JP2002025910A - 熱処理装置と表面処理方法 - Google Patents
熱処理装置と表面処理方法Info
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- JP2002025910A JP2002025910A JP2000201305A JP2000201305A JP2002025910A JP 2002025910 A JP2002025910 A JP 2002025910A JP 2000201305 A JP2000201305 A JP 2000201305A JP 2000201305 A JP2000201305 A JP 2000201305A JP 2002025910 A JP2002025910 A JP 2002025910A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 耐食性を向上させる表面処理方法と、該方法
により表面処理された熱処理装置を提供する。 【解決手段】 処理空間においてウェーハ１上に半導体
装置を形成する熱処理装置１０であって、該処理空間の
内面に、下地層のハロゲン化化合物よりも高い結合力を
有する化合物からなる層９を備えたことを特徴とする熱
処理装置１０を提供する。
により表面処理された熱処理装置を提供する。 【解決手段】 処理空間においてウェーハ１上に半導体
装置を形成する熱処理装置１０であって、該処理空間の
内面に、下地層のハロゲン化化合物よりも高い結合力を
有する化合物からなる層９を備えたことを特徴とする熱
処理装置１０を提供する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、下地層の上に所望
の性質を備えた膜を形成するための表面処理方法と、該
膜が形成された熱処理装置とに関するものである。
の性質を備えた膜を形成するための表面処理方法と、該
膜が形成された熱処理装置とに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体装置の製造に用いられ
るＣＶＤ装置などの熱処理装置に含まれたチャンバは、
アルミニウムやアルマイト等のアルミニウム合金により
製造される。
るＣＶＤ装置などの熱処理装置に含まれたチャンバは、
アルミニウムやアルマイト等のアルミニウム合金により
製造される。
【０００３】しかしながら、該チャンバの内面における
アルミニウムやアルミニウム合金は、半導体装置の製造
プロセスにおいて広く使用される塩素ガスなどの腐食性
の強いガスに曝されるため、該アルミニウムやアルミニ
ウム合金の表面上には、該塩素ガス等による塩化化合物
等が形成される。これにより、該アルミニウムやアルミ
ニウム合金は腐食され、ひいては該チャンバが劣化する
という問題があった。
アルミニウムやアルミニウム合金は、半導体装置の製造
プロセスにおいて広く使用される塩素ガスなどの腐食性
の強いガスに曝されるため、該アルミニウムやアルミニ
ウム合金の表面上には、該塩素ガス等による塩化化合物
等が形成される。これにより、該アルミニウムやアルミ
ニウム合金は腐食され、ひいては該チャンバが劣化する
という問題があった。
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述の問題
を解消するためになされたもので、耐食性を向上させる
表面処理方法と、該方法による表面処理が施された熱処
理装置及びアルミニウム合金を提供することを目的とす
る。
を解消するためになされたもので、耐食性を向上させる
表面処理方法と、該方法による表面処理が施された熱処
理装置及びアルミニウム合金を提供することを目的とす
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、下地層の
ハロゲン化化合物よりも高い結合力を有する化合物を該
下地層の上に形成することにより達成される。このよう
な手段によれば、ハロゲンによる該下地層の腐食を効果
的に防止することができる。ここで、例えば下地層をア
ルミニウムまたはアルミニウム合金からなるものとし、
上記化合物をフッ化カルシウムからなるものとすれば、
該アルミニウムまたはアルミニウム合金のハロゲンによ
る腐食を効果的に防止することができる。
ハロゲン化化合物よりも高い結合力を有する化合物を該
下地層の上に形成することにより達成される。このよう
な手段によれば、ハロゲンによる該下地層の腐食を効果
的に防止することができる。ここで、例えば下地層をア
