導体用電極。 - 【請求項２】 銀粉末とインジウム粉末との含有量の比
が重量比で銀粉／インジウム粉＝１〜４であることを特
徴とする請求項１に記載の半導体用電極。 - 【請求項３】 少なくとも銀粉末、インジウム粉末およ
びセルロースアセテートブチレート系樹脂を含む導電性
ペーストを半導体素子に塗布する工程と、前記塗布した
導電性ペーストをインジウムの融点より高い温度に加熱
して乾燥する工程を有することを特徴とする半導体用電
極の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000202746A JP3732073B2 (ja) | 2000-07-04 | 2000-07-04 | 半導体用電極およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000202746A JP3732073B2 (ja) | 2000-07-04 | 2000-07-04 | 半導体用電極およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002025942A true JP2002025942A (ja) | 2002-01-25 |
| JP3732073B2 JP3732073B2 (ja) | 2006-01-05 |
Family
ID=18700230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000202746A Expired - Fee Related JP3732073B2 (ja) | 2000-07-04 | 2000-07-04 | 半導体用電極およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3732073B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008135416A (ja) * | 2005-11-11 | 2008-06-12 | Mitsubishi Materials Corp | 太陽電池の電極形成用組成物及び該電極の形成方法並びに該形成方法により得られた電極を用いた太陽電池 |
| US8758891B2 (en) | 2007-04-19 | 2014-06-24 | Mitsubishi Materials Corporation | Conductive reflective film and production method thereof |
| US8816193B2 (en) | 2006-06-30 | 2014-08-26 | Mitsubishi Materials Corporation | Composition for manufacturing electrode of solar cell, method of manufacturing same electrode, and solar cell using electrode obtained by same method |
| US8822814B2 (en) | 2006-10-11 | 2014-09-02 | Mitsubishi Materials Corporation | Composition for electrode formation and method for forming electrode by using the composition |
| WO2015040916A1 (ja) * | 2013-09-17 | 2015-03-26 | 株式会社村田製作所 | 導電性ペーストおよびセラミック電子部品 |
| JPWO2015050252A1 (ja) * | 2013-10-04 | 2017-03-09 | 株式会社スリーボンド | 導電性ペースト |
-
2000
- 2000-07-04 JP JP2000202746A patent/JP3732073B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008135416A (ja) * | 2005-11-11 | 2008-06-12 | Mitsubishi Materials Corp | 太陽電池の電極形成用組成物及び該電極の形成方法並びに該形成方法により得られた電極を用いた太陽電池 |
| US8816193B2 (en) | 2006-06-30 | 2014-08-26 | Mitsubishi Materials Corporation | Composition for manufacturing electrode of solar cell, method of manufacturing same electrode, and solar cell using electrode obtained by same method |
| US9312404B2 (en) | 2006-06-30 | 2016-04-12 | Mitsubishi Materials Corporation | Composition for manufacturing electrode of solar cell, method of manufacturing same electrode, and solar cell using electrode obtained by same method |
| US9620668B2 (en) | 2006-06-30 | 2017-04-11 | Mitsubishi Materials Corporation | Composition for manufacturing electrode of solar cell, method of manufacturing same electrode, and solar cell using electrode obtained by same method |
| US8822814B2 (en) | 2006-10-11 | 2014-09-02 | Mitsubishi Materials Corporation | Composition for electrode formation and method for forming electrode by using the composition |
| US8758891B2 (en) | 2007-04-19 | 2014-06-24 | Mitsubishi Materials Corporation | Conductive reflective film and production method thereof |
| US10020409B2 (en) | 2007-04-19 | 2018-07-10 | Mitsubishi Materials Corporation | Method for producing a conductive reflective film |
| WO2015040916A1 (ja) * | 2013-09-17 | 2015-03-26 | 株式会社村田製作所 | 導電性ペーストおよびセラミック電子部品 |
| JP5971506B2 (ja) * | 2013-09-17 | 2016-08-17 | 株式会社村田製作所 | 導電性ペーストおよびセラミック電子部品 |
| US9765225B2 (en) | 2013-09-17 | 2017-09-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Conductive paste and ceramic electronic component |
| KR101850869B1 (ko) | 2013-09-17 | 2018-04-23 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 도전성 페이스트의 제조 방법 |
| JPWO2015050252A1 (ja) * | 2013-10-04 | 2017-03-09 | 株式会社スリーボンド | 導電性ペースト |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3732073B2 (ja) | 2006-01-05 |
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