ルミニウムまたはアルミニウム合金からなるものとし、
上記化合物をフッ化カルシウムからなるものとすれば、
該アルミニウムまたはアルミニウム合金のハロゲンによ
る腐食を効果的に防止することができる。
【０００５】また、本発明の目的は、半導体装置を処理
空間において製造する熱処理装置であって、処理空間の
内面に、該内面を構成する下地層のハロゲン化化合物よ
りも高い結合力を有する化合物からなる層を備えたこと
を特徴とする熱処理装置を提供することにより達成され
る。このような手段によれば、半導体装置の製造過程に
おいて該処理空間内で使用されるハロゲンによる該下地
層の腐食を効果的に防止することができる。ここで、上
記と同様に上記下地層はアルミニウムあるいはアルミニ
ウム合金からなり、上記化合物は、フッ化カルシウムか
らなるものとすることができる。
空間において製造する熱処理装置であって、処理空間の
内面に、該内面を構成する下地層のハロゲン化化合物よ
りも高い結合力を有する化合物からなる層を備えたこと
を特徴とする熱処理装置を提供することにより達成され
る。このような手段によれば、半導体装置の製造過程に
おいて該処理空間内で使用されるハロゲンによる該下地
層の腐食を効果的に防止することができる。ここで、上
記と同様に上記下地層はアルミニウムあるいはアルミニ
ウム合金からなり、上記化合物は、フッ化カルシウムか
らなるものとすることができる。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下において、本発明の実施の形
態を図面を参照しつつ詳しく説明する。なお、図中同一
符号は、同一又は相当部分を示す。
態を図面を参照しつつ詳しく説明する。なお、図中同一
符号は、同一又は相当部分を示す。
【０００７】本実施の形態に係る表面処理方法では、ま
ず、アルミニウムまたはアルミニウム合金の中に不純物
としてカルシウムやマグネシウムなどの元素を添加し、
該混合物を鋳造する。そして、さらにフッ化処理を施す
ことによって、該アルミニウムまたはアルミニウム合金
の表面にフッ化カルシウムやフッ化マグネシウムなどの
高耐食性を有する不動態膜を形成する。以下において、
上記方法をより具体的に説明する。
ず、アルミニウムまたはアルミニウム合金の中に不純物
としてカルシウムやマグネシウムなどの元素を添加し、
該混合物を鋳造する。そして、さらにフッ化処理を施す
ことによって、該アルミニウムまたはアルミニウム合金
の表面にフッ化カルシウムやフッ化マグネシウムなどの
高耐食性を有する不動態膜を形成する。以下において、
上記方法をより具体的に説明する。
【０００８】図１は、本発明の実施の形態に係る表面処
理方法を示すフローチャートである。図１に示されるよ
うに、ステップＳ１においては、上記のようなカルシウ
ムやマグネシウムなどの元素からなる金属粉をアルミニ
ウム粉末に添加し混合する。ここで例えば、該カルシウ
ムやマグネシウムなどを１〜５％（重量％）混合するの
が望ましい。
理方法を示すフローチャートである。図１に示されるよ
うに、ステップＳ１においては、上記のようなカルシウ
ムやマグネシウムなどの元素からなる金属粉をアルミニ
ウム粉末に添加し混合する。ここで例えば、該カルシウ
ムやマグネシウムなどを１〜５％（重量％）混合するの
が望ましい。
【０００９】次にステップＳ２においては、混合した上
記金属粉を誘導加熱炉などの炉を用いて、８００℃から
９００℃の温度で溶解する。そして次にステップＳ３で
は、溶解したアルミニウム合金を鋳造することになる
が、該鋳造の際には溶解した金属が流れるようにするた
め、シリコン等を添加したり、巣ができないように冷却
速度を制御する。
記金属粉を誘導加熱炉などの炉を用いて、８００℃から
９００℃の温度で溶解する。そして次にステップＳ３で
は、溶解したアルミニウム合金を鋳造することになる
が、該鋳造の際には溶解した金属が流れるようにするた
め、シリコン等を添加したり、巣ができないように冷却
速度を制御する。
【００１０】次にステップＳ４では、図１に示されたフ
ッ化不動態処理装置において、加熱炉中に例えば９９．
９９％以上の高純度フッ素ガスを導入し、例えば温度が
３００℃から５００℃で圧力が大気圧の窒素雰囲気中
で、例えば１〜３時間フッ化あ処理する。なお、上記処
理温度については、３００℃から４００℃であることが
より好適である。
ッ化不動態処理装置において、加熱炉中に例えば９９．
９９％以上の高純度フッ素ガスを導入し、例えば温度が
３００℃から５００℃で圧力が大気圧の窒素雰囲気中
で、例えば１〜３時間フッ化あ処理する。なお、上記処
理温度については、３００℃から４００℃であることが
より好適である。
【００１１】以上のような処理により、上記アルミニウ
ム合金の表面にフッ化カルシウムやフッ化マグネシウム
からなる不動態膜が形成され、該アルミニウム合金の高
耐食性が実現される。
ム合金の表面にフッ化カルシウムやフッ化マグネシウム
からなる不動態膜が形成され、該アルミニウム合金の高
耐食性が実現される。
【００１２】ここで、例えば図２に示されるように、Ｃ
ＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置１０の内面に
上記不動態膜９を形成することにより、該ＣＶＤ装置１
０内で塩素などの腐食性の強いガスを用いて半導体装置
を製造する場合における該ＣＶＤ装置１０の劣化を防止
することができる。ここで、図２に示されたＣＶＤ装置
１０は一例であって、上記表面処理方法は熱処理装置に
広く適用することができる。
ＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置１０の内面に
上記不動態膜９を形成することにより、該ＣＶＤ装置１
０内で塩素などの腐食性の強いガスを用いて半導体装置
を製造する場合における該ＣＶＤ装置１０の劣化を防止
することができる。ここで、図２に示されたＣＶＤ装置
１０は一例であって、上記表面処理方法は熱処理装置に
広く適用することができる。
【００１３】なお、図２に示されたＣＶＤ装置１０は、
半導体装置を形成するウェーハ１を所定の位置に載置す
るためのリング２及び載置台１１と、半導体装置を形成
するための原料ガスや酸化剤をウェーハ１に供給するシ
ャワーヘッド３と、シャワーへッド３に酸化剤を供給す
る酸化剤供給管４と、同じくシャワーへッド３に原料ガ
スを供給する原料ガス供給管５と、ウェーハ１をＣＶＤ
装置１０に搬入し、あるいはＣＶＤ装置１０から搬出す
るための搬入／搬出口６と、処理済みのガスを排出する
排気口７と、載置台１１の上においてウェーハ１がセッ
トされたリング２を上下方向に移動させるためのベロー
ズ８とを備える。
半導体装置を形成するウェーハ１を所定の位置に載置す
るためのリング２及び載置台１１と、半導体装置を形成
するための原料ガスや酸化剤をウェーハ１に供給するシ
ャワーヘッド３と、シャワーへッド３に酸化剤を供給す
る酸化剤供給管４と、同じくシャワーへッド３に原料ガ
スを供給する原料ガス供給管５と、ウェーハ１をＣＶＤ
装置１０に搬入し、あるいはＣＶＤ装置１０から搬出す
るための搬入／搬出口６と、処理済みのガスを排出する
排気口７と、載置台１１の上においてウェーハ１がセッ
トされたリング２を上下方向に移動させるためのベロー
ズ８とを備える。
【００１４】また、上記においては、アルミニウム不純
物としてカルシウムやマグネシウムをアルミニウムまた
はアルミニウム合金に混合させる例を説明したが、この
ような不純物元素の選択はフッ素化合物の結合力を参照
するのが望ましい。すなわち、下地層となるアルミニウ
ムあるいはアルミニウム合金に対してフッ素化合物の結
合力が強い場合に初めて、上記のような腐食性が高いガ
スに対して不動態としての性質が有効に発揮される。
物としてカルシウムやマグネシウムをアルミニウムまた
はアルミニウム合金に混合させる例を説明したが、この
ような不純物元素の選択はフッ素化合物の結合力を参照
するのが望ましい。すなわち、下地層となるアルミニウ
ムあるいはアルミニウム合金に対してフッ素化合物の結
合力が強い場合に初めて、上記のような腐食性が高いガ
スに対して不動態としての性質が有効に発揮される。
【００１５】ここで、上記結合力が強い場合には低圧力
下において加熱分解しにくいことになるため、所定の圧
力下における蒸発温度は高くなる。以下の表１は、例と
して圧力が１３３．３２Ｐａ（１ｍｍＨｇ）の下におけ
る、フッ素化合物の蒸発温度（℃）を示すものである。
下において加熱分解しにくいことになるため、所定の圧
力下における蒸発温度は高くなる。以下の表１は、例と
して圧力が１３３．３２Ｐａ（１ｍｍＨｇ）の下におけ
る、フッ素化合物の蒸発温度（℃）を示すものである。
【００１６】
【表１】 なお、上記表１においては参考のため、純アルミニウム
からなる従来のチャンバ内において、塩素処理を施した
場合に生成される塩化アルミニウムの蒸発温度も記され
ている。
からなる従来のチャンバ内において、塩素処理を施した
場合に生成される塩化アルミニウムの蒸発温度も記され
ている。
【００１７】表１に示されるように、それぞれ塩化アル
ミニウム（ＡｌＣｌ３）の蒸発温度は９６．７℃である
のに対して、フッ化アルミニウム（ＡｌＦ３）の蒸発温
度は一桁高く９２２℃、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）
の蒸発温度はさらに一桁高く１６２７℃、フッ化バリウ
ム（ＢａＦ２）の蒸発温度は１４６０℃、フッ化ストロ
ンチウム（ＳｒＦ２）の蒸発温度は１５９６℃、フッ化
マグネシウム（ＭｇＦ ２）の蒸発温度は１４３８℃であ
る。
ミニウム（ＡｌＣｌ３）の蒸発温度は９６．７℃である
のに対して、フッ化アルミニウム（ＡｌＦ３）の蒸発温
度は一桁高く９２２℃、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）
の蒸発温度はさらに一桁高く１６２７℃、フッ化バリウ
ム（ＢａＦ２）の蒸発温度は１４６０℃、フッ化ストロ
ンチウム（ＳｒＦ２）の蒸発温度は１５９６℃、フッ化
マグネシウム（ＭｇＦ ２）の蒸発温度は１４３８℃であ
る。
【００１８】従って、上記のような方法によりカルシウ
ムや、バリウム、ストロンチウムなどのフッ化物からな
る不動態膜を熱処理装置の内面に形成することは、該不
動態膜の安定性より下地層の耐食性を向上させ、該熱処
理装置の劣化を防ぐことができる点で有効であり、なか
でも上記のようにフッ化カルシウム（ＣａＦ２）は最も
結合力が強く安定であることから、該成分からなる不動
態膜を形成することが最も有効である。
ムや、バリウム、ストロンチウムなどのフッ化物からな
る不動態膜を熱処理装置の内面に形成することは、該不
動態膜の安定性より下地層の耐食性を向上させ、該熱処
理装置の劣化を防ぐことができる点で有効であり、なか
でも上記のようにフッ化カルシウム（ＣａＦ２）は最も
結合力が強く安定であることから、該成分からなる不動
態膜を形成することが最も有効である。
【００１９】
【発明の効果】上述の如く、下地層のハロゲン化化合物
よりも高い結合力を有する化合物を該下地層の上に形成
すれば、ハロゲンによる該下地層の腐食を効果的に防止
することができるため、該下地層の耐食性を高めること
ができる。ここで、例えば下地層をアルミニウムまたは
アルミニウム合金からなるものとし、上記化合物をフッ
化カルシウムからなるものとすれば、該アルミニウムま
たはアルミニウム合金のハロゲンによる腐食を効果的に
防止することができるため、耐食性が向上されたアルミ
ニウム合金を得ることができる。
よりも高い結合力を有する化合物を該下地層の上に形成
すれば、ハロゲンによる該下地層の腐食を効果的に防止
することができるため、該下地層の耐食性を高めること
ができる。ここで、例えば下地層をアルミニウムまたは
アルミニウム合金からなるものとし、上記化合物をフッ
化カルシウムからなるものとすれば、該アルミニウムま
たはアルミニウム合金のハロゲンによる腐食を効果的に
防止することができるため、耐食性が向上されたアルミ
ニウム合金を得ることができる。
【００２０】また、処理空間の内面に、該内面を構成す
る下地層のハロゲン化化合物よりも高い結合力を有する
化合物からなる層を備えたことを特徴とする熱処理装置
を提供すれば、半導体装置の製造過程において該処理空
間内で使用されるハロゲンによる該下地層の腐食を効果
的に防止することができるため、半導体装置の製造によ
る熱処理装置の劣化を回避して信頼性の高い熱処理装置
を得ることができる。
る下地層のハロゲン化化合物よりも高い結合力を有する
化合物からなる層を備えたことを特徴とする熱処理装置
を提供すれば、半導体装置の製造過程において該処理空
間内で使用されるハロゲンによる該下地層の腐食を効果
的に防止することができるため、半導体装置の製造によ
る熱処理装置の劣化を回避して信頼性の高い熱処理装置
を得ることができる。
【図１】本発明の実施の形態に係る表面処理方法を示す
フローチャートである。
フローチャートである。
【図２】本発明に係るフッ化不動態処理が施されたＣＶ
Ｄ装置の構成を示す図である。
Ｄ装置の構成を示す図である。
１ ウェーハ ２ リング ３ シャワーヘッド ４ 酸化剤供給管 ５ 原料ガス供給管 ６ 搬入／搬出口 ７ 排気口 ８ ベローズ ９ 不動態膜 １０ ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置 １１ 載置台
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体装置を処理空間において製造する
熱処理装置であって、 前記処理空間の内面に、前記内面を構成する下地層のハ
ロゲン化化合物よりも高い結合力を有する化合物からな
る層を備えたことを特徴とする熱処理装置。 - 【請求項２】 前記下地層は、アルミニウムあるいはア
ルミニウム合金からなる請求項１に記載の熱処理装置。 - 【請求項３】 前記化合物は、フッ化カルシウムからな
る請求項２に記載の熱処理装置。 - 【請求項４】 下地層の上に膜を形成する表面処理方法
であって、 前記下地層のハロゲン化化合物よりも高い結合力を有す
る化合物を前記下地層の上に形成することを特徴とする
表面処理方法。 - 【請求項５】 前記下地層は、アルミニウムまたはアル
ミニウム合金からなる請求項４に記載の表面処理方法。 - 【請求項６】 前記化合物は、フッ化カルシウムからな
る請求項５に記載の表面処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000201305A JP2002025910A (ja) | 2000-07-03 | 2000-07-03 | 熱処理装置と表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000201305A JP2002025910A (ja) | 2000-07-03 | 2000-07-03 | 熱処理装置と表面処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002025910A true JP2002025910A (ja) | 2002-01-25 |
Family
ID=18699025
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000201305A Pending JP2002025910A (ja) | 2000-07-03 | 2000-07-03 | 熱処理装置と表面処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002025910A (ja) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6257640A (ja) * | 1985-09-06 | 1987-03-13 | Toshiba Corp | 真空装置 |
| JPH0466657A (ja) * | 1990-07-05 | 1992-03-03 | Mitsubishi Alum Co Ltd | アルミニウム合金材およびその製造方法 |
| JPH04191379A (ja) * | 1990-11-27 | 1992-07-09 | Applied Materials Japan Kk | プラズマ処理装置 |
| JPH09176772A (ja) * | 1995-12-25 | 1997-07-08 | Mitsubishi Alum Co Ltd | Ａｌ合金およびそのＡｌ合金を利用した耐蝕性に優れたフッ化不働態膜の形成方法 |
| JPH11145064A (ja) * | 1997-11-07 | 1999-05-28 | Iwatani Internatl Corp | プラズマチャンバー |
| JPH11219937A (ja) * | 1998-01-30 | 1999-08-10 | Toshiba Corp | プロセス装置 |
-
2000
- 2000-07-03 JP JP2000201305A patent/JP2002025910A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060818 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061101 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080422 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080619 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080715 |
|
| A02 | Decision of refusal |
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